CN115731834A - 显示装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种显示装置和电子设备。所述显示装置包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域。发光元件可以设置在所述第一区域上，并且连接到所述发光元件的像素电路可以设置在所述第二区域上。所述第一区域包括与第一像素的阴极和第二像素的阴极重叠的低透射率区域以及不与所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极重叠的高透射率区域。所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极中的每一者在第一时段期间接收具有恒定电平的电源电压，并且在第二时段期间接收驱动信号。

Description

显示装置和电子设备

技术领域

本公开涉及一种显示装置和包括显示装置的电子设备，所述显示装置包括通过其传输光学信号的显示区域。

背景技术

诸如智能电话的电子设备可以包括诸如显示面板和电子模块的各种电子组件。电子模块可以包括相机、红外检测传感器或接近传感器。电子模块可以设置在显示面板下方。显示面板可以包括将电子模块暴露于外部的区域。显示面板的部分区域可以具有大于显示面板的另一部分区域的透射率的透射率。因此，电子模块可以位于具有高透射率的区域处，以通过此区域接收或输出光学信号。

发明内容

本公开提供了一种显示装置，其中感测区域具有提高的透射率。

本公开还提供了一种包括该显示装置的电子设备。

本发明构思的实施例提供了一种显示装置，其包括显示面板，所述显示面板包括：基体层，包括显示区域和设置为与所述显示区域相邻的外围区域，所述显示区域包括第一区域和第二区域，光学信号穿过所述第一区域，所述第二区域设置为与所述第一区域相邻并且被配置为阻挡所述光学信号；以及第一组像素和第二组像素，设置在所述基体层上，其中，所述第一组像素包括第一像素和第二像素，所述第一像素和所述第二像素中的每一者包括设置在所述第一区域上的第一发光元件和电连接到所述第一发光元件并且设置在所述第二区域或所述外围区域上的第一像素电路，所述第一发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，所述第一像素的所述阴极与所述第二像素的所述阴极电连接，所述第一区域包括与所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极重叠的低透射率区域以及不与所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极重叠的高透射率区域，并且所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极中的每一者在第一时段期间接收电源电压，并且在第二时段期间接收驱动信号。

所述第二组像素包括设置在所述第二区域上的第二发光元件和电连接到所述第二发光元件并且设置在所述第二区域上的第二像素电路，所述第二发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，并且所述第二发光元件的所述阴极和所述第一发光元件的所述阴极彼此电连接。

所述第二发光元件的所述阴极和所述第一发光元件的所述阴极具有一体化的形状。

所述第一像素的所述第一发光元件的所述阴极和所述第二像素的所述第一发光元件的所述阴极具有一体化的形状。

所述第一发光元件还包括设置在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层，并且所述电子传输层与所述低透射率区域重叠并且不与所述高透射率区域重叠。

所述显示面板还包括阴极连接线，所述阴极连接线被配置为连接所述第一像素的所述第一发光元件的所述阴极和所述第二像素的所述第一发光元件的所述阴极，并且所述阴极连接线包括透明导电氧化物并且与所述高透射率区域重叠。

所述显示面板还包括信号线，所述信号线被配置为向所述第一发光元件的所述阴极提供所述电源电压和所述驱动信号。

所述信号线包括：第一部分，与所述第一区域重叠并且包括透明导电氧化物；以及第二部分，与所述第二区域重叠，与所述第一部分连接，并且包括金属。

所述第一像素电路包括电连接到数据线的晶体管，并且所述第二部分与所述数据线包括相同的材料，并且所述第二部分与所述数据线设置在相同的层上。

所述显示面板还包括像素连接线，所述像素连接线被配置为连接所述第一发光元件和所述第一像素电路，并且所述第一部分与所述像素连接线包括相同的材料，并且所述第一部分与所述像素连接线设置在相同的层上。

所述显示面板还包括有机层，所述有机层被配置为暴露所述第一像素的所述阳极，并且所述第一像素的所述阴极设置在所述有机层上并且通过穿过所述有机层的第一接触孔连接到所述第一部分。

所述第一部分和所述第二部分设置在不同的层上，绝缘层介于所述第一部分和所述第二部分之间，并且所述第一部分和所述第二部分通过穿过所述绝缘层的第二接触孔连接。

所述第一像素和所述第二像素中的每一者还包括与所述第一发光元件电连接的复制发光元件，所述复制发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，所述第一像素的所述第一发光元件的所述阴极和所述第二像素的所述复制发光元件的所述阴极具有一体化的形状，并且所述第二像素的所述第一发光元件的所述阴极和所述第一像素的所述复制发光元件的所述阴极具有一体化的形状。

所述显示面板还包括：第一连接线，被配置为连接所述第一像素的所述第一发光元件的所述阳极和所述第一像素的所述复制发光元件的所述阳极；以及第二连接线，被配置为连接所述第二像素的所述第一发光元件的所述阳极和所述第二像素的所述复制发光元件的所述阳极，并且所述第一连接线和所述第二连接线彼此交叉并且设置在不同的层上。

所述第一连接线和所述第二连接线中的每一者包括透明导电氧化物，并且所述第一连接线和所述第二连接线中的每一者的一部分与所述高透射率区域重叠。

所述基体层还包括设置在所述外围区域和所述第二区域之间的第三区域，所述显示面板还包括设置在所述第三区域上的第三组像素，所述第三组像素包括设置在所述第三区域上的第三发光元件和电连接到所述第三发光元件并且设置在所述第三区域上的第三像素电路，所述第三发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，并且所述第三发光元件的所述阴极在所述第一时段期间接收所述电源电压并且在所述第二时段期间接收所述驱动信号。

所述第三组像素包括多个第三像素，所述第三像素的所述阴极与所述第一像素的所述阴极电连接。

所述显示装置还包括设置在所述显示面板上的传感器，其中，所述显示面板还包括被配置为覆盖所述第一发光元件的封装层，并且所述传感器设置在所述封装层上。

所述传感器包括天线图案。

所述基体层还包括设置在所述外围区域和所述第二区域之间的第三区域，所述显示面板还包括设置在所述第三区域上的第三组像素，所述第三组像素包括设置在所述第三区域上的第三发光元件和电连接到所述第三发光元件并且设置在所述第三区域上的第三像素电路，所述第三发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，所述天线图案与所述第三区域重叠，并且所述天线图案与所述第三发光元件的所述阴极之间的距离等于或大于大约150μm。

所述传感器包括指纹感测图案，并且所述指纹感测图案具有大约50μm至大约150μm的宽度。

所述基体层还包括设置在所述外围区域和所述第二区域之间的第三区域，所述显示面板还包括设置在所述第三区域上的第三组像素，所述传感器包括输入传感器的感测图案，所述输入传感器的所述感测图案包括：第一感测图案，与所述第三区域重叠；以及第二感测图案，不与所述第一区域重叠，与所述第二区域重叠，并且具有比所述第一感测图案的面积小的面积。

所述第一感测图案和所述第二感测图案中的每一者包括被配置为形成多个开口的导电线，并且所述第二感测图案的所述导电线的线宽大于所述第一感测图案的所述导电线的线宽。

本发明构思的实施例提供了一种电子设备，其包括：显示装置，包括基体层和设置在所述基体层上的像素，所述基体层包括显示区域和设置为与所述显示区域相邻的外围区域，所述显示区域包括第一区域和第二区域，光学信号穿过所述第一区域，所述第二区域设置为与所述第一区域相邻并且被配置为阻挡所述光学信号；以及电子光学模块，设置在所述显示装置下方，与所述第一区域重叠，并且被配置为接收穿过所述第一区域的所述光学信号，其中，所述像素包括多个第一像素，所述多个第一像素中的每一者包括设置在所述第一区域上的发光元件和电连接到所述发光元件并且设置在所述第二区域或所述外围区域上的像素电路，所述发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，所述多个第一像素的所述阴极电连接，并且所述第一区域包括与所述多个第一像素的所述阴极重叠的低透射率区域和不与所述多个第一像素中的每一者的所述阴极重叠的高透射率区域。

本发明构思的实施例提供了一种电子设备，其包括：显示装置，包括基体层和设置在所述基体层上的像素，所述基体层包括显示区域和设置为与所述显示区域相邻的外围区域，所述显示区域包括第一区域和设置为与所述第一区域相邻的第二区域；以及电子光学模块，设置在所述显示装置下方，与所述第一区域重叠，并且被配置为接收穿过所述第一区域的光学信号，其中，所述像素包括第一像素和第二像素，所述第一像素和所述第二像素中的每一者包括设置在所述第一区域上的第一发光元件和电连接到所述第一发光元件并且设置在所述第二区域或所述外围区域上的第一像素电路，所述第一发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，所述第一像素的所述阴极与所述第二像素的所述阴极电连接，所述第一区域包括与所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极重叠的低透射率区域以及不与所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极重叠的高透射率区域，并且所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极中的每一者在第一时段期间接收具有恒定电平的电源电压，并且在第二时段期间接收驱动信号。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的实施例，本发明构思的上述和其他特征将变得明显。在附图中：

图1是示出根据本发明构思的实施例的电子设备的透视图；

图2A是示出根据本发明构思的实施例的电子设备的分解透视图；

图2B是表示根据本发明构思的实施例的电子设备的框图；

图3是示出根据本发明构思的实施例的显示模块的截面图；

图4A是根据本发明构思的实施例的像素的等效电路图；

图4B是表示根据本发明构思的实施例的用于驱动显示装置的方法的时序图；

图4C是表示根据本发明构思的实施例的用于驱动像素的方法的时序图；

图5A是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的平面图；

图5B是示出图5A的一部分的放大平面图；

图5C是示出图5B的一部分的放大平面图；

图5D是示出图5B的一部分的放大平面图；

图5E是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的一部分的平面图；

图6是示出根据本发明构思的实施例的显示装置的第三区域的截面图；

图7是示出根据本发明构思的实施例的显示装置的第一区域和第二区域的截面图；

图8A是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的阴极的平面图；

图8B和图8C是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的一部分的放大平面图；

图8D是沿着图8C的线I-I'截取的截面图；

图8E是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的一部分的放大平面图；

图9A是示出根据本发明构思的实施例的信号线的平面图；

图9B是沿着图9A的线II-II'截取的截面图；

图9C是示出根据本发明构思的实施例的信号线的平面图；

图10是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的一部分的放大平面图；

图11A是示出根据本发明构思的实施例的传感器层的平面图；

图11B是沿着图11A的线III-III'截取的截面图；

图11C是表示根据阴极和天线图案之间的距离的增益值的图；

图11D是示出根据本发明构思的实施例的指纹传感器的放大平面图；

图12A是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的阴极的平面图；

图12B是示出根据本发明构思的实施例的输入传感器的平面图；

图12C是示出根据本发明构思的实施例的输入传感器的常规感测图案(normalitysensing pattern)的放大平面图；

图12D是示出根据本发明构思的实施例的输入传感器的部分感测图案的放大平面图。

具体实施方式

在本说明书中，将理解的是，当组件(或区域、层、部分)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“耦接到”另一组件时，该组件可以直接设置在另一组件上/直接连接/直接耦接到另一组件，或者可以存在居间的第三组件。

在整个说明书中，同样的附图标记可以指代同样的元件。另外，在附图中，为了示出清楚起见，组件的厚度、比例和尺寸可能被夸大。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何和所有组合。

将理解的是，尽管本文使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其他组件区分开。例如，在一个实施例中被称为第一元件的第一元件可以在另一实施例中被称为第二元件。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。

此外，为了便于描述，本文可以使用诸如“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”的空间相对术语来描述如附图中所示的元件和/或特征与另一(些)元件和/或特征的关系。这些术语可以是相对概念，并且基于附图中表达的方向来描述。

