KR20220065801A - 유기 전계 발광 디바이스 - Google Patents

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아미르 호싸인 파르함
요나스 팔렌틴 크뢰버
옌스 엥겔하르트
크리슈티안 에렌라이히
크리슈티안 아이크호프
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본 발명은 전자 수송 호스트 재료 및 정공 수송 호스트 재료를 포함하는 혼합물을 함유하는 유기 전계 발광 디바이스, 호스트 재료의 혼합물을 포함하는 포뮬레이션, 및 호스트 재료를 포함하는 혼합물에 관한 것이다. 전자 수송 호스트 재료는 2개의 트리아진 단위를 함유하는 화합물의 부류의 식 (1) 의 화합물에 대응한다. 정공 수송 호스트 재료는, 비스카르바졸 또는 이의 유도체의 부류의 식 (2) 의 화합물에 대응한다.

Description

2개의 호스트 재료의 혼합물, 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 디바이스
본 발명은 전자 수송 호스트 재료 및 정공 수송 호스트 재료를 포함하는 혼합물을 함유하는 유기 전계 발광 디바이스, 및 호스트 재료의 혼합물을 포함하는 포뮬레이션 및 호스트 재료를 포함하는 혼합물에 관한 것이다. 전자 수송 호스트 재료는 2개의 트리아진 단위를 함유하는 화합물의 부류로부터의 후술하는 바와 같은 식 (1) 의 화합물에 대응한다. 정공 수송 호스트 재료는, 비스카르바졸 또는 이의 유도체의 부류로부터의 후술하는 바와 같은 식 (2) 의 화합물에 대응한다.
유기 반도체가 기능성 재료로 사용되는 유기 전계 발광 디바이스 (예를 들어, OLED - 유기 발광 다이오드 또는 OLEC - 유기 발광 전기화학 전지) 의 구조는 상당 기간 알려져 왔다. 형광 방출체이외에, 여기서 채용되는 방출 재료는 형광 대신 인광을 나타내는 유기금속 착물이 점점 더 많아지고 있다. 양자 역학적인 이유로, 유기금속 화합물을 인광 방출체로서 사용하여 4배까지 증가된 에너지 효율 및 전력 효율이 가능하다. 그러나, 일반적으로, OLED 의 경우에, 특히 또한 삼중항 방출 (인광) 을 나타내는 OLED의 경우에, 특히 효율, 작동 전압 및 수명과 관련하여 개선이 여전히 필요하다.
유기 전계 발광 디바이스의 특성은 채용되는 방출체에 의해서만 결정되지는 않는다. 특히, 호스트 및 매트릭스 재료, 정공 차단 재료, 전자 수송 재료, 정공 수송 재료 및 전자- 또는 여기자-차단 재료와 같은 사용되는 다른 재료도 여기서 특히 중요하고, 이들 중에서도 특히 호스트 또는 매트릭스 재료가 특히 중요하다. 이들 재료의 개선은 전계 발광 디바이스의 현저한 개선을 낳을 수 있다.
유기 전자 디바이스에 사용하기 위한 호스트 재료는 당업자에게 잘 알려져 있다. 종래 기술에서, 매트릭스 재료라는 용어는 인광 방출체용 호스트 재료를 의미하는 경우에도 자주 사용된다. 용어의 이러한 사용은 본 발명에 대해서도 적용된다. 한편, 다수의 호스트 재료가 형광 전자 디바이스 및 인광 전자 디바이스 양자 모두를 위해 개발되었다.
전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스의 성능 데이터를 개선시키는 또 다른 방식은 둘 이상의 재료, 특히 호스트 재료 또는 매트릭스 재료의 조합을 사용하는 데 있다.
US 6,392,250 B1에는 OLED 의 방출층에서의 전자 수송 재료, 정공 수송 재료 및 형광 방출체로 이루어진 혼합물의 용도가 개시되어 있다. 이 혼합물의 도움으로, 종래 기술에 비해 OLED의 수명을 개선할 수 있었다.
US 6,803,720 B1에는 OLED 의 방출층에서의 인광 방출체 및 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료를 포함하는 혼합물의 용도가 개시되어 있다. 여기서 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료 모두는 작은 유기 분자이다.
KR20100131745는 특정적으로 연결된 비스트리아진 화합물 및 유기 전계 발광 디바이스에서 호스트 재료로서의 그의 용도를 기재하고 있다. 또한 추가 호스트 재료로서 인돌로카바졸 화합물과 함께 발광층에 이들 비스트리아진 화합물을 함유하는 디바이스가 기재되어 있다.
WO2012048779 에는 카르바졸 화합물, 전자 수송 화합물, 삼중항 방출체 화합물 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 유기 전계 발광 디바이스에 사용하기 위한 잉크를 개시되어 있고, 여기서 전자 수송 화합물은 케톤 화합물 또는 트리아진 화합물을 포함하며, 이는 또한 특정적으로 연결된 트리아진 화합물일 수도 있고, 카르바졸 화합물은 그의 N 원자를 통해 서로 연결된 적어도 2개의 카르바졸 기를 함유한다.
US20140299192 에는 특정적으로 연결된 비스트리아진 화합물 및 유기 전계 발광 디바이스, 특히 전자 수송 재료로서 그의 용도를 개시되어 있다.
JP2015106658 에는 또한 특히, 2 및 8 위치에서 4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일페닐로 치환된 디벤조푸란 화합물, 및 추가 호스트 재료와 함께 유기 전계 발광 디바이스에서 호스트 재료로서의 그의 용도를 기재되어 있다.
WO2015169412 에는 추가 호스트 재료와 함께 유기 전계 발광 디바이스에서 호스트 재료로 사용될 수 있는 2개의 트리아진 단위를 함유하는 화합물이 기재되어 있다.
US2016329502 에는 3가지 성분, 제 1 호스트 재료, 제 2 호스트 재료로서의 발명에 따른 화합물 및 방출체를 포함하는 발광층을 함유하는 유기 전계 발광 디바이스를 개시되어 있고, 여기서 발명에 따른 화합물은 2개의 트리아진 단위를 함유할 수 있다.
US20170054087 에는 특정 트리아진 유도체 및 발광 전자 디바이스에서 다른 호스트 재료와 함께 호스트 재료로서의 그의 용도를 기재되어 있다.
WO2017178311 에는 2개의 트리아진 치환기를 가질 수 있는 특정 디벤조푸란 화합물 또는 디벤조티오펜 화합물, 및 유기 전계 발광 디바이스에서의 그의 용도를 기재되어 있고, 여기서 이들 화합물은 또한 호스트 재료로도 사용될 수 있다. 이러한 유형의 화합물이 추가 호스트 물질과 조합될 수 있음이 또한 기재되어 있다. 표 1은 예를 들어, 발광층에 2개의 호스트 재료를 포함하는 유기 발광 다이오드 (E11) 의 구조를 기재하고 있고, 여기서 7,7-디메틸-5-페닐-2-(9-페닐카르바졸-3-일)인데노[2,1-b]카르바졸이 제 2 호스트 재료로 사용된다.
CN108250189 에는 2개의 트리아진 치환기를 가질 수 있는 특정 디벤조푸란 화합물 또는 디벤조티오펜 화합물, 및 유기 전계 발광 디바이스에서 호스트 재료로서의 그의 용도가 기재되어 있다.
US2019013490 에는 특정 디벤조푸란 화합물 또는 디벤조티오펜 화합물, 및 추가 호스트 재료와 조합한 호스트 재료로서의 그의 용도가 기재되어 있다.
WO19017730 에는 특정 디벤조푸란 화합물 또는 디벤조티오펜 화합물, 및 호스트 재료로서의 그의 용도가 기재되어 있다.
WO19122899 에는 특정 비스트리아진 화합물 및 발광 재료와 함께 발광층에서 호스트 물질로서의 그의 용도가 기재되어 있다.
그러나, 이들 재료의 사용시 또는 재료의 혼합물의 사용시, 특히 유기 전계 발광 디바이스의 효율, 작동 전압 및/또는 수명과 관련하여, 여전히 개선이 필요하다.
따라서, 본 발명의 목적은 유기 전계 발광 디바이스에서, 특히 형광 또는 인광 OLED 에서의 사용에 적합하고, 특히 개선된 수명과 관련하여, 양호한 디바이스 특성에 이르는 호스트 재료의 조합을 제공하고, 대응하는 전계 발광 디바이스를 제공하는 것이다.
이제 유기 전계 발광 디바이스의 발광층에서 제1 호스트 재료로서의 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 제2 호스트 재료로서의 식 (2) 의 적어도 하나의 정공 수송 화합물의 조합이 이러한 목적을 달성하고 종래 기술의 단점을 극복한다는 것을 알아냈다. 유기 전계 발광 디바이스에서 발광층의 제조를 위한 이러한 유형의 재료 조합의 사용은, 특히 수명과 관련하여, 특히 동일 또는 개선된 효율 및/또는 작동 전압과 관련하여, 이들 디바이스의 매우 양호한 특성에 이른다. 특히, 발광 성분이 방출 층에, 특히, 식 (3) 의 방출체와 조합하여, 2 내지 15중량% 농도로, 존재할 시에 장점이 또한 명백하다.
따라서, 본 발명은 먼저 애노드, 캐소드, 및 적어도 하나의 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것으로, 여기서 적어도 하나의 발광층은 호스트 재료 1로서 하기 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 호스트 재료 2로서 하기 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하고,
Figure pct00001
Figure pct00002
,
식 중 사용된 기호 및 인덱스들에 이하가 적용된다:
Y 는 O, S, C(CH3)2, C(페닐)2 또는
Figure pct00003
로부터 선택되고, 여기서 * 는 식 (1) 의 나머지 부분에 결합된 C 원자를 표시하고;
L 은 하기 2가 링커 L-1 내지 L-26 중 하나로부터 선택되고,
Figure pct00004
Figure pct00005
여기서 링커 L-1 내지 L-26 은 또한 하나 이상의 치환기 R에 의해 치환될 수도 있고;
W 는 O, S 또는 C(CH3)2; 바람직하게는 O 또는 S 이고;
a 는 0 또는 1이고;
b 는 0 또는 1 이고;
R 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, CN, 1 내지 20개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 20개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Ar1 은 각각의 경우, 각 경우에 서로 독립적으로, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있고;
K, M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템이며, 이는, x 및 y 가 0 을 나타내는 경우 그리고 x1 및 y1 가 0 을 나타내는 경우, 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환되거나, 또는
K, M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, X 또는 X1 과 함께, x, x1, y 및/또는 y1 의 값이 1을 나타내는 대로 14 내지 40개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하고;
x, x1 은 각 경우에, 각각의 경우 독립적으로, 0 또는 1이고;
y, y1 은 각 경우에, 각각의 경우 독립적으로, 0 또는 1이고;
X 및 X1 는 각 경우에, 각각의 경우 서로 독립적으로, 결합 또는 C(R#)2 이고;
R0 은 각각의 경우, 서로 독립적으로, 6 내지 18개의 C 원자를 갖는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 방향족 고리 시스템이고;
R* 는 디벤조푸라닐 또는 디벤조티오페닐이고;
R# 는 각각의 경우, 서로 독립적으로, 1 내지 4 개의 C 원자를 갖는 직쇄 또는 분지형 알킬기이고
c, d, e 및 f 는, 서로 독립적으로, 0 또는 1 이다.
본 발명은 또한 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스 및 혼합물의 제조 방법, 특정 재료 조합, 및 이 유형의 혼합물 또는 재료 조합을 포함하는 포뮬레이션을 포함한다. 본 발명은 마찬가지로, 아래 기재되는 바와 같은, 대응하는 바람직한 실시형태에 관한 것이다. 특히 식 (1) 의 화합물 및 식 (2) 의 화합물의 특정 선택에 의해 놀랍고 유리한 효과가 달성된다.
본 발명에 따른 전계 발광 디바이스는, 예를 들어, 유기 발광트랜지스터 (OLET), 유기 전계-켄치 디바이스 (OFQD), 유기 발광 전기화학 전지 (OLEC, LEC LEEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 또는 및 유기 발광 다이오드 (OLED) 이다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스는 특히 유기 발광 다이오드 또는 유기 발광 전기화학 전지이다. 본 발명에 따른 디바이스는 특히 바람직하게는 OLED 이다.
위에 기재되거나 또는 아래에 기재된 바와 같은, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물의 재료 조합을 포함하는 발광층을 포함하는 본 발명에 따른 디바이스의 유기층은, 바람직하게는 이 발광층 (EML) 이외에, 정공 주입층 (HIL), 정공 수송층 (HTL), 전자 수송층 (ETL), 전자 주입층(EIL) 및/또는 정공 차단층 (HBL) 을 포함한다. 본 발명에 따른 디바이스는 또한 EML, HIL, HTL, ETL, EIL 및 HBL 로부터 선택된 이러한 군으로부터의 복수의 층을 포함할 수도 있다.
그러나, 디바이스는 또한 무기 재료 또는 또한 무기 재료로부터 전적으로 구축된 층을 포함할 수도 있다.
