KR20230148444A - 전자 장치 - Google Patents

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KR20230148444A
KR20230148444A KR1020220046754A KR20220046754A KR20230148444A KR 20230148444 A KR20230148444 A KR 20230148444A KR 1020220046754 A KR1020220046754 A KR 1020220046754A KR 20220046754 A KR20220046754 A KR 20220046754A KR 20230148444 A KR20230148444 A KR 20230148444A
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김기철
김민주
문동진
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

일 실시예의 전자 장치는 액티브 영역 및 액티브 영역의 일 측에 배치된 주변 영역을 포함하는 표시 패널, 및 상기 액티브 영역 상에 배치된 센싱 영역, 주변 영역 상에 배치된 센싱 주변 영역, 및 액티브 영역 상에 배치되고 센싱 영역과 센싱 주변 영역 사이에 배치된 배선 영역을 포함하는 입력 센서를 포함하고, 입력 센서는 센싱 영역에 배치된 복수의 감지 전극들, 배선 영역에 배치되고 감지 전극들에 연결된 복수의 메인 배선부들, 및 배선 영역에 배치되고 메인 배선부들 사이에 배치된 복수의 반사 패턴부들을 포함하여 외부광에 의한 감지 배선의 시인 문제가 개선되어 우수한 표시 품질을 나타낼 수 있다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 전자 장치에 대한 것으로, 보다 상세하게는 입력 센서를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 전기적 신호에 따라 활성화되는 액티브 영역을 포함한다. 전자 장치는 액티브 영역을 통해 외부에서 인가되는 입력을 감지하고, 이와 동시에 다양한 이미지를 표시하여 사용자에게 정보를 제공할 수 있다. 최근 다양한 형상의 전자 장치들이 개발되면서, 다양한 형상을 가진 액티브 영역이 구현되고 있다.
또한, 액티브 영역 외곽의 주변 영역을 최소화하고 표시 품질을 개선하기 위하여 입력 센서의 감지 전극이나 감지 배선의 배치를 최적화하는 배치 등에 대한 기술 개발이 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 액티브 영역에 배치된 감지 배선들의 시인 정도를 감소시킨 전자 장치를 제공하는 것이다.
일 실시예는 액티브 영역, 및 상기 액티브 영역의 일 측에 배치된 주변 영역을 포함하는 표시 패널; 및 상기 액티브 영역 상에 배치된 센싱 영역, 상기 주변 영역 상에 배치된 센싱 주변 영역, 및 상기 액티브 영역 상에 배치되고 상기 센싱 영역과 상기 센싱 주변 영역 사이에 배치된 배선 영역을 포함하는 입력 센서; 를 포함하고, 상기 입력 센서는 상기 센싱 영역에 배치된 복수의 감지 전극들; 상기 배선 영역에 배치되고, 상기 감지 전극들에 연결된 복수의 메인 배선부들; 및 상기 배선 영역에 배치되고, 상기 메인 배선부들 사이에 배치된 복수의 반사 패턴부들; 을 포함하는 전자 장치를 제공한다.
상기 표시 패널은 상기 액티브 영역에 배치된 복수의 발광 영역들을 포함하고, 상기 메인 배선부들은 상기 발광 영역들과 비중첩하며, 상기 메인 배선부들 각각은 제1 연장 방향으로 연장되는 제1 배선부; 및 상기 제1 배선부와 연결되고, 상기 제1 연장 방향과 다른 제2 연장 방향으로 연장되는 제2 배선부; 를 포함할 수 있다.
상기 반사 패턴부들은 상기 발광 영역들과 비중첩하며, 상기 제2 연장 방향과 나란한 제1 돌출 방향으로 연장된 제1 반사 패턴부; 및 상기 제1 연장 방향과 나란한 제2 돌출 방향으로 연장된 제2 반사 패턴부; 를 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 패턴부는 상기 제1 배선부에 연결되고, 상기 제2 반사 패턴부는 상기 제2 배선부에 연결될 수 있다.
상기 발광 영역들은 상기 제1 연장 방향과 나란한 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 수직하는 제2 방향을 따라 나열된 복수 개의 발광 행들, 및 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향을 따라 나열된 복수 개의 발광 열들을 정의하는 것일 수 있다.
상기 메인 배선부들은 상기 복수 개의 발광 행들 중 n번째 발광 행 및 m번째 발광 열을 사이에 두고 이웃하여 배치된 제1 메인 배선부 및 제2 메인 배선부를 포함하고, 상기 제1 반사 패턴부는 상기 n번째 발광 행에서 상기 제1 방향으로 이웃하는 발광 영역들 사이에 배치되고, 상기 제2 반사 패턴부는 상기 m번째 발광 열에서 상기 제2 방향으로 이웃하는 발광 영역들 사이에 배치되고, n 및 m은 각각 독립적으로 1 이상의 정수일 수 있다.
상기 제1 반사 패턴부는 상기 제1 연장 방향으로 서로 이격된 복수의 서브 반사 패턴부들을 포함할 수 있다.
상기 서브 반사 패턴부들 중 적어도 하나는 상기 메인 배선부들에서 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 반사 패턴부는 상기 제1 메인 배선부에 연결된 제1 서브 반사 패턴부, 및 상기 제2 메인 배선부에 연결된 제2 서브 반사 패턴부를 포함할 수 있다.
상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부 각각의 상기 제1 배선부는 상기 제1 연장 방향과 나란하고 상기 n번째 발광 행에서 상기 발광 영역들 사이에 배치된 복수의 제1 부분들; 및 상기 제1 부분들 사이에 배치되고, 상기 발광 영역들 각각을 둘러싸는 복수의 제2 부분들; 을 포함하고, 상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부 각각의 상기 제2 배선부는 상기 제2 연장 방향과 나란하고 상기 m번째 발광 열에서 발광 영역들 사이에 배치된 복수의 제3 부분들; 및 상기 제3 부분들 사이에 배치되고, 상기 발광 영역들 각각을 둘러싸는 복수의 제4 부분들; 을 포함할 수 있다.
단위 길이의 상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부 사이에 배치된 상기 서브 반사 패턴부들의 상기 제1 돌출 방향으로의 길이의 총합은 단위 길이의 상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부의 상기 제3 부분들의 상기 제2 연장 방향으로의 길이의 합과 동일할 수 있다.
상기 제1 반사 패턴부는 상기 제1 메인 배선부의 상기 제1 부분들에 연결된 제1 서브 반사 패턴부, 및 상기 제2 메인 배선부의 상기 제1 부분들에 연결된 제2 서브 반사 패턴부를 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 반사 패턴부의 상기 제1 돌출 방향으로의 길이와 상기 제1 서브 반사 패턴부에 인접한 상기 제2 서브 반사 패턴부의 상기 제1 돌출 방향으로의 길이는 서로 다를 수 있다.
상기 제2 반사 패턴부는 상기 제2 연장 방향으로 서로 이격된 복수의 서브 반사 패턴부들을 포함할 수 있다.
상기 제2 반사 패턴부는 상기 제1 메인 배선부에 연결된 제3 서브 반사 패턴부, 및 상기 제2 메인 배선부에 연결된 제4 서브 반사 패턴부를 포함할 수 있다.
단위 길이의 상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부 사이에 배치된 상기 서브 반사 패턴부들의 상기 제2 돌출 방향으로의 길이의 총합은 단위 길이의 상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부의 상기 제1 부분들의 상기 제1 연장 방향으로의 길이의 합과 동일할 수 있다.
상기 제2 반사 패턴부는 상기 제1 메인 배선부의 상기 제3 부분들에 연결된 제3 서브 반사 패턴부, 및 상기 제2 메인 배선부의 상기 제3 부분들에 연결된 제4 서브 반사 패턴부를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널 상면에 수직하는 단면 상에서 상기 반사 패턴부들 각각은 경사진 측면을 갖는 것일 수 있다.
일 실시예는 복수의 발광 영역들이 배치된 액티브 영역, 및 상기 액티브 영역 주변의 주변 영역을 포함하는 표시 패널; 및 상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지 전극들, 상기 감지 전극들 각각에 대응하여 연결된 복수의 감지 배선들, 및 이웃하는 상기 감지 배선들 사이에 배치된 반사 패턴부를 포함하는 입력 센서; 를 포함하고, 상기 감지 배선들 각각은 상기 주변 영역 상에 배치된 주변 배선부, 및 상기 액티브 영역 상에 배치된 메인 배선부를 포함하고, 상기 메인 배선부는 상기 발광 영역들과 비중첩하도록 연장되고, 상기 반사 패턴부는 인접하는 상기 메인 배선부의 연장 방향과 수직하는 방향으로 연장된 전자 장치를 제공한다.
상기 메인 배선부는 제1 연장 방향으로 연장된 제1 배선부, 및 상기 제1 배선부와 연결되고 상기 제1 연장 방향과 다른 제2 연장 방향으로 연장되는 제2 배선부를 포함할 수 있다.
상기 감지 전극들 각각은 상기 발광 영역들과 비중첩하는 메쉬 형상의 감지 패턴을 포함하고, 상기 메인 배선부는 상기 메쉬 형상에 대응하는 형상을 가지며, 상기 제1 배선부 및 상기 제2 배선부는 각각 상기 발광 영역들 사이에 배치되어 상기 연장 방향에 나란한 제1 부분, 및 상기 제1 부분에 연결되고 상기 발광 영역들 각각을 감싸는 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 반사 패턴부들은 상기 발광 영역들과 비중첩하며, 상기 제2 연장 방향과 나란한 제1 돌출 방향으로 연장된 복수의 제1 반사 패턴부들; 및 상기 제1 연장 방향과 나란한 제2 돌출 방향으로 연장된 복수의 제2 반사 패턴부들; 을 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 패턴부들 각각은 상기 제1 배선부의 상기 제1 부분에 인접하여 배치되고, 상기 제1 반사 패턴부들 일 측면의 상기 제1 돌출 방향과 나란한 방향으로의 길이의 합은 상기 제2 배선부의 상기 제1 부분들 일 측면의 상기 제1 돌출 방향과 나란한 방향으로의 길이의 합과 동일할 수 있다.
상기 제2 반사 패턴부들 각각은 상기 제2 배선부의 상기 제1 부분에 인접하여 배치되고, 상기 제2 반사 패턴부들 일 측면의 상기 제2 돌출 방향과 나란한 방향으로의 길이의 합은 상기 제1 배선부의 상기 제1 부분들 일 측면의 상기 제2 돌출 방향과 나란한 방향으로의 길이의 합과 동일할 수 있다.
일 실시예의 전자 장치는 액티브 영역 상에 배열된 감지 배선들 사이에 배치된 반사 패턴부들을 포함하여 반사광에 의한 감지 배선 시인의 문제가 개선된 특성을 나타낼 수 있다.
일 실시예의 전자 장치는 감지 배선들 사이에 배치된 반사 패턴부들을 포함하여 우수한 표시 품질을 나타낼 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다.
도 8a는 도 7의 XX' 영역을 확대한 평면도이다.
도 8b는 도 7의 XX' 영역을 확대한 평면도이다.
도 9는 도 7의 YY' 영역을 확대한 평면도이다.
도 10은 도 9의 일부 구성을 나타낸 평면도이다.
