TW201833118A

TW201833118A - 用於電子裝置之材料

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Publication number: TW201833118A
Application number: TW106139876A
Authority: TW
Inventors: 安瑪帕姆; 喬納斯克洛伯; 多明尼克喬斯汀; 歐雷莉路德曼; 托拜亞斯葛羅斯曼
Original assignee: 德商麥克專利有限公司
Priority date: 2016-11-22
Filing date: 2017-11-17
Publication date: 2018-09-16
Also published as: WO2018095839A1; CN109963859A; KR20190085070A; EP3544986B1; CN109963859B; KR102532374B1; EP3544986A1

Abstract

本案有關所定義式之經架橋之三芳基胺。這些化合物係適用於電子裝置。本案另關於製備該化合物之方法及包含該化合物之電子裝置。

Description

用於電子裝置之材料

[0001] 本案關於將在以下進一步界定之式(I)的經架橋三芳基胺。這些化合物適合應用於電子裝置。本案另關於製備所述化合物之方法，及包含所述化合物的電子裝置。

[0002] 本案之上下文中的電子裝置被理解為意指所謂之有機電子裝置，其含有作為機能材料之有機半導體材料。更特別的是，這些被理解為意指OLEDs(有機電致發光裝置)。措辭OLEDs被理解為意指具有一或多個包含有機化合物之層且在外加電壓時發射光之電子裝置。技術領域中具有通常知識者皆知道OLEDs之建構及功能的一般原理。　　[0003] 於電子裝置中，尤其是OLEDs，在改良性能數據，尤其是壽命、效率及操作電壓方面很感興趣。在這些態樣中，尚無法找到任何完全適合之解決之道。　　[0004] 包含磷光發射體之發射層及具有電洞輸送功能之層對電子裝置之性能數據具有極大影響。對於這些層中之用途，仍在尋找新材料，尤其是具有電洞輸送性及電子輸送性之材料。　　[0005] 用作為包含磷光發射體之發射層中的基質材料之先前技藝已揭露的材料係內醯胺衍生物、三嗪衍生物及三芳基胺衍生物。已知用於電洞輸送層之材料尤其是三芳基胺衍生物。　　[0006] 然而，仍然需要適合應用於電子裝置之可供選擇性化合物。　　[0007] 附帶地也需要關於用於電子裝置之化合物的性能數據，尤其是關於壽命及效率之改進。

[0008] 已發現特定經架橋三芳基胺化合物非常適合應用於電子裝置，尤其是應用於OLEDs，又更特別的是用於其中作為磷光發射體之基質材料。　　[0009] 經發現之化合物顯示以下有利技術效果之一或多者，較佳為多於一者：　　-當用於OLEDs時其導致該OLEDs之高效率　　-當用於OLEDs時其導致該OLEDs之長壽命　　-當用於OLEDs時其導致該OLEDs之低操作電壓　　-其具有非常好之加工性。　　[0010] 本案因此提供式(I)之化合物其中出現之變數是：　　X 於各情況係相同或不同且係單鍵、O、S、NR³ 或C(R⁴ )₂ ；　　Y 於各情況係相同或不同且係O或S；　　Z¹ 於各情況係相同或不同且係CR¹ 或N；　　Z² 於各情況係相同或不同且係CR² 、N或C，其中在Y基團鍵結於Z² 基團時的特定情況下，此Z² 基團係C；　　R¹ 、R² 於各情況係相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R⁵ 、CN、Si(R⁵ )₃ 、N(R⁵ )₂ 、P(=O)(R⁵ )₂ 、OR⁵ 、S(=O)R⁵ 、S(=O)₂ R⁵ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R¹ 或R² 基團可互相接合且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統及雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代；且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH₂ 基團可被-R⁵ C=CR⁵ -、-C≡C-、Si(R⁵ )₂ 、C=O、C=NR⁵ 、‑C(=O)O-、-C(=O)NR⁵ -、NR⁵ 、P(=O)(R⁵ )、-O-、-S-、SO或SO₂ 替代；　　R³ 係選自H、D、F、C(=O)R⁵ 、CN、Si(R⁵ )₅ 、N(R⁵ )₂ 、P(=O)(R⁵ )₂ 、OR⁵ 、S(=O)R⁵ 、S(=O)₂ R⁵ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統及雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代；且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH₂ 基團可被-R⁵ C=CR⁵ -、-C≡C-、Si(R⁵ )₂ 、C=O、C=NR⁵ 、-C(=O)O-、-C(=O)NR⁵ -、NR⁵ 、P(=O)(R⁵ )、-O-、-S-、SO或SO₂ 替代；　　R⁴ 於各情況係相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R⁵ 、CN、Si(R⁵ )₃ 、N(R⁵ )₂ 、P(=O)(R⁵ )₂ 、OR⁵ 、S(=O)R⁵ 、S(=O)₂ R⁵ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R⁴ 基團可互相接合且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統及雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代；且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH₂ 基團可被 -R⁵ C=CR⁵ -、-C≡C-、Si(R⁵ )₂ 、C=O、C=NR⁵ 、‑C(=O)O-、-C(=O)NR⁵ -、NR⁵ 、P(=O)(R⁵ )、-O-、-S-、SO或SO₂ 替代；　　R⁵ 於各情況係相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R⁶ 、CN、Si(R⁶ )₃ 、N(R⁶ )₂ 、P(=O)(R⁶ )₂ 、OR⁶ 、S(=O)R⁶ 、S(=O)₂ R⁶ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R⁵ 基團可互相接合且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統及雜芳族環系統各自可被一或多個R⁶ 基團取代；且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH₂ 基團可被 -R⁶ C=CR⁶ -、-C≡C-、Si(R⁶ )₂ 、C=O、C=NR⁶ 、‑C(=O)O-、-C(=O)NR⁶ -、NR⁶ 、P(=O)(R⁶ )、-O-、-S-、SO或SO₂ 替代；　　R⁶ 於各情況係相同或不同且係選自H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R⁶ 基團可互相接合且可形成環；且其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基、芳族環系統及雜芳族環系統可被F或CN取代；　　i 係0或1，其中式(I)中之至少兩個指數i係1。　　[0011] 本發明上下文中之芳基含有6至40芳族環原子，其無一者係雜原子。本發明上下文中之芳基被理解為意指簡單芳族環(simple aromatic cycle)，即苯，或稠合芳族多環，例如萘、菲或蒽。本案上下文中之稠合芳族多環由二或多個互相稠合之簡單芳族環組成。環之間的稠合在此被理解為意指該等環互相共享至少一個邊。　　[0012] 本發明上下文中之雜芳基含有5至40芳族環原子，其至少一者為雜原子。該雜芳基之雜原子較佳為選自N、O及S。本發明上下文中之雜芳基被理解為意指簡單雜芳族環，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或稠合雜芳族多環，例如喹啉或咔唑。本案上下文中之稠合雜芳族多環由二或多個互相稠合之簡單雜芳族環組成。環之間的稠合在此被理解為意指該等環互相共享至少一個邊。　　