TW202136471A - 有機電致發光裝置用的材料 - Google Patents

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賽巴斯汀 梅爾
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Abstract

本發明描述經缺電子雜芳基取代之二苯并呋喃衍生物，及包含該等化合物作為三重態基質材料之電子裝置，尤其是有機電致發光裝置。

Description

有機電致發光裝置用的材料
本發明描述經缺電子雜芳族系統取代之二苯并呋喃和二苯并噻吩衍生物，及包含此等化合物之電子裝置，尤其是包含此等化合物作為三重態基質材料之有機電致發光裝置。
磷光有機金屬錯合物通常係使用於有機電致發光裝置(OLED)中。一般而言仍需OLED之改良。磷光OLED之性質不只由所使用之三重態發光體決定。更特別地，所使用的其他材料(例如基質材料)在此亦是特別重要的。此等材料的改良亦可因此導致OLED性質的顯著改良。 根據先前技術，咔唑衍生物和二苯并呋喃衍生物(尤其是彼等經缺電子雜芳族系統(諸如三𠯤)取代者)為用於磷光發光體的基質材料之一，如例如WO 2015/169412中所揭示者。通常，仍需要改良關於此等材料類別之溶解度和壽命，尤其是當彼等從溶液處理時。本發明之目的因此為提供具有從溶液的良好加工性且作為從溶液製造之磷光OLED中的基質材料導致壽命改良之化合物。
令人驚訝地，已發現相較於先前技術，當用作為磷光摻雜劑之基質材料時，含有下述式(1)化合物之有機電致發光裝置具有高溶解度和高玻璃轉移溫度，因此具有很好的溶液加工性，及具有改良的壽命。 因此，本發明因此提供一種下列式(1)之化合物：
Figure 02_image001
其中所使用的符號和標號如下： Y1 在各情況下為相同或不同且為O或S； Y2 在各情況下為相同或不同且為NAr2 、O、S或CR2 ； Z　在各情況下為相同或不同且為CR或N，其先決條件為至少二個Z為N； Ar1 、Ar2 在各情況下為相同或不同且為具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R基團取代之芳族或雜芳族環系統； R　在各情況下為相同或不同且為H、D、F、Cl、Br、I、N(Ar')2 、N(R1 )2 、OAr'、SAr'、CN、NO2 、OR1 、SR1 、COOR1 、C(=O)N(R1 )2 、Si(R1 )3 、B(OR1 )2 、C(=O)R1 、P(=O)(R1 )2 、S(=O)R1 、S(=O)2 R1 、OSO2 R1 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有2至20個碳原子之烯基或炔基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中該烷基、烯基或炔基在各情況下可經一或多個R1 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經Si(R1 )2 、C=O、NR1 、O、S或CONR1 置換、或具有5至60個芳族環原子(較佳5至40個芳族環原子)且在各情況下可經一或多個R1 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二個R基團也可一起形成環系統； Ar'　在各情況下為相同或不同且為具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R1 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子之二個Ar'基團可彼此以單鍵或選自N(R1 )、C(R1 )2 、O和S之橋橋聯； R1 在各情況下為相同或不同且為H、D、F、Cl、Br、I、N(R2 )2 、CN、NO2 、OR2 、SR2 、Si(R2 )3 、B(OR2 )2 、C(=O)R2 、P(=O)(R2 )2 、S(=O)R2 、S(=O)2 R2 、OSO2 R2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有2至20個碳原子之烯基或炔基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中該烷基、烯基或炔基可各自經一或多個R2 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經Si(R2 )2 、C=O、NR2 、O、S或CONR2 置換及其中該烷基、烯基或炔基中之一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換、或具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或更多個R1 基團一起可形成脂族環系統； R2 在各情況下為相同或不同且為H、D、F、CN或具有1至20個碳原子之脂族、芳族或雜芳族有機基，尤其是烴基，其中一或多個氫原子也可經F置換； p、q、r　在各情況下為相同或不同且為0、1、2或3； s　在各情況下為相同或不同且為0、1、2、3或4。 芳基在本發明的情況下含有6至40個碳原子；雜芳基在本發明的情況下含有從2至40個碳原子及至少一個雜原子，其先決條件為碳原子和雜原子的總數為至少5。雜原子較佳係選自N、O及/或S。芳基或雜芳基在此係理解意指簡單芳族環(即苯)或簡單雜芳族環(例如吡啶、嘧啶、噻吩、等等)，或稠合(環化(annelated))芳基或雜芳基(例如萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉、等等)。相比之下，以單鍵彼此連接的芳族系統(例如聯苯)不稱為芳基或雜芳基，而是稱為芳族環系統。 芳族環系統在本發明的情況下在環系統中含有6至40個碳原子。雜芳族環系統在本發明的情況下在環系統中含有2至39個碳原子，及至少一個雜原子，其先決條件為碳原子和雜原子的總數為至少5。雜原子較佳係選自N、O及/或S。芳族或雜芳族環系統在本發明的情況下應理解為意指其不一定只含芳基或雜芳基，而是其中亦可能二或更多個芳基或雜芳基藉由非芳族單元(例如碳、氮或氧原子)連接之系統。此等同樣應理解為意指其中二或更多個芳基或雜芳基彼此直接連接之系統，例如聯苯、聯三苯、聯吡啶或苯基吡啶。例如，系統諸如茀、9,9'-螺二茀、9,9-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、茋、等等亦應視為在本發明的情況下之芳族環系統，及其中二或更多個芳基係例如藉由短烷基連接之系統也一樣。較佳芳族或雜芳族環系統為簡單芳基或雜芳基或其中二或更多個芳基或雜芳基彼此直接連接之基團，例如，聯苯或聯吡啶，以及茀或螺二茀。 在本發明的情況下，術語“烷基”係用作為直鏈、支鏈或環狀烷基的總稱。類似地，術語“烯基”和“炔基”係分別用作為支鏈和環狀烯基和炔基的總稱。 在本發明的情況下，可含有1至40個碳原子且其中個別氫原子或CH2 基團也可經在上述基團取代之脂族烴基或烷基或、烯基或炔基較佳係理解為意指甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、新戊基、環戊基、正己基、新己基、環己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。具有1至40個碳原子之烷氧基OR1 較佳係理解為意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基和2,2,2-三氟乙氧基。具有1至40個碳原子之烷硫基SR1 係理解為意指尤其是甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。通常，根據本發明之烷基、烷氧基或烷硫基可為直鏈、支鏈或環狀，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經上述基團置換；此外，一或多個氫原子也可能經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 ，較佳F、Cl或CN，更佳F或CN置換。 具有5-40個芳族環原子且在各情況下亦可經上述R2 基團或烴基取代並可經由任何所要位置連接於芳族或雜芳族系統之芳族或雜芳族環系統係理解為意指尤其是衍生自下列之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、芘、
