JP5420249B2 - 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料 - Google Patents

有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料 Download PDF

Info

Publication number
JP5420249B2
JP5420249B2 JP2008543685A JP2008543685A JP5420249B2 JP 5420249 B2 JP5420249 B2 JP 5420249B2 JP 2008543685 A JP2008543685 A JP 2008543685A JP 2008543685 A JP2008543685 A JP 2008543685A JP 5420249 B2 JP5420249 B2 JP 5420249B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
groups
organic
atoms
aromatic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008543685A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009518328A (ja
Inventor
ハイル、ホルガー
ストエッセル、フィリップ
パルハム、アミル
フェストベーバー、ホルスト
Original Assignee
メルク パテント ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE200510058557 external-priority patent/DE102005058557A1/de
Priority claimed from DE102006009630A external-priority patent/DE102006009630A1/de
Application filed by メルク パテント ゲーエムベーハー filed Critical メルク パテント ゲーエムベーハー
Publication of JP2009518328A publication Critical patent/JP2009518328A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5420249B2 publication Critical patent/JP5420249B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/0805Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising only Si, C or H atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • C07F7/0814Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring said ring is substituted at a C ring atom by Si
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011Condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Description

本発明は、新規なアントラセン誘導体、これら化合物の有機エレクトロルミネセンス素子での使用及びこれら化合物を含む有機エレクトロルミネセンス素子に関する。
有機半導体は、最も広義での電子産業に帰することのできる数多くの種々の型の用途における機能性材料として使用されている。可視スペクトル領域で発光することのできる有機エレクトロルミネセンス素子の一般的構造は、例えば、US 4539507、US 5151629、EP 0676461及びWO 98/27136に記載されている。
しかしながら、これらの素子は、高品質のフルカラー表示装置での使用のための早急な改善を要するかなりの問題をなお有している:
1.使用される化合物は、適当な熱安定性を有さず、十分に高いガラス転移温度を有さない。
2.使用される化合物は、有機溶媒に十分な溶解性を有さず、調製時の純化と蒸着ユニット(例えば、シャドーマスク)の清掃をより困難にする。
3.これまでに使用された化合物の正孔及び電子安定性(酸化還元安定性)は、未だ不適当である。
言及されてもよい最も近い先行技術は、種々の縮合芳香族化合物、特に母体材料としてのアントラセン若しくはピレン誘導体の、特に青色発光エレクトロルミネセンス素子のための使用である。先行技術により知られる母体材料は、9,10-ビス(2-ナフチル)アントラセン(US 59357231)である。母体材料に適する更なるアントラセン誘導体は、例えば、WO 01/076323、WO 01/021729、WO 04/013073、WO 04/018588、WO 03/087023若しくはWO 04/018587に記載されている。アリール置換ピレン及びクリセン系母体材料は、WO 04/016575に記載され、原則的に対応するアントラセン及びフェナントレン誘導体を陵駕している。WO 03/095445及びCN 1362464は、9,10-ビス(1-ナフチル)アントラセン誘導体のOLEDへの使用を記載している。
本発明の目的は、改善された特性、特に、改善された母体材料と改善された青緑色発光性を有する化合物を提供することであった。
驚くべきことに、トリアルキルシリル基により置換されるある種のアントラセン誘導体を含む有機エレクトロルミネセンス素子が、先行技術を顕著に超える改善を有することが見出された。これらの化合物は、高い熱安定性、高いガラス転移温度、高い酸化還元安定性及び有機溶媒への良好な溶解性を有する。したがって、本発明は、これら化合物とそれらのOLEDでの使用に関する。
本発明は、Si(R基を表わす少なくとも1つの基Rが、分子中に存在することを特徴とする式(1)のシリル置換化合物に関する。
ここで、使用される記号及び添字は、以下が適用される:
Arは、1-ナフチル基若しくは9-アントリル基であって、1或いは2個の炭素原子はNによって置き換えられていてもよく、1以上の基Rにより置換されていてもよく、及び/又は1以上の基N(Arにより置換されていてもよく、2個の基Arは、互いに単結合若しくはO、S、N(R)或いはC(R基により連結してもよく;
Rは、5〜40個の芳香族環原子を有する芳香族若しくは複素環式芳香族環構造であり、1以上の基R若しくはN(Ar基により置換されていてもよく、2個の基Arは、互いに単結合若しくはO、S、N(R)或いはC(R基により連結してもよく;
Arは、出現毎に同一であるか異なり、1以上の基Rにより置換されていてもよい5〜40個の芳香族環原子を有する芳香族若しくは複素環式芳香族環構造であり;
Yは、出現毎に同一であるか異なり、1〜40個のC原子を含む2価基若しくは-O-、-S-、N(R)-、-P(=O)R-若しくは単結合であり;
は、出現毎に同一であるか異なり、Si(R、F、Cl、Br、I、CN、N(R、1〜40個のC原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基又は3〜40個のC原子を有する分岐或いは環状アルキル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基(各基は、1以上の基Rにより置換されていてもよく、そして、1以上の隣接しないCH基は、-RC=CR-、-C≡C-、Si(R、Ge(R、Sn(R、C=O、C=S、C=Se、C=NR、-O-、-S-、-N(R)-若しくは-CONR-で置き代えられていてもよく、また、1以上のH原子は、F、Cl、Br、I、CN若しくはNOで置き代えられていてもよい)又は1以上の基Rにより置換されていてもよい5〜24個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基、又は1以上のR基により置換されていてもよい5〜24個の芳香族環原子を有するアリールオキシ若しくはヘテロアリールオキシ基、又は、2、3、4若しくは5個のこれらの構造の組み合わせであり;ここで、2以上の置換基Rは、互いにモノ或いはポリ環状、脂肪族環構造を形成するものであってもよく;
