CN111668240B - Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 - Google Patents

Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111668240B
CN111668240B CN202010583013.1A CN202010583013A CN111668240B CN 111668240 B CN111668240 B CN 111668240B CN 202010583013 A CN202010583013 A CN 202010583013A CN 111668240 B CN111668240 B CN 111668240B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
area
light
oled display
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010583013.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111668240A (zh
Inventor
程文锦
卜呈浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010583013.1A priority Critical patent/CN111668240B/zh
Publication of CN111668240A publication Critical patent/CN111668240A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111668240B publication Critical patent/CN111668240B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请公开了一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置。所述OLED显示面板的显示区域包括：至少一个功能附加区以及围绕功能附加区设置的正常显示区；在功能附加区，阳极层划分有多个透光区域、多个像素电极区域、以及围绕透光区域和像素电极区域设置的不透光区域；其中，在像素电极区域设置有图案化的阳极金属，在透光区域未设置阳极金属。通过在功能附加区内，对阳极层的阳极金属图案进行差异性设计，在保证功能附加区的显示功能正常的基础上，增加功能附加区的透光率。

Description

OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种基于CUP技术的OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置。
背景技术
自从手机全面屏概念问世以来，产业链从上到下都开始在致力于实现真正意义上的全面屏。现如今“全面屏(full panel)”的设计成为主流，全面屏是显示业界对于超高屏占比显示装置设计的一个比较宽泛的定义。从字面上解释就是显示装置的正面全部都是屏幕，显示区域被屏幕完全覆盖，显示区域周围采用无边框设计，追求接近100％的超高屏占比。
而为了满足手机全面屏的需求，面板开发商将更多的精力投入了有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示面板的开发中。其原因在于OLED显示面板可以采用柔性基板作为基底，实现面板的可弯曲性，将非显示区域向面板两侧或者背面弯折，从而尽可能增大显示区域的屏占比。
如果要达到真正意义上的全面屏幕，还需要将听筒、光线传感器、距离传感器和前置摄像头等功能部件隐藏起来。前三者目前都有各式各样的解决方案，最难以解决的就是前置摄像头的问题。从全面屏概念诞生之日起，屏占比和前置摄像头就是一对矛盾体。现有手机屏幕上方都需要留有一定缺口来安置上述功能部件，业界宣称的全面屏手机并没有能做到手机正面屏占比100％。即，手机正面至少要让一部分位置给前置摄像头，难以让消费者感觉到真正意义上全面屏。
最近，一种基于OLED显示面板的屏下摄像头(Camera under Panel，简称CUP)技术正被越来越多手机及面板厂商所关注。由于OLED显示面板的自发光的特点，屏幕的结构较为简单。其屏幕厚度相对于传统液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)的屏幕也较薄，且其本身的透光率比较好，因此将摄像头隐藏在屏幕下方就成为了可能。通过将前置摄像头、光线传感器等功能部件，放置在对应OLED显示面板的CUP区域的下方；在不使用摄像头时，CUP区域可以正常进行画面显示；在需要使用摄像头时，外界的光线能够透过CUP区域射入摄像头内便于成像。
然而OLED显示面板的屏幕的透光率大概只有40％，远远达不到摄像头所需水平。因此如何提升OLED显示面板的屏幕的透光率，使得屏下摄像头可以较好的采光以及进行算法还原，就成为了CUP技术研究的重中之重。
发明内容
本申请的目的在于提供一种OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置，可以提升OLED显示面板的屏幕的透光率，使得屏下摄像头可以较好的采光以及进行算法。
为实现上述目的，本申请提供了一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括一阳极层；所述OLED显示面板的显示区域包括：至少一个功能附加区以及围绕所述功能附加区设置的正常显示区；在所述功能附加区，所述阳极层划分有多个透光区域、多个像素电极区域、以及围绕所述透光区域和所述像素电极区域设置的不透光区域，其中，在所述像素电极区域设置有图案化的阳极金属，在所述透光区域未设置阳极金属。
