DE10215210A1 - Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten - Google Patents

Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten

Info

Publication number
DE10215210A1
DE10215210A1 DE10215210A DE10215210A DE10215210A1 DE 10215210 A1 DE10215210 A1 DE 10215210A1 DE 10215210 A DE10215210 A DE 10215210A DE 10215210 A DE10215210 A DE 10215210A DE 10215210 A1 DE10215210 A1 DE 10215210A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
layer
transparent
doped
transport layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10215210A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10215210B4 (de
Inventor
Jan Blochwitz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NovaLED GmbH
Original Assignee
NovaLED GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=28458612&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE10215210(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by NovaLED GmbH filed Critical NovaLED GmbH
Priority to DE10215210A priority Critical patent/DE10215210B4/de
Priority to US10/496,414 priority patent/US20060033115A1/en
Priority to AU2003229496A priority patent/AU2003229496A1/en
Priority to JP2003581272A priority patent/JP2005520307A/ja
Priority to EP03722235A priority patent/EP1488468B8/de
Priority to ES03722235T priority patent/ES2271570T3/es
Priority to AT03722235T priority patent/ATE341102T1/de
Priority to PCT/DE2003/001021 priority patent/WO2003083958A2/de
Priority to DE50305182T priority patent/DE50305182D1/de
Priority to CN038014572A priority patent/CN1602556B/zh
Priority to KR1020047007848A priority patent/KR100656035B1/ko
Publication of DE10215210A1 publication Critical patent/DE10215210A1/de
Priority to HK05105099.4A priority patent/HK1072496A1/xx
Publication of DE10215210B4 publication Critical patent/DE10215210B4/de
Application granted granted Critical
Priority to US12/533,891 priority patent/US20100026176A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Revoked legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/611—Charge transfer complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein thermisch stabiles, hocheffizientes, bei niedrigen Betriebsspannungen arbeitendes und einfach zu fertigendes transparentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten. DOLLAR A Die Aufgabe der hier vorgestellten Erfindung besteht darin, eine voll transparente (> 70% Transmission) organische Leuchtdiode anzugeben, die mit einer verringerten Betriebsspannung betrieben werden kann und eine hohe Lichtemissionseffizienz aufweist. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass die Löchertransportschicht zunächst der Anode mit einem großen und stabilen akzeptorartigen organischen Molekülmaterial p-dotiert ist, was zu einer erhöhten Löcher-Leitfähigkeit in der dotierten Schicht, verglichen mit der undotierten Schicht, führt. Analog ist die elektroneninjizierende Schicht zunächst der Kathode mit einem großen und stabilen donatorartigen Molekül n-dotiert und weißt eine drastisch erhöhte Elektronen-Leitfähigkeit auf. Beide dotierten Schichten können im Bauelement dicker ausgeführt werden als dies mit undotierten Schichten möglich wäre, ohne zu einer Erhöhung der Betriebsspannung zu führen. Damit lassen sich darunter befindliche Schichten, insbesondere die Licht emittierenden Schichten, vor Schäden während des Herstellungsprozesses (Sputtern) der transparenten Elektrode (z. B. ITO) schützen.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein transparentes und thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten, insbesondere eine transparente organische Leuchtdiode nach den Oberbegriffen der Ansprüche 1 oder 2.
  • Organische Leuchtdioden (OLED) sind seit der Demonstration niedriger Arbeitsspannungen von Tang et al. 1987 [C. W. Tang et al., Appl. Phys. Lett. 51 (12), 913 (1987)] aussichtsreiche Kandidaten für die Realisierung großflächiger Displays. Sie bestehen aus einer Folge dünner (typischerweise 1 nm bis 1 µm) Schichten aus organischen Materialien, welche bevorzugt im Vakuum aufgedampft oder aus der Lösung z. B. durch Schleudern aufgebracht werden. Diese Schichten sind deshalb typischerweise zu mehr als 80% transparent im sichtbaren Spektralbereich. Anderenfalls hätte die OLED durch Re-Absorption eine geringe externe Lichteffzienz. Die Kontaktierung der organischen Schichten mit einer Anode und einer Kathode erfolgt typischerweise mittels mindestens einer transparenten Elektrode (in den weitaus meisten Fällen mit einem transparenten Oxid, z. B. Indium-Zinn-Oxid ITO) und einem metallischen Kontakt. Typischerweise befindet sich dieser transparente Kontakt (z. B. das ITO) direkt auf dem Substrat. Im Falle wenigstens eines metallischen Kontaktes ist die OLED als Gesamtheit nicht transparent, sondern reflektiv oder streuend (durch entsprechende modifizierende Schichten, welche nicht zum eigentlichen OLED-Aufbau gehören). Im Falle des typischen Aufbaus mit der transparente Elektrode auf dem Substrat, emittiert die OLED durch das auf ihrer Unterseite befindliche Substrat.
  • Bei organischen Leuchtdioden wird durch die Injektion von Ladungsträgern (Elektronen von der einen, Löcher von der anderen Seite) aus den Kontakten in die dazwischen befindlichen organischen Schichten infolge einer äußeren angelegten Spannung, der folgenden Bildung von Exzitonen (Elektron-Loch-Paaren) in einer aktiven Zone und der strahlenden Rekombination dieser Exzitonen, Licht erzeugt und von der Leuchtdiode emittiert.
  • Der Vorteil solcher Bauelemente auf organischer Basis gegenüber den konventionellen Bauelementen auf anorganischer Basis (Halbleiter wie Silizium, Galliumarsenid) besteht darin, dass es möglich ist, sehr großflächige Anzeigeelemente (Bildschirme, Screens) herzustellen. Die organischen Ausgangsmaterialien sind gegenüber den anorganischen Materialien relativ preiswert (geringer Material- und Energieaufwand). Obendrein können diese Materialien aufgrund ihrer gegenüber anorganischen Materialien geringen Prozeßtemperatur auf flexible Substrate aufgebracht werden, was eine ganze Reihe von neuartigen Anwendungen in der Display- und Beleuchtungstechnik eröffnet.
  • Die übliche Anordnung solcher Bauelemente mit mindestens einer nicht transparenten Elektrode stellt eine Folge aus einer oder mehrerer der folgenden Schichten dar:
    • 1. Träger, Substrat,
    • 2. Basiselektrode, löcherinjizierend (Pluspol), typischerweise transparent,
    • 3. Löcher injizierende Schicht,
    • 4. Löcher transportierende Schicht (HTL),
    • 5. Licht emittierende Schicht (EL),
    • 6. Elektronen transportierende Schicht (ETL),
    • 7. Elektronen injizierende Schicht,
    • 8. Deckelektrode, meist ein Metall mit niedriger Austrittsarbeit, elektroneninjizierend (Minuspol)
    • 9. Kapselung, zum Ausschluß von Umwelteinflüssen.
  • Dies ist der allgemeinste Fall, meistens werden einige Schichten weggelassen (außer 2., 5. und 8.), oder aber eine Schicht kombiniert in sich mehrere Eigenschaften.
  • Der Lichtaustritt erfolgt bei der beschriebenen Schichtfolge durch die transparente Basiselektrode und das Substrat, während die Deckelektrode aus nicht transparenten Metallschichten besteht. Gängige Materialien für die transparente Basiselektrode sind Indium- Zinn-Oxid (ITO) und verwandte Oxidhalbleiter als Injektionskontakt für Löcher (ein transparenter entarteter Halbleiter). Für die Elektroneninjektion kommen unedle Metalle wie Aluminium (Al), Magnesium (Mg), Kalzium (Ca) oder eine Mischschicht aus Mg und Silber (Ag) oder solche Metalle in Kombination mit einer dünnen Schicht eines Salzes wie Lithiumfluorid (LiF) zum Einsatz.
