TW201920343A - 電子裝置用材料 - Google Patents

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彼特 伯克哈特
卡特加 薛伯
尼爾斯 柯尼恩
荷葛 海爾
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Abstract

本申請案關於一種聚合物，其含有至少一種式(I)之結構單元。該聚合物適合使用於電子裝置。

Description

電子裝置用材料
本申請案關於一種聚合物，其含有至少一種如下定義的式(I)之結構單元。該聚合物適合使用於電子裝置中。
電子裝置在本申請案的情況下係理解為意指所謂的有機電子裝置，其含有有機半導體材料作為功能材料。更具體地說，這些係理解為意指OLED。術語OLED係理解為意指具有一或多個包含有機化合物之層且在施加電壓時發光的電子裝置。OLED之構造和功能的一般原理對於熟習該項技術者是已知的。 　　在電子裝置(尤其是OLED)中，對改良性能數據(尤其是壽命、效率和操作電壓)有很大的興趣。在這些方面，尚未能找到任何完全令人滿意的解決辦法。 　　因此，繼續尋找供用於OLED之新穎材料，尤其是聚合物。 　　在OLED的情況下，以層形式施加材料的二個重要方法為已知的：藉由昇華從氣相施加及從溶液施加。對於後一方法，適當材料包括聚合物。 　　為了製備這種聚合物，重要的是所用的聚合物和單體具有良好的溶解度，因為否則不可能獲得具有高鏈長的聚合物。 　　在OLED的製造中當聚合物從溶液施加時，重要的是彼等在所用的溶劑中具有良好的溶解度。彼等在所用溶劑中迅速溶解也很重要。彼等具有良好的成膜性質也很重要。 　　在OLED中使用聚合物的情況下之特別重要的因子為彼等導致裝置的長壽命和效率。當聚合物與同樣從溶液施加之後續發光層組合使用於OLED的電洞傳輸層中時，其尤為如此。 　　同樣重要的是，聚合物具有最大的化學穩定性且不會分解。 　　現已發現：上述技術問題中至少一者(較佳一者以上)可藉由提供一種含有特定結構單元之新穎聚合物來解決。
本申請案因此提供一種聚合物，其含有至少一種式(I)之結構單元其中所出現之變數如下： 　　U在各情況下為相同或不同且為C(R1 )2 、CR1 =CR1 、Si(R1 )2 、O或S，其中選自CR1 =CR1 、O和S之基團彼此不直接鍵結； 　　Z在各情況下為相同或不同且當沒有基團與其鍵結時，為N或CR2 ，及當一基團與其鍵結時，為C； 　　Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 和Ar5 為相同或不同且係選自具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R3 基團取代之雜芳族環系統及選自具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R3 基團取代之芳族環系統； 　　R1 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R4 、CN、Si(R4 )3 、N(R4 )2 、P(=O)(R4 )2 、OR4 、S(=O)R4 、S(=O)2 R4 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1 或R2 或R3 基團可彼此連接且可形成環；其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述之芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R4 基團取代；及其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經-R4 C=CR4 -、-C≡C-、Si(R4 )2 、C=O、C=NR4 、‑C(=O)O-、-C(=O)NR4 -、NR4 、P(=O)(R4 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R2 、R3 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R4 、CN、Si(R4 )3 、N(R4 )2 、P(=O)(R4 )2 、OR4 、S(=O)R4 、S(=O)2 R4 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1 或R2 或R3 基團可彼此連接且可形成環；其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述之芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R4 基團取代；及其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經-R4 C=CR4 -、-C≡C-、Si(R4 )2 、C=O、C=NR4 、‑C(=O)O-、-C(=O)NR4 -、NR4 、P(=O)(R4 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R4 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R4 基團可彼此連接且可形成環；其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述之芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R5 基團取代；及其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、‑C(=O)O-、 -C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R5 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R5 基團可彼此連接且可形成環；及其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基、芳族環系統和雜芳族環系統可經F或CN取代； 　　r當p為1時，為1、2或3，及當p為0時，為1； 　　s當q為1時，為0、1、2或3，當q為0時，為1； 　　p為0或1；其中當p為0時，鍵結至標號p的方括號之間的單元之基團彼此直接鍵結； 　　q為0或1；其中當q為0時，鍵結至標號q的方括號之間的單元之基團彼此直接鍵結； 　　n為0或1，其中當n為0時，鍵結至標號n的方括號之間的單元之基團彼此直接鍵結； 　　m為0或1，其中當m為0時，鍵結至標號m的方括號之間的單元之基團彼此直接鍵結； 　　o為0或1，其中當o為0時，鍵結至標號o的方括號之間的單元之基團彼此直接鍵結； 　　i在各情況下為相同或不同且為1、2、3、4、5、6、7或8； 　　其中存在至少一個U基團，其含有一或多個選自下列之R1 基團：具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1 或R2 或R3 基團可彼此連接且可形成環；其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述之芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R4 基團取代；及其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R4 C=CR4 -、-C≡C-、Si(R4 )2 、C=O、C=NR4 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR4 -、NR4 、P(=O)(R4 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換。 　　在結構單元的式子中，虛線表示至聚合物的相鄰結構單元之鍵。 　　在本申請案中，術語"聚合物"包括聚合化合物、寡聚化合物和樹枝狀聚合物。本發明之聚合物較佳具有10至10000個，更佳10至5000個且最佳10至2000個結構單元(即重複單元)。本發明之寡聚化合物較佳具有3至9個結構單元。聚合物的分支因數介於0(線性聚合物，無分支位置)和1(完全分支樹枝狀聚合物)之間。 　　本發明之聚合物較佳地具有範圍從10 000至1 000 000 g/mol之分子量Mw ，更佳範圍從20 000至500 000 g/mol之分子量Mw ，及最佳範圍從25 000至200 000 g/mol之分子量Mw 。該分子量Mw 係利用GPC(凝膠滲透層析法)對照內聚苯乙烯標準品測定。 　　本發明之聚合物為共軛、半共軛或非共軛聚合物。較佳者為共軛或半共軛聚合物。 　　根據本發明，可將式(I)之結構單元併入聚合物的主鏈或支鏈中。然而，較佳地，將式(I)之結構單元併入聚合物的主鏈中。在併入聚合物的支鏈中的情況下，該式(I)之結構單元可為單價或二價，意指彼等具有一或二個鍵結至該聚合物中相鄰的結構單元之鍵。 　　"共軛聚合物"在本申請案的情況下為主鏈中主要含有sp2 -混成(或者隨意地sp-混成)之碳原子(其亦可以對應混成之雜原子置換)的聚合物。在最簡單的情況下，此意指雙鍵和單鍵交替存在於主鏈中，但例如具有諸如間位-鍵結之伸苯基的單元之聚合物在本申請案的情況下亦應視為共軛聚合物。"主要"意指自然(偶然地)發生且導致中斷共軛之缺陷並不使術語"共軛聚合物"不適用。共軛聚合物同樣被認為是具有共軛主鏈和非共軛側鏈之聚合物。此外，當例如芳基胺(arylamine)單元、芳基膦(arylphosphine)單元、特定雜環(即經由氮、氧或硫原子共軛)及/或有機金屬錯合物(即藉由金屬原子之共軛)存在於主鏈中時，本申請案同樣係指共軛。彼同樣適用於共軛樹枝狀聚合物。