CN117203191A - 用于有机电致发光器件的材料 - Google Patents

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菲利普·施特塞尔
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Abstract

本发明涉及适用于电子器件中的化合物和含有这些化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。

Description

用于有机电致发光器件的材料
本发明涉及用于电子器件、尤其是有机电致发光器件的材料以及包含这些材料的电子器件、尤其是有机电致发光器件。
有机电致发光器件(OLED)中使用的发光材料通常是磷光有机金属络合物。通常，在OLED，尤其是另外在表现出三重态发光(磷光)的OLED中例如在效率、工作电压和寿命方面仍需要改进。磷光OLED的性能不仅仅取决于所使用的三重态发光体。更特别地，所使用的其他材料如基质材料在此也特别重要。由此，对这些材料的改进也能够导致OLED性能的改善。
本发明的一个目的是提供化合物，所述化合物适用于OLED，特别是用作磷光发光体的基质材料或用作电子传输材料，用作空穴阻挡材料或空穴传输或电子阻挡材料，并导致其中的性能得到改善。
已经发现，令人惊讶的是，该目的通过下文中详细描述的特殊化合物来实现，所述化合物对用于OLED中具有良好的适宜性。这些OLED尤其具有长的寿命、高的效率和相对低的工作电压。因此，本发明提供这些化合物和包含这些化合物的电子器件、尤其是有机电致发光器件。
本发明提供一种式(1)化合物
其中所使用的符号如下：
X在各种情况下相同或不同，并且是CR或N，条件是每个环不超过两个X基团是N并且作为具有四个X基团的环的一部分的两个相邻X基团是C，其通过由*标识的键稠合到环上而形成芳族或杂芳族环系；
Y在各种情况下相同或不同并且是BR、C(R)2、C＝O、Si(R)2、Ge(R)2、NAr1、O、S、Se、SO、SO2、PR或P(＝O)R；
Y1在各种情况下相同或不同并且是BR、C(R)2、C＝O、Si(R)2、Ge(R)2、NAr1、O、S、Se、SO、SO2、PR或P(＝O)R；
Q在各种情况下相同或不同并且是CR或N，条件是每个环至多两个Q基团是N；
Ar1是具有6至40个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳族环系或具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的杂芳族环系；
R在各种情况下相同或不同，并且是：H，D，F，Cl，Br，I，N(Ar')2，N(R1)2，OAr'，SAr'，B(OR1)2，CHO，C(＝O)R1，CR1＝C(R1)2，CN，C(＝O)OR1，C(＝O)NR1，Si(R1)3，NO2，P(＝O)(R1)2，OSO2R1，OR1，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，SR1，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链的或环状的烷基基团，其中烷基、烯基或炔基基团在各种情况下可被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-R1C＝CR1-、-C≡C-、Si(R1)2、NR1、CONR1、C＝O、C＝S、-C(＝O)O-、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2替代，或具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子且在各种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，其中键合到同一个环的两个或更多个R基团可一起形成可被一个或多个R1基团取代的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系，且其中键合到同一个碳、硅、锗或锡原子的两个R基团可一起形成可被一个或多个R1基团取代的单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；
Ar'在各种情况下相同或不同并且是具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
R1在各种情况下相同或不同，并且是：H，D，F，I，B(OR2)2，N(R2)2，CHO，C(＝O)R2，CR2＝C(R2)2，CN，C(＝O)OR2，Si(R2)3，NO2，P(＝O)(R2)2，OSO2R2，SR2，OR2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链的或环状的烷基基团，其中烷基、烯基或炔基基团在各种情况下可被一个或多个R2基团取代，并且其中上述基团中的一个或多个CH2基团可被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝S、-C(＝O)O-、NR2、CONR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2替代，并且其中上述基团中的一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2替代，或具有5至30个芳族环原子且在各种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，其中两个或更多个R1基团可以一起形成脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；
R2在各种情况下相同或不同并且是：H，D，F，CN或具有1至20个碳原子的脂族、芳族或杂芳族有机基团，其中一个或多个氢原子也可被D或F替代；同时，两个或更多个R2取代基可相互连接并形成环。
在本发明的上下文中，芳基基团含有6至40个碳原子；在本发明的上下文中，杂芳基基团含有2至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和为至少5。杂原子优选选自N、O和/或S。在此，芳基基团或杂芳基基团应理解为是指：简单的芳族环即苯；或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等；或稠合的(增环的)芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。相反，通过单键彼此连接的芳族化合物如联苯，不称之为芳基或杂芳基基团，而是称之为芳族环系。
在本发明的上下文中，芳族环系在环系中含有6至60个碳原子，优选6至40个碳原子。在本发明的上下文中，杂芳族环系在环系中含有2至60个碳原子、优选2至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和为至少5。杂原子优选选自N、O和/或S。在本发明的上下文中，芳族或杂芳族环系应理解为是指以下体系：其不一定仅包含芳基或杂芳基基团，而是其中两个或更多个芳基或杂芳基基团也可以通过非芳族单元如碳、氮或氧原子来连接。这些同样应理解为是指其中两个或更多个的芳基或杂芳基基团彼此直接连接的体系如联苯、三联苯、联吡啶或苯基吡啶。例如，在本发明的上下文中，诸如芴、9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、茋等的体系也应当被视为芳族环系，其中两个或更多个的芳基基团例如通过短的烷基基团连接的体系也是如此。优选的芳族或杂芳族环系是：简单的芳基或杂芳基基团；和其中两个或更多个的芳基或杂芳基基团彼此直接连接的基团如联苯或联吡啶；以及芴或螺二芴。
富电子杂芳族环系的特征在于，它是不含缺电子杂芳基基团的杂芳族环系。缺电子杂芳基基团是：具有至少一个氮原子的六元杂芳基基团；或具有至少两个杂原子的五元杂芳基基团，其中一个为氮原子且另一个为氧、硫或取代的氮原子，其中另外的芳基或杂芳基基团在各种情况下也可以稠合到这些基团上。相比之下，富电子杂芳基基团是具有选自氧、硫和取代的氮的杂原子中的恰好一个杂原子的五元杂芳基基团，其上可以稠合其他芳基基团和/或其他富电子五元杂芳基基团。由此，富电子杂芳基基团的实例是吡咯、呋喃、噻吩、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩或茚并咔唑。富电子杂芳基基团也称为富电子杂芳族基团。
缺电子杂芳族环系的特征在于，它包含至少一个缺电子杂芳基基团并且尤其优选不包含富电子杂芳基基团。
在本发明的上下文中，术语“烷基基团”用作直链和支链的烷基基团以及环状的烷基基团的总称。类似地，术语“烯基基团”和“炔基基团”用作直链或支链的烯基或炔基基团以及环状的烯基或炔基基团的总称。
在本发明的上下文中，可以包含1至40个碳原子且其中个别氢原子或CH2基团也可以被上述基团取代的脂族烃基基团或烷基基团或烯基或炔基基团优选理解为是指甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、新戊基、环戊基、正己基、新己基、环己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基基团。具有1至40个碳原子的烷氧基基团OR1优选理解为是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、环庚氧基、正辛氧基、环辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基和2,2,2-三氟乙氧基。具有1至40个碳原子的硫代烷基基团SR1特别地应理解为是指甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、环己硫基、正庚硫基、环庚硫基、正辛硫基、环辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、环戊烯硫基、己烯硫基、环己烯硫基、庚烯硫基、环庚烯硫基、辛烯硫基、环辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。通常，根据本发明的烷基、烷氧基或硫代烷基基团可以是直链、支链的或环状的，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被上述基团替代；此外，一个或多个氢原子也可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2，优选被F、Cl或CN，更优选被F或CN替代。
