TW202200529A

TW202200529A - 有機電致發光裝置

Info

Publication number: TW202200529A
Application number: TW110108502A
Authority: TW
Inventors: 盧分凌吉; 米瑞姆恩格爾; 薩巴斯汀史托茲; 賽巴斯汀梅爾
Original assignee: 德商麥克專利有限公司
Priority date: 2020-03-13
Filing date: 2021-03-10
Publication date: 2022-01-01
Also published as: JP2023517692A; EP4118697B1; CN115280539A; EP4118697A1; US20230225195A1; KR20220152289A; WO2021180950A1

Abstract

本發明關於一種包含式(H1)化合物和式(H2)化合物之組成物。本發明此外關於一種調配物，其包含一種包含式(H1)化合物和式(H2)化合物之組成物及一種溶劑。最後，本發明關於一種包含該類組成物之電子裝置。

Description

有機電致發光裝置

用於電子裝置的功能性化合物之開發為目前深入研究的主題。特別地，目的為開發用其可達成改良電子裝置在一或多個相關特徵的性質(諸如，例如，裝置的功率效率和壽命以及發射光的色坐標)之化合物。根據本發明，術語電子裝置尤其意指有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學偵測器、有機感光器(photoreceptor)、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和有機電致發光裝置(OLED)。特別感興趣的是提供用於最後提及所謂OLED之電子裝置的化合物。OLED的一般結構和功能原理為熟習該項技術者已知且已描述於例如US 4539507中。仍然需要關於OLED之性能數據的進一步改良，特別是鑑於廣泛商業用途，例如，在顯示裝置或作為光源的用途。就此而論，特別重要的是OLED的壽命、效率和操作電壓以及所達成的色值。特別地，在藍色發光OLED的情況下，關於裝置的壽命、效率和操作電壓之改良是有可能的。達成該等改良的一個重要起點為發光體化合物和主體化合物的選擇。事實上，發光體化合物通常與充當基質化合物或主體化合物的第二化合物組合使用於發光層。發光體化合物在此意指在電子裝置操作期間發光之化合物。主體化合物在此情況下意指以大於發光體化合物的比例存在於混合物中之化合物。術語基質化合物和術語主體化合物可同義地使用。主體化合物較佳不發光。即使發光層的混合物中存在多種不同的主體化合物，彼等個別的比例通常大於發光體化合物的比例，或者若多種發光體化合物存在於發光層的混合物中，則大於個別發光體化合物的比例。該等實施態樣已描述螢光發光層，例如在US 4769292中。若發光層中存在多種化合物的混合物，則發光體化合物通常為以較小量(即以小於發光層混合物中所存在的其他化合物之比例)存在的組分。在此情況下，發光體化合物也稱為摻雜劑。從先前技術得知的用於螢光發光體之主體化合物為多種化合物。發光層可包含一或多種主體化合物。包含菲基之主體化合物已揭示於先前技術中(例如於WO 2009/100925中)。包含苯并蒽基之主體化合物也已揭示於先前技術中(例如於WO 2015/158409中)。然而，仍然需要用於螢光發光體的其他主體材料，其可用於OLED中並且導致在壽命、顏色發射和效率方面具有非常良好性質的OLED。更特別地，需要組合非常高的效率、非常好的壽命和非常好的熱穩定性之用於螢光發光體的主體材料。此外，已知OLED可包含不同的層，其可在真空室中藉由氣相沈積施加或藉由從溶液處理。以氣相沈積為基礎之方法導致良好的結果，但該等方法複雜且昂貴。因此，也需要可從溶液容易且可靠地處理的包含OLED材料之組成物。更特別地，需要包含OLED材料的組成物，該組成物當從調配物處理時，更特別地從溶液諸如墨水處理時，可在OLED的製造期間沈積為均勻薄膜。在此情況下，該等材料應在包含彼等的溶液中具有良好的溶解度且在導致去除溶劑的乾燥步驟之後，包含OLED材料的沈積薄膜應該盡可能平滑。重要的是，沈積層形成平滑且均勻的薄膜，因為層厚度不均勻會由於顯示發光強度增加之較薄薄膜厚度的區域和發光強度降低之較厚區域而造成發光強度分佈不均勻，其導致OLED的品質下降。同時，包含從溶液中處理之薄膜的OLED應呈現良好的性能，例如在壽命、工作電壓和效率方面。此外仍然需要導致容易純化和容易處理之穩定的OLED材料之方法。需要藉由以可接受的純度和高產率提供OLED材料而在經濟和品質上令人感興趣之方法。

本發明因此係基於提供包含OLED材料之組成物的技術目的，該組成物適合使用於電子裝置(諸如，OLED)，更特別地作為用於螢光發光體之基質組分。本發明亦基於提供包含OLED材料之組成物的技術目的，該組成物特別適合於溶液處理。本發明亦基於提供方法的技術目的。在對使用於電子裝置之新穎組成物的研究中，現已發現包含如下定義之式(H1)化合物和式(H2)化合物之組成物非常適合使用於電子裝置。特別地，彼等達成上述技術目的中之一或多者，較佳為全部。本申請案因此關於一種包含式(H1)化合物和式(H2)化合物之組成物，

其中下列適用於所使用的符號和標號： X 在每次出現時相同或不同地代表CR^X 或N；或若X鍵結至基團Ar¹ 或Ar^S ，則X為C； Z 在每次出現時相同或不同地代表CR^Z 或N；或若Z鍵結至基團Ar³ ，則Z為C； Ar¹ 在每次出現時相同或不同地為具有10至60個芳族環原子之芳基或雜芳基，其在各情況下亦可經一或多個基團R^V 取代； Ar³ 在每次出現時相同或不同地為具有10至60個芳族環原子之芳基或雜芳基，其在各情況下亦可經一或多個基團R^Y 取代； Ar² 、Ar⁴ 、Ar^S 在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代； R^V 、R^X 、R^Y 、R^Z 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)₂ 、S(=O)Ar、S(=O)₂ Ar、N(R)₂ 、N(Ar)₂ 、NO₂ 、Si(R)₃ 、B(OR)₂ 、OSO₂ R、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)₂ 、Ge(R)₂ 、Sn(R)₂ 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO₂ 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代；其中二個相鄰基團R^V 、二個相鄰基團R^X 、二個相鄰基團R^Y 、二個相鄰基團R^Z 可一起形成脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個基團R取代； R 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)₂ 、S(=O)Ar、S(=O)₂ Ar、N(R´)₂ 、N(Ar)₂ 、NO₂ 、Si(R^´ )₃ 、B(OR´)₂ 、OSO₂ R、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R´取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經R^´ C=CR^´ 、C≡C、Si(R^´ )₂ 、Ge(R^´ )₂ 、Sn(R^´ )₂ 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R^´ )、SO、SO₂ 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代、或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R´取代；其中二個相鄰的取代基R可一起形成脂族或芳族環系統，其可經一或多個基團R´取代； Ar 在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R^´ 取代； R^´ 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經SO、SO₂ 、O、S置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換、或具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統；及 a、b 在每次出現時相同或不同地為0或1；其中當a或b為0時，則對應Ar^S 不存在且該基團Ar¹ 係直接鍵結至基團X。相鄰取代基就本發明之意義而言為與彼此直接連接或鍵結至相同原子上之原子鍵結的取代基。此外，下列化學基團的定義適用於本申請案之目的：芳基就本發明之意義而言含有6至60個芳族環原子較佳6至40個芳族環原子，更佳6至20個芳族環原子；雜芳基就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，較佳5至40個芳族環原子，更佳5至20個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。雜原子較佳地係選自N、O和S。此代表基本定義。若在本發明說明中指示其他較佳選擇，例如有關所存在之芳族環原子或雜原子的數目，則這些適用。芳基或雜芳基在此意指簡單芳族環(即苯)，或簡單雜芳族環(例如吡啶、嘧啶或噻吩)，或縮合(稠合(annellated))芳族或雜芳族多環(例如萘、菲、喹啉或咔唑)。縮合(稠合)芳族或雜芳族多環就本申請案的意義而言由二或更多個彼此縮合之簡單芳族或雜芳族環組成。在各情況下可經上述基團取代且可經由任何所欲位置連接至芳族或雜芳族環系統之芳基或雜芳基特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、