相比之下，例如，諸如簡單烷基橋、(硫)醚、酯、醯胺或醯亞胺鍵聯之單元係明確地定義為非共軛鏈段。 　　半共軛聚合物在本申請案中應理解為意指含有以非共軛段、蓄意的共軛中斷物(deliberate conjugation breaker)(例如間隔基團(spacer group))或分支而彼此分開之共軛區(例如其中，主鏈中比較長的共軛段被非共軛段中斷)、或是在主鏈中非共軛之聚合物的側鏈中含有比較長的共軛段之聚合物。共軛和半共軛聚合物也可含有共軛、半共軛或非共軛樹枝狀聚合物。 　　在本申請案中的術語"樹枝狀聚合物"應理解為意指由多官能性核心所形成的高分支化合物，以規則結構分支之單體係鍵結至該多官能性核心而獲得樹狀結構。在此情況下，該核心與該等單體皆可假定為由純有機單元與有機金屬化合物或配位化合物組成之任何所要的分支結構。"樹枝狀的(dendrimeric)"在此通常應理解為如例如由M. Fischer和F. Vögtle (Angew. Chem., Int. Ed. 1999, 38, 885)所述。 　　術語"結構單元"在本申請案中係理解為意指以指定結構多次出現於聚合物中之單元。其可以直接連續和/或以分離的形式在聚合物中出現一次以上。較佳地，許多具有指定結構的結構單元出現於聚合物中，更佳為10至1000個，最佳為50至500個。 　　進一步較佳地，結構單元在本申請案的情況下係衍生自聚合中所使用之單體，其中該單體之反應基已根據其化學反應性和目的進行反應。例如，在含有二個溴原子作為Suzuki聚合反應中的反應基之單體的情況下，聚合物中所形成之結構單元其特徵在於其對應於單體結構，除了溴原子不存在且至溴原子之鍵現在為至相鄰結構單元之鍵外。在含有交聯劑基團或用於交聯劑基團之前驅物基團的單體之情況下，在此交聯劑基團或交聯劑基團之對應前驅物基團的一或多種其他反應可能繼續進行，直到獲得聚合物的對應最終結構單元。 　　芳基在本發明的情況下含有6至40個芳族環原子，其中沒有一個是雜原子。芳基在本發明的情況下係理解為意指簡單芳族環(即苯)或稠合芳族多環(例如萘、菲或蒽)。稠合芳族多環在本申請案的情況下由二或更多個彼此稠合的簡單芳族環組成。環之間的稠合在此係理解為意指這些環彼此共用至少一邊。 　　雜芳基在本發明的情況下含有5至40個芳族環原子，其中至少一個為雜原子。雜芳基的雜原子較佳係選自N、O和S。雜芳基在本發明的情況下係理解為意指簡單雜芳族環(例如吡啶、嘧啶或噻吩)，或稠合雜芳族多環(例如喹啉或咔唑)。稠合雜芳族多環在本申請案的情況下由二或更多個彼此稠合的簡單雜芳族環組成。環之間的稠合在此係理解為意指這些環彼此共用至少一邊。 　　可經上述基團取代且可經由任何所要位置連接至芳族或雜芳族環系統之芳基或雜芳基尤其意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、(chrysene)、苝、聯伸三苯、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯並蒽、苯並菲、稠四苯、稠五苯、苯並芘、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、啡噻、啡㗁、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑(naphthimidazole)、菲並咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶並咪唑(pyridimidazole)、吡並咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉並咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯並㗁唑、萘並㗁唑(naphthoxazole)、蒽並㗁唑(anthroxazole)、菲並㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、嗒、苯並嗒、嘧啶、苯並嘧啶、喹㗁啉、吡、啡、㖠啶、氮雜咔唑、苯並咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三、1,2,4-三、1,2,3-三、四唑、1,2,4,5-四、1,2,3,4-四、1,2,3,5-四、嘌呤、蝶啶、吲及苯並噻二唑。 　　芳族環系統在本發明的情況下在該環系統中含有6至40個碳原子且不包括任何雜原子作為芳族環原子。芳族環系統在本發明的情況下因此不含任何雜芳基。芳族環系統在本發明的情況下應理解為意指不一定只含有芳基但其中多個芳基也可能以單鍵或非芳族單元鍵結，例如一或多個隨意地經取代之C、Si、N、O或S原子。在此情況下，該非芳族單元較佳地包含少於10%的非H之原子(以在該系統中的非H之原子總數為基準計)。例如，系統諸如9,9'-螺聯茀、9,9'-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚和二苯乙烯也視為在本發明的情況下之芳族環系統，以及同樣地，其中二或多個芳基(例如)以直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或以矽基連接的系統。此外，其中二或多個芳基經由單鍵彼此連接的系統也視為在本發明的情況下的芳族環系統，例如諸如聯苯與聯三苯之系統。 　　較佳地，芳族環系統係理解為意指其中存在於其中的芳基彼此共軛之化學基團。此意指所存在的芳基必須經由單鍵或經由具有可參與共軛的自由π電子對之連接單元彼此鍵結。連接單元在此較佳係選自氮原子、單獨的C=C單元、單獨的C≡C單元、彼此共軛之多個C=C單元及/或C≡C單元、-O-、和- S-。 　　雜芳族環系統在本發明的情況下含有5至40個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。該雜芳族環系統之雜原子較佳係選自N、O及/或S。雜芳族環系統對應於上述芳族環系統之定義，但具有至少一個雜原子作為該芳族環原子中的一者。以此方式，其與就本申請案的定義之意義而言的不可含有任何雜原子作為芳族環原子之芳族環系統不同。 　　具有6至40個芳族環原子之芳族環系統或具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統尤其係理解為意指衍生自上述在芳基和雜芳基中之基團，且衍生自聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、茚並茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、茚並咔唑之基團，或衍生自此等基團之組合。 　　在本發明的情況下，具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或具有2至40個C原子之烯基或炔基，其中個別氫原子或CH2 基團亦可經在上述該等基團定義下之基團取代，較佳係理解為意指甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。 　　具有1至20個碳原子之較佳烷基係描述於下表中：其中個別氫原子或CH2 基團亦可經在上述該等基團定義下之基團置換的具有1至20個碳原子之烷氧基或烷硫基(thioalkyl)較佳係理解為意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。 　　二或多個基團一起可形成環之用詞在本申請案的情況下應理解為特別意指：二個基團彼此以一化學鍵連接。然而，此外，上述用詞也應理解為意指：若二個基團中之一為氫，則第二基團係鍵結於氫原子所鍵結之位置，而形成一環。 　　較佳地，U在各情況下為相同或不同且係選自C(R1 )2 、O和S；更佳地，U為C(R1 )2 。 　　較佳地，當沒有基團與Z鍵結時，Z為CR2 ，且當一基團與其鍵結時，其為C。 　　較佳地，Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 和Ar5 在各情況下為相同或不同且係選自具有6至25個芳族環原子且可經一或多個R1 基團取代之芳族環系統，及選自具有5至25個芳族環原子且可經一或多個R2 基團取代之雜芳族環系統。更佳地，Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 和Ar5 在各情況下為相同或不同且係選自苯、聯苯、聯三苯、茀、萘、菲、茚並茀、螺聯茀、二苯並呋喃、二苯並噻吩、咔唑、茚並咔唑及吲哚並咔唑，彼等各自可經一或多個R1 基團取代。甚至更佳地，Ar4 和Ar5 為可經一或多個R1 基團取代之苯。甚至更佳地，Ar1 、Ar2 和Ar3 在各情況下為相同或不同且係選自苯、聯苯、茀、菲、茚並茀和螺聯茀，彼等可經一或多個R1 基團取代。最佳地，Ar1 和Ar3 係選自可經一或多個R1 基團取代之苯。 　　較佳Ar1 至Ar5 基團係選自下列基團：其中虛線表示連接位置，及 　　其中以非特定方式鍵結至芳族環上之R3 基團意指R3 基團在各情況下可在任何未佔用的位置鍵結至所討論的環上。 　　上述A1至A10基團的較佳實施態樣係顯示於下： 其中虛線表示連接位置。 　　R1 較佳在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、CN、Si(R4 )3 、OR4 、具有1至10個碳原子之直鏈烷基和烷氧基、具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基，和具有6至20個芳族環原子之芳族環系統，其中二或多個R1 或R2 或R3 基團可彼此連接且可形成環；及其中所述之烷基和烷氧基及所述之芳族環系統所述之可各自經一或多個R4 基團取代。更佳地，R1 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、具有1至10個碳原子之直鏈烷基和具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基。