“包括”或“包含”的含义可以指定属性、固定数量、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但不排除其他属性、固定数量、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。

除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在说明书中定义，否则如在常用字典中定义的术语应被解释为具有与相关技术上下文中的含义相同的含义，并且这些术语不应以理想化或过于形式化的意思来解释。

在下文中，将参考附图描述本发明构思的实施例。

图1是示出根据本发明构思的实施例的电子设备1000的透视图。

参考图1，在该实施例中，作为示例，电子设备1000是移动电话。然而，本发明构思不限于此。例如，电子设备1000可以是平板计算机、监视器、电视机、车辆导航单元、游戏控制台或可穿戴设备。

电子设备1000可以通过显示区域1000A显示图像。显示区域1000A可以包括由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。第一方向轴DR1可以在下文中被称为第一方向DR1，并且第二方向轴DR2可以在下文中被称为第二方向DR2。显示区域1000A还可以包括分别从平面的至少两条边弯曲的曲面。然而，本发明构思不限于显示区域1000A的形状。例如，显示区域1000A可以仅包括平面，或者还包括分别从平面的至少两条边弯曲的至少两个曲面，例如，分别从平面的四条边弯曲的四个曲面。

显示区域1000A可以具有作为感测区域1000SA的部分区域。尽管作为示例示出了一个感测区域1000SA，但是本发明构思不限于一个感测区域1000SA。例如，可以提供两个或更多个感测区域。感测区域1000SA可以是显示区域1000A的一部分，但是可以具有大于显示区域1000A的其他区域的透射率的透射率。因此，感测区域1000SA可以在显示图像的同时传输通过其的光学信号。

电子设备1000可以包括设置在与感测区域1000SA重叠的区域上的电子光学模块(例如，图2A中所示的电子光学模块EOM)。电子光学模块可以通过感测区域1000SA接收从外部提供的光学信号，或者通过感测区域1000SA输出光学信号。例如，电子光学模块可以是相机模块、用于测量对象与移动电话之间的距离的传感器(诸如接近传感器)、用于识别用户身体的一部分(例如，指纹、虹膜或面部)的传感器或用于发光的小型灯。然而，本发明构思不限于此。

电子设备1000的厚度方向可以是作为显示区域1000A的法线方向的第三方向DR3。这里，可以基于第三方向DR3限定电子设备1000的每个构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。

图2A是示出根据本发明构思的实施例的电子设备1000的分解透视图。图2B是根据本发明构思的实施例的电子设备1000的框图。

如图2A和图2B中所示，电子设备1000可以包括显示装置DD、电子模块EM、电子光学模块EOM、电源模块PSM和壳体HM。电子设备1000还可以包括未示出的附加组件。

显示装置DD生成图像并且至少感测外部输入。显示装置DD包括窗WM和显示模块DM。

窗WM提供电子设备1000的前表面。窗WM可以包括作为基体膜的玻璃膜或合成树脂膜。窗WM还可以包括防反射层或防指纹层。窗WM还可以包括与显示面板DP的外围区域DP-NA重叠的边框图案。窗WM和显示模块DM可以通过粘合层耦接。

显示模块DM可以至少包括显示面板DP。虽然仅示出了显示模块DM的层叠结构中的显示面板DP，但是显示模块DM还可以包括设置在显示面板DP上的多个组件。稍后将提供关于显示模块DM的层叠结构的详细描述。

显示面板DP可以包括显示区域DP-A和外围区域DP-NA。显示区域DP-A可以对应于图1中所示的显示区域1000A。像素设置在显示区域DP-A上。发光元件设置在显示区域DP-A上，但是不设置在外围区域DP-NA上。

显示面板DP可以包括与图1的感测区域1000SA对应的感测区域100SA。感测区域100SA可以具有小于显示区域DP-A的每个其他区域的分辨率的分辨率。稍后将提供关于感测区域100SA的详细描述。

如图2A中所示，驱动芯片DIC可以设置在显示面板DP的外围区域DP-NA上。柔性电路板FCB可以耦接到显示面板DP的外围区域DP-NA。柔性电路板FCB可以连接到主电路板。主电路板可以是电子模块EM的一个电子组件。外围区域DP-NA的弯曲区域BA可以弯曲，使得柔性电路板FCB设置在显示区域DP-A下方。

驱动芯片DIC可以包括用于驱动像素的驱动元件，例如数据驱动电路。尽管在图2A中示出了将驱动芯片DIC安装到显示面板DP上的结构，但是本发明构思不限于此。例如，驱动芯片DIC可以安装到柔性电路板FCB上。

参考图2A，电子模块EM和电源模块PSM可以容纳在壳体HM中。壳体HM与显示装置DD(尤其窗WM)耦接，以容纳上述其他模块。

如图2B中所示，显示装置DD包括显示面板DP和传感器SS。传感器SS可以包括输入传感器、天线传感器和指纹传感器中的至少一个。

电子模块EM可以包括控制模块E-10、无线通信模块E-20、图像输入模块E-30、声音输入模块E-40、声音输出模块E-50、存储器E-60、外部接口模块E-70等。电子模块EM可以包括主电路板，并且上述模块可以安装到主电路板或通过柔性电路板电连接到主电路板。电子模块EM可以电连接到电源模块PSM。

控制模块E-10控制电子设备1000的整体操作。例如，控制模块E-10根据用户的输入激活或停用显示装置DD。控制模块E-10可以根据用户的输入控制图像输入模块E-30、声音输入模块E-40和声音输出模块E-50。控制模块E-10可以包括至少一个微处理器。

无线通信模块E-20通过使用蓝牙或WiFi链路与另一终端收发无线信号。无线通信模块E-20可以使用通用通信线路来收发语音信号。无线通信模块E-20可以包括多个天线模块。

图像输入模块E-30处理图像信号以将图像信号转换为可在显示装置DD中显示的图像数据。声音输入模块E-40在记录模式或语音识别模式下通过麦克风接收外部声音信号，以将接收到的声音信号转换为电子语音数据。声音输出模块E-50对从无线通信模块E-20接收的声音数据或存储在存储器E-60中的声音数据进行转换，并且将转换后的声音数据输出到外部。

外部接口模块E-70用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口或卡插座(例如，存储卡插座和用户识别模块(SIM)/用户身份模块(UIM)卡插座)的接口。

电源模块PSM供应用于电子设备1000的整体操作的电力。电源模块PSM可以包括典型的电池装置。

电子光学模块EOM可以是输出或接收光学信号的电子组件。电子光学模块EOM可以包括相机模块和/或接近传感器。相机模块可以通过感测区域1000SA拍摄外部图像。

图3是示出根据本发明构思的实施例的显示模块DM的截面图。

参考图3，显示装置DD可以包括显示面板DP、传感器层SSL和防反射层ARL。显示面板DP可以是产生图像的组件。显示面板DP可以是发光显示面板。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板、微型发光二极管(LED)显示面板或纳米LED显示面板。显示面板DP也可以被称为显示层。

显示面板DP可以包括基体层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。

基体层110可以是提供基体表面的构件，电路层120设置在此基体表面上。基体层110可以是刚性基板或者可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基板。基体层110可以包括玻璃基板、金属基板或聚合物基板。然而，本发明构思不限于此。例如，基体层110可以是无机层、有机层或复合材料层。

基体层110可以具有多层结构。例如，基体层110可以包括第一合成树脂层、单层或多层的无机层以及设置在单层或多层的无机层上的第二合成树脂层。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一者可以包括聚酰亚胺类树脂。然而，本发明构思不限于此。

基体层110可以包括显示区域DP-A和外围区域DP-NA。

电路层120可以设置在基体层110上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。

发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件。例如，发光元件可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。

封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以保护发光元件层130免受湿气、氧和诸如灰尘颗粒的外来物质的影响。封装层140可以包括至少一个无机层。封装层140可以包括无机层/有机层/无机层的层叠结构。封装层140可以覆盖发光元件层130的侧表面。

传感器层SSL可以设置在显示面板DP上。传感器层SSL可以包括输入传感器、天线传感器和指纹传感器中的至少一个。传感器层SSL可以通过连续工艺设置在显示面板DP上。在这种情况下，传感器层SSL可以直接设置在显示面板DP上。直接设置的特征可以表示在传感器层SSL和显示面板DP之间未设置第三组件。换言之，在传感器层SSL和显示面板DP之间可以不设置粘合层。

防反射层ARL可以直接设置在传感器层SSL上。防反射层ARL可以减小从显示装置DD的外部入射的外部光的反射率。防反射层ARL可以通过连续工艺提供在传感器层SSL上。防反射层ARL可以包括滤色器。滤色器可以具有预定的布置。例如，可以考虑从显示面板DP中所包含的像素发射的光的颜色来布置滤色器。另外，防反射层ARL还可以包括与滤色器相邻的黑色矩阵。稍后将提供关于防反射层ARL的详细描述。

在本发明构思的实施例中，可以省略传感器层SSL。在这种情况下，防反射层ARL可以直接设置在显示面板DP上。在本发明构思的实施例中，可以改变传感器层SSL和防反射层ARL的位置。例如，在一种情况下，防反射层ARL可以形成显示模块DM的上表面，并且在另一种情况下，传感器层SSL可以形成显示模块DM的上表面。

图4A是根据本发明构思的实施例的像素PXij的等效电路图。图4B是示出根据本发明构思的实施例的用于驱动显示装置的方法的时序图。图4C是示出根据本发明构思的实施例的用于驱动像素的方法的时序图。

图4A示出连接到第一组的第i扫描线SLi和第j数据线DLj的像素PXij。像素PXij可以包括像素驱动电路PC(在下文中称为像素电路PC)和发光元件LD。

在本实施例中，像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及电容器Cst。在本实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5至第七晶体管T7中的每一者是p型晶体管，并且第三晶体管T3和第四晶体管T4中的每一者是n型晶体管。然而，本发明构思不限于此。例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每一者可以是p型晶体管和n型晶体管中的一种。将理解的是，n型晶体管的输入区(或输入电极)是漏极(或漏极区)，p型晶体管的输入区(或输入电极)是源极(或源极区)，n型晶体管的输出区(或输出电极)是源极(或源极区)，并且p型晶体管的输出区(或输出电极)是漏极(或漏极区)。另外，在本发明构思的实施例中，可以省略第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一者。

在该实施例中，第一晶体管T1可以是驱动晶体管，并且第二晶体管T2可以是开关晶体管。电容器Cst电连接在接收第一电源电压ELVDD的第一电压线PL与参考节点RN之间。电容器Cst包括电连接到参考节点RN的第一电极CE10和电连接到第一电压线PL的第二电极CE20。电容器Cst的第一电极CE10可以电连接到第一晶体管T1。

发光元件LD电连接在第一晶体管T1和信号线SL之间。信号线SL可以将第二电源电压ELVSS或驱动信号TDS提供到发光元件LD的阴极。换言之，信号线SL可以将第二电源电压ELVSS或驱动信号TDS提供到发光元件LD的第二端子。第二电源电压ELVSS可以具有小于第一电源电压ELVDD的电平的电平。

第一晶体管T1可以电连接在第一电压线PL和发光元件LD的阳极之间。换言之，第一晶体管T1可以电连接在第一电压线PL和发光元件LD的第一端子之间。第一晶体管T1的源极S1电连接到第一电压线PL。在本说明书中，表述“电连接在晶体管和信号线之间之间”可以表示“晶体管的源极、漏极和栅极与信号线集成或通过连接电极连接到信号线”。另一晶体管可以设置或不设置在第一电压线PL和第一晶体管T1的源极S1之间。在本说明书中，表述“电连接在一个晶体管和另一个晶体管之间”可以表示“所述一个晶体管的源极、漏极和栅极与所述另一个晶体管的源极、漏极和栅极集成或通过连接电极连接到所述另一个晶体管的源极、漏极和栅极”。