도 11a는 입력 센서의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 11b는 입력 센서의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 12a는 입력 센서의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 12b는 입력 센서의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 13은 도 7의 YY' 영역을 나타낸 평면도이다.
도 14는 도 7의 YY' 영역을 나타낸 평면도이다.
도 15는 도 7의 YY' 영역을 나타낸 평면도이다.
도 16은 도 7의 YY' 영역을 나타낸 평면도이다.
도 17a는 일 실시예에 따른 감지 배선의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 17b는 도 17a의 감지 배선 배치에서의 시인성을 평가한 이미지이다.
도 18a는 일 실시예에 따른 감지 배선의 배치를 나타낸 평면도이다.
도 18b는 도 18a의 감지 배선 배치에서의 시인성을 평가한 이미지이다.
도 19a는 메인 배선부에서의 반사광의 진행 방향을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 19b는 반사 패턴부에서의 반사광의 진행 방향을 예시적으로 나타낸 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
한편, 본 출원에서 "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
동일한 도면 부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다. 본 명세서에서 "상에 배치되는" 것은 어느 하나의 부재의 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 나타내는 것일 수 있다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어(기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 전자 장치를 나타낸 사시도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 전자 장치에 대한 분해사시도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 전자 장치에 대한 단면도이다. 도 3은 도 2의 I-I'선에 대응하는 단면도일 수 있다.
도 1 내지 도 3에 도시된 일 실시예의 전자 장치(ED)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(ED)는 휴대폰, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 도 1에서는 전자 장치(ED)가 휴대폰인 것을 예시적으로 도시하였다.
일 실시예에 따른 전자 장치(ED)는 액티브 영역(AA-ED)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 액티브 영역(AA-ED)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)에 의해 정의된 평면을 포함할 수 있다. 액티브 영역(AA-ED)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면의 적어도 일 측으로부터 벤딩된 곡면을 더 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 일 실시예의 전자 장치(ED)는 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면의 양 측면으로부터 각각 벤딩된 두 개의 곡면을 포함하는 것으로 도시되었다. 하지만, 액티브 영역(AA-ED)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 액티브 영역(AA-ED)은 상기 평면만을 포함할 수도 있고, 액티브 영역(AA-ED)은 상기 평면의 적어도 2개 이상, 예를 들어 4 개의 측면으로부터 각각 벤딩된 4개의 곡면들을 더 포함할 수도 있다.
주변 영역(NAA-ED)은 액티브 영역(AA-ED)에 인접한다. 주변 영역(NAA-ED)은 액티브 영역(AA-ED)을 에워쌀 수 있다. 이에 따라, 액티브 영역(AA-ED)의 형상은 실질적으로 주변 영역(NAA-ED)에 의해 정의될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 주변 영역(NAA-ED)은 액티브 영역(AA-ED)의 일 측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 생략될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(ED)는 다양한 형상의 액티브 영역을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
한편, 도 1 및 이하 도면들에서는 제1 방향축(DR1) 내지 제3 방향축(DR3)을 도시하였으며, 본 명세서에서 설명되는 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 또한 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 제1 내지 제3 방향으로 설명될 수 있으며, 동일한 도면 부호가 사용될 수 있다. 본 명세서에서는 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)은 서로 직교하고, 제3 방향축(DR3)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향일 수 있다.
전자 장치(ED)의 두께 방향은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향인 제3 방향축(DR3)과 나란한 방향일 수 있다. 본 명세서에서, 전자 장치(ED)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다.
일 실시예의 전자 장치(ED)는 표시 모듈(DM)을 포함하는 것일 수 있다. 표시 모듈(DM)은 영상을 생성하고, 외부에서 인가되는 입력을 감지하는 구성일 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 입력 센서(ISP)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예의 표시 모듈(DM)은 입력 센서(ISP) 상에 배치된 광학층(RCL)을 더 포함할 수 있다.
표시 모듈(DM)에는 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)이 정의될 수 있다. 액티브 영역(AA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)의 적어도 일 측에 인접하여 위치하는 영역일 수 있다.
액티브 영역(AA)은 도 1에 도시된 전자 장치의 액티브 영역(AA-ED)에 대응될 수 있다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 감싸고 배치되는 것일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 도 2등에 도시된 것과 달리 일 실시예에서 주변 영역(NAA) 중 일부는 생략될 수 있다. 주변 영역(NAA)에는 액티브 영역(AA)을 구동하기 위한 구동 회로나 구동 배선 등이 배치될 수 있다.
표시 모듈(DM)의 액티브 영역(AA)에는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있다. 복수의 화소들(PX)은 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있으며, 실시예에 따라, 백색 화소를 더 포함할 수도 있다.
표시 패널(DP)은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시 패널(DP)은 발광형 표시 패널일 수 있으며, 예를 들어, 표시 패널(DP)은 유기발광 표시 패널, 무기발광 표시 패널, 퀀텀닷 표시 패널, 마이크로 엘이디 표시 패널, 또는 나노 엘이디 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(DP)은 표시층으로 지칭될 수 있다.
표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 회로층(DP-CL), 발광 소자층(DP-ED), 및 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
베이스층(BS)은 회로층(DP-CL)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BS)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 베이스층(BS)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
베이스층(BS)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(BS)은 제1 합성 수지층, 다층 또는 단층 구조의 중간층, 상기 중간층 위에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 중간층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다. 상기 중간층은 실리콘 옥사이드(SiOx)층 및 상기 실리콘 옥사이드층 위에 배치된 아몰퍼스 실리콘(a-Si)층을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 중간층은 실리콘 옥사이드층, 실리콘 나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 및 아몰퍼스 실리콘층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "~~" 계 수지는 "~~" 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
회로층(DP-CL)은 베이스층(BS) 상에 배치될 수 있다. 회로층(DP-CL)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(BS) 상에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이 후, 회로층(DP-CL)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인이 형성될 수 있다.
발광 소자층(DP-ED)은 회로층(DP-CL) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자층(DP-ED)은 발광 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(DP-ED)은 유기 발광 물질, 무기 발광 물질, 유기-무기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다.
봉지층(TFE)은 발광 소자층(DP-ED) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(TFE)은 수분, 산소, 및 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(DP-ED)을 보호할 수 있다.
입력 센서(ISP)는 표시 패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 입력 센서(ISP)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다.
입력 센서(ISP)는 연속된 공정을 통해 표시 패널(DP) 상에 형성될 수 있다. 이 경우, 입력 센서(ISP)는 표시 패널(DP) 상에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 입력 센서(ISP)와 표시 패널(DP) 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 입력 센서(ISP)와 표시 패널(DP) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다. 또는, 입력 센서(ISP)는 표시 패널(DP)과 접착 부재를 통해 서로 결합될 수 있다. 접착 부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다.
광학층(RCL)은 입력 센서(ISP) 상에 배치될 수 있다. 광학층(RCL)은 표시 모듈(DM)의 외부로부터 입사되는 외부광에 의한 반사율을 감소시키는 반사 방지층일 수 있다. 광학층(RCL)은 연속된 공정을 통해 입력 센서(ISP) 상에 형성될 수 있다. 광학층(RCL)은 편광판을 포함하거나 또는 컬러 필터층을 포함하는 것일 수 있다. 광학층(RCL)이 컬러 필터층을 포함하는 경우 컬러 필터층은 소정 배열로 배치된 복수의 컬러 필터들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터들은 표시 패널(DP)에 포함된 화소들의 발광 컬러들을 고려하여 배열될 수 있다. 또한, 광학층(RCL)은 컬러 필터들에 인접한 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 광학층(RCL)은 생략될 수도 있다.
전자 장치(ED)는 표시 모듈(DM) 상에 배치된 윈도우(WM)를 더 포함하는 것일 수 있다. 윈도우(WM)는 표시 모듈(DM)의 외측 전체를 커버하는 것일 수 있다. 윈도우(WM)는 표시 모듈(DM)의 형상에 대응하는 형상을 갖는 것일 수 있다. 일 실시예의 전자 장치(ED)에서 윈도우(WM)는 광학적으로 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 윈도우(WM)는 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다. 예를 들어, 윈도우(WM)는 강화 처리된 강화 유리 기판일 수 있다.
일 실시예의 전자 장치(ED)는 표시 모듈(DM) 등을 수납하는 하우징(HAU)을 포함할 수 있다. 하우징(HAU)은 윈도우(WM)와 결합될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 표시 패널(DP)은 액티브 영역(DP-A) 및 주변 영역(DP-NA)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)의 액티브 영역(DP-A)은 표시 영역으로 명칭될 수 있고, 표시 패널(DP)의 주변 영역(DP-NA)은 비표시 영역으로 명칭될 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP)에서 주변 영역(DP-NA)은 액티브 영역(DP-A)과 인접하며 액티브 영역(DP-A)의 적어도 일부를 에워쌀 수 있다. 주변 영역(DP-NA)은 액티브 영역(DP-A)의 일 측에 배치될 수 있다. 액티브 영역(DP-A)의 일 측에 배치된 주변 영역(DP-NA)에는 표시 패널(DP) 구동을 위한 구동 소자, 배선 등이 배치될 수 있다.
표시 패널(DP)은 복수의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 복수의 화소들(PX)은 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있으며, 실시예에 따라, 백색 화소를 더 포함할 수도 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다. 도 5는 도 4의 AA' 영역에 대응하는 부분일 수 있다.
표시 패널의 액티브 영역(DP-A)에 복수 개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 복수 개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이에 배치된 비발광 영역(NPXA)을 포함할 수 있다.
복수 개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 3개 그룹의 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)로 구분될 수 있다. 3개 그룹의 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)은 발광 소자(LD, 도 6)에서 생성한 소스광의 컬러에 따라 구분될 수 있다.
제1 색 발광 영역(PXA-R), 제2 색 발광 영역(PXA-G), 및 제3 색 발광 영역(PXA-B)의 면적은 서로 다를 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 제1 색 발광 영역(PXA-R), 제2 색 발광 영역(PXA-G), 및 제3 색 발광 영역(PXA-B)의 면적 중 적어도 하나는 나머지와 다를 수 있다. 본 실시예에서 제1 색은 적색, 제2 색은 녹색, 제3 색은 청색일 수 있다. 또한, 이와 달리 일 실시예에서 표시 패널(DP)은 옐로우, 마젠타, 시안 3개의 주요색을 표시하는 3개 그룹의 발광 영역들을 포함할 수도 있다.
제1 색 발광 영역(PXA-R), 제2 색 발광 영역(PXA-G), 및 제3 색 발광 영역(PXA-B) 각각은 "실질적인 다각형상"을 가질 수 있다. 여기서 "실질적인 다각형상이란 수학적 의미의 다각형과 꼭지점에 곡선이 정의된 다각형"을 포함한다. 발광 영역의 형상은 화소 정의막에 형성된 화소 개구부(PDL-OP, 도 6)의 형상에 대응하며, 화소 정의막의 식각 성능에 따라 꼭지점의 형상이 달라질 수 있다.
본 실시예에서 정사각형상의 제1 색 발광 영역(PXA-R), 정사각형상의 제3 색 발광 영역(PXA-B), 및 직사각형상의 제2 색 발광 영역(PXA-G)을 도시하였다. 제2 색 발광 영역(PXA-G)은 장변의 연장 방향이 상이한 2종의 제2 색 발광 영역(PXA-G)을 포함할 수 있다.
