KR20210091762A - 유기 전계발광 디바이스용 재료 - Google Patents

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아미르 파르함
크리슈티안 아이크호프
루펜 링게
옌스 카이저
아멜 메킥
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본 발명은 전자 디바이스에 사용하기에 적합한 화학식 (1) 의 화합물 및 상기 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스에 관한 것이다. X 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, CR 또는 N이거나, 2개의 인접한 X는 하기 화학식 (2) 의 기를 나타내고, 여기서 점선 결합은 화학식 (1)에서 이러한 기의 연결을 나타내고, 단 화학식 (1) 의 화합물은 화학식 (2) 의 하나 또는 두 개의 기를 함유하고; X1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게 CR 또는 N 이고; Y 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게 CR 또는 N 이고; Z1 Z2, Z3 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, O, S, N-Ar 또는 CR2이다.
Figure pct00151

Description

유기 전계발광 디바이스용 재료
본 발명은 전자 디바이스에 사용하기 위한 재료, 및 이들 재료를 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스에 관한 것이다.
유기 전계발광 디바이스 (OLED) 에서 채용된 방출 재료는 흔히 인광 유기 금속 착물이다. 일반적으로, OLED 에서, 특히 또한 삼중항 방출을 나타내는 OLED 에서, 예를 들어 효율, 작동 전압 및 수명과 관련하여 개선이 여전히 필요하다. 인광 OLED 의 특성이 이용되는 삼중항 에미터에 의해서만 결정되는 것은 아니다. 특히, 사용되는 다른 재료, 예컨대 매트릭스 재료도 여기서 특히 중요하다. 따라서, 이들 재료의 개선은 또한 OLED 특성의 개선에 이를 수 있다.
본 발명의 목적은 OLED에서, 특히 인광성 에미터를 위한 매트릭스 재료로서, 뿐만 아니라 전자-수송 재료, 정공-차단 재료, 정공-수송 재료, 전자-차단 재료 또는 형광 에미터로서 사용하기에 적합한 화합물을 제공하는 것이다. 본 발명의 추가 목적은 당업자가 OLED 의 제조를 위한 재료를 더 많이 선택할 수 있도록 유기 전계발광 디바이스용 유기 반도체를 더 제공하는 것이다.
놀랍게도, 하기에 더 상세히 설명되는 특정 화합물이 이러한 목적을 달성하고 OLED에 사용하기에 매우 적합한 것으로 밝혀졌다. 여기서 OLED는 특히 긴 수명, 높은 효율 및 낮은 작동 전압을 갖는다. 따라서 본 발명은 이러한 화합물 및 이러한 유형의 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스에 관한 것이다.
본 발명은 하기 화학식 (1) 의 화합물에 관한 것이고,
Figure pct00001
식에서 사용된 기호에 다음이 적용되고:
X 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, CR 또는 N이거나, 2개의 인접한 X는 하기 화학식 (2) 의 기를 나타내고,
Figure pct00002
여기서 점선 결합은 화학식 (1)에서 이러한 기의 연결을 나타내고, 단 화학식 (1) 의 화합물은 화학식 (2) 의 하나 또는 두 개의 기를 함유하고;
X1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게 CR 또는 N 이고;
Y 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게 CR 또는 N 이고;
Z1 Z2, Z3 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, O, S, N-Ar 또는 CR2이고;
Ar 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
R 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, N(Ar')2, N(R1)2, OAr', SAr', CN, NO2, OR1, SR1, COOR1, C(=O)N(R1)2, Si(R1)3, B(OR1)2, C(=O)R1, P(=O)(R1)2, S(=O)R1, S(=O)2R1, OSO2R1, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 (여기서 알킬, 알케닐 또는 알키닐기는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R1 에 의해 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접한 CH2 기는 Si(R1)2, C=O, NR1, O, S 또는 CONR1 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는, 바람직하게 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R1 에 의해 치환될 수 있음) 이고; 2 개의 라디칼 R 은 또한 서로와 함께 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
Ar' 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
R1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, NO2, OR2, SR2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬 기 또는 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 Si(R2)2, C=O, NR2, O, S 또는 CONR2 로 대체될 수도 있고, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기에서의 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 으로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 2개 이상의 라디칼 R1 은 서로와 함께 지방족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
R2 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 유기 라디칼, 특히 탄화수소 라디칼 (여기서 또한 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있음) 이다.
본 발명의 의미에서 아릴기는 6 내지 40 개의 C 원자를 포함하고; 본 발명의 의미에서 헤테로아릴기는 2 내지 40 개의 C 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하고, 단 C 원자 및 헤테로원자의 합계는 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S로부터 선택된다. 여기서 아릴기 또는 헤테로아릴기는 단순 방향족 고리, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 고리, 예를 들면 피리딘, 피리미딘, 티오펜 등, 또는 축합 (어닐화) 아릴기 또는 헤테로아릴기, 예를 들면 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등을 의미하는 것으로 이해된다. 이에 반해, 단일 결합에 의해 서로 연결되어 있는 방향족 기, 예를 들어, 비페닐은 아릴 또는 헤테로아릴 기로 지칭되지 않고, 대신 방향족 고리 시스템으로 지칭된다.
본 발명의 의미에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템 내에 6 내지 60 개의 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 의미에서 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 시스템 내에 2 내지 60 개의 탄소 원자, 바람직하게는 2 내지 40 개의 탄소 원자, 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하고, 단 탄소 원자와 헤테로원자의 합계는 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S로부터 선택된다. 본 발명의 의미에서, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 반드시 아릴 또는 헤테로아릴 기만을 함유할 필요는 없고, 대신에, 복수의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 예를 들어 C, N 또는 O 원자와 같은 비-방향족 단위에 의해 연결될 수 있는 시스템을 의미하는 것으로 이해된다. 이들은 마찬가지로 2 개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 서로 직접 연결된 시스템, 예를 들어, 비페닐, 테르페닐, 비피리딘 또는 페닐피리딘을 의미하는 것으로 이해된다. 따라서 예를 들어, 플루오렌, 9,9'-스피로비플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템은 또한 본 발명의 의미에서, 2 개 이상의 아릴기가 예를 들어 짧은 알킬기에 의해 연결되는 시스템과 같은 방향족 고리 시스템인 것으로 이해된다. 바람직한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 단순 아릴 또는 헤테로아릴 기이며, 그리고 2 개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 서로 직접 연결되는 기, 예를 들어 비페닐 또는 비피리딘이고, 그리고 플루오렌 또는 스피로비플루오렌이다.
본 발명의 목적을 위해, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 함유할 수도 있으며 또한 개개의 수소 원자 또는 CH2 기가 전술한 기에 의해 치환될 수도 있는 지방족 히드로카르빌 라디칼 또는 알킬기 또는 알케닐 또는 알키닐 기는 바람직하게는 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐을 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기 OR1 은 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시 및 2,2,2-트리플루오로에톡시를 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 티오알킬 기 SR1 는 특히 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 이해된다. 일반적으로, 본 발명에 따른 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기는 직쇄, 분지형 또는 환형일 수 있고, 하나 이상의 비-인접 CH2 기는 상기 언급한 기로 대체될 수 있으며; 또한, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2, 바람직하게는 F, Cl 또는 CN, 특히 바람직하게는 F 또는 CN 으로 또한 대체될 수 있다.