Figure 109144067-A0304-12-0000-3
(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯并芘、聯苯、伸聯苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、伸聯三苯(triphenylene)、茀、螺二茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并茀、順-或反-茚并咔唑、順-或反-吲哚并咔唑、三聚茚(truxene)、異三聚茚(isotruxene)、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、菲并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡𠯤并咪唑(pyrazinimidazole)、喹㗁啉并咪唑(quinoxalinimidazole)、㗁唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑(naphthoxazole)、蒽并㗁唑(anthroxazole)、菲并㗁唑(phenanthroxazole)、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒𠯤、六氮雜伸聯三苯(hexaazatriphenylene)、苯并嗒𠯤、嘧啶、苯并嘧啶、喹㗁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡𠯤、啡𠯤、啡㗁𠯤、啡噻𠯤、熒紅環(fluorubine)、㖠啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、喋啶、吲
Figure 109144067-A0101-12-0029-1
和苯并噻二唑，或衍生自此等系統的組合之基團。 二或更多個基團一起可形成環系統的用語係理解為意指形成脂族、雜脂族、芳族或雜芳族環系統，且，在本說明的情況下，應理解為意指尤其是二個基團以化學鍵彼此連接且形式上消去二個氫原子。此以下列圖示說明：
Figure 02_image003
。 然而，此外，上述規劃也應理解為意指：若二基團中之一者為氫，則第二基團鍵結於氫原子所鍵結之位置，且形成環。此以下列圖示說明：
Figure 02_image005
。 在本發明之一較佳實施態樣中，併入式(1)中之基團
Figure 02_image007
， 係選自下列基團(HetAr-1)、(HetAr-2)和(HetAr-3)：
Figure 02_image009
其中Ar1 具有上述給出的定義及虛線鍵表示在式(1)化合物內的此基團的鍵聯。 在本發明之一較佳實施態樣中，三個Z基團全部為N，並因此該化合物為下列式(2)中之一者：
Figure 02_image011
其中所使用的符號和標號具有上述給出的定義。 在本發明之另一較佳實施態樣中，Y1 為O，並因此該化合物為下列式(3)中之一者：
Figure 02_image013
其中所使用的符號和標號具有上述給出的定義。 在本發明之另一較佳實施態樣中，Y2 為NAr2 ，並因此該化合物為下列式(4)中之一者：
Figure 02_image015
其中所使用的符號和標號具有上述給出的定義。 當Y2 為NAr2 及咔唑基團具有彼此形成環系統之至少二個相鄰的R基團時，較佳咔唑基團係選自下列式(CARB-1)至(CARB-6)之基團：
Figure 02_image017
Figure 02_image019
其中該等結構可各自在咔唑上經一或多個R基團取代及在稠合結構上經一或多個R1 基團取代，但較佳係未經取代，Y3 為C(R1 )2 、NR1 、O或S，較佳C(R1 )2 或NR1 及更佳C(R1 )2 ，且該等結構係經由虛線鍵連接至二苯并呋喃或二苯并噻吩。 在本發明之另一較佳實施態樣中，所有Z為N，且同時所有Y1 為O。在本發明之又另一較佳實施態樣中，所有Z為N，且同時所有Y2 為NAr2 。在本發明之又另一較佳實施態樣中，所有Y1 為O，且同時所有Y2 為NAr2 。在本發明之一特佳實施態樣中，所有Z為N，且同時所有Y1 為O，且同時所有Y2 為NAr2 ，使得化合物為下列式(5)中之一者：
Figure 02_image021
其中所使用的符號和標號具有上述給出的定義。 含有Y1 (即二苯并呋喃或二苯并噻吩)之基團的鍵聯較佳經由8位置(即Y1 之對位的位置)。此外，含有Y2 之基團的鍵聯，當Y2 =NAr2 時，較佳經由3位置，且當Y2 =O或S時，經由2位置，即在各情況下經由Y2 之對位的位置及當Y2 =CR2 時，經由2位置。 二苯并呋喃和咔唑之編號係顯示於下述圖式中，二苯并噻吩之編號類似於二苯并呋喃及茀之編號類似於咔唑：
Figure 02_image023
式(1)至(5)化合物之較佳實施態樣為下列式(1a)至(5a)化合物：
Figure 02_image025
Figure 02_image027
Figure 02_image029
其中所使用的符號和標號具有上述給出的定義。 在式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(1a)、(2a)、(3a)、(4a)和(5a)之化合物的另一較佳實施態樣中，p、q和r在各情況下為相同或不同且為0或1，及更佳為0。在式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(1a)、(2a)、(3a)、(4a)和(5a)之化合物的又另一較佳實施態樣中，s在各情況下為相同或不同且為0、1或2，更佳為0或1，及最佳為0。 特佳者因此為下列式(6)之化合物：
Figure 02_image031
其中所使用的符號具有上述給出的定義及s在各情況下為相同或不同且為0或1。 一特佳實施態樣為下列式(6a)之化合物：
Figure 02_image033