は、出現毎に同一であるか異なり、1〜40個のC原子を有する直鎖アルキル基又は3〜40個のC原子を有する分岐或いは環状アルキル基(各基においては、直接珪素に結合しない1以上の隣接しないCH基は、-RC=CR-、-C≡C-、Si(R、Ge(R、Sn(R、C=O、C=S、C=Se、C=NR、-O-、-S-、-N(R)-若しくは-CONR-で置き代えられていてもよく、また、1以上のH原子は、F、Cl、Br、I、CN若しくはNOで置き代えられていてもよく、1以上の基Rにより置換されていてもよい5〜24個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基又は1以上のR基により置換されていてもよい、5〜24個の芳香族環原子を有するアリールオキシ若しくはヘテロアリールオキシ基で置換されてもよい);ここで、2以上の置換基Rは、互いにモノ或いはポリ環状環構造を形成するものであってもよく;
は、出現毎に同一であるか異なり、H若しくは1〜20個のC原子を有する炭化水素基であって、脂肪族若しくは芳香族又は脂肪族及び芳香族の組み合わせであってよく;ここで、2個以上の基Rは、互いにモノ或いはポリ環状、脂肪族若しくは芳香族環構造を形成するものであってもよく;
nは、出現毎に同一であるか異なり、0、1、2、3若しくは4であり、
mは、0、1、2、3、4若しくは5である。
本発明の目的のためには、アリール基若しくはヘテロアリール基は、夫々共通の芳香族π電子構造を有する芳香族基若しくは複素環式芳香族基を意味するものと解される。本発明の目的のためには、これは、単純なホモ若しくはヘテロ環、例えばベンゼン、ピリジン、チオフェン等であり、少なくとも2個の芳香族又は複素環式芳香族環、例えばベンゼン環が、互いに「縮合」する、即ち互いにアネレーション(anellation)により縮合する、即ち少なくとも1つの共通の辺を有し、それにより共通の芳香族π電子構造を有する、縮合芳香族環構造であることができる。これらアリール基若しくはヘテロアリール基は、置換されていても、非置換でもよく、任意の置換基も同様に更なる環構造を形成してもよい。したがって、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等のような構造は、アリール基と、そして、キノリン、アクリジン、ベンゾチオフェン、カルバゾール等は本発明の目的のためのヘテロアリール基とみなされるべきであり、一方、例えばビフェニル、フルオレン、スピロビフルオレン等は、それらが、別々の芳香族電子構造を含むことから、アリール基とはしない。
本発明の目的のために、芳香族環構造は、6〜40個のC原子を環構造中に含む。本発明の目的のために、複素環式芳香族環構造は、2〜40個のC原子と少なくとも1個のヘテロ原子を環構造中に含むが、但し、C原子とヘテロ原子の合計数は少なくとも5個である。ヘテロ原子は、好ましくは、N、O及び/又はSから選ばれる。本発明の目的のために、芳香族若しくは複素芳香族環構造は、必ずしもアリール又はヘテロアリール基のみを含む構造ではなく、加えて、複数のアリール又はヘテロアリール基は、例えば、sp混成のC、N又はO原子のような短い非芳香族単位(H以外の原子は、10%より少なく、好ましくは、H以外の原子は、5%より少ない)により中断されていてもよい構造を意味するものと解される。このように、例えば、9,9’-スピロビフルオレン、フルオレン、9,9-ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル等の構造も、本発明の目的のための芳香族環構造を意味するものと解されることを意図されてもいる。芳香族若しくは複素芳香族環構造の部分は、ここで縮合基であってもよい。
本発明の目的のためには、C〜C40-アルキル基は、ここで、加えて、個々のH原子若しくはCH基が、上記した基により置換されていてよく、特に好ましくは、基メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、n-ブチル、i-ブチル、s-ブチル、t-ブチル、2-メチルブチル、n-ペンチル、s-ペンチル、シクロペンチル、n-ヘキシル、シクロヘキシル、n-ヘプチル、シクロヘプチル、n-オクチル、シクロオクチル、2-エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、2,2,2-トリフルオロエチル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル或いはオクチニル基を意味するものと解される。C〜C40-アルコキシ基は、特に好ましくは、メトキシ、エトキシ、n-プロポキシ、i-プロポキシ、n-ブトキシ、i-ブトキシ、s-ブトキシ、t-ブトキシ、又は2-メチルブトキシを意味するものと解される。1〜30個の芳香族環原子を有する芳香族又は複素環式芳香族環構造は、各場合にも、上記した基R若しくはRにより置換されていてもよく、任意の所望の部位で、芳香族又は複素環式芳香族系に連結していてもよいが、特に、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランセン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、ターフェニル、ターフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス-若しくはトランス-インデノフルオレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ-5,6-キノリン、ベンゾ-6,7-キノリン、ベンゾ-7,8-キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリジンイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2-チアゾール、1,3-チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントリリン、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3-オキサジアゾール、1,2,4-オキサジアゾール、1,2,5-オキサジアゾール、1,3,4-オキサジアゾール、1,2,3-チアジアゾール、1,2,4-チアジアゾール、1,2,5-チアジアゾール、1,3,4-チアジアゾール、1,3,5-トリアジン、1,2,4-トリアジン、1,2,3-トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5-テトラジン、1,2,3,4-テトラジン、1,2,3,5-テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン及びベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味するものと解される。
式(1)の好ましい化合物は、記号Arは、1-ナフチル基、9-アントリル基、1-、4-、5-或いは8-イソキノリン基若しくは4-或いは5-キノリニル基を表わす。式(1)の特に好ましい化合物は、記号Arは、1-ナフチル基若しくは9-アントリル基である。式(1)の非常に特に好ましい化合物は、Si(R基を表わす少なくとも1つの基Rが、分子中に存在することを特徴とする、式(1a)乃至(1d)の化合物である。
