JP2021523524A - 補助電極を提供するための方法および補助電極を含むデバイス - Google Patents
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Abstract
【選択図】図18
Description
本出願は、2018年5月7日に出願された米国仮出願番号第62/668,134号の優先権、および2018年9月11日に出願された米国仮出願番号第62/729,889号の優先権を主張し、その内容は参照により全体として本明細書に組み込まれる。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
光電子デバイスであって、
表面を有する基板と、
前記表面上に配設された第1の電極と、
前記第1の電極の少なくとも一部上に配設された半導体層と、
前記半導体層上に配設された第2の電極と、
前記第2の電極の少なくとも一部上に配設された核生成抑制コーティングと、
前記表面上に配設されたパターニング構造であって、前記パターニング構造と前記第2の電極との間に遮蔽領域を提供する、パターニング構造と、
前記表面上に配設された補助電極と、
前記遮蔽領域に配設された導電性コーティングであって、前記補助電極および前記第2の電極を電気的に接続する、導電性コーティングと、を備える、光電子デバイス。
(項目2)
核生成促進コーティングをさらに備え、前記核生成促進コーティングは、前記表面と前記導電性コーティングとの間に配設されている、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目3)
前記核生成促進コーティングは、前記導電性コーティングに接触するように配設されている、項目2に記載の光電子デバイス。
(項目4)
画素画定層をさらに備え、前記画素画定層は前記表面上に配設されている、項目1〜3のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目5)
前記画素画定層は、前記第1の電極の周囲をカバーしている、項目4に記載の光電子デバイス。
(項目6)
前記補助電極は、前記画素画定層上に配設されている、項目4または5に記載の光電子デバイス。
(項目7)
前記補助電極は、前記表面上に配設されている、項目1〜5のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目8)
前記パターニング構造は、前記補助電極上に配設されている、項目1〜7のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目9)
前記補助電極は、前記遮蔽領域に配設されている、項目1〜7のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目10)
前記導電性コーティングおよび前記補助電極は、互いに一体的に形成されている、項目1〜9のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目11)
前記遮蔽領域は、前記核生成抑制コーティングを実質的に含んでいない、項目1〜10のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目12)
前記パターニング構造は、ベース部および上部を含み、前記ベース部は前記表面の近位に配置され、前記上部は前記表面の遠位に配置されている、項目1〜11のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目13)
前記上部は、前記ベース部から側方外向きに延在し、それにより前記遮蔽領域を提供する、項目12に記載の光電子デバイス。
(項目14)
前記ベース部と前記上部との間に側壁が延在し、前記側壁は実質的に直線状、テーパ状、または曲線状である、項目12または13に記載の光電子デバイス。
(項目15)
前記基板は、前記第1の電極と電気的に連絡している薄膜トランジスタをさらに備える、項目1〜14のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目16)
前記半導体層は、放射層を備える、項目1〜15のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目17)
前記半導体層は、正孔注入層、電子遮断層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔遮断層、または電子注入層のうちの少なくとも1つをさらに備える、項目16に記載の光電子デバイス。
(項目18)
前記導電性コーティングは、マグネシウムを含む、項目1〜17のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目19)
光電子デバイスであって、
非放射領域と、前記非放射領域に隣接して配置された放射領域と、を備え、
前記放射領域は、
第1の電極および第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設された半導体層と、を備え、
前記非放射領域は、
補助電極と、
前記補助電極と重なるように配設されたパターニング構造であって、遮蔽領域を提供するように側方に延在している、パターニング構造と、