  • Üblicherweise sind diese OLEDs nicht transparent. Es gibt aber auch Anwendungen, für die die Transparenz von entscheidender Bedeutung ist. So ließe sich ein Anzeigeelement herstellen, welches im ausgeschalteten Zustand transparent erscheint, die dahinter liegende Umgebung also wahrgenommen werden kann, im eingeschalteten Zustand dem Betrachter jedoch eine Information zukommen läßt. Denkbar sind hier Anwendungen für Displays in Autoscheiben oder Displays für Personen, welche durch das Display nicht in ihrer Bewegungsfreiheit eingeschränkt werden dürfen (z. B. Head-On Displays für Überwachungspersonal). Solche transparenten OLEDs, welche die Grundlage für transparente Displays darstellen, sind z. B. bekannt aus:
    • 1. 1: G. Gu, V. Bulovic, P. E. Burrows, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 68, 2606 (1996),
    • 2. 2: G. Gu, V. Khalfin, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 73, 2399 (1998),
    • 3. 3: G. Parthasarathy et al., Appl. Phys. Lett. 72, 2138 (1997),
    • 4. 4: G. Parthasarathy et al., Adv. Mater. 11, 907 (1997),
    • 5. 5: G. Gu, G. Parthasarathy, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 74, 305 (1999).
  • In (1) wird die Transparenz dadurch erreicht, dass als Grundelektrode (das heißt, direkt auf dem Substrat) die herkömmliche transparente Anode ITO verwendet wird. Hierbei ist festzustellen, daß es günstig für die Betriebsspannung der OLED ist, wenn die ITO-Anode in spezieller Art und Weise (z. B. Ozon-Sputtern, Plasma-Veraschen) vorbehandelt wird, mit dem Ziel die Austrittsarbeit der Anode zu erhöhen (z. B. C. C. Wu et al., Appl. Phys Lett. 70, 1348 (1997); G. Gu et al., Appl. Phys. Lett. 73, 2399 (1998)). Die Austrittsarbeit von ITO kann z. B. durch Ozonierung und/oder Sauerstoff-Plasma Veraschung von ca. 4.2 eV bis zu ca. 4.9 eV verändert werden. Dann können Löcher effizienter aus der ITO-Anode in die Löchertransportschicht injiziert werden. Diese Vorbehandlung der ITO-Anode ist aber nur möglich, falls sich die Anode direkt auf dem Substrat befindet. Dieser Aufbau der OLED wird als nicht-invertiert bezeichnet, der Aufbau der OLED mit der Kathode auf dem Substrat als invertierter Aufbau. Als Deckelektrode kommt in (1) eine Kombination aus einer dünnen, semitransparenten Schicht, eines unedlen Metalls (Magnesium, stabilisiert durch Beimischung von Silber) und einer leitfähigen transparenten Schicht aus dem bekannten ITO zum Einsatz. Diese Kombination ist deshalb notwendig, weil die Austrittsarbeit des ITO zu hoch ist, als dass effizient Elektronen direkt in die Elektronentransportschicht injiziert werden können, und damit OLEDs mit niedrigen Betriebsspannungen herstellbar wären. Dies wird mittels der sehr dünnen Magnesium Zwischenschicht umgangen. Das entstehende Bauelement ist wegen der dünnen metallischen Zwischenschicht semitransparent (Transparenz der Deckelektrode ca. 50-80%), während die Transparenz der als voll-transparent geltenden ITO Anode bei über 90% liegt. In (1) wird auf die metallische Zwischenschicht noch ein ITO-Kontakt durch einen Sputter-Prozess aufgebracht, um die seitliche Leitfähigkeit zu den Anschlusskontakten der OLED-Umgebung zu gewährleisten. Der ITO Sputter-Prozess hat die Folge, dass die metallische Zwischenschicht nicht dünner als 7.5 nm (1) ausgelegt werden darf, sonst sind die Sputter-Schäden an den darunterliegenden organischen Schichten zu hoch. Strukturen dieser Art sind auch in den folgenden Patenten beschrieben: US Patent Nr. 5,703,436 (S. R. Forrest et al.), eingereicht am 6.3.1996; US Patent Nr. 5,757,026 (S. R. Forrest et al.), eingereicht am 15.4.1996; US Patent Nr. 5,969,474 (M. Arai), eingereicht am 24.10.1997. Zwei OLEDs übereinander mit den in (1) beschriebenen Kathoden sind im Zitat (2) beschrieben: hier werden eine grüne und eine rote OLED übereinander hergestellt ("stacked OLED" - gestapelte OLED). Da beide OLEDs semitransparent sind kann durch entsprechende Spannungen an den dann 3 Elektroden, die Emissionsfarbe gezielt gewählt werden.
  • Eine andere bekannte Realisierung von transparenten OLEDs sieht eine organische Zwischenschicht zur Verbesserung der Elektronen-Injektion vor (Zitate 3-5). Dabei befindet sich zwischen der licht emittierenden Schicht (z. B. Aluminim-tris-quinolate, Alq3) und der als Kathode benutzten transparenten Elektrode (z. B. ITO) eine organische Zwischenschicht. In den meisten Fällen handelt es sich dabei um Kupfer-Phthalocyanin (CuPc). Diese Material ist eigentlich ein Löchertransportmaterial (höhere Löcher- als Elektronenbeweglichkeit). Es hat allerdings den Vorzug einer hohe thermischen Stabilität. Die aufgesputterte Deckelektrode kann also nicht so viel Schaden an den darunterliegenden organischen schichten anrichten. Ein Vorteil und gleichzeitig ein Nachteil dieser CuPc Zwischenschicht ist die geringe Bandlücke (Abstand HOMO - höchstes besetztes Molekülorbital - zum LUMO - niedrigsten unbesetztes Molekülorbital). Der Vorteil besteht darin, dass wegen der niedrigen LUMO Position relativ leicht Elektronen aus ITO injiziert werden können, aber die Absorption wegen der geringen Bandlücke im sichtbaren Bereich hoch ist. Die Schichtdicke von CuPc muss deshalb auf unter 10 nm beschränkt werden. Desweiteren ist die Injektion von Elektronen aus CuPc in Alq3 oder einem anderen Emissionsmaterial schwierig, da deren LUMO's generell höher liegen. Eine weitere Realisierung der transparenten Kathode oben auf der OLED wurde von Pioneer vorgeschlagen (US Patent Nr. 5,457,565 (T. Namiki), eingereicht am 18.11.1993). Dabei wird anstelle der CuPc Schicht eine dünne Schicht aus einem alkalischen Erd-Metall-Oxid (z. B. LiO2) verwendet. Dieses verbessert die ansonsten schlechte Elektroneninjektion aus der transparenten Kathode in die lichtemittierende Schicht.
  • Eine weitere Realisierung der transparenten OLED (G. Parthasarathy et al., Appl. Phys. Lett., 76, 2128 (2000), WO Patent 01/67825 A1 (G. Parthasarathy), eingereicht am 7.3.2001, Prioritätsdatum 9.3.2000) sieht eine zusätzliche Elektronentransportschicht (z. B. BCP - Bathocuproine mit hoher Elektronenbeweglichkeit) in Kontakt mit der transparenten Kathode (z. B. ITO) vor. Entweder zwischen der lichtemittierenden Schicht und der (dünnen < 10 nm) Elektronentransportschicht oder zwischen der Elektronentransportschicht und der ITO Kathode befindet sich eine ca. 1 nm dicke reine Schicht aus dem alkalischen Metall Lithium (Li). Diese Li Zwischenschicht erhöht die Elektroneninjektion aus der transparenten Elektrode drastisch. Die Erklärung dieses Effektes ist eine Diffusion der Li-Atome in die organische Schicht und anschliessende "Dotierung" mit Bildung einer hochleitfähigen Zwischenschicht (entarteter Halbleiter). Auf diese wird dann eine transparente Kontaktschicht (meistens ITO) aufgebracht.
  • Aus den obigen Arbeiten werden folgende Punkte klar:
    • 1. Die Auswahl an transparenten Elektroden ist beschränkt (im Wesentlichen ITO oder ähnliche entartete anorganische Halbleiter).
    • 2. Die Austrittsarbeiten der transparenten Elektroden favorisieren prinzipiell Löcherinjektion, aber auch dafür ist eine spezielle Behandlung der Anode notwendig, um ihre Austrittsarbeit weiter abzusenken.