甚至更佳地，R1 係選自具有1至10個碳原子之直鏈烷基和具有3至10個碳原子之支鏈烷基。 　　特佳的是與橋頭碳原子直接相鄰(即於苄基位置)之二個U基團具有非H或D之R1 基團，較佳R1 基團選自F、CN、Si(R4 )3 、OR4 、具有1至10個碳原子之直鏈烷基和烷氧基、具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基基團、和具有6至20個芳族環原子之芳族環系統，其中二或多個R1 或R2 或R3 基團可彼此連接且可形成環；及其中所述之烷基和烷氧基及所述之芳族環系統可各自經一或多個R4 基團取代。 　　在一較佳實施態樣中，式(I)之結構單元含有至少一個U基團，該U基團具有彼此連接並形成環而使得U基團為螺原子之二個R1 基團。較佳地，由兩個R1 基團在U基團形成的環係選自環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、茀、二苯並哌喃、二氫吖啶和哌喃。 　　 　　式(I)之結構單元中的較佳單元係選自下列式之單元：其中自由鍵為至式(I)之結構單元的其餘部分之鍵。 　　此外，較佳的是上述單元係選自下列式之單元：其中對應自由位置可各自經R2 基團取代，及其中虛線為至式(I)之結構單元的其餘部分之鍵。 　　尤佳的是上述E-a至E-c之單元係選自下列單元：其中自由鍵為至式(I)之結構單元的其餘部分之鍵，及其中單元E-a-1和E-b-1在所述單元之中為特佳，及單元E-a-1為最佳。 　　E-a、E-b和E-c單元的較佳實施態樣為下列單元： 其中虛線表示至式(I)之結構單元的其餘部分之鍵，及其中半圓鍵表示所涉及的兩個R1 基團彼此連接且形成環。 　　特佳單元係選自下列式： 其中虛線為至式(I)之結構單元的其餘部分之鍵。較佳地，在上述式中，至式(I)之結構單元的其餘部分之鍵位於兩個U基團之間位和對位位置，如E-1單元中所示。 　　上示式之中最佳為式b。 　　R2 較佳在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、具有3至10個碳原子之支鏈烷基、具有6至20個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至20個芳族環原子之雜芳族環系統，其中所述之烷基、芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R4 基團取代。更佳地，R2 在各情況下為相同或不同且係選自H和具有1至10個碳原子之直鏈烷基、和具有3至10個碳原子之支鏈烷基。 　　R3 較佳在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、具有3至10個碳原子之支鏈烷基、具有6至20個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至20個芳族環原子之雜芳族環系統，其中所述烷基、芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R4 基團取代。更佳地，R3 在各情況下為相同或不同且係選自H和具有1至10個碳原子之直鏈烷基、和具有3至10個碳原子之支鏈烷基。 　　R4 較佳在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、CN、Si(R5 )3 、OR5 、具有1至10個碳原子之直鏈烷基和烷氧基、具有3至10個碳原子之支鏈烷基和烷氧基、具有6至20個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至20個芳族環原子之雜芳族環系統，其中二或多個R4 基團可彼此連接且可形成環；及其中所述之烷基和烷氧基及所述之芳族和雜芳族環系統可各自經一或多個R5 基團取代， 　　標號r較佳為1或2，更佳為1。 　　標號s較佳為1或2，更佳為1。 　　標號p較佳為1。 　　標號q較佳為1。 　　標號n較佳為0。 　　標號m較佳為1。 　　標號o較佳為1。 　　標號i較佳為1、2或3，更佳為1或2，且最佳為1。 　　式(I)之結構單元的較佳實施態樣係選自式(I-1)至(I-6)之結構單元 上述式之中，特佳者為式(I-1)。 　　式(I)之較佳結構單元為下列表中所示之結構單元，其中式(I)中所出現之變數Ar1 至Ar5 、m、n、o、p、q、r 和s係選擇如下所示，且其中結構單元係選自以下指定的式中之一者。 式(I)之結構單元的較佳特定實施態樣係顯示於下表中： 聚合物中式(I)之結構單元的比例係在從1至100 mol%之範圍。在一較佳實施態樣中，聚合物中式(I)之結構單元的比例以100 mol%之以結構單元存在於聚合物中的所有可共聚合單體為基準計係在從30至70 mol%之範圍，更佳係在40至60 mol%之範圍，意指本發明之聚合物，以及一或多個式(I)之結構單元，也具有與式(I)之結構單元不同的其他結構單元。 　　此等與式(I)之結構單元不同的結構單元包括彼等如WO 2002/077060 A1、WO 2005/014689 A2和WO 2013/156130中所揭示及列出者。此等以引用方式併入本申請案之揭示中。其他結構單元可來自例如下列種類： 　　第1組：影響聚合物的電洞注入及/或電洞傳輸性質之單元； 　　第2組：影響聚合物的電子注入及/或電子傳輸性質之單元； 　　第3組：具有第1組及第2組之個別單元的組合之單元； 　　第4組：以可獲得電致磷光(electrophosphorescence)而非電致螢光(electrofluorescence)的方式改變發光特性之單元； 　　第5組：改良自單重態至三重態的躍遷(transition)之單元； 　　第6組：影響所得聚合物的發光色彩之單元； 　　第7組：通常用作為聚合物主鏈(backbone)之單元； 　　第8組：中斷聚合物中π電子的非定域化且因此縮短聚合物中的共軛長度之單元。 　　本發明之較佳聚合物為彼等其中至少一結構單元具有電荷傳輸性質者，即彼等含有來自第1組及/或第2組之單元者。 　　來自第1組的具有電洞注入及/或電洞傳輸性質之結構單元為例如三芳基胺、聯苯胺(benzidine)、四芳基-對苯二胺、三芳基膦、啡噻(phenothiazine)、啡(phenoxazine)、二氫啡(dihydrophenazine)、噻蒽(thianthrene)、二苯並-對-戴奧辛(dibenzo-para-dioxin)、啡㗁(phenoxathiine)、咔唑、薁(azulene)、噻吩、吡咯和呋喃衍生物，及其他含有O、S或N之雜環。 　　來自第2組之具有電子注入及/或電子傳輸性質的結構單元為例如吡啶、嘧啶、嗒、吡、㗁二唑、喹啉、喹㗁啉、蒽、苯並蒽、芘、苝、苯並咪唑、三、酮、膦氧化物及啡衍生物，以及三芳基硼烷及其他含有O-、S-或N-之雜環。 　　當本發明之聚合物含有來自第3組之單元時可為較佳，其中增加電洞移動率(hole mobility)及增加電子移動率(electron mobility)之結構(即來自第1組及第2組之單元)彼此直接鍵結、或存在有增加電洞移動率及電子移動率二者之結構。一些此等單元可充當發光體並使發光色彩移至綠色、黃色或紅色。其使用因此適合於例如自最初發藍光的聚合物產生其他發光色彩。 　　第4組之結構單元為彼等即使在室溫下亦可以高效率自三重態發射光者，即呈現電致磷光而非電致螢光，其通常會造成能量效率的增加。適合於此目的，首先，為含有具有原子序大於36之重原子的化合物。較佳化合物為彼等含有可滿足上述條件之d-或f-過渡金屬之化合物。在此特佳者為含有第8至10族的元素(Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt)之對應結構單元。在此用於本發明之聚合物的有用結構單元包括(例如)各種錯合物，如(例如)WO 02/068435 A1、WO 02/081488 A1、EP 1239526 A2和WO 2004/026886 A2中所述。對應單體係述於WO 02/068435 A1和WO 2005/042548 A1中。 　　第5組之結構單元為彼等改良自單重態至三重態之躍遷且(與第4組之結構單元結合使用)改良該等結構單元之磷光性質者。用於此目的之有用的單元尤其是咔唑及橋接咔唑二聚物單元，如例如WO 2004/070772 A2和WO 2004/113468 A1中所述。另外可用於此目的者為酮、膦氧化物、亞碸(sulfoxide)、碸(sulfone)、矽烷衍生物及類似化合物，如(例如)WO 2005/040302 A1中所述。 　　第6組之結構單元以及上述者為彼等包括至少一種不在上述各組之中的其他芳族結構或另一共軛結構，即其對電荷載子移動率(charge carrier mobility)僅有很少的影響、其不為有機金屬錯合物或其不影響單重態-三重態躍遷者。此類結構單元可影響所得聚合物之發光色彩。根據單元，彼等因此亦可用作為發光體。較佳者為具有6至40個碳原子之芳族結構亦或二苯乙炔(tolane)、二苯乙烯或雙苯乙烯伸芳基(bisstyrylarylene)衍生物，彼等各自可經一或多個R基團取代。特佳者為併入1,4-或9,10-伸蒽基，1,6-、2,7-或4,9-伸芘基(pyrenylene)、3,9-或3,10-伸苝基(perylenylene)、4,4’-伸二苯乙炔基(4,4’-tolanylene)、4,4’-伸二苯乙烯基、苯並噻二唑及對應氧衍生物、喹㗁啉、啡噻、啡㗁、二氫啡、雙(噻吩基)伸芳基(bis(thiophenyl)arylene)、寡(伸噻吩基)(oligo (thiophenylene))、啡、紅螢烯、稠五苯或苝衍生物，彼等較佳係經取代，或較佳為共軛推拉系統(經供體及受體取代基取代之系統)或諸如斯夸苷(squarine)或喹吖酮(quinacridone)之系統，彼等較佳係經取代。 　　第7組之結構單元為包括具有6至40個碳原子之芳族結構的單元，其通常係用作為聚合物主鏈。