CN118159064A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示面板，包括：多个子像素电极；金属堤层，在多个子像素电极上，金属堤层包括在多个子像素电极上的多个开口以及在多个子像素电极中的两个相邻的子像素电极之间的凹槽，金属堤层在多个开口和凹槽中不存在；绝缘层，在多个子像素电极上并且在子像素电极之间；桥接线，在两个相邻的子像素电极之间位于绝缘层上，桥接线包括与金属堤层的材料相同的材料；中间层，在金属堤层的多个开口中位于多个子像素电极上；以及相对电极，在金属堤层的多个开口中设置在中间层上；其中，在平面图中，凹槽被配置为围绕桥接线的至少一部分。
Description
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本申请基于并且要求于2022年12月5日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0168128号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含在本文中。
技术领域
本公开涉及一种显示面板以及一种包括显示面板的电子设备的结构。
背景技术
在诸如有机发光显示面板的显示面板中，薄膜晶体管布置在显示区域中以控制发光二极管的亮度。薄膜晶体管通过使用传输的数据信号、驱动电压和公共电压控制发光二极管发射具有特定颜色的光。
数据驱动电路、驱动电压供应线和公共电压供应线等位于显示区域的外部的非显示区域中，以提供数据信号、驱动电压和公共电压等。
发明内容
一个或多个实施例提供了一种可以提供具有高质量的图像同时具有减小的无用空间的电子设备。然而，这些优点仅是说明性的，并且本公开的范围不由此被限制。
附加方面将在以下描述中被部分地阐述，并且部分地根据描述将变得明显，或者可以通过本公开的提出的实施例的实践而获知。
根据本公开的方面，一种显示面板包括：多个子像素电极；金属堤层，在所述多个子像素电极上，所述金属堤层包括在所述多个子像素电极上的开口以及在所述多个子像素电极中的两个相邻的子像素电极之间的凹槽，所述金属堤层在所述多个开口和所述凹槽中不存在；绝缘层，在所述多个子像素电极上且在所述子像素电极之间；桥接线，在所述两个相邻的子像素电极之间设置于所述绝缘层上，其中，所述桥接线与所述金属堤层包括相同的材料；中间层，在所述金属堤层的所述多个开口中位于所述多个子像素电极上；以及相对电极，在所述金属堤层的所述多个开口中设置在所述中间层上，其中，在平面图中，所述凹槽围绕所述桥接线的至少一部分。
所述相对电极可以与所述金属堤层的侧表面接触。
所述金属堤层和所述桥接线中的每一者可以包括具有不同组分的第一金属层和第二金属层。
所述金属堤层的所述第二金属层的一部分可以包括尖端，所述尖端从所述第二金属层的底表面和所述第一金属层的侧表面彼此接触的点朝向所述开口和所述凹槽中的每一者延伸。
所述凹槽在所述桥接线和所述金属堤层之间延伸。
所述显示面板还可以包括基底，所述基底包括透射区域和围绕所述透射区域的显示区域，并且所述桥接线可以设置为与所述透射区域相邻，并且可以围绕所述透射区域的至少一部分。
所述显示面板还可以包括：薄膜晶体管，电连接到发光二极管，其中，所述发光二极管包括所述多个子像素电极中的至少一个、所述中间层和所述相对电极；以及扫描线和数据线，被配置为将信号供应到所述薄膜晶体管，其中，所述扫描线可以在第一方向上延伸，并且所述数据线可以在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且所述桥接线可以电连接到所述数据线。
多条所述数据线中的一些数据线中的每一条可以被分成彼此间隔开的所述数据线的第一部分和所述数据线的第二部分且所述透射区域在所述数据线的所述第一部分和所述数据线的所述第二部分之间，并且所述桥接线可以被配置为将所述数据线的所述第一部分电连接到所述数据线的所述第二部分。
所述数据线和所述桥接线可以设置在不同的层上，并且所述数据线和所述桥接线可以经由(通过)在所述数据线和所述桥接线之间的绝缘层中的接触孔彼此连接。
所述接触孔可以设置在所述透射区域的周围。
所述显示面板还可以包括在(或介于)所述桥接线的一部分和所述数据线的一部分之间的导电金属，其中，所述桥接线的所述一部分和所述数据线的所述一部分可以通过所述导电金属彼此电连接。
所述桥接线可以包括在所述第一方向上延伸的水平桥接线以及在所述第二方向上延伸的竖直桥接线。
所述水平桥接线和所述竖直桥接线可以布置在所述同一层上，并且所述水平桥接线和所述竖直桥接线可以彼此一体形成。
所述显示面板还可以包括：第一无机封装层，被配置为覆盖所述金属堤层的所述开口的内表面的至少一部分；有机封装层，在所述第一无机封装层上；以及第二无机封装层，在所述有机封装层上，其中，所述绝缘层和所述有机封装层可以经由所述金属堤层中的所述凹槽彼此直接接触。
根据本公开的另一方面，一种电子设备包括：显示面板，包括透射区域和围绕所述透射区域的显示区域；以及组件，设置在所述显示面板的后表面上并且与所述透射区域对应，其中，所述显示面板包括：多个子像素电极；金属堤层，在所述多个子像素电极上，所述金属堤层包括在所述多个子像素电极上的多个开口以及在所述多个子像素电极中的两个相邻的子像素电极之间的凹槽，所述金属堤层在所述多个开口和所述凹槽中不存在；绝缘层，在所述多个子像素电极上并且在所述子像素电极之间；桥接线，在所述两个相邻的子像素电极之间设置于所述绝缘层上，其中，所述桥接线与所述金属堤层包括相同的材料；中间层，在所述金属堤层的所述开口中位于所述子像素电极上；以及相对电极，所述金属堤层的所述开口中设置在所述中间层上，其中，所述桥接线与所述金属堤层间隔开，且所述凹槽在所述桥接线和所述金属堤层之间。
所述相对电极可以与所述金属堤层的所述侧表面接触。
所述金属堤层和所述桥接线中的每一者可以包括具有不同组分的第一金属层和第二金属层，并且所述第二金属层的一部分可以包括尖端，所述尖端从所述第二金属层的底表面和所述第一金属层的侧表面彼此接触的点朝向所述开口和所述凹槽中的每一者延伸。
所述桥接线可以设置为与所述透射区域相邻，并且可以围绕所述透射区域的至少一部分。
所述显示面板还可以包括：薄膜晶体管，电连接到发光二极管，其中，所述发光二极管包括所述多个子像素电极中的至少一个、所述中间层和所述相对电极；以及扫描线和数据线，被配置为将信号供应到所述薄膜晶体管，其中，所述扫描线可以在第一方向上延伸，并且所述数据线可以在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且所述桥接线可以电连接到所述数据线。
多条所述数据线中的一些数据线中的每一条可以被分成彼此间隔开的所述数据线的第一部分和所述数据线的第二部分且所述透射区域在所述数据线的所述第一部分和所述数据线的所述第二部分之间，并且所述桥接线可以被配置为将所述数据线的所述第一部分电连接到所述数据线的所述第二部分。
所述数据线和所述桥接线可以设置在不同的层上，并且所述数据线和所述桥接线可以经由在所述数据线和所述桥接线之间的绝缘层中的接触孔彼此连接。
所述电子设备还可以包括在所述桥接线的一部分和所述数据线的一部分之间的导电金属，其中，所述桥接线的所述一部分和所述数据线的所述一部分可以通过所述导电金属彼此电连接。
所述桥接线可以包括在所述第一方向上延伸的水平桥接线以及在所述第二方向上延伸的竖直桥接线，并且所述水平桥接线和所述竖直桥接线可以设置在同一层上，并且所述水平桥接线和所述竖直桥接线可以彼此一体形成。
所述组件可以包括传感器或照相机。
附图说明
从以下结合附图所做的描述中，本公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1A和图1B是示意性地示出根据实施例的电子设备的透视图；
图2A和图2B是根据实施例的沿着图1A的线II-II’截取的电子设备的截面图；
图3是示意性地示出根据实施例的显示面板的平面图；
图4是示意性地示出图3的显示面板的侧视图；
图5是示意性地示出根据实施例的电连接到设置在显示面板中的发光二极管的子像素电路的等效电路图；
图6A至图6J是示意性地示出根据实施例的按照显示面板的制造工艺的状态的截面图；
图6K是示出根据实施例的发光二极管的堆叠结构的截面图；
图7是示意性地示出根据实施例的显示面板的包括透射区域和与透射区域相邻的显示区域的部分A的平面图；
图8是示出根据实施例的显示面板的一部分(其与图7的部分B对应)的平面图；
图9是沿着图8的线IX-IX’截取的显示面板的截面图；以及
图10是沿着图8的线X-X’截取的显示面板的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，在附图中，同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面，所呈现的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为局限于在本文中阐述的描述。因此，以下仅通过参照附图来描述实施例，以解释本描述的方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一者”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或它们的变体。
由于本公开的各种修改和各种实施例是可能的，因此在附图中示出了并且在详细的描述中详细地描述了具体实施例。参考以下结合附图详细地描述的实施例，本公开的效果和特征以及实现本公开的效果和特征的方法将变得明显。然而，本公开不限于在本文中公开的实施例，并且可以以各种形式实现。
在下文中，将参照附图详细地描述本公开的实施例，并且相同或对应的组件由相同的附图标记指代，并且给于相同的附图标记，并且将省略多余的说明。
在以下实施例中，第一和第二等的术语用于将一个组件与其它组件进行区分的目的，而不是限定意义。
在以下实施例中，除非上下文明显不同，否则单数形式的表述包括多种表达方式。
在以下实施例中，诸如“包括”或“具有”的术语旨在表示在说明书中描述的特征，而不排除存在一个或多个附加特征或组件的可能性。
在以下实施例中，当部分(诸如层、区或组件等)“在”其它部分“上”时，这表示部分彼此接触的可能性以及其它组件介于所述部分和所述其它部分之间的可能性。
在附图中，为了方便说明，可以夸大或缩小组件的尺寸。由于为了方便说明任意示出了在附图中所示的每个组件的尺寸和厚度，因此本公开不一定限于示图。
若公开了工艺，具体工艺不限于按照所描述的准确顺序被执行。例如，顺序地描述的两个工艺可以同时执行，或者以作为描述工艺所按的顺序的相反顺序的顺序执行。
在本说明书中，当层、区、组件等彼此连接时，所述层、所述区和所述组件可以彼此直接连接，和/或所述层、所述区和所述组件可以彼此间接连接且其它层、其它区和其它组件介于所述层、所述区和所述组件之间。例如，在本说明书中，当层、区、组件等彼此电连接时，所述层、所述区、所述组件等可以彼此直接电连接，而不具有居间层、区、组件，和/或所述层、所述区、所述组件等可以彼此间接电连接且其它层、其它区和其它组件介于所述层、所述区和所述组件之间。
图1A和图1B是示意性地示出根据实施例的电子设备的透视图。
参照图1A和图1B，根据实施例的电子设备1可以是用于显示移动图像或静止图像的设备，并且可以用作用于各种产品(例如，诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统和超移动PC(UMPC)等的便携式电子设备以及电视机、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(IOT)装置等)的屏幕显示器。另外，根据实施例的电子设备1可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜式显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置。另外，根据实施例的电子设备1可以用作车辆的仪表板、和设置在车辆的中控台或仪表盘上的中央信息显示器(CID)、用于替换车辆的侧视镜的后视镜显示器以及设置在前排座椅的背面上的显示器。在下文中，为了方便说明，根据实施例的电子设备1用作智能电话。