ここで、R、Ar、R、Y、m及びnは、上記定義される意味を有し、2個の基Arは、互いに単結合若しくはO、S、N(R)或いはC(R基により連結してもよく、更に以下が適用される。
oは、0、1、2若しくは3であり、
pは、0若しくは1であり、
qは、0、1若しくは2であり、
式(1b)の化合物において、添字pは、好ましくは1であり、換言すれば、水素以外の更なる置換基が、好ましくは10位でアントリル基に対して結合している。
式(1)及び(1a)乃至(1d)の更に好ましい化合物は、記号Rは、1以上の基Rにより置換されていてもよい、6〜24個の芳香族環原子を有する芳香族若しくは複素環式芳香族環構造であり、又は記号Rは、式(2a)若しくは(2b)の基を表わす。
ここで、R及びpは、上記示された意味を有し、更に以下が適用される。
Xは、単結合若しくはO、S、N(R)或いはC(R基であり;
Arは、出現毎に同一であるか異なり、1以上の基Rにより置換されていてもよい、5〜20個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基であり、好ましくは、1以上の基Rにより置換されていてもよい、6〜14個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基であり、特に好ましくは、1以上の基Rにより置換されていてもよいフェニル、1-ナフチル若しくは2-ナフチル基である。
Ar基上の置換基が、N(Ar基を表わすならば、この置換基も、上記(2a)及び(2b)の式から好ましくは選択もされる。
記号Rが、芳香族若しくは複素環式芳香族環構造を表わすならば、1以上の基Rにより置換されていてもよい9〜24個の芳香族環原子を有する芳香族若しくは複素環式芳香族環構造を表わしてもよい。特に好ましい式(1)の化合物は、記号Rが、10〜16個の芳香族環原子を有する縮合アリール若しくはヘテロアリール基又は芳香族基場合によっては架橋バイアリール基を表わし、夫々は1以上の基Rにより置換されていてもよい。非常に特に好ましい式(1)の化合物は、記号Rが、芳香族若しくは複素環式芳香族環構造を表わすならば、出現毎に同一であるか異なり、1-ナフチル、2-ナフチル、9-アントリル、2-フェナントリル、9-フェナントリル、キノリニル、イソキノリニル、オルト-メタ-或いはパラ-ビフェニル、2-フルオレニル若しくは2-スピロビフルオレニル基を表わし、夫々は1以上の基Rにより置換されていてもよいものを表わし、特に、1以上の基Rにより置換されていてもよい1-ナフチルを表わす。
更に特に好ましい式(1)及び(1a)乃至(1d)の化合物は、記号Rが、芳香族若しくは複素環式芳香族環構造を表わすならば、アントラセン-R回りの束縛回転を有する。本発明の目的のために、束縛回転は、室温で少なくとも80kJ/molの、好ましくは少なくとも100kJ/molの、特に好ましくは少なくとも120kJ/molの回転障壁を意味するものと解される。この回転障壁は、温度依存性NMR測定器により実験的に測定することができる。式(1)及び(1a)乃至(1d)の化合物が、1以上の結合に関してアトロプ異性を示すならば、本発明は、各場合に、対応する単離若しくは富化されたアトロプ異性体を含むOLEDに関する。これは、エナンチオマー及びジアステレオマーの双方にも関する。アントラセン-R結合回りの束縛回転は、基Rがオルト位に少なくとも1つの有機置換基を有するならば、及び/又は基Rが、例えばペリ水素(peri-hydrogen)原子を含む1-ナフチル基であるならば、達成される。
2個の基ArとRが同一に選択される式(1)の化合物も、基ArとRが異なって選択される式(1)の化合物も、双方とも本発明のものである。
更に好ましい式(1)及び(1a)乃至(1d)の化合物は、記号Rが、出現毎に同一であるか異なり、Si(R、F、1〜6個のC原子を有する直鎖アルキル若しくはアルコキシ基又は3〜10個のC原子を有する分岐或いは環状アルキル若しくはアルコキシ基(各基においては、1以上のCH基は、-RC=CR-、Si(R、-O-、-S-若しくは-N(R)-で置き代えられていてもよく、また、1以上のH原子は、Fで置き代えられていてもよい)又は1以上の基Rにより置換されていてもよい5〜14個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基、又は、2若しくは3個のこれらの構造の組み合わせであり;ここで、2個以上の基Rは、互いにモノ或いはポリ環状、脂肪族環構造を形成するものであってもよい。特に好ましい基Rは、Si(R、F、1〜4個のC原子を有する直鎖アルキル基又は3〜5個のC原子を有する分岐アルキル基(各基においては、1以上のH原子は、Fで置き代えられていてもよい)又は6〜10個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基、又は、2個のこれらの構造の組み合わせであり;ここで、2個以上の隣接する基Rは、互いにモノ或いはポリ環状、脂肪族環構造を形成するものであってもよい。
更に好ましい式(1)及び(1a)乃至(1d)の化合物は、記号Yは、出現毎に同一であるか異なり、1〜10個のC原子を含む直鎖アルキレン基又は3〜10個のC原子を含む分岐或いは環状アルキレン若しくはアルキリデン基、6〜25個のC原子を有する2価芳香族基、C=O、-O-、-S-又は式-N(R)-若しくは-P(=O)R-基若しくは単結合を表わす。特に、好ましい化合物は、記号Yは、出現毎に同一であるか異なり、1〜4個のC原子を含む直鎖アルキレン基又は3〜5個のC原子を有する分岐アルキレン若しくはアルキリデン基又は3〜10個のC原子を有する環状アルキレン基又はベンゼン、ナフタレン、ビフェニル若しくはターフェニルから誘導される基から選択される2価芳香族基又はC=O、-N(R)-若しくは-P(=O)R-若しくは単結合を表わす。
更に好ましい式(1)及び(1a)乃至(1d)の化合物は、添字mが0、1若しくは2を、特に好ましくは0若しくは1を表わす。
更に好ましい式(1)及び(1a)乃至(1d)の化合物は、添字nが0、1若しくは2を、特に好ましくは0若しくは1を表わし、Si(Rを表わす少なくとも1つの基Rが分子中に存在する。式(1)及び(1a)乃至(1d)の化合物は、好ましくは、1、2、3若しくは4個の式Si(R基、特に好ましくは1若しくは2個の式Si(R基を含む。
式Si(R基は、分子中で種々の位置で結合することができる。本発明の好ましい具体例では、少なくとも1つの式Si(R基は、中央アントラセン単位に、好ましくは2位及び/又は6位で結合する。本発明のさらに好ましい具体例では、少なくとも1つの式Si(R基は、Ar基に結合する。Ar基が1-ナフチル基を表わすならば、式Si(R基は、好ましくはナフチル基の4位で結合する。Ar基が9-アントリル基を表わすならば、式Si(R基は、好ましくはアントラセン基の10位で結合し又は他の基Rが10位で結合しているならば、2位若しくは2,6-位で結合する。本発明のなお更に好ましい具体例では、少なくとも1つの式Si(R基は、R基に結合する。R基がアリール基若しくはヘテロアリール基を表わすならば、式Si(R基は、好ましくは、アリール基に対してパラ位で結合する。R基が式N(Ar基を表わすならば、式Si(R基は、好ましくは、1個或いは双方の基Arに窒素に対してパラ位で結合する。
好ましいシリル基上のRは、1〜10個のC原子を有する直鎖アルキル基又は3〜10個のC原子を有する分岐或いは環状アルキル基(各鎖は、直接珪素に結合しない1以上の隣接しないCH基はO-で置き代えられていてもよく、また、1以上のH原子は、Fで置き代えられていてもよい)から選択され;ここで、2個以上の置換基Rは、互いにモノ或いはポリ環状構造を形成するものであってもよい。特に、好ましいシリル基上の基Rは、1〜4個のC原子を有する直鎖アルキル基又は3或いは4個のC原子を有する分岐アルキル基(各鎖は、1以上のH原子は、Fで置き代えられていてもよい)から選ばれる。非常に特に好ましい基Rは、メチル、CF、エチル、イソプロピル及びtert-ブチルである。非常に特に好ましいSi(R基は、Si(Me)、Si(Me)(t-Bu)、SiMe(t-Bu)及びSi(i-Pr)である。