식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 발광층은, 위에 기재된 바와 같은, 식 (1) 및 식 (2) 의 화합물의 호스트 재료 조합에 더하여, 적어도 하나의 인광 방출체를 포함하는 것을 특징으로 하는 인광층인 것이 바람직하다. 방출체 및 바람직한 방출체의 적절한 선택은 아래에 기재되어 있다.
본 발명의 의미에서 아릴 기는 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 C 원자를 함유한다. 본 발명의 의미에서 헤테로아릴 기는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 함유하고, 여기서 고리 원자들은 C 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하며, 단, C 원자 및 헤테로원자의 합은 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 여기서 아릴기 또는 헤테로아릴기는 단순 방향족 고리, 즉 벤젠으로부터 유도된, 페닐, 또는, 예를 들어 피리딘, 피리미딘 또는 티오펜으로부터 유도된, 단순 헤테로방향족 고리, 또는, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린 또는 이소퀴놀린으로부터 유도된, 축합 아릴 또는 헤테로아릴 기를 의미하는 것으로 여겨진다. 따라서, 6 내지 18개의 C 원자를 갖는 아릴 기는 바람직하게는 페닐, 나프틸, 페난트릴 또는 트리페닐레닐이며, 여기서 치환기로서의 아릴기의 결합은 제한되지 않는다. 본 발명의 의미에서 아릴 또는 헤테로아릴 기는 하나 이상의 라디칼 R을 가질 수도 있으며, 여기서 치환기 R은 아래에 기재되어 있다.
본 발명의 의미에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템에서 6 내지 40 개의 C 원자들을 함유한다. 방향족 고리 시스템은 또한 전술한 바와 같이 아릴기를 함유한다.
6 내지 18개의 C 원자를 갖는 방향족 고리 시스템은 바람직하게는 페닐, 바이페닐, 나프틸, 페난트릴 및 트리페닐레닐로부터 선택된다.
본 발명의 의미에서 헤테로방향족 고리 시스템은 5 내지 40 개의 고리 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유한다. 바람직한 헤테로방향족 고리 시스템은 10 내지 40개의 고리 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 갖는다. 헤테로방향족 고리 시스템은 또한 위에 기재된 바와 같은 헤테로아릴기를 함유한다. 헤테로방향족 고리 시스템에서 헤테로원자들은 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다.
본 발명의 목적으로, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 단지 아릴 또는 헤테로아릴기만을 함유하는 것이 아니라, 추가로, 여러 아릴 또는 헤테로아릴기가, 예를 들어 C, N 또는 O 원자, 또는 카르보닐 기와 같은 비(非)방향족 단위 (바람직하게는, H 외의 10% 미만의 원자) 에 의해 인터럽트될 수도 있는 시스템을 의미하는 것으로 받아들여진다. 따라서, 예를 들면, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템들은, 2개 이상의 아릴 기들이 예를 들면 선형 또는 환형 알킬 기 또는 실릴 기에 의해 인터럽트되는 시스템들처럼, 본 발명의 의미에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 받아들여지도록 의도된다. 예를 들어 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐 또는 바이피리딘과 같은, 2 개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기가 서로 직접 결합된 시스템은 마찬가지로 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 정의에 의해 커버된다.
방향족 또는 헤테로방향족 고리상에 임의의 원하는 위치를 통해 링크될 수도 있는, 5 내지 40 개의 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 예를 들어 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 벤조플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 테르페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스 또는 트랜스-모노벤조인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-디벤조인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸에서 유래된 기를 의미하는 것으로 여겨진다.
약어 Ar1 은 각각의 경우, 각 경우에 서로 독립적으로, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있고, 여기서 라디칼 R 은 위 또는 아래에 기재된 바와 같은 정의를 갖는다.
본 발명의 의미에서 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기는 단환, 이환 또는 다환 기를 의미하는 것으로 여겨진다.
본 발명의 목적으로, 직쇄, 분지형 또는 환형 C1- 내지 C20-알킬기는 예를 들어, 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, 시클로프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 시클로부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, t-펜틸, 2-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, s-헥실, t-헥실, 2-헥실, 3-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, 1-메틸시클로펜틸, 2-메틸펜틸, n-헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 4-헵틸, 시클로헵틸, 1-메틸시클로헥실, n-옥틸, 2-에틸헥실, 시클로옥틸, 1-바이시클로[2.2.2]옥틸, 2-바이시클로[2.2.2]옥틸, 2-(2,6-디메틸)옥틸, 3-(3,7-디메틸)옥틸, 아다만틸, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 1,1-디메틸-n-헥스-1-일, 1,1-디메틸-n-헵트-1-일, 1,1-디메틸-n-옥트-1-일, 1,1-디메틸-n-데크-1-일, 1,1-디메틸-n-도데크-1-일, 1,1-디메틸-n-테트라데크-1-일, 1,1-디메틸-n-헥사데크-1-일, 1,1-디메틸-n-옥타데크-1-일, 1,1-디에틸-n-헥스-1-일, 1,1-디에틸-n-헵트-1-일, 1,1-디에틸-n-옥트-1-일, 1,1-디에틸-n-데크-1-일, 1,1-디에틸-n-도데크-1-일, 1,1-디에틸-n-테트라데크-1-일, 1,1-디에틸-n-헥사데크-1-일, 1,1-디에틸-n-옥타데크-1-일, 1-(n-프로필)시클로헥스-1-일, 1-(n-부틸)시클로헥스-1-일, 1-(n-헥실)시클로헥스-1-일, 1-(n-옥틸)시클로헥스-1-일 및 1-(n-데실)시클로헥스-1-일을 의미하는 것으로 이해된다.
직쇄 또는 분지형 C1- 내지 C20-알콕시 기는 예를 들어, 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡시를 의미하는 것으로 여겨진다.
직쇄 C1- 내지 C20- 티오알킬 기는, 예를 들어, S-알킬기, 예를 들어 티오메틸, 1-티오에틸, 1-티오-i-프로필, 1-티오-n-프로필, 1-티오-i-부틸, 1-티오-n-부틸 또는 1-티오-t-부틸을 의미하는 것으로 여겨진다.
5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기는 O-아릴 또는 O-헤테로아릴을 나타내고, 아릴 또는 헤테로아릴기가 산소 원자를 통해 결합됨을 의미하고, 여기서 아릴 또는 헤테로아릴 기는 위에 기재된 바와 같은 의미를 갖는다.
5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기는 위에 기재된 바와 같은, 알킬 기가 아릴 기 또는 헤테로아릴 기로 치환됨을 의미하고, 여기서 아릴 또는 헤테로아릴 기는 위에 기재된 바와 같은 의미를 갖는다.
본 발명의 의미에서 인광 방출체는 높은 스핀 다중도, 즉 스핀 상태 > 1 를 갖는 여기된 상태로부터, 특히 여기된 삼중항 상태로부터의 루미네선스 (luminescence) 을 나타내는 화합물이다. 본 출원의 목적을 위해, 전이 금속 또는 란타나이드를 갖는 모든 발광성 착물은 인광 방출체로서 간주되도록 의도된다. 보다 정확한 정의는 아래에 주어진다.
위에 기재되거나 또는 바람직하게는 아래에 기재된 바와 같은, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물, 및 위에 기재되거나 또는 아래에 기재된 바와 같은, 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 발광층의 호스트 재료가 인광 방출체를 위해 사용되는 경우, 그의 삼중항 에너지는 인광 방출체의 삼중항 에너지보다 현저하게 더 작지 않은 것이 바람직하다. 다음이 바람직하게는 삼중항 준위에 적용된다: T1(방출체) - T1(매트릭스) ≤　0.2 eV, 특히 바람직하게는 ≤　0.15 eV, 아주 특히 바람직하게는 ≤　0.1　eV, 여기서, T1(매트릭스) 은 방출 층에서의 매트릭스 재료의 삼중항 준위이며, 이 조건은 2개의 매트릭스 재료들의 각각에 적용되고, T1(방출체) 는 인광 방출체의 삼중항 준위이다. 방출 층이 2개 초과의 매트릭스 재료를 함유하는 경우, 위에 언급된 관계는 바람직하게는 각각의 추가 매트릭스 재료에도 적용된다.
본 발명에 따른 디바이스에 존재하는 호스트 재료 1 및 그의 바람직한 실시형태가 아래에서 설명된다. 식 (1) 의 호스트 재료 1의 바람직한 실시형태는 또한 본 발명에 따른 혼합물 및/또는 포뮬레이션에도 적용된다.
식 (1) 의 화합물에서, Y는 O, S, C(CH3)2, C(페닐)2 또는
Figure pct00006
로부터 선택되고, 여기서 * 는 식 (1) 의 나머지 부분에 결합된 C 원자를 표시한다.
Y 은 바람직하게는 O, S 및 C(CH3)2 로부터 선택된다.
Y 는 특히 바람직하게는 O 및 S 로부터 선택된다.
식 (1) 의 호스트 재료의 매우 특히 바람직한 실시형태에서, Y는 O를 나타낸다.
따라서, 본 발명은 또한 호스트 재료 1에서 Y가 O를 나타내는, 위에 기재된 바와 같은, 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
식 (1) 의 화합물에서, a 는 0 또는 1, 바람직하게는 0을 나타낸다.
식 (1) 의 화합물에서, b 는 0 또는 1, 바람직하게는 0을 나타낸다.
식 (1) 의 화합물에서 R 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, CN, 1 내지 20개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 20개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기로 이루어진 군으로부터 선택된다. 치환기 R은 바람직하게는 각각의 경우 서로 독립적으로 CN 또는 6 내지 40개의 C 원자를 갖는 아릴 기를 나타낸다. R 은 각각의 경우, 서로 독립적으로, 특히 바람직하게는 페닐이다.
위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 식 (1) 의 화합물에서, Ar1 은 바람직하게는 각각의 경우, 서로 독립적으로 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴기, 디벤조푸라닐 또는 디벤조티오페닐을 나타낸다. 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 식 (1) 의 화합물에서, Ar1 은 각각의 경우, 서로 독립적으로, 특히 바람직하게는 페닐, 트리페닐레닐, 바이페닐, 플루오레닐, 나프틸 또는 디벤조푸라닐을 나타내며, 여기서 식 (1) 의 나머지 부분에 대한 결합은 아릴 기, 디벤조푸라닐 또는 디벤조티오페닐의 임의의 원하는 위치를 통해 일어날 수 있다. 예를 들어, 디벤조푸란은 바람직하게는 위치 1, 3 또는 7 을 통해 식 (1) 의 나머지 부분에 결합된다. 예를 들어, 플루오렌은, 바람직하게는 위치 8 을 통해 식 (1) 의 나머지 부분에 결합된다. 바람직한 바이페닐은 1,3-바이페닐이다.
특히 바람직하게, 적어도 하나의 Ar1 은 페닐을 나타내고, 다른 방향족 치환기 Ar1 은 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴기, 디벤조푸라닐 또는 디벤조티오페닐을 나타낸다. 매우 특히 바람직하게, 양자 모두의 기 Ar1 은 동일하다. 매우 특히 바람직하게, 양자 모두의 기 Ar1 은 페닐을 나타낸다. 바람직하게, 양자 모두의 기 Ar1 은 디벤조푸라닐을 나타내고, 여기서 트리아진에 대한 결합은 각 경우에 독립적이다.
식 (1) 의 화합물에서, L 은 링커 L-1 내지 L-26 의 군으로부터 선택되고, 여기서 링커 L-1 내지 L-26은 또한 하나 이상의 치환기 R에 의해 치환될 수도 있다. 링커 L-1 내지 L-26은 바람직하게는 비치환되거나 하나의 치환기 R을 갖는다. 링커 L-1 내지 L-26은 특히 바람직하게는 비치환된다.
링커 L-1 내지 L-26 에서 치환기 R 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, CN, 1 내지 20개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 20개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기로 이루어진 군으로부터 선택된다. 링커 L-1 내지 L-26 에서, 치환기 R은 바람직하게는 각각의 경우, 서로 독립적으로, CN 또는 6 내지 40개의 C 원자를 갖는 아릴 기를 나타낸다. 링커 L-1 내지 L-26 에서, 치환기 R은 특히 바람직하게는 각각의 경우, 서로 독립적으로, CN 또는 페닐을 나타낸다.
위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 링커 L-1 내지 L-26을 갖는 식 (1) 의 호스트 재료는 아래 기재된 바와 같은, 적어도 하나의 값 x, x1, y 또는 y1이 1을 나타내는 식 (2) 의, 바람직하게는 식 (2b) 또는 (2c) 의 화합물로 표시되는, 호스트 재료와 바람직하게 조합된다. 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 링커 L-1 내지 L-26을 갖는 식 (1) 의 호스트 재료는, 아래 기재된 바와 같은, 정확히 하나의 값 x, x1, y 또는 y1이 1을 나타내는 식 (2) 의, 바람직하게는 식 (2b) 의 화합물로 표시되는, 호스트 재료와 바람직하게 조합된다.
