JP2022529926A - 金属錯体 - Google Patents

Abstract

本発明は、金属錯体および前記金属錯体を含む電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

Description

発明の詳細な説明

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光体としての使用に適した金属錯体に関するものである。

有機半導体を機能性材料として使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）において、使用される発光材料は、蛍光発光よりも燐光発光を示す有機金属錯体であることが多い。一般に、三重項発光を示すＯＬＥＤにおいて、特に、効率、作動電圧および寿命に関する、改良の必要性がいまだに存在する。使用される三重項発光体は、特にイリジウム錯体および白金錯体である。使用されるイリジウム錯体は、特に、芳香族配位子を有するビス－およびトリス－オルト－メタル化錯体であり、配位子は、負に帯電した炭素原子および電荷を持たない窒素原子を介して金属に結合される。そのような錯体の例として、イミダゾイソキノリン錯体（例えば、ＷＯ２０１０／０８６０８９またはＷＯ２０１１／１５７３３９による）、またはイミダゾフェナントリジン錯体（例えば、ＵＳ２０１２／０１５３８１６またはＵＳ２０１５／０２９５１８９による）が挙げられ、配位子はそれぞれのケースにおいて１つの六員環および１つの五員環を介してイリジウムに配位する。

本発明の目的は、特に緑～赤の範囲の発光カラーおよび良好な効率および寿命へとつながる、ＯＬＥＤの使用のための発光体として好適な新規な金属錯体を提供することである。

驚くべきことに、以下に詳細を開示する特定の金属キレート錯体が有機エレクトロルミネッセンス素子における使用に非常によく適合していることがわかってきた。それゆえ、本発明は、これらの金属錯体、およびこれらの錯体を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。

本発明は、式（１）の化合物であって、
Ｍ（Ｌ）_ｎ（Ｌ’）_ｍ 式（１）
式（２）の部分構造Ｍ（Ｌ）_ｎを含むものを提供する。

ここで、使用される記号および添え字は以下のとおりである：
Ｍは、イリジウムまたは白金であり；
Ｄは、ＣまたはＮであり、ここで、１つのＤがＣであり、かつ他のＤがＮであり；
Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり；
Ｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＯＲ^１、ＳＲ^１、ＣＯＯＲ^１、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ^１）_２、Ｓｉ（Ｒ^１）_３、Ｂ（ＯＲ^１）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１）_２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^１、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^１、ＯＳＯ_２Ｒ^１、１～２０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または２～２０の炭素原子を有する、アルケニルもしくはアルキニル基または３～２０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、アルキル、アルケニルまたはアルキニル基は、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｓｉ（Ｒ^１）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^１、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^１によって置き換えられていてもよい）、または５～６０の芳香族環原子、好ましくは５～４０の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり；同時に、２つのＲラジカルが共に脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ^１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＯＲ^２、ＳＲ^２、Ｓｉ（Ｒ^２）_３、Ｂ（ＯＲ^２）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２）_２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^２、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^２、ＯＳＯ_２Ｒ^２、１～２０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または２～２０の炭素原子を有する、アルケニルもしくはアルキニル基または３～２０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、アルキル、アルケニルまたはアルキニル基がそれぞれ１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基がＳｉ（Ｒ^２）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^２によって置き換えられていてもよく、かつ、ここで、アルキル、アルケニルまたはアルキニル基中の１以上の水素原子がＤ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮによって置き換えられていてもよい）、または５～４０の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり；同時に、２以上のＲ^１ラジカルが共に脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ^２は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮまたは１～２０の炭素原子を有する、脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族有機ラジカル、特にヒドロカルビルラジカル（ここで、１以上の水素原子がＦによって置き換えられていてもよい）であり；
Ｌ’は、出現毎に同一であるかまたは異なり、配位子であり；
ｎは、１、２または３であり；
ｍは、０、１、２、３または４であり；
同時に、２以上の配位子Ｌが共に結合されるか、またはＬがＬ’に単結合または２価もしくは３価のブリッジによって結合され、三座、四座、五座または六座配位子系を形成することも可能である。

本発明の意味において、アリール基は、６～４０の炭素原子を含む。本発明の意味において、ヘテロアリール基は、２～４０の炭素原子および少なくとも１つのヘテロ原子を含み、ただし、炭素原子とヘテロ原子の合計が少なくとも５である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。好ましくは、ヘテロアリール基は、１、２または３のヘテロ原子を含み、１以下がＯおよびＳから選択される。ここでは、アリール基またはヘテロアリール基は、単一の芳香族環、すなわちベンゼン、または単一のヘテロ芳香族環、例えばピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または縮合した、アリールもしくはヘテロアリール基、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等のいずれかを意味するものと解される。

本発明の意味において、芳香族環系はその環系中に６～６０の炭素原子を含む。ヘテロ芳香族環系は、本発明の意味において、その環系中に１～６０の炭素原子と少なくとも１つのヘテロ原子を含み、ただし、炭素原子とヘテロ原子の合計が少なくとも５である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。芳香族もしくはヘテロ芳香族環系は、本発明の意味において、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基を含む系だけではなく、複数のアリールまたはヘテロアリール基が非芳香族単位（好ましくは、１０％未満の、Ｈ以外の原子）、例えば、炭素、窒素、もしくは酸素原子、またはカルボニル基、により結合されていることのできる系をも意味するものと解される。例えば、９，９’－スピロビフルオレン、９，９－ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の系も、本発明の意味においては、芳香族環系とみなされ、また、２以上のアリール基が、例えば、直鎖状もしくは環状のアルキル基によって、またはシリル基によって結合されている系も同様である。さらに、２以上のアリールまたはヘテロアリール基が直接互いに結合された系（例えば、ビフェニルまたはターフェニル）も同様に芳香族またはヘテロ芳香族環系とみなされる。

環状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基は、本発明の意味において、単環状、二環状もしくは多環状の基を意味するものと解される。２以上の置換基が共に脂肪族環系を形成するとき、本発明の意味において、用語「脂肪族環系」はヘテロ脂肪族環系も含む。

本発明の意味において、Ｃ_１～Ｃ_４０アルキル基（ここで、それぞれの水素原子またはＣＨ_２基は上記の基で置き替えられていてもよい）は、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、ｉ－プロピル、シクロプロピル、ｎ－ブチル、ｉ－ブチル、ｓ－ブチル、ｔ－ブチル、シクロブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、ｔ－ペンチル、２－ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ－ヘキシル、ｓ－ヘキシル、ｔ－ヘキシル、２－ヘキシル、３－ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、１－メチルシクロペンチル、２－メチルペンチル、ｎ－ヘプチル、２－ヘプチル、３－ヘプチル、４－ヘプチル、シクロヘプチル、１－メチルシクロヘキシル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、シクロオクチル、１－ビシクロ［２．２．２］オクチル、２－ビシクロ［２．２．２］オクチル、２－（２，６－ジメチル）オクチル、３－（３，７－ジメチル）オクチル、アダマンチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２－トリフルオロエチル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘプタ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－デカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ドデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－テトラデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘプタ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－デカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ドデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－テトラデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタデカ－１－イル、１－（ｎ－プロピル）シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－ブチル）シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－ヘキシル）シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－オクチル）シクロヘキサ－１－イル－および１－（ｎ－デシル）シクロヘキサ－１－イルラジカルを意味するものと解される。アルケニル基は、例えば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを意味するものと解される。アルキニル基は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、へプチニルまたはオクチニルを意味するものと解される。Ｃ_１～Ｃ_４０アルコキシ基は、例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、ｉ－プロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｉ－ブトキシ、ｓ－ブトキシ、ｔ－ブトキシまたは２－メチルブトキシを意味するものと解される。

５～６０の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて上記のラジカルによって置換されていてもよく、かつ任意の位置を介して芳香族またはヘテロ芳香族環系に結合していてもよい、芳香族またはヘテロ芳香族環系は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、ターフェニル、ターフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス－もしくはトランス－インデノフルオレン、シス－もしくはトランス－モノベンゾインデノフルオレン、シス－もしくはトランス－ジベンゾインデノフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、スピロトルクセン、スピロイソトルクセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾ－ル、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ－５，６－キノリン、ベンゾ－６，７－キノリン、ベンゾ－７，８－キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントレイミダゾール、ピリジムイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２－チアゾール、１，３－チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５－ジアザアントラセン、２，７－ジアザピレン、２，３－ジアザピレン、１，６－ジアザピレン、１，８－ジアザピレン、４，５－ジアザピレン、４，５，９，１０－テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３－オキサジアゾール、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，３，４－オキサジアゾール、１，２，３－チアジアゾール、１，２，４－チアジアゾール、１，２，５－チアジアゾール、１，３，４－チアジアゾール、１，３，５－トリアジン、１，２，４－トリアジン、１，２，３－トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５－テトラジン、１，２，３，４－テトラジン、１，２，３，５－テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン、およびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味するものと解される。

２以上のラジカルが共に脂肪族環を形成していてもよいという表現は、本明細書の文脈において、とりわけ、２つのラジカルが２つの水素原子の形式的な削除とともに、互いに化学結合によって結合されることを意味するものと解される。これは以下のスキームによって示される。

縮合芳香族またはヘテロ芳香族基の形成も可能であり、以下のスキームによって示される。

さらに、しかしながら、上記の表現は、２つのラジカルのうちの１つが水素である場合、２つ目のラジカルが水素原子の結合された位置に結合し、環を形成することを意味するものと解される。これは、以下のスキームにより例示される：

式（１）の好ましい化合物は、電荷を有さない、つまり電気的に中性である、ことを特徴とする。このことは、配位子ＬおよびＬ’の電荷が、錯体を形成する金属原子Ｍの電荷を補うように、選択されることによる単純な方法で、達成される。

式（１）の錯体において、添え字ｎおよびｍは、金属Ｍの配位数の合計が、金属に依存し、通常この金属の配位数に対応するように選択される。イリジウム（ＩＩＩ）では、配位数は６であり、白金（ＩＩ）では、配位数は４である。

