TWI748557B - 化合物與有機電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明關於某些茀類、關於該等化合物於電子裝置之用途、及關於一種包含至少一種此等化合物之電子裝置。本發明此外關於一種製備該等化合物之方法及關於包含一或多種該等化合物之調配物和組成物。

Description

化合物與有機電子裝置
本發明關於新穎有機化合物、該等化合物於電致發光裝置之用途、及關於一種包含至少一種此等化合物之電致發光裝置。本發明此外關於一種製備該等化合物之方法及關於包含至少一種該等化合物之調配物和組成物。
用於電子裝置之功能化合物的開發是目前深入研究的課題。在此目的特別為：開發可用其達成改良電致發光裝置之一或多個相關方面的性質(諸如，例如發光的功率效率、壽命或色坐標)之化合物。
根據本發明，術語電致發光裝置尤其是表示有機發光電晶體(OLET)、有機場淬熄裝置(field-quench devices)(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC、LEC或LEEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和有機發光二極體(OLED)。
特感興趣者為：提供用於最後提及之所謂OLED的電子裝置之化合物。OLED的一般結構和功能原理為熟習該 項技術者已知且尤其揭示於例如US 4539507、US 5151629、EP 0676461及WO 1998/27136中。
仍然需要有關OLED(特別是有關廣泛的商業用途，例如於顯示裝置或作為光源)之性能數據的進一步改良。在此方面特別重要的是所達成之OLED的壽命、效率和操作電壓及色值。此外，對於用作電子裝置中的功能材料，理想的是：該等化合物具有高熱穩定性和高玻璃轉移溫度且昇華而不分解。
在此方面，特別是，有需要替代性電洞傳輸材料。在根據先前技術之電洞傳輸材料中，電壓通常會隨著電洞傳輸層之層厚度增加。實際上，電洞傳輸層之層厚度較厚經常是想要的，但此往往具有較高工作電壓和不良性能數據的結果。在此方面，有需要具有高電荷-載子遷移率之新穎電洞傳輸材料，其確保能夠達成較厚的電洞傳輸層且工作電壓只略增加。
先前技術揭示各種茀類作為電子和電致發光裝置中的電荷傳輸材料之用途。
JP 3824385 B2揭示經二苯並呋喃類或咔唑類取代之2-和7-取代之茀類。
US 2012/20012832揭示經縮合芳族基團取代之茀類。
WO 2004/020387揭示於2位置經胺基基團取代之茀類，其中該胺基基團在各情況下本身經一個苯基基團取代。
JP 05-303221揭示2-和4-取代之茀類作為光敏性化合 物的用途。在此沒有揭示在電致發光裝置(諸如OLED或OLEC)之用途。
儘管已知化合物，但仍然存在需要用於OLED中之新穎電洞傳輸和電洞注入材料。特別地，有需要可用其達成上述很想要的性能數據和OLED之性質的改良之材料。
同樣需要用於OLED和其他電子裝置中的新穎基質材料。特別地，有需要用於磷光摻雜劑的基質材料和用於混合基質系統的基質材料，其較佳地導致電子裝置的良好效率、長壽命和低工作電壓。
本發明因此係根據提供電致發光裝置和適合使用於電致發光裝置(諸如，例如OLED)且其可使用(特別是)作為電洞傳輸材料及/或作為電洞注入材料及/或作為基質材料的化合物之目的。
作為本發明之部分，令人驚訝地已發現：下示式(1)化合物係非常適合於上述在電致發光裝置之用途。
本發明因此關於電致發光裝置，其包含至少一種式(1)化合物
Figure 109123761-A0202-12-0003-2
其中下列適用於所使用的符號及指標：Ar1、Ar2
在每次出現時相同或不同地為具有10至60個芳族環原子之芳族或雜芳族基團，其可經一或多個基團R4取代，彼等彼此為相同或不同，其中二個基團Ar1和Ar2各含有至少二或多個芳族或雜芳族環；R1
在每次出現時相同或不同地為H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3、NO2、P(=O)(R5)2、S(=O)R5、S(=O)2R5、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個C原子之烯基或炔基，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個CH2基團可經-R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2、C=O、C=S、C=NR5、-C(=O)O-、-C(=O)NR5-、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2置換及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換、或具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代、或具有9至30個環原子之縮合環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中，在芳族或雜芳族縮合環的情況下，可存在不超過10個環原子；兩個基團R1也可彼此形成閉環，從而形成螺環化合物，其中沒有芳族或 雜芳族環縮合於由兩個基團R1所形成之環上；R2、R3和R4
在每次出現時相同或不同地為H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3、NO2、P(=O)(R5)2、S(=O)R5、S(=O)2R5、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個C原子之烯基或炔基，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個CH2基團可經-R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2、C=O、C=S、C=NR5、-C(=O)O-、-C(=O)NR5-、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2置換及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換、或具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代；R5 在每次出現時相同或不同地為H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R6、CN、Si(R6)3、NO2、P(=O)(R6)2、S(=O)R6、S(=O)2R6、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個C原子之烯基或炔基，其中上述基團各可經一或多個基團R6取代及其中在上述基團中之一或多個CH2基團可經-R6C=CR6-、-C≡C-、Si(R6)2、C=O、C=S、C=NR6、-C(=O)O-、-C(=O)NR6-、P(=O)(R6)、-O-、 -S-、SO或SO2置換及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換、或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R6取代、或具有5至30個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基基團，其可經一或多個基團R6取代；R6 在每次出現時相同或不同地為H、D、F或具有1至20個C原子之脂族、芳族或雜芳族有機基團，此外，其中一或多個H原子可經D或F置換；n 為0、1、2、3或4；m 為0、1、2或3；
其先決條件為該式(1)化合物，除了茀基團之外和除了在茀之9位置的可能縮合或多環基團之外，不包含其他多環或縮合基團。
茀上的編號定義如下。
Figure 109123761-A0202-12-0006-3
較佳者為一種電致發光裝置，其包含至少一種式(1)化合物，其中兩個基團R1為相同。
較佳者為該電致發光裝置包含至少一種式(1)化合物，其特徵在於m等於1或0，非常佳地m等於0。
此外較佳者為該電致發光裝置包含至少一種式(1)化 合物，其特徵在於n等於2、1或0，非常佳地n等於0或1。
式(1)化合物較佳係選自式(2)之化合物，
Figure 109123761-A0202-12-0007-4
 其中該等符號係如上所示定義。
最佳者為一種式(2)之化合物，其中兩個基團R1為相同。
在本發明之再一較佳實施例中，該電致發光裝置包含至少一種式(3)之化合物，其中此外較佳者為其中基團R1為相同的式(3)之化合物。
Figure 109123761-A0202-12-0007-5
在本發明之一非較佳實施例中，R2等於H或具有1至20個C原子之直鏈烷基基團或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基基團，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換、或具有6至30個芳 族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代。
R2特佳地等於H或具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代。
在一非常特佳之實施例中，該電致發光裝置包含至少一種式(3)之化合物，其中R2等於H和二個R1彼此相同或不同地，較佳相同地為具有6至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代。
式(1)至(3)中之R2尤佳地等於苯基、聯苯、聯三苯或聯四苯，其各自可經一或多個基團R5取代，其中此外較佳者為此等未經取代，或為H。
在進一步非常特佳實施例中，該電致發光裝置包含至少一種(3)之化合物式，其中R2為具有6至30個芳族環原子之芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，和R1彼此相同或不同地，較佳相同地為具有1至20個C原子之直鏈烷基基團或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基基團，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換。
