CN219660308U - 显示面板和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示面板和一种电子设备。所述显示面板可以包括：透射区域；显示区域，在所述透射区域周围；多个发光二极管，在所述显示区域中；多个子像素电路，分别电连接到所述多个发光二极管，并且位于所述显示区域中；以及导电线，在第一方向上跨所述多个子像素电路中的第一子像素电路延伸，所述第一子像素电路布置为比所述多个子像素电路中的其他子像素电路靠近所述透射区域，其中，所述导电线电连接到穿过所述第一子像素电路的电压线。

Description

显示面板和电子设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年2月9日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0017159号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开的一个或多个实施例的方面涉及显示面板和包括显示面板的电子设备。
背景技术
在诸如有机发光显示面板的显示面板中，薄膜晶体管布置在显示区域中以控制发光二极管的亮度等。薄膜晶体管被配置为控制相应的发光二极管，使得发光二极管根据施加到其的数据信号、驱动电压和/或公共电压发射预设颜色的光。
数据驱动电路、驱动电压供应线和/或公共电压供应线等布置在显示区域外部的非显示区域中，以向薄膜晶体管提供数据信号、驱动电压和/或公共电压等。
实用新型内容
本公开的一个或多个实施例包括可以提供高质量图像的显示设备和包括显示设备的电子设备。然而，本公开的目的不限于此。
另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地根据描述将是明显的，或者可以通过实践本公开的实施例来获知。
根据本公开的一个或多个实施例，一种显示面板包括：透射区域；显示区域，在所述透射区域周围；多个发光二极管，在所述显示区域中；多个子像素电路，分别电连接到所述多个发光二极管，并且位于所述显示区域中；以及导电线，在第一方向上跨所述多个子像素电路中的第一子像素电路延伸，所述第一子像素电路布置为比所述多个子像素电路中的其他子像素电路靠近所述透射区域，其中，所述导电线电连接到穿过所述第一子像素电路的电压线。
在一个或多个实施例中，所述多个子像素电路中的每一个可以包括：开关晶体管，电连接到在所述第一方向上延伸的扫描线和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线；驱动晶体管，电连接到所述开关晶体管；和存储电容器，电连接到所述驱动晶体管。
在一个或多个实施例中，所述电压线可以包括在所述第一方向上跨所述第一子像素电路延伸的水平驱动电压线，并且所述导电线可以与所述水平驱动电压线在同一层处，并且可以与所述水平驱动电压线连接为集成体。
在一个或多个实施例中，所述显示面板还可以包括在所述存储电容器上的第一有机绝缘层，其中，所述电压线和所述水平驱动电压线可以在所述第一有机绝缘层上。
在一个或多个实施例中，所述导电线和所述水平驱动电压线的连接部分可以与所述透射区域相邻。
在一个或多个实施例中，所述导电线可以在与所述电压线所定位在的层不同的层处。
在一个或多个实施例中，所述存储电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极，其中，所述第一电容器电极可以与所述驱动晶体管的驱动半导体重叠，并且所述第二电容器电极可以与所述第一电容器电极重叠，并且所述第二电容器电极可以位于所述第一电容器电极上方，并且其中，所述电压线可以包括在所述第一方向上延伸的电极电压线，并且所述电极电压线的一部分可以是所述第二电容器电极。
在一个或多个实施例中，所述显示面板还可以包括在所述导电线的一部分与所述电极电压线的一部分之间的导电金属，其中，所述导电线的所述一部分可以通过所述导电金属电连接到所述电极电压线的所述一部分。
在一个或多个实施例中，所述电压线可以包括在所述第二方向上跨所述第一子像素电路延伸的竖直驱动电压线，其中，所述显示面板还可以包括在所述导电线与所述竖直驱动电压线之间的第一有机绝缘层，其中，所述导电线可以在所述第一有机绝缘层上，并且所述竖直驱动电压线可以在所述第一有机绝缘层之下，并且其中，所述导电线可以在所述透射区域附近通过所述第一有机绝缘层中的接触孔连接到所述竖直驱动电压线。
根据本公开的一个或多个实施例，一种电子设备包括：上述的显示面板；以及组件，在所述显示面板的后表面下方，并且对应于所述透射区域。
根据本公开的一个或多个实施例，一种显示面板包括：透射区域；显示区域，在所述透射区域周围；多个发光二极管，在所述显示区域中；多个子像素电路，分别电连接到所述多个发光二极管，并且位于所述显示区域中，其中，所述多个子像素电路中的每一个包括：开关晶体管，电连接到在第一方向上延伸的扫描线和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线；驱动晶体管，电连接到所述开关晶体管；和存储电容器，电连接到所述驱动晶体管；以及导电线，在所述第一方向上跨所述多个子像素电路中的第一子像素电路延伸，所述第一子像素电路布置为比所述多个子像素电路中的其他子像素电路靠近所述透射区域，其中，所述导电线电连接到穿过所述第一子像素电路的电压线。
在一个或多个实施例中，所述电压线可以包括在所述第一方向上跨所述第一子像素电路延伸的水平驱动电压线。
在一个或多个实施例中，所述导电线可以与所述水平驱动电压线在同一层上(或处)，并且所述导电线可以与所述水平驱动电压线连接为一体(例如，集成体)。
在一个或多个实施例中，所述显示面板还可以包括在所述存储电容器上的第一有机绝缘层，其中，所述电压线和所述水平驱动电压线可以在所述第一有机绝缘层上(或处)。
在一个或多个实施例中，所述导电线和所述水平驱动电压线的连接部分可以与所述透射区域相邻。
所述导电线可以在与其上(或处)定位所述电压线的层不同的层上(或处)。
在一个或多个实施例中，所述存储电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极，其中，所述第一电容器电极与所述驱动晶体管的驱动半导体重叠，并且所述第二电容器电极与所述第一电容器电极重叠，并且所述第二电容器电极在所述第一电容器电极上方，并且其中，所述电压线可以包括在所述第一方向上延伸的电极电压线，并且所述电极电压线的一部分可以是所述第二电容器电极。
在一个或多个实施例中，所述显示面板还可以包括在所述导电线的一部分与所述电极电压线的一部分之间的导电金属，其中，所述导电线的所述一部分可以通过所述导电金属电连接到所述电极电压线的所述一部分。
在一个或多个实施例中，所述电压线可以包括在所述第二方向上跨所述第一子像素电路延伸的竖直驱动电压线。
在一个或多个实施例中，所述显示面板还可以包括在所述导电线与所述竖直驱动电压线之间的第一有机绝缘层，其中，所述导电线可以在所述第一有机绝缘层上(或处)，并且所述竖直驱动电压线可以在所述第一有机绝缘层之下。
在一个或多个实施例中，所述导电线可以在所述透射区域附近通过所述第一有机绝缘层中的接触孔连接到所述竖直驱动电压线。
根据本公开的一个或多个实施例，一种电子设备包括：显示面板，包括透射区域和在所述透射区域周围的显示区域；以及组件，在所述显示面板的后表面下方并且对应于所述透射区域。所述显示面板包括：多个发光二极管，在所述显示区域中；多个子像素电路，分别电连接到所述多个发光二极管，并且布置在所述显示区域中，其中，所述多个子像素电路中的每一个包括：开关晶体管，电连接到在第一方向上延伸的扫描线和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线；驱动晶体管，电连接到所述开关晶体管；和存储电容器，电连接到所述驱动晶体管，并且包括第一电容器电极和第二电容器电极；以及导电线，在所述第一方向上跨所述多个子像素电路中的第一子像素电路延伸，所述第一子像素电路布置为比所述多个子像素电路中的其他子像素电路靠近所述透射区域，其中，所述导电线电连接到穿过所述第一子像素电路的电压线。
在一个或多个实施例中，所述显示面板可以包括：水平驱动电压线，在所述第一方向上延伸，并且穿过所述第一子像素电路；竖直驱动电压线，在所述第二方向上延伸，并且穿过所述第一子像素电路；以及电极电压线，在所述第一方向上延伸，并且包括所述存储电容器的所述第二电容器电极。
在一个或多个实施例中，所述水平驱动电压线可以与所述竖直驱动电压线的一部分交叉，并且所述竖直驱动电压线可以与所述电极电压线的一部分交叉。
在一个或多个实施例中，所述水平驱动电压线可以通过所述水平驱动电压线与所述竖直驱动电压线之间的绝缘层中的接触孔连接到所述竖直驱动电压线，并且所述竖直驱动电压线可以通过所述竖直驱动电压线与所述电极电压线之间的绝缘层中的接触孔连接到所述电极电压线。
在一个或多个实施例中，所述电压线可以包括水平驱动电压线，并且所述导电线可以与所述水平驱动电压线在同一层上(或处)，并且所述导电线可以与所述水平驱动电压线连接为一体(例如，集成体)。
在一个或多个实施例中，所述导电线和所述水平驱动电压线的连接部分可以与所述透射区域相邻。
在一个或多个实施例中，所述电压线可以包括所述电极电压线。
在一个或多个实施例中，所述显示面板还可以包括在所述导电线的一部分与所述电极电压线的一部分之间的导电金属，其中，所述导电线的所述一部分可以通过所述导电金属电连接到所述电极电压线的所述一部分。
在一个或多个实施例中，所述电压线可以包括所述竖直驱动电压线。
在一个或多个实施例中，所述导电线可以在所述透射区域附近通过所述导电线与所述竖直驱动电压线之间的绝缘层中的接触孔连接到所述竖直驱动电压线。
在一个或多个实施例中，所述组件可以包括传感器或相机。
根据本公开的一个或多个实施例，一种电子设备包括：显示面板，包括透射区域和在所述透射区域周围的显示区域；以及组件，在所述显示面板的后表面下方，并且对应于所述透射区域，其中，所述显示面板包括：多个发光二极管，在所述显示区域中；多个子像素电路，分别电连接到所述多个发光二极管，并且位于所述显示区域中，其中，所述多个子像素电路中的每一个包括：开关晶体管，电连接到在第一方向上延伸的扫描线和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线；驱动晶体管，电连接到所述开关晶体管；和存储电容器，电连接到所述驱动晶体管，并且包括第一电容器电极和第二电容器电极；两条导电线，分别在所述透射区域的两个相对侧(或在所述透射区域的两个相对侧处)，并且彼此分开；以及两条电压线，分别在所述透射区域的两个相对侧(或在所述透射区域的两个相对侧处)，并且彼此分开，其中，所述两条导电线分别电连接到所述两条电压线。
在一个或多个实施例中，所述两条导电线中的在所述透射区域的一侧(或在所述透射区域的一侧处)的第一导电线可以穿过所述多个子像素电路中的比所述多个子像素电路中的其他子像素电路靠近所述透射区域的第一子像素电路，并且所述两条电压线中的电连接到所述第一导电线的第一电压线可以在所述第一方向上或在所述第二方向上穿过所述第一子像素电路。
在一个或多个实施例中，所述显示面板可以包括：水平驱动电压线，在所述第一方向上延伸，并且穿过所述第一子像素电路；竖直驱动电压线，在所述第二方向上延伸，并且穿过所述第一子像素电路；以及电极电压线，在所述第一方向上延伸，并且包括所述存储电容器的所述第二电容器电极。
在一个或多个实施例中，所述水平驱动电压线可以与所述竖直驱动电压线的一部分交叉，并且所述竖直驱动电压线可以与所述电极电压线的一部分交叉。
在一个或多个实施例中，所述水平驱动电压线可以通过所述水平驱动电压线与所述竖直驱动电压线之间的绝缘层中的接触孔连接到所述竖直驱动电压线，并且所述竖直驱动电压线可以通过所述竖直驱动电压线与所述电极电压线之间的另一绝缘层中的接触孔连接到所述电极电压线。
在一个或多个实施例中，所述第一电压线可以包括所述水平驱动电压线，并且所述第一导电线可以与所述水平驱动电压线在同一层上(或处)，并且所述第一导电线可以与所述水平驱动电压线连接为一体(例如，集成体)。
在一个或多个实施例中，所述第一电压线可以包括所述电极电压线。
在一个或多个实施例中，所述显示面板还可以包括在所述第一导电线的一部分与所述电极电压线的一部分之间的导电金属，其中，所述第一导电线的所述一部分可以通过所述导电金属电连接到所述电极电压线的所述一部分。
在一个或多个实施例中，所述第一电压线可以包括所述竖直驱动电压线。
在一个或多个实施例中，所述第一导电线可以在所述透射区域附近通过所述第一导电线与所述竖直驱动电压线之间的绝缘层中的接触孔连接到所述竖直驱动电压线。
在一个或多个实施例中，所述组件可以包括传感器或相机。
附图说明
通过下面结合附图的描述，本公开的实施例的以上和其他方面、特征和/或原理将变得更加明显，在附图中：
图1A和图1B是根据本公开的一个或多个实施例的电子设备的示意性透视图；
图2A和图2B是沿着图1A的线II-II’截取的根据本公开的一个或多个实施例的电子设备的截面图；
图3是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的示意性平面图；
图4是图3的显示面板的示意性侧视图；
图5是根据本公开的一个或多个实施例的电连接到设置在显示面板上(或处)的发光二极管的子像素电路的示意性等效电路图；
图6是根据本公开的一个或多个实施例的布置在显示面板的显示区域中的第N行中(或处)的子像素电路和第N+1行中(或处)的子像素电路的布局图；
图7是根据本公开的一个或多个实施例的布置在显示面板的显示区域中的结构的示意性截面图；
图8是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的透射区域和与透射区域相邻的显示区域的一部分的示意性平面图；
图9是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的一部分的平面图，该一部分对应于图8的区IX；
图10是沿着图9的线X-X’截取的显示面板的截面图；
图11是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的一部分的平面图，该一部分对应于图9的修改实施例；
图12A是图11的区XIIa的放大平面图；
图12B是沿着图12A的线XIIb-XIIb’截取的显示面板的截面图；
图13是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的一部分的平面图，该一部分对应于图9的修改实施例；
图14A是图13的区XIVa的放大平面图；
图14B是沿着图14A的线XIVb-XIVb’截取的显示面板的截面图；
图15是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的在透射区域周围的部分的平面图；并且
