TWI761406B - 電子裝置用材料 - Google Patents

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Abstract

本申請案關於一種聚合物，其含有至少一種式(I)之結構單元和至少一種選自結構單元A、B和C之其他結構單元。本申請案另外關於聚合物在電子裝置中之用途及一種製備該聚合物之方法。本申請案另外關於包含該聚合物之電子裝置。

Description

電子裝置用材料
本申請案關於一種聚合物，其含有至少一種式(I)之結構單元和至少一種選自結構單元A、B和C之其他結構單元。該聚合物適合使用於電子裝置中。
電子裝置在本申請案的情況下係理解為意指所謂的有機電子裝置，其含有有機半導體材料作為功能材料。更具體地說，這些係理解為意指OLED。術語OLED係理解為意指具有一或多個包含有機化合物之層且在施加電壓時發光的電子裝置。OLED的構造和功能的一般原理對於熟習該項技術者是已知的。 　　在電子裝置中，尤其是OLED，對提高性能數據(尤其是壽命、效率和工作電壓)有很大的興趣。在這些方面，尚未能找到任何完全令人滿意的解決辦法。 　　因此，繼續尋找供用於OLED之新穎材料，尤其是聚合物。 　　在OLED的情況下，以層形式施加材料的二個重要方法為已知的：藉由昇華從氣相施加及從溶液施加。對於後一方法，適當材料包括聚合物。 　　在從溶液施加該材料的具體情況下，多種性質具有重要性，尤其是包括材料在所使用之溶劑中的溶解度和成膜性質。 　　在OLED的電洞傳輸層中使用聚合物的情況下之特別重要的因子為彼等導致裝置的長壽命和效率。當聚合物與同樣從溶液施加之後續藍色發光層組合使用於電洞傳輸層中時，其尤為如此。為此目的之特殊要求為具有大能帶間隙(即HOMO和LUMO之間的大距離)的聚合物。 　　現已發現：上述技術問題中至少一者，較佳一者以上可藉由提供一種含有特定結構單元之新穎聚合物來解決。
本申請案因此提供一種聚合物，其含有至少一種式(I)之結構單元
Figure 02_image003
其中所出現的變數如下： 　　Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 和Ar5 為相同或不同且係選自具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R1 基團取代之雜芳族環系統，及選自具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R1 基團取代之芳族環系統，其先決條件為兩個Ar2 和Ar4 基團中之至少一者在各情況下係在至少一個鍵結至N之鍵的鄰位上經R4 基團取代，其中R4 基團可與其所鍵結之對應Ar2 或Ar4 基團形成環，及其中R4 係直接或經由連接基(linker group)X鍵結至選自Ar2 和Ar4 基團的基團； 　　R1 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R2 、CN、Si(R2 )3 、N(R2 )2 、P(=O)(R2 )2 、OR2 、S(=O)R2 、S(=O)2 R2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R2 基團取代；及其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R2 C=CR2 -、-C≡C-、Si(R2 )2 、C=O、C=NR2 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR2 -、NR2 、P(=O)(R2 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R2 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R3 、CN、Si(R3 )3 、N(R3 )2 、P(=O)(R3 )2 、OR3 、S(=O)R3 、S(=O)2 R3 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1 及/或R2 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R3 基團取代；及其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經-R3 C=CR3 -、-C≡C-、Si(R3 )2 、C=O、C=NR3 、-C(=O)O-、-C(=O)NR3 -、NR3 、P(=O)(R3 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　R3 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R3 基團可彼此連接且可形成環；及其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基、芳族環系統和雜芳族環系統可經F或CN取代； 　　R4 在各情況下為相同或不同且係選自具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R2 基團取代之雜芳族環系統，及選自6至40個芳族環原子且可經一或多個R2 基團取代之芳族環系統； 　　X在各情況下為相同或不同且係選自C(R2 )2 、Si(R2 )2 、NR2 、O、S、和C=O； 　　n為0或1； 　　及至少一種結構單元選自 　　- 由平面芳族基團組成之結構單元A，其係選自具有6至40個芳族環原子之芳基和具有6至40個芳族環原子之雜芳基，其中該平面芳族基團具有至少一個R5 基團，該R5 基團因為其所佔據的空間而導致平面芳族基團相對於由直接相鄰的結構單元之平面芳族基團所形成的平面之扭曲，及其中上述芳基和雜芳基可各自經一或多個其他R5 基團取代； 　　- 含有二個彼此直接鍵結之基團的結構單元B，其係選自具有6至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R5 基團取代之芳基及具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R5 基團取代之雜芳基，其中第二個芳基或雜芳基的共軛平面係以兩基團間的鍵之軸周圍相對於第一個芳基或雜芳基的共軛平面來扭曲；及 　　-對應於式(II-C)之結構單元C
Figure 02_image005
其中 　　Ar6 和Ar7 在各情況下為相同或不同且係選自具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R5 基團取代之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R5 基團取代之雜芳族環系統； 　　R5 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R2 、CN、Si(R2 )3 、N(R2 )2 、P(=O)(R2 )2 、OR2 、S(=O)R2 、S(=O)2 R2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R2 基團取代；及其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R2 C=CR2 -、-C≡C-、Si(R2 )2 、C=O、C=NR2 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR2 -、NR2 、P(=O)(R2 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　k具有0至9的值，及 　　其中式(II-C)中之伸烷基鏈中的一或多個CH2 單元可經選自下列的二價單元置換：C=O、C=NR5 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR5 -、Si(R5 )2 、NR5 、P(=O)(R5 )、O、S、SO和SO2 ；及 　　其中式(II-C)中之伸烷基鏈中的一或多個氫原子可各自經R5 基團置換。 　　在結構單元之式中，虛線表示鍵結至聚合物之相鄰結構單元的鍵。 　　術語"結構單元"在本申請案中係理解為意指以指定的結構多次出現於聚合物中之單元。其可重複出現，即連續出現一次以上，及/或以分離形式出現於聚合物中。較佳地，許多具有所指定之結構的結構單元出現於聚合物中，更佳為10至1000個，最佳為50至500個。若單元指定為聚合物的結構單元，則其在聚合物中的比例以100 mol%之以結構單元存在於聚合物中的所有聚合單體為基準計較佳在從0.01至50 mol%的範圍，更佳在從0.1至30 mol%的範圍和最佳在從0.5至20 mol%的範圍。 　　進一步較佳地，結構單元在本申請案的情況下係衍生自聚合中所使用之單體，因為該單體之反應基已根據其化學反應性和目的進行反應。例如，在含有二個溴原子作為在Suzuki聚合反應中的反應基之單體的情況下，除了溴原子不存在且鍵結至溴原子之鍵現在為鍵結至相鄰結構單元之鍵外，聚合物中所形成之結構單元其特徵在於其對應於單體結構。在含有交聯劑基團或用於交聯劑基團之前驅物基團的單體之情況下，在此交聯劑基團或交聯劑基團之對應前驅物基團的一或多種其他反應可能繼續進行，直到獲得聚合物的對應最終結構單元。 　　R4 基團可與其所鍵結之對應Ar2 或Ar4 基團一起形成環之用字係理解為意指對應的R4 基團，除了鍵結至Ar2 或Ar4 基團之外，也以橋鍵結至Ar2 或Ar4 基團，該橋較佳係選自單鍵、C(R2 )2 、Si(R2 )2 、NR2 、O、S和C=O，更佳係選自單鍵和C(R2 )2 。此以下列圖示說明，其中Ar2 基團為苯基，其中R4 基團為苯基，且其中橋為C(R2 )2 ：
Figure 02_image007
芳基或雜芳基的術語"共軛平面"在本申請中係理解為意指芳基或雜芳基所在的對應平面環之平面。一基團之共軛平面相對於第一基團直接鍵結的其他基團之共軛平面的扭曲在此係理解為意指對應的平面環是以兩基團間的鍵之軸相對於彼此來扭曲的。扭曲可假定任何值，其程度為不可忽略的小，且根據定義，可高達90°。較佳者為介於35°和90°之間的值。 　　芳基在本發明的情況下含有6至40個芳族環原子，其中沒有雜原子。芳基在本發明的情況下係理解為意指簡單芳族環(即苯)或稠合芳族多環(例如萘、菲或蒽)。稠合芳族多環在本申請案的情況下由二或更多個彼此稠合的簡單芳族環組成。環之間的稠合在此係理解為意指這些環彼此共用至少一邊。 　　雜芳基在本發明的情況下含有5至40個芳族環原子，其中至少一個為雜原子。雜芳基的雜原子較佳係選自N、O和S。雜芳基在本發明的情況下係理解為意指簡單雜芳族環(例如吡啶、嘧啶或噻吩)，或稠合雜芳族多環(例如喹啉或咔唑)。稠合雜芳族多環在本發明的情況下由二或更多個彼此稠合的簡單雜芳族環組成。環之間的稠合在此係理解為意指這些環彼此共用至少一邊。 　　可經上述基團取代且可經由任何所要位置與芳族或雜芳族系統連接的芳基或雜芳基尤其理解為意指衍生自苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-3
(chrysene)、苝、聯伸三苯、1,2-苯并苊(fluoranthene)、苯并蒽、苯并菲、稠四苯、稠五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、啡