此外較佳者為該電致發光裝置包含至少一種式(4)之化合物，
Figure 109123761-A0202-12-0009-6
其中X在每次出現時相同或不同地為N或CR4，其中每環只有3個基團X可為N。非常佳者為式(4)中之X等於CR4，其中上述定義適用於基團R1、R2和R4。
較佳基團Ar1和Ar2係選自具有下表中所示之式(5)至(60)的基團，其中該等基團可如上述所指示經一或多個基團R4取代，彼等彼此為相同或不同；
Figure 109123761-A0202-12-0009-7
Figure 109123761-A0202-12-0010-8
Figure 109123761-A0202-12-0011-9
Figure 109123761-A0202-12-0012-10
Figure 109123761-A0202-12-0013-11
就本發明的意義而言較佳者為一種電致發光裝置，其包含至少一種式(1)化合物，其中Ar1和Ar2只含芳族環，而不含雜芳族環。
Ar1和Ar2特佳相同或不同地為聯苯、聯三苯或聯四 苯，其各自可經一或多個基團R4取代，其中此外較佳者為此等未經取代。
在本發明之再一非常佳實施例中，在式(1)化合物中，兩個基團R1
為相同且係選自具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換、或具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代、或具有9至30個環原子之縮合環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中，在芳族或雜芳族縮合環的情況下，可存在不超過10個環原子；兩個基團R1也可彼此形成閉環，從而形成螺環化合物，其中沒有芳族或雜芳族環縮合於由兩個基團R1所形成之環上；n 等於1和基團R2係在茀之7位置；m 等於0；R2 等於具有1至20個C原子之烷基基團或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基基團、吡啶基、苯基、聯苯、聯三苯或聯四苯基團，其中該等基團可經一或多個基團R5取代，其中此外較佳者為該芳族或雜芳族基團未經取代，或等於H； Ar1和Ar2
為相同或不同且係選自聯苯、聯三苯和聯四苯，其各自可經一或多個基團R4取代，其中此外較佳者為此等未經取代。
在本發明之再一非常佳實施例中，在式(1)化合物中，兩個基團R1
為相同且係選自具有1至20個C原子之直鏈烷基基團或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基基團，其中該基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換；n 等於1和基團R2係在茀之7位置；m 等於0；R2 等於H或具有1至20個C原子之烷基基團或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基基團，其中該基團可經一或多個基團R5取代，其中R2較佳地等於H；Ar1和Ar2
為相同或不同且係選自聯苯、聯三苯和聯四苯，其各自可經一或多個基團R4取代，其中此外較佳者為此等未經取代。
在本發明之再一非常佳實施例中，在式(1)化合物中，兩個基團R1
為相同且係選自具有1至20個C原子之直鏈烷基基團或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基基團，其中該基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換；n 等於1和基團R2係在茀之7位置；m 等於0；R2 等於吡啶基、苯基、聯苯、聯三苯或聯四苯基團，其中該基團可經一或多個基團R5取代，其中此外較佳者為芳族或雜芳族基團未經取代；Ar1和Ar2
為相同或不同且係選自聯苯、聯三苯和聯四苯，其各自可經一或多個基團R4取代，其中此外較佳者為此等未經取代。
在本發明之再一非常佳實施例中，在式(1)化合物中，兩個基團R1
為相同且係選自具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代、或具有9至30個環原子之縮合環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中，在芳族或雜芳族縮合環的情況下，可存在不超過10個環原子；n 等於1和基團R2係係在茀之7位置； m 等於0；R2 等於具有1至20個C原子之烷基基團或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基基團、吡啶基、苯基、聯苯、聯三苯或聯四苯基團，其中該等基團可經一或多個基團R5取代，其中此外較佳者為芳族或雜芳族基團未經取代，或等於H，其中R2較佳地等於H；Ar1和Ar2
為相同或不同且係選自聯苯、聯三苯和聯四苯，其各自可經一或多個基團R4取代，其中此外較佳者為此等未經取代。
就本發明的意義而言此外較佳者為一種電致發光裝置，其包含至少一種式(1)化合物，該化合物除了一個茀基團之外，不包含其他多環或縮合基團。
根據本發明之化合物可藉由熟習該項技術者從先前技術得知的方法合成。該製備可(例如)利用鹵化、Buchwald偶合和Suzuki偶合進行。
下列流程顯示一種製備根據本發明式(1)化合物之較佳合成路徑。關於根據本發明之化合物的合成，使茀化合物A與式Ar1-NH-Ar2之胺B在Buchwald偶合中反應
Figure 109123761-A0202-12-0017-13
製備根據本發明化合物之另一較佳合成路徑係描述於下列流程中。化合物C中之羧酸酯基團係藉由烷基-或芳基-金屬化合物(例如烷基-或芳基鋰化合物或烷基-或芳基-格任亞化合物)之加成反應轉化成對應醇D。該醇可以在酸性條件下環化以產生化合物E。最後，進行與式Ar1-NH-Ar2之胺B的Buchwald偶合
Figure 109123761-A0202-12-0018-14
下列流程顯示製備根據本發明化合物之另一較佳合成路徑。為此目的，茀A係與式Ar3-B(OH)2之硼酸F在Suzuki偶合中反應。使用(例如)溴使所得化合溴化，接著與式Ar1-NH-Ar2之胺的Buchwald偶合產生對應根據本發明之化合物。
Figure 109123761-A0202-12-0019-15
使用於合成根據本發明之化合物的起始化合物A、B和C之合成路徑為熟習該項技術者已知的。此外，一些明確的合成方法係詳細描述於實施例中。
較佳偶合反應在此為Buchwald偶合。
上述化合物，特別是經反應性脫離基(諸如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯)取代之化合物可用作製備對應寡聚物、樹枝狀聚合物或聚合物之單體。寡聚作用或聚合作用在此較佳地經由鹵素官能性或硼酸官能性進行。
使用於根據本發明之電致發光裝置中的較佳化合物係以舉例方式顯示於下列表中。
Figure 109123761-A0202-12-0020-16
Figure 109123761-A0202-12-0021-17
Figure 109123761-A0202-12-0022-18
Figure 109123761-A0202-12-0023-19
Figure 109123761-A0202-12-0024-20
Figure 109123761-A0202-12-0025-21
Figure 109123761-A0202-12-0026-22
Figure 109123761-A0202-12-0027-23
Figure 109123761-A0202-12-0028-24
Figure 109123761-A0202-12-0029-25
Figure 109123761-A0202-12-0030-26
Figure 109123761-A0202-12-0031-27
Figure 109123761-A0202-12-0032-28
Figure 109123761-A0202-12-0033-29
Figure 109123761-A0202-12-0034-30
本發明也關於通式(167)之化合物
Figure 109123761-A0202-12-0034-31
其中下列適用於式(167)中所使用的符號：Ar3、Ar4
在每次出現時相同或不同地為具有10至60個環原子之芳族或雜芳族環系統，其可經一或多個基團R5取代，彼等彼此為相同或不同，其中二個基團Ar3和 Ar4各含有至少二或多個芳族或雜芳族環，較佳地芳族環；R7 在每次出現時為相同且係選自由下列所組成之群組：具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個C原子之烯基或炔基，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、CN或NO2置換、或具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中R5係如上述所定義、或具有9至30個環原子之縮合環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中，在芳族或雜芳族縮合環的情況下，縮合環系統中可存在不超過10個環原子；兩個基團R7也可彼此形成閉環，從而形成螺環化合物，其中沒有芳族或雜芳族環縮合於由兩個基團R7所形成之環上，且其中，若R7為直鏈或支鏈烷基基團，則R8為具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，及其中R5係如上述所定義；R8 為H、D或具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中R5係如上述所定義且其中，若R8等於H，則R7為具有6至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統， 其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中R5係如上述所定義；a 為1、2、3或4，較佳地1或2，非常佳地1；
其先決條件為式(167)之化合物，除了茀基團之外和除了在茀之9位置的可能縮合或多環基團之外，不包含其他多環或縮合基團
及其先決條件為該化合物不含鹵素。
較佳者為式(167)之化合物除了一個茀基團之外不含其他多環或縮合基團。
