KR20180044423A - 유기 전계발광 소자용 재료 - Google Patents

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토비아스 그로쓰만
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Abstract

본 발명은 전자 소자에서 사용하기에 적합한 화합물, 및 식 (1) 의 화합물을 함유하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에 관한 것이다.

Description

유기 전계발광 소자용 재료
본 발명은 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서 사용하기 위한 재료, 및 이들 재료를 포함하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에 관한 것이다.
유기 전계발광 소자 (OLED) 에서 사용된 발광 재료는 빈번하게, 형광보다는 인광을 나타내는 유기금속 복합체이다. 그러나 일반적으로, 예를 들어 효율, 작동 전압 및 수명에 관련하여 OLED, 특히 또한 삼중항 방사 (인광) 을 나타내는 OLED 에서의 개선이 아직 필요하다. 인광 OLED 의 특성은 사용된 삼중항 방사체에 의해 단지 결정되지는 않는다. 더 상세하게는, 사용된 다른 재료, 특히 또한 매트릭스 재료가 또한 여기서 특히 유의한 것이다. 이들 재료에 대한 개선은 따라서 또한 OLED 특성에 있어서 구별되는 개선을 초래할 수 있다.
선행 기술에 따라, 유기 전계발광 소자에서 인광 방사체에 사용된 매트릭스 재료는 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2010/136109, WO 2012/014500 또는 WO 2013/041176 에 따름), 예를 들어 디아릴아미노기 또는 트리아릴아미노기에 의해 치환된 인데노카르바졸 유도체를 포함한다. 이들 문헌에서 개시된 재료에서, 특히 수명에 관하여 추가 개선이 바람직하다.
본 발명에 의해 다루어지는 문제는, 인광 방사체용 매트릭스 재료로서 사용하기에 특히 적합한 개선된 인데노카르바졸 재료를 제공하는 것이다.
놀랍게도, 하기 상세히 기재된 특정 화합물이 이러한 문제를 해결하며 OLED 에서 사용하기 위한 양호한 적합성을 갖고, 유기 전계발광 소자에서의 개선, 특히 수명에 관한 개선을 초래한다는 것이 발견되었다. 이들 재료는 트리아릴아민 치환기를 갖는 인데노카르바졸 화합물이고, 여기서 아민은 1-, 3- 또는 4-플루오레닐기, 1-, 3- 또는 4-디벤조푸란기 또는 1-, 3- 또는 4-디벤조티오펜기에 의해 치환된다. 본 발명은 따라서 이들 화합물, 및 이러한 화합물을 포함하는 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자를 제공한다.
본 발명은 따라서 하기 식 (1) 의 화합물을 제공한다:
Figure pct00001
[식 중, 사용된 기호 및 지수는 하기와 같음:
Ar1, Ar2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고;
Ar3 은 하기 식 (2) 의 기이고:
Figure pct00002
여기서, 점선 결합은 질소 원자에 대한 이러한 기의 연결을 나타내고, 플루오렌 또는 디벤조푸란 또는 디벤조티오펜기는 1, 3 또는 4 위치를 통해 페닐렌기에 연결되며 (p = 1 인 경우), 질소 원자에 연결되고 (p = 0 인 경우);
X 는 C(R1)2, O 또는 S 이고;
R, R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(R2)2, OR2, SR2, C(=O)R2, P(=O)R2, Si(R2)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기, 또는 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (여기서 알킬, 알케닐 또는 알키닐기는 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으며 하나 이상의 비인접한 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, C=O, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음), 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택되고; 동시에, 2 개의 인접한 R 치환기 또는 2 개의 인접한 R1 치환기는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노시클릭 또는 폴리시클릭, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 임의로 형성할 수 있고;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (여기서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, CN 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알킬기에 의해 대체될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택되고, 여기서 둘 이상의 인접한 R2 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 고리계를 형성할 수 있고;
m 은 0, 1, 2 또는 3 이고;
n 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 3 또는 4 이고;
p 는 0 또는 1 임].
명료함을 위해, 식 (2) 의 구조에서 발생하는 바와 같은 본 출원에서 사용된 플루오렌 또는 디벤조푸란 또는 디벤조티오펜에서의 탄소 원자의 번호화를 하기에 나타낸다:
Figure pct00003
본 발명의 문맥에서 아릴기는 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유하고; 본 발명의 문맥에서 헤테로아릴기는 2 내지 60 개의 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자 및 헤테로원자의 총계는 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 에서 선택된다. 헤테로아릴기는 바람직하게는 3 개 이하의 헤테로원자를 함유하며, 이중 1 개 이하는 O 및 S 에서 선택되고 추가의 헤테로원자는 N 이다. 아릴기 또는 헤테로아릴기는 단순 방향족 사이클, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 사이클, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜 등, 또는 융합 (고리화 (annelated)) 아릴 또는 헤테로아릴기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등을 의미하는 것으로 이해된다. 반대로, 단일 결합에 의해 서로 연결된 방향족계, 예를 들어 바이페닐 또는 바이피리딘은 아릴 또는 헤테로아릴기로서 나타내지는 것이 아니라 방향족 또는 헤테로방향족 고리계로서 나타내진다.
본 발명의 문맥에서 방향족 고리계는 고리계 내에 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 문맥에서 헤테로방향족 고리계는 고리계 내에 2 내지 60 개의 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자 및 헤테로원자의 총계는 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 에서 선택된다. 헤테로방향족 고리계는 바람직하게는 고리계에 존재하는 헤테로아릴기 당 3 개 이하의 헤테로원자를 함유하며, 이중 1 개 이하는 O 및 S 에서 선택되고 추가의 헤테로원자는 N 이다. 본 발명의 문맥에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴기만을 함유하지는 않지만, 예를 들어 탄소, 질소 또는 산소 원자와 같은 비방향족 단위에 의해 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기가 연결될 수도 있는 계를 의미하는 것으로 이해될 것이다. 예를 들어, 플루오렌, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 계는 또한 본 발명의 문맥에서 방향족 고리계로서 간주될 것이다.
본 발명의 문맥에서 전자-풍부 헤테로방향족 고리계는 전자-결핍 헤테로아릴기를 함유하지 않는 헤테로방향족 고리계이다. 본 발명의 문맥에서 전자-결핍 헤테로아릴 고리는 6-원 헤테로아릴 고리 및 둘 이상의 헤테로원자를 갖는 5-원 헤테로아릴 고리이다. 따라서 전자-풍부 헤테로방향족 고리계는 오직 아릴 고리 및 5-원 헤테로아릴 고리 (정확하게 1 개의 헤테로원자를 가짐), 특히 피롤, 푸란 및/또는 티오펜을 함유하며, 이때 아릴 고리 및 5-원 헤테로아릴 고리는 또한 서로 융합될 수 있다. 적합한 전자-풍부 헤테로방향족 고리계의 예는 카르바졸, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜이다.