    • 3. Alle bisherigen Entwicklungen laufen daraus hinauf eine passende Zwischenschicht zu finden, welche die Injektion von Elektronen in die organischen Schichten verbessert.
  • Für Leuchtdioden aus anorganischen Halbleitern ist bekannt, dass durch hochdotierte Randschichten dünne Raumladungszonen erreicht werden können, die auch bei vorhandenen energetischen Barrieren durch Tunneln zu effizienter Injektion von Ladungsträgern führen. Unter Dotierung ist hierbei (wie für anorganische Halbleiter üblich) die gezielte Beeinflussung der Leitfähigkeit der Halbleiterschicht durch die Beimischung von Fremdatomen/Molekülen zu verstehen. Für organische Halbleiter wird als Dotierung oft die Beimischung von speziellen Emittermolekülen zur organischen Schicht gemeint; davon ist zu unterscheiden. Die Dotierung organischer Materialien wurde im US Patent Nr. 5,093,698, eingereicht am 12.2.1991, beschrieben. Dies führt aber bei praktischen Anwendungen zu Problemen mit der Energieangleichung der verschiedenen Schichten und Verminderung der Effizienz der LEDs mit dotierten Schichten.
  • Die Aufgabe der hier vorgestellten Erfindung besteht darin, eine voll transparente (> 70% Transmission) organische Leuchtdiode anzugeben, die mit einer verringerten Betriebsspannung betrieben werden kann und eine hohe Lichtemissionseffizienz aufweist. Gleichzeitig soll der Schutz aller organischer Schichten, insbesondere aber der Licht emittierenden Schichten, vor Schäden infolge der Herstellung des transparenten Deckkontaktes gewährleistet sein. Das entstehende Bauelement soll stabil sein (Operations-Temperaturbereich bis 80°C, Langzeitstabilität).
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe in Verbindung mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Merkmalen dadurch gelöst, dass die Löchertransportschicht mit einem akzeptorartigen organischen Material p-dotiert ist und die Elektronentransportschicht mit einem donatorartigen organischen Material n-dotiert ist, und die molekularen Massen der Dotanden größer als 200 g/mol sind.
  • Weiterhin wird die Aufgabe in Verbindung mit den im Oberbegriff des Anspruchs 2 genannten Merkmalen erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Elektronentransportschicht mit einem donatorartigen organischen Material n-dotiert ist und die Löchertransportschicht mit einem akzeptorartigen organischen Material p-dotiert ist, und die molekularen Massen der Dotanden größer als 200 g/mol sind.
  • Wie in der Patentanmeldung DE 101 35 513.0 (Leo et al., eingereicht am 20.7.2001) beschrieben, kann man den Schichtreihenfolge der OLED umdrehen, also den löcherinjizierenden (transparenten) Kontakt (Anode) als Deckelektrode realisieren. Gewöhnlich führt dies dazu, dass bei invertierten organischen Leuchtdioden die Betriebsspannungen wesentlich höher sind als bei vergleichbaren nicht-invertierten Strukturen. Die Ursache dafür liegt in der schlechteren Injektion aus den Kontakten in die organischen Schichten, weil die Austrittsarbeit der Kontakte nicht mehr gezielt optimiert werden kann.
  • Bei der erfindungsgemäßen Lösung hängt die Injektion von Ladungsträgern aus den Elektroden in die organischen Schichten (egal ob Löcher- oder Elektronentransportschichten) nicht mehr so stark von der Austrittsarbeit der Elektroden selbst ab. Damit ist es also möglich, auf beiden Seiten des OLED-Bauelementes den gleichen Elektroden-Typ, also z. B. zwei gleiche transparente Elektroden, z. B. ITO, zu verwenden.
  • Die Ursache für die Erhöhung der Leitfähigkeit ist eine erhöhte Dichte von Gleichgewichtsladungsträgern in der Schicht Die Transportschicht kann dabei höhere Schichtdicken aufweisen als es bei undotierten Schichten möglich ist (typischerweise 20-40 nm), ohne die Betriebsspannung drastisch zu erhöhen. Analog ist die elektroneninjizierende Schicht zunächst der Kathode mit einem donatorartigen Molekül (bevorzugt organisches Molekül oder Bruchstücke davon, siehe Patentanmeldung DE 102 07 859.9) n-dotiert, was zu einer Erhöhung der Elektronen-Leitfähigkeit aufgrund höherer intrinsischen Ladungsträgerdichte führt. Auch diese Schicht kann im Bauelement dicker ausgeführt werde, als dies mit undotierten Schichten möglich wäre, da dies zu einer Erhöhung der Betriebsspannung führen würde. Beide Schichten sind also dick genug um die darunter befindlichen Schichten vor Schäden während des Herstellungsprozesses (Sputtern) der transparenten Elektrode (z. B. ITO) zu schützen.
  • In den dotierten Ladungsträgertransportschichten (Löcher oder Elektronen) an den Elektroden (Anode oder Kathode) wird eine dünne Raumladungszone erzeugt, durch welche die Ladungsträger effizient injiziert werden können. Aufgrund der Tunnelinjektion wird durch die sehr dünne Raumladungszone die Injektion auch bei einer energetisch hohen Barriere nicht mehr behindert. Vorteilhaft ist die Ladungsträgertransportschicht durch eine Beimischung einer organischen oder anorganischen Substanz (Dotand) dotiert. Diese großen Moleküle bauen sich stabil in das Matrixmolekülgerüst der Ladungsträgertransportschichten ein. Dadurch wird eine hohe Stabilität beim Betrieb der OLED (keine Diffusion) sowie unter thermischer Belastung erreicht.
  • In der Patentanmeldung DE 100 58 578.7, eingereicht am 25.11.2000, (siehe auch X. Zhou et al., Appl. Phys. Lett. 78, 410 (2001)) wird beschrieben, dass organische Leuchtdioden mit dotierten Transportschichten nur effiziente Lichtemission zeigen, wenn die dotierten Transportschichten auf geeignete Weise mit Blockschichten kombiniert werden. In einer vorteilhaften Ausführungsform werden deshalb die transparenten Leuchtdioden ebenfalls mit Blockschichten versehen. Die Blockschicht befindet sich jeweils zwischen der Ladungsträgertransportschicht und einer lichtemittierenden Schicht des Bauelementes, in welcher die Umwandlung der elektrischen Energie der durch Stromfluß durch das Bauelement injizierten Ladungsträger in Licht stattfindet. Die Substanzen der Blockschichten werden erfindungsgemäß so gewählt, daß sie bei angelegter Spannung (in Richtung der Betriebsspannung) aufgrund ihrer Energieniveaus die Majoritätsladungsträger (HTL-Seite: Löcher, ETL-Seite: Elektronen) an der Grenzschicht dotierte Ladungsträgertransportschicht/Blockschicht nicht zu stark behindert wird (niedrige Barriere), aber die Minoritätsladungsträger effizient an der Grenzschicht Licht emittierende Schicht/Blockschicht aufgehalten werden (hohe Barriere). Desweiteren soll die Barrierenhöhe zur Injektion von Ladungsträgern aus der Blockschicht in die emittierende Schicht so klein sein, dass die Umwandlung eines Ladungsträgerpaares an der Grenzfläche in ein Exciton in der emittierenden Schicht energetisch vorteilhaft ist. Dies verhindert Exziplexbildung an den Grenzflächen der lichtemittierten Schicht, welche die Effizienz der Lichtemission verringert. Da die Ladungsträgertransportschichten bevorzugt eine hohe Bandlücke aufweisen, können die Blockschichten sehr dünn gewählt werden, da trotzdem kein Tunneln von Ladungsträgern aus der lichtemittierenden Schicht in Energiezustände der Ladungsträgertransportschichten möglich ist. Dies erlaubt es, trotz Blockschichten eine niedrige Betriebsspannung zu erreichen.
  • Eine vorteilhafte Ausführung einer Struktur einer erfindungsgemäßen transparenten OLED gemäß Anspruch 1 beinhaltet folgende Schichten (nicht-invertierter Aufbau):