5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 또한 각각의 경우 전술된 R2 라디칼 또는 하이드로카본 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 시스템에 연결될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 비페닐, 비페닐렌, 터페닐, 트리페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-인데노카르바졸, 시스- 또는 트랜스-인돌로카르바졸, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트르이미다졸, 피리드이미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 헥사아자트리페닐렌, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도된 기 또는 이들 시스템의 조합으로부터 유도된 기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 설명의 목적을 위해, 2개 이상의 라디칼이 서로와 함께 지방족 고리를 형성할 수 있는 포뮬레이션은, 특히 2개의 라디칼이 2개의 수소 원자의 형식적 제거와 화학적 결합에 의해 서로 연결되는 것을 의미하는 것으로 의도된다. 이는 하기 스킴에 의해 예시된다:
Figure pct00003
그러나, 더욱이, 상술된 포뮬레이션은 또한, 2 개의 라디칼 중 하나가 수소를 나타내는 경우에, 수소 원자가 결합되는 위치에 제 2 라디칼이 결합되어 고리를 형성하는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 이는 하기의 스킴에 의해 설명되도록 의도된다:
Figure pct00004
화학식 (2) 의 기의 결합 위치에 따라, 하기 화학식 (3) 내지 (8) 로 표시되는 이성질체가 상이하게 나타난다.
Figure pct00005
식에서 사용된 기호는 위에 주어진 의미를 갖는다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 화학식 (1) 의 화합물은 화학식 (2) 의 정확하게 하나의 기를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 화학식 (1) 및 화학식 (3) 내지 (8)에서 기호 X1은 CH를 나타낸다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 화학식 (2) 의 기에서 최대 하나의 기호 Y는 N을 나타내고, 다른 기호 Y는 동일하거나 상이하게 CR을 나타낸다. 특히 바람직하게는, 화학식 (2) 에서의 모든 기호 Y는 CR을 나타낸다. Y 상의 라디칼 R은 바람직하게는 서로와 함께 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하지 않는다. 화학식 (2) 의 기는 하기 화학식 (2a) 의 기이고,
Figure pct00006
식에서 사용된 기호는 상기에 주어진 의미를 가지며 라디칼 R 은 서로와 함께 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하지 않는다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에서, 최대 2개의 기호 X는 N을 나타내며, 특히 바람직하게는 최대 하나의 기호 X이다. 매우 특히 바람직하게는, 화학식 (2)의 기를 나타내지 않는 기호 X는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게 CR을 나타낸다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 기호 Y는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게 CR을 나타내고, 따라서 이는 바람직하게는 화학식 (2a) 의 기이고, 화학식 (2) 의 기를 나타내지 않는 기호 X는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게 CR을 나타내고, 기호 X1은 CH를 나타낸다.
따라서 하기 화학식 (3a) 내지 (8a) 의 구조가 바람직하고:
Figure pct00007
식에서 사용된 기호는 위에 주어진 의미를 갖는다.
하기 화학식 (3b) 내지 (8b) 의 구조가 특히 바람직하고:
Figure pct00008
식에서 사용된 기호는 위에 주어진 의미를 갖는다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 화학식 (1) 의 화합물 또는 상기 및 하기에 나타낸 바람직한 구조에서 총 최대 3 개의 라디칼 R, 특히 바람직하게는 최대 2 개의 라디칼 R, 매우 특히 바람직하게는 최대 하나의 라디칼 R 은 수소 이외의 기를 나타낸다.
하기 화학식 (3c) 내지 (8c) 의 구조가 매우 특히 바람직하고:
Figure pct00009
식에서 사용된 기호는 위에 주어진 의미를 갖는다.
화학식 (3b) 및 (4b) 또는 (3c) 및 (4c) 의 구조가 특히 바람직하다.
Z1, Z2 및 Z3은 서로 독립적으로, O, S, N-Ar 및 CR2로 이루어진 군으로부터, 바람직하게는 O, S 및 N-Ar로 이루어진 군으로부터 선택된다. 여기서 적합한 조합 Z1, Z2 및 Z3은 하기 표에 나타낸 조합이고, 여기서 이들 조합 각각은 화학식 (1), (3), (4), (5), (6), (7), (8), (3a), (4a), (5a), (6a), (7a), (8a), (3b), (4b), (5b), (6b), (7b), (8b), (3c), (4c), (5c), (6c), (7c) 및 (8c)의 구조 각각에 대해 사용될 수 있다:
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
본 발명의 일 실시형태에서, Z1 및 Z2 는 동일하게 선택된다. Z1 및 Z2 = O 또는 Z1 및 Z2 = S이고 동일한 시간 Z3 = NAr인 것이 바람직하다. 본 발명의 추가의 실시형태에서, 기호 Z1, Z2 및 Z3 중 2개는 NAr을 나타내고, 기호 중 세번째는 S를 나타낸다.
본 발명에 따른 화합물이 인광성 에미터를 위한 매트릭스 재료로서 사용되는 경우, 기호 Z1, Z2 및/또는 Z3 중 적어도 하나가 N-Ar을 나타내는 것이 바람직하다. 이 경우, Z3이 N-Ar을 나타내는 것이 특히 바람직하다. 따라서 하기 화학식 (3d) 내지 (8d) 의 화합물이 특히 바람직하고,
Figure pct00013
Figure pct00014
식에서 사용된 기호는 위에 주어진 의미를 갖는다.
하기 화학식 (3e) 내지 (8e) 의 구조가 매우 특히 바람직하고,
Figure pct00015
Figure pct00016
식에서 사용된 기호는 위에 주어진 의미를 갖는다.
바람직한 치환기 Ar, R, Ar', R1 및 R2는 하기에 설명된다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, Ar, R, Ar', R1 및 R2 에 대해 이하에 명시된 선호들이 동시에 일어나고 화학식 (1) 의 구조 및 모든 상술된 바람직한 실시형태의 구조에 적용된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, Ar은 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R로 치환될 수 있는 6 내지 30개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 라디칼 R은 바람직하게는 비-방향족 라디칼이다. Ar 은 특히 바람직하게는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 하나 이상의, 바람직하게는 비-방향족 라디칼 R로 치환될 수 있는, 6 내지 24개의 방향족 고리 원자, 특히 6 내지 13개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. Ar이 헤테로아릴기, 특히 트리아진, 피리미딘, 퀴나졸린 또는 카르바졸을 나타내는 경우, 방향족 또는 헤테로방향족 치환기 R이 또한 이 헤테로아릴기 상에서 바람직할 수 있다. Ar이 기 N(Ar')2에 의해 치환되어, 치환기 Ar이 전체적으로 트리아릴아민 또는 트리헤테로아릴아민기를 나타내는 경우 또한 바람직할 수 있다.
적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 Ar은 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, 페닐, 비페닐, 특히 오르토-, 메타-, 파라-비페닐, 터페닐, 특히 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 터페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 쿼터페닐, 플루오렌 (이는 1-, 2-, 3- 또는 4-위치를 통해 연결될 수 있음), 스피로비플루오렌 (이는 1-, 2-, 3- 또는 4-위치를 통해 연결될 수 있음), 나프탈렌 (이는 1- 또는 2-위치를 통해 연결될 수 있음), 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 카르바졸 (이는 1-, 2-, 3- 또는 4-위치를 통해 연결될 수 있음), 디벤조푸란 (이는 1-, 2-, 3- 또는 4-위치를 통해 연결될 수 있음), 디벤조티오펜 (이는 1-, 2-, 3- 또는 4-위치를 통해 연결될 수 있음), 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 퀴나졸린, 벤즈이미다졸, 페난트렌, 트리페닐렌 또는 이들 기 중 2개 또는 3개의 조합으로부터 선택되고, 이는 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R에 의해, 바람직하게는 비방향족 라디칼 R에 의해 치환될 수 있다. Ar이 헤테로아릴기, 특히 트리아진, 피리미딘 또는 퀴나졸린을 나타내는 경우, 방향족 또는 헤테로방향족 라디칼 R이 또한 이 헤테로아릴기 상에서 바람직할 수 있다.
여기서 Ar 은 바람직하게는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, Ar-1 내지 Ar-81 의 군으로부터 선택되고:
Figure pct00017
Figure pct00018
Figure pct00019
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
식에서 R은 위에 주어진 의미를 갖고, 점선 결합은 질소 원자에 대한 결합을 나타내고, 또한:
Ar1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수 있는 6 내지 18개의 방향족 고리 원자를 가지는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
A 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, CR2, NR, O 또는 S 이고;
n 은 0 또는 1 이고, 여기서 n = 0 은 A 기가 이 위치에 결합되지 않고, 그 대신 R 라디칼이 대응하는 탄소 원자에 결합됨을 의미하고;
m 은 0 또는 1이고, 여기서 m = 0 은 기 Ar1 이 부재하는 것 그리고 대응하는 방향족 또는 헤테로방향족 기가 질소 원자에 직접 결합되는 것을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, R은 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, H, D, F, N(Ar')2, CN, OR1, 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 2 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 또는 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 알킬 또는 알케닐 기는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있지만, 바람직하게는 비치환되고, 그리고 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O, 또는 6개 내지 30개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템에 의해 대체될 수 있고, 이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있고, 여기서 라디칼 R1은 그후 바람직하게 비방향족 라디칼이고; 2개의 라디칼 R은 또한 서로와 함께 지방족 고리 시스템을 형성할 수 있다. R 은 특히 바람직하게 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, H, N(Ar')2, 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는, 특히 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 각각의 경우에 알킬 기는 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우 하나 이상의 R1 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. R은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H 또는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R1, 바람직하게는 비-방향족 라디칼 R1로 치환될 수 있는, 6 내지 24개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 매우 특히 바람직하다. 또한, R 이 하나 이상의 라디칼 R1 로 치환될 수도 있는 트리아릴아민 또는 트리헤테로아릴아민 기를 나타내는 경우가 바람직할 수도 있다. 이 기는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 실시형태이며, 여기서 복수의 아릴 또는 헤테로아릴 기는 질소 원자에 의해 서로 연결될 수 있다. R 이 트리아릴아민 또는 트리헤테로아릴아민 기를 나타내는 경우, 이 기는 바람직하게는 18 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 라디칼 R1, 바람직하게는 비방향족 라디칼 R1 에 의해 치환될 수도 있다.
