JP6707517B2 - 金属錯体 - Google Patents

Description

発明の詳細な説明

本発明は、金属錯体および電子素子に関し、特にこれらの金属錯体を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

有機半導体を機能性材料として使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）の構造は、例えば、ＵＳ４５３９５０７、ＵＳ５１５１６２９、ＥＰ０６７６４６１およびＷＯ９８／２７１３６に記載されている。そこで使用される発光材料は、蛍光発光ではなく燐光発光を示す有機金属錯体増大してきている。量子力学的な理由により、燐光発光エミッターとして有機金属化合物を使用すると、エネルギーと電力効率の４倍までの増加が可能である。しかしながら、一般に、三重項発光を示すＯＬＥＤにおいて、特に、効率、動作電圧および寿命に関して、改善する必要がまだある。

従来技術によれば、燐光発光性ＯＬＥＤに使用される三重項エミッターは、特にイリジウム錯体、例えば、フェニルピリジン誘導体をリガンドとして含むイリジウム錯体等である。ＷＯ２００８／０７８８００は、ピリジン環上においてトリアジンまたはピリミジン基で置換されたフェニルピリジン−イリジウム錯体を開示する。このような錯体を用いることで、黄色から赤色の発光を実現することができる。しかしながら、特に、エレクトロルミネッセンス素子におけるフォトルミネッセンス量子効率ＥＱＥ、錯体の溶解性および／または発光色および発光バンドの幅に関して更なる改善がなお望まれている。

本発明の目的は、従って、ＯＬＥＤにおけるエミッターとしての使用に適しており、さらに、特に量子効率、錯体の溶解性および／または発光色および発光バンドの幅に関して、ＯＬＥＤの改善された特性をもたらす、新規な金属錯体を提供することである。

驚くべきことに、以下で詳細に説明する特定の金属キレート錯体がこの目的を達成し、有機エレクトロルミネッセンス素子における改善された特性を示すことが見出された。特に、これらの金属錯体は、より高いフォト−およびエレクトロルミネッセンス量子効率、より良好な溶解性およびより狭い発光バンド、さらにその結果として、縮合した脂肪族環を含まない類似の金属錯体に比してより純粋な発光色を示す。本発明は、従って、これらの金属錯体に、および電子素子、特に、これらの錯体を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

本発明は、従って、式（１）で表される化合物に関する。
［Ｉｒ（Ｌ）_ｎ（Ｌ′）_ｍ］ 式（１）
式中、該化合物は、式（２）で表される部分構造Ｉｒ（Ｌ）_ｎ：

を含み、使用される記号および添え字には以下の定義が適用されることを特徴とする。

ラジカルＲ^２およびＲ^３の一方は、式−（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒで表される基であり、且つラジカルＲ^２およびＲ^３の他方は、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６に対して定義されたのと同じ意味を有し；

ＨｅｔＡｒは、式（３）で表される基であり、

式中、破線の結合は、Ａｒへの結合を、またはｐ＝０の場合は、リガンドのピリジン基への結合を示し；

Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、但し、少なくとも１つ、且つ最大で３つの基ＸがＮであり；

Ａｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、５〜３０個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、１つ以上のラジカルＲで置換されていてもよい）であり；

ｐは、出現毎に同一であるかまたは異なり、０または１であり；

Ｃｙは、出現毎に同一であるかまたは異なり、式（４）、（５）、（６）、（７）、（８）、（９）および（１０）で表される基を表し、

式中、破線の結合は、リガンド中の２個の炭素原子の結合を示し、そしてさらに：

Ａ^１、Ａ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｃ（Ｒ^８）_２、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^８またはＣ（＝ Ｏ）であり；

Ａ^２は、Ｃ（Ｒ^７）_２、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^８またはＣ（＝Ｏ）であり；

Ｇは、１、２もしくは３個の炭素原子を有するアルキレン基（これは、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい）、−ＣＲ^９＝ＣＲ^９−、または５〜１４個の芳香族環原子を有する、オルト結合したアリーレンもしくはヘテロアリーレン基（これらは、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい）であり；

但し、これらの基中の２個のヘテロ原子は互いに直接接合されておらず、且つ２つの基Ｃ＝Ｏは、互いに直接結合しておらず；

Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^９）_２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^９）_３、Ｂ（ＯＲ^９）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^９ 、１〜４０個の炭素原子を有する、直鎖状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個の炭素原子を有する直鎖状の、アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個の炭素原子を有する、分岐状もしくは環状の、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらの各々は、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよく、ここで、１つ以上の非隣接のＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９、Ｓｉ（Ｒ^９）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^９、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ^９で置き替えられていてもよく、またここで、１つ以上の水素原子はＤ、ＦもしくはＣＮで置き替えられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各々の場合において、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有する、ジアリルアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい）であり；ここで、２つの隣接するラジカルＲはまた、互いに、脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系を形成してもよく；さらに、ラジカルＲ^４およびＲ^５はまた、互いに、脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系を形成してもよく；さらに、基Ｒ^２が式−（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒで表される基を表わすとき、ラジカルＲ^３およびＲ^４はまた、互いに、脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系を形成してもよく；

Ｒ^８は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、１〜１０個の炭素原子を有する、直鎖の、アルキルもしくはアルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する、分岐状もしくは環状の、アルキルもしくはアルキニル基（これらの各々は、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよく、ここで、１つ以上の非隣接のＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^９）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^９、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ^９で置き替えられていてもよく、またここで、１つ以上の水素原子はＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各々の場合において、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、アラルキル基もしくはヘテロアラルキル基（これらは、１つ以上の基Ｒ^９で置換されていてもよい）であり；ここで、同じ炭素原子に結合している２つのラジカルＲ^８は、互いに、脂肪族もしくは芳香族環系を形成して、その結果としてスピロ系を形成していてもよく；さらに、Ｒ^８は、隣接するラジカルＲ^７と共に脂肪族環系を形成してもよく；

Ｒ^９は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個の炭素原子を有する、脂肪族、芳香族および／またはヘテロ芳香族の有機ラジカル、特に、追加的に１つ以上の水素原子がＤもしくはＦで置換されていてもよい炭化水素ラジカルであり；２つ以上の置換基Ｒ^９はまた、互いに、脂肪族または芳香族環系を形成してもよく；

Ｌ′は、出現毎に同一であるかまたは異なり、一座−または二座−リガンドであり；

ｎは、１、２または３であり；

ｍは、０、１、２、３または４である。

添え字ｎおよびｍは、ここでは、イリジウムでの配位数が合計６になるように選択される。これは、特に、リガンドＬがいくつ存在するかということ、さらに、リガンドＬ′が、一座−もしくは二座−リガンドであるかどうかということに依存する。

本発明の意味におけるアリール基は、６〜４０個の炭素原子を含有し；本発明の意味におけるヘテロアリール基は、２〜４０個の炭素原子と少なくとも１個のヘテロ原子を含有し、但し、炭素原子とヘテロ原子の合計が少なくとも５である。該ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。ここで、アリール基もしくはヘテロアリール基は単一の芳香族環、すなわちベンゼン、または単一のヘテロ芳香族環、例えばピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または縮合したアリールもしくはヘテロアリール基、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等を意味するものと理解される。

本発明の意味における芳香族環系は、６〜６０個の原子を環系に含有する。本発明の意味におけるヘテロ芳香族環系は、２〜６０個の炭素原子と少なくとも１つのヘテロ原子を環系に含有し、但し、炭素原子とヘテロ原子の合計が少なくとも５である。該ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。本発明の意味における芳香族もしくはヘテロ芳香族環系は、必ずしもアリールもしくはヘテロアリール基のみを含むのではなく、その中でさらに複数のアリールもしくはヘテロアリール基が非芳香族単位（好ましくは１０％未満の、水素以外の原子）、例えば、ＳＰ^３−混成した、Ｃ、ＮもしくはＯ原子またはカルボニル基により結合されていてもよい系を意味するものと理解される。従って、２つ以上のアリール基が、例えば、直鎖状もしくは環状の、アルキレン基により、もしくはシリレン基により分断されている系のように、例えば、９，９′−スピロビフルオレン、９，９−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の系はまた、本発明の意味における芳香族環系を意味するものと理解される。

本発明の意味における環状の、アルコキシもしくはチオアルコキシ基は、単環式、二環式もしくは多環式の基を意味するものと理解される。

本発明の目的のためには、Ｃ_１〜Ｃ_４０のアルキル基（該基では、追加的に、個々のＨ原子もしくはＣＨ_２基が上記の基で置換されていてもよい）は、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、２−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、ｓ−ヘキシル、ｔｅｒｔ−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、 ２−メチルペンチル、ネオヘキシル、ｎ−ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、４−ヘプチル、シクロヘプチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロオクチル、１−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−（２，６−ジメチル）オクチル、３−（３，７−ジメチル）オクチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、または２，２，２− トリフルオロエチルラジカルを意味するものと理解される。アルケニル基は、例えば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、またはシクロオクタジエニルを意味するものと理解される。アルキニル基は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、またはオクチニルを意味するものと理解される。Ｃ_１〜Ｃ_４０のアルコキシ基は、例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、または２−メチルブトキシを意味するものと理解される。５〜６０個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（該基は、各々の場合において上記のラジカルＲで置換されていることもでき、さらに、芳香族もしくはヘテロ芳香族に、任意の位置を介して結合していることもできる）は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、ターフェニル、ターフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、ｃｉｓ−もしくはｔｒａｎｓ−インデノフルオレン、ｃｉｓ−もしくはｔｒａｎｓ−モノベンゾインデノフルオレン、ｃｉｓ−もしくはｔｒａｎｓ−ジベンゾインデノフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、スピロトルクセン、スピロイソトルクセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６− キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８− キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントリイミダゾール、ピリジイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５− ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、 １，８− ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、 ４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン、およびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味するものと理解される。

本発明の錯体は、フェイシャル体（ｆａｃｉａｌ）もしくは疑似フェイシャル体（ｐｓｅｕｄｏｆａｃｉａｌ）であることができる。

好ましい態様では、添え字ｎ＝３である、すなわち、それはホモレプチック金属錯体であり、そして、添え字ｍ＝０である。

さらに好ましい態様において、添え字ｎ＝２且つｍ＝１であり、本発明の錯体は、２つのリガンドＬと１つの二座リガンドＬ′を含む。ここで、リガンドＬ′が、１つの炭素原子と１つの窒素原子、１つの炭素原子と１つの酸素原子、２つの酸素原子、２つの窒素原子、もしくは１つの酸素と１つの窒素原子を介してイリジウムに配位しているリガンドであることが好ましい。

さらに好ましい態様では、添え字ｎ＝１且つｍ＝２であり、そして本発明の錯体は、１つのリガンドＬと２つの二座リガンドＬ′を含む。特に、リガンドＬ′が、１つの炭素原子と１つの窒素原子、もしくは１つの炭素原子と１つの酸素原子を介してイリジウムに配位しているオルト−メタル化されたリガンドであることが好ましい。

特に好ましいのは、ホモレプチック金属錯体である。

本発明の化合物は、下記の式（２ａ）または（２ｂ）で表される部分構造を含む化合物であり、

式中、使用された記号および添え字は上記の意味を有する。

好ましいのは、ピリジン環の配位窒素原子にメタ位で結合した基−（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒを含む部分構造（２ａ）である。

