KR100699998B1 - 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100699998B1
KR100699998B1 KR1020040076667A KR20040076667A KR100699998B1 KR 100699998 B1 KR100699998 B1 KR 100699998B1 KR 1020040076667 A KR1020040076667 A KR 1020040076667A KR 20040076667 A KR20040076667 A KR 20040076667A KR 100699998 B1 KR100699998 B1 KR 100699998B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
pixel definition
layer
definition layer
inorganic pixel
Prior art date
Application number
KR1020040076667A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060027743A (ko
Inventor
강태욱
김무현
송명원
이상웅
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040076667A priority Critical patent/KR100699998B1/ko
Priority to US11/017,648 priority patent/US7573070B2/en
Priority to EP04090511A priority patent/EP1641044A1/en
Priority to JP2004377994A priority patent/JP2006093079A/ja
Priority to CNB2004100104539A priority patent/CN100556222C/zh
Publication of KR20060027743A publication Critical patent/KR20060027743A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100699998B1 publication Critical patent/KR100699998B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet

Abstract

유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다. 상기 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법은 제 1 전극 상부의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 구비하는 무기 화소정의막을 증착법을 이용하여 얇게 형성함으로써, 형성되는 유기막층 패턴이 제 1 전극과 무기 화소정의막과의 단차에 의해 끊어지는 것을 방지하는 효과가 있다. 또한, 전사 공정시 제 1 전극과 유기막층과의 밀착을 향상시켜 낮은 에너지를 갖는 레이저빔으로도 전사가 가능하여 전사 효율을 향상시킬 뿐만 아니라 유기 전계 발광 소자의 발광 효율 및 수명을 향상시키는 효과가 있다.
무기 화소정의막, 스퍼터링(sputtering)

Description

유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE AND FABRICATION METHOD OF THE SAME}
도 1은 종래 기술에 따른 유기 전계 발광 소자의 단면구조도,
도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 단면구조도,
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 설명하는 공정순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 기판 120 : 애노드전극
130 : 유기 화소정의막 140, 240, 340 : 유기막층 패턴
150 : 캐소드전극 220, 320 : 제 1 전극
230, 330 : 무기 화소정의막 250, 350 : 제 2 전극
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 증착법을 이용하여 형성된 무기 화소정의막을 구비하는 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 소자(Flat Panel Display Device) 중에서 유기 전계 발광 소자 (Organic Electroluminescence Display Device)는 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시 장치로서 LCD와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화시킬 수 있으며, 저온 제작이 가능하고, 응답속도가 1ms이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각이 넓고, 높은 콘트라스트(Contrast) 등의 특성을 나타냄으로써 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
일반적으로 유기 전계 발광 소자는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 유기 발광층을 포함하고 있어 애노드전극으로부터 공급받는 홀과 캐소드전극으로부터 받은 전자가 유기 발광층 내에서 결합하여 정공-전자 쌍인 여기자를 형성하고 다시 상기 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생되는 에너지에 의해 발광하게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 유기 전계 발광 소자의 단면구조도이다.
도 1을 참조하면, 소정의 소자가 형성된 기판(110) 상에 애노드전극(120)이 패터닝되어 형성되어 있다.
상기 애노드전극(120) 상부에는 화소영역을 정의하고 유기 발광층 사이에 절연을 위하여 절연성 물질로된 유기 화소정의막(130)이 형성되어 있다. 상기 유기 화소정의막(130)은 통상적으로 유기 물질로서 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마 이드(PA), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐(BCB) 및 페놀수지로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 물질로 형성된다.
상기 유기 화소정의막(130)은 상기 기판 상에 스핀 코팅(Spin Coating)에 의해 적층될 수 있다. 상기 스핀 코팅에 의해 형성된 상기 유기 화소정의막(130)의 두께는 1㎛ 내지 2㎛ 정도이다. 상기 유기 화소정의막(130)을 패터닝하여 개구부를 형성하고, 상기 노출된 애노드전극을 비롯한 유기 화소정의막(130) 상부에 유기 발광층을 포함하는 유기막층 패턴(140)을 형성한다.
