CN113073292B - 图案结构制作方法和掩膜结构 - Google Patents

图案结构制作方法和掩膜结构 Download PDF

Info

Publication number
CN113073292B
CN113073292B CN202110323735.8A CN202110323735A CN113073292B CN 113073292 B CN113073292 B CN 113073292B CN 202110323735 A CN202110323735 A CN 202110323735A CN 113073292 B CN113073292 B CN 113073292B
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
substrate
new
suppression
projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110323735.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113073292A (zh
Inventor
苏圣勋
刘强
刘亚伟
杜哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Original Assignee
Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd filed Critical Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Priority to CN202110323735.8A priority Critical patent/CN113073292B/zh
Publication of CN113073292A publication Critical patent/CN113073292A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113073292B publication Critical patent/CN113073292B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供的图案结构制作方法和掩膜结构，涉及金属图案制作技术领域。在本申请中，首先，提供一掩膜结构，其中，掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构，第一基板包括开口区域和非开口区域，金属抑制结构用于抑制金属材料的附着。其次，在第一基板远离金属抑制结构的一侧形成第二基板。然后，通过开口区域在第二基板靠近金属抑制结构的一侧形成金属结构，最后，分离出第二基板和金属结构，得到目标结构。基于上述方法，可以提高掩膜结构的使用寿命。

Description

图案结构制作方法和掩膜结构
技术领域
本申请涉及金属图案制作技术领域，具体而言，涉及一种图案结构制作方法和掩膜结构。
背景技术
金属图案的制作，一般会使用掩膜结构(mask)。但是，在制作金属图案时，对应的金属材料会附着在掩膜结构上，如此，使得再次基于所述掩膜结构制作金属图案时需要对掩膜结构上附着的金属材料进行清洗。其中，掩膜结构在经过清洗之后，会产生一定的损伤，降低使用寿命。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种图案结构制作方法和掩膜结构，以提高掩膜结构的使用寿命。
为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：
一种图案结构制作方法，包括：
提供一掩膜结构，其中，所述掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构，所述第一基板包括开口区域和非开口区域，所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中，且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着；
在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成第二基板，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的投影中；
从所述金属抑制结构所在的一侧，通过所述开口区域在所述第二基板靠近所述金属抑制结构的一侧形成金属结构；
分离出所述第二基板和所述金属结构，得到目标结构，其中，所述目标结构包括所述第二基板和所述金属结构，所述金属结构作为图案结构。
在本申请实施例较佳的选择中，在上述图案结构制作方法中，在分离出所述第二基板和所述金属结构之后，所述方法还包括：
在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影中，且所述金属附着结构具有易于在金属材料上附着的属性；
在所述金属附着结构远离所述金属抑制结构的一侧形成新的金属抑制结构，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中，所述新的金属抑制结构用于抑制金属材料的附着；
在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成新的第二基板，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述新的第二基板在所述第一基板所在平面的投影中；
从所述新的金属抑制结构所在的一侧，通过所述开口区域在所述新的第二基板靠近所述新的金属抑制结构的一侧形成新的金属结构；
分离出所述新的第二基板和所述新的金属结构，得到新的目标结构，其中，所述新的目标结构包括所述新的第二基板和所述新的金属结构。
