TW202030192A - 有機電致發光裝置用材料 - Google Patents

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Abstract

本發明關於式(1)化合物，其適用於電子裝置，特別是有機電致發光裝置，關於製備式(1)化合物之方法，關於製造式(1)化合物之中間化合物，以及包含式(1)化合物的電子裝置。

Description

有機電致發光裝置用材料
本發明關於一種式(1)化合物、該化合物在電子裝置之用途、及包含式(1)化合物之電子裝置。本發明此外關於一種製備式(1)化合物之方法，關於用於製備式(1)化合物之中間物，及關於一種包含一或多種式(1)化合物之調配物。
供用於電子裝置的功能化合物之開發為目前密集研究的主題。特別地，目的為開發用其可達成改良電子裝置在一或多個相關點之性質(諸如，例如，裝置的功率效率和壽命以及發射光的色坐標)之化合物。 根據本發明，術語電子裝置尤其意指有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學偵測器、有機感光器(organic photoreceptor)、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-雷射)以及有機電致發光裝置(OLED)。 特別感興趣的是提供用於最後提到的所謂OLED之電子裝置的化合物。OLED的一般結構以及功能原理為熟習該項技術者已知且已描述於例如US 4539507中。 仍然需要關於OLED之性能數據的進一步改良，特別是鑑於廣泛商業用途，例如，在顯示裝置或作為光源的用途。就此而論，特別重要的是OLED的壽命、效率和操作電壓以及所達成的色值。特別地，在發藍光的OLED情況下，關於裝置的效率、壽命和操作電壓之改良是有可能的。 達到該等改良之一重要起點為電子裝置中所使用之發光體化合物以及用於發光體的基質材料(也稱為主體化合物)的選擇。 先前技術中已知用於螢光發光體的基質材料為多樣性化合物。從先前技術中已知包含至少一個蒽基和至少一個二苯并呋喃或二苯并噻吩基團之化合物(例如WO 2010/151006，US 2014/0027741和US 2010/0032658)。 然而，仍然需要其他螢光發光體以及其他用於螢光發光體的基質材料，其可用於OLED中並且導致在壽命、顏色發射和效率方面具有非常良好性質的OLED。更特別地，需要用於螢光發光體的基質材料，其具有非常高的效率、非常好的使用壽命和非常好的熱穩定性。 此外，已知的是，OLED可包含不同的層，其可在真空室中藉由氣相沈積施加或藉由從溶液加工。以氣相沈積為基礎之方法導致良好的結果，但該等方法複雜且昂貴。因此，需要可從溶液容易且可靠地加工的OLED材料。在此情況下，該等材料應在包含彼等的溶液中具有良好的溶解度。 此外仍然需要導致容易純化和容易加工之穩定的OLED材料之方法。需要藉由以可接受的純度和高產率提供OLED材料而在經濟和品質上令人感興趣之方法。
本發明因此係基於提供化合物之技術目的，該化合物適合使用於電子裝置(諸如，OLED)，更特別地作為用於螢光發光體之基質材料或螢光發光體，其係適合於真空加工及/或適合於溶液加工。本發明亦基於提供用於製造OLED材料之方法和中間化合物的技術目的。 在對使用於電子裝置之新穎化合物的研究中，現已發現如下定義之式(1)化合物非常適合使用於電子裝置。特別地，彼等達成上述技術目的中之一或多者，較佳為全部。 本發明因此關於一種式(1)化合物，
Figure 02_image003
其中下列適用於所使用的符號及標號： Ar1 在每次出現時相同或不同地為具有10至18個芳族環原子之縮合芳基或雜芳基，其可經一或多個基團R取代； Ar2 在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代； ArS 在每次出現時相同或不同地為具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代； E1 、E2 在每次出現時係相同或不同地選自-BR0 -、 -C(R0 )2 -、-Si(R0 )2 -、-C(=O)-、-O-、-S-、-S(=O)-、-SO2 -、 -N(R0 )-和-P(R0 )-； R1 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R，具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換；具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代；或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中二個取代基R1 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代； R2 、R3 在每次出現時相同或不同地表示 H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R； 具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換； 具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代； 具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代；或 表示下式之基團：
Figure 02_image005
其中虛線鍵表示連接至式(1)結構之鍵； 及其中一個取代基R2 和一個相鄰的取代基R1 及/或二個取代基R3 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代； m    在每次出現時相同或不同地表示選自0、1、2、3或4之整數； n    在每次出現時相同或不同地表示選自0、1、2、3或4之整數； R    在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R´)3 、B(OR´)2 、OSO2 R´，具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R´取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經R´C=CR´、C≡C、Si(R´)2 、Ge(R´)2 、Sn(R´)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R´)、SO、SO2 、O、S或CONR´置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換；具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代；或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R´取代，其中二個取代基R可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R´取代； Ar   為具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代； R´   在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CN，具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經SO、SO2 、O、S置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換，或具有5至24個C原子之芳族或雜芳族環系統。 相鄰的取代基就本發明之意義而言為鍵結至彼此直接連接的原子或鍵結至相同原子的取代基。 此外，下列化學基團的定義適用於本申請案之目的： 芳基就本發明之意義而言含有6至60個芳族環原子，較佳地6至40個芳族環原子，更佳地6至20個芳族環原子；雜芳基就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，較佳地5至40個芳族環原子，更佳地5至20個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。雜原子較佳係選自N、O及S。此表示基本定義。若在本發明之說明中指示其他較佳選擇，例如有關所存在之芳族環原子或雜原子的數目，則這些適用。 芳基或雜芳基在此意指簡單芳族環，即苯，或簡單雜芳族環，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或縮合(稠合(annellated))芳族或雜芳族多環，例如萘、菲、喹啉或咔唑。縮合(稠合)芳族或雜芳族多環就本申請案的意義而言由彼此縮合之二或多個簡單芳族或雜芳族環組成。 在各情況下可經上述基團取代且可經由任何所要位置連接至芳族或雜芳族環系統之芳基或雜芳基特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、
Figure 108138824-A0304-12-0000-3
(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并蒽、苯并菲、稠四苯、稠五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、吡𠯤、啡𠯤、㖠啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、蝶啶、吲
Figure 108138824-A0101-12-0029-1