其中a=1和R8係在茀之7位置的式(167)之化合物為較佳，即式(168)之化合物
Figure 109123761-A0202-12-0036-32
特佳者為式(167)和(168)之化合物，其中下列適用於所使用之符號：Ar3、Ar4
在每次出現時相同或不同地選自聯苯、聯三苯和聯四苯，其各自可經一或多個基團R5取代，其中此外較佳者為此等未經取代；R7 在每次出現時為相同且係選自具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個 基團R5取代，其中R5係如上示所定義，或具有9至30個環原子之縮合環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中，在芳族或雜芳族縮合環的情況下，縮合環系統中可存在不超過10個環原子；
其先決條件為式(168)之化合物，除了茀基團之外和除了在茀之9位置的可能縮合或多環基團之外，不包含其他多環或縮合基團
及其先決條件為該化合物不含鹵素。
式(167)之另外較佳化合物為彼等通式(169)之化合物
Figure 109123761-A0202-12-0037-33
其中X在每次出現時相同或不同地為N或CR5及R5、Ar3和Ar4係如上示所定義。較佳者為式(169)中之X等於CR5。
式(169)中之Ar1和Ar3在每次出現時較佳相同或不同地選自聯苯、聯三苯和聯四苯，其各自可經一或多個基團R5取代，其中此外較佳者為此等未經取代。
最佳者為式(170)之化合物
Figure 109123761-A0202-12-0038-34
式(170)中之Ar1和Ar3在每次出現時較佳相同或不同地選自聯苯、聯三苯和聯四苯，其各自可經一或多個基團R5取代，其中此外較佳者為此等未經取代。
在本發明之進一步較佳實施例中，該化合物係選自通式(171)
Figure 109123761-A0202-12-0038-35
其中上述定義適用於所使用之符號。
式(171)中之Ar1和Ar3在每次出現時較佳相同或不同地選自聯苯、聯三苯和聯四苯，其各自可經一或多個基團R5取代，其中此外較佳者為此等未經取代。
式(5)之另外較佳化合物為式(172)之化合物
Figure 109123761-A0202-12-0038-36
其中下列適用於所使用之符號：X 在每次出現時相同或不同地為N或CR5和較佳為CR5，和R5係如上示所定義；R7 為具有1至20個C原子之直鏈烷基基團或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基基團，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、CN或NO2置換，其中兩個基團R7也可彼此形成閉環，從而形成螺環化合物，其中沒有芳族或雜芳族環縮合於由兩個基團R7所形成之環上；
及其中Ar3和Ar4係如上示所定義。
式(172)中之Ar1和Ar3在每次出現時較佳相同或不同地選自聯苯、聯三苯和聯四苯，其各自可經一或多個基團R5取代，其中此外較佳者為此等未經取代。
在本發明之再一較佳實施例中，該化合物係選自通式(173)
Figure 109123761-A0202-12-0039-37
其中下列適用於所使用之符號：R7 為具有1至20個C原子之直鏈烷基基團或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基基團，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之 一或多個H原子可經D、CN或NO2置換，其中兩個基團R7也可彼此形成閉環，從而形成螺環化合物，其中沒有芳族或雜芳族環縮合於由兩個基團R7所形成之環上。
式(173)中之Ar1和Ar3在每次出現時較佳相同或不同地選自聯苯、聯三苯和聯四苯，其各自可經一或多個基團R5取代，其中此外較佳者為此等未經取代。
非常特佳者為下列以舉例方式顯示的式(174)至(236)之化合物：
Figure 109123761-A0202-12-0040-38
Figure 109123761-A0202-12-0041-39
Figure 109123761-A0202-12-0042-40
Figure 109123761-A0202-12-0043-41
Figure 109123761-A0202-12-0044-42
Figure 109123761-A0202-12-0045-43
Figure 109123761-A0202-12-0046-44
Figure 109123761-A0202-12-0047-45
Figure 109123761-A0202-12-0048-46
根據本發明之化合物可以與電子裝置中所使用的有機功能材料之組成物使用。熟習該項技術者從先前技術已知許多可能的有機功能材料。本發明因此也關於一種組成物，其包含一或多種根據本發明之式(167)化合物和至少一種選自由下列所組成群組之其他有機功能材料：螢光發光體、磷光發光體、主體材料、基質材料、電子傳輸材料、電子注入材料、電洞導體材料、電洞注入材料、電子 阻擋材料及電洞阻擋材料。
為了從液相加工根據本發明之化合物，例如藉由旋轉塗佈或藉由印刷法，根據本發明化合物之調配物是必要的。此等調配物可為(例如)溶液、分散液或迷你乳液。較佳者可為使用二或多種用於此目的之溶劑的混合物。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、茴香醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、二甲基茴香醚、三甲苯、四氫萘、藜蘆素(veratrol)、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二噁烷或這些溶劑的混合物。
本發明因此另外關於一種調配物(特別是溶液、分散液或迷你乳液)，其包含至少一種式(167)化合物或至少一種含有至少一個式(167)之單元的聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物和至少一種溶劑，較佳地有機溶劑。可製備此類型之溶液的方式為熟習該項技術者已知且說明於例如WO 2002/072714、WO 2003/019694及其中所引述之文獻中。
根據本發明之化合物適合使用於電子裝置中，特別是使用於有機電致發光裝置(例如OLED或OLEC)中。取決於取代作用，該等化合物係用於不同的功能及層中。
本發明因此另外關於式(167)化合物在電子裝置中的用途，及關於包含一或多種式(167)化合物之電子裝置本身。該等電子裝置在此較佳地係選自由下列所組成之群組：有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學偵測器、有機光受體、有機場淬 冷裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-雷射)且特佳為有機電致發光裝置(OLED和OLEC)。
如上面已經說明的，本發明關於包含至少一種式(167)化合物之電子裝置。該等電子裝置在此較佳係選自上述裝置。特佳者為包含陽極、陰極和至少一種發光層之有機電致發光裝置(OLED)，其特徵在於至少一個有機層(其可為發光層、電洞傳輸層或另一層)包含至少一種式(167)化合物。
就本發明的意義而言芳基基團含有6至60個芳族環原子；雜芳基基團就本發明的意義而言含有5至60個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及S。此表示基本定義。如果在本發明的說明中指示其他較佳選項，例如，關於所存在之芳族環原子或雜原子的數量，則這些適用。
芳基基團或雜芳基基團在此表示簡單芳族環，也就是苯，或簡單雜芳族環，例如吡啶、嘧啶、噻吩、等等，或縮合(稠合(annellated))芳族或雜芳族多環，例如萘、菲、喹啉或咔唑。縮合(稠合)芳族或雜芳族多環就本申請案的意義而言由二或多個簡單芳族或雜芳族環彼此縮合而組成。
芳基或雜芳基基團，其在各情況下可經上述基團取代且可其經由任何所要位置連接到芳族或雜芳族環系統，表示(特別是)衍生自苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、
Figure 109123761-A0202-12-0050-87
、 苝、
Figure 109123761-A0202-12-0051-88
(fluoranthene)、苯並蒽、苯並菲、稠四苯、稠五苯、苯並芘、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、菲噻
Figure 109123761-A0202-12-0051-89
、菲噁
Figure 109123761-A0202-12-0051-90
、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘咪唑(naphthimidazole)、啡咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶咪唑(pyridimidazole)、吡
Figure 109123761-A0202-12-0051-91
咪唑(pyrazinimidazole)、喹噁啉咪唑(quinoxalinimidazole)、噁唑、苯並噁唑、萘噁唑(naphthoxazole)、蒽噁唑(anthroxazole)、菲噁唑(phenanthroxazole)、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、嗒
Figure 109123761-A0202-12-0051-92
、苯並嗒
Figure 109123761-A0202-12-0051-93
、嘧啶、苯並嘧啶、喹噁啉、吡
Figure 109123761-A0202-12-0051-94
、菲
Figure 109123761-A0202-12-0051-95
、
Figure 109123761-A0202-12-0051-97
啶、氮雜咔唑、苯並咔啉、菲啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三
Figure 109123761-A0202-12-0051-98
、1,2,4-三
Figure 109123761-A0202-12-0051-99
、1,2,3-三