本発明の一形態において、Ｍ＝イリジウム（ＩＩＩ）であり、添え字ｎは、１、２または３、好ましくは２または３である。添え字ｎが１である場合に、４つの単座、または２つの二座、または１つの二座および２つの単座、または１つの三座および１つの単座、または１つの四座配位子Ｌ’、好ましくは２つの二座配位子Ｌ’、がイリジウムに配位される。添え字ｎが２である場合に、１つの二座、または２つの単座配位子Ｌ’、好ましくは１つの二座配位子Ｌ’、もイリジウムに配位される。添え字ｎ＝３のとき、添え字ｍ＝０である。

本発明のさらなる形態において、Ｍ＝白金（ＩＩ）であり、添え字ｎは１または２を意味する。添え字ｎが１である場合に、１つの二座または２つの単座配位子Ｌ’、好ましくは１つの二座配位子Ｌ’、も白金Ｍに配位する。ｎ＝２である場合に、ｍ＝０である。

Ｄ基がＣとＮである場合に、式（２）として２つの構造が生じる。これらは、以下の式（３）および（４）によって示される。

ここで、使用される記号および添え字は上記の意味を有する。

本発明の好ましい形態において、存在する場合に１以下のＸがＮであり、他のＸ基がＣＲである。より好ましくは、２つの六員環中の記号ＸがＣＲであるか、または炭素原子を介して配位する六員環中の１つの記号ＸがＮであり、かつ２つの六員環中の他の記号ＸがＣＲであり、かつ五員環中のちょうど１つの記号ＸがＮである。式（３）の好ましい形態は、以下の式（３ａ）～（３ｆ）の構造であり、式（４）の好ましい形態は、以下の式（４ａ）～（４ｆ）の構造である。

ここで、使用される記号および添え字は上記の意味を有する。

好ましくは、式（２）の構造が以下の式（３ａ－１）～（４ｆ－１）の構造である場合である。

ここで、使用される記号および添え字は上記の意味を有し、かつＲ’はＲと同一の意味を有し、ここで、少なくとも１つの置換基Ｒ’はＨまたはＤではない。

好ましくは、式（３）または（３ａ）～（３ｃ）の構造である。特に好ましくは式（３ａ）の構造である。

置換基および置換基による環の形成によって、式（２）の単位の三重項エネルギー、よって発光カラーに影響を与えることができる。例えば、式（３ａ）、（３ｃ）、（３ｄ）、（４ａ）、（４ｃ）および（４ｄ）の五員環中の２つの置換基Ｒが共に縮合ベンゼン環を形成する場合、これによって、ＩｒＬ_ｎ単位の三重項エネルギーが減少し、それによってＩｒＬ_ｎ単位の発光の深色移動をもたらす。

上記のように、隣接するＲラジカルが共に脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよい。本発明の一形態において、五員環上の２つの隣接するＲラジカルが共に、１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい縮合ベンゾ基を形成する。好ましい形態は、式（３ａ－２）～（４ａ－６）の構造である。

ここで、使用される記号および添え字は上記の意味を有する。

好ましいＲラジカルは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^１）_３、Ｂ（ＯＲ^１）_２、１～１０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または２～１０の炭素原子を有するアルケニル基または３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（これらのそれぞれは１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよく、ここで、１以上の水素原子がＤまたはＦによって置き換えられていてもよい）、または５～２４の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系からなる群から選択され；同時に、２つの好ましくは隣接するＲラジカルが共に、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系を形成してもよい。より好ましくは、これらのＲラジカルは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＣＮ、１～６の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または２～６の炭素原子を有するアルケニル基または３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、１以上の水素原子がＤまたはＦによって置き換えられていてもよい）、または６～１３の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系からなる群から選択され；同時に、２つの隣接するＲラジカルが共に脂肪族または芳香族環系を形成していてもよい。

好ましいＲ^１ラジカルは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、１～１０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または２～２０の炭素原子を有するアルケニル基または３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（これらのそれぞれは１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよく、ここで、１以上の水素原子がＦによって置き換えられていてもよい）、または５～２４の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり；同時に、２以上の隣接するＲ^１ラジカルが共に、脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよい。特に好ましいＲ^１ラジカルは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１～４の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または３～６の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基または６～１３の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これらのそれぞれは１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である）であり；同時に、２以上の隣接するＲ^１ラジカルが共に、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよい。

好ましいＲ^２ラジカルは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、１～６の炭素原子を有するアルキル基、または６～１２の炭素原子を有する芳香族環系からなる群から選択される。

本発明のさらなる形態において、２つの隣接するＲラジカルは共に脂肪族環系を形成する。隣接するラジカルのケースにおいて、これは、五員環の１つまたは両方で、および／または五員環で可能である。好ましい脂肪族環系は、以下の式（５）～（１１）の構造から選択される。

ここで、Ｒ^１およびＲ^２は上記に記載の意味を有し、点線の結合は配位子における２つの炭素原子の結合を示し、さらに：
Ｇは、１、２または３の炭素原子を有し、かつ１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよいアルキレン基、－ＣＲ^２＝ＣＲ^２－、または５または６の芳香族環原子を有し、かつ１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、オルト結合された、アリーレンもしくはヘテロアリーレン基であり；
Ｒ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｆ、ＯＲ^２、１～１０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基、３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、それぞれのケースのアルキル基は１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基がＲ^２Ｃ＝ＣＲ^２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^２）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^２によって置き換えられていてもよい）、または５または６の芳香族環原子を有し、かつそれぞれのケースにおいて１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、アリールもしくはヘテロアリール基であり；同時に、同一の炭素原子に結合された２つのＲ^３ラジカルが脂肪族環系を形成し、よってスピロ系を形成してていもよく；さらに、Ｒ^３が隣接するＲまたはＲ^１ラジカルと共に、脂肪族環系を形成していてもよい。

上記の式（５）～（１１）の上記の構造および好ましいと特定されたこれらの構造のさらなる形態において、二重結合は、２つの炭素原子の間での形式的な意味での表現である。これは、化学構造を単純化したものであって、２つの炭素原子が芳香族またはヘテロ芳香族環系に組み入れられ、これらの２つの炭素原子の間の結合は、形式的に、単結合の結合次数の二重結合の結合次数の間である。

式（５）～（１１）の基の好ましい形態は、特許文献ＷＯ２０１４／０２３３７７、ＷＯ２０１５／１０４０４５およびＷＯ２０１５／１１７７１８に開示される。

上述のように、本発明の化合物において、１つのラジカルＲの代わりに、架橋単位が存在し、１以上のさらなる配位子ＬまたはＬ’に配位子Ｌが結合していてもよい。本発明の好ましい形態において、配位六員環のうちの１つの配位原子のオルトまたはメタ位に、特に配位原子のメタ位に、存在するラジカルＲのうちの１つの代わりに、架橋単位が存在し、そのため、配位子が、三座もしくは多座または多脚（ｐｏｌｙｐｏｄａｌ）特性を有する。２つがそのような架橋単位として存在することも可能である。これによって、大環状配位子またはクリプテートが形成される。

多座配位子を有する好ましい構造は、以下の式（１２）～（１５）の金属錯体である。

ここで、使用される記号および添え字は上記の意味を有する。Ｌ’は、好ましくは二座副配位子、特に炭素原子および窒素原子を介して配位するモノアニオン二座副配位子である。

ここで、式（１４）および（１５）の構造中のＶは、好ましくは、ＢＲ^１、Ｂ（Ｒ^１）_２ ^－、Ｃ（Ｒ^１）_２、Ｃ（＝Ｏ）、Ｓｉ（Ｒ^１）_２、ＮＲ^１、ＰＲ^１、Ｐ（Ｒ^１）_２ ^＋、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１）、Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ^１）、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または式（１６）～（２５）のうちの１つの単位から選択される。

ここで、点線の結合は、それぞれ、副配位子ＬまたはＬ’への結合を示し、Ｑは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｃ（Ｒ^１）_２、Ｎ（Ｒ^１）、ＯまたはＳであり、Ｚは、出現毎に同一であるかまたは異なり、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｓ（＝Ｏ）、Ｓ（＝Ｏ）_２、ＮＲ^１、ＰＲ^１、Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^１、Ｃ（Ｒ^１）_２、Ｃ（＝Ｏ）、Ｃ（＝ＮＲ^１）、Ｃ（＝Ｃ（Ｒ^１）_２）、Ｓｉ（Ｒ^１）_２およびＢＲ^１からなる群から選択され、使用されるさらなる記号は上記に記載の意味を有する。

さらに、式（１２）および（１３）の構造中のＶは、好ましくは以下の式（２６）の基であり、ここで、点線の結合は、副配位子ＬおよびＬ’の結合位置を示す。

ここで：
Ｘ^１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり；
Ａは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ_２－ＣＲ_２、ＣＲ_２－Ｏ、ＣＲ_２－ＮＲ、Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ、Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲまたは以下の式（２７）の基である：

ここで、それぞれのケースにおいて点線の結合は、二座副配位子ＬまたはＬ’のこの構造への結合位置を示し、＊は式（２７）の単位の中央の三価のアリールまたはヘテロアリール基への結合位置を示し、Ｘ^２は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮである。

Ｘ^２＝ＣＲのときの式（２７）の基の好ましい置換基は、上記の置換基Ｒから選択される。

本発明の好ましい形態において、Ａは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ_２－ＣＲ_２または式（２７）の基である。好ましくは以下の形態である：
－３つ全てのＡ基が式（２７）の同一の基である；
－２つのＡ基が式（２７）の同一の基であり、３つ目のＡ基がＣＲ_２－ＣＲ_２である；
－１つのＡ基が式（２７）のであり、他の２つのＡ基が同一のＣＲ_２－ＣＲ_２基である；または
－３つ全てのＡ基が同一のＣＲ_２－ＣＲ_２基である。

ここで、「式（２７）の同一の基」は、これらの基の全てが同一の基本骨格および同一の置換基を有することを意味する。さらに、「同一のＣＲ_２－ＣＲ_２基」は、これらの基の全てが同一の置換基を有することを意味する。

ＡがＣＲ_２－ＣＲ_２である場合、Ｒは、好ましくは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＨまたはＤ、より好ましくはＨ、である。

式（２７）の基は芳香族またはヘテロ芳香族六員環である。本発明の好ましい形態において、式（２７）の基は、アリールまたはヘテロアリール基中に１以下のヘテロ原子を含む。これは、この基に結合されたどの置換基もヘテロ原子を含むことができないことを意味しない。さらに、この定義は、置換基による環形成が縮合芳香族またはヘテロ芳香族構造（例えば、ナフタレン、ベンズイミダゾール等）を生じさせないことを意味しない。式（２７）の基は、好ましくは、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、ピラジンおよびピリダジンから選択される。