前記遮蔽領域に配設された導電性コーティングであって、前記補助電極および前記第2の電極を電気的に接続している、導電性コーティングと、を備える、光電子デバイス。
(項目20)
前記放射領域の前記第2の電極上に配設された核生成抑制コーティングをさらに備える、項目19に記載の光電子デバイス。
(項目21)
前記遮蔽領域は、前記核生成抑制コーティングを実質的に含まない、項目20に記載の光電子デバイス。
(項目22)
前記パターニング構造は、前記補助電極上に配設されている、項目19〜21のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目23)
前記非放射領域は、画素画定層をさらに備える、項目19〜22のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目24)
前記補助電極は、前記画素画定層上に配設されている、項目23に記載の光電子デバイス。
(項目25)
前記パターニング構造は、側方延在部を備え、前記側方延在部は前記遮蔽領域を提供する、項目19〜24のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目26)
光電子デバイスを製造するため方法であって、
(i)表面を有する基板を提供することであって、前記基板は、
複数の薄膜トランジスタ、
前記表面上に配設された第1の電極であって、前記薄膜トランジスタのうちの少なくとも1つと電気的に連絡している、第1の電極、
前記表面上に配設され、前記第1の電極の周囲をカバーしている画素画定層、
前記表面上に配設された補助電極、および、
前記補助電極と重なるように配設されたパターニング構造であって、遮蔽領域を提供するように側方に延在している、パターニング構造を備える、提供することと、
(ii)前記第1の電極上に半導体層を堆積させることと、
(iii)前記半導体層上に第2の電極を堆積させることと、
(iv)前記第2の電極上に核生成抑制コーティングを堆積させることと、
(v)前記核生成抑制コーティングおよび前記遮蔽領域を処理して、前記遮蔽領域に導電性コーティングを堆積させるが、前記核生成抑制コーティングの少なくとも一部は前記導電性コーティングにより実質的にカバーされないままにすることと、を含む、方法。
(項目27)
前記導電性コーティングを堆積させることは、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで実行される、項目26に記載の方法。
(項目28)
前記核生成抑制コーティングを堆積させることは、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで実行される、項目26または27に記載の方法。
(項目29)
(v)において前記核生成抑制コーティングおよび前記遮蔽領域を処理することは、前記導電性コーティングを形成する材料の蒸発フラックスに、前記核生成抑制コーティングおよび前記遮蔽領域を露出させることを含む、項目26〜28のいずれか一項に記載の方法。
(項目30)
前記蒸発フラックスの少なくとも一部は、コリメートされていない、項目29に記載の方法。
(項目31)
前記蒸発フラックスの少なくとも一部は、非法線方向の入射角において前記遮蔽領域の遮蔽面に入射する、項目29または30に記載の方法。
(項目32)
(v)において前記核生成抑制コーティングおよび前記遮蔽領域を処理することは、処理中に前記基板を変位させることを含む、項目29〜31のいずれか一項に記載の方法。
(項目33)
前記基板は、角変位、側方変位、または垂直変位のうちの少なくとも1つを受ける、項目32に記載の方法。
(項目34)
前記蒸発フラックスは、点蒸発源、線蒸発源、または面蒸発源により生成される、項目29〜33のいずれか一項に記載の方法。
(項目35)
(v)において前記核生成抑制コーティングおよび前記遮蔽領域を処理することは、回転軸の周りで前記基板を回転させることを含み、前記回転軸は前記基板の前記表面に対して実質的に法線方向である、項目32または33に記載の方法。
(項目36)
前記蒸発フラックスは、点蒸発源、点蒸発源のアレイ、または面蒸発源により生成される、項目35に記載の方法。
(項目37)
前記導電性コーティングを堆積させるとき、前記第2の電極および前記補助電極は前記導電性コーティングにより互いに電気的に接続される、項目26〜36のいずれか一項に記載の方法。
(項目38)
前記補助電極は、前記表面と前記パターニング構造との間に配設される、項目26〜37のいずれか一項に記載の方法。
(項目39)
前記補助電極は、前記画素画定層と前記パターニング構造との間に配設される、項目26〜37のいずれか一項に記載の方法。
(項目40)
光電子デバイスを製造するための方法であって、
(i)表面を有する基板を提供することであって、前記基板は、
少なくとも1つの薄膜トランジスタ、
前記表面上に配設された第1の電極であって、前記少なくとも1つの薄膜トランジスタと電気的に連絡している、第1の電極、
前記表面上に配設された補助電極、および、
前記表面上に配設され、前記補助電極を露出させる貫通孔領域を画定するバンク構造を備える、提供することと、
(ii)前記第1の電極上に半導体層を堆積させることと、
(iii)前記半導体層上に第2の電極を堆積させることと、
(iv)前記第2の電極上に核生成抑制コーティングを堆積させることと、