    • 1. Träger, Substrat,
    • 2. transparente Elektrode, z. B. ITO, Löcher injizierend (Anode = Pluspol),
    • 3. p-dotierte, Löcher injizierende und transportierende Schicht,
    • 4. dünne löcherseitige Blockschicht aus einem Material dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 5. lichtemittierende Schicht (evtl. mit Emitterfarbstoff dotiert),
    • 6. dünne elektronenseitige Blockschicht aus einem Material, dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 7. n-dotierte Elektronen injizierende und transportierende Schicht,
    • 8. transparente Elektrode, elektronenjizierend (Kathode = Minuspol),
    • 9. Kapselung, zum Ausschluß von Umwelteinflüssen.
  • Eine zweite vorteilhafte Ausführung einer Struktur einer erfindungsgemäßen transparenten OLED gemäß Anspruch 2 beinhaltet folgende Schichten (invertierter Aufbau):
    • 1. Träger, Substrat,
    • 2. transparente Elektrode, z. B. ITO, Elektronen injizierend (Kathode = Minuspol),
    • 3. n-dotierte, Elektronen injizierende und transportierende Schicht,
    • 4. dünne elektronenseitige Blockschicht aus einem Material dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 5. lichtemittierende Schicht (evtl. mit Emitterfarbstoff dotiert),
    • 6. dünne löcherseitige Blockschicht aus einem Material, dessen Bandlagen zu den Bandlagen der sie umgebenden Schichten passt,
    • 7. p-dotierte Löcher injizierende und transportierende Schicht,
    • 8. transparente Elektrode, Löcher injizierend (Anode = Pluspol), z. B. ITO,
    • 9. Kapselung, zum Ausschluß von Umwelteinflüssen.
  • Es ist auch im Sinne der Erfindung, wenn nur eine Blockschicht Verwendung findet, weil die Bandlagen der injizierenden und transportierenden Schicht und der Lichtemissionsschicht bereits auf einer Seite zueinander passen. Des weiteren können die Funktionen der Ladungsträgerinjektion und des Ladungsträgertransports in den Schichten 3 und 7 auf mehrere Schichten aufgeteilt sein, von denen mindestens eine (und zwar die zunächst der Elektroden) dotiert ist. Wenn die dotierte Schicht sich nicht unmittelbar an der jeweiligen Elektrode befindet, so müssen alle Schichten zwischen der dotierten Schicht und der jeweiligen Elektrode so dünn sein, dass sie effizient von Ladungsträgern durchtunnelt werden können (< 10 nm). Diese Schichten können dicker sein, wenn sie eine sehr hohe Leitfähigkeit aufweisen (der Bahnwiderstand dieser Schichten muss geringer sein als der der benachbarten dotierten Schicht). Dann sind die Zwischenschichten im Sinne der Erfindung als ein Teil der Elektrode zu betrachten. Die molaren Dotierungskonzentrationen liegen typischerweise im Bereich von 1 : 10 bis 1 : 10000. Die Dotanden sind organische Moleküle mit Molekülmassen oberhalb 200 g/mol.
  • Die Erfindung wird nachfolgend an Hand von Ausführungsbeispielen noch näher erläutert. In den Zeichnungen ist folgendes dargestellt:
  • Bild 1 ein Energiediagramm einer transparenten OLED in der bisher üblichen Ausführungsform (ohne Dotierung, die Zahlenangaben beziehen sich auf die oben beschriebene nicht-invertierte Schichtstruktur der OLED nach Anspruch 1). Oben ist die Lage der Energieniveaus (HOMO und LUMO) ohne externe Spannung beschrieben (man sieht, dass die beiden Elektroden gleiche Austrittsarbeit besitzen), unten mit angelegter externer Spannung. Der Einfachheit halber sind hier auch die Blockschichten 4 und 6 mit eingezeichnet.
  • Bild 2 ein Energiediagramm einer transparenten OLED mit dotierten Ladungsträgertransportschichten und passenden Blockschichten (man beachte die Bandverbiegung zunächst den Kontaktschichten, hier in beiden Fällen ITO). Die Zahlenangaben beziehen sich auf beide oben beschriebene Ausführungen. Oben ist der Aufbau des Bauelementes gezeigt, welches aufgrund seiner Transparenz in beide Richtungen Licht emittiert, unten die Bandstruktur.
  • Bild 3 Leuchtdichte-Spannungs-Kennlinie des unten aufgeführten Ausführungsbeispieles, die typische Monitor-Leuchtdichte von 100 cd/m2 wird bereits bei 4 V erreicht. Die Effizienz beträgt 2 cd/A. Allerdings kommt hier als Anodenmaterial aus technologischen Gründen kein transparenter Kontakt (z. B. ITO) zur Verwendung, sondern dieser wird mittels eines semi-transparenten (50%) Goldkontaktes simuliert. Es handelt sich also um eine semi-transparente OLED.
  • In der in Bild 1 gezeigten Ausführungsform tritt keine Raumladungszone an den Kontakten auf. Diese Ausführung verlangt nach einer niedrigen energetischen Barriere für die Ladungsträgerinjektion. Dies kann unter Umständen mit verfügbaren Materialien nicht oder nur schwer erreicht werden (siehe Stand der Technik, oben). Die Injektion von Ladungsträgern aus den Kontakten ist daher nicht so effektiv. Die OLED weist eine erhöhte Betriebsspannung auf.
  • Erfindungsgemäß wird der Nachteil der bisherigen Strukturen durch transparente OLEDs mit dotierten Injektions- und Transportschichten, ggf. in Verbindung mit Blockschichten, vermieden. Bild 2 zeigt eine entsprechende Anordnung. Hierbei sind die ladungsträgerinjizierenden und -leitenden Schichten 3 und 7 dotiert, so dass sich an den Grenzschichten zu den Kontakten 2 und 8 Raumladungszonen ausbilden. Bedingung ist, dass die Dotierung hoch genug ist, dass diese Raumladungszonen leicht durchtunnelt werden können. Dass solche Dotierungen möglich sind, wurde zumindest für die p-Dotierung der Löchertransportschicht in der Literatur für nicht transparente Leuchtdioden bereits gezeigt (X. Q. Zhou et al., Appl. Phys. Lett. 78, 410 (2001); J. Blochwitz et al., Organic Elecronics 2, 97 (2001))
  • Diese Anordnung zeichnet sich durch folgende Vorzüge aus:
    • - Eine hervorragende Injektion der Ladungsträger von den Elektroden in die dotierten Ladungsträgertransportschichten.
    • - Die Unabhängigkeit von der detaillierten Präparation des Ladungsträgerinjizierenden Materialen 2 und 8.
    • - Die Möglichkeit, für die Elektroden 2 und 8 auch Materialien mit vergleichsweise hohen Barrieren für die Ladungsträgerinjektion zu wählen, z. B. in beiden Fällen das gleiche Material, z. B. ITO.
  • Im folgenden wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel angegeben. Allerdings kommt bei diesem noch keine n-Dotierung der Elektronentransportschicht mit stabilen großen organischen Dotanden vor. Als Beispiel für die Wirksamkeit des Konzeptes der transparenten OLED mit dotierten organischen Transportschichten wird eine Ausführung mit der nicht stabilen n- Dotierung eines typischen Elektronentransportmaterials (Bphen - bathophenathroline) mit Li gezeigt (Patent US 6,013,384 (J. Kido et al.), eingereicht am 22.1.1998; J. Kido et al., Appl. Phys. Lett. 73, 2866 (1998)). Wie schon im Stand der Technik beschrieben kann diese ca. 1 : 1 Mischung aus Li und Bphen die Wirksamkeit der Dotierung demonstrieren. Allerdings ist diese Schicht thermisch und betreibungsmäßig nicht stabil. Da bei dieser Dotierung sehr hohe Dotandenkonzentrationen vorkommen, muß auch davon ausgegangen werden, dass der Mechanismus der Dotierung ein anderer ist. Bei der Dotierung mit organischen Molekülen und Dotierungsverhältnissen zwischen 1 : 10 und 1 : 10000 ist davon auszugehen, dass der Dotand die Struktur der Ladungsträgertransportschicht nicht wesentlich beeinflußt. Davon kann bei der 1 : 1 Beimischung von Dotierungsmetallen, z. B. Li, nicht ausgegangen werden.
  • Die OLED weist folgende Schichtstruktur auf (invertierter Aufbau):