图16是图15的区XVI的放大平面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，在附图中，同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施例以解释本公开的方面，并且实施例将向本领域技术人员传达本公开的方面和特征。因此，可能没有描述对本领域普通技术人员为了完全理解本公开的方面和特征而言不必要的工艺、元件和技术。
如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c全部或它们的变型。
因为本公开允许各种改变和许多实施例，所以某些实施例将在附图中示出并且在书面描述中进行描述。参考参照附图详细描述的实施例，将阐明本公开的效果和特征以及实现效果和特征的方法。然而，本公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式实施。
在下文中，将参考附图描述实施例，其中，同样的附图标记始终指代同样的元件，并且省略其重复描述。
如本文中使用的，当元件或层被描述为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，所述元件或层不仅可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或耦接到所述另一元件或层，而且可以存在一个或多个居间元件或层。另外，还将理解的是，当元件或层称为“在”两个元件或层“之间”时，所示元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间元件或层。另外，为了便于说明，附图中的元件的尺寸可能被夸大或缩小。作为示例，附图中所示的每个元件的尺寸和厚度是为了便于描述而任意表示的，并且因此本公开不一定限于此。
为了便于说明，本文中可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下/下部”、“在……之下”、“在……上方”和“上/上部”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一个(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在还涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件或特征随后将被定位为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……之下”可以涵盖“在……上方”和“在…下方”两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位处)，并且应当相应地解释这里使用的空间相对术语。
将理解的是，尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区、层或部分可以称为第二元件、组件、区、层或部分。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并且不旨在限制本公开。如本文中使用的，单数形式“一个”和“一种”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解的是，术语“包括(comprises，comprising)”和“包含(includes，including)”当在本说明书中使用时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如本文中使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在解释由本领域普通技术人员将认识到的测量或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时“可以”的使用表示“本公开的一个或多个实施例”。如本文中使用的，术语“使用(use，using，used)”可以分别被认为与术语“利用(utilize，utilizing，utilized)”同义。另外，术语“示例性”旨在表示示例或举例说明。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的具有相同的意思。将进一步理解的是，除非本文中明确地如此定义，否则术语(例如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的背景和/或本说明书中的意思一致的意思，并且不应以理想的或过于形式化的意义来解释。
x方向、y方向和z方向不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x方向、y方向和z方向可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1A和图1B是根据本公开的一个或多个实施例的电子设备1的示意性透视图。
参考图1A和图1B，电子设备1可以包括用于显示运动图像和/或静止图像的设备，并且可以用作包括电视机、笔记本计算机、监视器、广告板、物联网(IoT)装置的各种产品以及包括移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统和超移动个人计算机(UMPC)的便携式电子设备的显示屏幕。另外，电子设备1可以在包括智能手表、手表电话、眼镜型显示器和/或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中使用。另外，在一个或多个实施例中，电子设备1可以用作汽车用仪表板、汽车用中央仪表盘、或布置在仪表板上(或处)的中央信息显示器(CID)、代替汽车的侧视镜的室内镜显示器和/或作为汽车的后座的娱乐系统而布置在前座的背面上(或处)的显示器。在下文中，为了便于描述，示出了其中使用电子设备1作为智能电话的一个或多个实施例。
在本说明书的平面图中，“左”、“右”、“上”和“下”表示当在垂直于电子设备1的方向上(例如，在z方向上)观察电子设备1时的方向。作为示例，“左”表示-x方向，“右”表示+x方向，“上”表示+y方向，并且“下”表示-y方向。
电子设备1可以在平面图中具有四边形形状。作为示例，如图1A和图1B中所示，电子设备1可以在平面图中具有矩形形状，该矩形形状具有在x方向上的短边以及在y方向上的长边。在x方向上的短边与在y方向上的长边相交所在的拐角可以被倒圆，并且具有合适的曲率(例如，预设的曲率)，或者可以形成为具有直角。电子设备1的平面形状不限于四边形，而是可以是另一种形状，诸如除四边形之外的其他多边形、椭圆形和/或不规则形状。
电子设备1可以包括布置在显示区域DA内部的至少一个透射区域TA。尽管图1A和图1B示出了一个透射区域TA，但是电子设备1可以包括两个或更多个透射区域TA。在平面图中，透射区域TA可以完全被显示区域DA围绕(或可以在显示区域DA周围)。透射区域TA是其中布置有下面参考图2A或图2B描述的组件的区。通过使用该组件，电子设备1可以具有各种功能。
尽管在图1A中示出了透射区域TA布置在左上侧(或左上侧处)，但是本公开的实施例不限于此。在其他实施例中，透射区域TA可以布置在上中心(或上中心处)，如图1B中所示。或者，在一个或多个实施例中，透射区域TA可以布置在显示区域DA的右上侧(或右上侧处)或者布置在显示区域DA的中心(或中心处)。然而，本公开不限于此，并且透射区域TA可以位于各种位置中的任何位置处。
显示区域DA可以被配置为通过使用从布置在显示区域DA中的多个子像素发射的光来显示图像。每个子像素可以包括发射期望的颜色(例如，预设的颜色)的光的显示元件。作为示例，发射红色光、绿色光或蓝色光的显示元件可以在x方向和y方向上二维地布置，并且可以限定被配置为显示图像的显示区域DA。
非显示区域NDA是其中未布置子像素的区，并且可以包括第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2，其中，第一非显示区域NDA1围绕透射区域TA(或在透射区域TA周围)，并且第二非显示区域NDA2围绕显示区域DA(或在显示区域DA周围)。第一非显示区域NDA1可以布置在透射区域TA与显示区域DA之间，并且第二非显示区域NDA2可以布置在显示区域DA的外部。
图2A和图2B是沿着图1A的线II-II’截取的根据本公开的一个或多个实施例的电子设备1的截面图。尽管图2A和图2B示出了沿着图1A的线II-II’截取的电子设备1的截面，但是图1B的截面结构也可以具有与参考图2A和图2B描述的结构相同的结构。
参考图2A和图2B，电子设备1可以包括壳体HS，壳体HS具有一个开口侧和在壳体HS的内部中的空间。壳体HS的一个开口侧可以耦接到窗60。
显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以设置在窗60下方。组件20可以设置在显示面板10的后表面下方。
组件20可以是使用光或声音的电子元件。电子元件可以是测量距离的传感器(诸如接近传感器)、识别用户身体的一部分(例如，指纹、虹膜和面部等)的传感器、输出光的小型灯和/或相机。使用光的电子元件可以使用在诸如可见光、红外光和/或紫外光的各种波长带内的光。使用声音的电子元件可以使用超声波和/或不同频带内的声音。
显示面板10可以被配置为显示图像。显示面板10可以通过使用布置在显示区域DA中的显示元件来显示图像。显示面板10可以是包括发光二极管的发光显示面板。发光二极管可以包括包含有机发射层的有机发光二极管。在一个或多个实施例中，发光二极管可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括PN结二极管，该PN结二极管包括基于无机半导体的材料。当正向电压被施加到PN结二极管时，空穴和电子被注入，并且通过空穴和电子的复合产生的能量转换为光能，并且因此，可以发射期望颜色(例如，预设的颜色)的光。无机发光二极管可以具有在几微米至几百微米或者几纳米至几百纳米的范围内的宽度。在一个或多个实施例中，无机发光二极管可以由微型发光二极管表示。发光二极管的发射层可以包括有机材料或无机材料。在一个或多个实施例中，发光二极管的发射层可以包括量子点。换言之，发光二极管可以是量子点发光二极管。
显示面板10可以是具有刚性并且因此不容易弯折的刚性显示面板，或者显示面板10可以是具有柔性并且因此可易于弯折、折叠和/或卷曲的柔性显示面板。在一个或多个实施例中，显示面板10可以包括可折叠和可展开的可折叠显示面板、具有弯曲显示表面的弯曲显示面板、其中除了显示表面之外的区弯折的弯折显示面板、可卷曲和可展开的可卷曲显示面板和/或可拉伸的可拉伸显示面板。
输入感测层40可以获得与外部输入(例如，触摸事件)对应的坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以设置在显示面板10上(或处)。输入感测层40可以通过使用自电容方法和/或互电容方法来感测外部输入。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上(或处)。作为示例，输入感测层40可以在形成显示面板10的工艺之后连续地形成。在一个或多个实施例中，在输入感测层40与显示面板10之间可以不设置粘合层。或者，输入感测层40可以单独地形成，并且然后通过使用粘合层耦接。粘合层可以包括光学透明粘合剂。
光学功能层50可以包括防反射层。防反射层可以减小从外部通过窗60入射在显示面板10上的光(例如，外部光)的反射率。防反射层可以包括延迟器和/或偏振器。
在一个或多个实施例中，防反射层可以包括黑色矩阵和滤色器。可以通过考虑分别从显示面板10的子像素发射的光的颜色来布置滤色器。在一个或多个实施例中，防反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括分别设置在不同的层上(或处)的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，并且因此可以减小外部光的反射率。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以改善从显示面板10发射的光的光输出效率和/或透镜层可以减少颜色偏差。透镜层可以包括具有为凹陷或凸出的透镜形状的层和/或具有不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括上面描述的防反射层和透镜层二者或者包括防反射层和透镜层中的一者。
光学功能层50可以通过粘合层OCA(例如包括光学透明粘合剂的粘合层)结合到窗60。
在一个或多个实施例中，显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50中的每一者可以包括位于透射区域TA中的通孔。关于此，在图2A中示出了显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括第一通孔10H、第二通孔40H和第三通孔50H。第一通孔10H可以从显示面板10的上表面到下表面贯穿显示面板10，第二通孔40H可以从输入感测层40的上表面到下表面贯穿输入感测层40，并且第三通孔50H可以从光学功能层50的上表面到下表面贯穿光学功能层50。
在一个或多个实施例中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的至少一者可以不包括通孔。作为示例，选自显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一者或多者可以不包括通孔。在一个或多个实施例中，当可以确保透射区域TA的透射率时，如图2B中所示，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的每一者可以不包括位于透射区域TA中的通孔。在一个或多个实施例中，可以省略透射区域TA附近的第一非显示区域NDA1。换言之，透射区域TA可以被显示区域DA围绕(或可以使显示区域DA在其周围)，并且在透射区域TA与显示区域DA之间可以不存在第一非显示区域NDA1。
图3是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板10的示意性平面图，并且图4是图3的显示面板10的示意性侧视图。
参考图3，显示面板10可以包括透射区域TA、显示区域DA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。显示面板10的形状可以与基底100的形状相同。
透射区域TA可以布置在显示区域DA内部，并且在平面图中完全被显示区域DA围绕(或可以使显示区域DA在其周围)。如图3中所示，透射区域TA可以布置在显示区域DA的上中心(或上中心处)。在一个或多个实施例中，透射区域TA可以布置在显示区域DA的左上侧或显示区域DA的右上侧(或布置在显示区域DA的左上侧处或显示区域DA的右上侧处)。然而，本公开不限于此，并且透射区域TA可以布置在各种位置处。