为实现上述目的，本申请还提供了一种OLED显示面板的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供一衬底基板，其中，所述衬底基板的显示区域划分有：至少一个功能附加区以及围绕所述功能附加区设置的正常显示区；在所述衬底基板上制备一阵列层；在所述阵列层上生长ITO/Ag/ITO形成一阳极层，并对所述阳极层进行图案化处理，以在对应所述正常显示区形成第一图案化的阳极金属，在对应所述功能附加区形成多个透光区域、多个像素电极区域、以及围绕所述透光区域和所述像素电极区域的不透光区域，其中，在所述像素电极区域形成有第二图案化的阳极金属，在所述透光区域所述阳极层的金属全部被去除；以及在所述阳极层上形成一像素定义层及一支撑层。
为实现上述目的，本申请还提供了一种OLED显示装置，所述OLED显示装置包括：一OLED显示面板，所述OLED显示面板采用本申请所述的OLED显示面板；以及至少一个光学传感器，所述光学传感器设置于所述OLED显示面板的功能附加区对应位置处。
本申请的有益效果为：本申请OLED显示面板，通过在功能附加区内，对阳极层的阳极金属图案进行差异性设计，在保证功能附加区的显示功能正常的基础上，增加功能附加区的透光率；通过在功能附加区内形成阵列化的透光区域，减少了外界环境光的衍射及散射，进而使得设置于功能附加区的光学传感器对外界环境光进行算法还原时将更加容易。通过在所述功能附加区，将阵列层的驱动电路集中设计，增大了外界环境光的进光面积；通过在所述功能附加区，将与发光单元对应的，图案化的阳极金属和驱动电路的金属走线部分重叠，从而减小所述功能附加区的走线密度，最大限度地提升OLED显示面板在功能附加区的透光率，实现真正意义上的全面屏。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为用于提高屏占比的显示面板的结构示意图；
图2为本申请OLED显示面板一实施例的层状结构示意图；
图3为本申请OLED显示面板的第一实施例的剖视图；
图4为本申请OLED显示面板的第二实施例的剖视图；
图5为本申请OLED显示面板的第三实施例的剖视图；
图6-图9为本申请所述OLED显示面板的制备方法的制备流程图；
图10为本申请OLED显示装置的架构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。本申请的说明书和权利要求书以及附图中的术语“第一”“第二”“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排它的包含。本申请所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前、后、内、外、侧面等，仅是参考附图的方向。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接或一体地连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
请参阅图1，用于提高屏占比的显示面板的结构示意图。
如图1中a部分所示，为了给前置摄像头腾出安放空间，对制作完成后的现有OLED屏幕进行激光切割，将上边界处切割出U型(或者其他形状)的异形区11a，以用于放置摄像头12a。这种方案，OLED屏幕出厂时就是一块带有异形区(例如U-cut)的屏幕，并没有能做到屏幕正面屏占比100％。
如图1中b部分所示，为了给前置摄像头腾出安放空间，在屏幕的驱动电路设计时，在屏幕上形成一块没有发光像素单元及其驱动电路的摄像头区11b(例如在屏幕左上方)；驱动电路的信号走线在该摄像头区11b采用换线方式绕过，在模组段直接用激光将未设置发光像素单元的该摄像头区11b全部切掉，以用于放置摄像头12b。此种方案是目前屏下摄像头的初期方案，但在不使用摄像头时，该摄像头区11b是无法正常进行画面显示的，因此也并没有能做到屏幕正面屏占比100％。
如图1中c部分所示，为了给前置摄像头腾出安放空间，且实现前置摄像头真正隐藏在屏幕的下方，其采用的方案为：将显示面板分为摄像区域101和显示区域102，前置摄像头12c就隐藏在所述摄像区域101的下方。在需要显示的时候，所述摄像区域101和所述显示区域102同样进行显示；而在需要摄像的时候，所述摄像区域101不进行显示，只用于摄像头采光及摄像，所述显示区域102实时显示取景画面。然而，由于OLED显示面板的屏幕的透光率远远达不到摄像头所需水平，屏下摄像头不能较好的采光以及进行算法还原。
研究发现，提升屏幕透光率的方向主要分为：使用透光率能更好的金属走线材料；使用透光率更好的模组材料；对屏幕摄像头区域的驱动电路进行优化设计等。
请一并参阅图2-图5，其中，图2为本申请OLED显示面板一实施例的层状结构示意图，图3为本申请OLED显示面板的第一实施例的剖视图，图4为本申请OLED显示面板的第二实施例的剖视图，图5为本申请OLED显示面板的第三实施例的剖视图。
如图2所示，本申请OLED显示面板基于CUP技术，所述OLED显示面板的显示区域包括：至少一个功能附加区201以及围绕所述功能附加区201设置的正常显示区202。在本实施例中，所述OLED显示面板的膜层结构包括：一衬底基板21，设置于所述衬底基板21上的一阵列层22，设置于所述阵列层22上的一发光功能层23。其中，所述发光功能层23包括一阳极层231。
