CN108026628B - 用于有机发光二极管制造的阴影掩模 - Google Patents

用于有机发光二极管制造的阴影掩模 Download PDF

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Abstract

一种阴影掩模(200,300,400,500)包括：框架(210)，由金属材料制成，该金属材料具有低于或等于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数；以及一或多个掩模图案(302,402,502)，耦接该框架(210)，该一或多个掩模图案包括第一金属材料与第二金属材料，该第二金属材料有别于该第一金属材料，且该一或多个掩模图案具有多个开口(215,318,345,425,435,545,552)，该多个开口形成于该一或多个掩模图案中。还提供了阴影掩模(200,300,400,500)和形成阴影掩模(200,300,400,500)的方法。

Description

用于有机发光二极管制造的阴影掩模
技术领域
本案揭露内容的实施例关于利用精细的图案化阴影掩模于基板上形成电子元件。尤其，本文揭露的实施例关于用于精细图案化金属掩模的方法与设备，该精细图案化金属掩模用在有机发光二极管(OLED)的制造中。
背景技术
在制造用于电视屏幕、移动电话显示器、电脑屏幕、与类似物的平板显示器时，OLED已吸引许多注意。OLED是特殊类型的发光二极管，其中发光层包括具特定有机化合物的多个薄膜。OLED也可用在通用的空间照明。OLED显示器可能的颜色范围、亮度、与视角大于传统显示器的颜色范围、亮度、与视角，因为OLED像素直接发光，且不需要背光。因此，OLED显示器的能量消耗远低于传统显示器的能量消耗。再者，OLED可被制造于柔性基板上的事实开启了新应用的一扇门，所谓的新应用例如为卷起(roll-up)显示器或甚至是嵌在柔性媒介中的显示器。
当前的OLED制造要求利用多个图案化阴影掩模将有机材料蒸镀且将金属沉积于基板上。蒸镀及/或沉积期间的温度改变或差异要求掩模材料以低热膨胀系数(CTE)的材料制成。低CTE防止或尽量减少掩模相对于基板的移动，且使精细的开口图案能够形成于该掩模中，以在处理期间维持于相同的位置。
一般而言，精细的开口是藉由蚀刻低CTE材料而制成。然而难以维持精细开口的尺寸准确度及/或位置准确度。随着分辨率需求增加，准确度变得甚为困难。
因此，需要一种改善的精细图案化阴影掩模与用于制作该精细图案化阴影掩模的方法。
发明内容
本案揭露内容的实施例提供用于精细图案化阴影掩模的方法与设备，该精细图案化阴影掩模用在有机发光二极管的制造中。
一个实施例中，提供一种阴影掩模，该阴影掩模包括：框架，由金属材料制成，该金属材料具有低于或等于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数；以及一或多个掩模图案，耦接该框架，该一或多个掩模图案包括第一金属材料与第二金属材料，该第二金属材料有别于该第一金属材料，且该一或多个掩模图案具有多个开口，所述开口形成于该一或多个掩模图案中。
另一实施例中，提供一种阴影掩模，该阴影掩模包括：掩模主体，该掩模主体包括双金属材料，该双金属材料形成多个图案区域，所述图案区域的各者具有多个开口，所述开口形成于所述图案区域的各者中，该双金属材料包括具第一热膨胀系数的第一金属材料与具第二热膨胀系数的第二金属材料，该第二热膨胀系数有别于该第一热膨胀系数。
另一实施例中，提供一种用于形成阴影掩模的方法，该方法包括：电形成(electroform)第一金属材料，以形成片状物；将第二金属材料电形成至该片状物上，该第二金属材料有别于该第一金属材料；以及，蚀刻该第一金属材料与该第二金属材料，以于该片状物与该第二金属材料中形成多个同心开口。
附图说明
可通过参考其中一些绘示于附图中的实施例，可得到上文简要总结的本案揭露内容的更详细叙述，如此可得到详细地了解本案揭露内容的上述特征的方式。然而，应注意附图仅绘示本案揭露内容的典型实施例，因此不应被视为限制本案揭露内容的范畴，因为本案揭露内容可容许其他等效实施例。