본 발명의 문맥에서, 지방족 히드로카르빌 라디칼 또는 알킬기 또는 알케닐 또는 알키닐기 (1 내지 40 개의 탄소 원자를 함유할 수 있으며 여기서 개별 수소 원자 또는 CH2 기가 또한 상기 언급된 기에 의해 대체될 수 있음) 는 바람직하게는, 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. OR2 기는 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시 및 2,2,2-트리플루오로에톡시를 의미하는 것으로 이해된다. SR2 기는 특히 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 이해된다. 일반적으로, 본 발명에 따른 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기는 직쇄형, 분지형 또는 시클릭일 수 있고; 또한, 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2, 바람직하게는 F, Cl 또는 CN, 더 바람직하게는 F 또는 CN, 특히 바람직하게는 CN 에 의해 대체될 수도 있다.
5-60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 또한 각각의 경우 상기 언급된 R2 라디칼 또는 히드로카르빌 라디칼에 의해 치환될 수 있고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족계에 연결될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는 특히, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오르안텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 터페닐, 트리페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-인데노카르바졸, 시스- 또는 트랜스-인돌로카르바졸, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 헥사아자트리페닐렌, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸에서 유래한 기 또는 이들 계의 조합에서 유래한 기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 출원의 문맥에서 인접한 라디칼 또는 인접한 치환기는 서로 차례로 직접 결합하는 탄소 원자에 결합하는 치환기, 또는 동일한 탄소 원자에 결합하는 치환기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 인데노카르바졸 베이스 골격은 H 가 아닌 총 2 개 이하의 R 치환기, 더 바람직하게는 H 가 아닌 1 개 이하의 R 치환기, 가장 바람직하게는 H 가 아닌 0 개의 R 치환기를 갖는다. 본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, 인데노카르바졸기 및 -NAr2Ar3 기를 서로 연결시키는 페닐렌기는 비치환된다. 따라서, 하기 식 (3) 의 화합물이 매우 특히 바람직하다:
Figure pct00004
[식 중, 사용된 기호는 상기 주어진 정의를 가짐].
본 발명의 바람직한 구현예에서, 인데노카르바졸 베이스 골격에 결합하는 R1 라디칼은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기, 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접한 CH2 기는 O 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택되고; 동시에, 2 개의 R1 치환기는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노시클릭 또는 폴리시클릭, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있다. 더 바람직하게는, R1 라디칼은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 치환될 수 있으나, 바람직하게는 비치환되고, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 또는 방향족 고리계 (이는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 비방향족 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환됨) 로 이루어지는 군에서 선택되고; 동시에, 2 개의 R1 치환기는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환되는 모노시클릭 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있다. 가장 바람직하게는, R1 라디칼은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 메틸, 페닐 및 2 개의 페닐기 (이는 함께 고리계 및 그에 따라 스피로계를 형성함) 에서 선택된다. 따라서 하기 식 (3-1) ~ (3-4) 중 하나의 화합물이 바람직하다:
Figure pct00005
[식 중, 사용된 기호는 상기 주어진 정의를 가짐].
식 (1) 의 화합물에서, 인데노카르바졸기 및 -NAr2Ar2 기는, 임의로는 치환되나 바람직하게는 비치환되는 페닐렌기에 의해 서로 연결된다. 이러한 경우, 페닐렌기는 오르토, 메타 또는 파라 위치를 통해, 바람직하게는 메타 또는 파라 위치를 통해, 더 바람직하게는 파라 위치를 통해 연결될 수 있다. 식 (1) 의 화합물의 바람직한 구현예는 따라서 하기 식 (1a) 및 (1b) 의 화합물이고, 식 (1b) 의 화합물이 특히 바람직하다:
Figure pct00006
[식 중, 사용된 기호는 상기 주어진 정의를 가짐].
하기 식 (3a) 및 (3b) 의 화합물이 특히 바람직하고, 식 (3b) 의 화합물이 매우 특히 바람직하다:
Figure pct00007
[식 중, 사용된 기호는 상기 주어진 정의를 가짐].
Ar1 기의 보다 특정한 설명이 뒤이어진다. 본 발명의 바람직한 구현예에서, Ar1 은 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 고리계, 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 전자-풍부 헤테로방향족 고리계이다. 더 바람직하게는, Ar1 은 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환되는 방향족 고리계이다. 바람직한 Ar1 기는 페닐, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-터페닐 또는 분지형 터페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 플루오레닐, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 디벤조티에닐, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐, 또는 N-페닐카르바졸릴, 특히 N-페닐-1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴 (여기서 이들 기는 각각 하나 이상의 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환됨) 로 이루어지는 군에서 선택된다. 페닐, 바이페닐, 터페닐, 쿼터페닐 및 플루오레닐이 매우 특히 바람직하다.
적합한 Ar1 기의 예는 하기 나타낸 (Ar1-1) ~ (Ar1-15) 기이다:
Figure pct00008
Figure pct00009
[식 중, 점선 결합은 이러한 기의 연결을 나타내고, 구조는 또한 하나 이상의 R 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 사용된 추가 기호는 상기 주어진 정의를 가짐].
바람직하게는, 상기 언급된 기는 비치환된다.
Ar1 기의 특히 바람직한 구현예는 하기 식 (Ar1-1-a) ~ (Ar1-15-b) 의 기이다:
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
[식 중, 사용된 기호는 상기 주어진 정의를 가지며, 구조는 또한 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환됨].
Ar2 기의 보다 특정한 설명이 뒤이어진다. 본 발명의 바람직한 구현예에서, Ar2 는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 고리계, 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 전자-풍부 헤테로방향족 고리계이다. 더 바람직하게는, Ar2 는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환되는 방향족 고리계이다. 바람직한 Ar2 기는 페닐, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-터페닐 또는 분지형 터페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 플루오레닐, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸라닐, 디벤조티에닐, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티에닐, 또는 N-페닐카르바졸릴, 특히 N-페닐-1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸릴 (여기서 이들 기는 각각 하나 이상의 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환됨) 로 이루어지는 군에서 선택된다.