在本申请实施例较佳的选择中，在上述图案结构制作方法中，在执行所述在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构的步骤之前，所述方法还包括：
确定所述金属抑制结构上的金属材料沉积量是否大于沉积量阈值；
若所述金属材料沉积量大于所述沉积量阈值，再执行所述在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构的步骤。
在本申请实施例较佳的选择中，在上述图案结构制作方法中，所述金属附着结构的厚度大于或等于1nm，所述金属附着结构的材料为有机材料，其中，所述有机材料至少包括己内酰胺材料和有机发光材料中的至少一种。
在本申请实施例较佳的选择中，在上述图案结构制作方法中，所述金属结构为发光单元的金属阴极结构，所述发光单元还包括发光层结构，所述发光层结构基于有机发光材料在蒸镀腔室内蒸镀形成；
其中，在所述蒸镀腔室内蒸镀形成所述发光层结构之后，基于所述有机发光材料的蒸镀源蒸镀形成所述金属附着结构。
在本申请实施例较佳的选择中，在上述图案结构制作方法中，所述金属抑制结构的材料为有机材料，所述蒸镀腔室内还具有所述金属抑制结构对应有机材料的蒸镀源；
其中，所述金属抑制结构和所述金属附着结构通过有机材料蒸镀工艺在所述蒸镀腔室内分别基于对应的蒸镀源蒸镀形成。
在本申请实施例较佳的选择中，在上述图案结构制作方法中，所述金属抑制结构的厚度大于或等于2nm，所述金属抑制结构的材料至少包括芳香类化合物。
本申请实施例还提供了一种掩膜结构，所述掩膜结构包括：
第一基板，其中，所述第一基板包括开口区域和非开口区域；
位于所述第一基板一侧的金属抑制结构，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中，且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着。
在本申请实施例较佳的选择中，在上述掩膜结构中，所述金属抑制结构的厚度大于或等于2nm，所述金属抑制结构的材料至少包括芳香类化合物。
在本申请实施例较佳的选择中，在上述掩膜结构中，还包括：
金属附着结构，所述金属附着结构位于所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影中，且所述金属附着结构具有易于在金属材料上附着的属性；
新的金属抑制结构，所述新的金属抑制结构位于所述金属附着结构远离所述金属抑制结构的一侧，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中，所述新的金属抑制结构用于抑制金属材料的附着。
本申请提供的图案结构制作方法和掩膜结构，由于提供的掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构，且金属抑制结构能够抑制金属材料的附着，使得在从金属抑制结构所在的一侧形成金属结构时，对应的金属材料难以在金属抑制结构上附着，如此，可以降低金属材料在掩膜结构上的积累量，从而降低对掩膜结构上的金属材料进行清洗的频次，进而改善由于清洗频次较高而导致掩膜结构的使用寿命降低的问题，使得可以有效提高掩膜结构的使用寿命。并且，由于金属材料难以在掩膜结构上附着，还可以避免由于过多的金属材料在掩膜结构上附着之后会掉落(peeling)而导致形成金属结构的环境氛围改变的问题，如此，使得制作形成的图案结构品质更高，具有较高的实用价值。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
图1为本申请实施例提供的图案结构制作方法包括的各步骤的流程示意图。
图2为图1所示的各步骤对应的工艺流程示意图。
图3为本申请实施例提供的图案结构制作方法包括的其它步骤的流程示意图。
图4为图3所示的各步骤对应的工艺流程示意图。
图5为本申请实施例提供的掩膜结构制作方法包括的各步骤的流程示意图。
图6为图5所示的各步骤对应的工艺流程示意图。
图7为图5中步骤S220包括的各步骤的流程示意图。
图8为图7所示的各步骤对应的工艺流程示意图。
图标：110-第一基板；111-开口区域；112-非开口区域；120-金属抑制结构；121-金属抑制材料层；130-金属附着结构；140-新的金属抑制结构；200-第二基板；300-金属结构；400-新的第二基板；500-新的金属结构；600-承载基板。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
如图1和图2所示，本申请实施例提供了一种图案结构制作方法。下面将对图1所示的具体流程，进行详细阐述。
步骤S110，提供一掩膜结构。
在本实施中，在需要制作形成目标结构时，可以先提供一掩膜结构。其中，所述掩膜结构可以包括第一基板110和金属抑制结构120。所述第一基板110包括开口区域111和非开口区域112，所述开口区域111的至少部分区域位于所述金属抑制结构120在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述非开口区域112位于所述金属抑制结构120在所述第一基板110所在平面的投影中，且所述金属抑制结构120用于抑制金属材料的附着。
步骤S120，在第一基板110远离金属抑制结构120的一侧形成第二基板200。
在本实施例中，在基于步骤S110提供所述掩膜结构之后，由于所述掩膜结构包括第一基板110和金属抑制结构120，因而，可以在所述第一基板110远离所述金属抑制结构120的一侧形成第二基板200。
其中，对于形成的所述第二基板200，所述开口区域111的至少部分区域位于所述第二基板200在所述第一基板110所在平面的投影中。
步骤S130，从金属抑制结构120所在的一侧，通过开口区域111在第二基板200靠近金属抑制结构120的一侧形成金属结构300。