具有5至60个芳族环原子并且在各种情况下也可以被上述R2基团或烃基基团取代并且可以经由任何期望位置连接到芳族或杂芳族体系的芳族或杂芳族环系应理解为具体是指衍生自如下物质的基团或衍生自这些体系的组合的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、芘、苣、苝、荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴、顺式或反式茚并咔唑、顺式或反式吲哚并咔唑、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、/>唑、苯并/>唑、萘并/>唑、蒽并/>唑、菲并/>唑、异/>唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、六氮杂联三苯叉、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩/>嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-/>二唑、1,2,4-/>二唑、1,2,5-/>二唑、1,3,4-/>二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、中氮茚和苯并噻二唑。
在本说明书的上下文中，两个或更多个的基团一起可以形成环系的措辞应被特别地理解为，两个基团通过化学键彼此连接，并在形式上消除两个氢原子。这由如下方案来说明：
然而，此外，上述措辞还应理解为是指，如果两个基团中的一个是氢，则第二个基团与氢原子结合的位置结合，从而形成环。这将通过如下方案来说明：
还优选的实施方案如下式(2-1)至(2-3)所示：
其中所使用的符号具有上述关于式(1)所给出的定义。
在一个优选实施方案中，在式(1)和(2-1)至(2-3)的一个中，符号Y、Y1、X或Q中的至少一个R基团是具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子并且在各种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的一个优选实施方案中，每个环不超过一个符号X是N。在本发明的另一个优选实施方案中，不超过一个符号Q是N。
在本发明的一个特别优选实施方案中，X和Q是CR。
在本发明的一个优选实施方案中，所述化合物仅具有一个稠合环体系，其通过由*标识的键来稠合。
式(1)化合物优选仅具有一个通过由*标识的键稠合的稠合环体系，并且仅具有一个其中两个相邻的R基团形成芳族或杂芳族环系的其它稠合环体系，所述芳族或杂芳族环系稠合在环上并且具有可被一个或多个R基团取代的4至8个环原子。
因此，式(2-1)至(2-3)化合物的优选实施方案为式(3-1)至(3-3)的如下化合物：
其中如果存在符号，则所述符号具有关于式(2-1)至(2-3)所给出的定义。
式(3-1)至式(3-3)的化合物的优选实施方案为下式(3-1a)至式(3-3a)的化合物：
其中，如果存在符号，则所述符号具有式(2-1)至(2-3)所给出的定义。
在本发明的一个优选实施方案中，在式(2-1)至(2-3)、式(3-1)至(3-3)或式(3-1a)至(3-3a)中，不超过5个R基团、更优选不超过3个R基团、还更优选不超过2个R基团并且尤其优选不超过1个R基团不是H、CN或D。
在一个优选实施方案中，Y是NAr1、O、S或CR2。
在一个优选实施方案中，Y1是NAr1、O、S或CR2。
在一个优选实施方案中，Y是NAr1、O、S或CR2，并且Y1是NAr1、O、S或CR2。
在一个优选实施方案中，Y是O、S或CR2并且Y1是O、S或CR2，或者Y和Y1是NAr1。
下面描述优选的取代基R、Ar1、Ar'、R1和R2。在本发明的一个特别优选的实施方案中，下文中针对R、Ar1、Ar'、R1和R2规定的优选项同时出现，并且适用于式(1)的结构和上文详述的所有优选实施方案。
在一个优选的实施方案中，Ar1为具有6至30个芳族环原子且可以被一个或多个R1基团取代的芳族环系，或具有6至30个芳族环原子且可以被一个或多个R1基团取代的杂芳族环系。在本发明的一个特别优选的实施方案中，Ar1是具有6至24个芳族环原子并且可以被一个或多个、优选非芳族的R1基团取代的芳族或杂芳族环系。
合适的芳族或杂芳族环系Ar1在各种情况下相同或不同并且选自：苯基；联苯，尤其是邻-、间-或对-联苯；三联苯，尤其是邻-、间-或对-三联苯或支链的三联苯；四联苯，尤其是邻、间或对四联苯或支链的四联苯；可经由1、2、3或4位连接的芴；可经由1、2、3或4位连接的螺二芴；可经由1或2位连接的萘；吲哚；苯并呋喃；苯并噻吩；二苯并呋喃；可经由1、2、3或4位连接的咔唑；可经由1、2、3或4位连接的二苯并呋喃；可经由1、2、3或4位连接的二苯并噻吩；茚并咔唑；吲哚并咔唑；菲；联三苯叉；或这些基团中的两个或三个的组合，其中每个基团可以被一个或多个R1基团、优选非芳族R1基团取代。
Ar1的其它优选实施方案，当它们代表杂芳族环系时，选自吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉和苯并咪唑或这些基团与上述基团中的一个的组合，其中每个都可以被一个或多个R1基团取代。当Ar1是杂芳基基团，尤其是三嗪、嘧啶、喹喔啉或喹唑啉时，该杂芳基基团上的芳族或杂芳族R1基团还可以选自优选项。
在本发明的一个优选实施方案中，R在各种情况下相同或不同并且选自：H，D，F，CN，OR1，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链的或环状的烷基基团，其中烷基或烯基基团可各自被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可被O替代，或具有6至30个芳族环原子且在各种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族环或杂芳族环系；同时，两个R基团一起也可形成脂族、芳族或杂芳族环系。更优选地，R在各种情况下相同或不同并且选自：H，D，具有1至6个碳原子、尤其是具有1、2、3或4个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的支链的或环状的烷基基团，其中在各种情况下所述烷基基团可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，或具有6至24个芳族环原子且在各种情况下可被一个或多个R1基团、优选非芳族R1基团取代的芳族或杂芳族环系。最优选地，R在各种情况下相同或不同并且选自：H或D，或具有6至24个芳族环原子且在各种情况下可被一个或多个R1基团、优选非芳族R1基团取代的芳族或杂芳族环系。
合适的芳族或杂芳族环系R选自：苯基；联苯，尤其是邻-、间-或对-联苯；三联苯，尤其是邻-、间-或对-三联苯或支链的三联苯；四联苯，尤其是邻-、间-或对-四联苯或支链的四联苯；可经由1、2、3或4位连接的芴；可经由1、2、3或4位连接的螺二芴；可经由1或2位连接的萘；吲哚；苯并呋喃；可经由1、2、3或4位连接的苯并噻吩；二苯并呋喃；可经由1、2、3或4位连接的咔唑；可经由1、2、3或4位连接的二苯并噻吩；茚并咔唑；吲哚并咔唑；吡啶；嘧啶；吡嗪；哒嗪；三嗪；喹啉；喹唑啉；喹喔啉；苯并咪唑；菲；联三苯叉；或两个或三个这些基团的组合，其中每个基团可以被一个或多个R1基团取代。当R是杂芳基基团，尤其是三嗪、嘧啶、喹喔啉或喹唑啉时，该杂芳基基团上的芳族或杂芳族R1基团还可以选自优选项。
此处的R基团或Ar1，当它们是芳族或杂芳族环系时，优选选自下式R-1至R-83的基团：
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其中R1具有上面给出的定义，虚线键表示与式(1)或优选实施方案中的基础骨架中的碳原子连接的键或者与N(Ar1)2或NR2基团的杂原子连接的键，此外：
Ar3在各种情况下相同或不同并且是具有6至18个芳族环原子并且在各种情况下可被一个或多个R1基团取代的二价芳族或杂芳族环系；
A1在各种情况下相同或不同并且是C(R1)2、NR1、O或S，优选为O或S；
p为0或1，其中p＝0意味着Ar3基团不存在，并且相应的芳族或杂芳族基团直接键合到式(1)或优选实施方案中的基础骨架的碳原子或键合到N(Ar1)2基团中的氮原子；条件是，当这些基团是Ar1的实施方案时，对于结构R-12、R-17、R-21、R-25、R-26、R-30、R-34、R-38、R-39和R-67，p＝1；
r为0或1，其中r＝0表示没有A1基团键合在该位置并且R1基团键合到在该位置的相应碳原子上。
在一个优选实施方案中，Ar3包含基于基团R-1至R-83的二价芳族或杂芳族环系，其中m＝0且虚线键和R1表示与根据R-1至R-83的芳族或杂芳族连接的键。
当R的上述R-1至R-83基团或Ar1具有两个或更多个A1基团时，这些的可能选项包括来自A1的定义的所有组合。在所述情况下优选的实施方案是其中一个A1基团是O或S并且另一个A1基团是C(R1)2或其中两个A1基团都是S或O或其中两个A1基团都是O或S的基团。