상기 유기막층 패턴(140) 상부 전면에 걸쳐 캐소드전극(150)이 형성되어 있다.
상기한 바와 같이, 종래의 유기 전계 발광 소자에서는 유기 화소정의막(130)으로서 유기 물질을 스핀 코팅에 의해 형성하여 왔다. 이 경우, 상기 유기 화소정의막(130)의 두께는 1㎛ 내지 2㎛ 정도로 두껍게 형성되어, 이후 형성되는 유기막층 패턴(140)이 상기 애노드전극과 유기 화소정의막(130)과의 큰 단차에 의해 끊어지는 문제가 발생할 수 있다. 점선 부분이 유기막층 패턴이 끊어질 우려가 있는 부분을 나타낸다. 또한, 상기 유기 화소정의막(130)의 두께가 두꺼우므로 상기 애노드전극과 도너 기판 상의 유기막층과의 밀착이 어려워져 전사 공정시 높은 에너지를 갖는 레이저빔을 필요로 한다. 따라서, 전사 효율이 저하되고 유기 전계 발광 소자의 발광 효율뿐만 아니라 수명도 짧아지는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 화소정의막으로 무기 물질을 증착법을 이용하여 얇게 형성함으로써, 전사 효율을 향상시킬 뿐만 아니라 유기 전계 발광 소자의 발광 효율 및 수명을 향상시키며, 형성되는 유기막층 패턴의 끊어짐을 방지하는 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명은 유기 전계 발광 소자를 제공한다. 상기 유기 전계 발광 소자는 기판; 상기 기판 상부에 형성되어 있는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상부에 형성되어 있으며, 상기 제 1 전극 상부의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 구비하는 무기 화소정의막; 상기 제 1 전극 및 상기 개구부가 형성된 무기 화소정의막의 양 단부 상에 위치하며 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 패턴; 및 상기 유기막층 패턴 상부에 형성되어 있는 제 2 전극을 포함하며, 상기 무기 화소정의막은 증착법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명은 또한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다. 상기 방법은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상부에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극을 포함한 기판 상부에 증착법을 이용하여 무기 화소정의막을 형성하는 단계; 상기 무기 화소정의막을 패터닝하여 적어도 상기 제 1 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 및 상기 개구부가 형성된 무기 화소정의막의 양 단부 상에 적어도 발광층을 포함하는 유 기막층 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 유기막층 패턴 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 무기 화소정의막을 건식식각 또는 습식식각을 이용하여 패터닝할 수 있다.
상기 무기 화소정의막은 화학 기상 증착(CVD)법 또는 물리 기상 증착(PVD)법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 물리 기상 증착법으로서 스퍼터링(sputtering)을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 무기 화소정의막의 두께는 100 내지 3000Å 정도 형성될 수 있으며, 100 내지 1000Å인 것이 바람직하다. 또한, 상기 무기 화소정의막은 비정질 실리콘, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 전극은 애노드전극이고 상기 제 2 전극은 캐소드전극일 수 있으며 반대로, 상기 제 1 전극은 캐소드전극이고 상기 제 2 전극은 애노드전극일 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조 번호는 동일한 구성 요소를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 단면구조도이다.
도 2를 참조하면, 소정의 소자가 형성된 기판(110)과 상기 기판(110) 상부에 제 1 전극(220)이 패터닝되어 형성되어 있다. 상기 기판(110)은 유리, 플라스틱 및 석영 등과 같은 투명한 절연 기판을 사용할 수 있다.
상기 제 1 전극(220)은 애노드전극일 경우에는 일함수가 높은 ITO 또는 IZO로 이루어진 투명 전극이거나 하부층에 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등과 같은 고반사율의 특성을 갖는 금속으로 이루어진 반사막을 포함하는 반사전극일 수 있다. 상기 제 1 전극이 캐소드전극인 경우에는 일함수가 낮은 도전성의 금속으로 Mg, Ca, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로서 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 두께를 갖는 반사전극으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 전극(220)을 포함한 기판 상부 전면에 걸쳐 무기 화소정의막(230)이 형성되고, 상기 무기 화소정의막(230)은 상기 제 1 전극(220)의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 구비한다.