[0013] 芳基或雜芳基，其各自可被上述基團取代且其可經由任何所欲位置接合於該芳族或雜芳族系統，尤其是被理解為意指衍生自以下之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、(chrysene)、苝、聯三苯、螢蒽(fluoranthene)、苯并蒽、苯并菲、稠四苯、稠五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪啶、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹啉并咪唑、唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、噠嗪、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲哚嗪及苯并噻二唑。　　[0014] 本發明上下文中之芳族環系統含有於該環系統中之6至40個碳原子且不包括作為芳族環原子之任何雜原子。本發明上下文中之芳族環系統因此不含任何雜芳基。本發明上下文中之芳族環系統將會被理解為意指不一定僅含有芳基而是也可能多數芳基被單鍵或非芳族單元鍵結，例如一或多個視需要經取代之C、Si、N、O或S原子。在此情況下，該非芳族單元較佳包含以該系統中之氫以外的原子總數為基準計之少於10%之氫以外的原子。例如，系統如9,9’-螺聯茀(spirobifluorene)、9,9’-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚及二苯乙烯(stilbene)也被視為本發明上下文中之芳族環系統，且二或更多個芳基係例如藉由線性或環狀烷基、烯基或炔基或藉由矽基接合之系統也一樣。除此之外，二或更多個芳基經由單鍵互相接合之系統也被視為本發明上下文中之芳族環系統，例如以下系統：如聯苯及聯三苯(terphenyl)。　　[0015] 本發明上下文中之雜芳族環系統含有5至40芳族環原子，其至少一者係為雜原子。該雜芳族環系統之雜原子較佳為選自N、O及/或S。雜芳族環系統相當於上述芳族環系統之定義，但是卻具有至少一個雜原子成為該芳族環原子之一者。依此方式，在本案定義之意義下，其與芳族環系統不同，根據此定義，該芳族環系統不可含有任何成為芳族環原子之雜原子。　　[0016] 具有6至40個芳族環原子之芳族環系統或具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統尤其被理解為意指在芳基及雜芳基的條件之下衍生自以上所述基團之基團，且衍生自聯苯、聯三苯、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、茚并茀、三茚并苯、異三茚并苯、螺三茚并苯、螺異三茚并苯、茚并咔唑或衍生自這些基團之組合。　　[0017] 在本發明之上下文中，個別氫原子或CH₂ 基團也可被該基團定義中之上述基團取代的具有1至20個碳原子之直鏈烷基及具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基及具有2至40個碳原子之烯基或炔基較佳被理解為意指甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、雜戊基、正己基、環己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。　　[0018] 個別氫原子或CH₂ 基團也可被該基團定義中之上述基團替代的具有1至20個碳原子之烷氧基或硫烷基較佳被理解為意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、第二戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、正戊硫基、第二戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。　　[0019] 二或更多個基團可一起形成環之說法，在本案上下文中，將被理解為特別是意指該二基團藉由化學鍵互相接合。然而，除此之外，所述說法也將被理解為意指，若該二基團中之一者係為氫，則第二個基團接於該氫原子鍵結之位置而形成環。　　[0020] 較佳地，在式(I)中，X於各情況係相同或不同且係單鍵、O、S或NR³ 。此外較佳為式(I)中之不多於一個X係為單鍵。更佳為式(I)中之二個X基團中的一者是單鍵，且該二個X基團之另一者係選自O、S、NR³ 及C(R⁴ )₂ 。　　[0021] 更佳地，在式(I)中，有一個X是單鍵，且第二個X係選自O、S及NR³ 。最佳地，有一個X是單鍵，且第二個X係NR³ 。　　[0022] 較佳地，Y於各情況係相同。此外較佳為Y係O。　　[0023] 較佳為每個式(I)不多於2個Z¹ 基團為N。更佳地，Z¹ 係CR¹ 。　　[0024] 較佳為式(I)中每個芳族環不多於2個Z² 基團為N。更佳地，Z² 係CR² 或C，其中在Y基團鍵結於Z² 基團時的特定情況下，此Z² 基團係C。　　[0025] 較佳地，R¹ 及R² 於各情況係相同或不同且係選自H、D、F、CN、Si(R⁵ )₃ 、N(R⁵ )₂ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中所述烷基及烷氧基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代；且其中所述烷基及烷氧基中之一或多個CH₂ 基團可被-C≡C-、-R⁵ C=CR⁵ -、Si(R⁵ )₂ 、C=O、C=NR⁵ 、-NR⁵ -、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR⁵ -替代。更佳地，R¹ 及R² 於各情況係相同或不同且係選自H、F、CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個碳原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、該芳族環系統及該雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代。在作為R¹ 及R² 之芳族環系統當中，較佳為苯基、鄰-聯苯、間-聯苯、對-聯苯、聯三苯、9,9’-二甲基茀基、9,9’-二苯基茀基及螺聯茀，其各自可為被一或多個基團R⁵ 取代且其較佳為未經取代。在作為R¹ 及R² 之雜芳族環系統當中，較佳為咔唑基、二苯并呋喃基及二苯并噻吩基，其各自可被一或多個R⁵ 基團取代且其較佳為未經取代。最佳地，R¹ 及R² 係為氫。　　[0026] 較佳地，R³ 係選自具有6至24芳族環原子且可被一或多個R⁵ 取代之芳族環系統及具有5至24芳族環原子且可被一或多個R⁵ 取代之雜芳族環系統。更佳地，該R³ 基團及/或其取代基R⁵ 及R⁶ 包含至少一個缺電子(electron-deficient)雜芳基。缺電子雜芳基在此被理解為意指包含含氮雜芳族環之基團。更特別的是，這被理解為意指包含環中具有至少兩個氮原子之含氮雜芳族6員環或雜芳族5員環之基團。此外具有缺電子雜芳基作為R³ 基之式(I)化合物適合用作發射層之基質材料，尤其是於電子輸送層及/或電洞阻擋層中的用途。　　[0027] 特佳之R³ 為苯基、聯苯、萘基、茀基、咔唑基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、吡啶基、苯并咪唑基、喹啉基及啡啉基，其各自可被一或多個 R⁵ 基團取代且較佳為未經取代。　　[0028] 芳族環系統、芳基、雜芳族環系統及雜芳基作為R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 基團之較佳具體實例係選自以下式之基團：其中R⁵ 係如以上所界定者。　　[0029] 特別是，所述式之基團係為R³ 基團之較佳具體實例。　　[0030] 較佳地，選自R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 基團之式(I)化合物的至少一個基團係選自所述式之基團。　　[0031] 較佳地，R⁴ 係選自具有1至20個碳原子之直鏈烷基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個碳原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代；且其中鍵結於X=C(R⁴ )₂ 單元之同一碳原子的兩個R⁴ 基團可互相接合且可形成環，而引致螺碳原子。由基團X=C(R⁴ )₂ 上之二個R⁴ 基團形成環的情況下該R⁴ 基團較佳地形成環丙基、環丁基、環戊基、環己基或環庚基環。　　