第一晶体管T1的漏极D1电连接到发光元件LD的阳极。另一晶体管可以设置或可以不设置在漏极D1和发光元件LD的阳极之间。第一晶体管T1的栅极G1电连接到参考节点RN。例如，第一晶体管T1的栅极G1电连接到电容器CST的第一电极CE10。

第二晶体管T2电连接在第j数据线DLj和第一晶体管T1的源极S1之间。第二晶体管T2的源极S2电连接到第j数据线DLj，并且第二晶体管T2的漏极D2电连接到第一晶体管T1的源极S1。在该实施例中，第二晶体管T2的栅极G2可以电连接到第一组的第i扫描线SLi。

第三晶体管T3电连接在参考节点RN和第一晶体管T1的漏极D1之间。第三晶体管T3的漏极D3电连接到第一晶体管T1的漏极D1，并且第三晶体管T3的源极S3电连接到参考节点RN。例如，第三晶体管T3的源极S3电连接到第一晶体管T1的栅极G1。尽管示出了包括单个栅极的第三晶体管T3，但是第三晶体管T3可以包括多个栅极。在该实施例中，第三晶体管T3的栅极G3可以电连接到第二组的第i扫描线GLi。第四晶体管T4电连接在参考节点RN和第二电压线VL1之间。第四晶体管T4的漏极D4电连接到参考节点RN，并且第四晶体管T4的源极S4电连接到第二电压线VL1。尽管示出了包括单个栅极的第四晶体管T4，但是第四晶体管T4可以包括多个栅极。在该实施例中，第四晶体管T4的栅极G4可以电连接到第三组的第i扫描线HLi。

第五晶体管T5电连接在第一电压线PL和第一晶体管T1的源极S1之间。第五晶体管T5的源极S5电连接到第一电压线PL，并且第五晶体管T5的漏极D5电连接到第一晶体管T1的源极S1。第五晶体管T5的栅极G5可以电连接到第i发光线ELi。

第六晶体管T6电连接在第一晶体管T1的漏极D1和发光元件LD之间。第六晶体管T6的源极S6电连接到第一晶体管T1的漏极D1，并且第六晶体管T6的漏极D6电连接到发光元件LD的阳极。第六晶体管T6的栅极G6可以电连接到第i发光线ELi。在本发明构思的实施例中，第六晶体管T6的栅极G6和第五晶体管T5的栅极G5可以连接到不同的信号线。例如，第一晶体管T5和第六晶体管T6可以连接到不同的发光线。

第七晶体管T7电连接在第六晶体管T6的漏极D6和第三电压线VL2之间。第七晶体管T7的源极S7电连接到第六晶体管T6的漏极D6，并且第七晶体管T7的漏极D7电连接到第三电压线VL2。第七晶体管T7的栅极G7可以电连接到第一组的第i+1扫描线SLi+1。

将参考图4B和图4C结合图4A更详细地描述显示装置DD(参考图2A)和像素PXij的工作。

如图4B中所示，显示装置DD可以通过与同步信号Tsyn同步而操作。同步信号Tsyn可以包括高时段和低时段，并且高时段和低时段可以交替地限定。显示装置DD可以在同步信号Tsyn处于低状态的第一时段T10期间显示图像，并且在同步信号Tsyn处于高状态的第二时段T20期间感测外部输入。一个帧周期FR可以包括一个第一时段T10和一个第二时段T20。然而，本发明构思不限于第一时段T10和第二时段T20的顺序。换言之，尽管在图4B中第一时段T10和第二时段T20具有相同的长度，但是本发明构思不限于此。例如，第二时段T20可以比第一时段T10短。另外，第二时段T20可以对应于垂直空白时段。垂直空白时段可以是输入垂直同步信号的时段或在两个连续帧周期期间不显示图像的短时段。

在第一时段T10期间，顺序地扫描第一组的扫描线、第二组的扫描线、第三组的扫描线和发光线。图4C示出了第一时段T10的一部分。

参考图4C，信号EMi、GIi、GWi、GCi和GWi+1中的每一者可以在部分时段期间具有高电平V-HIGH并且在部分时段期间具有低电平V-LOW。当相应的信号具有高电平V-HIGH时，n型晶体管可以导通，并且当相应的信号具有低电平V-LOW时，p型晶体管可以导通。

当发光控制信号EMi具有高电平V-HIGH时，第五晶体管T5和第六晶体管T6截止。当第五晶体管T5和第六晶体管T6截止时，在第一电压线PL和发光元件LD之间不提供电流路径。因此，相应的时段可以是非发光时段，或者如图4C中所示的非发光区段。

当施加到第三组的第i扫描线HLi的扫描信号GIi具有高电平V-HIGH时，第四晶体管T4导通。当第四晶体管T4导通时，参考节点RN由第一初始化电压Vint初始化。

当施加到第一组的第i扫描线SLi的扫描信号GWi具有低电平V-LOW，并且施加到第二组的第i扫描线GLi的扫描信号GCi具有高电平V-HIGH时，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通。换言之，当扫描信号GWi具有低电平V-LOW并且扫描信号GCi同时具有高电平V-HIGH时，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通。

由于参考节点RN由第一初始化电压Vint初始化，所以第一晶体管T1导通。当第一晶体管T1导通时，与数据信号Dj对应的电压被提供到参考节点RN。这里，电容器Cst存储与数据信号Dj对应的电压。与数据信号Dj对应的电压可以是从数据信号Dj降低了第一晶体管T1的阈值电压(Vth)的电压。

当施加到第一组的第i+1扫描线SLi+1的扫描信号GWi+1具有低电平V-LOW时，第七晶体管T7导通。当第七晶体管T7导通时，发光元件LD的阳极由第二初始化电压VAint初始化。如图4C中所示，在第二晶体管T2和第三晶体管T3截止之后，第七晶体管T7导通。发光元件LD的寄生电容器可以放电。

当发光控制信号EMi具有低电平V-LOW时，第五晶体管T5和第六晶体管T6导通。当第五晶体管T5导通时，第一电源电压ELVDD被提供到第一晶体管T1。当第六晶体管T6导通时，第一晶体管T1和发光元件LD电连接。发光元件LD产生具有与接收的电流量对应的亮度的光。换言之，可以进入第一时段T10的发光区段。

参考图4B，在第一时段T10期间施加到发光元件LD的阴极的第二电源电压ELVSS保持恒定电平。在第二时段T20期间施加到发光元件LD的阴极的驱动信号TDS可以是交流信号。驱动信号TDS可以包括多个脉冲信号。

图5A是示出根据本发明构思的实施例的显示面板DP的平面图。图5B是示出图5A的区域10A的放大平面图。图5C是示出图5B的区域200A的放大平面图。图5D是示出图5B的区域300A的放大平面图。图5E是示出根据本发明构思的实施例的显示面板的一部分的平面图。

参考图5A，显示面板DP可以包括显示区域DP-A和外围区域DP-NA。外围区域DP-NA可以与显示区域DP-A相邻并且围绕显示区域DP-A的至少一部分。

显示区域DP-A可以包括第一区域DP-A1、第二区域DP-A2和第三区域DP-A3。第一区域DP-A1可以对应于图1中的感测区域1000SA或图2A中的感测区域100SA。尽管在该实施例中示出了具有圆形形状的第一区域DP-A1，但是本发明构思不限于此。例如，第一区域DP-A1可以具有各种形状，诸如多边形、椭圆形、具有至少一条弯曲边的图形或无定形形状。

显示面板DP可以包括多个像素PX。显示面板DP可以包括第一组像素PX1、第二组像素PX2和第三组像素PX3，第一组像素PX1包括设置在第一区域DP-A1上的发光元件，第二组像素PX2包括设置在第二区域DP-A2上的发光元件，第三组像素PX3包括设置在第三区域DP-A3上的发光元件。第一组像素PX1、第二组像素PX2和第三组像素PX3中的每一者可以包括图4A中的像素电路PC。图5A中的第一组像素PX1、第二组像素PX2和第三组像素PX3中的每一者的位置是基于相应的发光元件LD(参考图4A)的位置示出的。

第一组像素PX1、第二组像素PX2和第三组像素PX3中的每一者可以包括多个像素。在这种情况下，根据本发明构思的实施例，第一组像素PX1、第二组像素PX2和第三组像素PX3中的每一者可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且还可以包括白色像素。

第一区域DP-A1、第二区域DP-A2和第三区域DP-A3可以通过其透射率或分辨率来区分。在参考表面区域中测量透射率或分辨率。

第一区域DP-A1的透射率大于第二区域DP-A2和第三区域DP-A3中的每一者的透射率。这是因为第一区域DP-A1中的遮光结构所占据的区域的比率小于第二区域DP-A2和第三区域DP-A3中的每一者中的遮光结构所占据的区域的比率。未被遮光结构占据的区域对应于光学信号的透射区域。遮光结构可以包括导电图案、像素限定层和电路层的像素限定图案，这将稍后进行描述。

第三区域DP-A3的分辨率大于第一区域DP-A1和第二区域DP-A2中的每一者的分辨率。基于参考表面区域(或相同的表面区域)，设置在第三区域DP-A3中的发光元件的数量大于设置在第一区域DP-A1和第二区域DP-A2中的每一者中的发光元件的数量。

当基于透射率进行区分时，第一区域DP-A1可以是第一透射率区域，并且第二区域DP-A2和第三区域DP-A3可以是与第一透射率区域区分的第二透射率区域中的不同部分。第二区域DP-A2和第三区域DP-A3可以具有彼此基本相同的透射率。尽管第二区域DP-A2的透射率和第三区域DP-A3的透射率彼此不同，但是由于第一区域DP-A1的透射率远大于第二区域DP-A2和第三区域DP-A3中的每一者的透射率，所以当第一区域DP-A1被称为第一透射率区域时，第二区域DP-A2和第三区域DP-A3可以被称为第二透射率区域。

当基于分辨率进行区分时，第一区域DP-A1和第二区域DP-A2可以是第一分辨率区域中的不同部分，并且第三区域DP-A3可以是与第一分辨率区域区分的第二分辨率区域。第一区域DP-A1的用于每个参考表面区域的发光元件的数量可以与第二区域DP-A2的用于每个参考表面区域的发光元件的数量基本相同。

参考图5B，第一组像素PX1可以包括第一发光元件LD1和电连接到第一发光元件LD1的第一像素电路PC1。第二组像素PX2可以包括第二发光元件LD2和用于驱动第二发光元件LD2的第二像素电路PC2，并且第三组像素PX3可以包括第三发光元件LD3和用于驱动第三发光元件LD3的第三像素电路PC3。

第一发光元件LD1设置在第一区域DP-A1上，并且第一像素电路PC1设置在第二区域DP-A2上。第二发光元件LD2和第二像素电路PC2设置在第二区域DP-A2上。第三发光元件LD3和第三像素电路PC3设置在第三区域DP-A3上。

第一像素电路PC1从第一区域DP-A1移至第二区域DP-A2以提高第一区域DP-A1的透射率。通过去除诸如晶体管的遮光结构，透射区域的占用率可以增加，并且因此，第一区域DP-A1的透射率可以提高。