(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并蒽、苯并菲、稠四苯、稠五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、吡𠯤、啡𠯤、㖠啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、蝶啶、吲巾及苯并噻二唑。根據本發明之定義的芳氧基意指如上述所定義之芳基，其經由氧原子鍵結。類似定義適用於雜芳氧基。芳族環系統就本發明之意義而言在環系統中含有6至60個C原子，較佳地6至40個C原子，更佳地6至20個C原子。雜芳族環系統就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，較佳地5至40個芳族環原子，更佳地5至20個芳族環原子，其中至少一個為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統就本發明之意義而言意指不一定只含有芳基或雜芳基，而是其中此外多個芳基或雜芳基可藉由非芳族單元(較佳為少於10%之非H的原子)(諸如，例如sp³ -混成之C、Si、N或O原子、sp² -混成之C或N原子或sp-混成之C原子)連接的系統。因此，例如系統諸如9,9’-螺二茀、9,9’-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯、等等亦意欲為就本發明之意義而言的芳族環系統，如為其中二或多個芳基例如藉由直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或藉由矽基連接之系統。此外，其中二或多個芳基或雜芳基係經由單鍵彼此連結之系統亦為就本發明之意義而言的芳族或雜芳族環系統，諸如，例如系統諸如聯苯、聯三苯或二苯基三𠯤。在各情況下亦可經如上述所定義之基團取代且可經由任何所欲位置連接至芳族或雜芳族基團之具有5-60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、

(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、伸聯苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、伸聯三苯(terphenylene)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺二茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡𠯤、啡𠯤、啡㗁𠯤、啡噻𠯤、螢紅環(fluorubin)、㖠啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、喋啶、吲巾和苯并噻二唑、或這些基團的組合。就本發明的目的而言，具有1至40個C原子之直鏈烷基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基或具有2至40個C原子之烯基或炔基，其中，此外，個別H原子或CH₂ 基團可經在上述該等基團定義下之基團取代，較佳意指基團甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具有1至40個C原子之烷氧基或烷硫基較佳意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。就本申請案之目的而言，二或更多個基團彼此可形成環之規劃特別意指：二個基團彼此以一化學鍵鍵聯。此以下列圖解說明：

然而，此外，上述規劃也意指：在其中二基團之一表示氫的情況中，第二基團鍵結於氫原子所鍵結之位置，且形成環。此以下列圖解說明：

較佳地，基團Ar¹ 和Ar³ 在每次出現時相同或不同地代表蒽、菲、芘、

(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并蒽、苯并菲、稠四苯或稠五苯，彼等各自在各情況下可就Ar¹ 而言於任何自由位置經一或多個基團R^V 取代或就Ar³ 而言於任何自由位置經一或多個基團R^Y 取代。較佳地，基團Ar¹ 、Ar³ 在每次出現時相同或不同地代表具有10至18個芳族環原子之縮合芳基。更佳地，基團Ar¹ 、Ar³ 在每次出現時相同或不同地代表蒽、萘、菲、稠四苯、

(chrysene)、苯并蒽、稠二萘(benzophenanthracene)、芘、苝、伸聯三苯、苯并芘或丙二烯合茀(fluoranthene)，彼等各自可於任何自由位置經一或多個基團R^V (在Ar¹ 的情況下)或經基團R^Y (在Ar³ 的情況下)取代。非常佳地，基團Ar¹ 、Ar³ 代表蒽基，其可就Ar¹ 而言於任何自由位置經一或多個基團R^V 取代或就Ar³ 而言於任何自由位置經一或多個基團R^Y 取代。適當基團Ar¹ 和Ar³ 的實例為如下表中所表示的式(Ar1-1)至(Ar1-11)之基團：其中

虛線鍵指示至相鄰基團的鍵；及其中式(Ar1-1)至(Ar1-11)之基團可於各自由位置經基團R^V (在Ar¹ 的情況下)或經基團R^Y (在Ar³ 的情況下)取代，其中R^V 和R^Y 具有與上述相同的意義。在式(Ar1-1)至(Ar1-11)之基團中，式(Ar1-1)之基團為較佳。非常適合之基團Ar¹ 和Ar³ 的實例為如下表中所表示的式(Ar1-1-1)至(Ar1-12-1)之基團：

其中虛線鍵表示至相鄰基團的鍵；且其中在式(Ar1-1-1)至(Ar1-12-1)之基團可於各自由位置在Ar¹ 的情況下經基團R^V 或在Ar³ 的情況下經基團R^Y 取代，其中R^V 和R^Y 具有與上述相同的意義。在式(Ar1-1-1)至(Ar1-12-1)之基團中，式(Ar1-1-1)之基團為較佳。較佳地，式(H2)化合物係選自式(H2-1)化合物，

其中符號Ar² 和Z具有與上述相同的意義；及其中 Y為CR^Y 或N；或Y若鍵結至Ar² 或基團Z則為C；其中R^Y 具有與上述相同的意義。更佳地，式(H2)化合物係選自式(H2-2)化合物，

其中Ar² 、Y、Z具有與上述相同的意義。甚至更佳地，式(H2)化合物係選自式(H2-3)化合物，

其中該等符號具有與上述相同的意義且其先決條件為基團CR^Z 對應於在相鄰蒽的鍵結位置之基團C。特佳地，式(H2)化合物係選自式(H2-4)化合物，

其中該等符號具有與上述相同的意義。非常特佳地，式(H2)化合物係選自式(H2-5)化合物，

其中該等符號具有與上述相同的意義。非常適合之式(H2-5)化合物的實例為化合物(H2-5-1)至(H2-5-4)，

其中該等符號具有與上述相同的意義。較佳地，R^Y 、R^Z 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、具有1至40個，較佳1至20個，更佳1至10個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個，較佳3至20個，更佳3至10個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經RC=CR、C≡C、O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換、具有5至60個，較佳5至40個，更佳5至30個，特佳5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代。更佳地，R^Y 、R^Z 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、具有1至20個，較佳1至10個，更佳1至6個C原子之直鏈烷基或具有3至20個，較佳3至10個，更佳3至6個C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個基團R取代、具有5至40個，較佳5至30個，更佳5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代。特佳地，R^Y 代表H。特佳地，R^Z 在每次出現時相同或不同地代表具有1至10個，更佳1至6個C原子之直鏈烷基或具有3至10個，更佳3至6個C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個R基團取代、具有5至40個，較佳5至30，更佳5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代。較佳地，式(H1)化合物係選自式(H1-1)化合物，

其中該等符號X、Ar^S 、Ar⁴ 和標號a和b具有與上述相同的意義；及 V為CR^V 或N；或V若鍵結至Ar⁴ 、Ar^S 或基團X則為C；其中R^V 具有與上述相同的意義。較佳地，標號a和b等於0，因此Ar^S 基團不存在且蒽部分係直接鍵結至菲部分。較佳地，基團Ar^S 在每次出現時相同或不同地代表苯基、聯苯、茀、螺二茀、萘、菲、蒽、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤、三𠯤、苯并吡啶、苯并嗒𠯤、苯并嘧啶和喹唑啉，彼等各自可經一或多個R基團取代。適當基團Ar^S 的實例為如下表中所表示的式(ArS-1)至(ArS-26)之基團：

其中虛線鍵指示至式(1)中之相鄰基團的鍵結；其中式(ArS-1)至(ArS-26)之基團可於各自由位置經基團R取代，基團R與上述定義相同的意義；及其中基團E每次出現時相同或不同地選自–BR⁰ -、 -C(R⁰ )₂ -、-Si(R⁰ )₂ -、-C(=O)-、-O-、-S-、-S(=O)-、-SO₂ -、-N(R⁰ )-、和-P(R⁰ )-，其中R⁰ 係在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、具有1至20個，較佳1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至20個，較佳3至10個C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個R基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換、或具有5至40個，較佳5至30個，更佳6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代,其中二個相鄰基團R⁰ ，可一起形成脂族或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代。在式(ArS-1)至(ArS-26)之基團中，式(ArS-1)、(ArS-2)、(ArS-3)、(ArS-11)和(ArS-12)之基團為較佳。式(ArS-1)、(ArS-2)、(ArS-3)之基團為非常佳。更佳地，式(H1)化合物係選自式(H1-2)化合物，