[0032] 較佳地，R⁵ 於各情況係相同或不同且係選自H、D、F、CN、Si(R⁶ )₃ 、N(R⁶ )₂ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個碳原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中所述之烷基及烷氧基、所述之芳族環系統及所述之雜芳族環系統各自可被一或多個R⁶ 基團取代；且其中所述之烷基或烷氧基中之一或多個CH₂ 基團可被-C≡C-、‑R⁶ C=CR⁶ -、Si(R⁶ )₂ 、C=O、C=NR⁶ 、-NR⁶ -、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR⁶ -替代。　　[0033] 較佳地，式(I)中之二個指數i係1，且第三個指數i係0。　　[0034] 本發明之化合物的較佳具體實例相當於式(I-1)或(I-2)，　　其中除了X為O、S、NR³ 或C(R⁴ )₂ 以外，出現之變數係如式(I)所界定者。較佳地，該變數相當於以上指定之較佳具體實例。　　[0035] 本發明之化合物的特佳具體實例相當於式(I-1-1)至(I-2-4)中之一者：，　　其中出現之變數係如式(I)所界定者，其中Y¹ 、Y² 及Y³ 係如式(I)之Y所界定者。該出現之變數較佳地相當於其於以上指定之較佳具體實例。以上所示之式中，特佳為式(I-1-2)、式(I-2-2)及式(I-2-4)。　　[0036] 式(I-1-1)至(I-2-4)之較佳具體實例的特徵為其變數係如以下所界定： [0037] 該化合物之極佳具體實例相當於式(I-1-2-1)、(I-2-2-1)或(I-2-4-1)其中出現之變數係如式(I)所界定者，且較佳地相當於其於以上指定之較佳具體實例。　　[0038] 較佳地，關於式(I-1-2-1)、(I-2-2-1)及(I-2-4-1)，Y於各情況係相同或不同且係O或S，更佳為O。　　[0039] 極佳為式(I-1-2-1-1)及(I-2-2-1-1)之化合物其中該出現之變數係如式(I)所界定者，且較佳地相當於其於以上所引用之較佳具體實例。　　[0040] 更佳地，關於這些式，R³ 係具有6至24芳族環原子之芳族環系統且可被一或多個 R⁵ 基團取代、或具有5至24芳族環原子之雜芳族環系統且可被一或多個R⁵ 基團取代。　　[0041] 式(I)之較佳化合物係如以下： [0042] 該式(I)之化合物可藉由熟悉此技藝者知道之習用合成有機化學方法製備。在製備該化合物時，使用特別是經過渡金屬催化之偶合反應，如鹵化反應、布赫瓦爾德(Buchwald)偶合反應及鈴木(Suzuki)偶合反應。　　[0043] 在製備該化合物時，較佳為先製備帶反應性基團之經架橋三苯基胺基團(反應流程圖1至5)。藉由此反應性基團，其後接著以偶合反應將經雜原子取代之芳基鍵結於該經架橋三芳基胺基團(反應流程圖6)，其中該雜原子係選自N、O及S。藉由環化反應(cyclization reaction)，然後獲得吲哚、苯并呋喃或苯并噻唑基已經稠合於該經架橋三苯基胺核心上之式(I)化合物。或者，被反應性基團取代之經架橋三苯基胺核心也可與肼化合物反應。於隨後包含重排反應(rearrangement reaction)之反應順序中，然後獲得吲哚基已經稠合於該經架橋三苯基胺核心上之式(I)化合物(反應流程圖7)。或者，該經架橋三苯基胺核心也可與經羧酸酯取代之芳基反應(反應流程圖6e)。藉由烷基化及隨後之環化反應，然後獲得茚基已經稠合於該經架橋三苯基胺核心上之式(I)化合物。　　[0044] 以下反應流程圖1藉由示範顯示怎麼樣能製備藉著三個氧橋架橋且於中心胺基之對位帶著溴的三苯基胺基團。[0045] 以下反應流程圖2藉由示範顯示怎麼樣能製備藉著兩個氧橋(頂部)或兩個硫橋(底部)架橋之三苯基胺基團。這些各自於中心胺基之對位帶著溴原子。[0046] 反應流程圖3顯示兩個通往藉著兩個氧橋架橋之三苯基胺基團的途徑，其能用作以上反應流程圖2所示之途徑的替代方案。[0047] 反應流程圖4顯示能製備藉著兩個氧橋架橋，具有不對稱取代，且於中心胺基之對位帶著溴原子的三苯基胺基團的途徑。[0048] 反應流程圖5顯示藉著兩個氧橋架橋且在與反應流程圖2至4之實例的情況下不同之苯基上帶著溴原子的三苯基胺基團之合成方法。[0049] 反應流程圖6顯示吲哚、苯并呋喃、茚或苯并噻吩單元能被稠合於該經架橋三苯基胺基團上之途徑。在各自途徑a)及b)中，使吲哚基稠合上去。在途徑c)中，使苯并呋喃基稠合上去。在途徑d)中，使苯并噻吩基稠合上去。在途徑e)中，使茚基稠合上去。[0050] 反應流程圖7顯示反應流程圖6之替代途徑，藉由該反應流程圖7可獲得吲哚單元已經稠合於該經架橋三苯基胺基團上之化合物。[0051] 因此本發明提供一種製備式(I)化合物之方法，其特徵為先製備在苯基之一上被反應性基團取代的經架橋三芳基胺基團，然後將吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基或茚基稠合於該基團上。　　[0052] 較佳地，該經架橋三苯基胺基團上之反應性基團係溴。　　[0053] 更佳地，該吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基係經由經金屬催化之偶合反應，較佳為布赫瓦爾德偶合反應及鈴木偶合反應，利用經雜原子取代之芳基，接著環化稠合上去。或者，將吲哚基稠合上去(fusing-on)也能藉由N,N-二苯基肼之布赫瓦爾德偶合，接著與環己酮反應達成。至於另一個替代方案，該經架橋三芳基胺核心也能與經羧酸酯取代之芳基反應，在該情況下烷基化及後繼環化反應提供茚基稠合於該經架橋三苯基胺核心上之式(I)化合物。　　[0054] 上述化合物，尤其是被反應性離去基取代之化合物，如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯，可用作用於製造對應之寡聚物、樹枝狀聚合物(dendrimer)或聚合物的單體。適合之反應性離去基係，例如，溴、碘、氯、硼酸、硼酸酯、胺、具有末端C-C雙鍵或C-C參鍵之烯基或炔基、環氧乙烷、氧雜環丁烷、加入環加成反應(例如1,3-二極性環加戊反應)之基團，例如二烯或疊氮化合物、羧酸衍生物、醇及矽烷。　　[0055] 因此本發明另提供一種含有一或多種式(I)化合物之寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其中連至該聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於式(I)中被R¹ 、R² 、R³ 或R⁴ 取代的任何所欲位置。根據式(I)化合物之鍵聯，該化合物係該寡聚物或聚合物之側鏈的一部分或該主鏈之一部分。本發明上下文中之寡聚物被理解為意指由至少三個單體單元所形成之化合物。在本發明上下文中之聚合物被理解為意指由至少十個單體單元所形成之化合物。本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物可為共軛、部分共軛或非共軛。本發明之寡聚物或聚合物可為線性、支鏈或樹枝狀。在具有線性鍵聯之結構中，式(I)之單元可直接互相接合，或其可經由二價基團互相接合，例如經由經取代或未經取代之伸烷基，經由雜原子或經由二價芳族或雜芳族基團。在支鏈及樹枝狀結構中，可經由三價或較高價基團(例如經由三價或較高價芳族或雜芳族基團)使例如三或更多個式(I)之單元接合以得到支鏈或樹脂狀寡聚物或聚合物。　　[0056] 關於寡聚物、樹枝狀聚合物及聚合物中之式(I)重複單元，也同樣適用如以上關於式(I)化合物所述之偏好。　　[0057] 關於該寡聚物或聚合物之製備，本發明之單體係藉著其他單體均聚合或共聚合。適合且較佳之共單體係選自茀(例如根據EP 842208或WO 2000/22026)、螺聯茀(例如根據EP 707020、EP 894107或WO 2006/061181)、對次酚(paraphenylene) (例如根據WO 1992/18552)、咔唑(例如根據WO 2004/070772或WO 2004/113468)、噻吩(例如根據EP 1028136)、二氫菲(例如根據WO 2005/014689或WO 2007/006383)、順式-及反式-茚并茀(例如根據WO 2004/ 041901或WO 2004/113412)、酮(例如根據WO 2005/ 040302)、菲(例如根據WO 2005/104264或WO 2007/ 017066)或多數這些單元。該聚合物、寡聚物及樹枝狀聚合物通常仍含有其他單元，例如發射(螢光或磷光)單元，例如乙烯基三芳基胺(例如根據WO 2007/068325)或磷光金屬錯合物(例如根據WO 2006/003000)、及/或電荷輸送單元，尤其是以基於三芳基胺者。　　[0058] 本發明之聚合物及寡聚物一般係藉由一或多種類型單體之聚合製備，其中至少一種單體導致該聚合物中之式(I)重複單元。適合久聚合反應熟悉此技藝者皆知道且係描述於文獻中。