此等為(例如)4,5-二氫芘衍生物、4,5,9,10-四氫芘衍生物、茀衍生物、9,9’-螺聯茀衍生物、菲衍生物、9,10-二氫菲衍生物、5,7-二氫二苯並㗁呯衍生物及順式-和反式茚並茀衍生物，但亦包括1,2-、1,3-或1,4-伸苯基、1,2-、1,3-或1,4-伸萘基、2,2'-、3,3'-或4,4'-伸聯苯基、2,2"-、3,3"-或4,4''-伸聯三苯基、2,2'-、3,3'-或4,4'-聯-1,1'-伸萘基或2,2"'-、3,3"'-或4,4"'-伸聯四苯基衍生物。 　　第8組之結構單元為彼等(例如)經由間位鍵結、立體阻礙或使用飽和碳或矽原子而具有共軛中斷性質者。此種化合物係揭示於例如WO2006/063852、WO 2012/048778和WO 2013/093490中。第8組之結構單元的共軛-中斷性質尤其藉由聚合物的吸收邊緣中之的藍位移來表現。 　　較佳者為本發明之聚合物，其同時含有式(I)之結構單元，以及另外一或多種選自第1組至第8組之單元。特佳者為第1、7和8組的結構單元。當一種以上的來自上述各組中之一者的其他結構單元存在時同樣是較佳的。 　　若本發明之聚合物含有一或多種選自第1至8組之單元，則此等單元中之一或多者，較佳來自第1組之單元，可具有一或多種可交聯基團，較佳一種可交聯基團。 　　本發明之聚合物為由式(I)之結構單元組成的均聚物或共聚物。本發明之聚合物可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈。本發明之共聚物以及一或多種式(I)之結構單元可具有一或多種來自以上詳述之第1至8組的其他結構。 　　本發明之共聚物可具有隨機(random)、交替(alternating)或嵌段(block)結構，或具有交替之二或更多該等結構。更佳地，本發明之共聚物具有隨機或交替結構。更佳地，共聚物為隨機或交替共聚物。其中可獲得具有嵌段結構之共聚物的方式以及何種其他結構單元對此目的為特佳者係詳細描述於例如WO 2005/014688 A2中。此以引用方式併入本申請案中。此時同樣應再次強調聚合物也可具有樹枝狀結構。 　　在本發明另一實施態樣中，本發明之聚合物含有至少一個(較佳一個)含有可交聯Q基團的結構單元。 　　"可交聯Q基團"在本發明的情況下意指能夠進入反應且因此形成不溶化合物之官能基團。反應可為與另一相同Q基團、另一不同Q基團或相同聚合物鏈或另一聚合物鏈的任何其他部分。可交聯基團因此為反應性基團。由於可交聯基團的反應，此可提供對應交聯聚合物。化學反應亦可在層中進行，產生不溶層。交聯通常可隨意地在引發劑的存在下藉由熱或利用UV輻射、微波輻射、x輻射或電子束來促進。"不溶(insoluble)"在本發明的情況下較佳意指本發明之聚合物，在交聯反應之後(即可交聯基團的反應之後)，在室溫下在有機溶劑中具有比對應本發明非交聯聚合物在相同有機溶劑中低至少3倍，較佳為至少10倍的溶解度。 　　該可交聯Q基團可如此經由對應地經可交聯基團取代之單體引入本發明的聚合物中。可替代地且同樣較佳地在特定情況下，該可交聯Q基團可經由為單體的一部分的前驅物Q*基團引入聚合物中。在這種情況下，首先得到之聚合物具有前驅物Q*基團。在對聚合物的反應中，Q*基團接著轉化為實際可交聯Q基團。該類前驅物Q*基團的一個實例為末端醛基團，例如其可藉由Wittig反應轉化為末端烯基。後者則為實際可交聯Q基團。 　　在第一個實施態樣中，具有該可交聯Q基團之結構單元可選自式(I)之結構單元。 　　較佳之結構單元對應於下列式(I-Q-1)至(I-Q-6)中之一者： 其中Q為可交聯基團且較佳如以下指定之較佳實施態樣中所定義，及其中其他變數如上述所定義。 　　包含可交聯Q基團的式(I)之特佳結構單元為下列結構單元： 其中Q為可交聯基團且較佳如以下指定之較佳實施態樣中所定義，及其中其他變數如上述所定義。 　　在一替代實施態樣中，具有Q基團之結構單元係選自上述第1至8組的結構單元，較佳選自上述第1、7和8組的結構單元，更佳為選自上述第1組的結構單元。 　　根據本發明之較佳可交聯Q基團為下列基團： 　　a) 末端或環狀烯基或末端二烯基和炔基： 　　適當單元為彼等含有末端或環狀雙鍵、末端二烯基或末端三鍵，尤其是具有2至40個碳原子，較佳地具有2至10個碳原子的末端或環狀烯基、末端二烯基或末端炔基之單元，其中個別CH2 基及/或個別氫原子也可經上述R基團置換。 　　b) 烯氧基、二烯氧基或炔氧基： 　　另外適當的是烯氧基、二烯氧基或炔氧基，較佳為烯氧基。 　　c) 丙烯酸基團： 　　從最廣義上來說，另外適當的是丙烯酸單元，較佳為丙烯酸酯、丙烯醯胺、甲基丙烯酸酯和甲基丙烯醯胺。特佳者為丙烯酸C1-10 -烷酯與甲基丙烯酸C1-10 -烷酯。 　　在上述a)至c)項下的基團之交聯反應可經由自由基、陽離子或陰離子機制、或透過環化加成進行。 　　建議為交聯反應添加適當的引發劑。用於自由基交聯之適當引發劑為例如過氧化二苯甲醯、AIBN或TEMPO。用於陽離子交聯之適當引發劑為例如AlCl3 、BF3 、過氯酸三苯基甲酯或六氯銻酸鋽(tropylium hexachloroantimonate)。用於陰離子交聯之適當引發劑為鹼，尤其是丁基鋰。 　　然而，在本發明之一較佳實施態樣中，該交聯反應係在沒有添加引發劑下進行，且僅藉由加熱方式引發。此較佳選擇之理由是沒有引發劑的存在可防止該層之會導致裝置性質惡化的污染。 　　d) 氧呾和氧(oxirane)： 　　可交聯Q基團之一另外適當類別為經由開環進行陽離子交聯之氧呾和氧。 　　建議為交聯反應添加適當的引發劑。適當引發劑為例如AlCl3 、BF3 、過氯酸三苯基甲酯或六氯銻酸鋽。同樣可能添加光酸作為引發劑。 　　e) 矽烷： 　　另外適合作為可交聯基團之一類別為矽烷基團SiR3 ，其中至少二個R基團，較佳為三個R基團為C1或具有1至20個碳原子之烷氧基。 　　此基團在水存在下反應以產生寡矽氧烷或聚矽氧烷。 　　f) 環丁烷基團 　　上述a)至f)項下可交聯Q基團為熟習該項技術者眾所周知的，用於這些基團的反應之適當反應條件也為熟習該項技術者眾所周知的。 　　較佳可交聯Q基團包括下列式Q1之烯基、下列式Q2之二烯基、下列式Q3之炔基、下列式Q4之烯氧基、下列式Q5之二烯氧基、下列式Q6之炔氧基、下列式Q7和Q8之丙烯酸基團、下列式Q9和Q10之氧呾基團、下列式Q11之氧基團和下列式Q12、Q13和Q14之環丁烷基團： 在式Q1至Q8、Q11、Q13和Q14中的R11 、R12 、R13 和R14 基團在各種情況下為相同或不同且為H或具有1至6個碳原子(較佳為1至4個碳原子)之直鏈或支鏈烷基。更佳地，R11 、R12 、R13 和R14 為H、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基或三級丁基，且最佳為H或甲基。式Q1至Q14中所用的標號係定義如下：s = 0至8；及t= 1至8。 　　式Q14中之Ar10 係選自具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R11 基團取代之芳族環系統和選自具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R11 基團取代之雜芳族環系統。 　　式Q1至Q11和Q14中的虛線鍵及式Q12和Q13中的虛線鍵表示可交聯基團至結構單元之鍵聯。 　　式Q1至Q14之可交聯基團可直接連接至結構單元，或經由另一單環或多環的芳族或雜芳族環系統Ar10 間接連接至結構單元，如下列式Q15至Q28所示： 其中Ar10 係選自具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R11 基團取代之芳族環系統及選自具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R11 基團取代之雜芳族環系統，及其中： 　　R11 、R12 、R13 和R14 基團在各種情況下為相同或不同且為H或具有1至6個碳原子(較佳為1至4個碳原子)之直鏈或支鏈烷基。更佳地，R11 、R12 、R13 和R14 為H、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基或三級丁基，且最佳為H或甲基。式Q15至Q28中所用的標號係定義如下：s = 0至8；及t= 1至8。 　　特佳可交聯Q基團如下： R11 、R12 、R13 和R14 基團在各情況下可為相同或不同且為H或具有1至6個碳原子(較佳為1至4個碳原子)之直鏈或支鏈烷基。更佳地，R11 、R12 、R13 和R14 為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基或三級丁基且最佳為甲基。 　　式Q1a至Q28a中所使用之標號係定義如下：s = 0至8及t = 1至8。 　　非常特佳可交聯Q基團如下： 含有式(I)之結構單元的本發明之聚合物通常係藉由一或多種類型之單體的聚合來製備，其中至少一單體導致聚合物中之式(I)結構單元。適合的聚合反應為熟習此項技術者已知且描述於文獻中。導致C-C或C-N偶合之特別適合且較佳之聚合反應如下： 　　(A) SUZUKI聚合； 　　(B) YAMAMOTO聚合； 　　(C) STILLE聚合； 　　(D) HECK聚合； 　　(E) NEGISHI聚合； 　　(F) SONOGASHIRA聚合； 　　(G) HIYAMA聚合；及 　　(H) HARTWIG-BUCHWALD聚合。 　　聚合可如何藉由這些方法進行以及聚合物可如何接著從反應介質分離並純化為熟習該項技術者已知且詳細說明於文獻中，例如於WO 2003/048225 A2、WO 2004/037887 A2及WO 2004/037887 A2中。 　　C-C偶合反應較佳地選自SUZUKI偶合、YAMAMOTO偶合及STILLE偶合的群組；C-N偶合較佳為根據HARTWIG-BUCHWALD之偶合。 　　本發明因此亦提供一種製備本發明聚合物之方法，其特徵在於彼等係藉由SUZUKI聚合、YAMAMOTO聚合、STILLE聚合或HARTWIG-BUCHWALD聚合製備，更佳藉由SUZUKI聚合製備。 　　