Z1, Z2 및/또는 Z3이 CR2를 나타내는 경우, 이 탄소 원자에 결합된 치환기 R은 바람직하게는, 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 또는 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 또는 5 내지 24개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 이는 또한 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있다. R은 매우 특히 바람직하게는 메틸기 또는 페닐기를 나타낸다. 여기서 라디칼 R은 또한 서로와 함께 고리 시스템을 형성할 수 있고, 이는 스피로 시스템을 유도한다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, Ar' 은, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자들을 갖고 하나 이상의 라디칼 R1 에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, Ar' 은, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자들, 특히 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자들을 갖고 하나 이상의 바람직하게는 비방향족 R1 라디칼들에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, OR2, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 알킬 또는 알케닐 기는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 2 개 이상의 라디칼 R1 은 서로와 함께 지방족 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, R1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는, 특히 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬 기, 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 알킬 기는 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게 6 내지 13개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의, 바람직하게는 비방향족 라디칼 R2 로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, H, F, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 또는 6 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기 (이는 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않음) 이다.
적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 R (R 이 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템인 경우) 또는 Ar' 은 페닐, 비페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐, 터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라- 또는 분지형 터페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-위치를 통해 연결될 수도 있는 플루오렌, 1-, 2-, 3- 또는 4-위치를 통해 연결될 수도 있는 스피로비플루오렌, 1- 또는 2-위치를 통해 연결될 수도 있는 나프탈렌, 1-, 2-, 3- 또는 4-위치를 통해 연결될 수도 있는, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 카르바졸, 1-, 2-, 3- 또는 4-위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조푸란, 또는 1-, 2-, 3- 또는 4-위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 퀴나졸린, 벤즈이미다졸, 페난트렌, 트리페닐렌 또는 이들 기들의 2 개 또는 3 개의 조합 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음) 으로부터 선택된다. R 또는 Ar'이 헤테로아릴기, 특히 트리아진, 피리미딘, 퀴나졸린 또는 카르바졸을 나타내는 경우, 방향족 또는 헤테로방향족 라디칼 R1 이 또한 이 헤테로아릴기 상에서 바람직할 수 있다.
기 R (기 R 이 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템인 경우) 또는 Ar' 기는 바람직하게는 하기 화학식 R-1 내지 R-81 의 군으로부터 선택되고:
Figure pct00023
Figure pct00024
Figure pct00025
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
식에서 R1 은 위에 주어진 의미를 갖고, 점선 결합은 화학식 (1) 및 (2) 에서 또는 바람직한 실시형태들에서 베이직 구조의 탄소 원자에 대한 결합을 나타내거나 또는 기 N(Ar')2 에서 질소 원자에 대한 결합을 나타내고, 추가로:
Ar1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있는 6 내지 18개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
A 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, C(R1)2, NR1, O 또는 S 이고;
n 은 0 또는 1 이고, 여기서 n = 0 는, A 기가 이 위치에 결합되지 않고, 그 대신 R1 라디칼이 대응하는 탄소 원자에 결합됨을 의미하고;
m 은 0 또는 1이고, 여기서 m = 0 은 Ar1 기가 부재하는 것과 대응하는 방향족 또는 헤테로방향족 기가 화학식 (1) 에서 또는 바람직한 실시형태에서 베이직 구조의 탄소 원자에, 또는 N(Ar')2 기에서의 질소 원자에 직접 결합됨을 의미하고; 단, 구조 (R-12), (R-17), (R-21), (R-25), (R-26), (R-30), (R-34), (R-38) 및 (R-39) 에 대해 이들 기들이 Ar' 의 실시형태들인 경우 m = 1 이다.
Ar의 경우 상기 언급된 기 Ar-1 내지 Ar-81 또는 R, R' 또는 Ar'의 경우 R-1 내지 R-81 기가 복수의 기 A를 포함하는 경우, A의 정의로부터의 모든 조합이 이를 고려한다. 바람직한 실시형태는 하나의 기 A가 NR 또는 NR1을 나타내고, 다른 기 A가 C(R)2 또는 C(R1)2를 나타내거나, 둘 모두의 기 A가 NR 또는 NR1 또는 둘 모두의 기 A가 O를 나타내는 것이다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 복수의 기 A를 함유하는 기 Ar, R 또는 Ar' 중 적어도 하나의 기 A는 C(R)2 또는 C(R1)2 를 나타내거나 또는 NR 또는 NR1 을 나타낸다.
A가 Ar-1 내지 Ar-81 또는 R-1 내지 R-81 기에서 NR 또는 NR1을 나타내는 경우, 질소 원자에 결합되는 치환기 R 또는 R1 은 바람직하게는 5 내지 24개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, 이는 또한 하나 이상의 라디칼 R1 또는 R2로 치환될 수 있다. 특히 바람직한 실시형태에서, 이러한 치환기 R 또는 R1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내며, 이는 축합 아릴기 또는 헤테로아릴기를 포함하지 않으며 (여기서 2 개 이상의 방향족 또는 헤테로방향족 6-원 고리기가 서로 직접 축합됨) 각각의 경우 또한 하나 이상의 라디칼 R1 또는 R2 에 의해 치환될 수 있다. Ar-1 내지 Ar-11 또는 R-1 내지 R-11에 대해 위에 열거된 바와 같은 결합 패턴을 갖는 페닐, 비페닐, 터페닐 및 쿼터페닐이 특히 바람직하고, 여기서 이들 구조들은 하나 이상의 R1 또는 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다.
A 가 Ar-1 내지 Ar-81 또는 R-1 내지 R-81 기에서 CR2 또는 C(R1)2를 나타내는 경우, 이러한 탄소 원자에 결합된 치환기 R 또는 R1은 바람직하게는, 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 또는 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 또는 5 내지 24개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내며, 이들은 또한 하나 이상의 라디칼 R1 또는 R2 에 의해 치환될 수 있다. R 또는 R1은 매우 특히 바람직하게는 메틸기 또는 페닐기를 나타낸다. 라디칼 R 또는 R1은 또한 서로와 함께 고리 시스템을 형성할 수 있고, 이는 스피로 시스템을 초래한다.
추가의 적합한 기 Ar, R 또는 Ar'는 화학식 -Ar4-N(Ar2)(Ar3)의 기이고, 여기서 Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, 5 내지 24개의 방향족 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, 이들은 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있다. Ar의 경우, 이러한 기는 기 Ar이 기 N(Ar')2로 치환되는 것을 통해 발생한다. 여기서 Ar2, Ar3 및 Ar4 의 방향족 고리 원자들의 총 수는 최대 60개, 그리고 바람직하게는 최대 40개이다.
Ar4 및 Ar2 는 또한 서로 연결될 수 있고, 그리고/또는 C(R1)2, NR1, O 또는 S로부터 선택된 기에 의해 또한 서로 연결될 수 있다. Ar4 및 Ar2의 서로에 대한 결합 또는 Ar2 및 Ar3의 서로에 대한 결합은 바람직하게는 각각의 경우에 질소 원자에 대한 결합의 위치에 대해 오르토에서 일어난다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, Ar2, Ar3 또는 Ar4 기들 중 어느 것도 서로 연결되지 않는다.
