CN108385058B - 掩膜板和掩膜板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种掩膜板和掩膜板的制造方法，属于蒸镀技术领域。掩膜板包括：掩膜，掩膜包括掩膜基底以及设置在掩膜基底上的镀层，镀层的热膨胀系数大于掩膜基底的热膨胀系数；其中，掩膜在蒸镀温度下为平整状态，掩膜中的镀层在蒸镀温度下由凸起状态膨胀为平整状态。本发明通过在掩膜上形成热膨胀系数较大的镀层，且使掩膜在蒸镀温度下为平整状态，这样在常温下掩膜就会因为镀层的收缩而呈弯曲状态，将包括该掩膜的掩膜板设置在在蒸镀基板上时，掩膜的边缘不会与待蒸镀基板接触，避免了对待蒸镀基板的损伤。解决了相关技术中掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。达到了能够避免掩膜板损伤待蒸镀基板的效果。

Description

掩膜板和掩膜板的制造方法

技术领域

本发明涉及蒸镀技术领域，特别涉及一种掩膜板和掩膜板的制造方法。

背景技术

一种掩膜板用于控制蒸镀材料的蒸汽在待蒸镀基板的表面凝聚的区域。

相关技术中的一种掩膜板包括掩膜(英文：Mask Sheet)，在使用该掩膜板时，可以将掩膜紧贴在待蒸镀基板上以降低待蒸镀基板与掩膜之间的间隙。如此能够避免待蒸镀基板与掩膜之间存在较大空隙时，蒸镀材料的蒸汽会溢散到掩膜板和待蒸镀基板之间的问题。

但是，由于制造工艺的原因，掩膜的边缘通常会存在一些菱角和毛刺等缺陷结构，紧贴待蒸镀基板的掩膜的边缘的缺陷结构可能会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤。即掩膜板可能损伤待蒸镀基板。

发明内容

本发明实施例提供了一种掩膜板和掩膜板的制造方法，能够解决相关技术中掩膜的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤。即掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。所述技术方案如下：

根据本发明的第一方面，提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括：

掩膜，所述掩膜包括掩膜基底以及设置在所述掩膜基底上的镀层，所述镀层的热膨胀系数大于所述掩膜基底的热膨胀系数；

其中，所述掩膜在蒸镀温度下为平整状态，所述掩膜中的镀层在所述蒸镀温度下由凸起状态膨胀为所述平整状态，所述蒸镀温度为蒸镀腔室中，加热蒸镀材料时所述掩膜板所在区域的温度。

可选的，所述掩膜板还包括掩膜框架，

所述掩膜设置所述镀层的一侧与所述掩膜框架固定连接。

可选的，所述掩膜基底包括第一区域与第二区域，所述镀层设置在所述第一区域上，

所述掩膜框架与所述掩膜基底的第二区域固定连接。

可选的，所述掩膜框架上设置有凸台，

所述掩膜与所述凸台固定连接。

可选的，所述掩膜基底的材料包括铁磁性材料。

可选的，所述掩膜基底的宽度为30毫米，所述掩膜在常温下呈朝向所述掩膜基底的凸起状态，凸起状态的所述掩膜的翘曲度为1毫米，所述镀层的材料包括铜，所述镀层的厚度为40微米，所述蒸镀温度为80度。

可选的，所述掩膜基底的宽度为30毫米，所述掩膜在常温下呈朝向所述掩膜基底的凸起状态，凸起状态的所述掩膜的翘曲度为1毫米，所述镀层的材料包括铝，所述镀层的厚度为20微米，所述蒸镀温度为80度。

可选的，所述掩膜板包括至少一个所述掩膜。

根据本发明的第二方面，提供一种掩膜板的制造方法，用于制造包括多个掩膜的掩膜板，所述方法包括：

提供掩膜基底；

在所述掩膜基底上形成镀层，所述镀层的热膨胀系数大于所述掩膜基底的热膨胀系数，所述镀层和所述掩膜基底构成所述掩膜；

其中，所述掩膜在蒸镀温度下为平整状态，所述掩膜中的镀层在所述蒸镀温度下由凸起状态膨胀为所述平整状态，所述蒸镀温度为蒸镀腔室中，加热蒸镀材料时所述掩膜板所在区域的温度。

