KR20240065581A - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20240065581A KR20240065581A KR1020220144904A KR20220144904A KR20240065581A KR 20240065581 A KR20240065581 A KR 20240065581A KR 1020220144904 A KR1020220144904 A KR 1020220144904A KR 20220144904 A KR20220144904 A KR 20220144904A KR 20240065581 A KR20240065581 A KR 20240065581A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- space
- sidewall
- disposed
- Prior art date
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 96
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 803
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002585 base Substances 0.000 description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 16
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 15
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 101100136064 Mycobacterium tuberculosis (strain ATCC 25618 / H37Rv) PE13 gene Proteins 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 7
- PZNPLUBHRSSFHT-RRHRGVEJSA-N 1-hexadecanoyl-2-octadecanoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)O[C@@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC PZNPLUBHRSSFHT-RRHRGVEJSA-N 0.000 description 6
- 101001105486 Homo sapiens Proteasome subunit alpha type-7 Proteins 0.000 description 6
- 102100021201 Proteasome subunit alpha type-7 Human genes 0.000 description 6
- 101100049746 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) WTM1 gene Proteins 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 101100166255 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CEP3 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100495436 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CSE4 gene Proteins 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001717 carbocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150084890 cstA gene Proteins 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- YKENVNAJIQUGKU-UHFFFAOYSA-N tetraazaporphin Chemical compound C=1C(C=N2)=NC2=NC(NN2)=NC2=CC(C=C2)=NC2=CC2=NC=1C=C2 YKENVNAJIQUGKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- OVTCUIZCVUGJHS-UHFFFAOYSA-N dipyrrin Chemical compound C=1C=CNC=1C=C1C=CC=N1 OVTCUIZCVUGJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical class N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
표시 장치는 베이스층, 화소 회로를 포함하는 회로층, 상기 회로층 위에 배치되며, 상기 화소 회로와 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함하는 소자층, 및 상기 소자층을 커버하는 봉지층을 포함하고, 상기 베이스층 및 상기 회로층 중 적어도 어느 하나에는 그루브가 정의되고, 상기 봉지층은 상기 그루브를 커버하고, 상기 그루브 내에는 각각이 상기 봉지층에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들이 정의될 수 있다.
Description
본 발명은 제품 신뢰성이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 영상을 표시하는 표시 패널, 외부 입력을 감지하는 입력 센서 및 전자 모듈 등 다양한 전자 부품들로 구성된 장치일 수 있다. 전자 모듈은 카메라, 적외선 감지 센서 또는 근접 센서 등을 포함할 수 있다. 전자 모듈은 표시 패널 및 입력 센서 아래에 배치될 수 있다. 표시 패널 및 입력 센서에는 전자 모듈을 노출하기 위한 홀이 제공될 수 있다.
본 발명의 제품 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스층, 화소 회로를 포함하는 회로층, 상기 회로층 위에 배치되며, 상기 화소 회로와 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함하는 소자층, 및 상기 소자층을 커버하는 봉지층을 포함하고, 상기 베이스층 및 상기 회로층 중 적어도 어느 하나에는 그루브가 정의되고, 상기 봉지층은 상기 그루브를 커버하고, 상기 그루브 내에는 각각이 상기 봉지층에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들이 정의될 수 있다.
상기 그루브의 측벽부는 제1 측벽, 상기 제1 측벽으로부터 돌출된 제1 팁, 상기 제1 팁 위에 배치된 제2 측벽, 및 상기 제2 측벽으로부터 돌출된 제2 팁을 포함할 수 있다.
상기 그루브의 상기 제1 측벽에서의 제1 폭은 상기 그루브의 상기 제2 측벽에서의 제2 폭보다 작을 수 있다.
상기 회로층은 복수의 무기 절연층들, 제1 중간 도전층, 상기 복수의 무기 절연층들 위에 배치되며 상기 제1 중간 도전층을 커버하는 제1 유기층, 및 상기 제1 유기층 위에 배치된 제2 중간 도전층을 더 포함하고, 상기 제1 중간 도전층은 순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층, 및 제3 도전층을 포함하고, 상기 제2 중간 도전층은 순차적으로 적층된 제4 도전층, 제5 도전층, 및 제6 도전층을 포함하고, 상기 제1 측벽은 상기 제2 도전층의 적어도 일부에 정의되고, 상기 제1 팁은 상기 제3 도전층 및 상기 제4 도전층에 의해 정의되고, 상기 제2 측벽은 상기 제5 도전층에 정의되고, 상기 제2 팁은 상기 제6 도전층에 의해 정의될 수 있다.
상기 제1 도전층, 상기 제3 도전층, 상기 제4 도전층, 및 상기 제6 도전층은 티타늄을 포함하고, 상기 제2 도전층, 및 상기 제5 도전층은 알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 복수의 공간들은 상기 제1 측벽과 마주하는 제1 공간, 및 상기 제2 측벽과 마주하는 제2 공간을 포함할 수 있다.
단면 상에서, 상기 제1 공간의 최대 폭은 상기 제2 공간의 최대 폭보다 클 수 있다.
상기 제1 공간의 상기 최대 폭의 방향의 기울기는 상기 제2 공간의 상기 최대 폭의 방향의 기울기보다 클 수 있다.
상기 그루브는 상기 제2 팁 위에 배치된 제3 측벽, 및 상기 제3 측벽으로부터 돌출된 제3 팁을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 공간들은 상기 제1 측벽과 마주하는 제1 공간, 상기 제2 측벽과 마주하는 제2 공간, 및 상기 제3 측벽과 마주하는 제3 공간을 포함하고, 단면 상에서, 상기 제1 공간의 제1 최대 폭은 상기 제2 공간의 제2 최대 폭보다 크고, 상기 제2 공간의 상기 제2 최대 폭은 상기 제3 공간의 제3 최대 폭보다 클 수 있다.
상기 제1 공간의 상기 제1 최대 폭의 방향, 상기 제2 공간의 상기 제2 최대 폭의 방향, 및 상기 제3 공간의 상기 제3 최대 폭의 방향은 서로 상이할 수 있다.
상기 제1 팁의 두께는 상기 제2 팁의 두께보다 클 수 있다.
상기 제1 측벽을 정의하는 부분 및 상기 제2 측벽을 정의하는 부분 각각의 두께는 1 마이크로미터 이하일 수 있다.
상기 그루브는 상기 베이스층에 정의되고, 상기 그루브의 깊이는 1 마이크로미터 이하일 수 있다.
상기 회로층은 복수의 무기 절연층들, 제1 중간 도전층, 상기 복수의 무기 절연층들 위에 배치되며 상기 제1 중간 도전층을 커버하는 제1 유기층, 및 상기 제1 유기층 위에 배치된 제2 중간 도전층을 더 포함하고, 상기 복수의 무기 절연층들은 상기 그루브를 정의하는 상기 베이스층의 측벽보다 더 돌출된 팁부를 정의할 수 있다.
상기 회로층은 복수의 무기 절연층들, 제1 중간 도전층, 상기 복수의 무기 절연층들 위에 배치되며 상기 제1 중간 도전층을 커버하는 제1 유기층, 및 상기 제1 유기층 위에 배치된 제2 중간 도전층을 더 포함하고, 상기 그루브는 상기 제1 유기층에 정의되고, 상기 제2 중간 도전층은 상기 그루브를 정의하는 상기 제1 유기층의 측벽보다 더 돌출된 팁부를 정의할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 발광 소자와 이격된 크랙 댐을 더 포함하고, 상기 크랙 댐은 상기 제1 유기층과 동일한 물질을 포함하는 제1 층, 및 상기 제2 중간 도전층과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제1 층보다 더 돌출된 제2 층을 포함하고, 상기 봉지층은 상기 크랙 댐을 커버하고, 상기 제1 층과 마주하는 부분에는 상기 봉지층에 의해 완전히 에워싸인 공간이 더 정의될 수 있다.
상기 베이스층에는 홀이 정의되고, 상기 크랙 댐은 상기 홀과 상기 발광 소자 사이에 배치될 수 있다.
상기 베이스층에는 상기 발광 소자가 배치된 제1 영역, 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역이 정의되고, 상기 크랙 댐은 상기 제2 영역에 배치될 수 있다.
상기 봉지층은 상기 소자층 위에 배치된 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 위에 배치된 유기 봉지층, 및 상기 유기 봉지층 위에 배치된 제2 무기 봉지층을 포함하고, 상기 복수의 공간들 각각은 상기 제1 무기 봉지층에 의해 둘러싸일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 홀이 정의된 베이스층, 상기 베이스층 위에 배치며, 제1 전극, 중간층, 및 제2 전극을 포함하는 화소, 상기 베이스층 위에 배치되고, 상기 화소와 상기 홀 사이에 배치되며, 제1 측벽, 상기 제1 측벽으로부터 돌출된 제1 팁, 상기 제1 팁 위에 배치된 제2 측벽, 상기 제2 측벽으로부터 돌출된 제2 팁을 포함하는 돌출부, 및 상기 화소 및 상기 돌출부를 커버하는 봉지층을 포함하고, 상기 봉지층에 의해 완전히 에워싸인 공간이 정의되고, 상기 공간은 상기 돌출부의 상기 제1 측벽 및 상기 제2 측벽 중 적어도 어느 하나와 마주할 수 있다.
상기 공간은 상기 제1 측벽과 마주하는 제1 공간, 및 상기 제2 측벽과 마주하는 제2 공간을 포함할 수 있다.
단면 상에서, 상기 제1 공간의 최대 폭은 상기 제2 공간의 최대 폭보다 클 수 있다.
상기 제1 공간의 상기 최대 폭의 방향의 기울기는 상기 제2 공간의 상기 최대 폭의 방향의 기울기보다 클 수 있다.
상기 돌출부는 순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층, 및 제3 도전층을 포함하는 제1 도전부, 및 순차적으로 적층된 제4 도전층, 제5 도전층, 및 제6 도전층을 포함하는 제2 도전부를 포함하고, 상기 제1 측벽은 상기 제2 도전층의 적어도 일부에 정의되고, 상기 제1 팁은 상기 제3 도전층 및 상기 제4 도전층에 의해 정의되고, 상기 제2 측벽은 상기 제5 도전층에 정의되고, 상기 제2 팁은 상기 제6 도전층에 의해 정의될 수 있다.
상기 돌출부는 복수로 제공되고, 상기 복수의 돌출부들의 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 서로 연결되고, 상기 복수의 돌출부들의 상기 제3 도전층, 상기 제4 도전층, 상기 제5 도전층, 및 상기 제6 도전층 각각은 서로 분리될 수 있다.
상기 제1 도전층, 상기 제3 도전층, 상기 제4 도전층, 및 상기 제6 도전층은 티타늄을 포함하고, 상기 제2 도전층, 및 상기 제5 도전층은 알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전부의 최소폭은 상기 제2 도전부의 최소 폭보다 클 수 있다.
상기 돌출부는 복수로 제공되고, 상기 복수의 돌출부들의 제1 도전부들 사이의 최대 간격은 상기 복수의 돌출부들의 제2 도전부들 사이의 최대 간격보다 작을 수 있다.
상기 제1 팁의 두께는 상기 제2 팁의 두께보다 클 수 있다
상기 돌출부는 상기 제2 팁 위에 배치된 제3 측벽, 상기 제3 측벽으로부터 돌출된 제3 팁을 더 포함할 수 있다.
상기 공간은 상기 제1 측벽과 마주하는 제1 공간, 상기 제2 측벽과 마주하는 제2 공간, 및 상기 제3 측벽과 마주하는 제3 공간을 포함하고, 단면 상에서, 상기 제1 공간의 제1 최대 폭은 상기 제2 공간의 제2 최대 폭보다 크고, 상기 제2 공간의 상기 제2 최대 폭은 상기 제3 공간의 제3 최대 폭보다 클 수 있다.
상기 제1 공간의 상기 제1 최대 폭의 방향, 상기 제2 공간의 상기 제2 최대 폭의 방향, 및 상기 제3 공간의 상기 제3 최대 폭의 방향은 서로 상이할 수 있다.
상기 돌출부의 상기 제1 측벽을 정의하는 부분 및 상기 돌출부의 상기 제2 측벽을 정의하는 부분 각각의 두께는 1 마이크로미터 이하일 수 있다.
상술한 바에 따르면, 제1 무기 봉지층은 돌출부들 및 그루브를 커버할 수 있다. 그르부 내에는 제1 무기 봉지층에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들이 정의될 수 있다. 공간들은 제1 무기 봉지층을 구성하는 물질이 형성되지 않는 공간일 수 있다. 복수의 공간들은 표시 패널의 측벽으로부터 진행되는 크랙의 전파는 복수의 공간들에 의해 차단될 수 있다. 따라서, 표시 장치의 제품 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 7a는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 7b는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 7c는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 8은 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 9a는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 9b는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 7a는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 7b는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 7c는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 8은 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 9a는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 9b는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EDE)의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자 장치(EDE)는 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)이 정의하는 표시면(DS)을 포함할 있다. 전자 장치(EDE)는 표시면(DS)을 통해 이미지(IM)를 사용자에게 제공할 수 있다.
표시면(DS)은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 이미지(IM)를 표시하고, 비표시 영역(NDA)은 이미지(IM)를 표시하지 않을 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시 영역(DA)의 형상과 비표시 영역(NDA)의 형상은 변형될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 비표시 영역(NDA)은 생략될 수도 있다.
이하, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면과 실질적으로 수직하게 교차하는 방향은 제3 방향(DR3)으로 정의된다. 또한, 본 명세서에서 "평면 상에서"는 제3 방향(DR3)에서 바라본 상태로 정의될 수 있다.
전자 장치(EDE)의 표시 영역(DA) 내에는 센서 영역(ED-SA)이 정의될 수 있다. 도 1에는 하나의 센서 영역(ED-SA)이 예시적으로 도시되었으나, 센서 영역(ED-SA)의 개수가 이에 제한되는 것은 아니다. 센서 영역(ED-SA)은 표시 영역(DA)에 의해 둘러싸일 수 있다. 따라서, 전자 장치(EDE)는 센서 영역(ED-SA)을 통해 영상을 표시하지 않는다.