在本说明书的平面图中，“左”、“右”、“上”和“下”表示当从参照图1A中描绘的定向的顶表面(也被称为“前面/正面”)观察电子设备1时的方向。例如，“左”是指-x方向，“右”表示+x方向，“上”是指+y方向，以及“下”表示-y方向。z方向将是厚度方向。
电子设备1在平面图中可以具有矩形形状。例如，如图1A和图1B中所示，电子设备1可以具有具备在x方向上的短边以及在y方向上的长边的矩形平面形状。在x方向上的短边与在y方向上的长边相交的角部可以以直角形成，或者被倒圆以具有特定曲率。电子设备1的平面形状不限于矩形，并且可以形成为其它多边形形状、椭圆形形状或非典型形状。
电子设备1可以在显示区域DA内部包括至少一个透射区域TA。图1A和图1B示出了一个透射区域TA，但电子设备1可以包括两个或更多个透射区域TA。透射区域TA可以被显示区域DA完全围绕。透射区域TA可以是其中布置将要参照图2在下文描述的组件的区域，并且电子设备1可以通过使用所述组件具有各种功能。
在图1A中，当从前面观察时，透射区域TA设置在左上侧，但实施例不限于此。根据另一实施例，如图1B中所示，透射区域TA可以布置在上侧的中央。可替代地，根据另一实施例，透射区域TA可以被不同地定位为设置在显示区域DA的右上侧或在显示区域DA的中心处。
显示区域DA可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个子像素发射的光来提供(或显示)特定图像。每个子像素可以包括发射特定颜色的光的显示元件。例如，发射红光、绿光或蓝光的显示元件可以在x方向和y方向上被二维地布置，并且显示图像的显示区域DA可以被限定。
非显示区域NDA可以是其中未布置子像素的区域，并且可以包括用于围绕透射区域TA的第一非显示区域NDA1和用于围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以设置在透射区域TA和显示区域DA之间，并且第二非显示区域NDA2可以在显示区域DA外部。
图2A和图2B是根据实施例的沿着图1A的线II-II’截取的电子设备的截面图。图2A和图2B示出了沿着图1A的线II-II’截取的截面，但图1B的截面结构可以具有与图2A和图2B中描述的结构相同的结构。
参照图2A和图2B，电子设备1可以包括具有一个开放侧并且在其内具有空间的壳HS。壳HS的一个开放侧可以耦接到窗60。
显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以布置在窗60的后表面上，并且组件20可以布置在显示面板10的后表面上。
组件20可以是使用光或声音的电子元件。电子元件可以包括用于测量距离的传感器(诸如接近度传感器)、用于识别用户的身体的部分(例如，指纹、虹膜、面部等)的传感器、用于输出光的小灯或照相机。使用光的电子元件可以使用具有各种波段的光(诸如可见光、红外线或紫外线)。使用声音的电子元件可以使用超声波或具有不同频段的声音。
显示面板10可以显示图像。显示面板10可以通过使用布置在显示区域DA中的显示元件来显示图像。显示面板10可以是包括发光二极管的发光显示面板。发光二极管可以包括包含有机发光层的有机发光二极管。在一些实施例中，发光二极管可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含基于无机材料半导体的材料的PN结二极管。当电压在正向方向上被施加到PN结二极管时，空穴和电子被注入，并且通过空穴和电子的复合产生的能量被转换成光能，以发射特定颜色的光。以上描述的无机发光二极管可以具有几微米到几百微米或者几纳米到几百纳米的宽度，并且在一些实施例中，无机发光二极管可以被称为微型发光二极管。发光二极管的发光层可以包括以上描述的有机材料或无机材料。然而，在另一实施例中，发光二极管的发光层可以包括量子点。换句话说，发光二极管可以是量子点发光二极管。
显示面板10可以是具有刚度并且不容易弯折的刚性显示面板，或者具有柔性并且容易弯折、折叠或卷曲的柔性显示面板。例如，显示面板10可以是可以折叠和展开的可折叠显示面板、显示表面弯曲的弯曲显示面板、除了显示表面之外的区域弯折的弯折显示面板、可以卷曲或展开的可卷曲显示面板、以及可拉伸显示面板。
输入感测层40可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极或触摸电极以及连接到感测电极或触摸电极的迹线(trace lines)。输入感测层40可以设置在显示面板10上。输入感测层40可以使用互电容方法或/和自电容方法感测外部输入。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上。例如，输入感测层40可以在执行了形成显示面板10的工艺之后连续地形成。在这种情况下，粘合剂层可以不设置在输入感测层40和显示面板10之间。可替代地，输入感测层40可以通过使用单独形成的粘合剂层耦接到显示面板10。粘合剂层可以包括光学透明粘合剂。
光学功能层50可以包括防反射层。防反射层可以降低经由窗60从外部朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。防反射层可以包括延迟器和偏振器。
在另一实施例中，防反射层可以包括黑色矩阵和滤色器。可以考虑从显示面板10的子像素发射的光的颜色来布置滤色器。在另一实施例中，防反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在不同的层中的第一反射层和第二反射层。被第一反射层和第二反射层分别反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，从而降低外部光反射率。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以改善从显示面板10发射的光的发射效率或可以减小颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层，和/或可以包括具有不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括以上描述的防反射层和透镜层中的全部，或者可以包括以上描述的防反射层和透镜层中的一者。
光学功能层50可以经由包括诸如光学透明粘合剂的粘合剂层OCA耦接到窗60。
在一些实施例中，显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50可以包括位于透射区域TA中的通孔。在这方面，图2A示出显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的每一者分别包括第一通孔10H、第二通孔40H和第三通孔50H。第一通孔10H可以从显示面板10的上表面朝向显示面板10的下表面穿过显示面板10，并且第二通孔40H可以从输入感测层40的上表面朝向输入感测层40的下表面穿过输入感测层40，并且第三通孔50H可以从光学功能层50的上表面朝向光学功能层50的下表面穿过光学功能层50。
在一些实施例中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的至少一者可以不包括通孔。例如，从由显示面板10、输入感测层40和光学功能层50组成的组选择的一个或两个可以不包括通孔。可替代地，如果可以确保透射区域TA的透射率，则如图2B中所示，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的每一者可以不包括位于透射区域TA中的通孔。在这种情况下，可以省略在透射区域TA周围的第一非显示区域NDA1。换句话说，透射区域TA可以被显示区域DA围绕，并且透射区域TA和显示区域DA之间的第一非显示区域NDA1可以不存在。
图3是示意性地示出根据实施例的显示面板的平面图，以及图4是示意性地示出图3的显示面板的侧视图。
参照图3，显示面板10可以包括透射区域TA、显示区域DA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。显示面板10的形状可以与基底100的形状基本相同。
透射区域TA可以在显示区域DA内部，并且可以被显示区域DA完全围绕。如图3中所示，透射区域TA可以在显示区域DA的上侧的中心处。在另一实施例中，透射区域TA可以在各种位置处(诸如在显示区域DA的左上侧处或右上侧处)。
第一非显示区域NDA1可以在透射区域TA和显示区域DA之间，并且可以完全围绕透射区域TA。如以上参照图2A描述的，当显示面板10包括位于透射区域TA中的第一通孔(参见图2A的第一通孔10H)时，可以设置用于防止可能经由第一通孔10H引入的水分流入到显示区域DA中的结构。例如，由有机材料形成的层(例如，稍后将描述的第一功能层和第二功能层)可以连续地形成在显示区域DA中，以完全覆盖显示区域DA，但是可以不连续地形成在第一非显示区域NDA1中。例如，由有机材料形成的层(例如，将要在下文描述的第一功能层和第二功能层)可以包括布置在第一非显示区域NDA1中并且彼此分开的多个部分。
显示面板10的部分层(例如，将要在下文描述的第二电极(例如，阴极))可以连续地形成在显示区域DA中以完全覆盖显示区域DA，但是与透射区域TA对应的部分可以被去除以提高透射区域TA的透射率。在一些实施例中，如以上参照图2B描述的，当显示面板10不包括第一通孔10H(参见图2A)时，被包括在显示面板10中的多个层中的一个(例如，将要在下文描述的第二电极(例如，阴极))可以包括位于透射区域TA中的开口(或通孔)，并且因此可以提高透射率。
显示区域DA可以是显示图像的部分，并且显示区域DA可以具有诸如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状和特定图形形状等各种形状。在图1中，显示区域DA具有近似矩形形状。然而，在另一实施例中，显示区域DA可以具有带有弧形边缘的近似矩形形状。
发光二极管LED可以布置在显示区域DA中。发光二极管LED可以电连接到布置在显示区域DA中的子像素电路PC。子像素电路PC可以包括连接到用于控制发光二极管LED的导通/截止和亮度的信号线或电压线的晶体管。在这方面，图3示出了扫描线SL、发射控制线EL和数据线DL作为电连接到晶体管的信号线，并且示出了驱动电压线VDDL、公共电压线VSSL、第一初始化电压线INL1和第二初始化电压线INL2作为电压线。
第二非显示区域NDA2可以在显示区域DA外部。第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。第二非显示区域NDA2的一部分(在下文中，被称为突出外围区域)可以在远离显示区域DA的方向上延伸。换句话说，显示面板10可以包括包含透射区域TA、第一非显示区域NDA1、显示区域DA和第二非显示区域NDA2的用于围绕显示区域DA的部分的主区MR以及在一个方向上从主区MR延伸的子区SR，并且子区SR可以与以上描述的突出外围区域对应。子区SR的宽度(在x方向上的宽度)可以小于主区MR的宽度(在x方向上的宽度)，并且子区SR的一部分可以如图4中所示弯折。当显示面板10如图4中所示弯折时，并且当观察包括显示面板10的电子设备(图1A的电子设备1等)时，作为非显示区域的第二非显示区域NDA2可以不可见，或者，即使第二非显示区域NDA2是可见的，可见区域也可以被最小化。
显示面板10的形状可以与基底100的形状基本相同。例如，基底100可以包括透射区域TA、第一非显示区域NDA1、显示区域DA和第二非显示区域NDA2。可替代地，基底100可以包括主区MR和子区SR。
如图3中所示，公共电压供应线1000、驱动电压供应线2000、第一驱动电路3031、第二驱动电路3032和数据驱动电路4000可以设置在第二非显示区域NDA2中。