在本实施例中，在基于步骤S120形成所述第二基板200之后，由于所述第一基板110上的开口区域111的至少部分区域位于所述第二基板200在所述第一基板110所在平面的投影中，因而，可以从所述金属抑制结构120所在的一侧，通过所述开口区域111在所述第二基板200靠近所述金属抑制结构120的一侧形成金属结构300。
步骤S140，分离出第二基板200和金属结构300，得到目标结构。
在本实施例中，在基于步骤S130形成位于所述第二基板200一侧的金属结构300之后，可以分离出所述第二基板200和所述金属结构300，如此，可以得到目标结构。其中，所述目标结构包括所述第二基板200和所述金属结构300，所述金属结构300作为图案结构。
基于上述方法，由于提供的掩膜结构包括第一基板110和金属抑制结构120，且所述金属抑制结构120能够抑制金属材料的附着，使得在从金属抑制结构120所在的一侧形成金属结构300时，对应的金属材料难以在金属抑制结构120上附着，如此，可以降低金属材料在掩膜结构上的积累量，从而降低对掩膜结构上的金属材料进行清洗的频次，进而改善由于清洗频次较高而导致掩膜结构的使用寿命降低的问题，使得可以有效提高掩膜结构的使用寿命。并且，由于金属材料难以在掩膜结构上附着，还可以避免由于过多的金属材料在掩膜结构上附着之后会掉落(peeling)而导致形成金属结构300的环境氛围改变的问题，如此，使得制作形成的图案结构品质更高。
第一方面，对于步骤S110需要说明的是，提供的所述掩膜结构的具体形状不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。
例如，在一种可以替代的示例中，所述开口区域111可以为多个，多个开口区域111可以被所述非开口区域112隔开。如此，在执行步骤S130时，可以分别通过每一个开口区域111形成一个金属结构300，使得可以得到多个金属结构300。
也就是说，在执行步骤S140以进行分离后，得到的所述目标结构包括第二基板200和位于所述第二基板200上的多个金属结构300。
可选地，所述掩膜结构包括的第一基板110的材料不受限制，例如，在一种可以替代的示例中，所述第一基板110的材料可以为合金材料，如铁镍合金、镍钴合金或者铁钴合金等。
可选地，所述掩膜结构包括的金属抑制结构120的材料不受限制，例如，在一种可以替代的示例中，所述金属抑制结构120的材料至少可以包括CPM(Control PatternMaterical)材料。
其中，所述CPM材料是一种芳香类化合物，对金属导电材料具有相对低的亲和力或相对低的粘着概率，使得可以有效地抑制金属材料的附着。
可以理解的是，所述金属抑制结构120的厚度也不受限制，例如，在一种可以替代的示例中，为了使得所述金属抑制结构120对金属材料具有较好的抑制作用，在较大程度上避免金属材料在所述金属抑制结构120上沉积，所述金属抑制结构120的厚度可以大于或等于2nm，如10nm等。
第二方面，对于步骤S120需要说明的是，形成的所述第二基板200的材料不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。
例如，在一种可以替代的示例中，所述第二基板200的材料可以为柔性材料，也可以为刚性材料。其中，所述柔性材料可以为聚酰亚胺等，所述刚性材料可以为玻璃等。
可选地，所述第二基板200与所述开口区域111的位置关系不受限制，例如，在一种可以替代的示例中，所述开口区域111的全部区域可以位于所述第二基板200在所述第一基板110所在平面的投影中。
第三方面，对于步骤S130需要说明的是，形成所述金属结构300的具体方式不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。
例如，在一种可以替代的示例中，可以将所述第一掩膜结构和所述第二基板200放置于蒸镀腔室内，如此，可以通过所述开口区域111将金属材料蒸镀到所述第二基板200的一侧，从而形成金属结构300。
可选地，所述金属材料的具体类型不受限制，例如，在一种可以替代的示例中，基于所述金属材料形成的金属结构300可以作为显示器件中的阴极结构，如此，所述金属材料可以为镱(Yb)、镁(Mg)、银(Ag)等材料。
第四方面，对于步骤S140需要说明的是，分离出所述第二基板200和所述金属结构300的具体方式不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。
例如，在一种可以替代的示例中，可以将所述第二基板200和所述金属结构300作为一个整体与所述第一基板110和所述金属抑制结构120这一整体进行分离。如此，可以将所述第二基板200和所述金属结构300这一整体作为所述目标结构，可以将所述第一基板110和所述金属抑制结构120这一整体保留，即将掩膜结构保留，使得所述掩膜结构可以继续使用，如用于下一次制作金属结构300。
在上述示例的基础上，结合图3和图4，在分离出所述第二基板200和所述金属结构300之后，保留的掩膜结构还可以用于制作新的目标结构。基于此，所述图案结构制作方法还可以包括步骤S150、步骤S160、步骤S170、步骤S180和步骤S190，具体内容如下所述。
步骤S150，在金属抑制结构120远离第一基板110的一侧形成金属附着结构130。
在本实施例中，考虑到在经过一次金属结构300的制作流程之后，在所述金属抑制结构120上可能会附着少量的金属材料，如此，为了避免附着的金属材料影响后续的工艺，可以所述金属抑制结构120远离所述第一基板110的一侧形成金属附着结构130，以覆盖附着的金属材料。
其中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述金属附着结构130在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述非开口区域112位于所述金属附着结构130在所述第一基板110所在平面的投影中。并且，所述金属附着结构130具有易于在金属材料上附着的属性，如此，可以使得所述金属附着结构130能够较好的形成于所述金属抑制结构120上。