在图5B中作为示例示出了两种第一组像素PX1。一个第一组像素PX1包括在第一方向DR1上与第一像素电路PC1间隔开的第一发光元件LD1。另一第一组像素PX1包括在第二方向DR2上与第一像素电路PC1间隔开的第一发光元件LD1。尽管未示出，但是设置在第一区域DP-A1的右侧处的第一组像素PX1可以具有与设置在第一区域DP-A1的左侧处的第一组像素PX1的第一发光元件LD1和第一像素电路PC1之间的布置关系类似的第一发光元件LD1和第一像素电路PC1之间的布置关系。因此，在设置在第一区域DP-A1的右侧处的第一组像素PX1中，第一发光元件LD1可以在第一方向DR1上与第一像素电路PC1间隔开。另外，设置在第一区域DP-A1的下侧处的第一组像素PX1可以具有与设置在第一区域DP-A1的上侧处的第一组像素PX1的第一发光元件LD1和第一像素电路PC1之间的布置关系类似的第一发光元件LD1和第一像素电路PC1之间的布置关系。因此，在设置在第一区域DP-A1的下侧处的第一组像素PX1中，第一发光元件LD1可以在第二方向DR2上与第一像素电路PC1间隔开。

在图5C中，示出了发光元件的阳极(或第一电极AE1、AE2和AE3)以分别表示第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3。基于参考表面区域，第一发光元件LD1的数量小于第三发光元件LD3的数量，以提高第一区域DP-A1的透射率。例如，第一区域DP-A1的分辨率为第三区域DP-A3的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9和1/16。例如，第三区域DP-A3可以具有大约400ppi的分辨率，并且第一区域DP-A1可以具有大约200ppi或大约100ppi的分辨率。然而，这仅是一个示例，并且本发明构思不限于此。这里，第一发光元件LD1的阳极AE1的面积可以大于第三发光元件LD3的阳极AE3的面积，以提高第一区域DP-A1的亮度。

在第一区域DP-A1中的其上未设置第一发光元件LD1的区域可以是透射区域TA。

基于参考表面区域，第二发光元件LD2的数量小于第三发光元件LD3的数量，以在第二区域DP-A2中确保其上设置第一像素电路PC1的区域。第一像素电路PC1设置在第二区域DP-A2中的其上未设置第二像素电路PC2的区域上。

第一发光元件LD1可以通过像素连接线TWL电连接到第一像素电路PC1。像素连接线TWL与第一区域DP-A1和第二区域DP-A2重叠。像素连接线TWL可以与透射区域TA重叠。

阳极AE1、AE2和AE3中的每一者可以具有弯曲边缘。均具有弯曲边缘的阳极AE1、AE2和AE3可以使光的衍射最小化。特别地，第一发光元件LD1的阳极AE1可以使穿过透射区域的光的衍射最小化。

参考图5D，示出了具有三种颜色的第一发光元件LD1。一个阳极AE1-R、另一阳极AE1-G和另一阳极AE1-B被示出为分别表示具有第一颜色的第一发光元件LD1、具有第二颜色的第一发光元件LD1和具有第三颜色的第一发光元件LD1。第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色。然而，本发明构思不限于此。例如，第一颜色至第三颜色可以采用三原色中的其他原色。

示出了设置在第一区域DP-A1中的第一发光元件行PXL1、第二发光元件行PXL2、第三发光元件行PXL3和第四发光元件行PXL4。具有第二颜色的阳极AE1-G可以在第一方向DR1上布置在第一发光元件行PXL1和第三发光元件行PXL3中的每一者中。第一阳极AE1-R和第三阳极AE1-B可以在第一方向DR1上交替地布置在第二发光元件行PXL2和第四发光元件行PXL4中的每一者中。第二发光元件行PXL2的第一阳极AE1-R与第四发光元件行PXL4的第三阳极AE1-B在第二方向DR2上对齐。第一发光元件行PXL1至第四发光元件行PXL4的上述布置可以扩展到第二区域DP-A2和第三区域DP-A3。

图5A至图5C中所示的第二区域DP-A2或第三区域DP-A3也可以与第一发光元件行PXL1至第四发光元件行PXL4具有相同的像素布置。因为第三区域DP-A3的分辨率大于第一区域DP-A1的分辨率，所以阳极AE1-R、AE1-G和AE1-B之间的距离可能窄。

设置在部分区域300A1上的阳极AE1-R、AE1-G和AE1-B对应于设置在图5B中的第一区域DP-A1的左侧处的第一组像素PX1的阳极，并且设置在另一部分区域300A2上的阳极AE1-R、AE1-G和AE1-B对应于设置在图5B中的第一区域DP-A1的上侧处的第一组像素PX1的阳极。像素连接线TWL的延伸方向可以根据阳极AE1-R、AE1-G和AE1-B的位置而改变。

参考图5E，第一像素电路PC1可以设置在第四区域而不是第一区域DP-A1、第二区域DP-A2和第三区域DP-A3上。如图5E中所示，第一像素电路PC1可以设置在外围区域DP-NA上。像素连接线TWL可以与第一区域DP-A1、第二区域DP-A2、第三区域DP-A3和外围区域DP-NA重叠。

图6是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的第三区域DP-A3的截面图。图7是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的第一区域DP-A1和第二区域DP-A2的截面图。

在图6中，示出了第三发光元件LD3以及第三像素电路PC3(参考图5C)的硅晶体管S-TFT和氧化物晶体管O-TFT。在图4A中所示的等效电路中，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以为氧化物晶体管O-TFT，并且其余晶体管(例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5至第七晶体管T7)可以为硅晶体管S-TFT。在图7中，示出了第一像素电路PC1和第一发光元件LD1的一部分，并且示出了第二像素电路PC2和第二发光元件LD2的一部分。图7中所示的硅晶体管S-TFT可以是图4A中所示的第六晶体管T6。

阻挡层10br可以设置在基体层110上。阻挡层10br可以防止异物从外部引入。阻挡层10br可以包括至少一个无机层。阻挡层10br可以包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层中的每一者可以设置为多个，并且氧化硅层和氮化硅层可以彼此交替地层叠。

第一屏蔽电极BMLa可以设置在阻挡层10br上。第一屏蔽电极BMLa可以包括金属。第一屏蔽电极BMLa可以包括具有优异的耐热性的钼(Mo)、含钼的合金、钛(Ti)或含钛的合金。第一屏蔽电极BMLa可以接收偏置电压。第一屏蔽电极BMLa还可以接收第一电源电压ELVDD(参考图4A)。第一屏蔽电极BMLa可以阻止由极化现象引起的电势影响硅晶体管S-TFT。第一屏蔽电极BMLa可以阻挡外部光到达硅晶体管S-TFT。在本发明构思的实施例中，第一屏蔽电极BMLa可以是与另一电极或线隔离的浮置电极。

缓冲层10bf可以设置在阻挡层10br上。缓冲层10bf可以防止金属原子或杂质从基体层110扩散到设置在其上方的第一半导体图案SC1。缓冲层10bf可以包括至少一个无机层。缓冲层10bf可以包括氧化硅层和氮化硅层。

第一半导体图案SC1可以设置在缓冲层10bf上。第一半导体图案SC1可以包括硅半导体。例如，硅半导体可以包括非晶硅和多晶硅。例如，第一半导体图案SC1可以包括低温多晶硅。

图7仅示出了第一半导体图案SC1的一部分，并且第一半导体图案SC1可以进一步设置在另一区域上。第一半导体图案SC1可以以特定规则遍及像素而布置。第一半导体图案SC1可以具有根据其是否被掺杂而改变的电性质。第一半导体图案SC1可以包括具有高电导率的第一区域和具有低电导率的第二区域。第一区域可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。p型晶体管可以包括掺杂有p型掺杂剂的掺杂区域，并且n型晶体管可以包括掺杂有n型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域或具有比第一区域的掺杂浓度小的掺杂浓度的掺杂区域。

第一半导体图案SC1的第一区域可以具有比第二区域的电导率大的电导率，并且用作电极或信号线。第一半导体图案SC1的第二区域可以对应于晶体管的沟道区(或有源区)。换言之，第一半导体图案SC1的一部分可以是晶体管的沟道区，第一半导体图案SC1的另一部分可以是晶体管的源极区或漏极区，并且第一半导体图案SC1的另一部分可以是连接电极或连接信号线。

可以从第一半导体图案SC1提供硅晶体管S-TFT的源极区SE1、沟道区AC1(或有源区)和漏极区DE1。在截面上，源极区SE1和漏极区DE1可以从沟道区AC1沿相反方向延伸。

第一绝缘层10可以设置在缓冲层10bf上。第一绝缘层10可以覆盖第一半导体图案SC1。第一绝缘层10可以是无机层。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。

第一绝缘层10可以是单层的氧化硅层。代替第一绝缘层10，稍后将描述的电路层120的无机层可以具有单层或多层结构，并且包括上述材料中的至少一种。然而，本发明构思不限于此。

硅晶体管S-TFT的栅极GT1设置在第一绝缘层10上。栅极GT1可以是金属图案的一部分。栅极GT1与沟道区AC1重叠。栅极GT1可以在掺杂第一半导体图案SC1的工艺中用作掩模。栅极GT1可以包括具有优异的耐热性的钼(Mo)、含钼的合金、钛(Ti)或含钛的合金。然而，本发明构思不限于此。

电容器Cst的第一电极CE10设置在第一绝缘层10上。与图6中所示的不同，第一电极CE10可以具有与栅极GT1一体化的形状。

第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上以覆盖栅极GT1。与栅极GT1重叠的上电极(未示出)可以设置在第二绝缘层20上。与第一电极CE10重叠的第二电极CE20可以设置在第二绝缘层20上。第二电极CE20可以包括具有优异的耐热性的钼(Mo)、含钼的合金、钛(Ti)或含钛的合金。上电极可以与第二电极CE20通过相同的工艺形成，并且上电极可以与第二电极CE20包括相同的材料。

第二屏蔽电极BMLb设置在第二绝缘层20上。第二屏蔽电极BMLb可以对应于氧化物晶体管O-TFT的下部设置。在本发明构思的实施例中，可以省略第二屏蔽电极BMLb。根据本发明构思的实施例，第一屏蔽电极BMLa可以延伸直到氧化物晶体管O-TFT的下部，以代替第二屏蔽电极BMLb。

第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第二半导体图案SC2可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案SC2可以包括氧化物晶体管O-TFT的沟道区AC2。第二半导体图案SC2可以包括氧化物半导体。第二半导体图案SC2可以包括透明导电氧化物(TCO)，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO_x)或氧化铟(In₂O₃)。

氧化物半导体可以包括根据透明导电氧化物是否被还原而区分的多个区域。其中透明导电氧化物被还原的区域(在下文中，称为还原区域)具有大于其中透明导电氧化物未被还原的区域(在下文中，称为非还原区域)的电导率的电导率。还原区域用作晶体管的源极区或漏极区或者信号线。非还原区域对应于晶体管的半导体区域(或沟道区)。换言之，第二半导体图案SC2的一个区域可以是晶体管的半导体区域，第二半导体图案SC2的另一区域可以是晶体管的源极区或漏极区，并且第二半导体图案SC2的另一区域可以是信号传输区域。

第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。如图6中所示，第四绝缘层40可以是与氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2重叠并且暴露氧化物晶体管O-TFT的源极区SE2和漏极区DE2的绝缘图案。在本发明构思的实施例中，第四绝缘层40可以与多个像素公共地重叠并且覆盖第二半导体图案SC2。

氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2设置在第四绝缘层40上。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2可以是金属图案的一部分。氧化物晶体管O-TFT的栅极GT2与沟道区AC2重叠。栅极GT2可以包括具有优异的耐热性的钼(Mo)、含钼的合金、钛(Ti)或含钛的合金。栅极GT2可以包括钛层和设置在钛层上的钼层。