公共电压供应线1000可以包括布置为与显示区域DA的第一边缘E1相邻的第一公共电压输入单元(部分)1011、第二公共电压输入单元(部分)1012和第三公共电压输入单元(部分)1014。在实施例中，第一公共电压输入单元1011和第二公共电压输入单元1012可以与显示区域DA的第一边缘E1相邻，并且第一公共电压输入单元1011和第二公共电压输入单元1012可以彼此间隔开。第三公共电压输入单元1014可以与显示区域DA的第一边缘E1相邻，并且可以设置在第一公共电压输入单元1011和第二公共电压输入单元1012之间。
第一公共电压输入单元1011和第二公共电压输入单元1012可以通过沿着显示区域DA的第二边缘E2、第三边缘E3和第四边缘E4延伸的主体部分1013彼此连接。换句话说，第一公共电压输入部分1011、第二公共电压输入部分1012和主体部分1013可以彼此一体形成。可替代地，公共电压供应线1000可以具有一侧开放的环形形状，并且公共电压供应线1000的两端可以分别与第一公共电压输入单元1011和第二公共电压输入部分1012对应，并且第一公共电压输入部分1011和第二公共电压输入部分1012之间的空间可以与主体部分1013对应。
第一辅助公共电压供应线1021和第二辅助公共电压供应线1022可以设置在第二非显示区域NDA2中。第一辅助公共电压供应线1021和第二辅助公共电压供应线1022中的每一者可以是从公共电压供应线1000延伸的一种分支。
第一辅助公共电压供应线1021可以电连接到公共电压供应线1000，并且可以沿着显示区域DA的第二边缘E2延伸。第一辅助公共电压供应线1021可以设置在将要在下文描述的第一驱动电路3031和显示区域DA的第二边缘E2之间。
第二辅助公共电压供应线1022可以电连接到公共电压供应线1000，并且可以沿着显示区域DA的第四边缘E4延伸。第二辅助公共电压供应线1022可以设置在将要在下文描述的第二驱动电路3032和显示区域DA的第四边缘E4之间。公共电压供应线1000、第一辅助公共电压供应线1021和第二辅助公共电压供应线1022可以电连接到穿过显示区域DA的公共电压线VSSL。设置在显示区域DA中的公共电压线VSSL可以延伸以彼此交叉。例如，公共电压线VSSL可以包括在y方向上延伸的公共电压线以及在x方向上延伸的公共电压线。在下文中，为了方便起见，“在y方向上延伸的公共电压线”被称为竖直公共电压线VSL，并且“在x方向上延伸的公共电压线”被称为水平公共电压线HSL。
竖直公共电压线VSL和水平公共电压线HSL可以穿过显示区域DA以彼此交叉。竖直公共电压线VSL和水平公共电压线HSL可以设置在不同的层中。
竖直公共电压线VSL可以电连接到公共电压供应线1000。多条竖直公共电压线VSL中的每一条的一端可以连接到主体部分1013，并且多条竖直公共电压线VSL中的每一条的另一端可以连接到第一公共电压输入部分1011、第二公共电压输入部分1012或第三公共电压输入部分1014。
水平公共电压线HSL可以电连接到第一辅助公共电压供应线1021和第二辅助公共电压供应线1022。多条水平公共电压线HSL中的每一条的一端可以连接到第一辅助公共电压供应线1021，并且多条水平公共电压线HSL中的每一条的另一端可以连接到第二辅助公共电压供应线1022。
在一些实施例中，竖直公共电压线VSL和水平公共电压线HSL可以经由介于竖直公共电压线VSL和水平公共电压线HSL之间的至少一个绝缘层中的接触孔彼此电连接。用于连接竖直公共电压线VSL和水平公共电压线HSL的接触孔可以位于显示区域DA中。例如，用于连接竖直公共电压线VSL和水平公共电压线HSL的接触孔可以布置在显示区域DA的部分区域中，所述部分区域被定位在显示区域DA的第一边缘E1和透射区域TA之间。在另一实施例中，在显示区域DA中的竖直公共电压线VSL和水平公共电压线HSL可以不在显示区域DA中彼此接触。
驱动电压供应线2000可以包括彼此间隔开的第一驱动电压输入部分2021和第二驱动电压输入部分2022，且显示区域DA在第一驱动电压输入部分2021和第二驱动电压输入部分2022之间。第一驱动电压输入部分2021和第二驱动电压输入部分2022可以彼此基本平行地延伸，且显示区域DA在第一驱动电压输入部分2021和第二驱动电压输入部分2022之间。第一驱动电压输入部分2021可以设置为与显示区域DA的第一边缘E1相邻，并且第二驱动电压输入部分2022可以设置为与显示区域DA的第三边缘E3相邻。
驱动电压供应线2000可以电连接到穿过显示区域DA的驱动电压线VDDL。设置在显示区域DA中的驱动电压线VDDL可以延伸以彼此交叉。例如，驱动电压线VDDL可以包括在y方向上延伸的驱动电压线以及在x方向上延伸的驱动电压线。在下文中，为了方便起见，“在y方向上延伸的驱动电压线”被称为竖直驱动电压线VDL，并且“在x方向上延伸的驱动电压线”被称为水平驱动电压线HDL。
竖直驱动电压线VDL和水平驱动电压线HDL可以穿过显示区域DA以彼此交叉。竖直驱动电压线VDL和水平驱动电压线HDL可以设置在不同的层上，并且竖直驱动电压线VDL和水平驱动电压线HDL可以经由形成在设置于竖直驱动电压线VDL和水平驱动电压线HDL之间的至少一个绝缘层中的接触孔彼此连接。用于连接竖直驱动电压线VDL和水平驱动电压线HDL的接触孔可以位于显示区域DA中。
第一驱动电路3031和第二驱动电路3032可以设置在第二非显示区域NDA2中，并且第一驱动电路3031和第二驱动电路3032可以电连接到扫描线SL和发射控制线EL。在实施例中，多条扫描线SL的一些扫描线SL(例如，布置在透射区域TA的左边的扫描线SL)可以电连接到第一驱动电路3031，并且多条扫描线SL的其它扫描线SL(例如，布置在透射区域TA的右边的扫描线SL)可以电连接到第二驱动电路3032。第一驱动电路3031和第二驱动电路3032可以包括用于产生扫描信号的扫描驱动部分，并且所产生的扫描信号可以经由扫描线SL传输到子像素电路PC的一个晶体管。第一驱动电路3031和第二驱动电路3032可以包括用于产生发射控制信号的发射控制驱动部分，并且所产生的发射控制信号可以经由发射控制线EL传输到子像素电路PC的一个晶体管。
数据驱动电路4000可以经由穿过显示区域DA的数据线DL将数据信号传输到子像素电路PC的一个晶体管。
第一端子部分TD1可以位于基底100的一侧处。印刷电路板5000可以附接到第一端子部分TD1。印刷电路板5000可以包括电连接到第一端子部分TD1的第二端子部分TD2，并且控制器6000可以设置在印刷电路板5000上。控制器6000的控制信号可以经由第一端子部分TD1和第二端子部分TD2被提供到第一驱动电路3031和第二驱动电路3032、数据驱动电路4000、驱动电压供应线2000和公共电压供应线1000。
图5是示意性地示出根据实施例的电连接到设置在显示面板中的发光二极管的子像素电路的等效电路图。
如图5中所示，子像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst。子像素电路PC可以电连接到图3中示出的发光二极管LED。在下文中，为了方便说明，发光二极管LED是有机发光二极管OLED。
多个薄膜晶体管T1至T7可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、公共晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7。
发光二极管LED(例如，有机发光二极管OLED)可以包括第一电极(例如，阳极)和第二电极(例如，阴极)，并且有机发光二极管OLED的第一电极可以经由发射控制晶体管T6连接到驱动晶体管T1以接收驱动电流Id，并且有机发光二极管OLED的第二电极可以接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以产生具有与驱动电流Id对应的亮度的光。
多个薄膜晶体管T1至T7可以是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(PMOS)。在另一实施例中，多个薄膜晶体管T1至T7中的一些晶体管可以是N沟道MOSFET(NMOS)，并且多个薄膜晶体管T1至T7中的其它晶体管可以是PMOS。例如，多个薄膜晶体管T1至T7中的补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可以是NMOS，并且多个薄膜晶体管T1至T7中的其它晶体管可以是PMOS。多个薄膜晶体管T1至T7中的补偿晶体管T3可以是NMOS，并且多个薄膜晶体管T1至T7中的其它晶体管可以是PMOS。可替代地，多个薄膜晶体管T1至T7中的所有晶体管都可以是NMOS。多个薄膜晶体管T1至T7可以包括非晶硅或多晶硅。必要时，作为NMOS的薄膜晶体管可以包括氧化物半导体。
子像素电路PC可以电连接到用于传输扫描信号Sn的扫描线SL、用于将前一扫描信号Sn-1传送(或传输)到第一初始化晶体管T4的前一扫描线SL-1以及用于将后一扫描信号Sn+1传送到第二初始化晶体管T7的后一扫描线SL+1。
子像素电路PC可以电连接到用于将发射控制信号En传输到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6的发射控制线EL以及用于传输数据信号Dm的数据线DL。
驱动电压线VDDL(例如，竖直驱动电压线VDL)可以将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1，第一初始化电压线INL1可以传输用于初始化驱动晶体管T1的第一初始化电压Vint1，并且第二初始化电压线INL2可以传输用于初始化有机发光二极管OLED的第一电极的第二初始化电压Vint2。
驱动晶体管T1的驱动栅极电极可以经由第二节点N2连接到存储电容器Cst，并且驱动晶体管T1的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以经由第一节点N1通过操作控制晶体管T5连接到竖直驱动电压线VDL，并且驱动晶体管T1的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以经由第三节点N3通过发射控制晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极)。驱动晶体管T1可以根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且可以将驱动电流供应到有机发光二极管OLED。也就是说，驱动晶体管T1可以响应于通过数据信号Dm改变的被施加到第二节点N2的电压控制从电连接到竖直驱动电压线VDL的第一节点N1流向有机发光二极管OLED的电流的量。
开关晶体管T2的开关栅极电极可以连接到用于传输扫描信号Sn的扫描线SL，并且开关晶体管T2的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以连接到数据线DL，并且开关晶体管T2的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以经由第一节点N1连接到驱动晶体管T1并且可以通过操作控制晶体管T5连接到竖直驱动电压线VDL。开关晶体管T2可以响应于被施加到扫描线SL上的电压将数据信号Dm从数据线DL传输到第一节点N1。也就是说，开关晶体管T2可以响应于经由扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且可以执行用于经由第一节点N1将被传输到数据线DL的数据信号Dm传输到驱动晶体管T1的开关操作。
补偿晶体管T3的补偿栅极电极可以连接到扫描线SL。补偿晶体管T3的源极电极(源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以经由第三节点N3通过发射控制晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的第一电极。补偿晶体管T3的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以经由第二节点N2连接到存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和驱动晶体管T1的驱动栅极电极。补偿晶体管T3可以响应于经由扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且可以使驱动晶体管T1二极管式连接。
