KR100684175B1 - 전기발광 소자의 제조 방법 - Google Patents

전기발광 소자의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라스틱 기판을 기반으로 하며, 투명전극의 직렬 저항을 감소시키기 위해 보조전극이 적용된 전기발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 보조전극을 형성하기 전에 화소영역의 투명전극 상에 보호막을 형성하여 보조전극을 형성하는 과정에서 발광영역의 투명전극이 식각용액에 노출되지 않도록 함으로써 투명전극의 손실이 방지되어 발광 특성이 균일하게 유지되고 제조 수율이 향상될 수 있다.
플라스틱 기판, 투명전극, 보조전극, 보호막, 습식식각

Description

전기발광 소자의 제조 방법 {Method for manufacturing electroluminescence devices}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 레이아웃도.
도 2a 내지 도 2k는 도 1의 A1-A2 부분을 절취한 단면도.
도 3a 내지 도 3d는 도 1의 B1-B2 부분을 절취한 단면도.
도 4a 내지 도 4f는 도 1의 C1-C2 부분을 절취한 단면도.
도 5a 내지 도 5g는 도 1의 D1-D2 부분을 절취한 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 11: 투명 전극물질
11a: 투명전극 11b: 전극패드
12: 보호막 13: 금속층
13a, 13b: 보조전극 14: 발광층
15: 음극
본 발명은 디스플레이 장치에 사용되는 전기발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스틱 기판을 기반으로 하며, 투명전극의 직렬 저항을 감소시키기 위해 보조전극이 적용된 전기발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 기술 및 디스플레이 산업이 발달됨에 따라 디스플레이 장치의 해상도를 높이고, 무게와 두께를 감소시키려는 노력이 진행되고 있으며, 이러한 추세에 따라 유리 기판보다 경량화 및 박막화에 유리한 플라스틱 기판을 사용하는 기술이 개발되고 있다.
그 결과 액정 디스플레이(LCD)나 유기전기발광(Organic Electroluminescence) 특성을 이용하는 디스플레이 소자들 중 유기전기발광 디스플레이 소자가 플라스틱 기판의 적용에 있어 가장 현실성이 있는 것으로 주목받고 있으며, 이에 대한 연구가 집중적으로 이루어지고 있다.
유기전기발광 디스플레이 소자는 발광 특성을 갖는 발광층과, 발광층의 양측에 형성된 양극과 음극을 포함하며, 양극과 음극에 인가되는 전류 혹은 전압에 따라 발광 특성을 도출한다.
일반적으로 음극은 유기박막과 일함수(work function)의 차이가 적은 금속으로 형성하고, 양극은 기판의 하부로 발광되는 경우 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide)와 같은 투명 전극물질로 형성하며, 기판의 상부로 발광되는 경우 ITO, Ni, Cr, Au 등과 같이 일함수가 높은 금속으로 형성한다.
플라스틱 기판을 사용하면 상기와 같은 투명 전극물질들을 고온에서 증착하 기 어렵다. 따라서 전극물질을 상온 내지 300℃ 이하의 저온에서 증착해야 하기 때문에 투명전극이 비정질 상태(amorphous state)의 결정성을 갖게 된다.
최근들어 디스플레이 장치의 크기가 증가되고 있는 추세이다. 그러나 디스플레이 장치의 크기가 커지면 투명전극(양극)의 저항값 증가로 인해 전압 강하가 증가되기 때문에 화소 간의 발광 특성이 불균일해진다. 그래서 화소 간의 불균일한 특성을 보정하고, 구동부와의 연결을 용이하게 하기 위하여 투명전극 상에 금속으로 보조전극을 형성한다.