ｐ＝１であり、且つ本発明の化合物が基Ａｒを含む場合、この基Ａｒは、好ましくは、出現毎に同一であるかまたは異なり、５〜２４個の芳香族環原子、好ましくは６〜１８個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、特に好ましくはフェニルもしくはビフェニルから選択され、ここで、Ａｒは、各々の場合において１つ以上のラジカルＲで置換されていることができるが、好ましくは非置換である。

好ましくは、添え字ｐ＝０であり、そして基ＨｅｔＡｒは、直接ピリジン環に結合している。

好ましい基ＨｅｔＡｒを以下に記載する。

基ＨｅｔＡｒの好ましい態様は、下記の式（３−１）〜（３−１０）で表される基であり、

式中、破線の結合は、これらの基からＡｒへの結合を、またはｐ＝０の場合は、ピリジン環への結合を示し、さらに、Ｒは、上記の意味を有する。

好ましいのは、式（３−１）〜（３−３）で表される基であり、さらに、特に好ましいのは、式（３−１）で表される基である。

上記の基の好ましい態様は、下記の式（３−１ａ）〜（３−１０ａ）で表される基であり、

式（３−１ａ）〜（３−１０ａ）
式中、破線の結合は、これらの基からＡｒへの結合を、またはｐ＝０の場合は、ピリジン環への結合を示し、さらに、Ｒは、水素以外の、上記の定義に従う置換基を表わす。

基ＨｅｔＡｒにおける置換基Ｒは、好ましくは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、または６〜２４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい）である。式（３−１ａ）〜（３−１０ａ）で表される基中のＲは、水素ではない。芳香族もしくはヘテロ芳香族環系は、好ましくは、６〜１８個の芳香族環原子を有する。特に好ましいのは、６〜１２個の芳香族環原子を有する芳香族環系、または６〜１３個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系（これらは、各々の場合において、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよいが、好ましくは非置換である）である。好適な基Ｒの例は、フェニル、ビフェニル、特にオルト− 、メタ−もしくはパラ−ビフェニル、ターフェニル、特に分岐状のターフェニル、クウォーターフェニル、特に分岐状のクウォーターフェニル、１−、２−、３−もしくは４−フルオレニル、１−、２−、３−もしくは４−スピロビフルオレニル、ピリジル、ピリミジニル、１−、２−、３−もしくは４−ジベンゾフラニル、１−、２−、３−もしくは４−ジベンゾチエニル、および１−、２−、３−もしくは４−カルバゾリル（これらの基の各々は、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよいが、好ましくは非置換である）からなる群から選択される。

好適な基Ｒの例は、以下に示す構造（Ｒ−１）〜（Ｒ−１５）であり、

式中、Ｙは、Ｃ（Ｒ^９）_２、ＮＲ^９、ＯまたはＳを表わし、Ｒ^９は上記の意味を有し、破線の結合はＨｅｔＡｒへの結合を表わす。

基Ｃｙの好ましい態様を以下に記載する。上述したように、基Ｃｙは式（４）〜（１０）のうちの１つで表される基を表わす。上に示した式（４）〜（１０）で表される構造および好ましいとして記載したこれらの構造の更なる態様において、二重結合は形式的には２つの炭素原子の間に示されている。これは化学構造の単純化を表している。これらの２つの炭素原子は芳香族系に取り込まれており、従ってこれら２つの炭素原子間の結合は形式的には、単結合の結合次数と二重結合の結合次数の間にあるからである。形式的な二重結合の描画は、構造を限定するものとして解釈すべきではなく、当業者にはこれが芳香族結合であるということが明らかである。

式（４）〜（１０）で表される基においては、これらが全く酸性ベンジルプロトンを含有していないことが必須である。ベンジルプロトンは、直接リガンドに結合している炭素原子に結合しているプロトンを意味するものと理解される。酸性ベンジルプロトンの不存在は、式（４）〜（６）において、Ａ^１およびＡ^３が、Ｃ（Ｒ^８）_２を表わす場合に、Ｒ^８が水素でないと定義することにより達成される。式（７）〜（１０）において、それが二環式の構造であるとすることにより達成される。剛性の空間配置のために、Ｒ^７は、それが水素を表わす場合、ベンジルプロトンよりも非常に弱い酸性である。該二環式構造の対応するアニオンは、共鳴安定化されていないからである。式（７）〜（１０）中のＲ^７が水素を表わすとしても、これは従って、本発明の意味においては非酸性プロトンである。

式（４）〜（１０）で表される構造の好ましい態様では、基Ａ^１、Ａ^２およびＡ^３のうち最大で1つが、ヘテロ原子、特にＯもしくはＮＲ^８を表わし、そして他の基が、Ｃ（Ｒ^８）_２もしくはＣ（Ｒ^７）_２を表わすか、またはＡ^１およびＡ^３が、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＯもしくはＮＲ^８を表わし、そしてＡ^２が、Ｃ（Ｒ^７）_２を表わす。本発明の特に好ましい態様においては、Ａ^１およびＡ^３が、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｃ（Ｒ^８）_２を表わし、そしてＡ^２が、Ｃ（Ｒ^７）_２、特に好ましくはＣ（Ｒ^８）_２もしくはＣＨ_２を表わす。

式（４）の好ましい態様は、従って、式（４−Ａ）、（４−Ｂ）、（４−Ｃ）および（４−Ｄ）で表される構造であり、そして、式（４−Ａ）の特に好ましい態様は、式（４−Ｅ）および（４−Ｆ）の構造であり、

式中、Ｒ^７およびＲ^８は、上記の意味を有し、また、Ａ^１、Ａ^２およびＡ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＯもしくはＮＲ^８を表わす。

式（５）の好ましい態様は、下記式（５−Ａ）〜（５−Ｆ）で表される構造であり、

式中、Ｒ^７およびＲ^８は、上記の意味を有し、また、Ａ^１、Ａ^２およびＡ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＯもしくはＮＲ^８を表わす。

式（６）の好ましい態様は、下記式（６−Ａ）〜（６−Ｅ）で表される構造であり、

式中、Ｒ^７およびＲ^８は、上記の意味を有し、また、Ａ^１、Ａ^２およびＡ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＯもしくはＮＲ^８を表わす。

式（７）で表される構造の好ましい態様では、橋頭位に結合するラジカルＲ^７が、Ｈ、Ｄ、ＦもしくはＣＨ_３を表わす。Ａ^２は、さらに好ましくは、 Ｃ（Ｒ^７）_２もしくはＯを表わし、特に好ましくは、Ｃ（Ｒ^８）_２を表わす。式（７）の好ましい態様は、従って、式（７−Ａ）および（７−Ｂ）で表される構造であり、そして、式（７−Ａ）の特に好ましい態様は、式（７−Ｃ）の構造であり、

式中、使用される記号は、上記の意味を有する。

式（８）、（９）および（１０）で表される構造の好ましい態様では、橋頭位に結合するラジカルＲ^７が、Ｈ、Ｄ、ＦもしくはＣＨ_３を表わす。Ａ^２は、さらに好ましくは、 Ｃ（Ｒ^７）_２を表わす。式（８）、（９）および（１０）の好ましい態様は、従って、式（８−Ａ）、（９−Ａ）および（１０−Ａ）で表される構造であり、

式中、使用される記号は、上記の意味を有する。

式（７）、（７−Ａ）、（７−Ｂ）、（７−Ｃ）、（８）、（８−Ａ）、（９）、（９−Ａ）、（１０）、（１０−Ａ）中の基Ｇは、さらに好ましくは、１，２−エチレン基（これは、１つ以上のラジカル基Ｒ^９で置換されていてもよく、ここでＲ ^９は、好ましくは、出現毎に同一であるかまたは異なり、水素もしくは１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表わす）、または６〜１０個の炭素原子を有するオルト−アリーレン基（これは、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよいが、好ましくは非置換である）、特に、オルト−フェニレン基（これは、１つ以上のラジカル基Ｒ^９で置換されていてもよいが、好ましくは非置換である）を表わす。

本発明のさらに好ましい態様では、式（４）〜（１０）で表される基中および好ましい態様におけるＲ^８が、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖のアルキル基、または３〜１０個の炭素原子を有する、分岐状もしくは環状の、アルキル基（各々の場合において、１つ以上の非隣接のＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９で置き替えられていてもよく、また、１つ以上の水素原子はＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または各々の場合において、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい、５〜１４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（ここで、同じ炭素原子に結合している２つのラジカルＲ^８は、互いに、脂肪族もしくは芳香族環系を形成して、その結果としてスピロ系を形成していてもよく；さらに、Ｒ^８は、隣接するラジカルＲ^７と共に脂肪族環系を形成してもよい）を表わす。

本発明の特に好ましい態様では、式（４）〜（１０）で表される基中および好ましい態様におけるＲ^８が、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、１〜３個の炭素原子を有する直鎖のアルキル基、特にメチル、または５〜１２個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（各々の基は、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよいが、好ましくは非置換である）；（ここで、同じ炭素原子に結合している２つのラジカルＲ^８は、互いに、脂肪族もしくは芳香族環系を形成して、その結果としてスピロ系を形成していてもよく；さらに、Ｒ^８は、隣接するラジカルＲ^７と共に脂肪族環系を形成してもよい）を表わす。

式（４）で表される基の特に好適な例は、以下に示す基（４−１）〜（４−７０）である：

式（５）で表される基の特に好適な例は、以下に示す基（５−１）〜（５−１４）である：

式（６）、（９）および（１０）で表される基の特に好適な例は、以下に示す基（６−１）、（９−１）および（１０−１）である：

式（７）で表される基の特に好適な例は、以下に示す基（７−１）〜（７−２２）である：

式（８）で表される基の特に好適な例は、以下に示す基（８−１）〜（８−６）である：

特に、このような縮合二環式構造の使用は、構造のキラリティーに起因するキラルリガンドＬをもたらすことができる。ここでは、鏡像異性的に純粋なリガンドの使用およびラセミ体の使用の両方が適している。特に、本発明に係る金属錯体中のリガンドの１つの鏡像異性体だけでなく、例えば、錯体（＋Ｌ)_２（−Ｌ）Ｍもしくは錯体（＋Ｌ）（−Ｌ）_２Ｍ（ここで、＋Ｌもしくは−Ｌは、それぞれの場合において、リガンドの対応する、＋もしくは−の鏡像異性体を示す）が形成するように、意図的に両方の鏡像異性体を使用することも適切であり得る。これは、リガンドとしてＬ＋のみまたは−Ｌのみを含有する錯体と比較して、対応する錯体の溶解性に関する利点を持つことができる。

ラジカルＲ^１〜Ｒ^６がまた、式（２）で表される部分構造に結合している場合、これらのラジカルＲは、好ましくは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ^９）_２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^９）_３、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^９ 、１〜１０個の炭素原子を有する、直鎖状のアルキル基、または２〜１０個の炭素原子を有するアルケニル基、または３〜１０個の炭素原子を有する、分岐状もしくは環状の、アルキル基（これらの各々は、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよく、ここで、１つ以上の水素原子はＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または各々の場合において、１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい、５〜２４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（ラジカルＲ^４およびＲ^５はまた、互いに、脂肪族、芳香族環系を形成してもよい）からなる群から選択される。これらのラジカルＲ^１〜Ｒ^６は、特に好ましくは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜６個の炭素原子を有する、直鎖状のアルキル基、または３〜１０個の炭素原子を有する、分岐状もしくは環状の、アルキル基（ここで、１つ以上の水素原子はＦで置き替えられていてもよい）、またはいずれの場合でも１つ以上のラジカルＲ^９で置換されていてもよい、５〜１８個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（ラジカルＲ^４およびＲ^５はまた、互いに、脂肪族、芳香族環系を形成してもよい）からなる群から選択される。ラジカルＲ^１〜Ｒ^６が芳香族もしくはヘテロ芳香族環系である場合、これが互いに直接縮合した芳香族６員環を２つより多く有しないこと、特に絶対に、互いに直接縮合した芳香族６員環を有しないことが好ましい。

