DE102008061843B4 - Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen - Google Patents
Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008061843B4 DE102008061843B4 DE102008061843.8A DE102008061843A DE102008061843B4 DE 102008061843 B4 DE102008061843 B4 DE 102008061843B4 DE 102008061843 A DE102008061843 A DE 102008061843A DE 102008061843 B4 DE102008061843 B4 DE 102008061843B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- independently selected
- formula
- heteroaryl
- aryl
- alkyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 16
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- XTCBADXSNZHEGE-UHFFFAOYSA-N [1,4]benzoxathiino[2,3-b]phenoxathiine Chemical compound O1C2=CC=CC=C2SC2=C1C=C1SC3=CC=CC=C3OC1=C2 XTCBADXSNZHEGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JMEPFIVYXZGLAK-UHFFFAOYSA-N 3,10-dimethoxy-[1,4]benzoxathiino[2,3-b]phenoxathiine Chemical compound O1C2=CC(OC)=CC=C2SC2=C1C=C1SC3=CC=C(OC)C=C3OC1=C2 JMEPFIVYXZGLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JSEOTMGRQLSQLD-UHFFFAOYSA-N 6-n,6-n,13-n,13-n-tetraphenyl-[1,4]benzoxathiino[2,3-b]phenoxathiine-6,13-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=2SC3=CC=CC=C3OC=2C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C2SC3=CC=CC=C3OC2=1)C1=CC=CC=C1 JSEOTMGRQLSQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SOYPNUWPKJXVQM-UHFFFAOYSA-N 3,13,23-trioxa-10,20,30-trithiaheptacyclo[20.8.0.02,11.04,9.012,21.014,19.024,29]triaconta-1,4,6,8,11,14,16,18,21,24,26,28-dodecaene Chemical group S1C2=CC=CC=C2OC2=C1C(OC1=CC=CC=C1S1)=C1C1=C2SC2=CC=CC=C2O1 SOYPNUWPKJXVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FUETVUCFQSZUOA-UHFFFAOYSA-N S1C2=CC=CC=C2OC2=C1C=C1OC(C=C3SC4=CC=CC=C4OC3=C3)=C3SC1=C2 Chemical compound S1C2=CC=CC=C2OC2=C1C=C1OC(C=C3SC4=CC=CC=C4OC3=C3)=C3SC1=C2 FUETVUCFQSZUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 2
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 8
- VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1S VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 7
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 208000033962 Fontaine progeroid syndrome Diseases 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- BOXSCYUXSBYGRD-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;iron(3+) Chemical compound [Fe+3].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 BOXSCYUXSBYGRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- ZQBFAOFFOQMSGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluorobenzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F ZQBFAOFFOQMSGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- LQXFOLBBQWZYNH-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(dicyanomethylidene)-1,3,4,5,7,8-hexafluoronaphthalen-2-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C2C(F)=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C21 LQXFOLBBQWZYNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000589 high-performance liquid chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- SLYPOVJCSQHITR-UHFFFAOYSA-N tioxolone Chemical compound OC1=CC=C2SC(=O)OC2=C1 SLYPOVJCSQHITR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- SDXUIOOHCIQXRP-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrafluorobenzene Chemical compound FC1=CC(F)=C(F)C=C1F SDXUIOOHCIQXRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTKWENDYGQZVBT-UHFFFAOYSA-N 5-methoxy-2-sulfanylphenol Chemical compound COC1=CC=C(S)C(O)=C1 PTKWENDYGQZVBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical class C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- KPWSHFPOXWVUPX-UHFFFAOYSA-N iridium;2,3,4-triphenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=NC(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 KPWSHFPOXWVUPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- SOZFIIXUNAKEJP-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetrafluorobenzene Chemical compound FC1=CC=C(F)C(F)=C1F SOZFIIXUNAKEJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWDUZLFWHVQCHY-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tribromobenzene Chemical compound BrC1=CC(Br)=CC(Br)=C1 YWDUZLFWHVQCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXUUWIQJNLNORH-UHFFFAOYSA-N 2,3-dinaphthalen-1-yl-n,6-diphenylaniline Chemical group C=1C=CC=CC=1C=1C=CC(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=1NC1=CC=CC=C1 VXUUWIQJNLNORH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGPGCUNWOKOMAP-UHFFFAOYSA-N 2-[2,3-bis[cyano-[2,3,5,6-tetrafluoro-4-(trifluoromethyl)phenyl]methylidene]cyclopropylidene]-2-[2,3,5,6-tetrafluoro-4-(trifluoromethyl)phenyl]acetonitrile Chemical compound FC1=C(F)C(C(F)(F)F)=C(F)C(F)=C1C(C#N)=C(C1=C(C#N)C=2C(=C(F)C(=C(F)C=2F)C(F)(F)F)F)C1=C(C#N)C1=C(F)C(F)=C(C(F)(F)F)C(F)=C1F ZGPGCUNWOKOMAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOLRMFUVGUPFO-UHFFFAOYSA-N 2-[2,5-dibromo-4-(dicyanomethylidene)-3,6-difluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(Br)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(Br)C1=C(C#N)C#N QAOLRMFUVGUPFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMKNPCBCSDZJCC-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-1,3-benzoxathiol-2-one Chemical compound COC1=CC=C2SC(=O)OC2=C1 KMKNPCBCSDZJCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006418 Brown reaction Methods 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- GWEUDLSABJZBMY-UHFFFAOYSA-N FC1=C(C(=C(C=C1)F)F)F.C1(=CC=CC=C1)NC1=CC=CC=C1 Chemical compound FC1=C(C(=C(C=C1)F)F)F.C1(=CC=CC=C1)NC1=CC=CC=C1 GWEUDLSABJZBMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 N-carbazolyl Chemical group 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical class [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 238000007080 aromatic substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 238000004836 empirical method Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000006138 lithiation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000006263 metalation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000011987 methylation Effects 0.000 description 1
- 238000007069 methylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- GJSGGHOYGKMUPT-UHFFFAOYSA-N phenoxathiine Chemical compound C1=CC=C2OC3=CC=CC=C3SC2=C1 GJSGGHOYGKMUPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005030 phenoxathiins Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical class [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical group 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229960003070 tioxolone Drugs 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D497/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D497/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D497/04—Ortho-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D497/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D497/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains three hetero rings
- C07D497/14—Ortho-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D497/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D497/22—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains four or more hetero rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1011—Condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1096—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing other heteroatoms
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Verwendung von heterocyclischen Verbindungen als Ladungstransportmaterial oder Blockermaterial in elektronischen, optoelektronischen oder elektrolumineszenten Bauelementen, wobei die heterocyclischen Verbindungen die folgenden Formeln A–E aufweisen: Formel AFormel BFormel C...
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen, optoelektronischen und elektrolumineszenten Bauelemente, wie organischen lichtemittierenden Dioden (OLEDs), Feldeffekttransistoren, Fotodetektoren und organischen Solarzellen (OPV), als Ladungstransportmaterial oder Blockermaterial, vorzugsweise als Lochleiter oder Elektronenblocker.
- In organischen lichtemittierenden Dioden (OLEDs) wird die Eigenschaft von Materialien ausgenutzt, Licht zu emittieren, wenn durch das Anlegen einer Spannung geeignete Ladungsträger gebildet werden, die bei ihrer Rekombination angeregte Zustände bilden, die wiederum unter Emission von Licht in den Grundzustand übergehen. OLEDs stellen eine interessante Alternative zu Kathodenstrahlröhren und Flüssigkristalldisplays dar, da sie aufgrund ihrer sehr kompakten Bauweise und ihres niedrigen Stromverbrauchs zur Herstellung von Flachbildschirmen und Displays für mobile Anwendungen, wie Mobiltelefone, Notebooks, PDAs etc., geeignet sind.
- Zur Verbesserung der Effizienz organischer lichtemittierender Dioden weisen diese häufig neben der eigentlichen Emissionsschicht Ladungstransportschichten auf, die für den Transport negativer und positiver Ladungsträger in die Emissionsschicht zuständig sind. Diese Ladungstransportschichten werden nach der Art der transportierten Ladungsträger in Lochleiter und Elektronenleiter eingeteilt.
- Organische lichtemittierende Dioden (OLEDs) bestehen in der Regel aus verschiedenen Schichten organischer Materialien, wobei mindestens eine Schicht (Emissionsschicht) eine elektrolumineszente Substanz enthält, die durch Anlegung einer Spannung zur Emission von Licht gebracht werden kann (Tang,
US 4,769,292 A ) Hocheffiziente OLEDs sind z. B. inUS 7,074,500 B2 beschrieben. - Als organische Bauelemente gelten Bauelemente, die mindestens eine organische Halbleiterschicht enthalten. Die organischen Halbleiterschichten enthalten unter anderem organische Moleküle, so genante „kleine Moleküle”, oder auch organische Polymere, wobei die organischen Moleküle und die organischen Polymere als Einzelschicht oder als Mischung mit anderen organischen (z. B. in
US2005 0110009 A1 beschrieben) oder anorganischen Materialien halbleiter- oder metallähnliche Eigenschaften besitzen. - Die Halbleiterbauelemente, die einen großen Anteil an anorganischen Halbleiterelementen bzw. Schichten haben und gleichzeitig eine oder mehrere organische Halbleiterschichten oder organische Halbleitermaterialien beinhalten, sind sogenannte anorganisch-organische Hybridbauelemente. Diese Hybridbauelemente sind im Rahmen der Erfindung auch als organische Bauelemente zu verstehen.