導致C-C或C-N形成之特別適合且特佳聚合反應係鈴木聚合、山本(Yamamoto)聚合、史帝勒(Stille)聚合及合特維-布赫瓦爾德(Hartwig-Buchwald)聚合。　　[0059] 關於由液相處理本發明之化合物，例如藉由旋塗或藉由列印方法，需要本發明化合物之調合物。這些調合物可為，例如，溶液、分散體或乳劑。為達此目的，較佳可使用二或更多種溶劑之混合物。適合且較佳之溶劑係，例如，甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、均三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二烷、苯氧基甲苯(尤其是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己基苯、十氫萘、十二基苯、苯甲酸乙酯、茚烷、苯甲酸甲酯、NMP、對-異丙基甲苯、苯乙醚、1,4-二異丙基苯、二苯甲醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、二乙二醇單丁醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或這些溶劑之混合物。　　[0060] 因此本發明另提供一種包含至少一種式(I)之化合物及至少一種溶劑，較佳地有機溶劑，的調合物，尤其是溶液、分散體或乳劑。能製備此溶液之方式熟悉此技藝者皆知道且係描述於，例如，WO 2002/072714、WO 2003/019694及其中所引用之文獻。　　[0061] 本發明之化合物適用於電子裝置，尤其是有機電致發光裝置(OLEDs)。端視取代的結果，將該化合物應用於不同功能及層。　　[0062] 因此本發明另提供該式(I)化合物於電子裝置中之用途。此電子裝置較佳為選自有機積體電路(OICs)、有機場效電晶體(OFETs)、有機薄膜電晶體(OTFTs)、有機發光電晶體(OLETs)、有機太陽能電池(OSCs)、有機光學偵測器、有機光受體、有機場猝熄裝置(organic field-quench device) (OFQDs)、有機發光電化學電池(OLECs)、有機雷射二極體(O-lasers)所組成之群組且更佳為有機電致發光裝置(OLEDs)。　　[0063] 本發明另提供，如以上已經提出者，包含至少一種式(I)化合物之電子裝置。此電子裝置較佳為選自上述裝置。　　[0064] 更佳為包含陽極、陰極及至少一個發射層之有機電致發光裝置(OLED)，其特徵為至少一個有機層，該至少一個有機層可為發射層、電子輸送層、電洞阻擋層或另一個包含至少一種式(I)化合物之層。　　[0065] 除該陰極、陽極及發射層以外，該有機電致發光裝置也可包含其他層。這些在各情況下係選自，例如，一或多個電洞注入層、電洞輸送層、電洞阻擋層、電子輸送層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層(exciton blocker layer)、中介層、電荷產生層(IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer)及/或有機或無機p/n接面。　　[0066] 該包含式(I)化合物之有機電致發光裝置的層之順序較佳如以下：　　陽極-電洞注入層-電洞輸送層-視需要之其他電洞輸送層-視需要之電子阻擋層-發射層-視需要之電洞阻擋層-電子輸送層-電子注入層-陰極。另外有可能有其他層存在該OLED中。　　[0067] 本發明之有機電致發光裝置可含有二或更多個發射層。更佳地，在此情況下這些發射層總體而言於380 nm與750 nm之間具有數個發射極大值，所以整體的結果為發出白光，換句話說，該發射層中使用可發螢光或發磷光且發射藍光、綠光、黃光、橘光或紅光之不同發射化合物。尤佳者為三層系統，即具有三個發射層之系統，其中該三個層顯示藍光、綠光及橘光或紅光發射(關於基本架構參見，例如，WO 2005/011013)。本發明之化合物較佳為存在該發射層或該電洞輸送層中。　　[0068] 依據本發明較佳為該包含一或多種磷光發射化合物之電子裝置中使用式(I)化合物之情形。在此情況下，該化合物可能存在不同層中，較佳地存在電子輸送層或發射層中。更佳地，其與磷光發射化合物結合存在於發射層中。　　[0069] 該措辭“磷光發射化合物”通常包含通過自旋禁制躍遷(spin-forbidden transition)引發光發射之化合物，例如從激發三重態或具有較高自旋量子數之狀態(例如五重態)躍遷。　　[0070] 適合之磷光發射化合物(=三重態發射體)尤其是經適度激發時發光，較佳在可見光範圍，且也含有至少一個原子數大於20，較佳地大於38，且小於84，更佳地大於56且小於80之原子的化合物。較佳為使用含銅、鉬、鎢、錸、釕、錸、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪之化合物作為磷光發射化合物，尤其是含有銥、鉑或銅之化合物。在本發明之上下文中，將所有發光性銥、鉑或銅錯合物皆視為磷光發射化合物。　　[0071] 上述發射化合物之實例可於申請案WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373及US 2005/0258742中找到。一般，所有用於根據先前技藝之磷光OLEDs及熟悉有機電致發光裝置領域之技藝者知道的磷光錯合物皆適合。熟悉此技藝者，不需運用獨創性技巧，也可將其他磷光錯合物與該式(I)化合物結合應用於有機電致發光裝置。將其他實例列於下表。 [0072] 在本發明之較佳具體實例中，將該式(I)化合物與一或多個發射化合物，較佳地磷光發射化合物結合應用於發射層中作為基質材料。該磷光發射化合物較佳為發紅光或發綠光之磷光發射體。這是該式(I)化合物最強而有力之較佳用途。　　[0073] 在此情況下該發射層中之基質材料比例就螢光發射層係介於50.0體積%與99.9體積%之間，較佳地介於80.0體積%與99.5體積%之間，且更佳地介於92.0體積%與99.5體積%之間且就磷光發射層係介於85.0體積%與97.0體積%之間。　　[0074] 相應地，該發射化合物之比例就螢光發射層係介於0.1體積%與50.0體積%之間，較佳地介於0.5體積%與20.0體積%之間，且更佳地介於0.5體積%與8.0體積%之間且就磷光發射層係介於3.0體積%與15.0體積%之間。　　[0075] 有機電致發光裝置之發射層也可包含含多數基質材料(混合基質系統)及/或多數發射化合物之系統。同樣地在此情況下，該發射化合物一般係於該系統中具有較小比例的那些化合物且該基質材料係於該系統中具有較大比例的那些化合物。然而，在個別情況下，於該系統中之單一基質材料比例可比單一發射化合物比例低。　　[0076] 較佳為該式(I)化合物係用作混合基質系統之組分。該混合基質材料較佳地包含二或三種不同基質材料，更佳地二種不同基質材料。較佳地，在此情況下，該二種材料之一者係具有電洞輸送性質之材料且另一種材料係具有電子輸送性質之材料。該式(I)化合物較佳為具有電洞輸送性質之基質材料。然而，該混合基質組分之所欲電子輸送及電洞輸送性質也可主要或完全結合於單一混合基質組分，在該情況下其他混合基質組分完成其他功能。該二種不同基質材料可存有1：50至1：1，較佳地1：20至1：1，更佳地1：10至1：1且最佳地1：4至1：1之比率。較佳為將混合基質材料應用於磷光有機電致發光裝置中。關於混合基質材料之更詳細資訊的一個來源係申請案WO 2010/108579。　　[0077] 該混合基質材料可包含一或多種發射化合物，較佳地一或多種磷光發射化合物。一般，混合基質材料較佳為應用於磷光有機電致發光裝置。　　[0078] 可與本發明之化合物結合使用作為之混合基質材料基質組分的特別適合基質材料係根據應用於該混合基質系統中之發射化合物類型選自以下指定用於磷光發射化合物之較佳基質材料或用於螢光發射化合物之較佳基質材料。　　[0079] 在本發明之替代性較佳具體實例中，該式(I)化合物係作為顯示TADF (熱活化延遲螢光)之發射體材料的基質材料。熟悉此技藝者知道此種發射體材料。更特別的是，可使用H. Uoyama等人，Nature 2012, 492, 234 ff.中之第1b)圖所示的化合物作為TADF發射體材料。　　[0080] 在本發明之替代性較佳具體實例中，該式(I)化合物係用作電子輸送材料。當該式(I)化合物含有缺電子雜芳基(例如三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、吡啶基、苯并咪唑基、喹唑啉基、喹啉基或啡啉基)時尤其是這樣。　　[0081] 當該化合物係用作電子輸送材料時，較佳為將其應用於電洞阻擋層、電子輸送層或電子注入層。在較佳具體實例中，所述及之層屬於n-摻雜型。或者，該包含式(I)化合物之層可以純材料般包含此化合物。　　