更に好ましい式(1)の化合物は、その分子量が、400〜1500g/mol、特に好ましくは、400〜900g/molである。
種々のプロセスが、本発明の化合物の調製のために使用可能である。シリル基がアントラセンに導入されるならば、適当な出発物質は、2-ブロモアントラキノン若しくは2,6-ジブロモアントラキノン若しくは対応するクロロアントラキノン誘導体である。これは、各場合に、反応性有機金属試薬、例えばアリールグリニャール試薬或いはアリールリチウム試薬と反応させ、引き続く工程で、例えば塩化錫(II)を使用して還元され、2位若しくは2,6位に臭素或いは塩素をも担持する9.10-ジアリールアントラセン誘導体を得ることができる。金属化、例えばリチウム化及びハロゲン化シリル、例えばトリアルキルクロライドとの反応は、対応するシリル化された目標化合物を生成する。
シリル基が中央アントラセンに導入されず、その代わり芳香族Ar若しくはR基に導入されるならば、第1工程でそれを導入し、次いで更なる工程でアントラセンに芳香族基をカップルだけすることも可能である。それゆえ、ジブロモ芳香族化合物は選択的にモノリチウム化され、そしてハロゲン化シリルと反応し、ブロモシリル芳香族化合物を得ることができる。これは、今度はリチウム化により対応するボロン酸或いはボロン酸誘導体に変換することができ、次いで、パラジウム触媒による鈴木カップリングでジブロモアントラセン若しくは他のアントラセン誘導体にカップルすることができる。芳香族化合物とアントラセンとの間の更なるカップリング反応は同様に適当であり、例えばスチル(Stille)カップリングである。R基がジアリールアミノ基であるならば、ハートウイッグ-ブッフバルト(Hartwig-Buckwald)カップリングも適切である。
本発明は、更に、1以上のSi(R基により対応するアントラセン誘導体に置換される官能化されたAr若しくはR基をカップリングすることにより、Ar若しくはR基上に1以上のSi(R基を担持する、本発明の式(1)の化合物の調製方法に関する。カップリングは、好ましくは遷移金属触媒カップリング反応、特に、鈴木カップリング、スチルカップリング若しくはハートウイッグ-ブッフバルトカップリングである。ここで、Ar若しくはR基の官能化は、鈴木カップリングでの使用のためのボロン酸誘導体であってもよい。その基は、スチルカップリングでの使用のためのトリアルキル錫であってもよい。それは、ハートウイッグ-ブッフバルトカップリングでの使用のためのN−H官能基であってもよい。アントラセンがボロン酸誘導体により若しくはトリアルキル錫誘導体により対応して置換されているならば、それは、更に臭素化化合物であってもよい。Ar若しくはR基上のシリル基が、金属触媒カップリング反応で損傷を受けることなく使用できること、また副反応が起こらないことは驚くべきことである。
式(1)の好ましい化合物の例は、以下に挙げられる化合物(A1)乃至(A68)である。
以下の表1は、更なる式(1)の好ましい構造を示している。
選好は、同様に、式Si(Me)の基に代えて、式Si(Me)(t-Bu)、SiMe(t-Bu)若しくはSi(i-Pr)基を含む構造に与えられる。式(3)に関して表で使用される記号及び添字は、以下に示される。
d=0は、ここでは、対応する基が、1-ナフチル基であることを意味する。更に、表1の略称N(Ph)は、ジフェニルアミノ基を表わし、N(p-Tol)は、ビス(パラ-トリル)アミノ基を表わし、N(Ph)(1-Naph)は、N-フェニル-N-(1-ナフチル)アミノ基を表わす。
式(1)の化合物は、有機エレクトロルミネセンス素子に使用することができる。置換パターン次第で、それらは、特に燐光エミッターのための母体材料として、エミッターとして、正孔輸送材料として正孔障壁材料として及び/又は電子輸送材料として使用することができる。
本発明は、更に、有機電子素子、特に有機エレクトロルミネセンス素子での、特に母体材料としての、エミッターとしての、正孔輸送材料としての、正孔障壁材料としての及び/又は電子輸送材料としての使用に関する。
本発明は、更に、陽極、陰極及び少なくとも1つの発光層を含み、少なくとも1つの層が、少なくとも1つの式(1)の化合物を含む、有機電子素子、特に有機エレクトロルミネセンス素子に関する。式(1)の化合物を含む層は、好ましくはエミッター層、正孔輸送層、正孔注入層、正孔障壁層又は電子輸送層である。
陰極、陽極及び発光層(複数の発光層)に加えて、有機エレクトロルミネセンス素子は、更なる層を含んでもよい。これらは、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子注入層及び/又は電荷生成層であることができる(T.Matsumoto,et al.,Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer,IDMC2003,Taiwan;)。これらの層の材料は、ドープされていてよい。これら層は、夫々必ずしも、存在する必要はない。適する正孔輸送材料は、例えば、p-ドープされていてもよい先行技術に通常使用されるような芳香族アミンである。適する電子輸送材料は、例えば、n-ドープされていてもよい金属キレート錯体、例えば、AlQであり、電子不足ヘテロ環系化合物、例えばトリアジン誘導体若しくは、例えばWO 05/84081及びWO 05/084082に記載されるような芳香族カルボニル若しくはホスフィンオキシドである。適する電子注入層は、特に、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のフッ化物並びに酸化物、例えば、NaF、BaF、CaF、LiF若しくはLiOである。
記号Rが、芳香族若しくは複素環式芳香族環構造、特に縮合アリール若しくはヘテロアリール基を表わすならば、式(1)の化合物は、特に蛍光エミッターのための母体材料として及び/又は電子輸送材料として及び/又は正孔障壁材料として適している。
母体材料は、システム中でより多い割合で存在する母体とドーパントを含むシステム中の成分を意味するものと解される。母体と複数のドーパントを含むシステムにおいては、母体は、その割合が混合物中最大である成分を意味するものと解される。
発光層中の式(1)の母体材料中の割合は、50.0〜99.9重量%、好ましくは80.0〜99.5重量%、特に好ましくは90.0〜99.0重量%である。対応して、発光層中のドーパントの割合は、0.1〜50.0重量%、好ましくは0.5〜20.0重量%、特に好ましくは1.0〜10.0重量%である。