第一初始化晶体管T4的第一初始化栅极电极可以连接到前一扫描线SL-1。第一初始化晶体管T4的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以连接到第一初始化电压线INL1。第一初始化晶体管T4的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以经由第二节点N2连接到存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和驱动晶体管T1的驱动栅极电极。第一初始化晶体管T4可以响应于被施加到前一扫描线SL-1的电压将第一初始化电压Vint1从第一初始化电压线INL1施加到第二节点N2。也就是说，第一初始化晶体管T4可以响应于经由前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以执行通过将第一初始化电压Vint1传输到驱动晶体管T1的驱动栅极电极来初始化驱动晶体管T1的驱动栅极电极的电压的初始化操作。
操作控制晶体管T5的操作控制栅极电极可以连接到发射控制线EL，并且操作控制晶体管T5的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以连接到竖直驱动电压线VDL，并且操作控制晶体管T5的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以经由第一节点N1连接到驱动晶体管T1和开关晶体管T2。
发射控制晶体管T6的发射控制栅极电极可以连接到发射控制线EL，并且发射控制晶体管T6的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以经由第三节点N3连接到驱动晶体管T1和补偿晶体管T3，并且发射控制晶体管T6的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以电连接到有机发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极)。
操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以响应于经由发射控制线EL传输的发射控制信号En而同时导通，使得驱动电压ELVDD可以被传输到有机发光二极管OLED，并且驱动电流Id可以流过有机发光二极管OLED。
第二初始化晶体管T7的第二初始化栅极电极可以连接到后一扫描线SL+1，并且第二初始化晶体管T7的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以连接到有机发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极)，并且第二初始化晶体管T7的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以连接到第二初始化电压线INL2并且可以接收第二初始化电压Vint2。第二初始化晶体管T7可以响应于经由后一扫描线SL+1传输的后一扫描信号Sn+1而导通，并且可以初始化有机发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极)。
图5示出了第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7分别连接到前一扫描线SL-1和后一扫描线SL+1，并且实施例不限于此。在另一实施例中，第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7全部可以连接到前一扫描线SL-1，并且第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7可以响应于前一扫描信号Sn-1而被驱动。
存储电容器Cst可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。存储电容器Cst的第一电容器电极CE1可以经由第二节点N2连接到驱动晶体管T1的驱动栅极电极，并且存储电容器Cst的第二电容器电极CE2可以连接到竖直驱动电压线VDL。与驱动电压ELVDD和驱动晶体管T1的驱动栅极电极电压之间的差对应的电荷可以被存储在存储电容器Cst中。
图6A至图6J是示意性地示出根据实施例的按照显示面板的制造工艺的状态的截面图，以及图6K是示出根据实施例的发光二极管的堆叠结构的截面图。
参照图6A，子像素电路PC可以形成在基底100上。基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。基底100可以包括其中堆叠了包括聚合物树脂的基体层和无机阻挡层的结构。聚合物树脂可以是聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)和醋酸纤维素丙酸酯(CAP)。
缓冲层101可以设置在基底100的上表面。缓冲层101可以被配置为防止杂质渗透到晶体管中的半导体层。缓冲层101可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上描述的无机绝缘材料的单个层或多层结构。
子像素电路PC可以布置在缓冲层101上。如以上在图5中描述的，子像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst。在实施例中，图6A示出了子像素电路PC的驱动晶体管T1、发射控制晶体管T6和存储电容器Cst。
驱动晶体管T1可以包括在缓冲层101上的第一半导体层A1以及与第一半导体层A1的沟道区重叠的第一栅极电极G1。第一半导体层A1可以包括硅基半导体材料(例如，多晶硅)。第一半导体层A1可以包括沟道区以及在沟道区的两侧处的第一区和第二区。第一区和第二区可以是包括具有比沟道区的浓度高的浓度的杂质的区，并且第一区和第二区中的一者可以与源极区对应，并且第一区和第二区中的另一者可以与漏极区对应。
发射控制晶体管T6可以包括在缓冲层101上的第六半导体层A6以及与第六半导体层A6的沟道区重叠的第六栅极电极G6。第六半导体层A6可以包括硅基半导体材料(例如，多晶硅)。第六半导体层A6可以包括沟道区以及在沟道区的两侧处的第一区和第二区。第一区和第二区可以是包括具有比沟道区的浓度高的浓度的杂质的区，并且第一区和第二区中的一者可以与源极区对应，并且第一区和第二区中的另一者可以与漏极区对应。
第一栅极电极G1和第六栅极电极G6可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等的导电材料，并且第一栅极电极G1和第六栅极电极G6可以具有包括以上描述的材料的单个层或多层结构。用于将第一半导体层A1和第六半导体层A6电绝缘的第一栅极绝缘层103可以设置在第一栅极电极G1和第六栅极电极G6的下面。第一栅极绝缘层103可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上描述的无机绝缘材料的单个层或多层结构。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。在实施例中，存储电容器Cst的第一电容器电极CE1可以包括第一栅极电极G1。换句话说，第一栅极电极G1可以包括存储电容器Cst的第一电容器电极CE1。例如，第一栅极电极G1和存储电容器Cst的第一电容器电极CE1可以彼此一体形成。
第一层间绝缘层105可以设置在存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2之间。第一层间绝缘层105可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上描述的无机绝缘材料的单个层或多层结构。
存储电容器Cst的第二电容器电极CE2可以包括诸如Mo、Al、Cu和/或Ti的低电阻导电材料，并且可以包括由以上描述的材料形成的单个层或多层结构。
第二层间绝缘层107可以设置在存储电容器Cst上。第二层间绝缘层107可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上描述的无机绝缘材料的单个层或多层结构。
电连接到驱动晶体管T1的第一半导体层A1的源极电极S1和/或漏极电极D1可以设置在第二层间绝缘层107上。电连接到发射控制晶体管T6的第六半导体层A6的源极电极S6和/或漏极电极D6可以设置在第二层间绝缘层107上。源极电极S1和S6和/或漏极电极D1和D6可以包括Al、Cu和/或Ti，并且源极电极S1和S6和/或漏极电极D1和D6可以具有包括以上描述的材料的单个层或多层结构。
第一有机绝缘层109可以设置在子像素电路PC上。第一有机绝缘层109可以包括诸如亚克力(acryl)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅醚(HMDSO)的有机绝缘材料。
连接金属CM可以设置在第一有机绝缘层109上。连接金属CM可以包括Al、Cu和/或Ti，并且可以具有包括以上描述的材料的单个层或多层结构。
第二有机绝缘层111可以设置在连接金属CM和子像素电极210之间。第二有机绝缘层111可以包括诸如亚克力、BCB、聚酰亚胺或HMDSO的有机绝缘材料。根据通过参照图6A描述的实施例，子像素电路PC和子像素电极210可以经由连接金属CM彼此电连接。然而，根据另一实施例，连接金属CM可以被省略，并且一个有机绝缘层可以设置在子像素电路PC和子像素电极210之间。可替代地，三个或更多个有机绝缘层可以设置在子像素电路PC和子像素电极210之间，并且子像素电路PC和子像素电极210可以通过多个连接金属彼此电连接。
子像素电极210可以形成在第二有机绝缘层111上。子像素电极210也可以形成为(半)透明电极或反射电极。当子像素电极210形成为(半)透明电极时，子像素电极210可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)形成。当子像素电极210形成为反射电极时，反射层由银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物形成，并且由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层可以形成在反射层上。在实施例中，子像素电极210可以具有其中顺序地堆叠ITO层、Ag层和ITO层的结构。子像素电极210可以经由第二有机绝缘层111中的接触孔电连接到连接金属CM。
保护层113可以形成在子像素电极210上。保护层113可以与子像素电极210一起形成。例如，子像素电极210和保护层113可以使用相同的掩模形成。保护层113可以被配置为防止子像素电极210被包括在显示面板的制造工艺中的各种蚀刻工艺或灰化工艺中使用的气态材料或液态材料损坏。保护层113可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺氟氧化锡(FTO)的导电氧化物。
参照图6B，绝缘层115可以形成在图6A中所示的结构上。绝缘层115可以完全形成在基底100上。例如，绝缘层115可以与子像素电极210和保护层113重叠，并且可以与第二有机绝缘层111的其上不存在子像素电极210和保护层113的上表面直接接触。绝缘层115可以被配置为覆盖子像素电极210和保护层113中的每一者的侧表面。绝缘层115可以包括无机绝缘材料。与绝缘层115包括有机绝缘材料的情况相比，当绝缘层115包括无机绝缘材料时，可以防止发光二极管的质量在显示面板的制造工艺期间由于从作为有机绝缘材料的绝缘层释放的气体而劣化。