图1是可利用本文所述的实施例制造的OLED元件的等角分解视图。
图2是精细金属掩模的一个实施例的概略平面视图。
图3A至3E是概略部分剖面视图，说明用于精细金属掩模的一个实施例的形成方法。
图3F是图3E的精细金属掩模的一部分的透视图，显示轮廓开口之一者的细节。
图3G是沿着图3F的线段3G-3G的轮廓开口与掩模主体的一部分的剖面视图。
图4A至4E是概略部分剖面视图，说明用于精细金属掩模的另一实施例的形成方法。
图4F是图4E的精细金属掩模的一部分的透视图，显示轮廓开口之一者的细节。
图4G是沿着图4F的线段4G-4G的轮廓开口与掩模主体的一部分的剖面视图。
图5A至5G是概略部分剖面视图，说明用于精细金属掩模的另一实施例的形成方法。
为了助于了解，在可能之处已使用相同的元件符号代表各图共通的相同元件。此外，将理解一个实施例的元件及/或工艺步骤可有利地并入其他实施例而无须进一步记载。
具体实施方式
本案揭露内容的实施例提供用于精细金属掩模的方法与设备，该精细金属掩模可用作为有机发光二极管(OLED)制造中的阴影掩模。例如，精细金属掩模用于真空蒸镀或沉积工艺，其中多层的薄膜沉积在基板上。作为范例，薄膜可形成包括OLED的基板上的一或多个显示器的一部分。薄膜可源自于用在制造OLED显示器中的有机材料。基板可由玻璃、塑胶、金属箔、或其他适合电子元件形成的材料所制成。本文揭露的实施例可在可购自AKT公司(美国加州Santa Clara的应用材料公司的子公司)的腔室及/或系统中实行。本文揭露的实施例也可在购自其他制造商的腔室及/或系统中实行。
图1是OLED元件100的等角分解视图。OLED元件100形成于基板115上。该基板115可由玻璃、透明塑胶、或其他适合电子元件形成的透明材料所制成。一些OLED元件中，基板115可为金属箔。OLED元件100包括一或多个有机材料层120，该有机材料层120夹在两个电极125与130之间。电极125可为透明材料，例如氧化铟锡(ITO)或银(Ag)，且可作为阳极或阴极。一些OLED元件中，晶体管(图中未示)也可配置在电极125与基板115之间。电极130可以是金属材料且作为阴极或阳极。一旦电力施加到电极125与130，光在有机材料层120中生成。光可为红R、绿G、与蓝B的其中一者或组合，红R、绿G、与蓝B是由相对应的有机材料层120的RGB膜所生成。红R、绿G、与蓝B有机膜的各者可包括OLED元件100的子像素有源区135。阴极与阳极的位置及材料的差异取决于利用OLED元件的显示器的类型。例如，在“顶部照明”显示器中，光透过元件的阴极侧发射，而在“底部照明”元件中，光可透过阳极侧发射。
尽管图中未示，但OLED元件100还可包括一或多个空穴注入层以及一或多个电子传输层，上述层配置在电极125与130以及有机材料层120之间。此外，尽管图中未示，但OLED元件100可包括用于白光生成的膜层。用于白光生成的膜层可以是有机材料层120中的膜及/或夹在OLED元件100之间的滤片。OLED元件100可形成单一像素，如本技术中已知。可使用本文所述的精细金属掩模形成有机材料层120与用于白光生成的膜层(当使用时)，以及电极125与130。
图2是精细金属掩模200的一个实施例的概略平面视图。精细金属掩模200包括多个图案区域205，所述图案区域205耦接框架210。所述图案区域205用于控制材料在基板上的沉积。例如，图案区域205可用于控制在形成如图1中所述及所示的OLED元件100时有机材料及/或金属材料的蒸镀。所述图案区域205具有一系列的精细开口215，所述精细开口215阻挡沉积材料以免附着至基板或先前沉积的层上的非期望区域。精细开口215从而提供基板或先前沉积的层上的指定区域上的沉积。精细开口215可为圆形、椭圆形、或矩形。精细开口215可包括主要尺寸(例如直径或其他内尺寸)，该主要尺寸为约5微米(μm)至约150μm或更大，这取决于子像素有源区域135(显示于图1)的尺寸及/或形状。图案区域205一般包括剖面厚度，该剖面厚度的量级为约5μm至约100μm，诸如约10μm至约50μm。图案区域205可通过焊接或紧固件(图中未示)耦接框架210。一个范例中，上面配置有多个图案区域205的单一掩模片可经拉张且焊接至框架210。另一范例中，多个条带可经拉张且焊接至该框架210，所述条带每一者具有多个图案区域205，所述图案区域205的宽度类似待制造的显示器。框架210可具有约10毫米(mm)至30mm的剖面厚度，以提供精细金属掩模200稳定度。