好ましいドーパントは、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミン、芳香族クリセンジアミン、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテル及びアリールアミンのクラスより選択される。芳香族アントラセンアミンは、ジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接に、好ましくは9位で結合している化合物を意味すると解される。芳香族アントラセンジアミンは、2個のジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接に、好ましくは9,10-位で結合している化合物を意味すると解される。芳香族ピレンアミン及び芳香族ピレンジアミン又は芳香族クリセンアミン及び芳香族クリセンジアミンも同様に定義される。モノスチリルアミンは、スチリル基と少なくとも1個のアミン好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。ジスチリルアミンは、2個のスチリル基と少なくとも1個のアミン好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。トリスチリルアミンは、3個のスチリル基と少なくとも1個のアミン好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。テトラスチリルアミンは、4個のスチリル基と少なくとも1つのアミン好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。対応するホスフィン及びエーテルは、アミン同様に定義される。本発明の目的のためには、アリールアミン若しくは芳香族アミンは、窒素に直接結合した3個の芳香族若しくは複素環式芳香族環構造を含む化合物を意味すると解される。スチリル基は、特に好ましくはスチルベン基であり、更に置換されていてもよい。特に好ましいドーパントは、トリスチルベンアミン、芳香族スチルベンアミン、アントラセンジアミン及びピレンジアミンのクラスから選択される。非常に特に好ましいドーパントは、トリスチルベンアミンのクラスから選択される。このタイプのドーパントの例は、置換或いは非置換トリスチルベンアミン若しくはWO 06/000388、WO 06/059737及びWO 06/000389に記載されたドーパントである。
更に、好ましい有機エレクトロルミネセンス素子は、複数の発光層が使用され、これら層の少なくとも一つが式(1)の化合物を含むことを特徴とする。これら発光層は、特に好ましくは、380nm〜750nm間に全体で複数の最大発光長を有し、全体として、白色発光が生じ、換言すれば、蛍光若しくは燐光を発することができ、黄色、オレンジ色若しくは赤色光を発光する少なくとも一つの更なる発光化合物も、更なる発光層に使用される。特に好ましいものは、3層構造であり、これら層の少なくとも一つの層は、少なくとも一つの式(1)の化合物を含み、その3層は、青色、緑色及びオレンジ色若しくは赤色発光するものである。(基本構造については、例えば、WO 05/011013参照。)広帯域発光帯を有しそれゆえ白色発光を呈するエミッターも、同様に白色発光に適する。
式(1)の化合物に加えて、更なる物質が、発光層、例えば、正孔-若しくは電子輸送材料に存在してもよい。
記号Rが、N(Ar基を表わし、及び/又はAr基上の置換基が、N(Ar基を表わすならば、式(1)の化合物は、発光化合物として及び/又は正孔輸送材料として特に適しており、以下により詳細に説明される。
式(1)の化合物が、正孔輸送材料として使用されるならば、正孔輸送層及び/又は正孔注入層に使用されることが好ましい。本発明の目的のためには、正孔注入層は、陽極に直接隣接する層である。本発明の目的のためには、正孔輸送層は、正孔注入層と発光層との間に位置する層である。式(1)の化合物が、正孔輸送若しくは正孔注入材料として使用されるならば、それらが、電子受容体化合物で、例えば、F-TCNQで若しくはEP 1476881、EP 1596445に記載された化合物でドープすることが選好されてもよい。
式(1)の化合物が、発光化合物として使用されるならば、母体材料と組み合わせて使用することが好ましい。
発光層の混合物中の式(1)の発光化合物の割合は、0.1〜50.0重量%、好ましくは0.5〜20.0重量%、特に好ましくは1.0〜10.0重量%である。対応して、層中の母体材料の割合は、50.0〜99.9重量%、好ましくは80.0〜99.5重量%、特に好ましくは90.0〜99.0重量%である。
適切な母体材料は、種々のクラスの物質である。好ましい母体材料は、オリゴアリーレン(例えば、EP 676461による2,2’,7,7’-テトラフェニルスピロビフルオレン若しくはジナフチルアントラセン)、特に、縮合芳香族基を含むオリゴアリーレン、オリゴアリ−レンビニレン(例えば、EP 676461に記載されるようなDPVBi若しくはスピロ-DPVBi)、ポリポダル金属錯体(例えば、WO 04/081017によ記載されるような)、正孔伝導化合物(例えば、WO 04/058911に記載されるような)、電子伝導化合物、特に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド等(例えば、WO 05/084081若しくはWO 05/084082に記載されるような)、アトロプ異性体(例えば、WO 06/048268に記載されるような)若しくはボロン酸誘導体(例えば、未公開出願EP 05009643.7に記載されるような)のクラスから選択される。特に好ましい母体材料は、ナフタレン、アントラセン及び/又はピレンを含むオリゴアリーレン若しくはこれら化合物のアトロプ異性体、オリゴアリ−レンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシド及びスルホキシドのクラスから選択される。非常に特に好ましい母体材料は、アントラセン及び/又はピレンを含むオリゴアリーレン若しくはこれら化合物のアトロプ異性体、ホスフィンオキシド及びスルホキシドから選択される。
更に好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、1以上の層が、昇華法によって被覆されることを特徴とし、材料は、10−5mbar未満、好ましくは10−6mbar未満、特に好ましくは10−7mbar未満の圧力で、真空昇華ユニット中で真空蒸着される。
同様に、好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、1以上の層が、OVPD(有機蒸気相堆積)法あるいはキャリアーガス昇華を用いて被覆されることを特徴とし、材料は、10−5mbar〜1barの圧力で適用される。
更に、好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、1以上の層が、溶液から、例えば、スピンコーティングにより、若しくは、例えばスクリーン印刷、フレキソ印刷或いはオフセット印刷、特に好ましくはLITI(光誘起熱画像化、熱転写印刷)或いはインクジェット印刷のような任意の所望の印刷プロセスにより製造されることを特徴とする。可溶性の式(1)の化合物が、この目的のためには必要である。このように、本発明の化合物は、置換により有機溶媒への高度の溶解性を有することから、溶液からの加工に非常に高度に適している。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、先行技術を超える以下の驚くべき効果を有する。
1.化合物の熱安定性と特にガラス転移温度は、トリアルキルアミン基を全く含まず他は同じ構造を有する先行技術の化合物と比較して、より高くなっている。
2.本発明の化合物は、通常の有機溶媒に非常に良好な溶解性を有し、調製中の化合物の純化と蒸着ユニット(シャド−マスク)の清掃を単純化し、化合物を溶液プロセスに適用することを可能にする。
3.本発明の化合物は、Si(R基を全く含まない先行技術の材料と比較して、より高い正孔及び電子安定性(酸化還元安定性)を有する。
本出願の文脈は、本発明による化合物のOLED及び対応する表示装置に関する使用に向けられている。
記載が限定されているのにかかわらず、当業者は、更なる発明性を必要とすることなく、本発明による化合物を、他の電子素子での更なる使用に、例えば、有機電界効果トランジスタ(O-FET)、有機薄膜トランジスタ(O-TFT)、有機発光トランジスタ(O-LET)、有機集積回路(O-IC)、有機太陽電池(O-SC)、有機電場消光素子(O-FQD)、有機光受容器、発光電子化学電池(LEC)若しくは有機レーザーダイオード(O-laser)に用いることが可能である。
本発明は、本発明による混合物の対応する素子への使用及びこれら素子自体に関する。
本発明は、以下の例によって、より詳細に説明されるが、それにより限定されることを望むものではない。