如图3所示，在所述功能附加区201，所述阳极层231划分有多个透光区域301、多个像素电极区域302、以及围绕所述透光区域301和所述像素电极区域302设置的不透光区域303。其中，在所述像素电极区域302设置有图案化的阳极金属；在所述透光区域301未设置阳极金属；在所述不透光区域303也设置有阳极金属。所述不透光区域303的阳极金属可以为一体结构，并与所述像素电极区域302的图案化的阳极金属电性绝缘。需要说明的是，图3所示实施例的重点在于功能附加区201的阳极层的设置；对于正常显示区202的阳极层设置可以参考现有技术，本申请在此不做阐述。
进一步的实施例中，所述阳极层231采用ITO/Ag/ITO叠层结构。通过采用含Ag层的阳极，其反光性能较强，使得所述发光功能层23中发光单元发出的光线无法穿透阳极，避免光损失，提高微腔效应，提高器件的出光效率。
进一步的实施例中，多个所述透光区域301在所述功能附加区201阵列排布。通过形成阵列化的透光区域301，使得外界环境光入射时形成均一的阵列光，减少了外界环境光的衍射及散射，更有利于设置于所述功能附加区201的光学传感器(例如屏下摄像头的传感器)的算法还原。
在本实施例中，所述透光区域301的图案形状为圆形。由于所述透光区域301的阳极金属被挖开，形成阵列化的均匀的圆形图案；而所述不透光区域303的阳极金属保留，因阳极金属中包含有Ag层，其反光性能较强，使得外界环境光中的入射光无法穿透所述不透光区域303的阳极金属。这使得外界环境光中的入射光仅可以通过阵列化的所述透光区域301透过，也即透过面板的外界环境光就变成了均匀的阵列光，减少了外界环境光的衍射及散射，进而使得设置于所述功能附加区201的屏下摄像头的Sensor在对外界环境光进行算法还原时将更加容易。需要说明的是，所述透光区域301的图案(Pattern)形状可以不限制为圆形，也可以为矩形(如图4所示)，菱形(如图5所示)等。也即，所述透光区域301的图案形状为圆形、矩形、菱形的任意其中之一。
本申请通过对所述功能附加区201的阳极层231的阳极金属图案进行差异性设计，在保证功能附加区201的显示功能正常的基础上，增加功能附加区201的透光率；通过形成阵列化的透光区域301，减少了外界环境光的衍射及散射，进而使得设置于所述功能附加区201的屏下摄像头的传感器(Sensor)对外界环境光进行算法还原时将更加容易。
请继续参阅图2，在本实施例中，所述衬底基板21包括依次设置的一柔性层211、一水氧阻隔层(Barrier layer)212以及一缓冲层(Buffer layer)213。其中，所述柔性层211的材料可以为聚酰亚胺(PI)。
在本实施例中，所述阵列层22中包含组成驱动所述发光功能层23发光的驱动电路的所有膜层。优选的，在所述功能附加区201，所述阵列层22的与所述像素电极区域301对应的驱动电路的金属走线采用集中排布方式，以增大所述功能附加区201的外界环境光的进光面积。为提升屏下摄像头的采光性能，显示面板在阵列层22的驱动电路设计的时候分为两种设计：1)在所述正常显示区202，发光单元的驱动电路为正常设计；2)在所述功能附加区201，发光单元的驱动电路为集中设计，尽可能的增大外界环境光的进光面积。
在本实施例中，所述阵列层22包括在所述衬底基板21上依次形成的图案化的有源层(Active layer)221、第一层栅极绝缘层(GI1)222、图案化的第一层栅极金属层(GE1)223、第二层栅极绝缘层(GI2)224、图案化的第二层栅极金属层(GE2)225、层间绝缘层(ILDLayer)226、图案化的源漏金属层(SD)227以及有机平坦层(PLN)228。其中，在对应所述功能附加区201，形成所述阵列层22的驱动电路的所述图案化的有源层221、所述图案化的第一层栅极金属层223、所述图案化的第二层栅极金属层225及所述图案化的源漏金属层227，集中排布。例如，集中排布在对应阵列化的透光区域301中的相邻两列透光区域301之间的区域处，并与相应的发光单元对应设置。需要说明的是，在其它实施例中，所述阵列层22也可以仅包括一层图案化的栅极金属层以及相应的栅极绝缘层。
具体地，所述发光功能层23通常包括：阳极层231、设于阳极上的像素定义层232以及支撑层233、形成在所述像素定义层232所定义的像素区的多个发光单元234(示于图3中)以及覆盖所述发光单元234的阴极层(未图示)。所述发光单元234可以为红色子发光单元或绿色子发光单元或蓝色子发光单元。所述发光单元234的发光材料可采用有机发光材料或量子点有机发光材料。
进一步的实施例中，在所述功能附加区201，所述发光单元234集中于阵列化的透光区域301中的相邻两列透光区域301之间(如图3所示)；在所述正常显示区202，所述发光单元234的设置方式可参考现有技术，此处不再赘述。相应的，在所述功能附加区201，所述阵列层22的驱动电路也集中设置于对应阵列化的透光区域301中的相邻两列透光区域301之间的区域处，并对应所述发光单元234。
进一步的实施例中，在所述功能附加区201，形成在所述像素电极区域302的所述图案化的阳极金属在所述阵列层22上的投影，与所述阵列层22的所述驱动电路的金属走线至少部分重叠，从而进一步增大外界环境光的进光面积。所述阵列层22的所述驱动电路的金属走线具体包括：所述图案化的有源层221、所述图案化的第一层栅极金属层223、所述图案化的第二层栅极金属层225、所述图案化的源漏金属层227，以及所述阵列层22中设置的数据线、扫描线等。
本申请OLED显示面板，通过在功能附加区内，对阳极层的阳极金属图案进行差异性设计，在保证功能附加区的显示功能正常的基础上，增加功能附加区的透光率；通过在功能附加区内形成阵列化的透光区域，减少了外界环境光的衍射及散射，进而使得设置于功能附加区的光学传感器对外界环境光进行算法还原时将更加容易。通过在所述功能附加区，将阵列层的驱动电路集中设计，增大了外界环境光的进光面积；通过在所述功能附加区，将与发光单元对应的，图案化的阳极金属和驱动电路的金属走线部分重叠，从而减小所述功能附加区的走线密度，最大限度地提升OLED显示面板在功能附加区的透光率，实现真正意义上的全面屏。
