KR20150000061A - 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

유기 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주보도록 배치된 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되어 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 제공된 정공 및 전자를 이용하여 광을 생성하는 유기 발광층, 및 상기 제1 전극 및 상기 유기 발광층 사이에 배치된 무기 버퍼층을 포함하고, 상기 무기 버퍼층은 금속 산화물을 포함하는 유기 발광 소자.

Description

유기 발광 소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것이다.
최근 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display), 전기 습윤 표시 장치(Electro Wetting Display Device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel: PDP) 및 전기 영동 표시장치(Electrophoretic Display Device) 등 다양한 표시장치가 개발되고 있다.
표시장치 중 유기발광 표시 장치는 자체 발광형으로서 별도의 광원이 요구되지 않는다. 따라서, 소비 전력이 낮은 장점이 있다. 또한, 유기발광 표시장치는 빠른 응답속도를 갖고 시야갹 및 대비비(contrast ration)도 우수하다.
일반적으로 유기 발광 표시 장치는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 애노드와 캐소드로부터 각각 정공 및 전자가 유기 발광층에 주입되어 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서 발광 된다.
유기 발광 소자는 백색 또는 기본색(primary color)의 광을 발생할 수 있다. 백색 유기 발광 소자의 경우 발광층이 삼원색, 예를 들어 적색, 녹색 및 청색 빛을 내는 발광 물질이 적층된 구조를 가진다. 적층된 적색, 녹색 및 청색의 각 발광층에서 모두 동시에 발광이 이루어짐으로써 전체적으로 균형적인 백색 발광을 얻을 수 있다.
본 발명의 목적은 유기층을 보호할 수 있는 유기발광소자를 제공하는데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주보도록 배치된 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되어 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 제공된 정공 및 전자를 이용하여 광을 생성하는 유기 발광층, 및 상기 제1 전극 및 상기 유기 발광층 사이에 배치된 무기 버퍼층을 포함하고, 상기 무기 버퍼층은 금속 산화물을 포함한다.
상기 제1 전극은, 제1 투명 전극, 상기 제1 투명 전극 상에 배치된 반사 전극, 및 상기 반사 전극 상에 배치된 제2 투명 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 투명 전극과 마주보도록 배치된 제3 투명 전극을 포함한다.
상기 금속 산화물은 삼산화 텅스텐, 산화 몰리브덴, 및 산화 니오븀 중 어느 하나를 포함한다.
상기 유기 발광층은, 상기 제1 전극 상에 배치되고, 상기 제1 전극으로부터 주입된 정공을 수송하는 제1 정공층, 상기 제1 정공층 상에 배치된 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치되어 전자 및 정공을 발생하는 전하 발생층, 상기 전하 발생층 상에 배치되어 상기 전하 발생층으로부터 주입된 정공을 수송하는 제2 정공층, 상기 제2 정공층에 상에 배치된 제2 발광층, 및 상기 제2 발광층 상에 배치되어 상기 제2 전극으로부터 주입된 전자를 수송하는 전자 수송층을 포함한다.
상기 전자 수송층은 n형 물질로 도핑된다.
상기 제1 발광층은 적색 또는 녹색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 청색 발광층이다.
상기 제1 정공층은 상기 제1 전극 상에 배치되고 P형 물질이 도핑된 제1 정공 수송층 및 상기 제1 정공 수송층 상에 배치된 제2 정공 수송층을 포함한다.
상기 제2 정공층은 상기 전하 발생층 상에 배치되고 P형 물질이 도핑된 제3 정공 수송층 및 상기 제3 정공 수송층 상에 배치된 제4 정공 수송층을 포함한다.
본 발명의 유기발광소자는 유기층을 보호할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 도시한 도면이다.
도 3은 도 1 또는 도 2에 도시된 유기 발광 소자를 포함하는 화소의 단면을 도시한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제 1, 제 2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 소자, 제 1 구성요소 또는 제 1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 소자, 제 2 구성요소 또는 제 2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극(10), 제2 전극(20), 및 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 사이에 배치되는 유기 발광층(30), 및 제1 전극(10)과 유기 발광층(30) 사이에 배치되는 무기 버퍼층(40)을 포함한다.
제1 전극(10)은 정공 주입 전극인 양극이며, 제2 전극(20)은 전자 주입 전극인 음극일 수 있다. 또한, 제1 전극(10)은 정극성의 전압을 제공받는 애노드 전극으로 정의되고, 제2 전극(20)은 부극성의 전압을 제공받는 캐소드 전극으로 정의될 수 있다.