绝缘层115可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上描述的无机绝缘材料的单个层或多层结构。在实施例中，绝缘层115可以具有氧化硅层和氮化硅层的双层结构。氧化硅层的厚度可以小于氮化硅层的厚度。在一些实施例中，绝缘层115的厚度可以大于保护层113的厚度。例如，绝缘层115的厚度可以是大约并且保护层113的厚度可以是大约/>然而，实施例不限于此。
参照图6C，金属堤层300可以形成在图6B中所示的绝缘层115上。金属堤层300可以包括第一金属层310和在第一金属层310上的第二金属层320。
第一金属层310和第二金属层320可以具有不同的组分。例如，第一金属层310和第二金属层320可以包括不同的金属。例如，第一金属层310和第二金属层320可以包括具有不同蚀刻选择性的金属。在实施例中，第一金属层310可以是包括Al的层，并且第二金属层320可以是包括Ti的层。
第一金属层310的厚度可以大于第二金属层320的厚度。在实施例中，第一金属层310的厚度可以是第二金属层320的厚度的大约5倍。在另一实施例中，第一金属层310的厚度可以是第二金属层320的厚度的大约6倍、大约7倍或大约8倍。在实施例中，第一金属层310的厚度可以是大约至大约/>并且第二金属层320的厚度可以是大约至大约/>第一金属层310的厚度可以是绝缘层115的厚度的大约4倍、大约5倍或大约6倍。
参照图6D，光致抗蚀剂PR可以形成在金属堤层300上。光致抗蚀剂PR可以包括与子像素电极210和保护层113重叠的开口。金属堤层300的上表面的一部分可以经由光致抗蚀剂PR的开口被暴露。
参照图6E，金属堤层300的一部分(例如，第二金属层320的一部分和第一金属层310的一部分)可以通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模而被去除。例如，第二金属层320的一部分和第一金属层310的一部分可以经由光致抗蚀剂PR的开口被顺序地去除。第二金属层320的一部分和第一金属层310的一部分可以经由干式蚀刻被去除。在蚀刻工艺期间，绝缘层115和保护层113可以保护在它们下面的子像素电极210。
通过使用蚀刻工艺，与子像素电极210和保护层113重叠并且从第二金属层320的上表面穿过底表面的开口320OP1可以形成在第二金属层320中。与子像素电极210和保护层113重叠并且从第一金属层310的上表面穿过底表面的开口310OP1可以形成在第一金属层310中。
参照图6F，具有底切形状的开口OP可以通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模形成在金属堤层300中。开口OP中没有金属堤层300的材料。
例如，可以使用光致抗蚀剂PR作为掩模进一步蚀刻第一金属层310的一部分，并且可以在第一金属层310中形成开口310OP2，开口310OP2具有比在以上描述的图6E的工艺中形成的第一金属层310的开口310OP1的宽度大的宽度。在一些实施例中，第一金属层310的开口310OP2可以具有其宽度朝向其下部减小的形状。例如，第一金属层310的开口310OP2的上部的宽度可以大于第一金属层310的开口310OP2的下部的宽度。换句话说，第一金属层310的朝向开口310OP2的侧表面可以包括向下渐缩的倾斜表面。
在一些实施例中，可以经由湿蚀刻在金属堤层300中形成具有底切形状的开口OP。例如，可以经由湿蚀刻形成第一金属层310的开口310OP2。因为第一金属层310和第二金属层320包括具有不同蚀刻选择性的金属，所以可以在湿蚀刻工艺中去除第一金属层310的一部分，并且可以形成第一金属层310的具有比第二金属层320的开口320OP1的宽度大的宽度的开口310OP2。在形成第一金属层310的开口310OP2的蚀刻工艺中，绝缘层115和保护层113可以被配置为保护在它们下面的子像素电极210。
因为第一金属层310的开口310OP2在与第二金属层320的开口320OP1重叠的同时具有大直径，所以第二金属层320可以具有第一尖端PT1。
第二金属层320的限定第二金属层320的开口320OP1的一部分可以从点CP朝向开口320OP1突出，并且可以具有底切结构，点CP面向第一金属层310的开口310OP2，并且在点CP处，第一金属层310的侧表面和第二金属层320的底表面彼此相交。第二金属层320的朝向开口320OP1进一步突出的部分可以与第一尖端PT1对应。第一尖端PT1的长度(例如，从以上描述的点CP到第一尖端PT1的边缘(或侧表面)的长度a)可以是大约2μm或更小。在一些实施例中，第二金属层320的第一尖端PT1的长度可以是大约0.3μm至大约1μm，或者大约0.3μm至大约0.7μm。
向下渐缩的第一金属层310的面向第一金属层310的开口310OP2的侧表面的倾斜角(例如，第一金属层310的侧表面相对于与基底100的上表面平行的假想线IML的倾斜角θ)可以大于或等于大约60°且小于大约90°。
参照图6G，可以使用光致抗蚀剂PR作为掩模去除绝缘层115的一部分。可以经由干蚀刻去除绝缘层115的一部分。绝缘层115的开口115OP1的宽度可以与光致抗蚀剂PR的开口区的宽度和/或与金属堤层300的开口OP的上宽度(例如，第二金属层320的开口320OP1(参见图6F)的宽度)基本相同。
例如，绝缘层115的开口115OP1的宽度可以小于第一金属层310的开口310OP2的下部的宽度。第一金属层310的侧表面的下部(例如，第一金属层310的侧表面和底表面彼此相交的点)可以接触绝缘层115的上表面。
参照图6H，可以使用光致抗蚀剂PR作为掩模去除保护层113的一部分。可以使用湿蚀刻去除保护层113的一部分，并且可以经由保护层113的开口113OP1暴露子像素电极210。通过去除保护层113的一部分形成的保护层113的开口113OP1的宽度可以大于绝缘层115的开口115OP1的宽度。换句话说，用于限定保护层113的开口113OP1的保护层113的边缘(或侧表面)可以位于绝缘层115的下面。
随后，可以去除光致抗蚀剂PR。
参照图6I，中间层220和相对电极230可以形成在图6H的从其去除了光致抗蚀剂PR的结构上，以与子像素电极210重叠。子像素电极210、中间层220和相对电极230的堆叠结构可以与发光二极管ED(例如，图3中所示的发光二极管LED或图5中所示的有机发光二极管OLED)对应。在一些实施例中，中间层220和相对电极230可以经由诸如热沉积方法的沉积方法形成。
如图6K中所示，中间层220可以包括发光层222。中间层220可以包括介于子像素电极210和发光层222之间和/或介于发光层222和相对电极230之间的公共层。在下文中，子像素电极210和发光层222之间的公共层被称为第一公共层221，并且发光层222和相对电极230之间的公共层被称为第二公共层223。
发光层222可以包括发射特定颜色(红色、绿色或蓝色)的光的低分子量有机材料或高分子量有机材料。在另一实施例中，发光层222可以包括无机材料或量子点。
第一公共层221可以包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。
第二公共层223可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
第一公共层221和第二公共层223可以包括有机材料。
中间层220可以具有包括单个发光层的单个堆叠结构或具备包括多个发光层的多堆叠结构的级联结构。当中间层220具有串联(tandem)结构时，电荷发生层(CGL)可以设置在多个堆叠之间。
相对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极230可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的合金的(半)透明层。可替代地，相对电极230还可以包括在以上描述的材料的(半)透明层上的包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
返回参照图6I，中间层220可以经由金属堤层300的开口OP、绝缘层115的开口115OP1和保护层113的开口113OP1与子像素电极210重叠并且接触。发光二极管ED的发光区的宽度可以与绝缘层115的开口115OP1的宽度基本相同。
因为在没有额外掩模的情况下沉积中间层220和相对电极230，所以可以使用用于形成中间层220的沉积材料和用于形成相对电极230的沉积材料以在金属堤层300上形成虚设中间层220b和虚设相对电极230b。中间层220和虚设中间层220b可以彼此分开且间隔开，并且相对电极230和虚设相对电极230b可以彼此分开且间隔开。中间层220和虚设中间层220b可以包括相同的材料和/或相同数量的子层(例如，图6K中所示的第一公共层221、发光层222和第二公共层223)。相对电极230和虚设相对电极230b可以包括相同的材料。
相对电极230的边缘或外部部分(或外围部分)可以延伸超出中间层220的边缘或外部部分(或外围部分)，并且可以与第一金属层310的侧表面直接接触。第一金属层310和相对电极230可以彼此电连接。在本说明书中，相对电极230的外部部分(或外围部分)表示“相对电极230的包括相对电极230的边缘的一部分”。
参照图6J，封装层500可以形成在发光二极管ED上。封装层500可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，图6J示出封装层500包括第一无机封装层510、在第一无机封装层510上的有机封装层520以及在有机封装层520上的第二无机封装层530。
第一无机封装层510和第二无机封装层530可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机材料，并且第一无机封装层510和第二无机封装层530可以通过诸如化学气相沉积的方法来进行沉积。第一无机封装层510和第二无机封装层530可以具有包括以上描述的材料的单个层或多层结构。有机封装层520可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括丙烯酸基树脂树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺基树脂和聚乙烯基树脂。在实施例中，有机封装层520可以包括丙烯酸酯。
具有相对优异的台阶覆盖的第一无机封装层510可以覆盖具有底切结构的金属堤层300的开口OP的内表面的至少一部分。在实施例中，第一无机封装层510可以连续地形成以与虚设相对电极230b的上表面和侧表面、虚设中间层220b的侧表面、第二金属层320的侧表面和底表面、第一金属层310的侧表面、以及相对电极230的上表面重叠(或覆盖虚设相对电极230b的上表面和侧表面、虚设中间层220b的侧表面、第二金属层320的侧表面和底表面、第一金属层310的侧表面、以及相对电极230的上表面)。
有机封装层520可以设置在第一无机封装层510上，并且可以填充金属堤层300的开口OP的至少一部分。第二无机封装层530可以设置在有机封装层520上。
在图6C至图6J所示的实施例中，金属堤层300被示出为包括第一金属层310和在第一金属层310上的第二金属层320，但实施例不限于此。在另一实施例中，金属堤层300可以包括第一金属层310、在第一金属层310上的第二金属层320以及在第一金属层310下方的第三金属层，其中第三金属层可以与第一金属层包括相同的材料或者第三金属层可以包括另一材料。
图7是示意性地示出根据实施例的显示面板的包括透射区域和与透射区域相邻的显示区域的部分A的平面图。
参照图7，子像素P可以设置在显示区域DA中。第一非显示区域NDA1可以在透射区域TA和显示区域DA之间(例如，如图1B中所示)。在平面图中，与透射区域TA相邻的子像素P可以相对于透射区域TA彼此间隔开。
