CN113097269B - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括:衬底基板;设置于衬底基板上的像素发光层;设置于像素发光层远离衬底基板一侧的光致变色层;光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态、且在像素发光层不发光时呈非透光状态。本发明公开的方案能够降低显示面板显示区的反射光,降低显示面板的反射率,从而解决熄屏时产生的衍射问题。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,具有显示功能的电子设备被广泛应用于人们的日常生活及工作当中。
目前,通常采用去偏光片技术(又称COE(Color filter on Encapsulationlayer)技术)来降低显示器件的厚度和功耗。然而,去偏光片技术会带来反射率的提升,从而导致显示器件在熄屏时出现衍射条纹,以及熄屏时存在色偏的问题。
发明内容
本发明提供一种显示面板及显示装置,能够降低显示面板显示区的反射光,降低显示面板的反射率,从而解决熄屏时产生的衍射问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:
衬底基板;
设置于衬底基板上的像素发光层;
设置于像素发光层远离衬底基板一侧的光致变色层;光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态、且在像素发光层不发光时呈非透光状态。
如上的显示面板,可选地,像素发光层包括多个子像素单元,子像素单元包括:第一阳极;设置于第一阳极远离衬底基板一侧的发光层;设置于发光层远离衬底基板一侧的阴极;
光致变色层包括:设置于阴极远离衬底基板一侧的变色材料层;设置于变色材料层远离衬底基板一侧的离子存储层;设置于离子存储层远离衬底基板一侧的第二阳极。
如上的显示面板,可选地,变色材料层至少覆盖阴极对应发光层的区域,离子存储层至少覆盖变色材料层;第二阳极至少覆盖离子存储层;
优选地,变色材料层在衬底基板上的正投影与发光层在衬底基板上的正投影重合,第二阳极在衬底基板上的正投影与阴极在衬底基板上的正投影重合;
优选地,变色材料层在衬底基板上的正投影、离子存储层在衬底基板上的正投影、第二阳极在衬底基板上的正投影均与发光层在衬底基板上的正投影重合。
如上的显示面板,可选地,当像素发光层发光时,阴极输出第一信号,第一阳极输出第二信号,第二阳极输出第一信号;
当像素发光层不发光时,阴极输出第一信号,第一阳极输出第一信号,第二阳极输出第三信号;
优选地,第一信号为低电平信号,第二信号为高电平信号,第三信号为高电平信号;或者,第一信号为高电平信号,第二信号为低电平信号,第三信号为低电平信号。
如上的显示面板,可选地,子像素单元包括子像素M1-Mn,
当变色材料层在衬底基板上的正投影、离子存储层在衬底基板上的正投影、第二阳极在衬底基板上的正投影均与发光层在衬底基板上的正投影重合时,第二阳极包括子阳极A1-An;
其中,子阳极Aj在衬底基板上的正投影与子像素Mj的发光层在衬底基板上的正投影重合,n为大于等于3的整数,1≤j≤n。
如上的显示面板,可选地,还包括:设置于衬底基板和像素发光层之间的薄膜晶体管;
其中,薄膜晶体管包括:设置于衬底基板上的有源层,设置于有源层上的栅极绝缘层,设置于栅极绝缘层上的栅极,设置于栅极上的层间绝缘层,设置于层间绝缘层上的源极和漏极;
或者,薄膜晶体管包括:设置于衬底基板上的栅极,设置于栅极上的栅极绝缘层,设置于栅极绝缘层上的有源层,设置于有源层上的层间绝缘层,设置于层间绝缘层上的源极和漏极。
如上的显示面板,可选地,第一阳极与源极和漏极中的任一电连接,或者与栅极电连接。
如上的显示面板,可选地,还包括:
设置于光致变色层远离衬底基板一侧的封装层;
设置于封装层远离衬底基板一侧的触控层;
设置于触控层远离衬底基板一侧的功能层,功能层包括间隔设置的彩色滤光部和遮光部;
设置于功能层远离衬底基板一侧的盖板。
如上的显示面板,可选地,变色材料层的材料为有机光致变色材料和/或无机光致变色材料;
优选地,变色材料层的材料为三氧化钨。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括具有上述第一方面任一特征的显示面板。
本发明提供一种显示面板及显示装置,通过在像素发光层上设置光致变色层,光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态,保证显示面板的正常显示;在像素发光层不发光时呈非透光状态,降低显示面板显示区的反射光,降低显示面板的反射率,从而解决熄屏时产生的衍射问题,提高产品良率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种电极信号示意图;
图3是本发明实施例提供的一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图;
图4是本发明实施例提供的另一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图;
图5是本发明实施例提供的又一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图;
图6是本发明实施例提供的又一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图;
图7是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
同时,附图和实施例的描述是说明性的而不是限制性的。贯穿说明书的同样的附图标记表示同样的元件。另外,出于理解和易于描述,附图中可能夸大了一些层、膜、面板、区域等的厚度。同时可以理解的是,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在其它元件上或者也可以存在中间元件。另外,“在……上”是指将元件定位在另一元件上或者在另一元件下方,但是本质上不是指根据重力方向定位在另一元件的上侧上。为了便于理解,本发明附图中都是将元件画在另一元件的上侧。
另外,除非明确地描述为相反,否则词语“包括”和诸如“包含”或“具有”的变形将被理解为暗示包含该元件,但不排除任意其它元件。
还需要说明的是,本发明实施例中提到的“和/或”是指包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。本发明实施例中用“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种组件,但是这些组件不应该受这些术语限制。这些术语仅用来将一个组件与另一组件区分开。并且,除非上下文另有明确指示,否则单数形式“一个”、“一种”和“该()”也意图包括复数形式。
当可以不同地实施某个实施例时,具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如,两个连续描述的工艺可以基本上在同一时间执行或者按与所描述顺序相反的顺序来执行。
下面,对显示面板、显示装置的结构及其技术效果进行详细描述。
本发明实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板;设置于衬底基板上的像素发光层;设置于像素发光层远离衬底基板一侧的光致变色层;光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态、且在像素发光层不发光时呈非透光状态。
具体的,图1示出了本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。如图1所示,显示面板包括:衬底基板10;设置于衬底基板10上的薄膜晶体管11;设置于薄膜晶体管11远离衬底基板10一侧的像素发光层12;设置于像素发光层12远离衬底基板10一侧的光致变色层13;设置于光致变色层13远离衬底基板10一侧的封装层14;设置于封装层14远离衬底基板10一侧的触控层15;设置于触控层15远离衬底基板10一侧的功能层16,功能层16包括间隔设置的彩色滤光部和遮光部;设置于功能层16远离衬底基板10一侧的盖板17。
可以理解的是,显示面板通常包括显示区和非显示区。显示区为显示面板用于显示画面的区域,通常包括发光器件;非显示区围绕显示区,通常包括外围驱动元件、外围走线、扇出区。可选的,为了实现窄边框,若显示面板是柔性显示面板,非显示区还可以包括弯折区和非弯折区,弯折区位于非弯折区和显示区之间,可将显示面板的边框区域(位于非显示区)反折至显示面板的背面。本发明实施例公开的结构通常是指显示区的结构,对非显示区的结构不作具体限制。
薄膜晶体管11可以为顶栅结构的薄膜晶体管或者底栅结构的薄膜晶体管。
若薄膜晶体管为顶栅结构的薄膜晶体管,则薄膜晶体管包括:位于衬底基板上的有源层,位于有源层上的栅极绝缘层,位于栅极绝缘层上的栅极,位于栅极上的层间绝缘层,位于层间绝缘层上的源极和漏极;或者,若薄膜晶体管为底栅结构的薄膜晶体管,则薄膜晶体管包括:位于衬底基板上的栅极,位于栅极上的栅极绝缘层,位于栅极绝缘层上的有源层,位于有源层上的层间绝缘层,位于层间绝缘层上的源极和漏极。
除了上述实施例提到的膜层外,薄膜晶体管11还可以包括其他膜层。图1中以薄膜晶体管为顶栅结构的薄膜晶体管为例,具体的,该薄膜晶体管11包括:位于衬底基板10上的缓冲层110,位于缓冲层110上的有源层111,位于有源层111上的栅极绝缘层112,位于栅极绝缘层112上的栅极113,位于栅极113上的层间绝缘层114,位于层间绝缘层114上的源极115和漏极116;位于源极115和漏极116上的钝化层117;其中,源极115和漏极116可以位于同一层,通过一次构图工艺得到,因此,源极115和漏极116还可以称为源漏金属层。
具体的,衬底基板10可以是柔性的,因而可伸展、可折替、可弯曲或可卷曲,使得显示面板可以是可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。衬底基板10可以由具有柔性的任意合适的绝缘材料形成。衬底基板10可以用于阻挡氧和湿气,防止湿气或杂质通过柔性基底扩散,并且在衬底基板10的上表面上提供平坦的表面。
例如,可以由聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成,衬底基板10可以是透明的、半透明的或不透明的。
缓冲层110可以覆盖衬底基板10的整个上表面。例如,缓冲层110可以由从诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SioxNy)、氧化铝(AlOx)或氮化铝(AlNx)等无机材料中选择的材料或者诸如亚克力、聚酰亚胺(PI)或聚酯等有机材料中选择的材料形成。缓冲层110可以包括单层或多个层。缓冲层110可以阻挡衬底基板10中的杂质向其他膜层扩散。
有源层111位于缓冲层110上,有源层111包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域。在源极区域和漏极区域之间的区域是沟道区域。
有源层111可以是非晶硅材料、多晶硅材料或金属氧化物材料等。其中有源层采用多晶硅材料时可以采用低温非晶硅技术形成,即将非晶硅材料通过该激光熔融形成多晶硅材料。此外,还可以利用诸如快速热退火(RTA)法、固相结晶(SPC)法、准分子激光退火(ELA)法、金属诱导结晶(MIC)法、金属诱导横向结晶(MILC)法或连续横向固化(SLS)法等各种方法。
栅极绝缘层112包括诸如氧化硅、氮化硅的无机层,并且可以包括单层或多个层。栅极113位于栅极绝缘层112上。栅极层可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(MO)或铬(Cr)的单层或多层,或者诸如铝(Al):钕(Nd)合金以及钼(MO):钨(W)合金的合金。
层间绝缘层114位于栅极113上。层间绝缘层114可以由氧化硅或氮化硅等的绝缘无机层形成。可选择地,层间绝缘层114可以由绝缘有机层形成。
源漏金属层(即源极115和漏极116)位于层间绝缘层上。源极115和漏极116分别通过贯穿栅极绝缘层112和层间绝缘层114的接触孔电连接到源极区域和漏极区域。
钝化层117位于源漏金属层上。钝化层117可以由氧化硅或氮化硅等的无机层形成或者由有机层形成。示例性地,还可以包括位于钝化层117上的平坦化层。平坦化层包括亚克力、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等的有机层,平坦化层具有平坦化作用。
像素发光层12包括多个子像素单元120,任意相邻的两个子像素单元120被像素限定层(PDL)121隔开。在远离衬底基板10的方向上,子像素单元120依次包括:第一阳极120a、空穴注入层(图1中未画出)、空穴传输层(图1中未画出)、发光层120b、电子传输层(图1中未画出)、电子注入层(图1中未画出)、阴极120c。
在一实施例中,第一阳极120a通过过孔与源极115和漏极116中的任一电连接(如图1所示,第一阳极120a通过过孔与源极115电连接),或者,第一阳极120a还可以与栅极113电连接,从而实现对子像素单元120的驱动。
光致变色层13包括:设置于阴极120c远离衬底基板10一侧的变色材料层130;设置于变色材料层130远离衬底基板10一侧的离子存储层131;设置于离子存储层131远离衬底基板10一侧的第二阳极132。
参考图1可知,像素发光层12和光致变色层13共用阴极120c,如此可以节省Mask数,节约成本,同时限制屏体厚度的增加。变色材料层130为光致变色材料,离子存储层131用于存储变色材料层130在接收电子后释放出的离子。
图2示出了本发明实施例提供的一种电极信号示意图。当像素发光层12发光时,阴极120c输出第一信号,第一阳极120a输出第二信号,阴极120c和第一阳极120a之间具有电压差,导致发光层120b发光,此时第二阳极132输出第一信号,阴极120c和第二阳极132之间不具有电压差,光致变色层13不工作,变色材料层130不发生变色,仍旧为可以透光的状态,保证显示面板的正常显示;当像素发光层12不发光时,阴极120c输出第一信号,第一阳极120a输出第一信号,阴极120c和第一阳极120a之间不具有电压差,发光层120b不发光,此时第二阳极132输出第三信号,阴极120c和第二阳极132之间具有电压差,光致变色层13工作,离子存储层131用于存储变色材料层130在接收电子后释放出的离子,断电后离子可再释放出来,并进入到发光层120b中,变色材料层130从透明色变为暗色(如黑色、深灰色等),即光致变色层13呈非透光状态,降低显示面板显示区的反射光,降低显示面板的反射率,从而解决熄屏时产生的衍射问题,提高产品良率。
在一实施例中,第一信号为低电平信号,第二信号为高电平信号,第三信号为高电平信号;或者,第一信号为高电平信号,第二信号为低电平信号,第三信号为低电平信号。
在一实施例中,变色材料层130采用有机光致变色材料和/或无机光致变色材料制作;离子存储层131可为无机材料或者有机材料。
有机光致变色材料可以为螺吡喃类材料、俘精酸醉类材料、二芳基乙烯类材料、偶氮苯类材料中的至少一种;无机光致变色材料可以为过渡金属氧化物、金属卤化物、稀土配合物中的至少一种。
可选的,变色材料层130的材料为三氧化钨。
在一实施例中,为了保证降低显示面板的反射率的效率,变色材料层130、离子存储层131和第二阳极132需要满足如下条件:变色材料层130至少覆盖阴极120c对应发光层120b的区域,离子存储层131至少覆盖变色材料层130;第二阳极132至少覆盖离子存储层131。
具体的,结合实际生产,变色材料层130、离子存储层131和第二阳极132之间的关系可以包括以下四种情形中的任意一种:
情形一、图3示出了本发明实施例提供的一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图。如图3所示,变色材料层130在衬底基板10上的正投影、离子存储层131在衬底基板10上的正投影、第二阳极132在衬底基板10上的正投影均与阴极120c在衬底基板10上的正投影重合。
即变色材料层130、离子存储层131和第二阳极132均整面覆盖阴极120c,如此,变色材料层130、离子存储层131和第二阳极132不需要进行构图工艺,制作方式简单。
情形二、图4示出了本发明实施例提供的另一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图。如图4所示,变色材料层130在衬底基板10上的正投影与发光层120b在衬底基板10上的正投影重合,离子存储层131和第二阳极132在衬底基板10上的正投影均与阴极120c在衬底基板10上的正投影重合。
情形三、图5示出了本发明实施例提供的又一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图。如图5所示,变色材料层130和离子存储层131在衬底基板10上的正投影均与发光层120b在衬底基板10上的正投影重合,第二阳极132在衬底基板10上的正投影与阴极120c在衬底基板10上的正投影重合。
上述情形二和情形三,既可以节约变色材料层130的用料,又能够降低第二阳极132的驱动难度。
情形四、图6示出了本发明实施例提供的又一种变色材料层、离子存储层和第二阳极之间的膜层示意图。如图6所示,变色材料层130在衬底基板10上的正投影、离子存储层131在衬底基板10上的正投影、第二阳极132在衬底基板10上的正投影均与发光层120b在衬底基板10上的正投影重合。
在上述情形四中,子像素单元包括子像素M1-Mn,第二阳极包括子阳极A1-An,子阳极Aj在衬底基板上的正投影与子像素Mj的发光层在衬底基板上的正投影重合,n为大于等于3的整数,1≤j≤n。
如此,可以通过检测反射色相颜色,对不同颜色的子像素上方的光致变色层13进行独立控制,进而可以实现不同反射色相的精准调整。
在一实施例中,不同颜色的子像素上方的变色材料层130的材料可以不同。
遮光部采用透光率小于或等于10%的遮光材料制作形成,例如采用黑色树脂材料制作形成。例如,遮光部为黑矩阵。遮光部在显示面板中的设置位置,一般根据实际需求选择设置。示例性的,每个像素驱动电路中的各薄膜晶体管11在衬底基板10上的正投影位于同一子像素对应的遮光部在衬底基板10上的正投影范围内。这样能够确保各遮光部对相应的像素驱动电路中的各薄膜晶体管11进行遮光,从而避免光照对各薄膜晶体管11的导电性能产生不良影响。
彩色滤光部采用不同颜色的滤光材料制作形成。在显示面板采用RGB色彩显示模式的情况下,彩色滤光部包括红色滤光部、绿色滤光部以及蓝色滤光部。每个彩色滤光部通常位于对应子像素的开口区,也即每一子像素内的发光层120b在衬底基板10上的正投影位于对应的彩色滤光部在衬底基板10上的正投影范围内,该发光层120b的出射光能够穿过对应的彩色滤光部,以实现显示基板的彩色显示。另外,彩色滤光部设置在显示面板的封装层14上(Color Filter on Encapsulation,简称COE)还可以有效减薄显示面板的厚度,从而提高显示面板的弯折性能,有利于实现显示面板的超薄化。
本发明提供一种显示面板,包括:衬底基板;设置于衬底基板上的像素发光层;设置于像素发光层远离衬底基板一侧的光致变色层;光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态、且在像素发光层不发光时呈非透光状态。通过在像素发光层上设置光致变色层,光致变色层在像素发光层发光时呈透光状态,保证显示面板的正常显示;在像素发光层不发光时呈非透光状态,降低显示面板显示区的反射光,降低显示面板的反射率,从而解决熄屏时产生的衍射问题,提高产品良率。
本发明实施例还提供一种显示装置,图7示出了本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图7所示,该显示装置70包括本发明任意实施例提供的显示面板71。
显示装置70还可以包括前摄像头和传感器。前摄像头和传感器对应设置于显示面板71的显示区下方。可选的,除了前摄像头和传感器外,显示区下方还可以设置有其他器件,例如陀螺仪或听筒等器件。