本発明の好ましい態様において、置換基Ｒ^１およびＲ^６は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆまたはメチル、特にＨを表わす。これは、特にフェイシャル、ホモレプチック錯体の場合に当てはまり、一方、他のラジカルＲ^１またはＲ^６はまた、メリジオナルまたはヘテロレプチック錯体の場合に好ましい。

本発明の特に好ましい態様では、式（２）中の、−（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒではない置換基Ｒ^１〜Ｒ^６のすべてが水素である。

以下、式（１）で表される化合物中にあり得る、好ましいリガンドＬ′について記載する。定義によれば、リガンドＬ′は、一座もしくは二座リガンドである。リガンドＬ′は、好ましくは、中性、モノアニオン性、ジアニオン性もしくはトリアニオン性のリガンド、特に好ましくは、中性もしくはモノアニオン性リガンドである。好ましいのは、モノアニオン性の二座リガンドＬ′である。

好ましい中性の一座リガンドＬ′は、一酸化炭素、一酸化窒素、シアン化アルキル（例えば、アセトニトリル）、アリールシアニド（例えば、ベンゾニトリル）、アルキルイソシアニド（例えば、メチルイソニトリル）、アリールイソシアニド（例えば、ベンゾイソニトリル）、アミン（例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリン）、ホスフィン、特にハロホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンもしくはアルキルアリールホスフィン（例えば、トリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン）、亜リン酸エステル（例えば、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル）、アルシン（例えば、トリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルシン、トリフェニルアルシン、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシン）、スチビン（例えば、トリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビン）、含窒素複素環（例えば、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン）、およびカルベン、特にアルジュンゴ（Ａｒｄｕｅｎｇｏ）カルベンから選択される。

好ましいモノアニオン性の一座リガンドＬ′は、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物（Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻およびＩ⁻）、アルキルアセチリド（例えば、メチル−Ｃ≡Ｃ−、ｔｅｒｔ−ブチル−Ｃ≡Ｃ−）、アリールアセチリド（例えば、フェニル−Ｃ≡Ｃ−）、シアニド、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族もしくは芳香族アルコレート（例えば、メタノレート、エタノレート、プロパノレート、イソプロパノレート、ｔｅｒｔ−ブチレート、フェノレート）、脂肪族もしくは芳香族チオアルコレート（例えば、メタンチオレート、エタンチオレート、プロパンチオレート、イソプロパンチオレート、ｔｅｒｔ-チオブチレート、チオフェノレート）、アミド（例えば、ジメチルアミド、ジエチルアミド、ジイソプロピルアミド、モルホリド）、カルボン酸エステル（例えば、酢酸エステル、トリフルオロ酢酸エステル、プロピオン酸エステル、安息香酸エステル）、アリール基（例えば、フェニル、ナフチル）、およびアニオン性の窒素含有複素環（例えば、ピロリド、イミダゾリド、ピラゾリド）から選択される。これらの基中のアルキル基は、好ましくは、１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、特に好ましくは１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基、非常に好ましくは１〜４個の炭素原子を有するアルキル基である。アリール基はまた、ヘテロアリール基を意味するものと理解される。これらの基は上記で定義された通りである。

好ましいジ−もしくはトリアニオン性のリガンドは、Ｏ^２−、Ｓ^２−、Ｒ−Ｃ≡Ｍ型の配位に導くカーバイドおよびＲ−Ｎ＝Ｍ型の配位に導くニトレン（ここで、Ｒは、一般に置換基を表わす）、並びにＮ^３−である。

好ましい、中性またはモノ−もしくはジアニオン性の、二座以上の多座リガンドＬ′は、ジアミン（例えば、エチレンジアミン、Ν，Ν，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ν，Ν，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルプロピレンジアミン、ｃｉｓ−もしくはｔｒａｎｓ−ジアミノシクロヘキサン、ｃｉｓ−もしくはｔｒａｎｓ−Ν，Ν，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルジアミノシクロヘキサン）、イミン（例えば、２−［１−（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２−メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エチル]ピリジン、２−［１−（メチルイミノ）エチル]ピリジン、２−［１−（エチルイミノ）エチル]ピリジン、２−［１−（イソプロピルイミノ）エチル]ピリジン、２−［１−（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エチル]ピリジン）、ジイミン（例えば１，２−ビス（メチルイミノ）エタン、１，２−ビス（エチルイミノ）エタン、１，２−ビス（イソプロピルイミノ）エタン、１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エタン、２，３−ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３−ビス-（イソプロピルイミノ）ブタン、２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ブタン、１，２−ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２−メチルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３−ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２−メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）ブタン）、２個の窒素原子を含む複素環（例えば、２，２−ビピリジン、ｏ−フェナントロリン）、ジホスフィン（例えば、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパン）、１，３−ジケトン（例えば、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、１，５−ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１−トリフルオロアセチル）メタン、２，２，６，６−テトラメチル−３,５−ヘプタンジオン）から誘導される１，３−ジケトナート、３−ケトエステル（例えば、酢酸アセチル）から誘導される３−ケトナート、アミノカルボン酸（例えば、ピリジン−２−カルボン酸、キノリン−２−カルボン酸）から誘導されるカルボン酸エステル、グリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、アラニン、Ν，Ν-ジメチルアミノアラニン、サリチルイミン（例えば、メチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミン）から誘導されるサリチルイミナート、ジアルコール（例えば、エチレングリコール、１，３−プロピレングリコール）から誘導されるジアルコレート、およびジチオール（例えば、１，２−エチレンジチオール、１，３−プロピレンジチオール）から誘導されるジチオレートから選択される。

本発明のさらに好ましい態様では、リガンドＬ′は、イリジウムと一緒になって、少なくとも１つのイリジウム-炭素結合を有する、シクロメタル化５員環もしくはシクロメタル化６員環を有する、特に、シクロメタル化５員環を有する、モノアニオン性の二座リガンドＬ′である。これらは、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子用の燐光発光性の金属錯体の分野で一般に使用されているようなリガンド、すなわち、各々が１つ以上のラジカルＲで置換されていてもよい、フェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリン系等のリガンドである。燐光発光性のエレクトロルミネッセンス素子の分野の当業者には、このようなリガンドの多くは知られており、発明的工夫を凝らすことなく、式（１）で表される化合物のためのリガンドＬ′としてこの種の更なるリガンドを選択することができるであろう。下記の式（１１）〜（３８）で示されるような２つの基（ここでは、１つの基が中性原子を介して結合し、他の基が負に荷電した原子を介して結合している）の組合せは、一般的にこの目的のために特に適した組み合わせである。この場合、中性原子は、特に、中性の窒素原子もしくはカルベン炭素原子であり、また、負に荷電した原子は、特に、負に荷電した炭素原子、負に荷電した窒素原子もしくは負に荷電した酸素原子である。リガンドＬ′は、式（１１）〜（３８）で表される基から、各々の場合において、＃で示された位置で互いに結合されたこれらの基から形成される。該基が金属に配位する位置は、*で示されている。さらに、式（１１）〜（３８）で表される２つの基にそれぞれ結合している２つの隣接するラジカルＲは、互いに脂肪族もしくは芳香族の環系を形成する。

Ｒ^１は、ここで、上記と同じ意味を有し、Ｚは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ^１もしくはＮを表わし、ＥはＯ、ＳもしくはＣＲ_２を表わし、また、好ましくは、各基中の最大で２つの記号ＸがＮを表わし、特に好ましくは、各基中の最大で１つの記号ＸがＮを表わす。格別に好ましくは、すべての記号Ｘが、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ^１を表わす。

本発明の格別に好ましい態様では、リガンドＬ′は、式（１１）〜（３８）で表される２つの基から形成されるモノアニオン性の二座リガンドであり、ここで、これらの基の１つは、負に荷電した炭素原子を介してイリジウムに配位し、さらに、これらの基のもう１つは中性の窒素原子を介してイリジウムに配位する。

これらのリガンドにおける２つの隣接する記号Ｚが上記の式（９）〜（１５）で表される基である場合が同様に好ましいということができる。

上記の構造中のさらに好ましいラジカルＲ^１は、リガンドＬのラジカルＲ^１〜Ｒ^６と同様に定義される。

好適な共リガンドの例を以下の表に示す：

リガンドＬおよびＬ′は、構造によってはキラル体であることもできる。これは、特に、それらが式（７）〜（１０）で表される二環状基を含むか、またはそれらが、１つ以上のキラル中心を有する置換基、例えば、アルキル、アルコキシ、ジアルキルアミノもしくはアラルキル基、を含む場合である。錯体の基本構造はキラル構造であることもできるため、ジアステレオマーおよび鏡像異性体の複数対の形成もまた可能である。この場合、本発明に係る錯体は、種々のジアステレオマーもしくは対応するラセミ体と、個々に単離した、ジアステレオマーもしくは鏡像異性体の両方を含む。

本発明に係る化合物は、例えば、比較的長鎖のアルキル基（約４〜２０個の炭素原子）、特に分岐状のアルキル基、または、必要に応じて置換されたアリール基（例えば、キシリル、メシチル、または分岐状の、ターフェニルもしくはクォーターフェニル基）による適当な置換によって可溶化することもできる。このような化合物は、従って、室温で一般的な有機溶媒中に十分な濃度で可溶であり、例えば、印刷法により、溶液から錯体を処理することができる。

上記の好ましい態様は、必要に応じて互いに結合されうる。本発明の特に好ましい態様では、上記の好ましい態様が同時に適用される。

前記化合物は、円偏光を発光することができる、キラルで鏡像異性的に純粋な錯体として使用することもできる。従って、素子上の偏光フィルタが省略できるので、このことは利点となり得る。さらに、このような錯体はまた、発光だけでなく、容易に読み取り可能な特性として光の偏光も有しているので、それらは安全ラベルに使用するのにも適している。

本発明に係る化合物の好適な例を次の表に示す構造である。

本発明に係る金属錯体は、原則として、種々の方法で製造される。しかしながら、以下に記載する方法は、特に好適であることが見出されている。

従って、さらに本発明は、対応する遊離リガンドを、式（３９）で表されるイリジウムアルコキシドと、式（４０）で表されるケトケトナートと、式（４１）で表されるハロゲン化イリジウムと、または式（４２）もしくは（４３）で表される二量体性イリジウム錯体と反応させることにより、本発明に係る、式（１）で表される化合物を製造する方法に関し、

式中、記号および添え字Ｌ′、ｍ、ｎおよびＲ^１は、上記の意味を有し、そしてＨａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである。