- Allgemeiner Stand der Technik
- Dem Stand der Technik entsprechend werden als lochleitende bzw. elektronenblockende Materialien bisher Benzidin-Derivate wie etwa N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamin (TPD), 4,4'-Di-(N-carbazolyl)-diphenyl (CBP) und N,N'-Di-(alpha-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamin (alpha-NPD) eingesetzt, die jedoch eine mangelnde Temperaturstabilität aufweisen, die im Wesentlichen von der Glasübergangstemperatur dieser Verbindungen abhängt (TPD: Tg = 65°C).
- Die geringere Temperaturstabilität kann zur Zerstörung der Schichtanordnung oder der Durchmischung von verschiedenen Molekülen verschiedener Schichten führen, so dass ein elektronisches oder optoelektronisches Bauelement mit der Zeit bei thermischer Belastung seine Effizienz verliert.
- Materialien mit polycyclisch-aromatischen Strukturen, wie z. B. Anthracen, Pentacen, Tetracen, Phthalocyanine und auch Materialien wie z. B. das Fulleren C60, werden, wegen der für organische Materialien hohen Ladungsträgerbeweglichkeit, für Bauelemente benutzt. Hier können bspw. Dünnschicht-Feldeffekttransistoren (OTFT) erwähnt werden.
- Durch konventionelle Verfahren, wie etwa der Vakuumverdampfung, können solche Bauelemente mit mehreren Schichten organischen und/oder polymeren Materials hergestellt werden. Die relativ hohe Kristallinität der Schichten ist teilweise auch für die hohe Ladungsträgerbeweglichkeit verantwortlich. Schichten dieser Moleküle haben jedoch den Nachteil der Kristallisation der Schicht, welche damit das Bauelement instabil machen kann. Größere Moleküle wie z. B. Sexythiophene können nicht erfolgreich verdampft werden, ohne dass dabei eine größere Zersetzung stattfindet.
- Die Fullerene, hier hauptsächlich C60, haben eine große n-Ladungsträgerbeweglichkeit und werden auch als aktive Halbleiterschichten in OTFTs benutzt. Jedoch ist C60 sehr anfällig gegen Kontaminierung durch z. B. Sauerstoff, und die Bauelemente müssen mit hohem Aufwand verkapselt werden.
- Außer den oben genannten organischen Materialien gibt es kaum organische Materialien, die bei Raumtemperatur oder höheren Temperaturen eine Ladungsträgerbeweglichkeit aufweisen, die groß genug ist, um aus ihnen mit üblichen Herstellungsverfahren bspw. effiziente OTFTs herzustellen. Andere Verfahren für die effiziente Herstellung von OTFTs sind weitaus aufwendiger und bedürfen weiterhin der Verbesserung (z. B. Änderung der Dielektrika der Oberfläche, Änderung der Dielektrika der Materialien, Ladungsträger-Injektionsschichten).
- Eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit ist erwünscht, um die Verluste durch Raumladungseffekte in OLEDs oder OPVs zu minimieren, und auch, um die maximale brauchbare Frequenz von digitalen oder analogen Schaltungen sowie von Schwingungs-Schaltkreisen (Oszillatoren) zu erhöhen. Grundsätzlich sind neue Materialien erwünscht, die eine hohe Leitfähigkeit mit stabilen Dotanden zeigen.
- Eine Methode, den Leistungsverlust in organischen Bauelemente durch Raumladungseffekte zu minimieren, ist die Verwendung von dotierten Schichten. Durch die Dotierung erhöht sich die Leitfähigkeit der Schicht und somit wird das Problem der geringen Ladungsträgerbeweglichkeit umgangen.
- Es ist bekannt, organische Halbleiter durch Dotierung in ihren elektrischen Eigenschaften, insbesondere in ihrer elektrischen Leitfähigkeit zu verändern, wie dies auch bei anorganischen Halbleitern (Silizium-Halbleiter) der Fall ist. Hierbei wird durch Erzeugung von Ladungsträgern im Matrixmaterial eine Erhöhung der zunächst recht niedrigen Leitfähigkeit, sowie je nach Art des verwendeten Dotanden eine Veränderung im Fermi-Niveau des Halbleiters erreicht. Eine Dotierung führt hierbei zu einer Erhöhung der Leitfähigkeit von Ladungstransportschichten, wodurch ohmsche Verluste verringert werden und ein verbesserter Übergang der Ladungsträger zwischen Kontakt und organischer Schicht erreicht wird. Die Dotierung ist durch einen Ladungsübertrag vom Dotanden auf ein nahe liegendes Matrixmolekül gekennzeichnet (n-Dotierung, Elektronenleitfähigkeit erhöht), bzw. durch den Übertrag eines Elektrons von einem Matrixmolekül auf einen nahe liegenden Dotanden (p-Dotierung, Löcherleitfähigkeit erhöht). Der Ladungsübertrag kann unvollständig oder vollständig erfolgen und lässt sich z. B. durch die Interpretation von Schwingungsbanden aus FT-IR-Messungen bestimmen.
- Die Leitfähigkeit einer Dünnschichtprobe kann mit der sog. Zwei-Punkt-Methode gemessen werden. Dabei werden auf ein Substrat Kontakte aus einem leitfähigem Material aufgebracht, z. B. Gold oder Indium-Zinn-Oxid. Danach wird die zu untersuchende Dünnschicht großflächig auf das Substrat aufgebracht, so dass die Kontakte von der dünnen Schicht überdeckt werden. Nach Anlegen einer Spannung an die Kontakte wird der dann fließende Strom gemessen. Aus der Geometrie der Kontakte und der Schichtdicke der Probe ergibt sich aus dem so bestimmten Widerstand die Leitfähigkeit des Dünnschichtmaterials.
- Bei Betriebstemperatur eines Bauelements mit dotierter Schicht soll die Leitfähigkeit der dotierten Schicht die Leitfähigkeit der undotierten Schicht übertreffen. Dazu soll die Leitfähigkeit der dotierten Schichten bei Raumtemperatur hoch sein, insbesondere größer sein als 1·10–8 S/cm, bevorzugt aber im Bereich zwischen 10–6 S/cm und 10–5 S/cm liegen. Undotierte Schichten weisen Leitfähigkeiten von kleiner 1·10–8 S/cm, meistens kleiner 1·10–10 S/cm auf.
- Die Temperaturstabilität kann mit derselben Methode bzw. mit demselben Aufbau bestimmt werden, indem die (undotierte oder dotierte) Schicht schrittweise aufgeheizt und nach einer Ruhezeit die Leitfähigkeit gemessen wird. Die maximale Temperatur, die die Schicht aushalten kann, ohne die gewünschte Halbleitereigenschaft zu verlieren, ist dann die Temperatur unmittelbar bevor die Leitfähigkeit einbricht. Beispielsweise kann eine dotierte Schicht auf einem Substrat mit zwei nebeneinanderliegenden Elektroden, wie oben beschrieben, in Schritten von 1°C erhitzt werden, wobei nach jedem Schritt 10 Sekunden gewartet wird. Dann wird die Leitfähigkeit gemessen. Die Leitfähigkeit ändert sich mit der Temperatur und bricht ab einer bestimmten Temperatur abrupt ein. Die Temperaturstabilität gibt daher die Temperatur an, bis zu der die Leitfähigkeit nicht abrupt einbricht.
- Bei diesen Methoden ist darauf zu achten, dass die Matrixmaterialien eine genügend hohe Reinheit aufweisen. Solche Reinheiten sind mit herkömmlichen Methoden, bevorzugt der Gradientensublimation, erreichbar.
- Die Eigenschaften der verschiedenen beteiligten Materialien können durch die Energielagen des niedrigsten unbesetzten Molekülorbitals (lowest unoccupied molecular orbital, kurz: LUMO; Synonym: Elekronenaffinität) und des höchsten besetzten Molekülorbitals (highest occupied molecular orbital, kurz: HOMO; Synonym: Ionisierungspotential) beschrieben werden.
- Eine Methode zur Bestimmung von Ionisationspotentialen (IP) ist die Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie (UPS). In der Regel werden Ionisationspotentiale für den Festkörper bestimmt, jedoch ist es auch möglich, Ionisationspotentiale in der Gasphase zu messen. Beide Größen unterscheiden sich durch Festkörpereffekte, wie zum Beispiel die Polarisationsenergie der Löcher, die im Photoionisationsprozeß entstehen (N. Sato et al., J. Chem. Soc. Faraday Trans. 2, 77, 1621 (1981)). Ein typischer Wert für die Polarisationsenergie ist etwa 1 eV, aber es können auch größere Abweichungen auftreten.