可选的，所述在所述掩膜基底上形成镀层，包括：

在所述蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成所述镀层。

可选的，所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之前，所述方法还包括：

将所述掩膜基底与掩膜框架固定连接；

所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层，包括：

在所述蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底靠近所述掩膜框架上形成所述镀层。

可选的，所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之后，所述方法还包括：

在常温环境中，将所述掩膜的指定区域压在掩膜框架上；

将所述掩膜的指定区域与所述掩膜框架固定连接。

可选的，所述掩膜基底包括第一区域与第二区域，

所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层，包括：

在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底的第一区域上形成所述镀层；

所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之后，所述方法还包括：

将所述掩膜基底的第二区域与掩膜框架固定连接。

可选的，所述掩膜板还包括掩膜框架，所述掩膜框架上设置有凸台，

所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之后，所述方法还包括：

在常温环境中，将所述掩膜设置所述镀层一侧压在所述凸台上；

将所述掩膜与所述凸台连接。

可选的，所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之后，所述方法还包括：

在所述蒸镀温度的环境中，将所述掩膜的指定区域与掩膜框架固定连接。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

通过在掩膜上形成热膨胀系数较大的镀层，且使掩膜在蒸镀温度下为平整状态，这样在常温下掩膜就会因为镀层的收缩而呈弯曲状态，将包括该掩膜的掩膜板设置在在蒸镀基板上时，掩膜的边缘不会与待蒸镀基板接触，避免了对待蒸镀基板的损伤，且在蒸镀时，达到蒸镀温度的掩膜会恢复为平整状态，以起到掩膜的功能。解决了相关技术中掩膜的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤，即掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。达到了能够避免掩膜板损伤待蒸镀基板的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术中一种待蒸镀基板、磁性组件以及掩膜的结构示意图；

图2是本发明实施例示出的一种掩膜板的结构示意图；

图3为图2所示掩膜板中的掩膜在常温下的右视图；

图4为常温环境中图3所示的掩膜位于待蒸镀基板上的结构示意图；

图5是本发明实施例示出的另一种掩膜板的结构示意图；

图6为图5所示的掩膜板中的掩膜靠近掩膜框架一侧的结构示意图；

图7为图5所示掩膜板中任一掩膜与掩膜框架连接位置的右视图；

图8为图7所示的掩膜以及掩膜框架的右视图；

图9是本发明实施例提供的一种掩膜板的制造方法的流程图；

图10是本发明实施例提供的另一种掩膜板的制造方法的流程图；

图11是本发明实施例提供的另一种掩膜板的制造方法的流程图；

图12是本发明实施例提供的另一种掩膜板的制造方法的流程图；

图13是本发明实施例提供的另一种掩膜板的制造方法的流程图；

图14是图13所示的掩膜板的制造方法中将掩膜的指定区域压在掩膜框架上的示意图；

图15是本发明实施例提供的另一种掩膜板的制造方法的流程图。

通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

蒸镀工艺中使用的掩膜板用于在蒸镀时限制蒸镀材料的蒸汽在待蒸镀基板的表面凝聚的区域。但如果掩膜板与待蒸镀基板的表面之间存在间隙，则一部分蒸镀材料的蒸汽可能溢散到该间隙中，进而降低了蒸镀材料形成的图案的精度。

为了避免这一问题的发生，如图1所示，目前通常在待蒸镀基板11不形成图案的一侧设置磁性组件12，通过该磁性组件12将由铁磁性材料构成的掩膜13(掩膜通常由热)吸附在待蒸镀基板11上。但是，由于掩膜的制造工艺(如湿法刻蚀和切割等工艺)等问题，使得掩膜的边缘存在一些菱角和毛刺等缺陷结构，当通过磁性组件12将掩膜13吸附在待蒸镀基板11上时，掩膜13的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板11发生碰撞，进而对待蒸镀基板11造成损伤(尤其是可能损伤待蒸镀基板上已经存在的电路结构)。