    1a Substrat, z. B. Glas,
    2a Kathode: ITO wie gekauft, nicht behandelt,
    3a n-dotierte Elektronentransportierende Schicht: 20 nm Bphen : Li 1 : 1 molekulares Mischungsverhältnis,
    4a elektronenseitige Blockschicht: 10 nm Bphen,
    5a elektrolumineszierende Schicht: 20 nm Alq3, kann mit Emitterdotanden gemischt werden, zur Erhöhung der internen Quantenausbeute der Lichterzeugung,
    6a löcherseitige Blockschicht: 5 nm Triphenyldiamin (TPD),
    7a p-dotierte Löchertransportierende Schicht: 100 nm Starburst m-MTDATA 50 : 1 dotiert mit F4-TCNQ Dotand (thermisch stabil bis etwa 80°C),
    8a transparente Elektrode (Anode): Indium-Zinn-Oxid (ITO).

  • Die gemischten Schichten 3 und 7 werden in einem Aufdampfprozeß im Vakuum in Mischverdampfung hergestellt. Prinzipiell können solche Schichten auch durch andere Verfahren hergestellt werden, wie z. B. einem Aufeinanderdampfen der Substanzen mit anschließender möglicherweise temperaturgesteuerter Diffusion der Substanzen ineinander; oder durch anderes Aufbringen (z. B. Aufschleudern) der bereits gemischten Substanzen im oder außerhalb des Vakuums. Die Blockschichten 3 und 6 wurden ebenfalls im Vakuum aufgedampft, können aber auch anders hergestellt werden, z. B. durch Aufschleudern innerhalb oder außerhalb des Vakuums.
  • In Bild 3 ist die Leuchtdichte-Spannungs-Kennlinie einer semi-transparenten OLED dargestellt. Zu Testzwecken wurde ein semi-transparenter Goldkontakt als Anode verwendet (50% Transmission). Es wird eine Betriebsspannung von 4 V für eine Leuchtdichte von 100 cd/m2 benötigt. Dies ist eine der kleinsten realisierten Betriebsspannungen für transparente OLEDs, besonders mit invertiertem Schichtaufbau. Diese OLED demonstriert die Realisierbarkeit des hier vorgestellten Konzeptes. Aufgrund der semi-transparenten Deckelektrode erreicht die externe Stromeffizienz nur einen Wert von ca. 2 cd/A und nicht 5 cd/A, wie er maximal für OLEDs mit reinem Alq3 als Emitterschicht zu erwarten ist.
  • Die erfindungskonforme Anwendung dotierter Schichten erlaubt es, nahezu die gleichen niedrigen Betriebsspannungen und hohen Effizienzen in einer transparenten Struktur zu erreichen wie sie bei einer herkömmlichen Struktur mit einseitiger Emission durch das Substrate auftreten. Dies liegt, wie beschrieben, an der effizienten Ladungsträgerinjektion, welche dank der Dotierung relativ unabhängig von der exakten Austrittsarbeit der transparenten Kontaktmaterialien sind. Somit lassen sich die gleichen Elektrodenmaterialien (oder sich in ihrer Austrittsarbeit nur wenig unterscheidenden transparenten Elektrodenmaterialien) als Elektronen- und Löcherinjizierender Kontakt verwenden.
  • Aus den Ausführungsbeispielen ist es für den Fachmann offensichtlich, dass viele Modifikationen und Variationen der vorgestellten Erfindung möglich sind, welche im Sinne der Erfindung sind. Zum Beispiel können andere transparente Kontakte als ITO als Anodenmaterialien verwendet werden (z. B. wie in H. Kim et al., Appl. Phys. Lett. 76, 259 (2000); H. Kim et al., Appl. Phys. Lett. 78, 1050 (2001)). Weiterhin ist es erfindungskonform die transparenten Elektroden mit einer hinreichend dünnen Zwischenschicht eines nicht transparenten Metalls (z. B. Silber oder Gold) und einer dicken Schicht des transparenten leitfähigen Materials zusammenzusetzen. Die Dicke der Zwischenschicht muss und kann (da wegen der dicken dotierten Ladungsträgertransportschichten keine Schäden beim Sputtern an den Lichtemittierenden Schichten zu erwarten sind) dann so dünn sein, dass das gesamte Bauelement noch transparent im obigen Sinne ist (Transparenz im gesamten sichtbaren Spektralbereich > 75%). Eine weitere erfindungskonforme Ausführung besteht darin, dass für die dotierte Elektronentransportschicht ein Material zum Einsatz kommen, dessen LUMO- Niveau zu tief liegt (im Sinne von Bild 1 und 2: Schicht 7 bzw. 3a) als das noch effizient Elektronen in die Block- und die Licht emittierende Schicht (6 bzw 4a und 5 bzw. 5a) injiziert werden können (also größere Barriere als in Bild 2 dargestellt). Dann kann zwischen der n- artig dotierten Elektronentransportschicht (7 bzw. 3a) und der Blockschicht (6 bzw. 4a) bzw. der Licht emittierenden Schicht (5 bzw. 5a) eine sehr dünne (< 2.5 nm) Metallschicht eines Metalls mit niedrigerer Austrittsarbeit als die Lage des LUMO's der dotierten Transportschicht zum Einsatz kommen. Die Metallschicht muss so dünn sein, dass die gesamte Transparenz des Bauelementes nicht wesentlich vermindert wird (siehe L. S. Hung, M. G. Mason, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3732). Bezugszeichenliste 1 Substrat
    2, 2a Anode bzw. Kathode
    3, 3a Löcher- bzw. Elektronentransportschicht (dotiert)
    4, 4a löcher- bzw. elektronenseitige dünne Blockschicht
    5, 5a lichtemittierende Schicht
    6, 6a elektronen- bzw. löcherseitige Blockschicht
    7, 7a Löcher- bzw. Elektronentransportschicht (dotiert)
    8, 8a Anode bzw. Kathode
    9 Kapselung

Claims (20)

1. Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten, insbesondere organische Leuchtdiode, bestehend aus einer Anordnung von Schichten in einer Reihenfolge aus einem transparenten Substrat (1), einer transparenten Anode (2), einer Löchertransportschicht (3) zunächst dieser Anode, wenigstens einer Licht emittierenden Schicht (5), einer Ladungsträgertransportschicht für Elektronen (7), und einer transparenten Kathode (8), dadurch gekennzeichnet, dass die Löchertransportschicht (3) mit einem akzeptorartigen organischen Material p-dotiert ist und die Elektronentransportschicht (7) mit einem donatorartigen organischen Material n- dotiert ist, und die molekularen Massen der Dotanden größer als 200 g/mol sind.
2. Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten, insbesondere organische Leuchtdiode, bestehend aus einer Anordnung von Schichten in einer Reihenfolge aus einem transparenten Substrat (1), einer transparenten Kathode (2a), einer Elektronentransportschicht (3a) zunächst dieser Kathode, wenigstens einer Licht emittierenden Schicht (5a), einer Ladungsträgertransportschicht für Löcher (7a), und einer transparenten Anode (8a), dadurch gekennzeichnet, dass die Elektronentransportschicht (3a) mit einem donatorartigen organischen Material n-dotiert ist und die Löchertransportschicht (7a) mit einem akzeptorartigen organischen Material p-dotiert ist, und die molekularen Massen der Dotanden größer als 200 g/mol sind.
3. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der dotierten Löchertransportschicht (3, 7a) und der Licht emittierenden Schicht (5, 5a) eine löcherseitige Blockschicht (4, 6a) vorgesehen ist.
4. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der dotierten Elektronentransportschicht (7, 3a) und der Licht emittierenden Schicht (5, 5a) eine elektronenseitige Blockschicht (6, 4a) vorgesehen ist.
5. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierungskonzentration der organischen Dotanden so hoch gewählt ist, dass eine quasi-ohmsche Injektion aus den Kontaktschichten (2, 8) in die Ladungsträgertransportschichten (3, 7 bzw. 3a, 7a) erfolgt.
6. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die transparenten Kontakte beide aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) bestehen.
7. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die transparenten Kontakte beide aus einem ähnlichen transparenten Material wie ITO bestehen, also einem anderen entarteten Oxidhalbleiter.
8. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die zwei transparenten Kontakte aus unterschiedlichen transparenten Kontaktmaterialien bestehen.
9. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Elektronentransportschicht (7, 3a) und Kathode (8, 2a) und/oder zwischen der Anode (2, 8a) und der Löchertransportschicht (3, 7a) jeweils eine dünne (< 10 nm) kontaktverbessernde Schicht vorgesehen sind, welche beide leicht durchtunnelt werden können.
10. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die lichtemittierende Schicht (5) eine Mischschicht aus mehreren Materialien ist.
11. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die p-dotierte Löchertransportschicht (7, 3a) aus einer organischen Hauptsubstanz und einer akzeptorartigen Dotiersubstanz besteht und die molekulare Masse des Dotanden größer 200 g/mol ist.
12. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die elektronentransportierenden Schicht (3) durch die Mischung einer organischen Hauptsubstanz und einer donatorartigen Dotiersubstanz n-artig dotiert ist und die molekulare Masse des Dotanden größer 200 g/mol ist.
13. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die oben befindliche transparente Kathode bzw. transparente Anode (8, 8a) mit einer transparenten Schutzschicht (9) versehen ist.
14. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die oben befindliche Kathode bzw. Anode (8, 8a) mit einer sehr dünnen (< 5 nm) metallischen Zwischenschicht zur darunterliegenden dotierten Ladungsträgertransportschicht (7, 7a) versehen ist, so daß die Transparenz im gesamten sichtbaren Spektralbereich immer noch über 75% liegt.
15. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die unten befindliche Anode bzw. Kathode (2, 2a) mit einer sehr dünnen (< 5 nm) metallischen Zwischenschicht zur darüberliegenden dotierten Ladungsträgertransportschicht (3, 3a) versehen ist, so daß die Transparenz im gesamten sichtbaren Spektralbereich immer noch über 75% liegt.
16. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Reihenfolge aus p-dotierter Löchertransportschicht (3, 7a) und transparenter Anode (2, 8) mehrfach in einem Bauelement vorgesehen ist.
17. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Reihenfolge aus n-dotierter Elektronentransportschicht (7, 3a) und transparenter Kathode (8, 2a) mehrfach in einem Bauelement vorgesehen ist.
18. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der dotierten Elektronentransportschicht (7 bzw. 3a) und der Blockschicht (6 bzw. 4a) bzw. der Licht emittierenden Schicht (5 bzw. 5a) noch eine dünne (< 2.5 nm) elektroneninjektionsfördernde Schicht aus einem Metall vorliegt.
19. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die molare Konzentration der Beimischung in der Löchertransportschicht (3, 7a) und/oder in der Elektronentransportschicht (7, 3a) im Bereich 1 : 100.000 bis 1 : 10 bezogen auf das Verhältnis Dotierungsmoleküle zu Hauptsubstanzmoleküle liegt.
20. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicken der Löchertransportschicht (7), der Elektronentransportschicht (3), der elektrolumineszierenden Schicht (5) und der Blockschichten (4, 6) im Bereich 0.1 nm bis 50 µm liegt.
DE10215210A 2002-03-28 2002-03-28 Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten Revoked DE10215210B4 (de)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10215210A DE10215210B4 (de) 2002-03-28 2002-03-28 Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US10/496,414 US20060033115A1 (en) 2002-03-28 2003-03-23 Transparent, thermally stable light-emitting component comprising organic layers
DE50305182T DE50305182D1 (de) 2002-03-28 2003-03-27 Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
CN038014572A CN1602556B (zh) 2002-03-28 2003-03-27 透光、热稳定的含有有机层的发光元件
EP03722235A EP1488468B8 (de) 2002-03-28 2003-03-27 Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
ES03722235T ES2271570T3 (es) 2002-03-28 2003-03-27 Componente emisor de luz, transparente y termicamente estable con capas organicas.
AT03722235T ATE341102T1 (de) 2002-03-28 2003-03-27 Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
PCT/DE2003/001021 WO2003083958A2 (de) 2002-03-28 2003-03-27 Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
AU2003229496A AU2003229496A1 (en) 2002-03-28 2003-03-27 Transparent, thermally stable light-emitting component comprising organic layers
JP2003581272A JP2005520307A (ja) 2002-03-28 2003-03-27 有機層を有する透明な熱安定性発光素子
KR1020047007848A KR100656035B1 (ko) 2002-03-28 2003-03-27 유기층을 포함하고 열에 안정적인 투명 발광 소자
HK05105099.4A HK1072496A1 (en) 2002-03-28 2005-06-20 Transparent, thermally stable light-emitting component comprising organic layers
US12/533,891 US20100026176A1 (en) 2002-03-28 2009-07-31 Transparent, Thermally Stable Light-Emitting Component Having Organic Layers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10215210A DE10215210B4 (de) 2002-03-28 2002-03-28 Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10215210A1 true DE10215210A1 (de) 2003-10-23
DE10215210B4 DE10215210B4 (de) 2006-07-13

Family

ID=28458612

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10215210A Revoked DE10215210B4 (de) 2002-03-28 2002-03-28 Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
DE50305182T Expired - Lifetime DE50305182D1 (de) 2002-03-28 2003-03-27 Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE50305182T Expired - Lifetime DE50305182D1 (de) 2002-03-28 2003-03-27 Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten

Country Status (11)