图案区域205以及框架210可由具低热膨胀系数(CTE)的材料制成，该材料抵抗温度变化期间精细开口215的移动。具低CTE的材料的范例尤其包括：钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、钒(V)、上述材料的合金与上述材料的组合，以及铁(Fe)与镍(Ni)的合金。低CTE材料维持精细金属掩模200中的尺寸稳定度，该尺寸稳定度提供沉积材料的准确性。本文所述的低CTE材料或金属可为低于或等于15微米/米/摄氏度的CTE，诸如低于或等于约14微米/米/摄氏度，例如低于或等于约13微米/米/摄氏度。
图3A至3E是概略部分剖面视图，说明精细金属掩模300(一部分的该掩模显示于图3E中)的一个实施例的形成方法。该方法包括，制备用于形成精细金属掩模300的图案区域205的掩模图案302。掩模图案302包括心轴305，该心轴305涂布有第一光阻剂310。心轴305可以是上文所述的具低CTE的金属材料。或者，心轴305可以是玻璃材料，该玻璃材料涂布有导电金属层，该导电金属层是在待形成精细金属掩模300的该侧上。心轴305的厚度312可为约0.1毫米(mm)至约10mm。第一金属层315A的厚度313可为约1微米(μm)至约3μm。第一光阻剂310的厚度314可等于或大于第一金属层315A的厚度313。一个实施例中，精细金属掩模300的图案区域205包括量级在约5μm至约100μm(诸如约10μm至约50μm)的剖面厚度。第一光阻剂310可通过使用已知的光刻技术图案化，以形成精细金属掩模300(显示于图3E)中待形成的轮廓开口318的位置的负图案。
图3A中，第一金属层315A形成于心轴305上，而在图3B中，第二金属层315B形成于第一金属层315A上。层315A、315B可通过电形成工艺形成。例如，掩模图案302可放置在电解浴(图中未示)以形成第一金属层315A。该电解浴包括溶解在该电解浴中的第一金属，该第一金属会变成第一金属层315A。根据电形成技术，在心轴305与于浴中的第一金属之间提供电偏压。随后掩模图案302可放置在电解浴中，该电解浴具有溶解在该电解浴中的第二金属，该第二金属会变成第二金属层315B。可偏压该心轴305与该浴以在第一金属层315A上形成第二金属层315B。因此掩模图案302用于基于第一光阻剂310的图案形成(精细金属掩模300中待形成的轮廓开口318的)整合的双金属边界320。电形成工艺之后的任何时间，双金属边界320可被剥掉或以另外方式从心轴305分离。或者，于后续工艺中双金属边界320可留在心轴305上。
第一金属层315A(第一金属)与第二金属层315B(第二金属)是具不同性质的不同材料，所述性质是诸如尤其是导电率或电阻率、CTE。第一金属层315A(第一金属)与第二金属层315B(第二金属)在蚀刻剂存在时反应不相同，这会在下文中更详细地解释。第一金属层315A(第一金属)可包括铜(Cu)，而第二金属层315B(第二金属)可特别为镍、镍合金、镍：钴合金。一些实施例中，第二金属层315B可为低CTE材料。具低CTE的材料的范例包括上文所列的材料，包括Fe:Ni合金与Fe:Ni:Co合金，可尤其包括以商标名
Figure BDA0001594229990000061
(Fe:Ni 36)、SUPER INVAR32-
Figure BDA0001594229990000062
贩售的金属。
图3C中，可移除第一光阻剂310以暴露掩模主体328中的精细开口325。掩模主体328包括精细开口325与双金属边界320。精细开口325根据精细金属掩模300中的待形成轮廓开口318的位置而定位。于掩模主体328上设置第二光阻剂330。可使用掩模335以藉由暴露至光340而图案化第二光阻剂330。根据光刻技术曝光与显影后，开口345(显示于图3D)形成于留下的第二光阻剂330中。开口345覆于开口325上。开口345可与开口325同心。留下的第二光阻剂330形成蚀刻掩模图案350，该蚀刻掩模图案350可用作为湿蚀刻工艺中的掩模以形成图3E中所示的精细金属掩模300。