本发明实施例提供了一种掩膜板和掩膜板的制造方法，可以解决上述相关技术中存在的问题。

图2是本发明实施例示出的一种掩膜板的结构示意图。该掩膜板可以包括：

掩膜21，掩膜21包括掩膜基底211以及设置在掩膜基底211上的镀层212，镀层212的热膨胀系数大于掩膜基底211的热膨胀系数。掩膜基底211的材料可以参考相关技术中的掩膜，为了避免在蒸镀时的形变，掩膜基底通常由热膨胀系数较小的材料构成。

其中，掩膜21在蒸镀温度下为平整状态，掩膜21中的镀层212在蒸镀温度下由凸起状态膨胀为平整状态，蒸镀温度为蒸镀腔室中，加热蒸镀材料时掩膜板所在区域的温度。该蒸镀温度在不同的蒸镀条件下可能不同，可以通过实际测量得到。

由于掩膜21在蒸镀温度下为平整状态，在该掩膜21处于常温(常温低于蒸镀温度，通常为20度或25度)下时，如图3所述，其为图2中的掩膜21在常温下的右视图，由于镀层212的热膨胀系数大于掩膜基底211的热膨胀系数，镀层212的收缩量会大于掩膜基底211的收缩量，进而整个掩膜21会向基底211的一侧凸起。

如图4所示，其为常温环境中，图3所示的掩膜21位于待蒸镀基板11上的结构示意图，可以看出，掩膜21的边缘与待蒸镀基板11不接触，避免了磁性组件12将掩膜21吸附在待蒸镀基板上时，掩膜21的边缘对待蒸镀基板的损坏。当掩膜进入蒸镀腔室，开始加热蒸镀材料后，掩膜所处位置的温度达到蒸镀温度，由于掩膜通常较薄(一般为50微米至200微米)，因而掩膜升温过程较快。升温到蒸镀温度后，掩膜转变为平整状态，掩膜的边缘与待蒸镀基板的间隙减小或者掩膜的边缘与待蒸镀基板接触，以起到掩膜的功能。

由于材料加工以及其他参数的误差等问题，本发明实施例中所涉及的平整状态可以并非是绝对的平整，而是平面度(被测实际表面(即掩膜的表面)对其理想平面的变动量)在一定范围内的平整。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜板，通过在掩膜上设置热膨胀系数较大的镀层，且使掩膜在蒸镀温度下为平整状态，这样在常温下掩膜就会因为镀层的收缩而呈弯曲状态，将包括该掩膜的掩膜板放在蒸镀基板上时，掩膜的边缘不会碰到待蒸镀基板，避免了对待蒸镀基板的损伤，且在蒸镀时，达到蒸镀温度的掩膜会恢复为平整状态，以起到掩膜的功能。解决了相关技术中掩膜的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤，即掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。达到了能够避免掩膜板损伤待蒸镀基板的效果。

可选的，图5是本发明实施例示出的另一种掩膜板的结构示意图，该掩膜板在图2所示的掩膜板的基础上增加了一些部件。

可选的，掩膜板20包括至少一个掩膜22。掩膜板20还包括掩膜框架22。掩膜22可以呈条状。

掩膜21设置镀层(图5中未示出)的一侧与掩膜框架22固定连接。可以通过激光焊机的方式将掩膜设置镀层的一侧与掩膜框架固定连接。

相关技术中，通常使用张网机将掩膜焊接在掩膜框架上，但本发明实施例提供的掩膜板20在常温环境中并非为平整状态。对此，本发明实施例提供了下面两种将掩膜设置在掩膜框架上的结构。

第一种方式：如图6所示，其为图5所示的掩膜板20中的掩膜21靠近掩膜框架一侧的结构示意图，该掩膜基底211包括第一区域a1与第二区域a2，镀层212设置在第一区域a1上，其中，第二区域为掩膜基底211上用于与掩膜框架连接的区域，可以根据掩膜板的设计而定，第二区域为掩膜基底上处第一区域外的其他区域。这样在常温状态下，掩膜板会在设置有镀层212的区域凸起，但在为设置有镀层212的第二区域a2仍处于平整状态。掩膜框架22可以与掩膜基底211的第二区域固定连接。

第二种方式：如图7所示，其为图5所示掩膜板中任一掩膜与掩膜框架连接位置的右视图。其中，掩膜框架22上设置有凸台221，掩膜21(掩膜21设置有镀层的一侧)与凸台221固定连接。