W 가 O, S 또는 C(CH3)2 를 나타내고 바람직하게 W 가 O 또는 S 를 나타내는, 위에 기재된 바와 같은, 링커 L-14 내지 L-23을 갖는 식 (1) 의 호스트 재료는, 아래 기재된 바와 같은, 적어도 하나의 값 x, x1, y 또는 y1이 1을 나타내는 식 (2) 의, 바람직하게는 식 (2b) 또는 (2c) 의 화합물로 표시되는, 호스트 재료와 바람직하게 조합된다. 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 링커 L-14 내지 L-23 을 갖는 식 (1) 의 호스트 재료는, 아래 기재된 바와 같은, 정확히 하나의 값 x, x1, y 또는 y1이 1을 나타내는 식 (2) 의, 바람직하게는 식 (2b) 의 화합물로 표시되는, 호스트 재료와 바람직하게 조합된다.
위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 식 (1) 의 화합물에서, L 은, 위에 기재된 바와 같은, 링커 L-1 내지 L-13 및 L-24 내지 L-26으로부터 바람직하게는 선택된다.
링커 L-1 내지 L-13 및 L-24 내지 L-26 을 갖는 식 (1) 의 호스트 재료는, x 및 x1 이 각각의 경우 독립적으로 0 또는 1 을 나타내고 y 및 y1 이 각각의 경우 독립적으로 0 또는 1 을 나타내는, 아래에 기재된 바와 같은, 식 (2) 의, 바람직하게는, 아래에 기재된 바와 같은, 식 (2a), (2b) 또는 (2c) 의 화합물로 표시되는, 호스트 재료와 바람직하게 조합된다.
식 (1) 의 호스트 재료에서 링커 L이 링커 L-2, L-3, L-4, L-24, L-25 및 L-26 으로부터 선택되는 것이 더욱 바람직하다.
위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 식 (1) 의 화합물에서, L 은 대안적인 실시형태에서, W 가 O, S 또는 C(CH3)2 를 나타내고 바람직하게 W 가 O 또는 S 인, 위에 기재된 바와 같은, 링커 L-2, L-3, L-4, L-16, L-18, L-20, L-24, L-25 및 L-26 로부터 바람직하게 선택된다.
따라서, 본 발명은 또한 호스트 재료 1 에서 링커 L이 링커 L-1 내지 L-13 및 L-24 내지 L-26 으로부터 선택되는, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
따라서, 본 발명은 또한 호스트 재료 1 에서 링커 L이 링커 L-2, L-3, L-4, L-16, L-18, L-20, L-24, L-25 및 L-26 으로부터 선택되고 W 가 O, S 또는 C(CH3)2 를 나타내는, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다. W 는 바람직하게 O 또는 S 이다.
본 발명에 따라 선택되고 바람직하게는 본 발명에 따른 전계 발광 디바이스에서 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물과 조합하여 사용되는 식 (1) 의 적합한 호스트 재료의 예는 아래의 표 1 에 주어진 구조이다.
표 1:
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
본 발명에 따른 전계 발광 디바이스에서 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물과 조합하여 바람직하게 사용되는, 식 (1) 의 특히 적합한 화합물은 화합물 1 내지 11 및 29 내지 44 이다:
Figure pct00015
.
Figure pct00016
Figure pct00017
Figure pct00018
식 (1) 의 화합물 또는 표 1로부터의 바람직한 화합물 및 화합물 1 내지 11 및 29 내지 44 의 제조는 당업자에게 알려져 있다. 화합물은 당업자에게 알려진 합성 단계, 이를테면, 예를 들어 할로겐화, 바람직하게는 브롬화, 그리고 후속 유기금속 커플링 반응, 예를 들어 Suzuki 커플링, Heck 커플링 또는 Hartwig-Buchwald 커플링에 의해 제조될 수 있다. 식 (1) 의 화합물 또는 표 1로부터의 바람직한 화합물 및 화합물 1 내지 11 및 29 내지 44 의 제조는 특히 WO2017178311, 특히 46 페이지 및 81 내지 106 페이지의 합성 예로부터 도출될 수 있다.
식 (1) 의 화합물의 제조는 아래 도식 1에 따라 수행될 수 있으며, 여기서 Y, R, a, b, Ar1 및 L 은 위에 표시되거나 또는 바람직하게 표시된 의미 중 하나를 갖는다.
도식 1:
Figure pct00019
.
본 발명에 따른 디바이스에 존재하는 호스트 재료 2 및 그의 바람직한 실시형태가 아래에서 설명된다. 식 (1) 의 호스트 재료 1의 바람직한 실시형태는 또한 본 발명에 따른 혼합물 및/또는 포뮬레이션에도 적용된다.
호스트 재료 2는 하기 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물이고,
Figure pct00020
,
식 중 사용된 기호 및 인덱스들에 이하가 적용된다:
K, M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템이며 이는 x 및 y 가 0 을 나타내는 경우 그리고 x1 및 y1 가 0 을 나타내는 경우, 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환되거나, 또는
K, M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, X 또는 X1 과 함께, x, x1, y 및/또는 y1 의 값이 1을 나타내는 대로 14 내지 40개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하고;
x, x1 은 각 경우에, 각각의 경우 독립적으로, 0 또는 1이고;
y, y1 은 각 경우에, 각각의 경우 독립적으로, 0 또는 1이고;
X 및 X1 는 각 경우에, 각각의 경우 서로 독립적으로, 결합 또는 C(R#)2 이고;
R0 은 각각의 경우, 서로 독립적으로, 6 내지 18개의 C 원자를 갖는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 방향족 고리 시스템이고;
R# 는 각각의 경우, 서로 독립적으로, 1 내지 4 개의 C 원자를 갖는 직쇄 또는 분지형 알킬기이고
c, d, e 및 f 는, 서로 독립적으로, 0 또는 1 이다.
본 발명의 실시형태에서, 식 (2) 의 화합물은 본 발명에 따른 디바이스를 위해 위에 기재된 바와 같이 선택되며, 이는 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은 식 (1)의 화합물과 함께 또는 표 1로부터의 화합물 또는 화합물 1 내지 11 및 29 내지 44 과 함께 발광층에 사용된다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시형태에서, x, y, x1 및 y1 이 0 을 나타내는 식 (2) 의 화합물이 호스트 재료 2로서 사용된다. x, x1, y 및 y1 가 각각의 경우 0 을 나타내는 식 (2) 의 화합물은 하기 식 (2a) 로 표시되고,
Figure pct00021
,
식중 R0, c, d, e 및 f 는 위에 주어진 또는 아래에 주어진 의미를 가지며
K 및 M 는 각 경우에, 서로 독립적으로, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템을 나타내며 이는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환된다.
식 (2a) 의 바람직한 화합물에서, 인덱스 c+d+e+f의 합은 바람직하게는 0 또는 1이고, R0 는 바람직하게는 위 또는 아래에 표시된 의미를 갖는다.
식 (2) 또는 (2a) 의 화합물에서, R0 는 바람직하게는 각각의 경우, 서로 독립적으로, 6 내지 18개의 C 원자를 갖는 비치환된 방향족 고리 시스템이다. R0 는 바람직하게는 각각의 경우, 서로 독립적으로, 페닐, 1,3-바이페닐, 1,4-바이페닐, 나프틸 또는 트리페닐레닐이다. R0 는 특히 바람직하게 각각의 경우, 서로 독립적으로, 페닐이다.
식 (2) 또는 (2a) 의 화합물에서, 인덱스 c, d, e 및 f 는 특히 바람직하게 0 이다.
식 (2) 또는 (2a) 의 화합물에서, K 및 M 는 바람직하게는 각각의 경우, 서로 독립적으로, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템이며, 이는, 위에 기재된 바처럼, 비치환되거나 또는 부분적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환된다. 식 (2) 또는 (2a) 의 화합물에서 K 및 M은 특히 바람직하게는 각각의 경우, 서로 독립적으로, 페닐, 디벤조푸란-치환된 페닐, 디벤조티오펜-치환된 페닐, 중수소화 페닐, 1,3-바이페닐, 1,4-바이페닐, 테르페닐, 부분 중수소화 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 9,9-디페닐플루오레닐, 바이스피로플루오레닐 또는 트리페닐레닐이다.
따라서, 본 발명은 또한, 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물이 식 (2a) 의 화합물 또는 식 (2a) 의 화합물의 바람직한 실시형태에 대응하는, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시형태에서, x1 및 y1 이 0 를 나타내고, x 및 y 가 0 또는 1 을 나타내고 x 및 y 의 합이 1 또는 2 를 나타내는 식 (2) 의 화합물이 호스트 재료 2로서 사용된다. x1 및 y1 이 0 를 나타내고, x 및 y 가 0 또는 1 을 나타내고 x 및 y 의 합이 1 또는 2 를 나타내는 식 (2) 의 화합물은 하기 식 (2b) 로 표시될 수 있고,
Figure pct00022
,
식중 X, x, y, R0, c, d, e 및 f 는 위에 주어진 또는 아래에 주어진 의미를 가지며
M 는 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템이며 이는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환되고
K 는, X와 함께, x 또는 y 의 값이 1을 나타내거나 또는 값 x 와 y 양자 모두가 1을 나타내는 대로, 14 내지 40개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성한다.
식 (2b) 의 바람직한 화합물에서, 인덱스 c+d+e+f의 합은 바람직하게는 0 또는 1이고, R0 는 위에 표시되거나 또는 바람직하게 표시된 의미를 갖는다.
식 (2) 또는 (2b) 의 화합물에서, 인덱스 c, d, e 및 f 는 특히 바람직하게 0 이다.
식 (2) 또는 (2b) 의 화합물에서, K는 바람직하게는 x+y 의 합이 1 또는 2를 나타내는 경우 헤테로방향족 고리 시스템을 형성한다. 식 (2) 또는 (2b) 의 화합물에서 X 는 바람직하게는 직접 결합 또는 C(CH3)2 이다.
식 (2) 또는 (2b) 의 바람직한 화합물은 식 (2b-1) 내지 (2b-6) 로 표시될 수 있고,
Figure pct00023
Figure pct00024
식중 M, R0, c, d, e 및 f 는 위에 주어지거나 또는 바람직하게 주어진 의미를 가진다.
식 (2), (2b), (2b-1), (2b-2), (2b-3), (2b-4), (2b-5) 또는 (2b-6) 의 화합물에서, M 는 바람직하게, 6 내지 40개의 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템이며, 이는, 위에 기재된 바처럼, 비치환되거나 또는 부분적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환된다. 식 (2), (2b), (2b-1), (2b-2), (2b-3), (2b-4, (2b-5) 또는 (2b-6) 의 화합물에서 M은 특히 바람직하게, 페닐, 디벤조푸란-치환된 페닐, 디벤조티오펜-치환된 페닐, 중수소화 페닐, 1,3-바이페닐, 1,4-바이페닐, 테르페닐, 부분적으로 중수소화 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 9,9-디페닐-플루오레닐, 바이스피로플루오레닐 또는 트리페닐레닐이다.
식 (2b-1), (2b-2), (2b-3), (2b-4), (2b-5) 또는 (2b-6) 의 화합물에서, c, d, e 및 f 는 바람직하게 0 이다.
따라서, 본 발명은 또한, 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물이 식 (2b), (2b), (2b-1), (2b-2), (2b-3), (2b-4), (2b-5) 또는 (2b-6) 의 화합물 또는 이들 화합물의 바람직한 실시형태에 대응하는, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
본 발명에 따른 디바이스의 바람직한 실시형태에서, c 및 f 가 0 또는 1을 나타내고, d 및 e 가 0 을 나타내고 x, x1, y 및 y1 가 각각의 경우, 서로 독립적으로, 0 또는 1을 나타내지만, x 및 y의 합이 적어도 1 을 나타내고 x1 및 y1의 합이 적어도 1을 나타내는 식 (2) 의 화합물이 호스트 재료 2로서 사용된다. 위에 기재된 바와 같은 식 (2) 의 그러한 화합물은 바람직하게는 하기 식 (2c) 로 표시될 수 있고,
Figure pct00025
,
식중 X 및 X1 는 위에 주어진 또는 아래에 주어진 의미를 가지며,
K 및 M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, X 또는 X1 과 함께, 14 내지 40개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하고,
x, x1, y 및/또는 y1은 0 또는 1을 나타내고 x와 y의 합은 적어도 1을 나타내고 x1과 y1의 합은 적어도 1을 나타낸다.
식 (2c) 의 바람직한 화합물에서, x 와 y의 합은 1 또는 2이고 x1과 y1의 합은 1이다. 식 (2c) 의 특히 바람직한 화합물에서, x 와 y의 합은 1 이고 x1과 y1의 합은 1이다.
따라서, 식 (2) 또는 (2c) 의 화합물에서 K 및 M은 바람직하게는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성한다. 식 (2) 또는 (2c) 의 화합물에서 X 및 X1 는 바람직하게는 직접 결합 또는 C(CH3)2 이다.
