TWI802656B - 用於有機電致發光裝置之材料 - Google Patents

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Abstract

本發明關於適合用於電子裝置(特別是有機電致發光裝置)的式(1)化合物，及包含此等化合物之電子裝置。

Description

用於有機電致發光裝置之材料
本發明關於一種式(1)化合物、該化合物在電子裝置之用途、及包含式(1)化合物之電子裝置。本發明此外關於一種製備式(1)化合物之方法以及包含一或多種式(1)化合物之調合物。
供用於電子裝置的功能化合物之開發為目前密集研究的主題。特別地，目的為開發用其可達成改良電子裝置在一或多個相關點之性質(諸如，例如，裝置的功率效率和壽命以及發射光的色坐標)之化合物。
根據本發明，術語電子裝置尤其意指有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學偵測器、有機感光器(organic photoreceptor)、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-雷射)以及有機電致發 光裝置(OLED)。
特別感興趣的是提供用於最後提到的所謂OLED之電子裝置的化合物。OLED的一般結構以及功能原理為熟習該項技術已知且已描述於例如US 4539507中。
仍然需要關於OLED之性能數據的進一步改良，特別是鑑於廣泛商業用途，例如，在顯示裝置或作為光源的用途。就此而論，特別重要的是OLED的壽命、效率和操作電壓以及所達成的色值。特別地，在發藍光的OLED情況下，關於裝置的壽命和效率之改良是有可能的。
達到該等改良之一重要起點為電子裝置中所使用之發光體化合物之發光體化合物及之主體化合物的選擇。
在先前技術中，已知包含蒽(anthracene)的化合物，例如WO 2017/036573中揭露的化合物，非常適合用作OLED中螢光發光體的主體材料。此外，在KR20150128583中，揭露包含蒽和二苯並呋喃衍生物的化合物，其用作螢光發光體的主體材料。
然而，仍然需要當使用在OLED發光層時展現良好性質數據的主體材料，尤其是在壽命、效率和發射光的顏色值方面。
此外，已知的是，OLED可包含不同的層，其可在真空室中藉由蒸氣沈積施加或藉由從溶液加工。以蒸氣沈積為基礎之方法的導致極佳的結果，但是該等方法 複雜且昂貴。因此，需要可從溶液容易且可靠地加工的OLED材料。在此情況下，該等材料應該在包含彼等的溶液中具有良好的溶解度。
本發明因此係基於提供化合物之技術目的，該化合物適合使用於電子裝置(諸如，OLED)，更特別地可用作為在OLED中的藍色螢光發光體之主體材料，且其適合於真空處理或適合於溶液加工。
在對使用於電子裝置之新穎化合物的研究中，現已發現如下定義之式(1)化合物非常適合使用於電子裝置。特別地，彼等達成上述技術目的中之一或多者，較佳為全部。
本發明因此關於式(1)化合物，
Figure 108106639-A0305-02-0005-1
 其中下列適用於所使用的符號及標號： E1、E2、E3以及E1*、E2*、E3*係選自單鍵、-C(R0)2-、-Si(R0)2-、-S-以及-O-；限制條件為至少一個基團E1、E2、E3、E1*、E2*、E3*表示-S-或-O-，以及限制條件為兩個基團E1及E1*中恰好一個為單鍵，兩個基團E2及E2*中恰好一個為單鍵且兩個基團E3及E3*中恰好一個為單鍵；ArS、Ar1在每次出現時相同或不同地表示具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R1取代；X 表示CR2、N；或，如果其與相鄰的基團(ArS)n(Ar1)m(ArS)q(RL)p鍵結，則X表示C；或兩個相鄰基團X表示以下式(Z-1)或(Z-2)的基團：
Figure 108106639-A0305-02-0006-2
其中在式(Z-1)或(Z-2)中符號V代表在式(1)中的對應兩個相鄰基團X；Z表示CR2、N；或如果其與相鄰基團(ArS)n(Ar1)m(ArS)q(RL)p鍵結則Z表示C；以及E4及E4*係選自單鍵、-B(R0)-、-C(R0)2-、-Si(R0)2-、-C(=O)-、-C(=NR0)-、-C(=C(R0)2)-、-O-、-S-、 -S(=O)-、-S(O2)-、-N(R0)-、-P(R0)-以及-P((=O)R0)-，較佳為-C(R0)2-、-Si(R0)2-、-O-、-S-以及-N(R0)-，其中存在於相同環中的基團E4及E4*的至少一個為非單鍵；R0、R1、R2在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2、S(=O)Ar、S(=O)2Ar、NO2、Si(R)3、B(OR)2、OSO2R、ArL、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2、Ge(R)2、Sn(R)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換，具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、或具有5至40個芳族環原子的芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中兩個基團R0、兩個基團R1及/或兩個基團R2可彼此形成環系統，其可經一或多個基團R取代；RL 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2、S(=O)Ar、S(=O)2Ar、NO2、Si(R)3、B(OR)2、OSO2R、ArL、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取 代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2、Ge(R)2、Sn(R)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換，具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、或具有5至40個芳族環原子的芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中兩個基團RL可彼此形成環系統，其可經一或多個基團R取代；或RL表示式(A)基團，
Figure 108106639-A0305-02-0008-3
其中該虛線鍵代表與在式(1)中的基團ArS或Ar1的鍵結且其中在該鍵結位置X為C；R 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2、S(=O)Ar、S(=O)2Ar、NO2、Si(R')3、B(OR')2、OSO2R'、ArL、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R'取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經 R'C=CR'、C≡C、Si(R')2、Ge(R')2、Sn(R')2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R')、SO、SO2、O、S置換或CONR'置換且其中一個或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換，具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R'取代、或具有5至40個芳族環原子的芳氧基，其可經一或多個基團R'取代，其中兩個基團R可彼此形成環系統，其可經一或多個基團R'取代；ArL 表示式(ArL-1)之基團
Figure 108106639-A0305-02-0009-4
其中在式(ArL-1)中的虛線鍵代表與式(1)之結構的鍵結，其中Ar2、Ar3在每次出現時相同或不同地表示具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代；且w為選自1至10的整數，較佳為1至6，非常佳為1至4；Ar 係具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R'取代；R' 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經SO、SO2、O、S置換，且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換，或具有5至24個C原子之芳族或雜芳族環系統；m 在每次出現時相同或不同地選自1至5的整數；n、q、p 係相同或不同地選自0至5的整數；以及r、s、t 係相同或不同地等於0或1；限制條件為r+s+t
Figure 108106639-A0305-02-0010-128
1。
此外，下列化學基團的定義適用於本申請案之目的：就本發明之意義而言相鄰取代基是與原子鍵結的取代基，該原子彼此直接連接或鍵結至相同原子上。
芳基就本發明之意義而言含有6至60個芳族環原子，較佳地6至40個芳族環原子，更佳地6至20個芳族環原子；雜芳基就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，較佳地5至40個芳族環原子，更佳地5至20個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。雜原子較佳係選自N、O及S。此表示基本定義。若在本發明之說明中指示其他較佳選擇，例如有關所存在之芳族環原子或雜原子的數目，則這些適用。芳基或雜芳基在此意指簡單芳族環，即苯，或簡單雜芳族環，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或縮合(稠合(annellated))芳族或雜芳族多環，例如萘、菲、喹啉或咔唑。縮合(稠合)芳族或雜芳族多環就本申請案的意義而言由二或更多個簡單芳族或雜芳族環彼此縮合而組成。
芳基或雜芳基，其在各情況下可經上述基團 取代且可經由任何所要位置連接至芳族或雜芳族環系統，特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、
Figure 108106639-A0305-02-0011-129
(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并蒽、苯并菲、稠四苯、稠五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻
Figure 108106639-A0305-02-0011-130
、啡
Figure 108106639-A0305-02-0011-131