基于同一发明构思，本申请还提供了一种OLED显示面板的制备方法。
请一并参阅图6-图9，本申请所述OLED显示面板的制备方法的制备流程图。本申请所述OLED显示面板的制备方法包括如下步骤：S1、提供一衬底基板；S2、在所述衬底基板上制备一阵列层；S3、在所述阵列层上生长ITO/Ag/ITO形成一阳极层，并对所述阳极层进行图案化处理；以及S4、在所述阳极层上形成一像素定义层及一支撑层。
关于步骤：S1、提供一衬底基板，请参阅图6。如图6所示，本申请所提供的衬底基板21的显示区域划分有：至少一个功能附加区201以及围绕所述功能附加区201设置的正常显示区202。在本实施例中，所述衬底基板21可以包括依次设置的一柔性层211、一水氧阻隔层(Barrier layer)212以及一缓冲层(Buffer layer)213。其中，所述柔性层211的材料可以为聚酰亚胺(PI)，以利于提升面板的弯折性能。
关于步骤：S2、在所述衬底基板上制备一阵列层，请一并参阅图7-图8。
如图7所示，通过在所述衬底基板21上沉积有源层材料，曝光蚀刻形成图案化的有源层(Active layer)221；在所述图案化的有源层221上形成第一层栅极绝缘层(GI1)222；在所述第一层栅极绝缘层222上沉积栅极金属材料，曝光蚀刻形成图案化的第一层栅极金属层(GE1)223；在所述图案化的第一层栅极金属层223上形成第二层栅极绝缘层(GI2)224；在所述第二层栅极绝缘层224上沉积栅极金属材料，曝光蚀刻形成图案化的第二层栅极金属层(GE2)225；在所述图案化的第二层栅极金属层225上形成层间绝缘层(ILD Layer)226。需要说明的是，在其它实施例中，所述阵列层22也可以仅包括一层图案化的栅极金属层以及相应的栅极绝缘层。
如图8所示，通过在所述层间绝缘层226上进行曝光显影，形成源/漏极接触孔，并沉积源漏金属材料(例如通过溅镀方式)，曝光蚀刻形成图案化的源漏金属层(SD)227；其中，所述图案化的源漏金属层227中的源/漏极，通过相应的源/漏极接触孔，与所述图案化的有源层221的源/漏极接触区接触。在所述图案化的源漏金属层227上形成有机平坦层(PLN)228(例如通过涂布有机光阻方式)。
其中，在对应所述功能附加区201，形成所述阵列层22的驱动电路的所述图案化的有源层221、所述图案化的第一层栅极金属层223、所述图案化的第二层栅极金属层225及所述图案化的源漏金属层227，集中排布；可参考图3所示。例如，集中排布在对应阵列化的透光区域301中的相邻两列透光区域301之间的区域处，并与相应的发光单元对应设置。
关于步骤：S3、在所述阵列层上生长ITO/Ag/ITO形成一阳极层，请参阅图9。如图9所示，通过在所述有机平坦层228上进行曝光显影，形成阳极接触孔，并生长ITO/Ag/ITO作为阳极金属形成一阳极层(ANO)231，并对所述阳极层231进行图案化处理。其中，图案化处理后所述阳极层231中的阳极，通过相应的阳极接触孔，与相应的源/漏极接触。例如，通过曝光蚀刻进行图案化，以在对应所述正常显示区202形成第一图案化的阳极金属2311，在对应所述功能附加区201形成多个透光区域301、多个像素电极区域302、以及围绕所述透光区域301和所述像素电极区域302设置的不透光区域303(可参考图3所示)。其中，在对应所述正常显示区202形成的所述第一图案化的阳极金属2311用作所述正常显示区202的OLED器件的阳极；在所述像素电极区域302形成有第二图案化的阳极金属2312，其用作所述像素电极区域302的OLED器件的阳极；在所述透光区域301所述阳极层231的金属全部被去除；在所述不透光区域303的阳极金属被保留，以利用其中Ag层的反光性，使得外界环境光仅从所述透光区域301入射。
所述阳极层231采用ITO/Ag/ITO叠层结构，由于含Ag层的阳极的反光性能较强，使得所述发光功能层23中发光单元发出的光线无法穿透阳极，避免光损失，提高微腔效应，提高器件的出光效率。
进一步的实施例中，在所述功能附加区201，所述第二图案化的阳极金属2312在所述阵列层22上的投影与所述驱动电路的金属走线至少部分重叠，从而减小所述功能附加区的走线密度，最大限度地提升OLED显示面板在功能附加区的透光率。
进一步的实施例中，多个所述透光区域301在所述功能附加区201阵列排布(可参考图3所示)。通过形成阵列化的透光区域301，使得外界环境光入射时形成均一的阵列光，减少了外界环境光的衍射及散射，更有利于设置于所述功能附加区201的光学传感器(例如屏下摄像头的传感器)的算法还原。所述透光区域301的图案形状为圆形、矩形、菱形的任意其中之一。
关于步骤：S4、在所述阳极层上形成一像素定义层及一支撑层，请参阅图2。如图2所示，通过在所述阳极层231上涂布有机光阻，并曝光显影形成像素定义层(PDL)232及支撑层(PS)233。
至此，完成所述OLED显示面板的阵列基板的制作。
进一步的实施例中，所述方法进一步包括：在所述像素定义层232所定义的像素区进行发光材料蒸镀，形成多个发光单元234(可参考图3所示)；其中，在所述功能附加区201，所述发光单元234形成在对应所述第二图案化的阳极金属2312处。待完成OLED发光材料蒸镀制程，以及后续的封装制程及模组制程后，前置摄像头等光学传感器就可以安装在对应所述功能附加区201的下方。
基于同一发明构思，本申请还提供了一种OLED显示装置。