식 (2) 또는 (2c) 의 바람직한 화합물은 식 (2c-1) 내지 (2c-8) 로 표시될 수 있고,
Figure pct00026
Figure pct00027
식 (2c) 의 바람직한 화합물은 또한 아래에 기재된 바와 같은 화합물 46, 47, 48, 49 및 50 이다.
따라서, 본 발명은 또한, 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물이 식 (2c), (2c-1), (2c-2), (2c-3), (2c-4, (2c-5), (2c-6), (2c-7) 또는 (2c-8) 의 화합물에 대응하는, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
식 (2), (2a), (2b), (2b-1), (2b-2), (2b-3), (2b-4), (2b-5) 또는 (2b-6) 의 화합물의 바람직한 실시형태에서, 카르바졸 및 브릿지된 카르바졸은 각 경우에 3 위치에서 서로 링크된다.
식 (2c) 의 화합물의 바람직한 실시형태에서, 2 개의 브릿지된 카르바졸은 각 경우에 3 위치에서 서로 링크된다.
본 발명에 따라 선택되고 바람직하게는 본 발명에 따른 전계 발광 디바이스에서 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물과 조합하여 사용되는 식 (2), (2a), (2b), (2b-1), (2b-2), (2b-3), (2b-4), (2b-5) 및 (2c) 의 적합한 호스트 재료의 예는 아래의 표 2 에 나타낸 구조이다.
Figure pct00028
Figure pct00029
Figure pct00030
Figure pct00031
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
Figure pct00035
본 발명에 따른 전계 발광 디바이스에서 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물과 조합하여 바람직하게 사용되는, 식 (2) 의 특히 적합한 화합물은 화합물 12 내지 27 및 45 내지 52 이다:
Figure pct00036
Figure pct00037
Figure pct00038
.
식 (2) 의 화합물 또는 식 (2), (2a), (2b), (2b-1), (2b-2), (2b-3), (2b-4, (2b-5) 및 (2c) 의 바람직한 화합물 및 표 2 로부터의 화합물 및 화합물 12 내지 27 및 45 내지 52 의 제조는 당업자에게 알려져 있다. 화합물은 당업자에게 알려진 합성 단계, 이를테면, 예를 들어 할로겐화, 바람직하게는 브롬화, 그리고 후속 유기금속 커플링 반응, 예를 들어 Suzuki 커플링, Heck 커플링 또는 Hartwig-Buchwald 커플링에 의해 제조될 수 있다. 식 (2) 의 몇몇 화합물은 상업적으로 입수 가능하다.
위에 언급된 식 (1) 및 그의 바람직하게 기재된 실시형태 또는 표 1로부터의 화합물 및 화합물 1 내지 11 및 29 내지 44 의 호스트 재료는 식 (2), (2a), (2b), (2), (2a), (2b), (2b-1), (2b-2), (2b-3), (2b-4, (2b-5), (2c), (2c-1), (2c-2), (2c-3), (2c-4), (2c-5), (2c-6), (2c-7) 및 (2c-8) 및 이들의 바람직하게 기재된 실시형태 또는 표 2로부터의 화합물 또는 화합물 12 내지 27 및 45 내지 52 의 상기 호스트 재료와 본 발명에 따른 디바이스에서 원하는 대로 조합될 수 있다.
식 (1) 의 호스트 재료와 식 (2) 의 호스트 재료의 전술한 특정 조합이, 위에 기재된 바와 같이, 바람직하다. 호스트 재료의 바람직한 조합은 마찬가지로 아래에 기재되어 있다.
마찬가지로, 본 발명은 또한, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 혼합물에 관한 것이고,
Figure pct00039
Figure pct00040
,
식 중 사용된 기호 및 인덱스들에 이하가 적용된다:
Y 는 O, S, C(CH3)2, C(페닐)2 또는
Figure pct00041
로부터 선택되고, 여기서 * 는 식 (1) 의 나머지 부분에 결합된 C 원자를 표시하고;
L 은 하기 2가 링커 L-1 내지 L-26 중 하나로부터 선택되고,
Figure pct00042
Figure pct00043
여기서 링커 L-1 내지 L-26 는 또한 하나 이상의 치환기 R에 의해 치환될 수도 있고;
W 는 O, S 또는 C(CH3)2; 바람직하게는 O 또는 S 이고;
a 는 0 또는 1이고;
b 는 0 또는 1 이고;
R 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, CN, 1 내지 20개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 20개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Ar1 은 각각의 경우, 각 경우에 서로 독립적으로, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있고;
K, M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템이며 이는 x 및 y 가 0 을 나타내는 경우 그리고 x1 및 y1 가 0 을 나타내는 경우, 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환되거나, 또는
K, M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, X 또는 X1 과 함께, x, x1, y 및/또는 y1 의 값이 1을 나타내는 대로 14 내지 40개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하고;
x, x1 은 각 경우에, 각각의 경우 독립적으로, 0 또는 1이고;
y, y1 은 각 경우에, 각각의 경우 독립적으로, 0 또는 1이고;
X 및 X1 는 각 경우에, 각각의 경우 서로 독립적으로, 결합 또는 C(R#)2 이고;
R0 은 각각의 경우, 서로 독립적으로, 6 내지 18개의 C 원자를 갖는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 방향족 고리 시스템이고;
R* 는 디벤조푸라닐 또는 디벤조티오페닐이고;
R# 는 각각의 경우, 서로 독립적으로, 1 내지 4 개의 C 원자를 갖는 직쇄 또는 분지형 알킬기이고;
c, d, e 및 f 는, 서로 독립적으로, 0 또는 1 이다.
식 (1) 및 (2) 의 호스트 재료 및 이들의 바람직한 실시형태 및 이들의 조합에 관한 설명은 본 발명에 따른 혼합물에도 대응하게 적용된다.
본 발명에 따른 디바이스에 대한 식 (1) 의 호스트 재료와 식 (2) 의 호스트 재료의 특히 바람직한 혼합물은 표 2로부터의 화합물과 화합물 1 내지 11 및 29 내지 44 의 조합에 의해 얻어진다.
본 발명에 따른 디바이스에 대한 식 (1) 의 호스트 재료와 식 (2) 의 호스트 재료의 매우 특히 바람직한 혼합물은 아래 표 3에 보여진 바처럼 화합물 1 내지 11 및 29 내지 44 와 화합물 12 내지 27 및 45 내지 52 의 조합에 의해 얻어진다.
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
Figure pct00047
Figure pct00048
Figure pct00049
본 발명에 따른 혼합물에서 또는 본 발명에 따른 디바이스의 발광층에서, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 식 (1) 의 전자 수송 호스트 재료의 농도는, 발광층의 전체 혼합물 또는 전체 조성물을 기준으로, 5 중량% 내지 90 중량% 범위, 바람직하게는 10 중량% 내지 85 중량% 범위, 더욱 바람직하게는 20 중량% 내지 85 중량% 범위, 더욱 더 바람직하게는 30 중량% 내지 80 중량% 범위, 매우 특히 바람직하게는 20 중량% 내지 60 중량% 의 범위, 그리고 가장 바람직하게는 30 중량% 내지 50 중량%의 범위이다.
본 발명에 따른 혼합물에서 또는 본 발명에 따른 디바이스의 발광층에서, 위에 기재된 바와 같은 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 식 (2) 의 정공 수송 호스트 재료의 농도는, 발광층의 전체 혼합물 또는 전체 조성물을 기준으로, 10 중량% 내지 95 중량% 의 범위, 바람직하게 15 중량% 내지 90 중량% 의 범위, 보다 바람직하게는 15 중량% 내지 80 중량% 의 범위, 더욱 더 바람직하게는 20 중량% 내지 70 중량% 의 범위, 매우 특히 바람직하게는 40 중량% 내지 80 중량% 의 범위 그리고 가장 바람직하게는 50 중량% 내지 70 중량% 의 범위이다.
본 발명은 또한, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 위에 언급된 호스트 재료 1 및 2, 특히 혼합물 M1 내지 M648 이외에, 적어도 또한 인광 방출체를 포함하는 혼합물에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 발광층이, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 위에 언급된 호스트 재료 1 및 2, 특히 재료 조합 M1 내지 M648 이외에, 적어도 또한 인광 방출체를 포함하는 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
인광 방출체라는 용어는 전형적으로, 더 높은 스핀 다중도를 갖는, 즉 스핀 상태 > 1인, 여기된 상태로부터 스핀 금지 천이를 통해, 예를 들어 삼중항 상태 또는 심지어 더 높은 스핀 양자 수를 갖는 상태, 예를 들어, 오중항 상태로부터의 천이를 통해 광 방출이 일어나는 화합물을 포함한다. 이것은 바람직하게 삼중항 상태로부터 천이를 의미하는 것으로 여겨진다.
특히, 적합한 인광 방출체 (= 삼중항 방출체) 은 바람직하게는 가시 영역에서, 적합한 여기시 발광하는 화합물이고, 또한 20 초과, 바람직하게는 38 초과 및 84 미만, 특히 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 원자 번호를 갖는 적어도 하나의 원자, 특히 이 원자 번호를 갖는 금속을 함유한다. 사용되는 인광 방출체는 바람직하게는, 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다. 본 발명의 목적을 위해, 위에서 언급된 금속을 함유하는 모든 발광 화합물이 인광 방출체로서 간주된다.
일반적으로, 인광 OLED 에 대해 종래 기술에 따라 사용되고 유기 전계 발광 디바이스 분야의 당업자에 알려져 있는 모든 인광 착물이 적합하다.
위에 기재된 방출체의 예들은 출원 WO　2016/015815, WO　00/70655, WO　2001/41512, WO　2002/02714, WO　2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US　2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094961, WO 2014/094960, WO 2015/036074, WO 2015/104045, WO 2015/117718, WO 2016/015815, WO 2016/124304, WO 2017/032439, WO 2015/036074, WO 2015/117718 및 WO 2016/015815 에 의래 드러난다.
본 발명에 따른 바람직한 인광 방출체는 식 (3) 에 따르고,
Figure pct00050
,
여기서 이 식 (3) 에 대한 기호 및 인덱스는 하기 정의를 갖는다:
n+m 은 3 이고, n 은 1 또는 2 이고, m 은 2 또는 1 이고,
X 는 N 또는 CR 이고,
R 은 H, D, 또는 1 내지 10 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 선형 알킬기, 또는 1 내지 10 개의 C 원자를 갖는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 분지형 또는 선형 알킬기, 또는 4 내지 7 개의 C 원자를 갖는 시클로알킬기이고, 이는 중수소에 의해 부분적으로 또는 전체적으로 치환될 수도 있다.
따라서, 본 발명은 또한 발광층이, 호스트 재료 1 및 2 이외에, 위에 기재된 바와 같은, 식 (3) 에 따르는 적어도 하나의 인광 방출체를 포함하는 것을 특징으로 하는, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
식 (3) 의 방출체에서, n 은 바람직하게는 1이고, m 은 바람직하게는 2 이다.
식 (3) 의 방출체에서, 바람직하게 하나의 X 는 N 으로부터 선택되고, 다른 하나의 X 는 CR 을 나타낸다.
식 (3) 의 방출체에서, 적어도 하나의 R 은 바람직하게는 H 와는 다른 것이다. 식 (3) 의 방출체에서, 바람직하게는 2개의 R은 H 와는 다른 것이고 식 (3) 의 방출체에 대해 위에서 달리 나타낸 의미 중 하나를 갖는다.
인광 방출체의 바람직한 예는 아래 표 4에 나타나 있다.
Figure pct00051
Figure pct00052
Figure pct00053
Figure pct00054
Figure pct00055
Figure pct00056
Figure pct00057
Figure pct00058
Figure pct00059
Figure pct00060
Figure pct00061
Figure pct00062
Figure pct00063
Figure pct00064
Figure pct00065
Figure pct00066
Figure pct00067
Figure pct00068
Figure pct00069
인광 폴리포달 방출체의 바람직한 예는 아래 표 5에 나타나 있다.
