CN111406062B - 金属络合物 - Google Patents

金属络合物 Download PDF

Info

Publication number
CN111406062B
CN111406062B CN201880076935.4A CN201880076935A CN111406062B CN 111406062 B CN111406062 B CN 111406062B CN 201880076935 A CN201880076935 A CN 201880076935A CN 111406062 B CN111406062 B CN 111406062B
Authority
CN
China
Prior art keywords
group
carbon atoms
ligand
groups
substituted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880076935.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111406062A (zh
Inventor
菲利普·斯托塞尔
阿明·奥赫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
UDC Ireland Ltd
Original Assignee
UDC Ireland Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by UDC Ireland Ltd filed Critical UDC Ireland Ltd
Publication of CN111406062A publication Critical patent/CN111406062A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111406062B publication Critical patent/CN111406062B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
    • C07F15/0006Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System compounds of the platinum group
    • C07F15/0033Iridium compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007Non-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18Metal complexes
    • C09K2211/185Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10Triplet emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Abstract

本发明涉及适用于有机电致发光器件中,尤其是用作发光体的铱络合物。

Description

金属络合物
技术领域
本发明涉及适用于有机电致发光器件中,尤其是用作发光体的铱络合物。
背景技术
根据现有技术,磷光有机电致发光器件(OLED)中使用的三重态发光体是铱络合物,尤其是具有芳族配体的双-和三-邻位金属化络合物,其中配体通过带负电荷的碳原子和不带电荷的氮原子或通过带负电荷的碳原子和不带电荷的卡宾碳原子与金属键合。这类络合物的实例是三(苯基吡啶基)铱(III)及其衍生物,以及许多相关的络合物,例如具有1-或3-苯基异喹啉配体、具有2-苯基喹啉配体或具有苯基卡宾配体的络合物。尽管具有多足配体的络合物显示出优于原本具有相同配体结构、只是其中的各个配体没有多足桥连的络合物的优点,但这里仍然需要改善。在化合物的发光效率方面尤为如此。
还已知具有三个二齿配体的铱络合物,其中一个是吡唑基硼酸盐配体。这些的困难之处在于吡唑基硼酸盐配体在合成过程中具有水解分解的倾向(J.Li等,Polyhedron2004,23,419~428),因此在此不可能利用通过氯桥连的二聚体与吡唑基硼酸盐配体的直接反应实施的标准合成路线。这种络合物在溶液中也显示出水解的趋势。在此需要进一步的改善。
本发明所解决的问题在于提供适合作为OLED中使用的发光体的新型且尤其是改善的金属络合物。
已经发现,令人惊奇的是,这个问题通过具有下述结构且含有一个或两个吡唑基硼酸盐配体的六齿三足配体的金属络合物得到解决,所述络合物非常适合在有机电致发光器件中使用。因此,本发明提供这些金属络合物和包含这些络合物的有机电致发光器件。
发明内容
因此,本发明提供一种式(1)的化合物:
其中使用的符号如下:
L1是下式(2)的亚配体,其通过两个由*标识的氮原子与铱配位,并且通过虚线键与V键合,
其中:
A在每种情况下相同或不同并且是CR或N,其中每个环中不超过一个A基团是N;
RB在每种情况下相同或不同,并且是F,OR1,具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代,或具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个RB基团也可以一起形成环系;
L2是二齿单阴离子亚配体,其通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位;
L3是二齿单阴离子亚配体,其通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位,或者是上面详述的式(2)的亚配体,其可以与L1相同或不同;
V是式(3)的基团,其中虚线键各自表示与亚配体L1、L2和L3连接的键,
X1在每种情况下相同或不同并且是CR或N;
X2在每种情况下相同或不同并且是CR或N,或两个相邻的X2基团一起是NR、O或S,因此形成五元环;或者当所述环中的一个X3基团是N时,两个相邻的X2基团一起是CR或N,因此形成五元环;条件是在每个环中不超过两个相邻的X2基团是N;
X3在每种情况下在一个环中是C,或者一个X3基团是N并且在同一环中的其它X3基团是C,其中三个环中的所述X3基团可以独立地选择,条件是当所述环中的一个X3基团是N时,两个相邻的X2基团一起是CR或N;
R在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,Cl,Br,I,N(R1)2,OR1,SR1,CN,NO2,COOH,C(=O)N(R1)2,Si(R1)3,B(OR1)2,C(=O)R1,P(=O)(R1)2,S(=O)R1,S(=O)2R1,OSO2R1,具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代,并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被Si(R1)2、C=O、NR1、O、S或CONR1替换,或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个R基团也可以一起形成环系;
R1在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,Cl,Br,I,N(R2)2,OR2,SR2,CN,NO2,Si(R2)3,B(OR2)2,C(=O)R2,P(=O)(R2)2,S(=O)R2,S(=O)2R2,OSO2R2,具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代,并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被Si(R2)2、C=O、NR2、O、S或CONR2替换,或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个或更多个R1基团可以一起形成环系;
R2在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F或具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族有机基团,尤其是烃基基团,其中一个或多个氢原子也可以被F替换;
同时,除了V基团之外,所述三个二齿配体L1、L2和L3也可以被另外的桥连基闭合以形成穴状化合物。
根据本发明,所述配体因此是具有三个二齿亚配体L1、L2和L3的六齿三足配体。“二齿”是指络合物中的特定亚配体通过两个配位位点与铱配位或键合。“三足”是指配体具有三个与V基团或式(3)的基团键合的亚配体。由于配体具有三个二齿亚配体,因此总体结果是六齿配体,即通过六个配位位点与铱配位或键合的配体。在本申请的上下文中,表述“二齿亚配体”是指如果不存在V基团或式(3)的基团,则L1、L2或L3在每种情况下将是二齿配体。然而,由于来自所述二齿配体的一个氢原子的形式上消失和与式(3)的基团的连接,其不是单独的配体,而是因此产生的六齿配体的一部分,因此使用术语“亚配体”。
因此,本发明化合物的配体具有以下结构(LIG):
配体与铱的键可以是配位键或共价键,或者所述键的共价部分可以根据亚配体而变。当在本申请中提及配体或亚配体与铱配位或键合时,在本申请的上下文中,这是指配体或亚配体与铱的任何种类的键,而与键的共价组分无关。
当两个R或R1基团一起形成环系时,其可以是单环或多环的且脂族、杂脂族、芳族或杂芳族的。在这种情况下,这些一起形成环系的基团可以是相邻的,这意味着这些基团与同一碳原子键合或与彼此直接键合的碳原子键合,或者其可以彼此进一步远离。例如,键合到X2基团上的R基团也可以与键合到X1基团上的R基团形成环。
在本说明书的上下文中,两个或更多个基团可以一起形成环的措辞应理解为尤其是指两个基团通过化学键彼此连接,形式上消除了两个氢原子。这通过以下方案说明:
然而,另外,上述措辞还应该理解为是指,如果两个基团中的一个是氢,则第二个基团键合到氢原子所键合的位置,从而形成环。这将通过以下方案说明:
如上所述,这种成环可以在与直接彼此相邻的碳原子键合的基团上,或者在与进一步远离的碳原子键合的基团上。优选在与直接彼此键合的碳原子键合的基团中形成这种环。
在本发明的上下文中,芳基基团含有6至40个碳原子;在本发明的上下文中,杂芳基基团含有2至40个碳原子和至少一个杂原子,条件是碳原子和杂原子的总和为至少5。杂原子优选选自N、O和/或S。在这种情况下,杂芳基基团优选包含不超过三个杂原子。芳基基团或杂芳基基团在此应理解为是指简单的芳族环,即苯,或简单的杂芳族环,例如吡啶、嘧啶、噻吩等,或稠合的芳基或杂芳基基团,例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。
在本发明的上下文中,芳族环系在环系中含有6至40个碳原子。在本发明的上下文中,杂芳族环系在环系中含有1至40个碳原子和至少一个杂原子,条件是碳原子和杂原子的总和为至少5。杂原子优选选自N、O和/或S。在本发明的上下文中,芳族或杂芳族环系应理解为是指以下体系,其未必仅含有芳基或杂芳基基团,而是其中多个芳基或杂芳基基团也可能被非芳族单元(优选少于10%的非H原子)如碳、氮或氧原子或羰基基团间断。因此,诸如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、均二苯乙烯等的体系在本发明的上下文中因此也应被视为芳族环系,并且其中两个或更多个芳基基团例如通过直链或环状烷基基团或通过甲硅烷基基团间断的体系也是如此。此外,其中两个或更多个芳基或杂芳基基团彼此直接键合的体系,例如联苯、三联苯、四联苯或联吡啶,同样应被视为芳族或杂芳族环系。
在本发明的上下文中,环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团应理解为是指单环、双环或多环的基团。
在本发明的上下文中,其中个别氢原子或CH2基团也可以被上述基团替换的C1-至C20-烷基基团应理解为是指例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2.2.2]辛基、2-双环[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二碳-1-基、1,1-二甲基-正十四碳-1-基、1,1-二甲基-正十六碳-1-基、1,1-二甲基-正十八碳-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四碳-1-基、1,1-二乙基-正十六碳-1-基、1,1-二乙基-正十八碳-1-基、1-(正丙基)环己-1-基、1-(正丁基)环己-1-基、1-(正己基)环己-1-基、1-(正辛基)环己-1-基和1-(正癸基)环己-1-基基团。烯基基团应理解为是指例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。炔基基团应理解为是指例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。OR1基团应理解为是指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。
具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下也可以被上述基团取代并且可以通过任何所需位置连接到芳族或杂芳族体系的芳族或杂芳族环系,应理解为意指例如衍生自以下物质的基团:苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苣、苝、荧蒽、苯并荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴、顺式或反式单苯并茚并芴、顺式或反式二苯并茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、/>唑、苯并/>唑、萘并/>唑、蒽并/>唑、菲并/>唑、异/>唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩/>嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-/>二唑、1,2,4-/>二唑、1,2,5-/>二唑、1,3,4-/>二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲哚嗪和苯并噻二唑。