及苯并噻二唑。 根據本發明之定義的芳氧基意指經由氧原子鍵結的如上述所定義之芳基。類似定義適用於雜芳氧基。 芳族環系統就本發明之意義而言在環系統中含有6至60個C原子，較佳地6至40個C原子，更佳地6至20個C原子。雜芳族環系統就本發明之意義而言含有5至60個芳族環原子，較佳地5至40個芳族環原子，更佳地5至20個芳族環原子，其中至少一個為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統就本發明之意義而言意指不一定只含有芳基或雜芳基，而是其中另外多個芳基或雜芳基可以非芳族單元(較佳為少於10%之非H的原子)(諸如，例如sp3 -混成之C、Si、N或O原子、sp2 -混成之C或N原子或sp-混成之C原子)連接的系統。因此，例如系統諸如9,9’-螺聯茀、9,9’-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯、等等亦意欲為就本發明之意義而言的芳族環系統，如為其中二或多個芳基例如以直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或以矽基連接之系統。此外，其中二或多個芳基或雜芳基係經由單鍵彼此連接之系統亦為就本發明之意義而言的芳族或雜芳族環系統，諸如，例如系統諸如聯苯、聯三苯或二苯基三𠯤。 在各情況下亦可經如上述所定義之基團取代且可經由任何所欲位置連接至芳族或雜芳族基團之具有5-60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統特別意指衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、
Figure 108138824-A0304-12-0000-3
(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、聯伸二苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、伸聯三苯(terphenylene)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡𠯤、啡𠯤、啡㗁𠯤、啡噻𠯤、熒紅環(fluorubin)、㖠啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、喋啶、吲
Figure 108138824-A0101-12-0029-1
和苯并噻二唑、或這些基團的組合。 就本發明的目的而言，具有1至40個C原子之直鏈烷基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基或具有2至40個C原子之烯基或炔基，其中，此外，個別H原子或CH2 基團可經在上述該等基團定義下之基團取代，較佳意指基團甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具有1至40個C原子之烷氧基或烷硫基較佳意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。 就本申請案之目的而言，二或多個基團彼此可形成環之規劃特別意指：二個基團彼此以一化學鍵連接。此以下列圖解說明：
Figure 02_image007
Figure 02_image009
然而，此外，上述規劃也意指：在其中二基團之一表示氫的情況中，第二基團鍵結於氫原子所鍵結之位置，且形成環。此以下列圖解說明：
Figure 02_image011
根據一較佳實施態樣，式(1)化合物係選自式(2)或(3)之化合物，
Figure 02_image013
其中 R2 、R3 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R，具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換；具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代；或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中一個取代基R2 和一個相鄰的取代基R1 及/或二個取代基R3 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代；及 其中符號R1 、E1 、E2 、Ar1 、Ar2 和ArS 及標號m和n具有與上述相同的意義。 較佳地，基團Ar1 在每次出現時相同或不同地為具有10至18個芳族環原子之縮合芳基。更佳地，基團Ar1 係選自由由下列組成之群組：蒽、萘、菲、稠四苯、
Figure 108138824-A0304-12-0000-3
、苯并蒽、苯并菲、芘、苝、聯伸三苯、苯并芘、丙二烯合茀，彼等各自可在任何自由位置經一或多個基團R取代。非常佳地，基團Ar1 為蒽基。 適合的基團Ar1 之實施例為如下表中所表示的式(Ar1-1)至(Ar1-11)之基團：
Figure 02_image015
其中 虛線表示與式(1)中相鄰基團的鍵結；及其中式(Ar1-1)至(Ar1-11)之基團可在各自由位置經基團R取代，其具有與上述相同的意義。 在式(Ar1-1)至(Ar1-11)之基團中，(Ar1-1)之基團為較佳地。 非常適合的基團Ar1 之實施例為如下表中所表示的式(Ar1-1-1))至(Ar1-12-1)之基團：
Figure 02_image017
在式(Ar1-1-1)至(Ar1-12-1)之基團中，式(Ar1-1-1)之基團為較佳的。 根據一非常佳實施態樣，式(1)化合物選自式(2-1)或(3-1)之化合物，
Figure 02_image019
Figure 02_image021
其中 R2 、R3 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R，具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換；具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代；或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中一個取代基R2 和一個相鄰的取代基R1 及/或二個取代基R3 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代；及 其中符號R、R1 、E1 、E2 、Ar2 和ArS 及標號m和n具有與上述相同的意義。 較佳地，基團E1 和E2 在每次出現時係相同或不同地選自-C(R0 )2 -、-O-、-S-和-N(R0 )-，更佳地係選自-C(R0 )2 -、 -O-和-S-及特佳地係選自-O-和-S-。 根據一較佳實施態樣，E1 和E2 皆表示-O-。 根據另一較佳實施態樣，E1 和E2 皆表示-S-。 根據一較佳實施態樣，n在每次出現時相同或不同地表示0、1或2。 根據一特佳實施態樣，式(1)化合物係選自式(2-1-1)至(3-1-6)之化合物，
Figure 02_image023
Figure 02_image025
Figure 02_image027
Figure 02_image029
Figure 02_image031
其中 R2 、R3 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R，具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個R基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換，具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個R基團取代，或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個R基團取代，其中一個取代基R2 和一個相鄰的取代基R1 及/或二個取代基R3 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代；及 其中符號R、R1 、Ar2 和ArS 及標號m具有與上述相同的意義。 根據一特佳實施態樣，式(1)化合物係選自式(2-1-5)至(3-1-12)之化合物，
Figure 02_image033
Figure 02_image035
Figure 02_image037
Figure 02_image039
Figure 02_image041
其中 R2 、R3 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R，具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個R基團取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換和其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換；具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個R基團取代；或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個R基團取代，其中一個取代基R2 和一個相鄰的取代基R1 及/或二個取代基R3 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個R基團取代；及 其中符號R、R1 、Ar2 和ArS 具有與請求項1相同的意義。 較佳地，基團ArS 在每次出現時相同或不同地表示苯基、聯苯、茀、螺聯茀、萘、菲、蒽、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤、三𠯤、苯并吡啶、苯并嗒𠯤、苯并嘧啶和喹唑啉，彼等各自可經一或多個基團R取代。 適合的基團ArS 之實施例為如下表中所示的式(ArS-1)至(ArS-26)之基團：
Figure 02_image043
Figure 02_image045