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
并咪唑(pyrazinimidazole)、喹
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
唑、苯并
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
唑、萘并
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
唑(naphthoxazole)、蒽并
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
唑(anthroxazole)、菲并
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
唑(phenanthroxazole)、異
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、苯并嗒
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、嘧啶、苯并嘧啶、喹
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
啉、吡
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、啡
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、
Figure 106144558-A0304-12-0015-2
啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
二唑、1,2,4-
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
二唑、1,2,5-
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
二唑、1,3,4-
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、1,2,4-三
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、1,2,3-三
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、四唑、1,2,4,5-四
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、1,2,3,4-四
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、1,2,3,5-四
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、嘌呤、蝶啶、吲
Figure 106144558-A0101-12-0029-1
及苯并噻二唑。 　　芳族環系統在本發明的情況下在該環系統中含有6至40個碳原子且不包括任何雜原子作為芳族環原子。芳族環系統在本發明的情況下因此不含任何雜芳基。芳族環系統在本發明的情況下應理解為意指不一定只含有芳基且其中也可能有多個芳基以單鍵或非芳族單元鍵結，例如一或多個隨意地經取代之C、Si、N、O或S原子。在此情況下，該非芳族單元較佳地包含少於10%的非H之原子(以在該系統中的非H之原子總數為基準計)。例如，系統諸如9,9'-螺聯茀、9,9'-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚和二苯乙烯也視為在本發明的情況下之芳族環系統，以及同樣地，其中二或多個芳基(例如)以直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或以矽基連接的系統。此外，其中二或多個芳基經由單鍵彼此連接的系統也視為在本發明的情況下的芳族環系統，例如諸如聯苯與聯三苯的系統。 　　雜芳族環系統在本發明的情況下含有5至40個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。該雜芳族環系統之雜原子較佳係選自N、O及/或S。雜芳族環系統對應於上述芳族環系統之定義，但具有至少一個雜原子作為該芳族環原子中的一者。以此方式，其與就本申請案的定義之意義而言的不可含有任何雜原子作為芳族環原子之芳族環系統不同。 　　具有6至40個芳族環原子之芳族環系統或具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統尤其係理解為意指衍生自在上述芳基與雜芳基項中所提及的基團，及衍生自下列的基團：聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、茚并茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、茚并咔唑、或衍生自此等基團之組合。 　　在本發明的情況下，具有1至20個碳原子之直鏈烷基和具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基及具有2至40個碳原子之烯基或炔基(其中個別氫原子或CH2 基團也可經上述在該等基團的定義中所提及之基團取代)較佳地係理解為意指甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級-戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、或辛炔基。 　　具有1至20個碳原子之烷氧基或烷硫基(其中個別氫原子或CH2 基團也可經上述在該等基團的定義中所提及之基團置換)較佳地係理解為意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基、或辛炔硫基。 　　在本申請案的情況下，二或多個基團一起形成環的用字應理解為特別意指二個基團彼此以化學鍵連接。然而，此外，上述用字也應理解為，若二個基團中之一者為氫，則第二基團鍵結至氫原子所鍵結的位置，形成環。 　　較佳地，Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 和Ar5 在各情況下為相同或不同且係選自具有6至25個芳族環原子之芳族環系統且可經一或多個R1 基團取代。更佳地，Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 和Ar5 在各情況下為相同或不同且係選自苯、聯苯、聯三苯、茀、萘、菲、茚并茀和螺聯茀，彼等可經一或多個R1 基團取代。最佳地，Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 和Ar5 為可經一或多個R1 基團取代之苯。 　　較佳地，R1 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、CN、Si(R2 )3 、N(R2 )2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中所述烷基和烷氧基、所述芳族環系統和所述雜芳族環系統可各自經一或多個R2 基團取代；及其中所述烷基和烷氧基中之一或多個CH2 基團可經-C≡C-、-2 C=CR2 -、Si(R2 )2 、C=O、C=NR2 、 -NR2 -、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR2 -置換。 　　較佳地，R2 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、CN、Si(R3 )3 、N(R3 )2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中所述烷基和烷氧基、所述芳族環系統和所述雜芳族環系統可各自經一或多個R3 基團取代；及其中所述烷基和烷氧基中之一或多個CH2 基團可經-C≡C-、-R3 C=CR3 -、Si(R3 )2 、C=O、C=NR3 、-NR3 -、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR3 -置換。 　　較佳地，R4 在各情況下為相同或不同且係選自具有6至20個芳族環原子且可經一或多個基團取代R2 基團之芳族環系統。 　　較佳地，X為C(R2 )2 。 　　較佳地，n為0。式(I)之一較佳結構單元因此符合式(I-1)
Figure 02_image009
其中所出現的變數係如上述對式(I)所定義。 　　若n = 1，其同樣可為較佳的，則式(I)之結構單元符合式(I-2)
Figure 02_image011
其中所出現的變數係如上述對式(I)所定義。 　　較佳地，至少一個選自Ar2 和Ar4 基團之基團只含有一個或只含有二個R4 基團在氮原子的鄰位，更佳地只有一個R4 基團在氮原子的鄰位，其中R4 係直接或經由連接基(linker group)X鍵結至選自Ar2 和Ar4 基團的基團。 　　在本發明之一較佳實施態樣中，該R4 基團與其所鍵結之Ar2 或Ar4 基團不形成環。 　　在此實施態樣中，較佳式(I)之結構單元符合式(I-1-A)、(I-2-A-1)、(I-2-A-2)和(I-2-A-3)中之一者
Figure 02_image013
Figure 02_image015
Figure 02_image017
Figure 02_image019
其中i為0或1且較佳為0，及其他變數係如上所定義。較佳地，在上式中，Ar2 和Ar4 為在各情況下可經一或多個R1 基團取代之苯基。Ar2 和Ar4 基團除了所示第一[X]i -R4 基團之外，也可於鄰位經另一[X]i -R4 基團取代。 　　當i為0時，所討論之R4 和Ar2 或Ar4 單元彼此直接鍵結。 　　在上述式中，特佳者為式(I-1-A)。 　　在上述式中的說明Ar2 或Ar4 環中之[X]i - R4 和N的鍵結位置在此表示這兩個基團各自於彼此的鄰位。 　　在本發明之一替代性同樣較佳的實施態樣中，R4 基團與其所鍵結之Ar2 或Ar4 基團形成環。 　　式(I)之對應較佳實施態樣在此情況下符合下列式(I-1-B)、(I-2-B-1)、(I-2-B-2)和(I-2-B-3)：
Figure 02_image021
Figure 02_image023
Figure 02_image025
Figure 02_image027
其中i為0或1，且較佳為0， 　　其中Y在各情況下為相同或不同且係選自單鍵、C(R2 )2 、Si(R2 )2 、NR2 、O、S和C=O，且較佳係選自單鍵和C(R2 )2 ， 　　及其他變數係如上所定義。 　　在一較佳實施態樣中，在Y基團上呈C(R2 )2 之二個R2 基團形成環，產生螺單元。較佳地，在此形成螺聯茀，因為R2 基團為苯基，二個R2 基團彼此以單鍵連接，R4 為苯基，及標號i為零，使得R4 直接鍵結至其所鍵結之基團。 　　在上述式中，特佳者為式(I-1-B)。 　　更佳地，式(I)之結構單元符合式(I-1-A-A)、(I-1-A-B)和(I-1-B-A)中之一者
Figure 02_image029