以下记载的是桥头V、即式(3)的结构的优选实施方式。
式(3)的基团的合适实施方式是下式(4)至(7)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
在本发明的一个优选的实施方式中,式(3)的基团中的所有X1基团都是CR,因此式(3)的中心三价环是苯。在本发明的另一个优选的实施方式中,所有X1基团都是氮原子,因此式(3)的中心三价环是三嗪。因此,式(3)的优选实施方式是式(4)和(5)的结构。特别优选的是式(4)的结构。
对于在式(4)的三价中心苯环上或在式(6)的中心嘧啶环上或在式(7)的中心吡啶环上的优选R基团,以下适用:
R在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,CN,OR1,具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,其各自可以被一个或多个R1基团取代,但优选未被取代,或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,R基团也可以与X2上的R基团一起形成环系;
R1在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,CN,OR2,具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,其各自可以被一个或多个R2基团取代,但优选未被取代,或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个或更多个相邻的R1基团可以一起形成环系;
R2在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,或具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族的有机基团,其中一个或多个氢原子也可以被F替换。
对于在式(4)的三价中心苯环上或在式(6)的中心嘧啶环上或在式(7)的中心吡啶环上的特别优选的R基团,以下适用:
R在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,CN,具有1至4个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团,其各自可以被一个或多个R1基团取代,但优选未被取代,或具有6至12个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,R基团也可以与X2上的R基团一起形成环系;
R1在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,CN,具有1至4个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团,其各自可以被一个或多个R2基团取代,但优选未被取代,或具有6至12个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个或更多个相邻的R1基团可以一起形成环系;
R2在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,或具有1至12个碳原子的脂族或芳族烃基基团。
最优选地,在式(4)的中心苯环上或在式(6)的中心嘧啶环上或在式(7)的中心吡啶环上的R基团是H。更优选地,式(4)的基团是下式(4')的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
下面描述如在式(3)至(7)的基团中出现的优选的二价芳亚基或杂芳亚基单元。如从式(3)至(7)的结构清楚看到,这些结构含有三个邻位键合的二价芳亚基或杂芳亚基单元。
在本发明的一个优选的实施方式中,符号X3是C,因此式(3)的基团可以由式(3a)的基团表示,并且式(4)至(7)的基团可以由式(4a)至(7a)表示:
其中符号具有上面列出的定义。
式(3)的基团可以由以下式(3')形式上表示,其中式(3)和(3')包含相同的结构:
其中Ar在每种情况下相同或不同并且是下式(8)的基团:
其中虚线键在每种情况下表示二齿亚配体L1、L2或L3与所述结构的键的位置,*表示式(8)的单元与中心三价芳基或杂芳基基团的连接位置,并且X2和X3具有上面给出的定义。式(8)的基团中的优选取代基选自上述取代基R。
式(8)的基团可以表示杂芳族五元环或者芳族或杂芳族六元环。在本发明的一个优选的实施方式中,式(8)的基团在芳基或杂芳基基团中含有不超过两个杂原子,更优选不超过一个杂原子。这并不意味着与所述基团键合的任何取代基也不能含有杂原子。此外,所述定义并不意味着由取代基形成的环不会产生稠合的芳族或杂芳族结构,例如萘、苯并咪唑等。式(8)的基团优选选自苯、吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、吡咯、呋喃、噻吩、吡唑、咪唑、唑和噻唑。
当一个环中的两个X3基团均为碳原子时,式(8)的基团的优选实施方式是下式(9)至(25)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
当一个环中的一个X3基团是碳原子并且同一环中的另一个X3基团是氮原子时,式(8)的基团的优选实施方式是下式(26)至(33)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
特别优选上面描绘的式(9)至(13)的任选取代的六元芳族环和六元杂芳族环。非常特别优选邻苯亚基,即上述式(9)的基团,尤其是R=H。
同时,如上文在取代基的描述中所述,相邻的取代基也可以一起形成环系,从而可以形成稠合的结构,包括稠合的芳基和杂芳基基团,例如萘、喹啉、苯并咪唑、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩。
在式(3)至(7)或式(3')的基团中存在的三个式(8)的基团可以相同或不同。在本发明的一个优选的实施方式中,式(8)中的所有三个基团相同并且也具有相同的取代基。
更优选地,式(4)至(7)的结构选自下式(4b)至(7b)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
式(4b)的一个优选的实施方式是下式(4b’)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
更优选地,式(3)至(7)中的R基团在每种情况下相同或不同,并且是H、D或具有1至4个碳原子的烷基基团。最优选地,R=H。因此,非常特别优选下式(4c)或(5c)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
以下是二齿亚配体L1的描述。亚配体L1是单阴离子结构。这在式(2)中由硼原子上的负电荷表示。
在本发明的一个优选的实施方式中,所有A基团在每种情况下相同或不同,并且是CR。因此,亚配体L1优选是下式(2a)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
与由*标识的配位氮原子相邻的取代基R优选选自H、D、F、甲基、乙基和苯基,更优选选自H和D,且最优选为H。
更优选地,亚配体L1因此具有下式(2b)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
在式(2)、(2a)和(2b)的结构中的另外的R基团优选选自H,D,F,Br,OR1,C(=O)R1,具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基或烯基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代,或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个相邻的R基团也可以一起形成环系。
更优选地,在式(2)、(2a)和(2b)的结构中的R基团选自H,D,F,具有1至5个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基可以被一个或多个R1基团取代,但优选未被取代,或具有6至13个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个相邻的R基团也可一起形成环系。
最优选地,亚配体L1具有下式(2c)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
在式(2)、(2a)、(2b)或(2c)中的硼原子上的取代基RB在每种情况下相同或不同,且优选选自其中R1是具有1至5个碳原子的烷基基团的OR1,具有1至5个碳原子的直链烷基基团,具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团,具有6至10个碳原子并且可以被一个或多个优选非芳族R1基团取代的芳基基团,或具有5至10个芳族环原子并且可以被一个或多个优选非芳族R1基团取代的杂芳基基团。这里两个RB基团也可以一起形成环系。
更优选地,在式(2)、(2a)、(2b)或(2c)中的硼原子上的取代基RB在每种情况下相同或不同,并且选自OR1,其中R1是甲基、乙基、正丙基或异丙基;烷基基团,其选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基和新戊基,尤其是甲基;苯基基团,其可以被一个或多个具有1至5个碳原子的烷基基团取代,但优选未被取代;或具有5或6个芳族环原子的杂芳基基团,其可以被一个或多个具有1至5个碳原子的烷基基团取代,但优选未被取代。这里两个RB基团也可以一起形成环系。
在本发明的一个优选的实施方式中,两个取代基RB是相同的。
当RB是式OR1的基团时,优选两个取代基RB是OR1,其中R1在每种情况下是具有1至5个碳原子的烷基基团,并且两个R1一起形成环系。
当RB是杂芳基基团时,它优选是通过氮原子与硼原子键合的吡唑基团。
当两个取代基RB与它们所键合的硼原子一起形成环系时,优选的环系是下式(B-1)至(B-8)的结构:
其中R1和R2具有上面给出的定义,与硼原子连接的虚线键各自表示与吡唑基环连接的键或当A=N时与三唑基环连接的键,并且未示出硼原子上的负电荷。
在本发明的一个优选的实施方式中,L3是式(2)的亚配体,其中亚配体L1和L3可以相同或不同。当L3是式(2)的亚配体时,L3的优选实施方式是上面对于L1所述的优选实施方式。当L3表示式(2)的亚配体时,特别优选的是L1和L3相同,并且也具有相同的取代基。因此,式(1)化合物优选为下式(1a)化合物:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
下面描述通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位的二齿亚配体L2。当L3是通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位的二齿亚配体时,所述亚配体L3的优选实施方式对应于上述L2的优选实施方式。在这种情况下,特别优选的是L2和L3相同,并且也具有相同的取代基。
优选地,L2具有一个碳原子和一个氮原子作为配位原子。
进一步优选的是,由铱和亚配体L2形成的金属环化合物是五元环。这在下面以C和N作为配位原子的示意形式显示:
其中N是配位氮原子,且C是配位碳原子,并且所示的碳原子是亚配体L2的原子。
在本发明的一个优选的实施方式中,亚配体L2是下式(L-1)和(L-2)之一的结构:
其中虚线键表示亚配体与V基团、即式(3)的基团连接的键,并且使用的其它符号如下:
CyC在每种情况下相同或不同,并且是取代或未取代的芳基或杂芳基基团,其具有5至14个芳族环原子并且在每种情况下通过碳原子与金属配位且通过共价键与CyD键合;
CyD在每种情况下相同或不同,并且是取代或未取代的杂芳基基团,其具有5至14个芳族环原子并通过氮原子或通过卡宾碳原子与金属配位且通过共价键与CyC键合;
同时,任选取代基中的两个或更多个可以一起形成环系。任选的基团优选选自上述R基团。
CyD优选通过不带电荷的氮原子或通过卡宾碳原子配位。另外,CyC通过阴离子碳原子配位。
当两个或更多个取代基,尤其是两个或更多个R基团,一起形成环系时,环系可以由与直接相邻的碳原子键合的取代基形成。另外,CyC和CyD上的取代基也可以一起形成环,结果是CyC和CyD也可以一起形成作为二齿配体的单个稠合杂芳基基团。
当两个亚配体L2和L3是通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位的亚配体时,两个亚配体L2和L3具有式(L-1)的结构,或两个亚配体L2和L3具有式(L-2)的结构,或亚配体L2和L3之一具有式(L-1)的结构,而所述亚配体中的另一个具有式(L-2)的结构。在本发明的一个优选的实施方式中,两个亚配体L2和L3都具有式(L-1)的结构或两个亚配体L2和L3具有式(L-2)的结构。
在本发明的一个优选的实施方式中,CyC是具有6至13个芳族环原子,更优选具有6至10个芳族环原子,最优选具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团,其通过碳原子与金属配位,可以被一个或多个R基团取代,并且其通过共价键与CyD键合。
CyC基团的优选实施方式是下式(CyC-1)至(CyC-19)的结构,其中CyC基团在每种情况下在由#指示的位置上与CyD键合并且在由*指示的位置上与铱配位,
/>
其中R具有上面给出的定义,并且使用的其它符号如下:
X在每种情况下相同或不同,并且是CR或N,条件是每个环中不超过两个符号X是N;
W在每种情况下相同或不同并且是NR、O或S;
条件是,当式(3)的基团与CyC键合时,一个符号X是C且式(3)的基团与这个碳原子键合。当CyC基团与式(3)的基团键合时,所述键合优选通过上面描绘的式中由“o”标记的位置实现,因此在这种情况下由“o”标记的符号X优选是C。不含任何由“o”标记的符号X的上面描绘的结构优选不与式(3)的基团直接键合,因为与桥连基的这种键合由于空间原因而不利。
优选地,CyC中总共不超过两个符号X是N,更优选在CyC中不超过一个符号X是N,并且最优选所有符号X都是CR,条件是,当式(3)的基团与CYC键合时,一个符号X是C,并且式(3)的基团与这个碳原子键合。