同様に、アルコキシドおよび／またはハロゲン化物および／またはヒドロキシラジカルと、ケトケトナートラジカルの両方を有するイリジウム化合物を使用することもできる。これらの化合物はまた、荷電されていてもよい。出発物質として特に適している、対応するイリジウム化合物は、ＷＯ２００４／０８５４４９に開示されている。［ＩｒＣｌ_２（ａｃａｃ）_２］⁻、例えば、Ｎａ［ＩｒＣｌ_２（ａｃａｃ）_２］が特に適している。さらに、特に好適なイリジウム出発物質は、イリジウム（III）トリス（アセチルアセトナート）およびイリジウム（III）トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）である。

該合成はまた、例えば、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等の双極性プロトン性溶媒中で、リガンドＬを、式[Ｉｒ（Ｌ′）_２（ＨＯＭｅ）_２]Ａもしくは[Ｉｒ（Ｌ′）_２（ＮＣＭｅ）_２]Ａで表されるイリジウム錯体と反応させることにより、または、リガンドＬ′を、式[Ｉｒ（Ｌ）_２（ＨＯＭｅ）_２]Ａもしくは[Ｉｒ（Ｌ）_２（ＮＣＭｅ）_２]Ａで表されるイリジウム錯体と反応させることによって行うこともでき、ここで、Ａは、各々の場合において、非配位性アニオンであり、例えば、トリフレート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート等である。

前記錯体の合成は、好ましくは、ＷＯ２００２／０６０９１０およびＷＯ２００４／０８５４４９に記載されているように行なわれる。ヘテロレプチック錯体は、例えば、ＷＯ０５／０４２５４８によっても合成することができる。この場合、該合成は、例えば、熱的、光化学的に、および／またはマイクロ波放射により活性化させることもできる。さらに、該合成は、オートクレーブ中で、高圧および／または高温にて行うこともできる。

前記反応は、o-メタル化される、対応のリガンドの溶融物中で、溶媒もしくは溶融助剤を加えずに行うことができる。必要に応じて、溶媒もしくは溶融助剤を加えることができる。適当な溶媒は、脂肪族および／または芳香族アルコール(メタノール、エタノール、イソプロパノール、t‐ブタノール等)、オリゴ−およびポリアルコール（エチレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセロール等）、アルコールエーテル（エトキシエタノール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール等）、エーテル（ジ−およびトリエチレングリコールジメチルエーテル、ジフェニルエーテル等）、芳香族、ヘテロ芳香族および／または脂肪族炭化水素（トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ピリジン、ルチジン、キノリン、イソキノリン、トリデカン、ヘキサデカン等）、アミド（ＤＭＦ、ＤＭＡＣ等）、ラクタム（ＮＭＰ）、スルホキシド（ＤＭＳＯ）、またはスルホン（ジメチルスルホン、スルホラン等）のようなプロトン性または非プロトン性溶媒である。適当な溶融助剤は、室温で固体であるが、反応混合物を温めたときに溶融し、さらに出発物質を溶解させて均質な溶融を形成するような化合物である。ビフェニル、ｍ−ターフェニル、トリフェニレン、１，２−、１，３−もしくは１，４−ビスフェノキシベンゼン、トリフェニルホスフィンオキシド、１８−クラウン−６、フェノール、１−ナフトール、ヒドロキノン等が特に好適である。

また、本発明に係る化合物への更なる有用な合成経路は、基−（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒの代わりに、フェニルピリジン基上に反応性脱離基、特に塩素、臭素もしくはヨウ素を担持するイリジウム錯体から出発する。これは、ボロン酸またはボロン酸誘導体、特に、基−（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒのボロン酸エステルにカップリングして本発明に係る化合物とすることができる。あるいは、反応性離脱基をボロン酸またはボロン酸誘導体に変換し、次いで、反応性脱離基、特に塩素、臭素もしくはヨウ素をまだ担持する基−（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒにカップリングすることができる。

さらに、本発明は、式（１）で表される化合物の合成のための貴重な中間体である、下記式（４４）で表される対応する遊離のリガンドに関し、

式中、使用される記号は、上記の意味を有する。イリジウム錯体に対して上記で与えられた、使用される記号に対する好ましさは、上記の式（４４）で表される化合物にも同様に適用される。

液相から、例えば、スピンコーティングもしくは印刷法によって、本発明の化合物を処理するためには、本発明の化合物の調合物が必要とされる。これらの調合物は、例えば、溶液、分散液またはエマルジョンであることができる。この目的のために、２つ以上の溶媒の混合物を使用することが好ましい。適当で好ましい溶媒は、例えば、トルエン、アニソール、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−キシレン、安息香酸メチル、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、ＴＨＦ、メチル−ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に３−フェノキシトルエン、（−）−フェンコン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、１−メチルナフタレン、２−メチルベンゾチアゾール、２−フェノキシエタノール、２−ピロリジノン、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、３，５−ジメチルアニソール、アセトフェノン、α−テルピネオール、ベンゾチアゾール、安息香酸ブチル、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、安息香酸エチル、インダン、安息香酸メチル、ＮＭＰ、ｐ−シメン、フェネトール、１，４−ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、２−イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、１，１−ビス（３，４−ジメチルフェニル）エタン、またはこれらの溶媒の混合物である。

従って、本発明はさらに、本発明に係る化合物および少なくとも１つの更なる化合物を含んでなる調合物に関する。該更なる化合物は、例えば、溶媒であり、特に上記の溶媒の１つか、またはこれらの溶媒の混合物である。しかしながら、該更なる化合物はさらに、電子素子に同様に使用される、有機もしくは無機化合物、例えばマトリックス材料であってもよい。この更なる化合物は、また、ポリマーであってもよい。

式（１）で表される上述の錯体もしくは上記した好ましい態様および式（４４）で表される化合物は、電子素子中の活性成分として用いることができる。本発明は、従って、さらに、電子素子における、式（１）もしくは式（４４）で表される、または好ましい態様の１つに従う化合物の使用に関する。さらに、本発明に係る化合物は、光触媒における、もしくは酸素センサーにおける、一重項酸素の製造に使用することができる。

また、本発明はさらに、式（１）もしくは式（４４）で表される、または好ましい態様の１つに従う、少なくとも1つの化合物を含んでなる電子素子に関する。

電子素子は、１つのアノード、１つのカソードおよび少なくとも１つの層を含んでなり、該層が、少なくとも1つの、有機もしくは有機金属化合物を含んでなる素子を意味するものと理解される。従って、本発明に係る電子素子は、１つのアノード、１つのカソード、および上記の、式（１）もしくは式（４４）で表される化合物の少なくとも１つを含んでなる少なくとも１つの層を含んでなる。ここで、好ましい電子素子は、少なくとも１つの層に、上記の式（１）で表される、少なくとも１つの化合物を含んでなる、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光検出器、有機光受容器、有機フィールドクエンチ素子（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）、または有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）からなる群から選択される。特に好ましいのは、有機エレクトロルミネッセンス素子である。活性成分は、一般に、アノードとカソードとの間に導入された、有機または無機材料であり、例えば、電荷注入、電荷輸送もしくは電荷遮断材料であるが、特には発光材料とマトリックス材料である。本発明に係る化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光材料として特に優れた特性を示す。従って、本発明の好ましい態様は、有機エレクトロルミネッセンス素子である。

有機エレクトロルミネッセンス素子は、カソード、アノードおよび少なくとも１つの発光層を含んでなる。これらの層とは別に、それは更なる層を含むことができ、例えば、各々の場合において、１つ以上の、正孔注入層、正孔輸送層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層、励起子遮断層、電子遮断層、電荷発生層および／または有機もしくは無機のｐ／ｎ−接合である。同様に、２つの発光層の間に中間層を導入することができ、これらは、例えば、励起子遮断機能を有し、および／または有機エレクトロルミネッセンス素子における電荷バランスを制御する。しかしながら、これらの層はどれも、必ずしも存在する必要はないということに留意すべきである。

ここでは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１つの発光層もしくは複数の発光層を含んでいてもよい。複数の発光層が存在する場合、これらは、好ましくは、全体で３８０ｎｍ〜７５０ｎｍに複数の発光極大を有し、その結果、全体として白色発光を生じる、すなわち、蛍光または燐光を発することができる様々な発光化合物が、発光層中に用いられる。好ましい態様は、３つの層が青色、緑色および橙色もしくは赤色発光を示す３層系（例えば、ＷＯ２００５／０１１０１３参照）、または３つより多い発光層を有する系である。さらに好ましい態様は、２つの層が、青色と黄色の発光、または青緑色と橙色の発光のいずれかを示す２層系である。２層系は、照明用途に特に興味深いものである。本発明に従う化合物を有するこのような態様は、多くの場合黄色もしくは橙色発光を示すので、特に適している。白色発光のエレクトロルミネッセンス素子は、照明用途に、またはディスプレイのバックライトとして、あるいはカラーフィルターと一緒にディスプレイとして使用することができる。

本発明の好ましい態様では、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１つ以上の発光層中の発光性の化合物として、式（１）で表される、または上述した好ましい態様の化合物を含んでなる。

本発明のさらに好ましい態様では、有機エレクトロルミネッセンス素子は、式（４４）で表される、もしくは好ましい態様の化合物を、１つ以上の発光層中に、特に燐光発光性エミッターに対するマトリックス材料として、または正孔遮断層に正孔遮断材料として、または電子輸送層に電子輸送材料として含んでなる。

式（１）で表される化合物が１つの発光層中の発光性化合物として使用される場合、それは好ましくは１つ以上のマトリックス材料と組み合わせて使用される。式（１）で表される化合物およびマトリックス材料を含んでなる混合物は、エミッターおよびマトリックス材料を含んでなる混合物全体に対して、１〜９９容量％、好ましくは２〜９０容量％、特に好ましくは３〜４０容量％、そして特別に５〜１５容量％の、式（１）で表される化合物を含んでなる。これに対応して、該混合物は、エミッターおよびマトリックス材料を含んでなる混合物全体に対して、９９〜１容量％、好ましくは９８〜１０容量％、特に好ましくは９７〜６０容量％、そして特別に９５〜８５容量％の、マトリックス材料を含んでなる。

マトリックス材料には、一般的に、従来技術に従ってこの目的に対して既知のすべての材料を使用できる。マトリックス材料の三重項準位がエミッターの三重項準位よりも高いことが好ましい。

本発明に係る化合物に対して好適なマトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン（例えば、ＷＯ２００４／０１３０８０、ＷＯ２００４／０９３２０７、ＷＯ２００６／００５６２７もしくはＷＯ２０１０／００６６８０による）；トリアリールアミン；カルバゾール誘導体（例えば、ＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）、ｍ−ＣＢＰ、またはＷＯ２００５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７、ＷＯ２００８／０８６８５１もしくはＵＳ２００９／０１３４７８４に開示されるカルバゾール誘導体）；インドロカルバゾール誘導体（例えば、ＷＯ２００７／０６３７５４もしくはＷＯ２００８／０５６７４６による）；インデノカルバゾール誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／１３６１０９もしくはＷＯ２０１１／０００４５５による）；アザカルバゾール誘導体（例えば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０による）；双極性マトリックス材料（例えば、ＷＯ２００７／１３７７２５による）；シラン（例えば、ＷＯ２００５／１１１１７２による）；アザボロールもしくはボロン酸エステル（例えば、ＷＯ２００６／１１７０５２よる）；ジアザシロール誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／０５４７２９による）；ジアザホスホール誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／０５４７３０による）；トリアジン誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／０１５３０６、ＷＯ２００７／０６３７５４もしくはＷＯ２００８／０５６７４６による）；亜鉛錯体（例えば、ＥＰ６５２２７３もしくはＷＯ２００９／０６２５７８による）；ベリリウム錯体；ジベンゾフラン誘導体（例えば、ＷＯ２００９／１４８０１５による）；橋架カルバゾール誘導体（例えば、ＵＳ２００９／０１３６７７９、ＷＯ２０１０／０５０７７８、ＷＯ２０１１／０４２１０７もしくはＷＯ２０１１／０８８８７７による）である。さらに好適なマトリックス材料は、上記の式（４４）で表される化合物である。