센서 영역(ED-SA)과 중첩하는 영역에는 전자 모듈이 배치될 수 있다. 전자 모듈은 센서 영역(ED-SA)을 통해 전달되는 외부 입력을 수신하거나, 센서 영역(ED-SA)을 통해 출력을 제공할 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈은 카메라 모듈, 근접 센서와 같이 거리를 측정하는 센서, 사용자의 신체의 일부(예, 지문, 홍채, 또는 얼굴)을 인식하는 센서, 또는 광을 출력하는 소형 램프일 수 있으며, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 이하에서는, 센서 영역(ED-SA)과 중첩하는 전자 모듈이 카메라 모듈인 것을 예로 들어 설명한다.
도 1에서는 바 타입의 전자 장치(EDE)를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명의 적용이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 본 발명은 플렉서블 전자 장치, 예를 들어, 폴더블 전자 장치, 롤러블 전자 장치, 슬라이더블 전자 장치에도 적용될 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EDE)의 분해 사시도이다. 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EDE)의 블록도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 전자 장치(EDE)는 표시 장치(DD), 전자 모듈(EM), 전원공급 모듈(PM) 및 하우징(EDC)을 포함할 수 있다.
표시 장치(DD)는 윈도우 모듈(WM) 및 표시 모듈(DM)을 포함한다. 윈도우 모듈(WM)은 전자 장치(EDE)의 전면을 제공한다. 표시 모듈(DM)은 적어도 표시 패널(DP)을 포함할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 이미지를 생성하고 외부 입력을 감지한다.
도 2a에서 표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP)과 동일한 것으로 도시하였으나, 실질적으로 표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP)을 포함한 복수의 구성이 적층된 적층 구조물일 수 있다.
표시 패널(DP)은 전자 장치(EDE)의 표시 영역(DA, 도 1 참조) 및 비표시 영역(NDA, 도 1 참조)에 각각 대응하는 표시 영역(DP-DA) 및 비표시 영역(DP-NDA)을 포함한다. 본 명세서에서 "영역/부분과 영역/부분이 대응한다"는 것은 중첩한다는 것을 의미하며, 동일한 면적으로 제한되지 않는다.
표시 패널(DP)에는 홀(DP-H)이 정의될 수 있다. 예를 들어, 홀(DP-H)은 표시 패널(DP)의 일부분이 제거되어 정의될 수 있다. 표시 패널(DP)의 표시 영역(DP-DA)은 홀(DP-H)을 둘러쌀 수 있다.
홀(DP-H)은 전자 장치(EDE)의 센서 영역(ED-SA, 도 1 참조)과 중첩 또는 대응될 수 있다. 본 실시예에서, 홀(DP-H)이 원 형상으로 도시되었으나, 다각형, 타원, 적어도 하나의 곡선 변을 가진 도형, 또는 비정형의 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
표시 패널(DP)은 표시층(100) 및 센서층(200)을 포함할 수 있다.
표시층(100)은 실질적으로 영상을 생성하는 구성일 수 있다. 표시층(100)은 발광형 표시층일 수 있으며, 예를 들어, 표시층(100)은 유기발광 표시층, 무기발광 표시층, 유기-무기발광 표시층, 퀀텀닷 표시층, 마이크로 엘이디 표시층, 또는 나노 엘이디 표시층일 수 있다.
센서층(200)은 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다.
표시 모듈(DM)은 비표시 영역(DP-NDA) 상에 배치된 구동칩(DIC)을 포함할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 비표시 영역(DP-NDA)에 결합된 연성회로필름(FCB)을 더 포함할 수 있다.
구동칩(DIC)은 표시 패널(DP)의 화소를 구동하기 위한 구동 소자들 예를 들어, 데이터 구동회로를 포함할 수 있다. 도 2a에서는 구동칩(DIC)이 표시 패널(DP) 상에 실장된 구조를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 구동칩(DIC)은 연성회로필름(FCB) 상에 실장될 수도 있다.
전원공급 모듈(PM)은 전자 장치(EDE)의 전반적인 동작에 필요한 전원을 공급한다. 전원공급 모듈(PM)은 통상적인 배터리 모듈을 포함할 수 있다.
전자 모듈(EM)은 전자 장치(EDE)를 동작시키기 위한 다양한 기능성 모듈을 포함한다. 전자 모듈(EM)은 표시 패널(DP)과 전기적으로 연결된 마더보드에 직접 실장되거나 별도의 기판에 실장되어 커넥터(미 도시) 등을 통해 마더보드에 전기적으로 연결될 수 있다.
전자 모듈(EM)은 제어 모듈(CM), 무선통신 모듈(TM), 영상입력 모듈(IIM), 음향입력 모듈(AIM), 메모리(MM), 외부 인터페이스(IF), 음향출력 모듈(AOM), 발광 모듈(LTM), 수광 모듈(LRM), 및 카메라 모듈(CMM) 등을 포함할 수 있다.
제어 모듈(CM)은 전자 장치(EDE)의 전반적인 동작을 제어한다. 제어 모듈(CM)은 마이크로프로세서일 수 있다. 예를 들어, 제어 모듈(CM)은 표시 패널(DP)을 활성화 시키거나, 비활성화 시킨다. 제어 모듈(CM)은 표시 패널(DP)로부터 수신된 터치 신호에 근거하여 영상입력 모듈(IIM)이나 음향입력 모듈(AIM) 등의 다른 모듈들을 제어할 수 있다.
무선통신 모듈(TM)은 제1 네트워크(예를 들어, 블루투스, WiFi direct 또는 IrDA(infrared data association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크 (예를 들어, 셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부 전자 장치와 통신할 수 있다. 무선통신 모듈(TM)에 포함된 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예를 들어, 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 분리된 복수의 구성 요소들(예를 들어, 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선통신 모듈(TM)은 일반 통신회선을 이용하여 음성신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(TM)은 송신할 신호를 변조하여 송신하는 송신부(TM1)와, 수신되는 신호를 복조하는 수신부(TM2)를 포함할 수 있다.
영상입력 모듈(IIM)은 영상 신호를 처리하여 표시 패널(DP)에 표시 가능한 영상 데이터로 변환한다. 음향입력 모듈(AIM)은 녹음 모드, 음성인식 모드 등에서 마이크로폰(Microphone)에 의해 외부의 음향 신호를 입력 받아 전기적인 음성 데이터로 변환한다.
외부 인터페이스(IF)는 전자 장치(EDE)와 외부 전자 장치를 물리적으로 연결시킬 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 외부 인터페이스(IF)는 외부 충전기, 유/무선 데이터 포트, 카드(예를 들어, 메모리 카드, SIM/UIM 카드) 소켓 등에 연결되는 인터페이스 역할을 한다.
음향출력 모듈(AOM)은 무선통신 모듈(TM)로부터 수신된 음향 데이터 또는 메모리(MM)에 저장된 음향 데이터를 변환하여 외부로 출력한다.
발광 모듈(LTM)은 광을 생성하여 출력한다. 발광 모듈(LTM)은 적외선을 출력할 수 있다. 발광 모듈(LTM)은 LED 소자를 포함할 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 적외선을 감지할 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 소정 레벨 이상의 적외선이 감지된 때 활성화될 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 CMOS 센서를 포함할 수 있다. 발광 모듈(LTM)에서 생성된 적외광이 출력된 후, 외부 물체(예컨대 사용자 손가락 또는 얼굴)에 의해 반사되고, 반사된 적외광이 수광 모듈(LRM)에 입사될 수 있다.
카메라 모듈(CMM)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 카메라 모듈(CMM)은 복수로 제공될 수 있다. 그 중 일부 카메라 모듈(CMM)은 홀(DP-H)과 중첩할 수 있다. 외부 입력(예를 들어, 광)은 홀(DP-H)을 통해 카메라 모듈(CMM)로 제공될 수 있다. 예를 들어, 카메라 모듈(CMM)은 홀(DP-H)을 통해 자연 광을 수신하여 외부 이미지를 촬영할 수 있다.
하우징(EDC)은 표시 모듈(DM), 전자 모듈(EM), 및 전원공급 모듈(PM)을 수용한다. 하우징(EDC)은 표시 모듈(DM), 전자 모듈(EM), 및 전원공급 모듈(PM) 등 하우징(EDC)에 수용된 구성들을 보호한다. 하우징(EDC)은 윈도우 모듈(WM)과 결합될 수 있다.
도 3 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 평면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(DP)은 베이스층(110), 화소(PX), 주사 구동부(SDV), 데이터 구동부, 및 발광 구동부(EDV)를 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)에는 표시 영역(DP-DA) 및 표시 영역(DP-DA) 주변의 비표시 영역(DP-NDA)이 정의될 수 있다. 표시 영역(DP-DA)과 비표시 영역(DP-NDA)은 화소(PX)의 배치 유무에 의해 구분될 수 있다. 표시 영역(DP-DA)에 화소(PX)가 배치된다. 비표시 영역(DP-NDA)에 주사 구동부(SDV), 데이터 구동부, 및 발광 구동부(EDV)가 배치될 수 있다. 데이터 구동부는 구동칩(DIC)에 구성된 일부 회로일 수 있다.
베이스층(110)에는 제1 영역(110A1) 및 제2 영역(110A2)이 정의될 수 있다. 베이스층(110)의 제1 영역(110A1)은 표시 영역(DP-DA)과 중첩하고, 베이스층(110)의 제2 영역(110A2)은 비표시 영역(DP-NDA)과 중첩할 수 있다. 즉, 베이스층(110)의 제1 영역(110A1)은 표시 영역(DA)에 배치된 구성 요소들이 제공되는 베이스면이고, 베이스층(110)의 제2 영역(110A2)은 비표시 영역(DP-NDA)에 배치된 구성 요소들이 제공되는 베이스 면일 수 있다.
표시 패널(DP)은 제1 방향(DR1)을 따라 정의된 제1 패널 영역(AA1), 벤딩 영역(BA), 및 제2 패널 영역(AA2)을 포함할 수 있다. 제2 패널 영역(AA2) 및 벤딩 영역(BA)은 비표시 영역(DP-NDA)의 일부 영역일 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 제1 패널 영역(AA1)과 제2 패널 영역(AA2) 사이에 배치된다.
제1 패널 영역(AA1)은 도 1의 표시면(DS)에 대응하는 영역이다. 제2 방향(DR2)과 나란한 벤딩 영역(BA)의 폭 및 제2 패널 영역(AA2)의 폭(또는 길이)은 제2 방향(DR2)과 나란한 제1 패널 영역(AA1)의 폭(또는 길이)보다 작을 수 있다. 벤딩축 방향의 길이가 짧은 영역은 좀 더 쉽게 벤딩될 수 있다.
표시 패널(DP)은 화소들(PX), 초기화 스캔 라인들(GIL1-GILm), 보상 스캔 라인들(GCL1-GCLm), 기입 스캔 라인들(GWL1-GWLm), 블랙 스캔 라인들(GBL1-GBLm), 발광 제어 라인들(ECL1-ECLm), 데이터 라인들(DL1-DLn), 제1 및 제2 제어 라인들(CSL1, CSL2), 구동 전압 라인(PL), 및 복수의 패드들(PD)을 포함할 수 있다. 여기서, m 및 n은 2 이상의 자연수이다.
화소들(PX)은 초기화 스캔 라인들(GIL1-GILm), 보상 스캔 라인들(GCL1-GCLm), 기입 스캔 라인들(GWL1-GWLm), 블랙 스캔 라인들(GBL1-GBLm), 발광 제어 라인들(ECL1-ECLm), 및 데이터 라인들(DL1-DLn)에 연결될 수 있다.
초기화 스캔 라인들(GIL1-GILm), 보상 스캔 라인들(GCL1-GCLm), 기입 스캔 라인들(GWL1-GWLm), 및 블랙 스캔 라인들(GBL1-GBLm)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 주사 구동부(SDV)에 전기적으로 연결될 수 있다. 데이터 라인들(DL1-DLn)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 벤딩 영역(BA)을 경유하여 구동칩(DIC)에 전기적으로 연결될 수 있다. 발광 제어 라인들(ECL1-ECLm)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 발광 구동부(EDV)에 전기적으로 연결될 수 있다.
구동 전압 라인(PL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분과 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함할 수 있다. 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분과 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분은 서로 다른 층 상에 배치될 수 있다. 구동 전압 라인(PL) 중 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분은 벤딩 영역(BA)을 경유하여 제2 패널 영역(AA2)으로 연장될 수 있다. 구동 전압 라인(PL)은 구동 전압을 화소들(PX)에 제공할 수 있다.
제1 제어 라인(CSL1)은 주사 구동부(SDV)에 연결되고, 벤딩 영역(BA)을 경유하여 제2 패널 영역(AA2)의 하단을 향해 연장될 수 있다. 제2 제어 라인(CSL2)은 발광 구동부(EDV)에 연결되고, 벤딩 영역(BA)을 경유하여 제2 패널 영역(AA2)의 하단을 향해 연장될 수 있다.
평면 상에서 봤을 때, 패드들(PD)은 제2 패널 영역(AA2)의 하단에 인접하게 배치될 수 있다. 구동칩(DIC), 구동 전압 라인(PL), 제1 제어 라인(CSL1), 및 제2 제어 라인(CSL2)은 패드들(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다. 연성회로필름(FCB)은 이방성 도전 접착층을 통해 패드들(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PXij)의 등가회로도이다.