当A1为NR1时，键合到氮原子的取代基R1优选为具有5至24个芳族环原子且还可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系。在一个特别优选的实施方案中，该R1取代基在各种情况下相同或不同并且是具有6至24个芳族环原子、优选6至12个芳族环原子并且在各种情况下还可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系不具有其中两个或更多个的芳族或杂芳族6元环基团彼此直接稠合的任何稠合的芳基或杂芳基基团。特别优选具有如上关于R-1至R-11所列的键合模式的苯基、联苯、三联苯和四联苯，其中这些结构可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。
当A1为C(R1)2时，与该碳原子键合的取代基R1在各种情况下优选相同或不同，并且为具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有3至10个碳原子的支链的或环状的烷基基团或具有5至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其也可以被一个或多个R2基团取代。最优选地，R1为甲基基团或苯基基团。在这种情况下，R1基团也可以一起形成环系，从而导致螺体系。
当Y和/或Y1是CR2时，与该碳原子键合的取代基R在各种情况下优选相同或不同，并且为具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有3至10个碳原子的支链的或环状的烷基基团或具有5至24个芳族环原子的芳族或缺电子杂芳族环系，其也可以被一个或多个R1基团取代。最优选地，这些取代基R为甲基基团或苯基基团。在这种情况下，R基团也可以一起形成环系，从而导致螺体系。
在本发明的一个实施方案中，至少一个R或Ar1基团是富电子杂芳族环系。该富电子杂芳族环系优选选自上述基团R-13至R-42，其中，在基团R-13至R-16、R-18至R-20、R-22至R-24、R-27至R-29、R-31至R-33及R-35至R-37中，至少一个A1基团为NR1，其中R1优选为芳族或杂芳族环系，尤其是芳族环系。
在本发明的另一特别优选的实施方案中，至少一个R或Ar1基团是缺电子杂芳族环系。该缺电子杂芳族环系优选选自上述基团R-47至R-50、R-57、R-58、R-76、R-79、R-80、R-81和R-82。
在本发明的另一优选的实施方案中，R1在各种情况下相同或不同并且选自：H，D，F，CN，OR2，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链的或环状的烷基基团，其中所述烷基或烯基基团在各种情况下可以被一个或多个R2基团取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被O替代，或具有6至30个芳族环原子并且在各种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个R1基团一起可以形成脂族环系。在本发明的一个特别优选的实施方案中，R1在各种情况下相同或不同并且选自：H，D，具有1至6个碳原子、尤其是具有1、2、3或4个碳原子的直链烷基基团，或具有3至6个碳原子的支链的或环状的烷基基团，其中所述烷基基团可以被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，或具有6至24个芳族环原子并且在各种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，但优选未被取代。
在本发明的另一优选实施方案中，R2在各种情况下相同或不同并且是：H，D，F，具有1至4个碳原子的烷基基团或具有6至10个碳原子的芳基基团，其可以被具有1至4个碳原子的烷基基团取代，但优选未被取代。
在本发明的另一优选实施方案中，所有R1基团，如果它们是芳族或杂芳族环系，或R2基团，如果它们是芳族或杂芳族基团，则选自R-1至R-83基团，然而，在这种情况下，这些基团相应地被R2或被关于R2所提及的基团取代。
在一个优选实施方案中，R基团不形成与式(1)的基础骨架稠合的任何其他芳族或杂芳族基团。
同时，经真空蒸发处理的本发明化合物中的烷基基团优选具有不超过5个碳原子，更优选不超过4个碳原子，最优选不超过1个碳原子。对于从溶液中加工的化合物，合适的化合物还有：被具有至多10个碳原子的烷基基团、尤其是支链的烷基基团取代的化合物；或被低聚芳亚基如邻-、间-或对-三联苯或支链的三联苯或四联苯基团取代的化合物。
当将式(1)的化合物或优选实施方案的化合物用作磷光发光体的基质材料或用于与磷光层直接邻接的层中时，还优选的是此时所述化合物不含其中多于两个的六元环直接相互稠合的任何稠合的芳基或杂芳基基团。特别优选的是，Ar、R、R1和R2基团不含其中两个或更多个的六元环相互直接稠合的任何稠合的芳基或杂芳基基团。一种例外是由菲、联三苯叉、喹喔啉和喹唑啉来形成的，因为它们具有高的三重态能量，所以尽管存在稠合的芳族六元环而仍是优选的。
上述优选实施方案可以在权利要求1限定的限制范围内根据需要相互合并。在本发明的一个特别优选的实施方案中，上述优选项同时发生。
根据上述详细实施方案的优选化合物的实例为下表中详述的化合物：
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本发明的化合物能够通过本领域技术人员已知的合成步骤如溴化、Suzuki偶联、Ullmann偶联、Heck反应、Hartwig-Buchwald偶联等来制备。
因此本发明还提供一种制备本发明化合物的方法，其特征在于如下步骤：
(A)合成式(1)的基础骨架；
(B)通过偶联和闭环反应而稠合在芳族或杂芳族环系上，其中形成根据式(1)的由*标识的键。
例如，能够通过Ullmann偶联、Suzuki偶联和分子内Heck反应的组合来合成基础骨架，如下面的方案1或方案2所示：
方案1：式(1)的基础骨架的合成
方案2：式(1)的基础骨架的合成
在Y＝N的情况下，也能够通过下面的方案3进行合成。
方案3：式(1)的基础骨架的合成
然后，能够通过适当的偶联和闭环反应将芳族或杂芳族环系稠合，如下面的方案4、5、6和7所示：
方案4：芳族或杂芳族环系的稠合
方案5：芳族或杂芳族环系的稠合
方案6：芳族或杂芳族环系的稠合
方案7：芳族或杂芳族环系的稠合
作为替代方案，还能够通过两个相应的芳族或杂芳族环系的偶联和闭环反应来形成式(1)化合物而进行稠合，如方案8中的实例所示：
方案8：通过偶联和闭环反应来制备
为了例如通过旋涂或通过印刷法从液相对本发明的化合物进行处理，本发明化合物的制剂是需要的。这些制剂可以为例如溶液、分散液或乳液。为此，优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适并优选的溶剂为例如：甲苯；苯甲醚；邻-、间-或对-二甲苯；苯甲酸甲酯；均三甲苯；四氢化萘；藜芦醚；THF；甲基-THF；THP；氯苯；二烷；苯氧基甲苯，特别是3-苯氧基甲苯；(-)-葑酮；1,2,3,5-四甲基苯；1,2,4,5-四甲基苯；1-甲基萘；2-甲基苯并噻唑；2-苯氧基乙醇；2-吡咯烷酮；3-甲基苯甲醚；4-甲基苯甲醚；3,4-二甲基苯甲醚；3,5-二甲基苯甲醚；苯乙酮；α-萜品醇；苯并噻唑；苯甲酸丁酯；异丙基苯；环己醇；环己酮；环己基苯；十氢化萘；十二烷基苯；苯甲酸乙酯；茚满；NMP；对甲基异丙基苯；苯乙醚；1,4-二异丙基苯；二苄醚；二乙二醇丁基甲基醚；三乙二醇丁基甲基醚；二乙二醇二丁基醚；三乙二醇二甲醚；二乙二醇单丁基醚；三丙二醇二甲醚；四乙二醇二甲醚；2-异丙基萘；戊基苯；己基苯；庚基苯；辛基苯；1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷；2-甲基联苯；3-甲基联苯；1-甲基萘；1-乙基萘；辛酸乙酯；癸二酸二乙酯；辛酸辛酯；庚基苯；异戊酸薄荷酯；己酸环己酯；或这些溶剂的混合物。
因此，本发明还提供包含至少一种本发明化合物和至少一种其他化合物的制剂。所述其它化合物例如可以是溶剂，尤其是上述溶剂中的一种或这些溶剂的混合物。所述其他化合物可以替代性地是同样用于电子器件中的至少一种其他有机或无机化合物，例如发光化合物和/或其他基质材料。合适的发光化合物和其他基质材料列在与有机电致发光器件相关的后面。这种其他化合物也可以是聚合的。
本发明的化合物适用于电子器件，尤其是有机电致发光器件。
因此，本发明还提供本发明的化合物在电子器件中的用途，尤其是在有机电致发光器件中的用途。
本发明更进一步提供包含至少一种本发明化合物的电子器件。
在本发明上下文中的电子器件为包含至少一个层的器件，所述层包含至少一种有机化合物。该组件还可以包含无机材料或完全由无机材料形成的其他层。
所述电子器件优选选自：有机电致发光器件(OLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、染料敏化的有机太阳能电池(DSSC)、有机光学探测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-laser)和有机等离子体发光器件，但优选有机电致发光器件(OLED)，更优选磷光OLED。
所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层之外，所述有机电致发光器件还可以包含其它的层，例如在各种情况下包含一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层和/或电荷产生层。在两个发光层之间引入中间层同样是可行的，所述中间层具有例如激子阻挡功能。然而，应该指出，这些层中的每个层不必都存在。在此情况下，所述有机电致发光器件可以包含一个发光层，或其可以含有多个发光层。如果存在多个发光层，则优选这些发光层总体上在380nm～750nm之间具有多个发光峰值，从而总体上的结果是白色发光，换言之，将可以发荧光或发磷光的多种发光化合物用于所述发光层中。特别优选的是具有三个发光层的体系，其中所述三个层显示蓝色、绿色和橙色或红色发光。本发明的有机电致发光器件也可以为串联OLED，尤其是用于发白光的OLED。