其中X、Ar⁴ 和V具有與上述相同的意義。甚至更佳地，式(H1)化合物係選自式(H1-3)化合物，

其中該等符號具有與上述相同的意義。特佳地，式(H1)化合物係選自式(H1-4)化合物，

其中該等符號具有與上述相同的意義。非常特佳地，式(H1)化合物係選自式(H1-5)化合物，

其中該等符號具有與請求項1中相同的意義。非常適合之式(H1-5)化合物的實例為化合物(H1-5-1)至(H1-5-4)，

其中該等符號具有與上述相同的意義。較佳地，R^X 、R^V 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、具有1至40個，較佳1至20個，更佳1至10個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個，較佳3至20個，更佳3至10個C原子支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經RC=CR、C≡C、O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換、具有5至60個，較佳5至40個，更佳5至30個、特佳5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代。更佳地，R^X 、R^V 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、具有1至20個，較佳1至10個，更佳1至6個C原子之直鏈烷基或具有3至20個C原子，較佳3至10個，更佳3至6個C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個基團R取代、具有5至40個，較佳5至30個，更佳5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代。更佳地，R^X 、R^V 在每次出現時相同或不同地代表H、具有3至10個，更佳1至6個C原子之直鏈烷基或具有3至10個，更佳3至6個C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個基團R取代、具有5至40個，較佳5至30個，更佳6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代。較佳地，基團Ar² 、Ar⁴ 係在每次出現時相同或不同地選自具有5至30個，較佳5至25個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代。更佳地，基團Ar² 、Ar⁴ 係選自由下列所組成之群組：苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺二茀、萘、菲、蒽、伸聯三苯、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、

(chrysene)、苯并蒽、稠二萘(benzophenanthracene)、芘、苝、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤、三𠯤、喹啉酮、苯并吡啶、苯并嗒𠯤、苯并嘧啶、苯并咪唑、和喹唑啉，彼等各自可經一或多個基團R取代；其中Ar² 、Ar⁴ 也可為二或更多個先前引用之基團的組合。特佳地，基團Ar² 、Ar⁴ 係選自由下列所組成之群組：苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺二茀、萘、蒽、菲、伸聯三苯、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、

(chrysene)、苯并蒽、稠二萘(benzophenanthracene)、芘或苝、二苯并呋喃、咔唑和二苯并噻吩，彼等各自可於任何自由位置經一或多個基團R取代；及其中Ar² 、Ar⁴ 也可為二或更多個先前引用之基團的組合。非常特佳地，基團Ar² 、Ar⁴ 係選自由下列所組成之群組：苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺二茀、萘、蒽、菲、伸聯三苯、丙二烯合茀(fluoranthene)、二苯并呋喃、咔唑和二苯并噻吩，彼等各自可於任何自由位置經一或多個基團R取代；及其中Ar² 、Ar⁴ 也可為二或更多個先前引用之基團的組合。適當基團Ar² 和Ar⁴ 的實例為如下表中所述之式(Ar2-1)至(Ar2-27)之基團：

其中虛線鍵指示至相鄰基團的鍵結及其中基團R⁰ 具有與上述相同的意義；及其中式(Ar2-1)至(Ar2-27)之基團可於各自由位置經基團R取代，其具有與上述相同的意義。在式(Ar2-1)至(Ar2-27)之基團中，式(Ar2-1)、(Ar2-2)、(Ar2-3)、(Ar2-4)、(Ar2-5)、(Ar2-8)、(Ar2-18)、(Ar2-19)之基團為較佳。式(Ar2-1)、(Ar2-2)、(Ar2-3)、(Ar2-4)、(Ar2-5)之基團為非常佳。較佳地，R在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、CN、N(Ar)₂ 、具有1至40個，較佳1至20個，更佳1至10個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個，較佳3至20個，更佳3至10個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R´取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經R´C=CR´、C≡C、O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換、或具有5至60個，較佳5至40個，更佳5至30個、特佳6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代。較佳地，R^´ 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基個或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基，其中在各情況下一或多個H原子可經D或F置換、或具有5至18個C原子之芳族或雜芳族環系統。下列化合物為式(H1)化合物的實例：

下列化合物為式(H2)化合物的實例：

根據一較佳實施態樣，組成物包含式(H1)化合物、式(H2)化合物和至少一種螢光發光體。詞句“至少一種螢光發光體”意指“一、二、三或更多種螢光發光體”。較佳地，組成物包含至少一種螢光發光體，其包含下列群組中之至少一者： - 含有三個直接與氮原子鍵結的經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統的芳胺； - 具有至少14個芳族環原子之縮合芳族或雜芳族環系統； - 茚并茀、茚并茀胺或茚并茀二胺； - 苯并茚并茀、苯并茚并茀胺或苯并茚并茀二胺； - 二苯并茚并茀、二苯并茚并茀胺或二苯并茚并茀二胺； - 含有具有至少10個芳環原子之縮合芳基的茚并茀； - 雙茚并茚并茀； - 茚并二苯并呋喃；茚并茀胺或茚并茀二胺； - 茀二聚物； - 啡㗁𠯤；或 - 硼衍生物。更佳地，組成物包含至少一種式(E-1)之螢光發光體，

其中 Ar¹⁰ 、Ar¹¹ 、Ar¹² 在每次出現時相同或不同地為具有6至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代；其先決條件為至少一個基團Ar¹⁰ 、Ar¹¹ 、Ar¹² 為具有10至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其含有至少一種由2至4個彼此縮合之芳族環組成的縮合芳基或雜芳基，其中該芳族或雜芳族環系統可經一或多個基團R取代； R 具有與上述相同的定義；及 d 為1、2、3或4；更佳地，d為1；或至少一種式(E-2)之螢光發光體，

其中 Ar²⁰ 、Ar²¹ 、Ar²² 在每次出現時相同或不同地為具有6至30個芳族環原子之芳基或雜芳基，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代； E²⁰ 在每次出現時相同或不同地為選自下列之基團：BR、C(R⁰ )₂ 、Si(R⁰ )₂ 、C=O、C=NR⁰ 、C=C(R⁰ )₂ 、O、S、S=O、SO₂ 、NR⁰ 、PR⁰ 、P(=O)R⁰ 或P(=S)R⁰ ；其中Ar²⁰ 、Ar²¹ 和E²⁰ 一起形成五員環或六員環，及Ar²¹ 、Ar²³ 和E²⁰ 一起形成五員環或六員環； R⁰ 具有與上述相同的定義； p、q 在每次出現時相同或不同地為0或1，其先決條件為p+q=1； r 為1、2或3；或至少一種式(E-3)之螢光發光體，

其中 Ar³⁰ 、Ar³¹ 、Ar³² 在每次出現時相同或不同地代表經取代或未經取代之具有5至22個，較佳5至18個，更佳6至14個芳族環原子之芳基或雜芳基； E³⁰ 代表B或N； E³¹ 、E³² 、E³³ 在每次出現時相同或不同地代表O、S、C(R⁰ )₂ 、C=O、C=S、C=NR⁰ 、C=C(R⁰ )₂ 、Si(R⁰ )₂ 、BR⁰ 、NR⁰ 、PR⁰ 、SO₂ 、SeO₂ 或化學鍵，其先決條件為若E³⁰ 為B，則基團E³¹ 、E³² 、E³³ 中之至少一者代表NR⁰ 及若E³⁰ 為N，則基團E³¹ 、E³² 、E³³ 中之至少一者代表BR⁰ ； R⁰ 具有與上述相同的定義； s、t、u 在每次出現時相同或不同地為0或1，其先決條件為s+t+u≥1。較佳地，式(E-1)之螢光發光體包含至少一種基團Ar¹⁰ 、Ar¹¹ 或Ar¹² ，較佳Ar¹⁰ ，其係選自式(Ar¹⁰ -1)至(Ar¹⁰ -24)之基團：

其中基團Ar¹⁰ -1至Ar¹⁰ -24可於所有自由位置經一或多個基團R取代；及其中 E¹⁰ 在每次出現時相同或不同地為選自下列之基團：BR⁰ 、C(R⁰ )₂ 、Si(R⁰ )₂ 、C=O、C=NR⁰ 、C=C(R⁰ )₂ 、O、S、S=O、SO₂ 、NR⁰ 、PR⁰ 、P(=O)R⁰ 或P(=S)R⁰ ，較佳E¹⁰ 為C(R⁰ )₂ ；其中R⁰ 具有與上述相同的定義； E¹¹ 在每次出現時相同或不同地為選自下列之基團：C=O、O、S、S=O或SO₂ ，較佳O或S，更佳O；及 Ar¹³ 在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代。根據一較佳實施態樣，式(E-1)之發光體包含選自式(Ar¹⁰ -15)至(Ar¹⁰ -22)之基團的基團Ar¹⁰ ，其中d較佳等於1且其中較佳至少一個基團Ar¹¹ 、Ar¹² 係選自式(Ar¹⁰ -15)至(Ar¹⁰ -22)之基團。根據一非常佳實施態樣，式(E-1)之螢光發光體係選自式(E-1-1)至(E-1-6)之發光體，