적합한 Ar2 기의 예는 하기 나타낸 (Ar2-1) ~ (Ar2-15) 기이다:
Figure pct00014
[식 중, 점선 결합은 이러한 기의 연결을 나타내고, 구조는 또한 하나 이상의 R 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 사용된 추가 기호는 상기 주어진 정의를 가짐].
Ar2 기의 특히 바람직한 구현예는 하기 식 (Ar2-1a) ~ (Ar2-15b) 의 기이다:
Figure pct00015
Figure pct00016
Figure pct00017
[식 중, 사용된 기호는 상기 주어진 정의를 가지며, 구조는 또한 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환됨].
Ar3 기, 즉 식 (2) 의 기의 보다 특정한 설명이 뒤이어진다. 본 발명의 바람직한 구현예에서, p = 0 이다. 본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, p = 1 이고 페닐렌기는 비치환된 메타- 또는 파라-결합 페닐렌기, 특히 파라-결합 페닐렌기이다. 따라서 식 (2) 의 기의 바람직한 구현예는 하기 식 (2a) ~ (2c) 의 기이다:
Figure pct00018
[식 중, 사용된 기호 및 지수는 상기 주어진 정의를 가지며, 플루오렌기 또는 디벤조푸란기 또는 디벤조티오펜기는 1, 3 또는 4 위치를 통해 본 발명에 따라 결합됨].
식 (2a) 의 기가 특히 바람직하다.
기 (2a) 의 구현예는 하기 식 (2a-1) ~ (2a-9) 의 기이다:
Figure pct00019
[식 중, 점선 결합은 질소 원자에 대한 이러한 기의 연결을 나타내고, 사용된 추가 기호는 상기 주어진 정의를 가짐].
유사하게, 식 (2b) 및 (2c) 의 기가 가능하며, 여기서 이들은 단지 또 다른 메타- 또는 파라-페닐렌기가 플루오렌기 또는 디벤조푸란기 또는 디벤조티오펜기 및 아민의 질소 원자 사이에 존재한다는 점에서 식 (2a-1) ~ (2a-9) 의 구조와 상이하다.
바람직하게는, 바람직한 구현예 또는 식 (2) 의 기에서, X 는 C(R1)2 또는 O, 더 바람직하게는 C(R1)2 이다.
X 가 C(R1)2 인 경우, Ar3 기는 바람직하게는 상기 언급된 식 (2a-1) 또는 (2a-3) 의 기, 더 바람직하게는 상기 언급된 식 (2a-3) 의 기이다. X 가 O 인 경우, Ar3 기는 바람직하게는 상기 언급된 식 (2a-4) 또는 (2a-6) 의 기이다. X 가 S 인 경우, Ar3 기는 바람직하게는 상기 언급된 식 (2a-7) 또는 (2a-9) 의 기이다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, X = C(R1)2 인 경우 바람직한 구현예 또는 식 (2) 의 플루오렌에 결합하는 R1 라디칼은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접한 CH2 기는 O 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며, 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼, 바람직하게는 비방향족 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택되고; 동시에, 2 개의 R1 치환기는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노시클릭 또는 폴리시클릭, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있다. 더 바람직하게는, R1 라디칼은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환되고, 여기서 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 또는 방향족 고리계 (이는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 비방향족 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환됨) 로 이루어지는 군에서 선택되고; 동시에, 2 개의 R1 치환기는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환되는 모노시클릭 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있다. 가장 바람직하게는, R1 라디칼은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 메틸, 페닐 및 2 개의 페닐기 (함께 고리계 및 그에 따라 스피로계를 형성함) 에서 선택된다. 특히 바람직하게는, R1 라디칼 둘 중 어느 하나는 메틸이거나, R1 라디칼 둘 모두는 페닐기이다 (함께 고리계 및 그에 따라 스피로바이플루오렌을 형성함).
본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, R 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, N(R2)2, OR2, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기, 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접한 CH2 기는 O 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택된다. 더 바람직하게는, R 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, N(R2)2, 1 내지 6 개의 탄소 원자, 특히 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 8 개의 탄소 원자, 특히 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환됨), 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으나 바람직하게는 비치환됨) 로 이루어지는 군에서 선택된다.
R 이 방향족 또는 헤테로방향족 고리계인 경우, 이러한 R 라디칼은 바람직하게는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, Ar1 및 Ar2 에 대해 적합한 기로서 상기 명시된 바와 동일한 기에서 선택된다.
동시에, 진공 증발에 의해 가공되는 화합물에서, 알킬기는 바람직하게는 5 개 이하의 탄소 원자, 더 바람직하게는 4 개 이하의 탄소 원자, 가장 바람직하게는 1 개 이하의 탄소 원자를 갖는다. 용액으로부터 가공되는 화합물에 대해, 적합한 화합물은 또한 알킬기, 특히 분지형 알킬기 (최대 10 개의 탄소 원자를 가짐) 에 의해 치환되는 것들, 또는 올리고아릴렌기, 예를 들어 오르토-, 메타-, 파라- 또는 분지형 터페닐 또는 쿼터페닐기에 의해 치환되는 것들이다.
바람직한 구현예 또는 식 (1) 의 화합물이 인광 방사체용 매트릭스 재료로서 또는 인광층에 직접 인접하는 층에서 사용되는 경우, 화합물의 삼중항 에너지가 인광 방사체와 동등하게 높거나 더 높은 경우가 더 바람직하다. 이는 특히 2 개 초과의 6-원 고리가 서로 직접 융합되는 융합 아릴 또는 헤테로아릴기를 함유하지 않는 본 발명의 화합물로 인해, 적색-인광 방사체보다 더 높은 삼중항 에너지를 갖는 녹색- 및 청색-인광 방사체에 대해 특히 달성될 수 있다. 이러한 화합물은 따라서 본 발명의 추가 바람직한 구현예이다. R, R1, R2, Ar1 및 Ar2 라디칼이 둘 이상의 6-원 고리가 서로 직접 융합되는 어떠한 융합 아릴 또는 헤테로아릴기도 함유하지 않는 것이 이러한 용도를 위해 특히 바람직하다. 임의로는, 이들 기는 또한 페난트렌 또는 트리페닐렌을 함유할 수 있는데, 이는 3 또는 4 개의 융합 6-원 고리에도 불구하고, 이들 아릴기가 충분히 높은 삼중항 에너지를 갖기 때문이다.
상기 언급된 바람직한 구현예는 필요에 따라 서로 조합될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 구현예에서, 상기 언급된 바람직한 사항이 동시에 발생한다.