根据确切的结构，本发明的根据上述详细实施方案的化合物可以用于不同的层中。优选的是，有机电致发光器件在发光层中包含式(1)或上述优选实施方案的化合物以作为磷光发光体、荧光发光体或展示TADF(热活化延迟荧光)的发光体，尤其是磷光发光体的基质材料。在这种情况下，有机电致发光器件可以含有发光层，或者它可以含有多个发光层，其中至少一个发光层含有至少一种本发明的化合物以作为基质材料。此外，本发明的化合物还能够用于电子传输层和/或空穴阻挡层和/或空穴传输层和/或激子阻挡层中。
当将本发明的化合物用作发光层中的发磷光的化合物的基质材料时，优选将所述化合物与一种或多种发磷光的材料(三重态发光体)组合使用。在本发明的上下文中，磷光被理解为是指来自具有更高自旋多重态、即自旋态>1的激发态的发光，特别是来自激发三重态的发光。在本申请的上下文中，具有过渡金属或镧系元素的所有发光络合物，特别是所有的铱、铂和铜络合物，都应被认为是发磷光的化合物。
基于发光体和基质材料的全部混合物，本发明的化合物与发光化合物的混合物含有99体积％～1体积％，优选98体积％～10体积％，更优选97体积％～60体积％并且尤其是95体积％～80体积％的本发明的化合物。相应地，基于发光体和基质材料的全部混合物，所述混合物含有1体积％～99体积％，优选2体积％～90体积％，更优选3体积％～40体积％并且尤其5体积％～20体积％的发光体。
本发明另外的优选实施方案是将本发明的化合物用作磷光发光体的基质材料，所述基质材料与其它基质材料组合使用。能够与本发明的化合物组合使用的合适基质材料是：例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680的芳族酮，芳族氧化膦或芳族亚砜或砜；三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-二咔唑基联苯)或公开在WO 2005/039246、US2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或WO 2013/041176中的物质；例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746的吲哚并咔唑衍生物；例如根据WO 2010/136109、WO 2011/000455、WO 2013/041176或WO 2013/056776的茚并咔唑衍生物；例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的氮杂咔唑衍生物；例如根据WO 2007/137725的双极性基质材料；例如根据WO 2005/111172的硅烷；例如根据WO 2006/117052的硼氮杂环戊熳或硼酸酯；例如根据WO 2007/063754、WO 2008/056746、WO 2010/015306、WO 2011/057706、WO 2011/060859或WO 2011/060877的三嗪衍生物；例如根据EP 652273或WO 2009/062578的锌络合物；例如根据WO 2010/054729的硅二氮杂环戊熳或硅四氮杂环戊熳衍生物；例如根据WO 2010/054730的磷二氮杂环戊熳衍生物；例如根据WO 2011/042107、WO 2011/060867、WO 2011/088877和WO 2012/143080的桥接咔唑衍生物；例如根据WO 2012/048781的联三苯叉衍生物；或例如根据WO2015/169412、WO2016/015810、WO 2016/023608、WO 2017/148564或WO 2017/148565的二苯并呋喃衍生物。具有比实际发光体更短的发光波长的其它磷光发光体同样可以作为共主体存在于所述混合物中，或如果存在电荷传输，则不以显著程度涉及电荷传输的化合物，例如如在WO 2010/108579中所述的。
在本发明的一个优选实施方案中，所述材料与其他基质材料组合使用。优选的共基质材料，尤其是当本发明的化合物被缺电子杂芳族环系取代时，选自双咔唑、桥接咔唑、三芳基胺、二苯并呋喃基-咔唑衍生物或二苯并呋喃基-胺衍生物和咔唑胺。
优选的双咔唑具有下式(4)和(5)的结构：
其中Ar、R和A1如下：
A1在各种情况下相同或不同并且是NAr、O、S或C(R)2；
Ar在各种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且在各种情况下可以被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；
R在各种情况下相同或不同并且是：H，D，F，Cl，Br，I，B(OR1)2，CHO，C(＝O)R1，CR1＝C(R1)2，CN，C(＝O)OR1，C(＝O)N(R1)2，Si(R1)3，N(R1)2，NO2，P(＝O)(R1)2，OSO2R1，OR1，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，SR1，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链的或环状的烷基基团，其中烷基、烯基或炔基基团在各种情况下可以被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被-R1C＝CR1-、-C≡C-、Si(R1)2、C＝O、C＝S、C＝NR1、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2替代，或具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子并且在各种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，其中两个或更多个R基团可以彼此连接并可以形成环；
在本发明的一个优选实施方案中，A1是CR2。
在式(4)和(5)的情况下，Ar优选是芳族或杂芳族环系，优选在各种情况下相同或不同并且选自下式Ar-1至Ar-76的基团：
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其中虚线代表与基础骨架连接的键，此外：
Ar3在各种情况下相同或不同并且是具有6至18个芳族环原子并且在各种情况下可以被一个或多个R基团取代的二价芳族或杂芳族环系；
Ar2为具有5至40个芳族环原子并且可以被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；
A1在各种情况下相同或不同并且是NAr2、O、S或C(R)2；
n为0或1，其中n＝0是指，没有A1基团键合在该位置并且R基团键合在该位置的相应碳原子上；
m为0或1，其中m＝0是指，不存在Ar3基团并且相应的芳族或杂芳族基团直接键合至氮原子。
式(4)和(5)的化合物的优选实施方案为下式(4a)和(5a)的化合物：
其中使用的符号具有根据式(4)和式(5)的上述定义。
式(4)和(5)的合适化合物的实例是下述化合物：
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优选的桥接咔唑具有下式(6)的结构：
其中A1和R具有上面给出的根据式(4)和(5)的定义，并且A1优选在各种情况下相同或不同并且选自NAr和CR2。
优选的二苯并呋喃衍生物为下式(7)的化合物：
其中氧也可以被硫替代以形成二苯并噻吩，L为单键或具有5至30个芳族环原子并且还可以被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系，并且R和Ar具有上面给出的定义。在此还可能的是，两个Ar基团键合到同一氮原子，或一个Ar基团和一个L基团键合到同一氮原子，相互键合以例如产生咔唑。
合适的二苯并呋喃衍生物的实例为下面描述的化合物。
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优选的咔唑胺具有下式(8)、(9)和(10)的结构：
其中L是具有5至30个芳族环原子并且可以被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系，并且R和Ar具有上述根据式(4)和式(5)的定义。
合适的咔唑胺衍生物的实例是下面描述的化合物。
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下表显示其它特别优选的共基质材料，特别是空穴传输共主体，尤其是当本发明的化合物被缺电子杂芳族环系取代时：
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优选的共基质材料，尤其是当本发明的化合物被富电子杂芳族环系如咔唑基团取代时，还选自三嗪衍生物、嘧啶衍生物、喹唑啉衍生物和喹喔啉衍生物。优选的能够与本发明化合物一起混合使用的三嗪、喹唑啉、喹喔啉或嘧啶衍生物是下式(11)、(12)、(13)和(14)的化合物：
其中Ar和R具有上述根据式(4)和(5)的定义。
特别优选式(11)的三嗪衍生物和式(13)的喹唑啉衍生物，尤其是式(11)的三嗪衍生物。
在本发明的一个优选实施方案中，式(11)、(12)、(13)及(14)中的Ar在各种情况下相同或不同并且是具有6至30个芳族环原子、特别是6至24个芳族环原子并且可以被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系。此处合适的芳族或杂芳族环系Ar与上述Ar的实施方案相同，尤其是结构Ar-1至Ar-76。
可与本发明化合物一起用作基质材料的合适的三嗪化合物的实例是下表中描述的化合物：
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合适的喹唑啉化合物的实例是下表中描述的化合物：