제1 전극(10)은 반사형 전극으로 형성된다. 구체적으로, 제1 전극(10)은 제1 투명 전극(11), 제1 투명 전극(11) 상에 배치된 반사 전극(12), 및 반사 전극(12) 상에 배치된 제2 투명 전극(13)을 포함한다.
제1 투명 전극(11) 및 제2 투명 전극(13)은 투명한 도전막인 ITO, IZO, 또는 ZnO 등을 포함할 수 있다. 반사 전극(12)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막을 포함할 수 있다. 예시적인 실시 예로서 제1 및 제2 투명 전극들(11,12)은 도 1에 도시된 바와 같이 ITO를 포함하고, 반사 전극(12)은 도 1에 도시된 바와 같이 Ag를 포함할 수 있다.
제2 전극(20)은 투명한 도전막인 제3 투명 전극(20)을 포함할 수 있다. 제3 투명 전극(20)은 투명한 도전막인 ITO, IZO, 또는 ZnO 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시 예로서 제3 투명 전극(20)은 도 1에 도시된 바와 같이 ITO를 포함할 수 있다.
제1 전극(10)으로부터 정공 및 제2 전극(20)으로부터 전자가 유기 발광층(30)에 주입되어 여기자를(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서 발광 된다. 즉, 제1 전극(10) 및 제2 전극(20)에 인가된 전압에 의해 유기 발광층(30)이 발광 된다.
무기 버퍼층(40)은 금속 산화물을 포함한다. 예를 들어, 무기 버퍼층(40)은 금속 산화물로서 삼산화 텅스텐(WO3), 산화 몰리브덴(MoOx), 및 산화 니오븀(NbOx) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
무기 버퍼층(40)은 유기 발광층(30) 상에 배치되어 유기 발광층(30)을 보호한다. 구체적으로, 유기 발광층(30)은 열 증착 공정에 의해 형성된다. 예를 들어, 증발된 유기 물질이 유기 발광 소자가 형성되는 영역으로 정의되는 화소 영역에 증착되어 유기 발광층(30)이 형성된다. 유기 발광층(30)이 형성된 후 유기 발광층(30) 상에 무기 버퍼층(40)이 형성된다.
무기 버퍼층(40)이 형성된 후, 스퍼터링 공정에 의해 무기 버퍼층(40) 상에 제2 전극(20)이 형성된다. 예를 들어, 스퍼터링 장치에서 플라즈마에 의해 이온화된 가스는 기판상에 증착될 물질로 구성된 스퍼터링 타겟과 충돌한다. 스퍼터링 타겟은 제2 전극(20)을 형성하기 위한 물질로 구성된다. 충돌에 의해 스퍼터링 타겟에서 튀어나온 스퍼터링 물질이 무기 버퍼층(40) 상에 충돌되어 증착된다.
무기 버퍼층(40)이 사용되지 않을 경우, 유기 발광층(30) 상에 제2 전극(10)이 형성된다. 이러한 경우, 충돌에 의해 스퍼터링 타겟에서 튀어나온 스퍼터링 물질이 유기 발광층(30) 상에 충돌되어 증착될때, 충돌에 의해 유기 발광층(30)이 손상될 수 있다. 손상된 유기 발광층(30)은 정상적으로 발광되지 않을 수 있다.
그러나, 유기 발광층(30) 상에 무기 버퍼층(40)이 배치되고, 무기 버퍼층(40) 상에 스퍼터링 물질이 충돌되어 증착되므로, 유기 발광층(30)의 손상이 방지될 수 있다.
유기 발광층(30)은 제1 정공층(31,32), 제1 발광층(33), 전하 발생층(34), 제2 정공층(35,36), 제2 발광층(37), 및 전자 수송층(ETL)을 포함한다.
제1 정공층(31,32)은 제1 전극(10) 상에 배치되고, 제1 정공층(31,32) 상에 제1 발광층(33)이 배치된다. 제1 정공층(31,32)은 제1 전극(10)으로부터 주입된 정공을 수송한다. 구체적으로, 제1 전극(10)으로부터 주입된 정공은 제1 정공층(31,32)을 통해 제1 발광층(33)으로 수송된다.
제1 정공층(31,32)은 정공 공급을 원활히 하기 위해 P형 물질이 도핑되어 제1 전극(10) 상에 배치된 제1 정공 수송층(31) 및 제1 정공 수송층(31) 상에 배치된 제2 정공 수송층(32)을 포함한다.