Figure 02_image031
Figure 02_image033
其中i為0或1，且較佳為0， 　　其中芳族六員環可各自於顯示為未經取代之位置經R1 或R2 基團取代，及其中所出現的變數係如上所定義。在上述式中，特佳者為式(I-1-A-A)和(I-1-B-A)。 　　較佳地，在式(I-1-A-A)和(I-1-A-B)中，i為0，使得R4 和苯基彼此直接鍵結。 　　較佳地，在式(I-1-B-A)中，i為0，使得二個苯基彼此直接鍵結，且Y為C(R2 )2 。較佳實施態樣在此為對應於C(R2 )2 的Y基團中之R2 為苯基，及二個R2 基團彼此以單鍵連接，使得螺聯茀單元係鍵結至氮原子。 　　式(I)之較佳實施態樣對應於WO 2013/156130中所揭示之式(VIIIa)至(VIIIh)、(IXa)至(IXg)和(Xa)至(Xc)，其中R將置換為R1 或R2 ，k、m、n和p表示所討論的各環中可能的取代基之數量，及v為1至20，較佳為1至10。此外，式(I)之較佳實施態樣為WO 2013/156129第26-34頁的表中所揭示之式子，其中R將置換為R1 或R2 ，k、m、n和p表示所討論的各環中可能的取代基之數量，s為1至20，較佳為1至10，及X為C(R5 )2 。 　　式(I)之特佳結構單元係描述於下表中：
Figure 02_image035
Figure 02_image037
較佳地，聚合物含有至少一種選自結構單元A和B之結構單元。 　　較佳結構單元A符合式(II-A)
Figure 02_image039
其中R5 係如上所定義且有至少一個R5 基團為非H和D。較佳地，在式(II-A)中，有至少二個R5 基團為非H和D。更佳地，在式(II-A)中，只有二個R5 基團為非H和D。 　　較佳地，在式(II-A)中，有至少一個選自下列之R5 基團：具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、烷氧基、烯基和炔基及該芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R2 基團取代。較佳地，只有二個此類別之R5 基團。 　　式(II-A)之一較佳實施態樣符合式(II-A-1)
Figure 02_image041
其中R5 在各情況下為相同或不同且係選自具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、烷氧基、烯基和炔基及該芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R2 基團取代。 　　式(II-A)之特佳結構單元係顯示於下：
Figure 02_image043
Figure 02_image045
Figure 02_image047
Figure 02_image049
較佳結構單元B符合式(II-B)
Figure 02_image051
其中 　　R5A 在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R2 、CN、Si(R2 )3 、N(R2 )2 、P(=O)(R2 )2 、OR2 、S(=O)R2 、S(=O)2 R2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1 基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R2 基團取代；及其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2 基團可經 -R2 C=CR2 -、-C≡C-、Si(R2 )2 、C=O、C=NR2 、-C(=O)O-、 -C(=O)NR2 -、NR2 、P(=O)(R2 )、-O-、-S-、SO或SO2 置換； 　　Ar8 和Ar9 在各情況下為相同或不同且係選自具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R5 基團取代之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R5 基團取代之雜芳族環系統； 　　m和p在各情況下為相同或不同且係選自0和1； 　　及該等萘基於顯示為未經取代之位置可各自經R5 基團取代。 　　較佳地，在式(II-B)中，m和p為0。 　　進一步較佳地，在式(II-B)中，該R5 基團為H。 　　進一步較佳地，式(II-B)之化合物中至少一個R5A 基團不為H或D。 　　進一步較佳地，在式(II-B)中，兩個R5A 基團中之至少一者，更佳為二個R5A 基團中之二者，在各情況下為相同或不同且係選自具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、烷氧基、烯基和炔基及該芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R2 基團取代。更佳地，在式(II-B)中，二個所選R5A 基團為相同。 　　式(II-B)之特佳結構單元係顯示於下表中：
Figure 02_image053
Figure 02_image055
較佳地，在式(II-C)之結構單元中，k具有1至9之值，更佳為3至8之值，最佳為4至8之值。 　　進一步較佳的是式(II-C)的伸烷基鏈未取代，意指沒有伸烷基鏈中的氫原子經R5 基團置換。 　　進一步較佳的是沒有式(II-C)之伸烷基鏈中的CH2 基團經上述二價基團置換。若CH2 基團經上述二價基團置換，則此等較佳為一、二或三個CH2 基團。可置換CH2 基團之二價基團較佳為O。 　　較佳結構單元C符合式(II-C-1)
Figure 02_image057
其中在苯環上及在伸烷基鏈中顯示為未經取代之位置可各自經R5 基團取代，及其中k具有0至9的值，及其中伸烷基鏈中之CH2 基團可各自經二價O基團置換。 　　較佳地，k具有上述通常指定為較佳的值。 　　式(II-C)之特佳結構單元係顯示於下表中：
Figure 02_image059
Figure 02_image061
較佳地，彼等對應於聚合物的中結構單元A、B或C的結構單元之比例的總和以100 mol%之作為聚合物中的結構單元而存在之所有共聚單體為基準計係介於20和75 mol%之間。特佳者為30至60 mol%。 　　較佳地，彼等對應於聚合物中的式(I)之結構單元的結構單元之比例的總和以100 mol%之作為聚合物中的結構單元而存在之所有共聚單體為基準計係介於10和60 mol%之間。特佳者為20至50 mol%，最佳者為25至45mol%。 　　較佳地，聚合物含有至少一種具有可交聯Q基團之結構單元。含有可交聯Q基團之結構單元可為式(I)之結構單元、結構單元A、結構單元B、結構單元C或另一結構單元。其他具有可交聯Q基團之結構單元較佳係選自來自進一步指定於下之第1組的結構單元(=影響聚合物的電洞注入及/或電洞傳輸性質之單元)，尤其是三芳基胺結構單元，和來自進一步指定於下之第4組的結構單元(=通常用作為聚合物主鏈之單元)，尤其是茀、茚并茀和螺聯茀結構單元。 　　“可交聯基團"在本申請案的情況下意指能夠進入聚合物中的反應且因此形成不溶性化合物之官能基。反應可為與相同或另一聚合物鏈之另一相同的Q基、另一不同之Q基或任何其他部分之反應。可交聯基團因此為反應性基團。由於可交聯基團的化學反應，此提供對應的交聯聚合物。 　　該交聯反應可在包含含有可交聯基團之結構單元的聚合物之聚合物層內進行，形成不溶性聚合物層。交聯可利用熱或利用UV輻射、微波輻射、x-輻射或電子束促進，且隨意地在引發劑存在下進行。”不溶性”在本申請案的情況下較佳意指在交聯反應後(即在可交聯基團之反應後)聚合物於室溫下在有機溶劑中的溶解度比本發明之對應的未交聯聚合物在相同有機溶劑中的溶解度低至少3倍，較佳地低至少10倍。 　　可交聯基團的一項特殊任務為藉由交聯反應將聚合物彼此連接起來。原則上適合作為可交聯基團的化學基團為熟悉本申請案領域之技藝的技術人員之普通技術知識的一部分。 　　該交聯反應導致交聯聚合化合物，且當反應在聚合物層中進行時，導致交聯聚合物層。交聯層在本發明之情況下係理解為意指可由可交聯聚合物之層進行交聯反應而得到之層。交聯反應通常可利用熱及/或利用UV輻射、微波輻射、x-輻射或電子束及/或使用自由基形成劑、陰離子、陽離子、酸及/或光酸引發。觸媒及/或引發劑之存在同樣可為適當或必要的。較佳地，該交聯反應為不需加入引發劑和觸媒之反應。 　　較佳根據本發明之可交聯Q基團為下列基團： 　　a) 末端或環狀烯基或末端二烯基與炔基： 　　這些包括含有末端或環狀雙鍵、末端二烯基或末端三鍵，尤其是具有2至40個碳原子，較佳地具有2至10個碳原子的末端或環狀烯基、末端二烯基或末端炔基之單元。另外適當的是其為上述基團之前驅物且能夠就地(in situ)形成雙鍵或三鍵之基團，例如醛基。 　　b) 烯氧基、二烯氧基或炔氧基： 　　這些包括烯氧基、二烯氧基或炔氧基，較佳為烯氧基。 　　c) 丙烯酸基團： 　　這些包括從最廣義上來說之丙烯酸單元，較佳為丙烯酸酯、丙烯醯胺、甲基丙烯酸酯與甲基丙烯醯胺。特佳者為丙烯酸C1-10 -烷酯與甲基丙烯酸C1-10 -烷酯。 　　在上述a)至c)項下的基團之交聯反應可經由自由基、陽離子或陰離子機制、或透過環加成進行。 　　該交聯反應最好添加入適當引發劑。用於自由基交聯之適當引發劑為例如過氧化二苯甲醯、AIBN或TEMPO。用於陽離子交聯的適當引發劑為例如AlCl3 、BF3 、過氯酸三苯基甲酯或六氯銻酸鋽(tropylium)。用於陰離子交聯反應之適當引發劑為鹼，尤其是丁基鋰。 　　然而，在本發明之一較佳實施態樣中，該交聯反應係在沒有添加引發劑下進行，且僅利用熱手段引發。這具有優點：沒有引發劑防止可能導致裝置性質惡化的層之污染。 　　d) 氧呾和氧
Figure 106144558-A0101-12-0022-1
： 　　另一適當類別之可交聯Q基團為經由開環進行陽離子交聯之氧呾和氧
Figure 106144558-A0101-12-0022-1
。 　　該交聯反應最好添加入適當引發劑。適當引發劑為例如AlCl3 、BF3 、過氯酸三苯基甲酯或六氯銻酸鹽䓬。也可加入光酸作為引發劑。 　　e) 矽烷： 　　另外適合作為可交聯基團的類別為矽烷基團SiR3 ，其中至少二個R基團，較佳為三個R基團全部為Cl或具有1至20個碳原子之烷氧基。此基團在水存在的情況下反應而產生寡矽氧烷或聚矽氧烷。 　　f) 環丁烷基團 　　這些尤其包括稠合至芳基或雜芳基(例如稠合至苯基)之環丁烷基團。 　　上述可交聯Q基團為熟習該項技術者通常已知的，使用於這些基團的反應之適當反應條件也一樣。 　　在上述Q基團中，特佳者為根據上述a)和f)組的Q基團，非常特別佳者為末端烯基和環丁烷基團。 特佳可交聯Q基團如下：
Figure 02_image063
Figure 02_image065
虛線在此表示鍵結至與所討論之可交聯基團鍵結的結構單元之鍵。 　　上述關於Q基團之較佳式中之R11 、R12 、R13 和R14 基團在各情況下為相同或不同且為H或具有1至6個碳原子，較佳為1至4個碳原子之直鏈或分枝烷基基團。更佳地，R11 、R12 、R13 和R14 基團在各情況下為相同或不同且為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基或三級丁基且最佳為甲基。上述關於Q基團的較佳式中所使用之標號定義如下：s = 0至8及t = 1至8。 　　最佳可交聯Q基團如下：