以下の合成は、他に断らない限り、保護ガス雰囲気下で行われる。出発物質は、アルドリッチ(ALDRICH)若しくはABCR(n-ブチルリチウム、2.5Mヘキサン中、シラン、臭素、無機物、溶媒)から購入することができる。2,6-ジブロモアントラキノリンは、Lee et al.,Org.Lett.2005,7(2),323に記載されたように調製することができる
例1:2,6-ビス(トリメチルシリル)-9,10-ビス(o-トリル)アントラセン
a)2,6-ジブロモ-9,10-ビス(o-トリル)アントラセン
対応する有機リチウム試薬が、−78℃で60mlのn-ブチルリチウム(ヘキサン中2.5M)の添加により、500mlのTHF中の18.0ml(150ミリモル)の2-ブロモトルエンから調製され、更に1時間撹拌される。27.5g(75ミリモル)の2,6-ジブロモアントラキノンがこの試薬に添加される。反応混合物は、引き続き1時間−78℃で撹拌され、5時間かけて室温まで暖められ、100mlの酢酸と200mlの水の混合物が、次いで添加される。固形物は、吸引ろ過され、200mlの水、100mlのエタノールと200mlのヘプタンで2度その度毎に洗浄され、乾燥される。固形物は、300mlのDMF中の15.2g(80ミリモル)の塩化第2錫(無水)で3時間還流される。冷却後、500mlの2.5N塩酸が添加され、固形物は、吸引ろ過される。固形物は、100mlの2.5N塩酸で3度その度毎に洗浄され、100mlの水で3度その度毎に洗浄され、100mlのエタノールで3度その度毎に洗浄され、減圧下乾燥され、DMFから2度再結晶化される。収量33.0g(64ミリモル)理論値の85.2%;HPLCによる純度99%。
b)2,6-ビス(トリメチルシリル)-9,10-ビス(o-トリル)アントラセン
対応する有機リチウム試薬が、−78℃で77mlのn-ブチルリチウム(ヘキサン中2.5M)の添加により、500mlのTHF中の33.0g(64ミリモル)の2,6-ジブロモ-9,10-ジ-o-トリルアントラセンから調製され、更に3時間撹拌され、26.8ml(210ミリモル)のクロロトリメチルシランが、引き続き添加される。反応混合物は、更に1時間撹拌された後、室温まで暖められ、THFが減圧下除去され、残留物はジクロロメタンで500mlにされ、有機相が、500mlの水でその度毎に3度洗浄され、乾燥され、セライトによりろ過され、減圧下溶媒から遊離される。残留物は、トルエン/アセトニトリルから5度再結晶化され、次いで高真空下、p=1×10−5mbar、T=310℃で昇華される。収量23.6g(47ミリモル)理論値の73.4%、H-PLCによる純度99.8%。H-NMRによれば2種のアトロプ異性体混合物。
例2:本発明による更なる化合物の合成
次の化合物が、例1と同様に調製される。
例12:9-(4-メチルナフト-1-イル)-10-(4-トリメチルシリルナフチル)アントラセン
a)(4-ブロモナフト-1-イル)トリメチルシランの合成
114.38g(400ミリモル)の1,4-ジブロモナフタレンと1lのTHF(無水)が、保護ガス下−78℃に冷却され、160ml(400ミリモル)のn-ブチルリチウム(ヘキサン中2.5M)が引き続きゆっくりとこの温度で添加され、混合物は更に30時間−78℃で撹拌される。200mlのTHF(無水)中の52.3ml(400ミリモル)のクロロトリメチルシラン混合物が、このようにして得られた溶液に添加され、混合物は、ゆっくりと室温まで暖められる。150mlのEtOHと引き続く300mlの水の添加後、有機相が単離され、硫酸マグネシウムで乾燥され、蒸発される。このようにして得られた油状物は、115−135℃で1.7mbarで蒸留され、HPLCによる99・0%以上の純度を有する生成物80g(286ミリモル)(理論値の88%に対応)が得られる。
b)4-(トリメチルシリル)ナフト-1-イルボロン酸の合成
73.7ml(184ミリモル)のn-ブチルリチウム(ヘキサン中2.5M)が、−78℃に冷却された950mlのジエチルエーテル中の46.8g(167.6ミリモル)の(4-ブロモナフト-1-イル)トリメチルシラン溶液に滴下される。反応混合物は、30分間−78℃で撹拌され、室温まで暖められ、次いで−78℃に再冷却され、50mlのジエチルエーテル中の26.4ml(234ミリモル)のトリメチルボレート混合物が迅速に添加される。−10℃に暖められた後、混合物は、90mlの2N塩酸を使用して加水分解される。有機相は単離され、水で洗浄され、硫酸ナトリウムで乾燥され、蒸発乾燥される。残留物は、n-ヘプタンで200mlにされ、無色の固形物が吸引ろ過され、n-ヘプタンで洗浄され、減圧下乾燥される。収量26g(106ミリモル)、理論値の45%;H-NMRによる純度98%。
c)9-(4-メチルナフト-1-イル)-10-(4-トリメチルシリルナフチル)アントラセンの合成
1.78g(5.6ミリモル)のトリ-o-トリルホスフィンと0.2g(0.9ミリモル)のパラジウムアセテートが、575mlの水、100mlのジオキサン及び860mlのトルエンの混合物中の、22.8g(93.3ミリモル)の4-トリメチルシリルナフト-1-イルボロン酸、37.4g(93.3リモル)の9-(4-メチルナフト-1-イル)アントラセン及び90g(230ミリモル)の燐酸3カリウムの脱ガス懸濁液に激しく撹拌しながら添加され、混合物は、60時間還流される。冷却後、有機相が単離され、200mlの水で3度洗浄され、200mlの飽和塩化ナトリウム水溶液で1度洗浄され、引き続き、硫酸マグネシウムで乾燥される。乾燥剤がろ過された後、有機相が減圧下回転蒸発器で蒸発乾燥される。この方法で得られた灰色の残留物は、ジオキサンで再結晶化される。析出した結晶は、吸引ろ過され、50mlのエタノールで洗浄され、引き続き減圧下乾燥される。収量38g、理論値の79%;HPLCによる純度99.9%。
例13:9,10-ビス(4-トリメチルシリルナフチル)アントラセン
2.6g(9.7ミリモル)のトリ-o-トリルホスフィンと0.365g(1.63ミリモル)のパラジウムアセテートが、163mlの水、200mlのジオキサン及び200mlのトルエンの混合物中の、29.7g(122ミリモル)の4-トリメチルシリルナフト-1-イルボロン酸(例12bから)、13.6g(40.6リモル)の9,10ジブロモアントラセン及び41g(178ミリモル)の燐酸3カリウムの脱ガス懸濁液に、激しく撹拌しながら添加され、混合物は、60時間還流される。冷却後、有機相が単離され、200mlの水で3度洗浄され、200mlの飽和塩化ナトリウム水溶液で1度洗浄され、
引き続き、硫酸マグネシウムで乾燥される。乾燥剤がろ過された後、有機相が減圧下回転蒸発器で蒸発乾燥される。この方法で得られた灰色の残留物は、ジオキサンで再結晶化される。析出した結晶は、吸引ろ過され、50mlのエタノールで洗浄され、引き続き減圧下乾燥される。収量23g、理論値の78%;HPLCによる純度99.9%。
なお、例1、3、4、7および8は、参考例である。
例14:OLEDの製造
OLEDが、WO 04/058911に記載される一般的プロセスにより製造されるが、これは、特別な状況(例えば、最適な効率と色を達成するための層の厚さの変化)に対する個々の場合において適合される。使用された基本構造と材料(発光層を除いて)は、より良い比較のために同一である。以下の構造を有するOLEDは、上記の一般的プロセスと同様に製造される。
正孔輸送層(HTL):20nmの2,2’,7,7’-テトラキス(ジ-パラ-トリルアミノ)-スピロ-9,9’-ビフルオレン(HTL−1と略す。)、
正孔輸送層(HTL):20nmのNPB(N-ナフチル-N-フェニル-4,4’-ジアミノビフェニル)
発光層(EML):材料、濃度及び層厚は表1参照、
電子伝導体(ETL):20nmのAlQ3、(SynTec社から購入したトリス(キノリナート)アルミニウム(III))
陰極:150nmのAl上の1nmLiF。
これらのOLEDは、標準方法により特性決定される。この目的のために、エレクトロルミネセンススペクトル、効率(cd/Aで測定)、電流/電圧/輝度密度特性線(IUL特性線)から計算した、輝度の関数としてのパワー効率(Im/Wで測定)及び寿命が測定される。寿命は、当初輝度1000cd/mが半分に低下した時間として定義される。
表2は、ドーパントD1、D2(本発明の例)と例8からの化合物を含むいくつかのOLED(例2乃至9)の結果を示し、各場合に、層厚を含むEMLの組成も示される。
ドーパントの構造は、以下に示す。
例5、10、12及び13からの化合物は、本発明の母体材料として使用される。比較のために、母体材料H1とH2が、先行技術の母体材料として使用される。
母体材料は、以下に示す。
表2の例から見て取れるように、本発明のエレクトロルミネセンス素子は、先行技術のエレクトロルミネセンス素子と比較して、同等の色座標でより高い効率とより長い寿命を呈する。