、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡
Figure 108106639-A0305-02-0011-132
并咪唑(pyrazinimidazole)、喹
Figure 108106639-A0305-02-0011-133
啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、
Figure 108106639-A0305-02-0011-134
唑、苯并
Figure 108106639-A0305-02-0011-135
唑、萘并
Figure 108106639-A0305-02-0011-136
唑(naphthoxazole)、蒽并
Figure 108106639-A0305-02-0011-137
唑(anthroxazole)、菲并
Figure 108106639-A0305-02-0011-138
唑(phenanthroxazole)、異
Figure 108106639-A0305-02-0011-139
唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒
Figure 108106639-A0305-02-0011-140
、苯并嗒
Figure 108106639-A0305-02-0011-141
、嘧啶、苯并嘧啶、喹
Figure 108106639-A0305-02-0011-142
啉、吡
Figure 108106639-A0305-02-0011-143
、啡
Figure 108106639-A0305-02-0011-144
、
Figure 108106639-A0305-02-0011-145
啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-
Figure 108106639-A0305-02-0011-146
二唑、1,2,4-
Figure 108106639-A0305-02-0011-147
二唑、1,2,5-
Figure 108106639-A0305-02-0011-148
二唑、1,3,4-
Figure 108106639-A0305-02-0011-149
二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三
Figure 108106639-A0305-02-0011-150
、1,2,4-三
Figure 108106639-A0305-02-0011-151
、1,2,3-三
Figure 108106639-A0305-02-0011-152
、四唑、1,2,4,5-四
Figure 108106639-A0305-02-0011-153
、1,2,3,4-四
Figure 108106639-A0305-02-0011-154
、1,2,3,5-四
Figure 108106639-A0305-02-0011-155
、嘌呤、蝶啶、吲巾及苯并噻二唑。
根據本發明之定義的芳氧基意指如上述所定義之芳基，其經由氧原子鍵結。類似定義適用於雜芳氧基。
芳族環系統就本發明之意義而言在環系統中含有6至60個C原子，較佳地6至40個C原子，更佳地6至20個C原子。雜芳族環系統就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，較佳地5至40個芳族環原子，更佳地5至20個芳族環原子，其中至少一個為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統就本發明之意義而言意指不一定只含有芳基或雜芳基，而是其中另外多個芳基或雜芳基可藉非芳族單元(較佳為少於10%之非H的原子)(諸如，例如sp3-混成之C、Si、N或O原子、sp2-混成之C或N原子或sp-混成之C原子)連接的系統。因此，例如系統諸如9,9’-螺聯茀、9,9’-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯、等等亦意欲為就本發明之意義而言的芳族環系統，如為其中二或多個芳基例如藉由直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或藉由矽基連接之系統。此外，其中二或多個芳基或雜芳基係經由單鍵彼此連結之系統亦為就本發明之意義而言的芳族或雜芳族環系統，諸如，例如系統諸如聯苯、聯三苯或二苯基三
Figure 108106639-A0305-02-0012-156
。
具有5-60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在各情況下亦可經與上述所定義之基團取代且可經由任何所欲位置連接至芳族或雜芳族基團，特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、
Figure 108106639-A0305-02-0012-157
(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、聯伸二苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、三聯苯(terphenylene)、聯四苯 (quaterphenyl)、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、參茚并苯(truxene)、異參茚并苯(isotruxene)、螺參茚并苯、螺異參茚并苯、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻
Figure 108106639-A0305-02-0013-158
、啡
Figure 108106639-A0305-02-0013-159
、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡
Figure 108106639-A0305-02-0013-160
并咪唑(pyrazinimidazole)、喹
Figure 108106639-A0305-02-0013-161
啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、
Figure 108106639-A0305-02-0013-162
唑、苯并
Figure 108106639-A0305-02-0013-163
唑、萘并
Figure 108106639-A0305-02-0013-164
唑(naphthoxazole)、蒽并
Figure 108106639-A0305-02-0013-165
唑(anthroxazole)、菲并
Figure 108106639-A0305-02-0013-166
唑(phenanthroxazole)、異
Figure 108106639-A0305-02-0013-167
唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒
Figure 108106639-A0305-02-0013-168
、苯并嗒
Figure 108106639-A0305-02-0013-169
、嘧啶、苯并嘧啶、喹
Figure 108106639-A0305-02-0013-170
啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡
Figure 108106639-A0305-02-0013-171
、啡
Figure 108106639-A0305-02-0013-172
、啡
Figure 108106639-A0305-02-0013-173
、啡噻
Figure 108106639-A0305-02-0013-174
、螢紅環(fluorubin)、
Figure 108106639-A0305-02-0013-175
啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-
Figure 108106639-A0305-02-0013-176
二唑、1,2,4-
Figure 108106639-A0305-02-0013-177
二唑、1,2,5-
Figure 108106639-A0305-02-0013-178
二唑、1,3,4-
Figure 108106639-A0305-02-0013-179
二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三
Figure 108106639-A0305-02-0013-180
、1,2,4-三
Figure 108106639-A0305-02-0013-181
、1,2,3-三
Figure 108106639-A0305-02-0013-182
、四唑、1,2,4,5-四
Figure 108106639-A0305-02-0013-183
、1,2,3,4-四
Figure 108106639-A0305-02-0013-184
、1,2,3,5-四
Figure 108106639-A0305-02-0013-185
、嘌呤、喋啶、吲巾和苯并噻二唑、或這些基團的組合。
就本發明的目的而言，具有1至40個C原子之 直鏈烷基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基或具有2至40個C原子之烯基或炔基，其中，此外，個別H原子或CH2基團可經在上述該等基團定義下之基團取代，較佳意指基團甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具有1至40個C原子之烷氧基或烷硫基較佳意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。
就本申請案之目的而言，二或多個基團彼此可形成環之陳述特別意指：二個基團彼此藉由化學鍵鍵聯。此以下列圖解說明：
Figure 108106639-A0305-02-0015-5
然而，此外，上述規劃也意指：在其中二基團之一表示氫的情況中，第二基團鍵結於氫原子所鍵結之位置，且形成環。此以下列圖解說明：
Figure 108106639-A0305-02-0015-6
依據本發明，r、s、t為相同或不同地等於0或1；限制條件為r+s+t
Figure 108106639-A0305-02-0015-186
1。較佳地，r及s為相同或不同地等於0或1，r+s
Figure 108106639-A0305-02-0015-187
1及t為等於0。
較佳地，m在每次出現時較佳地係相同或不同地選自1或2的整數。極佳地，m為等於1。
較佳地，n、p以及q在每次出現時為相同或不同地0或1。極佳地，p為等於1。特佳地，n及q為相同或不同地等於0或1及p為等於1。