일반적으로 보조전극은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag)과 같은 금속 혹은 합금으로 형성하며, 사진 및 식각 공정을 통해 패터닝한다. 상기 식각 공정은 대개 습식으로 진행하며, 결정성이 강한 투명전극에는 영향을 미치지 않는 식각용액을 사용한다. 그러나 플라스틱 기판을 사용하는 경우 투명전극이 비정질 상태로 형성되기 때문에 보조전극을 형성하기 위한 식각 과정에서 투명전극이 식각용액(화학용액)에 노출될 경우 손상되는 문제점이 발생된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 리프트-오프(lift-off) 방법으로 보조전극을 형성하는 기술이 개발되었으나, 리프트-오프 과정에서 떨어져 나온 미세 조각들이 기판에 흡착되어 소자 혹은 패널의 특성을 저하시키는 원인으로 작용한다.
본 발명은 보조전극을 형성하기 위한 식각 과정에서 발광영역의 투명전극이 노출되지 않도록 함으로써 상기한 종래의 문제점을 해소할 수 있는 전기발광 소자의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전기발광 소자의 제조 방법은 화소영역 및 패드영역이 정의된 기판이 제공되는 단계, 상기 화소영역의 상기 기판 상에는 다수의 양극을 형성하고, 상기 패드영역의 상기 기판 상에는 다수의 전극패드를 형성하는 단계, 전체 상부면에 보호막을 형성한 후 상기 양극과 상기 전극패드의 소정 부분을 노출시키는 단계, 노출된 부분의 상기 양극과 상기 전극패드 상에 보조전극을 형성하는 단계, 상기 화소영역에 발광층을 형성하는 단계, 상기 화소영역 및 패드영역에 다수의 음극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 보조전극을 형성하는 단계는 상기 화소영역 및 패드영역의 전체 상부면에 금속층을 형성하는 단계, 상기 보호막이 식각되지 않는 식각용액을 사용한 식각 공정으로 상기 금속층을 패터닝하여 상기 양극과 상기 전극패드의 노출된 부분에 상기 보조전극이 각각 형성되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 보조전극을 형성한 후 상기 보조전극을 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 화소영역의 노출된 보호막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 플라스틱 기판을 기반으로 하며, 투명전극 또는 비정질 상태의 투명전극을 구비하는 모든 전기발광 소자의 제조에 적용이 가능하다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 레이아웃도로서, 도 2a 내지 도 2k, 도 3a 내지 도 3d, 도 4a 내지 도 4f, 그리고 도 5a 내지 도 5g를 참조하여 설명하기로 한다.
도 2a, 도 3a, 도 4a 및 도 5a를 참조하면, 화소영역(P1) 및 패드영역(P2)이 정의된 기판(10) 상에 투명 전극물질(11)을 증착한다. 상기 기판(10)으로는 투명한 유리 혹은 플라스틱 기판을 사용하며, 상기 투명 전극물질(11)로는 ITO, IZO, ZnO, Ni, Cr, Al, Au 등을 사용한다.
도 2b 및 도 5b를 참조하면, 상기 전극물질(11)을 패터닝하여 상기 화소영역(P1)에는 예를 들어, X축으로 정렬되며 스트라이프(strip) 형태를 갖는 다수의 투명전극(11a)이 형성되고(도 2b 참조), 상기 패드영역(P2)에는 Y축으로 정렬된 다수의 전극패드(11b)가 형성되도록 한다(도 5b 참조). 상기 화소영역(P1)의 투명전극(11a)은 양극(anode)으로 사용된다.
도 2c, 도 3b, 도 4b 및 도 5c를 참조하면, 상기 화소영역(P1) 및 패드영역(P2)의 전체 상부면에 보호막(12)을 형성한다. 상기 보호막(12)은 저온에서 증착 가능한 유기 또는 무기 절연막 예를 들어, 알루미늄 나이트라이드(AlN), 알루미늄 옥사이드(AlO), 알루미늄 옥시나이트라이드(AlOxNy), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiO) 등으로 형성하며, 수 Å 정도, 바람직하게는 1 내지 10Å 정도의 두께로 형성한다.