Ar4 는 바람직하게 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R1 으로 치환될 수 있는, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 특히 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 특히 바람직하게는, Ar4 는 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌 또는 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 이들은 각각의 경우 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다. Ar4 는 매우 특히 바람직하게는 비치환된 페닐렌기이다. 이는 특히, Ar4가 단일 결합에 의해 Ar2에 연결되는 경우에 적용된다.
Ar2 및 Ar3 은, 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있는, 6 내지 24개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 특히 바람직한 Ar2 및 Ar3 기는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, 벤젠, 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라- 또는 분지형 터페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라- 또는 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로비플루오레닐, 1- 또는 2-나프틸, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸란, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 2-, 3- 또는 4-피리딘, 2-, 4- 또는 5-피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 페난트렌, 트리페닐렌 또는 이들 기들의 2 개, 3 개 또는 4 개의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 라디칼 R1 에 의해 치환될 수도 있다. Ar2 및 Ar3은 특히 바람직하게는, 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있는, 6 내지 24개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템을 나타내고, 특히 벤젠, 비페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐, 터페닐, 특히 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 터페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 쿼터페닐, 플루오렌, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오렌, 또는 스피로비플루오렌, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로비플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
진공 증발에 의해 프로세싱되는 본 발명에 따른 화합물에서 알킬 기는 바람직하게는 5개 이하의 탄소 원자, 특히 바람직하게는 4개 이하의 탄소 원자, 매우 특히 바람직하게는 1개 이하의 탄소 원자를 갖는다. 용액으로부터 프로세싱되는 화합물에 대해, 적합한 화합물은 또한 10 개 이하의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 특히 분지형 알킬기에 의해 치환되는 것들 또는 올리고아릴렌기, 예를 들어 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 터페닐 또는 쿼터페닐기에 의해 치환되는 것들이다.
화학식 (1) 또는 바람직한 실시형태의 화합물이 인광 에미터용 매트릭스 재료로서 또는 인광 층에 직접 인접하는 층에서 사용되는 경우, 2 개 초과의 6-원 고리가 서로 직접 축합되는 축합 아릴 또는 헤테로아릴기를 함유하지 않는 것이 더욱 바람직하다. 특히 2 개 이상의 6-원 고리들이 서로 직접 융합되는 융합된 아릴 또는 헤테로아릴 기들을 라디칼 Ar, R, Ar', R1 및 R2 가 함유하지 않는 경우가 바람직하다. 이에 대한 예외는 페난트렌과 트리페닐렌에 의해 형성되는데, 이들은, 그들의 높은 삼중항 에너지로 인하여, 융합된 방향족 6원 고리들의 존재에도 불구하고 바람직할 수도 있다.
위에 언급된 바람직한 실시형태들은 청구항 1에 정의된 제한들 내에서 원하는 대로 서로 조합될 수도 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 위에 언급된 바람직한 실시형태가 동시에 적용된다.
상술한 실시형태에 따른 바람직한 화합물의 예는 하기 표에 나타낸 화합물이다.
Figure pct00029
Figure pct00030
Figure pct00031
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
Figure pct00035
Figure pct00036
Figure pct00037
Figure pct00038
Figure pct00039
Figure pct00040
Figure pct00041
Figure pct00042
Figure pct00043
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
Figure pct00047
Figure pct00048
Figure pct00049
본 발명에 따른 화합물의 베이직 구조는 스킴 1 내지 4 에 개략된 경로에 의해 제조될 수 있다. 스킴 1은 화학식 (2) 의 기가 축합되지 않은 베이직 구조의 합성을 나타낸다. 화학식 (2) 의 기는 커플링 및 고리-형성 반응 (스킴 2 내지 4) 에 의해 상기 베이직 구조 상에 축합될 수 있고, 여기서 Z1, Z2 및/또는 Z3의 경우, N-Ar과 동일하며, 이어서 Ar 기는 친핵성 방향족 치환 또는 커플링 반응에 도입될 수 있다.
스킴 1: 전구체의 합성
Figure pct00050
Figure pct00051
스킴 2: 고리화 및 N- 아릴화
Figure pct00052
스킴 3: 고리화 및 N- 아릴화
Figure pct00053
스킴 4: 고리화
Figure pct00054
예를 들어 스핀 코팅에 의해 또는 인쇄 공정에 의해, 액상으로부터 본 발명에 따른 화합물을 프로세싱하기 위해, 본 발명에 따른 화합물의 포뮬레이션 (formulation) 이 필요하다. 이들 포뮬레이션은, 예를 들어, 용액, 분산액 또는 에멀젼일 수 있다. 이 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-크실렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥사놀, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 2-메틸비페닐, 3-메틸비페닐, 1-메틸나프탈렌, 1-에틸나프탈렌, 에틸 옥타노에이트, 디에틸 세바케이트, 옥틸 옥타노에이트, 헵틸벤젠, 멘틸 이소발레레이트, 시클로헥실 헥사노에이트 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서 본 발명은 추가로 적어도 하나의 본 발명에 따른 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 포뮬레이션에 관한 것이다. 추가 화합물은, 예를 들어, 용매, 특히 상기 언급된 용매 중 하나, 또는 이러한 용매의 혼합물일 수 있다. 그러나, 추가 화합물은 또한 마찬가지로 전자 디바이스에서 이용되는 적어도 하나의 추가 유기 또는 무기 화합물, 예를 들어 방출 화합물 및/또는 추가 매트릭스 재료일 수 있다. 적합한 방출 화합물 및 추가 매트릭스 재료를 유기 전계발광 디바이스와 관련하여 이하에 언급한다. 이러한 추가 화합물은 또한 폴리머성일 수도 있다.
본 발명에 따른 화합물은 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스에 사용하기에 적합하다.
따라서, 본 발명은 또한 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스에서의 본 발명에 따른 화합물의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 의미에서 전자 디바이스는, 적어도 하나의 유기 화합물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 디바이스이다. 컴포넌트는 또한 무기 재료 또는 또한 무기 재료로부터 전적으로 구축된 층을 포함할 수 있다.
본 발명은 나아가 적어도 하나의 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다. 전자 디바이스는 바람직하게는 유기 전계발광 디바이스 (OLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계 효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 염료-감응형 유기 태양 전지 (DSSC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 디바이스 (O-FQD), 발광 전기 화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 플라즈몬 방출 디바이스로 이루어지는 군으로부터 선택되지만, 바람직하게는 유기 전계발광 디바이스 (OLED), 특히 인광 OLED 이다.
유기 전계발광 디바이스는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방출층을 포함한다. 이들 층 외에도, 이는 또한 추가의 층, 예를 들어 각각의 경우에 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 차단층, 전자 차단층 및/또는 전하 생성층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 여기자 차단 기능을 갖는 중간층이, 2 개의 방출층 사이에 도입되는 것이 마찬가지로 가능하다. 그러나, 이들 층 각각이 반드시 존재할 필요는 없다는 것이 지적되어야만 한다. 유기 전계발광 디바이스는 하나의 방출 층 또는 복수의 방출 층을 포함할 수 있다. 복수의 방출 층이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게는 전체로서 380 nm 내지 750 nm 의 복수의 방출 최대를 가져서, 전체적으로 백색 방출을 초래하며, 즉 형광 또는 인광을 낼 수 있는 다양한 방출 화합물이 방출층에서 사용된다. 3개의 방출 층을 갖는 시스템이 특히 바람직하며, 여기서 3개의 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타낸다. 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자는 또한 탠덤 OLED, 특히 또한 백색-방출 OLED 에 대한 것일 수 있다.