湿蚀刻工艺包括以化学物质蚀刻掩模主体328，该化学物质蚀刻第二金属层315B的速率比蚀刻第一金属层315A的速率快。一个实施例中，可利用的蚀刻剂是三价铁的氯化物(FeCl3)。其他蚀刻剂特别包括盐酸(HCl)、乙酸(CH3OOH)、稀硫酸(H2SO4<49％)、氟化氢铵(NH4HF)。蚀刻掩模图案350可用于在蚀刻期间保护第二金属层315B的第一表面355。蚀刻工艺蚀刻第二金属层315B蚀刻得比第一金属层315A快，以在第二金属层315B中形成渐缩(tapered)表面360。相较于第二金属层315B，第一金属层315A可被轻微地蚀刻。一些实施例中，第一金属层315A可包括肩部365，该肩部365可为正方形或略为圆形。
图3F是精细金属掩模300的一部分的透视图，显示轮廓开口318之一者的细节。轮廓开口318包括第一开口370(由第一金属层315A形成)及第二开口375(在第二金属层315B中形成)。第一开口370与第二开口375的一或二者可为矩形，如图所示。或者，第一开口370与第二开口375的一或二者可为圆形或其他的多边形形状。第一开口370与第二开口375两者皆可包括主要尺寸(例如内侧尺寸)，该主要尺寸为约5μm至约150μm或更大，这取决于子像素有源区域135(示于图1中)的尺寸及/或形状。
图3G是沿着图3F的线段3G-3G的掩模主体328与轮廓开口318的一部分的剖面视图。掩模主体328包括第一表面355以及与该第一表面355相对的第二表面380。第二表面380可于沉积工艺期间接触显示器基板(图中未示)。可将渐缩表面360形成为包括约45度至约55度(诸如约50度)的角度α。用语“约”可界定为+/-3度至+/-5度。
图4A至4E是说明精细金属掩模400(一部分的该掩模400显示于图4E)的一个实施例的形成方法的概略部分剖面视图。该方法包括制备用于形成精细金属掩模400的图案区域205的掩模图案402。掩模图案402包括基板404，该基板包括第一金属层405。第一金属层405可包括如上文所述的低CTE材料且在此实施例中为精细金属掩模400的一部分。基板404可具有约5μm至约50μm的厚度408。基板404包括第一表面410以及与该第一表面410相对的第二表面415。
图4B中，第一光阻剂420形成在基板404上，且第二金属层426形成在第一金属层405的第一表面410上。可通过利用已知的光刻技术图案化及显影第一光阻剂420。此实施例中，第一光阻剂420形成在第一金属层405的第一表面410上。藉由使用第一光阻剂420，第二金属层426可通过电形成工艺形成。例如，掩模图案402可放置在电解浴(图中未示)中，以形成第二金属层426。该电解浴包括溶解在该浴中的第二金属，该第二金属会变成第二金属层426。该第二金属可与上文所述的第二金属相同。根据电形成技术，于基板404与浴中的第二金属之间提供电偏压。从而，掩模图案402用于基于第一光阻剂420的图案形成(精细金属掩模400中待形成的轮廓开口425的)整合的双金属边界430。第二金属层426的第一表面412可于沉积工艺期间接触显示器基板(图中未示)。第一光阻剂420的位置包括精细金属掩模400中待形成轮廓开口425的多个部分(在图4E的视角中只显示一个开口)。
图4C中，通过在基板404的第二表面415上设置第二光阻剂440而形成掩模主体428。掩模图案402可根据光刻技术图案化及显影，其中第二表面415的多个部分暴露，形成掩模主体428。
留下的第二光阻剂440形成蚀刻掩模图案445，该蚀刻掩模图案445可用作为湿蚀刻工艺中的掩模，以形成图4E中所示的精细金属掩模400。图案化的第二光阻剂440提供用在湿蚀刻工艺中的蚀刻掩模图案445。