도 4에는 복수의 화소들(PX, 도 3 참조) 중 하나의 화소(PXij)의 등가 회로도가 예시적으로 도시된다. 복수의 화소들(PX) 각각은 동일한 회로 구조를 가지므로, 화소(PXij)에 대한 회로 구조의 설명으로 나머지 화소들(PX)에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 화소(PXij)는 데이터 라인들(DL1-DLn) 중 i번째 데이터 라인(DLi), 초기화 스캔 라인들(GIL1-GILm) 중 j번째 초기화 스캔 라인(GILj), 보상 스캔 라인들(GCL1-GCLm) 중 j번째 보상 스캔 라인(GCLj), 기입 스캔 라인들(GWL1-GWLm) 중 j번째 기입 스캔 라인(GWLj), 블랙 스캔 라인들(GBL1-GBLm) 중 j번째 블랙 스캔 라인(GBLj), 발광 제어 라인들(ECL1-ECLm) 중 j번째 발광 제어 라인(ECLj), 제1 및 제2 구동 전압 라인들(VL1, VL2), 및 제1 및 제2 초기화 전압 라인들(VL3, VL4)에 접속된다. i는 1 이상, n 이하의 정수, j는 1 이상, m 이하의 정수이다.
화소(PXij)는 발광 소자(ED) 및 화소 회로(PDC)를 포함한다. 발광 소자(ED)는 발광 다이오드일 수 있다. 본 발명의 일 예로, 발광 소자(ED)는 유기 발광층을 포함하는 유기발광 다이오드일 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 화소 회로(PDC)는 데이터 신호(Di)에 대응하여 발광 소자(ED)에 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. 발광 소자(ED)는 화소 회로(PDC)로부터 제공되는 전류량에 대응하여 소정의 휘도로 발광할 수 있다.
화소 회로(PDC)는 제1 내지 제7 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7), 및 제1 내지 제3 커패시터들(Cst, Cbst, Nbst)을 포함할 수 있다. 본 발명에 따라 화소 회로(PDC)의 구성은 도 4에 도시된 실시예에 제한되지 않는다. 도 4에 도시된 화소 회로(PDC)는 하나의 예시에 불과하고, 화소 회로(PDC)의 구성은 변형되어 실시될 수 있다.
제1 내지 제7 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7) 중 적어도 하나는 저온 폴리 실리콘(low-temperature polycrystalline silicon, LTPS) 반도체층을 갖는 트랜지스터일 수 있다. 제1 내지 제7 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7) 중 적어도 하나는 산화물 반도체층을 갖는 트랜지스터일 수 있다. 예를 들어, 제3 및 제4 트랜지스터들(T3, T4)은 산화물 반도체 트랜지스터이고, 제1, 제2, 제5, 제6, 제7 트랜지스터들(T1, T2, T5, T6, T7)은 LTPS 트랜지스터일 수 있다.
구체적으로, 발광 소자(ED)의 밝기에 직접적으로 영향을 미치는 제1 트랜지스터(T1)의 경우 높은 신뢰성을 갖는 다결정 실리콘으로 구성된 반도체층을 포함하도록 구성하며, 이를 통해 고해상도의 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 한편, 산화물 반도체는 높은 캐리어 이동도(high carrier mobility) 및 낮은 누설전류를 가지므로, 구동 시간이 길더라도 전압 강하가 크지 않다. 즉, 저주파 구동 시에도 전압 강하에 따른 화상의 색상 변화가 크지 않으므로, 저주파 구동이 가능하다. 이와 같이 산화물 반도체의 경우 누설전류가 적은 이점을 갖기에, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 연결되는 제3 트랜지스터(T3), 및 제4 트랜지스터(T4) 중 적어도 하나를 산화물 반도체로 채용하여 게이트 전극으로 흘러갈 수 있는 누설전류를 방지하는 동시에 소비전력을 줄일 수 있다.
제1 내지 제7 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7) 중 일부는 P-타입 트랜지스터일 수 있고, 나머지 일부는 N-타입 트랜지스터일 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2, 제5, 제6, 제7 트랜지스터들(T1, T2, T5, T6, T7)은 P-타입 트랜지스터이고, 제3 및 제4 트랜지스터들(T3, T4)은 N-타입 트랜지스터일 수 있다.
본 발명에 따른 화소 회로(PDC)의 구성은 도 4에 도시된 실시예에 제한되지 않는다. 도 4에 도시된 화소 회로(PDC)는 하나의 예시에 불과하고 화소 회로(PDC)의 구성은 변형되어 실시될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제7 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7) 모두가 P-타입 트랜지스터이거나 N-타입 트랜지스터일 수 있다. 또는, 제1, 제2, 제5, 제6 트랜지스터들(T1, T2, T5, T6)은 P-타입 트랜지스터이고, 제3, 제4, 및 제7 트랜지스터들(T3, T4, T7)은 N-타입 트랜지스터일 수도 있다.
j번째 초기화 스캔 라인(GILj), j번째 보상 스캔 라인(GCLj), j번째 기입 스캔 라인(GWLj), j번째 블랙 스캔 라인(GBLj) 및 j번째 발광 제어 라인(ECLj)은 각각 j번째 초기화 스캔 신호(GIj), j번째 보상 스캔 신호(GCj), j번째 기입 스캔 신호(GWj), j번째 블랙 스캔 신호(GBj) 및 j번째 발광 제어 신호(EMj)를 화소(PXij)로 전달할 수 있다. i번째 데이터 라인(DLi)은 i번째 데이터 신호(Di)를 화소(PXij)로 전달한다. i번째 데이터 신호(Di)는 표시 장치(DD, 도 2a 참조)에 입력되는 영상 신호에 대응하는 전압 레벨을 가질 수 있다.
제1 및 제2 구동 전압 라인들(VL1, VL2)은 제1 구동 전압(ELVDD) 및 제2 구동 전압(ELVSS)을 화소(PXij)로 각각 전달할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 초기화 전압 라인들(VL3, VL4)은 제1 초기화 전압(VINT) 및 제2 초기화 전압(VAINT)을 화소(PXij)로 각각 전달할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 구동 전압(ELVDD)을 수신하는 제1 구동 전압 라인(VL1)과 발광 소자(ED) 사이에 접속된다. 제1 트랜지스터(T1)는 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 구동 전압 라인(VL1)과 연결된 제1 전극, 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(ED)의 화소 전극(또는, 애노드로 지칭)과 연결된 제2 전극, 제1 커패시터(Cst)의 일단(예를 들어, 제1 노드(N1))과 연결된 제3 전극(예를 들어, 게이트 전극)을 포함한다. 제1 트랜지스터(T1)는 제2 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 i번째 데이터 라인(DLi)이 전달하는 i번째 데이터 신호(Di)를 전달받아 발광 소자(ED)에 구동 전류를 공급할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 데이터 라인(DLi)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속된다. 제2 트랜지스터(T2)는 데이터 라인(DLi)과 연결된 제1 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 연결된 제2 전극, 및 j번째 기입 스캔 라인(GWLj)과 연결된 제3 전극(예를 들어, 게이트 전극)을 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 j번째 기입 스캔 라인(GWLj)을 통해 전달받은 기입 스캔 신호(GWj)에 따라 턴 온되어 i번째 데이터 라인(DLi)으로부터 전달된 i번째 데이터 신호(Di)를 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극으로 전달할 수 있다. 제2 커패시터(Cbst)의 일단은 제2 트랜지스터(T2)의 제3 전극에 연결되고, 제2 커패시터(Cbst)의 타단은 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제1 노드(N1) 사이에 접속된다. 제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 제3 전극과 연결된 제1 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 연결된 제2 전극, 및 j번째 보상 스캔 라인(GCLj)과 연결된 제3 전극(예를 들어, 게이트 전극)을 포함한다. 제3 트랜지스터(T3)는 j번째 보상 스캔 라인(GCLj)을 통해 전달받은 j번째 보상 스캔 신호(GCj)에 따라 턴 온되어 제1 트랜지스터(T1)의 제3 전극과 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극을 서로 연결하여 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킬 수 있다. 제3 커패시터(Nbst)의 일단은 제3 트랜지스터(T3)의 제3 전극에 연결되고, 제3 커패시터(Nbst)의 타단은 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제1 초기화 전압(VINT)이 인가되는 제1 초기화 전압 라인(VL3)과 제1 노드(N1) 사이에 접속된다. 제4 트랜지스터(T4)는 제1 초기화 전압(VINT)이 전달되는 제1 초기화 전압 라인(VL3)과 연결된 제1 전극, 제1 노드(N1)와 연결된 제2 전극, 및 j번째 초기화 스캔 라인(GILj)과 연결된 제3 전극(예를 들어, 게이트 전극)을 포함한다. 제4 트랜지스터(T4)는 j번째 초기화 스캔 라인(GILj)을 통해 전달받은 j번째 초기화 스캔 신호(GIj)에 따라 턴 온된다. 턴 온된 제4 트랜지스터(T4)는 제1 초기화 전압(VINT)을 제1 노드(N1)에 전달하여 제1 트랜지스터(T1)의 제3 전극의 전위(즉, 제1 노드(N1)의 전위)를 초기화시킨다.
제5 트랜지스터(T5)는 제1 구동 전압 라인(VL1)과 연결된 제1 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 연결된 제2 전극 및 j번째 발광 제어 라인(ECLj)에 연결된 제3 전극(예를 들어, 게이트 전극)을 포함한다. 제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 연결된 제1 전극, 발광 소자(ED)의 화소 전극에 연결된 제2 전극 및 j번째 발광 제어 라인(ECLj)에 연결된 제3 전극(예를 들어, 게이트 전극)을 포함한다.
제5 및 제6 트랜지스터들(T5, T6)은 j번째 발광 제어 라인(ECLj)을 통해 전달받은 j번째 발광 제어 신호(EMj)에 따라 동시에 턴 온된다. 턴-온된 제5 트랜지스터(T5)를 통해 인가된 제1 구동 전압(ELVDD)은 다이오드 연결된 제1 트랜지스터(T1)를 통해 보상된 후, 제6 트랜지스터(T6)를 통해 발광 소자(ED)에 전달될 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 제2 초기화 전압(VAINT)이 전달되는 제2 초기화 전압 라인(VL4)에 연결된 제1 전극, 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극과 연결된 제2 전극 및 블랙 스캔 라인(GBLj)과 연결된 제3 전극(예를 들어, 게이트 전극)을 포함한다. 제2 초기화 전압(VAINT)은 제1 초기화 전압(VINT)보다 낮거나 같은 전압 레벨을 가질 수 있다.
제1 커패시터(Cst)의 일단은 제1 트랜지스터(T1)의 제3 전극과 연결되어 있고, 제1 커패시터(Cst)의 타단은 제1 구동 전압 라인(VL1)과 연결되어 있다. 발광 소자(ED)의 캐소드는 제2 구동 전압(ELVSS)을 전달하는 제2 구동 전압 라인(VL2)과 연결될 수 있다. 제2 구동 전압(ELVSS)은 제1 구동 전압(ELVDD)보다 낮은 전압 레벨을 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 단면도이다. 예를 들어, 도 5는 도 3의 I-I'을 따라 절단한 단면도일 수 있다.
도 5를 참조하면, 표시 패널(DP)은 표시층(100), 센서층(200), 및 반사 방지층(300)을 포함할 수 있다. 표시층(100)은 베이스층(110), 배리어층(120), 회로층(130), 소자층(140), 및 봉지층(150)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 제1 내지 제3 서브 베이스층들(111, 112, 113)을 포함할 수 있다. 제1 서브 베이스층(111) 및 제3 서브 베이스층(113) 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지, 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "~~" 계 수지는 "~~" 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다. 예를 들어, 제1 서브 베이스층(111) 및 제3 서브 베이스층(113) 각각은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제2 서브 베이스층(112)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 서브 베이스층(112)은 무기물을 포함할 수 있으며, 실리콘 옥사이드(silicon oxide), 실리콘 나이트라이드(silicon nitride), 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride), 및 비정질 실리콘(amorphous silicon) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 서브 베이스층(112)은 실리콘 옥시나이트라이드 및 그 위에 적층된 실리콘 옥사이드를 포함할 수 있다.
배리어층(120)은 베이스층(110) 위에 배치될 수 있다. 배리어층(120)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 배리어층(120)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 및 비정질 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
배리어층(120)은 제1 하부 차광층(BML1)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 배리어층(120)이 다층 구조를 가지는 경우, 제1 하부 차광층(BML1)은 배리어층(120)을 구성하는 층들 사이에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 하부 차광층(BML1)은 베이스층(110)과 배리어층(120) 사이에 배치되거나, 배리어층(120) 위에 배치될 수도 있다. 일 실시예에서, 제1 하부 차광층(BML1)은 생략될 수도 있다. 제1 하부 차광층(BML1)은 제1 하부층, 제1 하부 금속층, 제1 하부 전극층, 제1 하부 차폐층, 제1 차광층, 제1 금속층, 제1 차폐층, 또는 제1 오버랩층으로 지칭될 수 있다.
버퍼층(BFL)은 배리어층(120) 위에 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL)은 베이스층(110) 으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 제1 반도체 패턴으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(BFL)은 제1 반도체 패턴을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 제공 속도를 조절하여, 제1 반도체 패턴이 균일하게 형성되도록 할 수 있다.
버퍼층(BFL)은 복수의 무기층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BFL)은 실리콘 나이트라이드를 포함하는 제1 서브 버퍼층, 및 상기 제1 서브 버퍼층 위에 배치되고 실리콘 옥사이드를 포함하는 제2 서브 버퍼층을 포함할 수 있다.
회로층(130)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있고, 소자층(140)은 회로층(130) 위에 배치될 수 있다. 화소(PX)는 화소 회로(PDC) 및 화소 회로(PDC)에 전기적으로 연결된 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다. 화소 회로(PDC)는 회로층(130)에 포함되고, 발광 소자(ED)는 소자층(140)에 포함될 수 있다.
도 5에는 화소 회로(PDC)의 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT) 및 산화물 박막트랜지스터(O-TFT)가 예시적으로 도시되었다. 실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)는 도 4에서 설명된 제1, 제2, 제5, 제6, 및 제7 트랜지스터들(T1, T2, T5, T6, T7) 중 하나일 수 있고, 산화물 박막트랜지스터(O-TFT)는 제3, 및 제4 트랜지스터들(T3, T4) 중 하나일 수 있다.