Claims (8)

  1. Si(R基を表わす少なくとも1つの基Rが、分子中に存在することを特徴とし、さらに、少なくとも1つの式Si(R基は、中央アントラセン単位に、2位及び/又は6位で結合することを特徴とする、及び/又は少なくとも1つの式Si(R基は、Ar基に結合し、Ar基がナフチル基を表わすならば、4位で、Ar基がアントリル基を表わすならば、10位で結合することを特徴とする、及び/又は少なくとも1つの式Si(R基は、R基に結合することを特徴とする式(1)のシリル置換化合物。
    (ここで、使用される記号と添字は、以下が適用される:
    Arは、1-ナフチル基若しくは9-アントリル基であって、1以上の基Rにより置換されていてもよく及び/又は1以上の基N(Arにより置換されていてもよく、
    Rは、夫々は1以上の基Rにより置換されていてもよい、1-ナフチル又は2-ナフチルであり;
    Arは、出現毎に同一であるか異なり、1以上の基Rにより置換されていてもよい、5〜40個の芳香族環原子を有する芳香族若しくは複素環式芳香族環構造であり;
    Yは、単結合であり;
    は、出現毎に同一であるか異なり、Si(R 、F、1〜6個のC原子を有する直鎖アルキル若しくはアルコキシ基又は3〜10個のC原子を有する分岐或いは環状アルキル若しくはアルコキシ基(各基においては、1以上のCH 基は、-R C=CR -、Si(R 、-O-、-S-若しくは-N(R )-で置き代えられていてもよく、また、1以上のH原子は、Fで置き代えられていてもよい)又は1以上の基R により置換されていてもよい5〜14個の芳香族環原子を有するアリール若しくはヘテロアリール基又は、2若しくは3個のこれらの構造の組み合わせであり
    は、出現毎に同一であるか異なり、1〜10個のC原子を有する直鎖アルキル基又は3〜10個のC原子を有する分岐或いは環状アルキル基(各基においては、珪素に直接結合しない1以上の隣接しないCH基は、Oで置き代えられていてもよく、一以上のH原子はFで置き代えられていてもよい。);
    は、出現毎に同一であるか異なり、H若しくは1〜20個のC原子を有する炭化水素基であって、脂肪族若しくは芳香族又は脂肪族及び芳香族の組み合わせであってよく、また、Fにより置換されていてもよく;
    nは、出現毎に同一であるか異なり、0、1、2、3若しくは4であり、
    mは、0である。)
  2. Si(R基を表わす少なくとも1つの基Rが存在することを特徴とする、請求項1記載の式(1a)乃至(1d)の化合物。
    (ここで、R、Ar、R、Y、m及びnは、請求項1で定義される意味を有し、更に以下が適用される。
    oは、0、1、2若しくは3であり、
    pは、0若しくは1であり、
    qは、0、1若しくは2である。)
  3. 1、2、3若しくは4個の式Si(R基を含むことを特徴とする、請求項1又は2記載の化合物。
  4. 対応するアントラセン誘導体に対して、1以上のSi(R基により置換される官能化されたAr若しくはR基をカップリングすることにより、Ar基若しくはR基上に1以上のSi(R基を担持する、請求項1乃至何れか1項記載の化合物の調製方法。
  5. 請求項1乃至何れか1項記載の化合物の、有機電子素子での使用。
  6. 請求項1乃至何れか1項記載の少なくとも1つの化合物を含む有機電子素子。
  7. 有機エレクトロルミネセンス素子(OLED、PLED)、有機電界効果トランジスタ(O-FET)、有機薄膜トランジスタ(O-TFT)、有機発光トランジスタ(O-LET)、有機集積回路(O-IC)、有機太陽電池(O-SC)、有機電場消光素子(O-FQD)、有機光受容器、発光電子化学電池(LEC)及び有機レーザーダイオード(O-laser)から選択される請求項記載の有機電子素子。
  8. 少なくとも1つの発光層、正孔輸送層、正孔注入層、正孔障壁層及び/又は電子輸送層が、請求項1乃至何れか1項記載の少なくとも1つの化合物を含むことを特徴とする、請求項又は記載の有機電子素子。
JP2008543685A 2005-12-08 2006-11-17 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料 Active JP5420249B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200510058557 DE102005058557A1 (de) 2005-12-08 2005-12-08 Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102005058557.4 2005-12-08
DE102006009630.4 2006-03-02
DE102006009630A DE102006009630A1 (de) 2006-03-02 2006-03-02 Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
PCT/EP2006/011029 WO2007065550A1 (de) 2005-12-08 2006-11-17 Neue materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009518328A JP2009518328A (ja) 2009-05-07
JP5420249B2 true JP5420249B2 (ja) 2014-02-19