(v)前記核生成抑制コーティングおよび前記貫通孔領域を処理して、前記貫通孔領域に導電性コーティングを堆積させるが、前記核生成抑制コーティングの少なくとも一部は前記導電性コーティングにより実質的にカバーされないままにすることと、を含む、方法。
(項目41)
前記第2の電極および前記補助電極は、前記導電性コーティングにより電気的に接続される、項目40に記載の方法。
(項目42)
前記バンク構造の少なくとも一部は、前記第1の電極と前記補助電極との間で側方に配設される、項目40または41に記載の方法。
(項目43)
前記貫通孔領域は、実質的に垂直に延在している貫通孔により画定される、項目40〜42のいずれか一項に記載の方法。
(項目44)
前記貫通孔は、前記バンク構造により画定される、項目43に記載の方法。
(項目45)
前記表面上に配設された別のバンク構造をさらに備え、前記貫通孔は、前記バンク構造と前記別のバンク構造との間のギャップにより画定される、項目43に記載の方法。
(項目46)
前記半導体層の少なくとも一部は、印刷により堆積させる、項目40〜45のいずれか一項に記載の方法。
(項目47)
前記核生成抑制コーティングは、非法線方向の入射角において堆積させる、項目40〜46のいずれか一項に記載の方法。
(項目48)
前記貫通孔領域は、前記核生成抑制コーティングを実質的に含まない、項目40〜47のいずれか一項に記載の方法。
(項目49)
光電子デバイスであって、
第1の電極および第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設された半導体層と、
前記第2の電極の少なくとも一部上に配設された核生成抑制コーティングと、
側壁を有する補助電極と、
前記側壁に隣接して配置された導電性コーティングであって、前記補助電極および前記第2の電極と電気的に接続している、導電性コーティングと、を備える、光電子デバイス。
(項目50)
前記補助電極は、上部およびベース部を備え、前記側壁は前記上部と前記ベース部との間に延在している、項目49に記載の光電子デバイス。
(項目51)
前記補助電極の前記側壁は、前記核生成抑制コーティングを実質的に含まない、項目49または50に記載の光電子デバイス。
(項目52)
前記側壁は、実質的に垂直に延在している、項目49〜51のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目53)
前記補助電極は、ステップエッジを画定する、項目49〜52のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目54)
前記側壁は、張り出し部を画定する、項目49〜51のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目55)
前記側壁は、実質的に直線状、テーパ状、または曲線状の部分を含む、項目54に記載の光電子デバイス。
(項目56)
前記張り出し部は、遮蔽領域を形成する、項目54または55に記載の光電子デバイス。
(項目57)
前記遮蔽領域は、前記核生成抑制コーティングから実質的に露出させている、項目56に記載の光電子デバイス。
(項目58)
前記導電性コーティングは、前記遮蔽領域に配設されている、項目56または57に記載の光電子デバイス。
(項目59)
前記補助電極は、下側部分と、上側部分と、を備える、項目49、50、51、54および55のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目60)
前記下側部分は、前記上側部分に対して凹状である、項目59に記載の光電子デバイス。
(項目61)
前記下側部分は、前記上側部分とは異なる材料を備える、項目59または60に記載の光電子デバイス。
(項目62)
前記導電性コーティングは、前記補助電極または前記第2の電極のうちの少なくとも一方と接触している、項目49〜61のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目63)
前記導電性コーティングと前記補助電極との間、または前記導電性コーティングと前記第2の電極との間に配設された中間層をさらに備える、項目49〜61のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目64)
画素画定層をさらに備え、前記補助電極は前記画素画定層上に配設されている、項目49〜63のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目65)
前記補助電極および前記第1の電極は、同じ平面内に配置されている、項目49〜63のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目66)
前記導電性コーティングは、側方に延在して前記第2の電極に重なっている、項目49〜65のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目67)
非放射領域をさらに備え、前記補助電極は前記光電子デバイスの前記非放射領域に配置されている、項目49〜66のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目68)