[0082] 在此上下文中，n-摻雜劑被理解為意指能釋出電子之有機或無機化合物(電子供體)，即扮作還原劑之化合物。　　[0083] 用於n-摻雜之化合物可採前驅物之形式使用，在該情況下這些前驅物化合物通過活化作用釋出n-摻雜劑。　　[0084] 較佳地，n-摻雜劑係選自富電子金屬錯合物；P=N化合物；N-雜環，更佳地萘碳二亞胺、吡啶、吖啶及啡嗪；茀及自由基化合物。　　[0085] 特別將特佳之富電子金屬錯合物描述於公開說明書WO 2005/86251 A2中，其理應為達揭露之目的而被視為本案之一部分。在該富電子金屬錯合物中，較佳為不帶電荷之富電子金屬錯合物。　　[0086] 特別將特佳之P=N化合物揭露於公開說明書WO 2012/175535 A1中，其理應為達揭露之目的而被視為本案之一部分。　　[0087] 另一個n-摻雜劑之群組係N-雜環之群組。N-雜環係具有包括至少一個氮原子及氫和碳之環結構的環狀化合物。這些化合物可為飽和、部分飽和或雜芳族。　　[0088] N-雜環較佳能採前驅物之形態應用，其中前驅物化合物具有在活化之後才有n-摻雜劑之功效的特徵。特別將尤其能用作前驅物之較佳N-雜環描述於公開說明書WO 2009/00237 A1中，其理應為達揭露之目的而被視為本案之一部分。　　[0089] 另一個適合作為n-摻雜劑之N-雜環的群組係萘碳二亞胺之群組。萘碳二亞胺包含至少一個碳二亞胺基(N=C=N)及一個伸萘基。　　[0090] 藉由公開說明書WO 2012/168358 A1所述之萘碳二亞胺可達成意外的益處，其理應為達揭露之目的而被視為本案之一部分。　　[0091] 可用作n-摻雜劑之較佳N-雜環也包括吡啶衍生物、吖啶衍生物及啡嗪衍生物。這些化合物包含吡啶、吖啶及啡嗪結構元件且係為此技術領域中已知者。特別將較佳之吖啶及啡嗪詳載於公開說明書US 2007/0145355 A1中，其理應為達揭露之目的而被視為本案之一部分。　　[0092] 藉由EP 2 452 946 A1及EP 2 463 927 A1所述之吡啶可達成意外的益處，其理應為達揭露之目的而被視為本案之一部分。　　[0093] 在本發明之特定形態中，可將茀用作n-摻雜劑。特別將較佳茀描述於公開說明書WO 2012/031735 A1中，其理應為達揭露之目的而被視為本案之一部分。　　[0094] 該較佳n-摻雜劑包括該技術領域中已知之自由基化合物。較佳之自由基化合物包含雜環基。特別將特佳之自由基化合物揭露於EP 1 837 926 A1及WO 2007/ 107306 A1中，其理應為達揭露之目的而被視為本案之一部分。　　[0095] 所述之n-摻雜劑中，特佳為WO 2005/86251 A2所揭露之富電子金屬錯合物，極佳為式W₂ (hpp)₄ 之金屬錯合物，其中hpp係1,3,4,6,7,8-六氫-2H-嘧啶并[1,2-a]嘧啶之陰離子。在此特佳為不帶電荷之富電子金屬錯合物。　　[0096] 將該電子裝置中之不同功能性材料的較佳具體實例列於文中。　　[0097] 較佳之螢光發射化合物係選自係選自芳基胺類。本發明上下文中之芳基胺或芳族胺被理解為意指含有三個直接鍵結於氮之經取代或未經取代的芳族或雜芳族環系統之化合物。較佳地，這些芳族或雜芳族環系統之至少一者係稠合環系統，更佳地具有至少14芳族環原子者。這些之較佳實例係芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族胺或芳族二胺。芳族蒽胺被理解為意指二芳基胺基直接鍵結於蒽基，較佳地於9之位置，的化合物。芳族蒽二胺被理解為意指兩個二芳基胺基直接鍵結於蒽基，較佳地於9,10之位置，的化合物。芳族芘胺、芘二胺、胺及二胺係以類似方式界定，其中該二芳基胺基係鍵結於芘，較佳地於1之位置或1,6之位置。更佳之發射化合物係茚并茀胺或-二胺(例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630)、苯并茚并茀胺或-二胺(例如根據WO 2008/006449)和二苯并茚并茀胺或-二胺(例如根據WO 2007/140847)、及WO 2010/012328所揭露之具有稠合芳基的茚并茀衍生物。也較佳的是WO 2012/048780及WO 2013/185871所揭露之芘芳基胺。也較佳的是WO 2014/ 037077所揭露之苯并茚并茀胺、WO 2014/106522所揭露之苯并茀胺、WO 2014/111269及WO 2017/036574所揭露之延伸苯并茚并茀、WO 2017/028940及WO 2017/028941所揭露之吩嗪、及WO 2016/150544所揭露之鍵結於呋喃單元或噻吩單元的茀衍生物。　　[0098] 有用之基質材料，較佳地用於螢光發射化合物，包括不同物質種類之材料。較佳之基質材料係選自寡聚合伸芳基類(例如根據EP 676461之2,2‘,7,7‘-四苯基螺聯茀或二萘基蒽) (尤其是含有稠合芳族基團之寡聚合伸芳基)、寡聚合伸芳基伸乙烯基(例如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi)、多足金屬錯合物(例如根據WO 2004/ 081017)、電洞傳導化合物(例如根據WO 2004/058911)、電子傳導化合物(尤其是酮、氧化膦、亞碸等等) (例如根據WO 2005/084081及WO 2005/084082)、阻轉異構物(atropisomers) (例如根據WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)或苯并蒽(例如根據WO 2008/ 145239)。特佳之基質材料係選自包含萘、蒽、苯并蒽及/或芘或這些化合物之阻轉異構物的寡聚合伸芳基類、寡聚合伸芳基伸乙烯基、酮、氧化膦及碸之類型。極佳之基質材料係選自包含蒽、苯并蒽、苯并菲及/或芘或這些化合物之阻轉異構物的寡聚合伸芳基類之類型。本發明上下文中之寡聚合伸芳基將被理解為意指至少三個芳基或伸芳基互相鍵結之化合物。更佳為WO 2006/097208、WO 2006/ 131192、WO 2007/065550、WO 2007/110129、WO 2007/ 065678、WO 2008/145239、WO 2009/100925、WO 2011/ 054442及EP 1553154所揭露之蒽衍生物、EP 1749809、EP 1905754及US 2012/0187826所揭露之芘化合物、WO 2015/ 158409所揭露之苯并蒽基蒽化合物、WO 2017/025165所揭露之茚并苯并呋喃、及WO 2017/036573所揭露之菲基蒽。　　[0099] 用於磷光發射化合物及該式(I)化合物之較佳基質材料係芳族酮、芳族氧化膦或芳族亞碸或碸(例如根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680)、三芳基胺、咔唑衍生物(例如WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851所揭露之CBP (N,N-雙咔唑基聯苯)或咔唑衍生物)、吲哚并咔唑衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)、茚并咔唑衍生物(例如根據WO 2010/136109、WO 2011/000455或WO 2013/ 041176)、氮雜咔唑衍生物(例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)、雙極性基質材料(例如根據WO 2007/137725)、矽烷(例如根據WO 2005/ 111172)、氮雜硼雜環戊二烯或硼酸酯(例如根據WO 2006/ 117052)、三嗪衍生物(例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746)、鋅錯合物(例如根據EP 652273或WO 2009/062578)、二氮雜矽雜環戊二烯或四氮雜矽雜環戊二烯衍生物(例如根據WO 2010/054729)、二氮雜磷雜環戊二烯衍生物(例如根據WO 2010/054730)、架橋咔唑衍生物(例如根據US 2009/0136779、WO 2010/ 050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/ 143080)、聯三苯衍生物(例如根據WO 2012/048781)、或內醯胺(例如根據WO 2011/116865或WO 2011/137951)。　　[0100] 可用於本發明之電子裝置中的電洞注入或電洞輸送層或電子阻擋層或電子輸送層的適合電荷輸送材料及該式(I)化合物係，例如，Y. Shirota等人，Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010所揭露之化合物、或根據先前技藝的這些層中使用之其他材料。　　