Figure 02_image067
Figure 02_image069
Figure 02_image071
虛線在此表示鍵結至與所討論之可交聯基團鍵結的結構單元之鍵。 　　帶有Q基團之較佳結構單元係選自上文所定義之式(I)的結構單元。對應的結構單元係以描述式(I-Q)，其中每個結構單元的Q基團之數量不受限制，但較佳為1或2，更佳為1，其中Q係如上所定義，其中"式(I)"表示如上所定義之式(I)的單元：
Figure 02_image073
Q基團在此(且一般在下文中為較佳者)較佳選自上文所指明之Q基團的較佳實施態樣。 　　式(I-Q)之特佳結構單元符合式(I-1-Q)，其中每個結構單元的Q基團之數量不受限制，但較佳為1或2，更佳為1，其中Q係如上所定義，及其中"式(I-1)"表示如上所定義之式(I-1)的單元：
Figure 02_image075
式(I-1-Q)之非常特佳實施態樣符合式(I-1-A-Q-1)或(I-1-A-Q-2)
Figure 02_image077
其中所出現之基團係如對式(I-1-A)所定義，及其中Q係如上所定義，且較佳對應於上文所指明之較佳實施態樣。 　　式(I-1-Q)之非常特佳實施態樣符合式(I-1-B-Q-1)、(I-1-B-Q-2)、(I-1-B-Q-3)和(I-1-B-Q-4)中之一者
Figure 02_image079
Figure 02_image081
其中所出現之基團係如對式(I-1-B)所定義，及其中Q係如上所定義，且較佳對應於上文所指明之較佳實施態樣，及其中t(根據Y基團的價)為0、1或2。 　　式(I-Q)之特佳結構單元符合根據式(I-Q)所定義之式(I-2-Q)：
Figure 02_image083
式(I-2-Q)之非常特佳實施態樣符合式(I-2-A-Q-1)或 (I-2-A-Q-1)
Figure 02_image085
Figure 02_image087
其中所出現之基團係如對式(I-2-A)所定義，及其中Q係如上所定義，且較佳對應於上文所指明之較佳實施態樣。 　　式(I-2-Q)之非常特佳實施態樣符合式(I-2-B-3-Q-1)、(I-2-B-3-Q-2)或(I-2-B-3-Q-3)
Figure 02_image089
Figure 02_image091
其中所出現之基團係如對式(I-2-B-3)所定義，及其中Q係如上所定義，且較佳對應於上文所指明之較佳實施態樣，及其中t，根據Y基團的價，為0、1或2。 　　式(I-Q)之非常特佳結構單元為WO 2013/156130的第30和32頁的表中所述的結構單元(11a)至(11f)和(11g)至(11o)，其中R將置換為R1 或R2 ，及k、m、n和p表示所討論之各環中可能的取代基數目。 　　帶有Q基團之較佳結構單元係選自上述定義的式(II-A)之結構單元。對應的結構單元係以式(II-A-Q)描述，其中每個結構單元的Q基團之數量不受限制，但較佳為1或2，更佳為1，其中Q係如上所定義，其中"式(II-A)"表示如上所定義之式(II-A)的單元：
Figure 02_image093
式(II-A-Q)之特佳結構單元符合式(II-A-1-Q)，其中每個結構單元的Q基團之數量不受限制，但較佳為1或2，更佳為1，其中Q係如上所定義，其中"式(II-A-1)"表示如上所定義之式(II-A-1)的單元：
Figure 02_image095
式(II-A-1-Q)之非常特佳實施態樣符合(II-A-1-Q-1)、(II-A-1-Q-2)和(II-A-1-Q-3)中之一者式
Figure 02_image097
其中所出現之基團係如對式(II-A-1)所定義，及其中Q係如上所定義，且較佳對應於上文所指明之較佳實施態樣，及其中t為1或2。 　　帶有Q基團之較佳結構單元係選自上文所定義之式(II-B)的結構單元。對應的結構單元係以式(II-B-Q)描述，其中每個結構單元的Q基團之數量不受限制，但較佳為1或2，更佳為1，其中Q係如上所定義，其中"式(II-B)"表示如上所定義之式(II-B)的單元：
Figure 02_image099
式(II-B-Q)之非常特佳實施態樣符合式(II-B-Q-1)、(II-B-Q-2)和(II-B-Q-3)中之一者
Figure 02_image101
Figure 02_image103
其中所出現之基團係如對式(II-B)所定義，及其中Q係如上所定義，且較佳對應於上文所指明之較佳實施態樣，及其中t為1至最多所討論之環中自由鍵結位置的最大值。 　　帶有Q基團之較佳結構單元係選自上文所定義之式(II-C)的結構單元。對應的結構單元係以式(II-C-Q)描述，其中每個結構單元的Q基團之數量不受限制，但較佳為1或2，更佳為1，其中Q係如上所定義，其中"式(II-C)"表示如上所定義之式(II-C)的單元：
Figure 02_image105
式(II-C-Q)。 　　式(II-C-Q)之特佳結構單元符合根據式(II-C-Q)所定義之式(II-C-1-Q)：
Figure 02_image107
式(II-C-1-Q)。 　　式(II-C-1-Q)之非常特佳實施態樣符合式(II-C-1-Q-1)
Figure 02_image109
式(II-C-1-Q-1) 其中所出現之基團係如對式(II-C-1)所定義，及其中Q係如上所定義，且較佳對應於上文所指明之較佳實施態樣，及其中t為0至最多所討論之環中自由鍵結位置的最大值，其中不是所有的t都是0。 　　含有Q基團之結構單元的其他較佳實施態樣為下示式(III-Q-1)和(III-Q-2)之結構單元
Figure 02_image111
其中苯環各自可在未佔用位置經如上所定義之R5 基團取代，及其中t具有1至5的值且較佳為1或2，更佳為1。 　　含有Q基團之結構單元的其他較佳實施態樣為下示式(IV-Q-1)至(IV-Q-3)之結構單元
Figure 02_image113
其中苯環各自可在未佔用位置經如上所定義之R5 基團取代，及其中t具有1至5的值且較佳為1或2，更佳為1。 　　含有一或多個Q基團之結構單元的較佳特定實施態樣係顯示於下表中：
Figure 02_image115
Figure 02_image117
Figure 02_image119
Figure 02_image121
Figure 02_image123
聚合物中可交聯結構單元之比例以100 mol%之作為聚合物中的結構單元而存在之所有共聚單體為基準計係在從1至50 mol%之範圍，較佳在從2至40 mol%之範圍，更佳在從5至30 mol%之範圍。 　　除了式(I)之結構單元、結構單元A、B和C、和可交聯結構單元，聚合物也可含有其他結構單元。 　　其他結構單元可來自(例如)下列類別： 　　第1組：影響聚合物的電洞注入及/或電洞傳輸性質之單元； 　　第2組：影響聚合物的電子注入及/或電子傳輸性質之單元； 　　第3組：具有第1組及第2組之個別單元的組合之單元； 　　第4組：通常用作為聚合物主鏈(backbone)之單元； 　　第5組：影響所得聚合物之膜形態及/或流變性質之單元。 　　來自第1組之具有電洞注入及/或電洞傳輸性質的結構單元為(例如)三芳基胺、聯苯胺、四芳基對苯二胺、三芳基膦、啡噻
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、啡
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、二氫啡
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、噻蒽、二苯并對戴奧辛、啡
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
噻(phenoxathiine)、咔唑、薁、噻吩、吡咯和呋喃衍生物，及其他含有O-、S-或N-之雜環。 　　來自第2組之具有電子注入及/或電子傳輸性質的結構單元為(例如)吡啶、嘧啶、
Figure 106144558-12-1
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、吡
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
二唑、喹啉、喹
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
啉、蒽、苯并蒽、芘、苝、苯并咪唑、三
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
、酮、氧化膦及啡
Figure 106144558-A0304-12-xxxx-4
衍生物，以及三芳基硼烷及其他含有O-、S-或N-之雜環。 　　當本發明之聚合物含有其中增加電洞流動性(mobility)之結構及增加電子流動性之結構(即來自第1組及第2組之單元)彼此直接鍵結、或來自第3組之存在增加電洞流動性及電子流動性二者之結構的單元時，其可為較佳的。一些此等單元可作為發光體並使發光色彩移至綠色、黃色或紅色。其使用因此適合於例如自最初發藍光的聚合物產生其它發光色彩。 　　第4組之結構單元為包括具有6至40個碳原子之芳族結構的單元，其通常用作為聚合物主鏈。此等為(例如)4,5-二氫芘衍生物、4,5,9,10-四氫芘衍生物、茀衍生物、9,9’-螺聯茀衍生物、菲衍生物、9,10-二氫菲衍生物、5,7-二氫二苯并
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
呯衍生物及順式-和反式茚并茀衍生物，但亦包括1,2-、1,3-或1,4-伸苯基、1,2-、1,3-或1,4-伸萘基、2,2'-、3,3'-或4,4'-伸聯苯基、2,2"-、3,3"-或4,4''-伸聯三苯基、2,2'-、3,3'-或4,4'‑聯‑1,1'-伸萘基或2,2"'-、3,3"'-或4,4"'-伸聯四苯基衍生物。 　　第5組之結構單元為彼等影響聚合物之膜形態及/或流變性質者，例如矽氧烷、烷基鏈或氟化基團，但特別也為剛性或撓性單元、液晶形成單元或可交聯基團。 　　在本申請案中，術語"聚合物”意指聚合化合物、寡聚化合物和樹枝狀聚合物。根據本發明之聚合化合物較佳具有10至10000個，更佳10至5000個且最佳10至2000個結構單元。本發明之寡聚化合物較佳具有3至9個結構單元。聚合物之分支因子在此係介於0(直鏈聚合物，沒有分支點)和1(完全分支樹枝狀聚合物)之間。 　　本發明之聚合物較佳為具有在從1000至 2 000 000 g/mol範圍之分子量Mw ，更佳為在從10 000至1 500 000 g/mol範圍之分子量Mw 且最佳在從20 000至 250 000 g/mol範圍之分子量 Mw 。分子量Mw 係利用GPC (=凝膠滲透層析法)對內聚苯乙烯標準品測定。 　　本發明之聚合物較佳具有1至15之多分散性，更佳2至8之多分散性。多分散性在此係利用凝膠滲透層析法對內聚苯乙烯標準品測定。 　　本發明之聚合物可為線型或分枝；彼等較佳為線型。本發明之聚合物可具有隨機、交替或嵌段結構，或具有交替之二或多個該等結構。更佳地，本發明之聚合物具有隨機或交替結構。更佳地，聚合物為隨機或交替聚合物。其中可獲得具有嵌段結構之聚合物的方式以及何種其它結構單元對此目的為特佳者係詳細描述於例如WO 2005/014688 A2中。此以引用方式併入本申請案中。此時同樣應再次強調聚合物也可具有樹枝狀結構。 　　含有上述式之結構單元的本發明之聚合物通常係藉由對應的單體之聚合製備。在各情況下，一特定單體導致一特定的結構單元。適當聚合反應為熟知該項技術者已知且述於文獻中。導致C-C及C-N偶合之特別適合且較佳的聚合反應如下： (A) SUZUKI聚合； (B) YAMAMOTO聚合； (C) STILLE聚合； (D) HECK聚合； (E) NEGISHI聚合； (F) SONOGASHIRA聚合； (G) HIYAMA聚合；及 (H) HARTWIG-BUCHWALD聚合。 　　如何可藉由此等方法進行聚合之方式及如何可接著自反應介質分離聚合物且進行純化之方式為熟習此項技術者已知且詳細描述於文獻中，例如於WO 03/048225 A2、WO 2004/037887 A2和WO 2004/037887 A2中。C-C偶合較佳係選自SUZUKI偶合、YAMAMOTO偶合及STILLE偶合之群組，及更佳為SUZUKI偶合；C-N偶合較佳為HARTWIG-BUCHWALD偶合。 　　本發明因此亦提供一種製備本發明之聚合物的方法，其特徵在於彼等係藉由SUZUKI聚合、YAMAMOTO聚合、STILLE聚合或HARTWIG-BUCHWALD聚合製備，較佳係藉由SUZUKI聚合製備。 　　本發明之聚合物的合成需要選自式(M-I)、(M-II-A)、(M-II-B)和(M-II-C)之單體的單體：