本發明聚合物之合成需要將式(I)之結構單元引入該聚合物的單體化合物。 　　本發明因此進一步提供式(M)之單體其中所出現之變數係如上述所定義，及其中X在各情況下為相同或不同且為適合於聚合反應的脫離基。 　　較佳地，X在各情況下為相同或不同且係選自H、D、鹵素(較佳氯、溴或碘)、O-甲苯磺酸酯、O-三氟甲磺酸酯、O-磺酸酯、酸、酸酯、部份氟化矽基、重氮基團和有機錫化合物。當m為1時，鍵結至左手邊的X基團更佳係選自鹵素(較佳氯、溴或碘)、酸和酸酯。當m為0時，鍵結至左手邊的X基團更佳為H。當o為1時，鍵結至右手邊的X基團較佳選自鹵素(較佳氯、溴或碘)、酸和酸酯。當o為0時，鍵結至右手邊的X基團更佳為H。 　　對於所出現的其他變數，較佳實施態樣與上述對於式(I)之結構單元所指定者相同。 　　單體較佳係使用Buchwald偶合反應、Suzuki偶合反應和溴化反應合成。在較佳方法(流程圖1)中，使溴化胺與下列式的酸衍生物反應其中在Suzuki偶合反應中，BS為酸衍生物。然後將所得偶合產物溴化，其提供可用作單體之式(M)化合物。在替代較佳方法(流程圖2)中，使胺與下列式的鹵素取代之衍生物反應：其中在Buchwald偶合反應中，BS為酸衍生物和Ar為芳族或雜芳族環系統，及x為0或1。然後將所得偶合產物溴化，其提供可用作為單體的式(M)化合物。式(M)之單體係用以製備含有至少一種如上所定義的式(I)之結構單元的本發明之聚合物。 　　本發明之聚合物可以作為純淨的物質，或以與任何其他聚合、寡聚、樹枝狀聚合或低分子量物質一起的混合物使用。低分子量物質在本發明中係理解為意指具有在100至3000 g/mol，較佳為200至2000 g/mol範圍內的分子量之化合物。這些其他物質可例如改良電子性質或本身發光。混合物在上下文中係指包含至少一種聚合物組分之混合物。以此方式，可能製造一或多個由一或多種具有式(I)之結構單元的本發明之聚合物和隨意地一或多種其他聚合物與一或多種低分子量物質的混合物(摻合物)組成之聚合物層。 　　本發明因此另外提供一種聚合物摻合物，其包含一或多種本發明之聚合物，及一或多種其他聚合、寡聚、樹枝狀及/或低分子量物質。 　　本發明另外提供溶液和調配物，其由在一或多種溶劑中的一或多種本發明之聚合物或聚合物摻合物組成。其中可製備該等溶液的方式為熟習此項技術者已知的且描述於(例如)WO 2002/072714 A1、WO 2003/019694 A2及其中所引用之文獻中。 　　可用這些溶液以製造薄聚合物層，例如藉由表面塗佈法(例如旋轉塗佈法)或藉由印刷法(例如噴墨印刷法)。 　　含有具有可交聯Q基團之結構單元的聚合物特別適合於例如藉由熱或光誘導之就地聚合和就地交聯(諸如，例如就地UV光聚合或光圖案化)製造薄膜或塗層，尤其適合於製造結構化塗層。在本文中可能使用純形式的對應聚合物或者如上所述之這些聚合物的調配物或混合物。這些可在有或沒有添加溶劑及/或黏合劑下使用。用於上述方法之適當材料、方法和裝置係描述於例如WO 2005/083812 A2中。可能的黏合劑為(例如)聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚乙烯丁醛和相似的光電中性聚合物。 　　適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(特別是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯並噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯並噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苄基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或此等溶劑之混合物。 　　本發明因此另外提供一種含有具有可交聯Q基團之結構單元的聚合物用於製備交聯聚合物之用途。較佳地藉由WITTIG反應或似WITTIG反應將可交聯基團(更佳為乙烯基或烯基)併入聚合物。若該可交聯基團為乙烯基或烯基，則該交聯反應可經由經熱誘發或藉由輻射之自由基或離子聚合發生。較佳者為經熱誘發之自由基聚合，較佳於少於250℃之溫度，更佳於少於230℃之溫度。 　　隨意地，在交聯方法期間，添加另外的苯乙烯單體以達到更高的交聯度。較佳地，所加苯乙烯單體之比例以100 mol%之以結構單元存在於聚合物中的所有共聚單體為基準計係在從0.01至50 mol%，更佳為0.1至30 mol%之範圍。 　　本發明因此也提供一種製備交聯聚合物之方法，其包含下列步驟： 　　(a) 提供含有具有一或多種可交聯Q基團之結構單元的聚合物；及 　　(b) 自由基或離子交聯，較佳為自由基交聯，其可以熱或藉由輻射誘發，較佳為熱誘發。 　　藉由本發明之方法製備的交聯聚合物不溶於所有標準溶劑。以此方式，即使藉由施加後續的層，也可產生不會溶解或部分溶解的限定層厚度。 　　本發明因此亦關於一種藉由前述方法獲得之交聯聚合物。交聯聚合物如上所述 - 較佳地以交聯聚合物層的形式製造。因為交聯聚合物在所有溶劑中的不溶性，所以藉由上述技術可將另一層由溶劑施加至該種交聯聚合物層的表面上。 　　本發明之聚合物可使用於電子裝置或光電裝置或其製造。 　　本發明因此另外提供本發明之聚合物的用途，其係用於電子裝置或光電裝置，較佳地用於有機電致發光裝置(OLED)、有機場效電晶體(OFET)、有機積體電路(O-IC)、有機薄膜電晶體(TFT)、有機太陽能電池(O-SC)、有機雷射二極體(O-雷射)、有機光電(OPV)元件或裝置或有機感光器(OPC)，更佳地用於有機電致發光裝置(OLED)。 　　本申請案另外提供一種選自上述裝置之裝置，其包含至少一種本發明之聚合物。較佳地，聚合物在此存在於電洞傳輸層中。 　　除了陰極、陽極、發光層及電洞傳輸層之外，有機電致發光裝置亦可包含其他層。此等在各種情況下係選自例如一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、中間層、電荷產生層(IDMC 2003, Taiwan；Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer)及/或有機或無機p/n接面。 　　包含本發明之聚合物的有機電致發光裝置的層順序較佳如下： 　　陽極-電洞注入層-電洞傳輸層-隨意地其他電洞傳輸層-發光層-隨意地電洞阻擋層-電子傳輸層-陰極。另外可能有其他層存在於OLED中。 　　包含本發明之聚合物的OLED之較佳實施態樣為混合裝置，其中存在一個或多個從溶液處理之層和一或多個藉由低分子物質的氣相沈積(vapour deposition)製造之層。此等也稱為組合PLED/SMOLED (聚合發光二極體/小分子有機發光二極體)系統。較佳地，在本發明之裝置中，陽極和發光層之間的層由溶液施加，且發光層和陰極之間的層較佳藉由昇華方法施加。 　　來自溶液的層較佳藉由旋轉塗佈或藉由任何印刷方法(例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷，更佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷)製造。 　　在利用昇華施加該等層的情況下，該等材料係於真空昇華系統中在低於10-5 毫巴，較佳低於10-6 毫巴之初壓力下藉由蒸氣沈積施加。然而，在此情況下，初壓力也可能甚至更低，例如低於10-7 毫巴。 　　在一替代實施態樣中，藉由OVPD(有機氣相沈積)方法或輔以載體-氣體昇華施加一或多層。在此情況下，該等材料係在介於10-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機蒸氣噴墨印刷)方法，其中該等材料係藉由噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M. S. Arnold等人之Appl. Phys. Lett. 2008，92，053301)。 　　其中可製造OLED的方式為熟習該項技術者已知且例如以一般方法詳述於WO 2004/070772 A2中，其必須對個別情況而適當調整。 　　本發明之聚合物尤其適合使用於OLED之電洞傳輸層。電洞傳輸層在此尤其係理解為意指鄰接在陽極側上之發光層的層。 　　然而，本發明之聚合物亦可使用於電洞注入層(HIL)、電洞阻擋層(HBL)和發光層中。當聚合物使用於發光層中時，彼等較佳充當基質材料且尤其是充當電洞傳輸及/或充當寬能帶間隙基質材料。電洞注入層尤其係理解為意指直接鄰接陽極且配置在陽極和電洞傳輸層之間的層。電洞阻擋層尤其係理解為意指直接鄰接在陰極側上之發光層且配置在發光層和電子傳輸層之間的層。 　　電子裝置中不同功能材料之較佳實施態樣係列於下文中。 　　較佳螢光發光化合物係選自芳基胺之類別。芳基胺或芳族胺在本發明的情況下係理解為意指含有三個直接鍵結至氮的經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統的化合物。較佳地，此等芳族或雜芳族環系統中之至少一者為稠合環系統，更佳具有至少14個芳族環原子。此等的較佳實例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族胺或芳族二胺。芳族蒽胺係理解為意指其中一個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9位置)之化合物。芳族蒽二胺係理解為意指其中兩個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9,10-位置)之化合物。芳族芘胺、芘二胺、胺及二胺係類似地定義，其中二芳胺基較佳地在1位置或1,6位置上與芘鍵結。