步骤S160，在金属附着结构130远离金属抑制结构120的一侧形成新的金属抑制结构140。
在本实施例中，在基于步骤S150形成所述金属附着结构130之后，可以在所述金属附着结构130远离所述金属抑制结构120的一侧形成新的金属抑制结构140。
其中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构140在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述非开口区域112位于所述新的金属抑制结构140在所述第一基板110所在平面的投影中，所述新的金属抑制结构140用于抑制金属材料的附着。可以理解的是，所述新的金属抑制结构140的属性可以与所述金属抑制结构120的属性相同，所述属性包括材料和厚度等。
步骤S170，在第一基板110远离金属抑制结构120的一侧形成新的第二基板400。
在本实施例中，在基于步骤S160形成所述新的金属抑制结构140之后，可以在所述第一基板110远离所述金属抑制结构120的一层形成新的第二基板400。
其中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述新的第二基板400在所述第一基板110所在平面的投影中。可以理解的是，形成所述新的第二基板400的方式可以与形成所述第二基板200的方式相同，在此不再一一赘述，可以结合前文对步骤S120的解释说明。
步骤S180，从新的金属抑制结构140所在的一侧，通过开口区域111在新的第二基板400靠近新的金属抑制结构140的一侧形成新的金属结构500。
在本实施例中，在基于步骤S170形成所述新的第二基板400之后，可以从所述新的金属抑制结构140所在的一层，通过所述开口区域111在所述新的第二基板400靠近所述新的金属抑制结构140的一侧形成新的金属结构500。
可以理解的是，形成所述新的金属结构500的具体方式可以与形成所述金属结构300的方式相同，在此不再一一赘述，可以结合前文对步骤S130的解释说明。
步骤S190，分离出新的第二基板400和新的金属结构500，得到新的目标结构。
在本实施例中，在基于步骤S180形成位于所述新的第二基板400上的新的金属结构500之后，可以分离出所述新的第二基板400和所述新的金属结构500，如此，可以得到新的目标结构。其中，所述新的目标结构可以包括所述新的第二基板400和所述新的金属结构500，所述新的金属结构500作为新的图案结构。
可以理解的是，分离出所述新的第二基板400和所述新的金属结构500的方式，可以与分离出所述第二基板200和所述金属结构300的方式相同，在此不再一一赘述，可以结合前文对步骤S140的解释说明。并且，在一种可以替代的示例中，保留的所述第一基板110、所述金属抑制结构120、所述金属附着结构130和所述新的金属抑制结构140，可以作为新的掩膜结构，用于进行下一次制作的金属结构300。
在上述示例中，对于步骤S150需要说明的是，所述金属附着结构130的材料不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。
例如，在一种可以替代的示例中，为了使得所述金属附着结构130能够有效地形成于表面具有金属材料的金属抑制结构120上，所述金属附着结构130的材料可以为有机材料。其中，所述有机材料可以为己内酰胺(CPL)材料和有机发光材料(如聚对苯乙炔、聚噻吩及其衍生物等)中的至少一种。
可选地，所述金属附着结构130的厚度不受限制，例如，在一种可以替代的示例中，为了使得所述金属附着结构130能够有效地附着在可能表面具有金属材料的金属抑制结构120的一面，且对可能存在的金属材料和之后需要形成的新的金属抑制结构140进行有效的隔离，使得新的金属抑制结构140可以有效的形成于所述金属附着结构130的一侧，所述金属附着结构130的厚度可以大于或等于1nm，如5nm。
可选地，在一个实施例中，金属抑制结构的厚度为2nm，金属附着结构的厚度为1nm，如此，可以在保证抑制金属沉积和完全附着金属的情况下，尽可能的减小掩膜结构的厚度，能够增加掩膜结构的循环蒸镀次数，并且减小金属结构的蒸镀阴影。应当注意的是，虽然本申请中的掩膜结构经过多次循环蒸镀，形成了多层金属抑制结构和金属附着结构，但是由于金属抑制结构和金属附着结构的厚度非常小，仅为纳米级别，并不会对掩膜结构的整体厚度产生过多影响，因此能够降低清洗频次，增加使用寿命。
可选地，在上述示例中，形成的所述金属结构300可以为发光单元的金属阴极结构，且所述发光单元还包括发光层结构，所述发光层结构基于有机发光材料在蒸镀腔室内蒸镀形成。
基于此，在所述蒸镀腔室内蒸镀形成所述发光层结构之后，可以直接基于所述有机发光材料的蒸镀源蒸镀形成所述金属附着结构130。如此，通过直接利用形成发光层结构的蒸镀源蒸镀形成所述金属附着结构130，可以在较大程度上简化蒸镀工艺，使得制造成本有效降低，即可以利用现有蒸镀形成发光层结构的蒸镀腔室和材料。
可选地，在上述示例的基础上，在所述金属抑制结构120的材料为有机材料时，所述蒸镀腔室内还具有所述金属抑制结构120对应有机材料的蒸镀源。
基于此，所述金属抑制结构120和所述金属附着结构130可以通过有机材料蒸镀工艺在所述蒸镀腔室内分别基于对应的蒸镀源蒸镀形成。如此，通过在同一蒸镀腔室内形成所述金属抑制结构120和所述金属附着结构130，不用更换腔室，可以简化工艺路线，在提高制作效率的同时，还可以降低制作成本。
在上述示例的基础上，为了避免造成材料(如金属抑制结构120的材料和金属附着结构130的材料等)的浪费的问题，在执行步骤S150之前，所述图案结构制作方法还可以包括以下步骤：
确定所述金属抑制结构120上的金属材料沉积量是否大于沉积量阈值。