Figure 02_image125
Figure 02_image127
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其中所出現的變數係如上所定義，及其中Z在各情況下為相同或不同且為適合於聚合反應的脫離基。較佳地，Z在各情況下為相同或不同且係選自鹵素(較佳為氯、溴或碘)、O-甲苯磺酸根、O-三氟甲磺酸根、O-磺酸根、硼酸、硼酸酯、部分氟化的矽基、重氮基和有機錫化合物。更佳地，Z在各情況下為相同或不同且係選自鹵素(較佳為氯、溴或碘)、硼酸和硼酸酯。 　　本發明之聚合物的製備在各情況下需要至少一種式(M-I)之單體及至少一種選自式(M-II-A)、(M-II-B)和(M-II-C)之單體的其他單體。 　　本發明因此同樣提供一種混合物，其包含至少一種式(M-I)之單體及至少一種選自式(M-II-A)、(M-II-B)和(M-II-C)之單體的其他單體。 　　本發明之聚合物可以純淨的物質(neat substance)，或以與任何其他聚合、寡聚、樹枝狀聚合或低分子量物質的混合物使用。低分子量物質在本發明中係理解為意指具有在100至3000 g/mol，較佳為200至2000g/mol範圍內的分子量之化合物。這些其他物質可例如改良電子性質或本身發光。混合物在上下文中係指包含至少一種聚合組分之混合物。以此方式，可能製造一或多個由一或多種本發明之聚合物和隨意地一或多種其他聚合物與一或多種低分子量物質的混合物(摻合物)組成之聚合物層。 　　本發明因此另外提供一種混合物，其包含一或多種本發明之聚合物，及一或多種其他聚合、寡聚、樹枝狀及/或低分子量物質。 　　在本發明之一較佳實施態樣中，聚合物與p-摻雜鹽混合用於層中。此層可使用例如聚合物和p摻雜鹽溶於其中的甲苯之溶液來塗佈。對應的p-摻雜鹽係描述於WO 2016/107668、WO 2013/081052和EP2325190中。 　　本發明另外提供溶液和調配物，其包含一或多種本發明之聚合物及一或多種溶劑。其中可製備該等溶液的方式為熟習此項技術者已知的且描述於(例如) WO 2002/072714 A1、WO 2003/019694 A2及其中所引用之文獻中。 　　可用這些溶液以製造薄聚合物層，例如藉由表面塗佈法(例如旋轉塗佈法)或藉由印刷法(例如噴墨印刷法)。 　　含有具有可交聯Q基團之結構單元的聚合物特別適合於例如藉由熱或光誘導之就地聚合和就地交聯(諸如，例如就地UV光聚合或光圖案化)製造薄膜或塗層，尤其適合於製造結構化塗層。在本文中可能使用純形式的對應聚合物或者如上所述之這些聚合物的調配物或混合物。這些可在有或沒有添加溶劑及/或黏合劑下使用。用於上述方法之適當材料、方法和裝置係揭述於例如WO 2005/083812 A2中。可能的黏合劑為(例如)聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚乙烯丁醛和相似的光電中性聚合物。 　　適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二
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烷、苯氧基甲苯(尤其是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苄醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或此等溶劑之混合物。 　　本發明另外提供一種含有具有可交聯的Q基之結構單元的聚合物用於製備交聯聚合物之用途。較佳地藉由WITTIG反應或似WITTIG反應將可交聯基(更佳為乙烯基或烯基)併入聚合物。若該可交聯基為乙烯基或烯基，則該交聯反應可經由經熱誘發或藉由輻射之自由基或離子聚合發生。較佳者為經熱誘發之自由基聚合，較佳地在少於250℃之溫度下，更佳地在少於200℃之溫度下。 　　隨意地，在交聯方法期間，加入另外的苯乙烯單體以達到更高的交聯度。較佳地，所加苯乙烯單體之比例以100 mol%之作為聚合物中的結構單元而存在之所有共聚單體為基準計係在從0.01至50 mol%，更佳為0.1至30 mol%之範圍。 　　一種製備交聯聚合物之方法較佳包含下列步驟： 　　(a) 提供含有具有一或多種可交聯Q基團之結構單元的聚合物；及 　　(b) 自由基或離子交聯，較佳為自由基交聯，其可以熱或藉由輻射誘發，較佳為熱誘發。 　　藉由本發明之方法製備的交聯聚合物不溶於所有標準溶劑。以此方式，即使藉由施加後續的層，也可產生不會溶解或部分溶解的限定層厚度。 　　本發明因此亦關於一種藉由前述方法獲得之交聯聚合物。交聯聚合物如上所述 - 較佳地以交聯聚合物層的形式產生。因為交聯聚合物在所有溶劑中的不溶性，藉由上述技術可將另一層由溶劑施加至該種交聯聚合物層的表面上。 　　本發明之聚合物可使用於電子裝置或光電裝置或其製造。 　　本發明因此另外提供本發明之聚合物的用途，其係用於電子裝置或光電裝置，較佳地用於有機電致發光裝置(OLED)、有機場效電晶體(OFET)、有機積體電路(O-IC)、有機薄膜電晶體(TFT)、有機太陽能電池(O-SC)、有機雷射二極體(O-雷射)、有機光電(OPV)元件或裝置或有機感光器(OPC)，更佳地用於有機電致發光裝置(OLED)，及包含至少一種本發明之聚合物的上述裝置。 　　特佳者為本發明之聚合物在有機電致發光裝置(OLED)中的用途，該有機電致發光裝置包含陽極、陰極和至少一種發光層，其特徵在於至少一種有機層(其可為發光層、電洞傳輸層或另一層)包含至少一種本發明之聚合物。較佳地，聚合物在此係存在於電洞傳輸層中。 　　除了陰極、陽極、發光層及電洞傳輸層之外，有機電致發光裝置亦可包含其他層。此等在各種情況下例如係選自一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、中間層、電荷產生層(IDMC 2003, Taiwan； Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido,Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer )及/或有機或無機p/n接面。 　　包含本發明之聚合物的有機電致發光裝置之層的順序較佳如下：陽極-電洞注入層-電洞傳輸層-隨意地其他電洞傳輸層-發光層-隨意地電洞阻擋層-電子傳輸層-陰極。另外可能有其他層存在於OLED中。 　　包含本發明之聚合物的OLED之較佳實施態樣為混合裝置，其中存在一個或多個從溶液處理之層和一或多個藉由低分子物質的氣相沈積(vapour deposition)製造之層。此等也稱為組合PLED/SMOLED (聚合發光二極體/小分子有機發光二極體)系統。較佳地，在本發明之裝置中，陽極和發光層之間的層由溶液施加，且發光層和陰極之間的層較佳藉由昇華方法施加。 　　其中可製造OLED的方式為熟習該項技術者已知且例如以一般方法詳述於WO 2004/070772 A2中，其必須對個別情況而適當調整。 　　本發明之聚合物尤其適合使用於OLED之電洞傳輸層。電洞傳輸層在此尤其係理解為意指鄰接在陽極側上的發光層。特佳者為本發明之聚合物在含有已經從溶液施加之藍色發光層的OLED之電洞傳輸層中的用途。此提供具有高效率和壽命的OLED。 　　然而，本發明之聚合物亦可使用於電洞注入層(HIL)、電子阻擋層(EBL)和發光層中。當聚合物使用於發光層中時，彼等較佳充當基質材料且尤其是充當電洞傳輸及/或充當寬能帶間隙基質材料。電洞注入層尤其係理解為意指直接鄰接陽極的層且配置在陽極和電洞傳輸層之間。電子阻擋層係理解為意指直接鄰接在陽極側上之發光層且配置在發光層和電洞傳輸層之間的層。 　　電子裝置中不同功能材料之較佳實施態樣係列於下文中。 　　較佳螢光發光化合物係選自芳基胺之類別。芳基胺或芳族胺在本發明的情況下係理解為意指含有三個直接鍵結至氮的經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統的化合物。較佳地，此等芳族或雜芳族環系統中之至少一者為稠合環系統，更佳具有至少14個芳環原子。此等的較佳實例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族
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胺或芳族
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二胺。芳族蒽胺係理解為意指其中一個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9位置)之化合物。芳族蒽二胺係理解為意指其中兩個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9,10-位置)之化合物。芳族芘胺、芘二胺、
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胺及
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二胺係類似地定義，其中二芳胺基較佳地在1-位置或1,6-位置上與芘鍵結。其他較佳發光化合物為茚并茀胺或茚并茀二胺(例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630)、苯并茚并茀胺或苯并茚并茀二胺(例如根據WO 2008/006449)及二苯并茚并茀胺或二苯并茚并茀二胺(例如根據WO 2007/140847)、及WO 2010/012328中所揭示之具有稠合芳基之茚并茀衍生物。同樣較佳的是WO 2012/048780及WO 2013/185871中所揭示之芘芳基胺。同樣較佳的是WO 2014/037077中所揭示之苯并茚并茀胺、WO 2014/106522中所揭示之苯并茀胺、WO 2014/111269和WO 2017/036574中所揭示之延伸的苯并茚并茀(extended benzoindenofluorene)、WO 2017/028940和WO 2017/028941中所揭示之啡