其中所使用的符號具有上述給出的定義及s在各情況下為相同或不同且為0或1，較佳為0。 在本發明之另一較佳實施態樣中，Ar1 ，即三𠯤或嘧啶上之取代基，在各情況下為相同或不同且為具有6至30個芳族環原子且可經一或多個R基團取代之芳族或雜芳族環系統。更佳地，Ar1 在各情況下為相同或不同且為芳族或雜芳族環系統，尤其是芳族環系統，其具有6至24個芳族環原子，尤其是6至13個芳族環原子，且可經一或多個(較佳非芳族)R基團取代。當Ar1 為雜芳基(尤其是三𠯤、嘧啶、喹唑啉或咔唑)時，較佳者亦可為在此雜芳基上之芳族或雜芳族取代基R。 適當芳族或雜芳族環系統Ar1 在各情況下為相同或不同且係選自苯基、聯苯(尤其是鄰、間或對-聯苯)、聯三苯(尤其是鄰、間或對-聯三苯或支鏈聯三苯)、聯四苯(尤其是鄰、間或對-聯四苯或支鏈聯四苯)、可經由1、2、3或4位置連接之茀、可經由1、2、3或4位置連接之螺二茀、可經由1或2位置連接之萘、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、可經由1、2、3或4位置連接之咔唑、可經由1、2、3或4位置連接之二苯并呋喃、可經由1、2、3或4位置連接之二苯并噻吩、茚并咔唑、吲哚并咔唑、菲、伸聯三苯或此等基團中之二或三者的組合，彼等各自可經一或多個R基團(較佳非芳族R基團)取代。當Ar1 為雜芳基(尤其是三𠯤、嘧啶、喹唑啉或咔唑)時，較佳者亦可為在此雜芳基上之芳族或雜芳族R基團。 Ar1 在此較佳在各情況下為相同或不同且係選自下列式Ar-1至Ar-81之基團：
Figure 02_image035
Figure 02_image037
Figure 02_image039
Figure 02_image041
Figure 02_image043
其中R係如上所定義，虛線鍵表示連接至雜芳基的鍵及，此外： A1 在各情況下為相同或不同且為CR2 、NR、O或S； Ar3 在各情況下為相同或不同且為具有6至18個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R基團取代之二價芳族或雜芳族環系統； n　為0或1，其中其中n=0意指沒有A1 基團鍵結在此位置且R基團替代地鍵結至對應碳原子； m　為0或1，其中m=0意指Ar3 基團為不存在且對應芳族或雜芳族基團係直接鍵結至為式(1)中之三𠯤或嘧啶基團。 特佳Ar1 基團係選自由下列所組成之群組：1-二苯并呋喃基(即式Ar-16之基團且A1 =O及m=0)、苯基-1-二苯并呋喃基(即式Ar-16之基團且A1 =O，m=1及Ar3 =對-伸苯基)、苯基、鄰-聯苯、間-聯苯、對-聯苯、聯四苯、對-三級丁基苯基、萘基、茀基，尤其是9,9-二甲基-2-茀基、及1-二苯并噻吩基。 在本發明之另一較佳實施態樣中，Ar2 (即在咔唑上之取代基)，當Y2 =NAr2 時，在各情況下為相同或不同且為具有6至30個芳族環原子且可經一或多個R基團取代之芳族或雜芳族環系統。更佳地，Ar2 在各情況下為相同或不同且為芳族或雜芳族環系統，尤其是芳族環系統，其具有6至24個芳族環原子，尤其是6至13個芳族環原子，且可經一或多個(較佳非芳族)R基團取代。當Ar2 為雜芳基(尤其是三𠯤、嘧啶、喹唑啉或咔唑)時，較佳者亦可為在此雜芳基上之芳族或雜芳族取代基R。 適當芳族或雜芳族環系統Ar2 在各情況下為相同或不同且係選自苯基、聯苯(尤其是鄰、間或對-聯苯基、聯三苯(尤其是鄰、間或對-聯三苯或支鏈聯三苯)、聯四苯(尤其是鄰、間或對-聯四苯或支鏈聯四苯)、可經由1、2、3或4位置連接之茀、可經由1、2、3或4位置連接之螺二茀、可經由1或2位置連接之萘、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、可經由1、2、3或4位置連接之咔唑、可經由1、2、3或4位置連接之二苯并呋喃、可經由1、2、3或4位置連接之二苯并噻吩、茚并咔唑、吲哚并咔唑、菲、伸聯三苯或此等基團中之二或三者的組合，彼等各自可經一或多個R基團(較佳非芳族R基團)取代。當Ar2 為雜芳基(尤其是三𠯤、嘧啶、喹唑啉或咔唑)時，較佳者亦可為在此雜芳基上之芳族或雜芳族R基團。 Ar2 在此較佳為在各情況下為相同或不同且係選自上文詳細的式Ar-1至Ar-81之基團。 特佳Ar2 基團係選自由下列所組成之群組：1-二苯并呋喃基(即式Ar-16之基團且A1 =O及m=0)、苯基-1-二苯并呋喃基(即式Ar-16之基團且A1 =O，m=1及Ar3 =對-伸苯基)、苯基、鄰-聯苯、間-聯苯、對-聯苯、鄰-對-聯三苯、聯四苯、對-三級丁基苯基、伸聯三苯和N-苯基-3-咔唑基。 在本發明之一較佳實施態樣中，R在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、N(Ar')2 、CN、OR1 、具有1至10個碳原子之直鏈烷基或具有2至10個碳原子之烯基或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中該烷基或烯基可各自經一或多個R1 基團取代，但較佳係未經取代，且其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經O置換、或具有6至30個芳族環原子，且在各情況下可經一或多個R1 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二個R基團一起也可形成脂族、芳族或雜芳族環系統。更佳地，R在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、N(Ar')2 、具有1至6個碳原子，尤其是具有1、2、3或4個碳原子之直鏈烷基、或具有3至6個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基在各情況下可經一或多個R1 基團取代，但較佳係未經取代、或具有6至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R1 基團(較佳非芳族R1 基團)取代之芳族或雜芳族環系統。最佳地，R在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H或具有6至24個芳族環原子，較佳6至18個芳族環原子，更佳6至13個芳族環原子，且在各情況下可經一或多個R1 基團(較佳非芳族R1 基團)取代之芳族或雜芳族環系統。 在本發明之另一較佳實施態樣中，Ar’為具有6至30個芳族環原子且可經一或多個R1 基團取代之芳族或雜芳族環系統。在本發明之一特佳實施態樣中，Ar’為具有6至24個芳族環原子，甚至更佳6至18個芳族環原子，尤其是6至13個芳族環原子，且可經一或多個(較佳非芳族)R1 基團取代之芳族或雜芳族環系統。 適當芳族或雜芳族環系統R或Ar'係選自苯基、聯苯(尤其是鄰-、間-或對-聯苯)、聯三苯(尤其是鄰-、間-或對-聯三苯、或支鏈聯三苯)、聯四苯(尤其是鄰-、間-或對-聯四苯、或支鏈聯四苯)、可經由1、2、3或4位置連接之茀、可經由1、2、3或4位置連接之螺二茀、可經由1或2位置連接之萘、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、可經由1、2、3或4位置連接之咔唑、可經由1、2、3或4位置連接之二苯并呋喃、可經由1、2、3或4位置連接之二苯并噻吩、茚并咔唑、吲哚并咔唑、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤、三𠯤、喹啉、喹唑啉、苯并咪唑、菲、伸聯三苯或此等基團中之二或三者的組合，其各者可經一或多個非芳族R1 基團取代。當R或Ar'為雜芳基(尤其是三𠯤、嘧啶或喹唑啉)時，較佳者亦可為在此雜芳基上之芳族或雜芳族R1 基團。 R基團在此，當彼等為芳族或雜芳族環系統時，或Ar'較佳係選自下列式R-1至R-81之基團：
Figure 02_image045
Figure 02_image047
Figure 02_image049
Figure 02_image051