其中虛線鍵表示連接至式(1)中的相鄰基團之鍵結； 其中式(ArS-1)至(ArS-26)之基團可於任何自由位置經基團R取代，其具有與上述定義相同的意義；及 其中基團E3 在每次出現時係相同或不同地選自–BR0 -、-C(R0 )2 -、-Si(R0 )2 -、-C(=O)-、-O-、-S-、-S(=O)-、 -SO2 -、-N(R0 )-和-P(R0 )-，其中R0 如上述所定義。較佳地，基團E3 係相同或不同地選自-C(R0 )2 -、-O-、-S-和 -N(R0 )-，其中R0 如上述所定義。 在式(ArS-1)至(ArS-26)之基團中，式(ArS-1)、(ArS-2)、(ArS-3)、(ArS-11)和(ArS-12)之基團為較佳的。式(ArS-1)、(ArS-2)、(ArS-3)之基團為非常佳的。 較佳地，基團Ar2 係選自具有5至30個芳族環原子，較佳地5至25個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個R基團取代。更佳地，基團Ar2 係選自由下列所組成之群組：苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺聯茀、萘、菲、蒽、聯伸三苯、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、
Figure 108138824-A0304-12-0000-3
(chrysene)、苯并蒽、苯并菲、芘、苝、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤、三𠯤、喹啉酮、苯并吡啶、苯并嗒𠯤、苯并嘧啶、苯并咪唑和喹唑啉，彼等各自可經一或多個基團R取代。更佳地，基團Ar2 係選自由下列所組成之群組：苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、萘、菲、聯伸三苯、丙二烯合茀、稠四苯、
Figure 108138824-A0304-12-0000-3
、苯并蒽、苯并菲、芘或苝，彼等各自可於任何自由位置經一或多個基團R取代。 適合的基團Ar2之實施例為如下表中所描述的式(Ar2-1)至(Ar2-27)之基團：
Figure 02_image047
Figure 02_image049
其中虛線鍵表示連接至Ar1 的鍵，且基團R0 具有與上述相同的意義；其中式(Ar2-1)至(Ar2-27)之基團可於各自由位置經基團R取代，且具有與上述相同的意義。 在式(Ar2-1)至(Ar2-27)之基團中，式(Ar2-1)、(Ar2-2)、(Ar2-3)、(Ar2-4)、(Ar2-5)、(Ar2-8)、(Ar2-18)、(Ar2-19)之基團為較佳的。式(Ar2-1)、(Ar2-2)、(Ar2-3)、(Ar2-4)、(Ar2-5)之基團為非常佳的。 根據一較佳實施態樣，R0 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F，具有1至20個，較佳地1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至20個，較佳地3至10個C原子之支鏈或環狀烷基，彼等各自可被一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個不相鄰的CH2 基團可經O或S置換且其中一或多個H原子可經D或F置換；或具有5至40個，較佳地5至30個，更佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下均可經一或多個基團R取代，其中二個相鄰的基團R0 可一起形成脂族或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代。 較佳地，R1 、R2 和R3 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、CN、N(Ar)2 ，具有1至40個，較佳地1至20個，更佳地1至10個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個，較佳地3至20個，更佳地3至10個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個不相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、O或S置換且一或多個H原子可經D或F置換，或具有5至60個，較佳地5至40個，更佳地5至30個，特佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代，其中二個基團R1 及/或一個基團R1 和一個基團R2 及/或二個基團R3 可一起形成脂族或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代。更佳地，R1 、R2 、和R3 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F，具有1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個H原子可經D或F置換；或具有5至30個，較佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代，其中二個基團R1 及/或一個基團R1 和一個基團R2 及/或二個基團R3 可一起形成脂族或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代。特佳地，R1 、R2 和R3 表示H。 較佳地，R在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、CN、N(Ar)2 ，具有1至40個，較佳地1至20個，更佳地具有1至10個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個，較佳地3至20個，更佳地3至10個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R′取代，其中在各情況下一或多個不相鄰的CH2 基團可經R´C=CR´、C≡C、O或S置換且一或多個H原子可經D或F置換；或具有5至60個，較佳地5至40個，更佳地5至30個，特佳地6至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R′取代。 較佳地，R´ 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CN，具有1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基，其中在各情況下一或多個H原子可經D或F置換；或具有5至18個C原子之芳族或雜芳族環系統。 下列化合物為式(1)化合物的實施例：
Figure 02_image051
Figure 02_image053
Figure 02_image055
Figure 02_image057
Figure 02_image059
Figure 02_image061
Figure 02_image063
Figure 02_image065
Figure 02_image067
Figure 02_image069
Figure 02_image071
Figure 02_image073
根據本發明之化合物可藉由熟習該項技術者已知的合成步驟製備，諸如，例如溴化、Suzuki偶合、Ullmann偶合、Hartwig-Buchwald偶合、等等。 在下述實驗部分中詳述式(1)化合物之適當合成方法的實施例。 本發明關於合成式(1)化合物之方法，其包含下列合成路徑a1)、a2)、a3)或a4)中之一者： 路徑a1)：
Figure 02_image075
路徑a2)：
Figure 02_image077
路徑a3)
Figure 02_image079
路徑a4)：
Figure 02_image081
其中符號R1 、R2 、R3 、Ar1 、Ar2 、ArS 、E1 、E2 及標號m和n 具有與上述相同的意義，和其中： X1 為選自鹵素(例如I、Br、Cl和F)以及三氟甲磺酸酯的脫離基； X2 為選自硼酸和硼酸酯的脫離基，例如硼酸三亞甲基二醇酯、硼酸乙二醇酯、硼酸頻哪醇酯、二異丙氧基甲基硼烷、三異丙氧基甲基硼烷、硼酸新戊酯及其衍生物； X3 為選自矽基的脫離基，例如三甲矽基(TMS)、三乙基矽基(TES)、三級丁基二甲矽基(TBDMS)、三異丙矽基(TIPS)、三級丁基二苯矽基(TBDPS)、異丙基二甲矽基(IPDMS)、二乙基異丙矽基(DEIPS)、三異丙矽基(TPS)或二苯甲基甲矽基(DPMS)。 路徑a1)、路徑a2)和路徑a3)的替代方案為如下之路徑b1)、路徑b2)和路徑b3)： 路徑b1)：
Figure 02_image083
路徑b2)：
Figure 02_image085
路徑b3)：
Figure 02_image087
其中路徑b1)、路徑b2)和路徑b3)中之符號和標號具有與上述相同的意義。 本發明因此也關於式(Int-1)、(Int-2)、(Int-3)、(Int-4)和(Int-5)之中間物，彼等係用於合成式(1)化合物之適合的中間物。
Figure 02_image089
Figure 02_image091