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合适的磷光化合物(＝三重态发光体)具体为如下所述的化合物：当被适当激发时发光，优选在可见光区发光；并且还含有原子序数大于20、优选大于38且小于84、更优选大于56且小于80的至少一个原子，特别是具有这种原子序数的金属。优选使用的磷光发光体是含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，特别是含有铱或铂的化合物。
在如下申请中能够发现上述发光体的实例：WO 00/70655、WO 2001/41512、WO2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO 2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO 2014/094961、WO 2014/094960、WO 2015/036074、WO 2015/104045、WO 2015/117718、WO 2016/015815、WO 2016/124304、WO 2017/032439、WO 2018/011186、WO 2018/041769、WO 2019/020538、WO 2018/178001、WO 2019/115423和WO 2019/158453中找到。通常，用于现有技术的磷光OLED和有机电致发光领域中技术人员所已知的所有磷光络合物都是合适的，并且本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的条件下使用其他磷光络合物。
下面列举了磷光掺杂剂的实例。
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在本发明有机电致发光器件的另外的层中，可以使用通常用于现有技术中的任意材料。因此，在不付出创造性劳动的条件下，本领域技术人员将能够以与式(1)或上述优选实施方案的发明化合物的组合的方式使用关于有机电致发光器件所已知的任意材料。
特别适用于在任何OLED、不仅是根据本申请定义的OLED中具有空穴传输性功能的层中的化合物包括如下化合物：
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术语“具有空穴传输性功能的层”被理解为特别是指空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层以及发光层，特别是空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层。
化合物HT-1至HT-12通常适用于空穴传输性层。它们的用途不限于特定的OLED，例如本申请中所述的OLED。
化合物HT-1至HT-12可通过上表引用的公布的说明书中所公开的方法来制备。在此，与上表中引用的公布的说明书中所公开的化合物的使用和制备相关的其它教导通过引用明确并入本文中并且优选与使用上述化合物作为空穴传输性材料相关的上述教导合并。当用于OLED时，化合物HT-1至HT-12表现出优异的性能，特别是优异的寿命和效率。
另外优选的是一种有机电致发光器件，特征在于，通过升华法涂布一个或多个层。在这种情况下，通过在真空升华系统中在小于10-5mbar、优选小于10-6mbar的初始压力下的气相沉积，施加所述材料。然而，对于低得多、例如低于10-7mbar的初始压力也是可行的。
同样优选一种有机电致发光器件，特征在于，通过OVPD(有机气相沉积)法或者借助于载气升华，涂布一个或多个层。在这种情况下，在10-5mbar至1bar的压力下施加所述材料。该方法的一个特别情况为OVJP(有机气相喷墨印刷)法，其中通过喷嘴直接施加所述材料，并因此结构化所述材料。
另外优选一种有机电致发光器件，特征在于，例如通过旋涂，或者通过任何印刷方法如丝网印刷、柔版印刷、平板印刷、LITI(光引发热成像、热转印)、喷墨印刷或者喷嘴印刷从溶液中产生一个或多个层。为了该目的，需要例如通过适当的取代获得的可溶性化合物。
另外，混合式的方法是可行的，其中例如如从溶液施加一个或多个层和通过气相沉积施加一个或多个其它的层。
本领域技术人员通常已知这些方法，并且本领域技术人员在不付出创造性劳动的条件下能够将所述这些方法应用于包含式本发明的化合物的有机电致发光器件中。
本发明的化合物和本发明的有机电致发光器件因一种或多种如下令人惊奇的特性而著称：
1.用作磷光发光体的基质材料的本发明化合物导致寿命长。
2.本发明的化合物导致高效率，特别是EQE高。当将所述化合物用作磷光发光体的基质材料时尤其如此。
3.本发明的化合物导致操作电压低。当将所述化合物用作磷光发光体的基质材料时尤其如此。
通过如下实施例来详细地说明本发明，但无意由此限制本发明。本领域技术人员将能够使用所提供的信息在所公开的整个范围内实施本发明，并且在不付出创造性劳动的情况下制备本发明的更多化合物，并将它们用于电子器件或采用本发明的方法。
实施例
除非另外指出，否则如下合成在保护气体气氛下在干燥溶剂中进行。所述溶剂和试剂能够采购自例如Sigma-ALDRICH或ABCR。关于从文献已知的化合物，在各种情况下也报告了相应的CAS编号。
S1a：
首先在惰性气氛下装入DMSO(50ml)，K3PO4(53.08g，250mmol)，吡啶-2-羧酸(1.53g，12.44mmol)和CuI(1.19g，6.22mmol)。随后依次逐渐添加3-氯酚(19.20g，150mmol)[108-43-0]和3-溴-1-氯苯(23.93g，125mmol)[108-37-2]，并将反应混合物在85℃加热16h。冷却后用氨水溶液和甲基叔丁基醚萃取得到的反应混合物。有机相用水洗涤五次并用饱和NaCl溶液洗涤两次，将合并的有机相用Na2SO4干燥，并将溶剂在旋转蒸发器上除去。粗产物通过分馏来进一步提纯。收率：26.88g(106mmol)，85％；由1H NMR确定的纯度为96％。
能够类似地制备如下化合物。提纯不仅能够通过蒸馏来实现，还能够使用柱层析来实现，或者能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。
S1b：
在惰性气氛下，将S1a(23.90g，100mmol)在THF(150ml)中的初始装料冷却至-75℃。随后，以内部温度不超过-65℃的方式逐滴添加正丁基锂(2.5mol/l的己烷溶液，80ml，200mmol)。在-75℃下继续搅拌另外4h，然后以内部温度不超过-65℃的方式逐滴添加溴(5.6ml，109.3mmol)。添加结束后，将混合物在-75℃下搅拌1h，然后在1h内逐渐升温至10℃，并在10℃下搅拌1h。随后将其冷却至0℃并用饱和Na2SO3溶液(50ml)谨慎地对混合物进行猝灭。用甲苯和水萃取混合物，将合并的有机相用水洗涤三次并用饱和NaCl溶液洗涤一次，用Na2SO4干燥，并在旋转蒸发器上除去溶剂。粗产物经2-丙醇搅拌回流来萃取两次。收率：24.21g(86mmol，86％)；纯度：由1H NMR确定为97％。
能够类似地制备如下化合物。提纯不仅能够通过萃取搅拌来进行，还可以通过蒸馏来进行，或者能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。/>
S1c：
将S1b(39.19g，140.0mmol)、4-甲氧基苯基硼酸(22.79g，150.0mmol)[5720-07-0]和K2CO3(38.70g，280.0mmol)在THF(70ml)和水(170ml)中的初始装料惰性化30min。随后，添加四(三苯基膦)钯[14221-01-3](1.78mg，1.54mmol)，并在回流下将反应混合物搅拌20h。用甲苯和水萃取混合物，将合并的有机相用水和饱和NaCl溶液洗涤并用Na2SO4干燥，然后在旋转蒸发器上除去溶剂。将粗产物从乙醇中重结晶。收率：33.7g(109mmol，78％)；由1H NMR确定的纯度为96％。
能够类似地制备如下化合物。能够通过柱层析来进行提纯，或能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。/>
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S1d：
向惰性气氛下的S1c(30.88g，100mmol)和K2CO3(41.46g，300mmol)的初始装料中添加DMAc(450ml)，并且将混合物惰性化30min。随后，添加Pd(OAc)2(447mg，1.99mmol)和1,3-二(2,6-二异丙基苯基)-3H-咪唑-1-正离子氯化物(1.69g，3.98mmol)，并且在150℃下将反应混合物搅拌16h。冷却后，将混合物倒入乙醇/水(1:1，600ml)中并进一步搅拌30min。通过抽吸过滤沉淀的固体并用水洗涤五次且用乙醇洗涤三次。粗产物通过用2-丙醇在回流下搅拌来进行萃取，并且冷却后抽滤出固体。收率：22.9g(84mmol，84％)，由1H NMR确定的纯度为98％。
能够类似地制备如下化合物。在此不仅可以使用1,3-二(2,6-二异丙基苯基)-3H-咪唑-1-正离子氯化物，而且还可以使用三叔丁基膦或三环己基膦，或者不仅使用Pd(OAc)2而且使用Pd2(dba)3以作为Pd源。能够通过柱层析来进行提纯，或能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。
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S1e：
在冰浴中将S1d(27.23g，100mmol)在二氯甲烷(620ml)中的初始装料冷却至0℃。随后，小心滴加BBr3(6.0ml，63.2mmol)。添加结束后，使得混合物升温至室温。在转化完成后，再次将混合物冷却至0℃，并用甲醇(150ml)小心猝灭。溶剂通过旋转蒸发器除去。随后，分三次向混合物中添加300ml甲醇，然后在旋转蒸发器上将其除去。再加入200ml MeOH，并通过抽吸来过滤固体。将粗产物干燥后并在没有进一步提纯的条件下用于下一阶段。收率：17.05g(66mmol；66％)。