제1 색 발광 영역(PXA-R), 제2 색 발광 영역(PXA-G), 및 제3 색 발광 영역(PXA-B) 각각은 제1 엣지(E1) 내지 제4 엣지(E4)를 포함한다. 제1 엣지(E1) 및 제2 엣지(E2)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 교차하는 제1 사선방향(CDR1)으로 연장되고, 대응하는 발광 영역을 사이에 두고 이격될 수 있다. 제3 엣지(E3) 및 제4 엣지(E4)는 제1 방향(DR1), 제2 방향(DR2), 및 제1 사선방향(CDR1)에 교차하는 제2 사선방향(CDR2)으로 연장되고, 대응하는 발광 영역을 사이에 두고 이격될 수 있다.
도 5를 참조하면, 복수 개의 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)은 제2 방향(DR2)을 따라 나열된 복수 개의 발광 행들을 정의할 수 있다. 발광 행들은 n(여기서 n은 1 이상의 정수)번째 발광 행(PXLn), n+1번째 발광 행(PXLn+1), n+2번째 발광 행(PXLn+2), 및 n+3번째 발광 행(PXLn+3)을 포함할 수 있다. 상기 4개의 발광 행들(PXLn, PXLn+1, PXLn+2, PXLn+3)이 유닛을 이루며 제2 방향(DR2)을 따라 반복적으로 배열될 수 있다. 상기 4개의 발광 행들(PXLn, PXLn+1, PXLn+2, PXLn+3) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다.
n번째 발광 행(PXLn)은 제1 방향(DR1)을 따라 교번하게 배치된 제1 색 발광 영역들(PXA-R)과 제3 색 발광 영역들(PXA-B)을 포함한다. n+2번째 발광 행(PXLn+2)은 제1 방향(DR1)을 따라 교번하게 배치된 제3 색 발광 영역들(PXA-B)과 제1 색 발광 영역들(PXA-R)을 포함한다.
n번째 발광 행(PXLn)의 발광 영역들의 배치 순서와 n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 발광 영역들의 배치 순서는 서로 다를 수 있다. n번째 발광 행(PXLn)의 제3 색 발광 영역들(PXA-B)과 제1 색 발광 영역들(PXA-R)은 n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 제3 색 발광 영역들(PXA-B)과 제1 색 발광 영역들(PXA-R)과 엇갈리게 배치될 수 있다. n번째 발광 행(PXLn)의 발광 영역들은 n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 발광 영역들 대비 하나의 발광 영역만큼 제2 방향(DR2)을 따라 시프트된 것과 같을 수 있다.
n+1번째 발광 행(PXLn+1)과 n+3번째 발광 행(PXLn+3) 각각에는 제2 색 발광 영역들(PXA-G)이 배치된다. n번째 발광 행(PXLn)의 발광 영역들과 n+1번째 발광 행(PXLn+1)의 발광 영역들은 서로 엇갈리게 배치된다. n+2번째 발광 행(PXLn+2)의 발광 영역들과 n+3번째 발광 행(PXLn+3)의 발광 영역들은 서로 엇갈리게 배치될 수 있다.
한편, 복수 개의 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)은 제1 방향(DR1)을 따라 나열된 복수 개의 발광 열들을 정의할 수 있다. 발광 열들은 m(여기서 m은 1 이상의 정수)번째 발광 열(PXCm), m+1번째 발광 열(PXCm+1), m+2번째 발광 열(PXCm+2), 및 m+3번째 발광 열(PXCm+3)을 포함할 수 있다. 상기 4개의 발광 열들(PXCm, PXCm+1, PXCm+2, PXCm+3)이 유닛을 이루며 제1 방향(DR1)을 따라 반복적으로 배열될 수 있다. 상기 4개의 발광 열들(PXCm, PXCm+1, PXCm+2, PXCm+3) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다.
각 발광 열들(PXCm, PXCm+1, PXCm+2, PXCm+3)에 포함된 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)의 구성은 상술한 발광 행들(PXLn, PXLn+1, PXLn+2, PXLn+3)에서의 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)의 배열에 따라 정해질 수 있다. 예를 들어, 도 5를 참조하면 m번째 발광 열(PXCm)은 제2 방향(DR2)을 따라 교번하게 배치된 제1 색 발광 영역들(PXA-R)과 제3 색 발광 영역들(PXA-B)을 포함하고, m+2번째 발광 열(PXCm+2)은 제2 방향(DR2)을 따라 교번하게 배치된 제3 색 발광 영역들(PXA-B)과 제1 색 발광 영역들(PXA-R)을 포함하는 것일 수 있다. 또한, m+1번째 발광 열(PXCm+1)과 m+3번째 발광 열(PXCm+3) 각각에는 제2 색 발광 영역들(PXA-G)이 배치될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5에 도시된 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-G)의 배열 형태는 예시적인 것이며, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-G)의 면적 및 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-G)의 배열 형태는 전자 장치에서 요구되는 표시 품질에 따라 달라질 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 모듈의 일 부분을 나타낸 단면도이다. 도 6은 도 2의 II-II'선에 대응하는 부분을 나타낸 것일 수 있다.
도 6을 참조하면, 표시 패널(DP)은 복수 개의 절연층들 및 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 의해 절연층, 반도체층 및 도전층이 형성된다. 이후, 포토리소그래피의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이러한 방식으로 회로층(DP-CL) 및 발광 소자층(DP-ED)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등이 형성된다. 이 후, 발광 소자층(DP-ED)을 커버하는 봉지층(TFE)이 형성될 수 있다.
도 6에는 발광 소자(LD), 및 발광 소자(LD) 구동을 위한 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT) 및 산화물 박막트랜지스터(O-TFT)를 포함하는 화소 회로가 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(BS) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL)은 베이스층(BS)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 제1 반도체 패턴으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(BFL)은 제1 반도체 패턴을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 제공 속도를 조절하여, 제1 반도체 패턴이 균일하게 형성되도록 할 수 있다.
실리콘 박막트랜지스터(S-TFT) 하부에는 제1 배면 금속층(BMLa)이 배치되고, 산화물 박막트랜지스터(O-TFT) 하부에는 제2 배면 금속층(BMLb)이 배치될 수 있다. 제1 및 제2 배면 금속층들(BMLa, BMLb)은 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT) 및 산화물 박막트랜지스터(O-TFT) 등을 보호하기 위하여 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT) 및 산화물 박막트랜지스터(O-TFT)와 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 및 제2 배면 금속층들(BMLa, BMLb)은 베이스층(BS)의 분극 현상으로 인한 전기 퍼텐셜(Electric potential)이 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT) 및 산화물 박막트랜지스터(O-TFT) 등에 영향을 미치는 것을 차단할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 배면 금속층(BMLa)은 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)로 구비되는 구동 박막트랜지스터와 중첩하도록 배치될 수 있다.
제1 배면 금속층(BMLa)은 베이스층(BS)과 버퍼층(BFL) 사이에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 배면 금속층(BMLa)은 유기막과 무기막이 교번하여 적층된 베이스층(BS) 상에 배치될 수 있다. 또는 제1 배면 금속층(BMLa)은 버퍼층(BFL) 내에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 배면 금속층(BMLa)과 버퍼층(BFL) 사이에는 무기 배리어층이 더 배치될 수도 있다. 제1 배면 금속층(BMLa)은 전극 또는 배선과 연결되어, 이로부터 정전압 또는 신호를 인가 받을 수 있다. 다른 실시예로, 제1 배면 금속층(BMLa)은 다른 전극 또는 배선과 고립된(isolated) 형태로 구비될 수도 있다.
제2 배면 금속층(BMLb)는 산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 하부에 대응하여 배치될 수 있다. 제2 배면 금속층(BMLb)은 제2 절연층(20)과 제3 절연층(30) 사이에 배치될 수 있다. 제2 배면 금속층(BMLb)은 스토리지커패시터(Cst)의 제2 전극(CE2)과 동일 층에 배치될 수 있다. 제2 배면 금속층(BMLb)은 콘택 전극(BML2-C)과 연결되어 정전압 또는 신호를 인가 받을 수 있다. 콘택 전극(BML2-C)은 산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 게이트(GT2)와 동일 층에 배치될 수 있다.
제1 배면 금속층(BMLa) 및 제2 배면 금속층(BMLb) 각각은 반사형 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 배면 금속층(BMLa) 및 제2 배면 금속층(BMLb) 각각은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 및 p+ 도핑된 비정질 실리콘 등을 포함할 수 있다. 제1 배면 금속층(BMLa) 및 제2 배면 금속층(BMLb)은 동일한 물질을 포함할 수도 있고, 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제1 반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 상에 배치될 수 있다. 제1 반도체 패턴은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체 패턴은 저온 폴리 실리콘을 포함할 수 있다.
도 6은 버퍼층(BFL) 상에 배치된 제1 반도체 패턴의 일부분을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 제1 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 제1 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 제1 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 제1 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비-도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역의 전도성보다 크고, 제1 영역은 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)의 소스 영역(SE1), 액티브 부분(AC1), 및 드레인 영역(DE1)은 제1 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SE1) 및 드레인 영역(DE1)은 단면 상에서 액티브 부분(AC1)으로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들(PX, 도 2)에 공통으로 중첩하며, 제1 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(DP-CL)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)의 게이트(GT1)는 제1 절연층(10) 상에 배치된다. 게이트(GT1)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT1)는 액티브 부분(AC1)에 중첩한다. 제1 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT1)는 마스크로 기능할 수 있다. 게이트(GT1)는 티타늄(Ti), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 상에 배치되며, 게이트(GT1)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 상에 배치될 수 있다. 제3 절연층(30)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(30)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)과 제3 절연층(30) 사이에는 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(CE2)이 배치될 수 있다. 또한, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(CE1)은 제1 절연층(10)과 제2 절연층(20) 사이에 배치될 수 있다.
제2 반도체 패턴은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제2 반도체 패턴은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 산화물 반도체는 금속 산화물이 환원되었는지의 여부에 따라 구분되는 복수 개의 영역들을 포함할 수 있다. 금속 산화물이 환원된 영역(이하, 환원 영역)은 그렇지 않은 영역(이하, 비환원 영역) 대비 큰 전도성을 갖는다. 환원 영역은 실질적으로 트랜지스터의 소스/드레인 또는 신호라인의 역할을 갖는다. 비환원 영역이 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 반도체 영역, 채널)에 해당한다. 다시 말해, 제2 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일 수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스/드레인 영역일 수 있으며, 또 다른 일부분은 신호 전달 영역일 수 있다.
산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 소스 영역(SE2), 액티브 부분(AC2), 및 드레인 영역(DE2)은 제2 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SE2) 및 드레인 영역(DE2)은 단면 상에서 액티브 부분(AC2)으로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 복수 개의 화소들(PX, 도 2)에 공통으로 중첩하며, 제2 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제4 절연층(40)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 게이트(GT2)는 제4 절연층(40) 상에 배치된다. 게이트(GT2)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT2)는 액티브 부분(AC2)에 중첩한다. 제2 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT2)는 마스크로 기능할 수 있다.