複数の放射領域をさらに備え、前記補助電極は前記複数の放射領域の間に配置されている、項目49〜67のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目69)
複数の放射領域をさらに備え、前記複数の放射領域は前記導電性コーティングから実質的に露出させている、項目49〜67のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項目70)
前記核生成抑制コーティングは、前記複数の放射領域に配設されている、項目69に記載の光電子デバイス。
Claims (70)
- 光電子デバイスであって、
表面を有する基板と、
前記表面上に配設された第1の電極と、
前記第1の電極の少なくとも一部上に配設された半導体層と、
前記半導体層上に配設された第2の電極と、
前記第2の電極の少なくとも一部上に配設された核生成抑制コーティングと、
前記表面上に配設されたパターニング構造であって、前記パターニング構造と前記第2の電極との間に遮蔽領域を提供する、パターニング構造と、
前記表面上に配設された補助電極と、
前記遮蔽領域に配設された導電性コーティングであって、前記補助電極および前記第2の電極を電気的に接続する、導電性コーティングと、を備える、光電子デバイス。 - 核生成促進コーティングをさらに備え、前記核生成促進コーティングは、前記表面と前記導電性コーティングとの間に配設されている、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記核生成促進コーティングは、前記導電性コーティングに接触するように配設されている、請求項2に記載の光電子デバイス。
- 画素画定層をさらに備え、前記画素画定層は前記表面上に配設されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記画素画定層は、前記第1の電極の周囲をカバーしている、請求項4に記載の光電子デバイス。
- 前記補助電極は、前記画素画定層上に配設されている、請求項4または5に記載の光電子デバイス。
- 前記補助電極は、前記表面上に配設されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記パターニング構造は、前記補助電極上に配設されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記補助電極は、前記遮蔽領域に配設されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングおよび前記補助電極は、互いに一体的に形成されている、請求項1〜9のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記遮蔽領域は、前記核生成抑制コーティングを実質的に含んでいない、請求項1〜10のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記パターニング構造は、ベース部および上部を含み、前記ベース部は前記表面の近位に配置され、前記上部は前記表面の遠位に配置されている、請求項1〜11のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記上部は、前記ベース部から側方外向きに延在し、それにより前記遮蔽領域を提供する、請求項12に記載の光電子デバイス。
- 前記ベース部と前記上部との間に側壁が延在し、前記側壁は実質的に直線状、テーパ状、または曲線状である、請求項12または13に記載の光電子デバイス。
- 前記基板は、前記第1の電極と電気的に連絡している薄膜トランジスタをさらに備える、請求項1〜14のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記半導体層は、放射層を備える、請求項1〜15のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記半導体層は、正孔注入層、電子遮断層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔遮断層、または電子注入層のうちの少なくとも1つをさらに備える、請求項16に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングは、マグネシウムを含む、請求項1〜17のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 光電子デバイスであって、
非放射領域と、前記非放射領域に隣接して配置された放射領域と、を備え、
前記放射領域は、
第1の電極および第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設された半導体層と、を備え、
前記非放射領域は、
補助電極と、
前記補助電極と重なるように配設されたパターニング構造であって、遮蔽領域を提供するように側方に延在している、パターニング構造と、
前記遮蔽領域に配設された導電性コーティングであって、前記補助電極および前記第2の電極を電気的に接続している、導電性コーティングと、を備える、光電子デバイス。 - 前記放射領域の前記第2の電極上に配設された核生成抑制コーティングをさらに備える、請求項19に記載の光電子デバイス。