전하 발생층(34)은 제1 발광층(33) 상에 배치된다. 도시하지 않았으나, 전하 발생층(34)은 도핑된 n형층 및 p형층의 접촉에 의해 형성될 수 있다. 전하 발생층(34)은 전자 및 정공을 발생한다. 전하 발생층(34)은 제1 전극(10)이 배치된 방향으로서 하부에 배치된 제1 발광층(33)으로 전자를 주입할 수 있다. 또한, 전하 발생층(34)은 제2 전극(20)이 배치된 방향으로서 상부에 배치된 제2 발광층(37)으로 정공을 주입할 수 있다.
제1 발광층(33)은 제1 전극(10)으로부터 주입된 정공 및 전하 발생층(34)으로부터 주입된 전자를 이용하여 발광된다. 구체적으로, 제1 전극(10) 및 전하 발생층(34)으로부터 정공 및 전자가 제1 발광층(33)에 주입되어 여기자를(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서 발광 된다. 제1 발광층(33)은 적색 또는 녹색 발광층일 수 있다.
제2 정공층(35,36)은 전하 발생층(34) 상에 배치되고, 제2 정공층(35,36) 상에 제2 발광층(37)이 배치된다. 제2 정공층(35,36)은 전하 발생층(34)으로부터 주입된 정공을 수송한다. 구체적으로, 전하 발생층(34)으로부터 주입된 정공은 제2 정공층(35,36)을 통해 제2 발광층(37)으로 수송된다.
제2 정공층(35,36)은 정공 공급을 원활히 하기 위해 p형 물질이 도핑되어 전하 발생층(34) 상에 배치된 제3 정공 수송층(35) 및 제3 정공 수송층(35) 상에 배치된 제4 정공 수송층(36)을 포함한다.
전자 수송층(38)은 제2 발광층(37) 상에 배치된다. 전자 수송층(38)은 제2 전극(20)으로부터 주입된 전자를 수송한다. 구체적으로 제2 전극(20)으로부터 주입된 전자는 전자 수송층(38)을 통해 제2 발광층(37)으로 수송된다. 전자 수송층(38)은 전도성을 향상시키기 위해 n형 물질로 도핑될 수 있다.
제2 발광층(37)은 전하 발생층(34)으로부터 주입된 정공 및 제2 전극(20)으로부터 주입된 전자에 의해 발광 된다. 구체적으로, 전하 발생층(34) 및 제2 전극(20)으로부터 정공 및 전자가 제2 발광층(37)에 주입되어 여기자를(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서 발광 된다. 제2 발광층(37)은 청색 발광층일 수 있다.
무기 버퍼층(40)은 유기 발광층(30)의 전자 수송층(38) 상에 배치된다. 전자 수송층(38)은 열 증착 공정에 의해 형성된다. 예를 들어, 증발된 유기 물질이 유기 발광 소자가 형성되는 영역으로 정의되는 화소 영역에 증착되어 전자 수송층(38)이 형성된다. 전자 수송층(38)이 형성된 후 전자 수송층(38) 상에 무기 버퍼층(40)이 형성된다.
무기 버퍼층(40)이 형성된 후, 스퍼터링 공정에 의해 무기 버퍼층(40) 상에 제2 전극(10)이 형성된다. 예를 들어, 스퍼터링 장치에서 플라즈마에 의해 이온화된 가스는 기판상에 증착될 물질로 구성된 스퍼터링 타겟과 충돌한다. 스퍼터링 타겟은 제2 전극(20)을 형성하기 위한 물질로 구성된다. 충돌에 의해 스퍼터링 타겟에서 튀어나온 스퍼터링 물질이 무기 버퍼층(40) 상에 충돌되어 증착된다.
무기 버퍼층(40)이 사용되지 않을 경우, 유기 발광층(30)의 전자 수송층(38) 상에 제2 전극(10)이 형성된다. 이러한 경우, 스퍼터링 공정시 스퍼터링 타겟에서 튀어나온 스퍼터링 물질이 전자 수송층(38) 상에 충돌되어 증착될 때, 충돌에 의해 전자 수송층(38)이 손상될 수 있다.