其中，若所述金属材料沉积量大于所述沉积量阈值，可以再执行步骤S150；反之，若所述金属材料沉积量小于或等于所述沉积量阈值，可以直接基于所述金属抑制结构120和所述第一基板110再次制作金属结构300。
可以理解的是，所述沉积量阈值的具体数值不受限制，例如，可以结合对制作工艺的精度需求确定，如对工艺的精度要求越高，所述沉积量阈值可以越小；反之，对工艺的精度要求越低，所述沉积量阈值可以越大。
结合图5和图6，本申请实施例还提供一种掩膜结构制作方法，用于制作形成掩膜结构。下面将对图5所示的具体流程，进行详细阐述。
步骤S210，提供第一基板110。
在本实施例中，可以先提供一第一基板110。其中，所述第一基板110可以包括开口区域111和非开口区域112。
步骤S220，在第一基板110的一侧形成金属抑制结构120。
在本实施例中，在基于步骤S210提供所述第一基板110之后，可以在所述第一基板110的一侧形成金属抑制结构120。如此，可以得到包括所述第一基板110和位于所述第二基板200上的金属抑制结构120的掩膜结构。
其中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述金属抑制结构120在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述非开口区域112位于所述金属抑制结构120在所述第一基板110所在平面的投影中，且所述金属抑制结构120用于抑制金属材料的附着。
在上述示例中，对于步骤S210需要说明的是，所述开口区域111和所述非开口区域112的关系，以及所述第一基板110的材料可以如前文所述，在此不再一一赘述。
在上述示例中，对于步骤S220需要说明的是，形成所述金属抑制结构120的具体方式不受限制，可以根据实际应用需求进行选择。
例如，在一种可以替代的示例中，结合图7和图8，步骤S220可以包括步骤S221、步骤S222和步骤S223，具体内容如下所述。
步骤S221，在第一基板110的一侧形成承载基板600。
在本实施例中，在基于步骤S110提供所述第一基板110之后，可以在所述第一基板110的一侧形成承载基板600。
步骤S222，在第一基板110远离承载基板600的一侧形成金属抑制材料层121。
在本实施例中，在基于步骤S221形成所述承载基板600之后，可以在所述第一基板110远离所述承载基板600的一侧形成金属抑制材料层121。
步骤S223，分离出第一基板110和非开口区域112对应位置的金属抑制材料层121。
在本实施例中，在基于步骤S222形成所述金属抑制材料层121之后，可以分离出所述第一基板110和所述非开口区域112对应位置的金属抑制材料层121。如此，可以得到得到所述掩膜结构。
其中，所述非开口区域112对应位置的金属抑制材料层121作为金属抑制结构120，如此，得到的所述掩膜结构可以包括所述第一基板110和所述金属抑制结构120。
也就是说，可以将所述第一基板110和位于所述第一基板110上的金属抑制材料层121与所述承载基板600和位于所述承载基板600上的金属抑制材料层121进行分离，并保留所述第一基板110和位于所述第一基板110上的金属抑制材料层121。
可选地，在上述示例中，所述承载基板600的材料不受限制，例如，在一种可以替代的示例中，所述承载基板600的材料可以为白玻璃。
可选地，在上述示例中，所述金属抑制材料层121的参数不受限制，例如，在一种可以替代的示例中，所述金属抑制材料层121的材料至少包括CPM材料，所述非开口区域112对应位置的金属抑制材料层121的厚度，即所述金属抑制结构120的厚度，可以大于或等于2nm。
在上述示例的基础上，基于不同的需求，所述掩膜结构还可以包括其它结构，例如，若所述金属抑制结构120上沉积有金属材料，为了避免沉积的金属材料对基于所述掩膜结构制作金属结构300时由于掉落而导致环境氛围被破坏的问题，所述掩膜结构制作方法还可以包括以下步骤：
首先，可以在所述金属抑制结构120远离所述第一基板110的一侧形成金属附着结构130，其中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述金属附着结构130在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述非开口区域112位于所述金属附着结构130在所述第一基板110所在平面的投影中，且所述金属附着结构130具有易于在金属材料上附着的属性；
其次，可以在所述金属附着结构130远离所述金属抑制结构120的一侧形成新的金属抑制结构140，其中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构140在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述非开口区域112位于所述新的金属抑制结构140在所述第一基板110所在平面的投影中，所述新的金属抑制结构140用于抑制金属材料的附着。
可以理解的是，所述金属附着结构130和所述新的金属抑制结构140的具体内容可以参照前文对所述图案结构制作方法的相关描述，在此不再一一赘述。例如，所述金属附着结构130的厚度可以大于或等于1nm，所述金属附着结构130的材料可以为有机材料。
本申请实施例还提供一种掩膜结构，可以包括第一基板110和位于所述第一基板110一侧的金属抑制结构120。
详细地，所述第一基板110可以包括开口区域111和非开口区域112。所述开口区域111的至少部分区域位于所述金属抑制结构120在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述非开口区域112位于所述金属抑制结构120在所述第一基板110所在平面的投影中，且所述金属抑制结构120用于抑制金属材料的附着。
其中，所述掩膜结构可以基于前述的掩膜结构制作方法形成，因而，所述掩膜结构的具体参数可以参照前文的相关说明，在此不再一一赘述。
