CN104681744A - 一种低功耗有机电致发光显示器件及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种低功耗有机电致发光显示器件及制作方法，对于第一电极走线电极和第二电极走线电极的制作过程仅需要一次曝光，而后对第一透明导电层、金属层和第二透明导电层同步刻蚀形成第一电极走线电极和第二电极走线电极，避免了现有的分层曝光刻蚀造成偏位，而导致侧蚀的现象。同时本发明提供的有机电致发光显示器件的第三导电层有效保护第二导电层，提供第二导电层的抗氧化能力，并且由于第二导电层为金属层，其电阻低，以及第一导电层和第二导电层均为高温结晶形态薄膜，其电阻低，使得有机电致发光显示器件的功耗降低。

Description

一种低功耗有机电致发光显示器件及制作方法

技术领域

本发明涉及平板显示器技术领域，更具体地说，涉及一种低功耗有机电致发光显示器件及制作方法。

背景技术

有机电致发光显示器件（Organic Electroluminescence Display，OLED）具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光。而且OLED显示屏的可视角度大，可以实现柔性化，并且能够显著节省电能，因此OLED显示屏具备了许多发光二极管不可比拟的优势。

结合图1a和1b所示，图1a为现有OLED的玻璃基板的上的电极层示意图，图1b为图1a中现有OLED沿AA’方向的切面图。其中，现有OLED包括玻璃基板100和位于玻璃基板上的第一电极1（阳极）、第一电极走线电极11和第二电极走线电极51，还包括位于第一电极1上的空穴传输层2，位于空穴传输层2上的有机发光层3，位于有机发光层3上的电子传输层4和位于电子传输层4上的第二电极5（阴极）。第一电极1的材料一般为透明的氧化铟锡，第二电极5一般为金属，如铝、镁等。而第一电极走线电极11和第二电极走线电极51均处非显示区域，且第一电极走线电极11和第二电极走线电极51的组成结构相同。为了降低显示器件上的电路电阻，从而降低显示器件产品的功耗，通常第一电极走线电极11和第二电极走线电极51由两层导电层组成，即自玻璃基板100向上依次为第一导电层101为ITO层、第二导电层102为钼铝钼层，钼铝钼层的设置，降低了电极的电阻，从而降低了OLED的功耗。

但是采用钼铝钼作为第一走线电极11和第二走线电极51中的第二导电层102，在制作OLED过程中，尤其是第一电极走线电极和第二电极走线电极的制作过程中，不仅工艺繁杂，而且经常出现第一电极走线电极和第二电极走线电极的第二导电层被刻蚀过多的现象，导致产品的良率低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种低功耗有机电致发光显示器件及制作方法，不仅制作工艺简单，并且避免了分层曝光刻蚀造成偏位，而导致侧蚀的现象。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，包括步骤：

S1、自透明基板向上方向，在所述透明基板上依次形成第一透明导电层、金属层、第二透明导电层，并对所述第二透明导电层表面涂覆光刻胶，且所述第一透明导电层和第二透明导电层材料相同，且均为低温非晶形态薄膜；

S2、采用第一掩膜板进行曝光显影，并采用第一刻蚀液同时刻蚀所述第一透明导电层、金属层和第二透明导电层，形成第一电极走线电极和第二电极走线电极；

S3、形成第一电极，并对第一透明导电层和第二透明导电层进行高温退火；

S4、自所述第一电极向上方向，在所述第一电极上依次形成空穴传输层、有机发光层、电子传输层和第二电极，所述第二电极与所述第二电极走线电极导通。

优选的，所述第一刻蚀液为磷酸、硝酸、醋酸和水溶液，或过硫酸钠、磷酸和水溶液。

优选的，所述步骤S2还包括：

形成第一电极前期结构，所述第一电极前期结构包括具有第一电极形状的所述第一透明导电层、金属层和第二透明导电层。

优选的，所述步骤S3中形成所述第一电极具体包括：

去除剩余所述光刻胶，对所述透明基板朝向所述第一透明导电层一侧的表面、所述第一透明导电层所述金属层和所述第二透明导电层裸露的表面重新涂覆光刻胶，并采用第二掩膜板进行曝光显影，采用第二刻蚀液刻蚀掉所述第一电极前期结构的第二透明导电层，采用第三刻蚀液刻蚀掉所述第一电极前期结构的金属层，形成所述第一电极。