複数の異なるマトリックス材料を混合物として使用することもまた、好ましい。この目的のために好ましいのは、特に、少なくとも１つの電子輸送マトリックス材料と少なくとも１つの正孔輸送マトリックス材料との混合物、または少なくとも２つの電子輸送マトリックス材料の混合物、または少なくとも１つの正孔−もしくは電子−輸送マトリックス材料と、例えば、ＷＯ２０１０／１０８５７９に記載されているような、大きなバンドギャップを有し、このため実質的に電気的に不活性であり、且つ電荷輸送には、あるとしても実質的には関与しない、少なくとも１つの更なる材料との混合物である。好ましい組み合わせは、例えば、芳香族ケトンもしくはトリアジン誘導体をトリアリールアミン誘導体もしくはカルバゾール誘導体と共に、本発明に係る金属錯体のための混合マトリックスとして使用することである。

さらに、マトリックスと一緒に２つ以上の三重項エミッターの混合物を使用することが好ましい。この場合、より短い波長の発光スペクトルを持つ三重項エミッターは、より長い波長の発光スペクトルを持つ三重項エミッターのための共マトリックス（ｃｏ−ｍａｔｒｉｘ）として働く。従って、例えば、青色−もしくは緑色−発光性三重項エミッターを、式（１）で表される本発明に係る錯体のための共マトリックスとして使用することができる。

本発明の化合物はまた、例えば、ＷＯ９８／２４２７１、ＵＳ２０１１／０２４８２４７およびＵＳ２０１２／０２２３６３３に記載されているように、有機エレクトロルミネッセンス素子における燐光発光性エミッターとして特に適している。これらのマルチカラーディスプレー成分においては、追加の青色発光層が全面積に亘る蒸着により、青色以外の色を有する画素を含めすべての画素に塗布される。ここで、本発明に係る化合物は、赤色画素用のエミッターとして使用される場合、蒸着された青色発光層と一緒に非常に良好な発光をもたらすということが見出された。

カソードは、好ましくは、低い仕事関数を有する金属、例えばアルカリ土類金属、アルカリ金属、主族の金属もしくはランタノイド（例えば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）の様々な金属を含む、金属合金もしくは多層構造体を含んでなる。また、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属および銀を含む合金（例えば、マグネシウムと銀を含む合金）が好適である。多層構造体の場合には、比較的高い仕事関数を有する更なる金属（例えば、Ａｇ）もまた、前記金属に加えて用いられてもよく、この場合、例えば、Ｃａ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇのような金属の組合せが、一般に用いられる。また、高い誘電率を有する材料からなる薄い中間層を、金属カソードと有機半導体の間に導入することも、好ましいことがある。この目的のために有用な材料は、例えば、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のフッ化物であるが、また、対応する酸化物もしくは炭酸塩（例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＦ_２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ_２ＣＯ_３等）もまた有用である。この層の層厚は、好ましくは、０．５〜５ｎｍである。

アノードは、好ましくは、高い仕事関数を有する材料を含んでなる。アノードは、好ましくは、真空に対して４．５ｅＶより大きい仕事関数を有する。この目的に適するのは、一方では、高い酸化還元電位を有する金属、例えばＡｇ、ＰｔまたはＡｕである。他方では、金属／金属酸化物の電極（例えば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯx、Ａｌ／ＰｔＯx）もまた好ましいことがある。いくつかの用途に対しては、有機材料の照射（Ｏ−ＳＣ）もしくは光の放射（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ−ＬＡＳＥＲ）のいずれかを容易にするために、少なくとも一つの電極が透明もしくは部分的に透明でなければならない。好ましい構造は、透明なアノードを使用する。ここで、好ましいアノード材料は、導電性混合金属酸化物である。特に好ましいのは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）である。さらに、好ましいのは、ドーピングされた導電性有機材料、特に、ドーピングされた導電性ポリマーである。

更なる層においては、前記の層に対して従来技術に従って使用されるすべての材料を使用することが一般的に可能であり、また、当業者は、発明的工夫をすることなしに、電子素子において、これらの材料の各々を本発明に係る材料と組み合わせることができるであろう。

このような素子の寿命は、水および／または空気の存在によりと著しく短縮されるので、素子は、（用途に応じて）それ相応に構造化され、接点が備えられ、さらに最後に密閉される。

さらに、１つ以上の層を、昇華法により塗布することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が好ましい。この場合、材料は、一般的には１０^−５ｍｂａｒ未満、好ましくは１０^−６ｍｂａｒ未満の初期圧力で、真空昇華ユニット中で真空蒸着される。初期圧力は、さらに低く、例えば１０^−７ｍｂａｒ未満にすることも可能である。

同様に、１つ以上の層を、ＯＶＰＤ（有機気相蒸着）法により、またはキャリヤガスの昇華を用いて塗布することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子も好ましい。この場合、１０^−５ｍｂａｒ〜１ｂａｒの圧力で材料を塗布する。この方法の特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）法であり、この方法では、材料を、ノズルを通して直接塗布し、さらに構造化する（例えば、Ｍ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄ ｅｔ ａｌ．,Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８, ９２, ０５３３０１）。

さらに、１つ以上の層を、例えば、スピンコーティングにより、または、任意の所望する印刷法（例えばスクリーン印刷、フレキソ印刷、もしくはオフセット印刷）、特に好ましくは、ＬＩＴＩ（光誘起熱画像化、熱転写印刷）もしくはインクジェット印刷により、溶液から作製することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が好ましい。この目的のためには、可溶性の化合物が必要であり、これは、例えば、適当な置換により得られる。

有機エレクトロルミネッセンス素子は、ハイブリッド系として、１つ以上の層を溶液から塗布し、さらに１つ以上の他の層を真空蒸着で塗布することにより作製することもできる。例えば、式（１）で表される化合物とマトリックス材料を含んでなる発光層を溶液から塗布し、そして、その上に正孔遮断層および／または電子輸送層を真空蒸着により塗布することができる。

これらの方法は、当業者に一般的に知られており、式（１）で表される、または上述した好ましい態様の化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に容易に適用することができる。

本発明に係る電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子は、従来技術に優る以下の驚くべき利点により注目に値する。

１．本発明に係る化合物は、非常に狭い発光スペクトルを有し、さらにそのため発光の非常に低い半値全幅を有している。これは、化合物の赤色発光のより大きな色純度をもたらし、このためそれらは、基ＨｅｔＡｒは含有するが式（４）〜（１０）の１つで表される基を含まない、対応する化合物よりも、ディスプレイの赤色画素中での使用に適している。

２．発光材料として式（１）で表される化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子は、非常に良好な効率を有している。特に、それらは、式（４）〜（１０）の１つで表される、縮合した脂肪族５員環を含まない類似化合物を含んでなるエレクトロルミネッセンス素子よりも良好な効率を有している。

３．本発明に係る化合物は、非常に高い溶解性を有し、従って、溶液から極めて良好に加工することができる。

４．発光材料として式（１）で表される化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子は、非常に良好な寿命を有している。特に、それらは、式（４）〜（１０）の１つで表される、縮合した脂肪族５員環を含まない類似化合物を含んでなるエレクトロルミネッセンス素子よりも良好な寿命を有している。

５．本発明に係る化合物は、非常に低い凝集傾向を有し、これは非常に低い三重項−三重項消滅をもたらす。

これらの上記した利点は、他の電子特性の減損を伴わない。

以下の例により本発明を詳細に説明するが、それらによって本発明を限定することを意図しない。当業者は、発明的工夫をなさずして、本発明に係る更なる化合物を合成するために該記載を用い、さらにそれらを電子素子に使用することができ、またそれ故、開示された範囲の全体にわたり本発明を実施することができるであろう。

例：
以下の合成は、特に断りのない限り、乾燥溶媒中で、保護ガス雰囲気下で行われる。金属錯体は、追加的に、遮光して、または黄色の光の下で取り扱われる。溶媒および試薬は、例えば、ＶＷＲ社、Ｓｉｇｍａ−ＡＬＤＲＩＣＨ社またはＡＢＣＲ社から購入できる。角括弧内に記載されている各番号、または個々の化合物に対して示されている番号は、文献既知の化合物のＣＡＳ番号に関する。

Ａ：シントンの合成
例Ｓ１：５−ブロモ−２−（１，１，２，２，３，３−ヘキサメチルインダン−５−イル）−ピリジン

還流冷却器、アルゴンコネクタ、精密ガラススターラーおよび内部温度計を備えた４Ｌの四つ口フラスコに、９２．５ｇの２−（１，１，２，２，３，３−ヘキサメチルインダン−５−イル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（２８２ミリモル、［１５６２４１８−１６−９］）、８０．０ｇの５−ブロモ−２−ヨードピリジン（２８２ミリモル、［２２３４６３−１３−６］）および２７５ｇの炭酸セシウム（８４４ミリモル）を量り分け、フラスコをアルゴンで不活性化させ、さらに１４００ｍＬの脱イオン水、１１００ｍＬの１，４−ジオキサンおよび５５０ｍＬの無水エタノールを添加する。懸濁液を５分間均質化させ、次いで、４．７ｇの１，１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ＤＰＰＦ、８．５ミリモル）および１．９ｇの酢酸パラジウム（８．５ミリモル）を添加する。反応混合物を８０℃で一晩温める。冷却後、７５０ｍＬの酢酸エチルを添加し、さらに相を分離させる。水相を酢酸エチルで再抽出する。有機相を合わせ、水および飽和ＮａＣｌ溶液で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させる。混合物を、溶離剤として酢酸エチルを用いてセライトの５ｃｍの層を通して濾過し、次いで溶媒を真空中で除去する。生成物を高真空下（４×１０^−５ｍｂａｒ、１８５℃）で蒸留し、さらに溶離剤としてトルエンを用いたシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーにより精製し、７５．１ｇ（７５％）無色の結晶固体を得る。

臭素化されたシントンを一般的な手法により調整することができる：

例Ｓ１４７：２−（１，１，２，２，３，３−ヘキサメチルインダン−５−イル）−５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−ピリジンの例に対する、臭素化されたシントンのホウ素化反応

還流冷却器、精密ガラススターラー、加熱浴、およびアルゴンコネクタを備えた２Ｌの四つ口フラスコに、３０ｇ（８３．７ミリモル）のＳ１、２２ｇ（８６．６ミリモル）のビス（ピナコラート）ジボラン［７３１８３−３４−３］、５０ｇ（５１０ミリモル）の酢酸カリウム ［１２７−０８−２］および３ｇ（４．１ミリモル）の１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（ＩＩ）ジクロライド［９５４６４−０５−４］を量り分け、さらに７００ｍＬの１，４−ジオキサンおよび７００ｍＬのトルエンを添加する。反応混合物をアルゴンで不活性化し、還流下で２４時間撹拌する。冷却後、セライトを通して反応溶液を濾過し、さらに相を分離させる。水性相を５０ｍＬのトルエンで２回抽出し、さらに有機相を合わせ、硫酸ナトリウム上で乾燥し、次いで溶媒を真空中で除去し、暗色の固体を得るが、これをさらに精製することなく次に使用する。