여기서 상기 언급된 실시형태에 따른 본 발명의 화합물은 정확한 구조에 따라 및 Z1, Z2 및 Z3 의 선택에 따라 다양한 층에 채용될 수 있다. 인광 에미터를 위한 또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 에미터를 위한, 특히 인광 에미터를 위한, 매트릭스 재료로서 방출 층에서 화학식 (1) 의 화합물 또는 위에 언급된 바람직한 실시형태들의 화합물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 화학식 (1) 의 화합물은 또한 방출층에서 형광 에미터로서 사용될 수 있다. 여기서 유기 전계발광 디바이스는 하나의 방출 층 또는 복수의 방출 층을 포함할 수도 있고, 적어도 하나의 방출 층은 매트릭스 재료로서 본 발명에 따른 적어도 하나의 화합물을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 화합물은 또한 전자 수송층에서 및/또는 정공 차단층에서 및/또는 정공 수송층에서 및/또는 여기자 차단 층에서 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물이 인광 화합물용 매트릭스 재료로서 사용되는 경우, 기 Z1, Z2 및/또는 Z3 중 적어도 하나, 특히 Z3 이 N-Ar을 나타내는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 화합물이 형광 에미터로서 사용되는 경우, 기 Z1, Z2 및 Z3이 동일하거나 상이하게, 바람직하게는 동일하게, O 또는 S를 나타내는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 화합물이 전자-수송 재료로서 사용되는 경우, 기 Z1, Z2 및 Z3 중 적어도 2개가 동일하거나 상이하게, 바람직하게는 동일하게, O 또는 S를 나타내고, 베이직 구조가 임의로 치환된 트리아진 또는 피리미딘으로 치환되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 화합물이 정공 수송 재료로서 사용되는 경우, 기 Z1, Z2 및 Z3 중 적어도 2개가 NAr을 나타내는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 화합물이 방출층에서 인광 화합물용 매트릭스 재료로서 이용되는 경우, 하나 이상의 인광 재료 (삼중항 에미터) 와 조합으로 이용되는 것이 바람직하다. 본 발명의 의미에서 인광은 비교적 높은 스핀 다중도, 즉, 스핀 상태 > 1 을 갖는 여기 상태로부터, 특히 여기된 삼중항 상태로부터의 발광을 의미하는 것으로 이해된다. 본 출원의 의미에서, 전이 금속 또는 란탄족을 함유하는 모든 발광 착물, 특히 모든 이리듐, 백금 및 구리 착물은 인광 화합물로서 간주되어진다.
본 발명에 따른 화합물 및 방출 화합물의 혼합물은 에미터 및 매트릭스 재료의 전체 혼합물을 기준으로, 99 내지 1 부피%, 바람직하게는 98 내지 10 부피%, 특히 바람직하게는 97 내지 60 부피%, 특히 95 내지 80 부피% 의 본 발명에 따른 화합물을 포함한다. 대응하여, 혼합물은 에미터 및 매트릭스 재료를 포함하는 전체 혼합물을 기준으로, 1 내지 99 부피%, 바람직하게는 2 내지 90 부피%, 특히 바람직하게는 3 내지 40 부피%, 특히 5 내지 20 부피% 의 에미터를 포함한다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태는 추가 매트릭스 재료와 조합으로 인광 에미터를 위한 매트릭스 재료로서의 본 발명에 따른 화합물의 용도이다. 본 발명에 따른 화합물과 조합으로 사용될 수 있는 적합한 매트릭스 재료는, 예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따른 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥사이드 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰, WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527, WO 2008/086851 또는 WO 2013/041176 에 기재된 트리아릴아민, 카르바졸 유도체, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴비페닐) 또는 카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따른 인돌로카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2010/136109, WO 2011/000455, WO 2013/041176 또는 WO 2013/056776 에 따른 인데노카르바졸 유도체, 예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따른 아자카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/137725 에 따른 양극성 매트릭스 재료, 예를 들어 WO 2005/111172 에 따른 실란, 예를 들어 WO 2006/117052 에 따른 아자보롤 또는 보론산 에스테르, 예를 들어 WO 2007/063754, WO 2008/056746, WO 2010/015306, WO 2011/057706, WO 2011/060859 또는 WO 2011/060877 에 따른 트리아진 유도체, 예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따른 아연 착물, 예를 들어 WO 2010/054729 에 따른 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체, 예를 들어 WO 2010/054730 에 따른 디아자포스폴 유도체, 예를 들어 WO 2011/042107, WO 2011/060867, WO 2011/088877 및 WO 2012/143080 에 따른 가교된 카르바졸 유도체, 예를 들어, WO 2012/048781에 따른 트리페닐렌 유도체, 또는 예를 들어 WO 2015/169412, WO 2016/015810, WO 2016/023608, WO 2017/148564 또는 WO 2017/148565 에 따른 디벤조푸란 유도체이다. 마찬가지로, 실제 에미터보다 단파장에서 방출하는 추가 인광 에미터는, 예를 들어 WO 2010/108579 에 기재된 바와 같이, 전하 수송에 관여하지 않거나 또는 미미한 정도로만 관여하는 화합물 또는 코-호스트로서 혼합물에 존재할 수 있다.
특히, 밴드갭이 크고, 방출층 자체의 전하 수송에 관여하지 않거나, 또는 적어도 미미한 정도로 관여하는 화합물은 본 발명에 따른 화합물과 조합하여 코-매트릭스 재료로서 적합하다. 이러한 재료는 바람직하게는 순수한 하이드로카본이다. 이러한 재료의 예들은, 예를 들어, WO 2006/130598, WO 2009/021126, WO 2009/124627 및 WO 2010/006680 에서 찾아볼 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 재료는 추가 매트릭스 재료와 조합하여 사용된다. 바람직한 코-매트릭스 재료는 비스카르바졸, 가교된 카르바졸, 트리아릴아민, 디벤조푸란-카르바졸 유도체 또는 디벤조푸란-아민 유도체 및 카르바졸아민의 군으로부터 선택된다.
바람직한 비스카르바졸은 하기 화학식 (9) 및 (10) 의 구조이고:
Figure pct00055
식에서 Ar 및 A 는 위에 주어진 정의를 가지며 R 은 위에 주어진 의미를 갖지만, 여기서 R 라디칼은 또한 서로와 함께 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, A 는 CR2 를 나타낸다.
화학식 (9) 및 (10) 의 화합물의 바람직한 실시형태는 하기 화학식 (9a) 및 (10a) 의 화합물이고,
Figure pct00056
식에서 사용된 기호는 위에 주어진 의미를 갖는다.
화학식 (9) 및 (10) 의 적합한 화합물의 예는 아래에 도시된 화합물이다:
Figure pct00057
Figure pct00058
Figure pct00059
Figure pct00060
Figure pct00061
바람직한 가교 카르바졸은 하기 화학식 (11)의 구조이고:
Figure pct00062
여기서 A와 R은 위에 주어진 의미를 갖고 A는 바람직하게는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게 NAr 및 CR2 로 이루어진 군에서 선택된다.
화학식 (11) 의 바람직한 실시형태는 화학식 (11a) 의 화합물이고, 화학식 (11b) 의 화합물이 특히 바람직하고, 그리고 화학식 (11c) 의 화합물이 매우 특히 바람직하며,
Figure pct00063
Figure pct00064
식에서 Ar 및 R 은 위에 주어진 의미를 갖는다. 여기서 Ar은 바람직하게는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 예를 들어 페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐 또는 터페닐을 나타낸다. 인덴 탄소 원자 상의 라디칼 R은 바람직하게는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, 1 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 특히 메틸을 나타내거나, 또는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 특히 페닐을 나타낸다.
바람직한 트리아릴아민은 다음 화학식 (12)의 구조이고:
Figure pct00065
식에서 Ar 은 위에 주어진 의미를 갖는다.
바람직한 디벤조푸란 유도체는 하기 화학식 (13)의 화합물이고:
Figure pct00066
식에서 산소는 또한 디벤조티오펜을 형성하기 위해 황으로 대체될 수 있으며, L은 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 또한 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수 있는 단일 결합 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, R 및 Ar은 위에 주어진 의미를 갖는다. 동일한 질소 원자에 결합된 2개의 기 Ar 모두, 또는 동일한 질소에 결합된 하나의 기 Ar 및 하나의 기 L은 또한 서로 연결될 수 있고, 예를 들어 연결되어 카르바졸을 형성할 수도 있다.
화학식 (13) 의 화합물의 바람직한 실시형태는 하기 화학식 (13a) 및 (13b) 의 화합물이고:
Figure pct00067
식에서 산소는 또한 디벤조티오펜을 형성하기 위해 황으로 대체될 수 있으며, R 및 Ar 은 위에 주어진 의미를 가지며, 특히 카르바졸 상의 2개의 인접 라디칼 R 은 여기서 서로와 함께 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다.
특히 바람직한 실시형태는 하기 화학식 (13c) 및 (13d) 의 화합물이고:
Figure pct00068
식에서 산소는 또한 디벤조티오펜을 형성하기 위해 황으로 대체될 수 있으며, Ar 은 위에 주어진 의미를 가지며, 특히 카르바졸 상의 2개의 인접 라디칼 R 은 여기서 서로와 함께 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 또한 형성할 수도 있다.
적합한 디벤조푸란 유도체의 예는 하기 도시된 화합물이다.
Figure pct00069
Figure pct00070
바람직한 카르바졸아민은 하기 화학식 (14), (15) 및 (16)의 구조이고:
Figure pct00071
식에서 L은 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, 그리고 R 및 Ar은 위에 주어진 의미를 가지며, 여기서 2 개의 인접한 라디칼 R 도 또한 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있다.
적합한 카르바졸아민 유도체의 예는 하기 도시된 화합물이다.
Figure pct00072
Figure pct00073
바람직한 인데노- 및 인돌로카르바졸 유도체는 하기 화학식 (17), (18), (19) 및 (20) 의 구조이고,
Figure pct00074
식에서 사용된 기호는 위에 주어진 의미를 갖는다.
치환 패턴에 따라 정공- 또는 전자-수송 매트릭스 재료로서 사용될 수 있는 인돌로- 및 인데노카르바졸 유도체의 예는 하기 구조이다:
Figure pct00075
Figure pct00076
Figure pct00077
Figure pct00078
적합한 인광 화합물 (= 삼중항 에미터) 은 바람직하게는 가시 영역에서, 적합한 여기시 발광하는 화합물이고, 또한 20 초과, 바람직하게는 38 초과 및 84 미만, 특히 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 원자 번호를 갖는 적어도 하나의 원자, 특히 이 원자 번호를 갖는 금속을 함유한다. 인광 에미터는 바람직하게는 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다.