式（２７）の基の好ましい形態は、以下の式（２８）～（３５）の構造である。

ここで、使用される記号は上記の意味を有する。

特に好ましくは、式（２８）～（３２）の所望により置換された基である。非常に特に好ましくは、オルト－フェニレン、つまり式（２８）の基である。

同時に、置換基の詳細において上記したように、隣接する置換基が共に環形を形成することも可能であり、それによって、縮合アリールおよびヘテロアリール基を含む縮合構造（例えば、ナフタレン、キノリン、ベンズイミダゾール、カルバゾール、ジベンゾフランまたはジベンゾチオフェン）を形成できる。

式（２６）の基の好ましい形態は、以下の式（３６）～（３９）の構造である。

ここで、使用される記号は上記の意味を有する。

より好ましくは、式（３６）～（３９）の中央環の全ての置換基ＲがＨであり、よって、構造は好ましくは式（３６ａ）～（３９ａ）から選択される。

ここで、使用される記号は上記の意味を有する。

より好ましくは、式（３６）～（３９）の基は、以下の式（３６ｂ）～（３９ｂ）の構造から選択される。

ここで、Ｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＨまたはＤ、好ましくはＨである。

式（１）に表れる好ましい配位子Ｌ’は、以下に示される。配位子Ｌ’は、それらが架橋Ｖ単位を介してＬに結合された場合に選択される。

配位子Ｌ’は、好ましくは、電荷を有さないか、モノアニオン性、ジアニオン性またはトリアニオン性の配位子であり、より好ましくは、電荷を有さないかモノアニオン性の配位子であり、特にモノアニオン性配位子である。それらは、一座、二座、三座または四座であってもよく、好ましくは二座、つまり好ましくは２つの配位サイトを有する。上述のように、配位子Ｌ’は、架橋Ｖ基を介してＬに結合されていてもよい。より好ましくは、配位子Ｌ’は、二座およびモノアニオン性である。

好ましい電荷を有さない一座配位子Ｌ’は、一酸化炭素、一酸化窒素、アルキルシアニド、例えばアセトニトリル、アリールシアニド、例えばベンゾニトリル、アルキルイソシアニド、例えばメチルイソニトリル、アリールイソシアニド、例えば、ベンゾイソニトリル、アミン、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、モルフォリン、ホスフィン、特にハロホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンもしくはアルキルアリールホスフィン、例えばトリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニルホスフィン、ホスファイト、例えばトリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、アルシン、例えばトリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルアルシン、トリフェニルアルシン、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシン、スチビン、例えばトリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビン、窒素含有複素環、例えばピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジンおよびカルベン、特にアルジュンゴ（Ａｒｄｕｅｎｇｏ）カルベンからなる群から選択される。

好ましいモノアニオン性一座配位子Ｌ’は、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ^－、Ｃｌ^－、Ｂｒ^－およびＩ^－、アルキルアセチリド、例えばメチル－Ｃ≡Ｃ^－、ｔｅｒｔ－ブチル－Ｃ≡Ｃ^－、アリールアセチリド、例えばフェニル－Ｃ≡Ｃ^－、シアニド、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族もしくは芳香族アルコキシド、例えばメトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ｔｅｒｔ－ブトキシド、フェノキシド、芳香族もしくは芳香族チオアルコキシド、例えば、メタンチオラート、エタンチオラート、プロパンチオラート、イソ－プロパンチオラート、ｔｅｒｔ－チオブトキシド、チオフェノキシド、アミド、例えばジメチルアミド、ジエチルアミド、ジ－イソプロピルアミド、モルホライド、カルボキシラート、例えばアセテート、トリフルオロアセテート、プロピオネート、安息香酸エステル、アリール基、例えばフェニル、ナフチル、およびピロライド、イミダゾライド、ピラゾライドなどのアニオン性窒素含有複素環から選択される。同時に、これらの基のアルキル基は、好ましくはＣ_１～Ｃ_２０アルキル基、より好ましくはＣ_１～Ｃ_１０アルキル基、最も好ましくはＣ_１～Ｃ_４アルキル基である。アリール基は、ヘテロアリール基を意味するものと解される。これらの基は、上述で記載の意味を有する。

好ましいジまたはトリアニオン性配位子は、Ｏ^２－、Ｓ^２－、Ｒ－Ｃ≡Ｍ型の配位に導くカーバイド、Ｒ－Ｎ＝Ｍ型の配位に導くナイトレン（式中、Ｒは通常置換基である）、またはＮ^３－である。

好ましい電荷を有さない、またはモノもしくはジアニオン性の、二座もしくはそれ以上の多座配位子Ｌ’は、ジアミン、例えばエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルプロピレンジアミン、シス－もしくはトランス－ジアミノシクロヘキサン、シス－もしくはトランス－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルジアミノシクロヘキサン、イミン、例えば２－［（１－（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（２－メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（２，６－ジ－イソ－プロピルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（メチルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（エチルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（イソ－プロピルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（ｔｅｒｔ－ブチルイミノ）エチル］ピリジン、ジイミン、例えば１，２－ビス（メチルイミノ）エタン、１，２－ビス（エチルイミノ）エタン、１，２－ビス（イソ－プロピルイミノ）エタン、１，２－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルイミノ）エタン、２，３－ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３－ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３－ビス（イソ－プロピルイミノ）ブタン、２，３－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルイミノ）ブタン、１，２－ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２－ビス（２－メチルフェニルイミノ）エタン、１，２－ビス（２，６－ジ－イソ－プロピルフェニルイミノ）エタン、１，２－ビス（２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３－ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３－ビス（２－メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３－ビス（２，６－ジ－イソ－プロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３－ビス（２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルイミノ）ブタン、２つの窒素原子を含む複素環、例えば２，２’－ビピリジン、ｏ－フェナントロリン、ジホスフィン、例えばビス（ジフェニホスフィノ）メタン、ビス（ジフェニホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニホスフィノ）プロパン、ビス（ジフェニホスフィノ）ブタン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルホスフィノ）プロパン、１，３－ジケトン由来の１，３－ジケトネート、例えばアセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、１，５－ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１－トリフルオロアセチル）メタン、３－ケトエステル由来の３－ケトネート、例えばエチルアセトアセテート、アミノカルボン酸由来のカルボキシラート、例えばピリジン－２－カルボン酸、キノリン－２－カルボン酸、グリシン、Ｎ，Ｎ－ジメチルグリシン、アラニン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノアラニン、サリチルイミン由来のサリチルイミネート、例えばメチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミン、ジアルコール由来のジアルコキサイド、例えばエチレングリコール、１，３－プロピレングリコール、およびジチオール由来のジチオレート、例えばエチレン－１，２－ジチオール、プロピレン－１，３－ジチオール、ビス（ピラゾリルボレート）、ビス（イミダゾリル）ボレート、３－（２－ピリジリル）ジアゾール、または３－（２－ピリジリル）トリアゾールから選択される。

好ましい三座配位子は、窒素含有複素環のボレート、例えば、テトラキス（１－イミダゾリル）ボレートおよびテトラキス（１－ピラゾリル）ボレート、である。

さらに好ましくは、金属とともに、少なくとも１つの金属－炭素結合を有するシクロメタル化五員環もしくは六員環、特にシクロメタル化五員環、を有する二座モノアニオン性の、電荷を有さない、またはジアニオン性配位子Ｌ’、特にモノアニオン性配位子、である。これらは、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子の燐光金属錯体において通常使用される配位子、すなわちフェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリン型等（それぞれは１以上のラジカルＲによって置換されていてもよい）の配位子である。燐光エレクトロルミネッセンス素子分野の当業者に、この種の多くの配位子が知られており、発明的な技術を行使することなく、さらなるこの種の配位子を式（１）の化合物の配位子Ｌ’として選択することができるであろう。この目的の特に適切な組み合わせが、以下の式（４０）～（８８）（ここで、１つの基は好ましくは電荷を有さない窒素原子もしくはカルベン原子を介して、もう一方の基は好ましくはマイナスの電荷を有する炭素原子もしくはマイナスの電荷を有する窒素原子を介して、結合される）に表される２つの基であることが通常のケースである。配位子Ｌ’は、＃によって示される位置で互いに結合するこれらの基に基づき、式（４０）～（８８）の基から形成されうる。それらの基が金属に配位する位置は、＊によって示される。これらの基は、配位子Ｌに、１または２の架橋Ｖ単位を介して、結合されていてもよい。

これらの式において、ＸおよびＲは上記に記載の意味を有し、ＷはＮＲ、ＯまたはＳである。好ましくは、それぞれの基において、３以下の基ＸがＮであり、より好ましくはそれぞれの基において２以下の記号ＸがＮであり、よりさらに好ましくはそれぞれの基において２以下の記号ＸがＮである。特別に好ましくは全ての記号ＸがＣＲである。

同時に、隣接する置換基からの環形成による、縮合ヘテロアリール基が、二座配位子Ｌ’としてＭに配位する、２つの個々のアリールまたはヘテロアリール基から形成されることも可能である。

さらなる好適な共配位子Ｌ’は、完全なヘテロ芳香族ではないが、配位子基礎構造にケト基を有する構造であり、ＷＯ２０１１／０４４９８８、ＷＯ２０１４／０９４９６２、ＷＯ２０１４／０９４９６１およびＷＯ２０１４／０９４９６０に開示される。

それぞれの配位基のラジカルが互いに環系を形成する、好適な共配位子Ｌ’の例を、以下の表に示す。ＣＡＳ番号もそれぞれのケースで示される。

配位子Ｌ’が式（４０）～（８８）の構造で構成される場合、これらの構造における好ましいラジカルＲは、ＸがＣＲのときの式（２）のラジカルＲとして既に上記で示したものと同じである。

本発明の錯体は、フェイシャル体（ｆａｃｉａｌ）もしくは疑似フェイシャル体（ｐｓｅｕｄｏｆａｃｉａｌ）であってもよく、または、それらは、メリジオナル体（ｍｅｒｉｄｉｏｎａｌ）もしくは疑似メリジオナル体（ｐｓｅｕｄｏｍｅｒｉｄｉｏｎａｌ）であってもよい。