제1 반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 반도체 패턴은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체 패턴은 저온 폴리 실리콘을 포함할 수 있다.
도 5는 버퍼층(BFL) 위에 배치된 제1 반도체 패턴의 일부분을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 제1 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 제1 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 제1 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 제1 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비-도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역의 전도성보다 크고, 제1 영역은 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)의 소스 영역(SE1), 액티브 영역(AC1), 및 드레인 영역(DE1)은 제1 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SE1) 및 드레인 영역(DE1)은 단면 상에서 액티브 영역(AC1)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다.
도 5에는 제1 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 라인(CSL)의 일부분을 도시하였다. 연결 신호 라인(CSL)은 평면 상에서 제6 트랜지스터(T6, 도 4 참조)의 제2 전극에 연결될 수 있다.
회로층(130)은 복수의 무기층들 및 복수의 유기층들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 버퍼층(BFL) 상에 순차적으로 적층된 제1 내지 제5 절연층들(10, 20, 30, 40, 50)은 무기층들일 수 있고, 제6 내지 제8 절연층들(60, 70, 80)은 유기층들일 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 제1 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄 옥사이드(Aluminium Oxide), 티타늄 옥사이드(Titanium Oxide), 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 지르코늄 옥사이드(Zirconium Oxide), 및 하프늄 옥사이드(Hafnium Oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(130)의 절연층은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
실리콘 박막트랜지스터(S-TFT)의 게이트 전극(GT1)은 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 게이트 전극(GT1)은 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트 전극(GT1)은 액티브 영역(AC1)에 중첩한다. 제1 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트 전극(GT1)은 마스크로 기능할 수 있다. 게이트 전극(GT1)은 티타늄(Ti), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데넘(Mo), 몰리브데넘을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 인듐 주석 산화물(ITO), 또는 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트 전극(GT1)을 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 및 실리콘 옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 절연층(20)은 실리콘 나이트라이드층을 포함하는 단층 구조를 가질 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있다. 제3 절연층(30)은 무기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(30)은 실리콘 옥사이드층 및 실리콘 나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)과 제3 절연층(30) 사이에는 제1 커패시터(Cst, 도 4 참조)의 하나의 전극(Csta)이 배치될 수 있다. 또한, 제1 커패시터(Cst)의 다른 하나의 전극은 제1 절연층(10)과 제2 절연층(20) 사이에 배치될 수 있다.
제2 반도체 패턴은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제2 반도체 패턴은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 산화물 반도체는 금속 산화물이 환원되었는지의 여부에 따라 구분되는 복수의 영역들을 포함할 수 있다. 금속 산화물이 환원된 영역(이하, 환원 영역)은 그렇지 않은 영역(이하, 비환원 영역) 대비 큰 전도성을 갖는다. 환원 영역은 실질적으로 트랜지스터의 소스/드레인 또는 신호라인의 역할을 갖는다. 비환원 영역이 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 반도체 영역, 채널)에 해당한다. 다시 말해, 제2 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일 수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스/드레인 영역일 수 있으며, 또 다른 일부분은 신호 전달 영역일 수 있다.
산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 소스 영역(SE2), 액티브 영역(AC2), 및 드레인 영역(DE2)은 제2 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SE2) 및 드레인 영역(DE2)은 단면 상에서 액티브 영역(AC2)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 제2 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제4 절연층(40)은 무기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제4 절연층(40)은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 지르코늄 옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제4 절연층(40)은 실리콘 옥사이드를 포함하는 단층 구조를 가질 수 있다.
산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 게이트 전극(GT2)은 제4 절연층(40) 위에 배치된다. 게이트 전극(GT2)은 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트 전극(GT2)은 액티브 영역(AC2)에 중첩한다. 제2 반도체 패턴을 환원하는 공정에서 게이트 전극(GT2)은 마스크로 기능할 수 있다.
산화물 박막트랜지스터(O-TFT)의 하부에는 제2 하부 차광층(BML2)이 배치될 수 있다. 제2 하부 차광층(BML2)은 제2 절연층(20)과 제3 절연층(30) 사이에 배치될 수 있다. 제2 하부 차광층(BML2)은 제1 커패시터(Cst, 도 4 참조)의 하나의 전극(Csta)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.
제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치되며, 게이트 전극(GT2)을 커버할 수 있다. 제5 절연층(50)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제5 절연층(50)은 실리콘 옥사이드층 및 실리콘 나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 연결 전극(CNE10)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE10)은 제1 내지 제5 절연층들(10, 20, 30, 40, 50)을 관통하는 제1 컨택홀(CH1)을 통해 연결 신호 라인(CSL)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE20)은 제6 절연층(60) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE20)은 제6 절연층(60)을 관통하는 제2 컨택홀(CH2)을 통해 제1 연결 전극(CNE10)에 접속될 수 있다.
제7 절연층(70)은 제6 절연층(60) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE20)을 커버할 수 있다.
제3 연결 전극(CNE30)은 제7 절연층(70) 위에 배치될 수 있다. 제3 연결 전극(CNE30)은 제7 절연층(70)을 관통하는 제3 컨택홀(CH3)을 통해 제2 연결 전극(CNE20)에 접속될 수 있다. 제8 절연층(80)은 제7 절연층(70) 위에 배치되며, 제3 연결 전극(CNE30)을 커버할 수 있다.
제6 절연층(60), 제7 절연층(70), 및 제8 절연층(80)은 유기층일 수 있다. 예를 들어, 제6 절연층(60), 제7 절연층(70), 및 제8 절연층(80) 각각은 벤조시클로부텐(Benzocyclobutene, BCB), 폴리이미드(polyimide), 헥사메틸디실록산(Hexamethyldisiloxane, HMDSO), 폴리메틸메타아크릴레이트(Polymethylmethacrylate, PMMA)나, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 또는 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 전극(AE), 제1 기능층(HFL), 발광층(EL), 제2 기능층(EFL), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다. 제1 기능층(HFL), 제2 기능층(EFL), 및 제2 전극(CE)은 화소들(PX, 도 3 참조)에 공통으로 제공될 수 있다. 제1 기능층(HFL), 발광층(EL), 및 제2 기능층(EFL)은 중간층(CEL)으로 지칭될 수 있다. 제1 전극(AE)은 화소 전극 또는 애노드로 지칭될 수 있고, 제2 전극(CE)은 공통 전극 또는 캐소드로 지칭될 수 있다.
제1 전극(AE)은 제8 절연층(80) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제8 절연층(80)을 관통하는 제4 컨택홀(CH4)을 통해 화소 회로(PDC)에 전기적으로 연결된 제3 연결 전극(CNE30)에 접속될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제3 연결 전극(CNE30)은 생략될 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(AE)은 제7 및 제8 절연층들(70, 80)을 관통하여, 제2 연결 전극(CNE20)에 접속될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서, 제3 연결 전극(CNE30) 및 제8 절연층(80)은 생략될 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(AE)은 제7 절연층(70) 위에 배치되며, 제7 절연층(70)을 관통하여, 제2 연결 전극(CNE20)에 접속될 수도 있다.
제1 전극(AE)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일 실시예로, 제1 전극(AE)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사층과, 반사층 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물, 및 알루미늄 도핑된 아연 산화물을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1 전극(AE)은 인듐 주석 산화물, 은, 인듐 주석 산화물이 순차적으로 적층된 다층 구조를 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제8 절연층(80) 위에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 광을 흡수하는 성질을 가질 수 있으며, 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 블랙의 색상을 가질 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL)에는 제1 전극(AE)의 일부분을 노출시키는 개구(PDLop)가 정의될 수 있다. 즉, 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(AE)의 가장자리를 커버할 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 의해 발광 영역(PXA)이 정의될 수 있다.
스페이서(HSPC)는 화소 정의막(PDL) 위에 배치될 수 있다. 돌출 스페이서(SPC)는 스페이서(HSPC) 위에 배치될 수 있다. 스페이서(HSPC)와 돌출 스페이서(SPC)는 일체의 형상을 가질 수 있으며, 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 스페이서(HSPC)와 돌출 스페이서(SPC)는 하프톤 마스크에 의해 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 다만, 이는 일 예일뿐 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 스페이서(HSPC)와 돌출 스페이서(SPC)는 서로 다른 물질을 포함할 수도 있고, 별개의 공정에 의해 형성될 수도 있다.
제1 기능층(HFL)은 제1 전극(AE), 화소 정의막(PDL), 스페이서(HSPC), 및 돌출 스페이서(SPC) 위에 배치될 수 있다. 제1 기능층(HFL)은 정공 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함하거나, 정공 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함하거나, 정공 수송층 및 정공 주입층을 모두 포함할 수 있다. 제1 기능층(HFL)은 표시 영역(DP-DA, 도 3 참조) 전체에 배치될 수 있다.
발광층(EL)은 제1 기능층(HFL) 위에 배치되며, 화소 정의막(PDL)의 개구(PDLop)와 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 소정의 색상의 광을 방출하는 유기물, 무기물, 또는 유-무기물을 포함할 수 있다.
제2 기능층(EFL)은 제1 기능층(HFL) 위에 배치되며, 발광층(EL)을 커버할 수 있다. 제2 기능층(EFL)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer)을 포함하거나, 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함하거나, 전자 수송층 및 전자 주입층을 모두 포함할 수 있다. 제2 기능층(EFL)은 표시 영역(DP-DA, 도 3 참조) 전체에 배치될 수 있다.
제2 전극(CE)은 제2 기능층(EFL) 위에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 표시 영역(DP-DA, 도 3 참조)에 배치될 수 있다.
소자층(140)은 제2 전극(CE) 위에 배치된 캡핑층(CPL)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 보강 간섭의 원리에 의하여 발광 효율을 향상시키는 역할을 할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 예를 들어 589nm의 파장을 갖는 광에 대해 1.6 이상의 굴절률을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 유기물을 포함한 유기 캡핑층, 무기물을 포함한 무기 캡핑층, 또는 유기물 및 무기물을 포함한 복합 캡핑층일 수 있다. 예컨대, 캡핑층은 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물, 아민 그룹-함유 화합물, 포르핀 유도체(porphine derivatives), 프탈로시아닌 유도체(phthalocyanine derivatives), 나프탈로시아닌 유도체(naphthalocyanine derivatives), 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물 및 아민 그룹-함유 화합물은 선택적으로, O, N, S, Se, Si, F, Cl, Br, I, 또는 이의 임의의 조합을 포함한 치환기로 치환될 수 있다.
봉지층(150)은 소자층(140) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(150)은 순차적으로 적층된 제1 무기 봉지층(151), 유기 봉지층(152), 및 제2 무기 봉지층(153)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 무기 봉지층들(151, 153)은 수분 및 산소로부터 소자층(140)을 보호하고, 유기 봉지층(152)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 소자층(140)을 보호할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 캡핑층(CPL)과 봉지층(150) 사이에 저굴절층이 더 배치될 수도 있다. 저굴절층은 플루오린화 리튬을 포함할 수 있다. 저굴절층은 열 증착 법에 의해 형성될 수 있다.
센서층(200)은 표시층(100) 위에 배치될 수 있다. 센서층(200)은 센서, 입력 감지층, 또는 입력 감지 패널로 지칭될 수 있다. 센서층(200)은 센서 베이스층(210), 제1 센서 도전층(220), 센서 절연층(230), 제2 센서 도전층(240), 및 센서 커버층(250)을 포함할 수 있다.
센서 베이스층(210)은 표시층(100) 위에 직접 배치될 수 있다. 센서 베이스층(210)은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 및 실리콘 옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 센서 베이스층(210)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 센서 베이스층(210)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 센서 도전층(220) 및 제2 센서 도전층(240) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브데넘, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 산화아연, 또는 인듐 아연 주석 산화물(IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 poly(3,4-ethylenedioxythiophene)(PEDOT)과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
센서 절연층(230)은 제1 센서 도전층(220)과 제2 센서 도전층(240) 사이에 배치될 수 있다. 센서 절연층(230)은 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 지르코늄 옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또는 센서 절연층(230)은 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
센서 커버층(250)은 센서 절연층(230) 위에 배치되며 제2 센서 도전층(240)을 커버할 수 있다. 제2 센서 도전층(240)은 도전 패턴을 포함할 수 있다. 센서 커버층(250)은 도전 패턴을 커버하며, 후속 공정에서 도전 패턴에 데미지가 발생될 확률을 감소 또는 제거할 수 있다. 센서 커버층(250)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 센서 커버층(250)은 실리콘 나이트라이드를 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시예에서, 센서 커버층(250)은 생략될 수도 있다.
반사 방지층(300)은 센서층(200) 위에 배치될 수 있다. 반사 방지층(300)은 분할층(310), 복수의 컬러 필터들(320), 및 평탄화층(330)를 포함할 수 있다.
분할층(310)은 제2 센서 도전층(240)의 도전 패턴과 중첩하여 배치될 수 있다. 센서 커버층(250)은 분할층(310)과 제2 센서 도전층(240) 사이에 배치될 수 있다. 분할층(310)은 제2 센서 도전층(240)에 의한 외부광 반사를 방지할 수 있다. 분할층(310)을 구성하는 물질은 광을 흡수하는 물질이라면 특별히 한정되지 않는다. 분할층(310)은 블랙컬러를 갖는 층으로, 일 실시예에서 분할층(310)은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.
분할층(310)에는 분할 개구(310op)가 정의될 수 있다. 분할 개구(310op)는 발광층(EL)과 중첩할 수 있다. 컬러 필터(320)는 분할 개구(310op)에 대응하여 배치될 수 있다. 컬러 필터(320)는 컬러 필터(320)와 중첩하는 발광층(EL)에서 제공되는 광을 투과시킬 수 있다.