Figure 109123761-A0202-12-0051-100
、四唑、1,2,4,5-四
Figure 109123761-A0202-12-0051-101
、1,2,3,4-四
Figure 109123761-A0202-12-0051-102
、1,2,3,5-四
Figure 109123761-A0202-12-0051-104
、嘌呤、蝶啶、吲
Figure 109123761-A0202-12-0051-105
及苯並噻二唑。
芳氧基根據本發明之定義表示如上所定義之芳基，其經由氧原子鍵結。類似定義適用於雜芳氧基。
芳族環系統就本發明的意義而言在環系統中含有6至60個C原子。雜芳族環系統就本發明的意義而言含有5至60個芳族環原子，其中至少一者為雜原子。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統就本發明的 意義而言意欲表示不一定只含有芳基或雜芳基，而是其中另外複數個芳基或雜芳基可以非芳族單元(較佳為少於10%非H之原子)，諸如(例如)sp3-混成之C、Si、N或O原子、sp2-混成之C或N原子或sp-混成之C原子連接的系統。因此(例如)系統諸如9,9’-螺雙茀、9,9’-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯、等等就本發明的意義而言亦意欲為芳族環系統，如其中二或多個芳基以例如直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或以矽基基團連接之系統。此外，其中二或多個芳基或雜芳基基團係經由單鍵彼此連結之系統就本發明的意義而言亦為芳族或雜芳族環系統，諸如(例如)系統諸如聯苯、三聯苯或二苯基三
Figure 109123761-A0202-12-0052-106
。
具有5-60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下也可經如上述所定義之基團取代且其可經由任何所要位置鍵聯連接至芳族或雜芳族基團，表示(特別是)衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、苯並蒽、菲、苯並菲、芘、
Figure 109123761-A0202-12-0052-107
、苝、
Figure 109123761-A0202-12-0052-109
(fluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯並芘、聯苯、聯伸二苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、聯伸三苯(terphenylene)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺二茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚並茀、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚並咔唑、茚並咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並- 7,8-喹啉、啡噻
Figure 109123761-A0202-12-0053-110
、啡噁
Figure 109123761-A0202-12-0053-111
、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘咪唑、菲咪唑、吡啶咪唑、吡
Figure 109123761-A0202-12-0053-113
咪唑、喹噁啉咪唑、噁唑、苯並噁唑、萘噁唑、蒽噁唑、菲噁唑、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、嗒
Figure 109123761-A0202-12-0053-114
、苯並嗒
Figure 109123761-A0202-12-0053-115
、嘧啶、苯並嘧啶、喹噁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡
Figure 109123761-A0202-12-0053-116
、啡
Figure 109123761-A0202-12-0053-117
、啡噁
Figure 109123761-A0202-12-0053-118
、啡噻
Figure 109123761-A0202-12-0053-119
、熒紅環(fluorubin)、
Figure 109123761-A0202-12-0053-120
啶、氮雜咔唑、苯並咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三
Figure 109123761-A0202-12-0053-121
、1,2,4-三
Figure 109123761-A0202-12-0053-122
、1,2,3-三
Figure 109123761-A0202-12-0053-123
、四唑、1,2,4,5-四
Figure 109123761-A0202-12-0053-124
、1,2,3,4-四
Figure 109123761-A0202-12-0053-125
、1,2,3,5-四
Figure 109123761-A0202-12-0053-126
、嘌呤、喋啶、吲
Figure 109123761-A0202-12-0053-127
和苯並噻二唑或這些基團的組合。
為了本發明之目的，具有1至40個C原子之直鏈烷基基團或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基基團或具有2至40個C原子之烯基或炔基基團，其中，除此之外，個別H原子或CH2基團可經上述在該等基團定義下之基團取代，較佳表示甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯 基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具有1至40個C原子之烷氧基或烷硫基(thioalkyl)基團較佳表示甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、第二戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、正戊硫基、第二戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。
上述式(1)化合物可經反應性脫離基(諸如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯)取代。此等可用作製備對應寡聚物、樹枝狀聚合物或聚合物之單體。適當反應性脫離基為(例如)溴、碘、氯、硼酸類、硼酸酯類、胺類、具有終端C-C雙鍵或C-C三鍵之烯基或炔基基團、環氧乙烷類、環氧丙烷類、進行環加成作用(例如1,3-偶極環加成作用)之基團，諸如(例如)二烯類或疊氮化物類、羧酸衍生物類、醇類和矽烷類。
此外本發明因此關於包含一或多種式(1)化合物的寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其中至聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物的鍵可定域在式(1)中的任何所欲之可能位置上。取決式(1)化合物的連結，化合物為寡聚物或聚合物側鏈的組分或主鏈的組分。寡聚物就本發明的意義而言表示從至少3個單體單元組成的化合物。聚合物就本發明的意義而言表示從至少10個單體單元組成的化合物。根據本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物可經共軛、部分共軛或非共軛。根據本發明之的寡聚物或聚合物可為直鏈、支鏈或樹枝狀。在以直鏈方式連結的結構中，式(1)之單元可彼此直接連結或彼等可經由二價基團(例如經由經取代或未經取代之伸烷基基團、經由雜原子或經由二價芳族或雜芳族基團)彼此連接。在支鏈及樹枝狀結構中，例如三或多種式(1)單元可經由三價或多價基團(例如經由三價或多價芳族或雜芳族基團)連結，形成支鏈或樹枝狀寡聚物或聚合物。
與上述式(1)化合物相同的較佳選擇適用於寡聚物、樹枝狀聚合物及聚合物中的式(1)之重複單元。
為了製備寡聚物或聚合物，根據本發明之單體係與另外的單體均聚合或共聚合。適當且較佳的共聚單體係選自茀類(例如根據EP 842208或WO 2000/22026)、螺二茀類(例如根據EP 707020、EP 894107或WO 2006/061181)、對-伸苯類(例如根據WO 1992/18552)、咔唑類(例如根據WO 2004/070772或WO 2004/113468)、噻吩類(例如根據 EP 1028136)、二氫菲類(例如根據WO 2005/014689或WO 2007/006383)、順-和反-茚並茀類(例如根據WO 2004/041901或WO 2004/113412)、酮類(例如根據WO 2005/040302)、菲類(例如根據WO 2005/104264或WO 2007/017066)、或這些單元之複數個。聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物通常也含有另外的單元，例如發光(螢光或磷光)單元，諸如，例如，乙烯基三芳胺類(例如根據WO 2007/068325)或磷光金屬錯合物(例如根據WO 2006/003000)、及/或電荷傳輸單元，特別是該等以三芳胺類為主者。
根據本發明之聚合物、寡聚物和樹枝狀聚合物具有有利的性質，特別是長壽命、高效率和良好色座標。
根據本發明之聚合物及寡聚物通常較佳係藉由聚合一或多種類型之單體而製備，其之至少一種單體產生聚合物中的式(1)之重複單元。適當聚合反應為熟習該項技術者已知且說明於文獻中。導致C-C或C-N連結之特別適合且較佳的聚合反應為下列：
(A)SUZUKI聚合作用；
(B)YAMAMOTO聚合作用；
(C)STILLE聚合作用；及
(D)HARTWIG-BUCHWALD聚合作用。
可以該等方法進行聚合作用的方式及接著可進行從反應介質分離且純化聚合物的方式為熟習該項技術者已知且詳細說明於文獻中，例如於WO 2003/048225、WO 2004/037887及WO 2004/037887中。