도 2d, 도 4c 및 도 5d를 참조하면, 상기 보호막(12)을 패터닝하여 상기 투 명전극(11a)과 상기 전극패드(11b)의 소정 부분을 노출시킨다. 이때 상기 투명전극(11a)은 예를 들어, Y축 방향으로 좁게 노출되도록 하여(도 2d 및 도 4c 참조) 발광영역의 투명전극(11a) 상에는 보호막(12)이 잔류되도록 하고, 상기 전극패드(11b)는 가능한 넓은 면적이 노출되도록 한다(도 5d 참조).
상기 보호막(12)을 패터닝하기 위한 식각 공정은 습식으로 진행하며, 상기 투명전극(11)이 식각되지 않는 식각용액을 사용한다.
도 2e, 도 4d 및 도 5e를 참조하면, 상기 화소영역(P1) 및 패드영역(P2)의 전체 상부면에 금속층(13)을 형성한다. 상기 금속층(13)은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 은(Ag) 등의 금속이나, 이들의 합금으로 형성한다.
도 2f 및 도 5f를 참조하면, 상기 금속층(13)을 패터닝하여 상기 투명전극(11a)과 상기 전극패드(11b)의 노출된 부분에 보조전극(13a 및 13b)이 각각 형성되도록 한다.
상기 금속층(13)을 패터닝하기 위한 식각 공정은 습식으로 진행하며, 상기 보호막(12)이 식각되지 않는 식각용액을 사용함으로써 상기 발광영역의 투명전극(11a)은 상기 보호막(12)에 의해 식각되지 않도록 한다.
도 2g, 도 3c 및 도 4e를 참조하면, 상기 화소영역(P1)의 전체 상부면에 발광층(14)을 형성한다. 상기 발광층(14)은 다층 구조의 유기박막으로 형성한다.
도 2h, 도3d, 도 4f 및 도 5g를 참조하면, 상기 화소영역(P1) 및 패드영역(P2)의 전체 상부면에 도전성의 물질을 증착한 후 패터닝하여 다수의 음극(cathode)(15)을 형성한다. 이 때 상기 다수의 음극(15)은 예를 들어, 스트라이프 형태를 가지며 Y축 방향으로 배열되어 상기 화소영역(P1)에서는 상기 투명전극(11a)과 교차되고, 상기 패드영역(P2)에서는 상기 보조전극(13b)을 통해 상기 전극패드(11b)와 연결된다.
상기 실시예는 화소영역(P1)의 투명전극(11a)과 발광층(14) 사이에 보호막(12)이 형성된 구조를 제시하였다. 투명전극(11a)과 발광층(14) 사이에 보호막(12)이 존재하도록 하면 상대적으로 주입율이 높은 정공이 발광층(14)으로 주입될 때 상기 보호막(12)에 의해 주입이 일부 억제되기 때문에 전자와 정공의 주입율이 균등해져 발광 효율이 극대화될 수 있다. 그러나 다른 실시예로서, 화소영역(P1)의 투명전극(11a)과 발광층(14) 사이에 보호막(12)이 형성되지 않는 구조로도 구현이 가능하다.
도 2i 내지 도 2k는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2i를 참조하면, 도 2f 및 도 5f에 도시된 바와 같이 상기 투명전극(11a)과 상기 전극패드(11b)의 노출된 부분에 보조전극(13a 및 13b)을 각각 형성한 후 상기 보조전극(3a)을 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 화소영역(P1)의 노출된 보호막(12)을 제거한다.
도 2j를 참조하면, 도 2g, 도 3c 및 도 4e에 도시된 바와 같이 상기 화소영역(P1)의 전체 상부면에 발광층(14)을 형성한다. 상기 발광층(14)은 다층 구조의 유기박막으로 형성한다.
도 2k를 참조하면, 도 2h, 도3d, 도 4f 및 도 5g에 도시된 바와 같이 상기 화소영역(P1) 및 패드영역(P2)의 전체 상부면에 도전성의 물질을 증착한 후 패터닝하여 다수의 음극(15)을 형성한다. 이 때 상기 다수의 음극(15)은 예를 들어, 스트라이프 형태를 가지며 Y축 방향으로 배열되어 상기 화소영역(P1)에서는 상기 투명전극(11a)과 교차되고, 상기 패드영역(P2)에서는 상기 보조전극(13b)을 통해 상기 전극패드(11b)와 연결된다.