其中符號R1 、R2 、R3 、E1 、E2 、X1 、X2 、X3 及標號m和n具有與上述相同的意義。 上述化合物，尤其是經反應性脫離基(諸如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯)取代之化合物，可發現作為製造對應寡聚物、樹枝狀聚合物或聚合物之單體的用途。適當反應性脫離基為，例如溴、碘、氯、硼酸、硼酸酯、胺、具有終端C-C雙鍵或C-C參鍵之烯基或炔基、環氧乙烷、環氧丙烷、進入環加成(例如1,3-偶極環加成)之基團(例如二烯或疊氮化物)、羧酸衍生物、醇和矽烷。 本發明因此另外提供含有一或多種式(I)化合物的寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其中接至聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於式中經R、R1 、R2 或R3 取代之任何所欲位置處。根據化合物的鍵聯，該化合物為寡聚物或聚合物之側鏈的部分或主鏈的部分。寡聚物在本發明的情況下係理解為意指由至少三個單體單元形成之化合物。聚合物在本發明的情況下係理解為意指由至少十個單體單元形成之化合物。本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物可為共軛、部分共軛或非共軛。本發明之寡聚物或聚合物可為線性、分支或樹枝狀。在具有線性鍵聯之結構中，上式之單元可彼此直接連接，或彼等可經由二價基團(例如經由經取代或未經取代之伸烷基、經由雜原子或經由二價芳族或雜芳族基)彼此連接。在分支及樹枝狀結構中，例如三或多個上式之單元可能經由三價或更高價基團(例如經由三價或更高價芳族或雜芳族基)連接，以產生分支或樹枝狀寡聚物或聚合物。 關於寡聚物、樹枝狀聚合物及聚合物中的上式之重複單元，適用與如上所述關於上式化合物相同的較佳選擇。 為了製備寡聚物或聚合物，將本發明之單體進行均聚合或與其他單體進行共聚合。適當且較佳的共聚單體係選自茀、螺聯茀、對伸苯基、咔唑、噻吩、二氫菲、順-和反-茚并茀、酮、菲、蒽、芳基胺或複數個此等單元。聚合物、寡聚物及樹枝狀聚合物通常又含有其他單元，例如發光(螢光或磷光)單元，例如乙烯基三芳基胺或磷光金屬錯合物、及/或電荷傳輸單元，尤其是彼等以三芳基胺為主者。 本發明之聚合物和寡聚物通常係藉由一或多種單體類型之聚合而製得，其中至少一種單體導致聚合物中的上式之重複單元。適當的聚合反應為熟習此項技術者已知且描述於文獻中。導致C-C或C-N鍵之形成的特別適當且較佳之聚合反應為Suzuki聚合、Yamamoto聚合、Stille聚合及Hartwig-Buchwald聚合。 為了從液相加工根據本發明之化合物(例如藉由旋轉塗布或藉由印刷方法)，需要根據本發明之化合物的調配物。此等調配物可為例如溶液、分散液或乳液。為此目的，較佳可為使用二或多種溶劑之混合物。溶劑較佳地選自有機和無機溶劑，更佳地為有機溶劑。溶劑非常佳地選自烴、醇、酯、醚、酮和胺。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(特別是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、1-乙基萘、癸基苯、苯基萘、異戊酸薄荷酯、對甲苯基異丁酸酯、環己酸己酸酯、對甲苯甲酸乙酯、鄰甲苯甲酸乙酯、間甲苯甲酸乙酯、十氫萘、2-甲氧基苯甲酸乙酯、二丁基苯胺、二環己基酮、異山梨醇二甲基醚、十氫萘、2-甲基聯苯、辛酸乙酯、辛酸辛酯、癸二酸二乙酯、3,3-二甲基聯苯、1,4-二甲基萘、2,2´-二甲基聯苯、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苯甲基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或此等溶劑之混合物。 本發明因此另外關於一種調配物，其包含根據本發明之化合物及至少一種其他化合物。其他化合物可為(例如)溶劑，特別是上述溶劑中之一者或這些溶劑的混合物。然而，其他化合物亦可為同樣使用於電子裝置之至少一種其他有機或無機化合物，例如發光化合物，特別是螢光摻雜劑，及/或其他基質材料。適當發光化合物和其他基質材料係指示於下述有關有機電致發光裝置者。此其他化合物亦可為聚合的。 根據本發明之化合物和混合物係適合用於電子裝置。電子裝置在本文中意指一種包含至少一層的裝置，該層包含至少一種有機化合物。然而，組件在本文中亦可包含無機材料或完全由無機材料構成的層。 本發明因此另外關於根據本發明之化合物或混合物於電子裝置之用途，特別是於有機電致發光裝置之用途。 本發明此外又關於一種電子裝置，其包括至少一種上述根據本發明之化合物或混合物。上述關於化合物的較佳陳述也適用於電子裝置。 電子裝置較佳係選自由下列組成的群組：有機電致發光裝置(OLEDs、PLEDs)、有機積體電路(O-ICs)、有機場效電晶體(O-FETs)、有機薄膜電晶體(O-TFTs)、有機發光電晶體(O-LETs)、有機太陽能電池(O-SCs)、有機染料敏化太陽能電池、有機光學偵測器、有機光感受器、有機場淬滅裝置(O-FQDs)、發光電化學電池(LECs)、有機雷射二極體(O-lasers)和“有機電漿子發射裝置“(D. M. Kolleret al., Nature Photonics 2008 ，1-4)，較佳為有機電致發光裝置(OLEDs、PLEDs)，特別是磷光OLED。 有機電致發光裝置包含陽極、陰極及至少一個發光層。除了此等層以外，有機電致發光裝置亦可包含其它層，例如在各情況下一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、及/或電荷產生層。同樣可能在二個發光層之間引入具有例如激子阻擋功能之中間層。然而，應指出的是此等層各者不一定必須存在。有機電致發光裝置在此可包含一個發光層或多個發光層。若存在多個發光層，則此等較佳地具有總計在380奈米與750奈米之間的多個發光最大值，整體導致白色發光，亦即將能夠發螢光或磷光的各種發光化合物係使用於發光層中。特佳者為具有三個發光層之系統，其中該三層呈現藍色、綠色及橙色或紅色發光(基本結構參見例如WO 2005/011013)。此等可為螢光或磷光發光層或其中螢光和磷光發光層彼此合併的混合系統。 根據上示實施態樣的根據本發明之化合物可取決於精確的結構和取代而使用於各種層中。較佳者為包含式(1)或根據較佳實施態樣之化合物的有機電致發光裝置，該化合物作為螢光發光體或顯示TADF(熱活化延遲螢光)的發光體、磷光發光體的基質材料。特佳的是有機電致發光裝置，其包含式(1)或根據較佳實施態樣之化合物，該化合物作為用於螢光發光體，更特別是用於發藍光的螢光發光體之基質材料。 式(1)化合物也可使用於電子傳輸層及/或電子阻擋或激子阻擋層及/或電洞傳輸層中，取決於精確取代。上示較佳實施態樣亦適用於這些材料在有機電子裝置中之使用。 根據本發明之化合物特別適合用作為螢光發光化合物之基質材料。 基質材料在此意指存在於發光層中的材料，較佳作為主要成分，且其在裝置操作時不發光。 發光化合物在發光層的混合物中之比例係介於0.1和50.0%之間，較佳介於0.5和20.0%之間，特佳介於1.0和10.0%之間。對應地，一或多種基質材料之比例係介於50.0和99.9%之間，較佳介於80.0和99.5%之間，特佳介於90.0和99.0%之間。 就本申請案之目的而言，以%表示的比例的規格，若化合物是從氣相施加，則意指體積%，及若化合物是從溶液中施加，則意指重量%。 若根據本發明之化合物係用作為發光層中之螢光發光化合物的基質材料，則其可與一或多種其他螢光發光化合物組合使用。 較佳螢光發光體係選自芳基胺之類別。芳基胺就本發明的意義而言意指含有三個直接鍵結至氮的經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統的化合物。此等芳族或雜芳族環系統中之至少一者較佳為縮合環系統，特佳具有至少14個芳族環原子。其較佳實施例為芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族
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胺或芳族
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二胺。芳族蒽胺意指其中一個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9位置)之化合物。芳族蒽二胺意指其中二個二芳胺基直接鍵結至蒽基(較佳在9,10-位置)之化合物。芳族芘胺、芘二胺、
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胺及
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二胺係與其類似地定義，其中二芳胺基較佳地在1-位置或1,6-位置上與芘鍵結。其他較佳發光體為茚并茀胺或茚并茀二胺(例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630)、苯并茚并茀胺或苯并茚并茀二胺(例如根據WO 2008/006449)、及二苯并茚并茀胺或二苯并茚并茀二胺(例如根據WO 2007/140847)、及WO 2010/012328中揭示之含有縮合芳基之茚并茀衍生物。又其他較佳發光體為如WO 2015/158409中揭示之苯并蒽衍生物、如WO 2017/036573中揭示之蒽衍生物、如WO 2016/150544之茀二聚物或如WO 2017/028940和WO 2017/028941中揭示之啡㗁𠯤衍生物。較佳者同樣為WO 2012/048780及WO 2013/185871中揭示之芘芳基胺。較佳者同樣為WO 2014/037077中揭示之苯并茚并茀胺、WO 2014/106522中揭示之苯并茀胺和WO 2014/111269 或WO 2017/036574中揭示之茚并茀。 除了根據本發明之化合物之外，可與本發明化合物組合使用於發光層或其可使用於相同裝置的另一發光層中之較佳螢光發光化合物的實施例係描述於下表中：