本發明因此亦關於一種製備根據本發明之聚合物、寡聚物及樹枝狀聚合物之方法，其特徵在於彼等係以SUZUKI聚合作用、YAMAMOTO聚合作用、STILLE聚合作用或HARTWIG-BUCHWALD聚合作用製備。根據本發明之樹枝狀聚合物可藉由熟習該項技術者已知的方法或類似於其之方法製備。適當方法係描述文獻中，諸如，例如在Frechet,Jean M.J.；Hawker,Craig J.,"Hyperbranched polyphenylene and hyperbranched polyesters：new soluble,three-dimensional,reactive polymers"，Reactive & Functional Polymers(1995)，26(1-3)，127-36；Janssen,H.M.；Meijer,E.W.，"The synthesis and characterization of dendritic molecules"，Materials Science and Technology(1999)，20(Synthesis of Polymers)，403-458；Tomalia，Donald A.，"Dendrimer molecules"，Scientific American(1995),272(5)，62-6；WO 2002/067343 A1和WO 2005/026144 A1中。
除了陰極、陽極及發光層以外，有機電致發光裝置亦可包含另外層。此等層在各情況下係選自例如一或多種電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、中間層、電荷產生層(IDMC 2003,Taiwan；Session 21 OLED(5),T.Matsumoto,T.Nakada,J.Endo,K.Mori,N.Kawamura,A.Yokoi,J.Kido,Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer)、及/或有機或無機p/n接面。然而，應指出該等層各層不一定必須存在且該等層的選擇總是取決於所使用之化合物及特別亦取決於電致裝置是否為螢光或磷光。
根據本發明之有機電致發光裝置可包含複數個發光層。此等發光層在此情況下特佳地總計具有複數個介於380奈米與750奈米之間的最大發光值，整體上導致發白光，亦即能夠螢光或磷光且發藍光或黃光或橘光或紅光的各種發光化合物係使用於發光層中。特佳者為三層系統，即具有三個發光層之系統，其中該三層呈現發藍光、綠光及橘光或紅光(基本結構參見例如WO 2005/011013)。根據本發明之化合物可存在於該等裝置中在電洞傳輸層、發光層及/或在另一層中。應當指出的是：為了產生白光，單獨使用的在很寬波長範圍內發射之發光體化合物也可適合地替代複數個發射顏色的發光體化合物。
根據本發明較佳者為式(1)化合物被用於包含一或多種磷光摻雜劑的電致發光裝置中。化合物在此可用於各種層中，較佳用於電洞傳輸層、電洞注入層或發光層中。然而，式(1)之化合物亦可根據本發明使用於包含一或多種螢光摻雜劑的電子裝置中。
術語磷光摻雜劑通常包括下述化合物，其中發光藉由自旋禁止躍遷(spin-forbidden transition)進行，例如從激發三重態或具有較高自旋量子數之狀態(例如五重態)的躍遷。
適當磷光摻雜劑(=三重態發光體)特別為在適當激發時發光(較佳在可見光區域內)且另外含有至少一種具有原子序大於20，較佳為大於38且少於84，特佳為大於56且少於80的原子之化合物。所使用之磷光發光體較佳為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，特別是含有銥、鉑或銅的化合物。
為了本發明，所有的發光銥、鉑或銅錯合物被視為磷光化合物。
上述發光體的例子係由申請案WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 2005/019373及US 2005/0258742披露。通常，根據先前技術用於磷光OLED且為熟習有機電致發光裝置領域之技術者已知的所有磷光錯合物皆適合。熟習該項技術者也將能夠在沒有創新步驟下將其他磷光錯合物與式(1)之化合物組合使用於有機電致發光裝置中。
適當磷光發光體化合物的明確例子另外係以下表揭示。
Figure 109123761-A0202-12-0060-47
Figure 109123761-A0202-12-0061-48
Figure 109123761-A0202-12-0062-49
Figure 109123761-A0202-12-0063-50
Figure 109123761-A0202-12-0064-51
Figure 109123761-A0202-12-0065-53
Figure 109123761-A0202-12-0066-54
Figure 109123761-A0202-12-0067-55
Figure 109123761-A0202-12-0068-56
Figure 109123761-A0202-12-0069-58
在本發明一較佳實施例中，式(1)或(167)之化合物係用作電洞傳輸材料。該等化合物然後較佳係使用於電洞傳輸層及/或於電洞注入層中。電洞注入層就本發明的意義而言為一種直接與陽極相鄰之層。電洞傳輸層就本發明的意義而言為一種位於電洞注入層和發光層之間的層。電洞傳輸層可直接與發光層相鄰。如果使用式(1)之化合物作為電洞傳輸材料或作為電洞注入材料，則彼等較佳摻雜電子受體化合物，例如摻雜F4-TCNQ或摻雜如EP 1476881或EP 1596445中所述之化合物。在本發明進一步較佳實施例中，式(1)化合物係如US 2007/0092755中所述與六氮雜聯伸三苯衍生物組合用作電洞傳輸材料。六氮雜聯伸三苯衍生物在此特佳地係使用於單獨層中。
若式式(1)或(167)化合物係用作為電洞傳輸層中的電洞傳輸材料，則該化合物可以純材料(即100%之比例)用 於該電洞傳輸層中或其可與一或多種其他化合物合併用於該電洞傳輸層中。
在本發明另外的實施例中，式(1)或(167)化合物係用作發光材料。為此目的，該等化合物較佳地係使用於發光層中。除至少一種式(1)或(167)化合物之外，發光層此外包含至少一種主體材料。熟習該項技術者將能夠在沒有困難且無需創新性下從已知的主體材料中選擇。
在本發明另外的實施例中，式(1)或(167)化合物係與一或多種摻雜劑(較佳為磷光摻雜劑)組合用作為基質材料。
在包含基質材料及摻雜劑的系統中之摻雜劑表示在混合物中之比例較低的成分。對應地，在包含基質材料及摻雜劑之系統中的基質材料意謂在混合物中之比例較高的成分。
在此情況下，在發光層中之基質材料比例就螢光層而言介於50.0與99.9體積%之間，較佳為介於80.0與99.5體積%之間，及特佳為介於92.0與99.5體積%之間，並就磷光層而言介於85.0與97.0體積%之間。
對應地，摻雜劑比例就螢光層而言介於0.1與50.0體積%之間，較佳為介於0.5與20.0體積%之間，及特佳為介於0.5與8.0體積%之間，並就磷光層而言介於3.0與15.0體積%之間。
有機電致發光裝置之發光層亦可包含含有複數種基質材料(混合基質系統)及/或複數種摻雜劑之系統。亦在此情 況下，摻雜劑通常為系統中比例較低的材料及基質材料為系統中比例較高的材料。然而，在個別的情況下，系統中的個別基質材料之比例可小於個別摻雜劑比例。
在本發明另外的較佳實施例中，式(1)或(167)之化合物係用作混合基質系統之成分。混合基質系統較佳地包含二或三種不同的基質材料，特佳包含兩種不同的基質材料。兩種基質材料之一者在此較佳為具有電洞傳輸性質之材料和其他材料為具有電子傳輸性質之材料。然而，所要之混合基質成分的電子傳輸和電洞傳輸性質也可以主要或完全地組合於單一混合基質成分，其中另外的混合基質成分滿足其他功能。兩種不同的基質材料在此可以1：50至1：1，較佳地1：20至1：1，特佳地1：10至1：1和非常特佳地1：4至1：1之比率存在。混合基質系統較佳係使用於磷光有機電致發光裝置中。關於混合基質系統之更精確資料給予於特別是申請案WO 2010/108579中。
混合基質系統可包含一或多種摻雜劑，較佳地一或多種磷光摻雜劑。通常，混合基質系統較佳係使用於磷光有機電致發光裝置中。
可與根據本發明之化合物組合用作混合基質系統之基質成分的特別適合之基質材料係選自用於下示磷光摻雜劑之較佳基質材料或用於螢光摻雜劑之較佳基質材料，取決於什麼類型的摻雜劑使用於混合基質系統中。
用於混合基質系統中之較佳磷光摻雜劑為上表中所示之磷光摻雜劑。
以相關功能較佳地使用於根據本發明之裝置中的材料係如下所示。
較佳螢光摻雜劑係選自芳基胺類之類別。芳基胺或芳族胺就本發明的意義而言表示含有三個經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統直接鍵結於氮之化合物。此等芳族或雜芳族環系統中之至少一者較佳為縮合環系統，特佳具有至少14個芳族環原子。其較佳例子為芳族蒽胺類、芳族蒽二胺類、芳族芘胺類、芳族芘二胺類、芳族
Figure 109123761-A0202-12-0072-128
胺類或芳族
Figure 109123761-A0202-12-0072-129
二胺類。芳族蒽胺表示其中一個二芳胺基與蒽基團直接鍵結(較佳地在9-位置上)之化合物。芳族蒽二胺表示其中兩個二芳胺基與蒽基團直接鍵結(較佳地在9,10-位置上)之化合物。芳族芘胺、芘二胺、
Figure 109123761-A0202-12-0072-130
胺及
Figure 109123761-A0202-12-0072-131
二胺係類似於其地定義，其中二芳胺基較佳地在1-位置或1,6-位置上與芘鍵結。
除了根據本發明化合物之外，較佳用於螢光摻雜劑之適當基質材料為選自各種類之物質的材料。較佳基質材料係選自寡伸芳基(oligoarylene)(例如根據EP 676461之2,2’,7,7’-肆苯基螺二茀或二萘蒽)，特別是含有縮合芳族基團之寡聚伸芳基(oligoarylene)、寡聚伸芳基伸乙烯基(oligoarylenevinylenes)(例如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi)、多牙(polypodal)金屬錯合物(例如根據WO 2004/081017)、電洞傳導化合物(例如根據WO 2004/058911)、電子傳導化合物，特別是酮類、氧化膦類、亞碸類、等等(例如根據WO 2005/084081和WO 2005/084082)、阻轉異構物(例如根據WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)或苯並蒽類(例如根據WO 2008/145239)之種類。特佳基質材料係選自包含萘、蒽、苯並蒽及/或芘或這些化合物的阻轉異構物之寡聚伸芳基類(oligoarylenes)、寡聚伸芳基伸乙烯基類(oligoarylenevinylenes)、酮類、氧化膦類和亞碸類之種類。非常特佳基質材料係選自包含蒽、苯並蒽、苯並菲及/或芘或這些化合物的阻轉異構物之寡聚伸芳基類的種類。寡聚伸芳基就本發明的意義而言意欲表示一種其中至少三個芳基或伸芳基基團彼此鍵結之化合物。