请参阅图10，本申请OLED显示装置的架构示意图。所述OLED显示装置100包括一OLED显示面板1001和至少一个光学传感器1002。所述OLED显示面板1001采用本申请上述的OLED显示面板；所述光学传感器1002设置于所述OLED显示面板1001的功能附加区1011对应位置处。所述光学传感器1002可以为摄像头、光学指纹传感器中的一个或多个。所述OLED显示装置可以包括显示模组，移动终端(如智能手机)，固定终端(如电脑)等。
例如，所述光学传感器1002为摄像头，在需要显示的时候，所述功能附加区1011和所述OLED显示面板1001的显示区域1012同样进行显示；而在需要摄像的时候，所述功能附加区1011不进行显示，只用于摄像头采光及摄像，所述显示区域1012实时显示取景画面。
由于通过在功能附加区内，对阳极层的阳极金属图案进行差异性设计，因此，在保证功能附加区的显示功能正常的基础上，增加功能附加区的透光率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本申请权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括一阳极层；其特征在于，所述OLED显示面板的显示区域包括：至少一个功能附加区以及围绕所述功能附加区设置的正常显示区；
在所述功能附加区，所述阳极层划分有多个透光区域、多个像素电极区域、以及围绕所述透光区域和所述像素电极区域设置的不透光区域；
其中，在所述正常显示区设置有第一图案化的阳极金属；在所述功能附加区的所述像素电极区域设置有第二图案化的阳极金属，在所述透光区域未设置阳极金属。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阳极层采用ITO/Ag/ITO叠层结构。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，多个所述透光区域在所述功能附加区阵列排布。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述透光区域的图案形状为圆形、矩形、菱形的任意其中之一。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板还包括一阵列层；在所述功能附加区，所述阵列层的与所述像素电极区域对应的驱动电路的金属走线采用集中排布方式，以增大所述功能附加区的外界环境光的进光面积。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，在所述功能附加区，所述第二图案化的阳极金属在所述阵列层上的投影与所述驱动电路的金属走线至少部分重叠。
7.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
提供一衬底基板，其中，所述衬底基板的显示区域划分有：至少一个功能附加区以及围绕所述功能附加区设置的正常显示区；
在所述衬底基板上制备一阵列层；
在所述阵列层上生长ITO/Ag/ITO形成一阳极层，并对所述阳极层进行图案化处理，以在对应所述正常显示区形成第一图案化的阳极金属，在对应所述功能附加区形成多个透光区域、多个像素电极区域、以及围绕所述透光区域和所述像素电极区域的不透光区域，其中，在所述像素电极区域形成有第二图案化的阳极金属，在所述透光区域所述阳极层的金属全部被去除；以及
在所述阳极层上形成一像素定义层及一支撑层。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的在所述衬底基板上制备一阵列层的步骤进一步包括：
在所述衬底基板上至少形成图案化的有源层、栅极绝缘层、图案化的栅极金属层及层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成图案化的源漏金属层；
在所述源漏金属层上形成有机平坦层；
其中，在对应所述功能附加区，形成所述阵列层的驱动电路的所述图案化的有源层、所述图案化的栅极金属层及所述图案化的源漏金属层，集中排布。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
在所述像素定义层所定义的像素区进行发光材料蒸镀，形成多个发光单元；
其中，在所述功能附加区，所述发光单元形成在对应所述第二图案化的阳极金属处。
10.一种OLED显示装置，其特征在于，所述装置包括：
一OLED显示面板，所述OLED显示面板采用权利要求1-6任一项所述的OLED显示面板；以及
至少一个光学传感器，所述光学传感器设置于所述OLED显示面板的功能附加区对应位置处。
CN202010583013.1A 2020-06-23 2020-06-23 Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 Active CN111668240B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010583013.1A CN111668240B (zh) 2020-06-23 2020-06-23 Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010583013.1A CN111668240B (zh) 2020-06-23 2020-06-23 Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111668240A CN111668240A (zh) 2020-09-15
CN111668240B true CN111668240B (zh) 2022-10-04

Family