上記の好ましい形態は、所望により、互いに組み合わせることができる。本発明の特に好ましい形態において、上記の好ましい形態は、同時に適用する。

本発明の化合物の例は、以下の表に示られる構造である：

本発明は、対応する遊離配位子（ｆｒｅｅ ｌｉｇａｎｄ）Ｌおよび所望によりＬ’が、式（７９）の金属アルコキシド、式（８０）の金属ケトケトネート、式（８１）のハロゲン化金属、式（８２）の二量体金属錯体、または式（８３）の金属錯体との反応によって、式（１）の金属錯体化合物を調製する方法をさらに提供するものである。

ここで、記号Ｍ、ｍ、ｎおよびＲは上記に記載の意味を有し、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩであり、Ｌ’’はアルコール（特に１～４の炭素原子を有するアルコール）、またはニトリル（特にアセトニトリルまたはベンゾニトリル）であり、かつ（Ａｎｉｏｎ）は非配位アニオン、例えばトリフラートである。

反応の温度領域、および必要に応じて配位子Ｌが１つの五員環および１つの六員環ではなく、２つの六員環を介して配位子Ｌが配位する置換基をブロックする存在によって確認することができる。反応領域のより詳細は、実施例のセクションに見ることができる。

同様に、アルコキシドおよび／またはハロゲン化物および／またはヒドロキシおよびケトケトネートラジカルを有する、金属化合物、特にイリジウム化合物、を用いることができる。これらの化合物は、電荷を有していてもよい。反応物質として特に適したイリジウム化合物に相当するものが、ＷＯ２００４／０８５４４９に開示されている。特に適したものは、［ＩｒＣｌ_２（ａｃａｃ）_２］^－、例えばＮａ［ＩｒＣｌ_２（ａｃａｃ）_２］、配位子としてアセチルアセトネート誘導体との金属錯体、例えばＩｒ（ａｃａｃ）_３またはトリス（２，２，６，６－テトラメチルヘプタン－３，５－ジオネート）イリジウム、およびＩｒＣｌ_３・ｘＨ_２Ｏ（式中、ｘは典型的には２～４の数である）である。

好適な白金の反応物質としては、例えばＰｔＣｌ_２、Ｋ_２［ＰｔＣｌ_４］、ＰｔＣｌ_２（ＤＭＳＯ）_２、Ｐｔ（Ｍｅ）_２（ＤＭＳＯ）_２またはＰｔＣｌ_２（ベンゾニトリル）_２である。

錯体の合成は、ＷＯ２００２／０６０９１０、ＷＯ２００４／０８５４４９およびＷＯ２００７／０６５５２３に開示されているように行われることが好ましい。ヘテロレプティック錯体は、同様に例えばＷＯ２００５／０４２５４８に開示されるように、合成されうる。この場合、その合成は、例えば、熱的もしくは光化学的方法および／またはマイクロ波放射によって、活性化される。この反応の活性化のために、ルイス酸、例えば銀塩またはＡｌＣｌ_３をさらに加えることも可能である。

反応は、ｏ－メタル化される対応する配位子の溶融物中で、溶媒もしくは溶融助剤を加えずに行うことができる。必要に応じて、溶媒もしくは溶融助剤を加えることもできる。好適な溶媒は、脂肪族および／または芳香族アルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔ－ブタノール等）、オリゴアルコールおよびポリアルコール（エチレングリコール、１，２－プロパンジオールまたはグリセロール等）、アルコールエーテル（例えば、エトキシエタノール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール等）、エーテル（ジ－およびトリエチレングリコールジメチルエーテル、ジフェニルエーテル等）、芳香族、ヘテロ芳香族および／または脂肪族炭化水素（トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ピリジン、ルチジン、キノリン、イソキノリン、トリデカン、ヘキサデカン等）、アミド（ＤＭＦ、ＤＭＡＣ等）、ラクタム（ＮＭＰ）、スルホキシド（ＤＭＳＯ）、またはスルホン（ジメチルスルホン、スルホラン等）のようなプロトン性または非プロトン性溶媒である。適当な溶融助剤は、室温で固体であるが、均質な溶融を形成するために反応混合物が加熱され反応物質を溶解する時に溶融される化合物である。特に適当なものは、ビフェニル、ｍ－ターフェニル、トリフェニレン、１，２－、１，３－または１，４－ビスフェノキシベンゼン、トリフェニルホスフィンオキシド、１８－クラウン－６、フェノール、１－ナフトール、ヒドロキノン等である。

必要に応じて、続いて精製（例えば、再結晶化または昇華）される、これらのプロセスによって、本発明による式（１）の化合物が、高純度、好ましくは９９％より高い、より好ましくは９９．９％より高い純度（^１Ｈ－ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣによって決定される）、で得られることを可能にする。

本発明の化合物は、例えば、比較的長鎖のアルキル基（約４～２０の炭素原子）、特に分岐のアルキル基、または所望により置換されたアリール基（例えば、キシリル、メシチル、または分枝状の、テルフェニルもしくはクォーターフェニル基）による適切な置換によって可溶化されてもよい。この種の化合物は、標準的な有機溶媒（例えば、トルエンまたはキシレン）に、室温で、十分な濃度で可溶であり、溶液からの錯体の処理が可能である。これらの可溶性化合物は、特に、溶液からの処理、例えば印刷法による、によく適している。

本発明による化合物の配合物は、例えば、スピンコートまたは印刷法によって、液相から本発明による化合物を調製することが必要である。これらの配合物は、例えば溶液、分散液またはエマルジョンであってよい。この目的で、２以上の溶剤の混合物を使用することが好ましい可能性がある。適切かつ好ましい溶剤は、例えば、トルエン、アニソール、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－キシレン、安息香酸メチル、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、ＴＨＦ、メチル－ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に３－フェノキシトルエン、（－）－フェンコン、１，２，３，５－テトラメチルベンゼン、１，２，４，５－テトラメチルベンゼン、１－メチルナフタレン、２－メチルベンゾチアゾール、２－フェノキシエタノール、２－ピロリジノン、３－メチルアニソール、４－メチルアニソール、３，４－ジメチルアニソール、３，５－ジメチルアニソール、アセトフェノン、α－テルピネオール、ベンゾチアゾール、安息香酸ブチル、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、安息香酸エチル、インダン、ＮＭＰ、ｐ－シメン、フェネト－ル、１，４－ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、２－イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、１，１－ビス（３，４－ジメチルフェニル）エタン、２－メチルビフェニル、３－メチルビフェニル、１－メチルナフタレン、１－エチルナフタレン、オクタン酸エチル、セバシン酸ジエチル、オクタン酸オクチル、ヘプチルベンゼン、メンチルイソバレレート、シクロヘキシルヘキサノエートまたはそれらの溶剤の混合物である。

それゆえ、本発明は、さらに、本発明の化合物および少なくとも１つのさらなる化合物を含んでなる配合物に関するものである。さらなる化合物は、例えば、溶媒である。さらなる化合物は、同様に電子素子に使用される、さらなる有機もしくは無機化合物、例えばマトリックス材料、であってもよい。

上述の式（１）の化合物および上述の好ましい形態は、電子素子における活性成分として使用されうる。それゆえ、本発明は、さらに、電子素子における、式（１）または好ましい形態による化合物の使用を提供するものである。

電子素子は、アノード、カソードおよび少なくとも１層（この層は少なくとも１つの有機または有機金属化合物を含んでなる）を具備してなる任意の素子を意味するものと解される。よって、本発明による電子素子は、アノード、カソードおよび少なくとも１つの上記に記載の式（１）の化合物を含んでなる少なくとも１つの層を含んでなる。好ましい電子素子は、なくとも１つの層に上述の式（１）の少なくとも１つの化合物を含んでなる、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ－ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ－ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ－ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ－ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ－ＳＣ）、有機光学検査器、有機光受容器、有機電場消光素子（Ｏ－ＦＱＤ）、発光電子化学電池（ＬＥＣ）、および有機レーザーダイオード（Ｏ－ｌａｓｅｒ）からなる群から選択される。特に好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子である。活性成分は、通常アノードとカソードの間に導入された有機または無機材料、例えば電荷注入、電荷輸送もしくは電荷ブロック材料、特には発光材料およびマトリックス材料、である。本発明の化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子中の発光材料として、特に良好な特性を示す。本発明の好ましい形態は、それゆえ、有機エレクトロルミネッセンス素子である。さらに、本発明の化合物は、一重項酸素の生成に、光触媒反応に、または光変換（例えば、ピクセルカラーコンバーター（ＰＣＣ））に使用されてもよい。

有機エレクトロルミネッセンス素子は、カソード、アノードおよび少なくとも１つの発光層を具備してなる。これらの層とは別に、さらなる層、例えばそれぞれの場合において、１以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電子ブロック層、電荷発生層および／または有機もしくは無機ｐ／ｎ結合、を具備してなっていてもよい。ここで、１以上の正孔輸送層が、例えばＭｏＯ_３もしくはＷＯ_３のような金属酸化物または（パー）フルオロ化電子欠損芳香族系によって、ｐドープされることも可能であり、および／または、１以上の電子輸送層がｎドープされることも可能である。例えば励起子－ブロック機能を有する、および／またはエレクトロルミネッセンス素子中の電荷バランスを制御する、２つの発光層の間に導入される中間層にとっても同様に可能である。しかしながら、これらの層の必ずしも全てが存在する必要がないことに留意すべきである。

この場合において、有機エレクトロルミネッセンス素子が発光層を含むか、または複数の発光層を含んでいてもよい。複数の発光層が存在する場合、好ましくは３８０ｎｍ～７５０ｎｍ間に全体で複数の最大発光波長を有し、全体として白色発光が生じるものであり、言い換えれば、蛍光もしくは燐光であってよいさまざまな発光化合物が発光層中で使用されるのである。特に、好ましいのは、青色、緑色およびオレンジまたは赤色発光するもの（基本構造については、例えばＷＯ２００５／０１１０１３参照）の３層構造か、または３発光層より多くの層を有する系である。この系は、１以上の層が蛍光を発し、１以上の層が燐光を発するハイブリッドの系であってもよい。