依據較佳實施態樣，式(1)化合物係選自式(2)、(3)或(4)化合物，
Figure 108106639-A0305-02-0016-7
Figure 108106639-A0305-02-0016-8
Figure 108106639-A0305-02-0016-9
其中該等符號及標號具有與上述相同的意義。
依據極佳的實施態樣，式(1)化合物係選自式(2A)、(3A)或(4A)化合物，
Figure 108106639-A0305-02-0017-10
Figure 108106639-A0305-02-0017-12
Figure 108106639-A0305-02-0017-13
其中E3為-O-或-S-，且其中其他符號及標號具有與上述相同的意義。
依據極佳的實施態樣，式(1)化合物係選自式(2A-1)至(4A-3)化合物，
Figure 108106639-A0305-02-0018-14
Figure 108106639-A0305-02-0018-15
Figure 108106639-A0305-02-0018-16
Figure 108106639-A0305-02-0019-17
Figure 108106639-A0305-02-0019-18
Figure 108106639-A0305-02-0019-20
Figure 108106639-A0305-02-0020-21
Figure 108106639-A0305-02-0020-22
Figure 108106639-A0305-02-0020-23
其中該等符號及標號具有與上述相同的意義。
較佳地，Ar1在每次出現時相同或不同地表示具有5至40個芳族或雜芳族環系統，極佳為5至25芳族環 原子，其可在各情況下經一或多個基團R1取代。更佳地，Ar1在每次出現時相同或不同地表示具有6至24個芳族環原子的縮合芳族環系統，其可在各情況下經一個或多個基團R1取代。特佳地，該基團Ar1在每次出現時相同或不同地選自蒽、萘、菲、稠四苯、
Figure 108106639-A0305-02-0021-188
、苯并蒽、苯并菲、芘、苝、聯伸三苯、苯并芘、丙二烯合茀(fluoranthene)所組成群組，其各自可在任何自由位置經一個或多個基團R1取代。
適合基團Ar1的實施例為式(Ar1-1)至(Ar1-11)的基團，
Figure 108106639-A0305-02-0022-24
Figure 108106639-A0305-02-0023-25
其中虛線鍵表示與如式(1)中相鄰基團的鍵結；且其中式(Ar1-1)至(Ar1-11)之基團可在各自由位置經一或多個基團R1取代，其具有與上述相同的意義。
在式(Ar1-1)至(Ar1-11)之基團中，式(Ar1-1)之基團為較佳。
非常適合基團Ar1的實施例為式(Ar1-1-1)至(Ar1-12-1)的基團，
Figure 108106639-A0305-02-0023-26
Figure 108106639-A0305-02-0024-27
其中虛線鍵表示與如式(1)中所示相鄰基團的鍵結；且其中R1具有與上述相同的意義。
在式(Ar1-1-1)至(Ar1-12-1)之基團中，式(Ar1-1-1)之基團為較佳。
特別適合基團Ar1的實施例為式(Ar1-1-2)至 (Ar1-12-2)的基團，
Figure 108106639-A0305-02-0025-28
Figure 108106639-A0305-02-0026-29
在式(Ar1-1-2)至(Ar1-12-2)之基團中，式(Ar1-1-2)之基團為較佳。
依據本發明，m在每次出現時相同或不同地為選自1至5的整數。較佳地，m在每次出現時相同或不同地為選自1至2的整數。更佳地，m為等於1。
依據本發明之較佳實施態樣，式(1)化合物選自式(2B)、(3B)或(4B)化合物，
Figure 108106639-A0305-02-0026-30
Figure 108106639-A0305-02-0027-31
Figure 108106639-A0305-02-0027-32
其中該等符號及標號具有與上述相同的意義。
依據較佳的實施態樣，式(1)化合物係選自式(2B-1)至(4B-3)化合物，
Figure 108106639-A0305-02-0027-33
Figure 108106639-A0305-02-0028-34
Figure 108106639-A0305-02-0028-35
Figure 108106639-A0305-02-0028-36
Figure 108106639-A0305-02-0029-37
Figure 108106639-A0305-02-0029-38
Figure 108106639-A0305-02-0029-39
Figure 108106639-A0305-02-0030-40
Figure 108106639-A0305-02-0030-41
其中該等符號及標號具有與上述相同的意義。
依據較佳實施態樣，ArS在每次出現時相同或不同地表示具有5至30個芳族或雜芳族環系統，較佳為5至25芳族環原子，其可在各情況下經一或多個基團R1取代。合適基團ArS的實施例為苯基、聯苯基、茀、螺聯茀、萘、菲、蒽、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡
Figure 108106639-A0305-02-0030-189
、嗒
Figure 108106639-A0305-02-0030-190
、三
Figure 108106639-A0305-02-0030-191
、苯并吡啶、苯并嗒
Figure 108106639-A0305-02-0030-192
、苯并嘧啶以及喹
Figure 108106639-A0305-02-0030-193
啉，其各自可經一個或多個基團R1取代。
非常適合基團ArS的實施例為式(ArS-1)至 (ArS-9)的基團，
Figure 108106639-A0305-02-0031-42
其中在式(ArS-7)中基團R0具有與上述相同的意義，其中虛線鍵表示與式(1)中所示之相鄰基團的鍵結；以及其中式(ArS-1)至(ArS-9)之基團可在各自由位置經R1取代，其具有與上述相同的意義。
在式(ArS-1)至(ArS-9)中，式(ArS-1)、(ArS-2)、(ArS-3)、(ArS-4)、(ArS-7)以及(ArS-9)為較佳。
依據較佳實施態樣，基團RL在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、N(Ar)2，具有1至20個C原子之直鏈烷基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個基團R取代，或具有5至60個芳族環原子 的芳族或雜芳族環系統，其可在各情況下可經一個或多個基團R取代，或RL表示式(A)之基團，
Figure 108106639-A0305-02-0032-43
其中虛線鍵表示與式(1)中基團Ar1的鍵結，其中符號X、E1、E1*、E2、E2*、E3及E3*具有與上述相同的意義，且其中在該鍵結位置X為C。
當基團RL代表芳族或雜芳族環系統，然後其基團RL選自具有5至30個芳族或雜芳族環系統為佳，較佳為5至25個芳族環原子，其可在各情況下可經一個或多個基團R取代。
更佳地，當RL代表芳族或雜芳族環系統，然後RL係選自苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、茀、螺聯茀、萘、菲、蒽、聯伸三苯、丙二烯合茀、稠四苯、
Figure 108106639-A0305-02-0032-194
、苯并蒽、苯并菲、芘、苝、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、吡啶、嘧啶、吡
Figure 108106639-A0305-02-0032-195
、嗒
Figure 108106639-A0305-02-0032-196
、三
Figure 108106639-A0305-02-0032-197
、喹啉酮、苯并吡啶、苯并嗒
Figure 108106639-A0305-02-0032-198
、苯并嘧啶、苯并咪唑以及喹
Figure 108106639-A0305-02-0032-199
啉所組成的群組，其各自可經一個或多個基團R取代。
極佳地，當RL代表芳族或雜芳族環系統， 然後RL係選由苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、茀、萘、菲、聯伸三苯、丙二烯合茀、稠四苯、
Figure 108106639-A0305-02-0033-200
、苯并蒽、苯并菲、芘或苝所組成的群組，其各自可在任何自由位置經一個或多個基團R1取代。
適合基團RL的實施例，當RL代表芳族或雜芳族環系統時，為式(RL-1)至(RL-27)之基團，
Figure 108106639-A0305-02-0033-47
Figure 108106639-A0305-02-0034-48
Figure 108106639-A0305-02-0035-49
其中虛線鍵代表與Ar1的鍵結且其中基團R0具有與上述相同的意義；以及其中式(RL-1)至(RL-27)之基團可在各自由位置經基團R取代，其具有與上述相同的意義。
極特佳地，基團RL為選自由式(RL-1)至(RL-27)之基團的芳族或雜芳族環系，彼等各自可在任何自由位置經一或多個基團R取代；或基團RL為式(B)之化合物，
Figure 108106639-A0305-02-0035-44
其中虛線鍵代表與式(1)中基團Ar1的鍵結，其中符號X及R0具有與上述相同意義，其中在該鍵結位置X為C，且其中E3及E3*係選自由單鍵及-O-，限制條件為基團E3及E3* 中之一者為單鍵且另一者為-O-。
依據較佳實施態樣，式(1)之化合物對應至式(5)之化合物，其對應至式(1)之化合物，其中s=t=0、r=1且RL為式(A)之基團，
Figure 108106639-A0305-02-0036-45
其中符號X、E1、E2、E3、E1*、E2*、E3*、ArS、Ar1且標號n、m及q具有與上述相同的意義。
較佳地，式(5)之化合物係選自式(5A)之化合物，
Figure 108106639-A0305-02-0036-46
其中符號X、R0、ArS、Ar1及標號n、m及q具有與上述相同的意義，且其中E3及E3*係選自單鍵及-O-，限制條件E3及E3*之一者為單鍵且另一個為-O-。
依據較佳實施態樣，R0在每次出現時相同或不同地表示H、D、F，具有1至20個C原子、較佳1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至20個C原子、較佳為3至10個C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經O或S置換，且其中一或多個H原子可經D或F置換；或具有5至40個、較佳地5至30個、更佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其中兩個相鄰的基團R0可一起形成脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代。