평탄화층(330)은 분할층(310) 및 컬러 필터(320)를 커버할 수 있다. 평탄화층(330)은 유기물을 포함할 수 있으며, 평탄화층(330)의 상면에 평탄면을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 평탄화층(330)은 생략될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 반사 방지층(300)은 컬러 필터들(320) 대신 반사 조정층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5의 도시에서 컬러 필터(320)가 생략되고, 컬러 필터(320)가 생략된 자리에 반사 조정층이 추가될 수 있다. 반사 조정층은 표시 패널 및/또는 전자 기기 내부에서 반사된 빛 또는 표시 패널 및/또는 전자 기기 외부에서 입사하는 빛 중 일부 대역의 빛을 선택적으로 흡수할 수 있다.
일 예로, 반사 조정층은 490 nm 내지 505 nm의 제1 파장 영역 및 585 nm 내지 600nm의 제2 파장 영역을 흡수하여, 상기 제1 파장 영역 및 상기 제2 파장 영역에서의 광투과율이 40 % 이하로 구비될 수 있다. 반사 조정층은 발광층(EL)에서 방출된 적색, 녹색, 및 청색의 광의 파장 범위에서 벗어난 파장의 빛을 흡수할 수 있다. 이와 같이 반사 조정층은 발광층(EL)에서 방출된 적색, 녹색 또는 청색의 파장 범위에 속하지 않는 파장의 빛을 흡수함으로써, 표시 패널 및/또는 전자 기기의 휘도가 감소되는 것이 방지 또는 최소화될 수 있다. 또한, 동시에 표시 패널 및/또는 전자 기기의 발광 효율이 저하되는 것이 방지 또는 최소화될 수 있고, 시인성이 향상될 수 있다.
반사 조정층은 염료, 안료 또는 이들의 조합을 포함하는 유기물층으로 구비될 수 있다. 반사 조정층은 테트라아자포르피린(Tetraazaporphyrin, TAP)계 화합물, 포피린(Porphyrin)계 화합물, 메탈 포피린(Metal Porphyrin)계 화합물, 옥사진(Oxazine)계 화합물, 스쿠아릴륨(Squarylium)계 화합물, 트리아릴메탄(Triarylmethane)계 화합물, 폴리메틴(Polymethine)계 화합물, 트라퀴논(anthraquinone)계 화합물, 프탈로시아닌(Phthalocyanine)계 화합물, 아조(azo)계 화합물, 페릴렌(perylene)계 화합물, 크산텐(Xanthene)계 화합물, 디이모늄(diimmonium)계 화합물, 디피로메텐계(Dipyrromethene)계 화합물, 시아닌(Cyanine)계 화합물, 및 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 반사 조정층은 약 64% 내지 72%의 투과율을 가질 수 있다. 반사 조정층의 투과율은 반사 조정층에 포함된 안료 및/또는 염료의 함량에 따라 조절될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 반사 방지층(300)은 위상 지연자(retarder) 및/또는 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 반사 방지층(300)은 적어도 편광필름을 포함할 수 있다. 이 경우, 반사 방지층(300)은 접착층을 통해 센서층(200)에 부착될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 예를 들어, 도 6은 도 3의 II-II'을 따라 절단한 단면도일 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 표시 패널(DP)은 홀(DP-H)을 정의하는 측벽(DP-Hs)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 홀(DP-H)과 인접하여 배치된 복수의 댐들(DM1, DM2, DM3), 복수의 분할부들(SPR), 및 복수의 돌출부들(PP)을 더 포함할 수 있다.
복수의 댐들(DM1, DM2, DM3)은 유기 봉지층(152)을 형성하는 공정 중에 모노머의 흐름을 제어하기 위해 제공될 수 있다. 복수의 댐들(DM1, DM2, DM3)은 제1 댐(DM1), 제2 댐(DM2), 및 제3 댐(DM3)을 포함할 수 있다. 도 6에서는 3 개의 댐들(DM1, DM2, DM3)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 3 개의 댐들(DM1, DM2, DM3) 중 일부가 생략될 수도 있고, 더 많은 댐들이 배치될 수도 있다.
제1 댐(DM1)은 제1 연결 전극(CNE10)과 동일한 층 상에 배치된 제1 층, 제6 절연층(60)과 동시에 형성된 제2 층, 및 제7 절연층(70)과 동시에 형성된 제3 층을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 제2 댐(DM2)은 제7 절연층(70)과 동시에 형성된 하나의 층으로 형성될 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 제3 댐(DM3)은 제7 절연층(70)과 동시에 형성된 제1 층 및 제8 절연층(80) 또는 화소 정의막(PDL)과 동시에 형성된 제2 층을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
복수의 분할부들(SPR)은 제1 댐(DM1)과 제2 댐(DM2) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 분할부들(SPR)은 제1 연결 전극(CNE10)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 도 6에서는 등간격으로 배열된 4 개의 분할부들(SPR)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 분할부들(SPR) 중 일부가 생략될 수도 있고, 분할부들(SPR) 모두가 생략될 수도 있고, 더 많은 분할부들(SPR)이 배치될 수도 있다. 또한, 분할부들(SPR) 사이의 간격은 서로 상이할 수도 있다.
복수의 분할부들(SPR)은 중간층(CEL), 제2 전극(CE), 및 캡핑층(CPL)을 단절하기 위해 제공될 수 있다. 구체적으로, 오픈 마스크로 형성되는 층을 단선시키기 위해 제공될 수 있다. 복수의 분할부들(SPR)은 홀(DP-H)을 통해 침투될 수 있는 수분이나 산소가 화소(PX)로 유입되는 경로를 차단할 수 있다.
복수의 돌출부들(PP)은 베이스층(110) 위에 배치될 수 있다. 복수의 돌출부들(PP)은 화소(PX)와 홀(DP-H) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출부들(PP)은 제3 댐(DM3)과 측벽(DP-Hs) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 돌출부들(PP)은 복수의 분할부들(SPR)과 동일하게 중간층(CEL), 제2 전극(CE), 및 캡핑층(CPL)을 단절하기 위해 제공될 수 있다. 또한, 복수의 돌출부들(PP)은 측벽(DP-Hs)으로부터 진행된 크랙이 진행되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 복수의 돌출부들(PP) 각각은 다중 팁 구조를 가질 수 있으며, 이에 대한 구체적인 설명은 후술된다.
도 6에서는 등간격으로 배열된 5 개의 돌출부들(PP)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 돌출부들(PP) 중 일부가 생략될 수도 있고, 더 많은 돌출부들(PP)이 배치될 수도 있다. 또한, 돌출부들(PP) 사이의 간격은 서로 상이할 수도 있다.
봉지층(150)은 화소(PX), 댐들(DM1, DM2, DM3), 분할부들(SPR), 및 돌출부들(PP)을 커버할 수 있다. 봉지층(150) 위에는 평탄한 상면을 제공하기 위한 커버층(150-C)이 더 배치될 수 있다.
도 7a는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 5, 도 6 및 도 7a를 참조하면, 돌출부들(PP) 중 서로 인접한 두 개의 돌출부들(PP) 사이에는 하나의 그루브(GV)가 정의될 수 있다. 그루브(GV)를 정의하는 그루브(GV)의 측벽부는 복수의 돌출부들(PP)에 대응될 수 있다.
돌출부들(PP) 각각은 제1 측벽(SW1), 제1 측벽(SW1)으로부터 돌출된 제1 팁(TP1), 제1 팁(TP1) 위에 배치된 제2 측벽(SW2), 및 제2 측벽(SW2)으로부터 돌출된 제2 팁(TP2)을 포함할 수 있다. 즉, 그루브(GV)의 측벽부는 제1 측벽(SW1), 제1 측벽(SW1)으로부터 돌출된 제1 팁(TP1), 제1 팁(TP1) 위에 배치된 제2 측벽(SW2), 및 제2 측벽(SW2)으로부터 돌출된 제2 팁(TP2)을 포함할 수 있다.
돌출부들(PP) 각각은 제1 도전부(PE1) 및 제1 도전부(PE1) 위에 직접 배치된 제2 도전부(PE2)를 포함할 수 있다. 제1 도전부(PE1)는 순차적으로 적층된 제1 도전층(PE11), 제2 도전층(PE12), 및 제3 도전층(PE13)을 포함할 수 있고, 제2 도전부(PE2)는 순차적으로 적층된 제4 도전층(PE21), 제5 도전층(PE22), 및 제6 도전층(PE23)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(PE11), 제3 도전층(PE13), 제4 도전층(PE21), 및 제6 도전층(PE23)은 티타늄을 포함하고, 제2 도전층(PE12), 및 제5 도전층(PE22)은 알루미늄을 포함할 수 있다.
단면 상에서, 제1 도전부(PE1)의 형상과 제2 도전부(PE2)의 형상은 동일하지 않을 수 있다. 돌출부들(PP)은 제2 방향(DR2)으로 이격될 수 있고, 제1 도전부(PE1)의 제2 방향(DR2)에서의 제1 폭(PEwt1)은 제2 도전부(PE2)의 제2 방향(DR2)에서의 제2 폭(PEwt2)보다 클 수 있다. 제1 폭(PEwt1)은 제1 도전부(PE1)의 제2 방향(DR2)에서의 최소 폭일 수 있고, 제2 폭(PEwt2)은 제2 도전부(PE2)의 제2 방향(DR2)에서의 최소 폭일 수 있다.회로층(130)은 복수의 무기 절연층들(10, 20, 30, 40, 50), 제1 중간 도전층(SD1), 제1 중간 도전층(SD1)을 커버하는 제6 절연층(60, 또는 제1 유기층이라 지칭), 및 제1 유기층(60) 위에 배치된 제2 중간 도전층(SD2)을 포함할 수 있다. 제1 중간 도전층(SD1)은 제5 절연층(50)과 제6 절연층(60) 사이에 배치된 도전층이며, 제2 중간 도전층(SD2)은 제6 절연층(60)과 제7 절연층(70) 사이에 배치된 도전층일 수 있다.
제1 도전부(PE1)는 제1 중간 도전층(SD1)에 포함되고, 제2 도전부(PE2)는 제2 중간 도전층(SD2)에 포함될 수 있다. 제1 도전부(PE1) 및 제2 도전부(PE2)를 포함하는 돌출부들(PP)은 회로층(130)에 포함된 구성일 수 있다. 따라서, 서로 인접한 두 개의 돌출부들(PP) 사이에 정의된 그루브(GV)는 회로층(130)에 정의된 것으로 이해될 수 있다.
돌출부들(PP)의 제1 도전부들(PE1) 사이의 간격 및 돌출부들(PP)의 제2 도전부들(PE2) 사이의 간격 각각은 그루브(GV)의 제2 방향(DR2)의 폭에 대응될 수 있다. 예를 들어, 돌출부들(PP)의 제1 도전부들(PE1) 사이의 최대 간격은 그루브(GV)의 제1 측벽(SW1)에서의 제1 폭(GVwt1)에 대응될 수 있고, 돌출부들(PP)의 제2 도전부들(PE2) 사이의 최대 간격은 그루브(GV)의 제2 측벽(SW2)에서의 제2 폭(GVwt2)에 대응될 수 있다. 그루브(GV)의 제1 측벽(SW1)에서의 제1 폭(GVwt1)은 그루브(GV)의 제2 측벽(SW2)에서의 제2 폭(GVwt2)보다 작을 수 있다.
제1 도전부(PE1)는 제1 연결 전극(CNE10)과 동일한 층 상에 배치되며, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전부(PE2)는 제2 연결 전극(CNE20)과 동일한 층 상에 배치되며, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 돌출부들(PP)의 제1 도전층(PE11) 및 제2 도전층(PE12)은 서로 연결되고, 돌출부들(PP)의 제3 도전층(PE13), 제4 도전층(PE21), 제5 도전층(PE22), 및 제6 도전층(PE23) 서로 분리될 수 있다. 따라서, 돌출부들(PP)은 서로 전기적으로 연결된 구조를 가질 수 있다.
제1 측벽(SW1)은 제2 도전층(PE12)의 적어도 일부에 정의되고, 제1 팁(TP1)은 제3 도전층(PE13) 및 제4 도전층(PE21)에 의해 정의되고, 제2 측벽(SW2)은 제5 도전층(PE22)에 정의되고, 제2 팁(TP2)은 제6 도전층(PE23)에 의해 정의될 수 있다. 제1 팁(TP1)은 제3 도전층(PE13) 및 제4 도전층(PE21)을 포함한다. 따라서, 제1 팁(TP1)의 두께(TKp1)는 제2 팁(TP2)의 두께(TKp2)보다 클 수 있다.
제2 도전부(PE2)는 건식 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 도전부(PE1)도 함께 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 도전부(PE2)가 건식식 각될 때, 제1 도전부(PE1)의 제2 도전층(PE12)의 두께의 약 50% 에서 60%가 함께 제거될 수 있다. 따라서, 제1 측벽(SW1)은 제2 도전층(PE12)의 적어도 일부에 의해 정의될 수 잇다.
복수의 돌출부들(PP)은 오픈 마스크로 형성된 공통층(CCL)을 단절할 수 있다. 예를 들어, 공통층(CCL)은 중간층(CEL), 제2 전극(CE), 및 캡핑층(CPL)을 포함할 수 있다. 복수의 돌출부들(PP)에 의해 공통층(CCL)이 단절됨에 따라, 홀(DP-H)을 통해 침투될 수 있는 수분이나 산소가 화소(PX)로 유입되는 경로를 차단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 돌출부들(PP)은 두께 방향, 예를 들어, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 복수의 팁들을 포함할 수 있다. 따라서, 공통층(CCL)이 더 용이하게 단절될 수 있고, 그에 따라 홀(DP-H)을 통해 침투될 수 있는 수분이나 산소가 화소(PX)로 유입되는 경로가 더 쉽게 차단될 수 있다.
또한, 복수의 분할부들(SPR)은 제1 도전부(PE1)와 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 복수의 분할부들(SPR) 각각의 단면은 도 7a에 도시된 제1 도전부(PE1)의 단면의 형상과 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 공통층(CCL)은 복수의 분할부들(SPR)에 의해 더 단절될 수 있다.