除了根據本發明化合物之外，用於螢光摻雜劑之較佳基質材料為芳族胺類(特別是三芳基胺，例如根據US 2005/0069729)、咔唑衍生物(例如CBP，N,N-雙咔唑基聯苯)或根據WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851之化合物)、橋聯咔唑衍生物(例如根據WO 2011/088877和WO 2011/128017)、吲哚並咔唑衍生物(例如根據WO 2010/136109和WO 2011/000455)、氮雜咔唑衍生物(例如，根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、吲哚並咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、酮類(例如根據WO 2004/093207或WO 2010/006680)、氧化膦類、亞碸類和碸類(例如根據WO 2005/003253)、寡聚苯基類、雙極性基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/111172)、氮雜硼烷或硼酸酯類(例如根據WO 2006/117052)、三
Figure 109123761-A0202-12-0074-132
衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、鋁錯合物(例如BAlq)、二氮雜矽唑(diazasilole)和四氮雜矽唑衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮雜磷唑(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)和鋁錯合物(例如BAlq)。
適當電荷傳輸材料，如可使用於根據本發明之有機電致發光裝置的電洞注入層或電洞傳輸層或電子傳輸層中，為(例如)在Y.Shirota等人之Chem.Rev.2007，107(4)，953-1010中所揭示之化合物或根據先前技術使用於該等層中之其他材料。
有機電致發光裝置之陰極較佳地包含具有低功函數之金屬、金屬合金或包含各種金屬(諸如，例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如，Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm、等等))的多層化結構。亦適當者為包含鹼金屬或鹼土金屬和銀之合金，例如包含鎂和銀之合金。在多層化結構的情況下，除了該等金屬以外，亦可使用其他具有較高功函數的金屬，諸如，例如Ag或Al，在該情況下通常使用金屬的組合，諸如，例如Ca/Ag、Mg/Ag或Ag/Ag。較佳者亦可為在金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。適合於此目者為(例如)鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，但亦為對應之氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、 CsF、Cs2CO3、等等)。再者，亦可為此目的使用喹啉酸鋰(LiQ)。此層的層厚度較佳為介於0.5與5nm之間。
陽極較佳地包含具有高功函數之材料。陽極較佳地具有相對於真空為大於4.5eV之功函數。適合於此目的的材料一方面為具有高還原氧化電位之金屬，諸如，例如Ag、Pt或Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極(例如，Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)亦可為較佳者。就一些應用而言，電極中之至少一者必須為透明或部分透明，以便促進有機材料的照射(有機太陽能電池)或光線的耦合輸出(OLED、O-雷射)。較佳陽極材料在此為導電性混合型金屬氧化物。特佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外較佳者為導電性摻雜型有機材料，特別為導電性摻雜型聚合物。
將該裝置適當地(視應用而定)結構化，配備有接點且最終密封，因為在水及/或空氣的存在下，根據本發明的裝置壽命會縮短。
在一較佳實施例中，根據本發明之有機電致發光裝置其特徵在於利用昇華方法塗佈一或多層，其中該等材料係於真空昇華單元中在低於10-5毫巴，較佳低於10-6毫巴之起始壓力下氣相沈積塗覆。然而，起始壓力在此也可能甚至更低，例如低於10-7毫巴。
同樣較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於利用OVPD(有機蒸氣相沉積)法或輔以載體-氣體昇華法塗覆一或多層，其中該等材料係在介於10-5毫巴與1巴之間的 壓力下塗覆。此方法的一特殊例子為OVJP(有機蒸氣噴射印刷)法，其中該等材料係經由噴嘴直接塗覆且因此結構化(例如，M.S.Arnold等人之Appl.Phys.Lett.2008,92,053301)。
此外較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於從溶液製造一或多層，諸如以旋轉塗佈或利用任何所欲印刷法，諸如，例如網版印刷、快乾印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但是特佳為LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)或噴墨印刷。為此目的需要可溶性式(1)之化合物。高溶解度可經由化合物的適當取代來達成。
為了製造根據本發明之有機電致發光裝置，此外較佳者為從溶液塗覆一或多層或利用昇華法塗覆一或多層。
根據本發明，包含一或多種式(1)或(167)化合物之電子裝置可用於顯示器中、作為照明應用中之光源及醫學及/或美容應用(例如，光療法)中之光源。
包含式(1)或(167)化合物之裝置可以非常靈活的方式使用。因此(例如)包含一或多種式(1)或(167)化合物之電致發光裝置可使用於電視、行動電話、電腦和相機之顯示器中。然而，該裝置也可使用於照明應用。此外，例如OLED或OLEC中的包含至少一種式(1)或(167)化合物之電致發光裝置可使用於醫藥或化妝品中之光療。因此，可治療許多疾病(牛皮癬、異位性皮膚炎、炎症、痤瘡、皮膚癌、等等)或可防止或減少皮膚皺紋、皮膚變紅和皮膚老化。此外，可利用發光裝置以便保持飲料、膳食或食物 的新鮮或以便消毒設備(例如醫療設備)。
根據本發明之化合物和根據本發明之有機電致發光裝置區別在於下列超越先前技術的優點：
1.根據本發明之化合物非常適合使用於電子裝置中(諸如，例如在有機電致發光裝置中之電洞傳輸層或電洞注入層)，特別是由於彼等的電洞移動率。
2.根據本發明之化合物具有較低昇華溫度、高溫度穩定性和高氧化穩定性及高玻璃轉移溫度，其對於例如從溶液或從氣相加工二者皆有利的，且用於電子裝置也有利的。
3.根據本發明之化合物使用於電子裝置，特別是用作電洞傳輸或電洞注入材料，導致高效率、低操作電壓和長壽命。
應該指出的是：本發明中所述實施例的變化落在本發明的範圍內。本發明中所揭示之各個特徵，除非明確排除在外，可以用作相同、同等或類似目的之替代特徵替換。因此，本發明中所揭示之各個特徵，除非另有說明，被視為通用系列之一個實例或作為等效或類似的特徵。
所有本發明之特徵可以任何方式彼此結合，除非某些特徵及/或步驟是互斥的。此特別適用於本發明的較佳特徵。同樣地，非必要組合的特徵可單獨使用(而不是組合)。
此外應指出的是：許多特徵且特別是本發明之較佳實施例的特徵為發明本身且不應僅被視為本發明的實施例之 一部分。對於此等特徵，除了或替代目前主張的各項發明之外，可尋求獨立保護。
關於以本發明揭示之技術作用的教示可予以提取和結合其他實例。
本發明係以下列實例更詳細地解釋，而不希望以此限制本發明。
實例 材料
Figure 109123761-A0202-12-0079-59
Figure 109123761-A0202-12-0080-60
Figure 109123761-A0202-12-0081-61
材料HIL1、HIL2(EP 0676461)、H1(WO 2008/145239)、ETM1(WO 2005/053055)、SEB1(WO 2008/006449)、LiQ和NPB為熟習該項技術者所熟知的。彼等之性質和合成可從先前技術得知。化合物(3-3)、(3-1)、(2-1)及(2-2)和(2-7)係根據本發明。
實例1 化合物聯苯-2-基聯苯-4-基-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺(1-1)和化合物(1-2)至(1-5)的合成
Figure 109123761-A0202-12-0082-62
將23.5g的聯苯-2-基聯苯-4-基胺(73mmol)和20.0g的2-溴茀(73mmol)溶解在500ml的甲苯中：將溶液脫氣並用N2飽和。然後添加2.52g(2.93mmol)的三-第三丁基膦和0.33g(1.46mmol)的乙酸鈀(II)。隨後添加10.8g的第三丁醇鈉(110mmol)。反應混合物在保護性氛圍下於沸騰加熱6h。隨後將混合物分溶在甲苯和水之間，並將有機相用水洗滌三次，經過乾燥Na2SO4和在旋轉蒸發器中蒸發。粗製產物經過矽凝膠用甲苯過濾之後，將剩下的殘餘物從庚烷/甲苯再結晶和最後在高真空中昇華。純度為99.9%。產率為32.0g(理論的85%)。
類似地製備下列化合物(1-2)至(1-5)：
Figure 109123761-A0202-12-0083-63
實例2 化合物聯苯-2-基聯苯-4-基-(9,9-二苯基-9H-茀-3-基)胺(2-1)和化合物(2-2)至(2-10)的合成