ID=72389526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010583013.1A Active CN111668240B (zh) 2020-06-23 2020-06-23 Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111668240B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7016535B2 (ja) 2015-10-26 2022-02-07 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド パターン化されたコーティングを含む表面およびデバイス上のコーティングをパターン化する方法
JP2020518107A (ja) 2017-04-26 2020-06-18 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドＯｔｉ Ｌｕｍｉｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス
WO2018211460A1 (en) 2017-05-17 2018-11-22 Oti Lumionics Inc. Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
CN116456753A (zh) 2019-03-07 2023-07-18 Oti照明公司 一种光电子器件
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
KR20220046551A (ko) 2019-06-26 2022-04-14 오티아이 루미오닉스 인크. 광 회절 특성을 갖는 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스
CN112420959A (zh) * 2020-11-19 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置
US11985841B2 (en) 2020-12-07 2024-05-14 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
CN113113454B (zh) * 2021-03-26 2024-06-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113451534B (zh) * 2021-07-20 2023-06-09 合肥维信诺科技有限公司 显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015037889A1 (ko) * 2013-09-10 2015-03-19 경희대학교 산학협력단 전기 변색 소자와 유기 발광 소자를 구비하는 스마트 윈도우
CN109192759A (zh) * 2018-08-29 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
CN110112182A (zh) * 2019-04-10 2019-08-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及制备方法
CN110190099A (zh) * 2019-05-28 2019-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110190094A (zh) * 2019-05-22 2019-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、智能终端
CN110189627A (zh) * 2019-05-30 2019-08-30 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110391348A (zh) * 2019-07-23 2019-10-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110473898A (zh) * 2019-07-30 2019-11-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制作方法
CN110610970A (zh) * 2019-08-29 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法
CN110783487A (zh) * 2019-10-31 2020-02-11 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置及电子设备
CN111029381A (zh) * 2019-12-09 2020-04-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN111261688A (zh) * 2020-02-07 2020-06-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001035669A (ja) * 1999-07-27 2001-02-09 Minolta Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP5673782B1 (ja) * 2013-11-11 2015-02-18 凸版印刷株式会社 液晶表示装置
CN105070741A (zh) * 2015-09-02 2015-11-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及oled显示面板、显示装置