제1 무기 봉지층(151)은 돌출부들(PP) 및 그루브(GV)를 커버할 수 있다. 그르부(GV) 내에는 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들(SP)이 정의될 수 있다. 공간들(SP)은 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 형성될 수 있다. 공간들(SP)은 제1 무기 봉지층(151)을 구성하는 물질이 형성되지 않는 공간일 수 있다. 따라서, 공간들(SP)에는 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 사용되는 가스(또는 기체)가 수용될 수 있다. 공간들(SP)은 공동(cavity), 포켓, 크랙 차단부, 또는 크랙 커팅부로 지칭될 수 있다.
공간들(SP)은 제1 측벽(SW1)과 마주하는 제1 공간(SP1) 및 제2 측벽(SW2)과 마주하는 제2 공간(SP2)을 포함할 수 있다. 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 제1 팁(TP1)에 의해 제1 공간(SP1)이 형성되고, 제2 팁(TP2)에 의해 제2 공간(SP2)이 형성될 수 있다. 제1 공간(SP1) 및 제2 공간(SP2)은 액체 또는 고체가 배치되지 않은 공간이다. 따라서, 측벽(DP-Hs)으로부터 진행되는 크랙은 제1 공간(SP1) 및 제2 공간(SP2)에 의해 차단될 수 있다. 그 결과, 표시 장치(DD, 도 2a 참조)의 제품 신뢰성이 향상될 수 있다.
돌출부(PP)의 제1 측벽(SW1)을 정의하는 부분의 제1 두께(TK1) 및 돌출부(PP)의 제2 측벽(SW2)을 정의하는 부분의 제2 두께(TK2) 각각은 1 마이크로미터 이하일 수 있다. 예를 들어, 제1 두께(TK1) 및 제2 두께(TK2) 각각은 6000 옹스트롬일 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 제1 두께(TK1) 및 제2 두께(TK2) 각각이 1 마이크로미터를 초과하는 경우, 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 둘러싸인 공간들(SP)이 형성되지 않을 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 둘러싸인 공간들(SP)이 형성될 수 있도록, 제1 두께(TK1) 및 제2 두께(TK2)가 조절될 수 있다.
도 6 및 도 7a를 함께 참조하면, 제1 무기 봉지층(151)이 형성된 후, 유기 봉지층(152), 제2 무기 봉지층(153), 및 커버층(150-C)이 순차적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 7a에 도시된 확대된 영역에서, 제1 무기 봉지층(151) 위에 제2 무기 봉지층(153)이 배치될 수 있다. 제2 무기 봉지층(153)은 제1 무기 봉지층(151)의 형상에 대응하여 굴곡진 형상을 가질 수 있다. 커버층(150-C)은 제2 무기 봉지층(153) 위에 배치된다. 따라서, 돌출부들(PP) 사이의 그루브(GV)에는 커버층(150-C)의 적어도 일부가 충진될 수 있다.
단면 상에서, 제1 공간(SP1)의 제1 최대 폭(WTM1)은 제2 공간(SP2)의 제2 최대 폭(WTM2)보다 클 수 있다. 또한, 제1 공간(SP1)의 제1 최대 폭(WTM1)의 방향의 기울기는 제2 공간(SP2)의 제1 최대 폭(WTM2)의 방향의 기울기보다 클 수 있다. 여기서, 제3 방향(DR3)에 더 가까울수록 기울기가 크다고 볼 수 있다. 예를 들어, 제1 최대 폭(WTM1)의 방향(또는 경사 방향)은 10시와 11시 사이의 방향 또는 1시와 2시 사이의 방향이라면, 제2 최대 폭(WTM2)의 방향은 9시와 10시 사이의 방향 또는 2시와 3시 사이의 방향일 수 있다.
도 7b는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다. 도 7b를 설명함에 있어서, 도 7a에서 설명된 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 5, 도 6 및 도 7b를 참조하면, 제1 무기 봉지층(151)은 돌출부들(PP) 및 그루브(GV)를 커버할 수 있다. 그르부(GV) 내에는 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들(SPa)이 정의될 수 있다. 공간들(SPa)은 제2 측벽(SW2)과 마주할 수 있다. 공간들(SPa)은 측벽(DP-Hs)으로부터 진행되는 크랙의 전파를 차단하는 역할을 할 수 있다.
공간들(SPa)은 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 형성될 수 있다. 공간들(SPa)은 제1 무기 봉지층(151)을 구성하는 물질이 형성되지 않는 공간일 수 있다. 따라서, 공간들(SPa)에는 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 사용되는 가스(또는 기체)가 수용될 수 있다.
도 7c는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다. 도 7c를 설명함에 있어서, 도 7a에서 설명된 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 5, 도 6 및 도 7c를 참조하면, 제1 무기 봉지층(151)은 돌출부들(PP) 및 그루브(GV)를 커버할 수 있다. 그르부(GV) 내에는 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들(SPb)이 정의될 수 있다. 공간들(SPb)은 제1 측벽(SW1)과 마주할 수 있다. 공간들(SPb)은 측벽(DP-Hs)으로부터 진행되는 크랙의 전파를 차단하는 역할을 할 수 있다.
공간들(SPb)은 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 형성될 수 있다. 공간들(SPb)은 제1 무기 봉지층(151)을 구성하는 물질이 형성되지 않는 공간일 수 있다. 따라서, 공간들(SPb)에는 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 사용되는 가스(또는 기체)가 수용될 수 있다.
도 8은 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다. 도 8을 설명함에 있어서, 도 7a에서 설명된 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 8을 참조하면, 돌출부들(PPa) 중 서로 인접한 두 개의 돌출부들(PPa) 사이에는 하나의 그루브(GVa)가 정의될 수 있다. 그루브(GVa)를 정의하는 그루브(GVa)의 측벽부는 복수의 돌출부들(PPa)에 대응될 수 있다. 도 8에 도시된 실시예에 따르면, 그루브(GVa)의 깊이는 도 7a에 도시된 그루브(GV)의 깊이보다 깊을 수 있다. 따라서, 복수의 돌출부들(PPa)에 의해 공통층(CCL)이 더 용이하게 단절될 수 있다.
돌출부들(PPa) 각각은 제1 도전부(PE1a) 및 제1 도전부(PE1a) 위에 직접 배치된 제2 도전부(PE2)를 포함할 수 있다. 제1 도전부(PE1a)는 순차적으로 적층된 제1 도전층(PE11a), 제2 도전층(PE12a), 및 제3 도전층(PE13)을 포함할 수 있고, 제2 도전부(PE2)는 순차적으로 적층된 제4 도전층(PE21), 제5 도전층(PE22), 및 제6 도전층(PE23)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(PE11a), 제3 도전층(PE13), 제4 도전층(PE21), 및 제6 도전층(PE23)은 티타늄을 포함하고, 제2 도전층(PE12a), 및 제5 도전층(PE22)은 알루미늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 돌출부들(PPa)의 제1 도전층(PE11a), 제2 도전층(PE12a), 제3 도전층(PE13), 제4 도전층(PE21), 제5 도전층(PE22), 및 제6 도전층(PE23) 서로 분리될 수 있다. 예를 들어, 제1 측벽(SW1)은 제2 도전층(PE12a)에 정의되고, 제1 팁(TP1)은 제3 도전층(PE13) 및 제4 도전층(PE21)에 의해 정의되고, 제2 측벽(SW2)은 제5 도전층(PE22)에 정의되고, 제2 팁(TP2)은 제6 도전층(PE23)에 의해 정의될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 돌출부들(PPa)의 제1 및 제2 도전부들(PE1a, PE2)은 서로 분리될 수 있다. 예를 들어, 도 7a와 비교하여, 서로 인접한 돌출부들(PPa)의 제1 도전층들(PE11a)은 서로 전기적으로 분리되고, 서로 인접한 돌출부들(PPa)의 제2 도전층(PE12a)은 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 따라서, 돌출부들(PPa)은 서로 완전히 분리되어 서로 이격될 수 있으며, 돌출부들(PPa)은 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 돌출부들(PPa)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 무기물을 포함하는 무기 절연층일 수 있다. 두 개의 돌출부들(PPa) 사이에는 하나의 그루브(GVa)가 정의될 수 있고, 돌출부들(PPa)은 서로 완전히 분리되어 서로 이격될 수 있다. 따라서, 그루브(GVa)를 정의하는 그루브(GVa)의 측벽부는 복수의 돌출부들(PPa)에 대응되고, 그루브(GVa)의 바닥부는 돌출부들(PPa) 사이에서 노출된 제5 절연층(50)의 일부분일 수 있다. 따라서, 그루브(GVa)에서 공통층(CCL)은 제5 절연층(50)과 직접 접촉할 수 있다.
도 9a는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다. 도 9a를 설명함에 있어서, 도 7a에서 설명된 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 5, 및 도 9a를 참조하면, 돌출부들(PPb) 중 서로 인접한 두 개의 돌출부들(PPb) 사이에는 하나의 그루브(GVb)가 정의될 수 있다. 그루브(GVb)를 정의하는 그루브(GVb)의 측벽부는 복수의 돌출부들(PPb)에 대응될 수 있다.
돌출부들(PPb) 각각은 제1 측벽(SW1), 제1 측벽(SW1)으로부터 돌출된 제1 팁(TP1), 제1 팁(TP1) 위에 배치된 제2 측벽(SW2), 및 제2 측벽(SW2)으로부터 돌출된 제2 팁(TP2), 제2 팁(TP2) 위에 배치된 제3 측벽(SW3), 제3 측벽(SW3)으로부터 돌출된 제3 팁(TP3)을 포함할 수 있다.
돌출부들(PPb) 각각은 제1 도전부(PE1), 제1 도전부(PE1) 위에 직접 배치된 제2 도전부(PE2), 및 제2 도전부(PE2) 위에 직접 배치된 제3 도전부(PE3)를 포함할 수 있다. 제3 도전부(PE3)는 순차적으로 적층된 제7 도전층(PE31), 제8 도전층(PE32), 및 제9 도전층(PE33)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(PE11), 제3 도전층(PE13), 제4 도전층(PE21), 제6 도전층(PE23), 제7 도전층(PE31), 및 제9 도전층(PE33)은 티타늄을 포함하고, 제2 도전층(PE12), 제5 도전층(PE22), 및 제8 도전층(PE32)은 알루미늄을 포함할 수 있다.
회로층(130)은 복수의 무기 절연층들(10, 20, 30, 40, 50), 제1 중간 도전층(SD1), 제1 중간 도전층(SD1)을 커버하는 제6 절연층(60, 또는 제1 유기층이라 지칭), 제1 유기층(60) 위에 배치된 제2 중간 도전층(SD2), 제2 중간 도전층(SD2)을 커버하는 제7 절연층(70, 또는 제2 유기층이라 지칭), 및 제2 유기층(70) 위에 배치된 제3 중간 도전층(SD3)을 포함할 수 있다.
제3 중간 도전층(SD3)은 제7 절연층(70)과 제8 절연층(80) 사이에 배치된 도전층으로, 제3 도전부(PE3)는 제3 중간 도전층(SD3)에 포함될 수 있다. 따라서, 제3 도전부(PE3)는 제3 연결 전극(CNE30)과 동일한 층 상에 배치되며, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
복수의 돌출부들(PPb)은 오픈 마스크로 형성된 공통층(CCL)을 단절할 수 있다. 예를 들어, 공통층(CCL)은 중간층(CEL), 제2 전극(CE), 및 캡핑층(CPL)을 포함할 수 있다. 복수의 돌출부들(PPb)에 의해 공통층(CCL)이 단절됨에 따라, 홀(DP-H)을 통해 침투될 수 있는 수분이나 산소가 화소(PX)로 유입되는 경로를 차단할 수 있다.
제1 무기 봉지층(151)은 돌출부들(PPb) 및 그루브(GVb)를 커버할 수 있다. 그르부(GVb) 내에는 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들(SPc)이 정의될 수 있다. 공간들(SPc)은 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 형성될 수 있다. 공간들(SPc)은 제1 무기 봉지층(151)을 구성하는 물질이 형성되지 않는 공간일 수 있다. 따라서, 공간들(SPc)에는 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 사용되는 가스(또는 기체)가 수용될 수 있다.
공간들(SPc)은 제1 측벽(SW1)과 마주하는 제1 공간(SP1), 제2 측벽(SW2)과 마주하는 제2 공간(SP2), 및 제3 측벽(SW3)과 마주하는 제3 공간(SP3)을 포함할 수 있다. 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 제1 팁(TP1)에 의해 제1 공간(SP1)이 형성되고, 제2 팁(TP2)에 의해 제2 공간(SP2)이 형성되고, 제3 팁(TP3)에 의해 제3 공간(SP3)이 형성될 수 있다. 제1 공간(SP1), 제2 공간(SP2), 및 제3 공간(SP3)은 측벽(DP-Hs)으로부터 진행되는 크랙의 전파를 차단하는 역할을 할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 내지 제3 공간들(SP1, SP2, SP3) 중 적어도 어느 하나는 생략될 수도 있다.
단면 상에서, 제1 공간(SP1)의 제1 최대 폭(WTM1)은 제2 공간(SP2)의 제2 최대 폭(WTM2)보다 크고, 제2 공간(SP2)의 제2 최대 폭(WTM2)은 제3 공간(SP3)의 제3 최대 폭(WTM3)보다 클 수 있다. 또한, 제1 최대 폭(WTM1)의 방향, 제2 최대 폭(WTM2)의 방향, 및 제3 최대 폭(WTM3)의 방향은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 최대 폭(WTM1)의 방향의 기울기는 제2 최대 폭(WTM2)의 방향의 기울기보다 크고, 제2 최대 폭(WTM2)의 방향의 기울기는 제3 최대 폭(WTM3)의 방향의 기울기보다 클 수 있다. 여기서, 제3 방향(DR3)에 더 가까울수록 기울기가 크다고 볼 수 있다.