第一非显示区域NDA1可以位于透射区域TA与显示区域DA之间，并且可以完全围绕透射区域TA(或者可以在透射区域TA周围)。如参考图2A描述的，在一个或多个实施例中，显示面板10可以包括位于透射区域TA中的第一通孔10H(例如，参见图2A)，湿气可能通过第一通孔10H被引入。因此，用于防止(或基本上防止)湿气进入显示区域DA的结构可以设置在第一通孔10H上(或处)。作为示例，包括有机材料的层(例如，图7的第一功能层222a和第二功能层222c)可以连续地形成在显示区域DA中以完全覆盖显示区域DA，但是不连续地形成在第一非显示区域NDA1中。作为示例，包括有机材料的层(例如，图7的第一功能层222a和第二功能层222c)可以包括设置在第一非显示区域NDA1中并且彼此隔开的多个部分。
尽管显示面板10的一些层(例如，第二电极(例如，阴极))可以在显示区域DA中连续地形成以完全覆盖显示区域DA，但是可以去除层的与透射区域TA对应的部分以提高透射区域TA的透射率。在一个或多个实施例中，在显示面板10不包括如参考图2B描述的第一通孔10H的情况下，包括在显示面板10中的多个层中的一者(例如，下面描述的第二电极(例如，阴极))可以包括位于透射区域TA中的开口(或通孔)，并且因此，可以改善透射区域TA的透射率。
显示区域DA是被配置为显示图像的区，并且可以包括各种形状，例如圆形形状、椭圆形形状、多边形、特定图形和一种或更多种其他合适的形状。尽管在图1中示出了显示区域DA具有近似四边形形状，但是在一个或多个实施例中，显示区域DA可以具有带有弧形边缘的近似四边形形状。
发光二极管LED可以布置在显示区域DA中。发光二极管LED可以电连接到布置在显示区域DA中的相应的子像素电路PC。多个子像素电路PC可以各自包括连接到信号线或电压线的用于控制发光二极管LED的导通/截止和亮度等的晶体管。关于此，图3示出了作为电连接到晶体管的信号线的扫描线SL、发射控制线EL和数据线DL，并且示出了作为电压线的驱动电压线VDDL、公共电压线VSSL、第一初始化电压线INL1和第二初始化电压线INL2。
第二非显示区域NDA2可以布置在显示区域DA外部。在平面图中，第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA(或在显示区域DA周围)。第二非显示区域NDA2的一部分(在下文中，称为突出外围区域)可以在远离显示区域DA的方向上延伸。换言之，显示面板10可以包括主区MR和从主区MR在一个方向上延伸的子区SR，其中，主区MR可以包括透射区域TA、第一非显示区域NDA1、显示区域DA和第二非显示区域NDA2的围绕显示区域DA的部分。子区SR可以对应于突出外围区域。子区SR的宽度(在x方向上的宽度)可以小于主区MR的宽度(在x方向上的宽度)。子区SR的一部分可以弯折，如图4中所示。在如图4中所示显示面板10弯折的实施例中，当观察包括显示面板10的电子设备1(例如，参见图1A)时，不会观察到作为非显示区域的第二非显示区域NDA2，或者即使观察到第二非显示区域NDA2，也可以减小观察到的区域。
显示面板10的形状可以与基底100的形状基本上相同。作为示例，基底100可以包括透射区域TA、第一非显示区域NDA1、显示区域DA和第二非显示区域NDA2。在一个或多个实施例中，基底100可以包括主区MR和子区SR。
如图3中所示，公共电压供应线1000、驱动电压供应线2000、第一驱动电路3031和第二驱动电路3032以及数据驱动电路4000可以布置在第二非显示区域NDA2中。
公共电压供应线1000可以包括与显示区域DA的第一边缘E1相邻的第一公共电压输入部分1011、第二公共电压输入部分1012和第三公共电压输入部分1014。在一个或多个实施例中，第一公共电压输入部分1011和第二公共电压输入部分1012可以与显示区域DA的第一边缘E1相邻，并且可以彼此分开(或隔开)。第三公共电压输入部分1014可以与显示区域DA的第一边缘E1相邻，并且可以位于第一公共电压输入部分1011与第二公共电压输入部分1012之间。
公共电压供应线1000还可以包括主体部分1013。第一公共电压输入部分1011可以通过沿着显示区域DA的第二边缘E2、第三边缘E3和第四边缘E4延伸的主体部分1013连接到第二公共电压输入部分1012。换言之，第一公共电压输入部分1011、第二公共电压输入部分1012和主体部分1013可以形成为一体(例如，集成体)。在一个或多个实施例中，公共电压供应线1000具有包括开口侧的环路形状，并且公共电压供应线1000的两个相对侧可以分别对应于第一公共电压输入部分1011和第二公共电压输入部分1012，并且第一公共电压输入部分1011与第二公共电压输入部分1012之间的部分可以对应于主体部分1013。
第一辅助公共电压供应线1021和第二辅助公共电压供应线1022可以布置在第二非显示区域NDA2中。第一辅助公共电压供应线1021和第二辅助公共电压供应线1022中的每一者可以是从公共电压供应线1000延伸的一种分支。
第一辅助公共电压供应线1021可以电连接到公共电压供应线1000并且可以沿着显示区域DA的第二边缘E2延伸。第一辅助公共电压供应线1021可以位于第一驱动电路3031与显示区域DA的第二边缘E2之间。
第二辅助公共电压供应线1022可以电连接到公共电压供应线1000并且可以沿着显示区域DA的第四边缘E4延伸。第二辅助公共电压供应线1022可以布置在第二驱动电路3032与显示区域DA的第四边缘E4之间。公共电压供应线1000、第一辅助公共电压供应线1021和第二辅助公共电压供应线1022可以电连接到穿过显示区域DA的公共电压线VSSL。布置在显示区域DA中的多条公共电压线VSSL可以延伸以彼此交叉。作为示例，多条公共电压线VSSL可以包括在y方向上延伸的公共电压线和在x方向上延伸的公共电压线。在下文中，为了便于描述，将“在y方向上延伸的公共电压线”称为竖直公共电压线VSL，并且将“在x方向上延伸的公共电压线”称为水平公共电压线HSL。
竖直公共电压线VSL和水平公共电压线HSL可以穿过显示区域DA以彼此交叉。竖直公共电压线VSL和水平公共电压线HSL可以设置在不同的层上(或处)。
竖直公共电压线VSL可以电连接到公共电压供应线1000。每条竖直公共电压线VSL的一个端部可以连接到主体部分1013，并且每条竖直公共电压线VSL的另一个端部可以连接到第一公共电压输入部分1011、第二公共电压输入部分1012或第三公共电压输入部分1014。
水平公共电压线HSL可以电连接到第一辅助公共电压供应线1021和第二辅助公共电压供应线1022。每条水平公共电压线HSL的一个端部可以连接到第一辅助公共电压供应线1021，并且每条水平公共电压线HSL的另一个端部可以连接到第二辅助公共电压供应线1022。参考图16进一步描述多条水平公共电压线HSL之中的分别布置在透射区域TA的左侧和右侧(或左侧和右侧处)的水平公共电压线HSL。
在一个或多个实施例中，每条竖直公共电压线VSL可以通过接触孔电连接到相应的一条水平公共电压线HSL，该接触孔穿过该每条竖直公共电压线VSL与该相应的一条水平公共电压线HSL之间的至少一个绝缘层。用于竖直公共电压线VSL与其相应的水平公共电压线HSL之间的连接的接触孔可以位于显示区域DA中。在一个或多个实施例中，用于竖直公共电压线VSL与其相应的水平公共电压线HSL的连接的接触孔可以布置在显示区域DA的位于显示区域DA的第一边缘E1与透射区域TA之间的部分中。在其他实施例中，在显示区域DA中，竖直公共电压线VSL可以不接触其相应的水平公共电压线HSL。
驱动电压供应线2000可以包括彼此分开(或隔开)的第一驱动电压输入部分2021和第二驱动电压输入部分2022，且显示区域DA位于第一驱动电压输入部分2021和第二驱动电压输入部分2022之间。第一驱动电压输入部分2021和第二驱动电压输入部分2022可以基本上彼此平行地延伸，且显示区域DA位于第一驱动电压输入部分2021和第二驱动电压输入部分2022之间。第一驱动电压输入部分2021可以与显示区域DA的第一边缘E1相邻，并且第二驱动电压输入部分2022可以与显示区域DA的第三边缘E3相邻。
驱动电压供应线2000可以电连接到穿过显示区域DA的驱动电压线VDDL。布置在显示区域DA中的多条驱动电压线VDDL可以延伸以彼此交叉。作为示例，驱动电压线VDDL可以包括在y方向上延伸的驱动电压线和在x方向上延伸的驱动电压线。在下文中，为了便于描述，将“在y方向上延伸的驱动电压线”称为竖直驱动电压线VDL，并且将“在x方向上延伸的驱动电压线”称为水平驱动电压线HDL。
竖直驱动电压线VDL和水平驱动电压线HDL可以穿过显示区域DA以彼此交叉。竖直驱动电压线VDL和水平驱动电压线HDL可以设置在不同的层上(或处)，并且可以通过形成在设置在竖直驱动电压线VDL与水平驱动电压线HDL之间的至少一个绝缘层中的接触孔彼此连接。用于每条竖直驱动电压线VDL与相应的一条水平驱动电压线HDL之间的连接的接触孔可以位于显示区域DA中。
第一驱动电路3031和第二驱动电路3032可以布置在第二非显示区域NDA2中，并且可以电连接到扫描线SL和发射控制线EL。在一个或多个实施例中，一些扫描线SL(例如，透射区域TA的左侧的扫描线)可以电连接到第一驱动电路3031，并且其余扫描线SL(例如，透射区域TA的右侧的扫描线)可以连接到第二驱动电路3032。第一驱动电路3031和第二驱动电路3032可以包括被配置为生成扫描信号的扫描驱动器。所生成的扫描信号可以通过相应的扫描线SL传送到相应的子像素电路PC的一个晶体管。第一驱动电路3031和第二驱动电路3032可以包括被配置为生成发射控制信号的发射控制驱动器。所生成的发射控制信号可以通过相应的发射控制线EL传送到相应的子像素电路PC的一个晶体管。
数据驱动电路4000可以被配置为通过穿过显示区域DA的相应数据线DL将数据信号传送到相应的子像素电路PC的一个晶体管。
在平面图中，第一端子部分TD1可以位于基底100的一侧。印刷电路板5000可以附接到第一端子部分TD1。印刷电路板5000可以包括电连接到第一端子部分TD1的第二端子部分TD2。控制器6000可以设置在印刷电路板5000上(或处)。控制器6000的控制信号可以通过第一端子部分TD1和第二端子部分TD2提供到第一驱动电路3031和第二驱动电路3032、数据驱动电路4000、驱动电压供应线2000以及公共电压供应线1000中的每一者。
图5是根据本公开的一个或多个实施例的电连接到设置在显示面板上(或处)的发光二极管的子像素电路PC的示意性等效电路图。
图5和本文中的其他附图示出了多个子像素电路PC中的单个子像素电路PC，并且关于多个子像素电路PC中的单个子像素电路PC进行描述。该子像素电路PC被单独地描述为连接到该相应子像素电路PC的其相应的扫描线SL、驱动电压线VDL、初始化电压线、发射控制线EL、数据线DL等。然而，该子像素电路PC的该特征和连接可以应用于遍及显示区域DA的其他子像素电路PC以及其相应的组件和连接件。
如图5中所示，子像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器Cst。子像素电路PC电连接到发光二极管。在下文中，为了便于描述，描述其中发光二极管是有机发光二极管OLED的一个或多个实施例。
多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7。
发光二极管(例如，有机发光二极管OLED)可以包括第一电极(例如，阳极)和第二电极(例如，阴极)。有机发光二极管OLED的第一电极可以通过发射控制晶体管T6连接到驱动晶体管T1以接收驱动电流Id，并且有机发光二极管OLED的第二电极可以接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以生成与驱动电流Id对应的亮度的光。
多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。在一个或多个实施例中，多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的一些薄膜晶体管可以是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N沟道MOSFET(NMOS))，并且多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的其余薄膜晶体管可以是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P沟道MOSFET(PMOS))。作为示例，在多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7之中，补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可以是N沟道MOSFET(NMOS)，并且其余薄膜晶体管可以是P沟道MOSFET(PMOS)。在一个或多个实施例中，多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的补偿薄膜晶体管T3可以是NMOS，并且多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的其余薄膜晶体可以是PMOS。在其他实施例中，多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7全部可以为NMOS。多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以各自包括非晶硅和/或多晶硅。当需要时，作为NMOS的薄膜晶体管可以包括氧化物半导体。
子像素电路PC可以电连接到扫描线SL、前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1，其中，扫描线SL被配置为传送扫描信号Sn，前一扫描线SL-1被配置为将前一扫描信号Sn-1传送到第一初始化晶体管T4，并且下一扫描线SL+1被配置为将下一扫描信号Sn+1传送到第二初始化晶体管T7。
子像素电路PC可以电连接到发射控制线EL和数据线DL，其中，发射控制线EL被配置为将发射控制信号En传送到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6，并且数据线DL被配置为传送数据信号Dm。
驱动电压线VDDL(例如，竖直驱动电压线VDL)可以被配置为将驱动电压ELVDD传送到驱动晶体管T1，第一初始化电压线INL1可以被配置为传送使驱动晶体管T1初始化的第一初始化电压Vint1，并且第二初始化电压线INL2可以被配置为传送使有机发光二极管OLED的第一电极初始化的第二初始化电压Vint2。