以下のホウ素化されたシントンを一般的な手法により調整することができる：

トリアジン構成単位の合成

２−クロロ−４，６−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン（Ｓ１０００）の合成例

最初に、５．８ｇ（２３８．６ミリモル）の削り状のマグネシウムを加熱乾燥したフラスコに導入し、次いで４００ｍＬの乾燥ＴＨＦ中の７３ｇ（２７１．１ミリモル）のブロモ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンの溶液をゆっくり滴下させて、反応溶液を還流下でコンスタントに沸騰させる。添加が完了したら、溶液をさらに２時間加熱還流させ、次いで冷却する。４００ｍＬの乾燥ＴＨＦ中の、２０ｇ（１０８．５ミリモル）の塩化シアヌルを別のフラスコ中に初期導入し、次いで０℃に冷却する。内部温度が２０℃を超えないような速度で、グリニャール試薬を滴下する。添加が完了したら、反応混合物を室温で一晩温める。氷冷下、１ＮのＨＣｌ溶液５００ｍＬを添加して、反応を停止させる。相を分離し、水相を酢酸エチルで繰り返し洗浄する。有機相を合わせ、飽和ＮａＣｌ溶液を用いて乾燥させ、次いで溶媒を真空中で除去する。薄茶色の油状物にメタノールを加え、さらにこの混合物を加熱還流する。冷却後、固体を吸引濾過し、ヘプタンで洗浄し、さらに真空中で乾燥させ、２３．６ｇ（４８．０ミリモル、４４％収率）の無色の固体を得る。

文献既知の以下の構成単位を同様に用いることができる：

B：リガンドの合成

例Ｌ４７：５−ブロモ−２−（１，１，２，２，３，３−ヘキサメチルインダン−５−イル）ピリジン

３５ｇ（８６．３ミリモル）のＳ２に対して、３３ｇ（８６．９ミリモル）の２，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−クロロ−１，３，５−トリアジンＳ４、 １ｇ（４．５ミリモル）の酢酸パラジウム（ＩＩ）、２．７ｇ（８．９ ミリモル）のトリ−ｏ−トリルホスフィン ［６１６３−５８−２］、５５ｇ（２５９．４ミリモル）の無水リン酸カリウムを量り分け、この混合物を不活性化し、１Ｌのトルエン、５００ｍＬの水および５００ｍＬの１，４−ジオキサンを添加する。反応混合物を還流下に ２４時間撹拌する。冷却後、反応混合物をロータリーエバポレータで乾燥するまで蒸発させ、次いで残留物を、溶離剤としてトルエン／ヘプタン（１：１）を用いてシリカゲル上でカラムクロマトグラフィーにより精製する。油状の残留物をメタノールと共に沸騰させることにより洗浄し、濾過し、さらに乾燥させて、３７．６ｇ（６０．４ミリモル、７０％）の無色固体Ｌ４７を得る。

以下のリガンドを前記手法と同様にしてさらに調整することができる：

金属錯体の合成

１）フェニルピリジン、フェニルイミダゾールまたはフェニルベンゾイミダゾール系の、ホモレプチックなトリス−フェイシャル型イリジウム錯体

変形体Ａ：イリジウム出発物質としてのトリスアセチルアセトナートイリジウム（ＩＩＩ）
１０ミリモルのトリスアセチルアセトナートイリジウム（ＩＩＩ）［１５６３５‐８７‐７］および４０〜６０ミリモル（好ましくは、４０ミリモル）のリガンドＬの混合物、必要に応じて、溶解助剤もしくは溶媒として、１〜１０ ｇ（典型的には３ｇ）の不活性高沸点添加剤（例えば、ヘキサデカン、ｍ−ターフェニル、トリフェニレン、ビスフェニルエーテル、３−フェノキシトルエン、１，２−、１，３−、１，４−ビス−フェノキシベンゼン、トリフェニルホスフィンオキシド、スルホラン、１８−クラウン−６、トリエチレングリコール、グリセリン、ポリエチレングリコール、フェノール、１−ナフトール、ヒドロキノン等）、並びにガラスで被覆された磁気スターラーバーを、真空下（１０^−５ｍｂａｒ）で溶融することにより５０ｍＬの厚肉なガラスアンプル中に封入する。このアンプルを示されている温度で示されている時間、加熱し、その間、マグネチックスターラーを用いて溶融混合物を撹拌する。アンプル中の相対的に冷たい箇所でのリガンドの昇華を防ぐために、アンプル全体が示されている温度を有している必要がある。あるいは、該合成は、ガラスインサート付きの攪拌オートクレーブ中で行うことができる。冷却した後（注意：アンプルは、通常加圧されている！）、アンプルを開き、シンターケーキを１００ｍＬの懸濁媒体（懸濁媒体は、リガンドがその中に良好な溶解性を有するが、金属錯体がその中に難溶性であるように選択される。典型的な懸濁媒体は、メタノール、エタノール、ジクロロメタン、アセトン、ＴＨＦ、酢酸エチル、トルエン等である。）中で１００ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）と共に３時間撹拌させ、同時に機械的に温浸させる。微細懸濁液をガラスビーズからデカントで分離し、固体を吸引濾過し、５０ｍＬの懸濁媒体で洗浄し、真空中で乾燥させる。乾燥固体を連続式高温抽出器内の、高さ３〜５ｃｍの酸化アルミニウム床（酸化アルミニウム、基本活性レベル１）上に載置し、次いで抽出剤（最初の導入量は約５００ｍＬである。抽出剤は、錯体が高温ではその中に良好な可溶性を有し、低温ではその中に難溶性であるように選択される。特に好適な抽出剤は、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、ｏ−ジクロロベンゼン等の炭化水素である。ハロゲン化された脂肪族炭化水素は、それらが錯体をハロゲン化したり、あるいは分解するため、一般的に不適当である。）で抽出する。抽出が終了したら、抽出剤を真空下、約１００ｍＬまで濃縮する。抽出剤への溶解性が非常に高い金属錯体を、２００ｍＬのメタノールを滴下することにより結晶化させる。このようにして得られた、懸濁液の固体を吸引濾過し、約５０ｍＬのメタノールで一回洗浄し、乾燥させる。乾燥後、ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣにより金属錯体の純度を測定する。純度が９９．５％未満であれば、二度目以降の抽出からは酸化アルミニウム床を省略して、高温抽出工程を繰り返す。９９．５％〜９９．９％の純度が得られたら、金属錯体を、加熱するか、またはクロマトグラフィーを行なう。加熱は、高真空下（圧力：約１０^−６ｍｂａｒ）、約２００〜３００℃の温度範囲で行なう。あるいは、有機溶媒に対して良好な溶解性を有する錯体は、シリカゲル上でクロマトグラフィーを行なうこともできる。

キラルリガンドを用いる場合、誘導されるフェイシャル金属錯体は、ジアステレオマー混合物として得られる。Ｃ３点群のエナンチオマーΛ、Δは、一般に、Ｃ１点群のエナンチオマーよりも抽出剤中で非常に低い溶解度を有し、これは結果的に母液中に蓄積される。このようにして、Ｃ１ジアステレオマーからＣ３ジアステレオマーの分離が多くの場合可能である。また、ジアステレオマーは、クロマトグラフィーによっても分離することができる。Ｃ１点群のリガンドをエナンチオマー的に純粋な形で用いると、Ｃ３点群のΛ、Δジアステレオマー対が形成される。このジアステレオマーは、結晶化またはクロマトグラフィーにより分離することができ、その結果、エナンチオマー的に純粋な化合物として得ることができる。

変形体Ｂ：イリジウム出発物質としてのトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３,５−ヘプタンジオナート）イリジウム（ＩＩＩ）
変形体Ａと同様の手法、但し、１０ミリモルのトリスアセチルアセトナートイリジウム（ＩＩＩ）［１５６３５−８７−７］の代わりに１０ミリモルのトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）イリジウム［９９５８１−８６−９］を使用する。得られた粗生成物の純度が、多くの場合、変形体Ａの場合よりも良好なので、この出発物質の使用が有利である。また、アンプル内の圧力上昇は、多くの場合顕著ではない。

変形体Ｃ：イリジウム出発物質としての［ｃｉｓ，ｔｒａｎｓ−ジクロロビス（アセチルアセトナート）］イリジウム（ＩＩＩ）酸ナトリウム
１０ミリモルの［ｃｉｓ，ｔｒａｎｓ−ジクロロビス（アセチルアセトナート）］イリジウム（ＩＩＩ）酸ナトリウム［８７６２９６−２１−８］と、５０ｍＬの、エチレングリコール、プロピレングリコールもしくはジエチレングリコール中の、６０ミリモルのリガンドとの混合物を、穏やかなアルゴン気流下で穏やかに還流させて、示されている時間、加熱する。６０℃に冷却した後、混合物を撹拌しながら、５０ｍＬのエタノールと５０ｍＬの２Ｎ塩酸との混合物で希釈し、混合物をさらに１時間撹拌し、次いで沈殿した固体を吸引濾過し、各回３０ｍＬのエタノールを用いて３回洗浄し、次いで真空中で乾燥させる。高温抽出もしくはクロマトグラフィーによる精製および分別昇華は、Ａで記載の通り。

変形体Ｄ：
ステップ１：
１０ミリモルの塩化イリジウムおよび２４ミリモルのリガンドＬの混合物、並びにガラスで被覆されたマグネチックスターラーバーを、真空下（１０^−５ｍｂａｒ）で溶融することにより５０ｍＬの厚肉なガラスアンプル中に封入する。アンプルを示されている温度で示されている時間、加熱し、その間、マグネチックスターラーを用いて溶融混合物を撹拌する。冷却した後（注意：アンプルは、通常、加圧されている！）、アンプルを開け、シンタ―ケーキを１００ｍＬの示されている懸濁媒体（懸濁媒体は、リガンドがその中に良好な溶解性を有するが、式［Ｉｒ（Ｌ）_２Ｃｌ］_２で表されるクロロ二量体がその中に難溶性であるように選択される。典型的な懸濁媒体は、ＤＣＭ、アセトン、酢酸エチル、トルエン等である。）中で１００ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）と共に３時間撹拌し、同時に機械的に温浸させる。微細懸濁液をガラスビーズからデカントで分離し、約２当量のＮａＣｌをまた含んでいる固体［Ｉｒ（Ｌ）_２Ｃｌ］_２（以下、粗クロロ二量体という）を吸引濾過し、真空中で乾燥させる。

ステップ２：
式［Ｉｒ（Ｌ）_２Ｃｌ］_２で表される粗クロロ二量体を、２００ｍＬのＴＨＦに懸濁し、この懸濁液に、２０ミリモルのリガンドＬ、２０ミリモルのトリフルオロ酢酸銀（Ｉ）および３０ミリモルの炭酸カリウムを添加し、さらに混合物を還流下で２４時間加熱する。冷却後、ＴＨＦを真空中で除去する。残留物をエタノールおよび濃アンモニア溶液の混合物（容積比１：１）２００ｍＬに取る。懸濁液を室温で1時間撹拌し、固体を吸引濾過し、各回５０ｍＬの、エタノールおよび濃アンモニア溶液の混合物（容積比１：１）を用いて２回、および各回５０ｍＬのエタノールを用いて２回洗浄し、次いで真空中で乾燥させる。高温抽出と昇華は変形体Ａの通り。