도 9b는 도 6의 AA' 영역을 확대하여 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 단면도이다. 도 9b를 설명함에 있어서, 도 7a 및 도 9a에서 설명된 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 9b를 참조하면, 돌출부들(PPc) 중 서로 인접한 두 개의 돌출부들(PPc) 사이에는 하나의 그루브(GVc)가 정의될 수 있다. 그루브(GVc)를 정의하는 그루브(GVc)의 측벽부는 복수의 돌출부들(PPc)에 대응될 수 있다.
돌출부들(PPc) 각각은 제1 도전부(PE1a), 제1 도전부(PE1a) 위에 직접 배치된 제2 도전부(PE2), 및 제2 도전부(PE2) 위에 직접 배치된 제3 도전부(PE3)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 돌출부들(PPc)의 제1 내지 제3 도전부들(PE1a, PE2, PE3)은 서로 분리될 수 있다. 예를 들어, 도 9a와 비교하여, 서로 인접한 돌출부들(PPc)의 제1 도전부들(PE1a)은 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 따라서, 돌출부들(PPc)은 서로 완전히 분리되어 서로 이격될 수 있으며, 돌출부들(PPc)은 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 돌출부들(PPc)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 무기물을 포함하는 무기 절연층일 수 있다. 두 개의 돌출부들(PPc) 사이에는 하나의 그루브(GVc)가 정의될 수 있고, 돌출부들(PPc)은 서로 완전히 분리되어 서로 이격될 수 있다. 따라서, 그루브(GVc)를 정의하는 그루브(GVc)의 측벽부는 복수의 돌출부들(PPc)에 대응되고, 그루브(GVc)의 바닥부는 돌출부들(PPc) 사이에서 노출된 제5 절연층(50)의 일부분일 수 있다. 따라서, 그루브(GVc)에서 공통층(CCL)은 제5 절연층(50)과 직접 접촉할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 예를 들어, 도 10은 도 3의 II-II'을 따라 절단한 단면도일 수 있다.
도 3, 도 5, 및 도 10을 참조하면, 표시 패널(DP)은 홀(DP-H)을 정의하는 측벽(DP-Hs)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 홀(DP-H)과 인접하여 배치된 복수의 댐들(DM1a, DM2a), 크랙 댐(CDM), 및 복수의 그루브들(GV1, GV2, GV3, GV4)을 포함할 수 있다.
복수의 댐들(DM1a, DM2a)은 유기 봉지층(152)을 형성하는 공정 중에 모노머의 흐름을 제어하기 위해 제공될 수 있다. 복수의 댐들(DM1a, DM2a)은 제1 댐(DM1a), 및 제2 댐(DM2a)을 포함할 수 있다. 크랙 댐(CDM)은 측벽(DP-Hs)으로부터 진행된 크랙이 진행되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
회로층(130)은 복수의 무기 절연층들(10, 20, 30, 40, 50), 제1 중간 도전층(SD1), 제1 중간 도전층(SD1)을 커버하는 제6 절연층(60, 또는 제1 유기층이라 지칭), 및 제1 유기층(60) 위에 배치된 제2 중간 도전층(SD2)을 포함할 수 있다. 제1 중간 도전층(SD1)은 제5 절연층(50)과 제6 절연층(60) 사이에 배치된 도전층이며, 제2 중간 도전층(SD2)은 제6 절연층(60)과 제7 절연층(70) 사이에 배치된 도전층일 수 있다.
복수의 그루브들(GV1, GV2, GV3, GV4)은 제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 제3 그루브(GV3), 및 제4 그루브(GV4)를 포함할 수 있다.
제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 및 제4 그루브(GV4) 각각은 제6 절연층(60)에 정의될 수 있다. 제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 및 제4 그루브(GV4) 각각은 오픈 마스크로 형성된 공통층(CCL)을 단절하기 위해 제공될 수 있다. 따라서, 제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 및 제4 그루브(GV4) 각각을 정의하는 제6 절연층(60)의 측벽(60-S)보다 더 돌출된 팁(GTP)이 제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 및 제4 그루브(GV4)와 중첩할 수 있다. 도 10을 참조하면, 제1 그루브(GV1) 및 제2 그루브(GV2) 각각은 두 개의 팁들(GTP)과 중첩하고, 제4 그루브(GV4)는 한 개의 팁(GTP)과 중첩할 수 있다.
제3 그루브(GV3)는 제4, 제5, 제6, 및 제7 절연층들(40, 50, 60, 70)이 제거되어 제공될 수 있다. 제3 그루브(GV3)는 모노머의 흐름을 제어하기 위해 제공될 수 있다. 제3 그루브(GV3)의 바닥면에는 차폐층(IBL)이 배치될 수 있다. 차폐층(IBL)은 제2 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 따라서, 차폐층(IBL)은 제3 절연층(30)과 제4 절연층(40) 사이에 배치될 수 있으며, 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에서, 차폐층(IBL)은 생략될 수도 있다.
표시 패널(DP)은 홀(DP-H)과 발광 소자(ED) 사이에 배치된 크랙 댐(CDM)을 더 포함할 수 있다. 크랙 댐(CDM)은 복수의 댐들(DM1a, DM2a), 및 복수의 그루브들(GV1, GV2, GV3, GV4)보다 홀(DP-H)에 더 인접할 수 있다. 크랙 댐(CDM)은 측벽(DP-Hs)으로부터 진행되는 크랙의 전파를 차단하는 역할을 할 수 있다.
봉지층(150)은 회로층(130) 및 소자층(140)을 커버할 수 있다. 따라서, 봉지층(150)은 복수의 댐들(DM1a, DM2a), 크랙 댐(CDM), 및 복수의 그루브들(GV1, GV2, GV3, GV4)을 모두 커버할 수 있다. 제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 및 제4 그루브(GV4) 각각에는 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들(SPx)이 정의될 수 있다. 공간들(SPx)은 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 형성될 수 있다. 공간들(SPx)은 제1 무기 봉지층(151)을 구성하는 물질이 형성되지 않는 공간일 수 있다. 따라서, 공간들(SPx)에는 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 사용되는 가스(또는 기체)가 수용될 수 있다. 측벽(DP-Hs)으로부터 진행되는 크랙은 공간들(SPx)에 의해 차단될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 및 제4 그루브(GV4) 각각의 깊이(DT-60)는 1 마이크로미터 이하일 수 있다. 예를 들어, 깊이(DT-60)는 6000 옹스트롬일 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 깊이(DT-60)가 1 마이크로미터를 초과하는 경우, 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 둘러싸인 공간들(SPx)이 형성되지 않을 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 둘러싸인 공간들(SPx)이 형성될 수 있도록, 깊이(DT-60)가 조절될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 예를 들어, 도 11은 도 3의 II-II'을 따라 절단한 단면도일 수 있다. 도 11을 설명함에 있어서, 도 10에서 설명된 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 3, 도 5, 및 도 11을 참조하면, 표시 패널(DP)은 홀(DP-H)을 정의하는 측벽(DP-Hs)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 홀(DP-H)과 인접하여 배치된 복수의 댐들(DM1a, DM2a), 크랙 댐(CDMa), 및 복수의 그루브들(GV1a, GV2a, GV3, GV4a)을 포함할 수 있다.
복수의 그루브들(GV1a, GV2a, GV3, GV4a) 각각은 모노머의 흐름을 제어하기 위해 제공될 수 있다. 복수의 그루브들(GV1a, GV2a, GV3, GV4a) 각각은 제4, 제5, 제6, 및 제7 절연층들(40, 50, 60, 70)이 제거되어 제공될 수 있다. 복수의 그루브들(GV1a, GV2a, GV3, GV4a) 각각의 바닥면에는 차폐층(IBL)이 배치될 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에서, 차폐층(IBL)은 생략될 수도 있다.
복수의 그루브들(GV1a, GV2a, GV3, GV4a) 중 적어도 일부는 오픈 마스크로 형성된 공통층(CCL)을 단절하기 위해 제공될 수 있다. 따라서, 제1 그루브(GV1a), 제2 그루브(GV2a), 및 제4 그루브(GV4a)을 정의하는 제6 절연층(60)의 측벽(60-S)보다 더 돌출된 팁(GTP)이 제1 그루브(GV1a), 제2 그루브(GV2a), 및 제4 그루브(GV4a)와 중첩할 수 있다.
표시 패널(DP)은 홀(DP-H)과 발광 소자(ED) 사이에 배치된 크랙 댐(CDMa)을 더 포함할 수 있다. 크랙 댐(CDMa)은 복수의 댐들(DM1a, DM2a), 및 복수의 그루브들(GV1a, GV2a, GV3, GV4a)보다 홀(DP-H)에 더 인접할 수 있다. 크랙 댐(CDMa)은 측벽(DP-Hs)으로부터 진행되는 크랙의 전파를 차단하는 역할을 할 수 있다.
크랙 댐(CDMa)는 제1 층(CD1), 제2 층(CD2), 및 제3 층(CD3)을 포함할 수 있다. 제1 층(CD1)은 제1 연결 전극(CNE10)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 제2 층(CD2)은 제6 절연층(60)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제3 층(CD3)은 제2 중간 도전층(SD2, 도 10 참조)에 포함될 수 있으며, 제3 층(CD3)은 제2 연결 전극(CNE20)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제3 층(CD3)은 제2 층(CD2)보다 측벽(DP-Hs)을 향해 더 돌출될 수 있다. 따라서, 제3 층(CD3)은 크랙 댐(CDMa)에서 팁의 역할을 할 수 있다. 제2 층(CD2)의 두께는 1 마이크로미터 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 층(CD2)의 두께는 6000 옹스트롬일 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
봉지층(150)은 복수의 댐들(DM1a, DM2a), 크랙 댐(CDMa), 및 복수의 그루브들(GV1a, GV2a, GV3, GV4a)을 모두 커버할 수 있다. 제2 층(CD2)과 마주하는 부분에는 봉지층(150)에 의해 완전히 에워싸인 공간(SPy)이 정의될 수 있다. 공간(SPy)은 제3 층(CD3)에 의해 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 크랙 댐(CDMa)과 측벽(DP-Hs) 사이에 공간(SPy)이 정의됨에 따라 크랙의 전파가 더 용이하게 차단될 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 예를 들어, 도 12는 도 3의 II-II'을 따라 절단한 단면도일 수 있다. 도 12에 도시된 구조는 도 10에서 설명된 구조 및 도 11에서 설명된 구조가 병합된 구조일 수 있다.
도 3, 도 5, 및 도 12를 참조하면, 표시 패널(DP)은 홀(DP-H)을 정의하는 측벽(DP-Hs)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 홀(DP-H)과 인접하여 배치된 복수의 댐들(DM1a, DM2a), 크랙 댐(CDMa), 및 복수의 그루브들(GV1, GV2, GV3, GV4)을 포함할 수 있다.
봉지층(150)은 복수의 댐들(DM1a, DM2a), 크랙 댐(CDMa), 및 복수의 그루브들(GV1, GV2, GV3, GV4)을 모두 커버할 수 있다. 제1 그루브(GV1), 제2 그루브(GV2), 및 제4 그루브(GV4) 각각에는 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들(SPx)이 정의될 수 있다. 크랙 댐(CDMa)의 제2 층(CD2)과 마주하는 부분에는 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 에워싸인 공간(SPy)이 정의될 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 예를 들어, 도 13은 도 3의 II-II'을 따라 절단한 단면도이다.
도 3, 도 5, 및 도 13을 참조하면, 표시 패널(DP)은 홀(DP-H)을 정의하는 측벽(DP-Hs)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 홀(DP-H)과 인접하여 배치된 댐(DMb), 및 복수의 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b)을 포함할 수 있다.
복수의 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b) 각각은 베이스층(110)에 정의될 수 있다. 예를 들어, 복수의 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b)은 제3 서브 베이스층(113)에 정의될 수 있다. 도 13에서는 5 개의 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b)이 예시적으로 도시되었으나, 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b)의 개수가 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b) 각각은 오픈 마스크로 형성된 공통층(CCL)을 단절하기 위해 제공될 수 있다. 따라서, 복수의 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b) 각각을 정의하는 측벽보다 더 돌출된 팁(GTPa)이 복수의 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b)과 중첩할 수 있다. 팁(GTPa)은 무기 절연층들(IIL)에 의해 정의될 수 있다. 무기 절연층들(IIL)은 제1 내지 제5 절연층들(10, 20, 30, 40, 50)을 포함할 수 있다.
봉지층(150)은 댐(DMb), 및 복수의 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b)을 커버할 수 있다. 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b) 각각에는 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들(SPz)이 정의될 수 있다. 측벽(DP-Hs)으로부터 진행되는 크랙은 공간들(SPz)에 의해 차단될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 그루브들(GV1b, GV2b, GV3b, GV4b, GV5b) 각각의 깊이(DT-113)는 1 마이크로미터 이하일 수 있다. 예를 들어, 깊이(DT-113)는 6000 옹스트롬일 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 예를 들어, 도 14는 도 3의 III-III'을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 및 도 14를 참조하면, 표시 패널(DP)의 엣지(DP-E)와 인접한 영역에는 크랙 댐(CDMe)이 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)는 베이스층(110)의 제1 영역(110A1)과 중첩하여 배치되고, 크랙 댐(CDMe)은 베이스층(110)의 제2 영역(110A2)과 중첩하여 배치될 수 있다.