其中該等符號具有與上述相同的意義及其中： f 為0、1或2；及上述在式(E-1-1)至(E-1-6)化合物中表示的苯環可在所有自由位置經一或多個基團R取代。特佳地，式(E-1)之螢光發光體係選自式(E-1-1-A)至(E-1-6-A)化合物，

其中該等符號和標號具有與上述相同的意義且其中上述在式(E-1-1-A)至(E-1-6-A)之化合物中表示的苯環可在所有自由位置經一或多個基團R取代。較佳地，式(E-2)之螢光發光體係選自式(E-2-1)至(E-2-43)之螢光發光體，

其中式(E-2-1)至(E-2-43)之基團可在所有自由位置經一或多個基團R取代；及其中E²⁰ 具有與上述相同的定義。較佳地，E²⁰ 為C(R⁰ )₂ 。式(E-2)之螢光發光體較佳係選自式(E-2-32)至(E-2-43)之化合物。更佳地，式(E-2)化合物係選自化合物(E-2-32-A)至(E-2-43-A)：

其中該等符號具有與上述相同的意義及其中上述在式(E-2-32-A)至(E-2-43-A)之化合物中所表示之苯和萘環可在所有自由位置經一或多個基團R取代。較佳地，式(E-3)之螢光發光體係選自式(E-3-1)之螢光發光體，

其中該等符號和標號具有與上述相同的意義。更佳地，式(E-3)之螢光發光體係選自式(E-3-2)之螢光發光體，

其中該等符號E³⁰ 至E³³ 具有與上述相同的意義；其中t為0或1，其中當t為0時，基團E³² 不存在和基團R³⁰ 存在，其取代至E³² 的鍵E³² ；及其中 R¹⁰ 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)₂ 、S(=O)Ar、S(=O)₂ Ar、N(R´)₂ 、N(Ar)₂ 、NO₂ 、Si(R^´ )₃ 、B(OR´)₂ 、OSO₂ R^´ 、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個R^´ 基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經R^´ C=CR^´ 、C≡C、Si(R^´ )₂ 、Ge(R^´ )₂ 、Sn(R^´ )₂ 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R^´ )、SO、SO₂ 、O、S或CONR^´ 置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代、或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R´取代；其中二個相鄰的取代基R¹⁰ 可一起形成脂族或芳族環系統，其可經一或多個基團R´取代；其中R´具有與上述相同的定義。甚至更佳地，式(E-3)之螢光發光體係選自式(E-3-3)和(E-3-4)之螢光發光體，

其中該等符號和標號具有與上述相同的意義。根據一較佳實施態樣，式(E-1)、(E-2)或(E-3)之螢光發光體，包含基團RS，其中基團RS係： - 選自以式(RS-a)之基團的下列通式表示的支鏈或環狀烷基

其中 R²² 、R²³ 、R²⁴ 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個基團R²⁵ 取代，且其中基團R²² 、R²³ 、R²⁴ 中之二者或所有基團R²² 、R²³ 、R²⁴ 可連接以形成(多)環烷基，其可經一或多個基團R²⁵ 取代； R²⁵ 在每次出現時係相同或不同地選自具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基；其先決條件為在每次出現時，基團R²² 、R²³ 和R²⁴ 中之至少一者不為H，其先決條件為在每次出現時，所有基團R²² 、R²³ 和R²⁴ 一起具有至少4個碳原子且先決條件為在每次出現時，若基團R²² 、R²³ 、R²⁴ 中之二者為H，則其餘基團不為直鏈；或 - 選自以下列通式(RS-b)表示之支鏈或環狀烷氧基

其中 R²⁶ 、R²⁷ 、R²⁸ 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個如上定義之基團R²⁵ 取代，且其中基團R²⁶ 、R²⁷ 、R²⁸ 中之二者或所有基團R²⁶ 、R²⁷ 、R²⁸ 可連接以形成(多)環烷基，其可經一或多個如上定義之基團R²⁵ 取代；其先決條件為在每次出現時，基團R²⁶ 、R²⁷ 和R²⁸ 中只有一者可為H； - 選自以下列通式(RS-c)表示之芳烷基

其中 R²⁹ 、R³⁰ 、R³¹ 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個基團R³² 取代、或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R³² 取代，且其中基團R²⁹ 、R³⁰ 、R³¹ 中之二者或全部可連接以形成(多)環烷基或芳族環系統，彼等各自可經一或多個基團R³² 取代； R³² 在每次出現時係相同或不同地選自具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基、或具有6至24個芳族環原子之芳族環系統；其先決條件為在每次出現時，基團R²⁹ 、R³⁰ 和R³¹ 中之至少一者不為H，且在每次出現時，基團R²⁹ 、R³⁰ 和R³¹ 中之至少一者為或含有具有至少6個芳族環原子之芳族環系統； - 選自以下列通式(RS-d)表示之芳族環系統

其中 R⁴⁰ 至R⁴⁴ 在每次出現時係相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子之直鏈烷基、或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中上述基團可各自經一或多個基團R³² 取代、或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R³² 取代，且其中基團R⁴⁰ 至R⁴⁴ 中之二或更多者可連接以形成(多)環烷基或芳族環系統，彼等各自可經一或多個如上定義之基團R³² 取代；或 - 選自式(RS-e)之基團，

其中式(RS-e)中之虛線鍵指示至螢光發光體之鍵結，其中Ar⁵⁰ 、Ar⁵¹ 在每次出現時相同或不同地代表具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代；及其中m為選自1至10 的整數。較佳地，式(RS-e)之基團中的標號m為選自1至6，非常佳選自1至4的整數。較佳地，其中Ar⁵⁰ 、Ar⁵¹ 在每次出現時相同或不同地代表具有5至40個，較佳5至30個，更佳6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代。更佳地，Ar⁵⁰ 、Ar⁵¹ 係選自苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺二茀、萘、蒽、菲、伸聯三苯、丙二烯合茀(fluoranthene)、二苯并呋喃、咔唑和二苯并噻吩，其在各情況下可經一或多個基團R取代。非常佳地，至少一個基團Ar⁵⁰ 或Ar⁵¹ 為茀，其可經一或多個基團R取代。更特別地，較佳的是至少一個基團Ar⁵⁰ 代表式(Ar50-2)之基團及/或至少一個基團Ar⁵¹ 代表式(Ar51-2)之基團，

其中式(Ar50-2)中之虛線鍵指示至螢光發光體和至基團Ar⁵⁰ 或Ar⁵¹ 的鍵結；及式(Ar51-2)中之虛線鍵指示至Ar⁵⁰ 的鍵結； E⁴ 係選自-C(R^0a )_2- 、-Si(R^0a )_2- 、-O-、-S-或-N(R^0a )-，較佳-C(R^0a )₂ ； R^0a 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、CN、具有1至40個，較佳1至20個，更佳1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至40個，較佳3至20個，更佳3至10個C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個基團R取代、具有5至60個，較佳5至40個，更佳5至30個，非常佳5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代；其中二個相鄰的取代基R^0a 可形成單-或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代，其具有與上述相同的意義；及式(Ar50-2)和(Ar51-2)之基團可在各個自由位置經基團R取代，其具有與上述相同的意義。基團RS較佳位於其中RS替代R、R⁰ 或R´之位置。可使用於包含式(H1)和(H2)化合物之組成物的螢光發光體之實例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族

胺(chrysenamine)或芳族

二胺。芳族蒽胺意指其中一個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9位置)的化合物。芳族蒽二胺意指其中兩個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9,10-位置)的化合物。芳族芘胺、芘二胺、