驱动晶体管T1的驱动栅极电极可以通过第二节点N2连接到存储电容器Cst，驱动晶体管T1的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以通过操作控制晶体管T5连接到竖直驱动电压线VDDL，并且驱动晶体管T1的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以通过发射控制晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极)。驱动晶体管T1可以被配置为接收数据信号Dm，并且根据开关晶体管T2的开关操作向有机发光二极管OLED供应驱动电流Id。即，驱动晶体管T1可以被配置为响应于施加到第二节点N2并且被数据信号Dm改变的电压来控制从第一节点N1流到有机发光二极管OLED的电流的量，第一节点N1电连接到竖直驱动电压线VDDL。
开关晶体管T2的开关栅极电极可以连接到被配置为传送扫描信号Sn的扫描线SL，开关晶体管T2的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以连接到数据线DL，并且开关晶体管T2的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以通过第一节点N1连接到驱动晶体管T1并且通过操作控制晶体管T5连接到竖直驱动电压线VDDL。开关晶体管T2可以被配置为响应于施加到扫描线SL的电压将数据信号Dm从数据线DL传送到第一节点N1。即，开关晶体管T2可以根据通过扫描线SL传送的扫描信号Sn导通，并且可以执行通过第一节点N1将数据信号Dm传送到驱动晶体管T1的开关操作，数据信号Dm通过数据线DL传送。
补偿晶体管T3的补偿栅极电极连接到扫描线SL。补偿晶体管T3的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以通过第三节点N3经由发射控制晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的第一电极。补偿晶体管T3的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以通过第二节点N2连接到存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和驱动晶体管T1的驱动栅极电极。补偿晶体管T3可以通过根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn导通来使驱动晶体管T1二极管式连接。
第一初始化晶体管T4的第一初始化栅极电极可以连接到前一扫描线SL-1。第一初始化晶体管T4的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以连接到第一初始化电压线INL1。第一初始化晶体管T4的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以通过第二节点N2连接到存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和驱动晶体管T1的驱动栅极电极。第一初始化晶体管T4可以被配置为根据施加到前一扫描线SL-1的电压从第一初始化电压线INL1向第二节点N2施加第一初始化电压Vint1。即，第一初始化晶体管T4可以根据通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1导通，并且可以通过将第一初始化电压Vint1传送到驱动晶体管T1的驱动栅极电极来执行对驱动晶体管T1的驱动栅极电极的电压进行初始化的初始化操作。
操作控制晶体管T5的操作控制栅极电极可以连接到发射控制线EL，操作控制晶体管T5的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以连接到竖直驱动电压线VDDL，并且操作控制晶体管T5的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以通过第一节点N1连接到驱动晶体管T1和开关晶体管T2。
发射控制晶体管T6的发射控制栅极电极可以连接到发射控制线EL，发射控制晶体管T6的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以通过第三节点N3连接到驱动晶体管T1和补偿晶体管T3，并且发射控制晶体管T6的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以电连接到有机发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极)。
操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以根据通过发射控制线EL传送的发射控制信号En同时导通，驱动电压ELVDD被传送到有机发光二极管OLED，并且驱动电流Id流过有机发光二极管OLED。
第二初始化晶体管T7的第二初始化栅极电极可以连接到下一扫描线SL+1，第二初始化晶体管T7的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的一者可以连接到有机发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极)，并且第二初始化晶体管T7的源极电极(或源极区)和漏极电极(或漏极区)中的另一者可以电连接到第二初始化电压线INL2以接收第二初始化电压Vint2。第二初始化晶体管T7根据通过下一扫描线SL+1传送的下一扫描信号Sn+1导通，并且将有机发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极)初始化。
尽管在图5中示出了第四晶体管T4和第七晶体管T7分别连接到前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1，但是本公开的实施例不限于此。在一个或多个实施例中，第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7两者可以连接到前一扫描线SL-1，并且因此根据前一扫描信号Sn-1而被驱动。
存储电容器Cst可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。存储电容器Cst的第一电容器电极CE1通过第二节点N2连接到驱动晶体管T1的驱动栅极电极，并且存储电容器Cst的第二电容器电极CE2连接到竖直驱动电压线VDL。存储电容器Cst可以被配置为存储与驱动晶体管T1的驱动栅极的电压与驱动电压ELVDD之间的差对应的电荷。
图6是根据本公开的一个或多个实施例的布置在显示面板的显示区域DA中的第N行中(或处)的子像素电路PC和第N+1行中(或处)的子像素电路PC的布局图。为了便于描述，图6示出了布置在第M列中(或处)的在第N行中(或处)的子像素电路PC和在第N+1行中(或处)的子像素电路PC的一部分。图6中所示的子像素电路PC可以对应于布置在透射区域TA(例如，参见图3)周围的子像素电路PC。相对远离透射区域TA(例如，参见图3)布置的子像素电路(例如，布置在显示区域DA的第一边缘E1(例如，参见图3)与透射区域TA之间的子像素电路)可以具有与图6中所示的子像素电路PC的结构类似的结构。
参考图6，驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7可以沿着半导体层Act形成。
半导体层Act包括多个弯折部分。驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7可以沿着半导体层Act的弯折部分形成。换言之，驱动晶体管T1的半导体、开关晶体管T2的半导体、补偿晶体管T3的半导体、第一初始化晶体管T4的半导体、操作控制晶体管T5的半导体、发射控制晶体管T6的半导体和第二初始化晶体管T7的半导体可以分别对应于图6中所示的半导体层Act的多个部分。驱动晶体管T1的半导体、开关晶体管T2的半导体、补偿晶体管T3的半导体、第一初始化晶体管T4的半导体、操作控制晶体管T5的半导体、发射控制晶体管T6的半导体和第二初始化晶体管T7的半导体可以彼此连接以构成图6中所示的半导体层Act。
驱动晶体管T1可以包括半导体层Act的一部分(在下文中，称为半导体层Act的第一部分或驱动半导体)和在驱动半导体上的驱动栅极电极GE1。驱动晶体管T1的驱动半导体可以包括沟道区、源极区和漏极区，其中，沟道区与驱动栅极电极GE1重叠，并且源极区和漏极区分别布置在沟道区的两个相对侧(或布置在沟道区的两个相对侧处)。驱动半导体的源极区和漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。驱动半导体的沟道区可以在栅极电极GE1下方具有弯折形状。
开关晶体管T2可以包括半导体层Act的一部分(在下文中，称为半导体层Act的第二部分或开关半导体)和在开关半导体上的开关栅极电极。开关栅极电极是在第一方向(例如，x方向)上延伸的扫描线SL的一部分。扫描线SL的与半导体层Act的第二部分(或开关半导体)重叠的部分可以对应于开关栅极电极。开关半导体可以包括沟道区、源极区和漏极区，其中，沟道区与扫描线SL重叠，并且源极区和漏极区分别布置在沟道区的两个相对侧(或布置在沟道区的两个相对侧处)。开关半导体的源极区和漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。
补偿晶体管T3可以包括半导体层Act的一部分(在下文中，称为半导体层Act的第三部分或补偿半导体)和在补偿半导体上的补偿栅极电极。补偿栅极电极是扫描线SL的一部分。扫描线SL的与半导体层Act的第三部分(例如，补偿半导体)对应的部分可以对应于补偿栅极电极。关于此，在图6中示出了扫描线SL的在第一方向(例如，x方向)上延伸的部分和从扫描线SL在y方向上延伸的部分是补偿栅极电极并且与半导体层Act的第三部分(或补偿半导体)重叠。如图6中所示，补偿晶体管T3可以是具有两个栅极电极的双栅极型晶体管。补偿半导体可以包括沟道区、源极区和漏极区，其中，沟道区与扫描线SL重叠，并且源极区和漏极区分别布置在沟道区的两个相对侧(或布置在沟道区的两个相对侧处)。补偿半导体的源极区和漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。
第一初始化晶体管T4可以包括半导体层Act的一部分(在下文中，称为半导体层Act的第四部分或第一初始化半导体)和在第一初始化半导体上的第一初始化栅极电极。第一初始化栅极电极可以是前一扫描线SL-1的与半导体层Act的第四部分(或第一初始化半导体)重叠的部分。关于此，在图6中示出了在第一方向(例如，x方向)上延伸的前一扫描线SL-1与第一初始化半导体的两个部分重叠。
如图6中所示，在平面图中，第一初始化半导体可以具有底部开口的C形状，并且前一扫描线SL-1与第一初始化半导体的两个部分重叠。如图6中所示，第一初始化晶体管T4可以是具有两个栅极电极的双栅极型晶体管。第一初始化半导体可以包括沟道区、源极区和漏极区，其中，沟道区与扫描线SL重叠，并且源极区和漏极区分别布置在沟道区的两个相对侧(或布置在沟道区的两个相对侧处)。第一初始化半导体的源极区和漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。
操作控制晶体管T5可以包括半导体层Act的一部分(在下文中，称为半导体层Act的第五部分或操作控制半导体)和在操作控制半导体上的操作控制栅极电极。操作控制栅极电极是发射控制线EL的在第一方向(例如，x方向)上延伸的部分。发射控制线EL的与半导体层Act的第五部分(或操作控制半导体)重叠的部分可以对应于操作控制栅极电极。操作控制半导体可以包括沟道区、源极区和漏极区，其中，沟道区与发射控制线EL重叠，并且源极区和漏极区分别布置在沟道区的两个相对侧(或布置在沟道区的两个相对侧处)。操作控制半导体的源极区和漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。
发射控制晶体管T6可以包括半导体层Act的一部分(在下文中，称为半导体层Act的第六部分或发射控制半导体)和在发射控制半导体上的发射控制栅极电极。发射控制栅极电极是发射控制线EL的一部分。发射控制线EL的与半导体层Act的第六部分(例如，发射控制半导体)对应的部分可以对应于发射控制栅极电极。发射控制半导体可以包括沟道区、源极区和漏极区，其中，沟道区与发射控制线EL重叠，并且源极区和漏极区分别布置在沟道区的两个相对侧(或布置在沟道区的两个相对侧处)。发射控制半导体的源极区和漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。
第二初始化晶体管T7可以包括半导体层Act的一部分(在下文中，称为半导体层Act的第七部分或第二初始化半导体)和在第二初始化半导体上的第二初始化栅极电极。第二初始化栅极电极是下一扫描线SL+1的在第一方向(例如，x方向)上延伸的部分。下一扫描线SL+1的与半导体层Act的第七部分(或第二初始化半导体)重叠的部分可以对应于第二初始化栅极电极。第二初始化半导体可以包括沟道区、源极区和漏极区，其中，沟道区与下一扫描线SL+1重叠，并且源极区和漏极区分别布置在沟道区的两个相对侧(或布置在沟道区的两个相对侧处)。第二初始化半导体的源极区和漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。
下一扫描线SL+1可以被配置为传送与扫描线SL所传送的信号相同的信号。作为示例，第N+1行中(或处)的下一扫描线SL+1可以被配置为将与第N行中(或处)的扫描线SL所传送的电信号相同的电信号以时间差传送到第二初始化晶体管T7。
驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和存储电容器Cst可以布置在与同一子像素电路PC对应的区上(或处)。作为示例，当驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和存储电容器Cst可以布置在与同一子像素电路PC(例如，第N行第M列中(或处)的子像素电路)对应的区上(或处)时，第二初始化晶体管T7可以布置在与另一子像素电路PC(例如，第N+1行第M列中(或处)的子像素电路)对应的区中。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。第一电容器电极CE1可以包括驱动栅极电极GE1。作为示例，第一电容器电极CE1和驱动栅极电极GE1可以基本上对应于同一导体。换言之，第一电容器电极CE1可以用作驱动栅极电极GE1，并且驱动栅极电极GE1可以用作第一电容器电极CE1。在平面图中，第一电容器电极CE1和/或驱动栅极电极GE1可以各自具有孤立的形状。