例如，在一种可以替代的示例中，所述金属抑制结构120的厚度大于或等于2nm，所述金属抑制结构120的材料至少包括芳香类化合物。
例如，在一种可以替代的示例中，所述掩膜结构还可以包括金属附着结构130和新的金属抑制结构140等。所述金属附着结构130位于所述金属抑制结构120远离所述第一基板110的一侧，其中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述金属附着结构130在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述非开口区域112位于所述金属附着结构130在所述第一基板110所在平面的投影中，且所述金属附着结构130具有易于在金属材料上附着的属性。所述新的金属抑制结构140位于所述金属附着结构130远离所述金属抑制结构120的一侧，其中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构140在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述非开口区域112位于所述新的金属抑制结构140在所述第一基板110所在平面的投影中，所述新的金属抑制结构140用于抑制金属材料的附着。
可以理解的是，在上述示例中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述金属抑制结构120在所述第一基板110所在平面的投影之外，可以是指：
在一种示例中，所述开口区域111位于所述金属抑制结构120在所述第一基板110所在平面的投影之外，如此，所述金属抑制结构120可以位于所述非开口区域112的一侧。在另一种示例中，所述开口区域111的一部分位于所述金属抑制结构120在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述开口区域111的另一部分位于所述金属抑制结构120在所述第一基板110所在平面的投影中，如此，所述金属抑制结构120的一部分位于所述非开口区域112的一侧，所述金属抑制结构120的另一部分位于所述开口区域111的一侧。
可以理解的是，在上述示例中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述金属附着结构130在所述第一基板110所在平面的投影之外，可以是指：
在一种示例中，所述开口区域111全部位于所述金属附着结构130在所述第一基板110所在平面的投影之外，如此，所述金属附着结构130可以仅位于所述非开口区域112。在另一种示例中，所述开口区域111的一部分位于所述金属附着结构130在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述开口区域111的另一部分位于所述金属附着结构130在所述第一基板110所在平面的投影中，如此，所述金属附着结构130的一部分位于所述非开口区域112，所述金属附着结构130的另一部分位于所述开口区域111。
可以理解的是，在上述示例中，所述开口区域111的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构140在所述第一基板110所在平面的投影之外，可以是指：
在一种示例中，所述开口区域111全部位于所述新的金属抑制结构140在所述第一基板110所在平面的投影之外，如此，所述新的金属抑制结构140可以仅位于所述非开口区域112。在另一种示例中，所述开口区域111的一部分位于所述新的金属抑制结构140在所述第一基板110所在平面的投影之外，所述开口区域111的另一部分位于所述新的金属抑制结构140在所述第一基板110所在平面的投影中，如此，所述新的金属抑制结构140的一部分位于所述非开口区域112，所述新的金属抑制结构140的另一部分位于所述开口区域111。
可以理解的是，本上述示例中，投影可以是指正投影。
综上所述，本申请提供的图案结构制作方法和掩膜结构，由于提供的掩膜结构包括第一基板110和金属抑制结构120，且金属抑制结构120能够抑制金属材料的附着，使得在从金属抑制结构120所在的一侧形成金属结构300时，对应的金属材料难以在金属抑制结构120上附着，如此，可以降低金属材料在掩膜结构上的积累量，从而降低对掩膜结构上的金属材料进行清洗的频次，进而改善由于清洗频次较高而导致掩膜结构的使用寿命降低的问题，使得可以有效提高掩膜结构的使用寿命。并且，由于金属材料难以在掩膜结构上附着，还可以避免由于过多的金属材料在掩膜结构上附着之后会掉落(peeling)而导致形成金属结构300的环境氛围改变的问题，如此，使得制作形成的图案结构品质更高，具有较高的实用价值。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种图案结构制作方法，其特征在于，包括：
提供一掩膜结构，其中，所述掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构，所述第一基板包括开口区域和非开口区域，所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中，且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着；
在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成第二基板，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的投影中；
从所述金属抑制结构所在的一侧，通过所述开口区域在所述第二基板靠近所述金属抑制结构的一侧形成金属结构；
分离出所述第二基板和所述金属结构，得到目标结构，其中，所述目标结构包括所述第二基板和所述金属结构，所述金属结构作为图案结构；