更佳地，R1及R2在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、CN、N(Ar)2，具有1至40個C原子、較佳1至20個C原子、更佳1至10個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基，或具有3至40個C原子、較佳3至20個C原子、更佳3至10個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經RC=CR、C≡C、O或S置換，且其中一或多個H原子可經D或F置換；或具有5至60個、較佳地5至40個、更佳地5至30個、特佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代，其中兩個基團R1及/或兩個基團R2可一起形成脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代。
較佳地，R在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、CN、N(Ar)2，具有1至40個C原子、較佳1至20個C原子、更佳1至10個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫 基，或具有3至40個C原子之、較佳3至20個C原子、更佳3至10個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R'取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經R'C=CR'、C≡C、O或S置換，且其中一或多個H原子可經D或F置換；或具有5至60個、較佳地5至40個、更佳地5至30個、特佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R'取代。
較佳地，R'在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CN，具有1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基，其中在各情況下一或多個H原子可經D或F置換，或具有5至18個C原子之芳族或雜芳族環系統。
依據較佳實施態樣，式(1)的化合物包含至少一個取代基R、R0、R1、R2或RL，其表示式(ArL-1)的基團ArL，
Figure 108106639-A0305-02-0038-50
其中在式(ArL-1)之虛線鍵表示與式(1)之結構的鍵結。
在式(ArL-1)中，基團Ar2為選自式(Ar2-1)至(Ar2-25)的基團較佳，
Figure 108106639-A0305-02-0039-51
Figure 108106639-A0305-02-0040-52
其中虛線鍵表示與式(1)之結構的鍵結且至基團Ar2或Ar3；其中式(Ar2-1)至(Ar2-25)基團可在各自由位置經基團R取代，其具有與上述相同的意義；且其中E5 係選自-B(R0-)、-C(R0)2-、-C(R0)2-C(R0)2-、-Si(R0)2-、-C(=O)-、-C(=NR0)-、-C=(C(R0))2-、-O-、-S-、-S(=O)-、-SO2-、-N(R0)-、-P(R0)-以及-P((=O)R0)-， 其中取代基R0具有與上述相同的意義。
較佳地，E5係選自-C(R0)2-、-Si(R0)2-、-O-、-S-或-N(R0)-，其中取代基R0具有與上述相同的意義。
在式(Ar2-1)至(Ar2-25)中，以下式較佳：(Ar2-1)、(Ar2-2)、(Ar2-3)、(Ar2-18)、(Ar2-19)、(Ar2-20)、(Ar2-21)、(Ar2-22)以及(Ar2-25)。
再者，在式(ArL-1)中，Ar3在每次出現時相同或不同地為選自式(Ar3-1)至(Ar3-27)所組成之群組為較佳，
Figure 108106639-A0305-02-0041-53
Figure 108106639-A0305-02-0042-54
Figure 108106639-A0305-02-0043-55
其中虛線鍵代表與Ar2的鍵結；其中E5具有與上述相同的意義；且其中式(Ar3-1)至(Ar3-27)的基團可在各自由位置經基團R取代，其具有與上述相同的意義。
在式(Ar3-1)至(Ar2-27)中，以下式較佳：(Ar3-1)、(Ar3-2)、(Ar3-23)、(Ar3-24)、(Ar3-25)以及(Ar3-27)。
依據較佳實施態樣，至少一個基團Ar2表示式(Ar2-2)之基團及/或至少一個基團Ar3表示式(Ar3-2)之基 團，
Figure 108106639-A0305-02-0044-56
其中在式(Ar2-2)之虛線鍵表示與式(1)之結構及與基團Ar2或Ar3的鍵結；以及在式(Ar3-2)之虛線鍵表示至Ar2的鍵結；以及E5具有與上述相同的意義；以及式(Ar2-2)及(Ar3-2)之基團可經在各自由位置經基團R取代，其具有與上述相同的意義。
依據非常佳的實施態樣，至少一個基團Ar2表示式(Ar2-2-1)之基團及/或至少一個基團Ar3表示式(Ar3-2-1)之基團，
Figure 108106639-A0305-02-0044-58
其中在式(Ar2-2-1)之虛線鍵表示與式(1)之結構及與基團Ar2或Ar3的鍵結；在式(Ar3-2-1)之虛線鍵表示與Ar2的鍵結；E5具有與上述相同的意義；且式(Ar2-2-1)及(Ar3-2-1)之基團可在各自由位置經基團R取代，其具有與上述相同的意義。
依據特佳實施態樣，至少一個基團Ar2表示式(Ar2-2-1b)之基團及/或至少一個基團Ar3表示式(Ar3-2-1b)之基團，
Figure 108106639-A0305-02-0045-59
其中在式(Ar2-2-1b)之虛線鍵表示與式(1)之結構及與基團Ar2或Ar3的鍵結；在式(Ar3-2-1b)之虛線鍵表示與Ar2的鍵結；R0具有與上述相同的意義；以及式(Ar2-2-1b)及(Ar3-2-1b)之基團可在各自由位置經基團R取代，其與上述相同的意義。
以下化合物為式(1)化合物之實施例：
Figure 108106639-A0305-02-0046-60
Figure 108106639-A0305-02-0047-61
Figure 108106639-A0305-02-0048-62
Figure 108106639-A0305-02-0049-63
Figure 108106639-A0305-02-0050-64
Figure 108106639-A0305-02-0051-66
Figure 108106639-A0305-02-0052-67
Figure 108106639-A0305-02-0053-68
Figure 108106639-A0305-02-0054-69
Figure 108106639-A0305-02-0055-70
Figure 108106639-A0305-02-0056-71
Figure 108106639-A0305-02-0057-72
Figure 108106639-A0305-02-0058-73
Figure 108106639-A0305-02-0059-74
根據本發明之化合物可藉由熟習該項技術人員已知的合成步驟製備，諸如，例如溴化、Suzuki偶合、Ullmann偶合、Hartwig-Buchwald偶合、等等。適當合成 方法的實例以一般術語描述於下述流程圖1至3中。
Figure 108106639-A0305-02-0060-75
Figure 108106639-A0305-02-0061-76
式(1)之化合物可如上述合成，其中首先使用包含反應性脫離基(如鹵素或硼酸)的二苯並呋喃或二苯並噻吩衍生物作為前驅物來合成包含二價橋-O-或-S-的參茚并苯(truxene)衍生物以及至少一個芳族或雜芳族環系統是經由C-C耦合反應與參茚并苯衍生物鍵結。
為了從液相處理根據本發明之化合物(例如藉由旋塗或藉由印刷方法)，需要根據本發明之化合物的調合物。此等調合物可為例如溶液、分散液或乳液。為此目的，較佳可為使用二或多種溶劑之混合物。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二
Figure 108106639-A0305-02-0062-201
烷、苯氧基甲苯(特別是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苯甲基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或此等溶劑之混合物。
本發明因此另外關於一種調合物，其包含根據本發明之化合物及至少一種其他化合物。其他化合物可為(例如)溶劑，特別是上述溶劑中之一者或這些溶劑的混合物。然而，其他化合物亦可為同樣地使用於電子裝置之至少一種其他有機或無機化合物，例如發光化合物，特別 是螢光摻雜劑，及/或其他基質材料。適當發光化合物和其他基質材料係指示於下述有關有機電致發光裝置者。此其他化合物亦可為聚合物的。
根據本發明之化合物和混合物係適合用於電子裝置。電子裝置在本文中意指一種包含至少一層的裝置，該層包含至少一種有機化合物。然而，組件在本文中亦可包含無機材料或完全由無機材料構成的層。
本發明因此另外關於根據本發明之化合物或混合物於電子裝置之用途，特別是於有機電致發光裝置之用途。
本發明此外又關於一種電子裝置，其包括至少一種上述根據本發明之化合物或混合物。上述關於化合物的較佳陳述也適用於電子裝置。
電子裝置較佳係選自下列組成的群組：有機電致發光裝置(OLED、PLED)、有機積體電路(O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電池(O-SC)、有機染料敏化太陽能電池、有機光學偵測器、有機光感受器、有機場淬滅裝置(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和“有機電漿子發射裝置”(D.M.Koller et al.,Nature Photonics 2008,1-4)，較佳是有機電致發光裝置(OLED、PLED)，特別是磷光OLED。