第一电容器电极CE1、驱动栅极电极GE1、扫描线SL、前一扫描线SL-1、下一扫描线SL+1和发射控制线EL可以形成在同一层上(或处)。第一电容器电极CE1、驱动栅极电极GE1、扫描线SL、前一扫描线SL-1、下一扫描线SL+1和发射控制线EL可以包括相同的材料。
第二电容器电极CE2可以是电极电压线CEL的一部分。电极电压线CEL可以在第一方向(例如，x方向)上延伸。电极电压线CEL的一部分可以在第二方向(例如，y方向)上突出，并且该一部分可以对应于第二电容器电极CE2。
辅助初始化电压线AIL可以在第一方向(例如，x方向)上延伸。辅助初始化电压线AIL可以与前一扫描线SL-1相邻。在一个或多个实施例中，辅助初始化电压线AIL可以布置为穿过第一初始化晶体管T4的第一初始化半导体。辅助初始化电压线AIL可以具有合适的电压电平(例如，预设的电压电平)，例如，图5中所示的第一初始化电压Vint1或第二初始化电压Vint2的电压电平。
导电件(conductive piece)CDP可以布置在前一扫描线SL-1与扫描线SL之间。作为示例，导电件CDP可以布置在第一初始化晶体管T4与补偿晶体管T3之间。在平面图中，导电件CDP可以具有孤立的形状。导电件CDP可以电连接到竖直驱动电压线VDL。作为示例，导电件CDP可以通过设置在竖直驱动电压线VDL与导电件CDP之间的绝缘层中的接触孔151电连接到竖直驱动电压线VDL。导电件CDP的部分CDPa可以与补偿晶体管T3的补偿半导体的一部分重叠。作为示例，导电件CDP的部分CDPa可以与补偿半导体的位于扫描线SL的一部分和从扫描线SL突出的部分之间的部分(或补偿半导体的位于补偿半导体的两个沟道区之间的部分)重叠。
第二电容器电极CE2、电极电压线CEL、导电件CDP和辅助初始化电压线AIL可以形成在同一层上(或处)。第二电容器电极CE2、电极电压线CEL、导电件CDP和辅助初始化电压线AIL可以包括相同的材料。
竖直驱动电压线VDL可以在第二方向(例如，y方向)上延伸。竖直驱动电压线VDL可以设置在电极电压线CEL上(或处)，并且可以与电极电压线CEL的一部分交叉。竖直驱动电压线VDL可以通过接触孔154连接到电极电压线CEL。竖直驱动电压线VDL可以通过接触孔155连接到操作控制晶体管T5的操作控制半导体。
初始化电压线INL可以在第二方向(例如，y方向)上延伸。图6的初始化电压线INL可以是例如参考图3和图5描述的第一初始化电压线INL1和第二初始化电压线INL2中的一者。作为示例，两个相邻列中的一列中(或处)的初始化电压线INL可以是第一初始化电压线INL1(例如，参见图3和图5)和第二初始化电压线INL2(例如，参见图3和图5)中的一者，并且两个相邻列中的另一列中(或处)的初始化电压线INL可以是第一初始化电压线INL1(例如，参见图3和图5)和第二初始化电压线INL2(例如，参见图3和图5)中的另一者。第一初始化电压线INL1(例如，参见图3和图5)和第二初始化电压线INL2(例如，参见图3和图5)可以交替地布置。
在一个或多个实施例中，第M列中(或处)的初始化电压线INL可以是第二初始化电压线INL2(例如，参见图3和图5)，并且第M-1列中(或处)的初始化电压线INL可以是第一初始化电压线INL1(例如，参见图3和图5)。在一个或多个实施例中，布置在第M列中(或处)的子像素电路PC中的第一初始化晶体管T4的第一初始化半导体可以与布置在第M-1列中(或处)的子像素电路PC中的第一初始化晶体管T4的第一初始化半导体连接为一体(例如，集成体)。彼此连接为一体(例如，集成体)的布置在第M列中(或处)的子像素电路PC中的第一初始化半导体和布置在第M-1列中(或处)的子像素电路PC中的第一初始化半导体可以从第一初始化电压线INL1接收第一初始化电压，该第一初始化电压线INL1是布置在第M-1列中(或处)的初始化电压线。
类似地，布置在第M列中(或处)的子像素电路PC中的第二初始化晶体管T7的第二初始化半导体可以与布置在第M+1列中(或处)的子像素电路PC中的第二初始化晶体管T7的第二初始化半导体连接为一体(例如，集成体)。彼此连接为一体(例如，集成体)的布置在第M列中(或处)的子像素电路PC中的第二初始化半导体和布置在第M+1列中(或处)的子像素电路PC中的第二初始化半导体可以从第二初始化电压线INL2接收第二初始化电压，该第二初始化电压线INL2是布置在第M列中(或处)的初始化电压线INL(例如，参见图6)。
节点连接线NL可以将驱动晶体管T1电连接到补偿晶体管T3。节点连接线NL的第一端部可以通过穿过设置在节点连接线NL与补偿半导体层之间的至少一个绝缘层的接触孔152连接到补偿晶体管T3的补偿半导体层的源极区和漏极区中的一者。节点连接线NL的第二端部可以通过穿过设置在节点连接线NL与驱动栅极电极GE1之间的至少一个绝缘层的接触孔153连接到驱动栅极电极GE1。为了在节点连接线NL的第二端部与驱动栅极电极GE1之间的连接，第二电容器电极CE2可以包括与驱动栅极电极GE1重叠的开口CEOP。
节点连接线NL可以在第二方向(例如，y方向)上延伸。节点连接线NL、竖直驱动电压线VDL和初始化电压线INL可以设置在同一层上(或处)。节点连接线NL、竖直驱动电压线VDL和初始化电压线INL可以包括相同的材料。
水平驱动电压线HDL可以在第一方向(例如，x方向)上延伸。水平驱动电压线HDL可以与电极电压线CEL重叠。作为示例，水平驱动电压线HDL可以与电极电压线CEL的一部分和第二电容器电极CE2的一部分重叠。
水平驱动电压线HDL可以设置在竖直驱动电压线VDL上(或处)，并且可以与竖直驱动电压线VDL的一部分交叉。水平驱动电压线HDL可以通过接触孔162连接到竖直驱动电压线VDL。竖直驱动电压线VDL可以通过接触孔154连接到电极电压线CEL。因此，水平驱动电压线HDL、竖直驱动电压线VDL、电极电压线CEL的一部分和第二电容器电极CE2可以具有相同的电压电平(例如，公共电压电平)。
水平驱动电压线HDL可以包括在第二方向(例如，y方向)上从水平驱动电压线HDL突出的突出部分HDL-P。突出部分HDL-P可以具有与节点连接线NL的形状类似的形状，并且可以与节点连接线NL重叠。
导电线HCL可以在第一方向(例如，x方向)上延伸。导电线HCL可以与前一扫描线SL-1相邻。导电线HCL可以与第一初始化晶体管T4相邻。作为示例，导电线HCL可以与第一初始化晶体管T4的第一初始化半导体交叉。导电线HCL可以具有恒定电压的电压电平。作为示例，导电线HCL可以与驱动电压ELVDD(例如，参见图5)具有相同的电压电平。
水平驱动电压线HDL和导电线HCL可以设置在同一层上(或处)。水平驱动电压线HDL和导电线HCL可以包括相同的材料。
数据线DL可以在第二方向(例如，y方向)上延伸。数据线DL可以与竖直驱动电压线VDL相邻。数据线DL可以通过第一介质金属(medium metal)CMM1和第二介质金属CMM2电连接到开关晶体管T2。作为示例，第一介质金属CMM1可以通过接触孔156连接到开关晶体管T2的开关半导体，第二介质金属CMM2可以通过接触孔161连接到第一介质金属CMM1，并且数据线DL可以通过接触孔171连接到第二介质金属CMM2。
竖直导电线VCL可以具有合适的电压电平(例如，预设的电压电平)。竖直导电线VCL可以依据子像素电路PC的位置而具有不同的电压电平。例如，在其中子像素电路PC布置在透射区域TA(例如，参见图3)周围的实施例中，竖直导电线VCL可以具有恒定电压(例如，驱动电压)的电压电平。在其中子像素电路PC布置在透射区域TA的左侧和右侧(或布置在透射区域TA的左侧和右侧处)的实施例中，竖直导电线VCL可以电连接到例如参考图3描述的第二驱动电压输入部分2022。
图7是根据本公开的一个或多个实施例的布置在显示面板的显示区域DA中的结构的示意性截面图。
参考图7，有机发光二极管OLED布置在显示区域DA中，并且有机发光二极管OLED可以电连接到子像素电路PC。子像素电路PC可以在垂直于基底100的方向(例如，z方向)上设置在基底100与有机发光二极管OLED之间。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。在一个或多个实施例中，基底100可以具有其中包括聚合物树脂的基体层和包括诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料的阻挡层交替地堆叠的堆叠结构。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素和/或一种或多种其他合适的材料。
在形成子像素电路PC之前，可以在基底100上(或处)形成缓冲层201，以防止(或基本上防止)杂质渗透到子像素电路PC。缓冲层201可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
子像素电路PC可以包括上面参考图5和图6描述的多个晶体管和存储电容器。关于此，图7示出了驱动晶体管T1、发射控制晶体管T6和存储电容器Cst。
驱动晶体管T1可以包括驱动半导体A1和驱动栅极电极GE1，其中，驱动半导体A1在缓冲层201上，并且驱动栅极电极GE1与驱动半导体A1的沟道区C1重叠。驱动半导体A1可以包括硅基半导体材料，例如多晶硅。驱动半导体A1可以包括沟道区C1、分别布置在沟道区C1的两个相对侧(或分别布置在沟道区C1的两个相对侧处)的第一区B1和第二区D1。第一区B1和第二区D1是包括比沟道区C1的浓度高的浓度的杂质的区。第一区B1和第二区D1中的一者可以对应于源极区，并且第一区B1和第二区D1中的另一者可以对应于漏极区。
发射控制晶体管T6可以包括发射控制半导体A6和发射控制栅极电极GE6，其中，发射控制半导体A6在缓冲层201上，并且发射控制栅极电极GE6与发射控制半导体A6的沟道区C6重叠。发射控制半导体A6可以包括沟道区C6、分别布置在沟道区C6的两个相对侧(或分别布置在沟道区C6的两个相对侧处)的第一区B6和第二区D6。第一区B6和第二区D6是包括比沟道区C6的浓度高的浓度的杂质的区。第一区B6和第二区D6中的一者可以对应于源极区，并且第一区B6和第二区D6中的另一者可以对应于漏极区。
驱动栅极电极GE1和发射控制栅极电极GE6可以设置在同一层上(或处)。如参考图6描述的，发射控制栅极电极GE6可以对应于发射控制线EL(例如，参见图6)的一部分。因此，驱动栅极电极GE1和发射控制线EL(例如，参见图6)可以设置在同一层(例如，栅极绝缘层203)上(或处)。如参考6描述的，第一电容器电极CE1、扫描线SL、前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1可以各自设置在栅极绝缘层203上(或处)。
驱动栅极电极GE1和发射控制栅极电极GE6可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包含以上材料的单层结构或多层结构。驱动栅极电极GE1和发射控制栅极电极GE6可以与扫描线SL、前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1包括相同的材料。
栅极绝缘层203可以设置在驱动半导体A1与驱动栅极电极GE1之间以及发射控制半导体A6与发射控制栅极电极GE6之间。栅极绝缘层203可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。存储电容器Cst的第一电容器电极CE1可以包括驱动栅极电极GE1。
第一层间绝缘层205可以设置在存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2之间。第一层间绝缘层205可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
存储电容器Cst的第二电容器电极CE2可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的低电阻材料的导电材料，并且可以具有包括以上导电材料的单层结构或多层结构。
因为第二电容器电极CE2对应于电极电压线CEL(参见图6)的一部分，所以电极电压线CEL可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的低电阻导电材料，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。
在一个或多个实施例中，像第二电容器电极CE2和电极电压线CEL一样，参考图6描述的导电件CDP和辅助初始化电压线AIL可以设置在第一层间绝缘层205上(或处)。导电件CDP和辅助初始化电压线AIL可以包括与第二电容器电极CE2和电极电压线CEL的材料相同的材料。
第二层间绝缘层207可以设置在存储电容器Cst上(或处)。第二层间绝缘层207可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
发射控制晶体管T6可以通过第三介质金属CMM3、第四介质金属CMM4和第五介质金属CMM5电连接到有机发光二极管OLED的第一电极221。第三介质金属CMM3可以设置在第二层间绝缘层207上(或处)，并且可以通过穿过栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的接触孔157连接到发射控制半导体A6。
第四介质金属CMM4可以设置在第一有机绝缘层211上(或处)，并且通过第一有机绝缘层211中的接触孔163连接到第三介质金属CMM3。第五介质金属CMM5可以设置在第二有机绝缘层212上(或处)，并且通过第二有机绝缘层212中的接触孔172连接到第四介质金属CMM4。
穿过栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的接触孔157的中心、第一有机绝缘层211中的接触孔163的中心和第二有机绝缘层212中的接触孔172的中心可以分别位于不同的位置处。如图6中所示，穿过栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的接触孔157的中心、第一有机绝缘层211中的接触孔163的中心以及第二有机绝缘层212中的接触孔172的中心可以在平面图中彼此分开(或隔开)。