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有關的電子裝置可包含根據本發明之化合物的單一發光層，或其可包含二或更多個發光層。其他發光層在此可包含一或多種根據本發明之化合物或替代地其他化合物。 若根據本發明之化合物係用作為發光層中的螢光發光化合物之基質材料，則可與一或多種其他基質材料組合使用。 與式(1)化合物或其較佳實施態樣使用之較佳基質材料係選自下列之類別：寡聚伸芳基(oligoarylene)(例如根據EP 676461之2,2’,7,7’-四苯基螺聯茀或二萘基蒽)，特別是含有縮合芳族基團之寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基(oligoarylenevinylene)(例如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi)、多牙(polypodal)金屬錯合物(例如根據WO 2004/081017)、電洞傳導化合物(例如根據WO 2004/058911)、電子傳導化合物，特別是酮、膦氧化物、亞碸、等等(例如根據WO 2005/084081和WO 2005/084082)、阻轉異構物(例如根據WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)或苯并蒽(例如根據WO 2008/145239)。特佳基質材料係選自下列之類別：包含萘、蒽、苯并蒽及/或芘或這些化合物的阻轉異構物之寡聚伸芳基、寡聚伸芳基伸乙烯基、酮、膦氧化物和亞碸。非常特佳的基質材料係選自下列之類別：包含蒽、苯并蒽、苯并菲及/或芘或這些化合物的阻轉異構物之寡聚伸芳基。寡聚伸芳基就本發明的意義而言意指一種其中至少三個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。 與式(1)化合物組合使用於發光層之特佳基質材料係描述於下表中：
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另一方面，根據本發明之化合物也可用作為螢光發光化合物。在此情況下，用作為螢光發光化合物的式(1)化合物之適當基質材料對應於其他式(1)化合物或上述較佳基質材料。 根據本發明之化合物也可用於其他層中，例如作為電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層中之電洞傳輸材料或作為發光層中的基質材料，較佳作為磷光發光體的基質材料。 若式(I)化合物係用作為電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中的電洞傳輸材料，則該化合物可以純材料(亦即100%之比例)使用於電洞傳輸層中，或其可與一或多種其他化合物組合使用。根據一較佳實施態樣，包含式(I)化合物之有機層則另外包含一或多種p-摻雜劑。根據本發明所使用的p-摻雜劑較佳為能夠氧化混合物的其他化合物中之一或多者的有機電子受體化合物。 p-摻雜劑之特佳實施態樣為WO 2011/073149、EP 1968131、EP 2276085、EP 2213662、EP 1722602、EP 2045848、DE 102007031220、US 8044390、US 8057712、WO 2009/003455、WO 2010/094378、WO 2011/120709、US 2010/0096600和WO 2012/095143中所揭示之化合物。 若式(I)化合物用作為與發光層中磷光發光體組合之基質材料，則該磷光發光體較佳係選自下示磷光發光體之類別和實施態樣。此外，在此情況下一或多種其他基質材料較佳係存在於發光層中。 此類型之所謂混合基質系統較佳地包含二或三種不同的基質材料，特佳二種不同的基質材料。在此較佳為二種材料之一者具有電洞傳輸性質之材料且其他材料具有電子傳輸性質之材料。式(I)化合物較佳為具有電洞傳輸性質之材料。 然而，混合基質組分之所要電子傳輸和電洞傳輸性質也可主要或完全地組合於單一混合基質組分，其中其他一或多種混合基質組分滿足其他功能。二種不同的基質材料在此可以1：50至1：1，較佳地1：20至1：1，特佳地1：10至1：1和非常特佳地1：4至1：1之比率存在。混合基質系統較佳係使用於磷光有機電致發光裝置中。關於混合基質系統之更多細節(尤其是)係包含於申請案WO 2010/108579中。 可與根據本發明之化合物組合用作為混合基質系統的基質組分之特別適合的基質材料係選自下示用於磷光發光體之較佳基質材料或用於螢光發光體之較佳基質材料，取決於混合基質系統中使用了何種類型的發光化合物。 用作為根據本發明之有機電致發光裝置中的對應功能材料之材料的一般較佳類別係如下所示。 適當磷光發光體特別為在適當激發時發光(較佳在可見光區域內)且另外含有至少一種具有原子序大於20，較佳為大於38且少於84，特佳為大於56且少於80的原子之化合物。所使用之磷光發光體較佳為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，特別是含有銥、鉑或銅的化合物。 就本發明之目的而言，所有的發光銥、鉑或銅錯合物被視為磷光化合物。 上述磷光發光體的實施例係由申請案WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373和US 2005/0258742揭示。通常，根據先前技術用於磷光OLED且為熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物皆適合使用於根據本發明的裝置中。熟習該項技術者也將能夠在無進步性(inventive step)下將其他磷光錯合物與根據本發明之化合物組合使用於OLED中。 用於磷光發光體之較佳基質材料為芳族酮、芳族氧化膦或芳族亞碸或碸(例如根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如CBP，N,N-雙咔唑基聯苯)或WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中所揭示的咔唑衍生物)、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚并咔唑衍生物(例如WO 2010/136109、WO 2011/000455或WO 2013/041176)、氮雜咔唑衍生物(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/111172)、氮硼雜唑(azaborole)或硼酸酯(例如根據WO 2006/117052)、三𠯤衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)和四氮雜矽雜唑衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮磷雜唑(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)、橋聯咔唑衍生物(例如根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080)、聯伸三苯衍生物(例如根據WO 2012/048781)、或是內醯胺(例如根據WO 2011/116865或WO 2011/137951)。 除了根據本發明之化合物外，適當電荷傳輸材料如可用於根據本發明之電子裝置的電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層或電子傳輸層中，為(例如)Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010中所揭示之化合物或根據先前技術使用於此等層中之其他材料。 可使用於電子傳輸層之材料為根據先前技術用作為電子傳輸層中之電子傳輸材料的所有材料。特別適合的是鋁錯合物(例如，Alq3 )、鋯錯合物(例如，Zrq4 )、鋰錯合物(例如，LiQ)、苯并咪唑衍生物、三𠯤衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡𠯤衍生物、喹㗁啉衍生物、喹啉衍生物、㗁二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮磷雜唑(diazaphosphole)衍生物及膦氧化物衍生物。此外，適當材料為上述化合物之衍生物，如JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975及WO 2010/072300中所揭示。 可用於根據本發明之電致發光裝置中的電洞傳輸、電洞注入或電子阻擋層中之較佳電洞傳輸材料為茚并茀胺衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、EP 1661888中所揭示之胺衍生物、六氮雜聯伸三苯衍生物(例如根據WO 01/049806)、含有縮合芳族環之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、WO 95/09147中所揭示之胺衍生物、單苯并茚并茀胺(例如根據WO 08/006449)、二苯并茚并茀胺(例如根據WO 07/140847)、螺聯茀胺(例如根據WO 2012/034627或WO 2013/120577)、茀胺(例如根據申請案EP 2875092、EP 2875699和EP 2875004)、螺二苯并哌喃胺(例如根據WO 2013/083216)及二氫吖啶衍生物(例如根據WO 2012/150001)。根據本發明之化合物亦可用作為電洞傳輸材料。 有機電致發光裝置之陰極較佳包含具有低功函數之金屬、金屬合金或包含各種金屬(諸如，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等)之多層結構。亦適合的是包含鹼金屬或鹼土金屬和銀之合金，例如包含鎂和銀之合金。在多層結構之情況中，除該等金屬外，也可使用具有較高功函數之其他金屬，諸如，例如Ag或Al，在該情況中通常使用金屬之組合，諸如，例如Ca/Ag、Mg/Ag或Ag/Ag。較佳亦為於金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。適合於此目的者為(例如)鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2 O、BaF2 、MgO、NaF、CsF、Cs2 CO3 、等等)亦適合。此外，為此目的亦可使用喹啉合鋰(lithium quinolinate)(LiQ)。此層之層厚度較佳係介於0.5和5 nm之間。 陽極較佳包含具有高功函數之材料。陽極較佳具有相對於真空為大於4.5 eV之功函數。適合此目的者一方面為具有高氧化還原電位之金屬，諸如(例如)Ag、Pt或Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )亦可為較佳的。