상기 무기 화소정의막(230)은 비정질 실리콘, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막 등의 무기 물질 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 무기 화소정의막(230)은 증착법을 이용하여 형성한다. 증착 방법으로서 여러가지 방법을 이용할 수 있으며 예를 들면, 화학 기상 증착(CVD)법 또는 물리 기상 증착법에 의해 형성할 수 있다. 특히, 물리 기상 증착법으로서 스퍼터링(sputtering)을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다. 상기 증착에 의해 상기 무기 화소정의막(230)은 그 두께를 100 내지 3000Å까지 얇게 형성할 수 있다. 후술할 전사 공정시 전사가 효율적으로 이루어지기 위해서는 상기 무기 화소정의막(230)의 두께가 3000Å 이하인 것이 바람직하다. 상기 무기 화소정의막(230)의 두께가 3000Å 이상이 되면 이후 형성되는 유기막층 패턴이 끊어지거나 전사 효율이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 무기 화소정의막(230)의 두께가 100 내지 1000Å까지 얇게 형성되는 것이 좋다.
상기 제 1 전극(220) 및 개구부가 형성된 상기 무기 화소정의막의 양 단부 상에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 패턴(240)이 형성되어 있다. 상기 유기막층 패턴(240)은 레이저빔의 조사에 의해 상기 제 1 전극(220) 및 상기 무기 화소정의막(230) 상에 전사되는바, 상기 무기 화소정의막(230)의 두께가 100 내지 1000Å로서 얇기 때문에, 전사 공정시 상기 제 1 전극과 유기막층을 포함한 도너 기판 간의 밀착을 향상시키고 이에 따라 형성되는 상기 유기막층 패턴(240)이 끊어지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 낮은 에너지를 갖는 레이저빔으로 전사가 가능하므로 전사 효율이 향상된다. 상세한 설명은 도 3a 내지 도 3d에서 설명하기로 한다.
상기 유기막층 패턴(240)은 상기 발광층 이외에도 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 억제층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 1 이상의 층을 포함할 수 있다.
상기 유기막층 패턴(240) 상부에는 제 2 전극(250)이 형성되어 있다.
상기 제 2 전극(250)은 제 1 전극(220)이 애노드전극 즉, 투명 전극이거나 반사막을 포함하는 투명 전극인 경우에는 일함수가 낮은 도전성의 금속으로 Mg, Ca, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로서 반사전극 즉, 캐소드전극으로 형성하고, 상기 제 1 전극(220)이 캐소드전극인 경우에는 ITO 또는 IZO와 같은 투명 전극 즉, 애노드전극으로 형성할 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 설명하는 공정순서도이다.
도 3a를 참조하면, 기판(110)을 제공한다. 상기 기판(110)은 유리, 플라스틱 및 석영 등과 같은 투명한 절연 기판을 사용할 수 있다.
이어서, 상기 기판(110) 상부에 제 1 전극(320)을 형성한다. 상기 제 1 전극(320)은 애노드전극일 경우에는 고반사율의 특성을 갖는 금속으로 이루어진 반사막을 포함하는 반사전극일 수 있다. 상기 제 1 전극(320)이 캐소드전극인 경우에는 일함수가 낮은 도전성의 금속으로 Mg, Ca, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로서 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 두께를 갖는 반사전극으로 형성할 수 있다.
상기 제 1 전극(320)은 스퍼터링(Sputtering) 또는 이온 플레이팅(ion plat ing) 방법으로 증착할 수 있다. 더욱 바람직하게, 상기 제 1 전극(320)은 스퍼터링 방법으로 증착 후 사진공정에서 패터닝된 포토레지스트(PR;Photo Resist)를 마스크로하여 습식식각(Wet Etching)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성할 수 있다.
이어서, 상기 제 1 전극(320)을 포함한 기판 상부에 걸쳐 무기 화소정의막(330)을 형성한다. 상기 무기 화소정의막(330)은 단위 화소영역을 정의하는 역할을 담당한다.