特别优选的CyC基团是下式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基团:
/>
其中使用的符号具有上面给出的定义,并且当式(3)的基团与CyC键合时,一个R基团不存在并且式(3)的基团与相应的碳原子键合。当CyC基团与式(3)的基团键合时,所述键合优选通过上面描绘的式中由“o”标记的位置实现,因此在这种情况下所述位置的R基团优选不存在。上面描绘的不含任何由“o”标记的碳原子的结构优选不与式(3)的基团直接键合。
(CyC-1)至(CyC-19)基团之中的优选基团是(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)基团,且特别优选(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)基团。
在本发明的另一个优选的实施方式中,CyD是具有5至13个芳族环原子,更优选具有6至10个芳族环原子的杂芳基基团,其通过不带电荷的氮原子或通过卡宾碳原子与金属配位并且其可以被一个或多个R基团取代,并且其通过共价键与CyC键合。
CyD基团的优选实施方式是下式(CyD-1)至(CyD-12)的结构,其中CyD基团在每种情况下在由#指示的位置处与CyC键合,并且在由*指示的位置处与铱配位,
其中X、W和R具有上面给出的定义,条件是,当式(3)的基团与CyD键合时,一个符号X是C,并且式(3)的基团与这个碳原子键合。当CyD基团与式(3)的基团键合时,所述键合优选通过上面描绘的式中由“o”标记的位置实现,因此在这种情况下由“o”标记的符号X优选是C。不含任何由“o”标记的符号X的上面描绘的结构优选不与式(3)的基团直接键合,因为与桥连基的这种键合由于空间原因而不利。
在这种情况下,(CyD-1)至(CyD-4)和(CyD-7)至(CyD-12)基团通过不带电荷的氮原子与金属配位,并且(CyD-5)和(CyD-6)基团通过卡宾碳原子与金属配位。
优选地,CyD中总共不超过两个符号X是N,更优选在CyD中不超过一个符号X是N,并且尤其优选所有符号X都是CR,条件是,当式(3)的基团与CyD键合时,一个符号X是C,并且式(3)的基团与这个碳原子键合。
特别优选的CyD基团是下式(CyD-1a)至(CyD-12b)的基团:
其中使用的符号具有上面给出的定义,并且当式(3)的基团与CyD键合时,一个R基团不存在并且式(3)的基团与相应的碳原子键合。当CyD基团与式(3)的基团键合时,所述键合优选通过上面描绘的式中由“o”标记的位置实现,因此在这种情况下所述位置的R基团优选不存在。上面描绘的不含任何由“o”标记的碳原子的结构优选不与式(3)的基团直接键合。
(CyD-1)至(CyD-12)基团之中的优选基团是(CyD-1)、(CyD-2)、(CyD-3)、(CyD-4)、(CyD-5)和(CyD-6)基团,尤其是(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3),并且特别优选(CyD-1a)、(CyD-2a)、(CyD-3a)、(CyD-4a)、(CyD-5a)和(CyD-6a)基团,尤其是(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)。
在本发明的一个优选的实施方式中,CyC是具有6至13个芳族环原子的芳基或杂芳基基团,并且同时CyD是具有5至13个芳族环原子的杂芳基基团。更优选地,CyC是具有6至10个芳族环原子的芳基或杂芳基基团,并且同时CyD是具有5至10个芳族环原子的杂芳基基团。最优选地,CyC是具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团,并且CyD是具有6至10个芳族环原子的杂芳基基团。同时,CyC和CyD可以被一个或多个R基团取代。
上述优选的(CyC-1)至(CyC-20)和(CyD-1)至(CyD-12)基团可以根据需要彼此组合,条件是CyC或CyD基团中的至少一个具有与式(3)的基团合适的连接位点,合适的连接位点在上面给出的式中用“o”指示。
尤其优选的是,上述特别优选的CyC和CyD基团,即式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基团和式(CyD1-a)至(CyD-14b)的基团彼此组合,条件是优选的CyC或CyD基团中的至少一个具有与式(3)的基团的合适连接位点,合适的连接位点在上面给出的式中用“o”指示。因此,不优选的是,CyC和CyD都不具有与式(3)的基团的这种合适连接位点的组合。
非常特别优选的是,(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)基团且特别是(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)基团之一与(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)基团之一且特别是与(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)基团之一组合。
优选的亚配体(L-1)是式(L-1-1)和(L-1-2)的结构,且优选的亚配体(L-2)是式(L-2-1)至(L-2-4)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义,并且“o”表示键与式(3)的基团的连接位置。
特别优选的亚配体(L-1)是式(L-1-1a)和(L-1-2b)的结构,并且特别优选的亚配体(L-2)是式(L-2-1a)至(L-2-4a)的结构
其中使用的符号具有上面给出的定义,并且“o”表示键与式(3)的基团的连接位置。
当两个R基团(其中一个与CyC键合,并且另一个与CyD键合)一起形成芳族环系时,这可以产生桥连的亚配体,并且例如还会产生整体上构成单个较大的杂芳基基团如苯并[h]喹啉等的亚配体。CyC和CyD上的取代基之间的环优选由下式(34)至(43)之一的基团形成:
其中R1具有上面给出的定义,并且虚线键指示与CyC或CyD的键。同时,上文提到的那些之中的不对称基团可以结合在两种可能的选项中的每一个中;例如,在式(43)的基团中,氧原子可以与CyC基团键合,并且羰基基团可以与CyD基团键合,或者氧原子可以与CyD基团键合,并且羰基基团可以与CyC基团键合。
特别优选的是式(34)和(36)的基团。另外,当这引起成环以给出如下文例如由式(L-21)和(L-22)所示的六元环时,尤其优选式(40)的基团。
通过在不同环中的两个R基团之间成环而产生的优选配体是下面显示的式(L-3)至(L-30)的结构:
/>
其中使用的符号具有上面给出的定义,并且“o”指示所述亚配体与式(3)的基团连接的位置。
在式(L-3)至(L-30)的亚配体的一个优选的实施方式中,总共一个符号X是N,而其它符号X是CR,或者所有符号X都是CR。
在本发明的另一个实施方式中,优选在基团(CyC-1)至(CyC-20)或(CyD-1)至(CyD-14)中或在亚配体(L-5)至(L-32)中,当作为与所述氮原子相邻的取代基键合的R基团不是氢或氘时,原子X中的一个是N。这类似地适用于优选的结构(CyC-1a)至(CyC-20a)或(CyD-1a)至(CyD-14b),其中与非配位氮原子相邻键合的取代基优选为R基团,所述R基团不是氢或氘。
在这种情况下,所述取代基R优选是选自以下的基团:CF3,OCF3,具有1至10个碳原子的烷基基团,特别是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,OR1,其中R1是具有1至10个碳原子的烷基基团,特别是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,具有2至10个碳原子的二烷基氨基基团,芳族或杂芳族环系或者芳烷基或杂芳烷基基团。这些基团是有空间要求的基团。还优选地,所述R基团也可以与相邻的R基团形成环。
用于其中金属是过渡金属的金属络合物的另一合适的二齿亚配体是下式(L-31)或(L-32)的亚配体:
其中R具有上面给出的定义,*表示与金属配位的位置,“o”表示亚配体与式(3)的基团的连接位置,并且另外:
X在每种情况下相同或不同,并且是CR或N,条件是每个环中不超过一个符号X是N。
当与亚配体(L-31)和(L-32)中的相邻碳原子键合的两个R基团彼此形成芳族环时,所述环与这两个相邻碳原子一起优选是式(44)的结构:
其中虚线键表示所述基团在所述亚配体内的连接,并且Y在每种情况下相同或不同并且是CR1或N,且优选不超过一个符号Y是N。
在亚配体(L-31)或(L-32)的一个优选的实施方式中,存在不超过一个式(44)的基团。因此,所述亚配体优选是下式(L-33)至(L-38)的亚配体:
其中X在每种情况下相同或不同并且是CR或N,但是R基团不一起形成芳族或杂芳族环系,并且另外的符号具有上面给出的定义。
在本发明的一个优选的实施方式中,在式(L-31)至(L-38)的亚配体中,总共0、1或2个符号X和Y(如果存在Y的话)是N。更优选地,总共0或1个符号X和Y(如果存在Y的话)是N。
式(L-33)至(L-38)的优选实施方式是下式(L-33a)至(L-38f)的结构:
/>
/>
其中使用的符号具有上面给出的定义,并且“o”指示与式(3)的基团的连接位置。
在本发明的一个优选的实施方式中,在与金属配位的邻位的X基团是CR。在所述基团中,在与金属配位的邻位键合的R优选选自H、D、F和甲基。
在本发明的另一个实施方式中,如果一个原子X或Y(如果存在Y的话)是N,则优选与所述氮原子相邻键合的取代基是R基团,所述R基团不是氢或氘。
在这种情况下,所述取代基R优选是选自以下的基团:CF3,OCF3,具有1至10个碳原子的烷基基团,尤其是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,OR1,其中R1是具有1至10个碳原子的烷基基团,尤其是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,具有2至10个碳原子的二烷基氨基基团,芳族或杂芳族环系或芳烷基或杂芳烷基基团。这些基团是有空间要求的基团。进一步优选地,所述R基团也可以与相邻的R基团形成环。
下面描述如可以存在于上述亚配体L1、L2和L3上,而且也在式(3)至(7)的结构中的二价芳亚基或杂芳亚基上的、即在式(8)的结构中的优选取代基。
在本发明的一个优选的实施方式中,本发明的化合物含有两个取代基R,它们与相邻的碳原子键合,并一起形成根据下文所述的式之一的脂族环。在这种情况下,形成所述脂族环的两个R取代基可以存在于式(3)的基团上和/或在一个或多个二齿亚配体上。通过两个R取代基一起成环而形成的脂族环优选由下式(45)至(51)之一描述:
其中R1和R2具有上面给出的定义,虚线键指示配体中的两个碳原子的连接,并且此外:
A1、A3在每种情况下相同或不同并且是C(R3)2、O、S、NR3或C(=O);
A2是C(R1)2、O、S、NR3或C(=O);
G是具有1、2或3个碳原子并且可以被一个或多个R2基团取代的烷亚基基团,-CR2=CR2-或具有5至14个芳族环原子且可以被一个或多个R2基团取代的邻位键合的芳亚基或杂芳亚基基团;
R3在每种情况下相同或不同,并且是H,F,具有1至10个碳原子的直链烷基或烷氧基基团,具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团,其中所述烷基或烷氧基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代,其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被R2C=CR2、C≡C、Si(R2)2、C=O、NR2、O、S或CONR2替换,或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系,或具有5至24个芳族环原子且可以被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团;同时,与同一碳原子键合的两个R3基团可以一起形成脂族或芳族环系,从而形成螺环系;此外,具有相邻的R或R1基团的R3可以形成脂族环系;
条件是在这些基团中没有两个杂原子彼此直接键合,并且没有两个C=O基团彼此直接键合。
在上面描绘的式(45)至(51)的结构和指定为优选的这些结构的其它实施方式中,在形式意义上在两个碳原子之间描绘双键。当这两个碳原子结合到芳族或杂芳族体系中,并因此这两个碳原子之间的键在形式上介于单键的键合水平和双键的键合水平之间时,这是化学结构的简化。因此,不应将形式双键的描述解释为限制所述结构;相反,本领域的技术人员清楚的是,这是芳族键。
当本发明结构中的相邻基团形成脂族环系时,优选的是后者不具有任何酸性苄基质子。苄基质子应理解为意指与直接与配体键合的碳原子键合的质子。这可以借助于脂族环系中的碳原子实现,所述碳原子直接与完全取代的且不含任何键合的氢原子的芳基或杂芳基基团键合。因此,式(45)至(47)中不存在酸性苄基质子是借助于A1和A3实现,当它们是C(R3)2时,定义为使得R3不是氢。这另外还可以借助于脂族环系中的碳原子实现,所述碳原子直接与作为双环或多环结构中的桥头的芳基或杂芳基基团键合。由于双环或多环的空间结构,与桥头碳原子键合的质子的酸性明显低于未在双环或多环结构内键合的碳原子上的苄基质子,并且在本发明的上下文中被视为非酸性质子。因此,式(48)至(51)中的酸性苄基质子的不存在是借助于其为双环结构而实现,因此,当R1为H时,其比苄基质子的酸性低得多,因为双环结构的相应阴离子不是内消旋稳定的。因此,即使式(48)至(51)中的R1为H,在本申请的上下文中,这也是非酸性质子。
在本发明的一个优选的实施方式中,R3不是H。
在式(45)至(51)的结构的一个优选的实施方式中,A1、A2和A3基团中不多于一个是杂原子,特别是O或NR3,并且其它基团是C(R3)2或C(R1)2,或者A1和A3在每种情况下相同或不同,并且是O或NR3且A2为C(R1)2。在本发明的一个特别优选的实施方式中,A1和A3在每种情况下相同或不同,并且是C(R3)2,且A2是C(R1)2并且更优选是C(R3)2或CH2
因此,式(45)的优选实施方式是式(45-A)、(45-B)、(45-C)和(45-D)的结构,并且式(45-A)的特别优选的实施方式是式(45-E)和(45-F)的结构:
其中R1和R3具有上面给出的定义,并且A1、A2和A3在每种情况下相同或不同,并且是O或NR3
式(46)的优选实施方式是下式(46-A)至(46-F)的结构:
其中R1和R3具有上面给出的定义,并且A1、A2和A3在每种情况下相同或不同,并且是O或NR3
式(47)的优选实施方式是下式(47-A)至(47-E)的结构:
其中R1和R3具有上面给出的定义,并且A1、A2和A3在每种情况下相同或不同,并且是O或NR3
在式(48)的结构的一个优选的实施方式中,键合到桥头的R1基团是H、D、F或CH3。进一步优选地,A2是C(R1)2或O,并且更优选是C(R3)2。因此,式(48)的优选实施方式是式(48-A)和(48-B)的结构,并且式(48-A)的特别优选的实施方式是式(48-C)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
在式(49)、(50)和(51)的结构的一个优选的实施方式中,键合到桥头的R1基团是H、D、F或CH3。进一步优选地,A2是C(R1)2。因此,式(49)、(50)和(51)的优选实施方式是式(49-A)、(50-A)和(51-A)的结构:
其中使用的符号具有上面给出的定义。
还优选地,式(48)、(48-A)、(48-B)、(48-C)、(49)、(49-A)、(50)、(50-A)、(51)和(51-A)中的G基团是1,2-乙亚基,其可以被一个或多个R2基团取代,其中R2在每种情况下优选相同或不同,并且是H,或具有1至4个碳原子的烷基基团,或具有6至10个碳原子并且可以被一个或多个R2基团取代、但优选未被取代的邻芳亚基基团,特别是可以被一个或多个R2基团取代、但优选未被取代的邻苯亚基基团。
在本发明的另一个优选的实施方式中,式(45)至(51)的基团和优选实施方式中的R3在每种情况下相同或不同,并且是F,具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中一个或多个不相邻的CH2基团在每种情况下可以被R2C=CR2替换并且一个或多个氢原子可以被D或F替换,或具有5至14个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,与同一碳原子键合的两个R3基团可以一起形成脂族或芳族环系,并且因此形成螺环系;此外,R3可以与相邻的R或R1基团形成脂族环系。
在本发明的一个特别优选的实施方式中,式(45)至(51)的基团和优选实施方式中的R3在每种情况下相同或不同,并且是F,具有1至3个碳原子的直链烷基基团,特别是甲基,或具有5至12个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代、但优选未被取代的芳族或杂芳族环系;同时,与同一碳原子键合的两个R3基团可以一起形成脂族或芳族环系,并且因此形成螺环系;此外,R3可以与相邻的R或R1基团形成脂族环系。
特别合适的式(45)的基团的实例是下面列出的结构:
/>
特别合适的式(46)的基团的实例是下面列出的结构:
特别合适的式(47)、(49)和(50)的基团的实例是下面列出的结构:
特别合适的式(48)的基团的实例是下面列出的结构:
特别合适的式(49)的基团的实例是下面列出的结构:
在本发明的另一个实施方式中,亚配体L2优选在铱的配位的对位被下式(52)或(53)的取代基取代:
其中虚线键表示与亚配体L2连接的键,并且另外:
R'在每种情况下相同或不同,并且选自H,D,F,CN,具有1至10个碳原子的直链烷基基团,其中一个或多个氢原子也可以被D或F替换,或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中一个或多个氢原子也可以被D或F替换,或具有2至10个碳原子的烯基基团,其中一个或多个氢原子也可以被D或F替换;同时,两个相邻的R'基团或相邻苯基基团上的两个R'基团也可以一起形成环系;或者相邻苯基基团上的两个R'一起为选自O和S的基团,使得两个苯环与桥连基一起为二苯并呋喃或二苯并噻吩,并且另外的R'如上所定义;
n是0、1、2、3、4或5。
取代基(52)或(53)的存在可以实现定向发光,并因此提高效率。
当亚配体L2具有式(52)或(53)的取代基,并且L3同样是通过一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子与铱配位的亚配体时,优选的是所述亚配体L3不具有芳族或杂芳族取代基,或者取代基仅具有含有不多于6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团,并且可以仅被非芳族取代基取代。
式(52)和(53)的基团的区别仅在于式(52)的基团在对位键合到亚配体L2上,而式(53)的基团在间位键合到亚配体L2上。
在本发明的一个优选的实施方式中,在式(52)和(53)中,n=0、1或2,优选0或1,且最优选0。
在本发明的另一个优选的实施方式中,在邻位上与碳原子(式(52)或(53)基团通过其键合到苯基吡啶配体)键合的两个取代基R'相同或不同,并且是H或D。
式(52)的结构的优选实施方式是式(52a)至(52n)的结构,并且式(53)的结构的优选实施方式是式(53a)至(53n)的结构:
/>
/>
其中所用符号具有上面给出的定义,并且其中9位上的芴基团也可以被一个或两个烷基基团取代,所述烷基基团各自具有1至6个碳原子,优选具有1至4个碳原子,更优选被两个甲基基团取代。
在式(52)或(53)的基团或优选的实施方式中的优选取代基R'选自H、D、CN和具有1至4个碳原子的烷基基团,更优选为H、D或甲基。
式(52)和(53)的取代基优选用于其中亚配体L3与亚配体L1相同或不同的络合物中,即具有两个式(2)的亚配体的络合物中。
当R基团并入二齿亚配体中或在键合在式(3)至(7)或优选实施方式内的式(8)的二价芳亚基或杂芳亚基基团内时,这些R基团在每种情况下相同或不同,且优选选自H,D,F,Br,I,N(R1)2,CN,Si(R1)3,B(OR1)2,C(=O)R1,具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基或烯基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代,或具有5至30个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个相邻的R基团一起或R与R1一起也可以形成单环或多环的脂族或芳族环系。更优选地,这些R基团在每种情况下相同或不同,并且选自H,D,F,N(R1)2,具有1至6个碳原子的直链烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中一个或多个氢原子可以被D或F替换,或具有5至24个芳族环原子、尤其是6至13个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个相邻的R基团一起或R与R1一起也可以形成单环或多环的脂族或芳族环系。
优选的R1基团在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,N(R2)2,CN,具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代,或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个或更多个相邻的R1基团可以一起形成单环或多环的脂族环系。键合到R的特别优选的R1基团在每种情况下相同或不同,并且是H,F,CN,具有1至5个碳原子的直链烷基基团或具有3至5个碳原子的支链或环状的烷基基团,其各自可以被一个或多个R2基团取代,或具有5至13个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个或更多个相邻的R1基团可以一起形成单环或多环的脂族环系。
优选的R2基团在每种情况下相同或不同,并且是H,F,或具有1至5个碳原子的脂族烃基基团或具有6至12个碳原子的芳族烃基基团;同时,两个或更多个R2取代基也可以一起形成单环或多环的脂族环系。
上述优选的实施方式可以根据需要彼此组合。在本发明的一个特别优选的实施方式中,上述优选的实施方式同时适用。因此,尤其优选的是,V基团的优选实施方式与亚配体L1、L2和L3的优选实施方式和取代基的优选实施方式组合。
本发明的合适结构的实例是下面描绘的化合物。
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
本发明的铱络合物是手性结构。如果所述络合物的三足配体此外还具有手性,则可能形成非对映异构体和多个对映异构体对。在这种情况下,本发明的络合物包括不同的非对映异构体或相应的外消旋体的混合物以及单独分离的非对映异构体或对映异构体。
如果在络合反应中使用具有亚配体L1的两种相同前体或两种相同的亚配体L2的Cs-对称配体前体,其通常获得的是作为C1-对称络合物,即Δ对映异构体和Λ对映异构体的外消旋混合物。这些可以通过标准方法(手性材料/柱上进行色谱分离或通过结晶进行光学拆分)分离。这在以下方案中示出,所述方案使用带有两个相同的苯基吡啶亚配体的Cs-对称配体前体的实例并且也类似地适用于所有其它Cs-对称配体前体。
通过非对映异构盐对的分级结晶进行的光学拆分可以通过常规方法来实现。为此目的,一种选择是氧化不带电荷的Ir(III)络合物(例如,用过氧化物或H2O2或通过电化学方法),将对映异构体纯的单阴离子碱(手性碱)的盐添加到由此产生的阳离子Ir(IV)络合物中,通过分级结晶分离由此产生的非对映异构体盐,然后借助还原剂(例如锌、水合肼、抗坏血酸等)将其还原以给出对映异构体纯的不带电荷的络合物,如以下示意性显示的:
另外,通过在手性介质(例如,R-或S-1,1-二萘酚)中络合,可以实现对映异构纯或对映异构富集的合成。
也可以用C1-对称配体前体的络合物进行类似的方法。
如果在络合中使用C1-对称配体,则通常获得的是络合物的非对映异构体混合物,其可以通过标准方法(色谱分离、结晶)来分离。
本发明的化合物原则上可通过多种方法制备。通常,为此目的,在卤素清除剂如银盐(AgNO3、Ag2O、Ag2CO3、AgOTf等)存在下,并在所需的吡唑基硼酸盐合成子存在下,使铱盐与适当的配体前体反应。合适的吡唑基硼酸盐合成子可以是不带电荷的或阴离子的。在反应过程以及O-金属化反应中,还发生配位反应和双(吡唑基硼酸)亚配体的模板控制的构造。
配体前体
因此,本发明还提供一种通过使适当的配体前体与吡唑基硼酸盐合成子和与式(54)的铱烷醇盐、与式(55)的铱酮酮合物、与式(56)的卤化铱及其三乙腈、三苯甲腈或三四氢噻吩加合物、或与式(57)的羧酸铱反应来制备本发明的化合物的方法,
其中R具有上面给出的定义,Hal=F、Cl、Br或I,并且铱反应物也可以采取相应水合物的形式。R在此优选是具有1至4个碳原子的烷基基团。
同样可以使用带有烷醇盐和/或卤化物和/或羟基和酮酮阴离子基团的铱化合物。这些化合物也可以带电荷。在WO 2004/085449中公开了特别适合作为反应物的相应铱化合物。特别合适的是[IrCl2(acac)2]-,例如Na[IrCl2(acac)2],具有作为配体的乙酰丙酮阴离子衍生物的金属络合物,例如Ir(acac)3或三(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮基)铱和IrCl3·xH2O,其中x通常是2至4的数。
如果合适,可以添加另外的添加剂,诸如酸或碱。
通过这些方法,如果需要,然后进行纯化如重结晶或升华,可以以高纯度,优选大于99%(通过1H NMR和/或HPLC测定)的纯度,获得本发明的式(1)化合物。
本发明化合物还可以通过用相对长的烷基基团(约4至20个碳原子),特别是支链烷基基团,或任选取代的芳基基团,例如二甲苯基、均三甲苯基或支链三联苯或四联苯基团的适当取代而变得可溶。引起金属络合物的溶解度明显改善的另一种特定方法是使用稠合的脂族基团,如在例如上文公开的式(45)至(51)所示的。然后这类化合物在室温下在标准有机溶剂如甲苯或二甲苯中以足够的浓度溶解,从而能够从溶液中加工络合物。这些可溶性化合物特别适用于从溶液中例如通过印刷方法加工。
为了从液相例如通过旋涂或印刷方法加工本发明的铱络合物,需要本发明的铱络合物的制剂。这些制剂可以是例如溶液、分散体或乳液。为此目的,可以优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适且优选的溶剂例如是甲苯,苯甲醚,邻-、间-或对-二甲苯,苯甲酸甲酯,均三甲苯,四氢化萘,藜芦醚,THF,甲基-THF,THP,氯苯,二烷,苯氧基甲苯、特别是3-苯氧基甲苯,(-)-葑酮,1,2,3,5-四甲基苯,1,2,4,5-四甲基苯,1-甲基萘,2-甲基苯并噻唑,2-苯氧基乙醇,2-吡咯烷酮,3-甲基苯甲醚,4-甲基苯甲醚,3,4-二甲基苯甲醚,3,5-二甲基苯甲醚,苯乙酮,α-萜品醇,苯并噻唑,苯甲酸丁酯,异丙苯,环己醇,环己酮,环己基苯,十氢化萘,十二烷基苯,苯甲酸乙酯,茚满,NMP,对伞花烃,苯乙醚,1,4-二异丙基苯,二苄基醚,二乙二醇丁基甲基醚,三乙二醇丁基甲基醚,二乙二醇二丁基醚,三乙二醇二甲醚,二乙二醇单丁醚,三丙二醇二甲醚,四乙二醇二甲醚,2-异丙基萘,戊基苯,己基苯,庚基苯,辛基苯,1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷,六甲基茚满,2-甲基联苯,3-甲基联苯,1-甲基萘,1-乙基萘,辛酸乙酯,癸二酸二乙酯,辛基辛酯,庚基苯,异戊酸薄荷酯,己酸环己酯,或这些溶剂的混合物。
因此,本发明还提供一种包含至少一种本发明化合物和至少一种其它化合物的制剂。所述其它化合物可以是例如溶剂,特别是上述溶剂中的一种或这些溶剂的混合物。或者,所述其它化合物可以是其它的有机或无机化合物,其同样用于电子器件中,例如基质材料。所述其它化合物也可以是聚合的。
本发明的化合物可以用作电子器件中的有源组分,优选用作发光层中的发光体或用作空穴或电子传输层中的空穴或电子传输材料,或用作氧敏化剂或用作光引发剂或光催化剂。因此,本发明还提供本发明的化合物在电子器件中或作为氧敏化剂或作为光引发剂或光催化剂的用途。本发明的对映异构纯铱络合物适合用作手性光诱导合成的光催化剂。
本发明还提供一种包含至少一种本发明化合物的电子器件。