- 前記遮蔽領域は、前記核生成抑制コーティングを実質的に含まない、請求項20に記載の光電子デバイス。
- 前記パターニング構造は、前記補助電極上に配設されている、請求項19〜21のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記非放射領域は、画素画定層をさらに備える、請求項19〜22のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記補助電極は、前記画素画定層上に配設されている、請求項23に記載の光電子デバイス。
- 前記パターニング構造は、側方延在部を備え、前記側方延在部は前記遮蔽領域を提供する、請求項19〜24のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 光電子デバイスを製造するため方法であって、
(i)表面を有する基板を提供することであって、前記基板は、
複数の薄膜トランジスタ、
前記表面上に配設された第1の電極であって、前記薄膜トランジスタのうちの少なくとも1つと電気的に連絡している、第1の電極、
前記表面上に配設され、前記第1の電極の周囲をカバーしている画素画定層、
前記表面上に配設された補助電極、および、
前記補助電極と重なるように配設されたパターニング構造であって、遮蔽領域を提供するように側方に延在している、パターニング構造を備える、提供することと、
(ii)前記第1の電極上に半導体層を堆積させることと、
(iii)前記半導体層上に第2の電極を堆積させることと、
(iv)前記第2の電極上に核生成抑制コーティングを堆積させることと、
(v)前記核生成抑制コーティングおよび前記遮蔽領域を処理して、前記遮蔽領域に導電性コーティングを堆積させるが、前記核生成抑制コーティングの少なくとも一部は前記導電性コーティングにより実質的にカバーされないままにすることと、を含む、方法。 - 前記導電性コーティングを堆積させることは、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで実行される、請求項26に記載の方法。
- 前記核生成抑制コーティングを堆積させることは、オープンマスクを使用して、またはマスクなしで実行される、請求項26または27に記載の方法。
- (v)において前記核生成抑制コーティングおよび前記遮蔽領域を処理することは、前記導電性コーティングを形成する材料の蒸発フラックスに、前記核生成抑制コーティングおよび前記遮蔽領域を露出させることを含む、請求項26〜28のいずれか一項に記載の方法。
- 前記蒸発フラックスの少なくとも一部は、コリメートされていない、請求項29に記載の方法。
- 前記蒸発フラックスの少なくとも一部は、非法線方向の入射角において前記遮蔽領域の遮蔽面に入射する、請求項29または30に記載の方法。
- (v)において前記核生成抑制コーティングおよび前記遮蔽領域を処理することは、処理中に前記基板を変位させることを含む、請求項29〜31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板は、角変位、側方変位、または垂直変位のうちの少なくとも1つを受ける、請求項32に記載の方法。
- 前記蒸発フラックスは、点蒸発源、線蒸発源、または面蒸発源により生成される、請求項29〜33のいずれか一項に記載の方法。
- (v)において前記核生成抑制コーティングおよび前記遮蔽領域を処理することは、回転軸の周りで前記基板を回転させることを含み、前記回転軸は前記基板の前記表面に対して実質的に法線方向である、請求項32または33に記載の方法。
- 前記蒸発フラックスは、点蒸発源、点蒸発源のアレイ、または面蒸発源により生成される、請求項35に記載の方法。
- 前記導電性コーティングを堆積させるとき、前記第2の電極および前記補助電極は前記導電性コーティングにより互いに電気的に接続される、請求項26〜36のいずれか一項に記載の方法。
- 前記補助電極は、前記表面と前記パターニング構造との間に配設される、請求項26〜37のいずれか一項に記載の方法。
- 前記補助電極は、前記画素画定層と前記パターニング構造との間に配設される、請求項26〜37のいずれか一項に記載の方法。
- 光電子デバイスを製造するための方法であって、
(i)表面を有する基板を提供することであって、前記基板は、
少なくとも1つの薄膜トランジスタ、
前記表面上に配設された第1の電極であって、前記少なくとも1つの薄膜トランジスタと電気的に連絡している、第1の電極、
前記表面上に配設された補助電極、および、
前記表面上に配設され、前記補助電極を露出させる貫通孔領域を画定するバンク構造を備える、提供することと、
(ii)前記第1の電極上に半導体層を堆積させることと、
(iii)前記半導体層上に第2の電極を堆積させることと、
(iv)前記第2の電極上に核生成抑制コーティングを堆積させることと、
(v)前記核生成抑制コーティングおよび前記貫通孔領域を処理して、前記貫通孔領域に導電性コーティングを堆積させるが、前記核生成抑制コーティングの少なくとも一部は前記導電性コーティングにより実質的にカバーされないままにすることと、を含む、方法。 - 前記第2の電極および前記補助電極は、前記導電性コーティングにより電気的に接続される、請求項40に記載の方法。
- 前記バンク構造の少なくとも一部は、前記第1の電極と前記補助電極との間で側方に配設される、請求項40または41に記載の方法。