本発明の好ましい形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の発光層中に、発光化合物として、式（１）の化合物または上述の好ましい形態を含んでなる。

式（１）の化合物が発光層中の発光性化合物として使用される場合、好ましくは１以上のマトリックス材料と組み合わせて使用される。式（１）の化合物とマトリックス材料とを含んでなる混合物は、発光体とマトリックス材料とを含んでなる混合物全体に対して、０．１～９９体積％、好ましくは１～９０体積％、より好ましくは３～４０体積％、そして特に５～１５体積％の、式（１）の化合物を含んでなる。これに対応して、混合物は、発光体とマトリックス材料とを含んでなる混合物全体に対して、９９．９～１体積％、好ましくは９９～１０体積％、より好ましくは９７～６０体積％、そして特に９５～８５体積％の、マトリックス材料を含んでなる。

使用されるマトリックス材料は、一般的に、従来技術に従って目的に対して既知の任意の材料であってよい。マトリックス材料の三重項準位が発光体の三重項準位よりも高いことが好ましい。

本発明の化合物のために適したマトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン（例えば、ＷＯ２００４／０１３０８０、ＷＯ２００４／０９３２０７、ＷＯ２００６／００５６２７もしくはＷＯ２０１０／００６６８０による）、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体（例えば、ＣＢＰ（Ｎ、Ｎ－ビスカルバゾリルビフェニル）、ｍ－ＣＢＰ、またはＷＯ２００５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７、ＷＯ２００８／０８６８５１もしくはＵＳ２００９／０１３４７８４に開示されるカルバゾール誘導体）、インドロカルバゾール誘導体（例えば、ＷＯ２００７／０６３７５４もしくはＷＯ２００８／０５６７４６による）、インデノカルバゾール誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／１３６１０９もしくはＷＯ２０１１／０００４５５による）、アザカルバゾール誘導体（例えば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０による）、バイポーラーマトリックス材料（例えば、ＷＯ２００７／１３７７２５による）、シラン（例えばＷＯ２００５／１１１１７２による）、アザカルバゾールもしくはボロン酸エステル（例えば、ＷＯ２００６／１１７０５２よる）、ジアザシロール誘導体（例えばＷＯ２０１０／０５４７２９による）、ジアザホスホール誘導体（例えばＷＯ２０１０／０５４７３０による）、トリアジン誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／０１５３０６、ＷＯ２００７／０６３７５４もしくはＷＯ２００８／０５６７４６による）、亜鉛錯体（例えば、ＥＰ６５２２７３もしくはＷＯ２００９／０６２５７８による）、ジベンゾフラン誘導体（例えばＷＯ２００９／１４８０１５による）、架橋カルバゾール誘導体（例えば、ＵＳ２００９／０１３６７７９、ＷＯ２０１０／０５０７７８、ＷＯ２０１１／０４２１０７もしくはＷＯ２０１１／０８８８７７による）である。

混合物として複数の異なったマトリックス材料、特に少なくとも１つの電子伝導マトリックス材料および少なくとも１つの正孔伝導マトリックス材料、を使用することも好ましい。好ましい組み合わせは、本発明による金属錯体の混合マトリクスとして、例えば、芳香族ケトン、トリアジン誘導体またはホスフィンオキシド誘導体を、トリアリールアミン誘導体またはカルバゾール誘導体と共に使用することである。同様に、電荷輸送マトリックス材料および電荷輸送においてたとえあったとしても明らかな関与がない電気的に不活性なマトリックス材料（例えばＷＯ２０１０／１０８５７９に開示される）の混合物の使用も好ましい。

本発明の化合物のためのマトリックス材料として使用することができる好ましいビスカルバゾールは、以下の式（８４）および（８５）の構造である。

ここで、Ａｒ^１は、同一であるかまたは異なり、５～４０の芳香族環原子、好ましくは６～３０の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、Ａ^１は、ＮＲ、ＣＲ_２、ＯまたはＳであり、かつＲは上記に記載の意味を有する。本発明の好ましい形態において、Ａ^１はＣＲ_２である。

式（８４）および（８５）の化合物の好ましい形態は、以下の式（８４ａ）および（８５ａ）の化合物である。

ここで、使用される記号は上記の意味を有する。

式（８４）および（８５）の好適な化合物の例は、以下に記載の化合物である。

好ましいジベンゾフラン誘導体は、以下の式（８６）の化合物である。

ここで、酸素は、硫黄によって置き換えられ、ジベンゾチオフェンを形成していてもよく、Ｌは、単結合または５～３０の芳香族環原子を有し、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、かつＲおよびＡｒ^１は、上記に記載の意味を有する。ここで、同一の窒素原子に結合する２つのＡｒ^１基、または同一の窒素原子に結合する、１つのＡｒ^１基および１つのＬ基が、互いに結合され、例えばカルバゾールを形成することも可能である。

好ましいカルバゾールアミンは、以下の式（８７）、（８８）および（８９）の構造である。

ここで、Ｌは、５～３０の芳香族環原子を有し、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい、芳香族またはヘテロ芳香族環系であり、かつＲおよびＡｒ^１は、上記に記載の意味を有する。

本発明の化合物と共に混合物として使用することができる好ましいトリアジン、キナゾリン、またはピリミジン誘導体は、以下の式（９０）、（９１）および（９２）の化合物である。

ここで、Ａｒ^１およびＲは、上記に記載の意味を有する。

特に好ましくは、式（９０）のトリアジン誘導体および式（９２）のキナゾリン誘導体、特に式（９０）のトリアジン誘導体である。

本発明の好ましい形態において、式（９０）、（９１）および（９２）中のＡｒ^１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、６～３０の芳香族環原子、特に６～２４の芳香族環原子を有し、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい、芳香族またはヘテロ芳香族環系である。ここで、好適な芳香族またはヘテロ芳香族環系Ａｒ^１は、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３の形態、特にＡｒ－１～Ａｒ－７６の構造として、上記に規定されたものと同じである。

本発明の化合物と共にマトリックス材料として使用されてもよい好適なトリアジン化合物の例は、以下の表に記載の化合物である。

さらに好ましくは、２以上の三重項発光体とマトリックスとの混合物の使用である。このケースにおいて、短波長発光スペクトルを有する三重項発光体は、長波長発光スペクトルを有する三重項発光体の共マトリックスとして機能する。例えば、本発明の式（１）の錯体を長波長発光三重項発光体（例えば緑色または赤色発光する三重項発光体）の共マトリックスとして使用することもできる。

本発明による化合物は、電子素子中で他の機能で使用されうる。例えば、正孔注入もしくは輸送層における正孔輸送材料として、電荷発生材料として、または電子ブロック材料としてである。同様に、本発明による錯体を発光層中の他の燐光金属錯体のためのマトリックス材料として使用することもできる。

好ましいカソードは、低い仕事関数を有する金属、金属合金もしくは様々な金属からなる、多層構造体であり、例えばアルカリ土類金属、アルカリ金属、主族の金属もしくはランタノイド（例えば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）である。また、適しているのは、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属および銀を含む合金（例えば、マグネシウムと銀を含む合金）である。多層構造体の場合には、比較的高い仕事関数を有するさらなる金属（例えば、Ａｇ）もまた、前記金属に加えて用いられてもよく、この場合、例えば、Ｍｇ／Ａｇ、Ｃａ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇのような金属の組合せが、一般に用いられる。また、高い誘電率を有する材料の薄い中間層を、金属カソードと有機半導体の間に導入することも、好ましいことがある。この目的のために有用な材料の例は、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のフッ化物であるが、また、対応する酸化物もしくは炭酸塩（例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＦ_２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ_２ＣＯ_３等）も有用である。この層の層厚は、好ましくは、０．５～５ｎｍである。

好ましいアノードは、仕事関数の高い材料である。好ましくは、アノードは真空に対し４．５ｅＶよりも大きい仕事関数を有する。まず、高い酸化還元電位を有する金属はこの目的に合う。例えば、Ａｇ、ＰｔまたはＡｕである。次に、金属／金属酸化物電極（例えば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯｘ、Ａｌ／ＰｔＯｘ）もまた好ましい。いくつかの用途において、少なくとも１つの電極は、透明または部分的に透明であるべきである。有機材料（Ｏ－ＳＣ）の放射または発光（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ－ｌａｓｅｒ）を可能にするためである。ここで、好ましいアノード材料は、導電性の高い混合金属酸化物である。特に好ましくは、イリジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウムスズ酸化物（ＩＺＯ）である。さらに、好ましいものとして、伝導性のドープされた有機材料、特に導電性ドープされたポリマー、例えばＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩまたはこれらのポリマーの誘導体、が挙げられる。さらに好ましくは、ｐ－ドープされた正孔輸送材料が正孔注入層としてアノードに適用されるとき、適切なｐ－ドーパントは、金属酸化物、例えばＭｏＯ_３もしくはＷＯ_３または（過）フッ素化電子－欠損芳香族系である。さらに適切なｐ－ドーパントは、ＨＡＴ－ＣＮ（ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン）またはＮｏｖａｌｅｄ製の化合物ＮＰＤ９である。このような層によって、低ＨＯＭＯ、すなわち大きなＨＯＭＯ値を有する材料における正孔注入が簡単になる。

従来技術で層に使用される任意の材料は、一般に、さらなる層に使用されうる。当業者であれば、発明的工夫なしで、電子素子において、それぞれの材料を本発明による材料と結び付けることができるであろう。

素子は、相応に、（用途に応じて）構造化され、接続され、最終的に密封される。そのような素子の寿命は、水および／または空気の存在で、劇的に短くなるからである。

さらに好ましくは、１以上の層が昇華法より適用され、材料は、通常、１０^－５ｍｂａｒ未満、好ましくは１０^－６ｍｂａｒ未満の初期圧力で、真空昇華ユニット中で気相堆積により適用されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。初期圧力は、より低くても、またはさらに高くても、例えば、１０^－７ｍｂａｒ未満でもよい。

同様に、１つ以上の層がＯＶＰＤ（有機気相堆積）法を用いることによって、またはキャリアガス昇華を利用して塗布されることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子が好ましい。この場合、材料は、１０^－５ｍｂａｒ～１ｂａｒの圧力で適用される。この方法の特別な方法は、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）法であり、その材料は、ノズルを介して直接適用され、構造化される（例えばＭ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。