在图7的平面图中，子像素P可以相对于透射区域TA在竖直方向(例如，y方向)上彼此间隔开，或者可以在透射区域TA的左侧和右侧彼此间隔开。因为每个子像素P使用从发光二极管发射的红光、绿光和蓝光，因此图7中所示的子像素P的位置与发光二极管的位置对应。因此，在平面图中相对于透射区域TA彼此间隔开的子像素P可以表示在平面图中发光二极管相对于透射区域TA彼此间隔开。例如，在平面图中，发光二极管可以相对于透射区域TA在竖直方向(例如，y方向)上彼此间隔开，或者可以在透射区域TA的左侧和右侧彼此间隔开。然而，实施例不限于此，并且在一些实施例中，多个子像素P也可以设置在透射区域TA中。
子凹槽SG可以位于第一非显示区域NDA1中(也就是说，在显示区域DA和透射区域TA之间)。在平面图中，每一个子凹槽SG可以具有围绕透射区域TA的闭环形状，并且子凹槽SG可以布置为彼此间隔开。
参照图7，透射区域TA的上侧的线和下侧的线可以彼此分开或间隔开，且透射区域TA在透射区域TA的上侧的线和下侧的线之间。例如，第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4中的每一者可以分别设置在透射区域TA的上侧和下侧，并且可以包括分开或间隔的部分。然而，为了方便说明，包括彼此分开或间隔开的部分且透射区域TA在其间的数据线DL被仅示出为第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4。然而，实施例不限于此，并且还可以包括布置为与透射区域TA相邻的数据线DL。
透射区域TA的左侧的线和右侧的线可以彼此分开或间隔开，且透射区域TA在透射区域TA的左侧的线和右侧的线之间。例如，第一扫描线SL1和第二扫描线SL2中的每一者可以分别设置在透射区域TA的左侧和右侧，并且可以包括分开或间隔的部分。然而，为了方便说明，包括彼此分开或间隔开的部分且透射区域TA在其间的扫描线SL被仅示出为第一扫描线SL1和第二扫描线SL2。然而，实施例不限于此，并且还可以包括布置为与透射区域TA相邻的扫描线SL。
首先，将在下文描述在透射区域TA的左侧和右侧的扫描线SL。
扫描线SL可以在第一方向(例如，x方向)上延伸，并且一些扫描线SL可以包括间隔的部分且透射区域TA在间隔的部分之间。在这方面，图7示出了第一扫描线SL1和第二扫描线SL2中的每一者在第一方向(例如，x方向)上延伸，并且包括彼此间隔开的第一部分SL1a和SL2a与第二部分SL1b和SL2b，且透射区域TA在彼此间隔开的第一部分SL1a和SL2a与第二部分SL1b和SL2b之间。也就是说，扫描线SL的第一部分SL1a和SL2a可以布置在透射区域TA的左侧，并且扫描线SL的第二部分SL1b和SL2b可以布置在透射区域TA的右侧。因此，如以上参照图3描述的，扫描线SL的第一部分SL1a和SL2a可以从设置在显示区域DA的左侧的第一驱动电路(参见图3的第一驱动电路3031)接收信号，并且扫描线SL的第二部分SL1b和SL2b可以从设置在显示区域DA的右侧的第二驱动电路(参见图3的第二驱动电路3032)接收信号。
接下来，将在下文描述在透射区域TA的上侧和下侧的数据线DL。
数据线DL可以在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且一些数据线DL可以包括间隔的部分且透射区域TA在间隔的部分之间。在这方面，图7示出第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4中的每一者在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且包括彼此间隔开的第一部分DL1a、DL2a、DL3a和DL4a与第二部分DL1b、DL2b、DL3b和DL4b，且透射区域TA在第一部分DL1a、DL2a、DL3a和DL4a与第二部分DL1b、DL2b、DL3b和DL4b之间。也就是说，数据线DL的第一部分DL1a、DL2a、DL3a和DL4a可以布置在透射区域TA的上侧，并且数据线DL的第二部分DL1b、DL2b、DL3b和DL4b可以布置在透射区域TA的下侧。
与从布置在扫描线SL的第一部分SL1a和SL2a的左边的驱动电路以及扫描线SL的第二部分SL1b和SL2b的右边的驱动电路分别传输信号不同，数据线DL的第一部分DL1a、DL2a、DL3a和DL4a以及数据线DL的第二部分DL1b、DL2b、DL3b和DL4b可以从设置在下侧处的数据驱动电路(参见图3的数据驱动电路4000)接收相同的信号。
为此，可以布置用于将数据线DL的第一部分DL1a、DL2a、DL3a和DL4a连接到数据线DL的第二部分DL1b、DL2b、DL3b和DL4b的桥接线BL1、BL2、BL3和BL4。也就是说，彼此间隔开的且透射区域TA在其间的第一部分DL1a、DL2a、DL3a和DL4a以及第二部分DL1b、DL2b、DL3b和DL4b可以经由位于显示区域DA中的桥接线BL1、BL2、BL3和BL4彼此电连接。例如，第一数据线DL1的第一部分DL1a和第一数据线DL1的第二部分DL1b可以经由第一桥接线BL1彼此电连接。
具体地，第一桥接线BL1可以包括沿着第二方向(例如，y方向)延伸的第一竖直桥接线VB1以及分别设置在第一竖直桥接线VB1的两端处并且在第一方向(例如，x方向)上延伸的一对第一水平桥接线HB1和HB1'。也就是说，因为第一桥接线BL1包括第一竖直桥接线VB1和一对第一水平桥接线HB1和HB1'，所以第一数据线DL1的第一部分DL1a和第一数据线DL1的第二部分DL1b可以彼此连接，同时围绕透射区域TA的至少一部分。
在实施例中，第一竖直桥接线VB1可以形成为与一对第一水平桥接线HB1和HB1'在同一层上包括相同的材料。此外，第一竖直桥接线VB1和一对第一水平桥接线HB1和HB1'可以彼此一体形成。
第一桥接线BL1和第一数据线DL1可以布置在不同的层上。因此，第一数据线DL1和第一桥接线BL1可以通过在第一数据线DL1和第一桥接线BL1之间的绝缘层(例如，图6J中的第二有机绝缘层111)中的接触孔彼此连接。
具体地，第一桥接线BL1的第一端可以从上部的第一水平桥接线HB1延伸以便与第一数据线DL1的第一部分DL1a相交，并且可以经由上部的第一接触孔CNT1a电连接到第一数据线DL1的第一部分DL1a。第一桥接线BL1的第二端可以从下部的第一水平桥接线HB1'延伸，以便与第一数据线DL1的第二部分DL1b相交，并且第一桥接线BL1的第二端可以经由下部的第一接触孔CNT1b电连接到第一数据线DL1的第二部分DL1b。
上部的第一接触孔CNT1a可以被限定在第一桥接线BL1的第一端和第一数据线DL1的第一部分DL1a之间的绝缘层(例如，图6J中的第二有机绝缘层111)的一部分中。下部的第一接触孔CNT1b可以被限定在第一桥接线BL1的第二端和第一数据线DL1的第二部分DL1b之间的绝缘层(例如，图6J中的第二有机绝缘层111)的一部分中。
作为第一桥接线BL1和第一数据线DL1的第一部分DL1a的连接点的上部的第一接触孔CNT1a以及作为第一桥接线BL1和第一数据线DL1的第二部分DL1b的连接点的下部的第一接触孔CNT1b可以位于显示区域DA中。因为上部的第一接触孔CNT1a、下部的第一接触孔CNT1b和第一桥接线BL1位于显示区域DA中，所以可以减小作为无用空间的第一非显示区域NDA1的面积。
第一数据线DL1和第一桥接线BL1的结构可以同样应用于第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4以及第二桥接线BL2、第三桥接线BL3和第四桥接线BL4。
具体地，第二数据线DL2的第一部分DL2a和第二数据线DL2的第二部分DL2b可以经由第二桥接线BL2彼此电连接，并且第三数据线DL3的第一部分DL3a和第三数据线DL3的第二部分DL3b可以经由第三桥接线BL3彼此电连接，并且第四数据线DL4的第一部分DL4a和第四数据线DL4的第二部分DL4b可以经由第四桥接线BL4彼此电连接。
第二桥接线BL2可以包括在第二方向(例如，y方向)上延伸的第二竖直桥接线VB2以及分别设置在第二竖直桥接线VB2的两端处并且在第一方向(例如，x方向)上延伸的一对第二水平桥接线HB2和HB2'。第三桥接线BL3可以包括在第二方向(例如，y方向)上延伸的第三竖直桥接线VB3以及分别设置在第三竖直桥接线VB3的两端处并且在第一方向(例如，x方向)上延伸的一对第三水平桥接线HB3和HB3'。第四桥接线BL4可以包括在第二方向(例如，y方向)上延伸的第四竖直桥接线VB4以及分别设置在第四竖直桥接线VB4的两端处并且在第一方向(例如，x方向)上延伸的一对第四水平桥接线HB4和HB4'。以上描述的第二桥接线BL2、第三桥接线BL3和第四桥接线BL4可以被配置为相对于透射区域TA使数据线DL的间隔的部分连接，同时围绕透射区域TA的至少一部分。
另外，第二桥接线BL2、第三桥接线BL3和第四桥接线BL4可以与第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4布置在不同的层上。因此，第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4以及第二桥接线BL2、第三桥接线BL3和第四桥接线BL4可以通过第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4以及第二桥接线BL2、第三桥接线BL3和第四桥接线BL4之间的绝缘层的接触孔彼此连接。
具体地，第二桥接线BL2的两端可以从一对第二水平桥接线HB2和HB2'延伸，并且第二桥接线BL2的两端可以经由第二接触孔CNT2a和CNT2b分别电连接到第二数据线DL2的第一部分DL2a和第二部分DL2b。第三桥接线BL3的两端可以从一对第三水平桥接线HB3和HB3'延伸，并且第三桥接线BL3的两端可以经由第三接触孔CNT3a和CNT3b分别电连接到第三数据线DL3的第一部分DL3a和第三数据线DL3的第二部分DL3b。第四桥接线BL4的两端可以从一对第四水平桥接线HB4和HB4'延伸，并且第四桥接线BL4的两端可以经由第四接触孔CNT4a和CNT4b分别电连接到第四数据线DL4的第一部分DL4a和第四数据线DL4的第二部分DL4b。因为第二接触孔CNT2a和CNT2b、第三接触孔CNT3a和CNT3b以及第四接触孔CNT4a和CNT4b位于显示区域DA中，所以可以减小作为无用空间的第一非显示区域NDA1的面积。
因此，因为必须布置用于避绕透射区域TA的线以便将数据线DL的相对于透射区域TA彼此间隔开或彼此分开的部分连接，所以第一非显示区域NDA1的面积增大。与此相反，在根据实施例的显示面板中，相对于透射区域TA彼此分开的第一部分DL1a、DL2a、DL3a和DL4a与第二部分DL1b、DL2b、DL3b和DL4b可以通过使用布置在显示区域DA中的第一桥接线BL1、第二桥接线BL2、第三桥接线BL3和第四桥接线BL4而彼此连接。因此，在根据实施例的显示面板中，在透射区域TA周围不需要用于避绕透射区域TA的线的附加空间，可以减小诸如第一非显示区域NDA1(例如，参见图3)的无用空间的面积。另外，可以同时实现简化在透射区域TA的周围的区的线设计的效果。
图8是示出根据实施例的显示面板的一部分(其与图7的部分B对应)的平面图，以及图9是沿着图8的线IX-IX’截取的显示面板的截面图，以及图10是沿着图8的线X-X’截取的显示面板的截面图。为了方便说明，图8示意性地示出了第二金属层320、绝缘层115、第一桥接线BL1、第二桥接线BL2和子像素P等。
参照图8并且结合图6J、图7和图9，多个子像素P可以设置在显示区域DA中。包括第一金属层310和第二金属层320的金属堤层300可以布置在其中未布置多个子像素P的非子像素区域NPA中。而且，数据线DL可以布置在多个子像素P之间，使得来自数据驱动电路(参见图3的数据驱动电路4000)的数据信号可以被传输到每个子像素P。为了方便说明，图8仅示意性地示出了作为数据线DL的第一数据线DL1的第一部分DL1a和第二数据线DL2的第一部分DL2a，并且数据线DL可以分别布置在多个子像素P之间。