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(phenoxazine)、和WO 2016/150544中所揭示之鍵結至呋喃單元或噻吩單元的茀衍生物。 　　特佳者為WO 2014/111269中所揭示之用作為發光層中的螢光發光體之延伸的苯并茚并茀。 　　供使用於包含本發明之聚合物的裝置之發光層的較佳螢光發光體係顯示於下：
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較佳用於螢光發光化合物之有用基質材料包括各種物質類別的材料。較佳基質材料係選自下列類別：寡聚伸芳基(oligoarylene)(例如根據EP 676461之2,2’,7,7’-四苯基螺聯茀或二萘基蒽)(尤其是含有稠合芳族基團之寡聚伸芳基)、寡聚伸芳基伸乙烯基(oligoarylenevinylene)(例如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi)、多牙金屬錯合物(例如根據WO 2004/081017)、電洞傳導化合物(例如根據WO 2004/058911)、電子傳導化合物，尤其是酮、膦氧化物(phosphine oxide)、亞碸等等(例如根據WO 2005/084081和WO 2005/084082)、阻轉異構物(atropisomer)(例如根據WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)或苯并蒽(例如根據WO 2008/145239)。特佳基質材料係選自下列之類別：包含萘、蒽、苯并蒽及/或芘之寡聚伸芳基或這些化合物的阻轉異構物、寡聚伸芳基伸乙烯基、酮、膦氧化物和亞碸。非常特佳的基質材料係選自下列之類別：包含蒽、苯并蒽、苯并菲及/或芘之寡聚伸芳基或這些化合物的阻轉異構物。寡聚伸芳基在本發明的情況下應瞭解為意指其中至少三個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。進一步較佳者為WO 2006/097208、WO 2006/131192、WO 2007/065550、WO 2007/110129、WO 2007/065678、WO 2008/145239、WO 2009/100925、WO 2011/054442和EP 1553154中所揭示之蒽衍生物、EP 1749809、EP 1905754和US 2012/0187826中所揭示之芘化合物，WO 2015/158409中所揭示之苯并蒽基蒽(benzanthracenylanthracene)化合物、WO 2017/025165中所揭示之茚并苯并呋喃、和WO 2017/036573中所揭示之菲基蒽(phenanthrylanthracene)。 　　供使用於包含本發明之聚合物的裝置之發光層的螢光發光體之較佳基質材料係顯示於下：
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適當磷光發光化合物(=三重態發光體)尤其為在適當激發時發光(較佳在可見光區域內)且亦含有至少一種原子序大於20，較佳為大於38且少於84，更佳為大於56且少於80的原子之化合物。較佳者為使用含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪之化合物作為磷光發光化合物，尤其是含有銥、鉑或銅之化合物。在本發明的情況下，所有發光的銥、鉑或銅錯合物被認為是磷光發光化合物。 　　上述磷光發光化合物的實例係可見於申請案WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373和US 2005/0258742。通常，根據先前技術用於磷光OLED且為熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物皆適合。 　　用於磷光發光化合物之較佳基質材料為芳族酮、芳族膦氧化物或芳族亞碸或碸(例如根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如CBP(N,N-雙咔唑基聯苯)或WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中所揭示之咔唑衍生物)、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚并咔唑衍生物(例如根據WO 2010/136109、WO 2011/000455或WO 2013/041176)、氮雜咔唑衍生物(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/111172)、氮硼雜環戊烯(azaborole)或硼酸酯(例如根據WO 2006/117052)、三
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衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)和四氮雜矽雜環戊二烯衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)、橋聯咔唑衍生物(例如根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080)、聯伸三苯衍生物(例如根據WO 2012/048781)或內醯胺(例如根據WO 2011/116865或WO 2011/137951)。 　　適當電荷傳輸材料如可與本發明之聚合物一起用於本發明之電子裝置的電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層或電子傳輸層中，為(例如)在Y. Shirota等人在Chem. Rev. 2007，107(4)，953-1010中所揭示之化合物或根據先前技術使用於此等層中之其他材料。 　　與本發明之化合物一起用於電子傳輸層之材料，可為根據先前技術用作為電子傳輸層中之電子傳輸材料的任何材料。尤其適合的是鋁錯合物(例如Alq3 )、鋯錯合物(例如Zrq4 )、鋰錯合物(例如Liq)、苯并咪唑衍生物、三
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衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡
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衍生物、喹
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啉衍生物、喹啉衍生物、
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二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物及膦氧化物衍生物。其他適當材料為如JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975及WO 2010/072300中所揭示之上述化合物的衍生物。 　　電子裝置之較佳陰極為具有低功函數之金屬、金屬合金或包含各種金屬(諸如，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等)之多層結構。另外適合的是由鹼金屬或鹼土金屬和銀組成的合金，例如由鎂和銀組成的合金。在多層結構之情況中，除所述金屬之外，也可能使用具有較高功函數之其他金屬(諸如，例如Ag或Al)，例如，在該情況中通常使用金屬之組合，諸如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag。較佳亦可於金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。為此目的之可用材料的實例為鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但亦為對應的氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2 O、BaF2 、MgO、NaF、CsF、Cs2 CO3 、等等)。為此此目的亦可能使用喹啉酸鋰(LiQ)。此層之厚度較佳係介於0.5和5 nm之間。 　　較佳陽極為具有高功函數之材料。較佳地，陽極具有相對於真空為大於4.5 eV之功函數。首先，具有高氧化還原電位之金屬(例如Ag、Pt或Au)適合此目的。其次，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )亦可為較佳的。就一些應用而言，至少一個電極必須為透明或部分透明，以便能夠照射有機材料(有機太陽能電池)或發光(OLED、O-雷射)。較佳陽極材料在此為導電性混合金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。進一步較佳者為導電性摻雜型有機材料，尤其是導電性摻雜型聚合物。此外，陽極亦可由二或多層所組成，例如由ITO之內層及金屬氧化物(較佳為氧化鎢、氧化鉬或氧化釩)之外層所組成。 　　將裝置適當地(根據應用))結構化，配備接點且最後密封，以排除由於水和空氣的損害效應。 　　在一較佳實施態樣中，電子裝置其特徵在於以昇華方法施加一或多層。在此情況下，該等材料係於真空昇華系統中在低於10‑5 毫巴，較佳低於10‑6 毫巴之初壓力下藉由蒸氣沈積施加。然而，在此情況下，初壓力也可能甚至更低，例如低於10-7 毫巴。 　　同樣較佳者為一種電子裝置，其特徵在於以OVPD(有機蒸氣沈積)法或輔以載體-氣體昇華法施加一或多層。在此情況下，該等材料係在介於10-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機蒸氣噴墨印刷)方法，其中該等材料係經由噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M. S. Arnold等人之Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301)。 　　另外較佳者為一種電子裝置，其特徵在於例如以旋轉塗佈或以任何印刷方法(例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但更佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷)從溶液製造一或多層。 　　根據本發明，包含一或多種本發明之聚合物的電子裝置可用於顯示器中、用作為照明應用中的光源及用作為醫學及/或美容應用(例如光療法)中的光源。
實施例 A) 合成例 　　所使用之單體：
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單體之合成 合成MON-33-Br (及類似地MON-034-Br)