１つ以上の層が、例えばスピンコーティングによって、または任意の印刷法、例えばスクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷もしくはノズル印刷などによって、特に好ましくはＬＩＴＩ（光誘導熱画像化、熱転写印刷）またはインクジェット印刷によって、溶液から生成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子がさらに好ましい。この目的では、可溶性化合物が必要であり、この化合物は、例えば適切な置換を介して得られる。

有機エレクトロルミネッセンス素子は、１つ以上の層を溶液から適用し、１つ以上の他の層を蒸着によって適用することによって、ハイブリッドの系として製造してもよい。例えば、式（１）の化合物およびマトリックス材料を含んでなる発光層を溶液から適用し、加えて正孔ブロック層および／または電子輸送層を減圧下で蒸着によって適用することができる。

これらの方法は、一般に当業者に知られており、困難なく、式（１）の化合物または上述の好ましい形態を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に、適用されうる。

本発明による電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子、は、良好なカラーコーディネート、良好な効率、および良好な寿命の点で優れている。
以下の実施例により本発明を詳細に説明するが、それらによって本発明を限定すること意図しない。当業者は、記述に基づいて、発明的工夫をなさずして、さらなる電子素子を製造することができるであろう。そして、請求された範囲の全体にわたり本発明を実施することができるであろう。

実施例：
以下の合成は、特に断らなければ、乾燥溶剤中で、保護ガス雰囲気下に行われる。金属錯体は、さらに、光を排除して、または黄色光の下で取り扱われる。溶剤および試薬は、例えばｓｉｇｍａ－ＡＬＤＲＩＣＨまたはＡＢＣＲから購入できる。角括弧内の各数字または個別化合物に示された数字は、文献から知られる化合物のＣＡＳ番号に関する。多数のエナンチオマーの、ジアステレオマーの、または互変異性の型を有しうる化合物のケースにおいて、１つの型が代表的なものとして示される。

Ａ：シントンＳの合成
例Ｓ１：

２９．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）の１１－ブロモベンズ［ｃ］イミダゾ［１，２－ａ］［１，５］ナフチリジン［２２５３２７７－６２－９］、２６．７ｇ（１０５ｍｍｏｌ）のビス（ピナコラト）ジボラン、２９．４ｇ（３００ｍｍｏｌ）の酢酸カリウム（無水）、５０ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）および５００ｍｌのＴＨＦの混合物に、よく攪拌しながら、８２１ｍｇ（２ｍｍｏｌ）のＳＰｈｏｓ、そして２２５ｍｇ（１ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）が加えられ、混合物は還流下で１６時間加熱される。混合物がさらに温められている間、塩およびガラスビーズは、ＴＨＦスラリー形態のセライト床を通して吸引ろ過され、これはＴＨＦを用いて洗浄され、そしてろ液は濃縮乾燥される。残留物は１００ｍｌのＭｅＯＨに採取され、温かい溶媒中で攪拌され、結晶化生成物は吸引ろ過され、それぞれ３０ｍｌのメタノールで１回洗浄され、減圧下で乾燥される。収量：３０．０ｇ（８１ｍｍｏｌ）、８１％；純度：約９５％^１Ｈ－ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる：

例Ｓ５０：

３４．５ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ１、２８．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）の１－ブロモ－２－ヨードベンゼン［５８３－５５－１］、３１．８ｇ（３００ｍｍｏｌ）の炭酸ナトリウム、３００ｍｌのトルエン、１００ｍｌのエタノールおよび３００ｍｌの水の混合物に、よく攪拌しながら、７８８ｍｇ（３ｍｍｏｌ）のトリフェニルホスフィン、そして２２５ｍｇ（１ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）が加えられ、混合物は還流下で４８時間加熱される。冷却後、有機相は、除去され、３００ｍｌの水で１回および３００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄され、硫酸マグネシウムで乾燥される。乾燥剤はろ過され、ろ液は減圧下で十分に濃縮される。残留物はフラッシュクロマトグラフィに付される（Ａ．Ｓｅｍｒａｕによるトレント自動カラムシステム）か、またはアセトニトリル／酢酸エチルで再結晶化される。収量：３１．８ｇ（８５ｍｍｏｌ）、８５％；純度：約９５％^１Ｈ－ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる：

Ｂ配位子Ｌの合成Ｌ：
１）四座配位子ＴＬの合成：
例ＴＬ１：

Ａ）

－７８℃に冷却された、２００ｍｌのＴＨＦ中の１５．２ｇ（５０ｍｍｏｌ）の６－クロロベンゾイミダゾ［２，１－ｆ］ベンゾ［ｈ］［１，６］ナフチリジン［１２２８２７６－３２－０］の懸濁液に、５９．０ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）のｔｅｒｔ－ブチルリチウム（ｎ－ペンタン中に１．７Ｍ）が滴下され、混合物はさらに２時間攪拌される。そして、予め－７８℃に冷却された、１０．８ｇ（６０ｍｍｏｌ）の３－（２－ピリジル）ベンゾニトリル［４３５０－５１－０］溶液が滴下され、混合物は－７８℃でさらに１時間攪拌され、そして徐々に室温にもどされる。反応混合物は２０ｍｌのメタノールを加えることによって急冷され、そして、１００ｍｌの５Ｎ塩酸が加えられ、混合物は還流下で２時間加熱される。混合物は５ＮのＮａＯＨ水溶液を加えることによってｐＨ～９に調整され、それぞれ２００ｍｌのジクロロメタンで３回抽出される。集められた有機相はそれぞれ３００ｍｌの水で３回および３００ｍｌの飽和塩化ナトリウムで１回洗浄され、硫酸マグネシウムで乾燥される。乾燥剤は吸引ろ過され、ジクロロメタンを用いて十分に洗浄され、ろ液は濃縮乾燥される。粗生成物は、ジクロロメタン／酢酸エチル（８：２ ｖｖ）を用いてシリカゲル上でクロマトグラフに付される。収量：７．７ｇ（１７ｍｍｏｌ）３４％；純度：約９５％^１Ｈ－ＮＭＲによる。

Ｂ）
－７８℃に冷却された、１００ｍｌのＴＨＦ中の７．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）の２－ブロモビフェニル［２０５２－０７－５］溶液に、１２．０ｍｌ（３０ｍｍｏｌ）のｎ－ブチルリチウム（ヘキサン中に２．５Ｎ）が滴下され、混合物はさらに３０分間攪拌される。そして、２００ｍｌのＴＨＦ中の１３．５ｇ（３０ｍｍｏｌ）のＴＬ１ステージＡ）溶液が滴下され、混合物はゆっくりと室温に戻され、さらに６時間攪拌される。反応混合物は１０ｍｌのエタノールを加えることによって急冷され、溶媒は減圧下で完全に留去され、残留物は２００ｍｌの氷酢酸に採取され、１ｍｌの濃硫酸が攪拌しながら加えられ、混合物は６０℃でさらに３時間攪拌される。そして、氷酢酸は減圧下で多くが除去され、残留物は３００ｍｌのジクロロメタンに採取され、混合物は、氷で冷却しながら、５重量％ＮａＯＨ水溶液を加えることによってアルカリ化される。有機相は分離され、それぞれ２００ｍｌの水で３回洗浄され、硫酸マグネシウムで乾燥され、有機相は完全に濃縮され、残留物は３００ｍｌのメタノールに採取され、加熱しながら均一化され、そして生成物が結晶化する間、さらに１２時間攪拌される。粗生成物は吸引ろ過され、それぞれ３０ｍｌのメタノールで１回洗浄され、減圧下で乾燥され、トルエン：イソプロパノール（５：１）から２回再結晶化される。収量：６．５ｇ（１１ｍｍｏｌ）３７％；純度：約９５％^１Ｈ－ＮＭＲによる。

２）六座配位子ＨＬの合成：
例ＨＬ１：

６６．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）の２，２’－［５’’－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）［１，１’：２’，１’’：３’’，１’’’：２’’’，１’’’’－キンクフェニル］－４，４’’’’－ジイル］ビスピリジン［１９８９５９７－７２－９］、３７．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ５０、６３．７ｇ（３００ｍｍｏｌ）のトリリン酸カリウム、３００ｍｌのトルエン、１５０ｍｌのジオキサンおよび３００ｍｌのの混合物に、よく攪拌しながら、１．６４ｇ（４ｍｍｏｌ）のＳＰｈｏｓ、そして４４９ｍｇ（２ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）が加えられ、そして混合物は還流下で２４時間加熱される。冷却後、有機相は除去され、それぞれ３００ｍｌも水２で２回および３００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄され、硫酸マグネシウムで乾燥される。乾燥剤はろ過され、ろ液は減圧下で濃縮乾燥され、ガラス状の粗生成物がアセトニトリル（～１５０ｍｌ）そして二回目はアセトニトリル／酢酸エチルから煮沸で再結晶化される。収量：５８．１ｇ（７０ｍｍｏｌ）、７０％；純度：約９５％^１Ｈ－ＮＭＲによる。

Ｃ金属錯体の合成：
１）ＩｒＬ_３タイプのホモレプティックイリジウム錯体の合成：
ホモレプティックトリス－フェイシャルイリジウム錯体：
バリアントＡ：イリジウム反応物質としてのトリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
１０ｍｍｏｌのトリス（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナト）イリジウム（ＩＩＩ）［９９５８１－８６－９］および６０ｍｍｏｌの配位子Ｌの混合物が５０ｍｌのガラスアンプルに減圧下（１０^－５ｍｂａｒ）で溶解させることによって密閉される。アンプルは、特定の時間特定の温度で加熱され、その間溶解した混合物はマグネティックスターラーを用いて撹拌される。適切な場合、高沸点アルカン（例えば、オクタデカン）が加えられる。冷却後（注意：アンプルは通常減圧下である！）、アンプルが開封され、焼結ケーキは１００ｍｌの特定された懸濁媒体中で１００ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）を用いて撹拌され、機械的に分解される。微細な懸濁液は、ガラスビーズが除かれ、別の容器に移され、固体は吸引ろ過され、減圧下で乾燥される。固体はジクロロメタンに溶解され、Ｉｓｏｌｕｔｅ ＳＩ（バイオタージ）に吸着され、そしてジクロロメタンを用いてシリカゲル上でカラムクロマトグラフィに付される。さらなる精製は連続熱抽出によって行われる。固体は５ｃｍのアルミナ床（アルミナ、基本活性度１）上に置かれ、そして、特定の抽出剤で抽出される（初期投入量約５００ｍｌ）。このように得られる懸濁液からの固体は吸引ろ過され、約５０ｍｌのメタノールで洗浄され、乾燥される。乾燥後、金属錯体の純度はＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣによって決定される。純度が９９．５％未満の場合、熱抽出ステップが繰り返される。純度９９．５％～９９．９％が一旦達成されると、金属錯体は熱処理または昇華される。熱処理は、温度範囲２００～３５０℃で、高真空（ｐ約１０^－６ｍｂａｒ）で行われる。昇華は、約３２０～約４５０℃の温度範囲で、高真空（ｐ約１０^－６ｍｂａｒ）で行われ、好ましくは分別昇華の形態で行われる。