그러나, 전자 수송층(38) 상에 무기 버퍼층(40)이 배치되고, 무기 버퍼층(40) 상에 스퍼터링 물질이 충돌되어 증착되므로, 전자 수송층(38)의 손상이 방지될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광소자(OLED)는 유기층을 보호할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 제1 발광층(33)은 청색 발광층일 수 있다. 제2 발광층(37)은 적색 또는 녹색 발광층일 수 있다. 제1 발광층(33) 및 제2 발광층(37)의 구성이 다른 것을 제외하면, 도 2에 도시된 유기 발광 소자(OLED)의 구성은 도 1에 도시된 유기 발광 소자(OLED)의 구성과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 2에 도시된 유기 발광 소자(OLED)의 다른 구성의 설명은 생략한다.
도 3은 도 1 또는 도 2에 도시된 유기 발광 소자를 포함하는 화소의 단면을 도시한 도면이다. 유기 발광 표시 장치는 도 3에 도시된 화소를 다수 포함한다.
도 3을 참조하면, 화소(PX)는 기판(111) 상에 형성된 박막 트랜지스터(TFT) 및 박막 트랜지스터(TFT)에 의해 구동되는 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다.
구체적으로, 기판(111) 상에는 버퍼층(112)이 형성된다. 버퍼층(112) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)의 반도체층(SM)이 형성된다. 반도체 층(SM)은 아모포스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 재료의 반도체나 유기 반도체로 형성될 수 있다. 또한, 반도체 층(SM)은 산화물 반도체(oxide semiconductor)로 형성될 수 있다. 도시하지 않았으나, 반도체 층(SM)은 소스 영역, 드레인 영역, 및 소스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다.
반도체 층(SM)을 덮도록 게이트 절연막(113)이 형성된다. 게이트 절연막(113) 상에는 반도체층(SM)과 오버랩되는 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE)이 형성된다. 구체적으로 게이트 전극(GE)은 반도체층(SM)의 채널 영역과 오버랩되록 형성될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결된다.
게이트 전극(GE)을 덮도록 층간 절연막(114)이 형성된다. 층간 절연막(114) 상에 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 서로 이격되어 형성된다. 소스 전극(SE)은 게이트 절연막(113) 및 층간 절연막(114)을 관통하여 형성된 제1 컨택 홀(H1)을 통해 반도체층(SM)에 연결될 수 있다. 구체적으로 소스 전극(SE)은 반도체층(SM)의 소스 영역에 연결된다. 드레인 전극(DE)은 게이트 절연막(113) 및 층간 절연막(114)을 관통하여 형성된 제2 컨택 홀(H2)을 통해 반도체층(SM)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 드레인 전극(DE)은 반도체층(SM)의 드레인 영역에 연결된다.
박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 덮도록 보호막(115)이 형성된다. 보호막(115) 상에는 제1 전극(10)이 형성된다. 제1 전극(10)은 보호막(115)을 관통하여 형성된 제3 컨택홀(H3)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)에 연결될 수 있다.
보호막(115) 상에는 화소 정의막(PDL)이 형성된다. 구체적으로, 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(10)을 노출시키는 개구부(OP)를 포함한다. 개구부(OP)에 의해 형성된 영역은 화소 영역으로 정의될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(10)의 경계면을 덮도록 형성될 수 있고, 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 제1 전극(10)의 소정의 영역을 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기 절연막으로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 무기 절연막 및 유기 절연막이 차례로 적층되어 형성될 수 있다.
화소 정의막(PDL)의 개구부(OP) 내에서 제1 전극(10) 상에 유기 발광층(30)이 형성되고, 유기 발광층(30) 상에 무기 버퍼층(40)이 형성된다. 화소 정의막(PDL)과 무기 버퍼층(40) 상에 제2 전극(20)이 형성된다.
상기 제1 전극(11)은 반사형 전극으로 형성되고, 제2 전극(13)은 투명 전극으로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)에 의해 유기발광소자(OLED)의 유기 발광층(30)을 발광시키기 위한 구동 전원이 제1 전극(10)에 인가되고, 구동 전원과 반대 극성의 전원이 제2 전극(20)에 인가된다. 이러한 경우 유기 발광층(30)에 주입된 정공과 전자가 결합하여 여기자(exciton)가 형성되고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서 유기발광소자(10)가 발광 된다. 제1 발광층(33) 및 제2 발광층(37)에서 생성된 광의 조합에 의해 백생광이 생성될 수 있다.