其中，在分离出所述第二基板和所述金属结构之后，所述方法还包括：
在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影中，且所述金属附着结构具有易于在金属材料上附着的属性；
在所述金属附着结构远离所述金属抑制结构的一侧形成新的金属抑制结构，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中，所述新的金属抑制结构用于抑制金属材料的附着；
在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成新的第二基板，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述新的第二基板在所述第一基板所在平面的投影中；
从所述新的金属抑制结构所在的一侧，通过所述开口区域在所述新的第二基板靠近所述新的金属抑制结构的一侧形成新的金属结构；
分离出所述新的第二基板和所述新的金属结构，得到新的目标结构，其中，所述新的目标结构包括所述新的第二基板和所述新的金属结构，所述新的金属结构作为新的图案结构。
2.根据权利要求1所述的图案结构制作方法，其特征在于，在执行所述在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构的步骤之前，所述方法还包括：
确定所述金属抑制结构上的金属材料沉积量是否大于沉积量阈值；
若所述金属材料沉积量大于所述沉积量阈值，再执行所述在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构的步骤。
3.根据权利要求1所述的图案结构制作方法，其特征在于，所述金属附着结构的厚度大于或等于1nm，所述金属附着结构的材料为有机材料，其中，所述有机材料至少包括己内酰胺材料和有机发光材料中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的图案结构制作方法，其特征在于，所述金属结构为发光单元的金属阴极结构，所述发光单元还包括发光层结构，所述发光层结构基于有机发光材料在蒸镀腔室内蒸镀形成；
其中，在所述蒸镀腔室内蒸镀形成所述发光层结构之后，基于所述有机发光材料的蒸镀源蒸镀形成所述金属附着结构。
5.根据权利要求4所述的图案结构制作方法，其特征在于，所述金属抑制结构的材料为有机材料，所述蒸镀腔室内还具有所述金属抑制结构对应有机材料的蒸镀源；
其中，所述金属抑制结构和所述金属附着结构通过有机材料蒸镀工艺在所述蒸镀腔室内分别基于对应的蒸镀源蒸镀形成。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的图案结构制作方法，其特征在于，所述金属抑制结构的厚度大于或等于2nm，所述金属抑制结构的材料至少包括芳香类化合物。
7.一种掩膜结构，其特征在于，包括：
第一基板，其中，所述第一基板包括开口区域和非开口区域；
位于所述第一基板一侧的金属抑制结构，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中，且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着；
所述掩膜结构还包括：
金属附着结构，所述金属附着结构位于所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影中，且所述金属附着结构具有易于在金属材料上附着的属性；
新的金属抑制结构，所述新的金属抑制结构位于所述金属附着结构远离所述金属抑制结构的一侧，其中，所述开口区域的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外，所述非开口区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中，所述新的金属抑制结构用于抑制金属材料的附着。
8.根据权利要求7所述的掩膜结构，其特征在于，所述金属抑制结构的厚度大于或等于2nm，所述金属抑制结构的材料至少包括芳香类化合物。
CN202110323735.8A 2021-03-26 2021-03-26 图案结构制作方法和掩膜结构 Active CN113073292B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110323735.8A CN113073292B (zh) 2021-03-26 2021-03-26 图案结构制作方法和掩膜结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110323735.8A CN113073292B (zh) 2021-03-26 2021-03-26 图案结构制作方法和掩膜结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113073292A CN113073292A (zh) 2021-07-06
CN113073292B true CN113073292B (zh) 2023-01-31

Family

ID=76610496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110323735.8A Active CN113073292B (zh) 2021-03-26 2021-03-26 图案结构制作方法和掩膜结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113073292B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103173725A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 深圳光启高等理工研究院 微结构加工方法