Figure 02_image053
其中R1 具有上述給出的定義，虛線鍵表示連接至式(1)中基本骨架的鍵或連接至Ar1 或Ar2 的鍵或連接至N(Ar')2 基團中之氮原子及，此外： A1 在各情況下為相同或不同且為C(R1 )2 、NR1 、O或S； Ar3 在各情況下為相同或不同且為具有6到18個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R1 基團取代之二價芳族或雜芳族環系統； n　　為0或1，其中n=0意指沒有A1 基團鍵結至此位置且R1 基團替代地鍵結至對應碳原子； m　為0或1，其中m=0意指Ar3 基團不存在且對應芳族或雜芳族基團係直接鍵結至式(1)或較佳實施態樣中之基本骨架，或鍵結至N(Ar')2 基團中之氮原子；其先決條件為當此等基團為Ar'之實施態樣時，關於該等結構(R-12)、(R-17)、(R-21)、(R-25)、(R-26)、(R-30)、(R-34)、(R-38)和(R-39)之m=1。 當上述基團關於Ar1 或Ar2 之Ar-1至Ar-81或關於R或Ar'之R-1至R-81基團具有二或更多個A1 基團時，此等的可能選項包括來自A1 之定義的所有組合。在該情況下較佳實施態樣為彼等其中一個A1 基團為NR或NR1 及其他A1 基團為C(R)2 或C(R1 )2 或其中二個A1 基團皆為NR或NR1 或其中二個A1 基團二個為O。在本發明之一特佳實施態樣中，在具有二或更多個A1 基團之Ar1 、Ar2 、R或Ar'基團中，至少一個A1 基團為C(R)2 或C(R1 )2 或為NR或NR1 。 當A1 為NR或NR1 時，鍵結至氮原子之取代基R或R1 較佳為具有5至24個芳族環原子且也可經一或多個R1 或R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統。在一特佳實施態樣中，此R或R1 取代基在各情況下為相同或不同且為具有6至24個芳族環原子，較佳6至12個芳族環原子，且其沒有任何其中二或多個芳族或雜芳族6員環基團彼此直接稠合的稠合芳基或雜芳基之基芳族或雜芳族環系統，且其在各情況下也可經一或多個R1 或R2 基團取代。特佳者為具有上列關於Ar-1或Ar-11或R-1至R-11的鍵結模式之苯基、聯苯、聯三苯和聯四苯，其中此等結構可經一或多個R1 或R2 基團取代，但較佳係未經取代。 當A1 為C(R)2 或C(R1 )2 時，鍵結至此碳原子之取代基R或R1 較佳在各情況下為相同或不同且為具有1至10個碳原子之直鏈烷基或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基或具有5至24個芳族環原子且也可經一或多個R1 或R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統。最佳地，R或R1 為甲基或苯基。在此情況下，R或R1 基團一起也可能形成環系統，其導致螺旋系統。 在本發明之另一較佳實施態樣中，R1 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、D、F、CN、OR2 、具有1至10個碳原子之直鏈烷基或具有2至10個碳原子之烯基或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中該烷基或烯基在各情況下係經一或多個R2 基團取代，及其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經O置換、或具有6至30個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或更多個R1 基團一起可形成脂族環系統。在本發明之一特佳實施態樣中，R1 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：H、具有1至6個碳原子，尤其是具有1、2、3或4個碳原子之直鏈烷基、或具有3至6個碳原子的支鏈或環狀烷基，其中該烷基可經一或多個R2 基團取代，但較佳係未經取代、或具有6至24個芳族環原子，較佳6至18個芳族環原子，更佳6至13個芳族環原子，且在各情況下可經一或多個R2 基團取代，但較佳係未經取代之芳族或雜芳族環系統。 在本發明之另一較佳實施態樣中，R2 在各情況下為相同或不同且為H、F、具有1至4個碳原子之烷基或具有6至10個碳原子的芳基，其可經具有1至4個碳原子之烷基取代，但較佳係未經取代。 上述較佳選擇可單獨出現或一起出現。較佳的是上述較佳選擇同時出現。 本發明之適當化合物的實例為下述該等結構：
Figure 02_image055
Figure 02_image057
Figure 02_image059
Figure 02_image061
Figure 02_image063
Figure 02_image065
本發明化合物可藉由熟習該項技術者已知的合成步驟製備，例如溴化、Suzuki偶合、Ullmann偶合、Hartwig-Buchwald偶合、等等。適當合成方法係概括地顯示於下述流程1中，其中所使用的符號和標號具有上述給出的定義。本發明化合物在此可在Suzuki偶合中藉由與1-二苯并呋喃硼酸或其酯反應而從Ar1 -官能化之二氯嘧啶或-三𠯤製備。該反應可如流程1中所示以兩步驗進行，或者當使用相同取代的1-二苯并呋喃硼酸或-硼酸酯時以一步驗進行。Suzuki偶合可在非質子溶劑(例如甲苯、二㗁烷、DHF、DMF、DMSO)中或並添加質子溶劑(例如醇、水)進行。所使用之觸媒通常為Pd觸媒或Pd化合物(乙酸鈀、Pd-dba、等等)和膦(三苯膦、三鄰甲苯膦、S-Phos、X-Phos、BINAP、DPPF、Xanth-Phos、等等)。用於偶合反應的鹼包括無機鹽(碳酸鈉、碳酸鉀或碳酸銫、磷酸鈉、磷酸鉀或磷酸銫、氟化鈉、氟化鉀或氟化銫、硼酸鈉、硼酸鉀或硼酸銫)及其水合物。
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即使本發明化合物也可在減壓下藉由氣相沈積來處理，但本發明的主要目的為提供用於例如藉由旋轉塗布或藉由印刷方法從液相處理之化合物。為此目的，需要根據本發明化合物之調配物。此等調配物可為例如溶液、分散液或乳液，較佳為溶液。為此目的，較佳可為使用二或更多種溶劑之混合物。適當且較佳的溶劑為(例如)甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、對稱三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(尤其是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、NMP、對-異丙基甲苯、苯基乙基醚、1,4-二異丙基苯、二苄基醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷、2-甲基聯苯、3-甲基聯苯、1-甲基萘、1-乙基萘、辛酸乙酯、癸二酸二乙酯、辛酸辛酯、庚基苯、異戊酸薄荷酯、己酸環己酯、烷氧基取代之苯甲酸乙酯(尤其是苯甲酸2-甲氧基乙酯和苯甲酸4-甲氧基乙酯)、烷基取代之苯甲酸乙酯(尤其是苯甲酸2-甲基乙酯和苯甲酸4-甲基乙酯)、碳酸伸丙酯、碳酸伸乙酯、異丙基聯苯(尤其是2-異丙基聯苯、3-異丙基聯苯和2,2‘-二異丙基聯苯)、苯甲酸戊酯、苯甲酸異戊酯、1-異丙基萘、2-異丙基萘、1-異丙基萘、二異丙基萘、苯甲酸苄酯或此等溶劑之混合物。 本發明因此另外提供一種調配物，其包含至少一種本發明化合物及至少一種其他化合物。