其他較佳發光化合物為茚並茀胺或茚並茀二胺(例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630)、苯並茚並茀胺或苯並茚並茀二胺(例如根據WO 2008/006449)及二苯並茚並茀胺或二苯並茚並茀二胺(例如根據WO 2007/140847)、及WO 2010/012328中所揭示之具有稠合芳基之茚並茀衍生物。同樣較佳的是WO 2012/048780及WO 2013/185871中所揭示之芘芳基胺。同樣較佳的是WO 2014/037077中所揭示之苯並茚並茀胺、WO 2014/106522中所揭示之苯並茀胺、WO 2014/111269和WO 2017/036574中所揭示之延伸的(extended)苯並茚並茀、WO 2017/028940和WO 2017/028941中所揭示之啡、和WO 2016/150544中所揭示之鍵結至呋喃單元或噻吩單元的茀衍生物。 　　特佳者為WO 2014/111269中所揭示之用作為發光層中的螢光發光體之延伸的苯並茚並茀。 　　供使用於包含本發明聚合物的裝置之發光層中的較佳螢光發光體係顯示於下： 較佳地用於螢光發光化合物之有用基質材料包括各種物質類別的材料。較佳的基質材料係選自下列類別：寡聚伸芳基(oligoarylene)(例如根據EP 676461之2,2’,7,7’-四苯基螺聯茀或二萘基蒽)，尤其是含有稠合芳族基團之寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基(oligoarylenevinylene)(例如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi)、多牙(polypodal)金屬錯合物(例如根據WO 2004/081017)、電洞傳導化合物(例如根據WO 2004/058911)、電子傳導化合物，尤其是酮、膦氧化物、亞碸、等等(例如根據WO 2005/084081和WO 2005/084082)、阻轉異構物(例如根據WO 2006/048268)、酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)或苯並蒽(例如根據WO 2008/145239)。特佳基質材料係選自下列類別：包含萘、蒽、苯並蒽及/或芘之寡聚伸芳基或這些化合物的阻轉異構物、寡聚伸芳基伸乙烯基、酮、膦氧化物和亞碸。非常特佳的基質材料係選自下列類別：包含蒽、苯並蒽、苯並菲及/或芘之寡聚伸芳基或這些化合物的阻轉異構物。寡聚伸芳基在本發明的情況下應理解為意指一種其中至少三個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。進一步較佳者為WO 2006/097208、WO 2006/131192、WO 2007/065550、WO 2007/110129、WO 2007/065678、WO 2008/145239、WO 2009/100925、WO 2011/054442和EP 1553154中所揭示之蒽衍生物，EP 1749809、EP 1905754和US 2012/0187826中所揭示之芘化合物、WO 2015/158409中所揭示之苯並蒽基蒽(benzanthracenylanthracene)化合物、WO 2017/025165中所揭示之茚並苯並呋喃、及WO 2017/036573中所揭示之菲基蒽(phenanthrylanthracene)。 　　供使用於包含本發明之聚合物的裝置之發光層中的螢光發光體之較佳基質材料係顯示於下： 適當磷光發光化合物(=三重態發光體)尤其是在適當激發時發光(較佳在可見光區域內)且也含有至少一種原子序大於20，較佳為大於38且少於84，特佳為大於56且少於80的原子之化合物。較佳者為使用含有下列元素之化合物作為磷光發光化合物：銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪，尤其是含有銥、鉑或銅的化合物。在本發明情況下，所有發光銥、鉑或銅錯合物被認為是磷光發光化合物。 　　上述發光化合物的實例可見於申請案WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373和US 2005/0258742。通常，如使用於根據先前技術之磷光OLED且如熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物皆適合。 　　用於磷光發光化合物之較佳基質材料為芳族酮、芳族膦氧化物或芳族亞碸或碸(例如根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如CBP(N,N-雙咔唑基聯苯基(N,N-biscarbazolylbiphenyl))或WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中所揭示之咔唑衍生物)、吲哚並咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚並咔唑衍生物(例如根據WO 2010/136109、WO 2011/000455或WO 2013/041176)、氮雜咔唑衍生物(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如 根據WO 2005/111172)、氮硼雜環戊烯(azaborole)或酸酯(例如根據WO 2006/117052)、三衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)和四氮雜矽雜環戊二烯衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)、橋接咔唑衍生物(例如根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080)、聯伸三苯衍生物(例如根據WO 2012/048781)或內醯胺(例如根據WO 2011/116865或WO 2011/137951)。 　　適當電荷傳輸材料，如可使用於根據本發明之電子裝置的電洞注入層或電洞傳輸層或電子阻擋層或於電子傳輸層中，除了本發明之聚合物以外，為(例如)Y. Shirota等人之Chem. Rev. 2007，107(4)，953-1010中所揭示之化合物或根據先前技術使用於此等層中之其他材料。 　　於電子傳輸層中的材料，除了本發明化合物以外，可為根據先前技術用作為電子傳輸層中的電子傳輸材料之任何材料。尤其適合的是鋁錯合物(例如，Alq3 )、鋯錯合物(例如Zrq4 )、鋰錯合物(例如Liq)、苯並咪唑衍生物、三衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡衍生物、喹㗁啉衍生物、喹啉衍生物、㗁二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物及膦氧化物衍生物。其他適當材料為上述化合物之衍生物，如JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975及WO 2010/072300中所揭示。 　　電子裝置之較佳陰極為具有低功函數之金屬、金屬合金或由各種金屬(諸如，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等))組成之多層結構。另外適合的是由鹼金屬或鹼土金屬和銀組成的合金，例如由鎂和銀組成的合金。在多層結構之情況中，除所述之金屬外，也可能使用具有較高功函數之其他金屬，諸如，例如Ag或Al，在該情況中通常使用金屬之組合，諸如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag。較佳亦可於金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。為此目的可使用的材料之實例為鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但亦為對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2 O、BaF2 、MgO、NaF、CsF、Cs2 CO3 、等等)。為此目的也可能使用喹啉酸鋰(LiQ)。此層之層厚度較佳係介於0.5和5 nm之間。 　　較佳陽極為具有高功函數之材料。較佳地，陽極具有相對於真空為大於4.5 eV之功函數。首先，具有高氧化還原電位之金屬適合於此目的，例如Ag、Pt或Au。其次，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )亦可為較佳。就一些應用而言，電極中之至少一者必須為透明或部分透明，以便能照射有機材料(有機太陽能電池)或發射光(OLED、O-雷射)。較佳陽極材料在此為導電性混合型金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。進一步較佳者為導電性摻雜型有機材料(conductive doped organic material)，尤其為導電性摻雜型聚合物。此外，陽極亦可由二或多層所組成，例如由ITO之內層及金屬氧化物(較佳為氧化鎢、氧化鉬或氧化釩)之外層所組成。 　　根據本發明，包含一或多種本發明聚合物之電子裝置可用於顯示器中、作為照明應用中的光源及作為醫療及/或美容應用(例如光療法)中的光源。
