JP2020520076A - パターン化コーティングにわたって伝導性コーティングを選択的に堆積させるための方法および伝導性コーティングを含むデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2017年5月17日に出願された米国仮出願第62/507,760号および2017年6月5日に出願された米国仮出願第62/515,432号の利益およびこれらに対する優先権を主張するものであり、これらの内容の全体は、参照により本明細書中に援用される。
Claims (41)
- デバイスであって、
基板と、
前記基板の少なくとも一部を被覆するパターン化コーティングであって、前記パターン化コーティングは、第1の領域と、第2の領域とを備える、パターン化コーティングと、
前記パターン化コーティングの第2の領域を被覆する伝導性コーティングと
を備え、
前記第1の領域は、前記伝導性コーティングの材料に関して第1の初期付着確率を有し、前記第2の領域は、前記伝導性コーティングの材料に関して第2の初期付着確率を有し、前記第2の初期付着確率は、前記第1の初期付着確率と異なる、デバイス。 - 前記第2の初期付着確率は、前記第1の初期付着確率よりも大きい、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1の領域は、第1の結晶化度を有し、前記第2の領域は、第2の結晶化度を有し、前記第2の結晶化度は、前記第1の結晶化度よりも大きい、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1の領域は、前記伝導性コーティングを実質的に含まない、請求項1に記載のデバイス。
- 前記デバイスは、光電子デバイスである、請求項1に記載のデバイス。
- 前記デバイスは、有機発光ダイオードデバイスである、請求項5に記載のデバイス。
- 前記基板は、放射領域と、非放射領域とを備える、請求項6に記載のデバイス。
- 前記第1の領域は、前記放射領域を被覆するように配列され、前記第2の領域は、前記非放射領域を被覆するように配列される、請求項7に記載のデバイス。
- 前記基板はさらに、前記放射領域中に配列される、第1の電極と、半導体層と、第2の電極とを備える、請求項8に記載のデバイス。
- 前記半導体層は、放射層を備える、請求項9に記載のデバイス。
- 前記基板はさらに、薄膜トランジスタを備え、前記薄膜トランジスタは、前記第1の電極と電気的に接続される、請求項9に記載のデバイス。
- 前記第2の電極は、前記伝導性コーティングと電気的に接続される、請求項9に記載のデバイス。
- 前記伝導性コーティングのシート抵抗は、前記第2の電極のシート抵抗未満である、請求項9に記載のデバイス。
- 前記パターン化コーティングは、第1の表面領域と、第2の表面領域とを備え、前記第1の表面領域は、前記第1の領域の中に配置され、前記第2の表面領域は、前記第2の領域の中に配置される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第2の表面領域中の酸素種の濃度は、前記第1の表面領域中の前記酸素種の濃度よりも大きい、請求項14に記載のデバイス。
- 前記パターン化コーティングの第1の領域は、第1の材料を含み、前記パターン化コーティングの第2の領域は、前記第1の材料と異なる第2の材料を含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1の材料の平均分子量は、前記第2の材料の平均分子量未満である、請求項16に記載のデバイス。
- 前記パターン化コーティングの第1の領域および第2の領域は、相互と一体的に形成される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記伝導性コーティングは、マグネシウムを含む、請求項1に記載のデバイス。
- 伝導性コーティングを選択的に堆積させる方法であって、前記方法は、
基板および前記基板の表面を被覆するパターン化コーティングを提供することと、
前記パターン化コーティングを処理し、伝導性コーティング材料に関して第1の初期付着確率を有する第1の領域および前記伝導性コーティング材料に関して第2の初期付着確率を有する第2の領域を形成することと、
前記伝導性コーティング材料を堆積させ、前記パターン化コーティングの第2の領域を被覆する前記伝導性コーティングを形成することと
を含む、方法。 - 前記第2の初期付着確率は、前記第1の初期付着確率よりも大きい、請求項20に記載の方法。
- 前記パターン化コーティングを処理することは、前記第2の領域を電磁放射線に暴露することを含む、請求項20に記載の方法。
- 前記電磁放射線は、紫外線放射または極紫外線放射である、請求項22に記載の方法。
- 前記パターン化コーティングは、パターン化コーティング材料を含む、請求項22に記載の方法。
- 前記電磁放射線の波長は、前記パターン化コーティング材料の吸収波長に実質的に合致する、請求項24に記載の方法。
- 前記パターン化コーティングを処理することに応じて、前記第2の領域中の酸素種の濃度は、前記第1の領域中の前記酸素種の濃度よりも大きい、請求項20に記載の方法。
- 前記パターン化コーティングは、パターン化コーティング材料を含み、前記パターン化コーティングを処理することに応じて、前記第2の領域中の前記パターン化コーティング材料は、重合される、請求項20に記載の方法。
- 前記第1の領域中の前記パターン化コーティング材料の平均分子量は、前記第2の領域中の前記パターン化コーティング材料の平均分子量未満である、請求項27に記載の方法。
- 前記伝導性コーティング材料を堆積させることは、前記第1の領域の少なくとも一部が前記伝導性コーティングによって被覆されていないままである間に、前記第1の領域および前記第2の領域の両方を前記伝導性コーティング材料の蒸着流束に暴露し、前記第2の領域を被覆する前記伝導性コーティングを形成することを含む、請求項20に記載の方法。
- 前記伝導性コーティング材料を堆積させることは、開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに実施される、請求項20に記載の方法。
- 光電子デバイスを製造する方法であって、前記方法は、
放射領域および非放射領域を備える基板を提供することであって、前記放射領域は、(i)第1の電極および第2の電極と、(ii)前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置される半導体層とを備える、ことと、
前記放射領域および前記非放射領域を被覆するパターン化コーティングを堆積させることと、
前記非放射領域を被覆する前記パターン化コーティングの一部を処理し、前記パターン化コーティングの処理された部分の初期付着確率を増加させることと、
前記非放射領域を被覆する伝導性コーティングを堆積させることと
を含む、方法。 - 前記基板は、前記第1の電極にわたって配列される前記半導体層と、前記半導体層にわたって配列される前記第2の電極とを備える、請求項31に記載の方法。
- 前記第2の電極は、前記放射領域および前記非放射領域の両方の中に配置される、請求項31に記載の方法。
- 前記パターン化コーティングは、前記第2の電極にわたって、かつ前記第2の電極と直接接触して配置される、請求項31に記載の方法。
- 前記放射領域は、前記非放射領域に隣接して配列される、請求項31に記載の方法。
- 前記パターン化コーティングの一部を処理することは、前記パターン化コーティングの一部を電磁放射線に暴露することを含む、請求項31に記載の方法。
- 前記パターン化コーティングの一部を前記電磁放射線に暴露することは、マスクまたはレーザを使用して実施される、請求項36に記載の方法。
- 前記伝導性コーティングは、前記非放射領域を被覆する前記パターン化コーティングの処理された部分にわたって、かつ前記処理された部分と直接接触して堆積される、請求項31に記載の方法。
- 前記伝導性コーティングを堆積させることは、前記放射領域の少なくとも一部が前記伝導性コーティングによって被覆されていないままである間に、前記パターン化コーティングの処理された部分および前記パターン化コーティングの残りの部分の両方を伝導性コーティング材料の蒸着流束に暴露し、前記非放射領域を被覆する前記伝導性コーティングを堆積させることを含む、請求項31に記載の方法。
- 前記伝導性コーティングを堆積させることは、開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに実施される、請求項31に記載の方法。
- 前記伝導性コーティングを堆積させることに応じて、前記伝導性コーティングは、前記第2の電極と電気的に接続される、請求項31に記載の方法。
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