湿蚀刻工艺包括以化学物质蚀刻掩模主体428，该化学物质蚀刻第一金属层405的速率比蚀刻第二金属层426的速率快。一个实施例中，可利用的蚀刻剂与图3A至3E中于上文所述的蚀刻剂相同。蚀刻掩模图案445可用于在蚀刻期间保护第一金属层405的第二表面415。
蚀刻后，第一光阻剂420与第二光阻剂440可如图4E所示般移除。移除第一光阻剂420使第二金属层426中的精细开口435显露(图4E中示出仅只一个)。蚀刻工艺蚀刻第一金属层405蚀刻得比第二金属层426快。该蚀刻可在第一金属层405中形成渐缩表面450。相较于第一金属层405，第二金属层426可被轻微地蚀刻。一些实施例中，第二金属层426可包括特征455，该特征455可为渐缩部或弧部(radius)。
图4F是精细金属掩模400的一部分的透视图，显示轮廓开口425之一者的细节。轮廓开口425包括第一开口470(由第一金属层405形成)与第二开口475(形成在第二金属层426中)。第一开口470与第二开口475的一或二者可为矩形，如图所示。或者，第一开口470与第二开口475的一或二者可为圆形或其他的多边形形状。第一开口470与第二开口475两者皆可包括主要尺寸(例如内侧尺寸)，该主要尺寸为约5μm至约50μm或更大。
图4G是沿着图4F的线段4G-4G的掩模主体428与轮廓开口425的一部分的剖面视图。掩模主体428包括第一表面410以及与该第一表面412相对的第二表面415。掩模主体428的第一表面412可于沉积工艺期间接触显示器基板(图中未示)。可将渐缩表面460形成为包括约45度至约55度(诸如约50度)的角度α。
图5A至5G是概略部分剖面视图，说明精细金属掩模500(一部分的该掩模500显示于图5G)的一个实施例的形成方法。该方法包括制备用于形成精细金属掩模500的图案区域205的掩模图案502。掩模图案502包括心轴505，该心轴505涂布有第一光阻剂510。心轴505可以是上文所述的具低CTE的金属材料。或者，心轴505可以是玻璃材料，该玻璃材料涂布有导电金属层，该导电金属层是在待形成精细金属掩模500的该侧上。第一光阻剂510的厚度512可小于精细金属掩模500的期望厚度。一个实施例中，精细金属掩模500的图案区域205包括量级在约5μm至约100μm(诸如约10μm至约50μm)的剖面厚度。第一光阻剂510可通过使用已知的光刻技术图案化，以形成精细金属掩模500(显示于图5G)中待形成的轮廓开口518的位置的负图案。
图5B中，于第一电形成工艺中将第一金属层515A形成于心轴505上。第一金属层515A可为提供对心轴505较少附着的金属。第一金属层515A可特别为镍、镍合金、镍：钴合金。第一金属层515A可用于助于将精细金属掩模500从心轴505分离。
第二电形成工艺(显示于图5B)中，第二金属层515B形成于第一金属层515A上。第二金属层515B可包括铜(Cu)。一个实施例中，第二金属层515B的厚度516可为约0.5μm至约1.5μm。第一金属层515A与第二金属层515B二者的厚度519可为约1μm至约3μm。
第三电形成工艺(显示于图5C)中，第三金属层515C形成于第二金属层515B上。第三金属层515C可特别为镍、镍合金、镍：钴合金。一些实施例中，第三金属层515C可为如本文所述的低CTE材料。第三金属层515C可包括厚度522，该厚度522大于第一光阻剂510的厚度512。
掩模图案502用于基于第一光阻剂510的图案形成(精细金属掩模500中待形成的轮廓开口518的)整合的多金属边界520。多金属边界520形成掩模主体525。电形成工艺之后的任何时间，多金属边界520可被剥掉或以另外方式从心轴505分离。或者，于后续工艺中多金属边界520可留在心轴505上。
相较于第二金属层515B(第二金属)，第一金属层515A(第一金属)与第三金属层515C(第三金属)是不同材料。一些实施例中，第一金属层515A与第三金属层515C可相同。相较于第二金属，第一金属与第三金属具有不同性质，所述性质尤其诸如导电率或电阻率、CTE。第一金属与第三金属、以及第二金属在蚀刻剂存在时反应不相同。