상기 실시예들을 설명하기 위한 도면에는 도시되지 않았으나, 일반적인 전기발광 소자의 제조 방법에 따라 상기 발광층(14)의 양쪽에 전자의 주입을 돕는 정공주입층 및/또는 정공수송층과, 전자수송층 및/또는 전자주입층을 형성할 수 있다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예들을 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
플라스틱 기판을 기반으로 디스플레이 소자를 제조하는 경우 투명전극은 저온에서 형성되어야 하기 때문에 비정질 상태의 결정성을 갖게 된다. 그러므로 후속 식각 과정에서 식각용액에 노출될 경우 쉽게 손실될 수 있다. 본 발명은 투명전극의 저항을 감소시키기 위한 보조전극을 형성하기 전에 화소영역의 투명전극 상에 보호막을 형성함으로써 보조전극 형성 과정에서 발광영역의 투명전극이 식각용액에 노출되지 않는다. 따라서 투명전극의 손실로 인한 직렬 저항의 증가가 방지되어 발광 특성이 균일하게 유지되고 제조 수율이 향상될 수 있다. 본 발명은 플렉시블 디스플레이 장치, 유기 또는 무기 전기발광 디스플레이 장치 등에 적용이 가능하다.

Claims (10)

  1. a) 화소영역 및 패드영역이 정의된 기판이 제공되는 단계,
    b) 상기 화소영역의 상기 기판 상에는 다수의 양극을 형성하고, 상기 패드영역의 상기 기판 상에는 다수의 전극패드를 형성하는 단계,
    c) 전체 상부면에 보호막을 형성한 후 상기 양극과 상기 전극패드의 소정 부분을 노출시키는 단계,
    d) 노출된 부분의 상기 양극과 상기 전극패드 상에 보조전극을 형성하는 단계,
    e) 상기 화소영역에 발광층을 형성하는 단계,
    f) 상기 화소영역 및 패드영역에 다수의 음극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기발광 소자의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판 및 플라스틱 기판 중 하나인 것을 특징으로 하는 전기발광 소자의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 양극과 상기 전극패드는 투명 전극물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 전기발광 소자의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 투명 전극물질은 ITO, IZO, ZnO, Ni, Cr 및 Au 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전기발광 소자의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 보호막은 알루미늄 나이트라이드(AlN), 알루미늄 옥사이드(AlO), 알루미늄 옥시나이트라이드(AlOxNy), 실리콘 나이트라이드(SiNx) 및 실리콘 옥사이드(SiO) 중 어느 하나로 형성하며, 1 내지 10Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전기발광 소자의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 d)는 상기 화소영역 및 패드영역의 전체 상부면에 금속층을 형성하는 단계,
    상기 보호막이 식각되지 않는 식각용액을 사용한 식각 공정으로 상기 금속층을 패터닝하여 상기 양극과 상기 전극패드의 노출된 부분에 상기 보조전극이 각각 형성되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기발광 소자의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 금속층은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 은(Ag) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전기발광 소자의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 d)를 진행한 후 상기 보조전극을 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 화소영역의 노출된 보호막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기발광 소자의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 발광층은 다층 유기박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전기발광 소자의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 양극 및 음극은 상기 화소영역에서 일부분이 서로 교차되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전기발광 소자의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP3144940B1 (en) * 2014-05-12 2019-08-07 LG Chem, Ltd. Conductive structure and preparation method therefor
JP2018137084A (ja) * 2017-02-21 2018-08-30 株式会社東海理化電機製作所 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000040594A (ja) 1998-07-23 2000-02-08 Sony Corp 有機ｅｌ素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000040594A (ja) 1998-07-23 2000-02-08 Sony Corp 有機ｅｌ素子

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