２）Ｌ’_２ＩｒＬタイプのヘテロレプティックイリジウム錯体の合成：
２００ｍｌの１，２－ジクロロメタン中の５ｍｍｏｌの［Ｌ_２ＩｒＣｌ］_２タイプの特定のイリジウム反応物質、１０ｍｍｏｌの配位子Ｌおよび５０ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）のよく撹拌された懸濁液に、６０ｍｍｏｌのトリエチルアミン、そして１０ｍｍｏｌのトリフルオロメタンスルホネート銀が加えられ、混合物は９０℃で２４時間撹拌される。混合物がまだ温かい間に、析出した塩化銀は、スラリー形態のシリカゲル床を用いてろ過され、これはわずかな１，２－ジクロロエタンで洗浄され、そしてろ液は濃縮乾燥される。続いて、粗生成物はシリカゲル上でクロマトグラフに付される（溶離剤：ジクロロメタン、トルエン、酢酸エチル、アセトン、ＴＨＦ、シクロヘキサン、ｎ－ヘプタン等；および／またはこれらの混合物）。さらなる精製が、連続熱抽出および高真空下での熱処理または分別昇華によって、１）に記載のように行われる。

３）Ｐｔ（ＴＬ）タイプの四座配位子を有するＰｔ錯体の合成：
１０ｍｍｏｌの配位子Ｌ、１０ｍｍｏｌのＫ_２ＰｔＣｌ_４、４００ｍｍｏｌの酢酸リチウム（無水）および２００ｍｌの氷酢酸の混合物が、撹拌されたオートクレーブ中で６０時間１５０℃に加熱される。冷却および２００ｍｌの水の添加後、析出固体がろ過され、これらは熱エタノール／水（１：１ ｖｖ）中で撹拌によって２回抽出され、吸引ろ過され、そしてそれぞれ５０ｍｌのエタノールで３回洗浄される。続いて、粗生成物はシリカゲル上でクロマトグラフに付される（溶離剤：ジクロロメタン、トルエン、酢酸エチル、アセトン、ＴＨＦ、シクロヘキサン、ｎ－ヘプタン等；および／またはこれらの混合物）。さらなる精製が、連続熱抽出および高真空下での熱処理または分別昇華によって、１）に記載のように行われる。

４）Ｉｒ（ＨＬ）タイプの六座配位子を有するイリジウム錯体の合成：
１０ｍｍｏｌの配位子ＨＬ、４．９０ｇ（１０ｍｍｏｌ）のトリスアセチルアセトナトイリジウム（ＩＩＩ）［１５６３５－８７－７］および１２０ｇのヒドロキノン［１２３－３１－９］の混合物が、初めに、ガラス被覆されたマグネチックバーを備えた１０００ｍｌの２口丸底フラスコに導入される。フラスコは水分離器（水よりも低密度媒体用）およびアルゴンブランケットの空気冷却器を備える。フラスコは金属熱浴上に置かれる。装置は、アルゴンブランケットシステムを上から１５分間アルゴンでパージされ、アルゴンを２口フラスコの横側から流れさせる。２口フラスコの横側を通して、ガラス被覆されたＰｔ－１００熱電対がフラスコに導入され、端がマグネチックスターラーバーのちょうど上に位置する。そして、装置は、家庭用のアルミホイルのいくつか緩く巻いたものによって断熱され、断熱は水分離器の上昇管の中心に達する。そして、装置はラボの撹拌加熱システムにより急速に２５０～２５５℃（溶融された撹拌反応混合物につけられたＰｔ－１００温度センサーで計測される）に加熱される。さらに２時間にわたり、反応混合物は２５０～２５５℃に保たれ、その間に、少量の凝縮物が蒸留して取り除かれ、水分離器に集められる。２時間後、混合物は１９０℃に冷却され、熱浴が除去され、そして１００ｍｌのエチレングリコールが滴下される。１００℃に冷却後、４００ｍｌのメタノールがゆっくりと滴下される。このように得られた黄色の懸濁液は、両頭フリットを通してろ過され、黄色固体は５０ｍｌのメタノールで３回洗浄され、減圧下で乾燥される。粗収量：定量的。このように得られた固体は２００－５００ｍｌのジクロロメタンに溶解され、暗中空気を排除して、約１ｋｇのジクロロメタン－事前にスラリー化されたシリカゲル（カラム直径約１８ｃｍ）を通してろ過され、当初の暗色成分を残す。コア留分が除去され、結晶化までＭｅＯＨを同時に継続的に滴下しながら、ロータリーエバポレーターで濃縮される。吸引により除去され、わずかなＭｅＯＨで洗浄され、減圧下で乾燥された後、オレンジ色の生成物は、慎重に空気と光を排除しながら、連続的にジクロロメタン／イソプロパノール１：１（ｖｖ）で４回熱抽出およびジクロロメタン／アセトニトリルで４回熱抽出されることによりさらに精製される（それぞれのケースにおいて最初に投入される量は約２００ｍｌ、抽出円筒ろ紙：Ｗｈａｔｍａｎ社のセルロース製の標準ソックスレー円筒ろ紙）。母液への損失は、ジクロロメタン（低沸点およ溶解性良好）：イソプロパノールまたはアセトニトリル（高沸点および溶解性低）の比で調整することができる。典型的には使用される量の３～６重量％である。熱抽出は、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル等の他の溶媒を用いて行うこともできる。最終的に、生成物は、ｐ～１０^－６ｍｂａｒの高真空およびＴ～３５０～４３０℃で、分別昇華または熱処理される。典型的な純度＞９９．７％。

例：ＯＬＥＤの製造
１）真空処理された素子：
本発明によるＯＬＥＤおよび従来技術によるＯＬＥＤを、ここに記載する状況（層厚範囲、使用材料）に適応する、ＷＯ２００４／０５８９１１に記載の一般的方法によって製造する。以下の例では、種々のＯＬＥＤについての結果を示す。５０ｎｍ厚の構造化ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）で被覆された洗浄されたガラス板（Ｍｉｅｌｅ ｌａｂｏｒａｔｏｒｙのガラス洗浄機での洗浄、ＭｅｒｃｋのＥｘｔｒａｎ洗剤）が、２５分間のＵＶオゾンで前処理され（ＵＶＰ製のＰＲ－１００ＵＶオゾン発生機）、３０分以内に、プロセスの改善のために、２０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）、これはＨｅｒａｅｕｓ Ｐｒｅｃｉｏｕｓ Ｍｅｔａｌｓ ＧｍｂＨ（ドイツ）からＣＬＥＶＩＯＳ（商標名）Ｐ ＶＰ ＡＩ ４０８３として購入され、水溶液からスピンコートされる）で被覆され、そして１８０℃で１０分間ベークされる。これらの被覆されたガラス板はＯＬＥＤが適用される基板を形成する。

ＯＬＥＤは、基本的に以下の層構造を有する：基板／５％ＮＤＰ－９（Ｎｏｖａｌｅｄ社から市販されている）でドープされたＨＴＭ１からなる正孔注入層１（ＨＩＬ１）、２０ｎｍ／ＨＴＭ１からなる正孔輸送層１（ＨＴＬ１）、緑／黄色素子では２２０ｎｍ、赤色素子では１１０ｎｍ／正孔輸送層２（ＨＴＬ２）／発光層（ＥＭＬ）／正孔ブロック層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／任意の電子注入層（ＥＩＬ）／および最後にカソード。カソードは、１００ｎｍの厚さのアルミニウム層によって形成される。

最初に、真空処理されたＯＬＥＤについて記載する。この目的では、すべての材料は、真空チャンバにおける熱蒸着によって適用される。ここで、発光層は、常に、少なくとも１つのマトリックス材料（ホスト材料）と、共蒸着によって特定の体積比でマトリックス材料に混合される発光ドーパント（発光体）とからなる。ここで、Ｍ１：Ｍ２：Ｉｒ（Ｌ１）（５５％：３５％：１０％）のような形で示される詳細は、材料Ｍ３が５５％の体積比でその層に存在し、Ｍ２が３５％の体積比でその層に存在し、Ｉｒ（Ｌ１）_３が１０％の割合でその層に存在することを意味する。同様に、電子輸送層も２つの材料の混合物からなっていてもよい。ＯＬＥＤの正確な構造は表２に示される。ＯＬＥＤの製造に使用される材料は表４に示される。

ＯＬＥＤは、標準的な方法によって特徴づけられる。この目的で、エレクトロルミネッセンススペクトル、電流効率（ｃｄ／Ａで測定）、電源効率（ｌｍ／Ｗで測定）および光束密度の関数としての外部量子効率（ＥＱＥ、パーセントで測定）は、電流／電圧／電流密度特性線（ＩＵＬ特性線）からランベルト発光特徴を想定して、計算され、寿命が決定される。エレクトロルミネッセンススペクトルは、光束密度１０００ｃｄ／ｍ^２で決定され、ＣＩＥ １９３１ｘおよびｙカラーコーディネートはこれから計算される。寿命ＬＴ５０は、光束密度が初期光束密度１０００ｃｄ／ｍ^２から初期光束密度の５０％まで低下するまでの時間として定義される。

ＯＬＥＤは、最初は、異なる初期輝度で作動させることもできる。寿命の値は、当業者に知られる変換式を利用して他の初期輝度の数値に変換することができる。

燐光ＯＬＥＤにおける発光材料としての本発明の化合物の使用
本発明の化合物の１つの使用は、ＯＬＥＤ中の発光層における燐光発光材料としてである。ＯＬＥＤの結果を表２にまとめる。