竖直驱动电压线VDL可以与第三介质金属CMM3设置在同一层(例如，第二层间绝缘层207)上(或处)。参考图6描述的节点连接线NL和初始化电压线INL可以与第三介质金属CMM3设置在同一层上(或处)(例如，设置在第二层间绝缘层207上(或处))。第三介质金属CMM3、节点连接线NL、竖直驱动电压线VDL和初始化电压线INL可以包括相同的材料。第三介质金属CMM3、节点连接线NL、竖直驱动电压线VDL和初始化电压线INL中的每一者可以包括铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。作为示例，第三介质金属CMM3、节点连接线NL、竖直驱动电压线VDL和初始化电压线INL可以包括钛层/铝层/钛层的三层结构。
第一有机绝缘层211可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺和/或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
水平驱动电压线HDL可以与第四介质金属CMM4设置在同一层(例如，第一有机绝缘层211)上(或处)。水平驱动电压线HDL可以通过第一有机绝缘层211中的接触孔162连接到竖直驱动电压线VDL。因为竖直驱动电压线VDL连接到水平驱动电压线HDL，所以可以防止(或减小)由于驱动电压线VDDL自身的电阻引起的电压降。
参考图6描述的导电线HCL可以与水平驱动电压线HDL和第四介质金属CMM4设置在同一层(例如，第一有机绝缘层211)上(或处)。导电线HCL(例如，参见图6)、水平驱动电压线HDL和第四介质金属CMM4可以包括相同的材料。
导电线HCL(例如，参见图6)、水平驱动电压线HDL和第四介质金属CMM4中的每一者可以包括铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。作为示例，导电线HCL(例如，参见图6)、水平驱动电压线HDL和第四介质金属CMM4中的每一者可以包括钛层/铝层/钛层的三层结构。
数据线DL可以与第五介质金属CMM5设置在同一层(例如，第二有机绝缘层212)上(或处)。参考图6描述的竖直导电线VCL可以与数据线DL和第五介质金属CMM5设置在同一层(例如，第二有机绝缘层212)上(或处)。
第二有机绝缘层212可以包括有机绝缘材料。第二有机绝缘材料可以包括有机绝缘材料，诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺和/或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
竖直导电线VCL(例如，参见图6)、数据线DL和第五介质金属CMM5可以包括相同的材料。竖直导电线VCL(例如，参见图6)、数据线DL和第五介质金属CMM5中的每一者可以包括铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。作为示例，竖直导电线VCL(例如，参见图6)、数据线DL和第五介质金属CMM5中的每一者可以包括钛层/铝层/钛层的三层结构。
第三有机绝缘层213可以设置在数据线DL上(或处)。第三有机绝缘层213可以包括亚克力、BCB、聚酰亚胺和/或HMDSO。
发光二极管(例如，有机发光二极管OLED)可以设置在第三有机绝缘层213上(或处)。有机发光二极管OLED的第一电极221可以通过第三有机绝缘层213中的接触孔181连接到第五介质金属CMM5。
第一电极221可以包括反射层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和/或其化合物。在一个或多个实施例中，第一电极221还可以包括在反射层上和/或之下的导电氧化物材料层。导电氧化物材料层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。在一个或多个实施例中，第一电极221可以具有ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。
堤层215可以设置在第一电极221上(或处)。堤层215可以包括与第一电极221重叠的开口，并且可以覆盖第一电极221的边缘。堤层215可以包括有机绝缘材料。
中间层222包括发射层222b。中间层222可以包括第一功能层222a和/或第二功能层222c，其中，第一功能层222a在发射层222b之下，并且第二功能层222c在发射层222b上。发射层222b可以包括发射具有期望颜色(例如，预设的颜色)的光的聚合物有机材料和/或低分子量有机材料。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一功能层222a和第二功能层222c可以各自包括有机材料。
第二电极223可以包括具有低功函数的导电材料。作为示例，第二电极223可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和/或其合金。在一个或多个实施例中，第二电极223还可以包括在(半)透明层上的层，该层包括ITO、IZO、ZnO和/或In2O3。
发射层222b可以形成在显示区域DA中，以在堤层215的开口中与第一电极221重叠。相比之下，第一功能层222a、第二功能层222c和第二电极223可以遍及显示区域DA形成。
间隔件217可以形成在堤层215上(或处)。间隔件217可以在与形成堤层215的工艺相同的工艺期间与堤层215一起形成，或者在单独的工艺期间单独地形成。在一个或多个实施例中，间隔件217可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺。
有机发光二极管OLED可以被封装层300覆盖。封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在一个或多个实施例中，例如，如图7中所示，封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或一种或多种其他合适的材料之中的至少一种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括包含以上无机材料的单层或多层。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。在一个或多个实施例中，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
图8是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的透射区域TA和与透射区域相邻的显示区域DA的一部分的示意性平面图。
参考图8，透射区域TA的上侧和下侧的线可以彼此隔开或分开，且透射区域TA在这些线之间。作为示例，第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3、第四数据线DL4、第五数据线DL5和第六数据线DL6可以各自设置在透射区域TA的上侧和下侧(或各自设置在透射区域TA的上侧和下侧处)，并且第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3、第四数据线DL4、第五数据线DL5和第六数据线DL6可以彼此隔开或分开。
透射区域TA的左侧和右侧的线可以彼此隔开或分开，且透射区域TA在这些线之间。作为示例，透射区域TA的左侧的导电线HCL可以与透射区域TA的右侧的导电线HCL隔开或分开。
首先，将描述透射区域TA的上侧和下侧的数据线。
数据线在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且一些数据线可以包括彼此分开(或隔开)的部分，且透射区域TA在这些部分之间。关于此，在图8中示出了第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3、第四数据线DL4、第五数据线DL5和第六数据线DL6各自在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3、第四数据线DL4、第五数据线DL5和第六数据线DL6分别包括第一部分DL1a、DL2a、DL3a、DL4a、DL5a和DL6a并且分别包括第二部分DL1b、DL2b、DL3b、DL4b、DL5b和DL6b。参考图8，第七数据线DL7、第八数据线DL8、第九数据线DL9和第十数据线DL10可以各自在第二方向(x方向)上与透射区域TA分开(或隔开)，并且可以在第二方向(例如，y方向)上延伸。
数据线的彼此分开(或隔开)的第一部分和第二部分可以通过位于显示区域DA中的桥接线彼此电连接，且透射区域TA在第一部分与第二部分之间。作为示例，第一数据线DL1的第一部分DL1a可以通过第一桥接线BL1电连接到第二部分DL1b。
第一桥接线BL1可以包括第一竖直桥接部分VB1以及一对第一水平桥接部分HB1和HB1'，其中，第一竖直桥接部分VB1在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且一对第一水平桥接部分HB1和HB1'分别设置在第一竖直桥接部分VB1的两个相对侧(或设置在第一竖直桥接部分VB1的两个相对侧处)并且在第一方向(例如，x方向)上延伸。第一竖直桥接部分VB1可以设置在与其上(或处)设置有一对第一水平桥接部分HB1和HB1'的层不同的层上(或处)。作为示例，第一竖直桥接部分VB1可以形成在参考图7描述的第二有机绝缘层212上(或处)，并且一对第一水平桥接部分HB1和HB1'可以形成在第二有机绝缘层212之下(例如，形成在第一有机绝缘层211上)。
第一水平桥接部分HB1和HB1'中的一个第一水平桥接部分HB1(在下文中，称为第一上水平桥接部分HB1)的第一端部可以与第一数据线DL1的第一部分DL1a交叉，并且可以通过第一接触孔CT1电连接到第一数据线DL1的第一部分DL1a。第一上水平桥接部分HB1的第二端部可以与第一竖直桥接部分VB1交叉，并且可以通过第三接触孔CT3电连接到第一竖直桥接部分VB1。第一接触孔CT1可以限定在绝缘层(例如，图7中所示的第二有机绝缘层212)的设置在第一上水平桥接部分HB1的第一端部与第一数据线DL1的第一部分DL1a之间的部分中，并且第三接触孔CT3可以限定在绝缘层(例如，图7中所示的第二有机绝缘层212)的设置在第一上水平桥接部分HB1的第二端部与第一竖直桥接部分VB1之间的部分中。
第一水平桥接部分HB1和HB1'中的另一个第一水平桥接部分HB1'(在下文中，称为第一下水平桥接部分HB1')的第一端部可以与第一数据线DL1的第二部分DL1b交叉，并且可以通过第二接触孔CT2电连接到第一数据线DL1的第二部分DL1b。第一下水平桥接部分HB1'的第二端部可以与第一竖直桥接部分VB1交叉，并且可以通过第四接触孔CT4电连接到第一竖直桥接部分VB1。第二接触孔CT2可以限定在绝缘层(例如，图7中所示的第二有机绝缘层212)的设置在第一下水平桥接部分HB1'的第一端部与第一数据线DL1的第二部分DL1b之间的部分中，并且第四接触孔CT4可以限定在绝缘层(例如，图7中所示的第二有机绝缘层212)的设置在第一下水平桥接部分HB1'的第二端部与第一竖直桥接部分VB1之间的部分中。
作为一对第一水平桥接部分HB1和HB1'与第一数据线DL1的第一部分DL1a和第二部分DL1b之间的连接点的第一接触孔CT1和第二接触孔CT2以及作为一对第一水平桥接部分HB1和HB1'与第一竖直桥接部分VB1之间的连接点的第三接触孔CT3和第四接触孔CT4可以位于显示区域DA中。因为第一接触孔CT1、第二接触孔CT2、第三接触孔CT3和第四接触孔CT4位于显示区域DA中，所以可以减小作为死区(dead space)的第一非显示区域NDA1的面积。
第二数据线DL2的第一部分DL2a可以通过第二桥接线BL2电连接到第二部分DL2b。
第二桥接线BL2可以包括第二竖直桥接部分VB2以及一对第二水平桥接部分HB2和HB2'，其中，第二竖直桥接部分VB2在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且一对第二水平桥接部分HB2和HB2'分别设置在第二竖直桥接部分VB2的两个相对侧(或设置在第二竖直桥接部分VB2的两个相对侧处)，并且在第一方向(例如，x方向)上延伸。第二竖直桥接部分VB2可以设置在与其上(或处)设置有一对第二水平桥接部分HB2和HB2'的层不同的层上(或处)。
第二水平桥接部分HB2和HB2'中的一个第二水平桥接部分HB2(在下文中，称为第二上水平桥接部分HB2)的第一端部可以与第二数据线DL2的第一部分DL2a交叉并且可以通过第一接触孔CT1电连接到第一部分DL2a，并且第二上水平桥接部分HB2的第二端部可以与第二竖直桥接部分VB2交叉并且可以通过第三接触孔CT3电连接到第二竖直桥接部分VB2。
第二水平桥接部分HB2和HB2'中的另一个第二水平桥接部分HB2'(在下文中，称为第二下水平桥接部分HB2')的第一端部可以与第二数据线DL2的第二部分DL2b交叉并且可以通过第二接触孔CT2电连接到第二部分DL2b，并且第二下水平桥接部分HB2'的第二端部可以与第二竖直桥接部分VB2交叉并且可以通过第四接触孔CT4电连接到第二竖直桥接部分VB2。
作为一对第二水平桥接部分HB2和HB2'与第二数据线DL2的第一部分DL2a和第二部分DL2b之间的连接点的第一接触孔CT1和第二接触孔CT2以及作为一对第二水平桥接部分HB2和HB2'与第二竖直桥接部分VB2之间的连接点的第三接触孔CT3和第四接触孔CT4可以位于显示区域DA中。
分别电连接到彼此相邻的第一数据线DL1和第二数据线DL2的第一桥接线BL1和第二桥接线BL2可以彼此相对地定位，且透射区域TA在第一桥接线BL1与第二桥接线BL2之间。作为示例，第一桥接线BL1可以设置在透射区域TA的一侧(例如，图8中的左侧)(或设置在透射区域TA的一侧(例如，图8中的左侧)处)，并且第二桥接线BL2可以设置在透射区域TA的另一侧(例如，图8中的右侧)(或设置在透射区域TA的另一侧(例如，图8中的右侧)处)。
导电线BCL(在下文中，称为间隙导电线BCL)可以布置在第一桥接线BL1的端部与第二桥接线BL2的端部之间。作为示例，间隙导电线BCL可以设置在第一桥接线BL1的第一上水平桥接部分HB1的第一端部与第二桥接线BL2的第二上水平桥接部分HB2的第一端部之间。间隙导电线BCL可以位于第一上水平桥接部分HB1与第二上水平桥接部分HB2之间，同时与第一上水平桥接部分HB1和第二上水平桥接部分HB2分开(或隔开)。
间隙导电线BCL可以位于第一下水平桥接部分HB1'与第二下水平桥接部分HB2'之间，同时与第一下水平桥接部分HB1'和第二下水平桥接部分HB2'分开(或隔开)。
第三数据线DL3的第一部分DL3a可以通过第三桥接线BL3电连接到第二部分DL3b。