有機電致發光裝置包含陽極、陰極及至少一個發光層。除了此等層以外，有機電致發光裝置亦可包含 其它層，例如在各情況下一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、及/或電荷產生層。同樣可能在二個發光層之間引入具有(例如)激子阻擋功能之中間層。然而，應指出的是此等層各者不一定必須存在。有機電致發光裝置在此可包含一個發光層或多個發光層。若存在多個發光層，則此等較佳地具有總計多個在380奈米與750奈米之間的發光最大值，整體導致白色發光，亦即將能夠發螢光或磷光的各種發光化合物使用於發光層中。特佳者為具有三個發光層之系統，其中該三層呈現藍色、綠色及橙色或紅色發光(基本結構參見例如WO 2005/011013)。此等可為螢光或磷光發光層或其中螢光和磷光發光層彼此合併的混合系統。
根據上示實施態樣的根據本發明之化合物可取決於精確的結構和取代而使用於各種層中。較佳者為包含式(1)或根據較佳實施態樣之化合物的有機電致發光裝置，該化合物作為螢光發光體、顯示TADF(熱活化延遲螢光)的發光體、或磷光發光體的基質材料之主體(=基質材料)。特佳的是有機電致發光裝置，其包含式(1)或根據較佳實施態樣之化合物，該化合物作為螢光發光體之主體(=基質材料)，更特別是發藍光的螢光化合物。
式(1)化合物特別適合作為藍光螢光化合物的主體。有關的電子裝置可包含單一發光層，其包含根據本發明之化合物，或者其可包含兩或更多個發光層。其他 發光層在此可包含一或多種根據本發明之化合物或者其他化合物。
式(1)化合物較佳使用作為發光層中的螢光發光化合物的主體。其較佳使用作為螢光發光化合物的單一主體或與一或多個主體組合使用。主體在此意指存在於發光層中的材料，較佳地作為主要成分，且其在裝置操作時不發光。
在發光層的混合物中發光化合物之比例係介於0.1和50.0%之間，較佳介於0.5和20.0%之間，特佳介於1.0和10.0%之間。對應地，主體或多個主體之比例係介於50.0和99.9%之間，較佳介於80.0和99.5%之間，特佳介於90.0和99.0%之間。
為本申請案之目的，以%表示的比例的規格若化合物是從氣相施加的話，係意指體積%及若化合物是從溶液中施加的話，則意指重量%。
與式(1)化合物組合使用作為共主體之較佳多個主體係選自下列之類別：寡聚伸芳基(oligoarylene)(例如根據EP 676461之2,2’,7,7’-四苯基螺聯茀或二萘基蒽)，特別是含有縮合芳族基團之寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基(oligoarylenevinylene)(例如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi)、多牙(polypodal)金屬錯合物(例如根據WO 2004/081017)、電洞傳導化合物(例如根據WO 2004/058911)、電子傳導化合物，特別是酮、膦氧化物、亞碸、等等(例如根據WO 2005/084081和 WO 2005/084082)、阻轉異構物(例如根據WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)或苯并蒽(例如根據WO 2008/145239)。特佳基質材料係選自下列之類別：包含萘、蒽、苯并蒽及/或芘或這些化合物的阻轉異構物之寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基、酮、膦氧化物和亞碸。非常特佳的基質材料係選自下列之類別：包含蒽、苯并蒽、苯并菲及/或芘或這些化合物的阻轉異構物之寡聚伸芳基。寡聚伸芳基就本發明的意義而言意指一種其中至少三個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。
與式(1)化合物組合使用於發光層之較佳基質材料係描述於下表中。
Figure 108106639-A0305-02-0066-77
Figure 108106639-A0305-02-0067-78
Figure 108106639-A0305-02-0068-79
Figure 108106639-A0305-02-0069-80
與式(1)化合物組合使用的較佳螢光發光體係選自芳基胺之類別。芳基胺就本發明的意義而言意指含有三個直接鍵結至氮的經取代或未經取代之芳族或雜芳族 環系統的化合物。此等芳族或雜芳族環系統中之至少一者較佳為縮合環系統，特佳具有至少14個芳族環原子。其較佳實例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族
Figure 108106639-A0305-02-0070-202
胺或芳族
Figure 108106639-A0305-02-0070-203
二胺。芳族蒽胺意指其中一個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9位置)之化合物。芳族蒽二胺意指其中兩個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9,10-位置)之化合物。芳族芘胺、芘二胺、
Figure 108106639-A0305-02-0070-204
胺及
Figure 108106639-A0305-02-0070-205
二胺係與其類似地定義，其中二芳胺基較佳地在1-位置或1,6-位置上與芘鍵結。其他較佳發光體為茚并茀胺或茚并茀二胺(例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630)、苯并茚并茀胺或苯并茚并茀二胺(例如根據WO 2008/006449)、及二苯并茚并茀胺或二苯并茚并茀二胺(例如根據WO 2007/140847)、及WO 2010/012328中揭示之含有縮合芳基之茚并茀衍生物。又其他較佳發光體為如WO 2015/158409中揭示之苯并蒽衍生物、如WO 2017/036573中揭示之蒽衍生物、如WO 2016/150544之茀二聚物或如WO 2017/028940和WO 2017/028941中揭示之啡
Figure 108106639-A0305-02-0070-206
衍生物。較佳者同樣為WO 2012/048780及WO 2013/185871中揭示之芘芳基胺。較佳者同樣為WO 2014/037077中揭示之苯并茚并茀胺、WO 2014/106522中揭示之苯并茀胺和WO 2014/111269或WO 2017/036574中揭示之茚并茀。
除了根據本發明之化合物之外，可與本發明化合物組合使用於發光層或其可使用於相同裝置的另一發光層中之較佳螢光發光化合物的實例係描述於下表中：
Figure 108106639-A0305-02-0071-81
Figure 108106639-A0305-02-0072-82
Figure 108106639-A0305-02-0073-83
Figure 108106639-A0305-02-0074-84
Figure 108106639-A0305-02-0075-85
Figure 108106639-A0305-02-0076-86
Figure 108106639-A0305-02-0077-87
Figure 108106639-A0305-02-0078-88
根據本發明之化合物也可用於其他層中，例如作為電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層中之電洞傳輸材料或作為發光層中磷光發光體的基質材料。
若式(I)化合物係用作為電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中的電洞傳輸材料，則該化合物可以純材料(亦即100%之比例)使用於電洞傳輸層中，或其可與一或多種其他化合物組合使用。根據一較佳實施態樣，包含式(I)化合物之有機層則另外包含一或多種p-摻雜劑。根據本發明所使用的p-摻雜劑較佳為能夠氧化混合物的其他化合物中之一或多者的有機電子受體化合物。
p-摻雜劑之特佳實施態樣為WO 2011/073149、EP 1968131、EP 2276085、EP 2213662、EP 1722602、EP 2045848、DE 102007031220、US 8044390、US 8057712、WO 2009/003455、WO 2010/094378、WO 2011/120709、US 2010/0096600和WO 2012/095143中所揭示之化合物。
若式(I)化合物用作為與發光層中磷光發光體組合之基質材料，則該磷光發光體較佳係選自下示磷光發光體之類別和實施態樣。此外，在此情況下一或多種其他 基質材料較佳係存在於發光層中。此類型之所謂混合基質系統較佳地包含二或三種不同的基質材料，特佳兩種不同的基質材料。兩種材料之一者在此較佳為具有電洞傳輸性質之材料且其他材料較佳為具有電子傳輸性質之材料。式(I)化合物較佳為具有電洞傳輸性質之材料。
然而，混合基質組分之所要電子傳輸和電洞傳輸性質也可主要或完全地組合於單一混合基質組分，其中另外混合基質組分滿足其他功能。兩種不同的基質材料在此可以1：50至1：1，較佳地1：20至1：1，特佳地1：10至1：1和非常特佳地1：4至1：1之比率存在。混合基質系統較佳係使用於磷光有機電致發光裝置中。關於混合基質系統之更多細節(尤其是)係包含於申請案WO 2010/108579中。
可與根據本發明之化合物組合用作為混合基質系統的基質組分之特別適合的基質材料係選自下示用於磷光發光體之較佳基質材料或用於螢光發光體之較佳基質材料，取決於混合基質系統中使用了何種類型的發光化合物。
用作為根據本發明之有機電致發光裝置中的對應功能材料之材料的一般較佳類別係如下所示。
適當磷光發光體物特別為在適當激發時發光(較佳在可見光區域內)且另外含有至少一種具有原子序大於20，較佳為大於38且少於84，特佳為大於56且少於80的原子之化合物。所使用之磷光發光體較佳為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合 物，特別是含有銥、鉑或銅的化合物。
就本發明之目的而言，所有的發光銥、鉑或銅錯合物被視為磷光化合物。
上述磷光發光體的實例係由申請案WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373和US 2005/0258742揭示。通常，根據先前技術用於磷光OLED且為熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物皆適合使用於根據本發明的裝置中。熟習該項技術者也將能夠在無進步性(inventive step)下將其他磷光錯合物與根據本發明之化合物組合使用於OLED中。用於磷光發光體之較佳基質材料為芳族酮、芳族氧化膦或芳族亞碸或碸(例如，根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、芳族胺、咔唑衍生物(例如CBP，N,N-雙咔唑基聯苯)或揭示於WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851的咔唑衍生物)、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚并咔唑衍生物(例如WO 2010/136109、WO 2011/000455或WO 2013/041176)、氮雜咔唑衍生物(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/111172)、氮硼雜環戊烯(azaborole)或硼酸酯(例 如根據WO 2006/117052)、三