Country Link
US (1) US20060033115A1 (de)
EP (1) EP1488468B8 (de)
JP (1) JP2005520307A (de)
KR (1) KR100656035B1 (de)
CN (1) CN1602556B (de)
AT (1) ATE341102T1 (de)
AU (1) AU2003229496A1 (de)
DE (2) DE10215210B4 (de)
ES (1) ES2271570T3 (de)
HK (1) HK1072496A1 (de)
WO (1) WO2003083958A2 (de)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1601018A1 (de) * 2004-05-25 2005-11-30 Applied Films GmbH & Co. KG Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und organisches Licht emittierendes Flächenelement
DE102004022004A1 (de) * 2004-05-03 2005-12-15 Novaled Gmbh Schichtanordnung für eine organische lichtemittierende Diode
WO2006010355A2 (de) 2004-07-23 2006-02-02 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes bauelement mit zumindest einer organischen schicht
WO2006024278A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-09 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes bauelement mit frequenzkonversionszentren
DE10339772B4 (de) * 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2006097069A1 (de) * 2005-03-11 2006-09-21 Novaled Ag Transparentes lichtemittierendes bauelement
DE102008061843A1 (de) 2008-12-15 2010-06-17 Novaled Ag Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen
DE102010018511A1 (de) 2009-07-31 2011-03-03 Novaled Ag Organisches halbleitendes Material und elektronisches Bauelement
WO2011044867A2 (de) 2009-10-14 2011-04-21 Novaled Ag Elektrooptisches, organisches halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen
WO2011131185A1 (de) 2010-04-21 2011-10-27 Novaled Ag Mischung zur herstellung einer dotierten halbleiterschicht
WO2011134458A1 (de) 2010-04-27 2011-11-03 Novaled Ag Organisches halbleitendes material und elektronisches bauelement
DE102012101652A1 (de) 2011-03-01 2012-09-20 Novaled Ag Organisches halbleitendes Material und elektronisches Bauelement
WO2013135237A1 (de) 2012-03-15 2013-09-19 Novaled Ag Aromatische amin-terphenyl-verbindungen und verwendung derselben in organischen halbleitenden bauelementen
DE102013101714A1 (de) 2013-02-21 2014-08-21 Heliatek Gmbh Verfahren zur Optimierung von Absorberschichten in optoelektronischen Bauelementen
DE102013104094A1 (de) 2013-04-23 2014-10-23 Heliatek Gmbh Verfahren zur Anordnung von optoelektronischen Bauelementen auf Formkörpern
US9935295B2 (en) 2012-04-30 2018-04-03 Osram Oled Gmbh Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
DE10333232A1 (de) * 2003-07-21 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
CN100555703C (zh) 2003-10-29 2009-10-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有增加的量子效率的发光器件
JP4243237B2 (ja) 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機ｅｌ素子、有機太陽電池、及び、有機ｆｅｔ構造、並びに、有機素子の製造方法
AU2003292826A1 (en) 2003-12-25 2005-07-21 Fujitsu Limited Organic el element, organic el display, process for fabricating organic el element, and system for fabricating organic el element
JP4393249B2 (ja) * 2004-03-31 2010-01-06 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光素子，画像表示装置、及びその製造方法
JP2006024432A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Japan Science & Technology Agency 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7540978B2 (en) * 2004-08-05 2009-06-02 Novaled Ag Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component
JP2008509565A (ja) 2004-08-13 2008-03-27 ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト 発光成分用積層体
EP1648042B1 (de) * 2004-10-07 2007-05-02 Novaled AG Verfahren zur Dotierung von einem Halbleitermaterial mit Cäsium
CN1784101A (zh) * 2004-11-30 2006-06-07 西门子（中国）有限公司 双面显示有机电致发光装置
DE502005002342D1 (de) * 2005-03-15 2008-02-07 Novaled Ag Lichtemittierendes Bauelement
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP5072243B2 (ja) * 2005-03-25 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
EP2264806B1 (de) 2005-04-13 2019-03-27 Novaled GmbH Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen
EP1727221B1 (de) * 2005-05-27 2010-04-14 Novaled AG Transparente organische Leuchtdiode
EP2045843B1 (de) * 2005-06-01 2012-08-01 Novaled AG Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung
EP1739765A1 (de) * 2005-07-01 2007-01-03 Novaled AG Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden
TWI321968B (en) 2005-07-15 2010-03-11 Lg Chemical Ltd Organic light meitting device and method for manufacturing the same
JP2007073500A (ja) * 2005-08-11 2007-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置及び電子機器
WO2007051753A1 (fr) 2005-11-04 2007-05-10 Thomson Licensing Élement electro-optique integrant une diode organique electroluminescente et un transistor organique de modulation de cette diode.
KR100752383B1 (ko) * 2005-12-26 2007-08-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
EP1806795B1 (de) * 2005-12-21 2008-07-09 Novaled AG Organisches Bauelement
DE602006001930D1 (de) * 2005-12-23 2008-09-04 Novaled Ag tur von organischen Schichten
EP1808909A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
JP2009524189A (ja) 2006-01-18 2009-06-25 エルジー・ケム・リミテッド 積層型有機発光素子
JP2009526370A (ja) * 2006-02-09 2009-07-16 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 半導体ナノ結晶およびドープされた有機材料を含む層を含むデバイスおよび方法
ATE556440T1 (de) 2006-02-28 2012-05-15 Commissariat Energie Atomique Elektronische komponente mit p-dotiertem organischem halbleiter
EP1848049B1 (de) * 2006-04-19 2009-12-09 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
WO2008010171A2 (en) * 2006-07-19 2008-01-24 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Highly doped electro-optically active organic diode with short protection layer
EP1895608A3 (de) * 2006-09-04 2011-01-05 Novaled AG Organisches lichtemittierendes Bauteil und Verfahren zum Herstellen
DE102007019260B4 (de) * 2007-04-17 2020-01-16 Novaled Gmbh Nichtflüchtiges organisches Speicherelement
US7719180B2 (en) * 2007-10-16 2010-05-18 Global Oled Technology Llc Inverted OLED device with improved efficiency
DE102008036063B4 (de) 2008-08-04 2017-08-31 Novaled Gmbh Organischer Feldeffekt-Transistor
DE102008036062B4 (de) 2008-08-04 2015-11-12 Novaled Ag Organischer Feldeffekt-Transistor
JP2012504847A (ja) * 2008-10-01 2012-02-23 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子およびその製造方法
EP2194055B1 (de) 2008-12-03 2012-04-04 Novaled AG Verbrückte Pyridochinazolin- oder Phenathronlin-Verbindungen und organisches Halbleitermaterial mit dieser Verbindung
KR101231457B1 (ko) * 2009-03-24 2013-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
EP2246862A1 (de) 2009-04-27 2010-11-03 Novaled AG Organische elektronische Vorrichtung mit einem organischen Halbleitermaterial
EP2312663B1 (de) 2009-10-19 2014-10-15 Novaled AG Organische elektronische Vorrichtung mit einem organischen Halbleitermaterial
EP2504871B1 (de) 2009-11-24 2017-03-22 Novaled GmbH Elektronisches bauteil mit einem organischen halbleitermaterial
KR101182444B1 (ko) * 2010-04-01 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
EP2395571B1 (de) 2010-06-10 2013-12-04 Novaled AG Eine organische Vorrichtung umfassend ein organisches halbleitendes Material
JP2013033872A (ja) * 2011-08-03 2013-02-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8358066B1 (en) * 2011-08-10 2013-01-22 General Electric Company Organic light emitting diode package with energy blocking layer
DE102011055233A1 (de) 2011-11-10 2013-05-16 Novaled Ag Lichtemittierende Vorrichtung und flächige Anordnung mit mehreren lichtemittierenden Vorrichtungen
WO2013180539A1 (ko) * 2012-05-31 2013-12-05 주식회사 엘지화학 유기전계발광소자
CN103855309A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置及其制备方法
KR102037819B1 (ko) * 2012-12-24 2019-10-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN104064675A (zh) * 2013-03-21 2014-09-24 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
KR102529631B1 (ko) * 2015-11-30 2023-05-04 삼성전자주식회사 유기 광전 소자 및 이미지 센서
CN109873087B (zh) * 2017-12-01 2021-09-03 上海和辉光电股份有限公司 一种像素结构及显示面板
CN110854280A (zh) * 2019-11-25 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
CN111682119B (zh) * 2020-06-20 2023-08-18 武汉华美晨曦光电有限责任公司 一种柔性透明oled器件结构及其制备方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5093698A (en) * 1991-02-12 1992-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device
JP3300069B2 (ja) * 1992-11-19 2002-07-08 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5457656A (en) * 1994-08-17 1995-10-10 United Microelectronics Corp. Zero static power memory device redundancy circuitry
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
WO1998010473A1 (en) * 1996-09-04 1998-03-12 Cambridge Display Technology Limited Electrode deposition for organic light-emitting devices
JPH10125469A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Tdk Corp 有機ｅｌ発光素子
DE69723538T2 (de) * 1996-11-29 2004-06-09 Idemitsu Kosan Co. Ltd. Organisches elektrolumineszentes Bauteil
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
JPH10270171A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3484037B2 (ja) * 1997-01-31 2004-01-06 ユニ・チャーム株式会社 使い捨て体液吸収性物品の表面シート
DE69911753T2 (de) * 1998-03-13 2004-08-12 Cambridge Display Technology Ltd. Elektrolumineszente anordnungen
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
US6541908B1 (en) * 1999-09-30 2003-04-01 Rockwell Science Center, Llc Electronic light emissive displays incorporating transparent and conductive zinc oxide thin film
US6639357B1 (en) * 2000-02-28 2003-10-28 The Trustees Of Princeton University High efficiency transparent organic light emitting devices
DE10058578C2 (de) * 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
DE10135513B4 (de) * 2001-07-20 2005-02-24 Novaled Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
DE10207859A1 (de) * 2002-02-20 2003-09-04 Univ Dresden Tech Dotiertes organisches Halbleitermaterial sowie Verfahren zu dessen Herstellung