如图8所示，其为图7所示的掩膜以及掩膜框架的右视图，在将掩膜21与掩膜框架22连接时，可以通过紧绷装置30紧绷住掩膜21的一端，并将掩膜21(设置镀层的一侧)压在凸台221上，以便于将掩膜21与凸台221固定连接。

可选的，掩膜基底的材料包括铁磁性材料，该铁磁性材料可以包括殷瓦钢(英文：invar)。殷瓦钢是一种热膨胀系数极小(1.6e-6/℃)的金属，其能在很宽的温度范围内保持固定长度，如此能够保证掩膜的精度。可选的，本发明实施例提供的掩膜板的掩膜基底的材料可以包括invar36(invar36为殷瓦钢的一种)。

可选的，镀层的材料包括铜，铜的热膨胀系数为1.77e-5/℃，镀层的厚度为40微米，蒸镀温度为80度。掩膜的宽度可以为30毫米，凸起状态的掩膜的翘曲度(翘曲度为曲面在高度方向上距离最远的两点间的距离)为1毫米。

可选的，镀层的材料包括铝，铜的热膨胀系数为2.3e-5/℃，镀层的厚度为20微米，蒸镀温度为80度。掩膜的宽度可以为30毫米，掩膜中心的凸起距离可以为1毫米。

由于材料加工以及其他参数的误差等问题，本发明实施例所涉及的镀层的厚度、蒸镀温度、掩膜的宽度以及掩膜的翘曲度等参数可以并非是确定的唯一值，这些值可以均在一定范围内变动。示例性的，镀层的厚度可以在正负5％的范围内变动。

此外，本发明的镀层的材料还可以为其它热膨胀系数小于掩膜基底的材料，本发明实施例不进行限制。

本发明实施例提供的掩膜板的使用方法可以参考相关技术，示例性的，一种掩膜板的使用方法可以包括：

1、在常温环境中，将掩膜板设置在待蒸镀基板的下侧且与待蒸镀基板进行对位，并通过磁性组件吸附掩膜，此时掩膜为朝远离掩膜框架的方向的凸起状态，因而掩膜的边缘不会与待蒸镀基板接触，进而也不会损伤待蒸镀基板；

2、加热位于掩膜板下方的蒸镀材料，掩膜板的温度提升至蒸镀温度，恢复为平整状态，以起到掩膜的功能；此外，恢复为平整状态的掩膜能够较为紧密的贴覆在待蒸镀基板上，避免了蒸镀材料的蒸汽溢散到掩膜和待蒸镀基板之间，提高了后续形成的图案的精度。

3、在蒸镀完成之后，停止加热蒸镀材料，移除磁性组件以及掩膜板。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜板，通过在掩膜上设置热膨胀系数较大的镀层，且使掩膜在蒸镀温度下为平整状态，这样在常温下掩膜就会因为镀层的收缩而呈弯曲状态，将包括该掩膜的掩膜板放在蒸镀基板上时，掩膜的边缘不会碰到待蒸镀基板，避免了对待蒸镀基板的损伤，且在蒸镀时，达到蒸镀温度的掩膜会恢复为平整状态，以起到掩膜的功能。解决了相关技术中掩膜的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤，即掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。达到了能够避免掩膜板损伤待蒸镀基板的效果。

图9是本发明实施例提供的一种掩膜板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述实施例提供的掩膜板，该方法可以包括下面几个步骤：

步骤201、提供掩膜基底。

步骤202、在掩膜基底上形成镀层，镀层的热膨胀系数大于掩膜基底的热膨胀系数，镀层和掩膜基底构成掩膜。其中，掩膜在蒸镀温度下为平整状态，掩膜中的镀层在蒸镀温度下由凸起状态膨胀为平整状态，蒸镀温度为蒸镀腔室中，加热蒸镀材料时掩膜板所在区域的温度。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜板的制造方法，通过在掩膜上形成热膨胀系数较大的镀层，且使掩膜在蒸镀温度下为平整状态，这样在常温下掩膜就会因为镀层的收缩而呈弯曲状态，将包括该掩膜的掩膜板放在蒸镀基板上时，掩膜的边缘不会碰到待蒸镀基板，避免了对待蒸镀基板的损伤，且在蒸镀时，达到蒸镀温度的掩膜会恢复为平整状态，以起到掩膜的功能。解决了相关技术中掩膜的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤，即掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。达到了能够避免掩膜板损伤待蒸镀基板的效果。