Family

ID=37617715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008543685A Active JP5420249B2 (ja) 2005-12-08 2006-11-17 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8795847B2 (ja)
EP (1) EP1957604B1 (ja)
JP (1) JP5420249B2 (ja)
WO (1) WO2007065550A1 (ja)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005023437A1 (de) 2005-05-20 2006-11-30 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
JPWO2007129702A1 (ja) * 2006-05-09 2009-09-17 出光興産株式会社 ケイ素含有化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100857023B1 (ko) * 2007-05-21 2008-09-05 (주)그라쎌 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
DE102008018670A1 (de) * 2008-04-14 2009-10-15 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2011013959A2 (ko) * 2009-07-28 2011-02-03 주식회사 동진쎄미켐 신규한 페난트렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
US10570113B2 (en) * 2010-04-09 2020-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Aromatic amine derivative, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
TW201229003A (en) * 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
KR102018418B1 (ko) 2011-03-25 2019-09-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
US9419239B2 (en) * 2011-07-08 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound
US9831441B2 (en) 2012-10-31 2017-11-28 Merck Patent Gmbh Electronic device
KR101716069B1 (ko) 2012-11-12 2017-03-13 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 재료
EP2941469A2 (de) 2013-01-03 2015-11-11 Merck Patent GmbH Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2014106523A1 (de) 2013-01-03 2014-07-10 Merck Patent Gmbh Elektronische vorrichtung
CN103664495B (zh) * 2013-12-10 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 蒽类衍生物及制备方法、应用和有机发光器件
KR102626977B1 (ko) 2015-01-30 2024-01-19 메르크 파텐트 게엠베하 전자 디바이스용 재료
JP7016535B2 (ja) 2015-10-26 2022-02-07 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド パターン化されたコーティングを含む表面およびデバイス上のコーティングをパターン化する方法
EP3411455B1 (de) 2016-02-05 2020-10-21 Merck Patent GmbH Materialien für elektronische vorrichtungen
TWI764942B (zh) 2016-10-10 2022-05-21 德商麥克專利有限公司 電子裝置
DE102017008794A1 (de) 2016-10-17 2018-04-19 Merck Patent Gmbh Materialien zur Verwendung in elektronischen Vorrichtungen
JP2020512273A (ja) 2016-11-02 2020-04-23 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子デバイス用材料
KR102564613B1 (ko) 2016-11-08 2023-08-07 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 화합물
TW201833118A (zh) 2016-11-22 2018-09-16 德商麥克專利有限公司 用於電子裝置之材料
TWI761406B (zh) 2016-12-22 2022-04-21 德商麥克專利有限公司 電子裝置用材料
KR20190115034A (ko) 2017-02-02 2019-10-10 메르크 파텐트 게엠베하 전자 디바이스용 재료
EP3589624A1 (de) 2017-03-02 2020-01-08 Merck Patent GmbH Materialien für organische elektronische vorrichtungen
KR102585423B1 (ko) 2017-04-25 2023-10-05 메르크 파텐트 게엠베하 전자 디바이스용 화합물
KR102563713B1 (ko) 2017-04-26 2023-08-07 오티아이 루미오닉스 인크. 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 장치
CN110832660B (zh) 2017-05-17 2023-07-28 Oti照明公司 在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置
TW201920343A (zh) 2017-06-21 2019-06-01 德商麥克專利有限公司 電子裝置用材料
TW201920598A (zh) 2017-06-23 2019-06-01 德商麥克專利有限公司 用於有機電激發光裝置之材料
EP3645766A1 (en) 2017-06-26 2020-05-06 Merck Patent GmbH Homogeneous mixtures
CN110799484B (zh) 2017-06-28 2023-09-26 默克专利有限公司 用于电子器件的材料
EP3658541A1 (en) 2017-07-28 2020-06-03 Merck Patent GmbH Spirobifluorene derivatives for use in electronic devices
US20200283386A1 (en) 2017-09-08 2020-09-10 Merck Patent Gmbh Materials for electronic devices
US11832513B2 (en) 2017-11-23 2023-11-28 Merck Patent Gmbh Materials for electronic devices
CN111465599A (zh) 2017-12-15 2020-07-28 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件中的取代芳族胺
KR20200100699A (ko) 2017-12-20 2020-08-26 메르크 파텐트 게엠베하 헤테로방향족 화합물
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR20200132912A (ko) 2018-03-16 2020-11-25 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 디바이스용 재료
KR102606283B1 (ko) * 2018-07-09 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP7325731B2 (ja) 2018-08-23 2023-08-15 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20220127286A1 (en) 2019-03-04 2022-04-28 Merck Patent Gmbh Ligands for nano-sized materials
WO2020178804A1 (en) 2019-03-07 2020-09-10 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
KR20220046551A (ko) 2019-06-26 2022-04-14 오티아이 루미오닉스 인크. 광 회절 특성을 갖는 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스
CN114342068A (zh) 2019-08-09 2022-04-12 Oti照明公司 包含辅助电极和分区的光电子装置
WO2023052314A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023052275A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023052272A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023052313A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023094412A1 (de) 2021-11-25 2023-06-01 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023117837A1 (de) 2021-12-21 2023-06-29 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von deuterierten organischen verbindungen
WO2023152346A1 (de) 2022-02-14 2023-08-17 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023222559A1 (de) 2022-05-18 2023-11-23 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von deuterierten organischen verbindungen
WO2024013004A1 (de) 2022-07-11 2024-01-18 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US657022A (en) * 1899-03-09 1900-08-28 Fred W Crafts Adjustable trace-lock.
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
EP0676461B1 (de) 1994-04-07 2002-08-14 Covion Organic Semiconductors GmbH Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
EP0681019B1 (en) * 1994-04-26 1999-09-01 TDK Corporation Phenylanthracene derivative and organic EL element
DE19652261A1 (de) 1996-12-16 1998-06-18 Hoechst Ag Arylsubstituierte Poly(p-arylenvinylene), Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung in Elektroluminszenzbauelementen
US5898836A (en) * 1997-01-14 1999-04-27 Netmind Services, Inc. Change-detection tool indicating degree and location of change of internet documents by comparison of cyclic-redundancy-check(CRC) signatures
US6336033B1 (en) * 1997-02-06 2002-01-01 Ntt Mobile Communication Network Inc. Adaptive array antenna
US5935721A (en) 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
US6163765A (en) * 1998-03-30 2000-12-19 Motorola, Inc. Subband normalization, transformation, and voiceness to recognize phonemes for text messaging in a radio communication system
KR100280707B1 (ko) 1998-11-12 2001-02-01 김순택 발광 화합물 및 이를 발색재료로서 채용하고있는 표시소자
WO2001021729A1 (fr) 1999-09-21 2001-03-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Support organique a electroluminescence et support organique lumineux
JP4094203B2 (ja) 2000-03-30 2008-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体
EP1288793A1 (en) * 2001-08-27 2003-03-05 Sony NetServices GmbH Translation text management system
CN1239447C (zh) 2002-01-15 2006-02-01 清华大学 一种有机电致发光材料
US6869820B2 (en) * 2002-01-30 2005-03-22 United Epitaxy Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of making the same
JP4170655B2 (ja) 2002-04-17 2008-10-22 出光興産株式会社 新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
AU2003230308A1 (en) 2002-05-07 2003-11-11 Lg Chem, Ltd. New organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same
CN1323128C (zh) 2002-07-19 2007-06-27 出光兴产株式会社 有机电致发光装置和有机发光介质
JP4025137B2 (ja) 2002-08-02 2007-12-19 出光興産株式会社 アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004075567A (ja) 2002-08-12 2004-03-11 Idemitsu Kosan Co Ltd オリゴアリーレン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100924462B1 (ko) 2002-08-23 2009-11-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 안트라센 유도체
JP2004103463A (ja) 2002-09-11 2004-04-02 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
DE10333232A1 (de) 2003-07-21 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
JP4737678B2 (ja) 2003-07-28 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光性有機化合物およびそれを用いた発光素子
US7887931B2 (en) * 2003-10-24 2011-02-15 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device with anthracene derivative host
DE102004008304A1 (de) 2004-02-20 2005-09-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische elektronische Vorrichtungen
JP4388391B2 (ja) * 2004-02-27 2009-12-24 三井化学株式会社 フルオレン化合物、および該フルオレン化合物を含有する有機電界発光素子
CN1957646A (zh) * 2004-05-27 2007-05-02 出光兴产株式会社 白色系有机电致发光元件
DE102004031000A1 (de) 2004-06-26 2006-01-12 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
TW200613515A (en) 2004-06-26 2006-05-01 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices
TW200639140A (en) 2004-12-01 2006-11-16 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices
TWI287568B (en) 2005-04-08 2007-10-01 Au Optronics Corp Silicon-contained anthracene compound for organic electroluminescent device
KR100852328B1 (ko) * 2006-03-15 2008-08-14 주식회사 엘지화학 신규한 안트라센 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기 전기 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007065550A1 (de) 2007-06-14
EP1957604A1 (de) 2008-08-20
US8795847B2 (en) 2014-08-05
US20080303003A1 (en) 2008-12-11
EP1957604B1 (de) 2015-09-23
JP2009518328A (ja) 2009-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5420249B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料
KR101307587B1 (ko) 유기 전계발광 장치
KR101410190B1 (ko) 유기 전계 발광 소자용 신규 재료
JP5420248B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
KR100923037B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 신규 물질
JP5242380B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5399070B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンスデバイスのための新規材料
RU2419648C2 (ru) Соединения для органических электронных устройств
JP5813707B2 (ja) 有機電子素子のための化合物
JP5389646B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料
JP5518472B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料
JP5295756B2 (ja) 有機電子素子のための化合物
JP5454854B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規物質
JP2008506657A (ja) 有機エレクトロルミネセンスデバイス
JP2015212261A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料
US20080166593A1 (en) Organic Electroluminescent Devices

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091116

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120820

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130215

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130917

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20130925

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131022

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5420249

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250