상술된 에미터의 예들은 출원 WO　00/70655, WO　2001/41512, WO　2002/02714, WO　2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO　05/019373, US　2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO　2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094961, WO 2014/094960, WO　2015/036074, WO 2015/104045, WO 2015/117718, WO 2016/015815, WO 2016/124304, WO 2017/032439, WO 2018/011186 및 WO　2018/041769, 그리고 미공개 특허 출원 EP　17182995.5, EP 17205103.9, EP 17206950.2 및 EP 18156388.3 으로부터 획득될 수 있다. 일반적으로, 인광 OLED 를 위해 종래 기술에 따라 사용되고 유기 전계발광 분야의 당업자에게 알려진 모든 인광 착물이 적합하며, 당업자는 진보성 능력 없이 다른 인광 착물을 사용할 수 있을 것이다.
인광 도펀트의 예가 아래에 도시된다.
Figure pct00079
Figure pct00080
Figure pct00081
Figure pct00082
Figure pct00083
Figure pct00084
Figure pct00085
Figure pct00086
본 발명에 따른 화합물은 특히 또한, 예를 들어, WO 98/24271, US 2011/0248247 및 US 2012/0223633 에 기재된 바와 같은, 유기 전계발광 디바이스에서의 인광 에미터를 위한 매트릭스 재료로서 적합하다. 이들 다색 디스플레이 컴포넌트들에서, 부가적인 청색 방출 층은 청색 외의 색상을 갖는 것들을 포함하여, 모든 픽셀에 대해 전체 면적에 걸쳐 증착된다.
본 발명의 추가의 실시형태에서, 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스는 분리된 정공-주입층 및/또는 정공 수송층 및/또는 정공 차단층 및/또는 전자 수송층을 함유하지 않으며, 즉 방출 층은 정공 주입층 또는 애노드에 바로 인접하거나 및/또는, 방출 층은 전자 수송층 또는 전자 주입층 또는 캐소드에 바로 인접해 있으며, 이는 예를 들어, WO 2005/053051 에 기재된 바와 같다. 또한, 예를 들어 WO 2009/030981 에 기재된 바와 같이, 방출 층에 바로 인접하는 정공 수송 또는 정공 주입 재료로서, 방출 층에서의 금속 착물과 동일하거나 또는 유사한 금속 착물을 사용하는 것이 가능하다.
종래 기술에 따라 일반적으로 사용되는 모든 재료들이 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스의 추가 층에 사용될 수 있다. 따라서, 당업자는, 진보성 없이, 본 발명에 따른 화학식 (1) 또는 상기 언급된 바람직한 실시형태의 화합물과 조합하여 유기 전계발광 디바이스에 대해 알려진 모든 재료를 사용할 수 있다.
나아가, 하나 이상의 층이 승화 공정에 의해 코팅되고, 여기서 재료들이 진공 승화 장치 내에서 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 증착되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 그러나, 또한 초기 압력이 더 낮을 수 있다 (예를 들어 10-7 mbar 미만).
하나 이상의 층이 OVPD (유기 기상 증착) 프로세스에 의해 또는 캐리어 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 마찬가지로 바람직하며, 여기서 재료는 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용된다. 이러한 프로세스의 특별한 경우는 OVJP (유기 증기 제트 인쇄) 프로세스이며, 여기서 재료는 노즐을 통해 직접 도포되고, 이에 따라 구조화된다.
또한, 하나 이상의 층이 용액으로부터, 예를 들어 스핀 코팅에 의해, 또는 예를 들어 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄, LITI (광 유도 열 화상화, 열 전사 인쇄), 잉크젯 인쇄 또는 노즐 인쇄와 같은 임의의 바람직한 인쇄 프로세스에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 이러한 목적을 위해서는 예를 들어 적합한 치환에 의해 수득되는 가용성 화합물이 필요하다.
부가적으로, 예를 들어, 하나 이상의 층이 용액으로부터 도포되고, 하나 이상의 추가의 층이 증착에 의해 적용되는 혼성 방법이 가능하다.
이들 프로세스들은 일반적으로 당업자에게 알려져 있고, 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스에 진보성 없이 당업자에 의해 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물 및 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스는 하기 놀라운 이점들 중 하나 이상에 의해 종래 기술과 구별된다:
1. 인광 에미터를 위한 매트릭스 재료로서 사용되는, 본 발명에 따른 화합물은 장수명으로 이어진다.
2. 본 발명에 따른 화합물은 저 사용 및 작동 전압으로 이어진다. 이는 특히, 화합물이 인광 에미터용 매트릭스 재료로서 이용되는 경우 적용된다.
3. 본 발명에 따른 화합물은 고효율으로 이어진다. 이는 특히, 화합물이 인광 에미터용 매트릭스 재료로서 이용되는 경우 적용된다.
4. 본 발명에 따른 화합물은 청색-형광 에미터로서 사용될 수 있고, 이러한 기능에서 고 효율 및 수명으로 이어진다.
하기의 실시예에 의해서 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 당업자는 상세한 설명으로부터 개시된 범위 내에서 본 발명을 수행할 수 있고, 진보성 없이 본 발명에 따른 추가 화합물을 제조할 수 있고 전자 디바이스에서 사용하거나 본 발명에 따른 프로세스를 사용할 수 있다.
실시예들:
합성예
다르게 표시되지 않으면, 다음 합성들이 건조된 용매들에서 보호 가스 분위기 하에 수행된다. 용매 및 시약은 ALDRICH 또는 ABCR 로부터 얻을 수 있다. 시판되지 않는 출발 재료의 경우에 표시된 숫자는 상응하는 CAS 번호이다.
a) 1-(벤조퓨란-3-일)디벤조[b,d]퓨란
Figure pct00087
보호 분위기 하에서, (트리플루오로메틸)술포닐)디벤조[b,d]퓨란 20 g (63.2 mmol), 벤조푸란-3-일보론산 11.3 g (69.6 mmol), 인산 칼륨 33.6 g (158.1 mmol), 팔라듐 아세테이트 0.3 g (1.3 mmol) 및 XPhos 1.2 g (2.5 mmol) 을 100 ml의 물과 100 ml의 THF의 혼합물 중에서 17 시간 동안 환류 하에 가열한다. 냉각 후, 유기상을 분리하고, 200 ml의 물로 3회 세척하고, 200 ml의 포화 염화 나트륨 수용액으로 한 번 세척하고, 황산 마그네슘 상에서 건조시키고, 회전 증발기에서 증발 건조시킨다. 오일을 헵탄을 사용하는 크로마토그래피에 의해 정제한다. 수율: 15 g (52.8 mmol); 이론치의 83%.
b) 1-(2-브로모벤조퓨란-3-일)디벤조[b,d]퓨란
Figure pct00088
1-(벤조퓨란-3-일)디벤조[b,d]퓨란 15 g (57 mmol) 을 디클로로메탄 150 ml에 용해시킨다. 9.4 g (52.7 mmol) 의 NBS 를 이 현탁액에 나누어 첨가하고, 9 시간 동안 암실에서 교반한다. 물/얼음을 이후 첨가하고, 고체를 분리해내고 에탄올로 린싱한다. 잔류물을 알루미나를 통해 여과한다. 수율: 16.2 g (44 mmol); 이론치의 84%.
c) ((3-(디벤조[b,d]퓨란-1-일)벤조퓨란-2-일)에티닐)트리메틸실란
Figure pct00089
보호 분위기하에서, 1-(2-브로모벤조퓨란-3-일)디벤조[b,d]퓨란 16 g (362 mmol), 요오드화구리 0.3 g (1.3 mmol), 염화 비스(트리페닐포스핀)팔라듐(II) 0.6 g (0.9 mmol), 트리메틸실릴아세틸렌 18.9 ml (133.8 mmol) 에 트리에틸아민 500 ml를 첨가하고, 혼합물을 밤새 환류하에 비등시킨다. 생성물을 헵탄을 사용하는 크로마토그래피로 정제한다. 수율: 13.6 g (35.7 mmol); 이론치의 80%.
d) 1-(2-에티닐벤조퓨란-3-일)디벤조[b,d]퓨란
Figure pct00090
((3-(디벤조[b,d]퓨란-1-일)벤조퓨란-2-일)에티닐)트리메틸실란 10 g (26.3 mmol), 탄산 칼륨 0,7 g (5.3 mmol) 을 100 ml의 메탄올에서 1시간 동안 환류하에 교반한다. 용매를 진공에서 제거한다. 100　ml 의 디클로로메탄 및 100 ml 의 물을 혼합물에 첨가한다. 그후 유기 상을 분리시키고 후속하여 증발시킨다. 수율: 8.1 g (26.3 mmol); 이론치의 100%.
e) 나프토비스벤조퓨란
Figure pct00091
보호 분위기하에서, 1-(2-에티닐벤조퓨란-3-일)디벤조[b,d]퓨란 8.1 g (26 mmol) 과 이염화 백금 690 mg (2.6 mmol) 을 톨루엔 500 ml 에서 밤새 환류하에 비등시킨다. 생성물을 톨루엔을 사용하는 크로마토그래피로 정제한다. 수율: 3.1 g (10 mmol); 이론치의 38.7%.
f) 1,8-비스(2-메틸설파닐페닐)나프탈렌
Figure pct00092
물 200 ml와 N,N-디메틸포름아미드 200 ml의 혼합물에서, 1,8-디브로모나프탈렌 5 g (17.4 mmol), [2-(메틸설파닐페닐]보론산 7 g (43.7 mmol) 및 탄산 세슘 28 g (87 mmol) 의 격렬하게 교반되고 탈기된 현탁액에 SPhos 0.71 g (1.7 mmol) 및 Pd2(dba)3 1.68 g (1.7 mmol) 을 첨가하고, 혼합물을 17시간 동안 환류하에 가열한다. 냉각 후, 유기상을 분리하고, 200 ml의 물로 3회 세척하고, 200 ml의 포화 염화 나트륨 수용액으로 한 번 세척하고, 황산 마그네슘 상에서 건조시키고, 회전 증발기에서 증발 건조시킨다. 회색 잔류물을 헥산으로부터 재결정화한다. 침전된 결정들을 흡인 여과하고, 소량의 MeOH 로 세척하고 감압하에서 건조시킨다. 수율: 5.9 g (15.9 mmol); 이론치의 91%.
g) 1,8-비스(2-메틸설피닐페닐)나프탈렌
Figure pct00093
1,8-비스[2-메틸설파닐페닐)나프탈렌 30 g (80 mmol) 을 먼저 빙초산 60 ml에 넣고 0℃로 냉각시킨다. 이 용액에 30% H2O2 용액 18.2 ml (160 mmol) 를 적가하고 밤새 교반한다. Na2SO3 용액을 혼합물에 첨가하고, 상을 분리하고, 용매를 진공에서 제거한다. 수율: 26 g (65 mmol), 이론치의 80%; HPLC 에 의한 순도: 92%.
h) 나프토[2,1- b :7,8- b ']비스[1]벤조티오펜
Figure pct00094
1,8-비스(2-메틸설피닐페닐)나프탈렌 54 g (134 mmol) 과 트리플루오로메탄술폰산 737 ml의 혼합물을 5℃에서 48시간 동안 교반한다. 2.4 l의 물/피리딘 5:1 을 그후 혼합물에 첨가하고, 그후 20분 동안 환류 하에 가열한다. 실온으로 냉각시킨 후, 500 ml의 물 및 1000 ml의 디클로로메탄을 조심스럽게 첨가한다. 유기 상을 4 x 50 ml 의 H2O 로 세척하고, MgSO4 로 건조시키고, 용매를 감압 하에 제거한다. 순수한 생성물을 재결정화에 의해 수득한다. 수율: 40 g (117 mmol), 이론치의 80%; HPLC 에 의한 순도: 96%.
하기 화합물들을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00095
Figure pct00096
Figure pct00097
h1-h4 및 h6-h7 을 고온 톨루엔으로 추출하고, 톨루엔 / n-헵탄으로부터 재결정화하고, 마지막으로 고진공 하에서 승화시킨다. 순도는 99.9% 이다.
i) 실릴화
Figure pct00098