图5D中，第一光阻剂510可留在心轴505上。第二光阻剂530设置于掩模主体525上。掩模535可用于藉由暴露至光540而图案化第二光阻剂530。根据光刻技术曝光与显影后，开口545(显示于图5E)形成在留下的第二光阻剂530中。开口545覆于第一光阻剂510的位置上。开口545可与第一光阻剂510的位置及/或形状同心。留下的第二光阻剂530形成蚀刻掩模图案550(显示于图5E中)，该蚀刻掩模图案550可用作为湿蚀刻工艺中的掩模，以形成显示于图5G中的精细金属掩模500。
湿蚀刻工艺包括以化学物质蚀刻掩模主体525，该化学物质蚀刻第三金属层515C的速率比蚀刻第二金属层515B的速率快(使用如前文所述的蚀刻剂)。可执行分开的剥除工艺以移除第一光阻剂510而形成开口552。开口552与开口545同心。蚀刻掩模图案550可用于在蚀刻期间保护掩模主体525的第一表面555。蚀刻工艺蚀刻第三金属层515C蚀刻得比第二金属层515B快，以在第三金属层515C中形成渐缩表面560。相较于第三金属层515C，第一金属层515A与第二金属层515B可被轻微地蚀刻。第一金属层515A与第二金属层515B可包括其他实施例中所述的特征。因此，如本文所述的轮廓开口518形成于精细金属掩模500中。
如本文所述的精细金属掩模200、300、400、与500的实施例可用在制造高分辨率显示器中。根据一个实施例，如本文所述的精细金属掩模200、300与400可包括约750mmx650mm的尺寸(LxW)。此尺寸的精细金属掩模可为以二维拉张的全张(full sheet)(750mmx650mm)。或者，此尺寸的精细金属掩模可为一系列的条带，所述条带以一维拉张，而覆盖750mmx650mm的面积。较大的精细金属掩模尺寸包括约920mmx约730mm、6代半切(约1500mm x 约900mm或750mm x 1800mm)、6代(约1500mm x 约1800mm)、8.5代(约2200mm x约2500mm)以及10代(约2800mm x 约5200mm)。至少在较小的尺寸中，如本文所述的精细金属掩模200、300、400、与500的精细开口之间的节距公差可为每160mm长度约+/-3μm。
在如本文所述的精细金属掩模200、300、400、与500的制造中利用电形成技术与湿蚀刻具有胜于已知形成工艺的实质优点。与其呈对比，本文所述的掩模主体是藉由光刻技术形成，而分别形成整合的双金属边界520与430，以及多金属边界520。因此，精细开口的尺寸中的差异低于约0.3μm至0.5μm。随着分辨率增加，尺寸均匀性提供优点。因此，如本文所述的精细金属掩模200、300、400、与500可具有更为均匀的开口尺寸(因为藉由光刻技术及/或选择性蚀刻而达成的更佳的控制)。如本文所述的精细金属掩模200、300、400、与500也可具有非常一致的掩模对掩模的均匀度。该均匀度不仅在开口尺寸上有所改善，而且节距的准确性以及其他性质亦可获得改善。
如本文所述的精细金属掩模200、300、400、与500可用于以高准确度形成图1中所示的OLED元件100的子像素有源区域135。例如，OLED元件100的有机材料层120的RGB层的每一者有高均匀度，诸如大于约95％，例如大于98％。如本文所述的精细金属掩模200、300、400、与500符合这些准确性的公差。如本文所述的掩模主体的实施例提供轮廓开口318、425、与518的尺寸准确度。进一步而言，通过使用如本文所述的形成技术，形成轮廓开口318、425、与518是有高度再现性的。
尽管前述内容涉及本案揭露内容的实施例，但可不背离本案揭露内容的基本范畴而设计其他与进一步的实施例。因此，本案揭露内容的范畴由随后的权利要求范围所决定。
符号说明
数字 部件名称
100 OLED元件
115 基板
120 有机材料层
125 电极
130 电极
135 子像素有源区域
200 精细金属掩模
205 图案区域
210 框架
215 精细开口
300 精细金属掩模
302 掩模图案
305 心轴
310 第一光阻剂
312 厚度
313 厚度
314 厚度
315A 第一金属层
315B 第二金属层
318 轮廓开口
320 双金属边界
325 精细开口
328 掩模主体
330 第二光阻剂
335 掩模