変形体Ｅ：
ステップ１：臭素化されたリガンドのオルトメタル化
１０ミリモルのトリスアセチルアセトナートイリジウム（ＩＩＩ）［１５６３５−８７−７］および４０〜６０ミリモル（好ましくは、４０ミリモル）の臭素化されたリガンドＳ１の混合物、必要に応じて、溶解助剤もしくは溶媒として、１〜１０ｇ（典型的には３ｇ）の不活性高沸点添加剤（例えば、ヘキサデカン、ｍ−ターフェニル、トリフェニレン、ビスフェニルエーテル、３−フェノキシトルエン、１，２−、１，３−、１，４−ビスフェノキシベンゼン、トリフェニルホスフィンオキシド、スルホラン、１８−クラウン−６、トリエチレングリコール、グリセリン、ポリエチレングリコール、フェノール、１−ナフトール、ヒドロキノン等）、並びにガラスで被覆された磁気スターラーバーを、真空中（１０^−５ｍｂａｒ）で溶融することにより５０ｍＬの厚肉なガラスアンプル中に封入する。このアンプルを示されている温度で示されている時間、加熱し、その間、マグネチックスターラーを用いて溶融混合物を撹拌する。アンプル中のより冷たい箇所でのリガンドの昇華を防ぐために、アンプル全体が示されている温度を有している必要がある。あるいは、該合成は、ガラスインサート付きの攪拌オートクレーブ中で行うことができる。冷却した後（注意：アンプルは、通常加圧されている！）、アンプルを開き、さらにシンターケーキを、機械的に温浸させながら、１００ｍＬの懸濁媒体（懸濁媒体は、リガンドがその中に良好な溶解性を有するが、金属錯体がその中に難溶性であるように選択される。典型的な懸濁媒体は、メタノール、エタノール、ジクロロメタン、アセトン、ＴＨＦ、酢酸エチル、トルエン等である。）中で１００ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）と共に３時間撹拌させる。微細懸濁液をガラスビーズからデカントで分離し、固体を吸引濾過し、５０ｍＬの懸濁媒体で洗浄し、真空中で乾燥させる。乾燥固体を連続式高温抽出器内の、高さ３〜５ｃｍの酸化アルミニウム床（酸化アルミニウム、基本活性レベル１）上に載置し、次いで抽出剤（最初の導入量は約５００ｍＬである。抽出剤は、錯体が高温ではその中に良好な可溶性を有し、低温ではその中に難溶性であるように選択される。特に好適な抽出剤は、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、ｏ−ジクロロベンゼン等の炭化水素である。ハロゲン化された脂肪族炭化水素は、それらが錯体をハロゲン化したり、あるいは分解させるため、一般的に不適当である。）で抽出する。抽出が終了したら、抽出剤を真空下、約１００ｍＬまで濃縮する。抽出剤への溶解性が非常に高い金属錯体を、２００ｍＬのメタノールを滴下することにより結晶化させる。このようにして得られた、懸濁液の固体を吸引濾過し、約５０ｍＬのメタノールで一回洗浄し、乾燥させる。乾燥後、ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣにより金属錯体の純度を測定する。純度が９９．５％未満であれば、二度目以降の抽出からは酸化アルミニウム床を省略して、高温抽出工程を繰り返す。９９．５％〜９９．９％の純度に達したら、金属錯体を、加熱するか、またはクロマトグラフィーを行なう。加熱は、高真空下（圧力：約１０^−６ｍｂａｒ）、約２００〜３００℃の温度範囲で行なう。あるいは、有機溶媒に対して良好な溶解性を有する錯体は、シリカゲル上でクロマトグラフィーを行なうこともできる。

キラルリガンドを用いる場合、誘導されるフェイシャル金属錯体は、ジアステレオマー混合物の形で得られる。Ｃ３点群のエナンチオマーΛ、Δは、一般に、Ｃ１点群のエナンチオマーよりも抽出剤中で非常に低い溶解度を有し、これは結果的に母液中に蓄積される。この方法により、Ｃ１ジアステレオマーからＣ３ジアステレオマーの分離が多くの場合可能である。また、ジアステレオマーは、クロマトグラフィーによっても分離することができる。Ｃ１点群のリガンドをエナンチオマー的に純粋な形で用いると、Ｃ３点群のΛ、Δジアステレオマー対が形成される。このジアステレオマーは、結晶化またはクロマトグラフィーにより分離することができ、その結果、エナンチオマー的に純粋な化合物として得ることができる。

ステップ２：ホウ素化

１２ミリモルのＩｒ（Ｓ１）_３、４０ミリモルのビス（ピナコラート）ジボラン［７３１８３− ３４−３］、２１４ミリモルの酢酸カリウム［１２７−０８−２］および６０２ マイクロモルの１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（ＩＩ）ジクロライドの混合物に、３００ｍＬの１，４−ジオキサンおよび３００ｍＬのトルエンを加え、さらにこの混合物を２０時間還流下で沸騰させる。この反応溶液をセライトを通して濾過し、ロータリーエバポレーターで蒸発乾固させ、次いで、さらに精製することなく次のステップで使用する。

ステップ３：鈴木カップリング

１６ｇ（１１．４ミリモル）の、ステップ２からの錯体Ｉｒ（Ｓ１−Ｂ）_３に、１５．６ｇ（４１ミリモル）のシントン［２５３１５８−１３−３］、１８０ｍｇ（０．８ミリモル）の酢酸パラジウム（ＩＩ）、４８５ ｍｇ（１．６ミリモル）のトリ−ｏ−トリルホスフィンおよび１４．５ｇ（６０ミリモル）のリン酸カリウムを加え、さらに５００ｍＬのトルエン、２５０ｍＬの脱イオン水および２５０ｍＬの１，４−ジオキサンを加える。この反応混合物を７２時間還流下で加熱する。冷却後、この混合物をセライトを通して濾過し、溶媒を真空中で除去する。残留物を変形体Aで記載されているように精製する。

使用することのできるシントンの例：

例：

２）ヘテロレプチックイリジウム錯体
変形体Ａ：
ステップ１：
変形体Ｄのステップ１を参照。

ステップ２：
このようにして得られた式［Ｉｒ（Ｌ）_２Ｃｌ］_２で表される粗クロロ二量体を、７５ｍＬの２−エトキシエタノールおよび２５ｍＬの水の混合物に懸濁し、そこに１３ミリモルの、共リガンドＣＬもしくは共リガンド化合物ＣＬ、および１５ミリモルの炭酸ナトリウムを添加する。還流下で２０時間後、さらに７５ｍＬの水を滴下し、混合物を冷却し、次いで固体を吸引濾過し、各回５０ｍＬの水を用いて３回、および各回５０ｍＬのメタノールを用いて３回洗浄し、次いで真空中で乾燥させる。乾燥固体を高さ３〜５ｃｍの酸化アルミニウム床（酸化アルミニウム、基本活性レベル１）上の連続式高温抽出器内に載置し、次いで示されている抽出剤（最初の導入量は約５００ｍＬである。抽出剤は、錯体が高温ではその中に良好な可溶性を有し、低温ではその中に難溶性であるように選択される。特に好適な抽出剤は、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等の炭化水素である。）で抽出する。抽出が終了したら、抽出剤を真空中で、数ｍＬまで濃縮する。抽出剤への溶解性が極めて高い金属錯体を、２００ｍＬのメタノールを滴下することにより結晶化させる。このようにして得られた、懸濁液の固体を吸引濾過し、メタノールで一回洗浄し、乾燥させる。乾燥後、ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣにより金属錯体の純度を測定する。純度が９９．５％未満であれば、高温抽出工程を繰り返す。９９．５％〜９９．９％の純度に達したら、金属錯体を、加熱処理するか、または昇華させる。精製のための高温抽出工程だけでなく、シリカゲルまたは酸化アルミニウム上でのクロマトグラフィーによっても精製を行うことができる。加熱は、高真空下（圧力：約１０^−６ｍｂａｒ）、約２００〜３００℃の温度範囲で行なう。昇華は、高真空下（圧力：約１０^−６ｍｂａｒ）、約３００〜４００℃の温度範囲で行ない、好ましくは、分別昇華の形で行なう。

変形体Ｂ：
１０ミリモルのイリジウムビス（メタノール）［ＣＬ］トリフルオロメタンスルホナート、１０ミリモルのリガンドＬおよび１２ミリモルのルチジン［１０８−４８−５］の混合物に、２００ｍＬの２−エトキシエタノールを加え、さらにこの混合物を１００℃で７２時間撹拌する。溶媒を真空下で除去し、さらに残留物をカラムクロマトグラフィーで精製する。

素子の例
例１：溶液中でのフォトルミネッセンス
本発明に係る錯体は、トルエンに溶解することができる。表１に示す錯体のトルエン溶液のフォトルミネッセンススペクトルの特徴あるデータを表２に示す。ここでは、約１ｍｇ／ｍＬの濃度を有する溶液を使用し、さらに極大吸収で（約４５０ｎｍで）光学的励起を行なう。

表１：検討した、本発明に係る錯体および関連した比較錯体のフォトルミネッセンスの構造（角括弧内の番号は、対応するＣＡＳ番号を示す。ＣＡＳ番号のない錯体の合成は、付記された特許に記載されている。）

例２：ＯＬＥＤの製造
本発明の錯体は、溶液から処理することができ、そして、真空処理されたＯＬＥＤに比較して、はるかに容易に製造しうるＯＬＥＤをもたらすことができ、これはそれにも拘らず良好な特性を有する。完全に溶液を利用したＯＬＥＤの製造は、すでに、例えば、ＷＯ２００４／０３７８８７等の文献に多数回記載されている。同様に、真空を利用したＯＬＥＤの製造は、すでに多数回、とりわけＷＯ２００４／０５８９１１に記載されている。以下で説明する例では、溶液を利用して塗布された層と真空を利用して塗布された層とが１つのＯＬＥＤ中で組み合わされており、従って、発光層を含めこの層までの処理は溶液を用いて行われ、さらにその後の層（正孔遮断層および電子輸送層）は真空を用いて行われる。この目的のために、既に述べた一般的な方法がここに記載した状況（層の厚さの変化、材料）に合致しており、そして以下のように組み合わされる。一般的な構造は、次の通りである：基板／ＩＴＯ（５０ｎｍ）／正孔注入層（ＨＩＬ）／ 正孔輸送層（ＨＴＬ）／発光層（ＥＭＬ）／正孔遮断層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／カソード（アルミニウム、１００ｎｍ）。使用される基板は、構造化されたＩＴＯ（酸化インジウムスズ）で被覆された、厚さ５０ｎｍのガラス板である。より良好な処理のために、基板は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３,４−エチレンジオキシ−２，５−チオフェン）：ポリスチレンスルホナート（独国、Ｈｅｒａｅｕｓ Ｐｒｅｃｉｏｕｓ Ｍｅｔａｌｓ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ. ＫＧ社から購入した）で被覆する。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを空気中で水を用いてスピンコートで塗布し、さらに続いて、残留水を除去するために、１８０℃で１０分間、空気中で加熱することにより乾燥させる。中間層および発光層を、これらの被覆されたガラス板に塗布する。使用される正孔輸送層は、架橋可能である。ＷＯ２０１０／０９７１５５もしくはＷＯ２０１３／１５６１３０に従って合成することのできる、下記構造のポリマーが使用される。