胺及

二胺係與其類似地定義，其中二芳胺基較佳地鍵結至芘之1-位置或1,6-位置。其他較佳發光體為茚并茀胺或茚并茀二胺(例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630)、苯并茚并茀胺或苯并茚并茀二胺(例如根據WO 2008/006449)、及二苯并茚并茀胺或二苯并茚并茀二胺(例如根據WO 2007/140847)、及WO 2010/012328中揭示之含有縮合芳基之茚并茀衍生物。又其他較佳發光體為如WO 2015/158409中揭示之苯并蒽衍生物、如WO 2017/036573中揭示之蒽衍生物、如WO 2016/150544之經由雜芳基連接的茀二聚物或如WO 2017/028940和WO 2017/028941中揭示之啡㗁𠯤衍生物。同樣較佳者為WO 2012/048780及WO 2013/185871中所揭示之芘芳基胺(pyrenarylamine)。同樣較佳者為WO 2014/037077中所揭示之苯并茚并茀胺(benzoindenofluorenamine)、WO 2014/106522中所揭示之苯并茀胺及WO 2014/111269或WO 2017/036574、WO 2018/007421中所揭示之茚并茀。較佳亦為如WO 2018/095888、WO 2018/095940、WO 2019/076789、WO 2019/170572以及未公開申請案PCT/EP2019/072697、PCT/EP2019/072670和PCT/EP2019/072662中所揭示之包含二苯并呋喃或茚并二苯并呋喃部分之發光體。同樣較佳者為轡例如WO 2015/102118、CN108409769、CN107266484、WO2017195669、US2018069182中以及未公開申請案EP 19168728.4、EP 19199326.0和EP 19208643.7中所揭示之硼衍生物。在本發明的情況下，非常適合的螢光發光體為WO 2018/007421中所揭示之茚并茀衍生物和WO 2019/076789中所揭示之二苯并呋喃衍生物。可使用於包含式(H1)和(H2)化合物之組成物的較佳螢光發光體之實例係描述於下表中：

根據本發明，式(H1)化合物和式(H2)化合物一起存在於組成物中，較佳存在於均相混合物中。較佳地，式(H1)化合物係以1-60%，較佳5 -50%，更佳10-50%，特佳5-40%，更特佳10-40%，及非常更特佳 20-40%的比例存在於根據本發明之組成物中。較佳地，式(H2)化合物係以30-99%，較佳50-95%，更佳50-90%，特佳60-95%，更特佳60-90%及非常更特佳60-80%的比例存在於組成物中。根據一較佳實施態樣，根據本發明之組成物另外包含至少一種螢光發光體。在此情況下，較佳的是螢光發光體係以0.1和50.0%，較佳介於0.5和20.0%之間，特佳地介於1.0和10.0%之間的比例存在於組成物中。以%表示的比例規格，就本申請案目的而言，若化合物是從氣相中施加，則意指體積%，及若化合物是從溶液施加，則意指重量%。為了從液相處理根據本發明之化合物(例如藉由塗佈方法像旋轉塗佈或藉由印刷方法)，需要根據本發明化合物之調配物。此等調配物可為例如溶液、分散液或乳液。為此目的，較佳可為使用二或更多種溶劑之混合物。溶劑較佳地選自有機和無機溶劑，更佳地為有機溶劑。溶劑非常佳地選自烴、醇、酯、醚、酮和胺。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(特別是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、1-乙基萘、癸基苯、苯基萘、異戊酸薄荷酯、異丁酸對甲苯基酯、己酸環己酯(cyclohexal hexanoate)、對甲苯甲酸乙酯、鄰甲苯甲酸乙酯、間甲苯甲酸乙酯、十氫萘、2-甲氧基苯甲酸乙酯、二丁基苯胺、二環己基酮、異山梨醇二甲基醚、十氫萘、2-甲基聯苯、辛酸乙酯、辛酸辛酯、癸二酸二乙酯、3,3-二甲基聯苯、1,4-二甲基萘、2,2´-二甲基聯苯、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苯甲基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或此等溶劑之混合物。本發明因此另外關於一種調配物，其包含根據本發明之式(H1)化合物和式(H2)化合物及至少一種溶劑。溶劑可為上述溶劑中之一者或此等溶劑的混合物。在根據本發明之調配物中有機溶劑的比例基於調配物的總重量較佳為至少60重量%，較佳至少70重量%和更佳至少80重量%。根據本發明之調配物可用於製造一層或多層結構，其中有機功能材料以層的形式存在，如製造較佳電子或光電子元件諸如OLED所需要的。本發明之調配物較佳可用於在基板上或在施加至基板的層之一者上形成包含根據本發明之組成物的功能層。本發明的又另一目的為一種製造電子裝置之方法，其中至少一層係得自本發明調配物的施加。較佳地，將根據本發明之調配物施加於基板或另一層並接著乾燥。得自根據本發明之調配物的功能層可例如以泛塗(flood coating)、浸塗、噴塗、旋轉塗佈、網版印刷、凸版印刷、凹版印刷、旋轉印刷、輥塗、快乾印刷、平版印刷或噴嘴印刷，較佳噴墨印刷在基板上或施加至基板之層中的一者而製得。根據本發明之調配物施加至基板或已施加的功能層之後，可進行乾燥步驟以便移除溶劑。乾燥較佳可在較低的溫度下進行並經過較長時間，以便避免泡泡形成及獲得均勻塗層。乾燥較佳可在從80至300℃，特佳150至250℃及尤佳180至200℃之範圍的溫度下進行。乾燥在此較佳可在從10^-6 毫巴至2巴之範圍，特佳在從10^-2 毫巴至1巴之範圍及尤佳在從10^-1 毫巴至100毫巴之範圍的壓力下進行。乾燥期間取決於欲達成的乾燥度，其中少量的水可隨意地在相對高溫下予以移除並組合燒結，其為較佳欲進行的。因此，本發明關於一種製造電子裝置之方法，其包含至少一層包含根據本發明之組成物的層：其中該方法包含下列步驟： a) 製備根據本發明之調配物； b) 將步驟a)中製備的調配物施加在基板上或另一層上以形成包含至少一層包含根據本發明之組成物的層； c) 將該層乾燥以移除溶劑。較佳地，在步驟b)中，調配物係藉由從液相處理，更佳地經由塗佈方法或印刷方法，非常更佳地藉由印刷方法，特佳地藉由噴墨印刷方法而施加。本發明的另一個目的為一種電子裝置，其包含陽極、陰極和介於兩者之間的至少一種功能層，其中此功能層包含根據本發明之組成物。較佳地，該至少一種包含根據本發明之組成物的功能層為發光層。電子裝置較佳係選自有機電致發光裝置(OLED)、有機積體電路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、有機太陽能電池、染料敏化有機太陽能電池、有機光學檢測器、有機感光器、有機場淬滅裝置、發光電化學電池、有機雷射二極體和有機電漿子發光裝置。更佳地，電子裝置為有機電致發光裝置(OLED)。有機電致發光裝置包含陰極、陽極和至少一個發光層，其包含根據本發明之組成物。除了此等層以外，有機電致發光裝置亦可包含其它層，例如在各情況下一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、及/或電荷產生層。同樣可能在二個發光層之間引入具有例如激子阻擋功能之中間層。然而，應指出的是此等層各者不一定必須存在。有機電致發光裝置在此可包含一個發光層或多個發光層。若存在多個發光層，則此等較佳地具有總計在380 nm和750 nm之間的多個發光最大值，整體導致白色發光，亦即將能夠發螢光或磷光的各種發光化合物使用於發光層中。特佳者為具有三個發光層之系統，其中該三層呈現藍色、綠色及橙色或紅色發光(基本結構參見例如WO 2005/011013)。此等可為螢光或磷光發光層或其中螢光和磷光發光層彼此合併的混合系統。相關電子裝置可包含單一發光層(其包含根據本發明之組成物)或其可包含二或更多發光層。根據本發明之組成物可包含一或多種其他基質材料。較佳其他基質材料係選自下列類別：寡聚伸芳基(oligoarylene)(例如根據EP 676461之2,2’,7,7’-四苯基螺二茀或二萘基蒽)，特別是含有縮合芳族基團之寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基(oligoarylenevinylene)(例如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi)、多牙(polypodal)金屬錯合物(例如根據WO 2004/081017)、電洞傳導化合物(例如根據WO 2004/058911)、電子傳導化合物，特別是酮、膦氧化物、亞碸、等等(例如根據WO 2005/084081和WO 2005/084082)、阻轉異構物(例如根據WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)或苯并蒽(例如根據WO 2008/145239)。特佳基質材料係選自下列類別：包含萘、蒽、苯并蒽及/或芘之寡聚伸芳基或此等化合物的阻轉異構物、寡聚伸芳基伸乙烯基、酮、膦氧化物和亞碸。非常特佳基質材料係選自下列類別：包含蒽、苯并蒽、苯并菲及/或芘之寡聚伸芳基或此等化合物的阻轉異構物。寡聚伸芳基就本發明的意義而言意指一種其中至少三個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。用作為根據本發明之有機電致發光裝置中的對應功能材料之材料的一般較佳類別係指示於下。適當電荷傳輸材料，如可使用於根據本發明之電子裝置的電洞注入層或電洞傳輸層或電子阻擋層或於電子傳輸層中，為(例如)Y. Shirota等人之Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010中所揭示之化合物或根據先前技術使用於此等層中之其他材料。可用於電子傳輸層之材料為根據先前技術用作為電子傳輸層中之電子傳輸材料的所有材料。特別適合的是鋁錯合物(例如，Alq₃ )、鋯錯合物(例如，Zrq₄ )、鋰錯合物(例如LiQ)、苯并咪唑衍生物、三𠯤衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡𠯤衍生物、喹㗁啉衍生物、喹啉衍生物、㗁二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物及膦氧化物衍生物。此外適當材料為上述化合物之衍生物，如JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975及WO 2010/072300中所揭示。可用於根據本發明之電致發光裝置中的電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中之較佳電洞傳輸材料為茚并茀胺衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、EP 1661888中所揭示之胺衍生物、六氮雜伸聯三苯衍生物(例如根據WO 01/049806)、含有縮合芳族環之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、WO 95/09147中揭示之胺衍生物、單苯并茚并茀胺(例如根據WO 08/006449)、二苯并茚并茀胺(例如根據WO 07/140847)、螺二茀胺(例如根據WO 2012/034627或WO 2013/120577)、茀胺(例如根據申請案EP 2875092、EP 2875699和EP 2875004)、螺二苯并哌喃胺(例如根據WO 2013/083216)及二氫吖啶衍生物(例如根據WO 2012/150001)。根據本發明之化合物也可用作為電洞傳輸材料。有機電致發光裝置之陰極較佳包含具有低功函數之金屬、金屬合金或包含各種金屬之多層結構，諸如，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等)。亦適合的是包含鹼金屬或鹼土金屬和銀之合金，例如包含鎂和銀之合金。在多層結構之情況中，除該等金屬外，也可使用具有較高功函數之其他金屬，諸如(例如)Ag或Al，在該情況中通常使用金屬之組合，諸如(例如)Ca/Ag、Mg/Ag或Ag/Ag。較佳亦可於金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。適合於此目的者為(例如)鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li₂ O、BaF₂ 、MgO、NaF、CsF、Cs₂ CO₃ 、等等)亦適合。此外，喹啉酸鋰(LiQ)可使用此目的。此層之層厚度較佳係介於0.5和5 nm之間。陽極較佳包含具有高功函數之材料。陽極較佳具有相對於真空為大於4.5 eV之功函數。適合此目的者一方面為具有高氧化還原電位之金屬，諸如(例如)Ag、Pt或Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiO_x 、Al/PtO_x )亦可為較佳的。就一些應用而言，至少一個電極必須為透明或部分透明，以便促進有機材料之照射(有機太陽能電池)或光之耦合輸出(OLED、O-雷射)。較佳陽極材料在此為導電性混合金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外較佳者為導電性摻雜型有機材料，特別是導電性摻雜型聚合物。將裝置適當地(視應用而定)結構化，配備接點且最後密封，因為根據本發明之裝置的壽命在水及/或空氣存在下被縮短。在一較佳實施態樣中，根據本發明之有機電致發光裝置特徵在於一或多層係利用昇華方法塗佈，其中該等材料係於真空昇華單元中在低於10^‑5 毫巴，較佳低於10^‑6 毫巴之初壓力下藉由氣相沈積施加。然而，初壓力在此也可能甚至更低，例如低於10^‑7 毫巴。同樣較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於利用OVPD(有機氣相沈積)方法或輔以載體-氣體昇華法塗佈一或多層，其中該等材料係在介於10^-5 毫巴和1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機氣相噴墨印刷)方法，其中該等材料係透過噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301)。此外較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於一或多層係諸如(例如)以旋轉塗佈或利用任何所欲印刷方法(諸如，例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但特佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷從溶液製造。為此目的需要可溶性式(I)化合物。高溶解度可透過該等化合物之適當取代而達成。亦可能者為混合方法，其中，例如，一或多層係從溶液施加且一或多個其他層係藉由氣相沈積施加。因此，例如，可能從溶液施加發光層且可能藉由氣相沈積施加電子傳輸層。此等方法通常為熟習此項技術者已知且熟習此項技術者可在無進步性(inventive step)下將該等方法應用於包含根據本發明之化合物的有機電致發光裝置。根據本發明，包含一或多種根據本發明之化合物的電子裝置可使用於顯示器中、作為照明應用中之光源及作為醫學及/或美容應用(例如光療法)中之光源。現在將以下列實施例更詳細地闡明本發明，而不希望因此限制本發明。

實施例合成例 a) 主體H1 化合物A1的合成：

將7.9 g (32 mmol) 3,6-二氯-菲(20851-90-5)、30.4 g (80 mmol) 4,4,5,5-四甲基-2-(10-苯基-9-蒽基)-1,3,2-二氧雜環戊硼烷(dioxaborolane)(460347-59-5)、29.5 g (128 mmol)磷酸鉀一水合物溶解在750 ml THF/水(2:1)中。添加813 mg (0.96 mmol) XPhos Palladacycle Gen. 3並將反應混合物在65℃下攪拌。16小時後使反應混合物達到室溫。將反應混合物過濾並用冷THF洗滌。將沈澱物藉由經氧化鋁熱萃取(甲苯)純化，並藉由從甲苯/乙醇和甲苯/庚烷中結晶出來直到以HPLC為＞99.9之純度而進一步純化。藉由在300℃和10^-5 巴壓力下回火2小時移除剩餘的溶劑。產量：4.9 g (7.2 mmol，23%)的淡黃色固體以類似的方式可合成下列化合物：

化合物I1的合成：

將9.3 g (32 mmol) 3-溴-6-氯-菲(892550-44-6)、13.3 g (35 mmol) 4,4,5,5-四甲基-2-(10-苯基-9-蒽基)-1,3,2-二氧雜環戊硼烷(dioxaborolane)(460347-59-5)、11.5 g(50mmol)磷酸鉀一水合物溶解在750 ml THF/水(2:1)中。添加813 mg (0.96 mmol) XPhos Palladacycle Gen. 3並將反應混合物在65℃下攪拌。16小時後使反應混合物達到室溫。將混合物用300ml甲苯稀釋。將水相用甲苯(2x200 ml)萃取並將合併的有機相用水(2x200 ml)洗滌，經過硫酸鎂乾燥，過濾和在減壓下減少。將剩餘的固體藉由經二氧化矽過濾(甲苯)並從甲苯/乙醇中結晶出來直到以HPLC為98%之純度而純化。產量10.7 g (23 mmol，72%) 以類似的方式可合成下列化合物：

化合物B1的合成：

將9.3 g (20 mmol) I1、16.0 g (30 mmol) 4,4,5,5-四甲基-2-(10-{5-苯基-[1,1'-聯苯]-3-基}蒽-9-基)-1,3,2-二氧雜環戊硼烷(dioxaborolane)(1016653-38-5)、11.5 g (50mmol) 磷酸鉀一水合物溶解在750 ml THF/水(2:1)中。添加813 mg (0.96 mmol) XPhos Palladacycle Gen. 3並將反應混合物在65℃下攪拌。16小時後使反應混合物達到室溫。將混合物用300ml甲苯稀釋。將水相用甲苯(2x200 ml)萃取並將合併的有機相用水(2x200 ml)洗滌，經過硫酸鎂乾燥，過濾和在減壓下減少。將剩餘的固體經氧化鋁熱萃取(甲苯)並從甲苯/乙醇和甲苯/庚烷結晶出來直到以HPLC為＞99.9%之純度來純化。藉由在300℃和10^-5 巴下回火2小時來移除剩餘的溶劑。產量：7.5 g (9 mmol，45%) 以類似的方式可合成下列化合物：

b) 主體H2 式(H2)主體的合成為熟習該項技術者已知的並且描述於例如WO 2008/145239和WO 2015/158409中。其他合成例描述如下： C-1的合成

在高壓釜中，將C-I1(1818872-84-2；10 g，19.5 mmol)溶解在700 ml甲苯-d8和D₂ 0(5：2)的混合物中，並用氮氣脫氣及沖洗，添加20g Pt-C 5%並在165℃下攪拌混合物。11天後，將混合物冷卻至室溫及濾出觸媒並分離兩相。在減壓下減少有機相。將剩餘的固體藉由經二氧化矽過濾(3次，甲苯作為溶析液)並從二氯甲烷：環己烷和甲苯：正庚烷多次結晶出來直到以99.9%之HPLC純度來純化。將剩餘的固體藉由在250℃和10^-5 巴下回火乾燥。獲得呈無色粉末之氘代產物(D22-28)。藉由ASAP-MS、¹ H-NMR、¹³ C-NMR和2D-NMR獲得氘化等級。產量：5.4 g (10.5 mmol；54%)。 D1的合成

將10 g (19.7 mmol) 7-乙基-4-(10-苯基蒽-9-基)四芬(tetraphene)溶解在230 mL甲苯-D8中。滴加10.4 ml (0.12 mol)三氟甲磺酸並將混合物在室溫下攪拌。兩個小時後添加47 ml D₂ 0並將混合物攪拌10分鐘直到將其加入磷酸鉀水溶液中。將混合物用甲苯萃取並將合併的有機相用硫酸鈉乾燥。將有機相在減壓下減少。將剩餘的固體藉由經管柱層析和從二氯甲烷：環己烷和甲苯：正庚烷多次結晶出直到99.9%之HPLC純度來純化。產量5.7g (10.8 mmol，55%)。裝置例 a) 薄膜和裝置的製備使用超聲波在去離子水中清洗覆蓋有預結構化ITO (50nm)和堤岸材料的玻璃基板。接下來，使用氣槍乾燥基板，隨後在熱板上在230℃下退火2小時。所有下列方法步驟均在黃光下進行。下列的層順序係顯示於圖4a和4b中。將電洞注入層(HIL)噴墨印刷在具有20nm厚度之基板上並在真空中乾燥。為此，HIL墨水具有6 g/l的固體濃度。接著將HIL在200℃下退火30分鐘。在空氣中進行HIL的噴墨印刷和退火。作為HIL材料，將電洞傳輸的可交聯聚合物和p-摻雜物鹽溶於3-苯氧基甲苯中。該等材料係描述於例如WO 2016/107668、WO 2013/081052和EP 2325190中。在HIL的頂部上，在周圍條件下噴墨印刷電洞傳輸層，在真空中乾燥並在210℃下在氬氛圍中退火30分鐘。電洞傳輸層為表1中所示之根據WO2013156130合成的結構之聚合物(HTM1)或根據WO2018/114882合成的聚合物HTM2(表1)。將聚合物溶解在3-苯氧基甲苯中，使得如在此，若對於裝置而言典型的20nm的層厚度將利用噴墨印刷達成，則溶液通常具有約5g/l的固體含量。將該等層藉由在周圍氛圍中噴墨印刷施加，在真空中乾燥並藉由在氬氛圍中在210℃下加熱30分鐘進行退火。發光層包含如下表2中所述的基質材料(一種主體化合物或兩種主體化合物)和摻雜劑。將用於發光層的混合物溶解在3-苯氧基甲苯中。如在此，若對於裝置而言典型的30nm的層厚度將利用噴墨印刷達成，則該等溶液的固體含量為約10mg/ml。也噴墨印刷藍色發光層(B-EML)，然後真空乾燥並在150℃下退火10分鐘。噴墨印刷在周圍氛圍中進行，而退火在氬氛圍中進行。根據圖4a製備的裝置用於評估EML薄膜均勻性。為了根據圖4b製備裝置，其用於電光示性，則將樣品轉移至真空沈積室中，其中使用熱蒸發進行兩個電子傳輸層(ETL1、ETL2)、一個電子注入層(EIL)和陰極(Al)之沈積。因此ETL1由ETM1(10nm膜厚)組成，而ETL2由ETM1和ETM2的1：1體積%混合物(40nm膜厚)組成。電子注入層由ETM2 (3nm)組成及陰極為鋁(100nm)。結構係顯示於表1中。蒸發後，在氬氛圍中的手套箱中將裝置封裝。

b) 發光薄膜均勻性的評估就顯示器的製造而言，獲得非常好的像素均勻性同時具有良好的裝置性能是非常重要的。層厚不均勻導致不均勻的發光強度分佈，薄膜厚度較薄的區域顯示發光強度增加，而較厚的區域發光強度降低。該不均勻性隨像素而異，從而阻止像素之間的可再現外觀(reproduceable appearance)。總之，此將導致對該類顯示器品質的負面看法。因此，本發明解決了EML膜均勻性和裝置性能的主題。評估的第一步因此為檢查薄膜的均勻性。為此，使用圖4a中所示的堆疊，並在EML沈積後停止處理。如部分a)中所述製備薄膜。EML的組成如表2-A和表2-B中所示。為了評估印刷薄膜的均勻性，藉由輪廓儀沿8µm輪廓示性其形貌，及計算Rp-v(峰對谷)值以及粗糙度的均方根偏差。使用來自KLA-Tencor Corporation的具有2 μm記錄針之輪廓儀Alpha-step D120測量薄膜輪廓。Rp-v值對應於測量輪廓內測量最大值(Rp)和最小值(Rv)的高度差。為了便於查看，減去薄膜輪廓的基線，使得最小峰對應於0nm的高度，及所有圖的軸刻度都相同。下列二式係用以測定薄膜均勻性：峰對谷Rp-v，其指示層內的最大高度差(式1)和均方根粗糙度RMS，其使用高度差對平均線zi的均方根值(式2)。

相較於PR2，包含根據本發明之主體混合物的實施例PE1顯示顯著減少之Rp-v和RMS且對應於更光滑的薄膜(圖2和3)。此外，相較於PR1，實施例PE1也顯示類似的Rp-v和RMS，同時導致如下所示之更好的OLED性能(參見表5f，參考11和實施例14)。另外發光層(EML)的其他薄膜均勻性係顯示於下表2-B中且包含對應EML的OLED之性能係顯示於表5a至5k中。

對於具有輪廓PE1、PE2、PE3、PE4、PE5、PE6、PE7、PE8、PE9、PE11和PE12之發光層而言，與上述PE1相同的討論是有效的。使用具有輪廓PE1至PE12之混合主體EML的裝置之性能可與其他裝置比較(參見表5a至5k)。 c) 裝置結果如a)部分中所述製備如圖4b中所示之裝置。主體材料係顯示於表3中及發光體係顯示於表4中。如表5a-k中所示混合藍色EML墨水，其中亦顯示各個實施例的在1000 cd/m² 下的相對外部量子效率(rel. EQE)和相對裝置壽命(在1000 cd/m² 下的rel. LT90)。

在手套箱封裝後，將OLED以標準方法示性。為此目的，測量電致發光光譜、假設Lambert發光特性之電流/電壓/發光密度特徵曲線(IUL特徵曲線)和(操作)壽命。IUL特徵曲線係用以測定特徵值(characteristic figures of merit)，諸如在特定發光強度下的外部量子效率(%)。在施加的電壓斜升的各步驟，該裝置以恆定電壓驅動。裝置壽命係在給定電流下以初始發光強度測量。接著藉由校準的光電二極體隨時間測量發光強度。

相較於單一主體類型H1，所有顯示之混合主體系統的實施例都顯示改良的裝置性能，而可達到與主體類型H2類似的性能。此與所使用的發光體和所使用的發光體濃度無關。如上所討論，顯示參考11和12以及來自表5f中的實施例14和實施例15(參見圖1至3)之輪廓。相較於參考11，根據本發明之實施例13、14和15顯示改良的裝置性能、可見效率增加和壽命增加。相較於參考12(其顯示高度不均勻的薄膜)，根據本發明之薄膜為非常均勻，而同時顯示相似的裝置性能。相同的討論對於表5a至5k中表示的根據本發明之裝置為有效的。借助於本發明的內容，可能達成良好的OLED裝置性能，同時保證均勻薄膜的品質。

[圖1]：如表2-A中所述之薄膜輪廓PR1。 [圖2]：如表2-A中所述之薄膜輪廓PR2。 [圖3]：如表2-A中所述之薄膜輪廓PE1。 [圖4a]：用以評估發光層之薄膜均勻性的裝置之堆疊。 [圖4b]：用於OLED之電光示性的裝置之堆疊。