- Das Ionisationspotential bezieht sich dabei auf den Beginn des Photoemissionsspektrums im Bereich der hohen kinetischen Energien der Photoelektronen, das heißt, die Energie der am schwächsten gebundenen Photoelektronen.
- Eine damit verbundene Methode, die invertierte Photoelektronenspektroskopie (IPES), kann zur Bestimmung von Elektronenaffinitäten (EA) herangezogen werden. Diese Methode ist jedoch weniger weit verbreitet. Alternativ können Festkörperenergienniveaus durch elektrochemische Messung von Oxidations-(Eox) bzw. Reduktionspotentialen (Ered) in Lösung bestimmt werden. Eine geeignete Methode ist die Zyklovoltammetrie (CV). Empirische Methoden zur Ableitung des Festkörperionisationspotentials aus einem elektrochemischen Oxidationspotential sind in der Literatur beschrieben (z. B. B. W. Andrade et al., Org. Electron. 6, 11 (2005); J. Amer. Chem. Soc. 127, (2005), 7227.).
- Für die Umrechnung von Reduktionspotentialen in Elektronenaffinitäten sind keine empirischen Formeln bekannt. Dies liegt an der Schwierigkeit der Bestimmung von Elektronenaffinitäten. Deshalb wird häufig eine einfache Regel angewandt: IP = 4.8 eV + e·Eox (vs. Ferrocen/Ferrocenium) bzw. EA = 4.8 eV + e·Ered (vs. Ferrocen/Ferrocenium) (vgl. B. W. Andrade, Org. Electron. 6, 11 (2005) and Refs. 25–28 therein). Für den Fall, dass andere Referenzelektroden oder Redoxpaare zur Referenzierung der elektrochemischen Potentiale benutzt werden, sind Verfahren zur Umrechnung bekannt (vgl. A. J. Bard, L. R. Faulkner, „Electrochemical Methods: Fundamentals and Applications”, Wiley, 2. Ausgabe 2000). Informationen zum Einfluss einen Lösungsmittels können in bei N. G. Connelly et al., Chem. Rev. 96, 877 (1996) gefunden werden.
- Es ist üblich, wenngleich auch nicht wirklich exakt, die Begriffe ”Energie des HOMOs” E(HOMO) bzw. ”Energie des LUMOs” E(LUMO) synonym mit den Begriffen Ionisationsenergie bzw. Elektronenaffinität zu gebrauchen (Koopmans Theorem). Dabei ist zu beachten, dass die Ionisationspotentiale und Elektronenaffinitäten so gegeben sind, dass ein höherer Wert eine stärkere Bindung eines herausgelösten bzw. angelagerten Elektrons bedeutet. Die Energieskala der Molekülorbitale (HOMO, LUMO) ist dem entgegengesetzt. Deshalb gilt in grober Näherung:, IP = –E(HOMO) und EA = –E(LUMO).
- Aus
WO 2007/118799 A1 JP 2002 124384 A US 2003 00 99 865 A1 bekannt. -
US 6,242,115 B1 betrifft organische lichtemittierende Dioden, in denen unsymmetrische Ladungstransportmaterialien eingesetzt werden, die tertiäre Amin-Funktionen beinhalten. Diese teriären Amin-Funktionen sind aufgebaut aus dem Biphenyl-Kern und zwei zusätzlichen Phenylgruppen, die nicht miteinander verbunden, aber auch direkt oder über eine gesättigte oder ungesättigte Brücke miteinander verknüpft sein können. Als solche Verknüpfungen werden eine gesättigte bzw. ungesättigte C2-Brücke vorgeschlagen, die jedoch keine zusätzlichen Substituenten tragen. - Im Stand der Technik haben die mangelnde Temperaturstabilität, Ladungsträgerbeweglichkeit und Luftstabilität der bisher in elektronischen, optoelektronischen und elektrolumineszenten Bauelementen eingesetzten lochleitenden bzw. elektronenblockenden Verbindungen einen technischen Mangel dargestellt, der die Anwendung dieser Bauelemente limitiert hat.
- Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Nachteile aus dem Stand der Technik zu überwinden und Materialien bereitzustellen, die zu verbesserten elektronischen, optoelektronischen und elektrolumineszenten Bauelementen führen, insbesondere lochleitende oder elektronenblockende Verbindungen bereitzustellen. Gleichzeitig sollen diese Verbindungen auch eine höhere Effizienz der Bauelementen ermöglichen.
- Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, Materialien bereitzustellen, die ein Oxidationspotential zwischen 0 und 1,2 V (vs. Ferrocen/Ferrocenium); bevorzugt zwischen 0,2 und 1,2 V (vs. Ferrocen/Ferrocenium); weiter bevorzugt zwischen 0,4 V und 1 V (vs. Ferrocen/Ferrocenium) zeigen. Ein spezieller Potentialbereich für das Oxidationspotential ist zwischen 0,5 V und 0,8 V (vs. Ferrocen/Ferrocenium). Diese Bereiche werden bevorzugt, um eine energetische Anpassung an andere Schichten eines Bauelements zu gewährleisten, um Löcher in und aus anderen, aktiven organischen Transportschichten, Emitterschichten aus OLEDs und Absorberschichten in organische Solarzellen zu transportieren.
- Die Aufgabe wird gelöst durch die Verwendung von heterocyclischen Verbindungen gemäß Anspruch 1, die heterocyclischen Verbindungen als solche, ein organisches Halbleitermaterial, elektronische, optoelektronische und elektrolumineszente Bauelemente gemäß den unabhängigen Ansprüchen. Bevorzugte Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
- Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird unter dem Begriff „Dotand” ein elektrischer Dotand verstanden, der auch als Redox-Dotand bekannt ist und die in der vorliegenden Erfindung beschriebenen Eigenschaften aufweist.
- Die erfindungsgemäßen heterocyclischen Verbindungen können erfolgreich als Ladungstransportmaterial oder Blockermaterial in elektronischen, optoelektronsichen und elektrolumineszenten Bauelementen eingesetzt werden. Sie zeigen eine äußerst hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und eine gute Stabilität an Luft. Ferner ist hervorzuheben, dass die Verbindungen sehr kostengünstig hergestellt werden können. Die notwendigen Synthesen umfassen selten mehr als drei synthetische Transformationen, in der Regel sogar weniger. Die Ausbeuten der Umsetzungen sind gut bzw. sehr gut. Als Ausgangsmaterialien können in der Regel preiswerte, kommerziell erhältliche Chemikalien eingesetzt werden.
- Die heterocyclischen Verbindungen sind solche, die die folgenden Formeln A–E aufweisen: Formel A Formel B Formel C Formel D Formel E wobei X und Y voneinander verschieden sind, ansonsten jedoch unabhängig ausgewählt sind aus Sauerstoff, Schwefel, Selen und Tellur; n 1, 2, 3, 4, 5 oder 6 ist; in Formel A R1-R6 unabhängig ausgewählt sind aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus, anneliertem Heterozyklus, OR', wobei R' unabhängig ausgewählt ist aus Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus und anneliertem Heterozyklus, und NR2'' sowie SR'', wobei R'' unabhängig ausgewählt ist aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus und anneliertem Heterozyklus; wobei für Formel B R1-R6 unabhängig ausgewählt sind aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus, anneliertem Heterozyklus, OR', SR' und NR2', wobei R' unabhängig ausgewählt ist aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus und anneliertem Heterozyklus; wobei für Formeln C–E R1-9 unabhängig ausgewählt sind aus Wasserstoff, Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus, anneliertem Heterozyklus, OR', SR' und NR2', wobei R' unabhängig ausgewählt ist aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus und anneliertem Heterozyklus.
- Die beschriebenen Verbindungen und deren Derivate werden vorzugsweise als Löchertransportmaterialien (HTM) in elektronischen Bauelementen benutzt. Die elektronischen Bauelemente können organische Solarzellen, organische Leuchtdioden, organische Dünnschichttransistoren, Dioden, Photodioden oder andere sein. Die Bauelemente können auch passive Bauteile wie z. B. Stromleitpfade, Stromsicherungen, Antennen und Widerstände sein. Es versteht sich, dass die Anwendung der (HTM) in anderen Halbleiterschichten möglich und nicht auf die hier beschriebenen Bauelemente begrenzt ist.
- Dotierte HTM-Schichten können in vielen verschiedenen Bauelementen eingesetzte werden, wobei es eine große Flexibilität zur Wahl der Materialien gibt, sobald die gewünschte Leitfähigkeit erreicht wird. Für spezielle Schichten, meistens aber nicht nur in undotierte Schichten, werden auch spezielle Energieniveaus erfordert, wie bei der injektion-order-Extraktion von Ladungsträgern in intrinsischen photo-aktiven Schichten. In opto-elektronischen Bauelementen müssen die Schichten, die nur zum Ladungsträgertransport dienen, im wesentlich transparent sein.