正孔輸送ポリマーをトルエンに溶解する。ここにおけるように、スピンコート法により、素子における典型的な層の厚さである２０ｎｍを得る場合、このような溶液の典型的な固形分は、約５g ／Ｌである。不活性ガス雰囲気中、この場合はアルゴン中で、該層をスピンコートで塗布し、さらに１８０℃で６０分間加熱して乾燥させる。

発光層は、常に、少なくとも1つのマトリックス材料（ホスト材料）と１つの発光性ドーパント（エミッター）からなる。さらに、複数の、マトリックス材料および共ドーパントの混合物であってもよい。ＴＭＭ−Ａ（９２％）：ドーパント（８％）のような表現は、ここでは、材料ＴＭＭ−Ａが発光層中に重量比で９２％、且つドーパントが重量比で８％存在することを意味する。発光層のための混合物を、トルエンまたは必要に応じてクロロベンゼンに溶解する。ここにおけるように、スピンコート法により、素子における典型的な層の厚さである６０ｎｍを得る場合、このような溶液の典型的な固形分は、約１８g／Ｌである。不活性ガス雰囲気中、この場合はアルゴン中で、該層をスピンコートで塗布し、さらに１６０℃で１０分間加熱して乾燥させる。この場合に使用された材料を、表３に示す。

表３：使用したＥＭＬ材料

正孔遮断層および電子輸送層のため材料を、真空チャンバ内で熱的真空蒸着により塗布する。電子輸送層は、ここでは、例えば、１つ以上の材料からなっていてもよく、該材料は共蒸着することにより特定の体積分率で互いに混合される。ＥＴＭ１：ＥＴＭ２（５０％：５０％）のような表現は、ここでは、ＥＴＭ１およびＥＴＭ２材料が層中に体積比でそれぞれ５０％存在することを意味する。この場合に使用された材料を、表４に示す。

表４：使用したＨＢLおよびＥＴＬ材料

１００ｎｍのアルミニウム層を熱蒸着することによりカソードを形成する。ＯＬＥＤは、標準的な方法によって特徴付けられる。この目的のために、エレクトロルミネッセンススペクトル、ランバート放射特性を仮定する電流／電圧／光束密度特性線（ＩＵＬ特性線）および（動作）寿命を測定する。ＩＵＬ特性線は、特定の輝度における、例えば、動作電圧（Ｖ）および効率（ｃｄ/Ａ）等の特性値を決定するために用いられる。エレクトロルミネッセンススペクトルを、光束密度１０００ｃｄ／ｍ^２で測定し、それからＣＩＥ１９３１表色系のｘおよびｙ色座標を計算する。検討した、ＥＭＬ混合物およびＯＬＥＤ構成要素の構造を表５および表６に示す。関連する結果は表７に見られる。

Claims (17)

1. 式（１）で表される化合物：
   ［Ｉｒ（Ｌ）_ｎ（Ｌ′）_ｍ］ 式（１）
   式中、該化合物は、式（２）で表される部分構造Ｉｒ（Ｌ）_ｎ：
   

   

   を含み、使用される記号および添え字には以下の定義が適用される：
   Ｒ^２およびＲ^３の一方は、式−（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒで表される基であり、且つＲ^２およびＲ^３の他方は、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６に対して定義されたのと同じ意味を有し；
   ＨｅｔＡｒは、式（３）で表される基であり、
   

   

   式中、破線の結合は、Ａｒへの結合を、またはｐ＝０の場合は、リガンドのピリジン基への結合を示し；
   Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、但し、少なくとも１つ、且つ最大で３つの基ＸがＮであり；
   Ａｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、５〜３０個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、１つ以上のＲで置換されていてもよい）であり；
   ｐは、出現毎に同一であるかまたは異なり、０または１であり；
   Ｃｙは、出現毎に同一であるかまたは異なり、式（４）、（５）、（６）、（７）、（８）、（９）または（１０）で表される基を表し、
   

   

   式中、破線の結合は、リガンド中の２個の炭素原子の結合を示し、そしてさらに：
   Ａ^１、Ａ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｃ（Ｒ^８）_２、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^８またはＣ（＝ Ｏ）であり；
   Ａ^２は、Ｃ（Ｒ^７）_２、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^８またはＣ（＝Ｏ）であり； Ｇは、１、２もしくは３個の炭素原子を有するアルキレン基（これは、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよい）、−ＣＲ^９＝ＣＲ^９−、または５〜１４個の芳香族環原子を有する、オルト結合したアリーレンもしくはヘテロアリーレン基（これらは、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよい）であり；
   但し、これらの基中の２個のヘテロ原子は互いに直接接合されておらず、且つ２つの基Ｃ＝Ｏは、互いに直接結合しておらず；
   Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^９）_２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^９）_３、Ｂ（ＯＲ^９）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^９ 、１〜４０個の炭素原子を有する、直鎖状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個の炭素原子を有する直鎖状の、アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個の炭素原子を有する、分岐状もしくは環状の、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらの各々は、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよく、ここで、１つ以上の非隣接のＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９、Ｓｉ（Ｒ^９）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^９、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ^９で置き替えられていてもよく、またここで、１つ以上の水素原子はＤ、ＦもしくはＣＮで置き替えられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、１つ以上の基Ｒ^９で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有する、ジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、各々の場合において、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよい）であり；ここで、２つの隣接するＲはまた、互いに、脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系を形成してもよく；さらに、Ｒ^４およびＲ^５はまた、互いに、脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系を形成してもよく；さらに、基Ｒ^２が式−（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒで表される基を表わすとき、Ｒ^３およびＲ^４はまた、互いに、脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系を形成してもよく；
   Ｒ^８は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、１〜１０個の炭素原子を有する、直鎖の、アルキルもしくはアルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する、分岐状もしくは環状の、アルキルもしくはアルキニル基（これらの各々は、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよく、ここで、１つ以上の非隣接のＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^９）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^９、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ^９で置き替えられていてもよく、またここで、１つ以上の水素原子はＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各々の場合において、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよい）、または５〜２４個の芳香族環原子を有する、アラルキル基もしくはヘテロアラルキル基（これらは、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよい）であり；ここで、同じ炭素原子に結合している２つのＲ^８は、互いに、脂肪族もしくは芳香族環系を形成して、その結果としてスピロ系を形成していてもよく；さらに、Ｒ^８は、隣接するＲ^７と共に脂肪族環系を形成してもよく；
   Ｒ^９は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個の炭素原子を有する、脂肪族基、芳香族基および／またはヘテロ芳香族基であって、それらは追加的に１つ以上の水素原子がＤもしくはＦで置換されていてもよく；２つ以上の置換基Ｒ^９はまた、互いに、脂肪族または芳香族環系を形成してもよく；
   Ｌ′は、出現毎に同一であるかまたは異なり、一座−または二座−リガンドであり；
   ｎは、１、２または３であり；
   ｍは、０、１、２、３または４である。
2. ｎ＝３であるか、またはｎ＝２且つｍ＝１であり、ここでＬ′が、１つの炭素原子と１つの窒素原子、１つの炭素原子と１つの酸素原子、２つの酸素原子、２つの窒素原子、もしくは１つの酸素と１つの窒素原子を介してイリジウムに配位しているモノアニオン性二座リガンドであるか、または、ｎ＝１且つｍ＝２であり、ここでＬ′が、出現毎に同一であるかまたは異なり、１つの炭素原子と１つの窒素原子、もしくは１つの炭素原子と１つの酸素原子を介してイリジウムに配位しているモノアニオン性二座リガンドであることを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
3. ｐ＝０であるか、あるいはｐ＝１であって、Ａｒが、出現毎に同一であるかまたは異なり、６〜１８個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、１つ以上のＲで置換されていてもよい）から選択されることを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物。
4. ＨｅｔＡｒが、式（３−１）〜（３−１０）から選択されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物：
   

   

   式中、破線の結合は、Ａｒへの結合を、またはｐ＝０の場合は、ピリジン環への結合を示し、さらに、Ｒは、請求項１に記載された意味を有する。
5. Ｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、または６〜２４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよい）であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物。
6. Ｃｙが、式（４−Ａ）〜（４−Ｆ）、（５−Ａ）〜（５−Ｆ）、（６−Ａ）〜（６−Ｅ）、（７−Ａ）〜（７−Ｃ）、（８−Ａ）、（９−Ａ）または（１０−Ａ）で表される構造から選択されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物：
   

   

   

   

   

   

   式中、Ｒ^７およびＲ^８は、請求項１に記載された意味を有し、さらに、Ａ^１、Ａ^２およびＡ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＯもしくはＮＲ^８を表わす。
7. Ｒ^８が、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖のアルキル基、または３〜１０個の炭素原子を有する、分岐状もしくは環状の、アルキル基（各々の場合において、１つ以上の非隣接のＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９で置き替えられていてもよく、また、１つ以上の水素原子はＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または各々の場合において、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよい、５〜１４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（ここで、同じ炭素原子に結合している２つのＲ^８は、互いに、脂肪族もしくは芳香族環系を形成して、その結果としてスピロ系を形成していてもよく；さらに、Ｒ^８は、隣接するＲ^７と共に脂肪族環系を形成してもよい）であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物。
8. −（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒではないＲ^１〜Ｒ^６が、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ^９）_２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^９）_３、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^９ 、１〜１０個の炭素原子を有する、直鎖状のアルキル基、または２〜１０個の炭素原子を有するアルケニル基、または３〜１０個の炭素原子を有する、分岐状もしくは環状の、アルキル基（これらの各々は、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよく、ここで、１つ以上の水素原子はＤもしくはＦで置き替えられていてもよい）、または各々の場合において、１つ以上のＲ^９で置換されていてもよい、５〜２４個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（Ｒ^４およびＲ^５はまた、互いに、脂肪族、芳香族環系を形成してもよい）であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物。
9. −（Ａｒ）_ｐ−ＨｅｔＡｒではない置換基Ｒ^１〜Ｒ^６のすべてが水素であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物。
10. 遊離リガンドＬおよび必要に応じてＬ′を、イリジウム化合物と反応させることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の化合物を製造する方法。
11. 式（４４）で表される化合物：
    

    

    式中、使用される記号は、請求項１に記載された意味を有する。
12. 少なくとも１つの、請求項１〜９または１１のいずれか一項に記載の化合物および少なくとも１つの、溶媒および／または有機もしくは無機の、更なる化合物を含んでなることを特徴とする調合剤。
13. 請求項１〜９または１１のいずれか一項に記載の化合物の、電子素子中における使用。
14. 請求項１〜９または１１のいずれか一項に記載の化合物の、光触媒において一重項酸素を発生させるための使用。
15. 請求項１〜９または１１のいずれか一項に記載の化合物の、酸素センサーにおいて一重項酸素を発生させるための使用。
16. 請求項１〜９または１１のいずれか一項に記載の１つ以上の化合物を含んでなる電子素子。
17. 有機エレクトロルミネッセンス素子であって、請求項１〜９のいずれか一項に記載の化合物が、１つ以上の発光層に発光性化合物として用いられていること、または、請求項１１に記載の化合物が、発光層、もしくは正孔遮断層、もしくは電子輸送層に用いられていることを特徴とする、請求項１６に記載の電子素子。