其他化合物可為(例如)溶劑，尤其是上述溶劑中之一者或這些溶劑的混合物。其他化合物或者可為同樣使用於電子裝置之至少一種其他有機或無機化合物，例如發光化合物及/或其他基質材料。適當發光化合物和其他基質材料係列於後文有關有機電致發光裝置處。此其他化合物亦可為聚合的。 本發明化合物係適合使用於電子裝置，尤其是使用於有機電致發光裝置。本發明因此另外提供本發明化合物在電子裝置的用途，尤其是在有機電致發光裝置的用途。 本發明另外又提供一種包含至少一種本發明化合物之電子裝置。 一種電子裝置在本發明的情況下為包含至少一個包含至少一種有機化合物之層的裝置。此組件亦可包含無機材料或者完全由無機材料形成之層。電子裝置較佳係選自由下列組成的群組：有機電致發光裝置(OLED)、有機積體電路(O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電池(O-SC)、有機染料敏化太陽能電池(DSSC)、有機光學偵測器、有機感光器(photoreceptor)、有機場淬滅裝置(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和有機電漿子發射裝置，但較佳為有機電致發光裝置(OLED)，更佳為磷光OLED。 有機電致發光裝置包含陽極、陰極及至少一個發光層。除了此等層以外，有機電致發光裝置亦可包含其它層，例如在各情況下一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、及/或電荷產生層。同樣可能在二個發光層之間引入具有(例如)激子阻擋功能之中間層。然而，應指出的是此等層各者不一定必須存在。在此情況下，有機電發致光裝置可能含有一發光層，或其可能含有多個發光層。若存在多個發光層，則此等較佳地具有總計數個在380 nm和750 nm之間的發光最大值，使得整體導致白色發光；換句話說，將可發螢光或磷光的各種發光化合物使用於發光層中。尤佳者為具有三個發光層之系統，其中該三層呈現藍色、綠色及橙色或紅色發光。本發明之有機電致發光裝置也可為串聯式OLED(tandem OLED)，尤其是發白光的OLED。 根據以上詳述之實施態樣的本發明化合物可使用於不同層中。較佳者為一種有機電致發光裝置，其在發光層中包含式(1)或上述較佳實施態樣之化合物作為用於磷光發光體或用於呈現TADF(熱活化延遲螢光)的發光體，尤其是用於磷光發光體之基質材料。在此情況下，有機電致發光裝置可含有一發光層，或其可含有多個發光層，其中至少一個發光層含有至少一種本發明化合物作為基質材料。此外，本發明化合物也可使用於電子傳輸層及/或電洞阻擋層中。 當本發明化合物用作為發光層中之磷光化合物的基質材料時，其較佳與一或多種磷光材料(三重態發光體)組合使用。磷光在本發明的情況下係理解為意指從具有較高自旋多重性(即，自旋態＞1)的激發態(尤其是從激發三重態)之發光。在本申請案的情況下，所有具有過渡金屬或鑭系元素之發光錯合物(尤其是所有銥、鉑和銅錯合物)應視為磷光化合物。 上述發光體的實例可見於下列申請案：WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US 2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO 2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO 2014/094961、WO 2014/094960、WO 2015/036074、WO 2015/104045、WO 2015/117718、WO 2016/015815、WO 2016/124304、WO 2017/032439、WO 2018/011186和WO 2018/041769、WO 2019/020538、WO 2018/178001、WO 2019/115423或WO 2019/158453。通常，如根據先前技術使用於磷光OLED且如熟習有機電致發光領域之技術者已知的所有磷光錯合物都適合，且熟習該項技術者將能夠在沒有行使發明性技術下使用其他磷光錯合物。 磷光摻雜劑的實例舉例如下。
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當有機電致發光裝置係從溶液製造時，主體全部(含有本發明化合物)和發光化合物的混合物含有介於99重量%和1重量%之間，較佳介於97重量%和50重量%之間，更佳介於96重量%和60重量%及尤佳介於95重量%和75重量%之間的含有本發明化合物之主體。對應地，以發光體和所有基質材料之整體混合物為基準計，該混合物含有介於1重量%和99重量%之間，較佳介於3重量%和50重量%之間，更佳介於5重量%和40重量%及尤其是介於5重量%和25重量%之間的發光體。 如下文更詳細地闡述者，主體材料也可為二或更多種材料的混合物，其中至少一種為本發明化合物。本發明主體材料的比例，即式(1)或較佳實施態樣之化合物的比例，在此以發光層的所有組分為基準計為介於99重量%和1重量%之間，較佳介於95重量%和10重量%之間，更佳介於80重量%和20重量%及最佳介於70重量%和25重量%之間。 當有機電致發光裝置係藉由氣相沈積製造時，以發光體和基質材料之整體混合物為基準計，本發明化合物和發光化合物的混合物含有介於99體積%和1體積%之間，較佳介於98體積%和10體積%之間，更佳介於97體積%和60體積%及尤其是介於95體積%和80體積%之間的本發明化合物。對應地，以發光體和基質材料之整體混合物為基準計，該混合物含有介於1體積%和99體積%之間，較佳介於2%和90%之間，更佳介於3體積%和40體積%及尤其是介於5體積%和20體積%之間的發光體。 本發明之另一較佳實施態樣為本發明化合物與其他基質材料組合作為磷光發光體之基質材料的用途。可與本發明化合物組合使用之適當基質材料為芳族酮、芳族膦氧化物或芳族亞碸或碸(例如，根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如CBP(N,N-雙咔唑基聯苯)或WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或WO 2013/041176中揭示的咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚并咔唑衍生物(例如根據WO 2010/136109、WO 2011/000455、WO 2013/041176或WO 2013/056776)、氮雜咔唑衍生物(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/111172)、氮硼雜環戊烯(azaborole)或硼酸酯(例如根據WO 2006/117052)、三𠯤衍生物(例如根據WO 2007/063754、WO 2008/056746、WO 2010/015306、WO 2011/057706、WO 2011/060859或WO 2011/060877)、Zn錯合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)或四氮雜矽雜環戊二烯衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物(例如根據WO 2010/054730)、橋連之咔唑衍生物(例如根據WO 2011/042107、WO 2011/060867、WO 2011/088877和WO 2012/143080)、伸聯三苯衍生物(例如，根據WO 2012/048781)、二苯并呋喃衍生物(例如，根據WO 2015/169412、WO 2016/015810、WO 2016/023608、WO 2017/148564或WO 2017/148565)、或二苯并噻吩衍生物。 