實施例 A) 合成例： 1) 本發明單體之合成 1-1) 下列建構組元(building block)(BB)係用於合成製備本發明聚合物的單體： a) 四氫萘類似的建構組元 b) 胺建構組元 1-2) 四氫萘-類似建構組元及胺建構組元之Suzuki反應以產生偶合產物 實施例反應將57 g (176 mmol)的BB-501、57.7 g (176 mmol，1 eq.)的BB-020、10.16 g (9 mmol，0.05 eq)的肆(三苯基膦)鈀(0)(CAS：14221-01-3)和53.46 g (387 mmol，2.2 eq)碳酸鉀稱入具有精密玻璃攪拌器、加熱浴、回流冷凝器和氬氣連接之2升四頸燒瓶中，將系統以保護氣體惰化。添加400 ml的甲苯、250 ml的1,4-二㗁烷和115 ml的水，並將反應混合物在回流下加熱24 小時。冷卻後，將混合物用水稀釋，分離出有機相，並在減壓下移除溶劑。將殘餘物從庚烷重複再結晶且然後昇華。獲得34.8 g (44.42%，78 mmol)的無色固體DB-1031。 　　下列結構可藉由相同的方法獲得且具有相似的產率： 1-3) 四氫萘-類似建構組元與胺建構組元之Buchwald反應產生偶合產物將81 g (288 mmol)的BB-051、53.61 g (317 mmol，1.1 eq)的BB-750、41.5 g (432 mmol，1.5 eq)的三級丁醇鈉、2.36 g (5.76 mmol，0.02 eq)的2-二環己膦基-2’,6’-甲氧基聯苯 (SPhos)、647 mg (2.88 mmol，0.01 eq)的乙酸鈀(II)稱入具有精密玻璃攪拌器、回流冷凝器和氬氣連接之2升四頸燒瓶中，及添加600 ml的甲苯、500 ml的乙醇和350 ml的水。將反應混合物在回流下煮沸48小時，使冷卻，並用500 ml水和500 ml甲苯稀釋，分離各相。將有機相通過中性氧化鋁過濾，並在減壓下移除溶劑。將500 ml的乙醇加至殘餘物中，將其在50℃下攪拌過夜。以吸濾濾出固體並在減壓下乾燥。獲得65.4 g (177 mmol，61%產率)的無色固體BB-2013。 　　下列結構可藉由相同的方法獲得且具有相似的產率： 1-4) 偶合產物之溴化以產生單體化合物在具有回流冷凝器、氬氣連接、精密玻璃攪拌器和加熱浴之4升四頸燒瓶中，將130.4 g (292.6 mmol)的 BB-1031溶解在2500 ml的二氯甲烷中，添加0.5 ml的冰醋酸，及分批添加104.2 g (585.2 mmol，2 eq)的N-溴琥珀醯亞胺(CAS：128-08-5)。將反應混合物在室溫下攪拌且避光24小時，用水萃取，並在減壓下移除溶劑。將殘餘物在1500 ml的乙醇中煮沸，以吸濾濾出固體，並從甲基乙基酮和庚烷重複再結晶。獲得115.9g(192 mmol，65.6%產率)呈無色固體之本發明單體MON-0032。 　　下列本發明之單體可藉由相同的方法獲得且具有相似的產率： 2) 其他所使用之單體： 3) 聚合物之合成 　　藉由WO 2003/048225中所述方法藉由SUZUKI偶合從以上所揭示之單體製備比較聚合物V1和V2及本發明聚合物Po1至Po22。 　　在聚合物的製備中，如下所述將如下所述單體以對應百分比使用於反應混合物中。以此方式製備的聚合物V1和V2及Po1至Po22在消去脫離基後，含有下表中所報導的百分比(百分數= mol%)之結構單元。 　　在由具有醛基的單體製備之聚合物的情況下，該醛基在藉由WO 2010/097155中所述的方法(使用第36/37頁之合成方法的實施例)以WITTIG反應聚合之後，轉化為可交聯乙烯基。下表中對應列出的聚合物因此具有可交聯乙烯基而不是原來存在的醛基。 　　藉由ICP-MS測定聚合物的鈀和溴含量。所測定的值低於10 ppm。 　　分子量Mw 和多分散性D係利用凝膠滲透層析法(GPC)(型號：Agilent HPLC系統系列1100，管柱：來自聚合物實驗室的PL-RapidH；溶劑：具有0.12體積%鄰二氯苯之THF；檢測：UV和折射率；溫度：40℃)測定。以聚苯乙烯標準品進行校準。 　　直接比較：此外，使用下列單體構建組元製備下列本發明之聚合物：Mon-0032、Mon-0033、Mon-0036、Mon-0039、Mon-0042、Mon-0043、Mon-0054、Mon-0084、Mon-0164、Mon-0406、Mon-0410、Mon-0429、Mon-1006、Mon-1013、Mon-1031、Mon-1040、Mon-1041 及 Mon-1049 (關於結構參見上表)。 B)改良溶解特性的實施例 　　溶液的濃度：7 mg/ml，溶劑：3-苯氧基甲苯就本發明聚合物而言的聚合物總量成為溶液之前的時間縮短約20%。 C)裝置例 　　可從溶液處理本發明之聚合物。溶液處理之OLED比真空處理之OLED更容易製造，且仍然具有良好的性質。 　　在文獻中已經有許多製造該以溶液為主的OLED的說明，例如於WO 2004/037887和WO 2010/097155中。該方法與下文所述的情況(層厚度變化、材料)相匹配。本發明之聚合物係以二種不同的層順序使用： 　　結構A如下： 　　-基板， 　　-ITO (50 nm)， 　　-電洞注入層 (HIL) (20 nm)， 　　-電洞傳輸層 (HTL) (20 nm)， 　　-發光層 (EML) (60 nm)， 　　-電洞阻擋層 (HBL) (10 nm) 　　-電子傳輸層 (ETL) (40 nm)， 　　-陰極(Al) (100 nm)。 　　結構B如下： 　　-基板， 　　-ITO (50 nm)， 　　-電洞注入層(HIL) (20 nm)， 　　-電洞傳輸層(HTL) (20 nm)， 　　-發光層(EML) (30 nm)， 　　-電洞阻擋層(HBL) (10 nm) 　　-電子傳輸層(ETL) (40 nm)， 　　-陰極(Al) (100 nm)。 　　所使用之基板為用50 nm厚度的結構化ITO(氧化銦錫)塗佈之玻璃板。利用旋轉塗佈在惰性氛圍中施加電洞注入層。為此目的，將電洞傳輸的可交聯聚合物和p-摻雜鹽溶於甲苯中。對應材料特別已描述於WO 2016/107668、WO 2013/081052和EP2325190中。對於所得20 nm的層厚度，使用6 mg/ml的固體含量。隨後將該層於惰性氣體氛圍中在200℃的熱板上烘烤30分鐘。接著將電洞傳輸和發光層施加至此等經塗佈之玻璃板。 　　所使用之電洞傳輸層為本發明之化合物和比較化合物，各溶解於甲苯中。這些溶液的固體含量為5 mg/ml，因為利用旋轉佈塗達到20 nm的層厚度。該層在惰性氣體氛圍中旋轉，並在220℃的熱板上烘烤30分鐘。 　　結構A之發光層由主體材料H2和H3及發光摻雜劑D2組成。所有三種材料以30% H2、55%H3和15% D2的重量比例存在於發光層中。將用於發光層的混合物溶於甲苯中。此溶液的固體含量為18 mg/ml，因為利用旋轉佈塗達到60 nm的層厚度。該層在惰性氣體氛圍中旋轉並在150℃下烘烤10分鐘。 　　結構B之發光層由主體材料H1及發光摻雜劑D1組成。所有二種材料以92% H1和8% D1的重量比例存在於發光層中。將用於發光層的混合物溶於甲苯中。此溶液的固體含量為9 mg/ml，因為利用旋轉佈塗達到30 nm的層厚度。該層在惰性氣體氛圍中旋轉並在150℃下烘烤10分鐘。 　　在本例中所使用之材料係顯示於表C1中。 表C1： 　　發光層中所使用之材料的結構式 用於電洞阻擋層和電子傳輸層之材料係在真空室中藉由熱氣相沈積施加並顯示於表C2中。電洞阻擋層由ETM1組成。電子傳輸層由二種材料ETM1和ETM2組成，彼等藉由共蒸發各以50%的體積比例混合。 表C2： 所使用之HBL和ETL材料陰極係由熱蒸發厚度100 nm的鋁層形成。 　　OLED係以標準方法示性。為此目的，測定電致發光光譜、及假設Lambertian輻射特性之電流-電壓-發光強度特徵(IUL特徵)及(操作)壽命。使用IUL特性以測定參數例如於特定亮度之外部量子效率(%)。LD80 @ 1000 cd/m²為給定1000 cd/m²之開始亮度的OLED已下降至開始強度之80%(即至800 cd/m²)的壽命。 　　不同OLED的性質總結在表C3a、C3b和C3c中。 　　實施例C01和C02為比較例；所有其他實施例均顯示包含本發明電洞傳輸聚合物之OLED的性質。製得包含本發明材料作為HTL的發藍光和綠光的OLED。 表C3a： OLED之性質 表C3b： OLED之性質 如表C3a和C3b中的結果所示，本發明之聚合物，當用作為綠色磷光和藍色螢光的OLED中之電洞傳輸層時，導致超越先前技術的改良，特別是有關壽命、效率和電壓的改良。 表C3c： OLED之性質 表3c顯示包含本發明聚合物Po5、Po21和Po22的OLED之效率和壽命。所述聚合物就這些參數而言獲得良好的結果。 　　其他聚合物Po3、Po4和Po6-Po20也可以與上示相同的方式使用，以製造藍色螢光或綠色磷光OLED。此等也具有良好的性質，特別是良好的壽命和效率。 　　此外，已發現含有具有一或多個R1 基團(尤其是烷基)作為由U基團組成之環系統上的取代基之結構單元的聚合物達到比含有由U基團組成之環系統上的未經取代基之結構單元的聚合物更好的OLED性質。

Claims (18)