电子器件应理解为是指任何包括阳极、阴极和至少一层的器件,所述层包含至少一种有机或有机金属化合物。因此,本发明的电子器件包括阳极、阴极和至少一个含有至少一种本发明铱络合物的层。优选的电子器件选自有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)(后者应理解为意指纯有机太阳能电池和染料敏化的太阳能电池)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)、氧传感器和有机激光二极管(O-激光器),所述电子器件在至少一层中包含至少一种本发明的化合物。发射红外光的化合物适用于有机红外电致发光器件和红外传感器。特别优选有机电致发光器件。有源组分通常是引入阳极和阴极之间的有机或无机材料,例如电荷注入、电荷传输或电荷阻挡材料,但特别是发光材料和基质材料。本发明的化合物作为有机电致发光器件中的发光材料表现出特别好的性质。因此,本发明的一个优选的实施方式是有机电致发光器件。此外,本发明的化合物可以用于制造单态氧或用于光催化。
所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层之外,其还可以包括其它层,例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层、电荷产生层和/或有机或无机p/n结。在这种情况下,一个或多个空穴传输层可以是p型掺杂的,例如用金属氧化物诸如MoO3或WO3,或用(全)氟化缺电子芳族化合物或用缺电子氰基取代的杂芳族化合物(例如,根据JP4747558、JP 2006-135145、US 2006/0289882、WO 2012/095143),或用醌式体系(例如,根据EP1336208),或用路易斯酸,或用硼烷(例如,根据US 2003/0006411、WO 2002/051850、WO2015/049030),或用第3、4或5主族的元素的羧酸盐(WO 2015/018539)p型掺杂,和/或一个或多个电子传输层是n型掺杂的。
同样可以在两个发光层之间引入中间层,其具有例如激子阻挡功能和/或控制电致发光器件中的电荷平衡和/或产生电荷(电荷产生层,例如在具有两个或更多个发光层的层体系中,例如在发射白光的OLED组件中)。然而,应该指出,这些层中的每一个不必都存在。
在这种情况下,有机电致发光器件可以包括发光层,或者包括多个发光层。如果存在多个发光层,则这些发光层优选总共具有多个在380nm至750nm之间的发光最大值,使得总体结果是发射白光;换句话说,在发光层中使用可以发荧光或磷光的多种发光化合物。特别优选三层体系,其中这三个层表现出蓝色、绿色和橙色或红色发光(对于基本构造,参见例如WO 2005/011013),或具有多于三个发光层的体系。所述体系还可以是混合体系,其中一个或多个层发荧光并且一个或多个其它层发磷光。一个优选的实施方式是串联式OLED。发白光的有机电致发光器件可以用于照明应用,或者用于全色显示器的滤色器。
在本发明的一个优选的实施方式中,有机电致发光器件包含本发明的铱络合物作为一个或多个发光层中的发光化合物。
当本发明的铱络合物用作发光层中的发光化合物时,优选将其与一种或多种基质材料组合使用。
当有机电致发光器件通过真空气相沉积制造时,基于发光体和基质材料的总混合物计,本发明的铱络合物和基质材料的混合物含有0.1体积%至99体积%,优选1体积%至90体积%,更优选3体积%至40体积%,且特别是5体积%至15体积%的本发明的铱络合物。相应地,基于发光体和基质材料的总混合物计,所述混合物含有99.9体积%至1体积%,优选99体积%至10体积%,更优选97体积%至60体积%且特别是95体积%至85体积%的基质材料。
当有机电致发光器件从溶液中制造时,基于发光体和基质材料的总混合物计,本发明的铱络合物和基质材料的混合物含有0.1重量%至99重量%,优选1重量%至90重量%,更优选3重量%至30重量%且尤其是3重量%至20重量%的本发明的铱络合物。相应地,基于发光体和基质材料的总混合物计,所述混合物含有99.9重量%至1重量%,优选99重量%至10重量%,更优选97重量%至70重量%且尤其是97重量%至80重量%的基质材料。
使用的基质材料通常可以是根据现有技术已知用此目的的任何材料。基质材料的三重态能级优选高于发光体的三重态能级。
用于本发明化合物的合适基质材料是酮,氧化膦,亚砜和砜,例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680,三芳基胺,咔唑衍生物,例如CBP(N,N-双咔唑基联苯)、m-CBP或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或US 2009/0134784中公开的咔唑衍生物,联咔唑衍生物,吲哚并咔唑衍生物,例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746,茚并咔唑衍生物,例如根据WO 2010/136109或WO 2011/000455,氮杂咔唑,例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP1731584、JP 2005/347160,双极性基质材料,例如根据WO 2007/137725,硅烷,例如根据WO2005/111172,硼氮杂环戊熳或硼酸酯,例如根据WO 2006/117052,硅二氮杂环戊熳衍生物,例如根据WO 2010/054729,磷二氮杂环戊熳衍生物,例如根据WO 2010/054730,三嗪衍生物,例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746,锌络合物,例如根据EP652273或WO 2009/062578,二苯并呋喃衍生物,例如根据WO 2009/148015或WO 2015/169412,或桥连的咔唑衍生物,例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107或WO 2011/088877。用于溶液加工的OLED的合适基质材料也可以是聚合物,例如根据WO 2012/008550或WO 2012/048778,低聚物或树枝状大分子,例如根据Journal ofLuminescence 183(2017),150~158。
还可以优选使用作为混合物的多种不同的基质材料,特别是至少一种电子传导基质材料和至少一种空穴传导基质材料。优选的组合是例如使用芳族酮、三嗪衍生物或氧化膦衍生物与三芳基胺衍生物或咔唑衍生物作为本发明的金属络合物的混合基质。同样优选使用电荷传输基质材料和电惰性基质材料(称为“宽带隙主体”)的混合物,所述电惰性基质材料即使参与电荷传输也没有明显参与电荷传输,如在例如WO 2010/108579或WO 2016/184540中所述的。同样优选使用两种电子传输基质材料,例如三嗪衍生物和内酰胺衍生物,如在例如WO 2014/094964中所述的。
下面描绘的是适合作为本发明化合物的基质材料的化合物的实例。
可以用作电子传输基质材料的三嗪和嘧啶的实例是以下结构:
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
可以用作电子传输基质材料的内酰胺的实例是以下结构:
/>
/>
/>
在根据取代模式可以用作空穴或电子传输基质材料的最广泛意义上,吲哚并咔唑和茚并咔唑衍生物的实例是以下结构:
/>
/>
/>
/>
/>
/>
根据取代模式可以用作空穴或电子传输基质材料的咔唑衍生物的实例是以下结构:
/>
可以用作空穴传输基质材料的桥连咔唑衍生物的实例是以下结构:
/>
/>
/>
/>
可以用作空穴基质材料的联咔唑衍生物的实例是以下结构:
/>
/>
/>
/>
可以用作空穴传输基质材料的胺的实例是以下结构:
/>
/>
/>
可以用作宽带隙基质材料的材料的实例是以下结构:
/>
在本发明的另一个实施方式中,使用两种或更多种三重态发光体、尤其是两种或三种三重态发光体,以及与一种或多种基质材料的混合物。在这种情况下,具有较短波发光光谱的三重态发光体用作具有较长波发光光谱的三重态发光体的共基质。这些三重态发光体优选具有绿色和橙色或红色,或可选地蓝色和绿色的发光颜色。例如,本发明的金属络合物可以与作为共基质的以较短波长发光的金属络合物组合。例如,可以使用本发明的金属络合物作为用于较长波长发光的三重态发光体的共基质。在这种情况下,还优选的是,短波发光金属络合物和长波发光金属络合物都是本发明的化合物。在使用三种三重态发光体的混合物的情况下,一个优选的实施方式是两种用作共主体,而一种用作发光材料。这些三重态发光体优选具有绿色、黄色和红色或可选地蓝色、绿色和橙色的发光颜色。
在发光层中,另一优选的混合物包含电荷传输主体材料,尤其是电子传输主体材料和所谓的“宽带隙”主体材料,其由于其电子性质,即使有也没有显著程度地参与层中的电荷传输,以及共掺杂剂,其为发光波长比本发明化合物短的三重态发光体,以及本发明的化合物。
本发明的化合物还可以用于电子器件中的其它功能,例如作为空穴注入或传输层中的空穴传输材料,作为电荷产生材料,作为电子阻挡材料、作为空穴阻挡材料或作为例如在电子传输层中的电子传输材料。同样可以使用本发明的化合物作为发光层中的其它磷光金属络合物的基质材料。
优选的阴极是具有低逸出功的金属,由多种金属如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)组成的金属合金或多层结构。另外合适的是由碱金属或碱土金属和银组成的合金,例如由镁和银组成的合金。在多层结构的情况下,除了所述金属之外,还可以使用具有相对高逸出功的其它金属,例如Ag,在这种情况下,例如,通常使用金属的组合,诸如Mg/Ag、Ca/Ag或Ba/Ag。还可以优选在金属阴极与有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。用于此目的的有用材料的实例是碱金属或碱土金属氟化物,以及相应的氧化物或碳酸盐(例如,LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3等)。同样可用于此目的的是有机碱金属络合物,例如,Liq(喹啉锂)。所述层的层厚度优选在0.5nm与5nm之间。
优选的阳极是具有高逸出功的材料。优选地,阳极具有相对于真空大于4.5eV的逸出功。首先,具有高氧化还原电位的金属适合此目的,例如Ag、Pt或Au。其次,金属/金属氧化物电极(例如,Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)也可以是优选的。对于一些应用,至少一个电极必须是透明的或部分透明的,以便能够照射有机材料(O-SC)或发光(OLED/PLED、O-激光器)。在此优选的阳极材料是导电的混合金属氧化物。特别优选的是氧化锡铟(ITO)或氧化铟锌(IZO)。还优选导电掺杂的有机材料,特别是导电掺杂的聚合物,例如PEDOT、PANI或这些聚合物的衍生物。还优选将p型掺杂的空穴传输材料作为空穴注入层施加到阳极上,在这种情况下,合适的p型掺杂剂是金属氧化物,例如MoO3或WO3,或(全)氟化缺电子芳族体系。其它合适的p型掺杂剂是HAT-CN(六氰基六氮杂联三苯叉)或来自诺瓦尔德(Novaled)的化合物NPD9。这种层简化了向具有低HOMO的材料中的空穴注入,所述低HOMO也即在大小方面的大HOMO。
在其它层中,通常可以使用如根据现有技术用于层的任何材料,并且本领域技术人员能够在不付出创造性劳动的情况下将这些材料中的任何一种与本发明的材料组合在电子器件中。
可用于根据本发明的有机电致发光器件的空穴注入或空穴传输层或电子阻挡层或电子传输层中的合适的电荷传输材料例如是公开在Y.Shirota等,Chem.Rev.2007,107(4),953-1010中的化合物,或如在根据现有技术的这些层中使用的其它材料。可以用于本发明的电致发光器件中的空穴传输、空穴注入或电子阻挡层中的优选空穴传输材料是茚并芴胺衍生物(例如,根据WO 06/122630或WO 06/100896),EP 1661888中公开的胺衍生物,六氮杂联三苯叉衍生物(例如,根据WO 01/049806),具有稠合芳族体系的胺衍生物(例如,根据US 5,061,569),WO 95/09147中公开的胺衍生物,单苯并茚并芴胺(例如,根据WO 08/006449),二苯并茚并芴胺(例如,根据WO 07/140847),螺二芴胺(例如,根据WO 2012/034627、WO 2014/056565),芴胺(例如,根据EP 2875092、EP 2875699和EP 2875004),螺二苯并吡喃胺(例如,EP 2780325)和二氢吖啶衍生物(例如,根据WO 2012/150001)。
所述器件相应地(根据应用)结构化、设置接触连接并最终气密密封,因为这些器件的寿命在存在水和/或空气的情况下严重缩短。
另外优选的是有机电致发光器件,其特征在于通过升华工艺涂覆一层或多层。在这种情况下,材料在真空升华系统中在通常小于10-5毫巴,优选小于10-6毫巴的初始压力下通过气相沉积施用。初始压力也可以甚至更低或甚至更高,例如小于10-7毫巴。
同样优选一种有机电致发光器件,其特征在于一层或多层通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华涂覆。在这种情况下,材料是在10-5毫巴和1巴之间的压力下施加的。所述方法的一个特例是OVJP(有机蒸气喷射印刷)方法,其中材料直接通过喷嘴施加并因此被结构化(例如M.S.Arnold等,Appl.Phys.Lett.2008,92,053301)。
另外优选一种有机电致发光器件,其特征在于,一层或多层是从溶液中例如通过旋涂,或通过任何印刷方法如丝网印刷、柔版印刷、胶版印刷或喷嘴印刷,但是更优选LITI(光诱导热成像、热转移印刷)或喷墨印刷制造的。为此目的,需要可溶性化合物,其例如通过合适的取代获得。
有机电致发光器件也可以通过从溶液中施用一层或多层并通过气相沉积施用一个或多个其它层而制造为混合体系。例如,可以从溶液中施用包含本发明的金属络合物和基质材料的发光层,并且通过在减压下气相沉积将空穴阻挡层和/或电子传输层施用到其上。
这些方法对于本领域的技术人员而言是通常已知的,并且本领域技术人员可以毫无困难地应用于包含式(1)化合物或上面详述的优选实施方式的有机电致发光器件。
与现有技术相比,本发明的电子器件、特别是有机电致发光器件具有以下令人惊奇的优点中的一个或多个:
1.使用本发明的金属络合物,可以高效率和长寿命地获得红色、橙色、黄色、绿色和蓝色发光。