在比實際發光體更短波長的發光的其他磷光發光體同樣可能以共主體形式存在於該混合物中。例如，當要構造紅色發光OLED時，除了紅色磷光發光體之外，可能使用綠色磷光發光體。 此外，可能使用不顯著(如果有的話)參與電荷傳輸之化合物作為額外“寬帶隙”基質材料，如例如WO 2010/108579、WO 2016/184540或尚未公開的申請案EP 19152285.3中所述。在本發明之一較佳實施態樣中，寬帶隙材料為烴，即不含雜原子。 寬帶隙基質材料在本發明的情況下，在所使用的發光層混合物中，特徵為HOMO比混合物(發光體和主體材料)中存在的所有其他材料之最高HOMO低至少0.2 eV，及LUMO比混合物(發光體和主體材料)中存在的所有其他材料之最低LUMO高至少0.2 eV之材料。 報告的能量值關於分離之化合物，並按以下說明確定。 該等材料之HOMO(最高占用分子軌域)及LUMO(最低未佔用分子軌域)能及三重態能階係經由量子-化學計算判定。為此目的，在本情況下，使用“Gaussian09，修訂本D.01”套裝軟體(Gaussian Inc.)。或者可能使用其他套裝軟體，只要其中已實施相同方法即可。為了計算沒有金屬之有機物質，首先藉由半經驗方法AM1(高斯輸入列“#AM1 opt”)以電荷0和多重性1進行幾何形狀最佳化。接著根據最佳化幾何形狀，進行電子基態和三重態能階之(單點)能量計算。此係使用TDDFT(含時密度函數理論)方法B3PW91與“6-31G(d)”基組(高斯輸入列“#B3PW91/6-31G(d)td=(50-50，nstates=4)”)(電荷0，多重性1)進行。就有機金屬化合物而言，藉由Hartree-Fock方法和LanL2MB基組(高斯輸入列“#HF/LanL2MB opt”)(電荷0，多重性1)將幾何形狀最佳化。如上所述，類似於有機物質進行能量計算，不同之處在於“LanL2DZ”基組係用於金屬原子，及“6-31G(d)”基組係用於配位基(高斯輸入列“#B3PW91/gen pseudo=lan12 td=(50-50，nstates=4)”)。從該能量計算，獲得以哈崔單位(HEh及LEh)表示為被兩個電子佔用之最終軌域的HOMO(alpha occ.特徵值)以及為第一個未被佔用軌域之LUMO(alpha virt.特徵值)。此用以測定藉由循環伏安法測量校準之HOMO和LUMO值(以電子伏特表示)如下： LUMO(eV)=(1.0658*LEh*27.212)-0.5049 HOMO(eV)=(0.8308*HEh*27.212)-1.1180 在本申請案的情況下，該等值係視為材料之HOMO或LUMO。 適當寬帶隙材料的實例為該等下表中所示之結構：
Figure 02_image093
Figure 02_image095
Figure 02_image097
此外，也可將本發明化合物使用於電洞阻擋及/或電子傳輸層中。 在本發明之有機電致發光裝置的其他層中，可能使用如根據先前技術通常使用的任何材料。熟習該項技術者因此能夠在不行使發明性技術的情況下將任何已知用於有機電致發光裝置的材料與本發明式(1)或根據較佳實施態樣之化合物組合使用。 額外較佳的是一種有機電致發光裝置，其特徵在於以昇華方法施加一或多層。在此情況下，該等材料係在真空昇華系統中在低於10-5 毫巴，較佳低於10-6 毫巴之初壓力下以氣相沈積施加。然而，初壓力也可能甚至更低或更高，例如低於10-7 毫巴。 同樣較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於以OVPD(有機氣相沈積)方法或輔以載體氣體昇華法施加一或多層。在此情況下，該等材料係在介於10-5 毫巴與1巴之間的壓力下施加。此方法的一特殊例子為OVJP(有機氣相噴墨印刷)方法，其中該等材料係以噴嘴直接施加且因此結構化(例如，M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301)。 另外較佳者為一種有機電致發光裝置，其特徵在於例如以旋轉塗布或以任何印刷方法(例如噴墨印刷、LITI(光誘導熱成像、熱轉移印刷)、網版印刷、快乾印刷、平版印刷或噴嘴印刷)從溶液製造一或多層。已經發現本發明化合物特別適合於從溶液處理。 此外，混合方法也是可能的，其中，例如，從溶液施加一或多層及藉由氣相沈積施加一或多個其他層。例如，可能從溶液施加發光層及可能藉由氣相沈積施加電子傳輸層。 這些方法為熟習該項技術者一般已知的且熟習該項技術者在不行使發明性技術的情況下應用於包含本發明化合物之有機電致發光裝置。 本發明化合物具有用於從溶液處理之非常好的適合性。同時，彼等在標準有機溶劑中具有非常好的溶解性和高玻璃轉移溫度。相較於先前技術化合物，尤其是相較於三𠯤上只含有一個二苯并呋喃-咔唑單元之化合物或相較於其中三𠯤經二或更多個1-二苯并呋喃基團取代但只有一個二苯并呋喃基團經一個咔唑基團取代之化合物，將本發明化合物用作從溶液製造的有機電致發光裝置中之磷光發光體的基質材料導致有機電致發光裝置之壽命的顯著改良。同時，有機電致發光裝置之其他性質，尤其是效率和電壓，是可比的或更佳的。 現在藉由下列實施例更詳細地說明本發明，而不希望因此限制本發明。
實施例 除非另有說明，否則下列合成係在保護氣體氛圍下於乾燥溶劑中進行。該等溶劑和試劑可購自例如Sigma-ALDRICH或ABCR。中括弧內之個別數字或個別化合物所引用之數字係關於從文獻得知之化合物的CAS編號。
Figure 02_image099
將100 g(26 mmol)的1-溴-8-碘二苯并呋喃(CAS：1822311-11-4)、92.4 g(32 mmol)的(9-苯基-9H-咔唑-3-基)硼酸、85.2 g(61 mmol)的碳酸鉀和15.5 g(13 mmol)的四(三苯膦)鈀(0)混入1升的乙二醇二甲基醚/水(3：1)中並在回流下加熱過夜。使混合物達到室溫，及將沈澱物濾出並用水和乙醇洗滌。產量：86 g(176 mmol；66%)。 可類似地合成下列化合物：
Figure 02_image101
Figure 02_image103
Figure 02_image105
將86 g(176 mmol)的3-(9-溴二苯并呋喃-2-基)-9-苯基-9H-咔唑、82.1 g(320 mmol)的4,4,5,5,4',4',5',5'-八甲基-[2,2']聯[[1,3,2]二氧雜環戊硼烷基(dioxaborolanyl)]、52.4 g(530 mmol)的乙酸鉀和2.8 g(12 mmol)的乙酸鈀混入1 l的DMF中並在100℃下攪拌。24 h後，使反應混合物冷卻至室溫，並將混合物在減壓下濃縮至三分之一。加水，並將沉澱的固體濾出，用水、乙醇和庚烷洗滌，並藉由通過二氧化矽使用THF作為溶析液過濾而進一步純化。藉由在減壓下除去溶劑獲得產物。產量：58.2 g(109 mmol；62 %)。 可類似地合成下列化合物：
Figure 02_image107
Figure 02_image109
Figure 02_image111