  1. 一種聚合物，其含有至少一種式(I)之結構單元其中所出現之變數如下： 　　U在各情況下為相同或不同且為C(R1 )2 、CR1 =CR1 、Si(R1 )2 、O或S，其中選自CR1 =CR1 、O和S之基團彼此不直接鍵結； 　　Z在各情況下為相同或不同且當沒有基團與其鍵結時，為N或CR2 ，及當一基團與其鍵結時，為C； 　　Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 和Ar5 為相同或不同且係選自具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R3 基團取代之雜芳族環系統及選自具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R3 基團取代之芳族環系統； 　　R1 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R4 、CN、Si(R4 )3 、N(R4 )2 、P(=O)(R4 )2 、OR4 、S(=O)R4 、S(=O)2 R4 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1 或R2 或R3 基團可彼此連接且可形成環；其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述之芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R4 基團取代；及其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經-R4 C=CR4 -、-C≡C-、Si(R4 )2 、C=O、C=NR4 、 -C(=O)O-、-C(=O)NR4 -、NR4 、P(=O)(R4 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R2 、R3 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R4 、CN、Si(R4 )3 、N(R4 )2 、P(=O)(R4 )2 、OR4 、S(=O)R4 、S(=O)2 R4 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1 或R2 或R3 基團可彼此連接且可形成環；其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述之芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R4 基團取代；及其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經-R4 C=CR4 -、-C≡C-、Si(R4 )2 、C=O、C=NR4 、‑C(=O)O-、-C(=O)NR4 -、NR4 、P(=O)(R4 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R4 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R5 、CN、Si(R5 )3 、N(R5 )2 、P(=O)(R5 )2 、OR5 、S(=O)R5 、S(=O)2 R5 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R4 基團可彼此連接且可形成環；其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述之芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R5 基團取代；及其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R5 C=CR5 -、-C≡C-、Si(R5 )2 、C=O、C=NR5 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR5 -、NR5 、P(=O)(R5 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R5 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R5 基團可彼此連接且可形成環；及其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基、芳族環系統和雜芳族環系統可經F或CN取代； 　　r當p為1時，為1、2或3，及當p為0時，為1； 　　s當q為1時，為0、1、2或3，當q為0時，為1； 　　p為0或1；其中當p為0時，鍵結至標號p的方括號之間的單元之基團彼此直接鍵結； 　　q為0或1；其中當q為0時，鍵結至標號q的方括號之間的單元之基團彼此直接鍵結； 　　n為0或1，其中當n為0時，鍵結至標號n的方括號之間的單元之基團彼此直接鍵結； 　　m為0或1，其中當m為0時，鍵結至標號m的方括號之間的單元之基團彼此直接鍵結； 　　o為0或1，其中當o為0時，鍵結至標號o的方括號之間的單元之基團彼此直接鍵結； 　　i在各情況下為相同或不同且為1、2、3、4、5、6、7或8； 　　其中存在至少一個U基團，其含有一或多個選自下列之R1 基團：具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、和具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1 或R2 或R3 基團可彼此連接且可形成環；其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述之芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R4 基團取代；及其中所述之烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R4 C=CR4 -、-C≡C-、Si(R4 )2 、C=O、C=NR4 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR4 -、NR4 、P(=O)(R4 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換。
  2. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 和Ar5 在各情況下為相同或不同且係選自苯、聯苯、聯三苯、茀、萘、菲、茚並茀、螺聯茀、二苯並呋喃、二苯並噻吩、咔唑、茚並咔唑及吲哚並咔唑，彼等各自可經一或多個R1 基團取代。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項之聚合物，其中R1 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、具有1至10個碳原子之直鏈烷基和具有3至10個碳原子之支鏈烷基。
  4. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中彼等兩個U基團與帶有選自下列的R1 基團之橋頭碳原子直接相鄰：F、CN、Si(R4 )3 、OR4 、具有1至10個碳原子之直鏈烷基和烷氧基、具有3至10個碳原子之支鏈烷基和烷氧基、和具有6至20個芳族環原子之芳族環系統，其中二或多個R1 或R2 或R3 基團可彼此連接且可形成環；及其中所述之烷基和烷氧基及所述之芳族環系統可各自經一或多個R4 基團取代。
  5. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中式(I)之結構單元中的單元係選自式(E-1)之單元其中自由鍵為至其餘式(I)之結構單元的鍵，且其中該等所出現的變數係如申請專利範圍第1至4項中之一或多項中所定義。
  6. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中式(I)之結構單元中的單元係選自下列單元： 其中虛線表示至其餘式(I)之結構單元的鍵，及其中半圓鍵意指所涉及的兩個R1 基團彼此連接並形成環，且其中該等所出現的變數係如申請專利範圍第1至5項中之一或多項中所定義。
  7. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中該結構單元對應於式 (I-1)至(I-6)中任一者的式(I) 其中該等所出現的變數係如申請專利範圍第1至6項中之一或多項中所定義。
  8. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中聚合物中式(I)之結構單元的比例係在30至70 mol%之範圍，以100 mol%之聚合物中存在作為結構單元之所有可共聚的單體為基準計。
  9. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中該聚合物含有至少一個含有可交聯Q基團之結構單元。
  10. 根據申請專利範圍第9項之聚合物，其中該可交聯Q基團係選自下列式： 其中R11 、R12 、R13 和R14 在各情況下為相同或不同且係選自H和具有1至6個碳原子之直鏈或支鏈烷基，s = 0至8，t = 1至8，和Ar10 係選自具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R11 基團取代之芳族環系統及選自具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R11 基團取代之雜芳族環系統，及其中虛線鍵表示至其餘該式之鍵。
  11. 一種聚合物，可藉由根據申請專利範圍第9或10項之聚合物的交聯反應獲得。
  12. 一種混合物，其包含一或多種根據申請專利範圍第1至11項中之一或多項之聚合物及一或多種其他聚合、寡聚、樹枝狀及/或低分子量物質。
  13. 一種溶液，其包含一或多種根據申請專利範圍第1至11項中之一或多項之聚合物及一或多種溶劑。
  14. 一種根據申請專利範圍第1至11項中之一或多項之聚合物之用途，其係用於電子裝置。
  15. 一種電子裝置，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至11項中之一或多項之聚合物。
  16. 根據申請專利範圍第15項之電子裝置，其中根據申請專利範圍第1至11項中之一或多項之聚合物存在於選自電洞傳輸層、電洞注入層、電子阻擋層和發光層之層中。
  17. 一種製備根據申請專利範圍第1至11項中之一或多項之聚合物之方法，其特徵為進行選自Suzuki聚合、Yamamoto聚合、Stille聚合、Heck聚合、Negishi聚合、Sonogashira聚合、Hiyama聚合和Hartwig-Buchwald聚合之聚合。
  18. 一種式(M)之單體，其中該等所出現的變數係如申請專利範圍第1至6項中之一或多項中所定義，及其中X在各情況下為相同或不同且為適合於聚合反應的脫離基。
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