第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上以覆盖栅极GT2。第一绝缘层10至第五绝缘层50中的每一者可以是无机层。

第一连接电极CNE1可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE1可以通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔连接到硅晶体管S-TFT的漏极区DE1。

第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第六绝缘层60的接触孔连接到第一连接电极CNE1。数据线DL可以设置在第六绝缘层60上。第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上以覆盖第二连接电极CNE2和数据线DL。第八绝缘层80可以设置在第七绝缘层70上。第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和数据线DL中的每一者可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。

第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一者可以是有机层。例如，第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一者可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物和它们的混合物。

第三发光元件LD3可以包括阳极AE3(或第一电极)、发光层EL3和阴极CE(或第二电极)。稍后将描述的第一发光元件LD1和第二发光元件LD2中的每一者的阴极CE可以具有与第三发光元件LD3的阴极CE一体化的形状。换言之，阴极CE可以公共地提供给第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3。参考图5C，多个第三发光元件LD3的阴极CE可以与多个第一发光元件LD1的阴极CE具有一体化的形状。多个第三发光元件LD3的阴极CE可以与多个第二发光元件LD2的阴极CE具有一体化的形状。

第三发光元件LD3的阳极AE3可以设置在第八绝缘层80上。第三发光元件LD3的阳极AE3可以是(半)透射电极或反射电极。根据本发明构思的实施例，第三发光元件LD3的阳极AE3可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物制成的反射层和设置在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO_x)、氧化铟(In₂O₃)和掺杂铝的氧化锌组成的组中选择的至少一种。例如，第三发光元件LD3的阳极AE3可以包括ITO/Ag/ITO的层叠结构。

像素限定层PDL可以设置在第八绝缘层80上。像素限定层PDL可以与第八绝缘层80包括相同的材料并且与第八绝缘层80通过相同的工艺提供。像素限定层PDL可以具有吸光性质并且具有例如黑色。像素限定层PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色颜料和黑色染料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或金属的氧化物。像素限定层PDL可以对应于具有遮光特性的遮光图案。

像素限定层PDL可以覆盖第三发光元件LD3的阳极AE3的一部分。例如，用于暴露第三发光元件LD3的阳极AE3的一部分的第二开口PDL-OP2可以设置在像素限定层PDL中。像素限定层PDL可以增加第三发光元件LD3的阳极AE3的边缘和阴极CE之间的距离。因此，像素限定层PDL可以防止在第三发光元件LD3的阳极AE3的边缘处产生电弧。

空穴控制层可以设置在阳极AE3和发光层EL3之间。空穴控制层可以包括空穴传输层，并且还包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发光层EL3和阴极CE之间。电子控制层可以包括电子传输层，并且还包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以通过使用开口掩模公共地提供给多个像素PX(参考图5A)。

封装层140可以设置在发光元件层130上。尽管封装层140可以包括顺序层叠的无机层141、有机层142和无机层143，但是本发明构思不限于构成封装层140的层。

无机层141和143可以保护发光元件层130免受湿气和氧的影响，并且有机层142可以保护发光元件层130免受诸如尘粒的异物的影响。无机层141和143可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。尽管有机层142可以包括丙烯酸类有机层，但是本发明构思不限于此。

传感器层SSL可以设置在显示面板DP上。传感器层SSL可以包括至少一个导电层和至少一个绝缘层。在该实施例中，传感器层SSL可以包括第一绝缘层210、第一导电层220、第二绝缘层230和第二导电层240。

第一绝缘层210可以直接设置在显示面板DP上。第一绝缘层210可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。可选地，第一绝缘层210可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺类树脂的有机层。第一绝缘层210可以具有单层结构或在第三方向DR3上层叠的多层结构。第一导电层220可以从第一绝缘层210的表面突出。

第一导电层220和第二导电层240中的每一者可以具有单层结构或在第三方向DR3上层叠的多层结构。第一导电层220和第二导电层240中的每一者可以包括形成网格型电极的导电线。第一导电层220的导电线和第二导电层240的导电线可以通过穿过第二绝缘层230的接触孔连接，或者可以不连接。第一导电层220的导线与第二导电层240的导电线之间的连接关系可以根据构成传感器层SSL的传感器的种类来确定。

具有单层结构的第一导电层220和第二导电层240中的每一者可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝及其合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO_x)或氧化铟锌锡(IZTO)的透明导电氧化物。另外，透明导电层可以包括诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯。

具有多层结构的第一导电层220和第二导电层240中的每一者可以包括金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。多层导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。

第二绝缘层230可以设置在第一导电层220和第二导电层240之间。例如，第一导电层220和第二导电层240可以彼此重叠，第二绝缘层230介于它们之间。另外，第二导电层240可以从第二绝缘层230的表面突出。第二绝缘层230可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。

可选地，第二绝缘层230可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。

防反射层ARL可以设置在传感器层SSL上。防反射层ARL可以包括分隔层310、第一滤色器321(参考图7)、第二滤色器322(参考图7)、第三滤色器323和平坦化层330。

分隔层310可以由各种吸光材料制成。然而，本发明构思不限于此。分隔层310可以具有黑色。在本发明构思的实施例中，分隔层310可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色颜料和黑色染料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或金属的氧化物。

分隔层310可以覆盖传感器层SSL的第二导电层240。分隔层310可以防止由第二导电层240引起的外部光反射。分隔层310可以与第二区域DP-A2(参考图7)和第三区域DP-A3重叠，并且可以不与第一区域DP-A1(参考图7)重叠。换言之，由于分隔层310不设置在第一区域DP-A1上(参考图7)，所以第一区域DP-A1可以具有进一步提高的透射率。

第二开口310-OP2可以设置在分隔层310中。第二开口310-OP2可以与第三发光元件LD3的阳极AE3重叠。第三滤色器323可以与第三区域DP-A3重叠。第三滤色器323可以与第三发光元件LD3的阳极AE3重叠。第三滤色器323可以覆盖第二开口310-OP2。第三滤色器323可以接触分隔层310。

平坦化层330可以覆盖分隔层310和第三滤色器323。平坦化层330可以包括有机材料并且在其顶表面上提供平坦化表面。在本发明构思的实施例中，可以省略平坦化层330。

在图7中，示出了被应用了图6中的具有绝缘图案的第四绝缘层40的第二区域DP-A2。在图7中，与第一像素电路PC1不同，第二像素电路PC2的氧化物晶体管O-TFT未示出。将省略与参考图6对第三组像素PX3的描述共同的对第一组像素PX1和第二组像素PX2的描述。

第一发光元件LD1的阳极AE1可以电连接到设置在第二区域DP-A2上的第一像素电路PC1。第一发光元件LD1的阳极AE1可以电连接到硅晶体管S-TFT或氧化物晶体管O-TFT。在图7中示出了连接到硅晶体管S-TFT的第一发光元件LD1的阳极AE1。

第一发光元件LD1的阳极AE1可以通过像素连接线TWL以及连接电极CNE1'和CNE2'电连接到第一像素电路PC1。根据本发明构思的实施例，可以省略连接电极CNE1'和CNE2'之一。

像素连接线TWL可以包括透明导电材料。例如，像素连接线TWL可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO_x)或氧化铟(In₂O₃)的透明导电氧化物(TCO)。尽管像素连接线TWL与光学信号移动所通过的透射区域TA重叠，但是像素连接线TWL可以使光学信号的失真(诸如衍射)最小化。

在该实施例中，像素连接线TWL(在下文中称为第一像素连接线TWL)与第一区域DP-A1和第二区域DP-A2重叠，并且设置在第七绝缘层70和第八绝缘层80之间。换言之，第一像素连接线TWL从第一区域DP-A1延伸到第二区域DP-A2。第一像素连接线TWL不与第三区域DP-A3重叠(参考图6)。换言之，第一像素连接线TWL不设置在第三区域DP-A3中。

根据本发明构思的实施例的显示面板DP还可以包括设置在第六绝缘层60和第七绝缘层70之间的连接线TWL1(在下文中称为第二像素连接线TWL1)或设置在第五绝缘层50和第六绝缘层60之间的连接线TWL2(在下文中称为第三像素连接线)。根据本发明构思的实施例，显示面板DP可以包括第一像素连接线TWL、第二像素连接线TWL1和第三像素连接线TWL2中的至少一者。第二像素连接线TWL1和第三像素连接线TWL2可以彼此重叠。

像素限定层PDL可以覆盖第二发光元件LD2的阳极AE2的一部分。例如，用于暴露第二发光元件LD2的阳极AE2的一部分的第一开口PDL-OP1可以设置在像素限定层PD1中。

像素限定图案PDP可以设置在第八绝缘层80上以与第一区域DP-A1重叠。像素限定图案PDP可以与像素限定层PDL包括相同的材料并且通过相同的工艺提供。像素限定图案PDP可以覆盖第一发光元件LD1的阳极AE1的一部分。用于暴露第一发光元件LD1的阳极AE1的一部分的开口PDP-OP可以设置在像素限定图案PDP中。

尽管在该实施例中像素限定图案PDP与像素限定层PDL是区分开的，但是像素限定图案PDP可以是像素限定层PDL的一部分。像素限定层PDL可以是图案化绝缘层的第一部分，并且像素限定图案PDP可以是图案化绝缘层的第二部分。包括像素限定图案PDP和像素限定层PDL的绝缘层可以包括有机层。

像素限定图案PDP可以覆盖第一发光元件LD1的阳极AE1的边缘，并且与像素限定层PD1一样防止产生电弧。第一区域DP-A1中的与其上设置有第一发光元件LD1的阳极AE1和像素限定图案PDP的部分重叠的区域可以是遮光区域LSA，并且与遮光区域LSA相邻的其中未设置第一发光元件LD1的区域可以是透射区域TA。

第一开口310-OP1可以设置在分隔层310中。第一开口310-OP1可以与第二发光元件LD2的阳极AE2重叠。第一滤色器321可以与第一区域DP-A1重叠，并且第二滤色器322可以与第二区域DP-A2重叠。第一滤色器321和第二滤色器322中的每一者可以与阳极AE1和AE2中的相应的阳极重叠。

由于分隔层310不与第一区域DP-A1重叠，所以第一滤色器321可与分隔层310间隔开。换言之，第一滤色器321可以不接触分隔层310。第二滤色器322可以覆盖第一开口310-OP1。平坦化层330可以覆盖分隔层310、第一滤色器321和第二滤色器322。

图8A是示出根据本发明构思的实施例的显示面板DP的阴极CE的平面图。图8B和图8C是示出根据本发明构思的实施例的显示面板DP的一部分的放大平面图。图8D是沿着图8C的线I-I'截取的截面图。图8E是根据本发明构思的实施例的显示面板DP的一部分的放大平面图。

如图8A中所示，阴极CE可以包括多个图案CE-P1、CE-P2和CE-P3。多个图案CE-P1、CE-P2和CE-P3中的每一者可以对应于多个像素PX。

包括多个图案CE-P1、CE-P2和CE-P3的阴极CE可以通过各种方法来提供。例如，阴极CE可以通过喷墨印刷方法来提供。阴极CE可以通过使用掩模在特定区域上沉积导电材料来提供。

在图4B中的第一时段T10期间，多个图案CE-P1、CE-P2和CE-P3可以对应于阴极。在图4B中的第二时段T20期间，多个图案CE-P1、CE-P2和CE-P3可以对应于输入传感器的电极。多个图案CE-P1、CE-P2和CE-P3中的每一者可以在第二时段T20期间接收驱动信号TDS。更具体地，多个图案CE-P1、CE-P2和CE-P3可以通过自容(或自电容)方法来驱动。附加电容器并联连接到在其上产生用户的输入的图案中的多个图案CE-P1、CE-P2和CE-P3中的每一者中的电容器。输入传感器的驱动电路可以通过测量在多个图案CE-P1、CE-P2和CE-P3中产生的电容的变化量来识别用户的输入。

多个图案CE-P1、CE-P2和CE-P3可以包括与第一区域DP-A1、第二区域DP-A2和第三区域DP-A3重叠的第一图案CE-P1、与第二区域DP-A2和第三区域DP-A3重叠的第二图案CE-P2和与第三区域DP-A3重叠的第三图案CE-P3。尽管作为示例示出了一个第一图案CE-P1和两个第二图案CE-P2，但是可以改变第一图案CE-P1和第二图案CE-P2中的每一者的数量。在本发明的实施例中，与第二区域DP-A2和第三区域DP-A3重叠的图案可以省略。也就是说，第二图案CE-P2可以不与第二区域DP-A2重叠。在本发明的实施例中，第一图案CE-P1可以不与第三区域DP-A3重叠。

第一图案CE-P1、第二图案CE-P2和第三图案CE-P3中的每一者连接到信号线SL。信号线SL可以向第一图案CE-P1、第二图案CE-P2和第三图案CE-P3中的每一者提供第二电源电压ELVSS(参考图4B)和驱动信号TDS(参考图4B)。信号线SL连接到与图2A中的柔性电路板FCB连接的焊盘PD。

信号线SL可以与参考图7描述的第一像素连接线TWL、第二像素连接线TWL1和第三像素连接线TWL2中的一者设置在相同的层上并且包括相同的材料。信号线SL可以与图7中的数据线DL设置在相同的层上并且包括相同的材料。信号线SL可以与图7中的设置在不同的层上的导电图案设置在相同的层上。

分别连接到第一图案CE-P1和第二图案CE-P2的第一信号线SL1和第二信号线SL2主要设置在外围区域DP-NA上。连接到与外围区域DP-NA相邻的图案的信号线主要设置在外围区域DP-NA上。连接到第三图案CE-P3的第三信号线SL3主要设置在显示区域DP-A上。第一信号线SL1和第二信号线SL2中的每一者可以改变为与第三信号线SL3的形状相同的形状。

参考图8A，第一图案CE-P1可以是第一组像素PX1、第二组像素PX2和第三组像素PX3的公共阴极。第二图案CE-P2可以是第二组像素PX2和第三组像素PX3的公共阴极。第三图案CE-P3可以是第三组像素PX3的阴极。第三组像素PX3的像素PX3-1包括第一图案CE-P1的阴极，第三组像素PX3的另一像素PX3-2包括第二图案CE-P2的阴极，并且第三组像素PX3的另一像素PX3-3包括第三图案CE-P3的阴极。

在图8B和图8C中，另外示出了图5C和图5D中的阴极。图8C是示出图5D的部分区域的放大视图。在图8B和图8C中放大了图8A的第一图案CE-P1的详细形状。

参考图8B，第一图案CE-P1可以对应于第一组像素PX1、第二组像素PX2和第三组像素PX3的公共阴极。

第一图案CE-P1可以与对应于第三区域DP-A3的整个区域重叠。对应的区域可以在图8A中示出。第一图案CE-P1可以与设置在第三区域DP-A3上的第三发光元件LD3和第三像素电路PC3重叠。

第一图案CE-P1可以与对应于第二区域DP-A2的整个区域重叠。对应的区域可以在图8A中示出。第一图案CE-P1可以与设置在第二区域DP-A2上的第二发光元件LD2、第二像素电路PC2和第一像素电路PC1重叠。另外，第一图案CE-P1可以与阳极AE2重叠。第三发光元件LD3的阴极和第二发光元件LD2的阴极可以在其上设置有第一图案CE-P1的区域中电连接。第二发光元件LD2的阴极和第一发光元件LD1的阴极可以在其上设置有第一图案CE-P1的区域中电连接。如图8A和图8B中所示，第一发光元件LD1的阴极、第二发光元件LD2的阴极和第三发光元件LD3的阴极可以在其上设置有第一图案CE-P1的区域中具有一体化的形状。

参考图8B和图8C，第一图案CE-P1在第一区域DP-A1中是图案化的。换言之，第一区域DP-A1可以区分为其上设置有第一图案CE-P1的区域LTA(在下文中称为低透射率区域LTA)和其上未设置有第一图案CE-P1的区域HTA(在下文中称为高透射率区域HTA)。

尽管第一图案CE-P1是透射或半透射电极，但是其中设置有第一图案CE-P1的低透射率区域LTA的透射率比其上未设置有第一图案CE-P1的高透射率区域HTA的透射率减小得更多。如图8B和图8C中所示，其上未设置有第一图案CE-P1的高透射率区域HT的透射率比低透射率区域LTA提高得更多。

第一图案CE-P1可以包括与第一发光元件LD1的阳极AE1重叠的电极区域EA和连接电极区域EA的连接区域CNA。开口CE-OP1对应于高透射率区域HTA设置在第一图案CE-P1中。换言之，开口CE-OP1设置在高透射率区域HTA中。每个电极区域EA可以具有比阳极AE1中的相应的阳极的面积大的面积。每个阳极AE1设置在相应的电极区域EA的内侧处。

电极区域EA可以对应于图7中的遮光区域LSA。当第一图案CE-P1覆盖图7中的像素限定图案PDP时，电极区域EA的面积可以大于遮光区域LSA的面积。相反，当第一图案CE-P1的边缘设置在像素限定图案PDP上时，电极区域EA的面积可以小于遮光区域LSA的面积。这在图9B中示出。

将参考图8C更详细地主要描述第一组像素PX1的两个像素。第一像素PX1-1可以包括具有第一颜色并包括第一阳极AE1-R的第一发光元件LD1，并且第二像素PX1-2可以包括具有第三颜色并包括第三阳极AE1-B的第一发光元件LD1。

第一像素PX1-1的电极区域EA和第二像素PX1-2的电极区域EA通过连接区域CNA连接。第一像素PX1-1的电极区域EA、第二像素PX1-2的电极区域EA和连接区域CNA可以具有一体化的形状。具有一体化的形状的第一像素PX1-1的电极区域EA、第二像素PX1-2的电极区域EA和连接区域CNA对应于第一像素PX1-1和第二像素PX1-2的公共阴极。

图8D是沿着图8C的线I-I'截取并且示出了发光元件层130的截面图。将主要描述与图7中的发光元件层130的不同点。

空穴传输层HTL可以进一步设置在阳极AE1和发光层EL1之间。空穴传输层HTL与发光层EL1和像素限定层PDL重叠。空穴传输层HTL可以与图8A中的整个显示区域DP-A重叠。

电子传输层ETL可以设置在发光层EL1和阴极CE之间。电子传输层ETL可以具有预定形状，而不是与整个第一区域DP-A1重叠。基本上，当在平面上观察时，电子传输层ETL和阴极CE可以具有相同的形状。电子传输层ETL可以包括与连接区域CNA对应的区域和与图8C中的电极区域EA对应的区域。换言之，在图8C中，电子传输层ETL可以与低透射率区域LTA重叠，并且可以不与高透射率区域HTA重叠。

电子传输层ETL和阴极CE可以在平面上具有相同的形状，原因将稍后描述。可以根据在其上沉积材料的基体层的表面状态来确定是否沉积阴极CE的材料，例如镁。镁可以沉积在电子传输层ETL上，但是可以不沉积在空穴传输层HTL上。因为由不同的材料制成的电子传输层ETL和空穴传输层HTL具有不同的表面性质，所以镁可以选择性地仅沉积在电子传输层ETL上。阴极CE的材料的沉积可以通过使用电子传输层ETL来确定而无需单独的掩模。

图8E是示出与图8C中的实施例不同的第一图案CE-P1的视图。参考图8E，第一图案CE-P1可以仅包括图8C的电极区域EA。阴极连接线CTWL可以替换连接区域CNA。

将更详细地主要描述第一像素PX1-1和第二像素PX1-2。第一像素PX1-1的阴极CE(参照图8D)和第二像素PX1-2的阴极CE(参照图8D)通过阴极连接线CTWL连接。阴极连接线CTWL与高透射率区域HTA重叠。

阴极连接线CTWL可以与图7中的第二像素连接线TWL1和第三像素连接线TWL2中的一者设置在相同的层上并且包括相同的材料。阴极连接线CTWL可以以绝缘方式与图7中的第一连接线TWL交叉。

阴极连接线CTWL可以具有比第一图案CE-P1的材料(例如，阴极CE)的透射率大的透射率。因为在第一区域DP-A1中由第一图案CE-P1占据的面积减小，第一区域DP-A1的透射率可以进一步提高。

电极区域EA和阴极连接线CTWL之间的连接关系是指参考图9A和图9B描述的信号线SL1和第一图案CE-P1之间的连接关系。然而，与第一接触孔CNT-1不同，阴极连接线CTWL和电极区域EA的接触孔CNT-C可以设置在不与像素限定图案PDP重叠的区域中。电极区域EA可以进一步延伸直到图9B中的透射区域TA，并且接触孔CNT-C可以设置在透射区域TA中。

根据本发明构思的实施例，再次参照图4A至图8E，显示装置DD包括显示面板DP，显示面板DP包括基体层110以及设置在基体层110上的第一组像素PX1和第二组像素PX2，基体层110包括显示区域DP-A和设置为与显示区域DP-A相邻的外围区域DP-NA，显示区域DP-A包括光学信号穿过的第一区域DP-A1和设置为与第一区域DP-A1相邻并且被配置为阻挡光学信号的第二区域DP-A2。第一组像素PX1包括第一像素PX1-1和第二像素PX1-2，第一像素PX1-1和第二像素PX1-2中的每一者包括设置在第一区域DP-A1上的第一发光元件LD1和电连接到第一发光元件LD1并且设置在第二区域DP-A2或外围区域DP-NA上的第一像素电路PC1。第一发光元件LD1包括阳极AE1、设置在阳极AE1上的发光层EL1和设置在发光层EL1上的阴极CE，第一像素PX1-1的阴极CE和第二像素PX1-2的阴极CE电连接，第一区域DP-A1包括与第一像素PX1-1的阴极CE和第二像素PX1-2的阴极CE重叠的低透射率区域LTA以及不与第一像素PX1-1的阴极CE和第二像素PX1-2的阴极CE重叠的高透射率区域HTA，并且第一像素PX1-1的阴极CE和第二像素PX1-2的阴极CE中的每一者在第一时段T10期间接收电源电压ELVSS并且在第二时段T20期间接收驱动信号TDS。

图9A是示出根据本发明构思的实施例的信号线SL1的平面图。图9B是沿着图9A的线II-II'截取的截面图。图9C是示出根据本发明构思的实施例的信号线SL1的平面图。

图9A是示出信号线SL1与第一图案CE-P1之间的连接关系的放大平面图。在图9A中，仅示出了第一区域DP-A1中的第一图案CE-P1的一部分，并且代表性地示出了图8C中的电极区域EA中的一个电极区域EA。在图9B中，第二区域DP-A2仅通过其区域示出，并且简单地示出第三区域DP-A3的电路层120。

第一信号线SL1可以包括第一部分SL1-1和第二部分SL1-2，第一部分SL1-1包括透明导电氧化物，第二部分SL1-2与第一部分SL1-1连接并且包括金属。第一部分SL1-1与第一区域DP-A1重叠。第一部分SL1-1可以与参考图7描述的第一像素连接线TWL、第二像素连接线TWL1和第三像素连接线TWL2中的一者设置在相同的层上并且包括相同的材料。

第一部分SL1-1和第二部分SL1-2可以在第二区域DP-A2中连接。第一部分SL1-1和第二部分SL1-2可以在第二区域DP-A2中重叠。第二部分SL1-2可以与图7中的第一连接电极CNE1或数据线DL设置在相同的层上并且包括相同的材料。第二部分SL1-2可以通过第三区域DP-A3延伸到外围区域DP-NA。第一信号线SL1的大部分可以被第二部分SL1-2占据，并且具有比透明导电氧化物的电阻小的电阻的金属可以防止驱动信号的延迟。

参考图9B，第一部分SL1-1可以设置在第七绝缘层70上。第一图案CE-P1可以通过穿过像素限定图案PDP和第八绝缘层80的第一接触孔CNT-1连接到第一部分SL1-1。第一部分SL1-1可以与第一像素连接线TWL设置在相同的层上。

第二部分SL1-2可以设置在第六绝缘层60上。第一部分SL1-1可以通过穿过第七绝缘层70的第二接触孔CNT-2连接到第二部分SL1-2。

第一信号线SL1可以包括多个第一部分SL1-1。多个第一部分SL1-1可以分别连接到不同的电极区域EA(参考图8B和图8C)。

在图9C中，简单地示出了图8B和图8C的第一图案CE-P1。参考图9C，第一信号线SL1可以仅包括第二部分SL1-2。第一信号线SL1和第一图案CE-P1可以在第三区域DP-A3中连接。例如，第一信号线SL1和第一图案CE-P1可以通过第二接触孔CNT-2连接。第一信号线SL1可以不与第一区域DP-A1重叠。第一信号线SL1和第一图案CE-P1也可以在第二区域DP-A2中连接。

图10是示出根据本发明构思的实施例的显示面板DP的一部分的放大平面图。图10示出与图5C和图8B对应的区域。

参考图10，第一组像素PX1还可以包括与第一发光元件LD1-1R、LD1-1B电连接的复制发光元件LD1-2R、LD1-2B。复制发光元件LD1-2R、LD1-2B可以与第一发光元件LD1-1R、LD1-1B发射具有相同亮度的光。复制发光元件LD1-2R、LD1-2B可以与第一发光元件LD1-1R、LD1-1B发射具有相同颜色的光。复制发光元件LD1-2R、LD1-2B可以与第一发光元件LD1-1R、LD1-1B具有相同的层叠结构。换言之，复制发光元件LD1-2R、LD1-2B可以与第一发光元件LD1-1R、LD1-1B相同。

由于复制发光元件LD1-2R、LD1-2B设置在第一区域DP-A1上而不是附加像素上，所以设置在第二区域DP-A2上的第一像素电路PC1的数量可以减少。因此，可以改善第二区域DP-A2的设计的自由度。第一区域DP-A1可以具有相对降低的分辨率并且确保与图5C和图8B中的实施例相同水平的亮度。

将更详细地主要描述第一组像素PX1的两个像素。第一像素PX1-1可以包括具有第一颜色并包括第一阳极AE1-R的第一发光元件LD1-1R和具有第一颜色的复制发光元件LD1-2R。第二像素PX1-2可以包括具有第三颜色并包括第三阳极AE1-B的第一发光元件LD1-1B和具有第三颜色的复制发光元件LD1-2B。

具有第一颜色的第一发光元件LD1-1R的第一阳极AE1-R和具有第一颜色的复制发光元件LD1-2R的阳极AE1-R1可以通过第一连接线TWL-1连接。具有第三颜色的第一发光元件LD1-1B的第三阳极AE1-B和具有第三颜色的复制发光元件LD1-2B的阳极AE1-B1可以通过第二连接线TWL-2连接。

第一连接线TWL-1和第二连接线TWL-2可以彼此交叉。例如，第一连接线TWL-1和第二连接线TWL-2可以在高透射率区域HTA中彼此交叉。第一连接线TWL-1可以与参考图7描述的第一连接线TWL、第二连接线TWL1和第三连接线TWL2中的一者设置在相同的层上并且包括相同的材料，并且第二连接线TWL-2可以与参考图7描述的第一连接线TWL、第二连接线TWL1和第三连接线TWL2中的另一者设置在相同的层上并且包括相同的材料。第一连接线TWL-1和第二连接线TWL-2中的每一者的一部分可以与稍后将描述的高透射率区域HTA重叠。

具有第一颜色的第一发光元件LD1-1R的阴极和具有第三颜色的复制发光元件LD1-2B的阴极可以具有一体化的形状，并且具有第三颜色的第一发光元件LD1-1B的阴极和具有第一颜色的复制发光元件LD1-2R的阴极可以具有一体化的形状。另外，具有第二颜色的第一发光元件的阴极和具有第二颜色的复制发光元件的阴极可以具有一体化的形状。

第一图案CE-P1可以包括多个部分CP。一个部分CP可以对应于一个第一发光元件LD1-1R和LD1-1B以及一个复制发光元件LD1-2R和LD1-2B中的每一者的阴极。

其上设置有多个部分CP的区域对应于低透射率区域LTA，并且其上未设置有多个部分CP的区域对应于高透射率区域HTA。尽管在图10中作为示例示出了彼此间隔开的多个部分CP，但是本发明构思不限于此。多个部分CP可以通过图8C中的连接区域CNA具有一体化的形状，或者通过图8E中的阴极连接线CTWL电连接。多个部分CP可以连接到如参考图9A和图9C描述的信号线SL1。

图11A是示出根据本发明构思的实施例的传感器层SSL的平面图。图11B是沿着图11A的线III-III'截取的截面图。图11C是表示根据阴极CE和天线图案AP之间的距离的增益值的图。图11D是示出根据本发明构思的实施例的指纹传感器FPS的放大平面图。

参考图11A，传感器层SSL可以包括天线传感器AS和指纹传感器FPS中的至少一者。如上所述，因为阴极可以用作输入传感器，所以天线传感器AS和指纹传感器FPS可以由传感器层SSL提供。

通常，天线传感器AS被制造为具有模块形状并且安装到图2A中的电子设备1000中。例如，天线传感器AS可以以图2B中的无线通信模块E-20的形式安装到电子设备1000。特别地，天线传感器AS可以被设置为面对图2A中的壳体HM的侧表面，这可能对电子设备1000的设计产生限制。根据该实施例，天线传感器AS可以设置在传感器层SSL中以代替模块型天线传感器。

另外，指纹传感器FPS被制造为具有模块形状并且安装到图2A中的电子设备1000中。指纹传感器FPS可以与设置在壳体HM的后表面中并且暴露于壳体HM的外部的开口对齐，这可能导致对电子设备1000的设计的限制。根据该实施例，指纹传感器FPS可以设置在传感器层SSL中以代替模块型指纹传感器。由于省略了附加模块，所以图2A中的电源模块PSM在壳体HM中的布置空间可以增大。

参考图11A，作为示例示出了六个天线传感器AS。尽管在图11A中作为示例示出了贴片天线传感器AS，但是本发明构思不限于天线传感器AS。天线传感器AS可以包括天线图案AP和接地图案GP。天线图案AP可以接收具有预定电平的驱动电压，并且接地图案GP可以接收接地电压。

天线图案AP和接地图案GP可以不设置在第一区域DP-A1和第二区域DP-A2上。天线图案AP和接地图案GP可以具有网格形状。与图11B的第二开口PDL-OP2对应的开口可以设置在天线图案AP和接地图案GP中的每一者中。

可以从图11B的第二导电层240提供天线图案AP，并且可以从图11B的第一导电层220提供接地图案GP。

参考图11A和图11B，可以控制第一绝缘层210的厚度以确保阴极CE与天线图案AP和接地图案GP中的每一者之间的距离。第一绝缘层210可以是厚度为大约150μm或更大的有机层。

参考图11A、图11B和图11C，当天线传感器AS与阴极CE之间的距离等于或大于大约150μm时，增益值可以为大约4dB至大约5dB。当增益值在大约4dB至大约5dB的范围内时，可以确保天线传感器AS的特性。可以通过控制第一绝缘层210的厚度来确保天线传感器AS与阴极CE之间的大约150μm或更大的距离。天线传感器AS与阴极CE之间的距离通过接地图案GP与阴极CE之间的距离来测量。

参考图11A，指纹传感器FPS可以包括第一组电极FE1和第二组电极FE2。第一组电极FE1连接到第一信号线FSL1，并且第二组电极FE2连接到第二信号线FSL2。第一信号线FSL1连接到与图2A中的柔性电路板FCB连接的第一焊盘FPD1，并且第二信号线FSL2连接到与图2A中的柔性电路板FCB连接的第二焊盘FPD2。

图11D是示出作为示例的第一组电极FE1和第二组电极FE2的交叉区域的视图。第一组电极FE1包括在第一方向DR1上彼此间隔开的第一感测图案FSP1和用于连接第一感测图案FSP1的第一连接图案FCP1。作为示例，示出了两个第一连接图案FCP1。第二组电极FE2包括在第二方向DR2上彼此间隔开的第二感测图案FSP2和用于连接第二感测图案FSP2的第二连接图案FCP2。

可以从图11B中的第二导电层240提供第一感测图案FSP1、第二感测图案FSP2和第二连接图案FCP2，并且可以从图11B中的第一导电层220提供第一连接图案FCP1。第一连接图案FCP1可以通过穿过图11B中的第二绝缘层230的接触孔连接到第一感测图案FSP1。第二感测图案FSP2和第二连接图案FCP2可以具有一体化的形状。

第一感测图案FSP1和第二感测图案FSP2中的每一者可以具有大约50μm至大约150μm的最大宽度。在该实施例中，可以沿着第一感测图案FSP1和第二感测图案FSP2的对角线测量最大宽度。

第一感测图案FSP1和第二感测图案FSP2对应于指纹感测图案。指纹感测图案可以具有作为指纹的脊之间的距离的大约100μm至大约200μm的最大宽度。

第一感测图案FSP1和第二感测图案FSP2中的每一者可以具有网格形状。可以在第一感测图案FSP1和第二感测图案FSP2中的每一者中设置与第二开口PDL-OP2对应的开口FS-OP。第二开口PDL-OP2可以具有大约50μm的最大宽度。作为示例，示出了第一感测图案FSP1和第二感测图案FSP2，其中第二开口PDL-OP2在一个感测图案FSP1和FSP2中以3×3阵列布置。

图12A是示出根据本发明构思的实施例的显示面板DP的阴极CE的平面图。图12B是示出根据本发明构思的实施例的输入传感器IS的平面图。图12C是示出根据本发明构思的实施例的输入传感器IS的常规感测图案NSP的放大平面图。图12D是示出根据本发明构思的实施例的输入传感器IS的部分感测图案PSP的放大平面图。

如图12A中所示，阴极CE可以包括第一图案CE-P10和第二图案CE-P20。第一图案CE-P10对应于图8A中的第一图案CE-P1。第二图案CE-P20与第一图案CE-P10间隔开并且与不与第一图案CE-P10重叠的区域重叠。第二图案CE-P20在第一时段T10(参考图4B)和第二时段T20(参考图4B)期间仅接收第二电源电压ELVSS(参考图4B)。

参考图12B，可以从传感器层SSL(参考图3和图6)提供输入传感器IS。然而，输入传感器IS的导电图案不设置在第一区域DP-A1上以提高第一区域DP-A1的透射率。可以通过图12A中的第一图案CE-P10检测对第一区域DP-A1的输入。

输入传感器IS可以包括第一组电极E1、第二组电极E2和与其连接的信号线。第一组电极E1和第二组电极E2可以以互容(或互电容)方法交替驱动。在图12A中，示出了第一组电极E1的第n第一电极E1n至第n+2第一电极E1n+2和第二组电极E2的第m第二电极E2m至第m+2第二电极E2m+2。这里，n和m是等于或大于1的自然数。

第一组电极E1包括在第一方向DR1上彼此间隔开的第一感测图案SP1和用于连接第一感测图案SP1的第一连接图案CP1。作为示例，示出了一个第一连接图案CP1。第二组电极E2包括在第二方向DR2上彼此间隔开的第二感测图案SP2和用于连接第二感测图案SP2的第二连接图案CP2。作为示例，示出了两个第二连接图案CP2。

可以从图6中的第二导电层240提供第一感测图案SP1、第二感测图案SP2和第一连接图案CP1，并且可以从图6中的第一导电层220提供第二连接图案CP2。第二连接图案CP2可以通过穿过图6中的第二绝缘层230的接触孔连接到第二感测图案SP2。第一感测图案SP1和第一连接图案CP1可以具有一体化的形状。

第n第一电极E1n至第n+2第一电极E1n+2和第m第二电极E2m至第m+2第二电极E2m+2设置在第一区域DP-A1周围。第一感测图案SP1和第二感测图案SP2对应于输入传感器IS的感测图案。输入传感器IS的感测图案可以包括常规感测图案NSP和部分感测图案PSP。

部分感测图案PSP可以设置在第一区域DP-A1周围，并且具有从常规感测图案NSP部分地去除的形状，使得输入传感器IS的感测图案不设置在第一区域DP-A1上。因为部分感测图案PSP替换与第一区域DP-A1重叠的常规感测图案NSP，所以第一区域DP-A1的透射率可以提高。

第n+1第一电极E1n+1的部分感测图案PSP可以通过第一虚设连接线BL1连接，并且第m+1第二电极E2m+1的部分感测图案PSP可以通过第二虚设连接线BL2连接。彼此交叉的第一虚设连接线BL1和第二虚设连接线BL2可以设置在不同的层上。

参考图12C和图12D，常规感测图案NSP和部分感测图案PSP中的每一者可以具有网格形状。常规感测图案NSP和部分感测图案PSP分别包括导电线MSL1和MSL2。第二区域DP-A2和第三区域DP-A3的常规感测图案NSP的导电线MSL1和第二区域DP-A2的部分感测图案PSP的导电线MSL2可以具有不同的线宽。与第二开口PDL-OP2(参考图6)对应的开口IS-OP2可以设置在常规感测图案NSP中。与第一开口PDL-OP1(参考图7)对应的开口IS-OP1可以设置在部分感测图案PSP中。

当比较图12C和图12D时，第三区域DP-A3的第二开口PDL-OP2的数量大于第二区域DP-A2的第一开口PDL-OP1的数量。这是因为第三区域DP-A3的分辨率大于第二区域DP-A2的分辨率。

由于第二区域DP-A2中的第一开口PDL-OP1之间的宽度相对大，所以部分感测图案PSP的导电线MSL2的线宽可以大于设置在第三区域DP-A3上的常规感测图案NSP的导电线MSL1的线宽。如图12B中所示，可以通过增大图12D中的导电线MSL2的线宽来补偿随着部分感测图案PSP的面积减小而减小的部分感测图案PSP的互电容。

根据以上描述，因为与感测区域重叠的阴极被图案化，所以光学信号的传输效率可以提高。

可以使用与感测区域重叠的阴极作为输入传感器的电极。因此，可以省略与感测区域重叠的输入传感器。结果，感测区域的透射率可以提高。

由于使用阴极作为输入传感器，所以可以在显示面板上设置另一传感器。例如，天线传感器或指纹传感器可以与显示面板一体化。由于省略了单独制造的天线传感器或指纹传感器，所以可以使电子设备变薄，并且电子设备的空间使用效率可以提高。

虽然已经描述了本发明构思的实施例，但是本领域技术人员将理解，可以对本发明构思进行各种修改和改变。因此，所公开的主题不应限于本文描述的实施例。

Claims (25)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

显示面板，包括：

基体层，包括显示区域和设置为与所述显示区域相邻的外围区域，所述显示区域包括第一区域和第二区域，光学信号穿过所述第一区域，所述第二区域设置为与所述第一区域相邻并且被配置为阻挡所述光学信号；以及

第一组像素和第二组像素，设置在所述基体层上，

其中，所述第一组像素包括第一像素和第二像素，所述第一像素和所述第二像素中的每一者包括设置在所述第一区域上的第一发光元件和电连接到所述第一发光元件并且设置在所述第二区域或所述外围区域上的第一像素电路，

所述第一发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，

所述第一像素的所述阴极与所述第二像素的所述阴极电连接，

所述第一区域包括与所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极重叠的低透射率区域以及不与所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极重叠的高透射率区域，并且

所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极中的每一者在第一时段期间接收电源电压，并且在第二时段期间接收驱动信号。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二组像素包括设置在所述第二区域上的第二发光元件和电连接到所述第二发光元件并且设置在所述第二区域上的第二像素电路，

所述第二发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，并且

所述第二发光元件的所述阴极和所述第一发光元件的所述阴极彼此电连接。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二发光元件的所述阴极和所述第一发光元件的所述阴极具有一体化的形状。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素的所述第一发光元件的所述阴极和所述第二像素的所述第一发光元件的所述阴极具有一体化的形状。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件还包括设置在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层，并且

所述电子传输层与所述低透射率区域重叠并且不与所述高透射率区域重叠。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括阴极连接线，所述阴极连接线被配置为连接所述第一像素的所述第一发光元件的所述阴极和所述第二像素的所述第一发光元件的所述阴极，并且

所述阴极连接线包括透明导电氧化物并且与所述高透射率区域重叠。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括信号线，所述信号线被配置为向所述第一发光元件的所述阴极提供所述电源电压和所述驱动信号。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述信号线包括：

第一部分，与所述第一区域重叠并且包括透明导电氧化物；以及

第二部分，与所述第二区域重叠，与所述第一部分连接，并且包括金属。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一像素电路包括电连接到数据线的晶体管，并且

所述第二部分与所述数据线包括相同的材料，并且所述第二部分与所述数据线设置在相同的层上。

10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括像素连接线，所述像素连接线被配置为连接所述第一发光元件和所述第一像素电路，并且

所述第一部分与所述像素连接线包括相同的材料，并且所述第一部分与所述像素连接线设置在相同的层上。

11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括有机层，所述有机层被配置为暴露所述第一像素的所述阳极，并且

所述第一像素的所述阴极设置在所述有机层上并且通过穿过所述有机层的第一接触孔连接到所述第一部分。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一部分和所述第二部分设置在不同的层上，绝缘层介于所述第一部分和所述第二部分之间，并且

所述第一部分和所述第二部分通过穿过所述绝缘层的第二接触孔连接。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每一者还包括与所述第一发光元件电连接的复制发光元件，

所述复制发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，

所述第一像素的所述第一发光元件的所述阴极和所述第二像素的所述复制发光元件的所述阴极具有一体化的形状，并且

所述第二像素的所述第一发光元件的所述阴极和所述第一像素的所述复制发光元件的所述阴极具有一体化的形状。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括：

第一连接线，被配置为连接所述第一像素的所述第一发光元件的所述阳极和所述第一像素的所述复制发光元件的所述阳极；以及

第二连接线，被配置为连接所述第二像素的所述第一发光元件的所述阳极和所述第二像素的所述复制发光元件的所述阳极，并且

所述第一连接线和所述第二连接线彼此交叉并且设置在不同的层上。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一连接线和所述第二连接线中的每一者包括透明导电氧化物，并且

所述第一连接线和所述第二连接线中的每一者的一部分与所述高透射率区域重叠。

16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基体层还包括设置在所述外围区域和所述第二区域之间的第三区域，

所述显示面板还包括设置在所述第三区域上的第三组像素，

所述第三组像素包括设置在所述第三区域上的第三发光元件和电连接到所述第三发光元件并且设置在所述第三区域上的第三像素电路，

所述第三发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，并且

所述第三发光元件的所述阴极在所述第一时段期间接收所述电源电压并且在所述第二时段期间接收所述驱动信号。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第三组像素包括多个第三像素，

所述第三像素的所述阴极与所述第一像素的所述阴极电连接。

18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括设置在所述显示面板上的传感器，

其中，所述显示面板还包括被配置为覆盖所述第一发光元件的封装层，并且

所述传感器设置在所述封装层上。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述传感器包括天线图案。

20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述基体层还包括设置在所述外围区域和所述第二区域之间的第三区域，

所述显示面板还包括设置在所述第三区域上的第三组像素，

所述第三组像素包括设置在所述第三区域上的第三发光元件和电连接到所述第三发光元件并且设置在所述第三区域上的第三像素电路，

所述第三发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，

所述天线图案与所述第三区域重叠，并且

所述天线图案与所述第三发光元件的所述阴极之间的距离等于或大于150μm。

21.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述传感器包括指纹感测图案，并且

所述指纹感测图案具有50μm至150μm的宽度。

22.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述基体层还包括设置在所述外围区域和所述第二区域之间的第三区域，

所述显示面板还包括设置在所述第三区域上的第三组像素，

所述传感器包括输入传感器的感测图案，

所述输入传感器的所述感测图案包括：

第一感测图案，与所述第三区域重叠；以及

第二感测图案，不与所述第一区域重叠，与所述第二区域重叠，并且具有比所述第一感测图案的面积小的面积。

23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述第一感测图案和所述第二感测图案中的每一者包括被配置为形成多个开口的导电线，并且

所述第二感测图案的所述导电线的线宽大于所述第一感测图案的所述导电线的线宽。

24.一种电子设备，其中，所述电子设备包括：

显示装置，包括基体层和设置在所述基体层上的像素，所述基体层包括显示区域和设置为与所述显示区域相邻的外围区域，所述显示区域包括第一区域和第二区域，光学信号穿过所述第一区域，所述第二区域设置为与所述第一区域相邻并且被配置为阻挡所述光学信号；以及

电子光学模块，设置在所述显示装置下方，与所述第一区域重叠，并且被配置为接收穿过所述第一区域的所述光学信号，

其中，所述像素包括多个第一像素，所述多个第一像素中的每一者包括设置在所述第一区域上的发光元件和电连接到所述发光元件并且设置在所述第二区域或所述外围区域上的像素电路，

所述发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，

所述多个第一像素的所述阴极电连接，并且

所述第一区域包括与所述多个第一像素的所述阴极重叠的低透射率区域和不与所述多个第一像素中的每一者的所述阴极重叠的高透射率区域。

25.一种电子设备，其中，所述电子设备包括：

显示装置，包括基体层和设置在所述基体层上的像素，所述基体层包括显示区域和设置为与所述显示区域相邻的外围区域，所述显示区域包括第一区域和设置为与所述第一区域相邻的第二区域；以及

电子光学模块，设置在所述显示装置下方，与所述第一区域重叠，并且被配置为接收穿过所述第一区域的光学信号，

其中，所述像素包括第一像素和第二像素，所述第一像素和所述第二像素中的每一者包括设置在所述第一区域上的第一发光元件和电连接到所述第一发光元件并且设置在所述第二区域或所述外围区域上的第一像素电路，

所述第一发光元件包括阳极、设置在所述阳极上的发光层和设置在所述发光层上的阴极，

所述第一像素的所述阴极与所述第二像素的所述阴极电连接，

所述第一区域包括与所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极重叠的低透射率区域以及不与所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极重叠的高透射率区域，并且

所述第一像素的所述阴极和所述第二像素的所述阴极中的每一者在第一时段期间接收具有恒定电平的电源电压，并且在第二时段期间接收驱动信号。

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