Figure pct00070
Figure pct00071
Figure pct00072
Figure pct00073
본 발명에 따른 혼합물에서 또는 본 발명에 따른 디바이스의 발광층에서, 각각의 혼합물 M1, M2, M3, M4, M5, M6, M7, M8, M9, M10, M11, M12, M13, M14, M15, M16, M17, M18, M19, M20, M21, M22, M23, M24, M25, M26, M27, M28, M29, M30, M31, M32, M33, M34, M35, M36, M37, M38, M39, M40, M41, M42, M43, M44, M45, M46, M47, M48, M49, M50, M51, M52, M53, M54, M55, M56, M57, M58, M59, M60, M61, M62, M63, M64, M65, M66, M67, M68, M69, M70, M71, M72, M73, M74, M75, M76, M77, M78, M79, M80, M81, M82, M83, M84, M85, M86, M87, M88, M89, M90, M91, M92, M93, M94, M95, M96, M97, M98, M99, M100, M101, M102, M103, M104, M105, M106, M107, M108, M109, M110, M111, M112, M113, M114, M115, M116, M117, M118, M119, M120, M121, M122, M123, M124, M125, M126, M127, M128, M129, M130, M131, M132, M133, M134, M135, M136, M137, M138, M139, M140, M141, M142, M143, M144, M145, M146, M147, M148, M149, M150, M151, M152, M153, M154, M155, M156, M157, M158, M159, M160, M161, M162, M163, M164, M165, M166, M167, M168, M169, M170, M171, M172, M173, M174, M175, M176, M177, M178, M179, M180, M181, M182, M183, M184, M185, M186, M187, M188, M189, M190, M191, M192, M193, M194, M195, M196, M197, M198, M199, M200, M201, M202, M203, M204, M205, M206, M207, M208, M209, M210, M211, M212, M213, M214, M215, M216, M217, M218, M219, M220, M221, M222, M223, M224, M225, M226, M227, M228, M229, M230, M231, M232, M233, M234, M235, M236, M237, M238, M239, M240, M241, M242, M243, M244, M245, M246, M247, M248, M249, M250, M251, M252, M253, M254, M255, M256, M257, M258, M259, M260, M261, M262, M263, M264, M265, M266, M267, M268, M269, M270, M271, M272, M273, M274, M275, M276, M277, M278, M279, M280, M281, M282, M283, M284, M285, M286, M287, M288, M289, M290, M291, M292, M293, M294, M295, M296, M297, M298, M299, M300, M301, M302, M303, M304, M305, M306, M307, M308, M309, M310, M311, M312, M313, M314, M315, M316, M317, M318, M319, M320, M321, M322, M323, M324, M325, M326, M327, M328, M329, M330, M331, M332, M333, M334, M335, M336, M337, M338, M339, M340, M341, M342, M343, M344, M345, M346, M347, M348, M349, M350, M351, M352, M353, M354, M355, M356, M357, M358, M359, M360, M361, M362, M363, M364, M365, M366, M367, M368, M369, M370, M371, M372, M373, M374, M375, M376, M377, M378, M379, M380, M381, M382, M383, M384, M385, M386, M387, M388, M389, M390, M391, M392, M393, M394, M395, M396, M397, M398, M399, M400, M401, M402, M403, M404, M405, M406, M407, M408, M409, M410, M411, M412, M413, M414, M415, M416, M417, M418, M419, M420, M421, M422, M423, M424, M425, M426, M427, M428, M429, M430, M431, M432, M433, M434, M435, M436, M437, M438, M439, M440, M441, M442, M443, M444, M445, M446, M447, M448, M449, M450, M451, M452, M453, M454, M455, M456, M457, M458, M459, M460, M461, M462, M463, M464, M465, M466, M467, M468, M469, M470, M471, M472, M473, M474, M475, M476, M477, M478, M479, M480, M481, M482, M483, M484, M485, M486, M487, M488, M489, M490, M491, M492, M493, M494, M495, M496, M497, M498, M499, M500, M501, M502, M503, M504, M505, M506, M507, M508, M509, M510, M511, M512, M513, M514, M515, M516, M517, M518, M519, M520, M521, M522, M523, M524, M525, M526, M527, M528, M529, M530, M531, M532, M533, M534, M535, M536, M537, M538, M539, M540, M541, M542, M543, M544, M545, M546, M547, M548, M549, M550, M551, M552, M553, M554, M555, M556, M557, M558, M559, M560, M561, M562, M563, M564, M565, M566, M567, M568, M569, M570, M571, M572, M573, M574, M575, M576, M577, M578, M579, M580, M581, M582, M583, M584, M585, M586, M587, M588, M589, M590, M591, M592, M593, M594, M595, M596, M597, M598, M599, M600, M601, M602, M603, M604, M605, M606, M607, M608, M609, M610, M611, M612, M613, M614, M615, M616, M617, M618, M619, M620, M621, M622, M623, M624, M625, M626, M627, M628, M629, M630, M631, M632, M633, M634, M635, M636, M637, M638, M639, M640, M641, M642, M643, M644, M645, M646, M647, M648 은 바람직하게 식 (3) 의 화합물 또는 표 4 또는 5로부터의 화합물과 조합된다.
적어도 하나의 인광 방출체를 포함하는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스에서 발광층은 바람직하게는 적외, 황색, 오렌지색, 적색-, 녹색-, 청색- 또는 자외 방출 층, 특히 바람직하게는 황색 또는 녹색 방출 층 및 매우 특히 바람직하게는 녹색 방출 층이다.
여기서 황색 방출 층은 540 내지 570 nm 범위의 광루미네선스 최대치를 갖는 층을 의미하는 것으로 여겨진다. 오렌지색 방출 층은 570 내지 600 nm 범위의 광광루미네선스 최대치를 갖는 층을 의미하는 것으로 여겨진다. 적색 방출 층은 600 내지 750 nm 범위의 광루미네선스 최대치를 갖는 층을 의미하는 것으로 여겨진다. 녹색 방출층은 광루미네선스 최대치가 490 내지 540 nm 범위인 층을 의미하는 것으로 여겨진다. 청색 방출층은 광루미네선스 최대치가 440 내지 490 nm 범위인 층을 의미하는 것으로 여겨진다. 층의 광루미네선스는 여기서 실온에서 50 nm의 층 두께를 갖는 층의 광루미네선스 스펙트럼의 측정에 의해 결정되며, 여기서 그 층은 식 (1) 및 (2) 의 호스트 재료 및 대응하는 방출체의 본 발명에 따른 조합을 포함한다.
층의 광루미네선스 스펙트럼은 예를 들어 상업적으로 이용 가능한 광루미네선스 분광계를 사용하여 기록된다.
선택된 방출체의 광루미네선스 스펙트럼은 일반적으로 10-5 몰랄(molar)의 무산소 용액에서 측정되며, 여기서 측정은 실온에서 수행되고 선택된 방출체가 상기 농도로 용해되는 임의의 용매가 적합하다. 특히 적합한 용매는 일반적으로 톨루엔 또는 2-메틸-THF 뿐만 아니라 디클로로메탄이다. 측정은 상업적으로 이용 가능한 광루미네선스 분광계를 사용하여 수행된다. eV 단위의 삼중항 에너지 T1은 방출체의 광루미네선스 스펙트럼으로부터 결정된다. 먼저 광루미네선스 스펙트럼의 피크 최대 Plmax. (nm 단위) 를 결정한다. 다음으로, 피크 최대 Plmax. (nm 단위) 는 다음에 따라 eV 단위로 변환된다: E(eV 단위의 T1) = 1240 / E(nm 단위의 T1) = 1240 / Plmax (nm 단위).
따라서, 바람직한 인광 방출체는, 삼중항 에너지 T1 이 바람직하게 ~1.9　eV 내지 ~1.0　eV 인 적외 방출체이다.
이에 따라서 바람직한 인광 방출체는 삼중항 에너지 T1 이 바람직하게는 ~ 2.1 eV 내지 ~ 1.9 eV 인, 바람직하게는 식 (3) 또는 표 4 또는 5로부터의 적색 방출체이다.
이에 따라서 바람직한 인광 방출체는 삼중항 에너지 T1 이 바람직하게는 ~ 2.3 eV 내지 ~ 2.1 eV 인, 바람직하게는 식 (3) 또는 표 4 또는 5로부터의 황색 방출체이다.
이에 따라서 바람직한 인광 방출체는 삼중항 에너지 T1 이 바람직하게는 ~ 2.5 eV 내지 ~ 2.3 eV 인, 바람직하게는 식 (3) 또는 표 4 또는 5로부터의 녹색 방출체이다.
이에 따라서 바람직한 인광 방출체는 삼중항 에너지 T1 이 바람직하게는 ~ 3.1 eV 내지 ~ 2.5 eV 인, 바람직하게는 식 (3) 또는 표 4 또는 5로부터의 청색 방출체이다.
이에 따라서 바람직한 인광 방출체는 삼중항 에너지 T1 이 바람직하게는 ~ 4.0 eV 내지 ~ 3.1 eV 인, 바람직하게는 식 (3) 또는 표 4 또는 5로부터의 자외 방출체이다.
이에 따라서 특히 바람직한 인광 방출체는 위에 기재된 바와 같이 바람직하게는 식 (3) 또는 표 4 또는 5로부터의 녹색 또는 황색 방출체이다.
이에 따라서 매우 특히 바람직한 인광 방출체는 삼중항 에너지 T1 은 바람직하게는 ~ 2.5 eV 내지 ~ 2.3 eV 인, 바람직하게는 식 (3) 또는 표 4 또는 5로부터의 녹색 방출체이다.
위에 기재된 바와 같이, 바람직하게는 식 (3) 의 또는 표 4 또는 5 으로부터의, 녹색 방출체가 본 발명에 따른 조성물 또는 본 발명에 따른 방출 층을 위해 매우 특히 바람직하게 선택된다.
본 발명에 따른 디바이스의 발광층은 또한 형광 방출체를 포함할 수도 있다.
바람직한 형광 방출체는 아릴아민의 부류로부터 선택된다. 본 발명의 의미에서 아릴아민 또는 방향족 아민은, 질소에 직접 결합된 3 개의 치환 또는 비치환된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 이들 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 중 적어도 하나는 바람직하게 축합 고리 시스템, 특히 바람직하게는 적어도 14 개의 방향족 고리 원자를 갖는 축합 고리 시스템이다. 이의 바람직한 예는 방향족 안트라센아민, 방향족 안트라센디아민, 방향족 피렌아민, 방향족 피렌디아민, 방향족 크리센아민 또는 방향족 크리센디아민이다. 방향족 안트라센아민은, 하나의 디아릴아미노기가 안트라센기에 직접, 바람직하게는 9 위치에서 결합하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 방향족 안트라센디아민은, 2개의 디아릴아미노기가 안트라센기에 직접, 바람직하게는 9,10 위치에서 결합하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 방향족 피렌아민, 피렌디아민, 크리센아민 및 크리센디아민은 이와 유사하게 정의되며, 여기서 디아릴아미노기는 바람직하게는 1 위치 또는 1,6 위치에서 피렌에 결합된다. 추가 바람직한 형광 방출체는 인데노플루오렌아민 또는 인데노플루오렌디아민 (예를 들어, WO 2006/108497 또는 WO 2006/122630 에 따름), 벤조인데노플루오렌아민 또는 벤조인데노플루오렌디아민 (예를 들어, WO 2008/006449 에 따름), 및 디벤조인데노플루오렌아민 또는 디벤조인데노플루오렌디아민 (예를 들어, WO 2007/140847 에 따름), 및 WO 2010/012328 에 개시된 축합 아릴 기를 갖는 인데노플루오렌 유도체이다.
본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 유기 전계 발광 디바이스의 적어도 하나의 발광층은, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 호스트 재료 1 및 2 이외에, 추가 호스트 재료 또는 매트릭스 재료, 소위 혼합 매트릭스 시스템을 포함할 수도 있다. 혼합 매트릭스 시스템은 바람직하게는 3 개 또는 4 개의 상이한 매트릭스 재료, 특히 바람직하게는 3 개의 상이한 매트릭스 재료 (즉, 위에 기재된 바와 같은, 호스트 재료 1 및 2 에 더하여 추가 매트릭스 성분) 를 포함한다. 혼합 매트릭스 시스템의 매트릭스 성분으로서 조합하여 사용될 수 있는 특히 적합한 매트릭스 재료는 와이드 밴드갭 재료, 바이폴라 호스트 재료, 전자 수송 재료 (ETM) 및 정공 수송 재료 (HTM) 로부터 선택된다.
여기서 와이드 밴드갭 재료는 적어도 3.5 eV 의 밴드 갭을 특징으로 하는 US 7,294,849 의 개시의 의미에서 재료를 의미하는 것으로 여겨지고, 여기서 밴드 갭은 재료의 HOMO 와 LUMO 에너지 사이의 분리를 의미하는 것으로 여겨진다.
혼합 매트릭스 시스템들에 관한 보다 정확한 세부사항은, 특히, 출원 WO　2010/108579 에 주어져 있다. 인광 또는 형광 유기 전계 발광 디바이스에서 혼합 매트릭스 시스템의 매트릭스 성분으로서, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 호스트 재료 1 및 2와 조합하여 사용될 수 있는 특히 적합한 매트릭스 재료는, 사용되는 방출체 유형에 따라, 인광 방출체를 위한 아래에 표시된 바람직한 매트릭스 재료 또는 형광 방출체를 위한 바람직한 매트릭스 재료로부터 선택된다. 혼합 매트릭스 시스템은 바람직하게, 식 (3) 의 또는 표 4 또는 5로부터의 방출체에 대해 최적화된다.