[0101] 本發明之OLEDs的電洞輸送層中偏好使用之化合物尤其是茚并茀胺衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、EP 1661888所揭露之胺衍生物、六氮雜聯三苯衍生物(例如根據WO 01/049806)、具有稠合芳族之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、WO 95/09147所揭露之胺衍生物、單苯并茚并茀胺(例如根據WO 08/006449)、二苯并茚并茀胺(例如根據WO 07/140847)、螺聯茀胺(例如根據WO 2012/034627或WO 2013/120577)、茀胺(例如根據WO 2014/015937、WO 2014/015938、WO 2014/015935及WO 2015/082056)、螺二苯并吡喃胺(例如根據WO 2013/ 083216)、二氫吖啶衍生物(例如根據WO 2012/150001)、螺二苯并呋喃及螺二苯并噻吩(例如根據WO 2015/ 022051、WO 2016/102048及WO 2016/131521)、菲二芳基胺(例如根據WO 2015/131976)、螺三苯并托酚酮(例如根據WO 2016/087017)、具有間-苯基二胺基之螺聯茀(例如根據WO 2016/078738)、螺雙吖啶(例如根據WO 2015/ 158411)、氧雜蒽酮二芳基胺(例如根據WO 2014/ 072017)、及根據WO 2015/086108之具有二芳基胺基的9,10-二氫蒽螺化合物。　　[0102] 用於電子輸送層之材料及本發明之化合物可為根據先前技藝用作電子輸送層之電子輸送材料的任何材料。尤其適合的是鋁錯合物(例如Alq₃ )、鋯錯合物(例如Zrq₄ )、鋰錯合物(例如Liq)、苯并咪唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡嗪衍生物、喹啉衍生物、喹喏啉衍生物、二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮雜磷雜環戊二烯衍生物及氧化膦衍生物。其他適合之材料係JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/ 028217、WO 2004/080975及WO 2010/072300所揭露之上述化合物的衍生物。　　[0103] 電子裝置之較佳陰極係具有低功函數之金屬、金屬合金或由不同金屬(例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等等))所構成之多層結構。此外適合的是由鹼金屬或鹼土金屬和銀所構成之合金，例如由鎂和銀所構成之合金。在多層結構之情況下，除上述金屬之外，也可使用其他具有較高功函數之金屬，例如Ag或Al，在該情況下一般使用如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag之金屬組合。較佳也可將具有高介電係數之材料的薄中介層加於金屬性陰極與有機半導體之間。可用於此目的之材料的實例係鹼金屬或鹼土金屬氟化物，但是也可用對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li₂ O、BaF₂ 、MgO、NaF、CsF、Cs₂ CO₃ 等等)。為達此目的也可使用喹啉酸鋰(LiQ)。此層之層厚度較佳為介於0.5與5 nm之間。　　[0104] 較佳之陽極係具有高功函數之材料。較佳地，該陽極對於比真空具有高於4.5 eV之功函數。首先，為達此目的具有高氧化還原電位勢之金屬係適合的，例如Ag、Pt或Au。其次，也可能偏好金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiO_x 、Al/PtO_x )。就一些應用而言，該電極之至少一者必須是透明的或部分透明的使該有機材料(有機太陽能電池)能照射或能發光(OLED、O-雷射)。在此較佳之陽極材料係傳導性混合金屬氧化物。特佳為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外較佳為傳導性摻雜有機材料，尤其是傳導性摻雜聚合物。此外，該陽極也可由二或更多個層，例如ITO內層及金屬氧化物外層，較佳地氧化鎢、氧化鉬或氧化釩。　　[0105] 該裝置係適當地結構化(根據應用)，接觸連結且最終密封，以排除水及空氣引起之損壞作用。　　[0106] 在較佳具體實例中，該電子裝置之特徵為藉由昇華製程塗覆一或多個層。在此情況下，該材料係藉由氣相沉積法於真空昇華系統中於低於10^-5 mbar，較佳地低於10^-6 mbar之初始壓力施敷。然而，在此情況下，該初始壓力也可又更低，例如低於10^-7 mbar。　　[0107] 同樣較佳為一種電子裝置，其特徵為藉由OVPD (有機氣相沉積)方法或藉著載氣昇華塗覆一或多個層。在此情況下，該材料係於介於10^-5 mbar與1 bar之間的壓力施敷。此方法之特殊情況係OVJP (有機氣相噴印)方法，其中該材料係由噴嘴直接施加且從而結構化(例如M. S. Arnold等人，Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301)。　　[0108] 此外較佳為一種電子裝置，其特徵為一或多個層係由溶液製造，例如藉由旋塗，或藉由任何列印方法，例如網版印刷、軟版印刷、噴嘴印刷或平版印刷，但是更佳地LITI (光誘致熱成像、熱轉移列印)或噴墨列印。為達此目的，需要可溶性式(I)化合物。高溶解度可藉由該化合物之適當取代達成。　　[0109] 更佳為本發明之電子裝置係藉由溶液施敷一或多個層且藉由昇華方法施敷一或多個層而製造。　　[0110] 根據本發明，該包含一或多種式(I)化合物之電子裝置可用於顯示器，作為照明應用之光源及作為醫療及/或美容用途(例如光療)之光源。

[0111] 實施例 A) 合成實施例　　a) 7-溴[1,4]苯并噻嗪并[2,3,4-kl]啡噻嗪(1a)對氯仿(1000 ml)中[1,4]苯并噻嗪并[2,3,4-kl]啡噻嗪(CAS 1050521-47, 48.5 g, 154 mmol)之溶液，於0℃不見光添加分成數份之N-溴丁二醯亞胺(24.7 g, 139 mmol)，且於此溫度攪拌混合物2小時。藉由亞硫酸鈉溶液之添加終止反應且於室溫再攪拌該混合物30分鐘。經過相分離之後，以水清洗有機混合物且以二氯甲烷萃取水相。使合併有機相透過硫酸鈉乾燥且在減壓之下濃縮。使殘餘物溶於乙酸乙酯且透過矽膠過濾。其後，使粗製產物自庚烷再結晶。　　產量：42 g (110 mmol)，理論值之64%，無色固體。　　[0112] 依類似方式，可獲得以下化合物：[0113] 依類似方式，可藉著2當量之NBS獲得以下化合物： b) 二噻-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽-7-硼酸(1b)[0114] 使28 g (73 mmol)之7-溴-5,9-二噻-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽溶於150 ml之乾燥THF且冷卻至-78℃。於此溫度，於約5分鐘內添加30 ml (76 mmol/於己烷中2.5 M)之正丁基鋰，然後於-78℃再攪拌該混合物2.5小時。於此溫度，非常迅速地添加15 g (145 mmol)之硼酸三甲酯且使反應逐漸來到室溫(約18小時)。以水清洗反應溶液且以甲苯對沉澱固體及有機相施以共沸乾燥。於約40℃由甲苯/二氯甲烷一邊攪拌一邊萃取粗製產物且藉著吸濾作用濾出。產量：22 g (63 mmol)，理論值之90%。　　[0115] 依類似方式製備以下化合物： c) 3,7-雙(二苯并呋喃-1-基)-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1de]-蒽(1c)[0116] 對116 g (470 mmol)之1-溴二苯并呋喃、169 g (470.0 mmol)之5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽-3,7-雙硼酸、149.02 g (702.0 mmol)之K₃ PO₄ 、1000 ml之二烷及1000 ml之水的脫氣混合物添加13.52 g (11.7 mmol)之Pd(PPh₃ )₄ 。等到將該混合物加熱至80℃經過7小時之後，添加4.58 g (93.6 mmol)之NaCN。等到冷卻至室溫，移除水相。有機相係以H₂ O清洗兩次，然後透過Na₂ SO₄ 乾燥。等到溶劑已經被移除且暗紅色固體已經自二烷再結晶兩次之後，以紅色針狀物形態獲得產物。　　產量：184 g (304 mmol)，理論值之66%；純度：由HPLC測得為97%。　　