- Die beschriebenen Verbindungen und deren Derivate können einzeln als Materialschicht verwendet werden, oder als Mischung mit anderen Materialien, die funktionelle Eigenschaften zur Schicht hinzufügen, z. B. Mischungen mit anderen HTM.
- Vorzugsweise werden die neuen Materialien mit einem p-Dotanden dotiert. Bevorzugte p-Dotanden sind aus der
US 10/792133 US 61/107,826 US 11/047972 WO 2007 00 82 673 A2 - Die erfindungsgemäßen Materialien und deren Derivate werden bevorzugt in OLEDs in Löchertransportschichten (HTL) als eine dotierte Schicht verwendet. Es ist auch vorgesehen, dass eine undotierte Schicht als Zwischenschicht benutzt wird. Die Dioxa-dithia-pentacen-Derivate werden auch bevorzugt als Elektronenblocker oder als Excitonenblocker oder beides, Excitonen- und Elektronenblocker gleichzeitig, eingesetzt.
- Die Dioxa-dithia-pentacen Derivate werden bevorzugt in organischen Solarzellen eingesetzt, in dotierten Löchertransportschichten. Die organischen Solarzellen können auch eine nicht dotierte Schicht als Elektronen-, Loch- oder auch Excitonen-Blocker aufweisen. Der Aufbau von organischen Solarzellen ist dem Fachmann bekannt, siehe
EP 1 861 886 A1 undEP 1 859 494 A1 . - Die Verbindungen zeigen eine geringe oder überhaupt keine Kristallinität. Somit sind diese Materialien besonders geeignet, um stabile Bauelemente herzustellen.
- Wegen der hohen Ladungsträgerbeweglichkeit werden die Materialien bevorzugt auch in organischen Dünnschichttransistoren als aktive Schicht eingesetzt. Die aktive Schicht kann auch dotierte Bereiche enthalten, z. B. Injektionsschichten, ist aber im wesentlich undotiert. Die organischen Dünnschichttransistoren und deren Herstellung sind dem Fachmann bekannt, siehe z. B.
US 2006 02 02 196 A1 . - Es ist weiterhin bevorzugt, dass die erfindungsgemäßen Materialien und deren Derivate eine hohe Transparenz aufweisen, was üblicherweise von der großen HOMO-LUMO Lücke (band-Lücke) gegeben ist. Eine Bandlücke von mindestens 1 eV ist geeignet, bevorzugt ist eine Bandlücke von mindestens 1,5 eV, weiter bevorzugt ist eine Bandlücke von 2 eV. Dotierte oder undotierte transparente Halbleiterschichten werden in opto-elektronischen Bauelementen in nicht optisch aktiven Schichten verwendet, weil die Absorption in diese Schichten deren Effizienz mindert. Dotierte oder undotierte transparente Halbleiterschichten werden auch in völlig oder im Wesentlichen transparenten Bauelementen benutzt, um so genannte transparente Elektronik herzustellen. Transparente OLEDs sind z. B in
US 2006 00 33 115 A1 und inUS 2006 02 84 170 A1 beschrieben. - Die typische Struktur einer Standard-OLED ist dem Fachmann bekannt, sie kann wie folgt aussehen:
- 1. Träger, Substrat, z. B. Glas
- 2. Elektrode, löcherinjizierend (Anode = Pluspol), vorzugsweise transparent, z. B. Indium-Zinn-Oxid (ITO)
- 3. Löcherinjektionsschicht, z. B. CuPc (Kupfer-Phthalocyanin), oder Starburst-Derivate,
- 4. Löchertransportschicht, z. B. TPD (Triphenyldiamin und Derivate),
- 5. löcherseitige Blockschicht, um Exzitonendiffusion aus der Emissionsschicht zu verhindern und Ladungsträger-Leckage aus der Emissionsschicht zu verhindern, z. B. alpha-NPB (Bis-naphtyl-phenylamino-biphenyl),
- 6. lichtemittierende Schicht oder System von mehreren zur Lichtemission beitragenden Schichten, z. B. CBP (Carbazol-Derivate) mit Emitterbeimischung (z. B. phosphoreszenter Triplett-Emitter Iridium-tris-phenylpyridin Ir(ppy)3) oder Alq3 (Trisquinolinato-aluminium) gemischt mit Emittermolekülen (z. B. fluoreszenter Singlett Emitter Qumarin),
- 7. elektronenseitige Blockschicht, um Exzitonendiffusion aus der Emissionsschicht zu verhindern und Ladungsträger-Leckage aus der Emissionsschicht zu verhindern, z. B. BCP (Bathocuproine),
- 8. Elektronentransportschicht, z. B. Alq3 (Tris-quinolinato-aluminium),
- 9. Elektroneninjektionsschicht, z. B. anorganisches Lithiumfluorid (LiF),
- 10. Elektrode, meist ein Metall mit niedriger Austrittsarbeit, elektroneninjizierend (Kathode = Minuspol), z. B. Aluminium.
- Es können natürlich Schichten weggelassen werden, oder eine Schicht (respektive ein Material) kann mehrere Eigenschaften übernehmen, z. B. können die Schichten 3 und 4, 4 und 5, 3–5 zusammengefasst werden, bzw. die Schichten 7 und 8, 8 und 9, und 7–9 zusammengefasst werden. Weiter Möglichkeiten sehen die Mischung der Substanz aus Schicht 9 in die Schicht 8 vor etc..
- Eine reflektierende Elektrode und organische Schichten werden normalerweise durch thermische Vakuumverdampfung auf einem Substrat abgeschieden. Die Elektrode kann auch gesputtert werden. Unter anderem können die organische Schichten aus Lösungsmitteln hergestellt werden, wie z. B. durch Spin-coating und Ink-jet-Drucken.
- Dieser Aufbau beschreibt den nicht-invertierten (Anode auf dem Substrat), substratseitig emittierenden (bottom-emission) Aufbau einer OLED. Es gibt verschiedene Konzepte, vom Substrat weg emittierende OLEDs zu beschreiben (siehe Referenzen in
DE 102 15 210 A1 ) allen ist gemein, dass dann die substratseitige Elektrode (im nicht-invertierten Fall die Anode) reflektierend (oder transparent für eine durchsichtige OLED) ist und die Deckelektrode (semi-)transparent ausgeführt ist. Üblicherweise ist dies mit Leistungsparametereinbußen verbunden. - Wenn die Reihenfolge der Schichten invertiert wird (Kathode auf Substrat) spricht man von invertierten OLEDs (siehe Referenzen in
DE 101 35 513 A1 ). Auch hierbei ist ohne spezielle Maßnahmen mit Leistungseinbußen zu rechnen. - Typischerweise umfasst die organische Schichtanordnung einer OLED oder einer Solarzelle mehrere übereinander angeordnete organische Schichten. Innerhalb der organischen Schichtanordnung können auch ein oder mehrere pn-Übergänge vorgesehen sein, wie dieses für gestapelte OLEDs bekannt ist (vgl.
EP 1 478 025 A2 ), wobei ein solcher pn-Übergang in einer Ausführung mit Hilfe einer p-dotierten Löchertransportschicht und einer n-dotierten Elektronentransportschicht gebildet wird, die in direktem Kontakt miteinander gebildet sind. Ein solcher pn-Übergang stellt eine elektrische Ladungen erzeugende Struktur dar, in welcher beim Anlegen eines elektrischen Potentials elektrische Ladungen erzeugt werden, vorzugsweise im Grenzbereich zwischen den beiden Schichten. - In Solarzellen und Photosensoren wird der pn-Übergang auch benutzt, um gestapelte Heterojunctions zu verbinden und somit die Spannung, die dieses Bauelement generiert, zu addieren (
US 2006 00 27 834 A1 ). Die Übergänge haben dieselbe Funktion als Tunnel-Übergänge in gestapelten anorganischen Heterojunction-Solarzellen, obwohl die physikalischen Mechanismen wahrscheinlich nicht dieselben sind. - Die Übergänge werden auch benutzt, um eine verbesserte Injektion (Extraktion bei Solarzellen) zu den Elektroden zu bekommen (
EP 1 808 910 A2 ). - Zur Verbesserung der energetischen Eigenschaften in einem organischen elektronischen Bauelement wurde in dem Dokument
WO 2005/109542 A1 - Um den pn-Übergang zu stabilisieren, wird eine Schicht von einem anderen Material als Zwischenschicht benutzt. Solche stabilisierten pn-Übergänge sind z. B. in
US 2006 00 40 132 A1 beschrieben, dort wird ein Metal als Zwischenschicht benutzt. OLEDs mit dieser Metallschicht haben eine kürzere Lebensdauer wegen der Diffusion der Metallatome. - Mit den erfindungsgemäßen Materialien können stabile Zwischenschichten bzw. dotierte Zwischenschichten zwischen den pn-Übergängen bereitgestellt werden, um stabile organische Halbleiterbauelemente herzustellen.