위에 기재된 바와 같은, 특히 바람직하게는 M1 내지 M648 로부터 선택된 호스트 재료들의 조합을 포함하는, 본 발명에 따른 디바이스에서 호스트 재료 1 및 2 이외에, 바람직하게는 형광 방출체에, 적합한 추가의 호스트 재료는 다양한 부류의 물질이다. 바람직한 추가 호스트 재료는 올리고아릴렌 (예를 들어, EP　676461 에 따른 2,2',7,7'-테트라페닐스피로바이플루오렌, 또는 디나프틸안트라센), 특히 축합 방향족 기를 함유하는 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌 (예를 들어, EP 676461 에 따른 DPVBi 또는 스피로-DPVBi), 폴리포달 (polypodal) 금속 착물 (예를 들어, WO 2004/081017 에 따름), 정공 전도 화합물 (예를 들어, WO 2004/058911 에 따름), 전자 전도 화합물, 특히 케톤, 포스핀 옥사이드, 술폭사이드 등 (예를 들어, WO 2005/084081 및 WO 2005/084082 에 따름), 회전장애 이성질체 (예를 들어, WO 2006/048268 에 따름), 보론산 유도체 (예를 들어, WO 2006/117052 에 따름) 또는 벤즈안트라센 (예를 들어, WO 2008/145239 에 따름) 의 부류에서 선택된다. 특히 바람직한 매트릭스 재료는 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센 및/또는 피렌 또는 이들 화합물의 회전장애 이성질체를 함유하는, 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌, 케톤, 포스핀 옥사이드 및 술폭사이드의 부류로부터 선택된다. 매우 특히 바람직한 매트릭스 재료는 안트라센, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌 및/또는 피렌 또는 이들 화합물의 회전장애 이성질체를 함유하는 올리고아릴렌의 부류에서 선택된다. 본 발명의 의미에서 올리고아릴렌은 적어도 3 개의 아릴 또는 아릴렌 기가 서로 결합되어 있는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다.
위에 기재된 바와 같은, 특히 바람직하게는 M1 내지 M648 로부터 선택된 호스트 재료들의 조합을 포함하는, 본 발명에 따른 디바이스에서 호스트 재료 1 및 2 이외에, 바람직하게는 인광 방출체에, 적합한 추가 호스트 재료는 하기 화합물의 부류이다: 방향족 아민, 특히, 예를 들어, US 2005/0069729 에 따른 트리아릴아민, 카르바졸 유도체 (예를 들어, CBP, N,N-비스-카르바졸릴바이페닐) 또는 WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527, 또는 WO 2008/086851 에 따른 화합물, 예를 들어, WO 2011/088877 및 WO 2011/128017 에 따른 브릿지된 카르바졸 유도체, 예를 들어, WO 2010/136109 및 WO 2011/000455 에 따른 인데노카르바졸 유도체, 예를 들어, EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따른 아자카르바졸 유도체, 예를 들어, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따른 인돌로카르바졸 유도체, 예를 들어, WO 2004/093207 또는 WO 2010/006680 에 따른 케톤, 예를 들어, WO 2005/003253 에 따른 포스핀 산화물, 술폭시드, 및 술폰, 예를 들어, WO 2007/137725 에 따른 올리고페닐렌, 바이폴라 매트릭스 재료, 예를 들어, WO 2005/111172 에 따른 실란, 예를 들어, WO 2006/117052 에 따른 아자보롤 또는 보론닉 에스테르, 예를 들어, WO 2010/015306, WO 2007/063754, 또는 WO 2008/056746 에 따른 트리아진 유도체, 예를 들어, EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따른 아연 착물, 알루미늄 착물, 예를 들어, BAlq, 예를 들어, WO 2010/054729 에 따른 디아자실롤 및 테트라아자실롤 유도체, 예를 들어, WO 2010/054730 에 따른 디아자포스폴 유도체, 및 알루미늄 착물, 예를 들어 BAlQ.
본 발명의 실시형태에 따르면, 혼합물은 식 (1) 의 전자 수송 호스트 재료 및 식 (2) 의 정공 수송 호스트 재료의 구성 요소이외에, 추가의 구성 요소, 즉 기능성 재료를 포함하지 않는다. 이들은 발광층의 제조에 그것 자체로 사용되는 재료 혼합물이다. 이러한 혼합물을 사전혼합 시스템이라고도 하며, 발광층용 호스트 재료의 증착 시 단 하나의 재료 소스로 사용되며 증착 시 일정한 혼합 비를 갖는다. 이는 다수의 재료 소스의 정밀한 제어가 필요 없이, 균일한 성분 분포를 갖는 층의 증착이 단순하고 빠른 방식으로 달성될 수 있게 한다.
본 발명의 대안의 실시형태에 따르면, 혼합물은 또한, 식 (1) 의 전자 수송 호스트 재료 및 식 (2) 의 정공 수송 호스트 재료의 구성 요소이외에, 위에 기재된 바와 같은, 인광 방출체를 포함한다. 증착 동안 적절한 혼합 비가 주어지면, 이 혼합물은 또한 위에 기재된 바와 같이 단 하나의 재료 소스로서 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 디바이스의 발광층의 성분 또는 구성 요소는 증착에 의해 또는 용액으로부터 처리될 수 있다. 이를 위해, 위에 기재되거나 바람직하게 기재된 바와 같은, 선택적으로 인광 방출체와, 위에 기재되거나 바람직하게 기재된 바와 같은 호스트 재료 1 및 2의 재료 조합은 적어도 하나의 용매를 포함하는 포뮬레이션으로 제공된다. 이들 포뮬레이션은, 예를 들어, 용액, 분산액 또는 유화액일 수 있다. 이 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다.
따라서, 본 발명은 또한, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 선택적으로 인광 방출체와 조합하여, 위에 기재된 바와 같은, 호스트 재료 1 및 2의 본 발명에 따른 혼합물, 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 포뮬레이션에 관한 것이다.
적합하고 바람직한 용매는, 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m-또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 쿠멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, 메틸 벤조에이트, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 헥사메틸인단, 또는 이들 용매의 혼합물이다.
여기서 포뮬레이션은 또한, 본 발명에 따른 디바이스의 발광층에서 마찬가지로 사용되는 적어도 하나의 추가의 유기 또는 무기 화합물, 특히, 추가 방출 화합물 및/또는 추가 매트릭스 재료를 포함할 수도 있다. 적합한 방출 화합물 및 추가 매트릭스 재료는 위에서 이미 표시되었다.
본 발명에 따른 바람직한 실시형태에 따른 디바이스에서 발광층 및 방출 화합물은 바람직하게는, 방출체 및 매트릭스 재료를 포함하는 전체 조성물을 기준으로, 바람직한 실시형태에 따른 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 매트릭스 재료를 99.9 내지 1 부피%, 더 바람직하게는 99 내지 10 부피%, 특히 바람직하게는 98 내지 60 부피%, 매우 특히 바람직하게는 97 내지 80 부피% 포함한다. 대응하여, 본 발명에 따른 디바이스에서의 발광층은 바람직하게는 방출체 및 매트릭스 재료로 이루어진 발광층의 전체 조성을 기준으로 0.1 부피% 내지 99 부피%, 더욱 바람직하게는 1 부피% 내지 90 부피%, 특히 바람직하게는 2 부피% 내지 40 부피%, 매우 특히 바람직하게는 3 부피% 내지 20 부피%의 방출체를 포함한다. 화합물을 용액으로부터 처리하는 경우, 위에 언급된 부피 % 단위의 양 대신에 대응하는 중량 %의 양이 바람직하게 사용된다.
본 발명에 따른 바람직한 실시형태에 따른 디바이스에서 발광층 및 방출 화합물은 바람직하게는 3:1 내지 1:3, 바람직하게는 1:2.5 내지 1:1, 특히 바람직하게는 1:2 내지 1:1의 부피 백분율 비로 식 (1) 의 매트릭스 재료 및 식 (2) 의 매트릭스 재료를 포함한다. 화합물을 용액으로부터 처리하는 경우, 위에 언급된 부피 % 단위의 비 대신에 대응하는 중량 % 단위의 비가 바람직하게 사용된다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스의 층들의 순서는 바람직하게는 다음과 같다:
애노드 / 정공 주입층 /정공 수송층 / 방출 층/ 전자 수송층/ 전자 주입층 / 캐소드.
이 층 순서가 바람직한 순서이다.
상기 층 모두가 존재할 필요는 없다는 것 및/또는 추가 층이 추가로 존재할 수 있다는 것이 여기서 한번 더 지적되어야 한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스는 복수의 방출 층들을 포함할 수도 있다. 방출층 중 적어도 하나는, 위에 기재된 바와 같은, 호스트 재료 1로서 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 호스트 재료 2로서 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 본 발명에 따른 발광층이다. 이들 방출 층은 이 경우에 특히 바람직하게는 복수의 방출 최대치의 합계가 380 nm 내지 750 nm 이며, 이는 전체적으로 백색 방출을 낳으며, 즉 형광 또는 인광을 일으킬 수 있고 청색 또는 황색 또는 오렌지색 또는 적색 광을 방출하는 다양한 방출 화합물이 방출 층에 사용된다. 3 층 시스템, 즉 3개 방출 층들을 갖는 시스템이 특히 바람직하고, 여기서 3개 층들은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타낸다 (기본 구조에 대해서는, 예를 들면, WO　2005/011013 참조). 백색광의 생성을 위해, 넓은 파장 범위에서 방출하는 개별적으로 사용되는 하나의 방출체 화합물이 색을 방출하는 복수의 방출체 화합물 대신에 적합할 수도 있다는 것에 유의해야 한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스의 정공 주입 또는 정공 수송 층 또는 전자 차단 층에서 또는 전자 수송 층에서 사용될 수 있는 적합한 전하 수송 재료들은, 예를 들어, Y. Shirota 등의, Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010 에 개시된 화합물들 또는 종래 기술에 따라 이들 층들에서 사용되는 다른 재료들이다.
전자 수송 층에 사용될 수 있는 재료들은, 전자 수송 층에서 전자 수송 재료로서 종래 기술에 따라 사용되는 모든 재료이다. 알루미늄 착물, 예를 들어 Alq3, 지르코늄 착물, 예를 들어 Zrq4, 벤즈이미다졸 유도체, 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체, 피리딘 유도체, 피라진 유도체, 퀴녹살린 유도체, 퀴놀린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 방향족 케톤, 락탐, 보란, 디아자포스폴 유도체 및 포스핀 옥사이드 유도체가 특히 적합하다. 또한, 적합한 재료는, JP 2000/053957, WO 2003/060956, WO 2004/028217, WO 2004/080975 및 WO 2010/072300 에 개시된 바와 같은 위에 언급된 화합물의 유도체이다.
바람직한 정공 수송 재료는, 특히, 정공 수송, 정공 주입 또는 전자 차단 층에서 사용될 수 있는 재료, 이를테면 인데노플루오렌아민 유도체 (예를 들어, WO 06/122630 또는 WO 06/100896 에 따름), EP 1661888 에 개시되어 있는 아민 유도체, 헥사아자트리페닐렌 유도체 (예를 들어, WO 01/049806 에 따름), 축합 방향족 고리를 함유하는 아민 유도체 (예를 들어, US 5,061,569 에 따름), WO 95/09147 에 개시되어 있는 아민 유도체, 모노벤조인데노플루오렌아민 (예를 들어, WO 08/006449 에 따름), 디벤조인데노플루오렌아민 (예를 들어, WO 07/140847 에 따름), 스피로바이플루오렌아민 (예를 들어, WO　2012/034627 또는 아직 공개되지 않았던 EP　12000929.5 에 따름), 플루오렌아민 (예를 들어, WO　2014/015937, WO 2014/015938 및 WO 2014/015935 에 따름), 스피로디벤조피란아민 (예를 들어, WO 2013/083216 에 따름) 및 디히드로아크리딘 유도체 (예를 들어, WO 2012/150001 에 따름) 이다.
본 발명에 따른 디바이스의 캐소드로서 적합한 것은, 낮은 일함수를 갖는 금속, 예를 들면, 알칼리토 금속, 알칼리 금속, 주족 금속 또는 란타노이드 (예를 들면, Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등) 와 같은 다양한 금속들을 포함하는 금속 합금 또는 다층 구조이다. 또한, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은을 포함하는 합금, 예를 들어 마그네슘 및 은을 포함하는 합금이 적합하다. 다층 구조의 경우에, 예를 들면, Ag 또는 Al 와 같은, 상대적으로 높은 일함수를 갖는 추가 금속이 또한 상기 금속에 더하여 사용될 수 있고, 이 경우에 예를 들면, Ca/Ag, Mg/Ag 또는 Ba/Ag 와 같은 금속의 조합이 일반적으로 사용된다. 또한 금속 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전 상수를 갖는 재료의 얇은 중간층을 도입하는 것이 바람직할 수도 있다. 이 목적으로, 예를 들어, 알칼리 금속 플루오라이드 또는 알칼리 토금속 플루오라이드 뿐만 아니라, 대응하는 산화물 또는 탄산염 (예를 들어 LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3 등) 도 적합하다. 또한, 리튬 퀴놀리네이트 (LiQ) 가 이러한 목적으로 사용될 수 있다. 이러한 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm 이다.