n-부틸리튬 (헥산 중 2.5 M) 138 ml (245 mmol) 를 15℃로 냉각시킨, THF 1000 ml 중의 나프토[2,1-b:7,8-b']비스[1]벤조티오펜 82 g (240 mmol) 및 TMEDA 28.3 g (245 mmol) 의 용액에 적가한다. 반응 혼합물을 실온에서 3시간 동안 교반한 후, 0℃로 냉각시키고, 27 g (251 mmol) 의 클로로트리메틸실란을 30분에 걸쳐 적가하고, 그리고 혼합물을 실온에서 16시간 동안 교반한다. 이어서, 용매를 진공에서 제거하고, 잔류물을 실리카 겔 상에서 톨루엔:디클로로메탄 2:2로 크로마토그래피에 의해 정제한다. 수율: 64 g (154　mmol); 이론치의 65%.
하기 화합물들을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00099
j) 보릴화
Figure pct00100
보호 가스 하에서, 화합물 i 10.3 g (26 mmol) 을 디클로로메탄 100 ml에 녹인 용액에 보론 트리브로마이드 7.8 g (31 mmol) 을 적가하고, 그 혼합물을 실온에서 10시간 동안 교반한다. 이어서, 약간의 물을 혼합물에 천천히 첨가하고, 침전된 잔류물을 여과하고, 헵탄으로 세척한다. 수율은 9.1　g (24　mmol) 으로, 이론치의 95% 에 상응한다.
하기 화합물들을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00101
k) 요오드화
Figure pct00102
n-부틸리튬 (헥산 중 2.5 M) 138 ml (245 mmol) 를 15℃로 냉각시킨, THF 1000 ml 중의 나프토[2,1-b:7,8-b']비스[1]벤조티오펜 82 g (240 mmol) 의 용액에 -78℃에서 적가한다. 반응 혼합물을 -78℃에서 3시간 동안 교반한다. 이어서, THF 400ml에 녹인 요오드 95 g (377 mmol) 을 천천히 적가한다. 혼합물을 실온으로 되게 하고, 추가의 2시간 동안 교반하고, 100 ml의 포화 Na2SO3 용액 및 500 ml의 에틸 아세테이트를 혼합물에 첨가하고, 상을 분리하고, 용매를 진공에서 제거하고, 잔류물을 실리카 겔 상에서 톨루엔:디클로로메탄 2:2로 크로마토그래피에 의해 정제한다. 수율: 76 g (164　mmol); 이론치의 68%.
하기 화합물들을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00103
Figure pct00104
l) 아민화
Figure pct00105
55.2 g (140 mmol) 의 화합물 k, 18.2 g (140 mmol) 의 2-클로로아닐린, 68.2 g (710 mmol) 의 나트륨 tert-부톡사이드, 613 mg (3 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트 및 3.03 g (5 mmol) 의 dppf 를 1.3 l 의 톨루엔에 용해시키고, 5 h 동안 환류 하에 교반한다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔으로 연장하고, 셀라이트를 통해 여과한다. 여과액을 진공에서 증발시키고, 잔류물을 톨루엔/헵탄으로부터 결정화시킨다. 생성물을 무색 고체로서 단리한다. 수율: 44 g (96　mmol); 이론치의 81%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00106
Figure pct00107
m) 고리화
Figure pct00108
화합물 c 41.5 g (102 mmol), 탄산 칼륨 56 g (409 mmol), 트리시클로헥실포스핀 테트라플루오로보레이트 4.5 g (12 mmol) 및 팔라듐(II) 아세테이트 1.38 g (6 mmol) 을 디메틸아세트아마이드 500 ml에 현탁시키고 6시간 동안 환류하에 교반한다. 냉각 후, 300 ml의 물 및 400 ml의 디클로로메탄을 반응 혼합물에 첨가한다. 혼합물을 추가로 30 min 동안 교반하고, 유기 상을 분리하고, 짧은 셀라이트 층을 통해 여과한 후, 용매를 진공에서 제거한다. 조 생성물을 고온 톨루엔으로 추출하고 톨루엔으로부터 재결정화한다. 생성물을 베이지 고체로서 단리한다. 수율: 27.5 g (64 mmol); 이론치의 74%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00109
Figure pct00110
n) 스즈키 커플링
Figure pct00111
물 200 ml와 THF 200 ml의 혼합물에서, 화합물 d 43 g (92 mmol), 2-니트로페닐보론산 153 g (92 mmol) 및 탄산 칼륨 33.2 g (106　mmol) 의 격렬하게 교반되고 탈기된 현탁액에 Pd(PPh3)4 0.85 g (0.74　mmol) 을 첨가하고, 혼합물을 17시간 동안 환류하에 가열한다. 냉각 후, 유기상을 분리하고, 200 ml의 물로 3회 세척하고, 200 ml의 포화 염화 나트륨 수용액으로 한 번 세척하고, 황산 그네슘 상에서 건조시키고, 회전 증발기에서 증발 건조시킨다. 회색 잔류물을 헥산으로부터 재결정화한다. 침전된 결정들을 흡인 여과하고, 소량의 MeOH 로 세척하고 진공에서 건조시킨다. 수율: 35.5 g (76.5　mmol); 이론치의 91%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00112
Figure pct00113
Figure pct00114
Figure pct00115
o) 카르바졸 합성
Figure pct00116
화합물 n 111 g (240 mmol) 및 트리에틸 포스파이트 290.3 ml (1.7 mol) 의 혼합물을 12시간 동안 환류 하에 가열한다. 남아있는 트리에틸 포스파이트를 후속적으로 증류시킨다 (72-76℃ / 9 mm Hg). 물/MeOH (1:1) 을 잔류물에 첨가하고, 고체를 여과 제거하고, 재결정화한다. 수율: 75 g (175 mmol); 이론치의 73%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00117
Figure pct00118
Figure pct00119
p) 친핵성 치환
Figure pct00120
NaH (미네랄 오일 중 60%, 106 mmol) 4.2 g 를 보호 분위기 하에 300 ml 의 디메틸포름아미드에 용해시킨다. 54.4 g (106 mmol) 의 화합물 f 를 250 ml 의 DMF 에 용해시키고, 반응 혼합물에 적가한다. 실온에서 1 시간 후, 200 ml 의 THF 중 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 (34.5 g, 0.122 mol) 의 용액을 적가한다. 반응 혼합물을 실온에서 12 시간 동안 교반하고, 그 후 얼음 상에 붓는다. 실온으로 가온시킨 후에, 침전된 고체를 여과하고, 에탄올 및 헵탄으로 세척한다. 잔류물을 고온 톨루엔으로 추출하고, 톨루엔 / n-헵탄으로부터 재결정하고, 최종적으로 고 진공에서 승화시킨다. 순도는 99.9% 이다. 수율: 44 g (66　mmol); 이론치의 63%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00121
Figure pct00122
Figure pct00123
Figure pct00124
Figure pct00125
Figure pct00126
Figure pct00127
q) 부흐발트 커플링
Figure pct00128
21.4 g (50 mmol) 의 화합물 f 및 8.4 g (54 mmol) 의 브로모벤젠을 400 ml 의 톨루엔에 아르곤 분위기 하에 용해시킨다. 1.0 g (5　mmol) 의 트리-tert-부틸포스핀을 첨가하고, 아르곤 분위기 하에 교반한다. 0.6 g (2 mmol) 의 Pd(OAc)2 를 첨가하고, 아르곤 분위기 하에 교반한 다음, 9.5 g (99 mmol) 의 나트륨 tert-부톡사이드를 첨가한다. 반응 혼합물을 24 시간 동안 환류하에 교반한다. 냉각 후, 유기 상을 분리하고, 200　ml 의 물로 3 회 세척하고, MgSO4 상에서 건조시키고, 여과하고, 용매를 진공에서 제거한다. 잔류물을 실리카 겔 상에서 컬럼 크로마토그래피 (용리액: DCM/헵탄 (1:3)) 에 의해 정제하고, 고온 톨루엔으로 추출하고, 톨루엔/n-헵탄으로부터 재결정화하고, 최종적으로 고진공에서 승화시킨다. 수율: 22.7 g (45 mmol); 이론치의 90%.
유사하게, 하기 화합물을 수득한다:
Figure pct00129
Figure pct00130
Figure pct00131
r) 브롬화
Figure pct00132
5,10-디히드로-5-페닐-10-(4-페닐-2-퀴나졸리닐)-카르바졸로[3,4-c]카르바졸 111.3 g (190 mmol) 을 1800 ml의 DMF에 현탁한다. 이 현탁액에 34 g (190　mmol) 의 NBS을 나누어 첨가하고 2시간 동안 암실에서 교반한다. 그후 물/얼음을 첨가하고, 고체를 분리해내고 에탄올로 린싱한다. 이성질체는 재결정에 의해 분리된다. 수율은 82 g (123 mmol); 이론치의 65% 이다.
유사하게 하기 화합물을 제조한다:
Figure pct00133
Figure pct00134
OLED 의 제조
본 발명에 따른 재료의 OLED 에서의 사용은 하기 실시예 E1 내지 E11 에 제시되어 있다 (표 1 참조).
실시예 E1-E11 을 위한 전처리: 두께 50nm의 구조화된 ITO (인듐 주석 산화물) 로 코팅된 유리 플라크를 코팅 이전에 산소 플라즈마로 처리한 후, 아르곤 플라즈마로 처리한다. 이들 플라즈마 처리된 유리 플레이트는, OLED들이 적용되는 기판들을 형성한다.
OLED 는 원칙적으로 하기의 층 구조를 갖는다: 기판 / 정공-주입층 (HIL) / 정공-수송층 (HTL) / 전자 차단층 (EBL) / 방출 층 (EML) / 선택적 정공-차단층 (HBL) / 전자-수송층 (ETL) / 선택적 전자-주입층 (EIL) 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 정확한 구조를 표 1 에 나타낸다. OLED 의 제조에 필요한 재료는 표 2 에 나타낸다. OLED 의 데이터가 표 3 에 나열되어 있다.
모든 재료는 진공 챔버에서 열 증착으로 공급된다. 방출층은 여기서 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 방출 도펀트 (에미터) 로 이루어지며, 이는 동시 증발에 의해 특정 부피비로 매트릭스 재료 또는 매트릭스 재료들과 혼합된다. EG1:IC2:TER5 (55%:35%:10%) 와 같은 표현은 여기서, 재료 EG1 이 층에 55% 의 부피비로 존재하고, IC2 이 층에 35% 의 부피비로 존재하고, TER5 이 층에 10% 의 부피비로 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED 는 표준 방법에 의해 특성화된다. 이 목적을 위해, 전계발광 스펙트럼, 전류/전압 특징선 및 수명이 결정된다. 전계발광 스펙트럼은 1000 cd/㎡ 의 휘도에서 결정되고, CIE 1931 x 및 y 색 좌표가 그로부터 계산된다. 표 3 에서의 용어 U1000 은 1000 cd/㎡ 의 휘도에 필요한 전압을 나타낸다. 수명 LT 는, 일정한 전류 밀도 j0 에서의 동작시 휘도가 초기 휘도에서 특정한 비율 L1 로 하락한 후의 시간으로 정의된다. 표 3 에서의 L1=95% 의 표현은 휘도가 그 초기 값의 95%까지 떨어진 후의 시간에 LT 컬럼에 나타낸 수명이 대응하는 것을 의미한다.
OLED 에서의 본 발명에 따른 재료의 사용
본 발명에 따른 재료 EG1 내지 EG7 은 인광 적색 OLED의 방출 층에서 매트릭스 재료로서 실시예 E1 내지 E11 에서 채용된다. 이들 화합물의 특별한 이점은 비교적 낮은 사용 전압, 및 긴 수명이며, 이는 본 경우에 EG1과 IC3의 혼합물 중의 본 발명에 따른 재료와 코-매트릭스의 혼합물 중에서 다시 상당히 연장될 수 있다.
표 1: OLED 의 구조
Figure pct00135
표 2: OLED용 재료의 구조 화학식
Figure pct00136
Figure pct00137
Figure pct00138
표 3: OLED 의 데이터
Figure pct00139
실시예 E1 및 E2와 유사한 구조를 갖는 디바이스에서 합성예에 기재된 다른 화합물로 필적하는 결과가 수득된다.