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10339772B4 (de) * 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US7355197B2 (en) 2003-08-27 2008-04-08 Novaled Gmbh Light-emitting component and process for its preparation
US8263429B2 (en) 2003-08-27 2012-09-11 Novaled Ag Light-emitting component and process for its preparation
USRE43319E1 (en) 2003-08-27 2012-04-24 Novaled Ag Light-emitting component and process for its preparation
DE102004022004A1 (de) * 2004-05-03 2005-12-15 Novaled Gmbh Schichtanordnung für eine organische lichtemittierende Diode
DE102004022004B4 (de) * 2004-05-03 2007-07-05 Novaled Ag Schichtanordnung für eine organische lichtemittierende Diode
EP1601018A1 (de) * 2004-05-25 2005-11-30 Applied Films GmbH & Co. KG Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und organisches Licht emittierendes Flächenelement
US8022619B2 (en) 2004-07-23 2011-09-20 Novaled Ag Top-emitting, electroluminescent component with at least one organic layer
WO2006010355A2 (de) 2004-07-23 2006-02-02 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes bauelement mit zumindest einer organischen schicht
DE102004035965B4 (de) * 2004-07-23 2007-07-26 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit zumindest einer organischen Schicht
WO2006024278A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-09 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes bauelement mit frequenzkonversionszentren
EP1701395B1 (de) * 2005-03-11 2012-09-12 Novaled AG Transparentes lichtemittierendes Bauelement
WO2006097069A1 (de) * 2005-03-11 2006-09-21 Novaled Ag Transparentes lichtemittierendes bauelement
WO2010075836A2 (de) 2008-12-15 2010-07-08 Novaled Ag Heterocyclische verbindungen und deren verwendung in elektronischen und optoelektronischen bauelementen
DE102008061843A1 (de) 2008-12-15 2010-06-17 Novaled Ag Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen
DE102010018511A1 (de) 2009-07-31 2011-03-03 Novaled Ag Organisches halbleitendes Material und elektronisches Bauelement
WO2011044867A2 (de) 2009-10-14 2011-04-21 Novaled Ag Elektrooptisches, organisches halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen
WO2011131185A1 (de) 2010-04-21 2011-10-27 Novaled Ag Mischung zur herstellung einer dotierten halbleiterschicht
WO2011134458A1 (de) 2010-04-27 2011-11-03 Novaled Ag Organisches halbleitendes material und elektronisches bauelement
DE102012101652A1 (de) 2011-03-01 2012-09-20 Novaled Ag Organisches halbleitendes Material und elektronisches Bauelement
DE102012101652B4 (de) 2011-03-01 2019-09-19 Novaled Gmbh Organisches halbleitendes Material und elektronisches Bauelement
WO2013135237A1 (de) 2012-03-15 2013-09-19 Novaled Ag Aromatische amin-terphenyl-verbindungen und verwendung derselben in organischen halbleitenden bauelementen
US9935295B2 (en) 2012-04-30 2018-04-03 Osram Oled Gmbh Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component
DE112013002273B4 (de) * 2012-04-30 2018-05-09 Osram Oled Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenen Bauelements
DE102013101714A1 (de) 2013-02-21 2014-08-21 Heliatek Gmbh Verfahren zur Optimierung von Absorberschichten in optoelektronischen Bauelementen
DE102013104094A1 (de) 2013-04-23 2014-10-23 Heliatek Gmbh Verfahren zur Anordnung von optoelektronischen Bauelementen auf Formkörpern
WO2014173915A1 (de) 2013-04-23 2014-10-30 Heliatek Verfahren zur anordnung von optoelektronischen bauelementen auf formkörpern

Also Published As

Publication number Publication date
US20060033115A1 (en) 2006-02-16
WO2003083958A2 (de) 2003-10-09
AU2003229496A1 (en) 2003-10-13
HK1072496A1 (en) 2005-08-26
CN1602556B (zh) 2010-08-04
EP1488468B1 (de) 2006-09-27
KR100656035B1 (ko) 2006-12-08
KR20040088470A (ko) 2004-10-16
ATE341102T1 (de) 2006-10-15
JP2005520307A (ja) 2005-07-07
EP1488468B8 (de) 2007-02-14
CN1602556A (zh) 2005-03-30
EP1488468A2 (de) 2004-12-22
WO2003083958A3 (de) 2004-04-29
DE10215210B4 (de) 2006-07-13
ES2271570T3 (es) 2007-04-16
DE50305182D1 (de) 2006-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1488468B8 (de) Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
EP1410450B1 (de) Lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
DE10058578C2 (de) Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
EP1511094B1 (de) Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1508176B1 (de) Phosphoreszentes lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
EP2264806B1 (de) Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen
DE112007000135B4 (de) Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit einer Anordnung organischer Schichten und Verfahren zum Herstellen
DE102013017361B4 (de) Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht ermittierenden Bauelements
DE10261609B4 (de) Lichtemittierende Anordnung
DE102013107113B4 (de) Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements
EP2342772A2 (de) Organisches elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2007121877A1 (de) Lichtemittierendes bauelement
DE112014007311B3 (de) Organisches lichtemittierendes Bauelement
DE102016106917A1 (de) Organisches elektronisches Bauteil mit Ladungsträgergenerationsschicht
DE102017101077A1 (de) Organisches elektronisches Bauelement
DE10326725A1 (de) OLED-Bauelement und Display auf Basis von OLED-Bauelementen mit verbesserter Effizienz

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8181 Inventor (new situation)

Inventor name: LEO, KARL, PROF. DR., 01219 DRESDEN, DE

Inventor name: PFEIFFER, MARTIN, DR., 01069 DRESDEN, DE

Inventor name: BLOCHWITZ-NIMOTH, JAN, DR. DIPL. PHYS., 01099 DRES

Inventor name: ZHOU, XIANG, DR., 01069 DRESDEN, DE

8363 Opposition against the patent
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: NOVALED AG, 01307 DRESDEN, DE

R037 Decision of examining division or of federal patent court revoking patent now final
R107 Publication of grant of european patent cancelled

Effective date: 20130926