2.本发明的金属络合物具有非常好的水解稳定性。特别地,水解稳定性比含有吡唑基硼酸盐衍生物作为配体(但其中配体不具有多足桥连基)的络合物的情况好得多。因此,本发明的化合物也非常适合从溶液中加工。在络合物的合成中,水解稳定性的改善也是一个优点。
3.包含本发明的金属络合物作为发光材料的有机电致发光器件具有优异的效率并显示出定向发射。发射效率优于不具有式(2)的吡唑基硼酸盐亚配体的可比络合物。这种效果对于其中L3是式(2)的亚配体的金属络合物,即具有两个式(2)的亚配体的那些络合物特别明显。这种效果对于亚配体L2具有式(52)或(53)的取代基时,且尤其是亚配体L3同时具有式(2)的结构时也特别明显。
这些上述优势不会伴随着其它电子性质的损害。
通过以下实施例更详细地说明本发明,但并非意图限制本发明。本领域技术人员将能够使用所给出的细节而无需付出创造性劳动,来制造本发明的其它电子器件,从而在要求保护的整个范围内实施本发明。
具体实施方式
实施例:
除非另有说明,否则下面的合成是在保护气氛下在干燥的溶剂中进行。另外在排除光的情况下或在黄光下处理金属络合物。溶剂和试剂可以购自例如西格玛-奥德里奇公司(Sigma-ALDRICH)或ABCR。方括号中的相应数字或对于单独化合物的引用数字与文献中已知的化合物的CAS编号有关。在化合物可以具有多种互变异构形式的情况下,以代表性方式显示一种互变异构形式。
A:合成子S的合成:
实施例S1:
向11.2g(100mmol)的1H-吡唑-4-硼酸[763120-58-7]、28.3g(100mmol)的2-溴碘苯[583-55-1]和21.2g(200mmol)的碳酸钠在300ml的二烷和50ml水中的充分搅拌的混合物中,添加1.63g(2mmol)的二氯[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]钯(II)x CH2Cl2,然后将混合物在回流下加热16小时。冷却后,添加300ml饱和氯化钠溶液,且分离有机相,并且用硫酸镁干燥。使用硅胶床在二/>烷浆液中从混合物中过滤出干燥剂,在减压下浓缩滤液,并对残余物进行快速色谱分离(来自A.Semrau的Torrent自动柱系统)。收率:12.0g(54mmol),54%。纯度:根据1H NMR,约95%。
以类似的方式,可以制备以下化合物:
/>
实施例S30:
将66.3g(100mmol)的2,2'-[5”-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-[1,1':2',1”:3”,1”':2”',1””-五联苯]-4,4””-二基]双吡啶[1989597-72-9]、22.3g(100mmol)S1、21.2g(200mmol)碳酸钠、1.23g(3mmol)SPhos、449mg(2mmol)乙酸钯(II)、300ml甲苯、100ml乙醇和300ml水的充分搅拌的混合物在回流下加热16小时。冷却后,将混合物用300ml甲苯增量,且分离有机相,用500ml水洗涤一次,且用500ml饱和氯化钠溶液洗涤一次,并且经硫酸镁干燥。使用硅藻土床在甲苯浆液中滤出干燥剂并减压除去溶剂之后,将残余物从乙腈/乙酸乙酯中重结晶。收率:49.6g(73mmol),73%。纯度:根据1H NMR,约97%。
以类似的方式,可以制备以下化合物:
/>
/>
/>
实施例S50:
向18.2g(50mmol)的2,2'-(5-氯-1,3-苯亚基)双[4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷[1417036-49-7]、22.3g(100mmol)的S1和21.2g(200mmol)碳酸钠在300ml甲苯、200ml乙醇和300ml水中的充分搅拌的混合物中添加1.6g(6mmol)三苯基膦,然后添加449mg(2mmol)乙酸钯(II),然后将混合物在回流下加热24小时。冷却后,分离甲苯相,并用300ml水洗涤一次,且用300ml饱和氯化钠溶液洗涤一次,然后用硫酸镁干燥。通过硅藻土床在甲苯浆液中过滤混合物,减压除去甲苯,并将残余物从乙腈/甲醇中重结晶。收率:12.7g(32mmol),64%。纯度:根据1H NMR,约95%。
实施例S51:
向19.8g(50mmol)的S50、14.0g(55mmol)的双(频哪醇根合)乙硼烷[78183-34-3]、8.2g(100mmol)的乙酸钠和50g的玻璃珠(直径3mm)在300ml的THF中的混合物中,连续添加534mg(1.3mmol)的SPhos和224mg(1mmol)的乙酸钯(II)且将混合物在回流下搅拌16小时。冷却后,将反应混合物通过硅藻土床在THF浆液中过滤。将滤液减压浓缩至干,并且残余物通过在200ml温甲醇搅拌来提取。抽滤出产物,用甲醇洗涤两次,每次用50ml甲醇,并且减压干燥。收率:23.0g(47mmol),94%。纯度:根据1H NMR,约95%。
实施例S60:
将48.8g(100mmol)的S51、31.0g(100mmol)的2-(2'-溴[1,1'-联苯基]-4-基)吡啶[1374202-35-3]、21.2g(200mmol)的碳酸钠、1.23g(3mmol)的SPhos、449mg(2mmol)的乙酸钯(II)、300ml的甲苯、100ml的乙醇和300ml的水的充分搅拌的混合物在回流下加热16小时。冷却后,将混合物用300ml甲苯增量,且分离有机相,用500ml水洗涤一次,并用500ml饱和氯化钠溶液洗涤一次,并且经硫酸镁干燥。使用硅藻土床在甲苯浆液中滤出干燥剂并减压除去溶剂之后,将残余物从乙腈/乙酸乙酯中重结晶。收率:37.3g(63mmol),63%。纯度:根据1H NMR,约97%。
以类似的方式,可以制备以下化合物:
/>
/>
B:络合物的合成:
实施例Ir(L30):
在60℃下,向6.79g(10mmol)S30在200ml无水苯甲腈中的充分搅拌的溶液中添加8.27g(30mmol)碳酸银[534-16-7]和50g玻璃珠(直径3mm),且将混合物搅拌5分钟。然后添加3.22g(10mmol)三(乙腈)三氯铱(III)[85835-70-7],并在水分离器上将反应混合物加热至130℃,持续6小时,在此过程中蒸馏出乙腈。将混合物冷却至60℃,添加2.8g(12mmol)1,5-环辛二基(N,N-二甲胺)(1H-吡唑-N1)硼烷[125050-95-5],且将混合物在60℃下搅拌16小时。减压除去苯甲腈,将残余物溶解在300ml二氯甲烷(DCM)中,然后在旋转蒸发器上蒸馏出DCM,同时滴加MeOH直至粗产物结晶。抽滤出粗产物,用MeOH洗涤三次,每次用30ml的MeOH,并减压干燥。将由此获得的粗产物溶解于200ml二氯甲烷中,且在黑暗中在排除空气的情况下经约1kg的硅胶以二氯甲烷浆液形式(柱直径约18cm)过滤,开始时留下深色组分。馏出核心级分并将其在旋转蒸发器上浓缩,同时连续滴加MeOH直至结晶。在抽吸除去后,用少量MeOH洗涤并在减压下干燥,在小心地排除空气和光的情况下通过用二氯甲烷/乙腈1:1(v/v)连续热提取五次进一步纯化橙色产物(在每种情况下最初装入的量为约200ml,提取套管:得自沃德曼(Whatman)的由纤维素制成的标准索氏套管)。母液中的损失可以通过二氯甲烷(低沸点物和良好溶剂):乙腈(高沸点物和不良溶剂)的比率来调节。其通常应为所用量的3~6重量%。热提取也可以使用其它溶剂或溶剂混合物如甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、i-PrOH等完成。最后,在380~440℃下在高真空下使产物分级升华。收率:3.82g(3.6mmol),36%。纯度:根据HPLC,>99.9%。
以类似的方式,可以制备以下化合物:
/>
/>
/>
实施例Ir(L60):
在60℃下,向5.92g(10mmol)S60在200ml无水苯甲腈中的充分搅拌的溶液中添加8.27g(30mmol)碳酸银[534-16-7]和50g玻璃珠(直径3mm),且将混合物搅拌5分钟。然后添加3.22g(10mmol)三(乙腈)三氯铱(III)[85835-70-7],并在水分离器上将反应混合物加热至130℃,持续6小时,在此过程中蒸馏出乙腈。将混合物冷却至60℃,添加4.98g(25mmol)的[二甲基双(1H-吡唑-N1)]硼酸钠[56953-94-7],且将混合物在60℃下搅拌16小时。减压除去苯甲腈,将残余物溶解在300ml二氯甲烷(DCM)中,然后在旋转蒸发器上蒸馏出DCM,同时滴加MeOH直至粗产物结晶。抽滤出粗产物,用MeOH洗涤三次,每次用30ml的MeOH,然后减压干燥。如实施例Ir(L30)中所述来纯化并升华所获得的粗产物。收率:3.01g(3mmol),30%。纯度:根据HPLC,>99.9%。
以类似的方式,可以制备以下化合物:
/>
/>
络合物的水解稳定性:
对于从溶液中加工(参见实施例:OLED的制造,溶液加工的器件),络合物必须具有非常好的水解稳定性,因为溶剂中存在的残余水会导致水解分解。即使轻微程度的水解分解也会对OLED的组件性质在效率方面且特别是寿命方面产生非常不利的影响。为了验证水解稳定性,将15mg的络合物溶解在0.75ml的DMSO-d6中,添加50μl的H2O,并且将混合物在60℃下储存8小时。此后,记录1H NMR谱(1024次扫描),并与在无水DMSO-d6中的络合物(将溶液同样在60℃下储存8小时)的1H NMR谱比较。水解可被新信号的出现所察觉。这些可以被分配给游离配体、配体的水解产物和水合络合物。结果示出在下表1中。
表1:水解性质
实施例:OLED的制造
1)真空加工的器件:
本发明的OLED和根据现有技术的OLED是通过根据WO 2004/058911的通用方法制造,所述方法适合于这里描述的情况(层厚度、所用材料的改变)。
在下面的实施例中,提供多种OLED的结果。涂有厚度为50nm的结构化ITO(氧化锡铟)的清洁玻璃板(在Miele实验室玻璃清洁器中清洁,Merck Extran清洁剂)用UV臭氧预处理25分钟(来自UVP的PR-100UV臭氧发生器),并且为了改善加工,在30分钟内涂覆20nm的PEDOT:PSS(聚(3,4-乙亚基二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)(从德国贺利氏贵金属材料有限公司(Heraeus Precious Metals GmbH Deutschland)作为CLEVIOSTMP VP AI 4083购买,从水溶液中旋涂),然后在180℃下烘烤10分钟。这些涂覆的玻璃板形成施加OLED的基底。OLED基本上具有以下层结构:基底/空穴注入层1(HIL1),其由掺杂有5%NDP-9(可从诺瓦尔德(Novaled)商购获得)的HTM组成,20nm/空穴传输层1(HTL1),其由HTM组成,对于蓝色器件,160nm,对于绿色/黄色器件,220nm/电子阻挡层(EBL)/发射层(EML)/空穴阻挡层(HBL)/电子传输层(ETL)/任选的电子注入层(EIL),且最后是阴极。阴极通过厚度为100nm的铝层形成。
对于真空加工的OLED,所有材料都通过在真空室中热气相沉积施加的。在这种情况下,发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光体)组成,所述发光掺杂剂通过共蒸发以特定的体积比例添加到一种或多种基质材料中。以诸如M1:M2:Ir(L2)(55%:35%:10%)的形式给出的细节在此是指材料M1以55%的体积比例、M2以35%的体积比例且Ir(L1)以10%的体积比例存在于层中。类似地,电子传输层也可以由两种材料的混合物组成。OLED的精确结构可在表2中见到。用于制造OLED的材料示于表5中。
以标准方式表征OLED。为此目的,确定电致发光光谱、作为亮度函数的电流效率(以cd/A计量)、功率效率(以lm/W计量)和外量子效率(EQE,以百分比计量),从假定郎伯发光特性的电流-电压-亮度特性(IUL特性)来计算,并且确定寿命。电致发光光谱在1000cd/m2的亮度下确定,并由此计算CIE 1931 x和y色坐标。寿命LD80定义为在40mA/cm2的恒定电流下操作的过程中亮度下降到起始亮度的80%后的时间。
在磷光OLED中使用本发明的化合物作为发光体材料
本发明化合物的一种用途是作为OLED的发光层中的磷光发光体材料。OLED的结果整理在表3中。
表2:OLED的结构
表3:真空加工的OLED的结果
溶液加工的器件:
自低分子量的可溶性功能材料加工
本发明的铱络合物也可以从溶液中加工,并且在此得到与真空加工的OLED相比在加工技术方面简单得多、但是仍然具有良好性质的OLED。这些组件的制造是基于聚合物发光二极管(PLED)的制造,其已经在文献中多次描述(例如,在WO 2004/037887中)。所述结构由基底/ITO/空穴注入层(60nm)/中间层(20nm)/发光层(60nm)/空穴阻挡层(10nm)/电子传输层(40nm)/阴极组成。为此目的,使用来自Technoprint的基底(钠钙玻璃),其上施用了ITO结构(氧化锡铟,透明的导电阳极)。在洁净室中用去离子水和去污剂(Deconex 15PF)清洁基底,然后通过UV/臭氧等离子体处理进行活化。此后,同样在洁净室中,通过旋涂施用20nm空穴注入层。所需的旋涂速率取决于稀释程度和特定旋涂机的几何形状。为了从层中除去残留的水,将基底在200℃的加热板上烘烤30分钟。所用的中间层用于空穴传输。在本发明例中,使用来自默克公司(Merck)的HL-X。中间层也可以替代地用一个或多个层代替,这些层只需要满足不被随后的从溶液中进行EML沉积的加工步骤再次浸出的条件。为了制造发光层,将本发明的三重态发光体与基质材料一起溶解在甲苯或氯苯中。这种溶液的通常固体含量为16至25g/l,在这种情况下,器件特有的60nm的层厚度将通过旋涂实现。1型溶液加工器件包括由M3:M4:IrL(20%:60%:20%)组成的发光层,并且2型溶液加工器件包括由M3:M4:IrLa:IrLb(30%:34%:30%:6%)组成的发光层;换句话说,它们含有两种不同的铱络合物。在惰性气体气氛中旋涂发光层,在本例中所述惰性气体为氩气,并在160℃下烘烤10分钟。在发光层之上气相沉积空穴阻挡层(10nm ETM1)和电子传输层(40nm ETM1(50%)/ETM2(50%))(Lesker等的气相沉积系统,通常的气相沉积压力为5×10-6毫巴)。最后,通过气相沉积施用铝阴极(100nm)(来自奥德里奇公司(Aldrich)的高纯度金属)。为了保护器件免受空气和空气湿度的影响,最后将器件封装起来,然后进行表征。所提到的OLED实施例还没有被优化。表4汇总所获得的数据。
表4:利用从溶液中加工的材料获得的结果
表5:所用材料的结构式
/>
/>