Claims (15)

  1. 화학식 (1) 의 화합물로서,
    Figure pct00140

    식에서 사용된 기호에 다음이 적용되고:
    X 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, CR 또는 N이거나, 2개의 인접한 X는 하기 화학식 (2) 의 기를 나타내고,
    Figure pct00141

    여기서 점선 결합은 화학식 (1)에서 이러한 기의 연결을 나타내고, 단 화학식 (1) 의 화합물은 화학식 (2) 의 하나 또는 두 개의 기를 함유하고;
    X1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게 CR 또는 N 이고;
    Y 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게 CR 또는 N 이고;
    Z1 Z2, Z3 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, O, S, N-Ar 또는 CR2이고;
    Ar 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
    R 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, N(Ar')2, N(R1)2, OAr', SAr', CN, NO2, OR1, SR1, COOR1, C(=O)N(R1)2, Si(R1)3, B(OR1)2, C(=O)R1, P(=O)(R1)2, S(=O)R1, S(=O)2R1, OSO2R1, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 (여기서 알킬, 알케닐 또는 알키닐기는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R1 에 의해 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접한 CH2 기는 Si(R1)2, C=O, NR1, O, S 또는 CONR1 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는, 바람직하게 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R1 에 의해 치환될 수 있음) 이고; 2 개의 라디칼 R 은 또한 서로와 함께 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
    Ar' 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
    R1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, NO2, OR2, SR2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬 기 또는 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 Si(R2)2, C=O, NR2, O, S 또는 CONR2 로 대체될 수도 있고, 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기에서의 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 으로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 2개 이상의 라디칼 R1 은 서로와 함께 지방족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
    R2 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN 또는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 유기 라디칼, 특히 탄화수소 라디칼 (여기서 또한 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있음) 인, 화합물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    화학식 (3) 내지 (8) 의 화합물 중에서 선택되고,
    Figure pct00142

    Figure pct00143

    식에서 사용된 기호는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는, 화합물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 화합물은 화학식 (2) 의 정확하게 하나의 기를 함유하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학식 (2) 의 기는 화학식 (2a) 의 기를 나타내고,
    Figure pct00144

    식에서 사용된 기호는 제 1 항에 주어진 의미를 가지며 라디칼 R 은 서로와 함께 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학식 (3a) 내지 (8a) 의 구조로부터 선택되고,
    Figure pct00145

    식에서 사용된 기호는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는, 화합물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학식 (3b) 내지 (8b) 의 구조로부터 선택되고,
    Figure pct00146

    식에서 사용된 기호는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는, 화합물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Z1 및 Z2는 동일하게 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기호 Z1, Z2 및/또는 Z3 중 적어도 하나는 N-Ar을 나타내는 것을 특징으로 하는 화합물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학식 (3d) 내지 (8d) 의 구조로부터 선택되고,
    Figure pct00147

    Figure pct00148

    식에서 사용된 기호는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는, 화합물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학식 (3e) 내지 (8e) 의 구조로부터 선택되고,
    Figure pct00149

    Figure pct00150

    식에서 사용된 기호는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는, 화합물.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물 및/또는 용매를 포함하는, 포뮬레이션.
  12. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 화합물의 전자 디바이스에서의 용도.
  13. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 화합물을 포함하는, 전자 디바이스.
  14. 제 13 항에 있어서,
    전자 디바이스는 유기 전계발광 디바이스이고, 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 화합물은 인광 에미터용 또는 TADF를 나타내는 에미터용 매트릭스 재료로서 방출층에서, 및/또는 형광 에미터로서 방출층에서, 및/또는 전자-수송층에서 및/또는 정공-차단층에서 및/또는 정공-수송층에서 및/또는 여기자-차단층에서 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  15. 제 14 항에 있어서,
    제 1 항 내지 제 10 항 중 하나 이상에 따른 화합물은 추가 매트릭스 재료와 조합하여 인광 에미터용 매트릭스 재료로서 채용되고, 여기서 상기 추가 매트릭스 재료는 비스카르바졸, 가교된 카르바졸, 트리아릴아민, 디벤조푸란-카르바졸 유도체, 디벤조푸란-아민 유도체, 카르바졸아민, 인데노카르바졸 및 인돌로카르바졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
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