- Es ist bekannt dass ein solcher pn-Übergang sehr effizient funktioniert, wenn beide Materialien vom p- und n-Typ dotiert sind (
EP 1 804 308 A1 ,EP 1 804 309 A1 ). - Ebenfalls ist es möglich, ein Material und eine Materialkombination herzustellen, um einen effizienten und stabilen, hauptsächlich thermisch stabilen pn-Übergang bereitzustellen.
- pn Übergänge werden in OLEDs auch charge generation layer oder auch connection unit genannt. pn Übergänge werden in organischen Solarzellen auch als recombination layer bezeichnet.
- Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die jedoch nicht beabsichtigt sind, um den Umfang der Erfindung in irgendeiner Weise zu begrenzen.
- Beispiele
- Synthesebeispiel 1:
- 5,12-Dioxa-7,14-dithia-pentacen
- Kalium-t-butanolat (2,78 g; 24,8 mmol) wurden unter Schutzgasatmosphäre in 30 ml wasserfreiem Dimethylformamid suspendiert. Die Suspension wurde auf 0°C gekühlt und 2-Mercaptophenol (1,96 g; 15,5 mmol) wurde in 30 ml wasserfreiem Dimethylformamid langsam zugetropft. Nach Entfernen des Eisbades wurde die Reaktion weitere 30 min gerührt, bis sich eine viskose hellgelbe Lösung bildete. 1,2,4,5-Tetrafluorbenzen (0,93 g; 6,20 mmol) wurde zugegeben und die Mischung zwei Tage am Rückfluss erhitzt. Danach wurde das Dimethylformamid im Vakuum entfernt und der Rückstand in 30 ml Chloroform gelöst. Die organische Phase wurde dreimal mit 15 ml Wasser gewaschen und anschließend mit Natriumsulfat getrocknet. Das Lösungsmittel wurde im Vakuum entfernt und der Rückstand aus Chloroform/Methanol umkristallisiert. Es wurden 1,10 g (50%; 3,4 mmol)) als weißer Feststoff isoliert. Schmelzpunkt: 223°C
- Synthesebeispiel 2:
- 5,9,16-trioxa-7,14,18-trithiaheptacen
- 1. Stufe: Darstellung von Tetrabromphenoxathiin
- 10 g Phenoxathiin (49,9 mmol) werden in 250 ml Trifluoressigsäure suspendiert und vorsichtig mit 23,0 ml Brom (71,7 g, 449 mmol, 9 eq) versetzt. Die Mischung wird für 3 Tage bei Raumtemperatur gerührt und über das GCMS kontrolliert (THF als Laufmittel). Nach Beendigung der Reaktion wird die rötlich-braune Reaktionsmischung solange mit gesättigter Na2SO3-Lösung versetzt, bis sie sich vollständig entfärbt hat. Der ausgefallene Feststoff wird abgesaugt und mit Na2SO3-Lösung, Wasser und zuletzt Methanol gewaschen und getrocknet. Der leicht bräunliche Feststoff wird aus Toluol umkristallisiert und man erhält 18,0 g Produkt in Form eines rein-weißen Feststoff (GCMS 98% rein).
- 2. Stufe: Umsetzung von Tetrabromphenoxathiin
- 0,61 g 2-Mercaptophenol (4,8 mmol, 2,5 eq) werden unter Argon in 12 ml DMF gelöst und zu einer Suspension von 1,34 g Kaliumcarbonat (9,7 mmol, 10 eq) in 12 ml DMF zugetropft. Die Mischung wird für 30 min gerührt und anschließend werden 1,00 g Tetrabromphenoxathiin (1,9 mmol) zugeben. Die Mischung wird anschließend für mindestens 4 Tage unter Rückfluss erhitzt (Reaktionskontrolle über HPLC-MS C18). Nach Beendigung der Reaktion wird das DMF unter reduziertem Druck entfernt und der Rückstand in 100 ml Chloroform aufgenommen und mit Wasser, 1 N Natriumhydrogencarbonat-Lösung und noch einmal mit Wasser ausgerührt (je 50 ml). Der zurückbleibende, ungelöste Feststoff wird abfiltriert und die organische Phase getrocknet und eingeengt. Der ungelöste Feststoff (4,2 g) wird in 2 L Toluol unter Rückfluß gelöst, filtriert und auf ca. 250 ml eingeengt. Aus der Mutterlauge fallen 3,0 g Produkt in Form rein-weißer Kristalle (95% laut HPLC) aus. Aus der organischen Phase erhält man durch zweifache Kristallisation aus Toluol zusätzlich 1,0 g Produkt als gelblichen Feststoff (ca. 95% laut HPLC). Schmelzpunkt: 268°C
- Synthesebeispiel 3:
- 3,10-Dimethoxy-5,12-dioxa-7,14-dithiapentacene
- 1. Stufe: Methylierung von 6-Hydroxy-1,3-benzoxanthiol-2-on (Thioxolon)
- 6,50 g (38,7 mmol) 6-Hydroxy-1,3-benzoxanthiol-2-on werden in 130 mL DMF gelöst und mit 4,27 g (30,9 mmol, 0,8 eq.) Kaliumcarbonat versetzt. Zu der Reaktionsmischung werden 3,10 ml (7,09 g, 50,3 mmol, 1,3 eq.) Methyliodid vorsichtig zugetropft. Die Reaktion wird über Nacht gerührt, auf Eiswasser gegeben und anschließend mit Chloroform ausgeschüttelt. Die organische Phase wird über Natriumsulfat getrocknet und eingeengt. Der feste Rückstand wird in Methanol aufgenommen, gerührt und filtriert. Der trockene, reinweiße Feststoff (GCMS-Reinheit 100%, M = 182) fällt in einer Ausbeute von 4,60 g (65% d. Th.) an.
- 2. Stufe: Spaltung des Heterozyklus
- 4,50 g (24,8 mmol) 6-Methoxy-1,3-benzoxathiol-2-on werden in 56 ml Methanol suspendiert und mit 4,40 g (66,4 mmol) 85%igem Kaliumhydroxid versetzt, die zuvor in 11 mL Methanol und 17 mL Wasser gelöst worden sind. Die Suspension löst sich unter Gelbfärbung auf und wird für ca. 10 min gerührt (DC-Kontrolle). Nach Beendigung der Reaktion wird die Reaktionsmischung vorsichtig mit 1 N wässriger Salzsäure auf pH 1 angesäuert, das Methanol unter reduziertem Druck entfernt und der Rückstand zweimal mit Ethylacetat ausgeschüttelt. Die organischen Phasen werden vereinigt und je zweimal mit Wasser, gesättigter Natriumchloridlösung und noch einmal mit Wasser gewaschen. Nach Trocknen mit Natriumsulfat und Entfernen des Lösungsmittels unter reduziertem Druck, fallen 3,55 g (92%) 5-Methoxy-2-mercaptophenol als leicht gelbliche Flüssigkeit an. Das Rohprodukt (GCMS 100%, M = 156) wird ohne weitere Aufreinigung weiter eingesetzt.
- 3. Stufe: Umsetzung mit 1,2,4,5-Tetrafluorbenzol
- 0,72 g (6,40 mmol) trockenes Kalium-tert-butylat werden in 10 mL trockenem DMF suspendiert. Zu der Suspension werden vorsichtig unter Eiskühlung 0,50 g (3,2 mmol) 5-Methoxy-2-mercaptophenol in 10 ml trockenem DMF zugegeben. Die Mischung wird für 30 min bei RT gerührt und anschließend mit 0,14 mL (0,19 g, 1,3 mmol) Tetrafluorbenzol versetzt. Die Reaktionsmischung wird für 3 Tage bei 100°C gerührt. Anschließend wird sie mit Chloroform und Wasser ausgeschüttelt. Die organische Phase wird mit Natriumsulfat getrocknet und eingeengt. 1,66 g Rohprodukt fällt als leicht gelblicher Feststoff an (GCMS: 79%, M = 382). Das Produkt wird aus Chloroform auskristallisiert und anschließend die Mutterlauge mit Methanol nachgefällt. Man erhält 620 mg reinweißes Produkt (GCMS: 100%). Aus 500 mg sublimieren 230 mg (entspricht 57% d. Theorie). Schmelzpunkt: 230°C
- Leitfähigkeitsmessungen:
- Alle verwendeten Materialien wurden zusätzlich durch Gradientensublimation gereinigt.