能够类似地制备如下化合物。能够通过柱层析进行提纯，或能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。
S1f：
在冰浴中将S1e(12.91g，50.0mmol)和三乙胺(20.8ml，150mmol)在二氯甲烷(700ml)中的初始装料冷却至0℃。随后，缓慢滴加三氟甲烷磺酸酐(10.9ml，65.0mmol)。添加结束后，使混合物升温至室温。转化完成后，用二氯甲烷和水对混合物进行萃取处理，将合并的有机相用Na2SO4干燥，并在旋转蒸发器上除去溶剂。将残渣收集在300ml环己烷中，并在室温下将混合物搅拌30min。通过抽吸来过滤固体并在真空干燥箱中干燥。收率为13.74g(35.2mmol，70％)。
能够类似地制备如下化合物。能够通过柱层析进行提纯，或能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。
S1g
将S4d(24.23g，100mmol)在300ml THF中的初始装料冷却至-75℃。随后，以使温度不升高至超过-65℃的方式添加己基锂(44.0ml，c＝2.5mol/l，110mmol)。添加结束后，将混合物在-75℃下搅拌1h。随后，将反应混合物逐渐升温至室温并在室温下搅拌1h。随后，将反应混合物冷却至-75℃，并以温度不升高到超过-65℃的方式逐滴添加硼酸三甲酯(15.59g，150.0mmol)。将混合物加热至室温过夜，第二天用HCl(c＝5mol/l，50ml)小心猝灭。用水萃取混合物，用水洗涤有机相三次。通过旋转蒸发将THF减少至50ml，然后添加150ml正庚烷，并用抽吸来过滤沉淀的固体并用正庚烷洗涤。收率：24.03g(84.2mmol，84％)，由1H NMR确定的纯度为96％。
S1h：
将S1f(11.71g，30.0mmol)、双(频哪醇)二硼(9.40g，36.3mmol)和KOAc(8.90g，90.68mmol)在1,4-二烷(200ml)中的初始装料用氩气惰性化30min。随后，添加Pd(dppf)Cl2(740mg，0.91mmol)，并将混合物搅拌回流20h。冷却后，在旋转蒸发器上除去溶剂，残渣用二氯甲烷和水进行萃取处理。将合并的有机相用Na2SO4干燥，添加乙醇(150ml)，并在旋转蒸发器上除去二氯甲烷。沉淀的固体通过抽吸来过滤并在真空干燥箱中干燥。粗产物在不进行进一步提纯的条件下用于下一阶段中。收率：9.06g(24.6mmol，82％)，由1H NMR确定的纯度为95％。
能够类似地制备如下化合物。作为替代方案，所使用的催化剂体系也可以是Pd(PCy3)2Cl2或Pd2(dba)3与S-Phos(1:3)。提纯不仅能够通过柱层析来进行，还能够通过热萃取，或使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷的重结晶或热萃取，或使用高沸点物质如二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等的重结晶来进行。
S1i：
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由2-溴-1-氯-3-硝基苯(23.6g，100mmol)[CAS-19128-48-4]、邻联苯硼酸(19.8g，100mmol)[CAS-4688-76-0]和碳酸钠(21.2g，200mmol)在甲苯(700ml)和水(150ml)中来形成惰性气氛下的初始装料。随后，添加四(三苯基膦)钯(0)(2.32g，2.00mmol)并将反应混合物在回流下搅拌16h。冷却后，通过填充有甲苯和Celite的玻璃料来抽吸过滤反应混合物，然后通过甲苯和水进行萃取处理。用水(200ml)和饱和NaCl溶液(100ml)洗涤有机相并用Na2SO4干燥，并在旋转蒸发器上除去溶剂。粗产物经柱层析进一步提纯。收率：22.3g(72mmol，72％)，由1H NMR确定的纯度为98％。
能够类似地制备如下化合物。能够通过柱层析进行提纯，或能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。
S1j：
由S1i(22.3g，72mmol)和碳酸钾(49.8g，360mmol)在二甲基乙酰胺(500ml)中形成惰性气氛下的初始装料。随后，添加醋酸钯(899mg，4.00mmol)和1,3-二(2,6-二异丙基苯基)-3H-咪唑-1-正离子氯化物(3.40g，8.00mmol)[CAS-250285-32-6]，并在145℃下将反应混合物搅拌24h。冷却后，通过旋转蒸发除去大部分DMAc，并通过甲苯(600ml)和水对混合物进行萃取处理。水相用甲苯萃取两次(每次300ml)。随后，将合并的有机相用水(每次300ml)洗涤两次并用饱和NaCl溶液(150ml)洗涤，并用Na2SO4干燥，滤液通过旋转蒸发来进行浓缩。向粗产物中添加500ml乙醇，并在室温下将混合物搅拌30min。随后，通过抽吸来过滤固体，用正庚烷洗涤并在真空干燥箱中干燥。收率：17.8g(57.6mmol，80％)，由1H NMR确定的纯度为95％。
能够类似地制备如下化合物。能够通过柱层析进行提纯，或能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。
S1k：
将S1j(62.00g，215.5mmol)和正丁基膦(109.2g，540mmol)[CAS-998-40-3]在氩气气氛下在1,2-二氯苯(1000ml)中的初始装料在回流下搅拌24小时。然后减压蒸馏出1,2-二氯苯，并用二氯甲烷和水对反应混合物进行萃取处理。将有机相通过含有硅胶的玻璃料进行过滤。向滤液中加入350ml乙醇，并从旋转蒸发器中除去DCM。通过抽吸过滤掉沉淀的固体，并用乙醇洗涤。粗产物经升华来进一步提纯。收率：23.9g(99.2mmol，46％)；由1H NMR确定的纯度为95％。
能够类似地制备如下化合物。能够通过柱层析进行提纯，或能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。
S1l：
将S1h(15.46g，42.0mmol)、1-溴-2-碘苯(9.27g，42.8mmol)和K2CO3(11.61g，84.0mmol)在甲苯、乙醇和水(200ml:50ml:100ml)中的初始装料用氩气惰性化30min。随后，添加Pd(dppf)Cl2(118mg，168μmol)，并将混合物在回流下搅拌16h。用甲苯/水对混合物进行萃取处理。将合并的有机相用Na2SO4干燥，并在旋转蒸发器上除去溶剂。将粗产物从2-丙醇和甲苯的混合物中重结晶。收率：15.18g(38.2mmol，91％)，由1H NMR确定的纯度为98％。
S1m：
将S1l(13.98g，35.2mmol)在250ml THF中的初始装料冷却至-75℃。随后，以使温度升高到不超过-65℃的方式滴加n-BuLi(16.0ml，c＝2.5mol/l，40.0mmol)。添加结束后，将混合物在-75℃下搅拌1h。以温度升高到不超过-65℃的方式逐滴添加芴-9-酮(6.48g，36.0mmol)在THF(50ml)中的溶液。将混合物升温至室温过夜，然后逐滴添加水(100ml)。进行相分离，将有机相用Na2SO4干燥，并在旋转蒸发器上除去溶剂。粗产物在无需进一步提纯的条件下在下一步骤中进行转化。收率：定量。
S1n：
将S1m(49.86g，100mmol)在浓盐酸(37％，41.4ml，500mmol)和冰醋酸(450ml)中的初始装料在回流下搅拌20h。通过抽吸过滤掉沉淀的固体，并用水洗涤五次并用乙醇洗涤五次。将粗产物用2-丙醇在回流下通过搅拌来萃取两次，然后通过柱层析进行提纯。收率：24.0g(50.2mmol，50％)，由1H NMR确定的纯度为98％。
S1o：
在室温下将干燥的CeCl3(50.53g，205mmol)在THF(250ml，干燥)中的初始装料搅拌30min。随后，将S4i(39.04g，100mmol)溶解在500ml THF中并在0℃下添加到CeCl3悬浮液中。随后，在室温下将混合物搅拌30min。将反应混合物冷却至0℃，并缓慢滴加MeMgCl(100ml，3mol/l的THF溶液，300mmol)。添加结束后，在室温下将反应混合物搅拌2h，然后用NH4Cl溶液(100ml)小心地猝灭。反应混合物用二氯甲烷和水进行萃取处理，将合并的有机相用水和饱和NaCl溶液洗涤，并在旋转蒸发器上除去溶剂。粗产物在无需进一步提纯的条件下在下一阶段中进行转化。收率：定量；由1H NMR确定的纯度为约90％。在室温下搅拌，然后用NH4Cl溶液(100ml)小心地猝灭。用二氯甲烷和水对反应混合物进行萃取处理，合并的有机相用水和饱和NaCl溶液进行洗涤，并在Rotavap上通过旋转蒸发来除去溶剂。粗产物在无需进一步提纯的条件下在下一阶段进行转化。
收率：定量，由1H NMR确定的纯度为约90％。
S2o：
以类似于制备S1o的方法，能够从S5s制备S2o。
S1p：
将甲烷磺酸(48.05g，500mmol)和多聚磷酸(75g)的250ml的初始装料冷却至0℃。随后，将S1o(37.65g，100mmol)溶解于二氯甲烷(250ml)中并在0℃下逐滴添加到甲烷磺酸/多聚磷酸的混合物中。在室温下将反应混合物搅拌1h。添加400ml水和200ml乙醇，并在室温下将混合物搅拌1h。分离有机相，用水和饱和NaCl溶液洗涤，并通过硅胶床进行过滤(二氯甲烷浆液形式)。向滤液中加入正庚烷(300ml)，并通过在旋转蒸发器上的旋转蒸发来除去二氯甲烷。用抽吸过滤掉沉淀的固体，并用正庚烷洗涤。粗产物经柱层析进一步提纯。收率：12.19g(34mmol，34％)，由1H NMR确定的纯度为95％。
S2p：
以类似于制备S1p的方法，能够从S2o制备S2p。收率：46％，由1H NMR确定的纯度为97％。
S1q+S2q：