就一些應用而言，至少一個電極必須為透明或部分透明，以便促進有機材料之照射(有機太陽能電池)或光之耦合輸出(OLED、O-雷射)。較佳陽極材料在此為導電性混合金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外較佳者為導電性摻雜型有機材料，特別為導電性摻雜型聚合物。 裝置適當地(視應用而定)結構化，配備接點且最後密封，因為根據本發明之裝置的壽命在水及/或空氣存在下被縮短。 在一較佳實施態樣中，根據本發明之有機電致發光裝置特徵在於利用昇華方法塗布一或多層，其中該等材料係於真空昇華單元中在低於10-5 毫巴，較佳低於10-6 毫巴之初壓力下藉由氣相沈積施加。然而，初壓力在此也可能甚至更低，例如低於10-7 毫巴。 同樣較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於利用OVPD(有機氣相沈積)方法或輔以載體-氣體昇華法塗布一或多層，其中該等材料係在介於10-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機氣相噴墨印刷)方法，其中該等材料係經由噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301)。 此外較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於諸如(例如)以旋轉塗布或利用任何所欲印刷方法(諸如，例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但更佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷)從溶液製造一或多層。為此目的需要可溶性式(1)化合物。高溶解度可透過該等化合物之適當取代而達成。 亦可能者為混合方法，其中，例如，一或多層係從溶液施加且一或多個其他層係藉由氣相沈積施加。因此，例如，可能從溶液施加發光層且可能藉由氣相沈積施加電子傳輸層。 此等方法通常為熟習此項技術者已知且熟習此項技術者可在無進步性(inventive step)下將該等方法應用於包含本發明化合物之有機電致發光裝置。 根據本發明，包含一或多種根據本發明之化合物的電子裝置可使用於顯示器中、作為照明應用中之光源及作為醫學及/或美容應用(例如光療法)中之光源。 現在將藉由下列實施例更詳細地說明本發明，而不希望因此限制本發明。
A) 合成實施例 A-1) 第1部分
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BB-2的合成
Figure 02_image117
在氬氛圍下，將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒，添加1-((三氟甲基)磺醯基)二苯并[b,d]呋喃(20.0 g，63.2 mmol，1.0當量)，苯并呋喃-3-基硼酸(11.3 g，69.6 mmol，1.1當量)、磷酸鉀(33.6 g，158.1 mmol，2.5當量)、乙酸鈀(0.3 g，1.3 mmol，0.02當量)和XPhos(1.2 g，2.5 mmol，0.04當量)。添加THF(400 mL)和水(100 mL)，並將反應物回流過夜。藉由管柱層析法純化粗製產物。分離所需產物，為無色油(15.0g，52.8 mmol，83.3%)。 BB-3的合成
Figure 02_image119
將烘箱乾燥之燒瓶配備在DCM(150 mL)中的BB-2(15.0 g，52.7 mmol，1.0當量)。添加N-溴丁二醯亞胺(9.4g，52.7 mmol，1.0當量)，並將所得混合物在室溫攪拌過夜。藉由在AlOx上過濾來純化粗製產物。分離所需產物，為無色油(16.2 g，44.3 mmol，84.1%)。 BB-4的合成
Figure 02_image121
在氬氛圍下，將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒，添加BB-3、碘化銅(0.3 g，1.3 mmol，0.03當量)、雙(三苯基膦)氯化鈀(II)(0.6 g，0.9 mmol，0.02當量)和三甲矽基乙炔(18.9 mL，133.8 mmol，3.0當量)。添加三乙胺(500 mL)，並將反應混合物回流過夜。藉由管柱層析法純化粗製產物。分離所需產物，為白色固體(13.6g，35.7 mmol，80.1%)。 BB-5的合成
Figure 02_image123
將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒，添加BB-4(10.0g，26.3 mmol，1.0當量)、碳酸鉀(0.7g，5.3 mmol，0.2當量)。添加甲醇(100 mL)，並將反應混合物在室溫攪拌1h。在減壓下移除溶劑。將殘餘物用DCM(100 mL)溶解，並用水(2×50 mL)洗滌二次。將有機相在減壓下濃縮。獲得所需產物，為白色固體(8.1 g，26.3 mmol，100%)。 BB-6的合成
Figure 02_image125
在氬氛圍下，將烘箱乾燥之燒瓶進料BB-5(8.1 g，26.0 mmol，1.0當量)，氯化鉑(690 mg，2.6 mmol，0.1當量)。添加甲苯(500 mL)，並將反應混合物回流過夜。藉由管柱層析法純化粗製產物。分離所需產物，為白色固體(3.1g，10.0 mmol，38.7%)。 A-2) 第2部分
Figure 02_image127
BB-7的合成
Figure 02_image129
將5 g(17.4 mmol)1,8-二溴萘、7 g(43.7 mmol)[2-(甲硫基苯基)硼酸和28 g (87 mmol)碳酸銫在200 ml水和200 ml N,N-二甲基甲醯胺中混合。添加0.71 g(1.7 mmol)SPhos和1,68g(1.7 mmol)Pd2 (dba)3 ，將混合物回流17 h。冷卻至室溫後，將有機相分離並用水(3x200 ml)洗滌及用200 ml鹽水洗滌。之後將其用硫酸鎂乾燥，並在減壓下濃縮以產生灰色殘餘物，藉由從庚烷中結晶將其進一步純化。 產率：5.9g，(15.9 mmol；91%) BB-8的合成
Figure 02_image131
將60 mL乙酸加至30 g (80 mmol)BB-7並冷卻至0°C。滴加18.2 mL(160 mmol)的30% H2 O2 溶液，並將混合物攪拌16小時。添加Na2 SO3 溶液，分離有機相，並在減壓下移除溶劑。 產率：26 g (65 mmol； 80%) BB-9的合成
Figure 02_image133
將133 g(230 mmol) BB-8和200 mL三氟甲磺酸的混合物在50℃下攪拌3天。之後滴加600 g(2.9 mol)碳酸鉀在3 l水中的溶液，並在75℃攪拌5 h。添加500 mL甲苯，並將混合物在室溫攪拌過夜。分離有機相並在減壓下減少。將殘餘物藉由管柱層析法(庚烷/DCM)進一步純化。 產率：39g(117 mmol，52%) A-3) 第3部分
Figure 02_image135
BB-10的合成
Figure 02_image137
在氬氛圍下，將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒、BB-6 (10.0 g，32.4 mmol，1.0當量)。添加THF(10 mL)，並將反應混合物冷卻至-78℃。緩慢添加正-BuLi (在己烷中之2.5M，20 mL，48.7 mmol，1.5當量)。將反應混合物在-78℃下攪拌1h。添加溶於THF(20 mL)的碘(13.2g，52.0 mmol，1.5當量)。將反應混合物加溫至室溫過夜。將反應混合物用乙酸乙酯(1000 mL)稀釋。藉由添加飽和硫代硫酸鈉溶液(200 mL)淬滅過量的碘。分離有機相。在減壓下移除溶劑。藉由管柱層析法純化粗製產物。分離所需產物，為白色固體(13.5g，31.1 mmol，95.9%)。 下列化合物可以類似的方式合成：
Figure 02_image139
BB-11的合成
Figure 02_image141
在氬氛圍下，將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒、BB-10 (13.0 g，28.4 mmol，1.0當量)、(10-苯基-9-蒽基)硼酸(25.4 g，85.1 mmol，3.0當量、參(二亞芐基丙酮)二鈀(1.3 g，1.4 mmol，0.05當量)、SPhos(1.16 g，2.8 mmol，0.1當量)和氟化鉀(4.1 g，70.9 mmol，2.5當量)。添加甲苯(150 mL)，1,4-二㗁烷(150 mL)和水(150 mL)，並將混合物回流過夜。粗製產物藉由管柱層析法和昇華純化。分離所需產物，為白色固體(4.0g，7.1 mmol，25.1%)。 下列化合物可以類似的方式合成：
Figure 02_image143
Figure 02_image145
Figure 02_image147
BB-12的合成
Figure 02_image149
在氬氛圍下，將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒、BB-11(15.0 g，26.8 mmol，1.0當量)。添加THF(200 mL)，並將反應混合物冷卻至-78℃。緩慢添加正-BuLi (在己烷中之2.5M，21 mL，53.5 mmol，2.0當量)。將反應混合物在 -78℃下攪拌3h。添加溶於THF(30 mL)的碘(17.0g，66.9 mmol，2.5當量)。將反應混合物加溫至室溫過夜。將反應混合物用乙酸乙酯(1000 mL)稀釋。藉由添加飽和硫代硫酸鈉溶液(200 mL)淬滅過量的碘。分離有機相。在減壓下移除溶劑。藉由管柱層析法純化粗製產物。分離所需產物，為白色固體(15.0g，21.9 mmol，81.7%)。 下列化合物可以類似的方式合成：
Figure 02_image151
BB-13的合成
Figure 02_image153