Claims (11)

1.一种式(1)的化合物,
其中使用的符号如下:
L1是式(2)的亚配体,所述亚配体通过两个由*标识的氮原子与铱配位,并且所述亚配体通过虚线键与V键合,
其中:
A在每种情况下相同或不同并且是CR或N,其中每个环中不超过一个A基团是N;
RB在每种情况下相同或不同,并且是F,OR1,具有1至10个碳原子的直链的烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代,或具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系;同时,两个RB基团也可以一起形成环系;
L2是二齿单阴离子亚配体,其通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位;
L3是二齿单阴离子亚配体,其通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位,或者是所述式(2)的亚配体,其可以与L1相同或不同;
亚配体L2是亚配体(L-1)或(L-2)之一,并且亚配体L3在通过一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子与铱配位时是亚配体(L-1)或(L-2)之一;
其中亚配体(L-1)是选自式(L-1-1)或(L-1-2)的结构,且亚配体(L-2)是选自式(L-2-1)至(L-2-4)的结构:
其中X在每种情况下相同或不同,并且是CR或N,条件是每个环中不超过两个符号X是N;并且*表示与铱配位的位置;并且“o”表示所述亚配体与V连接的位置,
V是下式(4c)或(5c)的结构,其中虚线键各自表示与亚配体L1、L2和L3连接的键,
R在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,Cl,Br,I,N(R1)2,OR1,SR1,CN,NO2,COOH,C(=O)N(R1)2,Si(R1)3,B(OR1)2,C(=O)R1,P(=O)(R1)2,S(=O)R1,S(=O)2R1,OSO2R1,具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代,或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系;
R1在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,Cl,Br,I,N(R2)2,OR2,SR2,CN,NO2,Si(R2)3,B(OR2)2,C(=O)R2,P(=O)(R2)2,S(=O)R2,S(=O)2R2,OSO2R2,具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代,或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系;
R2在每种情况下相同或不同,并且是H,D,F,或具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族的有机基团,其中一个或多个氢原子也可以被F替换。
2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于亚配体L1具有式(2a)的结构,
其中符号具有权利要求1中给出的定义,并且与配位氮原子相邻的取代基R在每种情况下相同或不同,并且选自H、D、F、甲基、乙基和苯基。
3.根据权利要求1或2所述的化合物,其特征在于RB基团是OR1,其中R1是具有1至5个碳原子的烷基基团。
4.根据权利要求1或2所述的化合物,其特征在于RB基团是具有1至5个碳原子的直链烷基基团,具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团,具有6至10个碳原子并且可以被一个或多个R1基团取代的芳基基团,或具有5至10个芳族环原子并且可以被一个或多个R1基团取代的杂芳基基团;其中R1具有权利要求1中给出的定义,并且R1不是芳族基团。
5.根据权利要求1或2所述的化合物,其特征在于两个RB基团与它们所键合的硼原子一起表示下式(B-1)至(B-8)之一的基团,
其中R1和R2具有权利要求1中给出的定义,与硼原子连接的虚线键各自表示与吡唑基环连接的键或当A=N时与三唑基环连接的键,并且未示出所述硼原子上的负电荷。
6.根据权利要求1或2所述的化合物,其特征在于L3表示所述式(2)的亚配体,其中亚配体L1和L3可以相同或不同。
7.一种用于制备根据权利要求1至6中的任一项所述的化合物的方法,其特征在于在吡唑基硼酸盐合成子的存在下且在卤素清除剂的存在下使铱盐与配体前体反应。
8.一种制剂,所述制剂包含至少一种根据权利要求1至6中的任一项所述的化合物和至少一种溶剂和/或至少一种另外的有机或无机化合物。
9.根据权利要求1至6中的任一项所述的化合物在电子器件中或作为氧敏化剂或作为光引发剂或光催化剂的用途。
10.一种电子器件,所述电子器件包含至少一种根据权利要求1至6中的任一项所述的化合物。
11.根据权利要求10所述的电子器件,其特征在于所述电子器件是有机电致发光器件,并且根据权利要求1至6中的任一项所述的化合物与基质材料一起存在于一个或多个发光层中。
CN201880076935.4A 2017-12-13 2018-12-10 金属络合物 Active CN111406062B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP17206950.2 2017-12-13
EP17206950 2017-12-13
PCT/EP2018/084094 WO2019115423A1 (de) 2017-12-13 2018-12-10 Metallkomplexe