第三桥接线BL3可以包括第三竖直桥接部分VB3以及一对第三水平桥接部分HB3和HB3'(在下文中，称为第三上水平桥接部分HB3和第三下水平桥接部分HB3')，其中，第三竖直桥接部分VB3在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且一对第三水平桥接部分HB3和HB3'分别设置在第三竖直桥接部分VB3的两个相对侧(或设置在第三竖直桥接部分VB3的两个相对侧处)并且在第一方向(例如，x方向)上延伸。第三竖直桥接部分VB3可以设置在与其上设置有一对第三水平桥接部分HB3和HB3'的层不同的层上(或处)。
第三上水平桥接部分HB3的第一端部可以与第三数据线DL3的第一部分DL3a交叉并且可以通过第一接触孔CT1电连接到第三数据线DL3的第一部分DL3a，并且第三上水平桥接部分HB3的第二端部可以与第三竖直桥接部分VB3交叉并且可以通过第三接触孔CT3电连接到第三竖直桥接部分VB3。
第三下水平桥接部分HB3'的第一端部可以与第三数据线DL3的第二部分DL3b交叉，并且可以通过第二接触孔CT2电连接到第三数据线DL3的第二部分DL3b。第三下水平桥接部分HB3'的第二端部可以与第三竖直桥接部分VB3交叉，并且可以通过第四接触孔CT4电连接到第三竖直桥接部分VB3。
第四数据线DL4的第一部分DL4a可以通过第四桥接线BL4电连接到第二部分DL4b。
第四桥接线BL4可以包括第四竖直桥接部分VB4以及一对第四水平桥接部分HB4和HB4'(在下文中，称为第四上水平桥接部分HB4和第四下水平桥接部分HB4')，其中，第四竖直桥接部分VB4在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且一对第四水平桥接部分HB4和HB4'分别设置在第四竖直桥接部分VB4的两个相对侧(或设置在第四竖直桥接部分VB4的两个相对侧处)并且在第一方向(例如，x方向)上延伸。第四竖直桥接部分VB4可以设置在与其上设置有一对第四水平桥接部分HB4和HB4'的层不同的层上(或处)。
第四上水平桥接部分HB4的第一端部可以与第四数据线DL4的第一部分DL4a交叉，并且可以通过第一接触孔CT1电连接到第四数据线DL4的第一部分DL4a。第四上水平桥接部分HB4的第二端部可以与第四竖直桥接部分VB4交叉，并且可以通过第三接触孔CT3电连接到第四竖直桥接部分VB4。
第四下水平桥接部分HB4'的第一端部可以与第四数据线DL4的第二部分DL4b交叉，并且可以通过第二接触孔CT2电连接到第四数据线DL4的第二部分DL4b。第四下水平桥接部分HB4'的第二端部可以与第四竖直桥接部分VB4交叉，并且可以通过第四接触孔CT4电连接到第四竖直桥接部分VB4。
分别连接到第三数据线DL3和第四数据线DL4的第三桥接线BL3和第四桥接线BL4可以彼此相对地定位，且透射区域TA在第三桥接线BL3与第四桥接线BL4之间。作为示例，第三桥接线BL3可以设置在透射区域TA的一侧(例如，图8中的左侧)(或设置在透射区域TA的一侧(例如，图8中的左侧)处)，并且第四桥接线BL4可以设置在透射区域TA的另一侧(例如，图8中的右侧)(或设置在透射区域TA的另一侧(例如，图8中的右侧)处)。
间隙导电线BCL可以布置在第三桥接线BL3的端部与第四桥接线BL4的端部之间。作为示例，间隙导电线BCL可以设置在第三桥接线BL3的第三上水平桥接部分HB3的第一端部与第四桥接线BL4的第四上水平桥接部分HB4的第一端部之间。间隙导电线BCL可以位于第三上水平桥接部分HB3与第四上水平桥接部分HB4之间，同时与第三上水平桥接部分HB3和第四上水平桥接部分HB4分开(或隔开)。
间隙导电线BCL可以位于第三下水平桥接部分HB3'与第四下水平桥接部分HB4'之间，同时与第三下水平桥接部分HB3'和第四下水平桥接部分HB4'分开(或隔开)。
第五数据线DL5的第一部分DL5a可以通过第五桥接线BL5电连接到第二部分DL5b。
第五桥接线BL5可以包括第五竖直桥接部分VB5以及一对第五水平桥接部分HB5和HB5'(在下文中，称为第五上水平桥接部分HB5和第五下水平桥接部分HB5')，其中，第五竖直桥接部分VB5在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且一对第五水平桥接部分HB5和HB5'分别设置在第五竖直桥接部分VB5的两个相对侧(或设置在第五竖直桥接部分VB5的两个相对侧处)并且在第一方向(例如，x方向)上延伸。第五竖直桥接部分VB5可以设置在与其上(或处)设置有一对第五水平桥接部分HB5和HB5'的层不同的层上(或处)。
第五上水平桥接部分HB5的第一端部可以与第五数据线DL5的第一部分DL5a交叉，并且可以通过第一接触孔CT1电连接到第五数据线DL5的第一部分DL5a。第五上水平桥接部分HB5的第二端部可以与第五竖直桥接部分VB5交叉，并且可以通过第三接触孔CT3电连接到第五竖直桥接部分VB5。
第五下水平桥接部分HB5'的第一端部可以与第五数据线DL5的第二部分DL5b交叉，并且可以通过第二接触孔CT2电连接到第五数据线DL5的第二部分DL5b。第五下水平桥接部分HB5'的第二端部可以与第五竖直桥接部分VB5交叉，并且可以通过第四接触孔CT4电连接到第五竖直桥接部分VB5。
第六数据线DL6的第一部分DL6a可以通过第六桥接线BL6电连接到第二部分DL6b。
第六桥接线BL6可以包括第六竖直桥接部分VB6以及一对第六水平桥接部分HB6和HB6'(在下文中，称为第六上水平桥接部分HB6和第六下水平桥接部分HB6')，其中，第六竖直桥接部分VB6在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且一对第六水平桥接部分HB6和HB6'分别设置在第六竖直桥接部分VB6的两个相对侧(或设置在第六竖直桥接部分VB6的两个相对侧处)并且在第一方向(例如，x方向)上延伸。第六竖直桥接部分VB6可以设置在与其上设置有一对第六水平桥接部分HB6和HB6'的层不同的层上(或处)。
第六上水平桥接部分HB6的第一端部可以与第六数据线DL6的第一部分DL6a交叉，并且可以通过第一接触孔CT1电连接到第六数据线DL6的第一部分DL6a。第六上水平桥接部分HB6的第二端部可以与第六竖直桥接部分VB6交叉，并且可以通过第三接触孔CT3电连接到第六竖直桥接部分VB6。
第六下水平桥接部分HB6'的第一端部可以与第六数据线DL6的第二部分DL6b交叉，并且可以通过第二接触孔CT2电连接到第六数据线DL6的第二部分DL6b。第六下水平桥接部分HB6'的第二端部可以与第六竖直桥接部分VB6交叉，并且可以通过第四接触孔CT4电连接到第六竖直桥接部分VB6。
分别连接到第五数据线DL5和第六数据线DL6的第五桥接线BL5和第六桥接线BL6可以彼此相对地定位，且透射区域TA在第五桥接线BL5与第六桥接线BL6之间。作为示例，第五桥接线BL5可以设置在透射区域TA的一侧(例如，图8中的左侧)(或设置在透射区域TA的一侧(例如，图8中的左侧)处)，并且第六桥接线BL6可以设置在透射区域TA的另一侧(例如，图8中的右侧)(或设置在透射区域TA的另一侧(例如，图8中的右侧)处)。
间隙导电线BCL可以布置在第五桥接线BL5的端部与第六桥接线BL6的端部之间。作为示例，间隙导电线BCL可以设置在第五桥接线BL5的第五上水平桥接部分HB5的第一端部与第六桥接线BL6的第六上水平桥接部分HB6的第一端部之间。间隙导电线BCL可以位于第五上水平桥接部分HB5与第六上水平桥接部分HB6之间，同时与第五上水平桥接部分HB5和第六上水平桥接部分HB6分开(或隔开)。
间隙导电线BCL可以位于第五下水平桥接部分HB5'与第六下水平桥接部分HB6'之间，同时与第五下水平桥接部分HB5'和第六下水平桥接部分HB6'分开(或隔开)。
多条间隙导电线BCL可以彼此相对地定位，且透射区域TA位于这些间隙导电线BCL之间。相对于透射区域TA布置在同一侧(或同一侧处)的间隙导电线BCL可以具有不同的长度。作为示例，布置在透射区域TA的上侧(或布置在透射区域TA的上侧处)的多条间隙导电线BCL可以具有不同的长度，并且布置在透射区域TA的下侧(或布置在透射区域TA的下侧处)的多条间隙导电线BCL可以具有不同的长度。
作为示例，间隙导电线BCL的长度可以随着间隙导电线BCL在第二方向(例如，y方向)上远离透射区域TA而减小或增加。在一个或多个实施例中，如图8中所示，间隙导电线BCL的长度可以随着间隙导电线BCL远离透射区域TA定位而减小。在其他实施例中，间隙导电线BCL的长度可以随着间隙导电线BCL远离透射区域TA定位而增加。
间隙导电线BCL可以电连接到导电线(例如，第一竖直导电线VCL1和第二竖直导电线VCL2)，并且可以具有合适的电压电平(例如，预设的电压电平)。在第二方向(例如，y方向)上延伸的至少一条第一竖直导电线VCL1可以布置在透射区域TA的上侧(或布置在透射区域TA的上侧处)，并且在第二方向(例如，y方向)上延伸的至少一条第二竖直导电线VCL2可以布置在透射区域TA的下侧(或布置在透射区域TA的下侧处)。尽管在图8中示出了布置一条第一竖直导电线VCL1和一条第二竖直导电线VCL2，但是本公开不限于此。在一个或多个实施例中，多条第一竖直导电线VCL1和多条第二竖直导电线VCL2可以分别布置在透射区域TA的上侧和下侧(或布置在透射区域TA的上侧和下侧处)。
作为比例示例，在间隙导电线BCL电浮置的情况下，间隙导电线BCL可能容易受到静电放电的影响。然而，根据一个或多个实施例，因为间隙导电线BCL具有合适的电压电平(例如，预设的电压电平或恒定电压)，所以可防止或减少以上问题。
在透射区域TA的上侧的间隙导电线BCL可以通过第五接触孔CT5连接到至少一条第一竖直导电线VCL1。在透射区域TA的下侧的间隙导电线BCL可以通过第六接触孔CT6连接到至少一条第二竖直导电线VCL2。第一竖直导电线VCL1或第二竖直导电线VCL2可以具有例如参考图5描述的公共电压ELVSS或驱动电压ELVDD的电压电平。第一竖直导电线VCL1和第二竖直导电线VCL2中的每一者可以穿过子像素电路，并且可以设置在上面参考图6描述的竖直导电线VCL的位置上(或处)。换言之，第一竖直导电线VCL1可以穿过布置在透射区域TA的上侧(或布置在透射区域TA的上侧处)的至少一个子像素电路，并且第一竖直导电线VCL1的位置可以对应于上面参考图6描述的竖直导电线VCL的位置。类似地，第二竖直导电线VCL2可以穿过布置在透射区域TA的下侧(或布置在透射区域TA的下侧处)的至少一个子像素电路，并且第二竖直导电线VCL2的位置可以对应于上面参考图6描述的竖直导电线VCL的位置。
接下来，描述根据图8的在透射区域TA的左侧和右侧的导电线HCL。
图8中所示的多条导电线HCL可以彼此隔开或分开，且透射区域TA位于这些导电线HCL之间。作为示例，布置在同一行中(或处)的两条导电线HCL可以分别布置在透射区域TA的左侧和右侧(或布置在透射区域TA的左侧和右侧处)，并且可以彼此隔开或分开。
布置在透射区域TA的左侧(或布置在透射区域TA的左侧处)的导电线HCL和布置在透射区域TA的右侧(或布置在透射区域TA的右侧处)的导电线HCL可以各自电连接到电压线VL。作为示例，在透射区域TA的左侧的一条导电线HCL和在透射区域TA的右侧的另一条导电线HCL可以布置在同一行中(或处)并且可以彼此隔开或分开，且透射区域TA位于该一条导电线HCL与该另一条导电线HCL之间。两条导电线HCL可以各自电连接到两条电压线VL。在这种情况下，两条电压线VL也可以彼此隔开或分开，且透射区域TA在两条电压线VL之间。
作为比较示例，在导电线HCL不电连接到电压线VL并且导电线HCL电浮置的情况下，透射区域TA的周围(或周围的区域)可能因引入到透射区域TA的周围(或周围的区域)的静电放电而被损坏。相比之下，根据一个或多个实施例，因为布置在透射区域TA周围的每条导电线HCL电连接到电压线VL，所以可以防止或减少以上问题。
电压线VL可以具有恒定电压的电压电平。作为示例，电压线VL可以是例如参考图6描述的(也例如参考图9和图10描述的)水平驱动电压线HDL。在一个或多个实施例中，电压线VL可以是例如参考图6描述的(也例如在参考图11至图12B的相关部分中描述的)电极电压线CEL。在一个或多个实施例中，电压线VL可以是例如参考图6描述的(也例如在参考图13至图14B的相关部分中描述的)竖直驱动电压线VDL。
图9是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的一部分的平面图，该一部分对应于图8的区IX，并且图10是沿着图9的线X-X’截取的显示面板的截面图。
参考图9，多条导电线HCL可以各自在第一方向(例如，x方向)上延伸。每条导电线HCL可以延伸以穿过在第一方向(例如，x方向)上布置在同一行中(或处)的子像素电路PC。作为示例，每条导电线HCL可以穿过靠近(例如，最靠近)透射区域TA的子像素电路PC1(在下文中，称为第一子像素电路PC1)和与第一子像素电路PC1布置在同一行中(或处)的子像素电路PC。包括第一子像素电路PC1的子像素电路PC可以具有上面参考图6描述的结构。
导电线HCL可以连接到电压线。在一个或多个实施例中，例如，如图9中所示，每条导电线HCL可以电连接到水平驱动电压线HDL。
每条导电线HCL和每条水平驱动电压线HDL可以延伸以穿过布置在同一行中(或处)的子像素电路PC，并且可以在透射区域TA周围彼此电连接。作为示例，每条导电线HCL和每条水平驱动电压线HDL可以彼此物理地连接为一体(例如，集成体)。每条导电线HCL可以在第一方向(例如，x方向)上延伸并且在透射区域TA周围弯折，并且每条水平驱动电压线HDL可以在第一方向(例如，x方向)上延伸，并且在透射区域TA周围弯折。导电线HCL的弯折部分和水平驱动电压线HDL的弯折部分可以彼此连接为一体(例如，集成体)。
每条导电线HCL和每条水平驱动电压线HDL的连接部分CP可以布置在透射区域TA周围。作为示例，每条导电线HCL和每条水平驱动电压线HDL的连接部分CP可以与靠近(例如，最靠近)透射区域TA的第一子像素电路PC1相邻。连接部分CP可以位于显示区域DA中。
在其中透射区域TA在平面图中具有圆形形状(例如，环形形状或椭圆形形状)的实施例中，透射区域TA周围的子像素电路PC可以形成如例如图9中所示的阶梯配置。因此，透射区域TA周围的每条导电线HCL的端部的位置可以定位在相对于第一方向(例如，x方向)和第二方向(例如，y方向)中的每一者倾斜的第一对角线方向ob1上。同样，每条导电线HCL和每条水平驱动电压线HDL的连接部分CP也可以定位在第一对角线方向ob1上。
参考图10，导电线HCL和水平驱动电压线HDL可以设置在同一层(例如，如图7中所示的第一有机绝缘层211)上(或处)。导电线HCL和水平驱动电压线HDL可以彼此连接为一体(例如，集成体)，并且导电线HCL与水平驱动电压线HDL之间的连接部分CP也可以设置在第一有机绝缘层211上(或处)。连接部分CP可以包括与导电线HCL和水平驱动电压线HDL的材料相同的材料，并且与导电线HCL和水平驱动电压线HDL连接为一体(例如，集成体)。