相关技术中，通常使用张网机将掩膜焊接在掩膜框架上，但本发明实施例提供的掩膜板20在常温环境中并非为平整状态。对此，本发明实施例提供了下面几种将掩膜设置在掩膜框架上的方法。

第一种方法如图10所示，其为本发明实施例提供的另一种掩膜板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述实施例提供的掩膜板，该方法可以包括下面几个步骤：

步骤301、提供掩膜基底。

该掩膜基底可以由殷瓦钢构成。该掩膜基底的结构可以参考上述实施例中各个附图中的掩膜基底，在此不再赘述。

步骤302、将掩膜基底与掩膜框架固定连接。

掩膜框架用于固定掩膜基底，以便于后续掩膜板的使用。

由于此时的掩膜基底还未形成镀层，处于平整状态，因而能够方便的将掩膜基底与掩膜框架固定连接。

可选的，可以通过激光焊接的方式将掩膜基底与掩膜框架固定连接。

步骤303、在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的掩膜基底靠近掩膜框架上形成镀层。

该镀层形成之后，镀层和掩膜基底构成掩膜，镀层的热膨胀系数大于掩膜基底的热膨胀系数，在蒸镀温度的环境中，由镀层和掩膜基底构成的掩膜为平整状态。该蒸镀温度为蒸镀腔室中，加热蒸镀材料时掩膜板所在区域的温度。该镀层的材料和厚度可以参考上述实施例，在此不再赘述。

当掩膜的温度降低到常温时，未与掩膜框架连接的区域就会转变为朝向远离掩膜框架一侧的凸起。

此外，也可以在常温环境中，在弯曲的掩膜基底内凹的一侧形成镀层以构成掩膜，该掩膜在蒸镀温度下会由于镀层的热膨胀系数较高而展开为平整状态，以起到掩膜的功能。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜板的制造方法，通过在掩膜上形成热膨胀系数较大的镀层，且使掩膜在蒸镀温度下为平整状态，这样在常温下掩膜就会因为镀层的收缩而呈弯曲状态，将包括该掩膜的掩膜板放在蒸镀基板上时，掩膜的边缘不会碰到待蒸镀基板，避免了对待蒸镀基板的损伤，且在蒸镀时，达到蒸镀温度的掩膜会恢复为平整状态，以起到掩膜的功能。解决了相关技术中掩膜的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤，即掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。达到了能够避免掩膜板损伤待蒸镀基板的效果。

第二种方法如图11所示，其为本发明实施例提供的另一种掩膜板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述实施例提供的掩膜板，该方法可以包括下面几个步骤：

步骤401、提供掩膜基底。

该掩膜基底可以包括第一区域与第二区域，该掩膜基底的结构可以参考上述实施例中的图6，在此不再赘述。

步骤402、在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的掩膜基底上的第一区域形成镀层。

该掩膜基底的第二区域未形成有镀层，可以用于与掩膜框架连接。

其中，镀层和掩膜基底构成掩膜，镀层的热膨胀系数大于掩膜基底的热膨胀系数，蒸镀温度为蒸镀腔室中，加热蒸镀材料时掩膜板所在区域的温度。

步骤403、将掩膜基底的第二区域与掩膜框架固定连接。

由于掩膜基底的第二区域未形成有镀层，因而该第二区域在常温下也会呈平整状态，可以方便的将该第二区域与掩膜框架固定连接。可选的，可以通过激光焊接的方式将掩膜基底的第二区域与掩膜框架固定连接。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜板的制造方法，通过在掩膜上形成热膨胀系数较大的镀层，且使掩膜在蒸镀温度下为平整状态，这样在常温下掩膜就会因为镀层的收缩而呈弯曲状态，将包括该掩膜的掩膜板放在蒸镀基板上时，掩膜的边缘不会碰到待蒸镀基板，避免了对待蒸镀基板的损伤，且在蒸镀时，达到蒸镀温度的掩膜会恢复为平整状态，以起到掩膜的功能。解决了相关技术中掩膜的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤，即掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。达到了能够避免掩膜板损伤待蒸镀基板的效果。