종래에는 화소정의막으로서 유기 물질을 사용해왔으나 본 발명에서는 무기 물질을 사용하여 상기 무기 화소정의막(330)을 형성한다. 상기 무기 화소정의막(330)을 형성하는데 사용되는 무기 물질로는 비정질 실리콘, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막 등과 같은 무기 물질 중에서 선택하여 사용할 수 있다.
상기 무기 화소정의막(330)은 증착법에 의해 형성한다. 증착법에 의한 박막 형성 방법으로 대표적인 것은 화학 기상 증착법과 물리 기상 증착법이 있다.
화학 기상 증착(이하, CVD라 함)법은 화학 반응을 통하여 원하는 물질의 박막을 얻는 방법으로서, 상기 무기 화소정의막을 형성하는데 이용할 수 있다. 보통의 CVD 공정에서는, 상온의 반응기체가 반응 챔버(reaction chamber)안으로 유입된다. 이 기체 혼합물은 증착 표면에 이르기까지 가열되고, 대류 또는 증착 표면의 가열에 의해 계속 열을 공급받는다. 여러 가지 공정 조건에 따라서 반응기체는 증착 표면에 이르기 전에 기상에서 균일한 반응을 일으키기도 한다. 증착 표면 근처에서는 기체 흐름이 가열되고, 점성에 의해 속도가 떨어지며, 조성의 변화가 생기기 때문에 열, 운동량, 화학조성의 경계층이 형성된다. 도입 기체 또는 반응 중간체(기상 열분해에서 생긴)는 증착 표면에서 불균일한 반응을 일으키고 이로 인해 박막이 형성되게 된다. 이어서 기상의 부산물들은 상기 반응 챔버를 빠져나간다. 상기한 CVD 법을 이용하여 상기 무기 화소정의막(330)을 형성할 수 있다. 상기 CVD법은 여러 가지 방법으로 분류될 수 있는데, 반응 챔버 내부의 압력 정도에 따라 크게 상압 CVD(APCVD), 저압 CVD(LPCVD)로 구분할 수 있고, 상압 CVD는 수행 온도 영역에 의해 다시 저온 CVD(LTCVD), 고온 CVD(HTCVD) 등으로 분류할 수 있다. 그 외에 플라즈마 CVD(PECVD), 광 CVD(PHCVD) 등의 CVD법이 있다.
물리 기상 증착(이하, PVD라 함)법은 원하는 박막 물질의 기판이나 덩어리에 에너지를 가하여 운동 에너지를 가지는 해당 물질이 물리적으로 분리되어 다른 기판에 쌓이게 하여 박막층이 만들어지게 하는 방법으로써, 스퍼터링과 진공 증착으 로 나눌 수 있다.
상기 스퍼터링은 고 에너지의 입자를 원하는 박막과 동질인 물질로 이루어진 기판에 충돌시켜 그곳으로부터 원자와 분자가 떨어져 나와 박막을 만드는 방법을 말하며, 상기 진공 증착은 진공으로 된 용기 내에서 증착 하고자 하는 물질을 가열하여 증기압을 상승시켜 기판 위에 증착되게 하는 방법이다. 상기한 PVD법을 이용하여 상기 무기 화소정의막(330)을 형성할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에서는 증착법을 이용하여 무기 화소정의막(330)을 형성함을 특징으로 한다. 상기 증착법에 의해 형성되는 상기 무기 화소정의막(330)은 그 두께가 100 내지 3000Å까지 형성될 수 있다. 또한, 100 내지 1000Å 정도 까지 얇게 형성하는 것이 바람직하며, 100Å까지 형성하는 것도 가능하다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 상기 무기 화소정의막(330)을 패터닝하여 적어도 상기 제 1 전극(320)의 일부를 노출시키는 개구부를 형성한다. 상기 무기 화소정의막(330)은 건식식각 또는 습식식각을 통하여 패터닝할 수 있다.
상기 건식식각은 이온 충격에 의한 물리적 방법이나 플라즈마 속에서 발생된 반응 물질들의 화학작용 또는, 이온, 전자, 광자 등에 의해 이루어지는 화학작용으로서 물리적 화학적 두 현상이 동시에 적용된 방법을 이용하여 식각하는 방법이다.