애노드는 바람직하게는 높은 일 함수를 갖는 재료를 포함한다. 애노드는 바람직하게는 진공 대비 4.5 eV 초과의 일함수를 갖는다. 한편, 이 목적으로, 예를 들면 Ag, Pt 또는 Au 와 같은 높은 산화환원 전위 (redox potential) 를 갖는 금속이 적합하다. 다른 한편, 금속/금속 산화물 전극 (예를 들어 Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 가 또한 바람직할 수 있다. 일부 응용의 경우, 유기 재료 (유기 태양 전지) 의 조사 또는 광의 커플링-아웃 (coupling-out) (OLED, O-레이저) 을 용이하게 하기 위해, 전극 중 적어도 하나는 투명하거나 또는 부분적으로 투명해야 한다. 여기서 바람직한 애노드 재료는 전도성 혼합 금속 산화물이다. ITO (indium tin oxide) 또는 IZO (indium zinc oxide) 가 특히 바람직하다. 전도성 도핑된 유기 재료, 특히 전도성 도핑된 중합체가 또한 바람직하다. 게다가, 애노드는 또한, 복수의 층, 예를 들어 ITO의 내부 층 및 금속 산화물, 바람직하게는 산화 텅스텐, 산화 몰리브덴 또는 산화 바나듐의 외부 층으로 이루어질 수도 있다.
제조 동안, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스는 적절하게 (응용에 따라) 구조화되고, 접점들이 제공되고, 마지막으로 밀봉되는데, 이는 본 발명에 따른 디바이스의 수명이 물 및/또는 공기의 존재시 단축되기 때문이다.
본 발명에 따른 디바이스의 제조는 여기에 제한되지 않는다. 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기 층이 승화 공정에 의해 적용될 수 있고, 여기서 재료들이 진공 승화 유닛 내에서 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 증착에 의해 적용된다. 하지만, 또한 여기서 초기 압력은 훨씬 더 낮은 것, 예를 들어 10-7　mbar 미만인 것이 가능하다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스는 바람직하게, 하나 이상의 층이 OVPD (유기 기상 증착) 공정에 의해 또는 캐리어 기체 승화의 도움으로 적용되는 것을 특징으로 하며, 여기서 재료는 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용된다. 이 공정의 특수한 경우는 OVJP (organic vapour jet printing) 공정이고, 여기서 재료들이 직접 노즐을 통해 도포되고 이렇게 하여 구조화된다 (예를 들어 M. S. Arnold 등의, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스는 더욱 바람직하게, 본 발명에 따른 조성물을 포함하는 하나 이상의 유기 층이 예를 들어, 스핀 코팅에 의해, 또는 예를 들어, 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄 (flexographic printing), 노즐 인쇄, 또는 오프셋 인쇄, 그러나 특히 바람직하게는 LITI (광 유도된 열적 이미징, 열전사 인쇄) 또는 잉크젯 인쇄와 같은 임의의 원하는 인쇄 방법에 의한 것과 같이, 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 한다. 이 목적으로 가용성 호스트 재료 1 및 2와 인광 방출체가 필요하다. 용액으로부터의 처리는 예를 들어 발광층을 매우 간단하고 저렴하게 도포할 수 있다는 이점을 갖는다. 이 기술은 특히 유기 전계 발광 디바이스의 대량 생산에 적합하다.
또한, 예를 들어, 하나 이상의 층이 용액으로부터 도포되고, 하나 이상의 추가 층이 증착에 의해 적용되는 혼성 공정이 가능하다.
이들 공정은 일반적으로 당업자에게 알려져 있으며 유기 전계 발광 디바이스에 적용될 수 있다.
따라서 본 발명은 또한, 발광층이 기상 증착에 의해, 특히 승화 공정에 의해 및/또는 OVPD (유기 기상 증착) 공정에 의해 및/또는 캐리어 가스 승화의 도움으로 또는 용액으로부터, 특히 스핀 코팅에 의해 또는 인쇄 공정에 의해 적용되는 것을 특징으로 하는, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
기상 증착에 의한 제조의 경우, 본 발명에 따른 발광층이 임의의 원하는 기판 또는 이전 층 상에 어떻게 도포되거나 증착될 수 있는지에 대해 기본적으로 두 가지 가능성이 있다. 한편으로, 사용된 재료들은 각각 하나의 재료 소스에 존재할 수도 있고 최종적으로 다양한 재료 소스들로부터 증발될 수도 있다 ("공 증발"). 다른 한편으로, 다양한 재료가 사전 혼합될 수 있고 (사전 혼합 시스템) 혼합물이 단일 재료 소스에 제공되며, 이로부터 최종적으로 증발된다 ("사전 혼합 증발"). 이는 다수의 재료 소스의 정밀한 제어가 필요함이 없이, 균일한 성분 분포를 갖는 발광층의 증착이 단순하고 빠른 방식으로 달성될 수 있게 한다.
따라서, 본 발명은 또한, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물, 및 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물이 적어도 2개의 재료 소스들로부터 연속적으로 또는 동시에 기상으로부터, 위에 기재되거나 바람직하게 기재된 바와 같은, 선택적으로 적어도 하나의 인광 방출체와 함께, 성막되고, 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에서, 발광층은 기상 증착에 의해 적용되며, 여기서 조성물의 성분은 사전혼합되고 단일 재료 소스로부터 증발된다.
따라서, 발명은 또한, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물이 연속적으로 또는 동시에 적어도 하나의 인광 방출체와, 혼합물로서 기상으로부터 성막되고, 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
따라서, 발명은 또한, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물이, 적어도 하나의 인광 방출체와 함께, 용액으로부터 성막되어 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 위에 기재되거나 또는 바람직하게 기재된 바와 같은, 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 디바이스는 종래 기술에 비해 다음의 놀라운 이점으로 인해 구별된다:
위에 기재된 바와 같이, 호스트 재료 1 및 2의 기재된 재료 조합의 사용은 특히 디바이스의 수명 증가에 이른다.
아래 주어진 예에서 볼 수 있는 바와 같이, EML 에서 매트릭스 재료의 본 발명에 따른 조합은, 방출체 농도에 상관 없이, 수명이 약 30 내지 70% 만큼 증가된 디바이스에 이른다는 것이 종래 기술로부터의 조합과의 OLED에 대한 데이터의 비교에 의해 관찰될 수 있다.
본 발명에 기재된 실시형태들의 변형들은 본 발명의 범위내에 속한다는 것이 지적되어야 한다. 본 발명에 개시된 각 특징은, 이것이 명시적으로 배재되지 않는 한, 동일한, 동등한 또는 유사한 목적에 도움이 되는 대안적인 특징으로 대체될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 각 특징은, 달리 언급되지 않는 한, 일반 계열 (generic series) 의 예로서, 또는 동등 또는 유사 특징으로서 간주되야 한다.
본 발명의 모든 특징들은, 특정 특징들 및/또는 단계들이 상호 배타적이지 않는 한, 임의의 방식으로 서로 조합될 수 있다. 이는 특히 본 발명의 바람직한 특징들에 적용된다. 동일하게, 비본질적인 조합들의 특징들은 (조합이 아니라) 따로 사용될 수 있다.
본 발명에 개시된 기술적 행위에 대한 교시는 추출되어 다른 실시예와 조합될 수 있다.
하기의 실시예에 의해서 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
일반적 방법:
모든 양자 화학 계산에서, Gaussian16 (Rev. B.01) 소프트웨어 패키지가 사용된다. 중성 단일항 바닥 상태는 B3LYP/6-31G(d) 준위로 최적화된다. HOMO 및 LUMO 값은 B3LYP/6-31G(d) 로 최적화된 바닥 상태 에너지에 대해 B3LYP/6-31G(d) 준위에서 결정된다. 다음으로, TD-DFT 단일항 및 삼중항 여기(수직 여기)는 동일한 방법 (B3LYP/6-31G(d)) 을 사용하여 계산되고 최적화된 바닥 상태 지오메트리가 계산된다. SCF 및 구배 수렴을 위한 표준 설정이 사용된다.
에너지 계산은, 2개의 전자에 의해 점유된 마지막 궤도 (Alpha occ. eigenvalues) 로서 HOMO 를 그리고 처음 비점유 궤도 (alpha virt. eigenvalues) 로서 LUMO 를 hartree 단위로 제공하며, 여기서 HEh 및 LEh는 hartree 단위의 HOMO 에너지 및 hartree 단위의 LUMO 에너지를 각각 나타낸다. 순환 전압전류법 측정을 참조하여 교정된 전자 볼트 단위의 HOMO 및 LUMO 값은 그것으로부터 다음과 같이 결정된다:
Figure pct00074
재료의 삼중항 준위 T1 은 양자-화학 에너지 계산으로부터 비롯되는 최저 에너지를 갖는 삼중항 상태의 상대 여기 에너지 (단위: eV) 로서 정의된다.
단일항 준위 S1 은 양자-화학 에너지 계산으로부터 비롯되는 두번째 최저 에너지를 갖는 단일항 상태의 상대 여기 에너지 (eV 단위) 로서 정의된다.
최저 에너지의 단일항 상태를 S0 이라고 한다.
본 명세서에 기재된 방법은 사용된 소프트웨어 패키지와 관계가 없으며 항상 동일한 결과를 제공한다. 이 목적을 위해 자주 사용되는 프로그램의 예는 "Gaussian09" (Gaussian Inc.) 및 Q-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.) 이다. 본 출원에서, "Gaussian16, Rev. B.01" 소프트웨어 패키지가 에너지의 계산을 위해 사용된다.
예 1: OLED 의 제조
종래 기술로부터의 재료 조합과 비교하여 OLED에서 본 발명에 따른 재료 조합의 사용은 아래 예 V1 내지 Ex28에 제시되어 있다 (표 6 및 7 참조).
예 V1 내지 Ex28 를 위한 전처리: 50 nm 두께의 구조화된 ITO (인듐 주석 산화물) 로 코팅된 유리판을, 코팅하기 전에, 먼저 산소 플라즈마로 처리한 후, 아르곤 플라즈마로 처리한다. 이들 플라즈마 처리된 유리판은, OLED들이 적용되는 기판들을 형성한다.
OLED 는 기본적으로 하기의 층 구조를 갖는다: 기판 / 정공-주입층 (HIL) / 정공-수송층 (HTL) / 전자 차단층 (EBL) / 방출 층 (EML) / 선택적 정공-차단층 (HBL) / 전자-수송층 (ETL) / 선택적 전자-주입층 (EIL) 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 100 nm 두께를 갖는 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 정확한 구조를 표 6 에 나타낸다. OLED 의 제조에 필요한 재료는 표 8 에 나타낸다. OLED 의 디바이스 데이터가 표 7 에 나열되어 있다.
예 V1, V2 및 V3 는 종래 기술 WO2017/178311 에 따른 정공 수송 호스트를 갖는 비교예이다. 예 Ex1, Ex2 및 Ex3은 EML에서 본 발명에 따른 대응하는 재료 조합을 사용한다.
예 V4 및 V5는 예 Ex4의 본 발명에 따른 OLED에 대한 비교예이고, 예 V6 및 V7은 종래 기술에 따라 대칭적으로 치환된 전자 수송 호스트 재료를 갖는 예 Ex5의 본발명에 따른 OLED에 대한 비교예이다. 화합물 VG1은 예를 들어 US2016329502로부터 유도된다. 화합물 VG2는 예를 들어 US20140299192에 기재되어 있다.
예 Ex6 내지 Ex28 은 본 발명에 따른 OLED 의 데이터를 마찬가지로 보여준다.
모든 재료들은 진공 챔버에서 열 증착에 의해 적용된다. 여기서 방출 층은 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료), 본 발명의 의미에서 적어도 2개의 매트릭스 재료, 및 방출 도펀트 (방출체) (이는 동시 증발에 의해 매트릭스 재료 또는 매트릭스 재료들과 소정의 체적 비율로 혼합되어 있음) 로 이루어진다. E1:IC3:TEG1 (33%:60%:7%) 와 같은 표현은 여기서 재료 E1 이 층에 호스트 재료 1 로서 33% 의 부피 비율로 존재하고, 화합물 IC3 이 호스트 재료 2 로서 60% 의 부피 비율로 존재하고, TEG1 이 7% 의 부피 비율로 30 nm 두께를 갖는 층에 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수도 있다.
OLED 는 표준 방법에 의해 특성화된다. 이 목적으로, 전계 발광 스펙트럼 및 전류/전압/시감 농도(luminous density) 특성선 (IUL 특성선) 이 측정된다. EQE 및 전류 효율 CE (cd/A 단위) 가 이로부터 계산된다. CE의 계산은 Lambert 방출 특성을 가정하여 수행된다.
수명 LT는 mA/cm2 단위의 정전류 밀도 j0로 작동 시 시감 농도가 초기 시감 농도 L0에서 (cd/m2 단위) 특정 비율 L1(cd/m2 단위) 로 떨어지는 시간으로 정의된다. 표 7 에서 표현 L1/L0 = 80% 는 열 LT에 표시된 수명이 시감 농도가 그의 초기 값 (L0) 의 80 %로 떨어지는 시간 (h 단위) 에 대응함을 의미한다.