상기 상세한 구현예에 따른 적합한 화합물의 예는 하기 표에서 상세히 나타낸 화합물이다:
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
Figure pct00023
Figure pct00024
Figure pct00025
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
Figure pct00030
Figure pct00031
본 발명의 화합물은 하기 모식도에서 일반적 용어로 개설되고 이하 기재된 경로에 의해 합성될 수 있다:
Figure pct00032
일차 아민 Ar2-NH2 는 C-N 커플링 반응, 예를 들어 하트위그-부흐발트 (Hartwig-Buchwald) 커플링에서, 반응성 이탈기를 갖는 아릴기 Ar3 과 커플링된다. 추가의 반응성 이탈기를 갖는 불소-치환 벤젠과의 반응이 이어진 후, 인데노카르바졸에 대한 C-C 커플링 반응, 예를 들어 스즈키 커플링 (Suzuki coupling) 이 이어진다. 마지막 단계에서, 인데노카르바졸에서의 Ar1 기는 반응성 이탈기를 갖는 아릴기 Ar1 과의 C-N 커플링 반응, 예를 들어 하트위그-부흐발트 커플링에 의해 도입된다. 상기-기재된 반응에서 적합한 반응성 이탈기는 예를 들어, 브롬, 요오드 또는 토실레이트이다. 또한, 상응하게 치환된 화합물의 합성을 위해, 상응하게 치환된 반응물을 사용할 수 있다.
따라서 본 발명은, 반응성 이탈기에 의해 치환된 Ar2Ar3N-페닐렌 단위와, 반응성 이탈기에 의해 치환된 인데노카르바졸 사이의 커플링 반응을 포함하는 본 발명의 화합물의 합성 방법을 추가로 제공한다.
예를 들어 스핀-코팅 또는 인쇄 방법에 의해 액상으로부터 본 발명의 화합물을 가공하기 위해서, 본 발명의 화합물의 제형이 필요하다. 이들 제형은 예를 들어 용액, 분산액 또는 에멀젼일 수 있다. 이러한 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합한 및 바람직한 용매는 예를 들어 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 헥사메틸인단, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, 메틸 벤조에이트, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서 본 발명은 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 제형을 추가로 제공한다. 추가 화합물은 예를 들어 용매, 특히 상기 언급된 용매 중 하나 또는 이들 용매의 혼합물일 수 있다. 추가 화합물은 대안적으로, 전자 소자에서 마찬가지로 사용되는 적어도 하나의 추가 유기 또는 무기 화합물일 수 있다 (예를 들어 방사 화합물 및/또는 추가 매트릭스 재료). 적합한 방사 화합물 및 추가 매트릭스 재료는 유기 전계발광 소자와 관련되어 뒤에서 열거된다. 이러한 추가 화합물은 또한 중합체일 수 있다.
본 발명의 화합물은 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서 사용하기에 적합하다.
따라서 본 발명은 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서의 본 발명의 화합물의 용도를 추가로 제공한다.
본 발명은 또한 본 발명의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 전자 소자를 추가로 제공한다.
본 발명의 문맥에서 전자 소자는 적어도 하나의 유기 화합물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 소자이다. 이러한 성분은 또한 무기 재료, 그렇지 않으면 무기 재료로부터 전적으로 형성된 층을 포함할 수 있다.
전자 소자는 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED), 유기 집적회로 (O-IC), 유기 전계효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양전지 (O-SC), 염료-감응형 유기 태양전지 (DSSC), 유기 광검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 플라스몬 방사 소자로 이루어지는 군, 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED), 더 바람직하게는 인광 OLED 에서 선택된다.
유기 전계발광 소자는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방사층을 포함한다. 이들 층 외에, 이는 또한 추가 층, 예를 들어 각각의 경우 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 차단층, 전자 차단층 및/또는 전하 발생층을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 여기자-차단 기능을 갖는 중간층이, 예를 들어 2 개 방사층 사이에 도입될 수 있다. 그러나, 이들 층 모두가 반드시 존재할 필요는 없다는 것에 유의해야 한다. 이러한 경우, 유기 전계발광 소자가 방사층을 함유하거나, 복수의 방사층을 함유할 수 있다. 복수의 방사층이 존재한다면, 이들은 바람직하게는 전체적으로 380 nm 내지 750 nm 의 여러 방사 최대치를 가져, 전체적 결과가 백색 방사가 되며; 다시 말해, 형광 또는 인광을 낼 수 있는 다양한 방사 화합물이 방사층에서 사용된다. 특히 바람직한 것은, 3 개 층이 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방사를 나타내는 3 개 방사층을 갖는 계이다 (기본적 구성에 대해서는 예를 들어 WO 2005/011013 을 참조). 본 발명의 유기 전계발광 소자는 또한 탠덤 OLED, 특히 또한 백색-방사 OLED 일 수 있다.
상기 상세히 나타낸 구현예에 따른 본 발명의 화합물은 정확한 구조에 따라 상이한 층에서 사용될 수 있다. 방사층에서 인광 방사체용 매트릭스 재료로서 상기 상세히 나타낸 바람직한 구현예 또는 식 (1) 의 화합물을 포함하는 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 이러한 경우, 유기 전계발광 소자는 방사층을 함유할 수 있거나, 적어도 하나의 방사층이 매트릭스 재료로서 본 발명의 적어도 하나의 화합물을 함유하는 복수의 방사층을 함유할 수 있다. 전자 차단층에서 전자 차단 재료로서 또는 정공 수송 또는 정공 주입층에서 정공 수송 재료로서 상기 상세히 나타낸 바람직한 구현예 또는 식 (1) 의 화합물을 포함하는 유기 전계발광 소자가 추가로 바람직하다.
본 발명의 화합물이 방사층에서 인광 화합물용 매트릭스 재료로서 사용되는 경우, 이는 바람직하게는 하나 이상의 인광 재료 (삼중항 방사체) 와의 조합으로 사용된다. 본 발명의 문맥에서 인광은 더 높은 스핀 다중도, 즉 스핀 상태 > 1 을 갖는 여기 상태로부터의, 특히 여기된 삼중항 상태로부터의 발광을 의미하는 것으로 이해된다. 본원의 문맥에서, 전이 금속 또는 란탄족과의 모든 발광성 착물, 특히 모든 이리듐, 백금 및 구리 착물은 인광 화합물로서 간주될 것이다.
본 발명의 화합물 및 방사 화합물의 혼합물은 방사체 및 매트릭스 재료의 전체 혼합물을 기준으로 99 내지 1 부피%, 바람직하게는 98 내지 10 부피%, 더 바람직하게는 97 내지 60 부피%, 특히 95 내지 80 부피% 의 본 발명의 화합물을 함유한다. 상응하여, 혼합물은 방사체 및 매트릭스 재료의 전체 혼합물을 기준으로 1 내지 99 부피%, 바람직하게는 2 내지 90 부피%, 더 바람직하게는 3 내지 40 부피%, 특히 5 내지 30 부피% 의 방사체를 함유한다.
본 발명의 추가 바람직한 구현예는 추가 매트릭스 재료와 조합으로의 인광 방사체용 매트릭스 재료로서의 본 발명의 화합물의 용도이다. 본 발명의 화합물이 추가 매트릭스 재료와 조합으로 사용되는 경우, 이의 비율은 전체 혼합물을 기준으로 바람직하게는 20 내지 50 부피% 이다. 추가 매트릭스 재료는 바람직하게는 전자 수송 재료이다. 본 발명의 화합물과 조합으로 사용될 수 있는 적합한 매트릭스 재료는 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥시드 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰 (예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따름), 트리아릴아민, 카르바졸 유도체, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴바이페닐) 또는 카르바졸 유도체 (WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527, WO 2008/086851 또는 WO 2013/041176 에 개시됨), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2010/136109, WO 2011/000455, WO 2013/041176 또는 WO 2013/056776 에 따름), 아자카르바졸 유도체 (예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따름), 양극성 매트릭스 재료 (예를 들어 WO 2007/137725 에 따름), 실란 (예를 들어 WO 2005/111172 에 따름), 아자보롤 또는 붕산 에스테르 (예를 들어 WO 2006/117052 에 따름), 트리아진 유도체 (예를 들어 WO 2007/063754, WO 2008/056746, WO 2010/015306, WO 2011/057706, WO 2011/060859 또는 WO 2011/060877 에 따름), 아연 착물 (예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따름), 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체 (예를 들어 WO 2010/054729 에 따름), 디아자포스폴 유도체 (예를 들어 WO 2010/054730 에 따름), 브릿지연결된 (bridged) 카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2011/042107, WO 2011/060867, WO 2011/088877 및 WO 2012/143080 에 따름), 또는 트리페닐렌 유도체 (예를 들어 WO 2012/048781 에 따름) 이다. 마찬가지로, 실제 방사체보다 더 짧은 파장의 방사를 갖는 추가 인광 방사체가, 예를 들어 WO 2010/108579 에서 기재한 바와 같이, 전하 수송에 상당한 정도로 관여하지 않거나 전혀 관여하지 않는 화합물, 또는 혼합물에서 코-호스트 (co-host) 로서 존재할 수 있다.
적합한 인광 화합물 (= 삼중항 방사체) 은 특히, 적합하게 여기시, 바람직하게는 가시 영역에서 발광하며 또한 원자 번호 20 초과, 바람직하게는 38 초과 및 84 미만, 더 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 적어도 하나의 원자, 특히 이러한 원자 번호를 갖는 금속을 함유하는 화합물이다. 바람직한 사용 인광 방사체는 구리, 몰리브데늄, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다.
상기-기재된 방사체의 예는 출원 WO 00/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 2005/033244, WO 2005/019373, US 2005/0258742, WO 2010/086089, WO 2011/044988, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2012/163471, WO 2013/000531 및 WO 2013/020631, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094962, WO 2014/094961, WO 2014/094960, WO 2015/039723, WO 2015/104045, WO 2015/117718 및 WO 2016/015815 에서 발견될 수 있다. 추가로 적합한 것은 예를 들어, 미공개 출원 EP 15000307.7 에 개시된 금속 착물이다. 일반적으로, 선행 기술에 따른 인광 OLED 에 사용된 바와 같으며 유기 전계발광 분야의 숙련자에게 공지된 바와 같은 모든 인광 복합체가 적합하고, 당해 기술 분야의 숙련자는 본 발명의 기술을 발휘하지 않고 추가 인광 복합체를 사용할 수 있을 것이다.
예를 들어 WO 98/24271, US 2011/0248247 및 US 2012/0223633 에서 기재된 바와 같이, 본 발명의 화합물은 특히 또한 유기 전계발광 소자에서 인광 방사체용 매트릭스 재료로서 적합하다. 이들 다색 디스플레이 구성성분에서, 청색 외의 색을 갖는 것들을 포함하여, 추가적인 청색 방사층이 기상 증착에 의해 전체 면적에 걸쳐 모든 픽셀에 적용된다.
본 발명의 추가 구현예에서, 본 발명의 유기 전계발광 소자는 임의의 별개 정공 주입층 및/또는 정공 수송층 및/또는 정공 차단층 및/또는 전자 수송층을 함유하지 않는데, 이는 방사층이 정공 주입층 또는 애노드에 직접 인접하고/하거나 방사층이 전자 수송층 또는 전자 주입층 또는 캐소드에 직접 인접하다는 것을 의미한다 (예를 들어 WO 2005/053051 에서 기재된 바와 같음). 또한, 방사층에 직접 인접하는 정공 수송 또는 정공 주입 재료로서 방사층에서의 금속 착물과 동일하거나 유사한 금속 착물을 사용할 수 있다 (예를 들어 WO 2009/030981 에서 기재된 바와 같음).
본 발명의 유기 전계발광 소자의 추가 층에서, 선행 기술에 따라 통상 사용되는 바와 같은 임의의 재료를 사용할 수 있다. 따라서 당해 기술 분야의 숙련자는 본 발명의 기술을 발휘하지 않고, 상기-인용된 바람직한 구현예 또는 식 (1) 의 본 발명의 화합물과 조합으로 유기 전계발광 소자에 대해 공지된 임의의 재료를 사용할 수 있을 것이다.
추가적으로 바람직한 것은, 하나 이상의 층이 승화 공정에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자이다. 이러한 경우, 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템에서 기상 증착에 의해 적용된다. 초기 압력이, 예를 들어 10-7 mbar 미만으로 더 낮을 수도 있다.
하나 이상의 층이 OVPD (유기 기상 증착) 방법 또는 운반 가스 승화에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 마찬가지로 바람직하다. 이러한 경우, 재료는 10-5 mbar 내지 1 bar 사이의 압력에서 적용된다. 이러한 방법의 특별한 경우는 OVJP (유기 증기 젯 인쇄) 방법이며, 여기서 재료는 노즐에 의해 직접 적용되고 이에 따라 구조화된다 (예를 들어, M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
하나 이상의 층이 용액으로부터, 예를 들어 스핀-코팅, 또는 임의의 인쇄 방법, 예를 들어 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄, LITI (광-유도 열 이미징, 열 전달 인쇄), 잉크젯 인쇄 또는 노즐 인쇄에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 추가적으로 바람직하다. 이러한 목적을 위해, 예를 들어 적합한 치환을 통해 수득되는 가용성 화합물이 필요하다.
또한, 예를 들어 하나 이상의 층이 용액으로부터 적용되고 하나 이상의 추가 층이 기상 증착에 의해 적용되는 하이브리드 방법이 가능하다.
이들 방법은 당해 기술 분야의 숙련자에게 일반적 용어로 공지되어 있으며, 본 발명의 기술을 발휘하지 않고 당해 기술 분야의 숙련자에 의해 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 전계발광 소자에 적용될 수 있다.
전자 차단층에서 전자 차단 재료로서 또는 인광 방사체용 매트릭스 재료로서 OLED 에서 사용되는 본 발명의 화합물은, 식 (2) 의 기 보다는 상이한 방향족 고리계를 함유하는 선행 기술에 따른 유사 매트릭스 재료와 비교하여 개선된 수명을 초래한다. 이들 상기 언급된 이점은 추가 전자 특성에서의 악화에 의해 성취되지 않는다.
본 발명을, 이로써 제한하고자 하는 어떠한 의도도 없이, 하기 실시예에 의해 상세히 설명한다. 당해 기술 분야의 숙련자는 개시된 전체 범주에 걸쳐 본 발명을 실행하기 위해 주어진 정보를 사용하고, 본 발명의 기술의 발휘 없이 본 발명의 추가 화합물을 제조할 수 있으며, 전자 소자에서 이들을 사용할 수 있거나, 본 발명의 방법을 이용할 수 있을 것이다.
실시예
합성예
달리 언급되지 않는 한, 하기 합성을 건조된 용매 중 보호성 가스 분위기 하에 수행한다. 용매 및 시약은 ALDRICH 또는 ABCR 로부터 구입할 수 있다. 시판되지 않는 반응물에 대해 주어진 번호는 상응하는 CAS 번호이다.
본 발명의 화합물의 합성은 뒤이어지는 모식도에서 예시 구조에 대한 예로서 명시된다. 다른 Ar1, Ar2, Ar2, R 및 R1 기를 갖는 유도체가 상응하게 합성된다.
Figure pct00033
단계 1: 바이페닐-4-일(9,9-디메틸-9H-플루오렌-4-일)아민 3a 의 제조
2 ℓ 4 구 플라스크에서, 30.0 g (177 mmol, 1.0 eq) 의 4-아미노바이페닐 [92-67-1] 1a 를 600 ㎖ 의 순수 (absolute) 톨루엔 중 23.4 g (212 mmol, 1.20 eq) 의 나트륨 t-펜톡시드 [14593-46-5] 및 48.4 g (177 mmol, 1.0 eq) 의 4-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌 [942615-32-9] 2a 와 함께 초기에 충전하고, 30 분 동안 탈기한다. 이후, 398 mg (1.77 mmol, 0.01 eq) 의 팔라듐(II) 아세테이트 [3375-31-3] 및 1.46 g (3.56 mmol, 0.02 eq) 의 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시바이페닐 SPHOS [657408-07-6] 를 첨가하고, 혼합물을 밤새 환류 하 가열한다. 반응이 종료된 후, 혼합물을 실온으로 냉각하고 500 ㎖ 의 물로 추출한다. 이후, 수성상을 톨루엔으로 3 회 세척하고, 조합된 유기상을 황산나트륨으로 건조시키고 용매를 회전식 증발기에서 제거한다. 갈색 잔류물을 약 200 ㎖ 의 톨루엔에 용해시키고 실리카 겔을 통해 여과한다. 추가 정제를 위해, 톨루엔/헵탄으로부터의 재결정화를 수행한다. 51.3 g (142 mmol, 80%) 의 아민 3a 가 수득된다.
하기를 유사하게 제조한다:
Figure pct00034
Figure pct00035
Figure pct00036
Figure pct00037
Figure pct00038
단계 2: (4-브로모페닐)-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-4-일)-{4-[(E)-((Z)-1-프로페닐)부타-1,3-디에닐]페닐}아민 5a 의 제조
1 ℓ 4 구 플라스크에서, 51.3 g (142 mmol, 1.00 eq) 의 아민 3a 및 또한 75.6 g (426 mmol, 3.00 eq) 의 1-브로모-4-플루오로벤젠 [460-00-4] 4a 및 92.5 g (284 mmol, 2.00 eq) 의 탄산세슘 [534-17-8] 을 초기에 충전하고, 500 ㎖ 의 디메틸아세트아미드를 첨가한다. 반응 혼합물을 150℃ 에서 3 일 동안 교반한다. 반응이 종료된 후, 혼합물을 실온으로 냉각하고 고체를 셀라이트를 통해 여과해낸다. 모액을 농축하고, 여과 후 침전된 고체를 고온 메탄올로 교반하면서 추출한다. 건조 후, 43.5 g (135 mmol, 95%) 의 무색 생성물 5a 가 수득된다.
하기를 유사하게 제조한다:
Figure pct00039
Figure pct00040
Figure pct00041
Figure pct00042
Figure pct00043
단계 3: 바이페닐-4-일[4-(12,12-디메틸-10,12-디히드로-10-아자인데노[2,1-b]플루오렌-7-일)페닐](9,9-디메틸-9H-플루오렌-4-일)아민 7a 의 제조
2 ℓ 4 구 플라스크에서, 43.5 g (135 mmol, 1.00 eq) 의 아민 5a 를 각각 300 ㎖ 의 톨루엔 및 디옥산, 및 150 ㎖ 의 탈이온수 중 53.9 g (270 mmol, 2.00 eq) 의 제삼인산칼륨 [7778-53-2] 및 61.0 g (149 mmol, 1.10 eq) 의 5,7-디히드로-7,7-디메틸-2-(44,55-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)-인데노[2,1-b]카르바졸 [1357286-77-1] 과 함께 초기에 충전하고, 30 분 동안 탈기한다. 이후, 1.21 g (5.40 mmol, 0.04 eq) 의 팔라듐(II) 아세테이트 [3375-31-3] 및 2.47 g (8.10 mmol, 0.06 eq) 의 트리-o-톨릴포스핀 [6163-58-2] 을 첨가하고 혼합물을 밤새 환류 하 가열한다. 반응이 종료된 후, 추가 100 ㎖ 의 물을 첨가하고 수성상을 제거한다. 수성 추출물을 톨루엔으로 3 회 추출하고, 조합된 유기상을 황산나트륨으로 건조시키고 용매를 회전식 증발기에서 제거한다. 톨루엔/헵탄으로부터의 재결정화 후, 81.2 g (113 mmol, 84%) 의 원하는 생성물 7a 가 수득된다.
하기를 유사하게 제조한다:
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
Figure pct00047
Figure pct00048
단계 4: 바이페닐-4-일(9,9-디메틸-9H-플루오렌-4-일)-[4-(12,12-디메틸-10-페닐-10,12-디히드로-10-아자인데노[2,1-b]플루오렌-7-일)페닐]아민 9a 의 제조
1 ℓ 4 구 플라스크에서, 20.0 g (25.2 mmol, 1.00 eq) 의 중간체 7a 를 300 ㎖ 의 순수 DMF 중 14.9 g (101 mmol, 4.00 eq) 의 탄산칼륨 [584-08-7] 및 11.3 g (55.4 mmol, 2.20 eq) 의 요오도벤젠 8a [591-50-4] 와 함께 초기에 충전하고, 30 분 동안 탈기한다. 이후, 570 mg (2.52 mmol, 0.10 eq) 의 1,3-디(2-피리딜)-1,3-프로판디온 [10198-89-7] 및 480 mg (2.52 mmol, 0.10 eq) 의 구리(I) 요오디드 [7681-65-4] 를 첨가하고 혼합물을 1 일 동안 환류 하 가열한다. 반응이 종료된 후, 반응 혼합물을 냉각시키고 1000 ㎖ 의 물에 서서히 옮긴다. 침전된 고체를 흡입으로 여과해내고, 각각 400 ㎖ 의 포화 염화암모늄 용액, 물, 및 각각 200 ㎖ 의 에탄올 및 헵탄으로 세척한다. 정제를 위해, 고체를 톨루엔/헵탄으로 고온 추출하고, 톨루엔/헵탄으로부터 2 회 재결정화하고, 승화에 의해 최종 정제한다. 11.2 g (14.1 mmol, 56%) 의 원하는 표적 화합물 9a 가 HPLC 순도 > 99.9% 로 수득된다.
하기를 유사하게 제조한다:
Figure pct00049
Figure pct00050
Figure pct00051
Figure pct00052
Figure pct00053
Figure pct00054
OLED 의 제조
하기 실시예 C1 ~ C9 및 I1 ~ I20 (표 1 및 2 참조) 에서, 다양한 OLED 의 데이터를 나타낸다.
실시예 C1-I20 에 대한 전처리: 개선된 가공을 위해, 두께 50 nm 의 구조화된 ITO (인듐 주석 옥시드) 로 코팅된 유리 플라크를 20 nm 의 PEDOT:PSS (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리(스티렌술포네이트), Heraeus Precious Metals GmbH, Germany사로부터 CLEVIOSTM P VP AI 4083 으로서 구입, 수용액으로부터 스핀온됨) 로 코팅한다. 이들 코팅된 유리 플라크는 OLED 가 적용되는 기판을 형성한다.
OLED 는 기본적으로 하기 층 구조를 갖는다: 기판 / 정공 수송층 (HTL) / 선택적 중간층 (IL) / 전자 차단층 (EBL) / 방사층 (EML) / 선택적 정공 차단층 (HBL) / 전자 수송층 (ETL) / 선택적 전자 주입층 (EIL) 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 정확한 구조를 표 1 에서 발견할 수 있다. OLED 제조를 위해 필요한 재료를 표 3 에 나타낸다.
모든 재료는 진공 챔버에서 열 기상 증착에 의해 적용된다. 이러한 경우, 방사층은 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료), 및 동시증발에 의해 특정 부피 비율로 매트릭스 재료(들) 에 첨가되는 방사 도펀트 (방사체) 로 이루어진다. IC5:9a:TEG1 (60%:30%:10%) 과 같은 형태에서의 세부사항은, 재료 IC5 가 60% 의 부피 비율로 층에 존재하고, 9a 가 30% 의 부피 비율로 층에 존재하고, TEG1 이 10% 의 부피 비율로 층에 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한, 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED 는 표준 방식으로 특징분석한다. 이러한 목적을 위해, 람베르트 (Lambertian) 방사 특성을 추정하는 전류-전압-휘도 특징선 (IUL 특징선) 으로부터, 휘도의 함수로서 전계발광 스펙트럼, 전류 효율 (cd/A 로 측정), 전력 효율 (lm/W 로 측정) 및 외부 양자 효율 (EQE, % 로 측정) 을 계산하고, 수명을 또한 측정한다. 전계발광 스펙트럼은 1000 cd/㎡ 의 휘도에서 측정되고, CIE 1931 x 및 y 색채 좌표가 그로부터 계산된다. 표 2 에서의 매개변수 U1000 은 1000 cd/㎡ 의 휘도에 필요한 전압을 지칭한다. EQE1000 은 1000 cd/㎡ 의 작동 휘도에서의 외부 양자 효율을 지칭한다. 수명 LT 는, 그 시간 이후, 정전류로의 작동 중에 출발 휘도로부터 특정 비율 L1 로 휘도가 감소하는 시간으로서 정의된다. 표 2 에서의 수치 L0;j0 = 4000 cd/㎡ 및 L1 = 70% 는, LT 열에 보고된 수명이, 그 시간 이후 출발 휘도가 4000 cd/㎡ 로부터 2800 cd/㎡ 로 감소하는 시간에 상응한다는 것을 의미한다. 유사하게, L0;j0 = 20 mA/㎠, L1 = 80% 는, 20 mA/㎠ 에서의 작동 중에 휘도가 시간 LT 후 그의 출발 값의 80% 로 감소한다는 것을 의미한다.
다양한 OLED 에 대한 데이터를 표 2 에서 조합한다. 실시예 C1 ~ C29 는 선행 기술에 따른 비교예이고; 실시예 I1 ~ I20 은 본 발명의 OLED 의 데이터를 나타낸다.
실시예 중 일부를 이하에서 상세히 설명하여, 본 발명의 OLED 의 이점을 설명한다.
인광 OLED 의 방사층에서의 본 발명의 혼합물의 용도
인광 OLED 의 방사층 (EML) 에서 사용하는 경우, 본 발명의 재료는 특히 OLED 성분의 수명에 관해, 선행 기술과 비교하여 상당한 개선을 제공한다. 예를 들어 본 발명의 화합물 9a, 9b, 9c 및 9h 를 IC5 및 녹색 도펀트 TEG1 과 조합으로 사용함으로써, 선행 기술 PA1-PA9 과 비교하여 40% 초과로 수명이 증가하는 것을 관찰할 수 있다 (실시예 C1-C9 와 I1-I4 의 비교). 표 2 에서 실시예로부터 추론할 수 있는 바와 같이, 이는 또한 본 발명의 추가 화합물에도 해당된다. 선행 기술에 따른 화합물이 본 발명의 화합물과 구조적으로 매우 유사하기 때문에, 이는 놀랍고 예기치못한 결과이다.
인광 OLED 의 전자 차단층에서의 본 발명의 혼합물의 용도
인광 OLED 의 전자 차단층에서 전자 차단 재료로서 사용되는 경우, 본 발명의 재료는 또한, 특히 수명에 관해, 선행 기술과 비교하여 상당한 개선을 제공한다. 본 발명의 화합물, 예를 들어 실시예 I7, I8, I10, I11, I14, I15 및 I20 에서 화합물 9f, 9g, 9j, 9k, 9n, 9o 및 9t 를 사용함으로써, 개선된 수명을 갖는 OLED 를 제조할 수 있다.
표 1: OLED 의 구조
Figure pct00055
Figure pct00056
Figure pct00057
표 2: OLED 의 데이터
Figure pct00058
Figure pct00059
표 3: OLED 용 재료의 구조식
Figure pct00060
Figure pct00061
Figure pct00062
Figure pct00063
Figure pct00064

Claims (15)

  1. 하기 식 (1) 의 화합물:
    Figure pct00065

    [식 중, 사용된 기호 및 지수는 하기와 같음:
    Ar1, Ar2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고;
    Ar3 은 하기 식 (2) 의 기이고:
    Figure pct00066

    여기서, 점선 결합은 질소 원자에 대한 이러한 기의 연결을 나타내고, 플루오렌 또는 디벤조푸란 또는 디벤조티오펜기는 1, 3 또는 4 위치를 통해 페닐렌기에 연결되며 (p = 1 인 경우), 질소 원자에 연결되고 (p = 0 인 경우);
    X 는 C(R1)2, O 또는 S 이고;
    R, R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(R2)2, OR2, SR2, C(=O)R2, P(=O)R2, Si(R2)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기, 또는 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (여기서 알킬, 알케닐 또는 알키닐기는 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으며 하나 이상의 비인접한 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, C=O, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음), 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택되고; 동시에, 2 개의 인접한 R 치환기 또는 2 개의 인접한 R1 치환기는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노시클릭 또는 폴리시클릭, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 임의로 형성할 수 있고;
    R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (여기서 하나 이상의 수소 원자는 D, F, CN 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알킬기에 의해 대체될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택되고, 여기서 둘 이상의 인접한 R2 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 고리계를 형성할 수 있고;
    m 은 0, 1, 2 또는 3 이고;
    n 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 3 또는 4 이고;
    p 는 0 또는 1 임].
  2. 제 1 항에 있어서, 하기 식 (1a) 및 (1b) 의 화합물에서 선택되는 화합물:
    Figure pct00067

    [식 중, 사용된 기호는 제 1 항에서 주어진 의미를 가짐].
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 하기 식 (3) 의 화합물:
    Figure pct00068

    [식 중, 사용된 기호는 제 1 항에서 주어진 정의를 가짐].
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 인데노카르바졸 상의 R1 라디칼이 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기, 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접한 CH2 기는 O 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택되고; 동시에, 2 개의 R1 치환기가, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노시클릭 또는 폴리시클릭, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 하기 식 (3a) 및 (3b) 의 화합물에서 선택되는 화합물:
    Figure pct00069

    [식 중, 사용된 기호는 제 1 항에서 주어진 정의를 가짐].
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 하나 이상의 항에 있어서, Ar1 및 Ar2 가 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티에닐 및 N-페닐카르바졸릴 (여기서 이들 기 각각은 하나 이상의 비방향족 R 라디칼에 의해 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 식 (2) 의 기가 하기 식 (2a) ~ (2c) 의 기에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pct00070

    [식 중, 사용된 기호 및 지수는 제 1 항에서 주어진 정의를 갖고, 플루오렌기 또는 디벤조푸란기 또는 디벤조티오펜기는 1, 3 또는 4 위치를 통해 결합함].
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 식 (2) 의 기가 하기 식 (2a-1) ~ (2a-9) 의 기에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pct00071

    [식 중, 점선 결합은 질소 원자에 대한 이러한 기의 연결을 나타내고, 사용된 추가 기호는 제 1 항에서 주어진 정의를 가짐].
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 하나 이상의 항에 있어서, X 가 C(R1)2 또는 O 인 것을 특징으로 하고, X = C(R1)2 인 경우, R1 이 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기, 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접한 CH2 기는 O 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택되고; 동시에, 2 개의 R1 치환기가, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 모노시클릭 또는 폴리시클릭, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 하나 이상의 항에 있어서, R 이 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, N(R2)2, OR2, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 시클릭 알킬기, 또는 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접한 CH2 기는 O 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있음), 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각각의 경우 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있음) 로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  11. 반응성 이탈기에 의해 치환된 Ar2Ar3N-페닐렌 단위와, 반응성 이탈기에 의해 치환된 인데노카르바졸 사이의 커플링 반응을 포함하는, 제 1 항 내지 제 10 항 중 하나 이상의 항에 따른 화합물의 제조 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 10 항 중 하나 이상의 항에 따른 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물, 특히 용매를 포함하는 제형.
  13. 전자 소자에서의, 제 1 항 내지 제 10 항 중 하나 이상의 항에 따른 화합물의 용도.
  14. 제 1 항 내지 제 10 항 중 하나 이상의 항에 따른 화합물을 포함하는 전자 소자.
  15. 제 14 항에 있어서, 제 1 항 내지 제 13 항 중 하나 이상의 항에 따른 화합물이 방사층 또는 전자 차단층 또는 정공 수송 또는 정공 주입층에서 인광 방사체용 매트릭스 재료로서 사용되는 것을 특징으로 하는, 유기 전계발광 소자인 전자 소자.
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