溶液処理された素子：
Ａ：低分子量の可溶性の機能性材料から
本発明のイリジウム錯体は溶液から処理することもでき、この場合、良好な特性を有しながら、真空処理したＯＬＥＤと比較して処理技術の点で非常に単純なＯＬＥＤをもたらす。このような成分の製造は、既に文献（例えばＷＯ２００４／０３７８８７）に幾度も記載されているポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の製造に基づくものである。その構造は、基板／ＩＴＯ／正孔注入層（６０ｎｍ）／中間層（２０ｎｍ）／発光層（６０ｎｍ）／正孔ブロック層（１０ｎｍ）／電子輸送層（４０ｎｍ）／カソードで構成される。この目的のために、Ｔｅｃｈｎｏｐｒｉｎｔ社製の基板（ソーダ石灰ガラス）を使用し、それにはＩＴＯ構造（酸化インジウムスズ、透明導電性アノード）が適用される。基板は、クリーンルーム内でＤＩ水と洗剤（デコネックス１５ＰＦ）を用いて洗浄され、次いでＵＶ／オゾンプラズマ処理により活性化させる。その後、同じくクリーンルーム内で、２０ｎｍの正孔注入層を、スピンコートにより適用する。必要なスピン速度は、希釈度と特定のスピンコーターの形状に依存する。層から残留水を除去するために、基板をホットプレート上で２００℃で３０分間焼成する。使用される中間層は、正孔輸送のために機能する。この場合、ＭｅｒｃｋのＨＬ－Ｘが使用される。中間層は、引き続いての、溶液からのＥＭＬ堆積の処理工程によって再び脱離しないという条件を満たすだけでよい、１つ以上の層で置き替えることができる。発光層の製造のため、本発明の三重項発光体をマトリックス材料とともにトルエンまたはクロロベンゼンに溶解させる。ここで、素子に対する典型的層厚である６０ｎｍがスピンコーティングによって達成される場合、その溶液の典型的な固体含有量は１６～２５ｇ／ｌである。溶液処理されたタイプ１の素子は、Ｍ４：Ｍ５：ＩｒＬ（４０％：５８％：２２％）で構成される発光層を含み、タイプ２はＭ４：Ｍ５：ＩｒＬａ：ＩｒＬｂ（３０％：３４％：２９％：７％）で構成される発光層を含む。つまり、それらは２つの異なるＩｒ錯体を含む。溶液から処理された材料のケースにおけるパーセントの数値は重量％を意味する。発光層は、不活性ガス雰囲気中、本発明の場合にはアルゴン中で、スピンコートによって適用され、１６０℃で１０分間加熱される。後者の上に正孔ブロック層（１０ｎｍＥＴＭ１）および電子輸送層（４０ｎｍＥＴＭ１（５０％）／ＥＴＭ２（５０％））が蒸着される（Ｌｅｓｋｅｒ製の蒸着装置等、典型的な蒸着圧力は５×１０^－６ｍｂａｒ）。最後に、アルミニウム（１００ｎｍ）のカソードが蒸着によって適用される（高純度金属はＡｌｄｒｉｃｈ製）。空気および大気の湿気から素子を保護するために、素子を最後に被包し、次にその特徴を決定する。ＯＬＥＤの例はまだ最適化されていない。表３に得られた結果をまとめる。寿命ＬＴ５０は、光束密度が初期光束密度１０００ｃｄ／ｍ^２から初期光束密度の５０％まで低下するまでの時間として定義される。

先行技術との比較
本発明の錯体と類似の配位子を有する以下に示された錯体（ここで、配位子は、本発明による２つの六員環を介するのではなく、五員環および六員環を介して配位する）は、ＵＳ２０１２／０１５３８１６で開示される。

２つの錯体において、ＣＩＥｘ／ｙ０．１９／０．２８のＣＩＥカラーコーディネートが報告される。イリジウムに１つの五員環および１つの六員環を介して配位する錯体は青色発光を示し、一方、本発明の錯体は緑、黄、または赤色発光を示す。

Claims (15)

1. 式（２）の部分構造Ｍ（Ｌ）_ｎを含む式（１）の化合物。
   Ｍ（Ｌ）_ｎ（Ｌ’）_ｍ 式（１）
   

   

   （ここで、使用される記号および添え字は以下のとおりである：
   Ｍは、イリジウムまたは白金であり；
   Ｄは、ＣまたはＮであり、ここで、１つのＤがＣであり、かつ他のＤがＮであり；
   Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり；
   Ｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＯＲ^１、ＳＲ^１、ＣＯＯＲ^１、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ^１）_２、Ｓｉ（Ｒ^１）_３、Ｂ（ＯＲ^１）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１）_２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^１、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^１、ＯＳＯ_２Ｒ^１、１～２０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または２～２０の炭素原子を有する、アルケニルもしくはアルキニル基または３～２０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、アルキル、アルケニルまたはアルキニル基は、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｓｉ（Ｒ^１）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^１、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^１によって置き換えられていてもよい）、または５～６０の芳香族環原子、好ましくは５～４０の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり；同時に、２つのＲラジカルが共に脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
   Ｒ^１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^２）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、ＯＲ^２、ＳＲ^２、Ｓｉ（Ｒ^２）_３、Ｂ（ＯＲ^２）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２）_２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^２、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^２、ＯＳＯ_２Ｒ^２、１～２０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または２～２０の炭素原子を有する、アルケニルもしくはアルキニル基または３～２０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、アルキル、アルケニルまたはアルキニル基がそれぞれ１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基がＳｉ（Ｒ^２）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^２によって置き換えられていてもよく、かつ、ここで、アルキル、アルケニルまたはアルキニル基中の１以上の水素原子がＤ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮによって置き換えられていてもよい）、または５～４０の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり；同時に、２以上のＲ^１ラジカルが共に脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
   Ｒ^２は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮまたは１～２０の炭素原子を有する、脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族有機ラジカル、特にヒドロカルビルラジカル（ここで、１以上の水素原子がＦによって置き換えられていてもよい）であり；
   Ｌ’は、出現毎に同一であるかまたは異なり、配位子であり；
   ｎは、１、２または３であり；
   ｍは、０、１、２、３または４であり；
   同時に、２以上の配位子Ｌが共に結合されるか、またはＬがＬ’に単結合または２価もしくは３価のブリッジによって結合され、三座、四座、五座または六座配位子系を形成することも可能である）
2. 式（２）の単位が式（３）の構造から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
   

   

   （ここで、使用される記号および添え字は請求項１の記載と同一の意味を有する）
3. 式（２）の単位が式（３ａ）～（３ｆ）および（４ａ）～（４ｆ）の構造から選択されることを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物。
   

   

   （ここで、使用される記号および添え字は請求項１の記載の意味を有する）
4. 式（２）の単位が式（３ａ－１）～（４ｆ－１）の構造から選択されることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の化合物。
   

   

   （ここで、使用される記号および添え字は請求項１に記載の意味を有し、かつＲ’はＲと同一の意味を有し、ここで、少なくとも１つの置換基Ｒ’はＨまたはＤではない）
5. 式（２）の単位が式（３ａ－２）～（４ａ－６）の構造から選択されることを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載の化合物。
   

   

   

   （ここで、使用される記号および添え字は請求項１の記載の意味を有する）
6. Ｒが、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^１）_３、Ｂ（ＯＲ^１）_２、１～１０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または２～１０の炭素原子を有するアルケニル基または３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（これらのそれぞれは、１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよく、ここで、１以上の水素原子がＤまたはＦによって置き換えられていてもよい）、または５～２４の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系からなる群選択され；同時に、２つの、好ましく隣接する、Ｒラジカルが共に脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよいこと特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載の化合物。
7. 式（１２）～（１５）の構造から選択される、請求項１～６のいずれか一項に記載の化合物。
   

   

   （ここで、使用される記号および添え字は請求項１の記載の意味を有する）
8. 式（１２）および（１３）の化合物中のＶが式（２６）の基（ここで、点線の結合が副配位子ＬおよびＬ’の結合位置を示す）であることを特徴とする、請求項７に記載の化合物。
   

   

   （ここで：
   Ｘ^１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり；
   Ｘ^２は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり；
   Ａは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ_２－ＣＲ_２、ＣＲ_２－Ｏ、ＣＲ_２－ＮＲ、Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ、Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲまたは以下の式（２７）の基である：
   

   

   （ここで、それぞれのケースにおける点線の結合は、二座副配位子ＬまたはＬ’のこの構造への結合位置を示し、＊は式（２７）の単位の中央の三価のアリールまたはヘテロアリール基への結合位置を示す）
9. 式（１２）および（１３）の化合物中のＶが式（３６）～（３９）のうちの１つの構造を示すことを特徴とする、請求項７または８に記載の化合物。
   

   

   （ここで、使用される記号は請求項１に記載の意味を有する）
10. Ｌ’が、出現毎に同一であるかまたは異なり、二座モノアニオン性配位子であることを特徴とする、請求項１～９のいずれか一項に記載の化合物。
11. 遊離配位子Ｌおよび所望によりＬ’を、式（７９）の金属アルコキシドと、式（８０）の金属ケトケトネートと、式（８１）の金属ハロゲン化物と、式（８２）の二量体金属錯体と、または式（８３）の金属錯体と、反応させることによって、請求項１～１０のいずれか一項に記載の化合物を調製する方法。
    

    

    （ここで、記号Ｍ、ｍ、ｎおよびＲは請求項１に記載の意味を有し、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩであり、Ｌ’’はアルコールまたはニトリルであり、かつ（Ａｎｉｏｎ）は非配位性アニオンである）
12. 請求項１～１０のいずれか一項に記載の少なくとも１つの化合物および少なくとも１つのさらなる化合物および／または少なくとも１つの溶媒を含んでなる配合物。
13. 請求項１～１０のいずれか一項に記載の化合物の電子素子における使用。
14. 請求項１～１０のいずれか一項に記載の化合物を少なくとも１つ含んでなる電子素子。
15. 請求項１～１０のいずれか一項に記載の化合物が、１以上のマトリックス材料と組み合わせて、１以上の発光層で使用されることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子である、請求項１４に記載の電子素子。