將在100 ml的THF中之21.1 g(85.4 mmol)的1-溴二苯并呋喃滴加至2.27 g(93.5 mmol)的鎂(添加碘以開始格任亞反應)，並將混合物在回流下加熱2 h。添加350 ml的THF，並使反應混合物達到室溫。在-10℃下，將格任亞試劑滴加至溶於150 ml的THF中之15 g(81 mmol)的2,4,6-三氯[1,3,5]三𠯤。使混合物在室溫下攪拌過夜。接著將混合物冷卻至0℃，並滴加8 ml的鹽酸(1 M)。將混合物攪拌1 h，接著添加400 ml的水。將有機相除去，並用水洗滌。用乙酸乙酯萃取水相。合併有機相並在減壓下濃縮。將粗製產物藉由急速層析法(庚烷/二氯甲烷10：1)純化。產量：24.0 g(75.9 mmol；89%)。
Figure 02_image113
將24 g(75.9 mmol)的2,4-二氯-6-二苯并呋喃-1-基-[1,3,5]三𠯤、80.3 g(150 mmol)的9-苯基-3-[9-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧雜環戊硼烷(dioxaborolan)-2-基)-二苯并呋喃-2-基]-9H-咔唑、2.2 g(1.9 mmol)的四(三苯膦)鈀(0)和15.7 g(113.9 mmol)的碳酸鉀混入500 ml的水/THF(1：3)中並在70℃下攪拌過夜。隨後，使反應混合物達到室溫，添加乙酸乙酯，並分離各相。用水洗滌有機相並用乙酸乙酯萃取水相。將合併的有機相在減壓下濃縮及藉由急速層析法(庚烷/THF 10：1)純化。藉由從庚烷/苯中再結晶純化產物。藉由昇華(430℃，10-4 毫巴)進行進一步純化。產量：22.6 g(21.28 mmol；28%)。 可類似地合成下列化合物：
Figure 02_image115
Figure 02_image117
Figure 02_image119
Figure 02_image121
Figure 02_image123
將24 g(75.9 mmol)的2,4-二氯-6-二苯并呋喃-1-基-[1,3,5]三𠯤、36.6 g(68.3 mmol)的9-苯基-3-[9-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧雜環戊硼烷(dioxaborolan)-2-基)-二苯并呋喃-2-基]-9H-咔唑、2.2 g(1.9 mmol)的四(三苯膦)鈀(0)和15.7 g(113.9 mmol)的碳酸鉀混入500 ml的水/THF(1：3)中並在70℃下攪拌過夜。使混合物達到室溫，添加乙酸乙酯，並分離各相。用水洗滌有機相並用乙酸乙酯萃取水相。將合併的有機相在減壓下濃縮及藉由急速層析法(庚烷/THF 10：1)純化。產量：30 g(43.5 mmol；58%)。 可類似地合成下列化合物：
Figure 02_image125
Figure 02_image127
Figure 02_image129
將29 g(42.1 mmol)的3-[9-(4-氯-6-二苯并呋喃-1-基-[1,3,5]三𠯤-2-基)-二苯并呋喃-2-基]-9-苯基-9H-咔唑、33.6 g(44 mmol)的BB-2b、1.2 g(1.1 mmol)的四(三苯膦)鈀(0)和8.7 g(63.1 mmol)的碳酸鉀混入500 ml的水/THF(1：3)中並在70℃下攪拌過夜。使反應混合物達到室溫，添加乙酸乙酯，並分離各相。用水洗滌有機相並用乙酸乙酯萃取水相。在減壓下濃縮合併的有機相。將產物藉由急速層析法(庚烷/THF 10：1)純化及接著藉由再結晶純化(庚烷/甲苯)。產量：20.6 g(16.0 mmol； 38%)。 以類似的方式，可能合成下列化合物：
Figure 02_image131
Figure 02_image133
裝置例從溶液處理：OLED的製造 在文獻(例如WO 2004/058911)中有許多製造氣相沈積之OLED的說明。例如在WO 2004/037887和WO 2010/ 097155中詳細描述基於溶液之OLED的製造。下列實例組合兩種製造方法，使得至多且包括發光層的層係從溶液處理後續的層(電洞阻擋層/電子傳輸層)係藉由氣相沈積在減壓下施加。為此目的，將先前描述的一般方法與此處描述的情況(層厚度變化、材料)相匹配且組合如下。 所使用之OLED的結構如下： -　基板， -　ITO(50 nm)， -　緩衝劑(20 nm)， -　電洞傳輸層(HTL, 20 nm)， -　發光層(EML，50 nm)， -　電子傳輸層(ETL，20 nm)， -　電子注入層(EIL，3 nm)， -　Al陰極(100 nm)。 所使用之基板為塗布50 nm厚度的結構化ITO(氧化銦錫)之玻璃基板。為了更好地處理，將彼等塗佈緩衝劑PEDOT：PSS(聚(3,4-伸乙二氧基-2,5-噻吩)：聚苯乙烯磺酸酯，來自Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG)。在空氣下從水進行旋轉塗布。隨後將該層在180℃下烘烤10分鐘來。將電洞傳輸層和發光層施加至如此塗布的玻璃基板上。電洞傳輸層為表1中所示結構的聚合物，其係根據WO 2010/097155合成。將聚合物溶解於甲苯中，使得在此若當待利用旋轉塗布達到裝置之典型20 nm的層厚度時，溶液通常具有約5 g/l的固體含量。將該等層在惰性氣體氛圍(在本例中為氮氣)中旋轉，並在220℃下烘烤30 min。 發光層總是由至少一種基質材料(主體材料)和發光摻雜劑(發光體)組成。以諸如H1(92%)：D1(8%)的形式給出的詳細資料在此意指材料H1以92重量%的比例存在於發光層中及摻雜劑D1以8重量%的比例存在。將用於發光層的混合物溶解於甲苯中。在此若當待利用旋轉塗布達到裝置之典型50 nm的層厚度時，該等溶液的典型固體含量為約14 g/l。將該等層在惰性氣體氛圍(在本例中為氮氣)中旋轉，並烘烤10分鐘。所使用之材料係顯示於下表1中。發光層的各個組成、EML層厚度和其烘烤溫度係顯示於表2中。 藉由在真空室中熱氣相沈積來施加用於電子傳輸層和用於陰極的材料。例如，電子傳輸層可由一種以上的材料組成，藉由共同蒸發以特定的體積比例相互添加該等材料。以ETM：EIM(50%：50%)的形式給出的詳細資料在此意指ETM和EIM材料各自以50%的體積比例存在於層中。在本例中，電子傳輸層由材料ETM組成且層厚度為20 nm。由3 nm的EIM材料形成電子注入層。兩種材料均描述於表1中。結論層為具有100 nm層厚度的鋁之陰極層。 OLED係以標準方法示性。為此目的，記錄電致發光光譜，及電流效率(以cd/A測量)和外部量子效率(EQE，以百分比測量)係以假設Lambertian發光特性之發光強度為函數而從電流-電壓-發光強度特性(IUL特性)計算，最後測定組件的壽命。電致發光光譜係在1000 cd/m²之發光強度下記錄，且由此計算CIE 1931 x和y色坐標。參數EQE @ 1000 cd/m²係指在1000 cd/m²之操作發光強度下的外部量子效率。壽命LT95 @ 4000 cd/m²係指直到4000 cd/m²的初始亮度下降5%至3800 cd/m²為止的時間。各種OLED的數據總結在表3中。
Figure 02_image135
Figure 02_image137
Figure 02_image139
Figure 02_image141
Figure 02_image143
Figure 02_image145
表3中的結果顯示不僅可能稍微改良外部量子效率，而且可能顯著改良壽命。該等所發現之結構因此係適合作為從溶液處理的主體，並導致極佳的性能數據。
Figure 109144067-A0101-11-0002-1

Claims (15)

  1. 一種式(1)化合物，
    Figure 03_image001