Figure 109123761-A0202-12-0084-64
2-溴-9,9-二苯基-9H-茀(2-1)
在已藉由加熱乾燥之燒瓶中將30g(103mmol)的4'-溴聯苯-2-羧酸甲酯溶解在500ml的無水THF中。將透明溶液冷卻至-10℃，且然後添加102ml(307mmol)的新鮮製得之3M溴化2-苯鎂溶液。反應混合物緩慢加熱至室溫和然後使用NH4Cl(500ml)停止反應。隨後將混合物分溶在乙酸乙酯和水之間，和將有機相用水洗滌三次，經過Na2SO4乾燥和在旋轉蒸發器中蒸發。將400ml的乙酸小心地加到殘餘物中。隨後添加80ml的發煙HCl。將批料加熱至75℃和在該溫度下保持5h。在此期間白色固體沉澱出來。然後將批料冷卻至室溫，並以抽吸濾出沉澱固體並用甲醇洗滌。將殘餘物在真空中於40℃下乾燥。產率為29.4g(74mmol)(理論的72%)。
類似地製備下列溴化化合物：
Figure 109123761-A0202-12-0085-65
聯苯-2-基聯苯-4-基-(9,9-二苯基-9H-茀-3-基)胺(2-1)
將17g的聯苯-2-基聯苯-4-基胺(53mmol)和21g的2-溴-9,9-二苯基-9H-茀(53mmol)溶解在350ml的甲苯中：將溶液脫氣並用N2飽和。然後添加2.1ml(2.1mmol)的三-第三丁基膦的1M溶液和0.24g(1.06mmol)的乙酸鈀(II)，且隨後添加12.7g的第三丁醇鈉(132mmol)。將反應混合物在保護性氛圍下於沸騰加熱5h。隨 後將混合物分溶在甲苯和水之間，和將有機相用水洗滌三次，經Na2SO4過乾燥和在旋轉蒸發器中蒸發。粗製產物經過矽凝膠用甲苯過濾之後，將剩下的殘餘物從庚烷/甲苯再結晶和最後在高真空中昇華。純度為99.9%。產率為25g(理論的74%)。
可類似地製備下列化合物(2-2)至(2-10)。
Figure 109123761-A0202-12-0087-66
Figure 109123761-A0202-12-0088-67
Figure 109123761-A0202-12-0089-68
實例3 化合物聯苯-4-基聯苯-2-基-(9,9-二甲基-7-苯基-9H-茀-2-基)胺(3-1)和化合物(3-2)至(3-8)的合成
Figure 109123761-A0202-12-0089-69
9,9-二甲基-7-苯基-9H-茀
將8.9g(73mmol)的苯硼酸和20g(73mmol)的2-溴-9,9’-二甲基-9H-茀懸浮在330ml的二甲氧基乙烷和110ml的2M Na2CO3溶液中。將2.54g(2.0mmol)的肆(三苯膦)鈀加至此懸浮液。將反應混合物在回流下加熱16h。 冷卻之後，將反應混合物用乙酸乙酯稀釋，和將有機相分離，用100ml的水洗滌三次且隨後蒸發至乾。經過矽凝膠用庚烷/乙酸乙酯(20：1)過濾粗製產物產生18.8g(95%)的9,9-二甲基-7-苯基-9H-茀。
類似地製備下列茀類。
Figure 109123761-A0202-12-0090-70
2-溴-9,9-二甲基-7-苯基-9H-茀
將29.0g(107mmol)的9,9-二甲基-2-苯基-9H-茀溶解在250ml的CHCl3中，並在-10℃下慢慢加入17.2g(107mmol)的溴(溶解在50ml的CHCl3中)。當反應完成後，加水，和將有機相分離，乾燥和蒸發。隨後將粗製產物藉由攪拌用熱甲醇/庚烷(1：1)洗滌數次。產率為33.3克(理論的89%)的產物，呈白色固體。
類似地製備下列溴化化合物。
Figure 109123761-A0202-12-0092-72
聯苯-4-基聯苯-2-基-(9,9-二甲基-7-苯基-9H-茀-2-基)胺(3-1)
將19.9g的聯苯-2-基聯苯-4-基胺(62mmol)和21.6g的2-溴-9,9-二甲基-7-苯基-9H-茀(62mmol)溶解在400ml 的甲苯中。將溶液脫氣並用N2飽和。然後添加3ml(3mmol)的1M三-第三丁基膦溶液和0.57g(2mmol)的乙酸鈀(II)。隨後添加14.9g的第三丁醇鈉(155mmol)。將反應混合物在保護性氛圍下於沸騰加熱5h。隨後將混合物分溶在甲苯和水之間，和將有機相用水洗滌三次，經過Na2SO4乾燥和在旋轉蒸發器中蒸發。粗製產物經過矽凝膠用甲苯過濾之後，將剩下的殘餘物從庚烷/甲苯再結晶和最後在高真空中昇華。純度為99.9%。產率為29.7g(理論的82%)。
類似地製備化合物(3-2)至(3-8)。
Figure 109123761-A0202-12-0094-74
Figure 109123761-A0202-12-0095-75
實例4 比較化合物HTMV1至HTMV6的合成
亦類似於實例3中所述之化合物(3-1)的合成製備下列比較化合物(HTMV1)至(HTMV6)。
Figure 109123761-A0202-12-0096-76
Figure 109123761-A0202-12-0097-77
實例5 化合物之示性
藉由根據WO 04/058911的一般方法製造根據本發明之OLED和根據先前技術之OLED，其適用於此處所述之狀況(層厚變化、材料)。
各種OLED之結果係出示於下列實例中(參見表1、3和2、4)。所使用之基板為已用50nm厚度的結構化ITO(氧化銦錫)塗佈之玻璃板。OLED基本上具有下列的層結構：基板/隨意的電洞注入層(HIL1)/電洞傳輸(HTL)/電洞注入層(HIL2)/電子阻擋層(EBL)/發光層(EML)/電子傳輸層(ETL)/隨意的電子注入層(EIL)和最後為陰極。陰極係由具有100nm厚度的鋁層所形成。OLED的精確結構顯示於表1和3中。用於製造OLED所需的材料係如上所指 示。
所有的材料係在真空室中以熱蒸氣沉積法塗覆。發光層在此總是由至少一種基質材料(主體材料)及發光摻雜劑(發光體)所組成，該發光摻雜劑係藉由共同蒸發以特定的體積比例與基質材料或基質材料類摻混。詞句諸如H1：SEB1(95%：5%)在此表示材料H1係以95%之體積比例存在於層中，和SEB1係以5%之比例存在於層中。類似地，電子傳輸層亦可由兩種材料之混合物所組成。
OLED係以標準方法示性。為此目的，測定電致發光光譜、電流效率(以cd/A測量)、功率效率(以lm/W測量)及假設Lambert發光特性，從電流/電壓/發光密度特徵線(IUL特徵線)計算以發光密度為函數之外部量子效率(EQE，以百分比測量)，及壽命。電致發光光譜係在1000cd/m2之發光密度下測定且從此計算CIE 1931 x和y色坐標。詞句EQE @ 1000cd/m2表示在1000cd/m2之操作發光密度下的外部量子效率。LT80 @ 6000cd/m2為OLED已從6000cd/m2之發光強度降至初發光強度之80%，即至4800cd/m2的壽命。各種OLED的數據係總結於表2和4中。
根據本發明之化合物作為螢光和磷光OLED中的電洞傳輸材料之用途
根據本發明之化合物特別適合作為OLED中的HIL、HTL或EBL。彼等適合作為單層，且也以混合成分作為 HIL、HTL、EBL或在EML內。與NPB參考成分(V1、V8)比較，包含根據本發明化合物之樣品，除了較高效率，也呈現顯著改良單峰藍色和三峰綠色的壽命。與參考材料HTMV1-HTMV6(V2-V10)比較，根據本發明之化合物具有相同或更好的效率和改良壽命。
Figure 109123761-A0202-12-0099-78
Figure 109123761-A0202-12-0100-80
Figure 109123761-A0202-12-0100-81
Figure 109123761-A0202-12-0101-82
Figure 109123761-A0202-11-0002-133

Claims (19)

  1. 一種電致發光裝置，其包含至少一種通式(1)之化合物
    Figure 109123761-A0305-02-0104-1
     其中下列適用於所出現的符號及指標：Ar1為具有10至60個芳族環原子之雜芳族基團，其可經一或多個基團R4取代，彼等彼此為相同或不同，其中Ar1含有僅一個雜芳族環以及僅一個芳族環；Ar2為具有10至60個芳族環原子之雜芳族基團，其可經一或多個基團R4取代，彼等彼此為相同或不同，其中Ar2含有至少一個雜芳族環以及至少一個芳族環；R1在每次出現時相同或不同地為H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3、NO2、P(=O)(R5)2、S(=O)R5、S(=O)2R5、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個C原子之烯基或炔基，其中上述基團各可經一或多個基團 R5取代及其中在上述基團中之一或多個CH2基團可經-R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2、C=O、C=S、C=NR5、-C(=O)O-、-C(=O)NR5-、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2置換及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換、或具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代、或具有9至30個環原子之縮合環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中，在芳族或雜芳族稠合環的情況下，可存在不超過10個環原子；兩個基團R1也可彼此形成閉環，從而形成螺環化合物，其中沒有芳族或雜芳族環縮合於由兩個基團R1所形成之環上；R2和R3在每次出現時相同或不同地為H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3、NO2、P(=O)(R5)2、S(=O)R5、S(=O)2R5、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個C原子之烯基或炔基，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個CH2基團可經-R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2、C=O、C=S、C=NR5、-C(=O)O-、-C(=O)NR5-、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2置換及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換、或 