优选的，所述金属层为铜层、铜合金层、银层、银合金层、铝层、铝合金层、铬层、钼层、锌层或镁层。

优选的，所述金属层为铜层，所述第二刻蚀液为草酸和水溶液，所述第三刻蚀液为醋酸、双氧水和水溶液。

优选的，所述金属层为银层，所述第二刻蚀液为草酸和水溶液，所述第三刻蚀液为氨水、双氧水和水溶液。

优选的，所述金属层为铝层或镁层，所述第二刻蚀液为草酸和水溶液，所述第三刻蚀液为氢氧化钠和水溶液。

一种低功耗有机电致发光显示器件，包括透明基板，以及位于所述透明基板上的第一电极、第一电极走线电极和第二电极走线电极，所述第一电极走线电极和第二电极走线电极均包括三层导电层，自所述透明基板向上依次为第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层和所述第三导电层与所述第一电极的材料相同，所述第二导电层为金属层。

优选的，所述第一电导电层和第三导电层均为ITO导电层或IZO导电层，所述第二导电层为铜层、铜合金层、银层、银合金层、铝层、铝合金层、铬层、钼层、锌层或镁层。

优选的，所述透明基板为玻璃基板、塑料基板或树脂基板。

优选的，所述第一导电层厚度为50～300nm，包括端点值；所述第二导电层厚度为100～500nm，包括端点值；所述第三导电层厚度为5～100nm，包括端点值。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的一种低功耗有机电致发光显示器件及制作方法，首先自透明基板向上方向，在所述透明基板上依次形成第一透明导电层、金属层、第二透明导电层和光刻胶层，且所述第一透明导电层和第二透明导电层相同；采用第一掩膜板对所述光刻胶层曝光显影，并采用第一刻蚀液同时刻蚀所述第一透明导电层、金属层和第二透明导电层，形成第一电极走线电极和第二电极走线电极；形成第一电极、以及自所述第一电极向上依次形成空穴传输层、有机发光层、电子传输层和第二电极，所述第二电极与所述第二电极走线电极导通。

本发明提供的低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，对于第一电极走线电极和第二电极走线电极的制作过程仅需要一次曝光，而后对第一透明导电层、金属层和第二透明导电层同步刻蚀形成第一电极走线电极和第二电极走线电极，避免了现有的分层曝光刻蚀造成偏位，而导致侧蚀的现象。同时本发明提供的有机电致发光显示器件的第三导电层有效保护第二导电层，提供第二导电层的抗氧化能力，并且由于第二导电层为金属层，其电阻低，以及第一导电层和第二导电层均为高温结晶形态薄膜，其电阻低，使得有机电致发光显示器件的功耗降低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为现有的OLED的玻璃基板上的电极层示意图；

图1b为图1a中提供的OLED沿AA’方向的切面图；

图2为本申请实施例提供的一种有机电致发光显示器件的制作方法流程图；

图3a为本申请实施例提供的OLED的透明基板上的电极层示意图；

图3b为图3a中提供的OLED沿AA’方向的切面图。

具体实施方式

正如背景技术所述，但是现有的OLED在制作过程中，尤其是第一电极走线电极和第二电极走线电极的制作过程中，不仅工艺繁杂，而且经常出现第一电极走线电极和第二电极走线电极的第二导电层被刻蚀过多的现象，导致产品的良率低。发明人研究发现，造成这种缺陷的原因主要有在制作第一电极走线电极和第二电极走线电极时，采用分层曝光刻蚀，即需要对第一电极走线区域和第二电极走线区域进行两次曝光刻蚀，两次曝光刻蚀容易出现位置偏移，从而导致第二导电层被刻蚀过多的现象。

具体的，现有制作第一电极走线和第二电极走线过程为：自玻璃基板向上方向，在玻璃基板上形成第一导电层和第二导电层，而后在第二导电层上形成光刻胶，并使用第一张曝光掩膜板采用光刻工艺，曝光、显影、刻蚀出第一电极走线电极和第二电极走线电极的第二导电层，去除光刻胶；而后重新涂覆光刻胶，并使用第二张曝光掩膜板采用光刻工艺，曝光、显影、刻蚀出第一电极走线电极和第二电极走线电极的第一导电层，以及第一电极。

由于第一电极走线电极和第二电极走线电极中的第一导电层和第二导电层必须严格重合，因此需要第二次曝光时，第二张曝光掩膜板必须要和第一次曝光时的第一张曝光掩膜板精确对位。但是由于第一张掩膜板和第二张掩膜板并不是同时进行对位，因此实现精确对位难度大，导致刻蚀时将第二导电层部分材料刻蚀掉。

基于此，本发明提供了一种低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，以克服现有技术存在的上述问题，包括步骤：