CN105449126A (zh) * 2015-12-22 2016-03-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种蒸镀掩模板及其制作方法
CN113061842A (zh) * 2021-03-19 2021-07-02 合肥维信诺科技有限公司 掩膜版、掩膜版的制作方法以及显示面板的制作方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105177496B (zh) * 2015-09-25 2019-06-04 信利（惠州）智能显示有限公司 掩膜板的制作方法
JP7016535B2 (ja) * 2015-10-26 2022-02-07 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド パターン化されたコーティングを含む表面およびデバイス上のコーティングをパターン化する方法
CN116997204A (zh) * 2017-05-17 2023-11-03 Oti照明公司 在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置
GB201817037D0 (en) * 2018-10-19 2018-12-05 Univ Warwick Selective depositon of metallic layers
CN110158028A (zh) * 2019-05-28 2019-08-23 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 一种掩膜板及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103173725A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 深圳光启高等理工研究院 微结构加工方法
CN105449126A (zh) * 2015-12-22 2016-03-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种蒸镀掩模板及其制作方法
CN113061842A (zh) * 2021-03-19 2021-07-02 合肥维信诺科技有限公司 掩膜版、掩膜版的制作方法以及显示面板的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113073292A (zh) 2021-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101191557B1 (ko) 금속 가공 방법, 금속 마스크 제조 방법 및 유기 ｅｌ 표시 장치 제조 방법
CN108026628B (zh) 用于有机发光二极管制造的阴影掩模
US10858726B2 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method , and organic semiconductor element manufacturing method
US9719163B2 (en) Method of manufacturing deposition mask
WO2004005193A3 (en) Fabrication and activation processes for nanostructure composite field emission cathodes
KR20060051312A (ko) 성막 방법, 전자 장치 및 전자기기
KR100818270B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
CN108624841B (zh) 掩膜版及其制作方法
CN113073292B (zh) 图案结构制作方法和掩膜结构
CN116261925A (zh) 用于高级图案化的金属悬垂部
KR101330488B1 (ko) 쉐도우 마스크 및 그의 제조 방법
KR101126128B1 (ko) 지그 일체형 마스크 및 그 제조방법
US7138335B2 (en) Method of forming electrode for flat display panel
CN108666448B (zh) 掩膜版及其制作方法
JP2006002243A (ja) マスク、マスクの製造方法、成膜方法、電子デバイス、及び電子機器
KR102558317B1 (ko) 내식성 강화 인바시트 및 그의 제조방법
CN109913804B (zh) 掩膜版及其制造方法
JP5724828B2 (ja) 発光素子
KR101971459B1 (ko) 유기발광소자 제조용 도전 부재 세정용 조성물 및 이를 이용한 세정방법
CN114127338B (zh) 精细金属掩模制造用模具制造方法及精细金属掩模制造方法
US6235179B1 (en) Electroplated structure for a flat panel display device
KR101026804B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치의 보조전극 형성방법
KR102186989B1 (ko) 파인메탈마스크 제조용 몰드 제조방법
KR100252776B1 (ko) 전기발광소자의제조방법
US6596146B1 (en) Electroplated structure for a flat panel display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant