TWI823993B - 用於有機電致發光裝置之材料 - Google Patents

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盧分 凌吉
賽巴斯汀 梅爾
雷拉依沙貝爾 羅瑞蓋茲
艾倫 雷克納
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Abstract

本發明係關於式(1)化合物,其適用於電子裝置,特別是有機電致發光裝置,及關於包含這些化合物之電子裝置。

Description

用於有機電致發光裝置之材料
本發明關於一種式(1)化合物、該化合物在電子裝置之用途、及包含式(1)化合物之電子裝置。本發明此外關於一種製備式(1)化合物之方法以及包含一或多種式(1)化合物之調配物。
用於電子裝置的功能性化合物之開發為目前深入研究的主題。目的特別是開發可用其達成改良電子裝置在一或多種相關特徵方面的性質(諸如,例如,裝置的功率效率和壽命以及發射光的色坐標)之化合物。 根據本發明,術語電子裝置尤其意指有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學偵測器、有機感光器(organic photoreceptor)、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-雷射)以及有機電致發光裝置(OLED)。 特別感興趣的是提供用於最後提到的所謂OLED之電子裝置的化合物。OLED的一般結構以及功能原理為熟習該項技術者已知且已描述於例如US 4539507中。 仍然需要關於OLED之性能數據的進一步改良,特別是鑑於廣泛商業用途,例如,在顯示裝置或作為光源的用途。就此而論,特別重要的是OLED的壽命、效率和操作電壓以及所達成的色值。特別地,在發藍光的OLED情況下,關於裝置的壽命和效率之改良是有可能的。 達到該等改良之一重要起點為電子裝置中所使用之發光體化合物和主體化合物的選擇。 從先前技術得知的藍色螢光發光體為多樣性的化合物。從先前技術得知含有一或多個縮合芳基之芳基胺。從先前技術亦得知含有二苯并呋喃基團之芳基胺(如 US 2017/0012214中所揭示)或茚并二苯并呋喃基團(如 CN 10753308或CN 107573925中所揭示)。 然而,仍然需要可用於OLED中並且導致在壽命、顏色發射和效率方面具有非常良好性質的OLED之其他螢光發光體,尤其是藍色螢光發光體。更特別地,需要兼具非常高的效率、非常好的壽命和合適的色坐標以及高色純度之藍色螢光發光體。 此外,已知的是,OLED可包含不同的層,其可在真空室中藉由蒸氣沈積或藉由從溶液處理而施加。以蒸氣沈積為基礎之方法導致良好的結果,但是該等方法複雜且昂貴。因此,需要可從溶液容易且可靠地處理之OLED材料。在此情況下,該等材料應該在包含彼等的溶液中具有良好的溶解度。另外,從溶液處理之OLED材料應能夠在沈積的膜中定向其本身以改良OLED的整體效率。術語定向在此意指化合物的水平分子定向,如Zhao等人之 Horizontal molecular orientation in solution-processed organic light-emitting diodes,Appl. Phys. Lett. 106063301, 2015中所說明。
本發明因此係基於提供化合物之技術目的,該化合物適合使用於電子裝置(諸如,OLED),更特別地可用作為藍色螢光發光體或基質材料且其適合於真空處理或適合於溶液處理。 在關於使用於電子裝置之新穎化合物的研究中,現已發現如下定義之式(1)化合物特別適合使用於電子裝置。特別地,彼等達成上述技術目的中之一或多者,較佳為全部。 本發明因此關於式(1)化合物, 其中下列適用於所使用的符號及標號: ArN 為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代; E1 在每次出現時係相同或不同地選自-BR0 -、-C(R0 )2 -、 -C(R0 )2 -C(R0 )2 -、-C(R0 )2 -O-、-C(R0 )2 -S-、-R0 C=CR0 -、-R0 C=N-、Si(R0 )2 、-Si(R0 )2 -Si(R0 )2 -、-C(=O)-、 -C(=NR0 )-、-C(=C(R0 )2 )-、-O-、-S-、-S(=O)-、-SO2 -、-N(R0 )-、-P(R0 )-和–P((=O)R0 )-;或E1 為式(E-1)之基團, 其中式(E-1)中之符號*表示式(1)中之對應基團E1 ;及 E0 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組:單鍵、-BR0 -、-C(R0 )2 -、-C(R0 )2 -C(R0 )2 -、 -C(R0 )2 -O-、-C(R0 )2 -S-、-R0 C=CR0 -、-R0 C=N-、Si(R0 )2 、-Si(R0 )2 -Si(R0 )2 -、-C(=O)-、-C(=NR0 )-、 -C(=C(R0 )2 )-、-O-、-S-、-S(=O)-、-SO2 -、-N(R0 )-、-P(R0 )-和-P((=O)R0 )-; E2 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組:-O-、-S-、-S(=O)-和-SO2 -; R0 至R5 在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;Cl;Br;I;CHO;CN;N(Ar)2 ;C(=O)Ar;P(=O)(Ar)2 ;S(=O)Ar;S(=O)2 Ar;NO2 ;Si(R)3 ;B(OR)2 ; OSO2 R;具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基,彼等各自可經一或多個基團R取代,其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換,和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換;具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代;或具有5至60個芳族環原子之芳氧基,其可經一或多個基團R取代,其中兩個相鄰的取代基R0 、及/或二個相鄰的取代基R1 、及/或二個相鄰的取代基R2 、及/或二個相鄰的取代基R3 、及/或二個相鄰的取代基R4 、及/或二個相鄰的取代基R5 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統,其可經一或多個基團R取代; m、n、q 在每次出現時相同或不同地代表選自0、1、2、3或4之整數; p     在每次出現時相同或不同地代表選自0、1、2或3之整數; r      在每次出現時相同或不同地代表選自0、1或2之整數; R     在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;Cl;Br;I;CHO;CN;N(Ar)2 ;C(=O)Ar;P(=O)(Ar)2 ;S(=O)Ar;S(=O)2 Ar;NO2 ;Si(R’)3 ;B(OR’)2 ; OSO2 R’;具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基,彼等各自可經一或多個R’基團取代,其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經R’C=CR’、C≡C、Si(R’)2 、Ge(R’)2 、Sn(R’)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R’)、SO、SO2 、O、S或CONR’置換,和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換;具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個R’基團取代;或具有5至60個芳族環原子之芳氧基,其可經一或多個R’基團取代,其中兩個相鄰的取代基R可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統,其可經一或多個R’基團取代; Ar    在每次出現時相同或不同地為具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下亦可經一或多個R’基團取代; R’    在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;Cl;Br;I;CN;具有1至20個C原子之直鏈烷基;烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基,其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經SO、SO2 、O、S置換,和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換;或具有5至24個C原子之芳族或雜芳族環系統。 相鄰的取代基就本發明之意義而言為鍵結至彼此直接連接的原子或鍵結至相同原子的取代基。 此外,下列化學基團的定義適用於本申請案之目的: 芳基就本發明之意義而言含有6至60個芳族環原子,較佳地6至40個芳族環原子,更佳地6至20個芳族環原子;雜芳基就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子,較佳地5至40個芳族環原子,更佳地5至20個芳族環原子,其中至少一者為雜原子。雜原子較佳係選自N、O及S。此表示基本定義。若在本發明之說明中指示其他較佳選擇,例如有關所存在之芳族環原子或雜原子的數目,則這些適用。 芳基或雜芳基在此意指簡單芳族環,即苯,或簡單雜芳族環,例如吡啶、嘧啶或噻吩,或縮合(稠合(annellated))芳族或雜芳族多環,例如萘、菲、喹啉或咔唑。縮合(稠合)芳族或雜芳族多環就本申請案的意義而言由彼此縮合之二或更多個簡單芳族或雜芳族環組成。 在各情況下可經上述基團取代且可經由任何所要位置連接至芳族或雜芳族環系統之芳基或雜芳基特別意指衍生自下列之基團:苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并蒽、苯并菲、稠四苯、稠五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑( phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑( quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑( naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑( phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、吡𠯤、啡𠯤、㖠啶、氮咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、蝶啶、吲及苯并噻二唑。 根據本發明之定義的芳氧基意指經由氧原子鍵結的如上述所定義之芳基。類似定義適用於雜芳氧基。 芳族環系統就本發明之意義而言在環系統中含有6至60個C原子,較佳地6至40個C原子,更佳地6至20個C原子。雜芳族環系統就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子,較佳地5至40個芳族環原子,更佳地5至20個芳族環原子,其中至少一個為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統就本發明之意義而言意指不一定只含有芳基或雜芳基,而是其中另外多個芳基或雜芳基可以非芳族單元(較佳為少於10%之非H的原子)(諸如,例如sp3 -混成之C、Si、N或O原子、sp2 -混成之C或N原子或sp-混成之C原子)連接的系統。因此,例如系統諸如9,9’-螺聯茀、9,9’-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯、等等亦意欲為就本發明之意義而言的芳族環系統,如為其中二或更多個芳基例如以直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或以矽基連接之系統。此外,其中二或更多個芳基或雜芳基係經由單鍵彼此連結之系統亦為就本發明之意義而言的芳族或雜芳族環系統,諸如,例如系統諸如聯苯、聯三苯或二苯基三𠯤。 在各情況下亦可經如上述所定義之基團取代且可經由任何所欲位置連接至芳族或雜芳族基團之具有5-60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統特別意指衍生自下列之基團:苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、聯伸二苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、聯伸三苯(terphenylene)、聯四苯(Quaterphenyl)、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、參茚并苯(truxene)、異參茚并苯(isotruxene)、螺參茚并苯、螺異參茚并苯、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑( phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑( quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、1,5-二氮蒽、2,7-二氮芘、2,3-二氮芘、1,6-二氮芘、1,8-二氮芘、4,5-二氮芘、4,5,9,10-四氮苝、吡𠯤、啡𠯤、啡㗁𠯤、啡噻𠯤、熒紅環(fluorubin)、㖠啶、氮咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、喋啶、吲和苯并噻二唑、或這些基團的組合。 就本發明之目的而言,具有1至40個C原子之直鏈烷基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基或具有2至40個C原子之烯基或炔基,其中,此外,個別H原子或CH2 基團可經在上述該等基團定義下之基團取代,較佳意指基團甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具有1至40個C原子之烷氧基或烷硫基較佳意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。 就本申請案之目的而言,二或更多個基團彼此可形成環之陳述特別意指:二個基團彼此以一化學鍵鍵聯。此以下列流程圖說明: 然而,此外,上述陳述也意指:在其中二基團之一表示氫的情況中,第二基團鍵結於氫原子所鍵結之位置,且形成環。此以下列流程圖說明: 根據一較佳實施態樣,基團E1 在每次出現時係相同或不同地選自-C(R0 )2 -、-Si(R0 )2 -、-O-、-S-、-N(R0 )-;或E1 為式(E-1)之基團, 其中式(E-1)中之符號*表示式(1)中之對應基團E1 ;及其中E0 具有與上述相同的意義。 根據一非常佳的實施態樣,基團E1 代表-C(R0 )2 -。 根據另一非常佳的實施態樣,基團E1 代表式(E-1)的基團,其中E0 代表單鍵或-C(R0 )2 -。 較佳地,基團E2 在每次出現時係相同或不同地選自 -O-或-S-。非常佳地,基團E2 代表-O-。 較佳地,ArN 代表苯基、聯苯、茀、螺聯茀、萘、菲、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤、三𠯤、苯并吡啶、苯并嗒𠯤、苯并嘧啶或喹唑啉,或代表這些基團中之二至或六個基團的組合,彼等各自可經一或多個基團R取代。 非常佳地,ArN 代表苯基、聯苯、茀、萘、菲、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑,或代表這些基團中之二至或六個基團的組合,彼等各自可經一或多個基團R取代。 特佳地,ArN 代表如下表所示之式(ArN-1)至(ArN-22)中之一者的基團: 其中在式(ArN-1)至(ArN-22)中: -     虛線鍵表示連接至式(1)結構之氮的鍵; -     式(ArN-14)中之基團RN 在每次出現時相同或不同地代表H;D;具有1至40個C原子(較佳地1至20個,更佳地1至10個C原子)之直鏈烷基或具有3至40個C原子(較佳地3至20個,更佳地3至10個C原子)之支鏈或環狀烷基,彼等各自可經一或多個基團R取代,其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、C=O、C=S、SO、SO2 、O或S置換,和其中一或多個H原子可經D、F或CN置換;具有5至60個(較佳地5至40個,更佳地5至30個,特佳地5至18個)芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代,其中兩個相鄰的取代基RN 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統,其可經一或多個基團R取代,其中R具有與上述相同的意義; -     式(ArN-12)和(ArN-19)至(ArN-22)中之基團R0a 具有與如上定義之基團R0 相同的定義;及 -     式(ArN-1)至(ArN-22)的基團可在各自由位置經基團R取代,其具有與上述相同的意義。 較佳地,式(1)化合物係選自式(2)化合物, 其中符號ArN 、E1 、E2 、R1 至R5 及標號m、n、p、q和r具有與上述相同的意義。 非常佳地,式(1)化合物係選自式(3)化合物, 其中符號ArN 、E2 、R0 、R1 至R5 及標號m、n、p、q和r具有與上述相同的意義。 特佳地,式(1)化合物係選自式(4)化合物, 其中符號ArN 、E2 、R0 、R1 至R5 及標號m、n、p、q和r具有與上述相同的意義。 非常佳地,式(1)化合物係選自式(4-1)至(4-4)化合物, 其中符號ArN 、E2 、R0 、R1 至R5 具有與上述相同的意義。 根據一較佳實施態樣,式(4-1)至(4-4)化合物係選自式(4-1a)至(4-4a)化合物, 其中符號ArN 、E2 、R0 和R1 具有與上述相同的意義。 根據另一較佳實施態樣,式(4-1)至(4-4)化合物係選自式(4-1b)至(4-4b)化合物, 其中符號ArN 、E2 、R1 和R0 具有與上述相同的意義。 根據另一較佳實施態樣,式(4-1)至(4-4)化合物係選自式(4-1c)至(4-4c)化合物, 其中符號ArN 、E2 、R1 和R0 具有與上述相同的意義。 較佳地,基團R1 至R5 在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;CN;N(Ar)2 ,Si(R)3 ,具有1至40個(較佳地1至20個,更佳地1至10個)C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個(較佳地3至20個,更佳地3至10個C原子)之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基,彼等各自可經一或多個基團R取代,其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、C=O、C=S、SO、SO2 、O或S置換,和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換;具有5至60個(較佳地5至40個,更佳地5至25個,甚至更佳地5至18個)芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代;或具有5至60個(較佳地5至40個,更佳地5至25個,甚至更佳地5至18個)芳族環原子之芳氧基,其可經一或多個基團R取代,其中兩個相鄰的取代基R1 、及/或二個相鄰的取代基R2 、及/或二個相鄰的取代基R3 、及/或二個相鄰的取代基R4 、及/或二個相鄰的取代基R5 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統,其可經一或多個基團R取代。 更佳地,基團R1 在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;CN;具有1至40個(較佳地1至20個,更佳地1至10個)C原子之直鏈烷基或具有3至40個(較佳地3至20個,更佳地3至10個)C原子之支鏈或環狀烷基,彼等各自可經一或多個基團R取代;具有5至60個(較佳地5至40個,更佳地5至25個,甚至更佳地5至18個)芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代,其可經一或多個基團R取代。 根據一較佳實施態樣,R1 為H。 根據另一較佳實施態樣,式(1)化合物包含至少一個選自具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統的R1 基團。 當式(1)化合物包含至少一個選自具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統的R1 基團時,則R1 基團較佳地代表選自苯基、聯苯、茀、螺聯茀、萘、菲、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤、三𠯤、苯并吡啶、苯并嗒𠯤、苯并嘧啶、喹唑啉之基團,或代表這些基團中之二至或六個基團的組合,彼等各自可經一或多個基團R取代。 當式(1)化合物包含至少一個選自具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統的基團R1 時,則基團R1 非常佳地代表選自苯基、聯苯、茀和萘之基團,彼等各自可經一或多個基團R取代,或代表選自苯基、聯苯、茀或萘之二至或六個基團的組合,彼等各自可經一或多個基團R取代。 較佳地,式(1)化合物包含至少一個R1 基團,其代表選自式(R1-1)至(R1-22)之基團: 其中在式(R1-1)至(R1-22)中: -     虛線鍵表示連接至式(1)之結構的鍵結; -     式(R1-14)中之基團RN 具有與上述相同的意義; -     式(R1-12)和(R1-19)至(R1-22)中之基團R0a 具有與上述相同的意義;及 -     式(R1-1)至(R1-22)之基團可在各自由位置經基團R取代,其具有與上述相同的意義。 非常佳地,式(1)化合物包含至少一個基團R1 ,其代表選自如上所表示的式(R1-19)至(R1-22)之基團。 根據一特佳實施態樣,m=1和r=1和基團R1 在每次出現時相同或不同地代表選自(R1-19)至(R1-22)之基團。 根據一較佳實施態樣,基團R0 和R0a 在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;CN;具有1至40個(較佳地1至20個,更佳地1至10個)C原子之直鏈烷基或具有3至40個(較佳地3至20個,更佳地3至10個)C原子之支鏈或環狀烷基,彼等各自可經一或多個基團R取代,其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、C=O、C=S、SO、SO2 、O或S置換,和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換;具有5至60個(較佳地5至40個,更佳地5至25個,甚至更佳地5至18個)芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代;其中兩個相鄰的取代基R0 及/或R0a 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統,其可經一或多個基團R取代。 非常佳地,基團R0 和R0a 在每次出現時相同或不同地代表H;具有1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基,彼等各自可經一或多個基團R取代,其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換;具有5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代,其中兩個相鄰的取代基R0 及/或R0a 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統,其可經一或多個基團R取代。 特佳地,基團R0 及/或R0a 在每次出現時相同或不同地代表具有1至10個C原子之直鏈烷基,其可經一或多個基團R取代;或具有5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代,其中兩個相鄰的取代基R0 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統,其可經一或多個基團R取代。 非常佳地,R0 在每次出現時相同或不同地代表甲基或苯基,其可經一或多個基團R取代。 非常佳地,基團R0a 在每次出現時相同或不同地代表具有1至10個C原子之直鏈烷基,其可經一或多個基團R取代。 根據一較佳實施態樣,式(ArN-12)和(R1-12)之基團包含1或2個基團R0a ,其代表具有3至10個(較佳地5至10個,更佳地6至10個)C原子之直鏈烷基,和式(ArN-19)至(ArN-22)、(R1-19)至(R1-22)之基團包含1、2、3或4個基團R0a ,其代表具有3至10個(較佳地5至10個,更佳地6至10個)C原子之直鏈烷基。 根據一較佳實施態樣,R2 至R5 在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;CN;具有1至40個(較佳地1至20個,更佳地1至10個)C原子之直鏈烷基或具有3至40個(較佳地3至20個,更佳地3至10個)C原子之支鏈或環狀烷基,彼等各自可經一或多個基團R取代;或具有5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代。特佳地,R2 至R5 在每次出現時相同或不同地代表H;具有1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基,彼等各自可經一或多個基團R取代;或具有5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代。非常佳地,R2 至R5 代表H。 根據一較佳實施態樣,R在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;CN;N(Ar)2 ;Si(R’)3 ;具有1至40個(較佳地1至20個,更佳地1至10個)C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個(較佳地3至20個,更佳地3至10個)C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基,彼等各自可經一或多個基團R’取代,其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經R’C=CR’、C≡C、C=O、C=S、SO、SO2 、O或S置換,和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換;具有5至60個(較佳地5至40個,更佳地5至25個,甚至更佳地5至18個)芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R’取代;具有5至60個(較佳地5至40個,更佳地5至25個,甚至更佳地5至18個)芳族環原子之芳氧基,其可經一或多個R’基團取代,其中兩個相鄰的取代基R可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統,其可經一或多個基團R’取代。 根據一較佳實施態樣,R’在每次出現時相同或不同地代表H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基,或具有5至18個C原子之芳族或雜芳族環系統。 下列化合物為式(1)化合物的實例: 根據本發明之化合物可藉由熟習該項技術人員已知的合成步驟製備,諸如,例如溴化、Suzuki偶合、Ullmann偶合、Hartwig-Buchwald偶合、等等。適當合成方法的實例以概括用語描述於下述流程圖1和2中。 在流程圖1和2中,符號ArN 、E2 、R、R0 和R1 具有與上述相同的意義,符號X1 至X5 表示脫離基(例如鹵素、硼酸酯或三氟甲磺酸酯)。 本發明因此關於一種合成根據本發明化合物之方法,其包含其中使胺化的氧雜參茚并苯(oxatruxene)與茚并二苯并呋喃衍生物反應的步驟。 為了從液相處理根據本發明之化合物(例如藉由旋轉塗布或藉由印刷方法),需要根據本發明之化合物的調配物。此等調配物可為例如溶液、分散液或乳液。為此目的,較佳可為使用二或多種溶劑之混合物。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(特別是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苯甲基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或此等溶劑之混合物。 本發明因此另外關於一種調配物,其包含根據本發明之化合物及至少一種其他化合物。其他化合物可為(例如)溶劑,特別是上述溶劑中之一者或這些溶劑的混合物。然而,其他化合物亦可為同樣地使用於電子裝置之至少一種其他有機或無機化合物,例如發光化合物,特別是螢光摻雜劑,及/或其他基質材料。適當發光化合物和其他基質材料係指示於下述有關有機電致發光裝置者。此其他化合物亦可為聚合物的。 根據本發明之化合物和混合物係適合用於電子裝置。電子裝置在本文中意指一種包含至少一層包含至少一種有機化合物的裝置。然而,組件(component)在本文中亦可包含無機材料或完全由無機材料構成的層。 本發明因此另外關於根據本發明之化合物或混合物於電子裝置之用途,特別是於有機電致發光裝置之用途。 本發明此外又關於一種電子裝置,其包括至少一種上述根據本發明之化合物或混合物。上述關於化合物的較佳陳述也適用於電子裝置。 電子裝置較佳係選自由下列組成的群組:有機電致發光裝置(OLED、PLED)、有機積體電路(O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電池(O-SC)、有機染料敏化太陽能電池、有機光學偵測器、有機感光器、有機場淬滅裝置(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和“有機電漿子發射裝置”(D. M. Koller等人,Nature Photonics 2008, 1-4),較佳為有機電致發光裝置(OLED、PLED),特別是磷光OLED。 有機電致發光裝置包含陽極、陰極及至少一個發光層。除了此等層以外,有機電致發光裝置亦可包含其它層,例如在各情況下一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、及/或電荷產生層。同樣可能在二個發光層之間引入具有(例如)激子阻擋功能之中間層。然而,應指出的是此等層各者不一定必須存在。有機電致發光裝置在此可包含一個發光層或多個發光層。若存在多個發光層,則此等較佳地具有總計多個在380奈米與750奈米之間的發光最大值,整體導致白色發光,亦即將能夠發螢光或磷光的各種發光化合物使用於發光層中。特佳者為具有三個發光層之系統,其中該三層呈現藍色、綠色及橙色或紅色發光(基本結構參見例如WO 05/011013)。此等可為螢光或磷光發光層或其中螢光和磷光發光層彼此組合的混合系統。 根據上示實施態樣的根據本發明之化合物可取決於精確的結構和取代而使用於各種層中。較佳者為包含式(1)或根據較佳實施態樣之化合物的有機電致發光裝置,該化合物作為螢光發光體、顯示TADF(熱活化延遲螢光)的發光體、磷光發光體的基質材料。特佳的是有機電致發光裝置,其包含式(1)或根據較佳實施態樣之化合物,該化合物作為螢光發光體,更特別是發藍光的螢光化合物。 取決於精確取代,式(1)化合物也可使用於電子傳輸層及/或電子阻擋或激子阻擋層及/或電洞傳輸層中。上示較佳實施態樣亦適用於這些材料在有機電子裝置中之用途。 根據本發明之化合物特別適合用作為發藍光的發光體化合物。有關的電子裝置可包含單一發光層,其包含根據本發明之化合物,或者其可包含兩或更多個發光層。其他發光層在此可包含一或多種根據本發明之化合物或者其他化合物。 若根據本發明之化合物用作為發光層中的螢光發光化合物,則其較佳與一或多種基質材料組合使用。基質材料在此意指存在於發光層中的材料,較佳地作為主要成分,且其在裝置操作時不發光。 在發光層的混合物中發光化合物之比例係介於0.1和50.0%之間,較佳介於0.5和20.0%之間,特佳介於1.0和10.0%之間。對應地,基質材料或基質材料等之比例係介於50.0和99.9%之間,較佳介於80.0和99.5%之間,特佳介於90.0和99.0%之間。 就本發明之目的而言,以%表示的比例的規格,若化合物是從氣相施加的話,係意指體積%及若化合物是從溶液中施加的話,則意指重量%。 與螢光發光化合物組合使用之較佳基質材料係選自下列之類別:寡聚伸芳基(oligoarylene)(例如根據EP 676461之2,2’,7,7’-四苯基螺聯茀或二萘基蒽),特別是含有縮合芳族基團之寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基(oligoarylenevinylene)(例如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi)、多牙(polypodal)金屬錯合物(例如根據 WO 2004/081017)、電洞傳導化合物(例如根據 WO 2004/058911)、電子傳導化合物,特別是酮、膦氧化物、亞碸、等等(例如根據WO 2005/084081和 WO 2005/084082)、阻轉異構物(例如根據 WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根據 WO 2006/117052)或苯并蒽(例如根據WO 2008/145239)。特佳基質材料係選自下列之類別:包含萘、蒽、苯并蒽及/或芘或這些化合物的阻轉異構物之寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基、酮、膦氧化物和亞碸。非常特佳的基質材料係選自下列之類別:包含蒽、苯并蒽、苯并菲及/或芘或這些化合物的阻轉異構物之寡聚伸芳基。寡聚伸芳基就本發明的意義而言意指一種其中至少三個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。 與式(1)化合物組合使用於發光層之特佳基質材料係描述於下表中: 若根據本發明之化合物用作為發光層中之螢光發光化合物,則其可與一或多種其他螢光發光化合物組合使用。 除了根據本發明之化合物外,較佳螢光發光體係選自芳基胺之類別。芳基胺就本發明的意義而言意指含有三個直接鍵結至氮的經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統的化合物。此等芳族或雜芳族環系統中之至少一者較佳為縮合環系統,特佳具有至少14個芳族環原子。其較佳實例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族胺或芳族二胺。芳族蒽胺意指其中一個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9位置)的化合物。芳族蒽二胺意指其中兩個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9,10-位置)的化合物。芳族芘胺、芘二胺、胺及二胺係與其類似地定義,其中二芳胺基較佳地在1-位置或1,6-位置上與芘鍵結。其他較佳發光體為茚并茀胺或茚并茀二胺(例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630)、苯并茚并茀胺或苯并茚并茀二胺(例如根據WO 2008/006449)、及二苯并茚并茀胺或二苯并茚并茀二胺(例如根據WO 2007/140847)、及WO 2010/012328中揭示之含有縮合芳基之茚并茀衍生物。又其他較佳發光體為如WO 2015/158409中揭示之苯并蒽衍生物、如WO 2017/036573中揭示之蒽衍生物、如 WO 2016/150544之茀二聚物或如WO 2017/028940和 WO 2017/028941中揭示之啡㗁𠯤衍生物。較佳者同樣為WO 2012/048780及WO 2013/185871中揭示之芘芳基胺。較佳者同樣為WO 2014/037077中揭示之苯并茚并茀胺、 WO 2014/106522中揭示之苯并茀胺和WO 2014/111269或WO 2017/036574中揭示之茚并茀。 除了根據本發明之化合物之外,可與本發明化合物組合使用於發光層或其可使用於相同裝置的另一發光層中之較佳螢光發光化合物的實例係描述於下表中: 根據本發明之化合物也可用於其他層中,例如作為電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層中之電洞傳輸材料或作為發光層中的基質材料,較佳作為磷光發光體的基質材料。 若式(I)化合物係用作為電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中的電洞傳輸材料,則該化合物可以純材料(亦即100%之比例)使用於電洞傳輸層中,或其可與一或多種其他化合物組合使用。根據一較佳實施態樣,包含式(I)化合物之有機層則另外包含一或多種p-摻雜劑。根據本發明所使用的p-摻雜劑較佳為能夠氧化混合物的其他化合物中之一或多者的有機電子受體化合物。 p-摻雜劑之特佳實施態樣為WO 2011/073149、 EP 1968131、EP 2276085、EP 2213662、EP 1722602、 EP 2045848、DE 102007031220、US 8044390、 US 8057712、WO 2009/003455、WO 2010/094378、 WO 2011/120709、US 2010/0096600和WO 2012/095143中所揭示之化合物。 若式(I)化合物用作為與發光層中磷光發光體組合之基質材料,則該磷光發光體較佳係選自下示磷光發光體之類別和實施態樣。此外,在此情況下一或多種其他基質材料較佳係存在於發光層中。 此類型之所謂混合基質系統較佳地包含二或三種不同的基質材料,特佳兩種不同的基質材料。兩種材料之一者在此較佳為具有電洞傳輸性質之材料且另一者材料較佳為具有電子傳輸性質之材料。式(I)化合物較佳為具有電洞傳輸性質之材料。 然而,混合基質組分之所要電子傳輸和電洞傳輸性質也可主要或完全地組合於單一混合基質組分中,其中其他另外混合基質組分或組分等滿足其他功能。兩種不同的基質材料在此可以1:50至1:1,較佳地1:20至1:1,特佳地1:10至1:1和非常特佳地1:4至1:1之比率存在。混合基質系統較佳係使用於磷光有機電致發光裝置中。關於混合基質系統之更多細節(尤其是)係包含於申請案WO 2010/108579中。 可與根據本發明之化合物組合用作為混合基質系統的基質組分之特別適合的基質材料係選自下示用於磷光發光體之較佳基質材料或用於螢光發光體之較佳基質材料,取決於混合基質系統中使用了何種類型的發光體化合物。 用作為根據本發明之有機電致發光裝置中的對應功能材料之材料的一般較佳類別係指示於下。 適當磷光發光體特別為在適當激發時發光(較佳在可見光區域內)且另外含有至少一種具有原子序大於20,較佳為大於38且少於84,特佳為大於56且少於80的原子之化合物。所使用之磷光發光體較佳為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物,特別是含有銥、鉑或銅的化合物。 就本發明之目的而言,所有的發光銥、鉑或銅錯合物被視為磷光化合物。 上述磷光發光體的實例係由申請案WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、 EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373和US 2005/0258742揭示。通常,根據先前技術用於磷光OLED且為熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物皆適合使用於根據本發明的裝置中。熟習該項技術者也將能夠在無進步性(inventive step)下將其他磷光錯合物與根據本發明之化合物組合使用於OLED中。 用於磷光發光體之較佳基質材料為芳族酮、芳族氧化膦或芳族亞碸或碸(例如,根據WO 2004/013080、 WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如CBP,N,N-雙咔唑基聯苯)或揭示於WO 2005/039246、US 2005/0069729、 JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851的咔唑衍生物)、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚并咔唑衍生物(例如 WO 2010/136109、WO 2011/ 000455或WO 2013/041176)、氮咔唑衍生物(例如根據EP 1617710、EP 1617711、 EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/111172)、氮硼呃(azaborole)或硼酸酯(例如根據WO 2006/117052)、三𠯤衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或 WO 2009/062578)、二氮矽呃(diazasilole)和四氮矽呃衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮磷呃(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)、橋聯咔唑衍生物(例如,根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、 WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080)、三亞苯(triphenylene)衍生物(例如,根據WO 2012/048781)、或是內醯胺(例如,根據WO 2011/116865或 WO 2011/137951)。 除了根據本發明之化合物外,適當電荷傳輸材料如可用於根據本發明之電子裝置的電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層或電子傳輸層中,為(例如)Y. Shirota等人在Chem. Rev. 2007, 107 (4), 953-1010中所揭示之化合物或根據先前技術使用於此等層中之其他材料。 可使用於電子傳輸層之材料為根據先前技術用作為電子傳輸層中之電子傳輸材料的所有材料。特別適合的是鋁錯合物(例如,Alq3 )、鋯錯合物(例如,Zrq4 )、鋰錯合物(例如,Liq)、苯并咪唑衍生物、三𠯤衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡𠯤衍生物、喹㗁啉衍生物、喹啉衍生物、㗁二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮磷呃衍生物及膦氧化物衍生物。此外,適當材料為上述化合物之衍生物,如JP 2000/053957、WO 2003/060956、 WO 2004/028217、WO 2004/080975及WO 2010/072300中所揭示。 可用於根據本發明之電致發光裝置中的電洞傳輸、電洞注入或電子阻擋層中之較佳電洞傳輸材料為茚并茀胺衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、 EP 1661888中所揭示之胺衍生物、六氮三亞苯衍生物(例如根據WO 01/049806)、含有縮合芳族環之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、WO 95/09147中揭示之胺衍生物、單苯并茚并茀胺(例如根據WO 08/006449)、二苯并茚并茀胺(例如根據WO 07/140847)、螺聯茀胺(例如根據 WO 2012/034627或WO 2013/120577)、茀胺(例如根據 EP 2875092、EP 2875699和EP 2875004)、螺二苯并哌喃胺(例如根據WO 2013/083216)及二氫吖啶衍生物(例如根據WO 2012/150001)。根據本發明之化合物亦可用作為電洞傳輸材料。 有機電致發光裝置之陰極較佳包含具有低功函數之金屬、金屬合金或包含各種金屬(諸如,例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等)之多層結構。亦適合的是包含鹼金屬或鹼土金屬和銀之合金,例如包含鎂和銀之合金。在多層結構之情況中,除該等金屬外,也可使用具有較高功函數之其他金屬,諸如,例如Ag或Al,在該情況中通常使用金屬之組合,諸如,例如Ca/Ag、Mg/Ag或Ag/Ag。較佳亦為於金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。適合於此目的者為(例如)鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物,但對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2 O、BaF2 、MgO、NaF、CsF、Cs2 CO3 、等等)亦適合。此外,為此目的亦可使用喹啉合鋰(lithium quinolinate)(LiQ)。此層之層厚度較佳係介於0.5和5 nm之間。 陽極較佳包含具有高功函數之材料。陽極較佳具有相對於真空為大於4.5 eV之功函數。適合此目的者一方面為具有高氧化還原電位之金屬,諸如(例如)Ag、Pt或Au。另一方面,金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )亦可為較佳的。就一些應用而言,至少一個電極必須為透明或部分透明,以便促進有機材料之照射(有機太陽能電池)或光之耦合輸出(OLED、O-雷射)。較佳陽極材料在此為導電性混合金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外較佳者為導電性摻雜型有機材料,特別為導電性摻雜型聚合物。 裝置適當地(視應用而定)結構化,配備接點且最後密封,因為根據本發明之裝置的壽命在水及/或空氣存在下被縮短。 在一較佳實施態樣中,根據本發明之有機電致發光裝置特徵在於利用昇華方法塗布一或多層,其中該等材料係於真空昇華單元中在低於10-5 毫巴,較佳低於10-6 毫巴之初壓力下藉由蒸氣沈積施加。然而,初壓力在此也可能甚至更低,例如低於10-7 毫巴。 同樣較佳者為一種有機電致發光裝置,其特徵在於利用OVPD(有機蒸氣相沈積)方法或輔以載體-氣體昇華法塗布一或多層,其中該等材料係在介於10-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機蒸氣噴墨印刷)方法,其中該等材料係經由噴嘴直接施加且因此結構化(例如,M. S. Arnold等人之Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301)。 此外較佳者為一種有機電致發光裝置,其特徵在於諸如(例如)以旋轉塗布或利用任何所欲印刷方法(諸如,例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷,但更佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷)從溶液製造一或多層。為此目的需要可溶性式(1)化合物。高溶解度可透過該等化合物之適當取代而達成。 亦可能者為混合方法,其中,例如,一或多層係從溶液施加且一或多個其他層係藉由蒸氣沈積施加。因此,例如,可能從溶液施加發光層且可能藉由蒸氣沈積施加電子傳輸層。 此等方法通常為熟習此項技術者已知且可由該熟習此項技術者在無進步性(inventive step)下將該等方法應用於包含本發明化合物之有機電致發光裝置。 根據本發明,包含一或多種根據本發明化合物之電子裝置可使用於顯示器中、作為照明應用中之光源及作為醫學及/或美容應用(例如光療法)中之光源。
現在將藉由下列實施例更詳細地說明本發明,而不希望因此限制本發明。 A)合成例 A-1)部分1 合成中間物I-a: 將117.9 g(401 mmol)起始材料a、100 g(401 mmol)起始材料b和203.1 g(882 mmol)磷酸鉀單水合物在1.6 L甲苯/水/二㗁烷(2:1:1)中混合及脫氣。將乙酸鈀(0.9 g,4 mmol)和三-鄰甲苯基膦(2.44 g,8 mmol)加至混合物中,並將混合物在回流下攪拌16 h。將混合物冷卻至室溫後,分離各相。將水相進一步用乙酸乙酯(2×300 mL)萃取。將合併的有機相用水洗滌多次,用硫酸鈉乾燥及最後在真空中除去。將粗製物在SiO2 /Al2 O3 塞上使用乙酸乙酯作為溶劑過濾。在真空中除去溶劑後,以定量產率獲得油。 以類似的方式,亦可製備下列化合物: 合成中間物II-a: 將MeMgCl(461 mL,在THF中之3 M,1.38 mol)滴加至化合物I-a(135 g,0.4 mol)和CeCl3 (199 g,0.8 mol)的預冷卻THF懸浮液(0℃,1.5 L)中。反應完成後,添加飽和NH4 Cl水溶液以淬滅過量的MeMgCl,並將有機相用乙酸乙酯萃取三次。合併有機部分,並依次用水和鹽水洗滌。在真空中除去揮發物以產所需產物。129g(96%)。 以類似的方式,亦可製備下列化合物: 合成中間物III-a: 將50 g Amberlyst-15加至化合物II-a(129 g,383 mmol)在甲苯(1 L)中的溶液。將混合物在回流下攪拌過夜。將混合物冷卻至室溫,並濾出Amberlyst-15。在真空中除去溶劑及藉由管柱層析法(SiO2 ,庚烷)純化粗製產物。產率:106.2 g(87%)。 以類似的方式,亦可製備下列化合物: 合成中間物IV-a: 將N-溴琥珀醯亞胺(55.83 g,314 mmol)和HBr(在乙酸中之32%溶液,0.5 mL)加至化合物III-a(100 g,314 mmol)在CH2 Cl2 (1.2 L)中的溶液。將反應在30℃下加熱4天。反應完成後,添加Na2 S2 O3 (300 mL,飽和水溶液)並將混合物劇烈攪拌30分鐘。分離各相並將有機相用水洗滌幾次。在真空中除去溶劑,並將粗製產物與乙醇一起劇烈攪拌以產生白色固體。產率:119.8 g(96%)。 以類似的方式,亦可製備下列化合物: 合成中間物V-a: 將27.5 g(69.1 mmol)IV-a、13.1 g(72.6 mmol)(2-甲氧羰基苯基)硼酸和35.0 g(152.1 mmol)磷酸鉀單水合物在300 mL甲苯中混合並脫氣。將甲磺酸2-二環己膦基-2’,4’,6’-三異丙基-1,1’-聯苯)[2-(2’-胺基-1,1’-聯苯)]鈀(II)(1.18 g,2.07 mmol)加至混合物中,並將混合物在回流下攪拌3h。將混合物冷卻至室溫後,添加300 mL水,並分離各相。將有機相用水洗滌多次,並在真空中除去溶劑。之後,藉由管柱層析法(SiO2 ,甲苯)純化粗製產物。產率:28.2 g(90 %)。 以類似的方式,亦可製備下列化合物: 合成中間物VI-a: 可以與中間物II-a類似的方式從V-a(28.0 g,61.8 mmol)、MeMgCl(71 mL,3 M於THF中,213 mmol)和CeCl3 (30.5 g,124 mmol)在350 mL的THF中開始製備中間物VI-a。產率:25.5 g (91 %)。 以類似的方式,亦可製備下列化合物: 合成中間物VII-a: 可按照與中間物III-a相同的程序從25 g(55 mmol)的VI-a和12 g的Amberlyst-15在300 mL甲苯中開始合成中間物VII-a。產率:20.4 g(85%)。 以類似的方式,亦可製備下列化合物: 中間物VIII-a和VIII-b的合成 可以如BB-IV的類似方式合成中間物VIII-a和VIII-b。 中間物IX-a和IX-b的合成 可以如BB-V的類似方式藉由使用CAS 1010100-76-1作為硼酸酯起始材料合成中間物IX-a和IX-b。 A-2)部分2: 合成BB-VI: 將10-氯-8,8-二甲基-8H-5-氧-茚并[2,1-c]茀(30.00 g;94.1 mmol)、雙-(頻哪醇)-二硼(28.68 g;112.9 mmol)和乙酸鉀(18.47 g;188.2 mmol)溶於800 mL 1,4-二噁烷中。 添加XPhos Palladacycle Gen 3(CAS:1445085-55-1;1.59 g;1.882 mmol)和雙-(頻哪醇)-二硼(28.68 g;112.9 mmol)並將反應混合物在100℃下攪拌過夜。完全轉化後,將反應混合物冷卻至室溫並添加水和甲苯。分離各相並將有機相用水洗滌幾次。將合併的有機相在二氧化矽上用甲苯作為溶析液過濾。在真空中除去溶劑,並將粗製產物與乙醇一起劇烈攪拌以產生白色固體。產率:34.2 g (83.4 mmol;88%) 可以類似的方式合成下列化合物: BB-VII的合成: 類似於BB-I進行BB-VII的合成: 可以類似的方式合成下列化合物: BB-VIIII的合成: 類似於BB-II進行BB-VIII的合成: 可以類似的方式合成下列化合物: BB-IX的合成: 類似於BB-III進行BB-IX的合成: 可以類似的方式合成下列化合物: 中間物BB-X.a和BB-X.b的合成 可以類似於BB-IV的方式合成中間物BB-X.a和BB-X.b。 中間物BB-XI.a BB-XI.b的合成 可以如BB-V的類似方式藉由使用CAS 1010100-76-1作為硼酸酯起始材料合成BB-XI.a和BB-XI.b。 化合物Int 1.1的合成: 將4.41 g(26.0 mmol)聯苯-2-基胺、11.31 g(26.0 mmol)BB-IX和6.82 g(70.9 mmol)三級丁醇鈉在300 mL甲苯中混合並脫氣。之後,添加563 mg(1.4 mmol)的S-Phos和151 mg(0.7 mmol)的乙酸鈀並將混合物在回流下攪拌16 h。在室溫下冷卻混合物後,添加200mL水並分離各相。將粗製產物在氧化鋁塞上使用甲苯為溶劑過濾。藉由從甲苯/庚烷中再結晶進一步純化產物。產率:13.1 g (89%)。 可以類似方式合成下列化合物: A-3)部分3(化合物1的合成) 將18.5 g(32.6 mmol) Int1.1、14.2 g(32.5 mmol) VII-a和18.8 g(195 mmol)三級丁醇鈉在600 mL甲苯中混合並脫氣。之後,添加1.37 g(3.3 mmol)S-Phos和366 mg(1.6 mmol )乙酸鈀並將混合物在回流下攪拌16 h。在室溫下冷卻混合物後,添加200 mL水並分離各相。將粗製產物在氧化鋁塞上使用甲苯為溶劑過濾。藉由從甲苯/庚烷中再結晶將產物進一步純化,直至藉由HPLC達到>99.9%的純度。產率:11.1 g (35 %)。 可以類似方式合成下列化合物: B)OLED的製造 以溶液為主之OLED的製造係已多次描述在文獻中,例如於WO 2004/037887和WO 2010/097155中。使該方法適合於下述情況(層-厚度變化、材料)。 本發明的材料組合係使用於下列層順序: -     基板, -     ITO(50 nm), -     緩衝劑(20 nm), -     電洞傳輸層(20 nm), -     發光層(EML)(40 nm), -     電洞阻擋層(HBL) (10 nm), -     電子傳輸層(ETL)(40 nm), -     陰極(Al)(100 nm)。 50 nm厚度的結構化ITO(氧化銦錫)塗布之玻璃板充當基板。這些係塗布有緩衝劑(PEDOT) Clevios P VP AI 4083 (Heraeus Clevios GmbH, Leverkusen)。在空氣中從水進行緩衝劑的旋轉塗布。隨後藉由在180℃下加熱10分鐘來乾燥該層。將電洞傳輸層和發光層施加至以這種方式塗布的玻璃板上。 電洞傳輸層為表1中所示結構的聚合物,其係根據WO2013156130合成。將聚合物溶於甲苯中,使得在此若待利用旋轉塗布達到用於裝置之典型20 nm的層厚度,則溶液通常具有約5 g/l的固體含量。藉由在惰性氣體氛圍中旋轉塗布施加該等層並藉由在220℃下加熱30分鐘乾燥。 發光層由基質材料(主體材料)H和發光摻雜劑(發光體)D組成。二種材料以92重量%H和8重量%D的比例存在於發光層中。將用於發光層的混合物溶於甲苯中。在此若待利用旋轉塗布達到用於裝置之典型40 nm的層厚度,則該等溶液的固體含量為14 mg/ml。藉由在惰性氣體氛圍中旋轉塗布施加該等層並在170℃下加熱10分鐘乾燥。在本例中所使用之材料係顯示於下表1中。 用於電子阻擋層和電子傳輸層的材料同樣藉由在真空室中熱蒸氣沈積施加並顯示於表2中。電子阻擋層由ETM1組成及電子傳輸層由兩種材料ETM1和ETM2組成,其藉由共蒸發以各50%的體積比例彼此混合。陰極係藉由熱蒸發出具有100 nm厚度的鋁層形成。OLED係以標準方法示性。為此目的,記錄電致發光光譜,以假設Lambert發光特性之發光密度為函數的電流效率(以cd/A測量)和外部量子效率(EQE,以百分比測量)係從電流/電壓/發光密度特徵線(IUL特徵線)計算。電致發光光譜係在500 cd/m²之發光密度下記錄,且由此數據計算CIE 1931 x和y色坐標。壽命LT80 @ 500 cd/m²係定義為在其後500 cd/m²之初始發光密度下降20%的時間。 本發明化合物作為螢光OLED中的發光材料之用途 當本發明化合物混入螢光藍色基質中以形成螢光藍色OLED裝置的發光層時,本發明的化合物特別適合作為摻雜劑(發光體)。代表性的實例為D1、D2和D3。表3中總結各種OLED的性質。實施例V1表示先前技術,而實施例E2、E3和E4顯示含有本發明材料之OLED的性質。 表3顯示,當根據本發明的材料D1、D2和D3用作為螢光藍色發光體時,彼等的使用導致超越先前技術(SdT)的改良,特別是關於壽命。

Claims (16)

  1. 一種式(1)化合物,
    Figure 108130237-A0305-02-0128-1
    其中下列適用於所使用的符號及標號:ArN 為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代;E1 在每次出現時係相同或不同地選自-BR0-、-C(R0)2-、-C(R0)2-C(R0)2-、-C(R0)2-O-、-C(R0)2-S-、-R0C=CR0-、-R0C=N-、Si(R0)2、-Si(R0)2-Si(R0)2-、-C(=O)-、-C(=NR0)-、-C(=C(R0)2)-、-O-、-S-、-S(=O)-、-SO2-、-N(R0)-、-P(R0)-和-P((=O)R0)-;或E1為式(E-1)之基團,
    Figure 108130237-A0305-02-0128-2
    其中式(E-1)中之符號*表示式(1)中之對應基團E1;及E0 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組:單鍵、-BR0-、-C(R0)2-、-C(R0)2-C(R0)2-、-C(R0)2-O-、-C(R0)2-S-、-R0C=CR0-、-R0C=N-、Si(R0)2、-Si(R0)2-Si(R0)2-、-C(=O)-、-C(=NR0)-、-C(=C(R0)2)-、-O-、-S-、-S(=O)-、-SO2-、-N(R0)-、-P(R0)-和-P((=O)R0)-;E2 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組:-O-、-S-、-S(=O)-和-SO2-;R0至R5 在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;Cl;Br;I;CHO;CN;N(Ar)2;C(=O)Ar;P(=O)(Ar)2;S(=O)Ar;S(=O)2Ar;NO2;Si(R)3;B(OR)2;OSO2R;具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基,彼等各自可經一或多個基團R取代,其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2、Ge(R)2、Sn(R)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2、O、S或CONR置換,和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換;具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個基團R取代;或具有5至60個芳族環原子之芳氧基,其可經一或多個基團R取代,其中二個相鄰的取代基R0、及/或二個相鄰的取代基R1、及/或二個相鄰的取代基R2、及/或二個 相鄰的取代基R3、及/或二個相鄰的取代基R4、及/或二個相鄰的取代基R5可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統,其可經一或多個基團R取代;m、n、q在每次出現時相同或不同地代表選自0、1、2、3或4之整數;p 在每次出現時相同或不同地代表選自0、1、2或3之整數;r 在每次出現時相同或不同地代表選自0、1或2之整數;R 在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;Cl;Br;I;CHO;CN;N(Ar)2;C(=O)Ar;P(=O)(Ar)2;S(=O)Ar;S(=O)2Ar;NO2;Si(R’)3;B(OR’)2;OSO2R’;具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基,彼等各自可經一或多個R’基團取代,其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經R’C=CR’、C≡C、Si(R’)2、Ge(R’)2、Sn(R’)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R’)、SO、SO2、O、S或CONR’置換,和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換;具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下可經一或多個R’基團取代;或具有5至60個芳族環原子之芳氧基,其可經一或多個R’基團取代,其中兩個相鄰的取代基R可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統,其可經一或 多個R’基團取代;Ar 為具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統,其在各情況下亦可經一或多個R’基團取代;R’ 在每次出現時相同或不同地代表H;D;F;Cl;Br;I;CN;具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基,其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經SO、SO2、O、S置換,和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換;或具有5至24個C原子之芳族或雜芳族環系統。
  2. 根據申請專利範圍第1項之化合物,其中ArN代表苯基、聯苯、茀、螺聯茀、萘、菲、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡
    Figure 108130237-A0305-02-0131-24
    、嗒
    Figure 108130237-A0305-02-0131-25
    、三
    Figure 108130237-A0305-02-0131-26
    、苯并吡啶、苯并嗒
    Figure 108130237-A0305-02-0131-27
    、苯并嘧啶或喹唑啉,或代表這些基團中之二至六個基團的組合,彼等各自可經一或多個基團R取代。
  3. 根據申請專利範圍第1項之化合物,其中ArN代表苯基、聯苯、茀、萘、菲、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑,或代表這些基團中之二至六個基團的組合,彼等各自可經一或多個基團R取代。
  4. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物,其係選自式(2)化合物,
    Figure 108130237-A0305-02-0132-3
    其中符號ArN、E1、E2、R1至R5及標號m、n、p、q和r具有與申請專利範圍第1項中相同之意義。
  5. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物,其選自式(3)化合物,
    Figure 108130237-A0305-02-0132-4
    其中符號ArN、E2、R0、R1至R5及標號m、n、p、q和r具有與申請專利範圍第1項中相同之意義。
  6. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物,其選自式(4)化合物,
    Figure 108130237-A0305-02-0133-5
    其中符號ArN、E2、R0、R1至R5具有與申請專利範圍第1項中相同之意義。
  7. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物,其係選自式(4-1)至(4-4)化合物,
    Figure 108130237-A0305-02-0133-6
    Figure 108130237-A0305-02-0133-7
    Figure 108130237-A0305-02-0134-9
    Figure 108130237-A0305-02-0134-10
    其中符號ArN、E2、R0、R1至R5具有與申請專利範圍第1項中相同之意義。
  8. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物,其係選自式(4-1a)至(4-4a),
    Figure 108130237-A0305-02-0134-11
    Figure 108130237-A0305-02-0135-12
    Figure 108130237-A0305-02-0135-13
    Figure 108130237-A0305-02-0135-14
    其中符號ArN、E2、R0和R1具有與申請專利範圍第1項中相同之意義。
  9. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物,其係選自式(4-1b)至(4-4b),
    Figure 108130237-A0305-02-0136-15
    Figure 108130237-A0305-02-0136-17
    Figure 108130237-A0305-02-0136-18
    Figure 108130237-A0305-02-0136-19
    其中符號ArN、E2、R1和R0具有與申請專利範圍第1項中相同之意義。
  10. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物,其係選自式(4-1c)至(4-4c),
    Figure 108130237-A0305-02-0137-20
    Figure 108130237-A0305-02-0137-21
    Figure 108130237-A0305-02-0137-22
    Figure 108130237-A0305-02-0138-23
    其中符號ArN、E2、R1和R0具有與申請專利範圍第1項中相同之意義。
  11. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物,其包含至少一個選自具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統之基團R1
  12. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物,其中E2代表O。
  13. 一種聚合物,其含有一或多種根據申請專利範圍第1項之化合物,其中接至該聚合物之鍵可位於式(1)中經R0、R1、R2、R3、R4或R5取代之任何位置。
  14. 一種調配物,其包含至少一種根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物或至少一種根據申請專利範圍第13項之聚合物及至少一種溶劑。
  15. 一種電子裝置,其包含至少一種根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物或至少一種根據申請專利範圍第13項之聚合物,該電子裝置係選自由下列所組成之群組:有機電致發光裝置、有機積體電路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、有機太陽能電池、染料敏化有機太陽能電池、有機光學檢測器、有機感光器、有機場淬滅裝置、發光電化學電池、有機雷射二極體和有機電漿子發光裝置。
  16. 根據申請專利範圍第15項之電子裝置,其是一種有機電致發光裝置,其中根據申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物或根據申請專利範圍第13項之聚合物用作為螢光發光體或用作為螢光發光體的基質材料。
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