KR102324830B1 (ko) * 2016-01-26 2021-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015037889A1 (ko) * 2013-09-10 2015-03-19 경희대학교 산학협력단 전기 변색 소자와 유기 발광 소자를 구비하는 스마트 윈도우
CN109192759A (zh) * 2018-08-29 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
CN110112182A (zh) * 2019-04-10 2019-08-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及制备方法
CN110190094A (zh) * 2019-05-22 2019-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、智能终端
CN110190099A (zh) * 2019-05-28 2019-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110189627A (zh) * 2019-05-30 2019-08-30 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110391348A (zh) * 2019-07-23 2019-10-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110473898A (zh) * 2019-07-30 2019-11-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制作方法
CN110610970A (zh) * 2019-08-29 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法
CN110783487A (zh) * 2019-10-31 2020-02-11 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置及电子设备
CN111029381A (zh) * 2019-12-09 2020-04-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN111261688A (zh) * 2020-02-07 2020-06-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111668240A (zh) 2020-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111668240B (zh) Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
CN110061014B (zh) 一种显示面板及显示装置
US11882726B2 (en) OLED display panel and manufacturing method of the same
CN111883565B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN111697039B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN114864651A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN111293158B (zh) 显示面板和显示装置
KR20150051463A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN111430439A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN109859649B (zh) 一种透明显示面板及其制备方法和显示装置
CN113327941B (zh) 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法
CN112786812B (zh) 一种显示面板和显示装置
KR20060027337A (ko) 디스플레이
CN112928149A (zh) 显示面板和电子设备
CN114335394B (zh) 显示基板和显示装置
US20210408185A1 (en) Organic light-emitting diode display device
CN113178467B (zh) 显示面板及显示装置
CN113191190B (zh) 显示面板及显示装置
CN210516727U (zh) 透明显示面板、显示装置及其显示面板
CN113871428B (zh) 显示装置
CN115000090A (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN110047879B (zh) 一种显示面板以及电子装置
CN111863909A (zh) 一种显示基板、其制作方法及显示装置
CN216648313U (zh) 显示面板及显示装置
CN114512522B (zh) 显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant