JP2020522722A - 有機発光ダイオードアレイ基板及びその製造方法、表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 132
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 97
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims 2
- FJMNNXLGOUYVHO-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc Chemical compound [Al].[Zn] FJMNNXLGOUYVHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 160
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 9
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HUDCVFFIBYXETG-UHFFFAOYSA-N [Al].[Ti].[Mo] Chemical compound [Al].[Ti].[Mo] HUDCVFFIBYXETG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KIGWXGQMMKJTBW-UHFFFAOYSA-N [Mo].[Nb].[Ni] Chemical compound [Mo].[Nb].[Ni] KIGWXGQMMKJTBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UNQHSZOIUSRWHT-UHFFFAOYSA-N aluminum molybdenum Chemical compound [Al].[Mo] UNQHSZOIUSRWHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNTVPKHKFIYODU-UHFFFAOYSA-N aluminum niobium Chemical compound [Al].[Nb] QNTVPKHKFIYODU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N molybdenum nickel Chemical compound [Ni].[Mo] DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N molybdenum niobium Chemical compound [Nb].[Mo] DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEBJSGQWYJIENF-UHFFFAOYSA-N nickel niobium Chemical compound [Ni].[Nb] FEBJSGQWYJIENF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RJSRQTFBFAJJIL-UHFFFAOYSA-N niobium titanium Chemical compound [Ti].[Nb] RJSRQTFBFAJJIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Cu] Chemical compound [Cr].[Cu] GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N chromium molybdenum Chemical compound [Cr].[Mo] VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- -1 region Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
有機発光ダイオードアレイ基板及びその製造方法、表示装置であって、該有機発光ダイオードアレイ基板は、ベース基板２０１と、前記ベース基板２０１に設置される第１金属層２０２と、前記第１金属層２０２の、前記ベース基板２０１から離れる側に設置される第１絶縁層２０３と、前記第１絶縁層２０３の、前記ベース基板２０１から離れる側に設置される第２金属層２０４と、を含み、前記第１金属層２０２が第１電源配線２０５を含み、前記第２金属層２０４が第２電源配線２０６を含み、前記第２電源配線２０６が前記第１絶縁層２０３の第１ビアホール構造２０７を貫通することによって、前記第１電源配線２０５に並列接続される。該アレイ基板において、第１電源配線と第２電源配線は第１ビアホール構造によって並列接続され、電圧降下を低減することができる。
Description
本開示の実施例は、有機発光ダイオードアレイ基板及びその製造方法、表示装置に関する。
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、有機発光デバイス）ディスプレイは次世代のディスプレイであり、液晶ディスプレイに比べ、自己発光、高速応答及び広視野角等の利点を持ち、フレキシブル表示、透明表示、３Ｄ表示等に用いられている。
本開示の少なくとも１つの実施例は有機発光ダイオードアレイ基板を提供し、ベース基板と、前記ベース基板に設置される第１金属層と、前記第１金属層の、前記ベース基板から離れる側に設置される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の、前記ベース基板から離れる側に設置される第２金属層と、をみ、前記第１金属層が第１電源配線を含み、前記第２金属層が第２電源配線を含み、前記第２電源配線が前記第１絶縁層の第１ビアホール構造を貫通することによって、前記第１電源配線に並列接続される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記第１金属層の材料の抵抗率は前記第２金属層の材料の抵抗率より小さい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記第１金属層の材料は銅、銅合金、銀、銀合金のうち少なくとも１つを含み、前記第２金属層の材料はニッケル、モリブデン、ニオブ、アルミニウム、チタン及びそれらの任意の組み合わせで形成された合金のうち少なくとも１つを含む。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記第１金属層の材料は銅、銅合金、銀、銀合金のうち少なくとも１つを含み、前記第２金属層の材料はニッケル、モリブデン、ニオブ、アルミニウム、チタン及びそれらの任意の組み合わせで形成された合金のうち少なくとも１つを含む。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記第２電源配線は前記第１絶縁層における少なくとも２つの前記第１ビアホール構造を貫通することによって、前記第１電源配線に並列接続される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記第１電源配線の幅は前記第２電源配線の幅より大きい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記第１電源配線の幅は前記第２電源配線の幅より大きい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記第１電源配線は面状構造を有する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板は画素構造をさらに含み、前記画素構造は駆動トランジスタを含み、前記駆動トランジスタはゲート電極とゲート絶縁層と第２絶縁層と第１電極を含み、前記第１電極は前記第２絶縁層と前記ゲート絶縁層の第２ビアホール構造を貫通することによって、前記第２電源配線に電気的接続される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板は画素構造をさらに含み、前記画素構造は駆動トランジスタを含み、前記駆動トランジスタはゲート電極とゲート絶縁層と第２絶縁層と第１電極を含み、前記第１電極は前記第２絶縁層と前記ゲート絶縁層の第２ビアホール構造を貫通することによって、前記第２電源配線に電気的接続される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記ゲート電極の材料が前記第２電源配線の材料と同じであり、前記ゲート電極と前記第２電源配線が同層に位置し、且つ互いに離間して設置される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記駆動トランジスタは活性層をさらに含み、前記活性層の材料が透明導電材料である。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記駆動トランジスタは活性層をさらに含み、前記活性層の材料が透明導電材料である。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオードアレイ基板において、前記透明導電材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）のうち少なくとも１つを含む。
本開示の少なくとも１つの実施例は上述したいずれかの有機発光ダイオードアレイ基板を含む表示装置をさらに提供する。
本開示の少なくとも１つの実施例は有機発光ダイオードアレイ基板の製造方法をさらに提供し、ベース基板を提供することと、前記ベース基板に第１金属膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行って第１金属層を形成することと、前記第１金属層の、前記ベース基板から離れる側に第１絶縁薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行い第１絶縁層を形成することと、前記第１絶縁層の、前記ベース基板から離れる側に第２金属薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行い第２金属層を形成することと、を含み、前記第１金属層が第１電源配線を含み、前記第２金属層が第２電源配線を含み、前記第２電源配線が前記第１絶縁層における第１ビアホール構造を貫通することによって第１電源配線に並列接続される。
本開示の少なくとも１つの実施例は有機発光ダイオードアレイ基板の製造方法をさらに提供し、ベース基板を提供することと、前記ベース基板に第１金属膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行って第１金属層を形成することと、前記第１金属層の、前記ベース基板から離れる側に第１絶縁薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行い第１絶縁層を形成することと、前記第１絶縁層の、前記ベース基板から離れる側に第２金属薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行い第２金属層を形成することと、を含み、前記第１金属層が第１電源配線を含み、前記第２金属層が第２電源配線を含み、前記第２電源配線が前記第１絶縁層における第１ビアホール構造を貫通することによって第１電源配線に並列接続される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記第１金属層の材料の抵抗率は前記第２金属層の材料の抵抗率より小さい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記第１電源配線の幅は前記第２電源配線の幅より大きい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法は画素構造を形成することをさらに含み、前記画素構造を形成することは駆動トランジスタを形成することを含み、前記駆動トランジスタを形成することはゲート電極とゲート絶縁層と第２絶縁層と第１電極を形成することを含み、前記第１電極は前記第２絶縁層と前記ゲート絶縁層の第２ビアホール構造を貫通することによって、前記第２電源配線に電気的接続される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記第１電源配線の幅は前記第２電源配線の幅より大きい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法は画素構造を形成することをさらに含み、前記画素構造を形成することは駆動トランジスタを形成することを含み、前記駆動トランジスタを形成することはゲート電極とゲート絶縁層と第２絶縁層と第１電極を形成することを含み、前記第１電極は前記第２絶縁層と前記ゲート絶縁層の第２ビアホール構造を貫通することによって、前記第２電源配線に電気的接続される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記ゲート電極の材料が前記第２電源配線の材料と同じであり、前記ゲート電極と前記第２電源配線が同層に設置され、且つ互いに離間して設置される。
本開示の実施例の技術案をより明瞭に説明するために、以下では実施例の図面を簡単に説明し、明らかなように、下記図面は単に本開示の一部の実施例に過ぎず、本開示を限定するものではない。
本開示の実施例の目的、技術案及び利点をより明瞭にするために、以下では本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案を明瞭で、完全に説明する。勿論、説明した実施例は本開示の一部の実施例に過ぎず、全ての実施例ではない。説明した本開示の実施例に基づいて、当業者が進歩性のある労働を必要とせずに得られる全ての他の実施例は、本開示の保護範囲に属する。
特に定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は当業者が理解可能な一般的なの意味である。本開示に使用される「第一」、「第二」及び類似する単語は、順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成部材を区別するものだけである。「含む」又は「備える」のような用語は該用語前に現れた素子又はデバイスが該用語後に現れる素子又はデバイス及びその同等物をカバーすることを意味し、他の素子又はデバイスを排除しない。「接続」又は「連結」のような用語は物理的又は機械的接続に限定されず、直接か間接に関わらず電気的接続を含む。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を示すものに過ぎず、説明する対象の絶対位置が変わると、該相対位置関係も変わる。
特に定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は当業者が理解可能な一般的なの意味である。本開示に使用される「第一」、「第二」及び類似する単語は、順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成部材を区別するものだけである。「含む」又は「備える」のような用語は該用語前に現れた素子又はデバイスが該用語後に現れる素子又はデバイス及びその同等物をカバーすることを意味し、他の素子又はデバイスを排除しない。「接続」又は「連結」のような用語は物理的又は機械的接続に限定されず、直接か間接に関わらず電気的接続を含む。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を示すものに過ぎず、説明する対象の絶対位置が変わると、該相対位置関係も変わる。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板は複数の画素ユニットを含み、各画素ユニットはスイッチトランジスタと、駆動トランジスタと、ＯＬＥＤ表示デバイスとを含んでもよい。ＯＬＥＤは電流型発光デバイスであり、主にアノードと、カソードと、アノードとカソードとの間に形成される有機材料機能層とを含む。ＯＬＥＤの主な動作原理は、有機材料機能層が、アノードとカソードによって形成された電界に駆動され、キャリアの注入と再結合によって発光することである。ＯＬＥＤのアノードまたはカソードに電気的接続される駆動トランジスタは電流制限という機能をし、駆動トランジスタの電極材料の抵抗率または電源配線の抵抗が大きすぎると、電圧降下が大きくなり、それに、該電圧降下は異なる位置に位置する画素ユニットに対して異なる影響を与え、表示の均一性に対して不利な影響を与えてしまう。
図１は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の断面構造を示す模式図である。図１に示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板はベース基板１０１と、ベース基板１０１に設置される駆動トランジスタを含み、該駆動トランジスタに連なる有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）と、蓄電コンデンサなど（図示せず）とをさらに含む。該駆動トランジスタは、ゲート電極１０２と、ソース電極と、ドレーン電極とを含み、電源配線１０８とゲート電極１０２とは同じパターニングプロセスにおいて形成され、且つ同じ材料を有し、例えば、電源配線１０８とゲート電極１０２とはいずれもアルミニウム金属材料であり、該電源配線１０８と該ゲート電極１０２とが同層に設置され且つ互いに離間される。該駆動トランジスタは、ゲート電極１０２と電源配線１０８に設置されるゲート絶縁層１０３と、ゲート絶縁層１０３に設置される活性層１０４と、をさらに含み、該活性層１０４に絶縁層１０５が設置され、絶縁層１０５に第１ソースドレーン電極１０６（例えばソース電極またはドレーン電極）と第２ソースドレーン電極１０７（対応して、例えばソース電極またはドレーン電極）が設置される。一対の隣り合う画素ユニットの駆動トランジスタにおいて、一方の駆動トランジスタの第１ソースドレーン電極１０６は他方の駆動トランジスタの第１ソースドレーン電極１０６に接続され、且つ該接続された一方の駆動トランジスタの第１ソースドレーン電極１０６と他方の駆動トランジスタの第１ソースドレーン電極１０６が、絶縁層１０５とゲート絶縁層１０３におけるビアホール構造を貫通することによって、電源配線１０８に電気的接続される。
従来、安定性の良いアルミニウム金属材料で駆動トランジスタの電極を製造するプロセスがより成熟しているが、アルミニウム金属の抵抗率が高く、アルミニウム金属で駆動トランジスタの電極（例えば、ゲート電極、第１ソースドレーン電極、第２ソースドレーン電極など）と電源配線を形成する際に、生じた電圧降下が大きく、該大きな電圧降下が、表示デバイスの表示の均一性に対して不利な影響を与えてしまう。通常、電圧降下を低減するように、アルミニウム電極またはアルミニウム金属配線の幅の値を非常に大きく設置しているが、電極または金属配線の幅が大きい場合、開口率が低減され、生産コストが増加される。
銅または銀の金属材料の抵抗率が低くて、銅金属材料または銀金属材料で駆動トランジスタの電極（例えば、ゲート電極、第１ソースドレーン電極、第２ソースドレーン電極）と電源配線を形成する際に、生成される電圧降下が小さくなるが、銅金属と銀金属が酸化されやすくて、それに、銅金属材料または銀金属材料で形成された金属膜層に対してパターニングを行う過程において、エッチング液が銅金属材料または銀金属材料に対するエッチング速度が低くて、且つエッチングの度合いが制御されにくくて、よって、形成される銅金属電極または銀金属電極の均一性が低減されることに、本開示の発明者は気づいた。上述した分析に基づいて、もし駆動トランジスタの電極をアルミニウム金属材料で製造し、駆動トランジスタのゲート電極を製造するプロセス過程において第２電源配線を形成し、銅金属材料で第１電源配線を形成し、第１電源配線と第２電源配線をビアホール構造によって接続すれば、電源配線（第１電源配線と第２電源配線を含み）の抵抗を低減することができ、よって、全体的に電圧降下を低減することができ、また、安定性の良いアルミニウムなどの金属材料で電源配線を形成する際に電圧降下が大きくなる問題と、抵抗率の低い銅または銀、または銅と銀の少なくとも１つを含む金属合金で金属電極を形成する際にプロセスが成熟していない問題と、を同時に避けることができることを、本開示の発明者は発見した。
本開示の少なくとも１つの実施例は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板を提供し、ベース基板と、該ベース基板に設置される第１金属層と、第１金属層の、ベース基板から離れる側に設置される第１絶縁層と、第１絶縁層の、ベース基板から離れる側に設置される第２金属層と、を含み、第１金属層が第１電源配線を含み、第２金属層が第２電源配線を含み、第２電源配線が第１絶縁層の第１ビアホール構造を貫通することによって、第１電源配線に並列接続される。
本開示の実施例は、安定性の良いアルミニウムなどの金属材料で駆動トランジスタの電極と第２電源配線を形成し、抵抗率の低い銅または銀、または銅と銀の少なくとも１つを含む金属合金で第１電源配線を形成し、且つ第１電源配線と第２電源配線がビアホール構造で並列接続することによって、電圧降下を低減させる。このようにして、安定性の良いアルミニウムなどの金属材料で電源配線を形成する際に電圧降下が大きくなる問題と、抵抗率の低い銅または銀、または銅と銀の少なくとも１つを含む金属合金で金属電極を形成する際にプロセスが成熟していない問題と、を同時に避けることができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板を提供し、図２ａは本開示の１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の断面構造を示す模式図である。例えば、図２ａに示すように、該有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板は、ベース基板２０１と、該ベース基板２０１に設置される第１金属層２０２と、第１金属層２０２の、ベース基板２０１から離れる側に設置される第１絶縁層２０３と、第１絶縁層２０３の、ベース基板２０１から離れる側に設置される第２金属層２０４と、を含み、該第１金属層２０２が第１電源配線２０５を含み、第２金属層２０４が第２電源配線２０６を含み、該第２電源配線２０６が第１絶縁層２０３における第１ビアホール構造２０７を貫通し、第１電源配線２０５に並列接続される。該第２金属層２０４は第２電源配線２０６と同層に設置される金属電極を含んでもよく、よって、プロセスのステップを減少し、プロセス過程の複雑性を低減することができる。例示的に、図２ａにおいて、第２電源配線２０６と駆動トランジスタのゲート電極２０８とは同層に設置される。
例えば、該ＯＬＥＤアレイ基板は表示領域と表示領域以外の周辺領域を含み、表示領域がＡＡ（Ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ）エリアとも呼ばれ、一般的に表示の実現に用いられ、周辺領域が例えば駆動回路の設置と、表示パネルの封止などに用いられる。例えば、周辺領域において、第１電源配線２０５が第２電源配線２０６に電気的接続し、表示領域において、第１電源配線２０５が第２電源配線２０６に電気的接続し、よって、第１電源配線２０５と第２電源配線２０６が両端においてそれぞれ接続して並列回路を形成し、または第１電源配線２０５と第２電源配線２０６との互いに接続される位置がいずれも表示エリアの中に位置してもよい。第１電源配線２０５が電圧信号を受けて伝送し、且つ電圧信号が第１電源配線２０５に接続される第２電源配線２０６に到着する際に、第２電源配線２０６が電圧信号伝送の分岐として、第１電源配線２０５と同時に電圧信号を伝送し、このようにして、第１電源配線２０５と第２電源配線２０６が並列回路を形成することに相当し、電気信号の伝送過程における抵抗が低減される。または、第２電源配線２０６が先に電圧信号を受けて、電圧信号が第２電源配線２０６に電気的接続される第１電源配線２０５に到着する際に、第１電源配線２０５が電圧信号伝送の分岐として第２電源配線２０６と同時に電圧信号を伝送するようにしてもよい。または、第１電源配線２０５と第２電源配線２０６が電圧信号を同時に受けて、２つの分岐として電圧信号を同時に伝送する。
例えば、第１金属層２０２の材料の抵抗率が第２金属層２０４の材料の抵抗率より小さい。このようにして、第２電源配線２０６と同層且つ同じ材料によって形成される金属電極と、第１電源配線２０５とは、異なる抵抗率の材料で形成されることができ、且つ第１電源配線２０５と第２電源配線２０６とが並列接続され、それによって、安定性のよいアルミニウムなどの金属材料で電源配線を形成する際に電圧降下が大きくなる問題と、抵抗率の低い銅または銀、または銅と銀の少なくとも１つを含む金属合金で金属電極を形成する際にプロセスが成熟していない問題と、を同時に避けることができる。
例えば、該第１金属層２０２の材料は銅、銅合金、銀、銀合金のうち少なくとも１つを含む。
例えば、該第２金属層２０４の材料はニッケル、モリブデン、ニオブ、アルミニウム、チタン及びその任意の組み合わせで形成される合金のうち少なくとも１つを含む。例えば、該合金は、ニッケルモリブデン合金、ニッケルニオブ合金、ニオブモリブデン合金、アルミニウムモリブデン合金、チタンモリブデン合金、アルミニウムニオブ合金、アルミニウムチタン合金、チタンニオブ合金、ニッケルモリブデンニオブ合金またはアルミニウムモリブデンチタン合金を含む。
例えば、該第２金属層２０４の材料はニッケル、モリブデン、ニオブ、アルミニウム、チタン及びその任意の組み合わせで形成される合金のうち少なくとも１つを含む。例えば、該合金は、ニッケルモリブデン合金、ニッケルニオブ合金、ニオブモリブデン合金、アルミニウムモリブデン合金、チタンモリブデン合金、アルミニウムニオブ合金、アルミニウムチタン合金、チタンニオブ合金、ニッケルモリブデンニオブ合金またはアルミニウムモリブデンチタン合金を含む。
例えば、第２電源配線２０６は第１絶縁層２０３における少なくとも２つの第１ビアホール構造２０７を貫通することによって第１電源配線２０５に並列接続され、このように複数の箇所において第１電源配線２０５と第２電源配線２０６の並列接続を実現することによって、電圧降下をさらに低減することができる。例えば、該複数の第１ビアホール構造２０７は同じパターニングプロセスにおいて形成してもよく、１つの第１ビアホール構造２０７を形成することに比べ、複数の第１ビアホール構造２０７を同時に形成することはプロセスのステップを追加することがなく、必要に応じて異なるマスクプレートを選択すればよい。
例えば、図２ｂは本開示の１つの実施例に係る第２電源配線と第１電源配線が並列接続される断面構造を示す模式図である。図２ｂに示すように、第２電源配線２０６は第１絶縁層２０３における第１ビアホール構造を貫通することによって第１電源配線２０５に並列接続される。
例えば、図３は本開示の１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の平面構造を示す模式図であり、図４は図３のうちＡ−Ａ’切断線に沿って切断して形成されたＯＬＥＤアレイ基板の断面構造を示す模式図である。
例えば、図３は本開示の１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の平面構造を示す模式図であり、図４は図３のうちＡ−Ａ’切断線に沿って切断して形成されたＯＬＥＤアレイ基板の断面構造を示す模式図である。
図３と図４に示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板はベース基板２０１に設置されるデータライン２１０と、ゲート電極２０８に接続されるゲートライン２０９とをさらに含み、ゲートライン２０９とデータライン２１０が例えば画素ユニットの領域を限定するために交差され、該領域内に画素構造が設置され、例示的に、該画素構造はスイッチトランジスタ３０と、駆動トランジスタ４０と、ＯＬＥＤデバイス５０（第３電極５０１と、第４電極５０３と、有機材料機能層５０２と、画素区画層５０４とを含み）とを含み、スイッチトランジスタ３０のゲート電極とスイッチトランジスタ３０の第１電極はゲートライン２０９とデータライン２１０に接続され、トランジスタ３０の第２電極は駆動トランジスタ４０のゲート電極に接続され、駆動トランジスタ４０の第１電極と第２電極は第１電源配線２０５と第２電源配線２０６とＯＬＥＤデバイス５０に接続される。例えば、第２電源配線２０６が駆動トランジスタ４０の第１電極２１３（即ち、駆動トランジスタ４０の入力電極、例えばソース電極またはドレーン電極）に電気的接続され、ＯＬＥＤデバイス５０の第３電極５０１と駆動トランジスタ４０との間に第３絶縁層２１６（例えば、第１パッシベーション層であってもよい）が設置され、第３電極５０１は第３絶縁層２１６の第３ビアホール構造２１８を貫通して駆動トランジスタ４０の第２電極２１４（即ち、駆動トランジスタ４０の出力電極）に電気的接続される。
例えば、図４に示すように、駆動トランジスタがボトムゲート型の薄膜トランジスタであることを例として説明する。該駆動トランジスタ４０はゲート電極２０８と、ゲート電極２０８に設置されるゲート絶縁層２１１と、ゲート絶縁層２１１に設置される活性層２１２と、活性層２１２に設置される第２絶縁層２１５と、第２絶縁層２１５に設置される第１電極２１３と第２電極２１４とを含む。
例えば、図４に示すように、駆動トランジスタ４０のゲート電極２０８と第２電源配線２０６は同層に設置され、駆動トランジスタ４０のゲート電極２０８と第２電源配線２０６は材料が同じで、ゲート電極２０８と第２電源配線２０６は同層に設置され互いに離間して設置される。
例えば、図４に示すように、駆動トランジスタ４０のゲート電極２０８と第２電源配線２０６は同層に設置され、駆動トランジスタ４０のゲート電極２０８と第２電源配線２０６は材料が同じで、ゲート電極２０８と第２電源配線２０６は同層に設置され互いに離間して設置される。
例えば、図４に示すように、駆動トランジスタ４０の第１電極２１３は第２絶縁層２１５とゲート絶縁層２１１の第２ビアホール構造２１７を貫通することによって第２電源配線２０６に電気的接続される。このように、駆動トランジスタ４０の第１電極２１３と第２電源配線２０６が電気的接続され、第２電源配線２０６と第１電源配線２０５が電気的接続され、三層並列構造をさらに形成することができ、よって、第１電源配線２０５と第２電源配線２０６の抵抗をさらに低減し、電圧降下をさらに低減することができる。
例えば、図５は本開示の１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の断面構造を示す模式図であり、図５からわかるように、複数の画素ユニットの駆動トランジスタが並んで設置され、それぞれ一対の隣り合う画素ユニットの駆動トランジスタの間に上述した三層並列構造が１つ設置され、即ち、駆動トランジスタ４０の第１電極２１３が第２電源配線２０６に電気的接続し、第２電源配線２０６が第１電源配線２０５に電気的接続して三層並列構造に形成される。
例えば、図４に示すように、ＯＬＥＤデバイス５０において、第３電極５０１の材料は透明導電材料であってもよく、該透明導電材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、カーボンナノチューブなどを含む。第３電極５０１の材料は金属導電材料であってもよく、該金属導電材料は銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）及びプラチナ（Ｐｔ）などの単金属または上述した金属で形成された合金材料、例えば銅クロム合金（ＣｕＣｒ）またはクロムモリブデン合金（ＣｒＭｏ）など、を含む。
例えば、該駆動トランジスタは活性層２１２をさらに含み、該活性層２１２の材料が透明導電材料である。
例えば、活性層２１２の材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、カーボンナノチューブなどである。
例えば、活性層２１２の材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、カーボンナノチューブなどである。
例えば、第３電極５０１の厚さは４０〜１２０ｎｍであってもよく、例えば、第３電極５０１の厚さが４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍまたは１２０ｎｍである。
例えば、ＯＬＥＤデバイス５０において、第４電極５０３の材料は銀、マグネシウム、アルミニウム、リチウムなどの単金属またはマグネシウムアルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウムアルミニウム合金（ＬｉＡｌ）などを含む。
例えば、ＯＬＥＤデバイス５０において、第４電極５０３の材料は銀、マグネシウム、アルミニウム、リチウムなどの単金属またはマグネシウムアルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウムアルミニウム合金（ＬｉＡｌ）などを含む。
例えば、第４電極５０３の厚さは３〜３０ｎｍであってもよく、例えば、第４電極５０３の厚さが５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍまたは３０ｎｍである。
例えば、図４では、ＯＬＥＤデバイス５０において、画素区画層５０４は通常に有機絶縁材料（例えば、アクリル系樹脂）または無機絶縁材料（例えば、窒化ケイ素ＳｉＮｘまたは酸化ケイ素ＳｉＯｘ）で形成され、絶縁性を有する。図４において、画素区画層５０４は第３電極５０１と第４電極５０３との間に設置される絶縁構造として見なされることができる。
例えば、図４では、ＯＬＥＤデバイス５０において、画素区画層５０４は通常に有機絶縁材料（例えば、アクリル系樹脂）または無機絶縁材料（例えば、窒化ケイ素ＳｉＮｘまたは酸化ケイ素ＳｉＯｘ）で形成され、絶縁性を有する。図４において、画素区画層５０４は第３電極５０１と第４電極５０３との間に設置される絶縁構造として見なされることができる。
例えば、第３電極５０１がアノードであり、第４電極５０３がカソードであり、または、第３電極５０１がカソードであり、第４電極５０３がアノードである。
なお、上述した第３電極５０１と第４電極５０３の材料と構造は本開示の実施例の一例に過ぎず、第３電極５０１と第４電極５０３がほかの材料で製造されてもよく、第３電極５０１と第４電極５０３の材料によって、片面光出射型アレイ基板と両面光出射型アレイ基板に分けることができる。アノードとカソードのうち１つの電極の材料が非透光または半透光材料の場合には、アレイ基板は片面光出射型であり、アノードとカソードの材料がいずれも透光材料および／または半透光材料の場合には、該アレイ基板は両面光出射型である。
なお、上述した第３電極５０１と第４電極５０３の材料と構造は本開示の実施例の一例に過ぎず、第３電極５０１と第４電極５０３がほかの材料で製造されてもよく、第３電極５０１と第４電極５０３の材料によって、片面光出射型アレイ基板と両面光出射型アレイ基板に分けることができる。アノードとカソードのうち１つの電極の材料が非透光または半透光材料の場合には、アレイ基板は片面光出射型であり、アノードとカソードの材料がいずれも透光材料および／または半透光材料の場合には、該アレイ基板は両面光出射型である。
片面光出射型ＯＬＥＤアレイ基板では、アノードとカソードの材料によって、トップ光出射型とボトム光出射型にさらに分けることができる。アノードがベース基板の近くに設置され、カソードがベース基板から離れて設置され、且つアノードの材料が透光導電材料にし、カソードの材料が非透光導電材料にする際に、光がアノードから、ベース基板の一方側を通って出射されるため、該ＯＬＥＤアレイ基板はボトム光出射型アレイ基板と呼ぶことができ、アノードの材料が非透光導電材料にし、カソードの材料が透明または半透明導電材料にする際に、光がカソードの、ベース基板から離れる側を通して出射されるため、該ＯＬＥＤアレイ基板はトップ光出射型アレイ基板と呼ばれる。上述した２種のアレイ基板におけるアノードとカソードの相対位置を置き換えてもよく、ここで説明を省略する。
両面光出射型表示基板では、アノードがベース基板の近くに設置され、カソードがベース基板から離れて設置され、且つアノードとカソードの材料がいずれも透光導電および／または半透光材料にする際に、光がアノードから、ベース基板の一方側を通して出射され、一方、カソードの、ベース基板から離れる側を通して出射されるため、該表示基板は両面光出射型表示基板と呼ばれる。ここで、アノードがベース基板から離れて設置され、カソードがベース基板の近くに設置されてもよい。
例えば、該ＯＬＥＤデバイス５０において、有機材料機能層５０２は、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とを含んでもよく、電子と正孔が発光層に注入される効率を向上するために、該有機材料機能層はカソードと電子輸送層との間に設置される電子注入層と、アノードと正孔輸送層との間に設置される正孔注入層などの有機機能層をさらに含んでもよい。これらの有機機能層の材料及び寸法などは通常選択を採用してもよく、本開示の実施例ではそれについて限定はしない。
また、水や酸素ガスなどがカソードや有機材料機能層の性能に対する影響が大きいため、図４に示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板の第４電極５０３にパッシベーション層５０５と封止層５０６がさらに設置されてもよい。
例えば、該パッシベーション層５０５の材料は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）及びアクリル系樹脂などであってもよい。
例えば、封止層５０６の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素または感光性樹脂で形成される単一膜層または複合膜層を含み、例えば、感光性樹脂はポリアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、またはポリアミド系樹脂等であってもよい。
例えば、該パッシベーション層５０５の材料は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）及びアクリル系樹脂などであってもよい。
例えば、封止層５０６の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素または感光性樹脂で形成される単一膜層または複合膜層を含み、例えば、感光性樹脂はポリアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、またはポリアミド系樹脂等であってもよい。
例えば、本開示の実施例に係る駆動トランジスタとスイッチトランジスタはボトムゲート型構造、トップゲート型構造またはダブルゲート型構造であってもよい。例えば、図４に示す駆動トランジスタはボトムゲート型構造である。トップゲートとボトムゲートは、活性層とゲート電極に対する位置によって定義され、即ち、ベース基板に対して、ゲート電極がベース基板の近くにあり、活性層がベース基板から離れる際に、該薄膜トランジスタがボトムゲート型薄膜トランジスタになり、ゲート電極がベース基板から離れ、活性層がベース基板の近くにある際に、該薄膜トランジスタがトップゲート型薄膜トランジスタになり、ダブル型構造はゲート電極がベース基板から離れ、活性層がベース基板に近い構造と、ゲート電極がベース基板に近く、活性層がベース基板から離れる構造とを同時に含む。
例えば、図４に示すように、該駆動トランジスタはボトムゲート型薄膜トランジスタであり、第２電源配線２０６は第１電源配線２０５と駆動トランジスタ４０の第１電極２１３との間に設置される。駆動トランジスタがトップゲート型薄膜トランジスタである際に、第１電源配線は第２電源配線と駆動トランジスタの第１電極との間に設置されてもよく、トップゲート構造とダブルゲート構造の駆動トランジスタの各層の構造は、上述したボトムゲート型構造に関連する説明を参照すればよく、ここで説明を省略する。
例えば、本開示の実施例において、第１絶縁層２０３と、第２絶縁層２１５と、第３絶縁層２１６との材料は有機絶縁材料（例えば、アクリル系樹脂）または無機絶縁材料（例えば、窒化ケイ素ＳｉＮｘまたは酸化ケイ素ＳｉＯｘ）を含んでもよい。
例えば、本開示の実施例において、第１絶縁層２０３と、第２絶縁層２１５と、第３絶縁層２１６との材料は有機絶縁材料（例えば、アクリル系樹脂）または無機絶縁材料（例えば、窒化ケイ素ＳｉＮｘまたは酸化ケイ素ＳｉＯｘ）を含んでもよい。
例えば、ゲート絶縁層２１１として使用される材料は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはそれ以外の適宜な材料を含む。
例えば、該第１電源配線２０５の幅は第２電源配線２０６の幅より大きくなる。第２電源配線２０６の幅が相対的に小さくなると、画素の開口率を向上することができ、第１電源配線２０５の幅が相対的に大きくなると、第１電源配線２０５の抵抗を低減することができ、よって、電圧降下を低減することができる。
例えば、該第１電源配線２０５の幅は第２電源配線２０６の幅より大きくなる。第２電源配線２０６の幅が相対的に小さくなると、画素の開口率を向上することができ、第１電源配線２０５の幅が相対的に大きくなると、第１電源配線２０５の抵抗を低減することができ、よって、電圧降下を低減することができる。
例えば、第１電源配線２０５は面状構造を有し、例えば全体的に平板状になる。例えば、該第１電源配線２０５は金属グリッドからなる面状電極構造（単一な条状または線状ではなく）であり、該金属グリッドからなる面状電極構造は複数のメッシュを含む。該面状の第１電源配線は電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）を低減することができ、よって、ＯＬＥＤアレイ基板のエネルギー消費量を低減することができる。なお、面状構造の第１電源配線とは、電源配線が画素構造の幅方向と長さ方向のいずれにおいてもある程度のサイズと拡張範囲を有することを指す。
例えば、１つの例示において、画素構造のそれぞれの列に面状の第１電源配線を１つ設置し、引き続き複数の面状の第１電源配線を接続させ、一体的な構造を形成することができる。よって、第１電源配線の面積がより大きくなり、第１電源配線の電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）がさらに低減し、ＯＬＥＤアレイ基板のエネルギー消費量をさらに低減させることができる。
例えば、図６は本開示の１つの実施例に係る第１電源配線が透かし彫り構造に設置される平面構造を示す模式図である。図６に示すように、１つの例示において、面状の第１電源配線のうち、ＯＬＥＤアレイ基板上の画素構造とゲートラインとデータラインに対応する領域は、透かし彫り構造２１９に設置されてもよい。なお、該透かし彫り構造２１９のサイズは、画素構造とゲートラインとデータラインとのサイズに対応し、上述した金属グリッドにおけるメッシュのサイズより大きくなる。例えば、第１電源配線２０５のうち画素構造に対応する領域が透かし彫り構造２１９に設置されることは、主に金属配線の遮光による光線の透過率に対する影響を防止するためであり、即ち、画素構造に対応する領域に透かし彫り構造を設置することは、光線の透過率を向上させ、入射光線を十分に利用することができる。第１電源配線のうちゲートラインとデータラインに対応する領域が透かし彫り構造に設置されることは、第１電源配線がゲートラインと又はデータラインとの間に電気容量が形成されることを防止するためである。例えば、図６に示すように、該透かし彫り構造２１９は複数の非連続的なサブ透かし彫り構造２１９１（即ち、複数のサブ透かし彫り構造が互いに離間される）を含んでもよく、このように、面状構造の電源配線を複数の並列する領域に分割することに相当し、よって、面状電源配線の抵抗を低減することができ、電源配線の電圧降下を大幅に低減することができる。
例えば、図７は本開示の１つの実施例に係る３Ｔ１Ｃ（トランジスタが３つ、コンデンサーが１つ）補償画素回路を示す模式図である。該補償画素回路は通常の２Ｔ１Ｃ画素回路に基づいて外部補償機能を実現する。図４と図７からわかるように、スイッチトランジスタＴ１、Ｔ２と駆動トランジスタＴ３のほかに、該画素構造は蓄電コンデンサ―Ｃ１をさらに含む。該蓄電コンデンサ―Ｃ１は一端が例えばスイッチトランジスタＴ１のドレーン電極に電気的接続され、他端が駆動トランジスタＴ３のドレーン電極に電気的接続される。例えば、スイッチトランジスタＴ１は、ゲート電極が走査信号Ｇ１を受けることに用いられ、ソース電極がデータ信号ＤＡＴＡを受けることに用いられる。スイッチトランジスタＴ２は、ゲート電極が走査信号Ｇ１を受けることに用いられ、ドレーン電極がセンシングラインＳＥＮＳＥにセンシング信号を出力することに用いられ、ソース電極が駆動トランジスタＴ２のドレーン電極に電気的接続される。駆動トランジスタＴ３は、ゲート電極がスイッチトランジスタＴ１のドレーン電極に電気的接続され、ソース電極が電源電圧ＶＤＤに電気的接続される。ＯＬＥＤは、アノードが駆動トランジスタＴ３のドレーン電極に電気的接続され、カソードが電源電圧ＶＳＳに電気的接続される。上述した画素回路において、各トランジスタはＰ型トランジスタであってもよいが、Ｎ型トランジスタであってもよく、採用される駆動信号がそれに応じて変更される。例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、画素回路は４Ｔ２Ｃなどの構造であってもよく、上述したスイッチトランジスタと駆動トランジスタのほかに、補償トランジスタとリセットトランジスタなどをさらに含んでもよく、ここでは制限しない。
本開示の少なくとも１つの実施例は上述したいずれかのＯＬＥＤアレイ基板を含む表示装置をさらに提供する。表示装置のうちほかの構造は通常設計を参照してもよい。該表示装置は例えば携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲータ等任意の表示機能を有する製品又は部材であってもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の製造方法をさらに提供し、例えば、図８は本開示の１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の製造方法を示すフロー図であり、図８に示すように、該製造方法は以下のステップを含む。
本開示の少なくとも１つの実施例は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の製造方法をさらに提供し、例えば、図８は本開示の１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の製造方法を示すフロー図であり、図８に示すように、該製造方法は以下のステップを含む。
ステップ１０１、ベース基板を提供する。
例えば、該ベース基板はガラス基板、石英基板、プラスチック基板などであってもよい。
ステップ１０２、ベース基板に第１金属薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行って第１電源配線を含む第１金属層を形成する。
例えば、該第１金属層の材料は銅、銅合金、銀、銀合金のうち少なくとも１つを含む。
ステップ１０３、第１金属層の、ベース基板から離れる側に第１絶縁薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行って第１絶縁層を形成する。
例えば、該第１絶縁層の材料は有機絶縁材料（例えば、アクリル系樹脂）または無機絶縁材料（例えば、窒化ケイ素ＳｉＮｘまたは酸化ケイ素ＳｉＯｘ）を含んでもよい。
ステップ１０４、第１絶縁層の、ベース基板から離れる側に第２金属薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行って第２電源配線を含む第２金属層を形成し、該第２電源配線は第１絶縁層における第１ビアホール構造を貫通し、第１電源配線に並列接続される。
例えば、該ベース基板はガラス基板、石英基板、プラスチック基板などであってもよい。
ステップ１０２、ベース基板に第１金属薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行って第１電源配線を含む第１金属層を形成する。
例えば、該第１金属層の材料は銅、銅合金、銀、銀合金のうち少なくとも１つを含む。
ステップ１０３、第１金属層の、ベース基板から離れる側に第１絶縁薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行って第１絶縁層を形成する。
例えば、該第１絶縁層の材料は有機絶縁材料（例えば、アクリル系樹脂）または無機絶縁材料（例えば、窒化ケイ素ＳｉＮｘまたは酸化ケイ素ＳｉＯｘ）を含んでもよい。
ステップ１０４、第１絶縁層の、ベース基板から離れる側に第２金属薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行って第２電源配線を含む第２金属層を形成し、該第２電源配線は第１絶縁層における第１ビアホール構造を貫通し、第１電源配線に並列接続される。
例えば、第２電源配線は第１絶縁層における少なくとも２つの第１ビアホール構造を貫通し第１電源配線に並列接続され、このように、複数の箇所において第１電源配線と第２電源配線の並列接続を実現することによって、電圧降下をさらに低減することができる。例えば、該複数の第１ビアホール構造は同じパターニングプロセスで形成することができ、１つの第１ビアホール構造を形成することに比べ、複数の第１ビアホール構造を形成することは、余計のプロセスステップを追加することはなく、必要に応じて異なるマスクプレートを選択すればよい。
例えば、該第２金属層は第２電源配線と同層に設置される金属電極をさらに含んでもよく、このように、プロセスのステップを減少し、プロセス過程の複雑性を低減することができる。例示的に、第２電源配線と駆動トランジスタのゲート電極とは同層に設置される。
例えば、該第２金属層は第２電源配線と同層に設置される金属電極をさらに含んでもよく、このように、プロセスのステップを減少し、プロセス過程の複雑性を低減することができる。例示的に、第２電源配線と駆動トランジスタのゲート電極とは同層に設置される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、該第１金属層の材料の抵抗率は該第２金属層の材料の抵抗率より小さい。このようにして、第２電源配線と同層且つ同じ材料で形成される金属電極と、第１電源配線とは、異なる抵抗率の材料で形成されることができる。第１電源配線と第２電源配線を並列接続することによって、電源配線（第１電源配線と第２電源配線を含む）の抵抗を低減することができ、さらに、電圧降下を低減する。同時に、安定性の良いアルミニウムなどの金属材料で電源配線を形成する際に電圧降下が大きくなる問題と、抵抗率の低い銅または銀、または銅と銀の少なくとも１つを含む金属合金で金属電極を形成する際にプロセスが成熟していない問題と、を避けられる。
例えば、該第２金属層の材料はニッケル、モリブデン、ニオブ、アルミニウム、チタン及びその任意の組み合わせで形成される合金のうち少なくとも１つを含む。例えば、該合金は、ニッケルモリブデン合金、ニッケルニオブ合金、ニオブモリブデン合金、アルミニウムモリブデン合金、チタンモリブデン合金、アルミニウムニオブ合金、アルミニウムチタン合金、チタンニオブ合金、ニッケルモリブデンニオブ合金またはアルミニウムモリブデンチタン合金を含む。
例えば、本開示の実施例に係る製造方法において、第１電源配線の幅は第２電源配線の幅より大きい。
例えば、第２電源配線の幅が相対的に小さくなると画素の開口率を向上することができ、第１電源配線の幅が相対的に大きくなると第１電源配線の抵抗を低減することができ、さらに、電圧降下を低減する。
例えば、第２電源配線の幅が相対的に小さくなると画素の開口率を向上することができ、第１電源配線の幅が相対的に大きくなると第１電源配線の抵抗を低減することができ、さらに、電圧降下を低減する。
例えば、第１電源配線は面状構造を有する。例えば、該第１電源配線は金属グリッドからなる面状電極構造（単一な条状または線状ではなく）であり、該金属グリッドからなる面状電極構造は複数のメッシュを含む。該面状の第１電源配線は電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）を低減することができるため、ＯＬＥＤアレイ基板のエネルギー消費量を低減することができる。なお、面状構造の第１電源配線とは、電源配線が画素構造の幅方向と長さ方向のいずれにおいてもある程度のサイズと拡張範囲を有することを指す。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法は、駆動トランジスタを形成することをさらに含み、該駆動トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、活性層と、第２絶縁層と、第１電極と、第２電極とを含む。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法は、駆動トランジスタを形成することをさらに含み、該駆動トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、活性層と、第２絶縁層と、第１電極と、第２電極とを含む。
例えば、駆動トランジスタのゲート電極と第２電源配線は同層に設置され、同じ材料で同じパターニングプロセスにおいて形成され、且つゲート電極と第２電源配線が互いに離間して設置される。
例えば、駆動トランジスタの第１電極（即ち、駆動トランジスタの入力電極）は第２絶縁層とゲート絶縁層の第２ビアホール構造を貫通して第２電源配線に電気的接続される。 このように、三層並列構造を形成するように、駆動トランジスタの第１電極と第２電源配線が電気的接続され、第２電源配線と第１電源配線が電気的接続され、よって、第１電源配線と第２電源配線の抵抗をさらに低減し、電圧降下をさらに低減する。
例えば、駆動トランジスタの第１電極（即ち、駆動トランジスタの入力電極）は第２絶縁層とゲート絶縁層の第２ビアホール構造を貫通して第２電源配線に電気的接続される。 このように、三層並列構造を形成するように、駆動トランジスタの第１電極と第２電源配線が電気的接続され、第２電源配線と第１電源配線が電気的接続され、よって、第１電源配線と第２電源配線の抵抗をさらに低減し、電圧降下をさらに低減する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係るＯＥＬＤアレイ基板において、駆動トランジスタがボトムゲート型薄膜トランジスタである際に、第２電源配線は第１電源配線と駆動トランジスタの第１電極との間に設置される。駆動トランジスタがトップゲート型薄膜トランジスタである際に、第１電源配線は第２電源配線と駆動トランジスタの第１電極との間に設置されてもよい。トップゲート型構造の駆動トランジスタの各層の構造は、上述したボトムゲート型構造に関連する説明を参照すればよく、ここで説明を省略する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、該第２電源配線は第２絶縁層の第２ビアホール構造を貫通して駆動トランジスタの第１電極に電気的接続される。
本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板及びその製造方法、表示装置は、以下の少なくとも１つの有益な効果を有する。
本開示の少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板及びその製造方法、表示装置は、以下の少なくとも１つの有益な効果を有する。
（１）開示された少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板において、安定性の良いアルミニウムなどの金属材料で駆動トランジスタの電極と第２電源配線を形成し、抵抗率の低い銅または銀、または銅と銀の少なくとも１つを含む金属合金で第１電源配線を形成する。
（２）開示された少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板において、第１電源配線と第２電源配線はビアホール構造によって並列接続され、電圧降下を低減することによって、安定性のよいアルミニウムなどの金属材料で電源配線を形成する際に電圧降下が大きくなる問題と、抵抗率の低い銅または銀、または銅と銀の少なくとも１つを含む金属合金で金属電極を形成する際にプロセスが成熟していない問題と、を同時に避けられる。
（２）開示された少なくとも１つの実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板において、第１電源配線と第２電源配線はビアホール構造によって並列接続され、電圧降下を低減することによって、安定性のよいアルミニウムなどの金属材料で電源配線を形成する際に電圧降下が大きくなる問題と、抵抗率の低い銅または銀、または銅と銀の少なくとも１つを含む金属合金で金属電極を形成する際にプロセスが成熟していない問題と、を同時に避けられる。
以下の点について説明する必要がある。
（１）本開示の実施例の図面は本開示の実施例に関する構造のみに関し、その他の構造について通常設計を参照すればよい。
（２）明瞭にさせるために、本開示の実施例を説明する図面において、層又は領域の厚さは拡大又は縮小されており、すなわち、これら図面は実際の縮尺で作成するものではない。例えば、層、膜、領域又は基板のような素子が別の素子の「上」又は「下」に位置するように説明する際に、該素子は、別の素子の「上」又は「下」に「直接に」位置してもよく、又は中間素子が介在されてもよい。
（３）矛盾しない限り、本開示の実施例及び実施例における特徴を互いに組み合わせて新たな実施例を得ることができる。
以上は、本開示の具体的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲はこれに制限されるものではなく、本開示の保護範囲は特許請求の範囲による保護範囲に準ずるべきである。
本願は２０１７年６月８日付出願した中国特許出願第２０１７１０４２７３７６．４号の優先権を主張し、ここで上述した中国特許出願が開示した全ての内容を援用して本願の一部として援用される。
（１）本開示の実施例の図面は本開示の実施例に関する構造のみに関し、その他の構造について通常設計を参照すればよい。
（２）明瞭にさせるために、本開示の実施例を説明する図面において、層又は領域の厚さは拡大又は縮小されており、すなわち、これら図面は実際の縮尺で作成するものではない。例えば、層、膜、領域又は基板のような素子が別の素子の「上」又は「下」に位置するように説明する際に、該素子は、別の素子の「上」又は「下」に「直接に」位置してもよく、又は中間素子が介在されてもよい。
（３）矛盾しない限り、本開示の実施例及び実施例における特徴を互いに組み合わせて新たな実施例を得ることができる。
以上は、本開示の具体的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲はこれに制限されるものではなく、本開示の保護範囲は特許請求の範囲による保護範囲に準ずるべきである。
本願は２０１７年６月８日付出願した中国特許出願第２０１７１０４２７３７６．４号の優先権を主張し、ここで上述した中国特許出願が開示した全ての内容を援用して本願の一部として援用される。
３０ トランジスタ、スイッチトランジスタ
４０ 駆動トランジスタ
５０ ＯＬＥＤデバイス
１０１ ベース基板
１０２ ゲート電極
１０３ ゲート絶縁層
１０４ 活性層
１０５ 絶縁層
１０６ 第１ソースドレーン電極
１０７ 第２ソースドレーン電極
１０８ 電源配線
２０１ ベース基板
２０２ 第１金属層
２０３ 第１絶縁層
２０４ 第２金属層
２０５ 第１電源配線
２０６ 第２電源配線
２０７ 第１ビアホール構造
２０８ ゲート電極
２０９ ゲートライン
２１０ データライン
２１１ ゲート絶縁層
２１２ 活性層
２１３ 第１電極
２１４ 第２電極
２１５ 第２絶縁層
２１６ 第３絶縁層
２１７ 第２ビアホール構造
２１８ 第３ビアホール構造
２１９ 構造
５０１ 第３電極
５０２ 有機材料機能層
５０３ 第４電極
５０４ 画素区画層
５０５ パッシベーション層
５０６ 封止層
２１９１ 構造
４０ 駆動トランジスタ
５０ ＯＬＥＤデバイス
１０１ ベース基板
１０２ ゲート電極
１０３ ゲート絶縁層
１０４ 活性層
１０５ 絶縁層
１０６ 第１ソースドレーン電極
１０７ 第２ソースドレーン電極
１０８ 電源配線
２０１ ベース基板
２０２ 第１金属層
２０３ 第１絶縁層
２０４ 第２金属層
２０５ 第１電源配線
２０６ 第２電源配線
２０７ 第１ビアホール構造
２０８ ゲート電極
２０９ ゲートライン
２１０ データライン
２１１ ゲート絶縁層
２１２ 活性層
２１３ 第１電極
２１４ 第２電極
２１５ 第２絶縁層
２１６ 第３絶縁層
２１７ 第２ビアホール構造
２１８ 第３ビアホール構造
２１９ 構造
５０１ 第３電極
５０２ 有機材料機能層
５０３ 第４電極
５０４ 画素区画層
５０５ パッシベーション層
５０６ 封止層
２１９１ 構造
Claims (16)
- ベース基板と、
前記ベース基板に設置される第１金属層と、
前記第１金属層の、前記ベース基板から離れる側に設置される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の、前記ベース基板から離れる側に設置される第２金属層と、を含み、
前記第１金属層が第１電源配線を含み、前記第２金属層が第２電源配線を含み、
前記第２電源配線が前記第１絶縁層の第１ビアホール構造を貫通することによって、前記第１電源配線に並列接続される、有機発光ダイオードアレイ基板。 - 前記第１金属層の材料の抵抗率は前記第２金属層の材料の抵抗率より小さい、請求項１に記載の有機発光ダイオードアレイ基板。
- 前記第１金属層の材料は銅、銅合金、銀、銀合金のうち少なくとも１つを含み、
前記第２金属層の材料はニッケル、モリブデン、ニオブ、アルミニウム、チタン及びそれらの任意の組み合わせで形成された合金のうち少なくとも１つを含む、
請求項２に記載の有機発光ダイオードアレイ基板。 - 前記第２電源配線は前記第１絶縁層における少なくとも２つの前記第１ビアホール構造を貫通することによって、前記第１電源配線に並列接続される、請求項１に記載の有機発光ダイオードアレイ基板。
- 前記第１電源配線の幅は前記第２電源配線の幅より大きい、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光ダイオードアレイ基板。
- 前記第１電源配線は面状構造を有する、請求項５に記載の有機発光ダイオードアレイ基板。
- 画素構造をさらに含み、前記画素構造は駆動トランジスタを含み、前記駆動トランジスタはゲート電極とゲート絶縁層と第２絶縁層と第１電極とを含み、前記第１電極は前記第２絶縁層と前記ゲート絶縁層の第２ビアホール構造を貫通することによって、前記第２電源配線に電気的接続される、請求項６に記載の有機発光ダイオードアレイ基板。
- 前記ゲート電極の材料が前記第２電源配線の材料と同じであり、前記ゲート電極と前記第２電源配線が同層に位置し、且つ互いに離間して設置される、請求項７に記載の有機発光ダイオードアレイ基板。
- 前記駆動トランジスタは活性層をさらに含み、前記活性層の材料が金属酸化物材料である、請求項７に記載の有機発光ダイオードアレイ基板。
- 前記金属酸化物材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）のうち少なくとも１つを含む、請求項９に記載の有機発光ダイオードアレイ基板。
- 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機発光ダイオードアレイ基板を含む、表示装置。
- ベース基板を提供することと、
前記ベース基板に第１金属膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行い第１金属層を形成することと、
前記第１金属層の、前記ベース基板から離れる側に第１絶縁薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行い第１絶縁層を形成することと、
前記第１絶縁層の、前記ベース基板から離れる側に第２金属薄膜を堆積し、それに対してパターニングプロセスを行い第２金属層を形成することと、
を含み、
前記第１金属層が第１電源配線を含み、前記第２金属層が第２電源配線を含み、
前記第２電源配線が前記第１絶縁層における第１ビアホール構造を貫通することによって第１電源配線に並列接続される、有機発光ダイオードアレイ基板の製造方法。 - 前記第１金属層の抵抗率は前記第２金属層の抵抗率より小さい、請求項１２に記載の製造方法。
- 前記第１電源配線の幅は前記第２電源配線の幅より大きい、請求項１２または１３に記載の製造方法。
- 画素構造を形成することをさらに含み、前記画素構造を形成することは駆動トランジスタを形成することを含み、前記駆動トランジスタを形成することはゲート電極とゲート絶縁層と第２絶縁層と第１電極を形成することを含み、前記第１電極は前記第２絶縁層と前記ゲート絶縁層の第２ビアホール構造を貫通することによって、前記第２電源配線に電気的接続される、請求項１４に記載の製造方法。
- 前記ゲート電極の材料が前記第２電源配線の材料と同じであり、前記ゲート電極と前記第２電源配線が同層に位置し、且つ互いに離間して設置される、請求項１５に記載の製造方法。
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| CN201710427376.4 | 2017-06-08 | ||
| CN201710427376.4A CN109037273B (zh) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| PCT/CN2017/114554 WO2018223630A1 (zh) | 2017-06-08 | 2017-12-05 | 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020522722A true JP2020522722A (ja) | 2020-07-30 |
| JP7033070B2 JP7033070B2 (ja) | 2022-03-09 |
Family
ID=64565733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018539151A Active JP7033070B2 (ja) | 2017-06-08 | 2017-12-05 | 有機発光ダイオードアレイ基板及びその製造方法、表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11233114B2 (ja) |
| EP (1) | EP3637469B1 (ja) |
| JP (1) | JP7033070B2 (ja) |
| CN (1) | CN109037273B (ja) |
| WO (1) | WO2018223630A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109872632A (zh) * | 2019-03-20 | 2019-06-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板 |
| CN110071145A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和电子设备 |
| CN209729911U (zh) * | 2019-06-19 | 2019-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN110289270B (zh) | 2019-06-28 | 2021-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN110854157A (zh) | 2019-08-20 | 2020-02-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110610663B (zh) * | 2019-09-24 | 2022-03-18 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种显示面板和显示面板的制作方法 |
| CN110565062A (zh) * | 2019-09-27 | 2019-12-13 | 宁波丽成真空科技有限公司 | 一种磁控溅射共沉积铌铜、铌镍合金用于燃料电池双极板的应用 |
| CN111081720B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-02-25 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111341223A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-06-26 | 大连集思特科技有限公司 | 一种多层柔性透明显示电路、显示屏及其制作方法 |
| CN111627391B (zh) * | 2020-04-17 | 2021-12-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Amoled像素驱动电路、显示面板及显示装置 |
| CN111653600B (zh) * | 2020-06-17 | 2023-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
| US11532282B2 (en) | 2020-12-09 | 2022-12-20 | Apple Inc. | Displays with reduced temperature luminance sensitivity |
| CN112750400B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-22 | 长沙惠科光电有限公司 | 显示基板电压补偿结构 |
| CN113644105A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-12 | 苏州清越光电科技股份有限公司 | 显示面板的引线结构及其制备方法、显示面板 |
| CN114333577B (zh) * | 2021-12-17 | 2024-03-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板和显示装置 |
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| WO2012042566A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | パナソニック株式会社 | 表示装置用薄膜半導体装置、表示装置用薄膜半導体装置の製造方法、ｅｌ表示パネル及びｅｌ表示装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100659532B1 (ko) | 2003-11-28 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| CN101777576B (zh) * | 2010-01-15 | 2012-01-25 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构及电致发光装置 |
| US8946791B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-02-03 | International Business Machines Corporation | Finfet with reduced parasitic capacitance |
| KR102438247B1 (ko) | 2015-09-07 | 2022-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN106206670B (zh) * | 2016-08-31 | 2019-06-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled显示装置及其阵列基板 |
-
2017
- 2017-06-08 CN CN201710427376.4A patent/CN109037273B/zh active Active
- 2017-12-05 EP EP17892067.4A patent/EP3637469B1/en active Active
- 2017-12-05 US US16/073,096 patent/US11233114B2/en active Active
- 2017-12-05 WO PCT/CN2017/114554 patent/WO2018223630A1/zh unknown
- 2017-12-05 JP JP2018539151A patent/JP7033070B2/ja active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2010055070A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-03-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP2010226097A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-10-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| WO2012042566A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | パナソニック株式会社 | 表示装置用薄膜半導体装置、表示装置用薄膜半導体装置の製造方法、ｅｌ表示パネル及びｅｌ表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3637469B1 (en) | 2023-04-05 |
| CN109037273B (zh) | 2020-06-09 |
| JP7033070B2 (ja) | 2022-03-09 |
| EP3637469A4 (en) | 2021-03-03 |
| CN109037273A (zh) | 2018-12-18 |
| EP3637469A1 (en) | 2020-04-15 |
| US11233114B2 (en) | 2022-01-25 |
| US20210210587A1 (en) | 2021-07-08 |
| WO2018223630A1 (zh) | 2018-12-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201130 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210914 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211011 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220131 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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