제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 상에 배치되며, 게이트(GT2)를 커버할 수 있다. 제5 절연층(50)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 내지 제5 절연층들(10, 20, 30, 40, 50)을 관통하는 컨택홀을 통해 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)의 드레인 영역(DE1)에 접속될 수 있다. 도 4에서는 제1 연결 전극(CNE1)이 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)의 드레인 영역(DE1)에 직접 연결된 것으로 도시하였으나, 제1 연결 전극(CNE1)은 발광제어 박막트랜지스터(미도시)를 통해 드레인 영역(DE1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제6 절연층(60) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다. 제7 절연층(70)은 제6 절연층(60) 상에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제8 절연층(80)은 제7 절연층(70) 상에 배치될 수 있다.
제6 절연층(60), 제7 절연층(70), 및 제8 절연층(80) 각각은 유기층일 수 있다. 예를 들어, 제6 절연층(60), 제7 절연층(70), 및 제8 절연층(80) 각각은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
발광 소자(LD)를 포함하는 발광 소자층(DP-ED)은 회로층(DP-CL) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(LD)는 화소 전극(AE), 발광층(EL), 및 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다. 화소 전극(AE)은 각 화소(PX, 도 2)에 대응하도록 이격되어 배치되고, 공통 전극(CE)은 복수의 화소들(PX, 도 2)에 공통으로 제공될 수 있다.
화소 전극(AE)은 제8 절연층(80) 상에 배치될 수 있다. 화소 전극(AE)은 금속재료, 금속합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 화소 전극(AE)은 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되지 않는다. 화소 전극(AE)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 화소 전극(AE)이 투과형 전극인 경우, 화소 전극(AE)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 화소 전극(AE)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 화소 전극(AE)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 화소 전극(AE)은 상기의 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(AE)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 화소 전극(AE)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제8 절연층(80) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서 화소 정의막(PDL)은 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(PDL)은 고분자 수지 이외에 무기물을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 화소 정의막(PDL)은 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함하여 형성될 수 있다. 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함하여 형성된 화소 정의막(PDL)은 블랙화소정의막을 구현할 수 있다. 화소 정의막(PDL) 형성 시 흑색 안료 또는 흑색 염료로는 카본 블랙 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 화소 정의막(PDL)은 무기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함하여 형성되는 것일 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 화소 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)에는 화소 전극(AE)의 일부분을 노출시키는 화소 개구부(PDL-OP) 가 정의될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 화소 전극(AE)의 가장 자리와 공통 전극(CE)의 거리를 증가시킬 수 있다. 따라서, 화소 정의막(PDL)에 의해 화소 전극(AE) 가장 자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지될 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP)에서 화소 정의막(PDL)에 의해 발광 영역들(PXA)이 구분될 수 있다. 표시 패널(DP)은 발광 영역들(PXA)과 비발광 영역(NPXA)을 포함하고, 비발광 영역(NPXA)은 화소 정의막(PDL)에 중첩하는 부분일 수 있다. 화소 개구부(PDL-OP)에서 노출된 화소 전극(AE)에 대응하는 부분이 발광 영역(PXA)으로 정의될 수 있다.
발광 소자(LD)에서 발광층(EL)은 화소 전극(AE) 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 발광층(EL)은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다.
공통 전극(CE)은 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들(PX, 도 2)에 공통적으로 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)일 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 화소 전극(AE)이 애노드인 경우 공통 전극(CE)은 캐소드일 수 있고, 화소 전극(AE)이 캐소드인 경우 공통 전극(CE)은 애노드일 수 있다.
공통 전극(CE)은 투과 전극, 반투과 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 공통 전극(CE)이 투과 전극인 경우, 공통 전극(CE)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 공통 전극(CE)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함하여 형성될 수 있다.
도시되지 않았으나, 화소 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 공통 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들(PX, 도 4)에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(TFE)은 발광 소자층(DP-ED) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(TFE)은 순차적으로 적층된 무기층(IL1), 유기층(OL), 및 무기층(IL2)을 포함할 수 있으나, 봉지층(TFE)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들(IL1, IL2)은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(DP-ED)을 보호하고, 유기층(OL)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(DP-ED)을 보호할 수 있다. 무기층들(IL1, IL2)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘옥사이드, 티타늄옥사이드, 및 알루미늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 유기층(OL)은 아크릴계 유기 재료를 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
입력 센서(ISP)는 표시 패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 입력 센서(ISP)는 센서층, 입력 감지층, 또는 입력 감지 패널로 지칭될 수 있다. 입력 센서(ISP)는 감지 베이스층(BS-TP), 제1 도전층(CL), 및 감지 절연층(IPV)을 포함할 수 있다.
감지 베이스층(BS-TP)은 표시 패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다. 감지 베이스층(BS-TP)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 감지 베이스층(BS-TP)은 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 이미드계 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 감지 베이스층(BS-TP)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(CL)은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 또는 인듐아연주석산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
감지 절연층(IPV)은 제1 도전층(CL) 상에 배치될 수 있다. 감지 절연층(IPV)은 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또는 감지 절연층(IPV)은 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌계 수지, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도시되지 않았으나, 입력 센서(ISP)는 제1 도전층(CL) 이외에 제1 도전층(CL) 상에 배치된 제2 도전층을 더 포함할 수 있다. 입력 센서(ISP)가 제2 도전층을 더 포함하는 경우 감지 절연층(IPV)은 제1 도전층(CL)과 제2 도전층 사이에 배치될 수 있다.
광학층(RCL)은 입력 센서(ISP) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 광학층(RCL)은 연속된 공정을 통해 입력 센서(ISP) 상에 형성될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
광학층(RCL)은 안료 또는 연료를 포함하여 형성될 수도 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광학층(RCL)은 서로 다른 파장 영역의 광을 투과시키는 복수의 필터부들을 포함할 수 있다. 서로 다른 파장 영역의 광을 투과시키는 필터부들 각각은 비발광 영역(NPXA)으로 구분되는 발광 영역들(PXA) 각각에 대응하도록 배치될 수 있다.
광학층(RCL)은 분할 패턴(BM)을 더 포함할 수 있다. 분할 패턴(BM)을 구성하는 물질은 광을 흡수하는 물질이라면 특별히 한정되지 않는다. 분할 패턴(BM)은 블랙컬러를 갖는 층으로, 일 실시예에서 분할 패턴(BM)은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.
분할 패턴(BM)은 입력 센서(ISP)의 제1 도전층(CL)과 중첩될 수 있다. 분할 패턴(BM)은 제1 도전층(CL)에 의한 외부광 반사를 방지할 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 입력 센서를 나타낸 평면도이다. 일 실시예에 따른 입력 센서(ISP)는 표시 모듈의 액티브 영역(AA)에 대응하는 센싱 영역(SA), 주변 영역에 대응하는 센싱 주변 영역(NSA), 및 센싱 영역(SA)과 센싱 주변 영역(NSA) 사이에 배치된 배선 영역(LA)을 포함하는 것일 수 있다. 배선 영역(LA)은 액티브 영역(AA)에 대응하여 배치된 부분일 수 있다.
입력 센서(ISP)의 센싱 영역(SA)은 표시 패널의 액티브 영역(DP-A)과 중첩하고, 센싱 주변 영역(NSA)은 표시 패널의 주변 영역(DP-NA)에 중첩하는 부분일 수 있다. 배선 영역(LA)은 표시 패널의 주변 영역(DP-NA)에 인접한 액티브 영역(DP-A)과 중첩하는 것일 수 있다.
입력 센서(ISP)는 복수의 감지 전극들(SP) 및 복수의 감지 배선들(SL)을 포함할 수 있다. 감지 배선들(SL) 각각은 복수의 감지 전극들(SP) 각각에 대응하여 연결될 수 있다. 감지 배선들(SL) 각각은 센싱 주변 영역(NSA)에 배치된 주변 배선부(PL), 및 배선 영역(LA)에 배치된 메인 배선부(ML)를 포함할 수 있다. 액티브 영역(DP-A)에 중첩하는 배선 영역(LA)에 배치된 메인 배선부들(ML)은 한정된 영역에 배열되도록 굴곡된 부분을 포함할 수 있다. 즉 메인 배선부들(ML)은 제1 방향(DR1)과 나란한 방향으로 연장되는 부분과 제2 방향(DR2)과 나란한 방향으로 연장된 부분을 포함할 수 있다.
한편, 센싱 영역(SA)은 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있는 부분일 수 있다. 외부 입력은 입력 센서(ISP)의 외부에서 제공되는 다양한 형태의 입력을 포함할 수 있다. 예를 들어, 외부 입력은 사용자의 손 등 신체의 일부에 의한 접촉은 물론 입력 센서(ISP)와 근접하거나, 소정의 거리로 인접하여 인가되는 외부 입력(예를 들어, 호버링)을 포함할 수 있다. 또한, 외부 입력은 힘, 압력, 온도, 광 등 다양한 형태를 가질 수 있다.
일 실시예의 입력 센서(ISP)에서 배선 영역(LA)은 외부 입력이 감지되지 않는 비센싱 영역일 수 있다. 배선 영역(LA)은 액티브 영역(AA)에 대응하여 배치되어 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)이 배치될 수 있으나, 감지 전극들(SP)이 배치되지 않아 외부 입력이 감지되지 않는 부분일 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 각각 표시 패널 상에 배치된 입력 센서의 일부를 나타낸 평면도일 수 있다. 도 8a 및 도 8b는 각각 도 7의 XX' 영역에 대응하는 부분을 확대하여 나타낸 평면도일 수 있다.
도 8a를 참조하면 입력 센서(ISP, 도 7)의 감지 전극(SP)은 메쉬 형상 또는 격자 형상을 이루는 복수의 감지 패턴들(MS)을 포함할 수 있다. 감지 패턴들(MS)은 제1 사선방향(CDR1)으로 연장된 제1 라인들(CL1)과 제2 사선방향(CDR2)으로 연장된 제2 라인들(CL2)을 포함할 수 있다. 제1 라인들(CL1) 및 제2 라인들(CL2)은 입력 센서의 제1 도전층(CL, 도 6)에 해당한다.
한편, 제1 라인들(CL1) 각각은 제1 사선방향(CDR1) 내에서 완전한 직선 형상이 아니고 복수 개의 직선 영역들과 복수 개의 변곡 영역들을 포함할 수 있다. 또한, 제2 라인들(CL2) 역시 복수 개의 직선 영역들과 복수 개의 변곡 영역들을 포함할 수 있다.
제1 라인들(CL1)과 제2 라인들(CL2)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 비중첩하는 것일 수 있다. 즉, 제1 라인들(CL1)과 제2 라인들(CL2)은 비발광 영역(NPXA)에 중첩하는 것일 수 있다.
한편, 도 8a에 도시된 감지 패턴들(MS)의 형상과 달리 일 실시예에서 센싱 영역(SA, 도 7)에 배치된 감지 전극(SP)에 포함된 감지 패턴들을 구성하는 라인들의 배열 형태는 후술하는 배선 영역에 배치된 메인 배선부들(ML, 도 9)의 배열 형태와 유사한 것일 수 있다.
도 8b는 입력 센서의 일 실시예를 나타낸 도면으로, 도 8b는 도 7의 XX' 영역에 대응하는 부분을 나타낸 것일 수 있다. 도 8b에 도시된 일 실시예에서는 감지 패턴들(MS-a)의 형상에 있어서 도 8a에 도시된 감지 패턴(MS)의 형상과 차이가 있다.