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將3-溴苯甲醛(75 g，405 mmol)、4-(二苯胺基)苯基硼酸(141 g，486 mmol)和碳酸銫(291 g，892 mmol)最初進料於540 ml的乙二醇二甲基醚、430 ml的甲苯和540 ml的水中。脫氣30分鐘後，添加肆(三苯膦)鈀(11.7 g，10.1 mmol)。將反應物加熱至回流過夜。反應結束後，將混合物冷卻至室溫，並用N-乙醯半胱胺酸溶液淬滅。此接著通過矽膠過濾，移除有機相並用甲苯萃取水相。將收集的有機相合併並乾燥，及在減壓下移除溶劑。藉由區域昇華純化所得油。產率：57% (80.2 g，229 mmol)。 　　將Int-1隨後溶解在1000 ml的THF中並冷卻至0℃，及分批加入N-溴琥珀醯亞胺(81.7 g，178 mmol)。然後使反應逐漸升溫至室溫。在減壓下移除THF，及用甲苯溶解殘餘物並用水洗滌三次。將有機相乾燥並在減壓下再次移除溶劑。接著從庚烷重複再結晶。獲得MON-33-Br，具有86% (100 g，200 mmol)之產率。 　　藉由使用3-溴雙環[4.2.0]辛-1(6),2,4-三烯而不是3-溴苯甲醛類似地製備MON-034-Br。製備MON-34-Br，具有55%之產率。 　　 MON-35-Br之合成
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將溴-苯基衍生物(23 g，100 mmol)、2-氯苯基硼酸(16.5 g，105 mmol)和碳酸鉀(41.6 g，301 mmol)最初進料於140 ml的THF和50 ml的水中。將反應混合物脫氣並接著添加肆(三苯膦)鈀 (1.16 g，1 mmol)。將反應在回流下攪拌過夜。此後，將混合物冷卻至室溫，添加甲苯和水，分離各相，並將有機相用水洗滌。在減壓下移除溶劑之後，利用熱萃取(庚烷，氧化鋁)純化所形成的固體。獲得Int-2，具有80% (20.7 g，79 mmol)之產率。 　　將Int-2(19.7 g，76 mmol)和二苯胺(12.9 g，76 mmol)溶解在800 ml的甲苯中，並添加三級丁醇鈉(10.9 g，113 mmol)。隨後將此用氬氣脫氣30分鐘並添加參(二亞苄丙酮)二鈀(690 mg，0.76 mmol)。將反應混合物在回流下加熱過夜，然後冷卻，添加水和甲苯。分離各相，並將有機相用水洗滌，然後乾燥。在減壓下移除溶劑並用氧化鋁純化所得粗製產物。獲得Int-3，具有71% (21.1 g，53 mmol)之產率。 　　將Int-3 (20 g, 50 mmol)溶解在400 ml的乙腈中，並添加75 ml鹽酸。固體沈澱出來並濾出。Int-4：產率68%(12.1 g, 35 mmol)。 　　將Int-4 (12 g，35 mmol)溶解在470 ml的THF中並冷卻至0℃，及分批添加N-溴琥珀醯亞胺(12.2 g，68 mmol)。將反應混合物升溫至室溫過夜。在減壓下移除溶劑，再溶解於甲苯中，並用Na2 SO3 水溶液洗滌接著用水洗滌。再次移除溶劑，並將固體殘餘物從甲苯/庚烷混合物中重複再結晶。獲得MON-35-Br，具有67% (11.7 g，23 mmol)之產率。 　　 MON-36-BE之合成
Figure 02_image175
將9,9'-螺聯茀-4'-胺(25 g，75 mmol)和2-溴-7-氯-9,9-二甲基茀(48.7 g，160 mmol)溶解在400 ml的甲苯中，並接著添加三級-丁醇鈉(21.7 g，226 mmol)。將混合物以保護氣體飽和，添加[1,1'-雙(二苯膦基)二茂鐵]二氯鈀(1.85g，0.2 mmol)後，加熱至回流。四小時後，將混合物冷卻至室溫，通過矽藻土過濾並用甲苯洗滌。將各相分離，將有機相用水洗滌並乾燥，及移除溶劑。為了純化，將固體與庚烷/甲苯一起通過矽膠過濾。獲得Int-5，具有73% (43 g，54 mmol)之產率。 　　將41 g的Int-5 (52 mmol)與雙(頻哪醇基)二硼烷(30.6 g，120 mmol)和乙酸鉀(25.7 g，261.8 mmol)最初進料於650 ml的二
Figure 106144558-A0304-12-0015-1
烷中。將混合物以氬氣惰性化並接著添加乙酸鈀(235 mg，1.05 mmol)和Sphos (860 mg, 2.09 mmol)。將混合物在回流下攪拌過夜。將混合物冷卻至室溫，通過矽藻土過濾並用甲苯洗滌。將各相分離，將有機相用水洗滌並乾燥，及移除溶劑。隨後將粗製產物再結晶(甲苯/庚烷)並接著藉由管柱層析法(庚烷/EtOAc)純化。獲得MON-36-Br，具有30% (15 g，15 mmol)之產率。 　　 聚合物之合成 　　根據WO 2003/048225中所述方法藉由SUZUKI偶合從上述單體製備比較聚合物V1和V2和本發明聚合物Po1至Po40。 　　在聚合物的製備中，將下述單體按如下所述之對應百分比使用於反應混合物中。以此方式製備的聚合物V1和V2及Po1至Po40在消去脫離基後，含有報導於下表中的百分比(百分數 = mol%)結構單元。 　　在由具有醛基的單體製備之聚合物的情況下，後者在藉由WO 2010/097155中所述的方法以WITTIG反應聚合(使用第36/37頁之合成方法的實施例)之後，轉化為可交聯乙烯基。下表中對應列出的聚合物因此具有可交聯乙烯基而不是原來存在的醛基。 　　藉由ICP-MS測定聚合物中的鈀和溴含量。所測定的值低於10 ppm。 　　分子量Mw 和多分散性D係藉由凝膠滲透層析法(GPC)(型號：Agilent HPLC系統系列1100，管柱：來自聚合物實驗室的PL-RapidH；溶劑：具有0.12體積%鄰二氯苯之THF；檢測：UV和折射率；溫度：40℃) 以聚苯乙烯標準品進行校準。
Figure 02_image177
此外，製備下列本發明之聚合物：
Figure 02_image179
Figure 02_image181
Figure 02_image183
B) 裝置實例 　　製造包含已從溶液施加之層的OLED之一般方法係描述於WO 2004/037887和WO 2010/097155中。此方法與下文所述的情況(層厚度變化、材料)相匹配。 　　本發明之聚合物係用於具有以下列層順序的OLED中： - 基板， - ITO (50 nm)， - 電洞注入層(HIL)(20 nm)， - 電洞傳輸層(HTL)(20 nm)， - 發光層(EML)(30 nm)， - 電洞阻擋層(HBL)(10 nm) - 電子傳輸層(ETL)(40 nm)， - 陰極(Al)(100 nm)。 　　所使用之基板為用50 nm厚度的結構化ITO(氧化銦錫)塗佈之玻璃板。利用旋塗在惰性氣氛中施加電洞注入層。為此目的，將電洞傳輸的可交聯聚合物和p-摻雜鹽溶於甲苯中。對應的材料特別已描述於WO 2016/107668、WO 2013/081052和EP2325190中。對於所得20 nm的層厚度，使用6 mg/ml的固體含量。隨後將該層於惰性氣體氛圍中在200℃的熱板上烘烤30分鐘。 　　接著將電洞傳輸和發光層施加至此等經塗佈之玻璃基板。 　　所使用之電洞傳輸層為本發明之化合物和比較化合物，各溶解於甲苯中。這些溶液的固體含量為5 mg/ml，因為利用旋轉佈塗可達到20 nm的層厚度。該層在惰性氣體氛圍中旋轉，並在240℃的熱板上烘烤30分鐘。 　　發光層由主體材料H1和發光摻雜劑D1組成。材料以92 %H1和8%D1的重量比存在於發光層中。將用於發光層的混合物溶於甲苯中。此溶液的固體含量為9 mg/ml，因為利用旋轉佈塗可達到30 nm的層厚度。該層在惰性氣體氛圍中旋轉並在150℃下烘烤10分鐘。 　　在本例中所使用之材料係顯示於下表中。
Figure 02_image185
藉由熱氣相沈積在真空室中施加用於電洞阻擋層和電子傳輸層之材料，並顯示於在下表中。電洞阻擋層由ETM1組成。電子傳輸層由二種材料ETM1和ETM2組成，彼等藉由共蒸發各以50%的體積比例混合。
Figure 02_image187
陰極係由熱蒸發厚度100 nm的鋁層形成。 　　OLED係以標準方法示性。為此目的，測定電致發光光譜、及假設Lambertian輻射特性之電流-電壓-發光強度特徵線(IUL特徵線)及(操作)壽命。使用IUL特性以測定參數例如於特定亮度之外部量子效率(%)。LD80 @ 1000 cd/m²為給定1000 cd/m²之開始亮度的OLED已下降至開始強度之80%，即至800 cd/m²的壽命。 　　下文描述所製備的OLED之性能數據和性質。所製造的OLED為藍色發光OLED。 　　1) 關於包含V1、V2、Po1、Po5和Po18之OLED，獲得下列關於壽命和效率的結果：
Figure 02_image189
如所得之效率數據顯示，本發明的聚合物Po1與比較聚合物V1相比具有很大的改良。與比較聚合物V1相比，效率提高50%以上。此顯示與使用衍生自單體MON-102-Br的茚并茀單元相比，透過使用衍生自單體MON-20-BE之共軛中斷的經取代之伸苯基單元達成該效果。茚并茀單元不是共軛中斷單元。 　　與沒有共軛中斷單元(例如具有茚并單元MON-102-Br之V1)的比較聚合物相比，使用含有其他共軛中斷單元(例如上示的MON-21至MON-26單元)的聚合物，明顯的改良也是顯而易見的。 　　如所得之壽命數據顯示，本發明的聚合物Po1、Po5和Po18也具有超越比較聚合物V2之改良。效率幾乎保持不變。此顯示與使用衍生自單體MON-101-BE的對位取代之三芳基胺結構單元(於V2中)相比，透過使用衍生自單體MON-1-Br、MON-2-Br和MON-3-Br的鄰位取代之三芳基胺結構單元(於Po1、Po5和Po18中)達到該效果。 　　相較於V2，使用其他本發明之聚合物也獲得改良的壽命，彼等不同於Po1、Po5和Po18，而不是衍生自單體MON-1-Br、MON-2-Br和MON-3-Br的結構單元，彼等含衍生自單體MON-4-Br、MON-5-Br、MON-6-BE、MON-7-Br、MON-8-BE和MON-8-Br之結構單元。 　　2) 除了上文舉出的實施例之外，亦檢查包含下列本發明之聚合物的OLED：
Figure 02_image191
在此發現：此等同樣具有非常好的效率。這些聚合物中存在的單體MON-32-Br和MON-34-Br造成Po2和Po23之較短壽命。 　　3) 最後，製造各自包含上述本發明聚合物Po3、Po4、Po6至Po17、Po19至Po21、Po29至Po36、Po39和Po40作為HTL材料的OLED。此同樣達到很好的效率和壽命之結果。 　　在本發明的實施例中，本發明之聚合物與從溶液施加且含有單重態(singlet)發光體的EML組合使用在HTML中。此顯示聚合物在設置從溶液施加之藍色發光EML的此特定裝置中具有極佳適用性。
Figure 106144558-A0101-11-0002-1

Claims (20)

  1. 一種聚合物，其含有至少一種式(I)之結構單元：
    Figure 106144558-A0305-02-0102-1