Figure 108106639-A0305-02-0081-207
衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)或四氮雜矽雜環戊二烯衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)、橋聯咔唑衍生物(例如，根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080)、聯伸三苯衍生物(例如，根據WO 2012/048781)、或是內醯胺(例如，根據WO 2011/116865或WO 2011/137951)。
除了根據本發明之化合物外，適當電荷傳輸材料如可用於根據本發明之電子裝置的電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層或電子傳輸層中，為(例如)在Y.Shirota等人在Chem.Rev.2007,107(4),953-1010中所揭示之化合物或根據先前技術使用於此等層中之其他材料。
可使用於電子傳輸層之材料為根據先前技術用作為電子傳輸層中之電子傳輸材料的所有材料。特別適合的是鋁錯合物(例如，Alq3)、鋯錯合物(例如，Zrq4)、鋰錯合物(例如，Liq)、苯并咪唑衍生物、三
Figure 108106639-A0305-02-0081-208
衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡
Figure 108106639-A0305-02-0081-209
衍生物、喹
Figure 108106639-A0305-02-0081-210
啉衍生物、喹啉衍生物、
Figure 108106639-A0305-02-0081-211
二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物及膦氧化物衍生物。此外，適當材料為上述化合物之衍生物，如JP 2000/053957 、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975及WO 2010/072300中所揭示。
可用於根據本發明之電致發光裝置中的電洞傳輸、電洞注入或電子阻擋層中之較佳電洞傳輸材料為茚并茀胺衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、EP 1661888中所揭示之胺衍生物、六氮雜聯伸三苯衍生物(例如根據WO 01/049806)、含有縮合芳族環之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、WO 95/09147中揭示之胺衍生物、單苯并茚并茀胺(例如根據WO 08/006449)、二苯并茚并茀胺(例如根據WO 07/140847)、螺聯茀胺(例如根據WO 2012/034627或WO 2013/120577)、茀胺(例如根據尚未公開的申請案EP 12005369.9、EP 12005370.7和EP 12005371.5)、螺二苯并哌喃胺(例如根據WO 2013/083216)及二氫吖啶衍生物(例如根據WO 2012/150001)。根據本發明之化合物亦可用作為電洞傳輸材料。
有機電致發光裝置之陰極較佳包含具有低功函數之金屬、金屬合金或包含各種金屬(諸如，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等)之多層結構。亦適合的是包含鹼金屬或鹼土金屬和銀之合金，例如包含鎂和銀之合金。在多層結構之情況中，除該等金屬外，也可使用具有較高功函數之其他金屬，諸如，例如Ag或Al，在該情況中通常使用金屬之組合，諸如，例如Ca/Ag、Mg/Ag或 Ag/Ag。較佳亦為於金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。適合於此目的者為(例如)鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3、等等)亦適合。此外，為此目的亦可使用喹啉合鋰(lithium quinolinate)(LiQ)。此層之層厚度較佳係介於0.5和5nm之間。
陽極較佳包含具有高功函數之材料。陽極較佳具有相對於真空為大於4.5eV之功函數。適合此目的者一方面為具有高氧化還原電位之金屬，諸如(例如)Ag、Pt或Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)亦可為較佳的。就一些應用而言，至少一個電極必須為透明或部分透明，以便促進有機材料之照射(有機太陽能電池)或光之耦合輸出(OLED、O-雷射)。較佳陽極材料在此為導電性混合金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外較佳者為導電性摻雜型有機材料，特別為導電性摻雜型聚合物。
將裝置適當地(視應用而定)結構化，配備接點且最後密封，因為根據本發明之裝置的壽命在水及/或空氣存在下被縮短。
在一較佳實施態樣中，根據本發明之有機電致發光裝置特徵在於利用昇華方法塗布一或多層，其中該等材料係於真空昇華單元中在低於10-5毫巴，較佳低於10-6毫巴之初壓力下藉由蒸氣沈積施加。然而，初壓力在 此也可能甚至更低，例如低於10-7毫巴。
同樣較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於利用OVPD(有機蒸氣相沈積)方法或輔以載體-氣體昇華法塗布一或多層，其中該等材料係在介於10-5毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機蒸氣噴墨印刷)方法，其中該等材料係經由噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M.S.Arnold等人之Appl.Phys.Lett. 2008,92,053301)。
此外較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於諸如(例如)以旋塗或利用任何所欲印刷方法(諸如，例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但更佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷)從溶液製造一或多層。為此目的需要可溶性式(1)化合物。高溶解度可透過該等化合物之適當取代而達成。
亦可能者為混合方法，其中，例如，一或多層係從溶液施加且一或多個其他層係藉由蒸氣沈積施加。因此，例如，可能從溶液施加發光層且可能藉由蒸氣沈積施加電子傳輸層。
此等方法通常為熟習此項技術者已知且熟習此項技術者可在無進步性(inventive step)下將該等方法應用於包含本發明化合物之有機電致發光裝置。
根據本發明，包含一或多種根據本發明化合物之電子裝置可使用於顯示器中、作為照明應用中之光源及作為醫學及/或美容應用(例如光療法)中之光源。
現在將藉由下列實施例更詳細地說明本發明，而不希望因此限制本發明。
A)合成例 中間體VII之方案合成例
Figure 108106639-A0305-02-0085-89
合成中間體I-a：
117.9g(401mmol)起始物質a、100g(401mmol)起始物質b以及203.1g(882mmol)磷酸鉀單水合物混合於1.6L甲苯/水/二
Figure 108106639-A0305-02-0086-212
烷(2：1：1)中並除氣。將乙酸鈀(0.9g,4mmol)及參(鄰甲苯基)-膦(2.44g,8mmol)加入至混合物中，並將該混合物在回流下攪拌16小時。將該混合物冷卻至室溫後，進行相分離。該水相進一步以乙酸乙酯(2×300mL)萃取。合併之有機相以水洗滌多次，以硫酸鈉乾燥且最後在真空中去除。該粗產物係使用乙酸乙酯作為溶劑經由SiO2/Al2O3塞過濾。在真空中以除溶劑後，以定量產率獲得油。
下列化合物也可用類似的方式製備：
Figure 108106639-A0305-02-0086-90
合成中間體II-a：
MeMgCl(461mL,3M在THF中，1.38mol)滴加至預先冷卻的化合物I-a(135g,0.4mol)及CeCl3(199g, 0.8mol)之THF懸浮液(0℃,1.5L)。反應完成之後，加入飽和水溶液NH4Cl以淬滅過量的MeMgCl，並以乙酸乙酯萃取有機相三次。合併有機分並依序以水及食鹽水清洗。真空去除揮發物以產生所需的產物129g(96%)。
下列化合物也可用類似的方式製備：
Figure 108106639-A0305-02-0087-91
合成中間體III-a：
對在甲苯(1L)中化合物II-a(129g,383mmol)之溶液加入50g Amberlyst-15。該混合物在回流下攪拌隔夜。將該混合物冷卻至室溫且將Amberlyst-15過濾掉。在真空中將該溶劑移除且該粗產物經由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化。產率：106.2g(87%)。
下列化合物也可用類似的方式製備：
Figure 108106639-A0305-02-0088-92
合成中間體IV-a：
對在CH2Cl2(1.2L)中的化合物III-a(100g,314mmol)之溶液加入N-溴代琥珀醯亞胺(55.83g,314mmol)及HBr(32%溶液在乙酸中，0.5mL)。反應在30℃加熱4天。反應完成後，加入Na2S2O3(300mL，飽和水溶液)且該混合物劇烈攪拌30分鐘。將相分離且有機相以水洗滌數次。將溶劑在真空中移除且該粗產物以乙醇劇烈地攪拌以產生白色固體。產率：119.8g(96%)。
下列化合物也可用類似的方式製備：
Figure 108106639-A0305-02-0089-93
合成中間體V-a：
27.5g(69.1mmol)IV-a、13.1g(72.6mmol)(2-甲氧基羰基苯基)硼酸及35.0g(152.1mmol)磷酸鉀單水合物混合在300mL甲苯中並脫氣。對該混合物加入二環己基膦基-2’,4’,6’-三異丙基-1,1’-聯苯基)[2-(2’-胺基-1,1’-聯苯基)]鈀(II)甲磺酸(1.18g,2.07mmol)並將該混合物回流下攪拌3h。將混合物冷卻至室溫後，加入300mL水並將相分離。有機相以水洗滌多次且在真空下將溶劑移除。之後，該粗產物係經由管柱層析法(SiO2，甲苯)純化。產率：28.2g(90%)。
下列化合物可用類似的方式合成：
Figure 108106639-A0305-02-0090-94