OLED 에서의 본 발명에 따른 혼합물의 용도
본 발명에 따른 재료 조합들은 인광 녹색 OLED 내 방출 층에서 사용될 수 있다. 화합물 E1 내지 E16 화합물 BC1 내지 BC17 의 본 발명에 따른 조합은 표 6에 기재된 바처럼, 예 Ex1 및 Ex28 에서, 방출 층 내 매트릭스 재료로서 사용된다.
본 발명에 따른 예를 대응하는 비교예 (상기 참조) 와 비교하면, 본 발명에 따른 예가 각 경우에 디바이스 수명에서 분명한 장점을 나타낸다는 것이 명백하다.
Figure pct00075
Figure pct00076
Figure pct00077
Figure pct00078
Figure pct00079
Figure pct00080
Figure pct00081
Figure pct00082
Figure pct00083
예 2: 호스트 재료 및 이의 전구체 합성:
a) 2-디벤조푸란-1-일-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진
Figure pct00084
23 g (110.0 mmol) 의 디벤조푸란-1-보론산, 29.5 g (110.0 mmol) 의 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 및 21 g (210.0 mmol) 의 탄산 나트륨을, 500　ml 의 에틸렌 글리콜 디아민 에테르 및 500　ml 의 물에 현탁시킨다. 이 현탁액에 913　mg (3.0 mmol) 의 트리-o-톨릴포스핀 그리고 다음으로 112 mg (0.5 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트를 첨가하고, 반응 혼합물을 16 시간 동안 환류하에 가열한다. 냉각 후에, 유기 상이 분리되고, 실리카 겔을 통해 여과되고, 200 ml 의 물로 3회 세척되고 후속하여 증발 건조된다. 잔류물을 톨루엔 및 디클로로메탄/헵탄으로부터 재결정화하였다. 수율은 37　g (94　mmol) 으로, 이론치의 87% 에 해당한다.
하기 화합물들을 유사하게 수득할 수 있다:
Figure pct00085
Figure pct00086
Figure pct00087
Figure pct00088
b) 2-(8-브로모디벤조푸란-1-일)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진
Figure pct00089
70 g (190.0 mmol) 의 2-디벤조푸란-1-일-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 2000 ml의 아세트산 (100%) 및 2000 ml의 황산 (95-98%) 에 현탁시킨다. 34 g (190 mmol) 의 NBS 를 이 현탁액에 부분들로 첨가하고, 혼합물을 2 시간 동안 암상태에서 교반하였다. 물/얼음을 이후 첨가하고, 고체를 분리해내고 에탄올로 린싱한다. 잔류물을 톨루엔으로부터 결정화한다. 수율은 80　g (167　mmol) 이며, 이론치의 87% 에 해당한다.
다음의 화합물들이 유사하게 제조된다:
Figure pct00090
티오펜 유도체의 경우, 니트로벤젠을 황산 대신 이용하고, 원소 브롬을 NBS 대신 이용하였다.
c) 2,4-디페닐-6-[8-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)-디벤조푸란-1-일]-1,3,5-트리아진
Figure pct00091
60 g (125 mmol) 의 2-(8-브로모디벤조푸란-1-일)-4,6-디페닐-1,3,5]트리아진과 함께 39 g (1051 mmol) 의 비스(피나콜라토)디보란 (CAS 73183-34-3) 을 보호 가스 하에 500ml 플라스크에서 900 ml 의 건조 DMF에 용해시키고 30 분 동안 탈기시켰다. 37 g (376 mmol) 의 칼륨 아세테이트 및 1.9 g (8.7 mmol) 의 팔라듐 아세테이트를 후속하여 첨가하고, 배치(batch)를 80℃에서 밤새 가열하였다. 반응이 완료될 때, 혼합물을 300 ml 의 톨루엔으로 희석하고 물로 추출하였다. 용매를 회전식 증발기에서 제거하고, 생성물을 헵탄으로부터 재결정화시켰다. 수율: 61 g (117 mmol), 이론치의 94%.
다음의 화합물들이 유사하게 제조된다:
Figure pct00092
d ) 2-[4-[9-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)디벤조푸란-2-일]페닐]-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진
Figure pct00093
68.7 g (110.0 mmol) 의 2,4-디페닐-6-[8-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2- 디옥사보롤란-2-일)디벤조푸란-1-일]-1,3,5-트리아진, 42　g (110.0 mmol) 의 2-(4-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 및 21 g (210.0 mmol) 의 탄산나트륨을, 500　ml 의 에틸렌 글리콜 디아민 에테르 및 500　ml 의 물에 현탁시킨다. 이 현탁액에 913　mg (3.0 mmol) 의 트리-o-톨릴포스핀 그리고 다음으로 112 mg (0.5 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트를 첨가하고, 반응 혼합물을 16 시간 동안 환류하에 가열한다. 냉각 후에, 유기 상이 분리되고, 실리카 겔을 통해 여과되고, 200 ml 의 물로 3회 세척되고 후속하여 증발 건조된다. 생성물을 톨루엔/CHCl3 (1:1) 으로 실리카 겔 상의 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 마지막으로 고진공 (p = 5 x 10-7 mbar) 에서 승화시켰다 (순도 99.9%). 수율은 64　g (81 mmol) 이며, 이론치의 70% 에 해당한다.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00094
Figure pct00095
Figure pct00096

Claims (15)

  1. 애노드, 캐소드, 및 적어도 하나의 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스로서,
    상기 적어도 하나의 발광층은 호스트 재료 1로서 하기 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 호스트 재료 2로서 하기 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하고,
    Figure pct00097

    식 중 사용된 기호 및 인덱스들에 이하가 적용된다:
    Y 는 O, S, C(CH3)2, C(페닐)2 또는
    Figure pct00098
    로부터 선택되고, 여기서 * 는 식 (1) 의 나머지 부분에 결합된 C 원자를 표시하고;
    L 은 하기 2가 링커 L-1 내지 L-26 중 하나로부터 선택되고,
    Figure pct00099

    Figure pct00100

    여기서 링커 L-1 내지 L-26 는 또한 하나 이상의 치환기 R에 의해 치환될 수도 있고;
    W 는 O, S 또는 C(CH3)2 이고;
    a 는 0 또는 1이고;
    b 는 0 또는 1 이고;
    R 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, CN, 1 내지 20개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 20개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    Ar1 은 각각의 경우, 각 경우에 서로 독립적으로, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있고;
    K, M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템이며 이는 x 및 y 가 0 을 나타내는 경우 그리고 x1 및 y1 가 0 을 나타내는 경우, 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환되거나, 또는
    K, M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, X 또는 X1 과 함께, x, x1, y 및/또는 y1 의 값이 1을 나타내는 대로 14 내지 40개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하고;
    x, x1 은 각 경우에, 각각의 경우 독립적으로, 0 또는 1이고;
    y, y1 은 각 경우에, 각각의 경우 독립적으로, 0 또는 1이고;
    X 및 X1 는 각 경우에, 각각의 경우 서로 독립적으로, 결합 또는 C(R#)2 이고;
    R0 은 각각의 경우, 서로 독립적으로, 6 내지 18개의 C 원자를 갖는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 방향족 고리 시스템이고;
    R* 는 디벤조푸라닐 또는 디벤조티오페닐이고;
    R# 는 각각의 경우, 서로 독립적으로, 1 내지 4 개의 C 원자를 갖는 직쇄 또는 분지형 알킬기이고
    c, d, e 및 f 는, 서로 독립적으로, 0 또는 1 인, 유기 전계 발광 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    호스트 재료 1 에서 Y 는 O 을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    호스트 재료 2 가 하기 식 (2a), (2b) 또는 (2c) 중 하나에 따르고
    Figure pct00101

    Figure pct00102

    식 중, 사용된 기호 및 인덱스 X, X1, R0, c, d, e 및 f는 제 1 항에서와 같은 의미를 갖고
    식 (2a) 의 화합물에서 K 및 M 는 각 경우에, 서로 독립적으로, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템을 나타내며 이는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환되고;
    식 (2b) 의 화합물에서 M 은, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템을 나타내며 이는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환되고;
    식 (2b)의 화합물에서 K는, X와 함께, 14 내지 40개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하고, 식 (2b) 의 화합물에서 x 및 y는 각 경우에 서로 독립적으로 0 또는 1을 나타내고 x와 y의 합은 적어도 1을 나타내고;
    식 (2c) 의 화합물에서 K 및 M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, X 또는 X1 과 함께, 14 내지 40개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하고,
    식 (2c) 의 화합물에서 x, x1, y 및 y1 은 각 경우에, 서로 독립적으로, 0 또는 1을 나타내고 x와 y의 합은 적어도 1을 나타내고 x1과 y1의 합은 적어도 1을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    호스트 재료 1에서 L은 2가 링커 L-1 내지 L-13 및 L-24 내지 L-26으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유기 발광 트랜지스터 (OLET), 유기 전계 켄치 디바이스 (OFQD), 유기 발광 전기화학 전지 (OLEC, LEC LEEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 발광 다이오드 (OLED) 로부터 선택된 전계 발광 디바이스인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광층 (EML) 이외에, 정공 주입층 (HIL), 정공 수송층 (HTL), 전자 수송층 (ETL), 전자 주입층 (EIL) 및/또는 정공 차단층 (HBL) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 호스트 재료 (1) 및 상기 적어도 하나의 호스트 재료 (2) 이외에, 상기 발광층이 적어도 하나의 인광 방출체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 인광 발광체는 하기 식 (3) 에 따르고
    Figure pct00103
    ,
    여기서 이 식 (3) 에 대한 기호 및 인덱스는 하기 정의를 갖는다:
    n+m 은 3 이고, n 은 1 또는 2 이고, m 은 2 또는 1 이고,
    X 는 N 또는 CR 이고,
    R 은 H, D, 또는 1 내지 10 개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 선형 알킬기, 또는 1 내지 10 개의 C 원자를 갖는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 분지형 또는 선형 알킬기, 또는 4 내지 7 개의 C 원자를 갖는 시클로알킬기이고, 이는 중수소에 의해 부분적으로 또는 전체적으로 치환될 수도 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 발광층이 기상 증착에 의해 또는 용액으로부터 적용되는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 상기 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물은, 선택적으로 상기 적어도 하나의 인광 방출체와 함께, 적어도 2개의 재료 소스로부터 연속적으로 또는 동시에 기상으로부터 성막되고, 상기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 상기 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물은, 상기 적어도 하나의 인광 방출체와 연속적으로 또는 동시에, 혼합물로서 기상으로부터 성막되고, 상기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 상기 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물은, 상기 발광층을 형성하기 위해 상기 적어도 하나의 인광 방출체와 함께 용액으로부터 도포되는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  13. 하기 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물 및 하기 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 혼합물로서,
    Figure pct00104

    식 중 사용된 기호 및 인덱스들에 이하가 적용된다:
    Y 는 O, S, C(CH3)2, C(페닐)2 또는
    Figure pct00105
    로부터 선택되고, 여기서 * 는 식 (1) 의 나머지 부분에 결합된 C 원자를 표시하고;
    L 은 하기 2가 링커 L-1 내지 L-26 중 하나로부터 선택되고,
    Figure pct00106

    Figure pct00107

    여기서 링커 L-1 내지 L-26 은 또한 하나 이상의 치환기 R에 의해 치환될 수도 있고;
    W 는 O, S 또는 C(CH3)2 이고;
    a 는 0 또는 1이고;
    b 는 0 또는 1 이고;
    R 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, CN, 1 내지 20개의 C 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 20개의 C 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬 기로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    Ar1 은 각각의 경우, 각 경우에 서로 독립적으로, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있고;
    K, M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템이며 이는 x 및 y 가 0 을 나타내는 경우 그리고 x1 및 y1 가 0 을 나타내는 경우, 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되거나 또는 R* 에 의해 일치환되거나, 또는
    K, M 은 각 경우에, 서로 독립적으로, X 또는 X1 과 함께, x, x1, y 및/또는 y1 의 값이 1을 나타내는 대로 14 내지 40개의 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하고;
    x, x1 은 각 경우에, 각각의 경우 독립적으로, 0 또는 1이고;
    y, y1 은 각 경우에, 각각의 경우 독립적으로, 0 또는 1이고;
    X 및 X1 는 각 경우에, 각각의 경우 서로 독립적으로, 결합 또는 C(R#)2 이고;
    R0 은 각각의 경우, 서로 독립적으로, 6 내지 18개의 C 원자를 갖는 비치환되거나 또는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 방향족 고리 시스템이고;
    R* 는 디벤조푸라닐 또는 디벤조티오페닐이고;
    R# 는 각각의 경우, 서로 독립적으로, 1 내지 4 개의 C 원자를 갖는 직쇄 또는 분지형 알킬기이고;
    c, d, e 및 f 는, 서로 독립적으로, 0 또는 1 인, 혼합물.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 혼합물은 상기 식 (1) 의 적어도 하나의 화합물, 상기 식 (2) 의 적어도 하나의 화합물 및 인광 방출체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 기재된 혼합물 및 적어도 하나의 용매를 포함하는, 포뮬레이션.
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