[0117] 以下化合物可依類似方式製備：d) 3-溴-7,11-雙(二苯并呋喃-1-基)-5,9-二-13b-氮雜-萘并[3,2,1-de]蒽(1d)[0118] 最初將45.1 g (74.6 mmol)之3,7-雙(二苯并呋喃-1-基)-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1de]蒽填入80 ml之DMF中。其後，將13.3 g (74.6 mmol)之NBS分成數份添加且於此溫度持續攪拌4小時。其後將15 ml之水加於混合物且以CH₂ Cl₂ 達成萃取之目的。透過MgSO₄ 將有機相乾燥且在減壓之下移除溶劑。以熱己烷對產物施以萃取性攪拌且藉著吸濾作用濾出。產量：39 g (58 mmol)，理論值之78%，由¹ H NMR測得之純度約96%。　　[0119] 以下化合物可依類似方式製備：e) (2-氯苯基)(5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽-7-基)胺(1e)[0120] 使48 g (137 mmol)之7-溴-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1de]蒽、17.9 g (140 mmol)之2-氯苯胺、68.2 g (710 mmol)之第三丁氧化鈉、613 mg (3 mmol)之乙酸鈀(II)及3.03 g (5 mmol)之dppf溶於1.3 l之甲苯且在迴流之下攪拌5小時。使反應混合物冷卻至室溫，用甲苯散開且通過矽藻土過濾。在減壓之下將濾液濃縮且使殘餘物自甲苯/己烷形成結晶。將產物單離成無色固體。產量：43 g (109 mmol)，理論值之81%。　　[0121] 以下化合物可依類似方式製備： f) 環化成化合物1f[0122] 使40 g (102 mmol)之(2-氯苯基)(5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽-7-基)胺、56 g (409 mmol)之碳酸鉀、4.5 g (12 mmol)之四氟硼酸三環己基膦及1.38 g (6 mmol)之乙酸鈀(II)懸浮於500 ml之二甲基乙醯胺且在迴流之下攪拌6小時。等到冷卻之後，將反應混合物與300 ml之水及400 ml之乙酸乙酯混合。將該混合物再攪拌30分鐘，分離出有機相且通過短矽藻土床過濾，然後在減壓之下移除溶劑。粗製產物係以甲苯施以熱萃取且自甲苯再結晶。將產物單離成米黃色固體(26 g, 72 mmol，相當於理論值之71%)。　　[0123] 以下化合物可依類似方式製備：g) 7-(2-硝基苯基)-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽(1g)[0124] 對250 ml之水和250 ml之THF的混合物中30 g (183.8 mmol)之(2-硝基苯基)硼酸苯、64 g (184 mmol)之7-溴-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽及66.5 g (212.7 mmol)之碳酸鉀的徹底攪拌之脫氣懸浮液添加1.7 g (1.49 mmol)之Pd(PPh₃ )₄ ，且在迴流之下加熱混合物17小時。等到冷卻之後，移除有機相，以200 ml之水清洗三次且以200 ml之飽和氯化鈉水溶液清洗一次，透過硫酸鎂乾燥且藉由旋轉汽化濃縮至乾燥。使灰色殘餘物自己烷再結晶。藉著吸濾將沉澱晶體濾出，用少許MeOH清洗且在減壓之下乾燥；產量：66 g (169 mmol)，理論值之92%。　　[0125] 以下化合物可依類似方式製備：h) 環化成化合物1h[0126] 在迴流之下加熱94 g (240 mmol)之7-(2-硝基苯基)-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽及290.3 ml (1669 mmol)之亞磷酸三乙酯的混合物12小時。其後，將剩下之亞磷酸三乙酯餾除(72至76℃/9 mm Hg)。將水/MeOH (1：1)加於殘餘物，且將固體濾出且再結晶。　　產量：63 g (175 mmol)，理論值之73%。　　[0127] 以下化合物可依類似方式製備： j) 布赫瓦爾德反應[0128] 在保護氣氛之下將礦物油(106 mmol)中4.2 g之60% NaH溶於300 ml之二甲基甲醯胺。將38 g (106 mmol)之咔唑衍生物溶於250 ml之DMF且逐滴加於反應混合物。於室溫經過1小時之後，逐滴添加200 ml之THF中2-氯-4,6-二苯基[1,3,5]三嗪(34.5 g, 0.122 mol)。然後於室溫攪拌該反應混合物12小時。經過此時間之後，將該反應混合物倒入冰中。等到暖化至室溫之後，將沉澱之固體過濾且以乙醇及己烷清洗。殘餘物係以甲苯施以熱萃取且自甲苯/正庚烷再結晶且最終在高真空之下昇華。純度為99.9%。產量為40 g (67 mmol; 65%)。　　[0129] 以下化合物可依類似方式製備： i) 7-(2-甲基硫基苯基)-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽(1i)[0130] 對165.4 g (470 mmol)之7-溴-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽、60.14 g (470.0 mmol)之噻吩-2-硼酸、149.02 g (702.0 mmol)之K₃ PO₄ 、1000 ml之二烷及1000 ml之水的脫氣混合物添加13.52 g (11.7 mmol)之Pd(PPh₃ )₄ 。等到該混合物加熱至80℃經過7小時之後，添加4.58 g (93.6 mmol)之NaCN。等到冷卻至室溫之後，移除水相。有機相係以H₂ O清洗兩次，然後透過Na₂ SO₄ 乾燥。等到溶劑已經被移除且暗紅色固體已經自二烷再結晶兩次之後，以紅色針狀物形態獲得產物。　　產量：111 g (281 mmol) ，理論值之60%；純度：由HPLC測得為97%。　　[0131] 以下化合物可依類似方式製備： k) 7-(2-甲基亞磺醯基苯基)-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽(1k)[0132] 在保護氣氛之下，最初將122 g (309 mmol)之7-(2-甲基硫基苯基)-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽填入1.1 l之冰醋酸及125 ml之二氯甲烷中，且將混合物冷卻至0℃。對此溶液逐滴添加500 ml (309 mmol)之30% H₂ O₂ 溶液，且將該混合物攪拌過夜。將該混合物與Na₂ SO₃ 溶液混合，分離該相且在減壓之下移除溶劑。　　產量：103 g (252 mmol) ，理論值之85%；純度：由HPLC測得為94%。　　[0133] 以下化合物可依類似方式製備：l) 環化成化合物(1l)[0134] 於5℃攪拌113 g (275 mmol)之7-(2-甲烷亞磺醯基苯基)-5,9-二-13b-氮雜萘并[3,2,1-de]蒽及737 ml (8329 mmol)之三氟甲烷磺酸之混合物48小時。其後，將該混合物與2.4 l之水/吡啶5：1混合且在迴流之下加熱20分鐘。等到冷卻至室溫之後，小心添加500 ml之水及1000 ml之二氯甲烷。有機相係以4 x 50 ml之H₂ O清洗且透過MgSO₄ 乾燥，且在減壓之下移除溶劑。藉由再結晶獲得純產物。　　產量：83 g (220 mmol)，理論值之80%；純度：由HPLC測得為99.9%。　　[0135] 以下化合物可依類似方式製備：B) 裝置實施例　　[0136] 接下來之實施例I1至I10 (參見表1)顯示本發明之材料於OLEDs中的用途。　　[0137] 在塗覆之前先用氧電漿，接著用氬電漿處理厚度50 nm之塗覆結構化ITO (氧化銦錫)的玻璃板。這些經電漿處理之玻璃板構成施加OLEDs之基板。　　[0138] 該OLEDs基本上具有以下層結構：基板/電洞放射層(HIL)/電洞輸送層(HTL)/電子阻擋層(EBL)/發射層(EML)/視需要之電洞阻擋層(HBL)/電子輸送層(ETL)/電子放射層(EIL)及最終地陰極。該陰極係由厚度100 nm之鋁層構成。該OLEDs之正確結構可於表1中找到。表2顯示該OLEDs之製造所需的材料。　　[0139] 所有材料皆於真空室中藉由熱氣相沉積施敷。在此情況下，該發射層總是由至少一種基質材料(主材料)及發射摻雜劑(發射體)所組成，該發射摻雜劑係藉由共汽化(co-evaporation)依特定體積比例加於該基質材料。依IC5：IC3：TEG2 (55%：35%：10%)之形式給予的詳細說明在此意指該層中存有55%體積比例之材料IC5、35%比例之IC3及10%比例之TEG2。類似地，該電子輸送層也由兩種材料之混合物組成。　　[0140] 以標準方式敘述該OLEDs之特徵。於1000 cd/ m²之照度測定電致發光光譜且從而計算CIE 1931 x及y色座標。本發明之化合物於OLEDs中之用途　　[0141] 本發明之材料可應用於磷光紅色OLEDs之發射層。該獨創性化合物EG1至EG9係應用於實施例I1至I9作為該發射層中之基質材料。由這些實驗所得之OLEDs電致發光光譜的色座標係為CIEx=0.67及CIEy=0.33。因此該材料適合應用於紅色OLEDs之發射層。　　[0142] 另外，本發明之材料可順利地應用於該電洞阻擋層(HBL)。將這個顯示於實驗I10。在此該OLED之光譜的色座標也是CIEx=0.67及CIEy=0.33。