평면 상에서, 크랙 댐(CDMe)은 표시 패널(DP)의 표시 영역(DP-DA)의 적어도 일부를 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 크랙 댐(CDMe)은 표시 패널(DP)의 엣지(DP-E)로부터 진행되는 크랙이 표시 영역(DP-DA) 내부로 전파되는 것을 차단하는 역할을 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 크랙 댐(CDMe)은 제1 층(CD1a), 제2 층(CD2a), 및 제3 층(CD3a)을 포함할 수 있다. 제1 층(CD1a)은 제1 연결 전극(CNE10)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 제2 층(CD2a)은 제6 절연층(60)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제3 층(CD3a)은 제2 연결 전극(CNE20)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제3 층(CD3a)은 제2 층(CD2a)보다 표시 패널(DP)의 엣지(DP-E)를 향해 더 돌출될 수 있다. 따라서, 제3 층(CD3)은 크랙 댐(CDMe)에서 팁의 역할을 할 수 있다. 제2 층(CD2a)의 두께는 1 마이크로미터 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 층(CD2a)의 두께는 6000 옹스트롬일 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
제2 층(CD2)과 마주하는 부분에는 제1 무기 봉지층(151)에 의해 완전히 에워싸인 공간(SP-E)이 정의될 수 있다. 공간(공간(SP-E))은 제3 층(CD3a)에 의해 제1 무기 봉지층(151)을 형성하는 공정 중에 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 크랙 댐(CDMe)과 표시 패널(DP)의 엣지(DP-E) 사이에 공간(SP-E)이 정의됨에 따라 크랙의 전파가 더 용이하게 차단될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD: 표시 장치
110: 베이스층
120: 배리어층 130: 회로층
140: 소자층 150: 봉지층
PP: 돌출부 GV: 그루브
SW1: 제1 측벽 SW2: 제2 측벽
TP1: 제1 팁 TP2: 제2 팁
SP: 공간들
120: 배리어층 130: 회로층
140: 소자층 150: 봉지층
PP: 돌출부 GV: 그루브
SW1: 제1 측벽 SW2: 제2 측벽
TP1: 제1 팁 TP2: 제2 팁
SP: 공간들
Claims (34)
- 베이스층;
화소 회로를 포함하는 회로층;
상기 회로층 위에 배치되며, 상기 화소 회로와 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함하는 소자층; 및
상기 소자층을 커버하는 봉지층을 포함하고,
상기 베이스층 및 상기 회로층 중 적어도 어느 하나에는 그루브가 정의되고,
상기 봉지층은 상기 그루브를 커버하고, 상기 그루브 내에는 각각이 상기 봉지층에 의해 완전히 에워싸인 복수의 공간들이 정의된 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 그루브의 측벽부는 제1 측벽, 상기 제1 측벽으로부터 돌출된 제1 팁, 상기 제1 팁 위에 배치된 제2 측벽, 및 상기 제2 측벽으로부터 돌출된 제2 팁을 포함하는 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 그루브의 상기 제1 측벽에서의 제1 폭은 상기 그루브의 상기 제2 측벽에서의 제2 폭보다 작은 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 회로층은 복수의 무기 절연층들, 제1 중간 도전층, 상기 복수의 무기 절연층들 위에 배치되며 상기 제1 중간 도전층을 커버하는 제1 유기층, 및 상기 제1 유기층 위에 배치된 제2 중간 도전층을 더 포함하고,
상기 제1 중간 도전층은 순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층, 및 제3 도전층을 포함하고,
상기 제2 중간 도전층은 순차적으로 적층된 제4 도전층, 제5 도전층, 및 제6 도전층을 포함하고,
상기 제1 측벽은 상기 제2 도전층의 적어도 일부에 정의되고, 상기 제1 팁은 상기 제3 도전층 및 상기 제4 도전층에 의해 정의되고, 상기 제2 측벽은 상기 제5 도전층에 정의되고, 상기 제2 팁은 상기 제6 도전층에 의해 정의된 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 제1 도전층, 상기 제3 도전층, 상기 제4 도전층, 및 상기 제6 도전층은 티타늄을 포함하고, 상기 제2 도전층, 및 상기 제5 도전층은 알루미늄을 포함하는 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 복수의 공간들은 상기 제1 측벽과 마주하는 제1 공간, 및 상기 제2 측벽과 마주하는 제2 공간을 포함하는 표시 장치. - 제6 항에 있어서,
단면 상에서, 상기 제1 공간의 최대 폭은 상기 제2 공간의 최대 폭보다 큰 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 공간의 상기 최대 폭의 방향의 기울기는 상기 제2 공간의 상기 최대 폭의 방향의 기울기보다 큰 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 그루브는 상기 제2 팁 위에 배치된 제3 측벽, 및 상기 제3 측벽으로부터 돌출된 제3 팁을 더 포함하는 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 복수의 공간들은,
상기 제1 측벽과 마주하는 제1 공간;
상기 제2 측벽과 마주하는 제2 공간; 및
상기 제3 측벽과 마주하는 제3 공간을 포함하고,
단면 상에서, 상기 제1 공간의 제1 최대 폭은 상기 제2 공간의 제2 최대 폭보다 크고, 상기 제2 공간의 상기 제2 최대 폭은 상기 제3 공간의 제3 최대 폭보다 큰 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 공간의 상기 제1 최대 폭의 방향, 상기 제2 공간의 상기 제2 최대 폭의 방향, 및 상기 제3 공간의 상기 제3 최대 폭의 방향은 서로 상이한 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 팁의 두께는 상기 제2 팁의 두께보다 큰 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 측벽을 정의하는 부분 및 상기 제2 측벽을 정의하는 부분 각각의 두께는 1 마이크로미터 이하인 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 그루브는 상기 베이스층에 정의되고, 상기 그루브의 깊이는 1 마이크로미터 이하인 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 회로층은 복수의 무기 절연층들, 제1 중간 도전층, 상기 복수의 무기 절연층들 위에 배치되며 상기 제1 중간 도전층을 커버하는 제1 유기층, 및 상기 제1 유기층 위에 배치된 제2 중간 도전층을 더 포함하고,
상기 복수의 무기 절연층들은 상기 그루브를 정의하는 상기 베이스층의 측벽보다 더 돌출된 팁부를 정의하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 회로층은 복수의 무기 절연층들, 제1 중간 도전층, 상기 복수의 무기 절연층들 위에 배치되며 상기 제1 중간 도전층을 커버하는 제1 유기층, 및 상기 제1 유기층 위에 배치된 제2 중간 도전층을 더 포함하고,
상기 그루브는 상기 제1 유기층에 정의되고, 상기 제2 중간 도전층은 상기 그루브를 정의하는 상기 제1 유기층의 측벽보다 더 돌출된 팁부를 정의하는 표시 장치. - 제16 항에 있어서,
상기 발광 소자와 이격된 크랙 댐을 더 포함하고,
상기 크랙 댐은 상기 제1 유기층과 동일한 물질을 포함하는 제1 층, 및 상기 제2 중간 도전층과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제1 층보다 더 돌출된 제2 층을 포함하고,
상기 봉지층은 상기 크랙 댐을 커버하고, 상기 제1 층과 마주하는 부분에는 상기 봉지층에 의해 완전히 에워싸인 공간이 더 정의된 표시 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 베이스층에는 홀이 정의되고, 상기 크랙 댐은 상기 홀과 상기 발광 소자 사이에 배치된 표시 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 베이스층에는 상기 발광 소자가 배치된 제1 영역, 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역이 정의되고, 상기 크랙 댐은 상기 제2 영역에 배치된 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 봉지층은,
상기 소자층 위에 배치된 제1 무기 봉지층;
상기 제1 무기 봉지층 위에 배치된 유기 봉지층; 및
상기 유기 봉지층 위에 배치된 제2 무기 봉지층을 포함하고,
상기 복수의 공간들 각각은 상기 제1 무기 봉지층에 의해 둘러싸인 표시 장치. - 홀이 정의된 베이스층;
상기 베이스층 위에 배치며, 제1 전극, 중간층, 및 제2 전극을 포함하는 화소;
상기 베이스층 위에 배치되고, 상기 화소와 상기 홀 사이에 배치되며, 제1 측벽, 상기 제1 측벽으로부터 돌출된 제1 팁, 상기 제1 팁 위에 배치된 제2 측벽, 상기 제2 측벽으로부터 돌출된 제2 팁을 포함하는 돌출부; 및
상기 화소 및 상기 돌출부를 커버하는 봉지층을 포함하고,
상기 봉지층에 의해 완전히 에워싸인 공간이 정의되고, 상기 공간은 상기 돌출부의 상기 제1 측벽 및 상기 제2 측벽 중 적어도 어느 하나와 마주하는 표시 장치. - 제21 항에 있어서,
상기 공간은
상기 제1 측벽과 마주하는 제1 공간; 및
상기 제2 측벽과 마주하는 제2 공간을 포함하는 표시 장치. - 제22 항에 있어서,
단면 상에서, 상기 제1 공간의 최대 폭은 상기 제2 공간의 최대 폭보다 큰 표시 장치. - 제23 항에 있어서,
상기 제1 공간의 상기 최대 폭의 방향의 기울기는 상기 제2 공간의 상기 최대 폭의 방향의 기울기보다 큰 표시 장치. - 제21 항에 있어서,
상기 돌출부는
순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층, 및 제3 도전층을 포함하는 제1 도전부; 및
순차적으로 적층된 제4 도전층, 제5 도전층, 및 제6 도전층을 포함하는 제2 도전부를 포함하고,
상기 제1 측벽은 상기 제2 도전층의 적어도 일부에 정의되고, 상기 제1 팁은 상기 제3 도전층 및 상기 제4 도전층에 의해 정의되고, 상기 제2 측벽은 상기 제5 도전층에 정의되고, 상기 제2 팁은 상기 제6 도전층에 의해 정의된 표시 장치. - 제25 항에 있어서,
상기 돌출부는 복수로 제공되고,
상기 복수의 돌출부들의 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 서로 연결되고, 상기 복수의 돌출부들의 상기 제3 도전층, 상기 제4 도전층, 상기 제5 도전층, 및 상기 제6 도전층 각각은 서로 분리된 표시 장치. - 제25 항에 있어서,
상기 제1 도전층, 상기 제3 도전층, 상기 제4 도전층, 및 상기 제6 도전층은 티타늄을 포함하고, 상기 제2 도전층, 및 상기 제5 도전층은 알루미늄을 포함하는 표시 장치. - 제25 항에 있어서,
상기 제1 도전부의 최소폭은 상기 제2 도전부의 최소 폭보다 큰 표시 장치. - 제25 항에 있어서,
상기 돌출부는 복수로 제공되고,
상기 복수의 돌출부들의 제1 도전부들 사이의 최대 간격은 상기 복수의 돌출부들의 제2 도전부들 사이의 최대 간격보다 작은 표시 장치. - 제21 항에 있어서,
상기 제1 팁의 두께는 상기 제2 팁의 두께보다 큰 표시 장치. - 제21 항에 있어서,
상기 돌출부는 상기 제2 팁 위에 배치된 제3 측벽, 상기 제3 측벽으로부터 돌출된 제3 팁을 더 포함하는 표시 장치. - 제31 항에 있어서,
상기 공간은,
상기 제1 측벽과 마주하는 제1 공간;
상기 제2 측벽과 마주하는 제2 공간; 및
상기 제3 측벽과 마주하는 제3 공간을 포함하고,
단면 상에서, 상기 제1 공간의 제1 최대 폭은 상기 제2 공간의 제2 최대 폭보다 크고, 상기 제2 공간의 상기 제2 최대 폭은 상기 제3 공간의 제3 최대 폭보다 큰 표시 장치. - 제32 항에 있어서,
상기 제1 공간의 상기 제1 최대 폭의 방향, 상기 제2 공간의 상기 제2 최대 폭의 방향, 및 상기 제3 공간의 상기 제3 최대 폭의 방향은 서로 상이한 표시 장치. - 제21 항에 있어서,
상기 돌출부의 상기 제1 측벽을 정의하는 부분 및 상기 돌출부의 상기 제2 측벽을 정의하는 부분 각각의 두께는 1 마이크로미터 이하인 표시 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220144904A KR20240065581A (ko) | 2022-11-03 | 2022-11-03 | 표시 장치 |
| US18/231,136 US20240155920A1 (en) | 2022-11-03 | 2023-08-07 | Display device |
| CN202311416087.6A CN117998930A (zh) | 2022-11-03 | 2023-10-30 | 显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220144904A KR20240065581A (ko) | 2022-11-03 | 2022-11-03 | 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240065581A true KR20240065581A (ko) | 2024-05-14 |
Family
ID=90895094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220144904A KR20240065581A (ko) | 2022-11-03 | 2022-11-03 | 표시 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240155920A1 (ko) |
| KR (1) | KR20240065581A (ko) |
| CN (1) | CN117998930A (ko) |
-
2022
- 2022-11-03 KR KR1020220144904A patent/KR20240065581A/ko unknown
-
2023
- 2023-08-07 US US18/231,136 patent/US20240155920A1/en active Pending
- 2023-10-30 CN CN202311416087.6A patent/CN117998930A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117998930A (zh) | 2024-05-07 |
| US20240155920A1 (en) | 2024-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN217641343U (zh) | 电子装置 | |
| US20230094620A1 (en) | Display device | |
| US11925072B2 (en) | Display apparatus including organic insulation layer defined opening | |
| KR20240065581A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20240031448A (ko) | 전자 장치 | |
| KR20230081854A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20220165875A (ko) | 표시장치 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
| KR20240053096A (ko) | 표시 패널 | |
| KR20210128554A (ko) | 표시 패널 및 표시 장치 | |
| KR20230167268A (ko) | 표시 패널 및 이의 제조 방법 | |
| KR20240020298A (ko) | 발광 표시 장치 | |
| US20230050385A1 (en) | Display device including transmission regions and electronic device including the same | |
| KR20240055225A (ko) | 표시 장치 | |
| CN221329489U (zh) | 显示装置 | |
| US20240114739A1 (en) | Display apparatus | |
| US20230329072A1 (en) | Display device and electronic device including the same | |
| US20230185418A1 (en) | Display device and electronic device including the same | |
| KR20230148444A (ko) | 전자 장치 | |
| US20240023389A1 (en) | Display panel, electronic device including the same, and method of manufacturing display panel | |
| US20220352486A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
| KR20240015811A (ko) | 발광 표시 장치 | |
| KR20240010615A (ko) | 전자 장치 | |
| KR20240034950A (ko) | 표시 장치 | |
| CN118159064A (zh) | 显示面板 | |
| KR20240022007A (ko) | 전자 장치 |