    其中所使用的符號和標號如下： Y1 在各情況下為相同或不同且為O或S； Y2 在各情況下為相同或不同且為NAr2 、O、S或CR2 ； Z　在各情況下為相同或不同且為CR或N，其先決條件為至少二個Z為N； Ar1 、Ar2 在各情況下為相同或不同且為具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R基團取代之芳族或雜芳族環系統； R　在各情況下為相同或不同且為H、D、F、Cl、Br、I、N(Ar')2 、N(R1 )2 、OAr'、SAr'、CN、NO2 、OR1 、SR1 、COOR1 、C(=O)N(R1 )2 、Si(R1 )3 、B(OR1 )2 、C(=O)R1 、P(=O)(R1 )2 、S(=O)R1 、S(=O)2 R1 、OSO2 R1 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有2至20個碳原子之烯基或炔基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中該烷基、烯基或炔基在各情況下可經一或多個R1 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經Si(R1 )2 、C=O、NR1 、O、S或CONR1 置換、或具有5至60個芳族環原子(較佳5至40個芳族環原子)且在各情況下可經一或多個R1 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二個R基團也可一起形成環系統； Ar'　在各情況下為相同或不同且為具有5至40個芳族環原子且可經一或多個R1 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同氮原子之二個Ar'基團可彼此以單鍵或選自N(R1 )、C(R1 )2 、O和S之橋橋聯； R1 在各情況下為相同或不同且為H、D、F、Cl、Br、I、N(R2 )2 、CN、NO2 、OR2 、SR2 、Si(R2 )3 、B(OR2 )2 、C(=O)R2 、P(=O)(R2 )2 、S(=O)R2 、S(=O)2 R2 、OSO2 R2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或具有2至20個碳原子之烯基或炔基或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基，其中該烷基、烯基或炔基可各自經一或多個R2 基團取代，其中一或多個非相鄰的CH2 基團可經Si(R2 )2 、C=O、NR2 、O、S或CONR2 置換及其中該烷基、烯基或炔基中之一或多個氫原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換、或具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R2 基團取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或更多個R1 基團一起可形成脂族環系統； R2 在各情況下為相同或不同且為H、D、F、CN或具有1至20個碳原子之脂族、芳族或雜芳族有機基，其中一或多個氫原子也可經F置換； p、q、r　在各情況下為相同或不同且為0、1、2或3； s　在各情況下為相同或不同且為0、1、2、3或4。
  2. 根據請求項1之化合物，其為式(2)
    Figure 03_image003
    其中該等符號和標號具有請求項1中所給之定義。
  3. 根據請求項1或2之化合物，其為式(3)
    Figure 03_image005
    其中該等符號和標號具有請求項1中所給之定義。
  4. 根據請求項1至3中一或多項之化合物，其為式(4)
    Figure 03_image007
    其中該等符號和標號具有請求項1中所給之定義。
  5. 根據請求項1至4中一或多項之化合物，其中Y2 為NAr2 且咔唑基團具有彼此形成環系統之至少二個相鄰的R基團，從而形成式(CARB-1)至(CARB-6)中之一者的結構，
    Figure 03_image009
    Figure 03_image011
    其中Ar2 和R1 具有請求項1中所給之定義，該等結構可在咔唑上經一或多個R基團取代及在稠合結構上經一或多個R1 基團取代，Y3 為C(R1 )2 、NR1 、O或S，且該等結構係經由虛線鍵連接至二苯并呋喃或二苯并噻吩。
  6. 根據請求項1至5中一或多項之化合物，其為式(5)
    Figure 03_image013
    其中該等符號和標號具有請求項1中所給之定義。
  7. 根據請求項1至6中一或多項之化合物，其為式(1a)至(5a)中之一者
    Figure 03_image015
    Figure 03_image017
    其中該等符號和標號具有請求項1中所給之定義。
  8. 根據請求項1至7中一或多項之化合物，其為式(6a)
    Figure 03_image019
    其中該等符號具有請求項1中所給之定義及s在各情況下為相同或不同且為0或1。
  9. 根據請求項1至8中一或多項之化合物，其中Ar1 及Ar2 在各情況下為相同或不同且係選自由下列所組成之群組：苯基、聯苯、聯三苯、聯四苯、茀、螺二茀、萘、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、茚并咔唑、吲哚并咔唑、菲、伸聯三苯或此等基團中之二或三者的組合，彼等各自可經一或多個R基團取代。
  10. 一種製備根據請求項1至9中一或多項之化合物之方法，其係藉由使Ar1 -官能化之二氯嘧啶或-三𠯤與1-二苯并呋喃硼酸或其酯或1-二苯并噻吩硼酸或其酯在Suzuki偶合中反應。
  11. 一種調配物，其包含至少一種根據請求項1至9中一或多項之化合物和至少一種其他化合物及/或一種溶劑。
  12. 一種根據請求項1至9中一或多項之化合物或根據請求項11之調配物之用途，其係用於電子裝置。
  13. 一種電子裝置，其包含至少一種根據請求項1至9中一或多項之化合物或根據請求項11之調配物。
  14. 根據請求項13之電子裝置，其為有機電致發光裝置，其中根據請求項1至9中一或多項之化合物係用於發光層中作為磷光發光體或呈現TADF(熱活化延遲螢光)之發光體的基質材料及/或用於電子傳輸層及/或用於電洞阻擋層。
  15. 根據請求項14之電子裝置，其中根據請求項1至9中一或多項之化合物係用於發光層作為磷光發光體的基質材料，其中該化合物係與一或多種選自由下列所組成群組之其他基質材料組合使用：芳族酮、芳族膦氧化物、芳族亞碸、芳族碸、三芳基胺、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、茚并咔唑衍生物、氮雜咔唑衍生物、雙極性基質材料、氮硼雜環戊烯(azaborole)、硼酸酯、三𠯤衍生物、鋅錯合物、二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)或四氮雜矽雜環戊二烯衍生物、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物、橋聯咔唑衍生物、伸聯三苯衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、寬帶隙材料及/或具有比實際發光體短的波長發射之磷光化合物。
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