- 5,12-Dioxa-7,14-dithia-pentacen wurde zusammen mit 10 Mol% 2-(6-Dicyanomethylen-1,3,4,5,7,8-hexafluor-6H-naphthalen-2-yliden)-malononitril coverdampft. Als Leitfähigkeit einer dotierten 50 nm Schicht wurden 1,9·10–5 S/cm gemessen. 5,12-Dioxa-7,14-dithiapentacen wurde auch als Mischschicht zusammen mit 10 Mol% 2,2',2''-(Cyclopropan-1,2,3-triyliden)tris(2-(2,3,5,6-tetrafluor-4-(trifluormethyl)phenyl)-acetonitril) verdampft, so dass die Endschicht 50 nm dick war. Als Leitfähigkeit wurden 3·10–7 S/cm gemessen. Eine dotierte, 50 nm dicke Schicht 5,9,16-Trioxa-7,14,18-trithiaheptacen wurde mit 10 Mol% 2-(6-Dicyanomethylen-1,3,4,5,7,8-hexafluor-6H-naphthalen-2-yliden)-malononitril coverdampft. Als Leitfähigkeit wurden 1,1·10–3 S/cm gemessen. 3,10-Dimethoxy-5,12-dioxa-7,14-dithiapentacen wurde zusammen mit 10 Mol% mit demselben Dotanden, wie im vorigen Beispiel coverdampft (Dicke 50 nm). Als Leitfähigkeit wurden 1,2·10–5 S/cm gemessen. Besonders gute Eigenschaften, die nicht auf die Beispiele begrenzt sind, wie Leistungseffizienz und thermische Stabilität, wurden mit p-Dotierung mit den folgenden p-Dotanden erreicht: 2,2'-(Perfluornaphthalen-2,6-diyliden)dimalononitril; 2,2'-(2,5-Dibrom-3,6-difluorcyclohexa-2,5-dien-1,4-diyliden)dimalononitril; (2E,2'E,2''E)-2,2',2''-(Cyclopropan-1,2,3-triyliden)tris(2-(2,6-dichlor-3,5-difluor-4-(trifluormethyl)phenyl)acetonitril); (2E,2'E,2''E)-2,2',2''-(cyclopropane-1,2,3-triylidene)tris(2-(4-cyanoperfluorophenyl)-acetonitril). Alle Messungen wurden bei Raumtemperatur durchgeführt. Die Leitfähigkeitmessungen können in Vakuum, in einer Schutzgasatmosphäre oder in versiegelten Proben durchgeführt werden, mit keinen oder nur sehr geringen Abweichungen der Messwerte.
- Synthesebeispiel 4
- 6,6'-Bis(5,12-Dioxa-7,14-dithia-pentacen)
- 5,30 g 2-Mercaptophenol (42,0 mmol, 5 eq) werden unter Argon in 100 ml DMF gelöst und zu einer Suspension von 11,6 g Kaliumcarbonat (84,0 mmol, 10 eq) in 100 ml DMF zugetropft. Die Mischung wird für 30 min gerührt und anschließend werden 2,50 g 4,4'H-Octafluorbiphenyl (8,5 mmol) zugeben. Die Mischung wird anschließend für 6 Tage unter Rückfluss erhitzt (Reaktionskontrolle über HPLC-MS C18). Am 4. Tag wird ein weiteres Äquivalent Mercaptophenol zugegeben. Nach Beendigung der Reaktion wird das DMF unter reduziertem Druck entfernt und der Rückstand in 100 ml Chloroform aufgenommen und mit Wasser, 1 N Natriumhydrogencarbonat-Lösung und noch einmal mit Wasser ausgerührt (je 50 ml). Die organische Phase wird getrocknet und eingeengt. Der feste Rückstand wird aus Chloroform und Methanol ausgefällt und aus Isopropanol umkristallisiert.
- Synthesebeispiel 5
- N,N,N',N'-Tetraphenyl-5,12-dioxa-7,14-dithiapentacen-6,13-diamin
- Stufe 1: Bisaminierung von Hexafluorbenzol
- Mit Hexan gewaschenes Natriumhydrid (2,80 g, 118 mmol) wird unter Argon-Atmosphäre in trockenem Dimethylformamid (200 mL) suspendiert. Zur Suspension wird eine Lösung von Diphenylamin (20,0 g, 118 mmol) in Dimethylformamid (200 mL) zugetropft, wobei Wasserstoff entsteht (!). Die Suspension wird für 30 min gerührt und anschließend Hexafluorbenzol (10,0 g, 54,0 mmol, 6,2 mL) über eine Spritze zugegeben. Die Reaktionsmischung wird über Nacht bei 100°C gerührt. Anschließend wird das Lösungsmittel am Rotationsverdampfer entfernt. Der Rückstand wird in Chloroform aufgenommen und mehrfach mit Wasser gewaschen. Die organische Phase wird über MgSO4 getrocknet, filtriert und eingeengt. Der feste Rückstand wird in Methanol (2 × 25 ml) ausgerührt und das Produkt als rein weißer Feststoff abgesaugt (GC-MS 100%). Ausbeute: 20,9 g.
- Stufe 2: Aromatische Substitution mit 2-Mercaptophenol
- Kalium-t-butylat (1,62 g, 14,5 mmol) wird in trockenem Dimethylformamid (30 ml) unter Argon-Atmosphäre suspendiert. Unter Eiskühlung wird eine Lösung von 2-Mercaptophenol (0,91 g, 7,20 mmol) in trockenem Dimethylformamid (30 ml) langsam hinzugetropft. Das Eisbad wird entfernt und die Reaktionsmischung solange gerührt, bis sich eine leicht gelbliche Suspension gebildet hat (ca. 30 min). Das 1,4-Bis(diphenylamin)tetrafluorbenzol wird in Substanz hinzugeben und die Reaktion für 3 Tage unter Rückfluß erhitzt (DC-Kontrolle). Das Lösungsmittel wird am Rotationsverdampfer entfernt und der Rückstand in Chloroform aufgenommen und mit Wasser mehrfach ausgeschüttelt. Die organische Phase wird über MgSO4 getrocknet, filtriert und eingeengt. Die wässrige Phase wird mit Calciumchlorid versetzt. Das Rohprodukt wird aus Chloroform/Methanol ausgefällt und man erhält 1,28 g (67% d. Theorie) in Form eines leicht gelblichen Feststoffs vor. HPLC-MS (gemessen in Pyridin) zeigt eine Reinheit von 95%. Smp. 314°C.
- Synthesewege für weitere Verbindungen:
- Triangulare Derivate: 5,11,17-Trioxa-6,12,18-trithia-trinaphthylen Diese chemische Verbindung läßt sich in zwei Stufen synthetisieren. Als Ausgangsverbindung kann hier das kommerziell verfügbare 1,3,5-Tribrombenzol dienen, welches sich in einer Cu-(I)-vermittelten Reaktion mit Phenol zum Tr-ether umsetzen lässt. Dieselbe Reaktion wurde von v. Koten beschrieben (G. van Koten et al., Tetrahedron Letters, 48 (2007), 7366–7370.)
- In Anlehnung an die Synthese einfacher Phenoxathiine (Eric E. Boros et al., J. Heterocyclic Chem., 35, 699–706, 1998.), läßt sich in einer analogen Aluminiumtrichlorid-vermittelten Reaktion der Schwefel einführen.
- Durch die Verwendung funktionalisierter Phenole im ersten Schritt läßt sich die Peripherie der Zielverbindungen entsprechend modifizieren.
- Lineare Derivate: Modifikation der Positionen 6 und 13 im Grundkörper von 5,12-Dioxa-7,14-dithia-pentacen
- Aufgrund der Donoreigenschaften der Heteroatome lassen sich die Positionen 6 und 13 im Sinne einer ortho-Lithiierung in vielfältiger Weise modifizieren. Eine andere Art der Modifizierung wurde bereits am Synthesebeispiel von N,N,N',N'-Tetraphenyl-5,12-dioxa-7,14-dithiapentacene-6,13-diamine gezeigt.
- Lineare Derivate: Modifikation der peripheren Positionen 1, 2, 3 oder 4 bzw. 8, 9, 10 oder 11 im Grundkörper von 5,12-Dioxa-7,14-dithia-pentacen
- Hier bieten sich ein- oder mehrfach halogen-substituierte Phenole (kommerziell erhältlich) an, die sich in einem ersten Schritt mittels gängiger ÜM-vermittelter Kupplungsmethoden in Aryl- oder Heteroarylderivate überführen lassen. In einem weiteren Schritt kann dann ebenfalls durch ortho-Metallierung zur Phenolfunktion unter Verwendung von elementarem Schwefel eine Mercapto-Gruppe eingeführt werden. Hier ist evtl. eine Trennung von Regioisomeren vorzunehmen.
- Diese funktionalisierten Mercaptophenole lassen sich in analogen Reaktionen zu dem oben beschriebenen Grundkörper umsetzen.
- Die in der Beschreibung und in den Ansprüchen offenbarten Merkmale können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination zur Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen wesentlich sein.