상기 무기 화소정의막(330)을 사진공정에서 형성된 포토레지스트 패턴(340)을 이용하여 식각 공정에서 선택적으로 제거되어 레티클(Reticle)에 설계된 패턴대로 기판에 전사하여 형성한다. 상기 건식식각은 일정 압력의 챔버(Chamber)에서 플라즈마 방전을 시켜 반응 가스를 이온(ion), 라디칼(Radical), 전자(Electron) 등 으로 분해시키고 이때 생성된 라디칼이 화학 반응을 일으켜 식각 작용이 일어나도록 하는 플라즈마 에칭(Plasma Etching)으로 수행하는 것이 바람직하다.
상기 습식식각은 화학 용액을 이용하여 포토레지스트 패턴(340)에 맞게 상기 무기 화소정의막(330)을 제거하는 방법으로, 딥핑(Dipping)과 스프레이(Spray) 방식이 있으며, 혼합형도 사용되고 있다.
도 3d를 참조하면, 상기 제 1 전극(320) 및 개구부가 형성된 상기 무기 화소정의막(330)의 양 단부 상에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 패턴(340)을 형성한다. 상기 유기막층 패턴(340)은 잉크-젯 프린팅(ink-jet printing), LITI(Laser Induced Thermal Imaging), 스핀 코팅 및 증착법 등 다양한 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 바람직하게는, LITI를 이용하여 형성하는바, 유기막층이 형성된 도너 기판(도면에 도시되지 않음)을 상기 기판 전면에 라미네이션한 후 상기 도너 기판의 소정의 영역에 레이저빔을 조사하여 상기 제 1 전극(320) 및 개구부가 형성된 상기 무기 화소정의막(330)의 양 단부 상에 상기 유기막층 패턴(340)을 형성한다.
이때, 상기 무기 화소정의막(330)은 상기한 바와 같이 그 두께가 100 내지 3000Å, 바람직하게는 100 내지 1000Å까지 얇게 형성되므로, 상기 제 1 전극(320)과 상기 무기 화소정의막(330)과의 단차가 작아 상기 유기막층 패턴(340) 형성 공정시 전사 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 적은 에너지를 갖는 레이저빔을 사용하여 전사가 가능하므로, 유기 전계 발광 소자의 발광 효율 및 그 수명을 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 형성되는 유기막층 패턴(340)이 끊어지는 것을 방지할 수 있다.
상기 형성되는 유기막층 패턴(340)은 적어도 발광층을 포함하고, 상기 발광층 이외에도 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 억제층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 1 이상의 층을 포함할 수 있다.
이어서, 상기 유기막층 패턴(340) 상부 전체에 걸쳐 제 2 전극(350)을 형성한다. 상기 제 2 전극(350)은 진공 증착으로 형성할 수 있다. 상기 제 2 전극(350)은 제 1 전극(320)이 애노드전극인 투명 전극이거나 반사막을 포함하는 투명 전극인 경우에는 일함수가 낮은 도전성의 금속으로 Mg, Ca, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로서 반사전극 즉, 캐소드전극으로 형성하고, 상기 제 1 전극(320)이 캐소드전극인 경우에는 ITO 또는 IZO와 같은 투명 전극 즉, 애노드전극으로 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 화소정의막으로 무기 물질을 증착법을 이용하여 얇게 형성함으로써, 전사 공정시 제 1 전극과 도너 기판 상의 유기막층과의 밀착을 향상시켜 낮은 에너지를 갖는 레이저빔으로도 전사가 가능하게 하여 전사 효율을 향상시킬 뿐만 아니라 유기 전계 발광 소자의 발광 효율 및 수명을 향상시키는 효과가 있다. 또한, 형성되는 유기막층 패턴이 제 1 전극과 무기 화소정의막과의 단차로 인하여 끊어지는 것을 방지하는 효과가 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역 으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다.