在氬氛圍下，將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒、1-碘-BB-12(14.5 g，21.1 mmol，1.0當量)、10-苯基-9-蒽基硼酸(28.5 g，63.4 mmol，3.0當量)、氟化鉀(73.6 g，126.7 mmol，6.0當量)和(2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯)[2-(2'-胺基-1,1'-聯苯)]甲磺酸鈀(II)(1.65 g，2.11 mmol，0.1當量)。添加甲苯(300 mL)，1.4-二㗁烷(300 mL)和水(300 mL)，並將混合物回流過夜。藉由管柱層析法純化粗製產物。分離所需產物，為白色固體(6.8g，7.05 mmol，33.4%)。 下列化合物可以類似的方式合成：
Figure 02_image155
BB-14的合成
Figure 02_image157
在氬氛圍下，將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒、BB-6 (14.0 g，43.1 mmol，1.0當量)。添加THF(250 mL)，並將反應混合物冷卻至-78℃。添加正-BuLi (在己烷中之2.5M，22.4 mL，56.1 mmol，1.3當量)。將反應混合物在-78℃下攪拌1h。添加三甲矽基氯(24.8 mL，194.1 mmol，4.5當量)。將反應混合物加溫至室溫過夜。藉由管柱層析法純化粗製產物。獲得所需產物，為白色固體 (16.4g，43.1 mmol，99.9%)。 下列化合物可以類似的方式合成：
Figure 02_image159
BB-15的合成
Figure 02_image161
在氬氛圍下，將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒、BB-14 (16.3 g，42.8 mmol，1.0當量)。添加THF(200 mL)，並將反應混合物冷卻至-78℃。添加正-BuLi(2.5 M的己烷溶液，22.3 mL，55.7 mmol，1.3當量)。將反應混合物在-78℃下攪拌1h。添加三甲矽基氯(27.4 mL，214.2 mmol，5.0當量)。將反應混合物加溫至室溫過夜。藉由管柱層析法純化粗製產物。獲得所需產物，為白色固體(12.4g，27.4 mmol，63.9%)。 下列化合物可以類似的方式合成：
Figure 02_image163
BB-16的合成
Figure 02_image165
在氬氣氛下，將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒和BB-15(11.8g，26.1 mmol，1.0當量)。添加DCM(50 mL)，並將所得混合物冷卻至0℃。經由注射器添加一氯化碘(3.0 mL，57.4 mmol，2.2當量)。藉由添加飽和硫代硫酸鈉溶液(200 mL)淬滅過量的一氯化碘。將所得混合物用甲苯(300 mL)稀釋。分離有機相，並在減壓下濃縮。獲得所需產物，為白色固體(14.5g，25.9 mmol，99.3%)。 下列化合物可以類似的方式合成：
Figure 02_image167
BB-17的合成
Figure 02_image169
在氬氛圍下，將烘箱乾燥之燒瓶裝備磁攪拌棒、1,4-二碘-萘并雙苯并呋喃(10.0 g，17.9 mmol，1.0當量)、(10-苯基-9-蒽基)硼酸(29.3 g，5.5 mmol，5.5當量)、(2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯)[2-(2'-胺基-1,1'-聯苯)]甲磺酸鈀(II)(2.8 g，3.6 mmol，0.2當量)和氟化鉀(6.2 g，107.1 mmol，6.0當量)。添加甲苯(300 mL)、1.4-二㗁烷(300 mL)和水(300 mL)，並將混合物回流過夜。藉由管柱層析法純化粗製產物。分離所需產物，為白色固體(5.0g，6.2 mmol，34.5%)。 下列化合物可以類似的方式合成：
Figure 02_image171
B) OLED的製造 氣相加工之OLED裝置的製造 根據WO 04/05891進行OLED裝置的製造，膜厚度和層順序經過調整。下列實施例V1、E1、E2、E3、E4和E5顯示各種OLED裝置的數據。 實施例V1、E1至E5的基材預處理： 將具有結構化ITO(50 nm，氧化銦錫)的玻璃板塗布20 nm的PEDOT：PSS(聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸鹽)，來自德國Heraeus Precious Metals GmbH之 CLEVIOS™ P VP AI 4083，從水性溶液旋塗)以形成在其上製造有OLED裝置的基板。 OLED裝置原則上具有下列層結構： - 基板， - ITO(50 nm)， - 緩衝層(20 nm)， - 電洞傳輸層(HTL)， - 中間層(IL)， - 電子阻擋層(EBL)， - 發光層(EML)， - 電子傳輸層(ETL)， - 陰極。 陰極由厚度為100nm的鋁層形成。表A中顯示詳細的堆疊順序。表C中顯示用於製造OLED的材料。 所有材料皆藉由在真空室中進行熱氣相沈積來施加。在此，該發光層總由至少一種基質材料(主體材料=H)及發光摻雜劑(發光體=D)組成，其藉由共蒸發與一或多種基質材料以某體積比例混合。諸如H1：D1(95%：5%)詞句在此意指材料H1以95%的體積比例存在於層中，而D1以5%的體積比例存在於層中。類似地，電子傳輸層也可由二或更多種材料的混合物組成。 OLED裝置經由標準方法示性。為此目的，電致發光光譜、電流效率(以cd/A測量)、功率效率(lm/W)以及外部量子效率(EQE，在1000 cd/m²下以%測量)係以假設Lambertian發光特性從電流/電壓/亮度(luminance)特徵線(IUL特徵線)計算。以1000 cd/m²的發光密度記錄電致發光(EL)光譜，及接著從EL光譜計算CIE 1931 x和y色坐標。U1000定義為發光密度為1000 cd/m2 時的電壓。SE1000表示電流效率，LE1000在1000 cd/m2 的功率效率。EQE1000定義為發光密度為1000cd/m²時的外部量子效率。 各種OLED裝置的裝置數據係總結在表B中。實施例V1表示根據現有技術狀態(state-of-the-art)的比較例。實施例E1至E5顯示本發明OLED裝置的數據。 在以下部分中，更詳細地描述幾個實施例以顯示本發明的OLED裝置的優點。 本發明化合物作為螢光OLED中的發光材料之用途 當與藍色螢光摻雜劑(發光體)摻合以形成藍色螢光OLED裝置的發光層時，本發明的化合物尤其適合作為主體(基質)。代表性實施例為H1、H2、H3、H4和H5。以SdT表示現有技術狀態的比較化合物(結構參見表C)。當相較於現有技術狀態時，使用本發明化合物作為藍色螢光OLED裝置中之主體(基質)導致極佳的裝置數據，尤其是關於功率效率(LE1000)(比較E1至E5對V1，參見裝置數據見表B)。
Figure 02_image173
Figure 02_image175
Figure 02_image177
Figure 108138824-A0101-11-0002-1

Claims (15)

  1. 一種式(1)化合物，
    Figure 03_image179
    其中下列適用於所使用的符號及標號： Ar1 在每次出現時相同或不同地為具有10至18個芳族環原子之縮合芳基或雜芳基，其可經一或多個基團R取代； Ar2 在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代； ArS 在每次出現時相同或不同地為具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代； E1 、E2 在每次出現時係相同或不同地選自-BR0 -、 -C(R0 )2 -、-Si(R0 )2 -、-C(=O)-、-O-、-S-、-S(=O)-、-SO2 -、 -N(R0 )-和-P(R0 )-； R1 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R，具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkyl)或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換；具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代；或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中二個取代基R1 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代； R2 、R3 在每次出現時相同或不同地表示 H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R； 具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換； 具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代； 具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中一個取代基R2 ；或 表示下式之基團：
    Figure 03_image181