第三种方法如图12所示，其为本发明实施例提供的另一种掩膜板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述实施例提供的掩膜板，该方法可以包括下面几个步骤：

步骤501、提供掩膜基底。

本步骤可以参考上述实施例中的步骤301，在此不再赘述。

步骤502、在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的掩膜基底上形成镀层。

镀层和掩膜基底可以构成掩膜。

步骤503、在常温环境中，将掩膜设置镀层一侧压在凸台上。

在常温环境中，包括镀层的掩膜板呈朝向掩膜基底一侧的凸起，将掩膜设置镀层一侧压在凸台上可以便于将掩膜与凸台固定连接。

步骤504、将掩膜与凸台连接。

可选的，可以通过激光焊接的方式将掩膜基底与掩膜框架固定连接。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜板的制造方法，通过在掩膜上形成热膨胀系数较大的镀层，且使掩膜在蒸镀温度下为平整状态，这样在常温下掩膜就会因为镀层的收缩而呈弯曲状态，将包括该掩膜的掩膜板放在蒸镀基板上时，掩膜的边缘不会碰到待蒸镀基板，避免了对待蒸镀基板的损伤，且在蒸镀时，达到蒸镀温度的掩膜会恢复为平整状态，以起到掩膜的功能。解决了相关技术中掩膜的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤，即掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。达到了能够避免掩膜板损伤待蒸镀基板的效果。

第四种方法如图13所示，其为本发明实施例提供的另一种掩膜板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述实施例提供的掩膜板，该方法可以包括下面几个步骤：

步骤601、提供掩膜基底。

本步骤可以参考上述实施例中的步骤301，在此不再赘述。

步骤602、在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的掩膜基底上形成镀层。

镀层和掩膜基底可以构成掩膜。

步骤603、在常温环境中，将掩膜的指定区域压在掩膜框架上。

在常温环境中，包括镀层的掩膜板呈朝向掩膜基底一侧的凸起，将掩膜的指定区域(指定区域为指定用于与掩膜框架连接的区域，一般位于掩膜的两端)压在掩膜框架上可以便于将掩膜与掩膜框架固定连接。

可选的，如图14所示，可以通过紧绷装置30拉紧掩膜21，并通过压紧装置40在掩膜21远离掩膜框架22的一侧将掩膜21的指定区域t压在掩膜框架上22上。

可以通过紧绷装置紧绷着掩膜的两端，并将掩膜的指定区域压在掩膜框架。

步骤604、将所述掩膜的指定区域与所述掩膜框架固定连接。

可选的，可以通过激光焊接的方式将掩膜的指定区域与与掩膜框架固定连接。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜板的制造方法，通过在掩膜上形成热膨胀系数较大的镀层，且使掩膜在蒸镀温度下为平整状态，这样在常温下掩膜就会因为镀层的收缩而呈弯曲状态，将包括该掩膜的掩膜板放在蒸镀基板上时，掩膜的边缘不会碰到待蒸镀基板，避免了对待蒸镀基板的损伤，且在蒸镀时，达到蒸镀温度的掩膜会恢复为平整状态，以起到掩膜的功能。解决了相关技术中掩膜的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤，即掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。达到了能够避免掩膜板损伤待蒸镀基板的效果。