Claims (9)
- Verwendung von heterocyclischen Verbindungen als Ladungstransportmaterial oder Blockermaterial in elektronischen, optoelektronischen oder elektrolumineszenten Bauelementen, wobei die heterocyclischen Verbindungen die folgenden Formeln A–E aufweisen: Formel A Formel B Formel C Formel D Formel E wobei: X und Y voneinander verschieden sind, ansonsten jedoch unabhängig ausgewählt werden aus Sauerstoff, Schwefel, Selen und Tellur; n 1, 2, 3, 4, 5 oder 6 ist; und R1-9 unabhängig ausgewählt werden aus Wasserstoff, Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus, anneliertem Heterozyklus, OR', SR' und NR2', wobei R' unabhängig ausgewählt wird aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus und anneliertem Heterozyklus.
- Verwendung nach Anspruch 1 als dotierter oder undotierter Lochleiter, undotierter Excitonenblocker, oder undotierter Elektronenblocker.
- Verwendung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die heterocyclischen Verbindungen ausgewählt sind aus 5,12-Dioxa-7,14-dithia-pentacen, N,N,N',N'-Tetraphenyl-5,12-dioxa-7,14-dithia-pentacen-6,13-diamin, 3,10-Dimethoxy-5,12-dioxa-7,14-dithiapentacen, 5,9,16-trioxa-7,14,18-trithiaheptacen, 6,6'-Bis(5,12-dioxa-7,14-dithia-pentacen) und 5,11,17-Trioxa-6,12,18-trithia-trinaphthylene.
- Heterocyclische Verbindungen gemäß den Formeln A–E Formel A Formel B Formel C Formel D Formel E wobei X und Y voneinander verschieden sind, ansonsten jedoch unabhängig ausgewählt sind aus Sauerstoff, Schwefel, Selen und Tellur; n 1, 2, 3, 4, 5 oder 6 ist; in Formel A R1-R6 unabhängig ausgewählt sind aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus, anneliertem Heterozyklus, OR', wobei R' unabhängig ausgewählt ist aus Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus und anneliertem Heterozyklus, und NR2'' und SR'', wobei R'' unabhängig ausgewählt ist aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus und anneliertem Heterozyklus; wobei für Formel B R1-R6 unabhängig ausgewählt sind aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus, anneliertem Heterozyklus, OR', SR' und NR2', wobei R' unabhängig ausgewählt ist aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus und anneliertem Heterozyklus; wobei für Formeln C–E R1-9 unabhängig ausgewählt sind aus Wasserstoff, Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus, anneliertem Heterozyklus, OR', SR' und NR2', wobei R' unabhängig ausgewählt ist aus Alkyl, Aryl, Heteroaryl, anneliertem Carbozyklus und anneliertem Heterozyklus.
- Heterocyclische Verbindungen nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass n = 1 ist.
- Heterocyclische Verbindungen nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass X und Y ausgewählt sind aus Sauerstoff und Schwefel.
- Organisches Halbleitermaterial umfassend eine Ladungstransportschicht oder Blockerschicht, die vorzugsweise mit mindestens einem Dotanden dotiert ist bzw. sind, wobei die Ladungstransportschicht oder Blockerschicht eine heterocyclische Verbindung nach einem der Ansprüche 4 bis 6 umfasst.
- Elektronisches, opto-elektronisches oder elektrolumineszentes Bauelement mit einem elektronisch funktionell wirksamen Bereicht, dadurch gekennzeichnet, dass der elektronisch wirksame Bereich zumindest eine heterocyclische Verbindung der Ansprüche 3 bis 6 umfasst.
- Elektronisches, optoelektronisches oder elektrolumineszentes Bauelement nach Anspruch 8 in der Form einer organischen lichtemittierenden Diode, eines Feldeffekttransistors, eines Fotodetektors oder einer organischen Solarzelle.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008061843.8A DE102008061843B4 (de) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
JP2011539896A JP5706829B2 (ja) | 2008-12-15 | 2009-12-14 | 複素環式化合物、ならびに電子素子および光電子素子におけるそれらの使用 |
US13/139,658 US9062064B2 (en) | 2008-12-15 | 2009-12-14 | Heterocyclic compounds and the use thereof in electronic and optoelectronic components |
CN200980156831.5A CN102317406B (zh) | 2008-12-15 | 2009-12-14 | 杂环化合物及其在电子和光电子结构元件中的应用 |
PCT/DE2009/001744 WO2010075836A2 (de) | 2008-12-15 | 2009-12-14 | Heterocyclische verbindungen und deren verwendung in elektronischen und optoelektronischen bauelementen |
KR1020117016623A KR101730934B1 (ko) | 2008-12-15 | 2009-12-14 | 헤테로사이클릭 화합물 및 전자 부품 및 광전자 부품에서의 이들의 용도 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008061843.8A DE102008061843B4 (de) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008061843A1 DE102008061843A1 (de) | 2010-06-17 |
DE102008061843B4 true DE102008061843B4 (de) | 2018-01-18 |
Family
ID=42100908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008061843.8A Active DE102008061843B4 (de) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9062064B2 (de) |
JP (1) | JP5706829B2 (de) |
KR (1) | KR101730934B1 (de) |
CN (1) | CN102317406B (de) |
DE (1) | DE102008061843B4 (de) |
WO (1) | WO2010075836A2 (de) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101147428B1 (ko) * | 2009-02-09 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
WO2011157385A2 (en) | 2010-06-14 | 2011-12-22 | Novaled Ag | Organic light emitting device |
DE102010023620B4 (de) * | 2010-06-14 | 2016-09-15 | Novaled Ag | Organisches, bottom-emittierendes Bauelement |
EP2715825B1 (de) * | 2011-05-27 | 2017-10-25 | Universal Display Corporation | Oled mit mehrkomponentiger emissiver schicht |
WO2012177673A2 (en) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | Kateeva, Inc. | Materials and methods for oled microcavities and buffer layers |
WO2013083712A1 (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-13 | Novaled Ag | Organic light emitting device and method of producing |
DE102012207151A1 (de) | 2012-04-30 | 2013-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen lichtemittierenden bauelements |
JP6134786B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2017-05-24 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機電界発光素子 |
WO2014189072A1 (ja) * | 2013-05-22 | 2014-11-27 | コニカミノルタ株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機薄膜太陽電池及び色素増感型太陽電池 |
JP5403179B1 (ja) * | 2013-05-22 | 2014-01-29 | コニカミノルタ株式会社 | 電荷移動性薄膜 |
CN104183736A (zh) * | 2013-05-23 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
GB201310854D0 (en) * | 2013-06-18 | 2013-07-31 | Isis Innovation | Photoactive layer production process |
JP2015155381A (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 |
US9331299B2 (en) * | 2014-04-11 | 2016-05-03 | Universal Display Corporation | Efficient white organic light emitting diodes with high color quality |
KR102294413B1 (ko) | 2014-11-18 | 2021-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
EP3034489A1 (de) | 2014-12-16 | 2016-06-22 | Novaled GmbH | Substituierte 1,2,3-triylidenetris(cyanomethanylyliden)-Cyclopropane für VTE, elektronische Vorrichtungen und halbleitende Materialien damit |
TWI599556B (zh) * | 2015-07-03 | 2017-09-21 | 友達光電股份有限公司 | 有機發光元件 |
CN108496260B (zh) | 2015-10-26 | 2020-05-19 | Oti照明公司 | 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置 |
US11581487B2 (en) | 2017-04-26 | 2023-02-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device |
KR20200006569A (ko) | 2017-05-17 | 2020-01-20 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 패턴화 코팅 위에 전도성 코팅을 선택적으로 증착시키는 방법 및 전도성 코팅을 포함하는 디바이스 |
US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
CN113785411B (zh) | 2019-03-07 | 2023-04-11 | Oti照明公司 | 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置 |
CN110098345B (zh) * | 2019-04-17 | 2020-11-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
KR20220046551A (ko) | 2019-06-26 | 2022-04-14 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 광 회절 특성을 갖는 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스 |
US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
CN110437252B (zh) | 2019-07-30 | 2021-01-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种基于并二硫嗪的空穴传输材料及其制备方法及有机电致发光器件 |
CN114342068A (zh) | 2019-08-09 | 2022-04-12 | Oti照明公司 | 包含辅助电极和分区的光电子装置 |
CN111018874B (zh) * | 2019-11-25 | 2021-06-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 空穴传输材料、其制备方法及有机发光二极管器件 |
KR102615761B1 (ko) * | 2021-11-15 | 2023-12-20 | 한국에너지기술연구원 | 금속-유기 골격체 및 이를 포함하는 에너지 저장 장치 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6219865A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JPH0346802Y2 (de) | 1986-04-03 | 1991-10-03 | ||
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
JP2518278B2 (ja) * | 1987-05-28 | 1996-07-24 | 清一 平川 | 赤外線吸収フィルタ− |
JP3245694B2 (ja) | 1993-07-19 | 2002-01-15 | 株式会社リコー | 電子写真用感光体 |
JP3267061B2 (ja) | 1994-08-29 | 2002-03-18 | 松下電器産業株式会社 | Abl回路とacl回路と輝度・色差信号処理回路とテレビジョン受像機 |