    其中虛線鍵表示連接至式(1)結構之鍵； 及其中一個相鄰的取代基R1 及/或二個取代基R3 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代； m    在每次出現時相同或不同地表示選自0、1、2、3或4之整數； n    在每次出現時相同或不同地表示選自0、1、2、3或4之整數； R    在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R´)3 、B(OR´)2 、OSO2 R´，具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R´取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經R´C=CR´、C≡C、Si(R´)2 、Ge(R´)2 、Sn(R´)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R´)、SO、SO2 、O、S或CONR´置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換；具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代；或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R´取代，其中二個相鄰的取代基R可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R´取代； Ar   為具有5至24個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R´取代； R´   在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CN，具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經SO、SO2 、O、S置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換，或具有5至24個C原子之芳族或雜芳族環系統。
  2. 根據請求項1項之化合物，其中其係選自式(2)或(3)之化合物，
    Figure 03_image183
    其中 R2 、R3 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R，具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換；具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代；或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中一個取代基R2 和一個相鄰的取代基R1 及/或二個取代基R3 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代；及 其中符號R1 、E1 、E2 、Ar1 、Ar2 和ArS 及標號m和n具有與請求項1中相同的意義。
  3. 根據請求項1或2之化合物，其中基團Ar1 在每次出現時係相同或不同地選自由下列所組成之群組：蒽、萘、菲、稠四苯、
    Figure 108138824-A0304-12-0000-3
    (chrysene)、苯并蒽、苯并菲、芘、苝、聯伸三苯、苯并芘、丙二烯合茀(fluoranthene)，彼等各自可於任何自由位置經一或多個基團R取代。
  4. 根據請求項1或2之化合物，其中基團Ar1 係選自式(Ar1-1)至(Ar1-11)之基團，
    Figure 03_image185
    其中 虛線鍵表示連接至式(1)中的相鄰基團之鍵結；及其中式(Ar1-1)至(Ar1-11)之基團可於任何自由位置經基團R取代，其具有與請求項1中相同的意義。
  5. 根據請求項1或2之化合物，其中其係選自式(2-1)或(3-1)之化合物，
    Figure 03_image187
    Figure 03_image189
    其中 R2 、R3 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、N(Ar)2 、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)2 、S(=O)Ar、S(=O)2 Ar、NO2 、Si(R)3 、B(OR)2 、OSO2 R，具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，彼等各自可經一或多個基團R取代，其中在各情況下一或多個非相鄰的CH2 基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)2 、Ge(R)2 、Sn(R)2 、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO2 、O、S或CONR置換且其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換；具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R取代；或具有5至60個芳族環原子之芳氧基，其可經一或多個基團R取代，其中一個取代基R2 和一個相鄰的取代基R1 及/或二個取代基R3 可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R取代；及 其中符號R、R1 、E1 、E2 、Ar2 和ArS 及標號m和n具有與上述相同的意義。
  6. 根據請求項1或2之化合物，其中基團ArS 在每次出現時相同或不同地表示苯基、聯苯、茀、螺聯茀、萘、菲、蒽、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤、三𠯤、苯并吡啶、苯并嗒𠯤、苯并嘧啶和喹唑啉，彼等各自可經一或多個基團R取代。
  7. 根據請求項1或2之化合物，其中其係選自式(2-1-1)至(3-1-6)之化合物，
    Figure 03_image191
    Figure 03_image193
    Figure 03_image195
    Figure 03_image197
    Figure 03_image199
    其中 符號R2 、R3 具有與請求項5中相同的意義，符號R、R1 、Ar2 和ArS 及標號m具有與請求項1中相同的意義。
  8. 根據請求項1或2之化合物，其中Ar2 係選自由下列所組成之群組：苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺聯茀、萘、菲、蒽、聯伸三苯、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、
    Figure 108138824-A0304-12-0000-3
    (chrysene)、苯并蒽、苯并菲、芘、苝、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤、三𠯤、喹啉酮、苯并吡啶、苯并嗒𠯤、苯并嘧啶、苯并咪唑和喹唑啉，彼等各自可經一或多個基團R取代。
  9. 根據請求項1或2之化合物，其中其係選自式(2-1-5)至(3-1-12)之化合物，
    Figure 03_image201
    Figure 03_image203
    Figure 03_image205
    Figure 03_image207
    Figure 03_image209
    其中 符號R2 、R3 具有與請求項5中相同的意義，及符號R、R1 、Ar2 和ArS 具有與請求項1中相同的意義。
  10. 一種製備定義如請求項1之式(1)化合物之方法，其中該方法包含以下合成路徑a1)、a2)、a3)或a4)中之一者： 路徑a1)：
    Figure 03_image211
    路徑a2)：
    Figure 03_image213
    路徑a3)：
    Figure 03_image215
    路徑a4)：
    Figure 03_image217
    其中符號R1 、R2 、R3 、Ar1 、Ar2 、ArS 具有與上述相同的意義，及其中： X1 為選自鹵素和三氟甲磺酸酯的脫離基； X2 為選自硼酸和硼酸酯的脫離基； X3 為選自矽基的脫離基。
  11. 一種式(Int-1)、(Int-2)、(Int-3)、(Int-4)和(Int-5)之化合物，
    Figure 03_image219
    Figure 03_image221
    其中符號R1 、R2 、R3 、E1 和E2 具有與請求項1中相同的意義及符號X1 和X3 具有與請求項10中相同的意義。
  12. 一種調配物，其包含至少一種根據請求項1至9中一或多項之化合物及至少一種溶劑。
  13. 寡聚物或樹枝狀聚合物，其含有一或多種根據請求項1至9中一或多項之化合物，其中該(等)接至該聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於式(1)中經R、R1 、R2 或R3 取代之任何位置。
  14. 一種電子裝置，其包含至少一種根據請求項1至9中一或多項之化合物或至少一種根據請求項13項之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物，且其係選自由下列所組成之群組：有機電致發光裝置、有機積體電路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、有機太陽能電池、染料敏化有機太陽能電池、有機光學偵測器、有機感光器(organic photoreceptor)、有機場猝滅裝置、發光電化學電池、有機雷射二極體及有機電漿子發射裝置。
  15. 根據請求項14之電子裝置，其為有機電致發光裝置，其中根據請求項1至9項中一或多項之化合物或根據請求項13之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物係用作為螢光發光體或作為用於螢光發光體之基質材料。
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