도 8b를 참조하면, 일 실시예에서 감지 패턴들(MS-a)은 제1 사선방향(CDR1)으로 연장된 제1 라인들(CL1-a)과 제2 사선방향(CDR2)으로 연장된 제2 라인들(CL2-a)을 포함할 수 있다. 제1 라인들(CL1-a)과 제2 라인들(CL2-a)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 비중첩하며, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 외곽에서 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 평면 상에서의 형상을 따라 배치된 것일 수 있다.
또한, 일 실시예에서 감지 전극(SP, 도 7)은 감지 패턴들(MS-a) 사이에 배치된 브릿지 패턴(BRP)을 더 포함할 수 있다. 도 8b에서는 브릿지 패턴(BRP)은 인접하는 감지 패턴들(MS-a)에서 제2 방향축(DR2) 방향으로 이격된 부분 사이에 배치되어 감지 패턴들(MS-a)을 전기적으로 연결하는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정된 것은 아니며, 감지 패턴들(MS-a)을 구성하는 라인들(CL1-a, CL2-a)은 도 8b에 도시된 연장 방향과 다른 방향으로 연장되고 감지 패턴들(MS-a) 사이에 배치된 브릿지 패턴(BRP)도 도 8b에서 도시된 방향과 다른 방향으로 연장되어 감지 패턴들(MS-a)을 전기적으로 연결하는 것일 수 있다.
또한, 도면에 도시된 것과 달리, 브릿지 패턴(BRP)은 감지 패턴(MS-a)과 구분되지 않고 감지 패턴들(MS-a)을 구성하는 라인들(CL1-a, CL2-a)에서 연장되는 부분으로 일체의 형상으로 제공되는 것일 수 있다.
한편, 도 8a 및 도 8b에 도시된 감지 패턴들(MS, MS-a)의 형상은 예시적으로 것으로 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 9는 일 실시예에 따른 입력 센서의 일 부분을 나타낸 평면도이다. 도 9는 도 7의 YY' 영역에 대응하는 부분을 확대하여 나타낸 것일 수 있다. 도 10은 도 9의 일부 구성을 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 7 및 도 9를 참조하면, 일 실시예의 입력 센서(ISP)는 감지 전극들(SP), 감지 배선들(SL), 및 반사 패턴부(RP-V, RP-H)를 포함하는 것일 수 있다. 복수 개의 반사 패턴부들(RP-V, RP-H)은 감지 배선들(SL) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 감지 배선들(SL)은 메인 배선부(ML) 및 주변 배선부(PL)를 포함하고, 반사 패턴부들(RP-V, RP-H)은 메인 배선부들(ML) 사이에 배치될 수 있다. 반사 패턴부들(RP-V, RP-H)은 감지 배선들(SL)과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사 패턴부들(RP-V, RP-H)은 메인 배선부들(ML)과 동일한 재료를 포함하여 형성될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
배선 영역(LA)에 배치된 메인 배선부들(ML)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 비중첩하는 것일 수 있다. 메인 배선부들(ML)은 도 8a 및 도 8b 등에서 도시된 감지 패턴들(MS, MS-a)의 형상과 유사한 메쉬 형상을 갖는 것일 수 있다. 메인 배선부들(ML)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 외곽을 감싸면서 감지 배선(SL)의 연장 방향을 따라 배치될 수 있다. 감지 배선(SL)은 하나의 발광 행(PXLn) 또는 하나의 발광 열(PXCm)과 일정 간격 이격되어 감지 패턴들(MS, MS-a, 도 8a와 도 8b)의 메쉬 형상에 대응하는 형상을 갖도록 제공될 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 메인 배선부들(ML)은 각각, 제1 연장 방향(SL-DR1)으로 연장되는 제1 배선부(SML-H) 및 제2 연장 방향(SL-DR2)으로 연장되는 제2 배선부(SML-V)를 포함할 수 있다. 제2 배선부(SML-V)는 제1 배선부(SML-H)에 연결되어 연장되는 것일 수 있다.
제1 연장 방향(SL-DR1)과 제2 연장 방향(SL-DR2)은 서로 상이한 것일 수 있다. 예를 들어 제1 연장 방향(SL-DR1)과 제2 연장 방향(SL-DR2)은 서로 수직하는 방향일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에서 제1 연장 방향(SL-DR1)은 제1 방향(DR1)과 나란한 방향이고, 제2 연장 방향(SL-DR2)은 제2 방향(DR2)과 나란한 방향으로 도시하였으나 이는 예시적인 것으로 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 반사 패턴부들(RP-V, RP-H)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, -XA-B)과 비중첩하는 것일 수 있다. 반사 패턴부들(RP-V, RP-H)은 제2 연장 방향(SL-DR2)과 나란한 제1 돌출 방향(EDR1)으로 돌출된 제1 반사 패턴부(RP-V) 및 제1 연장 방향(SL-DR1)과 나란한 제2 돌출 방향(EDR2)으로 돌출된 제2 반사 패턴부(RP-H)를 포함할 수 있다. 도 10에서, 제1 돌출 방향(EDR1)은 제2 방향축(DR2)과 나란하고, 제2 돌출 방향(EDR2)은 제1 방향축(DR1)과 나란한 것으로 도시하였으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 돌출 방향(EDR1)과 제2 돌출 방향(EDR2)은 제2 연장 방향(SL-DR2)과 제1 연장 방향(SL-DR1)에 따라 정해질 수 있다.
일 실시예에서, 제1 반사 패턴부(RP-V) 및 제2 반사 패턴부(RP-H)는 메인 배선부들(ML)에 인접하여 배치될 수 있다. 제1 반사 패턴부(RP-V) 및 제2 반사 패턴부(RP-H)는 메인 배선부들(ML)에 연결되어 있을 수 있다. 예를 들어, 도 9 및 도 10에 도시된 일 실시예에서 제1 반사 패턴부(RP-V)는 제1 배선부(SML-H)에 연결되고, 제2 반사 패턴부(RP-H)는 제2 배선부(SML-V)에 연결될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 복수의 반사 패턴부들(RP-H, RP-V) 중 일부는 메인 배선부들(ML)에 연결되지 않고 메인 배선부들(ML)에서 이격되어 배치될 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 일 실시예는 복수 개의 발광 행들 중 n번째 발광 행(PXLn) 및 m번째 발광 열(PXCm)을 사이에 두고 이웃하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1) 및 제2 메인 배선부(ML2)를 포함할 수 있다. 제1 메인 배선부(ML1) 및 제2 메인 배선부(ML2)는 각각 제1 연장 방향(SL-DR1)으로 연장되는 제1 배선부(SML-H) 및 제2 연장 방향(SL-DR2)으로 연장되는 제2 배선부(SML-V)를 포함할 수 있다.
제1 반사 패턴부(RP-V)는 제1 메인 배선부(ML1)의 제1 배선부(SML-H)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제1 배선부(SML-H) 사이에 배치될 수 있다. 제2 반사 패턴부(RP-H)는 제1 메인 배선부(ML1)의 제2 배선부(SML-V)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제2 배선부(SML-V) 사이에 배치될 수 있다.
제1 반사 패턴부(RP-V)는 n번째 발광 행(PXLn)에서 제1 방향(DR1)으로 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이에 배치될 수 있다. 서로 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이에 복수의 제1 반사 패턴부들(RP-V)이 배치될 수 있다.
일 실시예에서 제1 반사 패턴부(RP-V)는 제1 메인 배선부(ML1)의 제1 배선부(SML-H)에 연결된 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1), 및 제2 메인 배선부(ML2)의 제1 배선부(SML-H)에 연결된 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)를 포함할 수 있다. 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1) 및 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)는 인접하는 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2) 사이에 배치되고, 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1) 및 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)는 제1 연장 방향(SL-DR1)으로 서로 이격된 것일 수 있다.
제2 반사 패턴부(RP-H)는 m번째 발광 열에서 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이에 배치될 수 있다. 서로 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이에 복수의 제2 반사 패턴부들(RP-H)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서 제2 반사 패턴부(RP-H)는 제1 메인 배선부(ML1)의 제2 배선부(SML-V)에 연결된 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1), 및 제2 메인 배선부(ML2)의 제2 배선부(SML-V)에 연결된 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2)를 포함할 수 있다. 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1) 및 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2)는 인접하는 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2) 사이에 배치되고, 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1) 및 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2)는 제2 연장 방향(SL-DR2)으로 서로 이격된 것일 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 돌출 방향(EDR1)과 나란한 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1)와 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)는 각각 연결된 메인 배선부들(ML1, ML2)로부터 이웃하는 메인 배선부들(ML1, ML2)에 인접하는 방향으로 돌출된 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1)와 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 비중첩하고 제1 돌출 방향(EDR1)과 나란한 조건을 만족하는 범위에서 돌출되는 방향이 달라질 수 있다.
제1 단위 길이(UNT1)의 제1 메인 배선부(ML1) 및 제2 메인 배선부(ML2) 사이에 배치된 서브 반사 패턴부들(RP-V1, RP-V2)의 제1 돌출 방향으로(EDR1)의 일 측면의 길이의 총합은 제1 단위 길이(UNT1)에 대응하는 제2 단위 길이(UNT2)의 제1 메인 배선부(ML1) 및 제2 메인 배선부(ML2)의 제3 부분들(PT1-V)의 제2 연장 방향(SL-DR2)으로의 일 측면의 길이의 합과 동일할 수 있다.
제1 돌출 방향(EDR1)으로 나란하게 돌출된 서브 반사 패턴부들(RP-V1, RP-V2)을 포함하는 일 실시예에서 제1 연장 방향(SL-DR1)과 나란한 방향으로 입사되는 광의 서브 반사 패턴부들(RP-V1, RP-V2)에서의 반사광량이 증가될 수 있다. 이에 따라, 제1 연장 방향(SL-DR1)과 나란한 방향으로 입사되는 광에 의해 제3 부분들(PT1-V)에서 반사되는 반사광량과 제3 부분들(PT1-V)이 없는 부분에서 제1 연장 방향(SL-DR1)과 나란한 방향으로 입사되는 광에 의한 입력 센서 부분에서의 반사광량의 차이가 감소될 수 있다. 일 실시예에서 메인 배선부(ML1, ML2)의 연장 방향에 따른 입사되는 광의 반사량 차이가 감소되어 반사광에 의한 감지 배선의 시인이 감소될 수 있다. 이에 따라 일 실시예의 전자 장치의 표시 품질이 개선될 수 있다.
제2 돌출 방향(EDR2)으로 나란하게 돌출된 서브 반사 패턴부들(RP-H1, RP-H2)을 포함하는 일 실시예에서 제2 연장 방향(SL-DR2)과 나란한 방향으로 입사되는 광의 서브 반사 패턴부들(RP-H1, RP-H2)에서의 반사광량이 증가될 수 있다. 이에 따라, 제2 연장 방향(SL-DR2)과 나란한 방향으로 입사되는 광에 의해 제1 부분들(PT1-H)에서 반사되는 반사광량과 제1 부분들(PT1-H)이 없는 부분에서 제1 연장 방향(SL-DR1)과 나란한 방향으로 입사되는 광에 의한 입력 센서 부분에서의 반사광량의 차이가 감소될 수 있다. 일 실시예에서 메인 배선부(ML1, ML2)의 연장 방향에 따른 입사되는 광의 반사량 차이가 감소되어 반사광에 의한 감지 배선의 시인이 감소될 수 있다. 이에 따라 일 실시예의 전자 장치의 표시 품질이 개선될 수 있다.