其中,显示面板71可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板、平面转换(In-Plane Switching,IPS)显示面板、扭曲向列型(TwistedNematic,TN)显示面板、垂直配向技术(Vertical Alignment,VA)显示面板、电子纸、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes,量子点发光)显示面板或者micro LED(微发光二极管,μLED)显示面板等显示面板中的任意一种,本发明对此并不具体限制。显示面板71的发光模式可以是顶发光、底发光或者双面发光。
本发明实施例提供的显示装置70,可以应用在智能穿戴设备(如智能手环、智能手表)中,也可以应用在智能手机、平板电脑、显示器等设备中。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (13)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
设置于所述衬底基板上的像素发光层;
设置于所述像素发光层远离所述衬底基板一侧的光致变色层;所述光致变色层在所述像素发光层发光时呈透光状态、且在所述像素发光层不发光时呈非透光状态;
设置于所述光致变色层远离所述衬底基板一侧的封装层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素发光层包括多个子像素单元,所述子像素单元包括:第一阳极;设置于所述第一阳极远离所述衬底基板一侧的发光层;设置于所述发光层远离所述衬底基板一侧的阴极;
所述光致变色层包括:设置于所述阴极远离所述衬底基板一侧的变色材料层;设置于所述变色材料层远离所述衬底基板一侧的离子存储层;设置于所述离子存储层远离所述衬底基板一侧的第二阳极。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述变色材料层至少覆盖所述阴极对应所述发光层的区域,所述离子存储层至少覆盖所述变色材料层;所述第二阳极至少覆盖所述离子存储层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述变色材料层在所述衬底基板上的正投影与所述发光层在所述衬底基板上的正投影重合,所述第二阳极在所述衬底基板上的正投影与所述阴极在所述衬底基板上的正投影重合。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述变色材料层在所述衬底基板上的正投影、所述离子存储层在所述衬底基板上的正投影、所述第二阳极在所述衬底基板上的正投影均与所述发光层在所述衬底基板上的正投影重合。
6.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,
当所述像素发光层发光时,所述阴极输出第一信号,所述第一阳极输出第二信号,所述第二阳极输出第一信号;
当所述像素发光层不发光时,所述阴极输出第一信号,所述第一阳极输出第一信号,所述第二阳极输出第三信号。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述子像素单元包括子像素M1-Mn,
当所述变色材料层在所述衬底基板上的正投影、所述离子存储层在所述衬底基板上的正投影、所述第二阳极在所述衬底基板上的正投影均与所述发光层在所述衬底基板上的正投影重合时,所述第二阳极包括子阳极A1-An;
其中,子阳极Aj在所述衬底基板上的正投影与子像素Mj的发光层在所述衬底基板上的正投影重合,n为大于等于3的整数,1≤j≤n。
8.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:设置于所述衬底基板和所述像素发光层之间的薄膜晶体管;
其中,所述薄膜晶体管包括:设置于所述衬底基板上的有源层,设置于所述有源层上的栅极绝缘层,设置于所述栅极绝缘层上的栅极,设置于所述栅极上的层间绝缘层,设置于所述层间绝缘层上的源极和漏极;
或者,所述薄膜晶体管包括:设置于所述衬底基板上的栅极,设置于所述栅极上的栅极绝缘层,设置于所述栅极绝缘层上的有源层,设置于所述有源层上的层间绝缘层,设置于所述层间绝缘层上的源极和漏极。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一阳极与所述源极和所述漏极中的任一电连接,或者与所述栅极电连接。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
设置于所述封装层远离所述衬底基板一侧的触控层;
设置于所述触控层远离所述衬底基板一侧的功能层,所述功能层包括间隔设置的彩色滤光部和遮光部;
设置于所述功能层远离所述衬底基板一侧的盖板。
11.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述变色材料层的材料为有机光致变色材料和/或无机光致变色材料。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述变色材料层的材料为三氧化钨。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-12中任意一项所述的显示面板。
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