合成化合物V-d：
Figure 108106639-A0305-02-0090-96
合成Int-1
Figure 108106639-A0305-02-0090-97
82.0g(439mmol)起始材料c(CAS登記號33483-06-6)溶解於無水CH2Cl2(2.00L)。加入咪唑(59.7g,877mmol)，接著加入105mL(479mmol)起始材料d(CAS登記號3154-24-0)。該反應在室溫下攪拌21h。之後，該反應混合物以水洗滌一次，以20% NaOH洗滌兩次及再以水洗滌一次。該有機層以無水硫酸鈉乾燥、過濾並真空濃縮。Int-1係呈油以定量產率被獲得。
合成Int-2
Figure 108106639-A0305-02-0091-98
78.6g(231mmol)Int-1在無水THF(2.00L)中溶解。41.1g(231mmol)NBS在室溫下加入。該反應在室溫下攪拌17h。91.2g(600mmol)CsF在室溫下加入且將該混合物攪拌18h。在真空下將溶劑移除並加入甲笨及水。水層以1M HCl酸化至pH 2-3且以甲苯萃取兩次。合併之有機層以水洗滌兩次，然後經無水硫酸鈉乾燥，過濾並濃縮。該粗產物在環己烷(300ml)中懸浮並在室溫下攪拌隔夜。經由過濾收集固體，以環已烷洗滌並在真空乾燥以獲得Int-2(53.5g；88%)。
合成Int-3
Figure 108106639-A0305-02-0092-99
42.0g(159mmol)Int-2在無水CH2Cl2(1.00 l)懸浮。加入66.4ml(478mmol)三乙胺。該溶液冷卻至內部溫度4℃。逐滴加入34.3mL(207mmol)三氟甲磺酸酐。將該混合物溫熱至室溫隔夜。關於水溶液後處理，該混合物以水洗滌一次，以1M HCl洗滌兩次並以水洗滌兩次。有機層係經過無水硫酸鈉乾燥、過濾及真空濃縮，以得到呈油粗產物。經由矽膠(庚烷/THF 9：1)過濾粗產物以及濃縮以獲得固體Int-3(59.7g；95%)。
合成V-d
Figure 108106639-A0305-02-0092-100
10.0g(25.3mmol)Int-3、10.3g(53.1mmol)(2-乙氧基羰基苯基)-硼酸(CAS登記號380430-53-5)以及13.4g(88mmol)CsF係在無水THF(250mL)中懸浮。將該混合物脫氣，之後加入227mg(1.01mmol)Pd(OAc)2以及831mg(2.02mmol)S-Phos。將混合物回流攪拌36h。冷卻至室 溫之後，將溶劑移除且將該殘留物在甲烷及水中溶解。有機層以水洗滌三次，然後以食鹽水洗滌一次。將有機層以無水硫酸鈉乾燥、過濾並濃縮。粗產物經由管柱層析(SiO2，庚烷/THF)純化以獲得Int-4(8.2g；70%)。
合成中間體VI-a：
中間體VI-a可以與中間體II-a類似的方式製備，從在350mL THF中V-a(28.0g,61.8mmol)、MeMgCl(71mL,3M於THF,213mmol)以及CeCl3(30.5g,124mmol)開始。產率：25.5g(91%)。
下列化合物也可用類似的方式製備：
Figure 108106639-A0305-02-0094-101
Figure 108106639-A0305-02-0095-102
中間體VII-a的合成：
中間體VII-a可以與中間體III-a相同的方式合成，從在300mL甲苯中25g VI-a(55mmol)以及12g Amberlyst-15開始。產率：20.4g(85%)。
下列化合物也可用類似的方式製備：
Figure 108106639-A0305-02-0096-103
中間體VIII之方案合成例
Figure 108106639-A0305-02-0097-105
合成中間體VIII-a：
中間體VIII-a可以與中間體IV-a相同的方式合成，從在300mL CH2Cl2中15g(37.5mmol)VII-c以及13.3g(75mmol)N-溴代琥珀醯亞胺開始。產率：15.3g(73%)。
下列化合物可用類似的方式製備：
Figure 108106639-A0305-02-0097-104
化合物1之方案合成例：
Figure 108106639-A0305-02-0098-107
化合物1的合成
將21.7g(50mmol)VII-a、21.0g(55mmol)(10-苯基蒽-9-基)硼酸及23.0g(100mmol)磷酸鉀混合在600mL THF/水(2：1)中。加入1g(1.2mmol)XPhos-Pd-G3之後，將反應在60℃攪拌至完全轉化。將該混合物冷卻至室溫之後，加入200mL水及500mL甲苯並將該相分離。有機相以水洗滌多次並在真空中將溶劑移除。之後，藉由經由二氧化矽(甲苯)過濾並藉由自甲苯/庚烷幾次結晶純化粗產物。產率：24.2g(74%)。
接下來的化合物可用類似的方式製備：
Figure 108106639-A0305-02-0099-108
Figure 108106639-A0305-02-0100-109
化合物2之方案合成例：
Figure 108106639-A0305-02-0100-110
化合物2的方案合成
27.9g(50mmol)VIII-a、49.5g(110mmol)10-(5-苯基-[1,1’-聯苯基]-3-基)蒽-9-基)硼酸及46.0g(200mmol)磷酸鉀混合在1000ml THF/水(2：1)中。加入2g(2.4mmol)XPhos-Pd-G3之後，將反應在60℃攪拌至完全轉化。將該混合物冷卻至室溫之後，加入200mL水及500mL甲苯並將該相分離。有機相以水洗滌多次並在真空中將溶劑移除。之後，藉由經由二氧化矽(甲苯)過濾並藉由自甲苯/庚烷幾次結晶純化粗產物。產率：31.5g(52%)。
接下來的化合物也可用類似的方式製備：
Figure 108106639-A0305-02-0101-111
化合物之方案合成例：
Figure 108106639-A0305-02-0101-112
21.0g(25mmol)化合物1.5、11.0g(28mmol)(10-苯基蒽-9-基)硼酸及11.5g(50mmol)磷酸鉀混合在500mL THF/水(2：1)中。加入1g(1.2mmol)XPhos-Pd-G3之後，將反應在60℃攪拌至完全轉化。將該混合物冷卻至室溫之 後，加入200mL水及500mL甲苯並將該相分離。有機相以水洗滌多次並在真空中將溶劑移除。之後，藉由經由二氧化矽(甲苯)過濾並藉由自甲苯/庚烷幾次結晶純化粗產物。 產率：17.7g(67%)。
Figure 108106639-A0305-02-0102-113
B)OLED的製造 蒸汽加工的OLED裝置的製造
依據WO 04/05891與調整的膜厚度及層順序進行OLED裝置的製造。以下實施例V1、E1、E2以及E3顯 示各種LED裝置的數據。
實施例V1、E1、E2以及E3的基板預處理：
具有結構化的ITO(50nm，氧化銦錫)的玻璃板塗覆有20nm PEDOT：PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚(苯乙烯-磺酸鹽，來自Heraeus Precious Metals GmbH德國CLEVIOSTM P VP AI 4083，自以水為基礎之溶液旋塗)以形成在其上製造有OLED裝置的基材。
OLED裝置原則上具有以下層結構：- 基板，- ITO(50nm)，- 緩衝(20nm)，- 電洞傳輸層(HTL)- 內層(IL)- 發光層(EML)，- 電洞阻擋層(HBL)- 電子傳輸層(ETL)- 電子注入層(EIL)，- 陰極。
陰極係由具有厚度為100nm的鋁層形成。詳細的堆疊順序如表A所示。使用於OLED製造的材料陳列於表C。
所有材料經由熱氣相沉積在真空室中施加。此處該發光層總由至少一種基質材料(主體材料=H)及發光 摻雜劑(發光體=D)組成，D經由共蒸發以一定體積比例與基質材料或基質材料混合。例如H1：D1(97%：3%)的表現在此處表示材料H1以97%的體積比例存在於層中，而D1以3%的比例為在存在於層中。類似地，電子傳輸層亦可由兩或更多種材料的混合物組成。
OLED裝置經由標準方法的示性。為此目的，電致發光光譜、電流效率(以cd/A測量)、功率效率(lm/W)以及外部量子效率(EQE，在1000cd/m 2 以%測量)係以假設Lambertian發光特性從電流/電壓/亮度(luminance)特徵線(IUL特徵線)計算。電致發光(EL)光譜係在1000cd/m 2 之發光密度下記錄，且由EL光譜計算CIE 1931 x和y色坐標。U1000定義為發光密度為1000cd/m2時的電壓。SE1000表示電流效率，LE1000表示在1000cd/m2的功率效率。EQE1000定義為發光密度為1000cd/m2時的外部量子效率。各種OLED裝置的裝置數據是總結在表B中。實施例V1表示根據現有技術狀態(state-of-the-art)的比較例。實施例E1、E2和E3示出了本發明OLED裝置的數據。
在以下部分中，更詳細地描述幾個實施例以顯示本發明的OLED裝置的優點。
在螢光OLED中本發明化合物作為主體材料的用途
當與螢光藍色摻雜劑(發光體)共混以形成螢光藍色OLED裝置的發光層時，本發明化合物特別適合作為主體(基質)。代表性實施例是H1、H2及H3。以SdT1代 表現有技術狀態的比較化合物(結構參見表C)。在螢光藍OLED裝置中使用本發明化合物作為主體(基質)導致極佳的裝置數據，特別是關於當相較於現有技術狀態時的效率(比較E1至E3對V1，參見裝置數據裝置見表B)。
Figure 108106639-A0305-02-0105-114
Figure 108106639-A0305-02-0105-115
Figure 108106639-A0305-02-0106-116
溶液加工之OLED裝置的製備
以溶液為主之OLED的製造係已多次描述在文獻中，例如於WO 2004/037887和WO 2010/097155中。該方法係調整成適合於下述情況(層-厚度變化、材料)。
本發明的材料組合係使用於下列層順序：- 基板，- ITO(50nm)，- 緩衝(40nm)，- 發光層(EML)(40nm)，- 電洞阻擋層(HBL)(10nm)- 電子傳輸層(ETL)(30nm)，- 陰極(Al)(100nm)。
經50nm厚度的結構化ITO(氧化銦錫)塗布之玻璃板充當基板。用緩衝(PEDOT)Clevios P VP AI 4083(Heraeus Clevios GmbH，Lever-kusen)塗布它們。緩衝的旋塗在空氣中自水進行。之後將該層藉由在180℃下加熱10分鐘而乾燥。將發光層施加到以這種方式塗布的玻璃板上。
發光層由基質材料(主體材料)H4和發光摻雜劑(發光體)D2構成。二材料以97重量%H4和3重量%D2的比例存在於發光層中。將用於發光層的混合物溶於氯苯中。該等溶液的固體含量為9mg/ml，若，如在此，待利用旋塗方式達到裝置典型所用的40nm的層厚度。藉由旋塗在惰性氣體氛圍中施加該等層並在150℃下加熱10分鐘 乾燥。使用在目前案例中的材料示於表D。