도 11a와 도 11b는 각각 입력 센서의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다. 도 11a와 도 11b는 각각 도 10에 도시된 입력 센서의 일부분을 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 11a는 제1 배선부(SML-H)의 일부, 및 제1 반사 패턴부(RP-V) 등의 배치를 도시하였다. 도 11a에서는 임의의 발광 영역(PXA) 및 이와 인접한 제1 배선부(SML-H)를 도시하였다. 도 11a를 참조하면, 제1 배선부(SML-H)는 제1 연장 방향(SL-DR1)과 나란한 제1 부분들(PT1-H), 및 제1 부분들(PT1-H) 사이에 배치된 제2 부분(PT2-H)을 포함하는 것일 수 있다. 복수의 제2 부분들(PT2-H) 각각은 발광 영역들(PXA) 각각을 둘러싸는 부분일 수 있다. 제2 부분들(PT2-H)은 제1 반사 패턴부(RP-V)의 제1 돌출 방향(EDR1) 측으로 이격된 발광 영역들(PXA)을 둘러싸는 부분일 수 있다.
도 11b는 제2 배선부(SML-V)의 일부, 및 제2 반사 패턴부(RP-H) 등의 배치를 도시하였다. 도 11b에서는 임의의 발광 영역(PXA) 및 이와 인접한 제2 배선부(SML-V)를 도시하였다. 도 11b를 참조하면, 제2 배선부(SML-V)는 제2 연장 방향(SL-DR2)과 나란한 제3 부분들(PT1-V), 및 제3 부분들(PT1-V) 사이에 배치된 제4 부분(PT2-V)을 포함하는 것일 수 있다. 복수의 제4 부분들(PT2-V) 각각은 발광 영역들(PXA) 각각을 둘러싸는 부분일 수 있다. 제4 부분들(PT2-V)은 제2 반사 패턴부(RP-H)의 제2 돌출 방향(EDR2) 측으로 이격된 발광 영역들(PXA)을 둘러싸는 부분일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 제2 배선부(SML-V)의 제3 부분들(PT1-V)은 제2 배선부(SML-V)의 제1 부분들로 명칭되고, 제2 배선부(SML-V)의 제4 부분(PT2-V)은 제2 배선부(SML-V)의 제2 부분들로 명칭될 수 있다.
도 12a 및 도 12b는 각각 입력 센서의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다. 도 12a는 도 10의 BB' 영역에 대응하는 부분을 확대하여 나타낸 평면도이고, 도 12b는 도 10의 CC' 영역에 대응하는 부분을 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 12a는 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2) 일부, 및 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2) 사이에 배치된 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1), 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)를 도시하였다. 도 12b는 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1), 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2), 및 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)의 일부를 도시하였다.
도 12a와 도 12b를 참조하면, 단위 길이의 제1 메인 배선부(ML1) 및 제2 메인 배선부(ML2) 사이에 배치된 서브 반사 패턴부들(RP-V1, RP-V2)의 제1 돌출 방향으로(EDR1)의 길이의 총합(LS1+LS2)은 단위 길이의 제1 메인 배선부(ML1) 및 제2 메인 배선부(ML2)의 제3 부분들(PT1-V)의 제2 연장 방향(SL-DR2)으로의 길이의 합(LMS3+LMS4)과 동일할 수 있다.
또한, 단위 길이의 제1 메인 배선부(ML1) 및 제2 메인 배선부(ML2) 사이에 배치된 서브 반사 패턴부들(RP-H1, RP-H2)의 제2 돌출 방향(EDR2)으로의 길이의 총합(LS3+LS4)은 단위 길이의 제1 메인 배선부(ML1) 및 제2 메인 배선부(ML2)의 제1 부분들(PT1-H)의 제1 연장 방향(SL-DR1)으로의 길이의 합(LMS1+LMS2)과 동일할 수 있다.
즉, 도 12a 및 도 12b를 참조하면 제1 메인 배선부(ML1)에 인접한 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1)의 일 측면(S1)에서의 제1 돌출 방향(EDR1)으로의 길이(LS1)와 제2 메인 배선부(ML2)에 인접한 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)의 일 측면(S2)에서의 제1 돌출 방향(EDR1)으로의 길이(LS2)의 합은, 제1 메인 배선부(ML1)의 제3 부분(PT1-V)의 일 측면(MLS3)에서의 제2 연장 방향(SL-DR2)으로의 길이(LMS3)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제3 부분(PT1-V)의 일 측면(MLS4)에서의 제2 연장 방향으로의 길이(LMS4)의 합(LMS3+LMS4)과 실질적으로 동일할 수 있다.
또한, 제1 메인 배선부(ML1)에 인접한 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1)의 일 측면(S3)에서의 제2 돌출 방향(EDR2)으로의 길이(LS3)와 제2 메인 배선부(ML2)에 인접한 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2)의 일 측면(S4)에서의 제2 돌출 방향(EDR2)으로의 길이(LS4)의 합은, 제1 메인 배선부(ML1)의 제1 부분(PT1-H)의 일 측면(MLS1)에서의 제1 연장 방향(SL-DR1)으로의 길이(LMS1)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제1 부분(PT1-H)의 일 측면(MLS2)에서의 제1 연장 방향(SL-DR1)으로의 길이(LMS2)의 합(LMS1+LMS2)과 실질적으로 동일할 수 있다.
한편, 도 12a 및 도 12b에서 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1)의 일 측면(S1)의 길이(LS1)와 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)의 일 측면(S2)의 길이(LS2)는 동일한 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1)의 일 측면(S1)의 길이(LS1)와 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)의 일 측면(S2)의 길이(LS2)는 제1 메인 배선부(ML1)의 제3 부분(PT1-V)의 일 측면(MLS3)에서의 제2 연장 방향(SL-DR2)으로의 길이(LMS3)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제3 부분(PT1-V)의 일 측면(MLS4)에서의 제2 연장 방향으로의 길이(LMS4)의 합(LMS3+LMS4)과 실질적으로 동일한 범위에서 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1)의 일 측면(S1)의 길이(LS1)와 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)의 일 측면(S2)의 길이(LS2)가 서로 다르게 그 비율이 조절될 수 있다.
또한, 도 12a 및 도 12b에서 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1)의 일 측면(S3)의 길이(LS3)와 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2)의 일 측면(S4)의 길이(LS4)는 동일한 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1)의 일 측면(S3)의 길이(LS3)와 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2)의 일 측면(S4)의 길이(LS4)는 제1 메인 배선부(ML1)의 제1 부분(PT1-H)의 일 측면(MLS1)에서의 제1 연장 방향(SL-DR1)으로의 길이(LMS1)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제1 부분(PT1-H)의 일 측면(MLS2)에서의 제1 연장 방향(SL-DR1)으로의 길이(LMS2)의 합(LMS1+LMS2)과 실질적으로 동일한 범위에서 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1)의 일 측면(S3)의 길이(LS3)와 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2)의 일 측면(S4)의 길이(LS4)가 서로 다르게 그 비율이 조절될 수 있다.
도 13 내지 도 15는 각각 일 실시예에 따른 입력 센서의 일부를 나타낸 평면도이다. 도 13 내지 도 15는 각각 도 7의 YY' 영역에 대응하는 일 실시예들을 나타낸 평면도이다. 도 13 내지 도 15의 일 실시예에 대한 설명에 있어서 도 1 내지 도 12b를 참조하여 설명한 내용과 동일한 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
도 13에 도시된 일 실시예에 따른 입력 센서(ISP-a)는 도 9에 도시된 일 실시예와 비교하여 반사 패턴부(RP-Va, RP-Ha)가 메인 배선부(ML1, ML2)로부터 이격된 것에서만 차이가 있다. 일 실시예에 따른 입력 센서(ISP-a)는 배선 영역(LA, 도 7)에 배치된 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G), 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)을 사이에 두고 서로 인접하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2), 및 제1 반사 패턴부(RP-Va)와 제2 반사 패턴부(RP-Ha)를 포함하는 것일 수 있다.
제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)는 n번째 발광 행(PXLn)과 m번째 발광 열(PXCm)을 사이에 두고 서로 인접하여 배치된 것일 수 있다. 제1 반사 패턴부(RP-Va)는 n번째 발광 행(PXLn)에 배치된 이웃하는 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G) 사이에 배치될 수 있다. 제2 반사 패턴부(RP-Ha)는 m번째 발광 열(PXCm)에 배치된 이웃하는 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G) 사이에 배치될 수 있다.
제1 반사 패턴부(RP-Va)는 제1 방향(DR1)으로 이격된 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1a) 및 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2a)를 포함할 수 있다. 제2 반사 패턴부(RP-Ha)는 제2 방향(DR2)으로 이격된 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1a) 및 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2a)를 포함할 수 있다. 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1a) 및 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2a)의 제2 방향(DR2)으로의 길이는 동일하거나 서로 상이할 수 있다. 또한, 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1a) 및 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2a)의 제1 방향(DR1)으로의 길이는 동일하거나 서로 상이할 수 있다.
제1 서브 반사 패턴부(RP-V1a) 및 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2a)의 제2 방향(DR2)으로의 길이의 합은, 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1a) 및 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2a)에 인접하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제2 방향(DR2)과 평행한 부분의 길이의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1a) 및 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2a)의 제1 방향(DR1)으로의 길이의 합은, 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1a) 및 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2a)에 인접하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제1 방향(DR1)과 평행한 부분의 길이의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라 메인 배선부(ML1, ML2)의 연장 방향에 따른 입사되는 광의 반사량 차이가 감소되어 반사광에 의한 감지 배선의 시인이 감소될 수 있으며, 일 실시예의 전자 장치의 표시 품질이 개선될 수 있다.
도 14에 도시된 일 실시예에 따른 입력 센서(ISP-b)는 배선 영역(LA, 도 7)에 배치된 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G), 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)을 사이에 두고 서로 인접하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2), 및 제1 반사 패턴부(RP-Vb)와 제2 반사 패턴부(RP-Hb)를 포함하는 것일 수 있다.
제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)는 n번째 발광 행(PXLn)과 m번째 발광 열(PXCm)을 사이에 두고 서로 인접하여 배치된 것일 수 있다. 제1 반사 패턴부(RP-Vb)는 n번째 발광 행(PXLn)에 배치된 이웃하는 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G) 사이에 배치될 수 있다. 제2 반사 패턴부(RP-Hb)는 m번째 발광 열(PXCm)에 배치된 이웃하는 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G) 사이에 배치될 수 있다.
제1 반사 패턴부(RP-Vb)는 제1 방향(DR1)으로 이격된 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1b) 및 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2b)를 포함할 수 있다. 제2 반사 패턴부(RP-Hb)는 제2 방향(DR2)으로 이격된 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1b) 및 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2b)를 포함할 수 있다.
제1 서브 반사 패턴부(RP-V1b) 및 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2b)의 제2 방향(DR2)으로의 길이의 합은, 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1b) 및 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2b)에 인접하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제2 방향(DR2)과 평행한 부분의 길이의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1b) 및 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2b)의 제1 방향(DR1)으로의 길이의 합은, 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1b) 및 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2b)에 인접하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제1 방향(DR1)과 평행한 부분의 길이의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라 메인 배선부(ML1, ML2)의 연장 방향에 따른 입사되는 광의 반사량 차이가 감소되어 반사광에 의한 감지 배선의 시인이 감소될 수 있으며, 일 실시예의 전자 장치의 표시 품질이 개선될 수 있다.