具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代；R4在每次出現時相同或不同地為H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3、NO2、P(=O)(R5)2、S(=O)R5、S(=O)2R5、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個C原子之烯基或炔基，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個CH2基團可經-R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2、C=O、C=S、C=NR5、-C(=O)O-、-C(=O)NR5-、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2置換及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換；R5在每次出現時相同或不同地為H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R6、CN、Si(R6)3、NO2、P(=O)(R6)2、S(=O)R6、S(=O)2R6、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個C原子之烯基或炔基，其中上述基團各可經一或多個基團R6取代及其中在上述基團中之一或多個CH2基團可經-R6C=CR6-、-C≡C-、Si(R6)2、C=O、C=S、C=NR6、-C(=O)O-、-C(=O)NR6-、P(=O)(R6)、-O-、 -S-、SO或SO2置換及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換、或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R6取代、或具有5至30個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基基團，其可經一或多個基團R6取代；R6在每次出現時相同或不同地為H、D、F或具有1至20個C原子之脂族、芳族或雜芳族有機基團，此外，其中一或多個H原子可經D或F置換；n 為0、1、2、3或4；m 為0、1、2或3；其先決條件為該式(1)化合物，除了一個該茀基團之外和除了在該茀之9位置的可能縮合基團或多環基團之外，不包含其他多環基團或縮合基團。
  2. 根據請求項1之裝置，其中式(1)化合物中之兩個基團R1為相同。
  3. 根據請求項1之裝置，其中m等於1和n等於0、1或2。
  4. 根據請求項1之裝置，其中其包含至少一種通式(2)之化合物
    Figure 109123761-A0305-02-0108-2
     其中得自請求項1之定義適用於該等符號。
  5. 根據請求項1之裝置，其中R3等於H。
  6. 根據請求項1之裝置，其中兩個基團R1為相同且係選自具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代、或具有9至30個環原子之縮合環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中，在芳族或雜芳族稠合環的情況下，可存在不超過10個環原子及其中R2等於H。
  7. 根據請求項1之裝置，其中兩個基團R1為相同且係選自具有1至20個C原子之直鏈烷基基團或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基基團，其中該等基團各可經一或多個基團R5取代及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換及其中R2為具有6至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代。
  8. 根據請求項1至7中任一項之裝置，其中其為有機發光電晶體(OLET)、有機場淬熄裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC、LEC或LEEC)、有機雷射二極體(O-雷射)或有機發光二極體(OLED)。
  9. 根據請求項1至7中任一項之裝置，其中該化合 物係以下列功能之一者使用：作為電洞傳輸層或電洞注入層中之電洞傳輸材料、作為發光層中之基質材料、作為電子阻擋材料或作為激子阻擋材料。
  10. 一種通式(167)之化合物，
    Figure 109123761-A0305-02-0109-3
     其中下列適用於式(167)中所使用的符號：Ar3為具有10至60個芳族環原子之雜芳族基團，其可經一或多個基團R5取代，彼等彼此為相同或不同，其中Ar3含有僅一個雜芳族環以及僅一個芳族環；Ar4為具有10至60個芳族環原子之雜芳族基團，其可經一或多個基團R5取代，彼等彼此為相同或不同，其中Ar4含有至少一個雜芳族環以及至少一個芳族環；R5在每次出現時相同或不同地為H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R6、CN、Si(R6)3、NO2、P(=O)(R6)2、S(=O)R6、S(=O)2R6、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個C原 子之烯基或炔基，其中上述基團各可經一或多個基團R6取代及其中在上述基團中之一或多個CH2基團可經-R6C=CR6-、-C≡C-、Si(R6)2、C=O、C=S、C=NR6、-C(=O)O-、-C(=O)NR6-、P(=O)(R6)、-O-、-S-、SO或SO2置換及其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換、或具有5至30個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基基團，其可經一或多個基團R6取代；R6在每次出現時相同或不同地為H、D、F或具有1至20個C原子之脂族、芳族或雜芳族有機基團，此外，其中一或多個H原子可經D或F置換；R7在每次出現時為相同且係選自由下列所組成之群組：具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基或具有2至20個C原子之烯基或炔基，其中上述基團各可經一或多個基團R5取代且其中在上述基團中之一或多個H原子可經D、CN或NO2置換、或具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代、或具有9至30個環原子之縮合環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中，在芳族或雜芳族稠合環的情況下，在縮合環系統中可存在不超過10個 環原子；兩個基團R7也可彼此形成閉環，從而形成螺環化合物，其中沒有芳族或雜芳族環縮合於由兩個基團R7所形成之環上，及其中，若R7為直鏈或支鏈烷基基團，則R8為具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代；R8為H、D或具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，且其中，若R8等於H，則R7為具有6至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代；a為1、2、3或4；其先決條件為該式(167)之化合物，除了一個該茀基團之外和除了在該茀之9位置的可能縮合基團或多環基團之外，不包含其他多環基團或縮合基團，及其先決條件為該化合物不含鹵素。
  11. 根據請求項10之化合物，其中a=1,R7在每次出現時為相同且係選自具有6至30個環原子之芳族或雜芳族環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中R5係如上述所定義、或具有9至 30個環原子之縮合環系統，其在各情況下可經一或多個基團R5取代，其中，在芳族或雜芳族稠合環的情況下，縮合環系統中可存在不超過10個環原子。
  12. 根據請求項10之化合物，其具有通式(169)
    Figure 109123761-A0305-02-0112-4
     其中，關於使用的符號X在每次出現時相同或不同地為N或CR5。
  13. 一種製備根據請求項10至12中任一項之化合物之方法，其係利用一步驟Buchwald偶合藉由含有脫離基之茀衍生物與Ar3-NH-Ar4的反應。
  14. 一種寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其含有一種根據請求項10至12中任一項之化合物。
  15. 一種組成物，其包含一種根據請求項10至12中任一項之化合物和至少一種選自由下列所組成之群組的其他有機功能材料：螢光發光體、磷光發光體、主體材料、基質材料、電子傳輸材料、電子注入材料、電洞導體材料、電洞注入材料、電子阻擋材料及電洞阻擋材料。
  16. 一種調配物，其包含一種根據請求項10至12中 任一項之化合物和至少一種溶劑。
  17. 一種電子裝置，其包含一種根據請求項10至12中任一項之化合物。
  18. 根據請求項17之電子裝置，其中其係選自有機積體電路(O-IC)、有機場效應電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電池(O-SC)、有機光學偵測器、有機光受體、有機場淬熄裝置(field-quench devices)(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O-雷射)及有機電致發光裝置(OLED)。
  19. 根據請求項17之電子裝置，其係選自下列群組：有機電致發光裝置，其中該化合物係以下列功能之一或多者使用：作為電洞傳輸層或電洞注入層中之電洞傳輸材料、作為發光層中之基質材料、作為電子阻擋材料或作為激子阻擋材料。
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