Claims

一種式(I)之化合物其中出現之變數是：　　X 於各情況係相同或不同且係單鍵、O、S、NR³ 或C(R⁴ )₂ ；　　Y 於各情況係相同或不同且係O或S；　　Z¹ 於各情況係相同或不同且係CR¹ 或N；　　Z² 於各情況係相同或不同且係CR² 、N或C，其中在Y基團鍵結於Z² 基團時的特定情況下，此Z² 基團係C；　　R¹ 、R² 於各情況係相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R⁵ 、CN、Si(R⁵ )₃ 、N(R⁵ )₂ 、P(=O)(R⁵ )₂ 、OR⁵ 、S(=O)R⁵ 、S(=O)₂ R⁵ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R¹ 或R² 基團可互相接合且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統及雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代；且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH₂ 基團可被-R⁵ C=CR⁵ -、-C≡C-、Si(R⁵ )₂ 、C=O、C=NR⁵ 、‑C(=O)O-、-C(=O)NR⁵ -、NR⁵ 、P(=O)(R⁵ )、-O-、-S-、SO或SO₂ 替代；　　R³ 係選自H、D、F、C(=O)R⁵ 、CN、Si(R⁵ )₅ 、N(R⁵ )₂ 、P(=O)(R⁵ )₂ 、OR⁵ 、S(=O)R⁵ 、S(=O)₂ R⁵ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統及雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代；且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH₂ 基團可被-R⁵ C=CR⁵ -、-C≡C-、Si(R⁵ )₂ 、C=O、C=NR⁵ 、-C(=O)O-、-C(=O)NR⁵ -、NR⁵ 、P(=O)(R⁵ )、-O-、-S-、SO或SO₂ 替代；　　R⁴ 於各情況係相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R⁵ 、CN、Si(R⁵ )₃ 、N(R⁵ )₂ 、P(=O)(R⁵ )₂ 、OR⁵ 、S(=O)R⁵ 、S(=O)₂ R⁵ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R⁴ 基團可互相接合且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統及雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代；且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH₂ 基團可被 -R⁵ C=CR⁵ -、-C≡C-、Si(R⁵ )₂ 、C=O、C=NR⁵ 、‑C(=O)O-、-C(=O)NR⁵ -、NR⁵ 、P(=O)(R⁵ )、-O-、-S-、SO或SO₂ 替代；　　R⁵ 於各情況係相同或不同且係選自H、D、F、C(=O)R⁶ 、CN、Si(R⁶ )₃ 、N(R⁶ )₂ 、P(=O)(R⁶ )₂ 、OR⁶ 、S(=O)R⁶ 、S(=O)₂ R⁶ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R⁵ 基團可互相接合且可形成環；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基及所述芳族環系統及雜芳族環系統各自可被一或多個R⁶ 基團取代；且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基中之一或多個CH₂ 基團可被 -R⁶ C=CR⁶ -、-C≡C-、Si(R⁶ )₂ 、C=O、C=NR⁶ 、‑C(=O)O-、-C(=O)NR⁶ -、NR⁶ 、P(=O)(R⁶ )、-O-、-S-、SO或SO₂ 替代；　　R⁶ 於各情況係相同或不同且係選自H、D、F、CN、具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或更多個R⁶ 基團可互相接合且可形成環；且其中所述烷基、烷氧基、烯基及炔基、芳族環系統及雜芳族環系統可被F或CN取代；　　i 係0或1，其中式(I)中之至少兩個指數i係1。
如申請專利範圍第1項之化合物，其中式(I)之二個X基團中的一者是單鍵，且該二個X基團中的另一者係選自O、S、NR³ 及C(R⁴ )₂ 。
如申請專利範圍第1項之化合物，其中Y係O。
如申請專利範圍第1項之化合物，其中R¹ 及R² 於各情況係相同或不同且係選自H、F、CN、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代。
如申請專利範圍第1項之化合物，其中R³ 係選自具有6至24個芳族環原子且可被一或多個R⁵ 基團取代之芳族環系統及具有5至24個芳族環原子且可被一或多個R⁵ 基團取代之雜芳族環系統。
如申請專利範圍第1項之化合物，其中該R³ 基團及/或其取代基R⁵ 及R⁶ 包括至少一個缺電子雜芳基。
如申請專利範圍第1項之化合物，其中式(I)化合物中至少一個選自R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 基團之基團係選自下列式之基團：其中R⁵ 係如申請專利範圍第1項中所界定者。
如申請專利範圍第1項之化合物，其中R⁴ 係選自具有1至20個碳原子之直鏈烷基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中所述烷基、所述芳族環系統及所述雜芳族環系統各自可被一或多個R⁵ 基團取代；且其中鍵結於X=C(R⁴ )₂ 單元之同一碳原子的兩個R⁴ 基團可互相接合且可形成環，而引致螺碳原子。
如申請專利範圍第1項之化合物，其相當於下列式中之一者：其中出現之變數係如前述申請專利範圍一或多項中所界定者。
一種製備如申請專利範圍第1至9項中任一項之化合物之方法，其特徵為先製備在苯基之一上被反應性基團取代的經架橋三苯基胺基團，然後將吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基或茚基稠合於該基團上。
一種含有一或多種如申請專利範圍第1至9項中一或多項之式(I)化合物的寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其中連至該聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於式(I)中被R¹ 、R² 、R³ 或R⁴ 取代的任何所欲位置。
一種調合物，其包含至少一種如申請專利範圍第1至9項中一或多項的化合物或一種如申請專利範圍第11項之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物、及至少一種溶劑。
一種電子裝置，其包含至少一種如申請專利範圍第1至9項中一或多項的化合物或一種如申請專利範圍第11項之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。
如申請專利範圍第13項之電子裝置，其係包含陽極、陰極及至少一個發射層之有機電致發光裝置，其中該裝置的至少一個有機層包含該至少一種化合物，該至少一個有機層係發射層、電子輸送層或電洞阻擋層。
如申請專利範圍第14項之電子裝置，其係包含陽極、陰極及至少一個包含發紅光或發綠光之磷光發射體之發射層的有機電致發光裝置，其中該至少一種化合物係存在於該發射層中作為基質材料。
一種如申請專利範圍第1至9項中一或多項的化合物於電子裝置中之用途。