在惰性气氛下将S1n(32.02g，66.7mmol)在THF(500ml)中的初始装料冷却至-20℃。然后缓慢滴加s-BuLi(95.3ml，133.4mmol，1.4mol/l环己烷溶液)，并将混合物进一步搅拌1h。随后，在10min内滴加硼酸三甲酯(9.30g，89.5mmol)，并使混合物升温至室温并在室温下搅拌12h。缓慢滴加50ml HCl，并用水对混合物进行萃取处理。在旋转蒸发器上除去溶剂，并且粗产物在无需进一步处理的条件下用于下一阶段。收率：S1q：11.9g(22.7mmol，34％)，S2q：6.98g(13.3mmol，20％)，由1H NMR确定的纯度为95％。
能够类似地制备如下化合物。提纯不仅能够通过柱层析来进行，还能够通过热萃取来进行。能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷来进行重结晶或热萃取，或使用高沸点物质如二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。/>
S1r：
初始装料通过S2k(9.16g，28.5mmol)、2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(8.40g，31.3mmol)[CAS-3842-55-5]和叔丁醇钠(3.00g，31.3mmol)在甲苯(250ml)中来形成。随后，加入三叔丁基膦四氟硼酸盐(580mg，2.0mmol)和Pd(OAc)2(224mg，1.0mmol)，并将反应溶液加热至沸腾并持续18h。将反应溶液冷却至室温，并通过旋转蒸发器除去溶剂。粗产物通过柱层析(正庚烷/乙酸乙酯)进行提纯。收率：9.48g(18.7mmol，66％)，由1H NMR确定的纯度为98％。
能够类似地制备如下化合物。所使用的催化剂体系也可以是P(tBu)3或S-Phos与Pd2(dba)3或Pd(OAc)2。提纯不仅能够通过柱层析实现，还可通过热萃取，或使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷的重结晶或热萃取，或使用高沸点物质如二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等的重结晶来实现。
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S1s：
将S3r(11.71g，33.3mmol)、邻硝基苯硼酸(6.63g，39.7mmol)[5570-19-4]和K3PO4在THF(300ml)和水(100ml)中的初始装料用氩气饱和30min。随后，添加X-Phos Pd G3(423mg，0.50mmol)[1445085-55-1]，并在回流下搅拌混合物16h。冷却后，通过抽吸过滤掉沉淀的固体，用水和乙醇洗涤，干燥。粗产物经柱层析进一步提纯。收率：5.70g(12.99mmol，39％)，1H NMR确定的纯度为95％。
能够类似地制备如下化合物。所使用的催化剂体系也可以是S-Phos或X-Phos与Pd(OAc)2或Pd2(dba)3。提纯不仅能够通过柱层析实现，还可通过热萃取实现。重结晶或热萃取能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷来进行，或重结晶能够使用高沸点物质如二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来实现。
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S1t+S2t：
除使用三苯基膦而不是三正丁基膦之外，重复了与S1k类似的程序。同分异构体混合物能够通过柱层析来进行提纯。收率：67％。
能够类似地制备如下化合物。能够通过柱层析进行提纯，或能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行重结晶。/>
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本发明的化合物的合成：
P1a：
向惰性气氛下的S10c(72.83g，100mmol)和K2CO3(41.46g，300mmol)的初始装料中添加DMAc(700ml)，并将混合物惰性化30min。随后，添加Pd(OAc)2(447mg，1.99mmol)和1,3-二(2,6-二异丙基苯基)-3H-咪唑-1-正离子氯化物(1.69g，3.98mmol)，并在150℃下将反应混合物搅拌16h。冷却后，将混合物倒入乙醇/水(1:1，600ml)中并进一步搅拌30min。通过抽吸过滤掉沉淀的固体并用水洗涤五次且用乙醇洗涤三次。粗产物用2-丙醇在回流下通过搅拌来进行萃取，用甲苯在氧化铝上进行碱热萃取三次，然后从DMAc中重结晶两次，最后在高真空下升华。收率：23.5g(34.0mmol，34％)；由HPLC确定的纯度：>99.9％。
能够类似地制备如下化合物。在此不仅可以使用1,3-二(2,6-二异丙基苯基)-3H-咪唑-1-正离子氯化物，而且还可以使用三叔丁基膦或三环己基膦作为配体，或者不仅使用Pd(OAc)2而且使用Pd2(dba)3作为Pd源。能够使用柱层析、热萃取或重结晶来进行提纯。重结晶或热萃取能够使用其他标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷来进行，或重结晶使用高沸点物质如二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行。/>
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P1b：
将S1q(52.44g，100mmol)、双(联苯-4-基)(4-溴苯基)胺(47.64g，100mmol)和K3PO4(63.79g，300mmol)在THF(1200ml)和水(300ml)中的初始装料用氩气惰性化30min。随后，依次添加Pd(OAc)2(448mg，2.00mmol)和X-Phos(1.99g，4.00mmol)，并将混合物在回流下搅拌16h。冷却后，通过抽吸过滤掉沉淀的固体，并用水和乙醇洗涤。粗产物在氧化铝上用邻二甲苯进行(碱性)热萃取四次，最后在高真空下升华。收率：54.58g(62.3mmol，62％)；由HPLC确定的纯度为：>99.9％。
能够类似地制备如下化合物。催化剂体系也可以是S-Phos或P(o-tol)3或P(tBu3)与Pd2(dba)3或Pd(OAc)2，或催化剂体系Pd(PPh3)4或Pd(PPh3)2Cl2。提纯能够通过柱层析、热萃取或重结晶来实现。重结晶或热萃取能够使用标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷来进行，或重结晶能够使用高沸点物质如二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行。/>
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P1c：
将S5t(38.27g，60.0mmol)、3-溴联苯(15.15g，65.0mmol)和叔丁醇钠(13.4g，139.1mmol)在邻二甲苯(500ml)中的初始装料用氩气惰性化30min。随后，添加XPhos Pd G3(1.70g，2.3mmol)，并将反应混合物在回流下搅拌18h。将反应混合物冷却至室温，并用甲苯/水进行萃取处理。将合并的有机相用Na2SO4干燥，并在旋转蒸发器上除去溶剂。粗产物经甲苯二次热萃取，然后从二甲基乙酰胺中重结晶二次，最后在高真空下升华。收率23.0g(29.1mmol，48.5％)；由HPLC确定的纯度为>99.9％
能够类似地制备如下化合物。所使用的催化剂体系也可以是Pd2(dba)3或Pd(OAc)2以及P(tBu3)或S-Phos。提纯能够通过柱层析、热萃取或重结晶来进行。重结晶或热萃取能够使用标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷来进行，或重结晶能够使用高沸点物质如二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行。/>
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P1d：
向S5d(20.85g，60.0mmol)和2-氯苯基喹喔啉(20.0g，60.0mmol)[CAS-7065-92-1]在DMF(400ml)中的初始装料中添加K3PO4(38.18g，180.0mmol)，并在回流下搅拌混合物24h。冷却后，在旋转蒸发器上除去溶剂，并且将残渣悬浮在乙醇和水中(各300ml)。过滤掉固体并用乙醇洗涤4次。粗产物用邻二甲苯热萃取两次，最后在高真空下升华。收率：8.3g(15.0mmol，25％)。
能够类似地制备如下化合物。所使用的碱也可以是氢化钠。提纯能够通过柱层析、热萃取或重结晶来进行。重结晶或热萃取能够使用标准溶剂如乙醇、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、四氢呋喃、乙酸正丁酯、1,4-二烷来进行，或重结晶能够使用高沸点物质如二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等来进行。
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OLED的制造
实施例V1至V7和E1a至E7b的预处理：
涂布有厚度为50nm的结构化ITO(氧化锡铟)的玻璃板在涂布之前，先用氧等离子体然后用氩等离子体进行处理。这些等离子处理过的玻璃板形成了施加OLED的基底。