然而，如上所述，多条数据线DL中的一些数据线DL可以包括彼此分开或间隔开的部分，且透射区域TA在彼此间隔开的部分之间，并且多条数据线DL中的一些数据线DL可以被分成数据线DL的第一部分DL1a和DL2a以及数据线DL的第二部分DL1b和DL2b。因此，桥接线BL可以设置在与透射区域TA相邻的显示区域DA中，以连接数据线DL的彼此分开或间隔开的部分。也就是说，第一桥接线BL1可以被配置为使第一数据线DL1的第一部分DL1a和第一数据线DL1的第二部分DL1b连接，并且第二桥接线BL2可以被配置为使第二数据线DL2的第一部分DL2a和第二数据线DL2的第二部分DL2b连接。桥接线BL可以设置为与透射区域TA相邻，并且可以围绕透射区域TA的至少一部分。
在这种情况下，可以通过去除金属堤层300的一部分来形成桥接线BL。也就是说，可以通过金属堤层300的选择性去除来形成凹槽G，以将金属堤层300的一部分限定为桥接线BL(凹槽G中没有金属堤层材料)。由于桥接线BL在凹槽G的形成之前是金属堤层300的一部分，因此桥接线BL与金属堤层300具有相同的组分。在平面图中，凹槽G可以围绕桥接线BL的至少一部分。桥接线BL可以与金属堤层300间隔开，且凹槽G在桥接线BL和金属堤层300之间。可以通过蚀刻金属堤层300的第一金属层310和第二金属层320来形成凹槽G，并且在金属堤层300下面的绝缘层115可以经由凹槽G暴露。
数据线DL和桥接线BL可以布置在不同的层上，并且数据线DL和桥接线BL可以经由数据线DL和桥接线BL之间的绝缘层的接触孔彼此连接。例如，第一桥接线BL1可以经由上部的第一接触孔CNT1a连接到第一数据线DL1的第一部分DL1a，并且第二桥接线BL2可以经由上部的第二接触孔CNT2a连接到第二数据线DL2的第一部分DL2a。因此，第一桥接线BL1可以被配置为在第一数据线DL1的第一部分DL1a和第一数据线DL1的第二部分DL1b之间传输数据信号，并且第二桥接线BL2可以被配置为在第二数据线DL2的第一部分DL2a和第二数据线DL2的第二部分DL2b之间传输数据信号。
参照图9，电子设备1可以包括第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和第三子像素区域PA3以及在相邻的子像素区域之间的非子像素区域NPA。电子设备1的平面形状可以与基底100的平面形状基本相同。因此，包括第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和第三子像素区域PA3以及非子像素区域NPA的电子设备1可以表示基底100包括第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和第三子像素区域PA3以及非子像素区域NPA。
第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3中的每一者可以布置在基底100上。第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3可以分别布置在第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和第三子像素区域PA3中。
第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可以分别布置在基底100与第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3之间。第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可以包括以上参照图6A或图5描述的薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst。在实施例中，图9示出了第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3与以上参照图6A描述的子像素电路PC(参见图3的子像素电路PC)具有相同的结构，并且详细结构如上所述。
分别电连接到第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3的第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3可以具有子像素电极、中间层和相对电极的堆叠结构。
例如，第一发光二极管ED1可以包括第一子像素电极1210、第一中间层1220和第一相对电极1230。第一子像素电极1210可以电连接到第一子像素电路PC1。第二发光二极管ED2可以包括第二子像素电极2210、第二中间层2220和第二相对电极2230。第二子像素电极2210可以电连接到第二子像素电路PC2。第三发光二极管ED3可以包括第三子像素电极3210、第三中间层3220和第三相对电极3230。第三子像素电极3210可以电连接到第三子像素电路PC3。
如以上参照图6K描述的，第一中间层1220、第二中间层2220和第三中间层3220中的每一者可以包括发光层和第一和/或第二公共层，并且具体结构和材料如上所述。这里，第一中间层1220的发光层、第二中间层2220的发光层和第三中间层3220的发光层可以发射不同颜色的光。
第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210中的每一者可以包括内部部分和用于围绕内部部分的外部部分。在本说明书中，“子像素电极的外部部分(或外围部分)”表示“子像素电极的包括子像素电极的边缘的一部分”，并且“子像素电极的内部部分”表示子像素区域的被以上描述的外部部分(或外围部分)围绕的另一部分。
第一中间层1220可以与第一子像素电极1210的内部部分重叠并且接触，并且第一相对电极1230可以与第一中间层1220重叠。绝缘层115可以设置在第一子像素电极1210的外部部分上。绝缘层115可以与第一子像素电极1210的外部部分重叠，并且可以延伸到第二有机绝缘层111，以覆盖第一子像素电极1210的侧表面。第一保护层1113可以设置在绝缘层115和第一子像素电极1210的外部之间。绝缘层115和第一保护层1113可以位于第一子像素电极1210的外部部分上，并且绝缘层115和第一保护层1113可以不存在于第一子像素电极1210的内部部分上。换句话说，绝缘层115和第一保护层1113中的每一者可以包括与第一子像素电极1210的内部部分重叠的开口。
类似地，第二中间层2220可以与第二子像素电极2210的内部部分重叠并且接触，并且第二相对电极2230可以与第二中间层2220重叠。第二子像素电极2210的外部部分可以与绝缘层115重叠。第三中间层3220可以与第三子像素电极3210的内部部分重叠并且接触，并且第三相对电极3230可以与第三中间层3220重叠。第三子像素电极3210的外部部分可以与绝缘层115重叠。绝缘层115可以与第二子像素电极2210和第三子像素电极3210中的每一者的外部部分重叠，并且可以延伸到第二有机绝缘层111，以覆盖第二子像素电极2210和第三子像素电极3210中的每一者的侧表面。第二保护层2113可以设置在绝缘层115和第二子像素电极2210的外部部分之间，并且第三保护层3113可以设置在绝缘层115和第三子像素电极3210的外部部分之间。
金属堤层300可以包括分别与第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210重叠的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。图9的金属堤层300的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可以与以上参照图6F描述的开口OP具有相同的结构。
例如，第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的每一者可以从金属堤层300的上表面穿过底表面，并且可以具有带有底切形状的截面结构。第一金属层310的面向金属堤层300的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的开口的侧表面可以具有向下渐缩的形状，并且可以具有大于或等于大约60°且小于大约90°的倾斜角。金属堤层300的第二金属层320可以包括朝向第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的开口延伸的第一尖端PT1。第一尖端PT1的长度可以是大约2μm或更小。在一些实施例中，第一尖端PT1的长度可以是大约0.3μm至大约1μm，或大约0.3μm至大约0.7μm。
在根据实施例的电子设备1中，由于金属堤层300的包括具有底切结构的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的结构，可以在不使用附加掩模的情况下沉积用于形成第一中间层1220、第二中间层2220和第三中间层3220以及第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230的材料。因此，可以防止使用掩模对电子设备1造成的损坏。
因为在不使用掩模的情况下沉积用于形成中间层的材料和用于形成相对电极的材料，所以用于形成中间层的材料和用于形成相对电极的材料可以沉积在第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的开口中，并且用于形成中间层的材料和用于形成相对电极的材料也可以沉积在金属堤层300上。至少一个虚设中间层和至少一个虚设相对电极可以布置在金属堤层300上。至少一个虚设中间层可以与分别位于第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的第一中间层1220、第二中间层2220和第三中间层3220分开并且间隔开。至少一个虚设相对电极可以与分别位于第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的第一中间层1220、第二中间层2220和第三中间层3220分开并且间隔开。例如，虚设中间层可以包括第一虚设中间层1220b、第二虚设中间层2220b和第三虚设中间层3220b，并且虚设相对电极可以包括第一虚设相对电极1230b、第二虚设相对电极2230b和第三虚设相对电极3230b。
设置在金属堤层300的第一开口OP1中的第一相对电极1230、设置在金属堤层300的第二开口OP2中的第二相对电极2230以及设置在金属堤层300的第三开口OP3中的第三相对电极3230可以在空间上彼此分开或间隔开。第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230可以彼此电连接，并且可以具有相同的电压电平。例如，第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230中的每一者可以与由公共电压线VSSL提供的电压(例如，公共电压)具有相同的电压电平。第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230中的每一者可以经由金属堤层300电连接到图3中的竖直公共电压线VSL或水平公共电压线HSL。
例如，第一相对电极1230的外部部分可以电连接到(例如，直接接触)金属堤层300的面向第一开口OP1的侧表面(例如，第一金属层310的侧表面)，并且金属堤层300电连接到公共电压线VSL的一部分，使得第一相对电极1230可以接收公共电压。类似地，由于第二相对电极2230的外部部分和第三相对电极3230的外部部分与金属堤层300的面向第二开口OP2和第三开口OP3的侧表面直接接触，并且金属堤层300电连接到公共电压线VSL的一部分，因此第二相对电极2230和第三相对电极3230可以接收公共电压。
第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3可以通过封装层500被封装。在实施例中，图9示出了封装层500包括第一无机封装层510、在第一无机封装层510上的有机封装层520以及在有机封装层520上的第二无机封装层530。用于形成第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530的材料如以上参照图6J所描述的。
第一无机封装层510可以被配置为覆盖在第一无机封装层510的下面的结构和/或层。例如，具有相对优异的台阶覆盖的第一无机封装层510可以被配置为覆盖第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3以及将要下文描述的凹槽G中的每一者的内部结构和/或层。第一无机封装层510可以包括设置在第一子像素区域PA1中的第一子像素无机封装层1510、设置在第二子像素区域PA2中的第二子像素无机封装层2510和设置在第三子像素区域PA3中的第三子像素无机封装层3510。第一子像素无机封装层1510、第二子像素无机封装层2510和第三子像素无机封装层3510可以包括相同的材料。第一无机封装层510可以被配置为与第一相对电极1230b、第二相对电极2230b和第三相对电极3230b的上表面和侧表面、第一虚设中间层1220b、第二虚设中间层2220b和第三虚设中间层3220b的侧表面、与第一尖端PT1对应的第二金属层320的侧表面和底表面、第一金属层310的侧表面、以及第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230的上表面重叠(或覆盖第一相对电极1230b、第二相对电极2230b和第三相对电极3230b的上表面和侧表面、第一虚设中间层1220b、第二虚设中间层2220b和第三虚设中间层3220b的侧表面、与第一尖端PT1对应的第二金属层320的侧表面和底表面、第一金属层310的侧表面、以及第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230的上表面)。
有机封装层520的一部分可以至少部分地填充第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的每一者。有机封装层520的另一部分可以至少部分地填充多个凹槽G中的每一个。绝缘层115和有机封装层520可以经由金属堤层300的凹槽G彼此直接接触。第二无机封装层530可以形成在有机封装层520上。
除了第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3之外，金属堤层300还可以包括凹槽G以及虚设金属堤层300a和300b。凹槽G和虚设金属堤层300a和300b可以布置在与透射区域TA(例如，参见图7)相邻的显示区域DA(例如，参见图7)中(即，在非子像素区域NPA中)的发光二极管之间。
凹槽G可以相对于金属堤层300的上表面具有凹入形状。凹槽G可以具有像第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的一样的底切形状。金属堤层300的第二金属层320的一部分可以包括朝向凹槽G突出的第二尖端PT2。因为凹槽G可以通过蚀刻金属堤层300的第一金属层310和第二金属层320来形成，所以绝缘层115可以经由凹槽G暴露。也就是说，凹槽G的底表面可以与绝缘层115的上表面基本相同。然而，实施例不限于此，并且可以经由凹槽G蚀刻金属堤层300和绝缘层115，使得第二有机绝缘层111的上表面可以经由凹槽G被暴露。
通过凭借蚀刻金属堤层300的一部分而形成的凹槽G，可以将第一虚设金属堤层300a和第二虚设金属堤层300b与金属堤层300分开。也就是说，第一虚设金属堤层300a可以与金属堤层300间隔开且凹槽G在第一虚设金属堤层300a与金属堤层300之间，并且第二虚设金属堤层300b可以与金属堤层300间隔开且凹槽G在第二虚设金属堤层300b与金属堤层300之间。因此，第一虚设金属堤层300a可以包括与第一金属层310包含相同材料的第(1-1)虚设金属层310a以及与第二金属层320包含相同材料的第(2-1)虚设金属层320a。第二虚设金属堤层300b可以包括与第一金属层310包含相同材料的第(1-2)虚设金属层310b以及与第二金属层320包含相同材料的第(2-2)虚设金属层320a。
通过凹槽G，与金属堤层300间隔开的虚设金属堤层300a和300b可以起到桥接线BL的作用。例如，第一虚设金属堤层300a可以用作第一桥接线BL1，并且第二虚设金属堤层300b可以用作第二桥接线BL2。因此，在平面图中，如图8中所示，凹槽G可以形成为至少部分地围绕多条桥接线BL中的每一条。然而，为了使虚设金属堤层300a和300b起到桥接线BL的作用，虚设金属堤层300a和300b需要电连接到数据线DL。
参照图10，电子设备1(例如，参见图9)还可以包括第四子像素区域PA4、第五子像素区域PA5以及在相邻的子像素区域之间(即，在第四子像素区域PA4和第五子像素区域PA5之间)的非子像素区域NPA。分别布置在第四子像素区域PA4和第五子像素区域PA5中的第四发光二极管ED4和第五发光二极管ED具有与以上参照图9描述的第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3的结构相同的结构，并且其详细的结构如上所述。分别布置在第四子像素区域PA4和第五子像素区域PA5中的第四子像素电路PC4和第五子像素电路PC5具有与以上参照图6A描述的子像素电路PC的结构相同的结构，并且其详细的结构如上所述。
在这种情况下，数据线DL可以布置在第四子像素电路PC4和第五子像素电路PC5之间的非子像素区域NPA中。数据线DL可以布置为与布置在每个像素(例如，图8中的像素P)中的子像素电路PC相邻，并且可以被配置为将数据信号传输到多个子像素电路PC中的每一个。数据线DL可以与图6A中的驱动晶体管T1的的源极电极S1和/或漏极电极D1布置在同一层(例如，第二层间绝缘层107)上，并且可以包括与源极电极S1和/或漏极电极D1的材料相同的材料。例如，数据线DL可以包括Al、Cu和/或Ti，并且可以具有包括以上描述的材料的单个层或多层结构。
数据线DL可以电连接到第一虚设金属堤层300a，且绝缘层(例如，第一有机绝缘层109、第二有机绝缘层111和绝缘层115)介于数据线DL和第一虚设金属堤层300a之间。具体地，数据线DL可以经由形成在绝缘层中的上部的第一接触孔CNT1a(参见图7)电连接到第一虚设金属堤层300a。
在这种情况下，数据线DL可以与第一虚设金属堤层300a直接接触，或者可以如图10中所示经由数据线DL和第一虚设金属堤层300a之间的导电金属CM2电连接到第一虚设金属堤层300a。也就是说，用作第一桥接线BL1的第一虚设金属堤层300a的一部分和数据线DL的一部分可以通过导电金属CM2彼此电连接。导电金属CM2可以与连接金属CM布置在同一层上，并且可以包括相同的材料。连接金属CM可以包括Al、Cu和/或Ti，并且可以具有包括以上描述的材料的单个层或多层结构。
如上所述，在根据本公开的实施例的电子设备中，可以通过使用金属堤层来图案化发光层，使得可以改善分辨率，并且可以提供优异质量的图像。另外，在其中在显示区域中设置与诸如照相机的各种组件对应的传输区域的结构中，通过使用金属堤层的一部分来取代孔避绕布线(例如，布置为绕透射区域并且避绕透射区域的布线)，可以最小化无用空间的面积。然而，以上描述的效果仅仅是说明性的，并且本公开的范围不由此而受到限制。
应当理解的是，在本文中描述的实施例应当仅在描述性意义上进行考虑，而不是为了限制目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应视为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但由本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以对形式和细节做出各种改变。
Claims (10)
1.一种显示面板，其中，所述显示面板包括：
多个子像素电极；
金属堤层，在所述多个子像素电极上，所述金属堤层包括在所述多个子像素电极上的多个开口以及在所述多个子像素电极中的两个相邻的子像素电极之间的凹槽，所述金属堤层在所述多个开口和所述凹槽中不存在；
绝缘层，在所述多个子像素电极上并且在所述金属堤层的下面；
桥接线，在所述两个相邻的子像素电极之间设置于所述绝缘层上，其中，所述桥接线与所述金属堤层包括相同的材料；
中间层，在所述金属堤层的所述多个开口中位于所述多个子像素电极上；以及
相对电极，在所述金属堤层的所述多个开口中设置在所述中间层上，其中，在平面图中，所述凹槽围绕所述桥接线的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述相对电极与所述金属堤层的侧表面接触。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述金属堤层和所述桥接线中的每一者包括具有不同组分的第一金属层和第二金属层，并且所述金属堤层的所述第二金属层的一部分包括尖端，所述尖端从所述第二金属层的底表面和所述第一金属层的侧表面彼此接触的点朝向所述开口和所述凹槽中的每一者延伸。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述凹槽在所述桥接线和所述金属堤层之间延伸。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括基底，所述基底包括透射区域和围绕所述透射区域的显示区域，其中，所述桥接线设置为与所述透射区域相邻，并且围绕所述透射区域的至少一部分。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：
薄膜晶体管，电连接到发光二极管，其中，所述发光二极管包括所述多个子像素电极中的至少一个、所述中间层和所述相对电极；以及
扫描线和数据线，被配置为将信号供应到所述薄膜晶体管，
其中，所述扫描线在第一方向上延伸，并且所述数据线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且所述桥接线电连接到所述数据线。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，多条所述数据线中的一些数据线中的每一条被分成彼此间隔开的所述数据线的第一部分和所述数据线的第二部分且所述透射区域在所述数据线的所述第一部分和所述数据线的所述第二部分之间，并且所述桥接线被配置为将所述数据线的所述第一部分电连接到所述数据线的所述第二部分。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述数据线和所述桥接线设置在不同的层上，并且所述数据线和所述桥接线通过在所述数据线和所述桥接线之间的绝缘层中的接触孔彼此连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括介于所述桥接线的一部分和所述数据线的一部分之间的导电金属，其中，所述桥接线的所述一部分和所述数据线的所述一部分通过所述导电金属彼此电连接。
10.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述桥接线包括在所述第一方向上延伸的水平桥接线以及在所述第二方向上延伸的竖直桥接线，并且所述水平桥接线和所述竖直桥接线布置在同一层上，并且所述水平桥接线和所述竖直桥接线彼此一体形成。
Applications Claiming Priority (2)
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Legal Events
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