Claims (18)

  1. 기판;
    상기 기판 상부에 형성되어 있는 제 1 전극;
    상기 제 1 전극 상부에 형성되어 있으며, 상기 제 1 전극 상부의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 구비하는 무기 화소정의막;
    상기 제 1 전극 및 상기 개구부가 형성된 무기 화소정의막의 양 단부 상에 위치하며 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 패턴; 및
    상기 유기막층 패턴 상부에 형성되어 있는 제 2 전극을 포함하며,
    상기 무기 화소정의막은 100 내지 1000Å 미만의 두께로 증착된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 화소정의막은 화학 기상 증착(CVD)법 또는 물리 기상 증착(PVD)법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 무기 화소정의막은 스퍼터링(sputtering)을 이용하여 형성된 것을 특징 으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 화소정의막은 비정질 실리콘, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 애노드전극이고, 상기 제 2 전극은 캐소드전극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 캐소드전극이고, 상기 제 2 전극은 애노드전극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상부에 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극을 포함한 기판 상부에 100 내지 1000Å 미만의 두께로 무기 화소정의막을 증착하는 단계;
    상기 무기 화소정의막을 패터닝하여 적어도 상기 제 1 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극 및 상기 개구부가 형성된 무기 화소정의막의 양 단부 상에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 유기막층 패턴 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 무기 화소정의막을 화학 기상 증착법 또는 물리 기상 증착법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 무기 화소정의막을 스퍼터링을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 무기 화소정의막은 비정질 실리콘, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 애노드전극이고, 상기 제 2 전극은 캐소드전극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 캐소드전극이고, 상기 제 2 전극은 애노드전극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 무기 화소정의막을 건식식각을 이용하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 무기 화소정의막을 습식식각을 이용하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
KR1020040076667A 2004-09-23 2004-09-23 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 KR100699998B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040076667A KR100699998B1 (ko) 2004-09-23 2004-09-23 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
US11/017,648 US7573070B2 (en) 2004-09-23 2004-12-22 Organic light emitting display and method of fabricating the same
EP04090511A EP1641044A1 (en) 2004-09-23 2004-12-23 Organic light emitting display and method of fabricating the same
JP2004377994A JP2006093079A (ja) 2004-09-23 2004-12-27 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
CNB2004100104539A CN100556222C (zh) 2004-09-23 2004-12-31 有机发光显示器及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040076667A KR100699998B1 (ko) 2004-09-23 2004-09-23 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060027743A KR20060027743A (ko) 2006-03-28
KR100699998B1 true KR100699998B1 (ko) 2007-03-26

Family

ID=36072985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040076667A KR100699998B1 (ko) 2004-09-23 2004-09-23 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7573070B2 (ko)
EP (1) EP1641044A1 (ko)
JP (1) JP2006093079A (ko)
KR (1) KR100699998B1 (ko)
CN (1) CN100556222C (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100659757B1 (ko) * 2004-08-25 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR20060026776A (ko) * 2004-09-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
US20060197441A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Yaw-Ming Tsai Array substrates for electroluminescent displays and methods of forming the same
KR100700659B1 (ko) * 2005-03-29 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102381391B1 (ko) * 2015-04-16 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
GB0510282D0 (en) * 2005-05-20 2005-06-29 Cambridge Display Tech Ltd Top-electroluminescent devices comprising cathode bus bars
WO2008013402A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing organic light emitting device and organic light emitting device manufactured by using the method
KR101431466B1 (ko) * 2008-07-30 2014-08-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자의 제조 방법
KR100971751B1 (ko) * 2008-10-23 2010-07-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20110057985A (ko) * 2009-11-25 2011-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조방법
US8922463B2 (en) * 2010-04-26 2014-12-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
KR101182447B1 (ko) * 2010-06-16 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101193196B1 (ko) 2010-07-07 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101923172B1 (ko) * 2011-05-16 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101848883B1 (ko) * 2011-06-28 2018-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101941178B1 (ko) * 2012-09-28 2019-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20140058745A (ko) 2012-11-05 2014-05-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104742551B (zh) * 2013-12-27 2017-08-04 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机发光显示器上的有机材料转印方法
CN106449718B (zh) * 2016-11-15 2019-10-18 武汉华星光电技术有限公司 Oled基板及其制作方法
CN111969121A (zh) 2019-05-20 2020-11-20 乐金显示有限公司 发光显示装置
KR20210022206A (ko) 2019-08-19 2021-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220078009A (ko) 2020-12-02 2022-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030035968A (ko) * 2001-10-26 2003-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR20030068452A (ko) * 2002-02-15 2003-08-21 박병주 유기 반도체 소자 및 그의 제조 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3670923B2 (ja) 1999-02-26 2005-07-13 三洋電機株式会社 カラー有機ｅｌ表示装置
US6506616B1 (en) 1999-11-18 2003-01-14 Texas Instruments Incorporated Photolithographic method for fabricating organic light-emitting diodes
JP2002083691A (ja) 2000-09-06 2002-03-22 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置及びその製造方法
JP3608613B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
US6686605B2 (en) * 2001-07-27 2004-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and method of manufacturing the same
US6822264B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6731064B2 (en) 2001-11-20 2004-05-04 International Business Machines Corporation Yield enchancement pixel structure for active matrix organic light-emitting diode displays
KR100656490B1 (ko) 2001-11-26 2006-12-12 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법
JP4101511B2 (ja) * 2001-12-27 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
KR100834344B1 (ko) * 2001-12-29 2008-06-02 엘지디스플레이 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
US6810919B2 (en) 2002-01-11 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus
JP2003288983A (ja) 2002-01-24 2003-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法、及び製造装置
JP3818261B2 (ja) * 2002-01-24 2006-09-06 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
JP2003217855A (ja) 2002-01-28 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
US7411215B2 (en) 2002-04-15 2008-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
KR100477746B1 (ko) * 2002-06-22 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자
US7109650B2 (en) * 2002-07-08 2006-09-19 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
SG130013A1 (en) 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
AU2003260959A1 (en) * 2002-09-11 2004-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and fabrication method of the same
KR100710763B1 (ko) * 2002-09-12 2007-04-24 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 유기 ｅｌ 디스플레이
JP2004192935A (ja) 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
US7893438B2 (en) * 2003-10-16 2011-02-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same
JP2005134755A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030035968A (ko) * 2001-10-26 2003-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR20030068452A (ko) * 2002-02-15 2003-08-21 박병주 유기 반도체 소자 및 그의 제조 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020030035968 *
1020030068452

Also Published As

Publication number Publication date
CN1753589A (zh) 2006-03-29
KR20060027743A (ko) 2006-03-28
JP2006093079A (ja) 2006-04-06
US20060060838A1 (en) 2006-03-23
US7573070B2 (en) 2009-08-11
EP1641044A1 (en) 2006-03-29
CN100556222C (zh) 2009-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100699998B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20060026776A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP3626736B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス・ディスプレイに使用する薄膜の蒸発方法
US8877532B2 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device
JP4990415B2 (ja) 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
EP1317874B1 (en) Patterning of electrodes in oled devices
US7704677B2 (en) Method of patterning conductive polymer layer, organic light emitting device, and method of manufacturing the organic light emitting device
US20120252149A1 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device
WO2014161269A1 (zh) 有机电致发光器件及制备有机电致发光器件的方法
JP2009506200A (ja) 薄膜層の作成方法
KR100659757B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
US8618568B2 (en) Method for manufacturing light-emitting device and film formation substrate
US20080268567A1 (en) Method for fabricating organic light emitting display
KR20080000432A (ko) 섀도우 마스크 및 그를 포함하는 증착 장치와 그 증착장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
JP2009076544A (ja) 有機ｅｌ素子
US20080268136A1 (en) Method of producing organic light emitting apparatus
US8900675B2 (en) Deposition method and method for manufacturing deposition substrate
KR20140118004A (ko) 도너 기판 제조방법
KR102044820B1 (ko) 열 전사 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
WO2007142603A1 (en) An integrated shadow mask and method of fabrication thereof
JP2004165017A (ja) 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法
WO2003073526A2 (en) Method for preparing light emitting devices
JP2023550760A (ja) Ｏｌｅｄ光抽出のためのリソグラフィによる選択的フィラーパターンニング
KR100848150B1 (ko) 유기 발광 표시 패널 및 그 제조방법
KR100744037B1 (ko) 유기 전기발광소자 제조장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 13