OLED基本上具有如下层结构：基底/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/电子阻挡层(EBL)/发光层(EML)/任选的空穴阻挡层(HBL)/电子传输层(ETL)/任选的电子注入层(EIL)，最后是阴极。阴极由厚度为100nm的铝层形成。OLED的确切结构见表1和表3。制造OLED所需的材料，如果之前尚未描述，则示于表7中。表2和表4列出了OLED的器件数据。实施例V1至V7是比较例。实施例E1a和E1b、E2a-i、E3a-h、E4a-c、E5a、E6a-k、E7a、E7b显示了本发明的OLED的数据。
在真空室中通过热气相沉积来施加所有材料。在这种情况下，发光层总是由至少两种基质材料和发光掺杂剂(发光体)构成，所述发光掺杂剂以特殊的体积比例通过共蒸发而添加到所述基质材料中。以诸如P2a:H1:TE2(32％:60％:8％)的形式给出的细节在此处的意思是，材料P2a以32％的体积比例存在于所述层中，H1以60％的体积比例存在于所述层中并且TE2以8％的体积比例存在于所述层中。类似地，所述电子传输层也可由两种材料的混合物构成。
在1000cd/m2的亮度下测定电致发光光谱，并使用这些光谱来计算CIE 1931x和y颜色坐标。表2和表6中的参数U10是指电流密度为10mA/cm2所需的电压。EQE10表示在10mA/cm2时获得的外量子效率。将寿命LD定义为在以恒定电流密度j0工作的过程中亮度从起始亮度下降到特定比例L1所经历的时间，所述亮度是以cd/m2为单位在正向上测得的。表2中的L1＝80％的数字是指，LD列中报告的寿命对应于以cd/m2为单位的亮度下降到其起始值的80％所经历的时间。
表4中的参数U1000是指亮度为1000cd/m2所需的电压。EQE1000表示在1000cd/m2时获得的外量子效率。将寿命LD定义为在以恒定电流密度j0工作的过程中亮度从起始亮度下降到特定比例L1所经历的时间。表4中的L1＝95％的数字是指，LD列中报告的寿命对应于亮度下降到其起始值的95％所经历的时间。
本发明化合物在OLED中的用途
本发明的材料在实施例E1a和E1b、E2a-i、E3a-h、E4a-c、E6a-k、E7a、E7b在发绿色-或红色-磷光的OLED的发光层中用作基质材料，在实施例E5a中在发绿色磷光的OLED的空穴阻挡层中用作空穴阻挡材料。作为与现有技术的比较，在比较例V1至V7中，材料SdT1、SdT2和SdT3与主体材料H1、H2和H3或与主体材料E1和E2组合使用。在将本发明的实施例与相应的比较例进行比较时，很明显，本发明的实施例各自在OLED的寿命方面显示出明显的优势。
表1：绿色OLED的构造
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表2：绿色OLED的数据
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表3：红色LOED的构造
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表4：红色OLED的数据
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表5：所使用的OLED的材料(如果之前尚未描述)的结构式
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Claims (9)

1.一种式(1)化合物
其中所使用的符号如下：
X在各种情况下相同或不同，并且是CR或N，条件是每个环不超过两个X基团是N并且作为具有四个X基团的环的一部分的两个相邻X基团是C，其通过由*标识的键稠合到环上而形成芳族或杂芳族环系；
Y在各种情况下相同或不同并且是BR、C(R)2、C＝O、Si(R)2、Ge(R)2、NAr1、O、S、Se、SO、SO2、PR或P(＝O)R；
Y1在各种情况下相同或不同并且是BR、C(R)2、C＝O、Si(R)2、Ge(R)2、NAr1、O、S、Se、SO、SO2、PR或P(＝O)R；
Q在各种情况下相同或不同并且是CR或N，条件是每个环至多两个Q基团是N；
Ar1是具有6至40个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳族环系或具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的杂芳族环系；
R在各种情况下相同或不同，并且是：H，D，F，Cl，Br，I，N(Ar')2，N(R1)2，OAr'，SAr'，B(OR1)2，CHO，C(＝O)R1，CR1＝C(R1)2，CN，C(＝O)OR1，C(＝O)NR1，Si(R1)3，NO2，P(＝O)(R1)2，OSO2R1，OR1，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，SR1，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链的或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在各种情况下可被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-R1C＝CR1-、-C≡C-、Si(R1)2、NR1、CONR1、C＝O、C＝S、-C(＝O)O-、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2替代，或具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子且在各种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，其中键合到同一个环的两个或更多个R基团可一起形成可被一个或多个R1基团取代的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系，且其中键合到同一个碳、硅、锗或锡原子的两个R基团可一起形成可被一个或多个R1基团取代的单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；
Ar'在各种情况下相同或不同并且是具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
R1在各种情况下相同或不同，并且是：H，D，F，I，B(OR2)2，N(R2)2，CHO，C(＝O)R2，CR2＝C(R2)2，CN，C(＝O)OR2，Si(R2)3，NO2，P(＝O)(R2)2，OSO2R2，SR2，OR2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链的或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在各种情况下可被一个或多个R2基团取代，并且其中上述基团中的一个或多个CH2基团可被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝S、-C(＝O)O-、NR2、CONR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2替代，并且其中上述基团中的一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2替代，或具有5至30个芳族环原子且在各种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，其中两个或更多个R1基团可以一起形成脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；
R2在各种情况下相同或不同并且是：H，D，F，CN或具有1至20个碳原子的脂族、芳族或杂芳族有机基团，其中一个或多个氢原子也可被D或F替代；同时，两个或更多个R2取代基可相互连接并形成环。
2.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物选自式(2-1)至(2-3)的化合物：
其中所使用的符号具有权利要求1中所给出的定义。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，所述化合物选自式(3-1)至(3-3)的化合物：
其中所使用的符号具有权利要求1中所给出的定义。
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物，所述化合物选自式(3-1a)至(3-3a)的化合物：
其中所使用的符号具有权利要求1中所给出的定义。
5.一种制备根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物的方法，其特征在于如下步骤：
(A)合成式(1)的基础骨架；
(B)通过偶联和闭环反应而稠合在芳族或杂芳族环系上，其中形成根据式(1)的由*标识的键；或
(C)通过两个相应的芳族或杂芳族环系的偶联和闭环反应来形成式(1)的化合物。
6.一种制剂，所述制剂包含至少一种根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物和至少一种其他化合物和/或至少一种溶剂。
7.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求6所述的制剂在电子器件中的用途。
8.一种电子器件，所述电子器件包含至少一种根据权利要求1至5中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求5所述的制剂。
9.根据权利要求8所述的电子器件，所述电子器件为有机电致发光器件，其特征在于，根据权利要求1至3中的一项或多项的化合物在发光层中用作磷光或荧光发光体的基质材料或用作呈现TADF(热活化延迟荧光)的发光体的基质材料，或者用于电子传输层和/或空穴阻挡层和/或空穴传输层和/或电子阻挡层中。
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