도 15에 도시된 일 실시예에 따른 입력 센서(ISP-c)는 도 9에 도시된 일 실시예와 비교하여 반사 패턴부(RP-Vc, RP-Hc)의 개수가 보다 증가된 것에서 차이가 있다.
일 실시예에 따른 입력 센서(ISP-c)는 배선 영역(LA, 도 7)에 배치된 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G), 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)을 사이에 두고 서로 인접하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2), 및 제1 반사 패턴부(RP-Vc)와 제2 반사 패턴부(RP-Hc)를 포함하는 것일 수 있다.
제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)는 n번째 발광 행(PXLn)과 m번째 발광 열(PXCm)을 사이에 두고 서로 인접하여 배치된 것일 수 있다.
제1 반사 패턴부(RP-Vc)는 제1 서브 반사 패턴부(RP-V1), 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2), 제5 서브 반사 패턴부(RP-V3), 및 제6 서브 반사 패턴부(RP-V4)를 포함하는 것일 수 있다.
제1 서브 반사 패턴부(RP-V1)와 제5 서브 반사 패턴부(RP-V3)는 제1 메인 배선부(ML1)로부터 돌출된 것이며, 서로 돌출 방향이 상이한 것일 수 있다. 즉, 제1 반사 패턴부(RP-Vc)는 제1 메인 배선부(ML1)를 사이에 두고 배치된 n번째 발광 행(PXLn)과 n-1번째 발광 행(PXLn-1) 방향 각각으로 돌출된 서브 반사 패턴부들을 포함할 수 있다.
제2 서브 반사 패턴부(RP-V2)와 제6 서브 반사 패턴부(RP-V4)는 제2 메인 배선부(ML2)로부터 돌출된 것이며, 서로 돌출 방향이 상이한 것일 수 있다. 즉, 제1 반사 패턴부(RP-Vc)는 제2 메인 배선부(ML2)를 사이에 두고 배치된 n번째 발광 행(PXLn)과 n+1번째 발광 행(PXLn+1) 방향 각각으로 돌출된 서브 반사 패턴부들을 포함할 수 있다.
제2 반사 패턴부(RP-Hc)는 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1), 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2), 제7 서브 반사 패턴부(RP-H3), 및 제8 서브 반사 패턴부(RP-H4)를 포함하는 것일 수 있다.
제3 서브 반사 패턴부(RP-H1)와 제7 서브 반사 패턴부(RP-H3)는 제1 메인 배선부(ML1)로부터 돌출된 것이며, 서로 돌출 방향이 상이한 것일 수 있다. 즉, 제2 반사 패턴부(RP-Hc)는 제1 메인 배선부(ML1)를 사이에 두고 배치된 m번째 발광 열(PXCm)과 m-1번째 발광 열(PXCm-1) 방향 각각으로 돌출된 서브 반사 패턴부들을 포함할 수 있다.
제4 서브 반사 패턴부(RP-H2)와 제8 서브 반사 패턴부(RP-H4)는 제2 메인 배선부(ML2)로부터 돌출된 것이며, 서로 돌출 방향이 상이한 것일 수 있다. 즉, 제2 반사 패턴부(RP-Hc)는 제2 메인 배선부(ML2)를 사이에 두고 배치된 m번째 발광 열(PXCm)과 m+1번째 발광 열(PXCm+1) 방향 각각으로 돌출된 서브 반사 패턴부를 포함할 수 있다.
제1 서브 반사 패턴부(RP-V1), 제2 서브 반사 패턴부(RP-V2), 제5 서브 반사 패턴부(RP-V3), 및 제6 서브 반사 패턴부(RP-V4)의 제2 방향(DR2)으로의 길이의 합은, 제2 반사 패턴부(RP-Hc)에 인접하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제2 방향(DR2)과 평행한 부분의 길이의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제3 서브 반사 패턴부(RP-H1), 제4 서브 반사 패턴부(RP-H2), 제7 서브 반사 패턴부(RP-H3), 및 제8 서브 반사 패턴부(RP-H4)의 제1 방향(DR1)으로의 길이의 합은, 제1 반사 패턴부(RP-Vc)에 인접하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)의 제1 방향(DR1)과 평행한 부분의 길이의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라 메인 배선부(ML1, ML2)의 연장 방향에 따른 입사되는 광의 반사량 차이가 감소되어 반사광에 의한 감지 배선의 시인이 감소될 수 있으며, 일 실시예의 전자 장치의 표시 품질이 개선될 수 있다.
도 16은 일 실시예에 따른 입력 센서의 일부를 나타낸 평면도이다. 도 16은 도 7의 YY' 영역에 대응하는 일 실시예를 나타낸 평면도일 수 있다. 도 16의 일 실시예에 대한 설명에 있어서 도 1 내지 도 12b를 참조하여 설명한 내용과 동일한 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
도 16을 참조하면 일 실시예에 따른 입력 센서(ISP-d)는 도 9에 도시된 일 실시예와 비교하여 반사 패턴부(RP-V, RP-H, 도 9)가 생략된 것에서 차이가 있다. 일 실시예에 따른 입력 센서(ISP-a)는 배선 영역(LA, 도 7)에 배치된 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G), 및 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)을 사이에 두고 서로 인접하여 배치된 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)를 포함할 수 있다. 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)는 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)과 비중첩하도록 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)의 외곽에서 발광 영역들(PXA-B, PXA-R, PXA-G)의 형상을 따라 배열될 수 있다. 배선 영역(LA, 도 7)에서 메인 배선부들(ML1, ML2)은 각각, 연장 방향이 서로 다른 제1 배선부(SML-H) 및 제2 배선부(SML-V)를 포함할 수 있다.
즉, 일 실시예에서 메인 배선부들(ML1, ML2)은 서로 다른 방향으로 연장되는 배선부들(SML-H, SML-V)을 포함하도록 굴곡되어 배치될 수 있어 배선 영역(LA, 도 7)의 면적이 최소화될 수 있다. 따라서, 일 실시예의 입력 센서(ISP)에서 메인 배선부들(ML1, ML2)이 배선 영역(LA, 도 7)에서 배열이 최적화되어 센싱이 되지 않는 비센싱 영역의 면적이 감소될 수 있다.
도 16에서 제1 배선부(SML-H)는 제1 방향(DR1)과 나란한 방향으로 연장되고, 제2 배선부(SML-V)는 제2 방향(DR2)과 나란한 방향으로 연장되는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도 9, 도 13 내지 도 16을 참조하여 설명한 일 실시예의 입력 센서에 대한 설명은 센싱 영역(SA, 도 7)에 배치된 감지 배선들(SL, 도 7)에 대하여도 동일하게 적용될 수 있다. 도 7을 다시 참조하면, 센싱 영역(SA)에 배치되고, 감지 전극(SP)과 연결되어 배선 영역(LA) 방향으로 연장되는 감지 배선들(SL)은 제2 방향(DR2) 또는 제1 방향(DR1)과 나란한 직선 형태로 도시되었으나, 센싱 영역(SA)에 배치된 감지 배선들(SL)도 발광 영역들과 비중첩하도록 굴곡 형상을 갖도록 변형되어 연장된 것일 수 있다.도 17a는 반사 패턴부를 미포함하는 도 16에 도시된 일 실시예의 입력 센서에서 광이 입사되는 경우를 예시적으로 나타낸 평면도이다. 도 17b는 도 17a의 감지 배선 배치에서의 시인성을 평가한 이미지이다. 도 17a는 본 발명 도 7의 YY' 영역에 대응하는 부분일 수 있다.
입력 센서(ISP-d)는 n번째 발광 행(PXLn)과 m번째 발광 열(PXCm)을 사이에 두고 서로 인접한 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)를 포함하고 반사 패턴부를 미포함하는 것일 수 있다. 도 17a에서 가상의 기준선(IML)은 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2) 각각의 연장 방향이 변경되는 부분일 수 있다. 이에 따라 입사되는 광의 입사 방향(LID)이 제1 방향(DR1)과 나란할 경우 메인 배선부(ML1, ML2)가 제1 방향(DR1)과 나란한 방향으로 연장되는 부분(HLA', 이하 블랙 영역)에서의 반사광량이 작아 도 17b에 도시된 이미지와 같이 어두운 부분으로 나타날 수 있다.
또한, 입사되는 광의 입사 방향(LID)이 제1 방향(DR1)과 나란할 경우 메인 배선부(ML1, ML2)가 제2 방향(DR2)과 나란한 방향으로 연장되는 부분(VLA', 이하 화이트 영역)에서의 반사광량이 크며, 이에 따라 도 17b에 도시된 이미지와 같이 밝은 부분으로 나타날 수 있다.
도 18a는 반사 패턴부를 포함하는 도 9에 도시된 일 실시예의 입력 센서에서 광이 입사되는 경우를 예시적으로 나타낸 평면도이다. 도 18b는 도 18a의 감지 배선 배치에서의 시인성을 평가한 이미지이다. 입력 센서(ISP)는 n번째 발광 행(PXLn)과 m번째 발광 열(PXCm)을 사이에 두고 서로 인접한 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2)와 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2) 사이에 배치된 반사 패턴부(PR-V, RP-H)를 포함하는 것일 수 있다. 도 18a에서 가상의 기준선(IML)은 제1 메인 배선부(ML1)와 제2 메인 배선부(ML2) 각각의 연장 방향이 변경되는 부분일 수 있다.
일 실시예의 경우 반사 패턴부(RP-V, RP-H)를 더 포함하여, 입사되는 광의 입사 방향(LID)인 제1 방향(DR1)과 나란한 방향으로 연장된 메인 배선부(ML1, ML2)가 배치된 부분(HLA, 이하 블랙 영역)에서의 반사광량과 메인 배선부(ML1, ML2)가 제2 방향(DR2)과 나란한 방향으로 연장되는 부분(VLA, 이하 화이트 영역)에서의 반사광량의 차이가, 도 17a에 도시된 입력 센서(ISP-d)와 비교하여 작아질 수 있다.
도 17b에 도시된 입력 센서(ISP-d)에서 블랙 영역(HLA')과 화이트 영역(VLA')의 밝기의 차이를 100%로 할 때, 도 18b에 도시된 입력 센서(ISP)에서 블랙 영역(HLA)과 화이트 영역(VLA)의 밝기의 차이를 약 62.4%로 저감할 수 있다. 즉, 메인 배선부들 사이에 배치된 반사 패턴부를 더 포함하는 일 실시예의 경우 반사 패턴부를 포함하지 않는 일 실시예에 비하여 반사광 유입에 따른 감지 배선의 시인성이 보다 저감되어 우수한 표시 품질을 나타내는 것을 알 수 있다.
도 19a는 메인 배선부에서의 반사광의 진행 방향을 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 19b는 반사 패턴부에서의 반사광의 진행 방향을 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 19a에서는 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 상에 배치된 감지 베이스층(BS-TP), 감지 베이스층(BS-TP) 상에 배치된 메인 배선부(ML)를 도시하였다. 도 19b에서는 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 상에 배치된 감지 베이스층(BS-TP), 감지 베이스층(BS-TP) 상에 배치된 반사 패턴부(RP)를 도시하였다.
외부에서 입사된 광(LD-IN)이 메인 배선부(ML)에서 반사된 반사광의 방향(LD-RM) 및 반사 패턴부(RP)에서 반사된 반사광의 방향(LD-RR)은 차이가 있을 수 있다. 표시 패널(DP)의 상면에 수직하는 단면 상에서 반사 패턴부(RP)는 경사진 측면(SS)을 포함하는 것일 수 있다. 반사 패턴부(RP)의 경사진 측면(SS)에 따라 반사 패턴부(RP)로 입사된 광의 반사광의 방향(LD-RR)이 외부에서 입사된 광(LD-IN)의 방향 측으로 변화될 수 있어 반사 패턴부(RP)가 배치된 부분에서의 외부광 반사가 증가될 수 있다. 이에 따라, 외부광의 입사 방향(LID)과 나란한 방향으로 연장되는 메인 배선부(ML)에서 반사되는 반사광의 방향(LD-RM)이 입사 방향(LID)과 반대되는 방향으로 되어 외부광 반사가 감소된 부분을 보완할 수 있다.
즉, 메인 배선부(ML)에서 반사광량이 감소되는 부분을 보완하기 위하여 경사진 측면을 갖는 반사 패턴부(RP)를 포함한 일 실시예의 경우 반사광의 입사 방향에 따른 메인 배선부(ML)의 시인성을 감소시킬 수 있다.
일 실시예의 전자 장치는 비센싱 영역인 배선 영역에서 발광 영역들과 비중첩하도록 발광 영역들 주변을 감싸도록 굴곡되어 배치된 감지 배선을 포함하여, 비센싱 영역 면적을 최소화하여 데드 스페이스(dead space)를 감소시킬 수 있다.
또한, 일 실시예의 전자 장치는 액티브 영역에 배치된 감지 배선 및 감지 배선들 사이에 배치된 반사 패턴부를 포함하여 반사광에 의한 감지 배선의 시인성이 감소되어 우수한 표시 품질을 나타낼 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
ED : 전자 장치
DM : 표시 모듈
DP : 표시 패널
ISP, ISP-a, ISP-b, ISP-c, ISP-d : 입력 센서
SP : 감지 전극
ML, ML1, ML2 : 메인 배선부
RP, RP-H, RP-V : 반사 패턴부

Claims (24)

  1. 액티브 영역, 및 상기 액티브 영역의 일 측에 배치된 주변 영역을 포함하는 표시 패널; 및
    상기 액티브 영역 상에 배치된 센싱 영역, 상기 주변 영역 상에 배치된 센싱 주변 영역, 및 상기 액티브 영역 상에 배치되고 상기 센싱 영역과 상기 센싱 주변 영역 사이에 배치된 배선 영역을 포함하는 입력 센서; 를 포함하고,
    상기 입력 센서는
    상기 센싱 영역에 배치된 복수의 감지 전극들;
    상기 배선 영역에 배치되고, 상기 감지 전극들에 연결된 복수의 메인 배선부들; 및
    상기 배선 영역에 배치되고, 상기 메인 배선부들 사이에 배치된 복수의 반사 패턴부들; 을 포함하는 전자 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 표시 패널은 상기 액티브 영역에 배치된 복수의 발광 영역들을 포함하고,
    상기 메인 배선부들은 상기 발광 영역들과 비중첩하며,
    상기 메인 배선부들 각각은
    제1 연장 방향으로 연장되는 제1 배선부; 및
    상기 제1 배선부와 연결되고, 상기 제1 연장 방향과 다른 제2 연장 방향으로 연장되는 제2 배선부; 를 포함하는 전자 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 반사 패턴부들은 상기 발광 영역들과 비중첩하며,
    상기 제2 연장 방향과 나란한 제1 돌출 방향으로 연장된 제1 반사 패턴부; 및
    상기 제1 연장 방향과 나란한 제2 돌출 방향으로 연장된 제2 반사 패턴부; 를 포함하는 전자 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제1 반사 패턴부는 상기 제1 배선부에 연결되고, 상기 제2 반사 패턴부는 상기 제2 배선부에 연결된 전자 장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 발광 영역들은 상기 제1 연장 방향과 나란한 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 수직하는 제2 방향을 따라 나열된 복수 개의 발광 행들, 및
    상기 제2 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 방향을 따라 나열된 복수 개의 발광 열들을 정의하는 전자 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 메인 배선부들은 상기 복수 개의 발광 행들 중 n번째 발광 행 및 m번째 발광 열을 사이에 두고 이웃하여 배치된 제1 메인 배선부 및 제2 메인 배선부를 포함하고,
    상기 제1 반사 패턴부는 상기 n번째 발광 행에서 상기 제1 방향으로 이웃하는 발광 영역들 사이에 배치되고,
    상기 제2 반사 패턴부는 상기 m번째 발광 열에서 상기 제2 방향으로 이웃하는 발광 영역들 사이에 배치되고,
    n 및 m은 각각 독립적으로 1 이상의 정수인 전자 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제1 반사 패턴부는 상기 제1 연장 방향으로 서로 이격된 복수의 서브 반사 패턴부들을 포함하는 전자 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 서브 반사 패턴부들 중 적어도 하나는 상기 메인 배선부들에서 이격되어 배치된 전자 장치.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 제1 반사 패턴부는 상기 제1 메인 배선부에 연결된 제1 서브 반사 패턴부, 및 상기 제2 메인 배선부에 연결된 제2 서브 반사 패턴부를 포함하는 전자 장치.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부 각각의 상기 제1 배선부는
    상기 제1 연장 방향과 나란하고 상기 n번째 발광 행에서 상기 발광 영역들 사이에 배치된 복수의 제1 부분들; 및
    상기 제1 부분들 사이에 배치되고, 상기 발광 영역들 각각을 둘러싸는 복수의 제2 부분들; 을 포함하고,
    상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부 각각의 상기 제2 배선부는
    상기 제2 연장 방향과 나란하고 상기 m번째 발광 열에서 발광 영역들 사이에 배치된 복수의 제3 부분들; 및
    상기 제3 부분들 사이에 배치되고, 상기 발광 영역들 각각을 둘러싸는 복수의 제4 부분들; 을 포함하는 전자 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    단위 길이의 상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부 사이에 배치된 상기 서브 반사 패턴부들의 상기 제1 돌출 방향으로의 길이의 총합은
    단위 길이의 상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부의 상기 제3 부분들의 상기 제2 연장 방향으로의 길이의 합과 동일한 전자 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 반사 패턴부는 상기 제1 메인 배선부의 상기 제1 부분들에 연결된 제1 서브 반사 패턴부, 및 상기 제2 메인 배선부의 상기 제1 부분들에 연결된 제2 서브 반사 패턴부를 포함하는 전자 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제1 서브 반사 패턴부의 상기 제1 돌출 방향으로의 길이와 상기 제1 서브 반사 패턴부에 인접한 상기 제2 서브 반사 패턴부의 상기 제1 돌출 방향으로의 길이는 서로 다른 전자 장치.
  14. 제 6항에 있어서,
    상기 제2 반사 패턴부는 상기 제2 연장 방향으로 서로 이격된 복수의 서브 반사 패턴부들을 포함하는 전자 장치.
  15. 제 6항에 있어서,
    상기 제2 반사 패턴부는 상기 제1 메인 배선부에 연결된 제3 서브 반사 패턴부, 및 상기 제2 메인 배선부에 연결된 제4 서브 반사 패턴부를 포함하는 전자 장치.
  16. 제 10항에 있어서,
    단위 길이의 상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부 사이에 배치된 상기 서브 반사 패턴부들의 상기 제2 돌출 방향으로의 길이의 총합은
    단위 길이의 상기 제1 메인 배선부 및 상기 제2 메인 배선부의 상기 제1 부분들의 상기 제1 연장 방향으로의 길이의 합과 동일한 전자 장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제2 반사 패턴부는 상기 제1 메인 배선부의 상기 제3 부분들에 연결된 제3 서브 반사 패턴부, 및 상기 제2 메인 배선부의 상기 제3 부분들에 연결된 제4 서브 반사 패턴부를 포함하는 전자 장치.
  18. 제 1항에 있어서,
    상기 표시 패널 상면에 수직하는 단면 상에서 상기 반사 패턴부들 각각은 경사진 측면을 갖는 전자 장치.
  19. 복수의 발광 영역들이 배치된 액티브 영역, 및 상기 액티브 영역 주변의 주변 영역을 포함하는 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 감지 전극들, 상기 감지 전극들 각각에 대응하여 연결된 복수의 감지 배선들, 및 이웃하는 상기 감지 배선들 사이에 배치된 반사 패턴부를 포함하는 입력 센서; 를 포함하고,
    상기 감지 배선들 각각은 상기 주변 영역 상에 배치된 주변 배선부, 및 상기 액티브 영역 상에 배치된 메인 배선부를 포함하고,
    상기 메인 배선부는 상기 발광 영역들과 비중첩하도록 연장되고, 상기 반사 패턴부는 인접하는 상기 메인 배선부의 연장 방향과 수직하는 방향으로 연장된 전자 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 메인 배선부는 제1 연장 방향으로 연장된 제1 배선부, 및 상기 제1 배선부와 연결되고 상기 제1 연장 방향과 다른 제2 연장 방향으로 연장되는 제2 배선부를 포함하는 전자 장치.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 감지 전극들 각각은 상기 발광 영역들과 비중첩하는 메쉬 형상의 감지 패턴을 포함하고,
    상기 메인 배선부는 상기 메쉬 형상에 대응하는 형상을 가지며,
    상기 제1 배선부 및 상기 제2 배선부는 각각
    상기 발광 영역들 사이에 배치되어 상기 연장 방향에 나란한 제1 부분, 및 상기 제1 부분에 연결되고 상기 발광 영역들 각각을 감싸는 제2 부분을 포함하는 전자 장치.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 반사 패턴부들은 상기 발광 영역들과 비중첩하며,
    상기 제2 연장 방향과 나란한 제1 돌출 방향으로 연장된 복수의 제1 반사 패턴부들; 및
    상기 제1 연장 방향과 나란한 제2 돌출 방향으로 연장된 복수의 제2 반사 패턴부들; 을 포함하는 전자 장치.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 제1 반사 패턴부들 각각은 상기 제1 배선부의 상기 제1 부분에 인접하여 배치되고,
    상기 제1 반사 패턴부들 일 측면의 상기 제1 돌출 방향과 나란한 방향으로의 길이의 합은 상기 제2 배선부의 상기 제1 부분들 일 측면의 상기 제1 돌출 방향과 나란한 방향으로의 길이의 합과 동일한 전자 장치.
  24. 제 22항에 있어서,
    상기 제2 반사 패턴부들 각각은 상기 제2 배선부의 상기 제1 부분에 인접하여 배치되고,
    상기 제2 반사 패턴부들 일 측면의 상기 제2 돌출 방향과 나란한 방향으로의 길이의 합은 상기 제1 배선부의 상기 제1 부분들 일 측면의 상기 제2 돌출 방향과 나란한 방향으로의 길이의 합과 동일한 전자 장치.
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