S1、自透明基板向上方向，在所述透明基板上依次形成第一透明导电层、金属层、第二透明导电层，并对所述第二透明导电层表面涂覆光刻胶，且所述第一透明导电层和第二透明导电层材料相同，且均为低温非晶形态薄膜；

S2、采用第一掩膜板进行曝光显影，并采用第一刻蚀液同时刻蚀所述第一透明导电层、金属层和第二透明导电层，形成第一电极走线电极和第二电极走线电极；

S3、形成第一电极，并对第一透明导电层和第二透明导电层进行高温退火；

S4、自所述第一电极向上方向，在所述第一电极上依次形成空穴传输层、有机发光层、电子传输层和第二电极，所述第二电极与所述第二电极走线电极导通。

本发明还提供了一种低功耗有机电致发光显示器件，包括透明基板，以及位于所述透明基板上的第一电极、第一电极走线电极和第二电极走线电极，所述第一电极走线电极和第二电极走线电极均包括三层导电层，自所述透明基板向上依次为第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层和所述第三导电层与所述第一电极的材料相同，所述第二导电层为金属层。

本发明提供的低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，对于第一电极走线电极和第二电极走线电极的制作过程仅需要一次曝光，而后对第一透明导电层、金属层和第二透明导电层同步刻蚀形成第一电极走线电极和第二电极走线电极，避免了现有的分层曝光刻蚀造成偏位，而导致侧蚀的现象。同时本发明提供的有机电致发光显示器件的第三导电层有效保护第二导电层，提供第二导电层的抗氧化能力，并且由于第二导电层为金属层，其电阻低，以及第一导电层和第二导电层均为高温结晶形态薄膜，其电阻低，使得有机电致发光显示器件的功耗降低。

以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

本申请实施例提供了一种有机电致发光显示器件的制作方法，参考图2所述，为本申请实施例提供的制作方法的流程图，其中，包括步骤：

S1、自透明基板向上方向，在所述透明基板上依次形成第一透明导电层、金属层、第二透明导电层，并对所述第二透明导电层表面涂覆光刻胶，且所述第一透明导电层和第二透明导电层材料相同，且均为低温非晶形态薄膜。

首先在透明基板上形成第一透明导电层，第一透明导电层的可以为氧化铟锡（ITO）导电层，也可以为氧化铟锌（IZO）导电层。第一透明导电层可以通过溅射、蒸镀、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积等镀膜方法制备，且第一透明导电层为低温环境下形成的非晶态薄膜。制备OLED完毕后，第一透明导电层即制备为第一电极，以及第一电极走线电极和第二电极走线电极的第一导电层。对于第一透明导电层的厚度并不设限制，本实施例提供的第一透明导电层的厚度的范围优选为50nm～300nm，包括端点值。

其次在第一透明导电层上形成金属层，金属层具有高导电率，可以为铜层、铜合金层、银层、银合金层、铝层、铝合金层、铬层、钼层、锌层或镁层，其中，铜合金层包括至少90%的铜，银合金层包括至少90%的银，铝合金层包括至少90%的铝。同样的，金属层可以通过溅射、蒸镀、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积等镀膜方法制备。制备OLED完毕后，金属层即制备为第一电极走线电极和第二电极走线电极的第二导电层。本实施例优选的金属层的厚度范围为100nm～500nm，包括端点值。

然后在金属层上形成第二透明导电层，为了保证后续刻蚀性能的一致，第二透明导电层与第一透明导电层相同，均为氧化铟锡（ITO）导电层或氧化铟锌（IZO）导电层，第二透明导电层和第一透明导电层的制备方法相同，而且同样为低温环境下形成的非晶态薄膜。本实施提供的第二透明导电层还对金属层起到保护作用，因此本实施例优选的第二透明导电层的厚度范围为5nm～100nm，包括端点值。

最后在第二透明导电层上形成光刻胶层，以便后续工艺的进行。

S2、采用第一掩膜板进行曝光显影，并采用第一刻蚀液同时刻蚀所述第一透明导电层、金属层和第二透明导电层，形成第一电极走线电极和第二电极走线电极。

采用第一掩膜板对光刻胶层曝光显影，采用第一刻蚀液同时刻蚀第一透明导电层、金属层和第二透明导电层，形成预设的第一电极走线电极和第二电极走线电极。同时还形成第一电极前期结构，第一电极前期结构包括具有第一电极形状的第一透明导电层、金属层和第二透明导电层。

第一刻蚀液为磷酸、硝酸、醋酸和水溶液，或过硫酸钠、磷酸和水溶液。第一刻蚀液可以同步对第一透明导电层、金属层和第二透明导电层进行刻蚀，避免了多次曝光刻蚀的现象，即曝光第二导电层的图案后，刻蚀第二透明导电层，而后曝光第二导电层的图案，刻蚀金属层，最后曝光第一导电层的图案，刻蚀第一透明导电层，最后形成第一电极走线电极和第二电极走线电极。

S3、形成第一电极，并对第一透明导电层和第二透明导电层进行高温退火。

本实施例中形成第一电极具体为：去除剩余所述光刻胶，对所述透明基板朝向所述第一透明导电层一侧的表面、所述第一透明导电层所述金属层和所述第二透明导电层裸露的表面重新涂覆光刻胶，并采用第二掩膜板进行曝光显影，采用第二刻蚀液刻蚀掉所述第一电极前期结构的第二透明导电层，采用第三刻蚀液刻蚀掉所述第一电极前期结构的金属层，形成所述第一电极。第二次曝光仅为了最终制备第一电极，第一电极走线电极和第二电极走线电极无需再次加工。

第二刻蚀液仅与第二透明导电层反应，而不和金属层反应，进而也通过金属层保护了第一透明导电层不被第二刻蚀液反应。第二刻蚀液可以为草酸和水溶液，通过第二刻蚀液将第一电极前期结构的第一透明导电层刻蚀掉。第三刻蚀液随着金属层的不同而变化，不同金属层对应的第三刻蚀液不同，且第三刻蚀液仅与金属层反应，不与第一透明导电层反应。当金属层为铜层时，第三刻蚀液可以为醋酸、双氧水和水溶液；当金属层为银层时，第三刻蚀液可以为氨水、双氧水和水溶液；当金属层为铝层或镁层时，第三刻蚀液可以为氢氧化钠等碱溶液。通过第二刻蚀液和第三刻蚀液分别对第一电极前期结构的第二透明导电层和金属层的刻蚀，最终得到第一电极前期结构的第一透明导电层，即第一电极。

将刻蚀完毕的第一电极、第一电极走线电极和第二电极走线电极进行高温退火，使得非晶态的第一电极、第一导电层和第三导电层进行完全结晶。从而获得透过率在75%以上、方块电阻小于15欧姆/□和高功函数的第一电极，同时第三导电层更好的保护第二导电层不被氧化。本实施例优选的退火条件为：温度范围为200℃～500℃，包括端点值，时间为30分钟～90分钟，包括端点值。退火后可以使用第二刻蚀液进行清洗，将第一电极上的毛刺刻蚀掉，获得较平坦的第一电极。

S4、自所述第一电极向上方向，在所述第一电极上依次形成空穴传输层、有机发光层、电子传输层和第二电极，所述第二电极与所述第二电极走线电极导通。

自第一电极向上方向，在第一电极上依次形成空穴传输层、有机发光层、电子传输层和第二电极，第二电极与第二电极走线电极搭接在一起，使所述第二电极与所述第二电极走线电极导通，进而得到有机电致发光显示器件。

本申请实施例还提供了一种有机电致发光显示器件，结合图3a和3b，对本申请实施例提供的有机电致发光显示器件的结构进行描述。图3a为为本申请实施例提供的OLED的透明基板上的电极层示意图，图3b为图3a中提供的OLED沿AA’方向的切面图。

有机电致发光显示器件包括透明基板31，位于透明基板31上的第一电极32、第一电极走线电极33、第二电极走线电极34，以及位于第一电极31上的空穴传输层35，位于空穴传输层35上的有机发光层36，位于有机发光层36上的电子传输层37和位于电子传输层37上的第二电极38，且第二电极38与第二电极走线电极34导通。

透明基板31可以为玻璃基板、塑料基板或树脂基板，位于所述透明基板31上形成有第一电极32、第一电极走线电极33和第二电极走线电极34，第一电极32与第一电极走线电极33导通。

第一电极走线电极33和第二电极走线电极34的结构相同，所述第一电极走线电极33和第二电极走线电极34均包括三层导电层，自所述透明基板向上依次为第一导电层301、第二导电层302和第三导电层303，所述第一导电层301和所述第三导电层303与所述第一电极32的材料相同，即均为透明导电层，所述第二导电层302为金属层。

其中，第一电极、所述第一电导电层和第三导电层均为ITO导电层或IZO导电层，所述第二导电层为铜层、铜合金层、银层、银合金层、铝层、铝合金层、铬层、钼层、锌层或镁层。本实施例优选的，所述第一导电层厚度为50～300nm，包括端点值；所述第二导电层厚度为100～500nm，包括端点值；所述第三导电层厚度为5～100nm，包括端点值。

本申请实施例所提供的一种有机电致发光显示器件及制作方法，首先自透明基板向上方向，在所述透明基板上依次形成第一透明导电层、金属层、第二透明导电层和光刻胶层，且所述第一透明导电层和第二透明导电层相同；采用第一掩膜板对所述光刻胶层曝光显影，并采用第一刻蚀液同时刻蚀所述第一透明导电层、金属层和第二透明导电层，形成第一电极走线电极和第二电极走线电极；形成第一电极、以及自所述第一电极向上依次形成空穴传输层、有机发光层、电子传输层和第二电极，所述第二电极与所述第二电极走线电极导通。

本发明提供的低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，对于第一电极走线电极和第二电极走线电极的制作过程仅需要一次曝光，而后对第一透明导电层、金属层和第二透明导电层同步刻蚀形成第一电极走线电极和第二电极走线电极，避免了现有的分层曝光刻蚀造成偏位，而导致侧蚀的现象。同时本发明提供的有机电致发光显示器件的第三导电层有效保护第二导电层，提供第二导电层的抗氧化能力，并且由于第二导电层为金属层，其电阻低，以及第一导电层和第二导电层均为高温结晶形态薄膜，其电阻低，使得有机电致发光显示器件的功耗降低。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (12)

1.一种低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：

S1、自透明基板向上方向，在所述透明基板上依次形成第一透明导电层、金属层、第二透明导电层，并对所述第二透明导电层表面涂覆光刻胶，且所述第一透明导电层和第二透明导电层材料相同，且均为低温非晶形态薄膜；

S2、采用第一掩膜板进行曝光显影，并采用第一刻蚀液同时刻蚀所述第一透明导电层、金属层和第二透明导电层，形成第一电极走线电极和第二电极走线电极；

S3、形成第一电极，并对第一透明导电层和第二透明导电层进行高温退火；

S4、自所述第一电极向上方向，在所述第一电极上依次形成空穴传输层、有机发光层、电子传输层和第二电极，所述第二电极与所述第二电极走线电极导通。

2.根据权利要求1所述的低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀液为磷酸、硝酸、醋酸和水溶液，或过硫酸钠、磷酸和水溶液。

3.根据权利要求1所述的低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：

形成第一电极前期结构，所述第一电极前期结构包括具有第一电极形状的所述第一透明导电层、金属层和第二透明导电层。

4.根据权利要求3所述的低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中形成所述第一电极具体包括：

去除剩余所述光刻胶，对所述透明基板朝向所述第一透明导电层一侧的表面、所述第一透明导电层所述金属层和所述第二透明导电层裸露的表面重新涂覆光刻胶，并采用第二掩膜板进行曝光显影，采用第二刻蚀液刻蚀掉所述第一电极前期结构的第二透明导电层，采用第三刻蚀液刻蚀掉所述第一电极前期结构的金属层，形成所述第一电极。

5.根据权利要求4所述的低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，所述金属层为铜层、铜合金层、银层、银合金层、铝层、铝合金层、铬层、钼层、锌层或镁层。

6.根据权利要求5所述的低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，所述金属层为铜层，所述第二刻蚀液为草酸和水溶液，所述第三刻蚀液为醋酸、双氧水和水溶液。

7.根据权利要求5所述的低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，所述金属层为银层，所述第二刻蚀液为草酸和水溶液，所述第三刻蚀液为氨水、双氧水和水溶液。

8.根据权利要求5所述的低功耗有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，所述金属层为铝层或镁层，所述第二刻蚀液为草酸和水溶液，所述第三刻蚀液为氢氧化钠和水溶液。

9.一种低功耗有机电致发光显示器件，包括透明基板，以及位于所述透明基板上的第一电极、第一电极走线电极和第二电极走线电极，其特征在于，所述第一电极走线电极和第二电极走线电极均包括三层导电层，自所述透明基板向上依次为第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层和所述第三导电层与所述第一电极的材料相同，所述第二导电层为金属层。

10.根据权利要求9所述的低功耗有机电致发光显示器件，其特征在于，所述第一电导电层和第三导电层均为ITO导电层或IZO导电层，所述第二导电层为铜层、铜合金层、银层、银合金层、铝层、铝合金层、铬层、钼层、锌层或镁层。

11.根据权利要求9所述的低功耗有机电致发光显示器件，其特征在于，所述透明基板为玻璃基板、塑料基板或树脂基板。

12.根据权利要求9所述的低功耗有机电致发光显示器件，其特征在于，所述第一导电层厚度为50～300nm，包括端点值；所述第二导电层厚度为100～500nm，包括端点值；所述第三导电层厚度为5～100nm，包括端点值。