Figure 108106639-A0305-02-0108-117
用於電洞阻擋層和電子傳輸層的材料同樣藉由在真空室中熱蒸氣沈積施加，並顯示於表C中。電洞阻擋層(HBL)由ETM組成。電子傳輸層(ETL)由兩種材料ETM和LiQ組成，其等藉由共蒸發以各50%的體積比例彼此混合。通過鋁層的熱蒸發形成厚度為100nm的陰極。
OLED係以標準方法示性。為此目的，記錄電致發光光譜，以假設Lambert發光特性之發光密度為函數的電流效率(以cd/A測量)和外部量子效率(EQE，以百分比測量)係從電流/電壓/發光密度特徵線(IUL特徵線)計算。電致發光光譜係在1000cd/m 2 之發光密度下記錄，且由此數據計算CIE 1931 x和y色坐標。術語EQE 1000表示在 1000cd/m 2 之操作發光密度下的外部量子效率。
各種OLED的性質總結於表E。實施例E4、E5及E6顯示含有本發明之材料的OLED性質。
Figure 108106639-A0305-02-0109-118
表E顯示，當用作為螢光藍色主體材料時，根據本發明之材料(H4、H5、H6)的使用導致極佳的裝置數據。
Figure 108106639-A0101-11-0002-1

Claims (9)

  1. 一種式(2B)、(3B)或(4B)之化合物，
    Figure 108106639-A0305-02-0110-119
    Figure 108106639-A0305-02-0110-121
    Figure 108106639-A0305-02-0110-122
     其中下列適用於所使用的符號及標號：ArS在每次出現時相同或不同地表示具有5至60個芳族環原 子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R1取代；X 表示CR2、N；或如果其與相鄰的基團鍵結，則X表示C；或兩個相鄰的基團X表示下式(Z-1)或(Z-2)的基團：
    Figure 108106639-A0305-02-0111-124
     其中在式(Z-1)或(Z-2)中，符號V代表在式(2B)、(3B)或(4B)中的對應兩個相鄰基團X；Z表示CR2、N；或如果其與相鄰基團鍵結，則Z表示C；以及E4及E4*係選自單鍵、-B(R0)-、-C(R0)2-、-Si(R0)2-、-C(=O)-、-C(=NR0)-、-C(=C(R0)2)-、-O-、-S-、-S(=O)-、-S(O2)-、-N(R0)-、-P(R0)-以及-P((=O)R0)-，其中存在於相同環中的基團E4及E4*的至少一個為非單鍵；R0、R1、R2在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2、S(=O)Ar、S(=O)2Ar、NO2、Si(R)3、B(OR)2、OSO2R、ArL、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基 團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2、Ge(R)2、Sn(R)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換，具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、或具有5至40個芳族環原子的芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中兩個基團R0、兩個基團R1及/或兩個基團R2可彼此形成環系統，其可經一或多個基團R取代；RL 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2、S(=O)Ar、S(=O)2Ar、NO2、Si(R)3、B(OR)2、OSO2R、ArL、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2、Ge(R)2、Sn(R)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換，具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代、或具有5至40個芳族環原子的芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中兩個基團RL可彼此形成環系統，其 可經一或多個基團R取代；或RL表示式(A)基團，
    Figure 108106639-A0305-02-0113-123
     其中該虛線鍵代表與在式(2B)、(3B)或(4B)中的基團ArS或蒽基的鍵結且其中在該鍵結位置X為C；R 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2、S(=O)Ar、S(=O)2Ar、NO2、Si(R')3、B(OR')2、OSO2R'、ArL、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R'取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經R'C=CR'、C≡C、Si(R')2、Ge(R')2、Sn(R')2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R')、SO、SO2、O、S或CONR'置換且其中一個或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換，具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R'取代、或具有5至40個芳族環原子的芳氧基，其可經一或多個基團R'取代，其中兩個基團R可彼此形成環系統，其可經一或多個基團R'取代； ArL 表示式(ArL-1)之基團
    Figure 108106639-A0305-02-0114-125
     其中在式(ArL-1)中的虛線鍵代表與式(2B)、(3B)或(4B)之結構的鍵結，其中Ar2、Ar3在每次出現時相同或不同地表示具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代；且w為選自1至10的整數；Ar係具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R'取代；R' 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2基團可經SO、SO2、O、S置換，且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換，或具有5至24個C原子之芳族或雜芳族環系統；n、q、p 係相同或不同地選自0至5的整數；以及r、s 係相同或不同地等於0或1；限制條件為r+s
    Figure 108106639-A0305-02-0114-213
    1。
  2. 根據申請專利範圍第1項之化合物，其中n及q係相同或不同地等於0或1且p等於1。
  3. 根據申請專利範圍第1項或第2項之化合物，其中該基團ArS在每次出現時相同或不同地表示苯基、聯苯基、茀、螺聯茀、萘、菲、蒽、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡
    Figure 108106639-A0305-02-0115-214
    、嗒
    Figure 108106639-A0305-02-0115-215
    、三
    Figure 108106639-A0305-02-0115-216
    、苯并吡啶、苯并嗒
    Figure 108106639-A0305-02-0115-217
    、苯并嘧啶以及喹
    Figure 108106639-A0305-02-0115-218
    啉，其各自可經一或多個基團R1取代。
  4. 根據申請專利範圍第1項或第2項之化合物，其中該基團RL在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、N(Ar)2，具有1至20個C原子之直鏈烷基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個基團R取代，或具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可在各情況下可經一個或多個基團R取代，或RL表示式(A)之基團，
    Figure 108106639-A0305-02-0115-126
     其中虛線鍵表示與式(2B)、(3B)或(4B)中蒽基的鍵結，其中該等符號X、E1、E1*、E2、E2*、E3及E3*具有如申請專利範圍第1項之相同意義，且其中在該鍵結位置X為 C。
  5. 根據申請專利範圍第1項或第2項之化合物，其中該基團RL係選自苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、茀、萘、菲、聯伸三苯、丙二烯合茀、稠四苯、
    Figure 108106639-A0305-02-0116-219
    、苯并蒽、苯并菲、芘或苝的芳族環系統，其各自可在任何自由位置經一個或多個基團R取代；或基團RL係式(B)化合物，
    Figure 108106639-A0305-02-0116-127
     其中虛線鍵代表與式(2B)、(3B)或(4B)中蒽基的鍵結，其中該等符號X及R0具有如申請專利範圍第1項之相同意義，其中在該鍵結位置X為C，且其中E3及E3*係選自單鍵及-O-，限制條件為基團E3及E3*中之一者為單鍵且另一者為-O-。
  6. 根據申請專利範圍第1項或第2項之化合物，其中該化合物包含至少一個取代基R、R0、R1、R2或RL，其代表基團ArL，其中R、R0、R1、R2、RL以及ArL具有如申請專利範圍第1項中之相同意義。
  7. 一種調合物，其包含至少一種根據申請專利範圍第1項至第6項中任一項之化合物及至少一種溶劑。
  8. 一種電子裝置，其包含至少一種根據申請專利範圍第1項至第6項中任一項之化合物，該電子裝置選自下列所組成之群組：有機電致發光裝置、有機積體電路、有機太陽能電池、染料敏化之有機太陽能電池、有機光學偵測器、有機感光器、有機場淬滅裝置、發光電化學電池、有機雷射二極體及有機電漿子發射裝置。
  9. 根據申請專利範圍第8項之電子裝置，其為有機電致發光裝置，其中根據申請專利範圍第1項至第6項中任一項之化合物係用作為發光層中之螢光發光體的基質材料。
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