Claims

一種包含式(H1)化合物和式(H2)化合物之組成物，

其中下列適用於所使用的符號和標號： X 在每次出現時相同或不同地代表CR^X 或N；或若X鍵結至基團Ar¹ 或Ar^S ，則X為C； Z 在每次出現時相同或不同地代表CR^Z 或N；或若Z鍵結至基團Ar³ ，則Z為C； Ar¹ 在每次出現時相同或不同地為具有10至60個芳族環原子之芳基或雜芳基，其在各情況下亦可經一或多個基團R^V 取代； Ar³ 在每次出現時相同或不同地為具有10至60個芳族環原子之芳基或雜芳基，其在各情況下亦可經一或多個基團R^Y 取代； Ar² 、Ar⁴ 、Ar^S 在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代； R^V 、R^X 、R^Y 、R^Z 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)₂ 、S(=O)Ar、S(=O)₂ Ar、N(R)₂ 、N(Ar)₂ 、NO₂ 、Si(R)₃ 、B(OR)₂ 、OSO₂ R、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)₂ 、Ge(R)₂ 、Sn(R)₂ 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO₂ 、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代；其中二個相鄰基團R^V 、二個相鄰基團R^X 、二個相鄰基團R^Y 、二個相鄰基團R^Z 可一起形成脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個基團R取代； R 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)₂ 、S(=O)Ar、S(=O)₂ Ar、N(R´)₂ 、N(Ar)₂ 、NO₂ 、Si(R^´ )₃ 、B(OR´)₂ 、OSO₂ R、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R´取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經R^´ C=CR^´ 、C≡C、Si(R^´ )₂ 、Ge(R^´ )₂ 、Sn(R^´ )₂ 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R^´ )、SO、SO₂ 、O、S或CONR^´ 置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂ 置換、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代、或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R^´ 取代；其中二個相鄰的取代基R可一起形成脂族或芳族環系統，其可經一或多個基團R´取代； Ar 在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R^´ 取代； R^´ 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經SO、SO₂ 、O、S置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換、或具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統；及 a、b 在每次出現時相同或不同地為0或1；其中當a或b為0時，則對應Ar^S 不存在且該基團Ar¹ 係直接鍵結至基團X。
根據請求項1之組成物，其中式(H2)化合物係選自式(H2-1)化合物，
其中符號Ar² 和Z具有與請求項1中相同的意義；及 Y為CR^Y 或N；或Y若鍵結至Ar² 或基團Z則為C；其中R^Y 具有與請求項1中相同的意義。
根據請求項1或2之組成物，其中式(H2)化合物係選自式(H2-2)化合物，
其中Ar² 和Z具有與請求項1中相同的意義及Y具有與請求項2中相同的意義。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中式(H2)化合物係選自式(H2-3)化合物，
其中該等符號具有與請求項1中相同的意義，其先決條件為基團CR^Z 對應於在相鄰蒽的鍵結位置之基團C。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中式(H2)化合物係選自式(H2-4)化合物，
其中該等符號具有與請求項1中相同的意義。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中式(H2)化合物係選自式(H2-5)化合物，
其中該等符號具有與請求項1中相同的意義。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中式(H1)化合物係選自式(H1-1)化合物，
其中X、Ar^S 、Ar⁴ 和標號a和b具有與請求項1中相同的意義；及 V為CR^V 或N；或V若鍵結至Ar⁴ 、Ar^S 或基團X則為C；其中R^V 具有與請求項1中相同的意義。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中式(H1)化合物係選自式(H1-2)化合物，
其中X和Ar⁴ 具有與請求項1中相同的意義；及 V具有與請求項7中相同的意義。
根據前述請求項中一或多項之組成物，式(H1)化合物係選自式(H1-3)化合物，
其中該等符號具有與請求項1和7中相同的意義。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中式(H1)化合物係選自式(H1-4)化合物，
其中該等符號具有與請求項1中相同的意義。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中式(H1)化合物係選自式(H1-5)化合物，
其中該等符號具有與請求項1中相同的意義。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中基團Ar² 、Ar⁴ 在每次出現時係由下列組成：苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺二茀、萘、蒽、菲、伸聯三苯、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、
(chrysene)、苯并蒽、稠二萘(benzophenanthracene)、芘或苝、二苯并呋喃、咔唑和二苯并噻吩，彼等各自可於任何自由位置經一或多個基團R取代；及其中Ar² 、Ar⁴ 也可為二或更多個先前引用之基團的組合。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中其另外包含螢光發光體。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中其包含選自由下列所組成群組之螢光發光體： - 含有三個直接與氮原子鍵結的經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統的芳胺； - 具有至少14個芳族環原子之縮合芳族或雜芳族環系統； - 茚并茀、茚并茀胺或茚并茀二胺； - 苯并茚并茀、苯并茚并茀胺或苯并茚并茀二胺； - 二苯并茚并茀、二苯并茚并茀胺或二苯并茚并茀二胺； - 含有具有至少10個芳族環原子之縮合芳基的茚并茀； - 雙茚并茚并茀； - 茚并二苯并呋喃；茚并茀胺或茚并茀二胺； - 茀二聚物； - 啡㗁𠯤；及 - 硼衍生物。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中其包含式(E-1)、(E-2)或(E-3)之螢光發光體，
其中 Ar¹⁰ 、Ar¹¹ 、Ar¹² 在每次出現時相同或不同地為具有6至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代；其先決條件為至少一個基團Ar¹⁰ 、Ar¹¹ 、Ar¹² 為具有10至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其含有至少一種由2至4個彼此縮合之芳族環組成的縮合芳基或雜芳基，其中該芳族或雜芳族環系統可經一或多個基團R取代； R 具有與請求項1中相同的定義；及 d 為1、2、3或4；更佳地，d為1；
其中 Ar²⁰ 、Ar²¹ 、Ar²² 在每次出現時相同或不同地為具有6至30個芳族環原子之芳基或雜芳基，其在各情況下亦可經一或多個基團R取代； E²⁰ 在每次出現時相同或不同地為選自下列之基團：BR、C(R⁰ )₂ 、Si(R⁰ )₂ 、C=O、C=NR⁰ 、C=C(R⁰ )₂ 、O、S、S=O、SO₂ 、NR⁰ 、PR⁰ 、P(=O)R⁰ 或P(=S)R⁰ ；其中Ar²⁰ 、Ar²¹ 和E²⁰ 一起形成五員環或六員環，及Ar²¹ 、Ar²³ 和E²⁰ 一起形成五員環或六員環； R⁰ 在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、具有1至20個(較佳1至10個)C原子之直鏈烷基或具有3至20個(較佳3至10個)C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH₂ 基團可經O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換、或具有5至40個(較佳5至30個，更佳6至18個)芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代，其中二個相鄰基團R⁰ 可一起形成脂族或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代， R 具有與請求項1中相同的定義； p、q 在每次出現時相同或不同地為0或1，其先決條件為p+q=1； r 為1、2或3；
其中 Ar³⁰ 、Ar³¹ 、Ar³² 在每次出現時相同或不同地代表具有5至22個(較佳5至18個，更佳6至14個)芳族環原子之經取代或未經取代之芳基或雜芳基； E³⁰ 代表B或N； E³¹ 、E³² 、E³³ 在每次出現時相同或不同地代表O、S、C(R⁰ )₂ 、C=O、C=S、C=NR⁰ 、C=C(R⁰ )₂ 、Si(R⁰ )₂ 、BR⁰ 、NR⁰ 、PR⁰ 、SO₂ 、SeO₂ 或化學鍵、其先決條件為若E³⁰ 為B，則基團E³¹ 、E³² 、E³³ 中之至少一者代表NR⁰ 及若E³⁰ 為N，則基團E³¹ 、E³² 、E³³ 中之至少一者代表BR⁰ ； R⁰ 具有與上述相同的定義； s、t、u 在每次出現時相同或不同地為0或1，其先決條件為s+t+u≥1。
根據前述請求項中一或多項之組成物，其中式(H1)化合物係以1至60%的比例存在於組成物中及式(H2)化合物係以30至99%的比例存在於組成物中。
一種調配物，其包含至少一種根據請求項1至16中一或多項之組成物和至少一種溶劑。
一種製造電子裝置之方法，其包含至少一層包含根據請求項1至16中一或多項之組成物的層： a) 製備一種調配物，其包含至少一種根據請求項1至16中一或多項之組成物和至少一種溶劑； b) 將步驟a)中製備的調配物施加在基板上或另一層上以形成一層； c) 將該層乾燥以移除溶劑。
根據請求項18之方法，其中該調配物係以塗佈法或印刷法施加。
根據請求項18或19之方法，其中該調配物係以泛塗(flood coating)、浸塗、噴塗、旋轉塗佈、網版印刷、凸版印刷、凹版印刷、輥塗、噴墨印刷、旋轉印刷、快乾印刷、平版印刷、縫模塗佈(slot die coating)或噴嘴印刷施加。
一種電子裝置，其包含陽極、陰極、和至少一個發光層，其中該發光層包含根據請求項1至16中一或多項之組成物。
根據請求項21之電子裝置，其係選自由下列所組成之群組：有機電致發光裝置、有機積體電路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、有機太陽能電池、染料敏化有機太陽能電池、有機光學檢測器、有機感光器、有機場淬滅裝置、發光電化學電池、有機雷射二極體和有機電漿子發光裝置。