第五种方法如图15所示，其为本发明实施例提供的另一种掩膜板的制造方法的流程图，该方法可以用于制造上述实施例提供的掩膜板，该方法可以包括下面几个步骤：

步骤701、提供掩膜基底。

本步骤可以参考上述实施例中的步骤301，在此不再赘述。

步骤702、在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的掩膜基底上形成镀层。

镀层和掩膜基底可以构成掩膜。

步骤703、在蒸镀温度的环境中，将掩膜的指定区域与掩膜框架固定连接。

由于蒸镀温度的环境中，由镀层和掩膜基底构成的掩膜为平整状态，因而可以方便的将掩膜的指定区域与掩膜框架固定连接。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜板，通过在掩膜上形成热膨胀系数较大的镀层，且使掩膜在蒸镀温度下为平整状态，这样在常温下掩膜就会因为镀层的收缩而呈弯曲状态，将包括该掩膜的掩膜板放在蒸镀基板上时，掩膜的边缘不会碰到待蒸镀基板，避免了对待蒸镀基板的损伤，且在蒸镀时，达到蒸镀温度的掩膜会恢复为平整状态，以起到掩膜的功能。解决了相关技术中掩膜的边缘的缺陷结构会与待蒸镀基板发生碰撞，进而对待蒸镀基板造成损伤，即掩膜板可能损伤待蒸镀基板的问题。达到了能够避免掩膜板损伤待蒸镀基板的效果。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本发明中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：

掩膜，所述掩膜包括掩膜基底以及设置在所述掩膜基底上的镀层，所述镀层的热膨胀系数大于所述掩膜基底的热膨胀系数；

其中，所述掩膜在蒸镀温度下为平整状态，所述掩膜中的镀层在所述蒸镀温度下由凸起状态膨胀为所述平整状态，所述蒸镀温度为蒸镀腔室中，加热蒸镀材料时所述掩膜板所在区域的温度；

所述掩膜被配置为在磁性组件的吸附作用下与待蒸镀的基板接触，且所述掩膜基板相对于所述镀层靠近所述待蒸镀的基板。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括掩膜框架，

所述掩膜设置所述镀层的一侧与所述掩膜框架固定连接。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基底包括第一区域与第二区域，所述镀层设置在所述第一区域上，

所述掩膜框架与所述掩膜基底的第二区域固定连接。

4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜框架上设置有凸台，

所述掩膜与所述凸台固定连接。

5.根据权利要求1至4任一所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基底的材料包括铁磁性材料。

6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基底的宽度为30毫米，所述掩膜在常温下呈朝向所述掩膜基底的凸起状态，凸起状态的所述掩膜的翘曲度为1毫米，

所述镀层的材料包括铜，所述镀层的厚度为40微米，所述蒸镀温度为80度。

7.根据权利要求1至4任一所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基底的宽度为30毫米，所述掩膜在常温下呈朝向所述掩膜基底的凸起状态，凸起状态的所述掩膜的翘曲度为1毫米，

所述镀层的材料包括铝，所述镀层的厚度为20微米，所述蒸镀温度为80度。

8.根据权利要求1至4任一所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括至少一个所述掩膜。

9.一种掩膜板的制造方法，其特征在于，用于制造包括多个掩膜的掩膜板，所述方法包括：

提供掩膜基底；

在所述掩膜基底上形成镀层，所述镀层的热膨胀系数大于所述掩膜基底的热膨胀系数，所述镀层和所述掩膜基底构成所述掩膜；

其中，所述掩膜在蒸镀温度下为平整状态，所述掩膜中的镀层在所述蒸镀温度下由凸起状态膨胀为所述平整状态，所述蒸镀温度为蒸镀腔室中，加热蒸镀材料时所述掩膜板所在区域的温度；

所述掩膜被配置为在磁性组件的吸附作用下与待蒸镀的基板接触，且所述掩膜基板相对于所述镀层靠近所述待蒸镀的基板。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述掩膜基底上形成镀层，包括：

在所述蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成所述镀层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之前，所述方法还包括：

将所述掩膜基底与掩膜框架固定连接；

所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层，包括：

在所述蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底靠近所述掩膜框架上形成所述镀层。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之后，所述方法还包括：

在常温环境中，将所述掩膜的指定区域压在掩膜框架上；

将所述掩膜的指定区域与所述掩膜框架固定连接。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述掩膜基底包括第一区域与第二区域，

所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层，包括：

在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底的第一区域上形成所述镀层；

所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之后，所述方法还包括：

将所述掩膜基底的第二区域与掩膜框架固定连接。

14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述掩膜板还包括掩膜框架，所述掩膜框架上设置有凸台，

所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之后，所述方法还包括：

在常温环境中，将所述掩膜设置所述镀层一侧压在所述凸台上；

将所述掩膜与所述凸台连接。

15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之后，所述方法还包括：

在所述蒸镀温度的环境中，将所述掩膜的指定区域与掩膜框架固定连接。

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