340 光
345 开口
350 蚀刻掩模图案
355 第一表面
360 渐缩表面
365 肩部
370 第一开口
375 第二开口
380 第二表面
400 精细金属掩模
402 掩模图案
404 基板
405 第一金属层
408 厚度
410 第一表面
412 第一表面
415 第二表面
420 第一光阻剂
425 轮廓开口
426 第二金属层
428 掩模主体
430 双金属边界
435 精细开口
440 第二光阻剂
445 蚀刻掩模图案
450 渐缩表面
455 特征
460 渐缩表面
470 第一开口
475 第二开口
500 精细金属掩模
502 掩模图案
505 心轴
510 第一光阻剂
512 厚度
515A 第一金属层
515B 第二金属层
515C 第三金属层
516 厚度
519 厚度
520 多金属边界
522 厚度
525 掩模主体
530 第二光阻剂
535 掩模
540 光
545 开口
550 蚀刻掩模图案
552 开口
555 第一表面
560 渐缩表面

Claims (11)

1.一种阴影掩模，包括：
框架，由金属材料制成，所述金属材料具有低于或等于14微米/米/摄氏度的热膨胀系数；以及
一或多个掩模图案，耦接所述框架，所述一或多个掩模图案包括第一金属材料、第二金属材料与第三金属材料，所述第二金属材料有别于所述第一金属材料，所述第三金属材料有别于所述第二金属材料，且所述一或多个掩模图案具有多个开口，所述开口形成于所述一或多个掩模图案中，
其中所述第二金属材料位于所述第一金属材料与所述第三金属材料之间，
其中所述多个开口的各者包括渐缩侧壁，所述渐缩侧壁形成在所述第三金属材料中，
其中相较于所述第三金属材料，所述第一金属材料与所述第二金属材料被轻微地蚀刻，
其中所述第一金属材料包括镍或镍合金。
2.如权利要求1所述的阴影掩模，其中所述多个开口的各者包括主要尺寸，所述主要尺寸为5微米至50微米。
3.如权利要求1所述的阴影掩模，其中所述渐缩侧壁包括40度至55度的角度。
4.如权利要求1所述的阴影掩模，其中所述第三金属材料有别于所述第一金属材料。
5.如权利要求1所述的阴影掩模，其中所述第二金属材料包括铜(Cu)。
6.一种阴影掩模，包括：
掩模主体，所述掩模主体包括多金属材料，所述多金属材料形成多个图案区域，所述图案区域的各者具有多个开口，所述开口形成于所述图案区域的各者中，所述多金属材料包括具第一热膨胀系数的第一金属材料、具第二热膨胀系数的第二金属材料与具第三热膨胀系数的第三金属材料，所述第二热膨胀系数有别于所述第一热膨胀系数，所述第三热膨胀系数有别于所述第二热膨胀系数，其中所述第二金属材料位于所述第一金属材料与所述第三金属材料之间，其中所述多个开口的各者包括渐缩侧壁，所述渐缩侧壁形成在所述第三金属材料中，其中相较于所述第三金属材料，所述第一金属材料与所述第二金属材料被轻微地蚀刻，其中所述第一金属材料包括镍或镍合金。
7.如权利要求6所述的阴影掩模，其中所述第三金属材料有别于所述第一金属材料。
8.如权利要求6所述的阴影掩模，其中所述第二金属材料包括铜(Cu)。
9.如权利要求6所述的阴影掩模，其中所述渐缩侧壁包括45度至55度的角度。
10.一种用于形成阴影掩模的方法，包括下述步骤：
在心轴上电形成第一金属材料并且在所述第一金属材料上电形成第二金属材料，所述第二金属材料有别于所述第一金属材料，其中在所述第一金属材料与所述第二金属材料中形成多个同心开口；
将第三金属材料电形成至所述第二金属材料上，所述第三金属材料有别于所述第二金属材料，所述第三金属材料具有低于或等于14微米/米/摄氏度的热膨胀系数；以及
蚀刻所述第一金属材料、所述第二金属材料与所述第三金属材料，以于所述第一金属材料、所述第二金属材料与所述第三金属材料中形成多个同心开口，
其中相较于所述第三金属材料，所述第一金属材料与所述第二金属材料被轻微地蚀刻，
其中所述第一金属材料包括镍或镍合金。
11.如权利要求10所述的方法，其中在所述第三金属材料中的所述开口的各者包括渐缩侧壁。
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