유기 발광층(30)에서 생성된 광(L)은 제1 전극(10)에 의해 반사되어 투명 전극인 제2 전극(20)을 통해 상부 방향으로 발광 된다. 구체적으로 유기 발광층(30)에서 생성된 광(L)은 제1 전극(10)의 반사 전극(12)에 의해 반사되어 상부 방향으로 발광 된다.
이상 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 제1 전극 20: 제2 전극
30: 유기 발광층 40: 무기 버퍼층
11: 제1 투명 전극 12: 반사 전극
13: 제2 투명 전극 31: 제1 정공 수송층
32: 제2 정공 수송층 33: 제1 발광층
34: 전하 발생층 35: 제3 정공 수송층
36: 제4 정공 수송층 37: 제2 발광층
38: 전자 수송층 OLED: 유기 발광 소자

Claims (9)

  1. 제1 전극;
    상기 제1 전극과 마주보도록 배치된 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되어 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 제공된 정공 및 전자를 이용하여 광을 생성하는 유기 발광층; 및
    상기 제1 전극 및 상기 유기 발광층 사이에 배치된 무기 버퍼층을 포함하고,
    상기 무기 버퍼층은 금속 산화물을 포함하는 유기 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극은,
    제1 투명 전극;
    상기 제1 투명 전극 상에 배치된 반사 전극; 및
    상기 반사 전극 상에 배치된 제2 투명 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 제2 투명 전극과 마주보도록 배치된 제3 투명 전극을 포함하는 유기 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 삼산화 텅스텐, 산화 몰리브덴, 및 산화 니오븀 중 어느 하나를 포함하는 유기 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 발광층은,
    상기 제1 전극 상에 배치되고, 상기 제1 전극으로부터 주입된 정공을 수송하는 제1 정공층;
    상기 제1 정공층 상에 배치된 제1 발광층;
    상기 제1 발광층 상에 배치되어 전자 및 정공을 발생하는 전하 발생층;
    상기 전하 발생층 상에 배치되어 상기 전하 발생층으로부터 주입된 정공을 수송하는 제2 정공층;
    상기 제2 정공층에 상에 배치된 제2 발광층; 및
    상기 제2 발광층 상에 배치되어 상기 제2 전극으로부터 주입된 전자를 수송하는 전자 수송층을 포함하는 유기 발광 소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전자 수송층은 n형 물질로 도핑된 유기 발광 소자.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 발광층은 적색 또는 녹색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 청색 발광층인 유기 발광 소자.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 발광층은 청색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 적색 또는 녹색 발광층인 유기 발광 소자.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 정공층은,
    상기 제1 전극 상에 배치되고 P형 물질이 도핑된 제1 정공 수송층; 및
    상기 제1 정공 수송층 상에 배치된 제2 정공 수송층을 포함하는 유기 발광 소자.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 정공층은,
    상기 전하 발생층 상에 배치되고 P형 물질이 도핑된 제3 정공 수송층; 및
    상기 제3 정공 수송층 상에 배치된 제4 정공 수송층을 포함하는 유기 발광 소자.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170049766A (ko) * 2015-10-28 2017-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US10615360B2 (en) 2015-07-22 2020-04-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting diode display including the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070114376A (ko) * 2005-03-31 2007-12-03 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 삼중항 상태로의 직접 주입을 이용하는 유기 발광 장치
KR20120041460A (ko) * 2010-10-21 2012-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
JP2013021138A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Hitachi Ltd 有機発光層材料，有機発光層材料を用いた有機発光層形成用塗液，有機発光層形成用塗液を用いた有機発光素子，有機発光素子を用いた光源装置およびそれらの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070114376A (ko) * 2005-03-31 2007-12-03 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 삼중항 상태로의 직접 주입을 이용하는 유기 발광 장치
KR20120041460A (ko) * 2010-10-21 2012-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
JP2013021138A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Hitachi Ltd 有機発光層材料，有機発光層材料を用いた有機発光層形成用塗液，有機発光層形成用塗液を用いた有機発光素子，有機発光素子を用いた光源装置およびそれらの製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10615360B2 (en) 2015-07-22 2020-04-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting diode display including the same
KR20170049766A (ko) * 2015-10-28 2017-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20210148011A (ko) * 2015-10-28 2021-12-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US11264583B2 (en) 2015-10-28 2022-03-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
KR20220056842A (ko) * 2015-10-28 2022-05-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20230054330A (ko) * 2015-10-28 2023-04-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US11737299B2 (en) 2015-10-28 2023-08-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device

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