- 前記貫通孔領域は、実質的に垂直に延在している貫通孔により画定される、請求項40〜42のいずれか一項に記載の方法。
- 前記貫通孔は、前記バンク構造により画定される、請求項43に記載の方法。
- 前記表面上に配設された別のバンク構造をさらに備え、前記貫通孔は、前記バンク構造と前記別のバンク構造との間のギャップにより画定される、請求項43に記載の方法。
- 前記半導体層の少なくとも一部は、印刷により堆積させる、請求項40〜45のいずれか一項に記載の方法。
- 前記核生成抑制コーティングは、非法線方向の入射角において堆積させる、請求項40〜46のいずれか一項に記載の方法。
- 前記貫通孔領域は、前記核生成抑制コーティングを実質的に含まない、請求項40〜47のいずれか一項に記載の方法。
- 光電子デバイスであって、
第1の電極および第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設された半導体層と、
前記第2の電極の少なくとも一部上に配設された核生成抑制コーティングと、
側壁を有する補助電極と、
前記側壁に隣接して配置された導電性コーティングであって、前記補助電極および前記第2の電極と電気的に接続している、導電性コーティングと、を備える、光電子デバイス。 - 前記補助電極は、上部およびベース部を備え、前記側壁は前記上部と前記ベース部との間に延在している、請求項49に記載の光電子デバイス。
- 前記補助電極の前記側壁は、前記核生成抑制コーティングを実質的に含まない、請求項49または50に記載の光電子デバイス。
- 前記側壁は、実質的に垂直に延在している、請求項49〜51のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記補助電極は、ステップエッジを画定する、請求項49〜52のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記側壁は、張り出し部を画定する、請求項49〜51のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記側壁は、実質的に直線状、テーパ状、または曲線状の部分を含む、請求項54に記載の光電子デバイス。
- 前記張り出し部は、遮蔽領域を形成する、請求項54または55に記載の光電子デバイス。
- 前記遮蔽領域は、前記核生成抑制コーティングから実質的に露出させている、請求項56に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングは、前記遮蔽領域に配設されている、請求項56または57に記載の光電子デバイス。
- 前記補助電極は、下側部分と、上側部分と、を備える、請求項49、50、51、54および55のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記下側部分は、前記上側部分に対して凹状である、請求項59に記載の光電子デバイス。
- 前記下側部分は、前記上側部分とは異なる材料を備える、請求項59または60に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングは、前記補助電極または前記第2の電極のうちの少なくとも一方と接触している、請求項49〜61のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングと前記補助電極との間、または前記導電性コーティングと前記第2の電極との間に配設された中間層をさらに備える、請求項49〜61のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 画素画定層をさらに備え、前記補助電極は前記画素画定層上に配設されている、請求項49〜63のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記補助電極および前記第1の電極は、同じ平面内に配置されている、請求項49〜63のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングは、側方に延在して前記第2の電極に重なっている、請求項49〜65のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 非放射領域をさらに備え、前記補助電極は前記光電子デバイスの前記非放射領域に配置されている、請求項49〜66のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 複数の放射領域をさらに備え、前記補助電極は前記複数の放射領域の間に配置されている、請求項49〜67のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 複数の放射領域をさらに備え、前記複数の放射領域は前記導電性コーティングから実質的に露出させている、請求項49〜67のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記核生成抑制コーティングは、前記複数の放射領域に配設されている、請求項69に記載の光電子デバイス。
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