图11是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的一部分的平面图，该一部分对应于图9的修改实施例。图12A是图11的区XIIa的放大平面图，并且图12B是沿着图12A的线XIIb-XIIb’截取的显示面板的截面图。
参考图11，多条导电线HCL可以各自在第一方向(例如，x方向)上延伸。每条导电线HCL可以延伸以穿过在第一方向(例如，x方向)上布置在同一行中(或处)的子像素电路PC。作为示例，每条导电线HCL可以穿过靠近(例如，最靠近)透射区域TA的子像素电路PC1(在下文中，称为第一子像素电路PC1)和与第一子像素电路PC1布置在同一行中(或处)的子像素电路PC。包括第一子像素电路PC1的子像素电路PC可以具有例如参考图6描述的结构。
布置在透射区域TA周围的导电线HCL可以电连接到电压线，例如电极电压线CEL。每条电极电压线CEL可以延伸以穿过布置在同一层上(或处)的子像素电路PC。穿过多个子像素电路PC的每条电极电压线CEL可以包括布置在与如例如参考图6描述的每个子像素电路PC对应的区中的第二电容器电极CE2。
彼此电连接的导电线HCL和电极电压线CEL可以穿过布置在同一行中(或处)的子像素电路PC。导电线HCL可以电连接到透射区域TA周围的电极电压线CEL。导电线HCL与电极电压线CEL之间的连接部分CP'可以与邻近透射区域TA的第一子像素电路PC1相邻。连接部分CP'可以位于显示区域DA中。
子像素电路PC可以形成如例如图11中所示的阶梯配置。因此，透射区域TA周围的每条导电线的端部的位置可以定位在相对于第一方向(例如，x方向)和第二方向(例如，y方向)中的每一者倾斜的第一对角线方向ob1上。同样，每条导电线HCL和每条水平驱动电压线HDL的连接部分CP'也可以定位在第一对角线方向ob1上。
参考图12A，每条导电线HCL与每条电极电压线CEL之间的连接部分CP'可以具有包括连接金属(也称为导电金属)CM(参见图12B)和在绝缘层中的接触孔的接触孔结构。导电线HCL的一个端部和电极电压线CEL的一个端部可以各自与连接金属CM重叠。在平面图中，连接金属CM可以具有孤立的形状。
参考图12B，电极电压线CEL可以设置在第一层间绝缘层205上(或处)，连接金属CM可以设置在第二层间绝缘层207上(或处)，并且导电线HCL可以设置在第一有机绝缘层211上(或处)。连接金属CM可以通过第二层间绝缘层207中的第七接触孔CT7连接到电极电压线CEL，并且导电线HCL可以通过第一有机绝缘层211中的第八接触孔CT8连接到连接金属CM。第七接触孔CT7的中心可以与第八接触孔CT8的中心分开(或隔开)。
图13是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的一部分的平面图，该一部分对应于图9的修改实施例。图14A是图13的区XIVa的放大平面图，并且图14B是沿着图14A的线XIVb-XIVb’截取的显示面板的截面图。
参考图13，多条导电线HCL可以各自在第一方向(例如，x方向)上延伸。每条导电线HCL可以延伸以穿过在第一方向(例如，x方向)上布置在同一行中(或处)的子像素电路PC。作为示例，每条导电线HCL可以穿过布置在同一行中(或处)的子像素电路PC。子像素电路PC可以包括例如参考图6描述的结构。
布置在透射区域TA周围的导电线HCL可以电连接到电压线，例如竖直驱动电压线VDL。竖直驱动电压线VDL可以延伸以穿过布置在同一列中(或处)的子像素电路PC。导电线HCL可以电连接到竖直驱动电压线VDL，该竖直驱动电压线VDL穿过同一行中(或处)的多个子像素电路PC之中的靠近(例如，最靠近)透射区域TA布置的第一子像素电路PC1。
彼此电连接的导电线HCL和竖直驱动电压线VDL中的每一者可以穿过靠近(例如，最靠近)透射区域TA定位的第一子像素电路PC1。每条导电线HCL和每条竖直驱动电压线VDL可以在透射区域TA周围彼此电连接。导电线HCL与竖直驱动电压线VDL之间的电连接部分CP"可以与邻近透射区域TA的第一子像素电路PC1相邻。连接部分CP"可以位于显示区域DA中。
子像素电路PC可以形成如例如图13中所示的阶梯配置。因此，透射区域TA周围的每条导电线的端部的位置可以定位在相对于第一方向(例如，x方向)和第二方向(例如，y方向)中的每一者倾斜的第一对角线方向ob1上。同样，每条导电线HCL和每条竖直驱动电压线VDL的连接部分CP"也可以定位在第一对角线方向ob1上。
参考图14A，每条导电线HCL与每条竖直驱动电压线VDL之间的电连接部分CP"可以具有包括绝缘层中的接触孔的接触孔结构。导电线HCL的一个端部可以与竖直驱动电压线VDL的一个端部重叠。
参考图14B，竖直驱动电压线VDL可以设置在第二层间绝缘层207上(或处)，并且导电线HCL可以设置在第一有机绝缘层211上(或处)。导电线HCL可以通过第一有机绝缘层211中的第九接触孔CT9连接到竖直驱动电压线VDL。
参考图9、图11和图13描述的实施例可以对应于与图8的区IX对应的实施例。图9、图11和图13的结构是透射区域TA(例如，参见图8)的左侧的结构，并且透射区域TA(例如，参见图8)的右侧的结构可以与参考图9、图11和图13描述的结构对称。换言之，左侧和右侧可以具有相对于穿过图8的透射区域TA的中心且在第二方向(例如，y方向)上延伸的假想线IML(例如，参见图8)对称的结构。
图15是根据本公开的一个或多个实施例的显示面板的在透射区域TA周围的部分的平面图，并且图16是图15的区XVI的放大平面图。
参考图15，透射区域TA周围的数据线DL可以包括如例如参考图8描述的彼此隔开或分开的第一部分DLa和第二部分DLb。数据线DL的第一部分DLa可以通过桥接线BL电连接到第二部分DLb，并且桥接线BL可以包括如例如参考图8描述的竖直桥接部分VB和两个水平桥接部分HB和HB'。图15中所示的桥接线BL可以与如图16中所示的导电线HCL分开(或隔开)。
参考图16，每条导电线HCL可以电连接到如例如参考图9描述的水平驱动电压线HDL。水平驱动电压线HDL的一个端部可以在透射区域TA周围电连接到导电线HCL，并且水平驱动电压线HDL的另一个端部可以朝向显示区域DA的一个边缘(例如，图3中的第二边缘E2)延伸。参考图3和图16，水平驱动电压线HDL的另一个端部可以超过显示区域DA的一个边缘(例如，图3中的第二边缘E2)位于第二非显示区域NDA2(例如，参见图3)中。
一条导电线HCL的一个端部的位置可以与另一条导电线HCL的一个端部的位置不同。关于此，在图16中示出了一条导电线HCL的一个端部位于点A处，并且另一条导电线HCL的一个端部位于点B处。参考图15和图16，点B可以比点A靠近穿过透射区域TA的中心的假想线IML。换言之，在水平方向上从点B到假想线IML的距离可以小于在水平方向上从点A到假想线IML的距离。
布置在透射区域TA周围的水平公共电压线HSL可以与导电线HCL布置在同一行中(或处)。布置在透射区域TA周围的水平公共电压线HSL可以与导电线HCL隔开或分开。布置在透射区域TA周围的水平公共电压线HSL的一个端部可以朝向透射区域TA延伸，并且可以与水平桥接部分HB'的一个端部相邻，并且水平公共电压线HSL的另一个端部可以电连接到如例如参考图3描述的第一辅助公共电压供应线1021。
一条水平公共电压线HSL的另一个端部的位置可以与另一条水平公共电压线HSL的另一个端部的位置不同。关于此，在图16中示出了一条水平公共电压线HSL的另一个端部位于点C处，另一条水平公共电压线HSL的另一个端部位于点D处，并且又一条水平公共电压线HSL的另一个端部位于点E处。点C、点D和点E可以位于在相对于x方向和y方向倾斜的对角线方向上的假想线上。
桥接线BL的水平桥接部分HB'可以位于导电线HCL与水平公共电压线HSL之间。桥接线BL的水平桥接部分HB'可以与布置在同一行中(或处)的导电线HCL和水平公共电压线HSL中的每一者分开(或隔开)。换言之，水平桥接部分HB'的一个端部可以与导电线HCL相邻并且与该导电线HCL分开(或隔开)，并且水平桥接部分HB'的另一个端部可以与水平公共电压线HSL相邻并且与该水平公共电压线HSL分开(或隔开)。
一个水平桥接部分HB'的一个端部的位置可以与另一个水平桥接部分HB'的一个端部的位置不同。关于此，在图16中示出了多个水平桥接部分HB'之中的一个水平桥接部分HB'的一个端部与点A相邻，并且多个水平桥接部分HB'之中的另一个水平桥接部分HB'的一个端部与点B相邻。
一个水平桥接部分HB'的另一个端部的位置可以与另一个水平桥接部分HB'的另一个端部的位置不同。关于此，在图16中示出了一个水平桥接部分HB'的另一个端部与点C相邻，另一个水平桥接部分HB'的另一个端部与点D相邻，并且又一个水平桥接部分HB'的另一个端部与点E相邻。
竖直公共电压线VSL可以与竖直桥接部分VB设置在同一列中(或处)，并且可以与竖直桥接部分VB分开(或隔开)。如图16中所示，因为多个竖直桥接部分VB的长度彼此不同，所以与竖直桥接部分VB布置在同一列中(或处)的多条竖直公共电压线VSL的长度可以彼此不同。竖直公共电压线VSL可以电连接到例如参考图3描述的第一公共电压输入部分1011、第二公共电压输入部分1012和第三公共电压输入部分1014中的至少一者。
布置在透射区域TA周围的导电线HCL、水平桥接部分HB'和水平公共电压线HSL可以设置在同一层(例如，参考图7描述的第一有机绝缘层211)上(或处)。竖直桥接部分VB、竖直公共电压线VSL和数据线DL的布置在透射区域TA周围的第二部分DLb可以设置在同一层(例如，参考图7描述的第二有机绝缘层212)上(或处)。
每条桥接线BL的竖直桥接部分VB可以通过设置在水平桥接部分HB'与该竖直桥接部分VB之间的绝缘层(例如，参考图7描述的第二有机绝缘层212)中的接触孔CNT连接到该水平桥接部分HB'。数据线DL的第二部分DLb可以通过设置在数据线DL的第二部分DLb与水平桥接部分HB'之间的绝缘层(例如，参考图7描述的第二有机绝缘层212)中的接触孔CNT连接到该水平桥接部分HB'。
尽管图16描述了图15的区XVI的结构，但是本公开不限于此。图15的区XV的结构可以被理解为相对于在x方向上穿过的轴与参考图16描述的结构对称的结构。换言之，图15的区XV的结构可以与图15的区XVI的结构相对于水平假想线CIML对称，图15的区XVI的结构对应于图16。这里，水平假想线CIML可以对应于在x方向上穿过透射区域TA的中心的假想线。透射区域TA的上部结构可以相对于水平假想线CIML与下部结构对称。
尽管图15和图16描述了透射区域TA的左侧结构，但是相关结构同样适用于透射区域TA的右侧。作为示例，当参考图15和图16描述的结构相对于假想线IML对称时，其可以变为透射区域TA的右侧的结构。即，透射区域TA的左侧结构可以与透射区域TA的右侧结构相对于假想线IML对称。
尽管在图16中描述了导电线HCL电连接到如上面参考图9描述的水平驱动电压线HDL，但是本公开不限于此。在一个或多个实施例中，图16的导电线HCL可以电连接到如例如参考图11描述的电极电压线CEL，或者电连接到如例如参考图13描述的竖直驱动电压线VDL。
根据本公开的一个或多个实施例，可以提供显示面板和包括显示面板的电子设备，其可以通过减小死区的面积并且保护显示面板免受静电放电的影响而显示高质量图像。然而，本公开的范围不受此效果的限制。
应当理解的是，本文中描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，并且不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
透射区域；
显示区域，在所述透射区域周围；
多个发光二极管，在所述显示区域中；
多个子像素电路，分别电连接到所述多个发光二极管，并且位于所述显示区域中；以及
导电线，在第一方向上跨所述多个子像素电路中的第一子像素电路延伸，所述第一子像素电路布置为比所述多个子像素电路中的其他子像素电路靠近所述透射区域，
其中，所述导电线电连接到穿过所述第一子像素电路的电压线。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个子像素电路中的每一个包括：
开关晶体管，电连接到在所述第一方向上延伸的扫描线和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线；
驱动晶体管，电连接到所述开关晶体管；和
存储电容器，电连接到所述驱动晶体管。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述电压线包括在所述第一方向上跨所述第一子像素电路延伸的水平驱动电压线，并且
所述导电线与所述水平驱动电压线在同一层处，并且与所述水平驱动电压线连接为集成体。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括在所述存储电容器上的第一有机绝缘层，
其中，所述电压线和所述水平驱动电压线在所述第一有机绝缘层上。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述导电线和所述水平驱动电压线的连接部分与所述透射区域相邻。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述导电线在与所述电压线所定位在的层不同的层处。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，其中，所述第一电容器电极与所述驱动晶体管的驱动半导体重叠，并且所述第二电容器电极与所述第一电容器电极重叠，并且所述第二电容器电极位于所述第一电容器电极上方，并且
其中，所述电压线包括在所述第一方向上延伸的电极电压线，并且所述电极电压线的一部分是所述第二电容器电极。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括在所述导电线的一部分与所述电极电压线的一部分之间的导电金属，
其中，所述导电线的所述一部分通过所述导电金属电连接到所述电极电压线的所述一部分。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述电压线包括在所述第二方向上跨所述第一子像素电路延伸的竖直驱动电压线，
其中，所述显示面板还包括在所述导电线与所述竖直驱动电压线之间的第一有机绝缘层，
其中，所述导电线在所述第一有机绝缘层上，并且所述竖直驱动电压线在所述第一有机绝缘层之下，并且
其中，所述导电线在所述透射区域附近通过所述第一有机绝缘层中的接触孔连接到所述竖直驱动电压线。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
权利要求1至9中任一项所述的显示面板；以及
组件，在所述显示面板的后表面下方，并且对应于所述透射区域。
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