     其中所出現的變數如下：Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5為相同或不同且係選自具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R1基團取代之雜芳族環系統，及選自具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R1基團取代之芳族環系統，其先決條件為兩個Ar2和Ar4基團中之至少一者在各情況下係在至少一個鍵結至N之鍵的鄰位上經R4基團取代，其中R4基團可與其所鍵結之對應Ar2或Ar4基團形成環，及其中R4係直接或經由連接基(linker group)X鍵結至選自Ar2和Ar4基團的基團；R1在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R2、CN、Si(R2)3、N(R2)2、P(=O)(R2)2、OR2、S(=O)R2、S(=O)2R2、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1基團可彼此連接且可形成環；其中 所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R2基團取代；及其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2基團可經-R2C=CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C=O、C=NR2、-C(=O)O-、-C(=O)NR2-、NR2、P(=O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2置換；R2在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R3、CN、Si(R3)3、N(R3)2、P(=O)(R3)2、OR3、S(=O)R3、S(=O)2R3、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1及/或R2基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R3基團取代；及其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2基團可經-R3C=CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、C=O、C=NR3、-C(=O)O-、-C(=O)NR3-、NR3、P(=O)(R3)、-O-、-S-、SO或SO2置換；R3在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R3基團可彼此連接且可形成環；及其中所述烷基、烷氧 基、烯基和炔基、芳族環系統和雜芳族環系統可經F或CN取代；R4在各情況下為相同或不同且係選自具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R2基團取代之雜芳族環系統，及選自6至40個芳族環原子且可經一或多個R2基團取代之芳族環系統；X在各情況下為相同或不同且係選自C(R2)2、Si(R2)2、NR2、O、S、和C=O；n為0或1；及至少一種選自下列之結構單元：-結構單元A，其符合式(II-A)
    Figure 106144558-A0305-02-0104-2
     其中R5在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R2、CN、Si(R2)3、N(R2)2、P(=O)(R2)2、OR2、S(=O)R2、S(=O)2R2、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環 系統；其中二或多個R1基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R2基團取代；及其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2基團可經-R2C=CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C=O、C=NR2、-C(=O)O-、-C(=O)NR2-、NR2、P(=O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2置換，其中至少二個R5基團為非H和D；及-結構單元B，其符合式(II-B)
    Figure 106144558-A0305-02-0105-3
     其中R5A在各情況下為相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R2、CN、Si(R2)3、N(R2)2、P(=O)(R2)2、OR2、S(=O)R2、S(=O)2R2、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1基團可彼此連接且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統和雜芳族環系統可各自經一或多個R2基團取代；及其中所述烷 基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH2基團可經-R2C=CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C=O、C=NR2、-C(=O)O-、-C(=O)NR2-、NR2、P(=O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2置換；Ar8和Ar9在各情況下為相同或不同且係選自具有6至40個芳族環原子且可經一或多個R5基團取代之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R5基團取代之雜芳族環系統；m和p在各情況下為相同或不同且係選自0和1；及萘基可各自於顯示為未經取代之位置經R5基團取代。
  2. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中R4在各情況下為相同或不同且係選自具有6至20個芳族環原子且可經一或多個R2基團取代之芳族環系統。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項之聚合物，其中至少一個選自Ar2和Ar4基團之基團在氮原子的鄰位只含有一個或只含有二個R4基團，其中R4係直接或經由連接基X鍵結至選自Ar2和Ar4基團的基團。
  4. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中式(I)之結構單元符合式(I-1-A)、(I-2-A-1)、(I-2-A-2)和(I-2-A-3)中之一者
    Figure 106144558-A0305-02-0107-4
    Figure 106144558-A0305-02-0107-5
    Figure 106144558-A0305-02-0107-6
    Figure 106144558-A0305-02-0107-7
     其中i為0或1，及Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、X和R4係如申請專利範圍第1或2項中所定義。
  5. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中式(I)之結構單元符合式(I-1-B)、(I-2-B-1)、(I-2-B-2)和(I-2-B-3)中之一者
    Figure 106144558-A0305-02-0108-9
    Figure 106144558-A0305-02-0108-10
    Figure 106144558-A0305-02-0108-11
    Figure 106144558-A0305-02-0109-12
     其中i為0或1，其中Y在各情況下為相同或不同且選自單鍵、C(R2)2、Si(R2)2、NR2、O、S和C=O，及其中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、X、和R4係如申請專利範圍第1或2項中所定義。
  6. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中式(I)之結構單元符合式(I-1-A-A)、(I-1-A-B)和(I-1-B-A)中之一者
    Figure 106144558-A0305-02-0109-14
    Figure 106144558-A0305-02-0110-16
    Figure 106144558-A0305-02-0110-17
     其中i為0或1，及其中芳族六員環可各自於顯示為未經取代之位置經R1或R2基團取代，及其中Y在各情況下為相同或不同且係選自單鍵、C(R2)2、Si(R2)2、NR2、O、S和C=O，及其中Ar1、Ar3、R4、和X係如申請專利範圍第1或2項中所定義。
  7. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中彼等對應於聚合物中的結構單元A或B的結構單元之比例的總和以100mol%之作為聚合物中的結構單元而存在之所有共聚單體為基準計係介於20和75mol%之間。
  8. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中彼等對應於聚合物中的式(I)之結構單元的結構單元之比例的總和以100mol%之作為聚合物中的結構單元而存在之所有共聚單體為基準計係介於10和60mol%之間。
  9. 根據申請專利範圍第1項之聚合物，其中該聚合物含有至少一種具有可交聯Q基團之結構單元。
  10. 根據申請專利範圍第9項之聚合物，其中該至少一種具有可交聯基團之結構單元為式(I)之結構單元、結構單元A、結構單元B或選自三芳基胺、茀、茚并茀和螺聯茀結構單元之結構單元。
  11. 根據申請專利範圍第9或10項之聚合物，其中聚合物中具有可交聯Q基團之結構單元的比例以100mol%之聚合物中作為結構單元而存在的所有共聚單體為基準計係在從1至50mol%之範圍。
  12. 一種聚合物，其可藉由根據申請專利範圍第9至11項中一或多項之聚合物的交聯反應而獲得。
  13. 一種製備根據申請專利範圍第1至11項中一或多項之聚合物之方法，其中進行選自Suzuki聚合、Yamamoto聚合、Stille聚合及Hartwig-Buchwald聚合之聚合。
  14. 一種混合物，其包含至少一種式(M-I)之單體和至少一種選自式(M-II-A)和(M-II-B)之單體的單體
    Figure 106144558-A0305-02-0112-20
    Figure 106144558-A0305-02-0112-21
    Figure 106144558-A0305-02-0112-22
     其中所出現的變數係如申請專利範圍第1項中所定義，且其中Z在各情況下為相同或不同且為適合於聚合反應的脫離基。
  15. 一種混合物，其包含至少一種根據申請專利範圍第1 至12項中一或多項之聚合物及一或多種其他聚合、寡聚、樹枝狀及/或低分子量物質。
  16. 一種溶液，其包含一或多種根據申請專利範圍第1至12項中一或多項之聚合物及一或多種溶劑。
  17. 一種根據申請專利範圍第1至12項中一或多項之聚合物之用途，其用於電子裝置。
  18. 一種電子裝置，其包含至少一種根據申請專利範圍第1至12項中一或多項之聚合物。
  19. 根據申請專利範圍第18項之電子裝置，其中根據申請專利範圍第1至12項中一或多項之聚合物係存在於選自電洞傳輸層、電洞注入層、電子阻擋層和發光層之層中。
  20. 根據申請專利範圍第18或19項之電子裝置，其中該電子裝置包含已經從溶液施加之藍色螢光發光層。
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