JP3738870B2 (ja) * | 1997-08-07 | 2006-01-25 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6242115B1 (en) | 1997-09-08 | 2001-06-05 | The University Of Southern California | OLEDs containing thermally stable asymmetric charge carrier materials |
KR20030012933A (ko) | 2000-07-07 | 2003-02-12 | 칫소가부시키가이샤 | 디아자펜타센 유도체를 함유하는 전하 수송 재료, 발광재료 및 이들을 사용하는 유기 전계 발광 소자 |
JP4171170B2 (ja) | 2000-10-17 | 2008-10-22 | 富士フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを使用した表示装置 |
DE10058578C2 (de) | 2000-11-20 | 2002-11-28 | Univ Dresden Tech | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
DE10135513B4 (de) | 2001-07-20 | 2005-02-24 | Novaled Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
DE10215210B4 (de) | 2002-03-28 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
JP4153269B2 (ja) * | 2002-09-04 | 2008-09-24 | コダックグラフィックコミュニケーションズ株式会社 | ポジ型感光性組成物及びポジ型感光性平版印刷版 |
US6936961B2 (en) | 2003-05-13 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers |
DE10339772B4 (de) | 2003-08-27 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10357044A1 (de) | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Novaled Gmbh | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
DE102004010954A1 (de) | 2004-03-03 | 2005-10-06 | Novaled Gmbh | Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil |
JP4384536B2 (ja) | 2004-04-27 | 2009-12-16 | 三井化学株式会社 | アントラセン化合物、および該アントラセン化合物を含有する有機電界発光素子 |
JP5064034B2 (ja) | 2004-05-11 | 2012-10-31 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機電気素子 |
JP4461367B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 表示素子 |
US20070237982A1 (en) | 2004-06-28 | 2007-10-11 | Tetsuya Inoue | Polycyclic Aromatic Compound, Material for Forming Luminescent Coating Film and Organic Electroluminescent Device Using Same |
US7196366B2 (en) | 2004-08-05 | 2007-03-27 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic photosensitive devices |
US7273663B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-09-25 | Eastman Kodak Company | White OLED having multiple white electroluminescence units |
JP2006135145A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Sony Corp | 表示素子用有機材料および表示素子 |
DE102004063724A1 (de) * | 2004-12-31 | 2006-07-13 | Dystar Textilfarben Gmbh & Co. Deutschland Kg | Reaktive Triphendioxazin-Farbstoffe,Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
EP1684365A3 (de) | 2005-01-20 | 2008-08-13 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Transistor |
DE102005010979A1 (de) | 2005-03-04 | 2006-09-21 | Technische Universität Dresden | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
DE102005010978A1 (de) | 2005-03-04 | 2006-09-07 | Technische Universität Dresden | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
DE502005002342D1 (de) | 2005-03-15 | 2008-02-07 | Novaled Ag | Lichtemittierendes Bauelement |
EP1818996A1 (de) | 2005-04-13 | 2007-08-15 | Novaled AG | Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen |
WO2006114966A1 (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
EP1727221B1 (de) | 2005-05-27 | 2010-04-14 | Novaled AG | Transparente organische Leuchtdiode |
EP2045843B1 (de) | 2005-06-01 | 2012-08-01 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung |
EP1804308B1 (de) | 2005-12-23 | 2012-04-04 | Novaled AG | Organische lichtemittierende Vorrichtung mit mehreren aufeinander gestapelten organischen elektrolumineszenten Einheiten |
DE602006001930D1 (de) | 2005-12-23 | 2008-09-04 | Novaled Ag | tur von organischen Schichten |
EP1808909A1 (de) | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
US20070209505A1 (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-13 | Chunqing Liu | High Flux Mixed Matrix Membranes for Separations |
EP1837927A1 (de) | 2006-03-22 | 2007-09-26 | Novaled AG | Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern |
WO2007118799A1 (en) | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Ciba Holding Inc. | Quinoid systems as organic semiconductors |
EP3457451B1 (de) | 2007-04-30 | 2019-07-17 | Novaled GmbH | Die verwendung von oxokohlenstoff-, pseudooxokohlenstoff- und radialenverbindungen |
US8044390B2 (en) * | 2007-05-25 | 2011-10-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and organic electroluminescent display |
US8057712B2 (en) | 2008-04-29 | 2011-11-15 | Novaled Ag | Radialene compounds and their use |
JP7027895B2 (ja) | 2017-02-09 | 2022-03-02 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法、及びフォトマスクの製造方法 |
-
2008
- 2008-12-15 DE DE102008061843.8A patent/DE102008061843B4/de active Active
-
2009
- 2009-12-14 KR KR1020117016623A patent/KR101730934B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-14 US US13/139,658 patent/US9062064B2/en active Active
- 2009-12-14 CN CN200980156831.5A patent/CN102317406B/zh active Active
- 2009-12-14 JP JP2011539896A patent/JP5706829B2/ja active Active
- 2009-12-14 WO PCT/DE2009/001744 patent/WO2010075836A2/de active Application Filing
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Berges, Peer, Mansel, Volker, Klar, Guenter: "Elementorganische Verbindungen mit o-Phenylenresten, XV, Hexamethoxy- tetrachalkogena-tetrahydropentacene" in Zeitschrift für Naturforschung, B: Chemical Sciences (1992), 47(2), 211-16, ISSN 0932-0776 |
Boros, Eric E.: Harfenist, Morton: "Regiocontrolled Formation of a Novel Dioxadithiapentacene" in J. Org. Chem. 1998, 63, 10045- 10047, ISSN 0022-3263 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9062064B2 (en) | 2015-06-23 |
JP2012512140A (ja) | 2012-05-31 |
US20110309307A1 (en) | 2011-12-22 |
KR20110105818A (ko) | 2011-09-27 |
KR101730934B1 (ko) | 2017-04-27 |
WO2010075836A2 (de) | 2010-07-08 |
CN102317406B (zh) | 2016-07-06 |
DE102008061843A1 (de) | 2010-06-17 |
CN102317406A (zh) | 2012-01-11 |
JP5706829B2 (ja) | 2015-04-22 |
WO2010075836A3 (de) | 2010-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102008061843B4 (de) | Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen | |
EP1624500B1 (de) | Spiro-Bifluoren Verbindungen als organisches Halbleiter-Matrixmaterial | |
DE102012101652B4 (de) | Organisches halbleitendes Material und elektronisches Bauelement | |
KR101995047B1 (ko) | 유기 전자 디바이스 | |
KR101891224B1 (ko) | 유기 전자 장치를 위한 화합물 및 유기 전자 장치 | |
EP2463927B1 (de) | Material für eine organische elektronische Vorrichtung und organische elektronische Vorrichtung | |
KR102051360B1 (ko) | 유기 전자 소자 | |
DE102008051737B4 (de) | Quadratisch planare Übergangsmetallkomplexe, organische halbleitende Materialien sowie elektronische oder optoelektronische Bauelemente, die diese umfassen und Verwendung derselben | |
EP2811000B1 (de) | Organische elektronische Vorrichtung | |
WO2011134458A1 (de) | Organisches halbleitendes material und elektronisches bauelement | |
EP2229699B1 (de) | Dithiolenübergangsmetallkomplexe und elektronische oder optoelektronische bauelemente | |
EP3253848B1 (de) | Blaue fluoreszenzemitter | |
KR101094701B1 (ko) | 방향족 다환고리 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말 | |
DE102015122869A1 (de) | Neue Emittermaterialien und Matrixmaterialien für optoelektronische und elektronische Bauelemente, insbesondere organische lichtemittierende Dioden (OLEDs) | |
WO2017216299A1 (de) | Emittermoleküle auf basis dual fluoreszierender benzol-(poly)carboxylat-akzeptoren | |
DE102012007795B3 (de) | Aromatische Amin-Terphenyl-Verbindungen und Verwendung derselben in organischen halbleitenden Bauelementen | |
DE102012104118B4 (de) | Lochtransportmaterialien für optoelektronische Bauelemente | |
DE102015110091B4 (de) | Phosphepinmatrixverbindung für ein Halbleitermaterial | |
WO2010063609A2 (en) | Hole injection material | |
DE102016113784A1 (de) | Organische elektrolumineszierende Verbindung und organische photoelektrische Einrichtung daraus | |
DE102020108402B4 (de) | Organische elektronische Vorrichtung, organisches halbleitendes Material, eine Trioxatriborinanverbindung und deren Verwendung | |
DE102008058230B4 (de) | Chinoxalinverbindung, organische Leuchtdiode, organischer Dünnfilmtransistor und Solarzelle | |
DE102018118278A1 (de) | Elektronische Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, Verfahren zum Herstellen derselben und eine Verbindung | |
Kim et al. | Highly Efficient Multi-Functional Material for Organic Light-Emitting Diodes; Hole Transporting Material, Blue and White Light Emitter | |
DE102018122708A1 (de) | Organische elektronische Vorrichtung, organisches halbleitendes Material und eine Boranverbindung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: NOVALED GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: NOVALED AG, 01307 DRESDEN, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE |
|
R020 | Patent grant now final |