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111406062A CN111406062A (zh) 2020-07-10
CN111406062B true CN111406062B (zh) 2024-01-19

Family

ID=60673348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880076935.4A Active CN111406062B (zh) 2017-12-13 2018-12-10 金属络合物

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11659763B2 (zh)
EP (1) EP3724202B1 (zh)
JP (1) JP7293228B2 (zh)
KR (1) KR20200098574A (zh)
CN (1) CN111406062B (zh)
TW (1) TWI791701B (zh)
WO (1) WO2019115423A1 (zh)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI776926B (zh) * 2017-07-25 2022-09-11 德商麥克專利有限公司 金屬錯合物
EP3877373B1 (de) 2018-11-06 2023-01-11 Merck Patent GmbH 5,6-diphenyl-5,6-dihydro-dibenz[c,e][1,2]azaphosphorin- und 6-phenyl-6h-dibenzo[c,e][1,2]thiazin-5,5-dioxid-derivate und ähnliche verbindungen als organische elektrolumineszenzmaterialien für oleds
TW202035345A (zh) 2019-01-17 2020-10-01 德商麥克專利有限公司 用於有機電致發光裝置之材料
KR20220035467A (ko) 2019-07-22 2022-03-22 메르크 파텐트 게엠베하 오르토-메탈화 금속 화합물의 제조 방법
EP4021903A1 (de) 2019-08-26 2022-07-06 Merck Patent GmbH Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
CN114341117A (zh) 2019-09-02 2022-04-12 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
WO2021078710A1 (en) 2019-10-22 2021-04-29 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
CN114630831A (zh) 2019-10-25 2022-06-14 默克专利有限公司 可用于有机电子器件中的化合物
TW202136471A (zh) 2019-12-17 2021-10-01 德商麥克專利有限公司 有機電致發光裝置用的材料
KR20220116013A (ko) 2019-12-18 2022-08-19 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계 발광 디바이스용 방향족 화합물
JP2023506570A (ja) 2019-12-19 2023-02-16 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機エレクトロルミネッセンス素子のための多環式化合物
WO2021170522A1 (de) 2020-02-25 2021-09-02 Merck Patent Gmbh Verwendung von heterocyclischen verbindungen in einer organischen elektronischen vorrichtung
EP4115457A1 (de) 2020-03-02 2023-01-11 Merck Patent GmbH Verwendung von sulfonverbindungen in einer organischen elektronischen vorrichtung
US20230157170A1 (en) 2020-03-17 2023-05-18 Merck Patent Gmbh Heteroaromatic compounds for organic electroluminescent devices
US20230147279A1 (en) 2020-03-17 2023-05-11 Merck Patent Gmbh Heterocyclic compounds for organic electroluminescent devices
KR20220158771A (ko) 2020-03-26 2022-12-01 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계 발광 디바이스용 환형 화합물
CN115335382A (zh) 2020-04-02 2022-11-11 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
US20230183269A1 (en) 2020-04-06 2023-06-15 Merck Patent Gmbh Polycyclic compounds for organic electroluminescent devices
KR20230017816A (ko) 2020-05-29 2023-02-06 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계 발광 장치
EP4169082A1 (de) 2020-06-23 2023-04-26 Merck Patent GmbH Verfahren zur herstellung einer mischung
WO2022002772A1 (de) 2020-06-29 2022-01-06 Merck Patent Gmbh Heteroaromatische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
EP4165052A1 (de) 2020-06-29 2023-04-19 Merck Patent GmbH Heterocyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2022029096A1 (de) 2020-08-06 2022-02-10 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
CN116134113A (zh) 2020-08-13 2023-05-16 默克专利有限公司 金属络合物
KR20230053629A (ko) 2020-08-18 2023-04-21 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계 발광 디바이스용 재료
EP4200289A1 (de) 2020-08-19 2023-06-28 Merck Patent GmbH Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
TW202229215A (zh) 2020-09-30 2022-08-01 德商麥克專利有限公司 用於有機電致發光裝置功能層之結構化的化合物
TW202222748A (zh) 2020-09-30 2022-06-16 德商麥克專利有限公司 用於結構化有機電致發光裝置的功能層之化合物
KR20230088748A (ko) 2020-10-16 2023-06-20 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계 발광 디바이스용 헤테로원자를 포함하는 화합물
US20230389423A1 (en) 2020-10-16 2023-11-30 Merck Patent Gmbh Heterocyclic compounds for organic electroluminescent devices
EP4259628A2 (de) 2020-12-10 2023-10-18 Merck Patent GmbH Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
TW202241899A (zh) 2020-12-18 2022-11-01 德商麥克專利有限公司 用於有機電致發光裝置之芳烴化合物
US20240124769A1 (en) 2020-12-18 2024-04-18 Merck Patent Gmbh Nitrogenous compounds for organic electroluminescent devices
EP4263746A1 (de) 2020-12-18 2023-10-25 Merck Patent GmbH Stickstoffhaltige heteroaromaten für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
JP2024502093A (ja) 2021-01-05 2024-01-17 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセントデバイスのための材料
WO2022229126A1 (de) 2021-04-29 2022-11-03 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
CN117279902A (zh) 2021-04-29 2023-12-22 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
EP4330257A1 (de) 2021-04-30 2024-03-06 Merck Patent GmbH Stickstoffhaltige, heterocyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2022243403A1 (de) 2021-05-21 2022-11-24 Merck Patent Gmbh Verfahren zur kontinuierlichen aufreinigung von mindestens einem funktionalen material und vorrichtung zur kontinuierlichen aufreinigung von mindestens einem funktionalen material
WO2022200638A1 (de) 2021-07-06 2022-09-29 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2023036976A1 (en) 2021-09-13 2023-03-16 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
WO2023041454A1 (de) 2021-09-14 2023-03-23 Merck Patent Gmbh Borhaltige, heterocyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2023052313A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023052314A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023052272A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023052275A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023072799A1 (de) 2021-10-27 2023-05-04 Merck Patent Gmbh Bor- und stickstoffhaltige, heterocyclische verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2023094412A1 (de) 2021-11-25 2023-06-01 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023110742A1 (de) 2021-12-13 2023-06-22 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2023117837A1 (de) 2021-12-21 2023-06-29 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von deuterierten organischen verbindungen
WO2023152063A1 (de) 2022-02-09 2023-08-17 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2023152346A1 (de) 2022-02-14 2023-08-17 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023161168A1 (de) 2022-02-23 2023-08-31 Merck Patent Gmbh Aromatische heterocyclen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2023161167A1 (de) 2022-02-23 2023-08-31 Merck Patent Gmbh Stickstoffhaltige heterocyclen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2023222559A1 (de) 2022-05-18 2023-11-23 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von deuterierten organischen verbindungen
WO2023247663A1 (de) 2022-06-24 2023-12-28 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2023247662A1 (de) 2022-06-24 2023-12-28 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2024013004A1 (de) 2022-07-11 2024-01-18 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2024033282A1 (en) 2022-08-09 2024-02-15 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201422767A (zh) * 2012-08-31 2014-06-16 Solvay 包含對稱四牙配位基之新穎過渡金屬錯合物
CN107207550A (zh) * 2015-02-03 2017-09-26 默克专利有限公司 金属络合物

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
EP0721935B1 (en) 1993-09-29 2003-01-22 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescent element and arylenediamine derivative
JPH07133483A (ja) 1993-11-09 1995-05-23 Shinko Electric Ind Co Ltd El素子用有機発光材料及びel素子
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
US6660410B2 (en) 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
DE10058578C2 (de) 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
DE50104149D1 (de) 2000-12-22 2004-11-18 Covion Organic Semiconductors Bor- oder aluminium-spiroverbindungen, deren verwendung in elekronikindustrie
US6597012B2 (en) 2001-05-02 2003-07-22 Junji Kido Organic electroluminescent device
ITRM20020411A1 (it) 2002-08-01 2004-02-02 Univ Roma La Sapienza Derivati dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
DE10249723A1 (de) 2002-10-25 2004-05-06 Covion Organic Semiconductors Gmbh Arylamin-Einheiten enthaltende konjugierte Polymere, deren Darstellung und Verwendung
KR101030158B1 (ko) 2002-12-23 2011-04-18 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전자발광 부품
JP4411851B2 (ja) 2003-03-19 2010-02-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE10314102A1 (de) 2003-03-27 2004-10-14 Covion Organic Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochreinen Organo-Iridium-Verbindungen
JP5318347B2 (ja) 2003-04-15 2013-10-16 メルク パテント ゲーエムベーハー 発光可能な、マトリックス材料と有機半導体との混合物、その使用、ならびに前記混合物を含む電子部品
JP4626515B2 (ja) 2003-04-23 2011-02-09 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
DE10333232A1 (de) 2003-07-21 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
US7795801B2 (en) 2003-09-30 2010-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound
US7790890B2 (en) 2004-03-31 2010-09-07 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display device and illumination device
KR100787425B1 (ko) 2004-11-29 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 페닐카바졸계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
DE102004023277A1 (de) 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
JP4862248B2 (ja) 2004-06-04 2012-01-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
ITRM20040352A1 (it) 2004-07-15 2004-10-15 Univ Roma La Sapienza Derivati oligomerici dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
US20060289882A1 (en) 2004-07-30 2006-12-28 Kazuki Nishimura Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
JP4747558B2 (ja) 2004-11-08 2011-08-17 ソニー株式会社 表示素子用有機材料および表示素子
JP2006135145A (ja) 2004-11-08 2006-05-25 Sony Corp 表示素子用有機材料および表示素子
CN101142170B (zh) 2005-03-18 2011-04-13 出光兴产株式会社 芳香族胺衍生物以及应用该衍生物的有机电致发光元件
JP5242380B2 (ja) 2005-05-03 2013-07-24 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102005023437A1 (de) 2005-05-20 2006-11-30 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
EP1956022B1 (en) 2005-12-01 2012-07-25 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Compound for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element
DE102006025777A1 (de) 2006-05-31 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006025846A1 (de) 2006-06-02 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006031990A1 (de) 2006-07-11 2008-01-17 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP4388590B2 (ja) 2006-11-09 2009-12-24 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US7862908B2 (en) 2007-11-26 2011-01-04 National Tsing Hua University Conjugated compounds containing hydroindoloacridine structural elements, and their use
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
CN105037368B (zh) 2008-06-05 2017-08-29 出光兴产株式会社 卤素化合物、多环系化合物及使用其的有机电致发光元件
DE102008033943A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008036982A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR101506919B1 (ko) 2008-10-31 2015-03-30 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
US8865321B2 (en) 2008-11-11 2014-10-21 Merck Patent Gmbh Organic electroluminescent devices
DE102008056688A1 (de) 2008-11-11 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009014513A1 (de) 2009-03-23 2010-09-30 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009023155A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009031021A1 (de) 2009-06-30 2011-01-05 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009048791A1 (de) 2009-10-08 2011-04-14 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102010005697A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Merck Patent GmbH, 64293 Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
WO2012008550A1 (ja) 2010-07-16 2012-01-19 住友化学株式会社 高分子化合物、該高分子化合物を含有する組成物、液状組成物、薄膜及び素子、並びに該素子を備える面状光源及び表示装置
DE102010045405A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102010048498A1 (de) 2010-10-14 2012-04-19 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2012095143A1 (de) 2011-01-13 2012-07-19 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
CN103503187B (zh) 2011-05-05 2016-11-02 默克专利有限公司 用于电子器件的化合物
KR102115018B1 (ko) 2011-11-17 2020-05-26 메르크 파텐트 게엠베하 스피로디히드로아크리딘 유도체 및 이의 유기 전계발광 소자용 재료로서의 용도
JP5920013B2 (ja) * 2012-05-21 2016-05-18 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置および照明装置
KR102284234B1 (ko) 2012-07-23 2021-07-30 메르크 파텐트 게엠베하 2-디아릴아미노플루오렌의 유도체 및 이를 함유하는 유기 전자 화합물
KR102196432B1 (ko) 2012-07-23 2020-12-29 메르크 파텐트 게엠베하 화합물 및 유기 전계 발광 디바이스
KR102268222B1 (ko) 2012-07-23 2021-06-22 메르크 파텐트 게엠베하 플루오렌 및 이를 함유하는 전자 소자
US20150243910A1 (en) * 2012-08-31 2015-08-27 Solvay Sa Transition metal complexes comprising asymmetric tetradentate ligands
KR102023232B1 (ko) 2012-10-09 2019-09-19 메르크 파텐트 게엠베하 전자 디바이스
EP2936577B1 (de) 2012-12-18 2016-12-28 Merck Patent GmbH Organische elektrolumineszenzvorrichtung
DE102013215342B4 (de) 2013-08-05 2023-05-04 Novaled Gmbh Verfahren zur Herstellung organisch phosphoreszenter Schichten unter Zusatz schwerer Hauptgruppenmetallkomplexe, damit hergestellte Schicht, deren Verwendung und organisches Halbleiterbauelement diese umfassend
EP3904361A3 (de) 2013-10-02 2022-04-20 Merck Patent GmbH Borenthaltende verbindungen
JP6890975B2 (ja) 2014-05-05 2021-06-18 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子のための材料
US10629817B2 (en) 2015-05-18 2020-04-21 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
EP3341385B1 (de) 2015-08-25 2020-03-11 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
WO2017092481A1 (zh) 2015-12-04 2017-06-08 广州华睿光电材料有限公司 金属有机配合物、高聚物、混合物、组合物以及有机电子器件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201422767A (zh) * 2012-08-31 2014-06-16 Solvay 包含對稱四牙配位基之新穎過渡金屬錯合物
CN107207550A (zh) * 2015-02-03 2017-09-26 默克专利有限公司 金属络合物

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Synthesis and characterization of cyclometalated Ir(III) complexes with pyrazolyl ancillary ligands;Jian Li 等;《Polyhedron》;20041231;第23卷;第419-428页 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200098574A (ko) 2020-08-20
US20230320191A1 (en) 2023-10-05
TW201936621A (zh) 2019-09-16
US11659763B2 (en) 2023-05-23
JP7293228B2 (ja) 2023-06-19
CN111406062A (zh) 2020-07-10
EP3724202A1 (de) 2020-10-21
JP2021506759A (ja) 2021-02-22
US20210175441A1 (en) 2021-06-10
EP3724202B1 (de) 2022-08-17
TWI791701B (zh) 2023-02-11
WO2019115423A1 (de) 2019-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111406062B (zh) 金属络合物
CN110959010B (zh) 金属络合物
CN111836820B (zh) 金属络合物
CN111699192B (zh) 金属络合物
CN109476691B (zh) 用作有机电致发光器件中的发光体的金属络合物
US11437592B2 (en) Dinuclear and oligonuclear metal complexes containing tripodal bidentate part ligands and their use in electronic devices
KR102464513B1 (ko) 유기 전계발광 소자에서 이미터로서 사용하기 위한 2핵 금속 착물
CN109563115B (zh) 分离金属络合物的对映异构体混合物的方法
CN107922451B (zh) 金属络合物
JP6651469B2 (ja) 金属錯体
JP6469701B2 (ja) 金属錯体
JP2019533674A (ja) 金属錯体
JP6038908B2 (ja) 金属錯体
KR20180073672A (ko) 유기 전계발광 소자용 물질
CN112047845A (zh) 用于电子器件的材料
JP2017531916A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子のための材料
CN113646317A (zh) 金属络合物
CN114787173A (zh) 金属络合物

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20230809

Address after: Irish Dublin

Applicant after: UDC Ireland Ltd.

Address before: Darmstadt

Applicant before: MERCK PATENT GmbH

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant