CN112018154A - 显示面板 - Google Patents

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金京勳
印闰京
车眩枝
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Abstract

提供一种显示面板，在显示面板中，在一个方向上彼此分开布置且其间具有开口区域的显示区域的驱动晶体管的尺寸不同于除了以上显示区域之外的显示区域的驱动晶体管的尺寸，组件定位在开口区域中。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种尽管显示区域变形仍能够实现高质量图像的显示装置。
背景技术
显示装置的用途近来已经多样化。此外，显示装置已经变得轻薄，因此，显示装置的使用范围正在扩大。
在显示装置中的显示区域的尺寸增加的同时，与显示装置相关联或相联系的各种功能已经被添加到显示装置，从而用于这些功能的区域正在减小。作为在增加显示区域的尺寸的同时添加各种功能的方法，已经研究了其中的各种组件可以布置在显示区域中的显示装置。
发明内容
一个或更多个实施例包括具有开口区域的显示面板和包括该显示面板的显示装置，在开口区域中可以布置各种类型的组件。然而，以上目的是示例性的，本公开的范围不限于此。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过提出的公开的实施例的实践而获悉。
根据一个或更多个实施例，显示面板包括：基底，包括第一区域和至少部分地围绕第一区域的显示区域；以及多个像素，布置在显示区域中，其中，显示区域包括围绕第一区域的第一显示区域和除了第一显示区域之外的第二显示区域，并且布置在第一显示区域中的第一像素的第一驱动晶体管的尺寸不同于布置在第二显示区域中的第二像素的第二驱动晶体管的尺寸。
第一驱动晶体管的沟道宽度与第一驱动晶体管的沟道长度的第一沟道比可以大于或小于第二驱动晶体管的沟道宽度与第二驱动晶体管的沟道长度的第二沟道比。
第一沟道比可以远离第一区域逐渐增加或减小。
第一区域可以是穿过基底的孔。
第一区域可以是透射区域，光或声音穿过透射区域。
第一区域可以是从基底的一侧向内凹陷的沟槽。
基底可以包括位于第一区域与显示区域之间的第一非显示区域以及围绕显示区域的第二非显示区域。
第一显示区域可以包括在一个方向上彼此间隔开的第一子显示区域和第二子显示区域，且其间具有第一区域，第一非显示区域的第一部分设置在第一子显示区域与第一区域之间，并且
第一非显示区域的第二部分设置在第二子显示区域与第一区域之间。
第一像素可以是与第一子显示区域和第二显示区域之间的边界相邻的像素中的一个，第二像素可以是与第二子显示区域和第二显示区域之间的边界相邻的像素中的一个。
将第一子显示区域的第一像素和第二子显示区域的第一像素连接的信号线可以在一个方向上延伸，并且经过第一子显示区域并在第一区域周围绕行。
多个第一区域被包括，第一非显示区域可以围绕多个第一区域，至少一个虚设像素可以布置在第一非显示区域中。
第一显示区域可以包括在一个方向上彼此分开布置的第一子显示区域和第二子显示区域，且其间具有多个第一区域中的每个。
将第一子显示区域的第一像素和第二子显示区域的第一像素连接的信号线可以连接到至少一个虚设像素。
多个第一区域中的至少一个第一区域的尺寸和形状中的至少一个可以与其他的第一区域的不同。
其中第一子显示区域的第一像素的半导体层在一个方向上连接的第一行和其中第二子显示区域的第一像素的半导体层在一个方向上连接的第二行可以彼此分开，且第一行与第二行之间具有第一区域，其中第二显示区域的第二像素的半导体层在一个方向上连接的第三行的长度可以比第一行的长度或第二行的长度长。
根据一个或更多个实施例，显示面板包括：基底，包括显示区域和位于显示区域中的第一区域；以及多个像素，布置在显示区域中和显示区域外部，其中，显示区域包括第一显示区域、第二显示区域和第三显示区域。第一区域在第一方向上设置在第一显示区域与第二显示区域之间。第三显示区域邻近第一显示区域在第一方向上延伸。显示面板还包括第一半导体层的设置在第一显示区域中的第一行、第二半导体层的设置在第二显示区域中的第二行以及第三半导体层的设置在第三显示区域中并且在第一方向上延伸的第三行。第一区域设置在第一行与第二行之间，以将第一行与第二行分开。布置在第一显示区域中的第一像素的第一驱动晶体管的沟道宽度与第一驱动晶体管的沟道长度的第一沟道比不同于布置在第三显示区域中的第三像素的第三驱动晶体管的沟道宽度与第三驱动晶体管的沟道长度的第三沟道比。
第一沟道比可以大于或小于第二沟道比。
第一沟道比可以随着第一像素设置得远离第一区域而逐渐增大或减小。
第一显示区域是穿透基底的孔。
第三半导体层的第三行的长度比第一半导体层的第一行的长度和第二半导体层的第二行的长度之和大。
附图说明
通过以下结合附图的描述，公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将更明显，在附图中：
图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的透视图；
图2A和图2B是沿着图1的线I-I'截取的根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图；
图3A至图3D是根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图；
图4A至图4D是根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图；
图5A和图5B是示出布置在根据本发明的示例性实施例的显示面板中的任何像素的等效电路图；
图6A是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的图5B的像素中的晶体管和电容器等的位置的布局图；
图6B是彼此相邻地布置在根据本发明的示例性实施例的显示面板中的第n行和第n+1行的像素电路的平面图；
图7是沿着图6A的线II-II'和线III-III'截取的根据本发明的示例性实施例的像素的剖视图；
图8是根据本发明的示例性实施例的显示面板的示意性平面图；
图9是示出图8的根据本发明的示例性实施例的显示面板的具有布置在第一区域周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图；
图10是示出图8的根据本发明的示例性实施例的显示面板的具有包括在布置在第一区域周围的像素中的每个中的半导体层的部分的平面图；
图11是用于描述根据本发明的示例性实施例的晶体管的沟道宽度和沟道长度的视图；
图12A至图12C示出了用于根据本发明的示例性实施例的显示面板中的每个位置的亮度的校正的驱动晶体管的尺寸调整的示例；
图13示出了根据本发明的示例性实施例的图6A中示出的像素的第一晶体管的沟道比的调整的示例；
图14A是根据本发明的示例性实施例的显示面板的示意性平面图；
图14B是示出图14A的根据本发明的示例性实施例的显示面板的具有布置在第一区域周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图；
图15是根据本发明的示例性实施例的显示面板的示意性平面图；
图16是示出图15的根据本发明的示例性实施例的显示面板的具有布置在第一区域周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图；
图17是示出图15的根据本发明的示例性实施例的显示面板的具有包括在布置在第一区域周围的像素中的每个中的半导体层的部分的平面图；
图18A是根据本发明的示例性实施例的显示面板的示意性平面图；
图18B是示出图18A的根据本发明的示例性实施例的显示面板的具有布置在第一区域周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图；
图19是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的透视图；
图20是根据本发明的示例性实施例的显示面板的示意性平面图；
图21和图22是示出图20的根据本发明的示例性实施例的显示面板的具有布置在1-1区域和1-2区域周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图；
图23是根据本发明的示例性实施例的显示面板的示意性平面图；
图24和图25是示出图23的根据本发明的示例性实施例的显示面板的具有布置在1-1区域和1-2区域周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图；
图26是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的透视图；
图27是示出沿着图26的线IV-IV'截取的根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图；
图28是根据本发明的示例性实施例的显示面板的示意性平面图；
图29和图30是示出图28的根据本发明的示例性实施例的显示面板的具有布置在第一区域周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图；
图31是根据本发明的示例性实施例的显示面板的示意性平面图；并且
图32和图33是示出图31的根据本发明的示例性实施例的显示面板的具有布置在第一区域周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图。
具体实施方式
由于本公开可以具有各种修改和若干实施例，因此实施例在附图中被示出并将被详细地描述。将参照下面详细描述的实施例与附图一起来说明效果、特征和获得该效果和特征的方法。然而，实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。
下面将参照附图更详细地描述实施例。相同或对应的那些组件被赋予相同的附图标记而与图号无关，并且省略冗余的说明。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个组件和另一个组件区分开。
除非上下文中另外限定，否则单数表述包括复数表述。
在下面的实施例中，将进一步理解的是，这里使用的术语“包括”和/或“具有”说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征或组件。
在下面的实施例中，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被称为“在”另一部分“上”或“上方”时，该部分可以直接在所述另一部分上或上方，或者也可以存在中间部分。
此外，在附图中，为了便于描述，会夸大或缩小元件的尺寸。换句话说，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。
当实施例以另一种方式实现时，预定工艺顺序可以与描述的工艺顺序不同。例如，连续描述的两个工艺可以基本上同时执行，或者可以以与描述的顺序相反的顺序执行。
贯穿公开，表述“A和/或B”表示只有A、只有B或A和B两者。此外，表述“A和B中的至少一个”表示只有A、只有B或A和B两者。
在下面的实施例中，当层、区域或元件被“连接”时，其可以解释为该层、区域或元件不仅被直接连接，而且通过其间的其他构成元件被间接连接。例如，当层、区域、元件等被描述为被电连接时，该层、区域、元件等不仅可以被直接电连接，而且可以通过其间的另一层、区域、元件等被间接电连接。
在本说明书中，当布线“在第一方向或第二方向上延伸”时，其表示布线不仅沿着直线延伸，而且在第一方向或第二方向上以曲折的形状或弯曲的形状延伸。
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置1A的透视图。
参照图1，显示装置1A包括第一区域OA和位于第一区域OA外部的第二区域。第二区域包括非显示区域NDA和围绕第一区域OA的显示区域DA。显示装置1A可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供图像。在图1中，第一区域OA布置在显示区域DA中，第一区域OA可以被显示区域DA完全围绕。第一区域OA可以是其中布置有参照图2A和图2B描述的组件的区域。
非显示区域NDA包括位于第一区域OA与显示区域DA之间的第一非显示区域NDA1以及围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2不提供图像，并且可以是没有布置像素的区域。第一非显示区域NDA1被显示区域DA完全围绕，并且显示区域DA被第二非显示区域NDA2完全围绕。将扫描信号提供到像素的扫描驱动器、将数据信号提供到像素的数据驱动器等可以被包括在第二非显示区域NDA2中。
图2A和图2B是沿着图1的线I-I'截取的根据示例性实施例的显示装置1A的剖视图。
参照图2A，显示装置1A包括显示面板10以及布置在显示面板10上的输入感测层40和光学功能层50，并且这些元件可以被窗60覆盖。显示装置1A可以是各种类型的电子装置(诸如移动电话、膝上型计算机或智能手表)。
显示面板10可以显示图像。显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的像素。像素可以包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、量子点有机发光二极管等。
输入感测层40可以根据外部输入(诸如触摸事件)来获取坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以布置在显示面板10上。输入感测层40可以通过使用互电容方法或/和自电容方法来感测外部输入。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上，或者可以单独形成且然后通过使用粘合层(诸如光学透明的粘合剂)结合到显示面板10。例如，输入感测层40可以在形成显示面板10的工艺之后连续形成，在这种情况下，输入感测层40可以是显示面板10的一部分，并且在输入感测层40与显示面板10之间可以没有粘合层。在图2A中，示出了显示面板10与光学功能层50之间的输入感测层40。然而，本发明不限于此。在示例性实施例中，输入感测层40也可以布置在光学功能层50之上。
光学功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部通过窗60入射到显示面板10上的光(外部光)的反射率的量。抗反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2延迟器或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型偏振器可以包括拉伸型合成树脂膜，并且液晶涂覆型偏振器可以包括以一定排布布置的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器的保护膜可以被定义为抗反射层的基体层。
根据另一实施例，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以考虑分别从显示面板10的像素发射的光的颜色来布置。滤色器可以包括红色、绿色或蓝色的颜料或染料。可选地，滤色器除了以上描述的颜料或染料之外还可以包括量子点。可选地，滤色器中的一些可以不包括以上描述的颜料或染料，而是可以包括分散的颗粒(诸如氧化钛)。
根据另一实施例，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别通过第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以经历相消干涉，因此降低了外部光的反射率的量。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以提高从显示面板10发射的光的输出效率，或者可以降低色差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层或/和具有不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括以上描述的抗反射层和透镜层两者或它们中的一个。
根据实施例，光学功能层50可以在形成显示面板10和/或输入感测层40的工艺之后连续形成。在这种情况下，在光学功能层50与显示面板10之间以及/或者光学功能层50与输入感测层40之间可以不布置粘合层。
显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50可以包括开口。就这一点而言，参照图2A，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H，并且第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H彼此叠置。第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H定位在第一区域OA中。本发明不限于此。在示例性实施例中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或更多个可以不包括开口。例如，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的任一个或两个可以不包括开口。可选地，如图2B中所示，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的每个可以不包括开口。
第一区域OA可以是其中定位有被包括以将各种功能添加到如以上描述的显示装置1A的组件20的一类组件区域(例如，传感器区域、相机区域、扬声器区域等)。如图2A中所示，组件20可以定位在第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H中。可选地，如图2B中所示，组件20可以布置在显示面板10下方。
组件20可以包括电子元件。例如，组件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括输出或/和接收光的传感器(诸如红外传感器)、接收光以捕获图像的相机、通过输出并感测光或声音来测量距离或感测指纹的传感器、输出光的小型灯、输出声音的扬声器等。使用光的电子元件可以使用各种波长带的光(诸如可见光、红外光、紫外光等)。在一些实施例中，第一区域OA可以是透射区域，从组件20输出的光或/和声音被允许从第一区域OA中的组件20通过该透射区域传播到外部，或被允许从外部通过该透射区域传播到第一区域OA中的电子元件中。
根据另一实施例，当显示装置1A被用作智能手表或车辆的仪表板时，组件20可以是手表的指针或诸如指示一定信息(例如，车辆速度)的指针的构件。当显示装置1A包括手表或车辆的仪表板的指针时，组件20可以通过窗60可见并且暴露于外部，窗60可以具有与第一区域OA对应的开口。
组件20可以包括与如以上描述的显示面板10的功能相关的组件或者诸如提高显示面板10的美感的附件的组件。尽管在图2A和图2B中没有示出，但是光学透明粘合剂等可以位于窗60与光学功能层50之间。
图3A至图3D是根据实施例的显示面板10的剖视图。
参照图3A，显示面板10包括布置在基底100上的显示层200。基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。基底100可以包括多层。例如，如图3A的放大图中所示，基底100包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
第一基体层101和第二基体层103可以均包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103可以包括聚合物树脂(诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP))。第一基体层101和第二基体层103可以均包括透明聚合物树脂。
第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括防止外部异物的渗透的阻挡层，并且可以包括包含无机材料(诸如氮化硅或氧化硅)的单层或多层。
显示层200可以包括多个像素。显示层200包括显示元件层200A和像素电路层200B，显示元件层200A包括布置在每个像素中的显示元件，像素电路层200B包括均布置在每个像素中的像素电路和绝缘层。每个像素电路可以包括晶体管和电容器，每个显示元件可以包括有机发光二极管(OLED)。
显示层200的显示元件可以被封装构件(诸如薄膜封装层300)覆盖，薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。由于显示面板10包括包含聚合物树脂的基底100以及包括无机封装层和有机封装层的薄膜封装层300，因此可以提高显示面板10的柔性。
显示面板10可以包括穿过显示面板10的第一开口10H。第一开口10H可以定位在第一区域OA中，在这种情况下，第一区域OA可以是一类开口区域。在图3A中，基底100和薄膜封装层300分别包括与显示面板10的第一开口10H对应的通孔100H和300H。显示层200也包括与第一区域OA对应的通孔200H。
根据另一实施例，如图3B中所示，基底100可以不包括与第一区域OA对应的通孔。显示层200可以包括与第一区域OA对应的通孔200H。薄膜封装层300可以不包括与第一区域OA对应的通孔。根据另一实施例，如图3C中所示，显示层200可以不包括与第一区域OA对应的通孔200H，并且显示元件层200A不定位在第一区域OA中。
虽然在图3A至图3C中显示元件层200A没有布置在第一区域OA中，但是本发明不限于此。作为另一实施例，如图3D中所示，辅助显示元件层200C可以定位在第一区域OA中。辅助显示元件层200C可以包括具有与显示元件层200A的显示元件不同的结构或者/并且以与显示元件层200A的显示元件不同的方式进行操作的显示元件。
根据实施例，显示元件层200A的每个像素可以包括有源型有机发光二极管，辅助显示元件层200C可以包括均包括无源型有机发光二极管的像素。当辅助显示元件层200C包括无源型有机发光二极管作为显示元件时，在无源型有机发光二极管下方可以省略构成像素电路的组件。例如，像素电路层200B的位于辅助显示元件层200C下方的部分不包括晶体管和电容器。
根据另一实施例，辅助显示元件层200C可以包括与显示元件层200A的类型相同的类型的显示元件(例如，有源型有机发光二极管)，但是辅助显示元件层200C下方的像素电路可以具有不同的结构。例如，辅助显示元件层200C下方的像素电路(例如，包括位于基底与晶体管之间的遮光层的像素电路)可以具有与显示元件层200A下方的像素电路的结构不同的结构。可选地，辅助显示元件层200C的显示元件可以根据与显示元件层200A的显示元件的控制信号不同的控制信号来操作。在其中布置有辅助显示元件层200C的第一区域OA中，可以布置不需要相对高的透射率的组件(例如，红外传感器)。在这种情况下，第一区域OA可以是组件区域和辅助显示区域两者。
在图3A至图3D的第一区域OA中，组件20可以布置在显示面板10下方。
图4A至图4D是根据示例性实施例的显示面板10'的剖视图。与以上参照图3A至图3D描述的包括薄膜封装层300的显示面板10不同，图4A至图4D显示面板10'可以包括封装基底300A和密封件340。
如图4A至图4C中所示。基底100、显示层200和封装基底300A中的一个或更多个可以分别包括与第一区域OA对应的通孔100H、200H和300AH。在第一区域OA中，可以不布置显示元件层200A，或者可以如图4D中所示布置辅助显示元件层200C。如以上参照图3D所描述地布置辅助显示元件层200C。
组件20可以在图4A至图4D的第一区域OA中布置在显示面板10'下方。
图5A和图5B是示出布置在根据示例性实施例的显示面板10或10'中的任何像素P的等效电路图。
参照图5A，像素P包括像素电路PC和连接到像素电路PC的作为显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和电容器Cst。每个像素P可以通过有机发光二极管OLED发射红光、绿光、蓝光或白光。第一晶体管T1和第二晶体管T2可以包括薄膜晶体管。
第二晶体管T2是开关薄膜晶体管，并且连接到扫描线SL和数据线DL。第二晶体管T2可以根据经由扫描线SL输入的开关电压将经由数据线DL输入的数据信号传输到第一晶体管T1。电容器Cst连接到第二晶体管T2和电力电压线PL，并且可以存储从第二晶体管T2接收的电压与供应到电力电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的电压差。
第一晶体管T1是驱动晶体管且连接到电力电压线PL和电容器Cst，并且可以根据存储在电容器Cst中的电压值来控制从电力电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流Ioled。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流Ioled发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的共电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。
图5A示出了像素电路PC包括两个晶体管和一个电容器，但是实施例不限于此。晶体管的数量和电容器的数量也可以根据像素电路PC的设计而变化。
参照图5B，每个像素P包括信号线SL1、SL2、EL和DL、初始化电压线VIL以及电力电压线PL，但是本公开不限于此。根据另一实施例，信号线SL1、SL2、EL和DL中的至少一个以及初始化电压线VIL或/和电力电压线PL可以在相邻像素之间共享。
信号线SL1、SL2、EL和DL可以包括：第一扫描线SL1，第一扫描信号GW经由第一扫描线SL1被传输；第二扫描线SL2，第二扫描信号GI经由第二扫描线SL2被传输；发光控制线EL，发光控制信号EM经由发光控制线EL被传输；以及数据线DL，与第一扫描线SL1交叉，数据信号DATA经由数据线DL被传输。第二扫描线SL2可以连接到下一行或前一行的第一扫描线SL1，并且第二扫描信号GI可以是下一行或前一行的第一扫描信号GW。
电力电压线PL将第一电力电压ELVDD传输到第一晶体管T1，初始化电压线VIL将使第一晶体管T1和像素电极初始化的初始化电压VINT传输到像素P。
像素P的像素电路PC可以包括诸如第一晶体管T1至第七晶体管T7的多个晶体管和电容器Cst。图5B的第一电极E11至E71和第二电极E12至E72根据晶体管的类型(p型或n型)和/或操作条件可以是源电极(源极区)或漏电极(漏极区)。第一晶体管T1至第七晶体管T7可以包括薄膜晶体管。
第一晶体管T1包括连接到电容器Cst的第一电极CE1的栅电极G1、经由第五晶体管T5连接到电力电压线PL的第一电极E11和经由第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极的第二电极E12。第一晶体管T1可以用作驱动晶体管，并且根据第二晶体管T2的开关操作来接收数据信号DATA，以将电流供应到有机发光二极管OLED。
第二晶体管T2包括连接到第一扫描线SL1的栅电极G2、连接到数据线DL的第一电极E21和连接到第一晶体管T1的第一电极E11的第二电极E22。第二晶体管T2根据经由第一扫描线SL1接收的第一扫描信号GW被导通，以执行将传输到数据线DL的数据信号DATA传输到第一晶体管T1的第一电极E11的开关操作。
第三晶体管T3包括连接到第一扫描线SL1的栅电极G3、连接到第一晶体管T1的第二电极E12的第一电极E31以及连接到电容器Cst的第一电极CE1、第四晶体管T4的第二电极E42和第一晶体管T1的栅电极G1的第二电极E32。第一电极E31经由第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第三晶体管T3根据经由第一扫描线SL1接收的第一扫描信号GW被导通，以对第一晶体管T1进行二极管连接。
第四晶体管T4包括连接到第二扫描线SL2的栅电极G4、连接到初始化电压线VIL的第一电极E41以及连接到电容器Cst的第一电极CE1、第三晶体管T3的第二电极E32和第一晶体管T1的栅电极G1的第二电极E42。第四晶体管T4根据经由第二扫描线SL2接收的第二扫描信号GI被导通，以将初始化电压VINT传输到第一晶体管T1的栅电极G1，从而将第一晶体管T1的栅极电压初始化为初始化电压VINT。
第五晶体管T5包括连接到发光控制线EL的栅电极G5、连接到电力电压线PL的第一电极E51以及连接到第一晶体管T1的第一电极E11和第二晶体管T2的第二电极E22的第二电极E52。
第六晶体管T6包括连接到发光控制线EL的栅电极G6、连接到第一晶体管T1的第二电极E12和第三晶体管T3的第一电极E31的第一电极E61以及连接到有机发光二极管OLED的像素电极的第二电极E62。
当第五晶体管T5和第六晶体管T6根据经由发光控制线EL接收的发光控制信号EM而同时被导通时，电流流过有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7包括连接到第二扫描线SL2的栅电极G7、连接到第六晶体管T6的第二电极E62和有机发光二极管OLED的像素电极的第一电极E71以及连接到初始电压线VIL的第二电极E72。第七晶体管T7根据经由第二扫描线SL2接收的第二扫描信号GI被导通，以将有机发光二极管OLED的像素电极的电压初始化为初始化电压VINT。第七晶体管T7可以被省略。
虽然在图5B中第四晶体管T4和第七晶体管T7连接到第二扫描线SL2，但是本公开不限于此。根据另一实施例，第四晶体管T4可以连接到第二扫描线SL2，第七晶体管T7可以连接到另一条布线，以根据被传输到该布线的信号被驱动。
电容器Cst包括连接到第一晶体管T1的栅电极G1的第一电极CE1和连接到电力电压线PL的第二电极CE2。电容器Cst的第一电极CE1也连接到第三晶体管T3的第二电极E32和第四晶体管T4的第二电极E42。
有机发光二极管OLED可以包括像素电极和面对像素电极的共电极，共电极可以接收第二电力电压ELVSS。有机发光二极管OLED从第一晶体管T1接收驱动电流Ioled以发光，从而显示图像。
图6A是示意性地示出根据实施例的图5B的像素P中的晶体管T1至T7和电容器Cst等的位置的布局图。图6B是彼此相邻地布置在根据实施例的显示面板10或10'中的第n行和第n+1行的像素电路PC的平面图。在图6A和图6B中，为了便于描述，省略了位于像素电路PC之上的有机发光二极管OLED。
参照图6A，像素P包括第一晶体管T1至第七晶体管T7和电容器Cst。第一晶体管T1至第七晶体管T7可以均包括半导体层1130和布置在与半导体层1130的沟道区对应的位置处并且与半导体层1130绝缘的栅电极。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7沿着半导体层1130布置。即，第一晶体管T1至第七晶体管T7的半导体层可以彼此连接并且以各种形状弯曲。
半导体层1130包括沟道区以及位于沟道区的两侧上的源极区和漏极区，源极区和漏极区可以分别是对应的晶体管的源电极和漏电极。图6A中示出的源电极(源极区)和漏电极(漏极区)可以分别是图5B中示出的晶体管的第一电极和第二电极。
第一晶体管T1包括与沟道区叠置的栅电极G1以及位于沟道区的相对侧上的第一电极E11和第二电极E12。与栅电极G1叠置的沟道区可以具有弯曲的形状，从而在狭窄的空间中提供相对长的沟道长度。
第二晶体管T2包括与沟道区叠置的栅电极G2以及位于沟道区的相对侧上的第一电极E21和第二电极E22。第二电极E22连接到第一晶体管T1的第一电极E11。
第三晶体管T3是具有与两个沟道区叠置的栅电极G3以及布置在沟道区的相对侧上的第一电极E31和第二电极E32的双晶体管。第三晶体管T3可以经由稍后将描述的节点连接线1174连接到第一晶体管T1的栅电极G1。
第四晶体管T4是具有与两个沟道区叠置的栅电极G以及布置在沟道区的相对侧上的第一电极E41和第二电极E42的双晶体管。
第五晶体管T5包括与沟道区叠置的栅电极G5以及布置在沟道区的相对侧上的第一电极E51和第二电极E52。第二电极E52连接到第一晶体管T1的第一电极E11。
第六晶体管T6包括与沟道区叠置的栅电极G6以及布置在沟道区相对侧上的第一电极E61和第二电极E62。第一电极E61连接到第一晶体管T1的第二电极E12。
第七晶体管T7包括与沟道区叠置的栅电极G7以及布置在沟道区的相对侧上的第一电极E71和第二电极E72。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、发光控制线EL和第一晶体管T1的栅电极G1可以布置在半导体层1130上，且其间具有绝缘层。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和发光控制线EL均在第一方向(x方向)上延伸。第一扫描线SL1的部分可以与第二晶体管T2的栅电极G2和第三晶体管T3的栅电极G3对应。第二扫描线SL2的部分可以与第四晶体管T4的栅电极G4和第七晶体管T7的栅电极G7对应。发光控制线EL的部分可以与第五晶体管T5的栅电极G5和第六晶体管T6的栅电极G6对应。
第一晶体管T1的栅电极G1是岛电极，并且经由节点连接线1174连接到第三晶体管T3。
电极电压线HL设置在第一扫描线SL1与发光控制线EL之间。电极电压线HL与第一晶体管T1的栅电极G1叠置，且其间具有绝缘层。
电极电压线HL在第一方向上延伸，以与数据线DL和电力电压线PL交叉。电极电压线HL的一部分在与第一方向不同的第二方向(y方向)上延伸，以覆盖第一晶体管T1的栅电极G1。电极电压线HL的所述一部分与栅电极G1之间的这种叠置可以形成电容器Cst。例如，第一晶体管T1的栅电极G1可以是电容器Cst的第一电极CE1，并且电极电压线HL的所述一部分可以是电容器Cst的第二电极CE2。在图6A中，栅电极G1与电极电压线HL的所述一部分完全叠置。本发明不限于此。在示例实施例中，栅电极G1可以与电极电压线HL的所述一部分部分地叠置。
电容器Cst的第二电极CE2电连接到电力电压线PL。电极电压线HL可以经由接触孔CNT连接到布置在电极电压线HL上的电力电压线PL。因此，电极电压线HL可以具有与电力电压线PL的电压电平相同的电压电平(例如，恒定电压)。在这种情况下，电力电压线PL可以被称为在第二方向上延伸的电力电压线，电极电压线HL可以被称为在第一方向上延伸的电力电压线。
初始化电压线VIL在第一方向(x方向)上延伸。初始化电压线VIL可以经由初始化连接线1173连接到第四晶体管T4和第七晶体管T7。
初始化电压线VIL可以与电极电压线HL布置在同一层上，并且可以包括与电极电压线HL的材料相同的材料。虽然在参照图6A的描述中初始化电压线VIL和电极电压线HL被描述为布置在同一层上，但是在另一实施例中，初始化电压线VIL可以与电极电压线HL或像素电极210布置在同一层上。
数据线DL、电力电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以布置在电极电压线HL上，且其间具有绝缘层。
数据线DL和电力电压线PL在第二方向(y方向)上延伸。数据线DL可以经由接触孔1154连接到第二晶体管T2的第一电极E21。数据线DL的一部分可以被理解为第二晶体管T2的第一电极E21。
电力电压线PL可以经由接触孔CNT连接到电极电压线HL。另外，电力电压线PL可以经由接触孔1155连接到第五晶体管T5。电力电压线PL可以经由接触孔1155连接到第五晶体管T5的第一电极E51。在图6A中，电力电压线PL可以作为单层与数据线DL包括在同一层上。然而，在另一实施例中，电力电压线PL可以具有包括与数据线DL布置在同一层上的下电力电压线和布置在下电力电压线之上的上电力电压线的两层结构。至少一个绝缘层可以布置在下电力电压线与上电力电压线之间。在这种情况下，至少一个绝缘层可以进一步布置在上电力电压线与像素电极之间。
初始化连接线1173的一端可以经由接触孔1152连接到第四晶体管T4和第七晶体管T7，初始化连接线1173的另一端可以经由接触孔1151连接到初始化电压线VIL。
节点连接线1174的一端可以经由接触孔1156连接到第三晶体管T3的第二电极E32，节点连接线1174的另一端可以经由接触孔1157连接到第一晶体管T1的栅电极G1。
有机发光二极管OLED的像素电极210(图7)可以布置在数据线DL、电力电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174之上，且其间具有绝缘层。像素电极210可以连接到第六晶体管T6，并且可以经由第六晶体管T6连接到第一晶体管T1。像素电极210经由接触孔1163连接到连接金属1175，连接金属1175可以经由接触孔1153连接到第六晶体管T6的第二电极E62。
图6A示出了包括在前一行的像素电路PC中并且电连接到当前行的像素P的第二扫描线SL2的第七晶体管T7。即，当前行的像素P的第七晶体管T7可以连接到下一行的像素P中的像素电路PC中包括的第二扫描线SL2。根据另一实施例，当前行的像素P的第七晶体管T7可以连接到当前行的像素P中的像素电路PC中包括的第二扫描线SL2。
参照图6B，第n行的像素P的半导体层1130n可以连接到第n+1行的像素P的半导体层1130n+1。即，第二方向(y方向)上的相邻的像素电路PC(例如，第n行的像素P的像素电路PC和第n+1行的像素P的像素电路PC)可以共享一条或更多条信号线，因此，像素电路PC可以有效地布置在相对小的空间区域中。
图7是沿着图6A的线II-II'和线III-III'截取的像素P的剖视图。
基底100可以包括如以上描述的玻璃材料或聚合物树脂。缓冲层111可以定位在基底100上以减少或防止异物、湿气或外部空气从基底100下方渗透，并且也可以在基底100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或有机-无机复合材料，并且具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
半导体层1130a和1130b可以包括多晶硅。可选地，半导体层1130a和1130b可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。图7中示出的半导体层1130a和1130b表示以上参照图6A描述的半导体层1130的部分。现在将参照图7和图6A来描述图7的像素P。
栅电极G1和G6分别布置在半导体层1130a和1130b上，且其间具有第一绝缘层112。栅电极G1和G6可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以包括单层或多层。例如，栅电极G1和G6可以是包括钼(Mo)的单层。第一扫描线SL1(见图6A)、第二扫描线SL2和发光控制线EL可以与栅电极G1和G6形成在同一层上。即，栅电极G1和G6、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和发光控制线EL可以布置在第一绝缘层112上。
第一绝缘层112可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌。
第二绝缘层113被提供以覆盖栅电极Gl和G6。第二绝缘层113可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌。
电容器Cst的第一电极CE1可以与第一晶体管T1的栅电极G1形成为单一体。例如，第一晶体管T1的栅电极G1可以用作电容器Cst的第一电极CE1。电容器Cst的第二电极CE2与第一电极CE1叠置，且其间具有第二绝缘层113。在这种情况下，第二绝缘层113可以用作电容器Cst的介电层。电容器Cst的第二电极CE2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含以上描述的材料的多层或单层。例如，电容器Cst的第二电极CE2可以是包括Mo的单层或包括Mo/Al/Mo的多层。
在附图中，电容器Cst被示出为与第一晶体管T1叠置，但是本发明不限于此。电容器Cst可以以各种方式被修改，例如，电容器Cst可以被布置为不与第一晶体管T1叠置。
电容器Cst的第二电极CE2可以用作电极电压线HL。例如，电极电压线HL的一部分可以是电容器Cst的第二电极CE2。
第三绝缘层115被提供以覆盖电容器Cst的第二电极CE2。第三绝缘层115可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌。
数据线DL、电力电压线PL和连接金属1175布置在第三绝缘层115上。数据线DL、电力电压线PL和连接金属1175可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含以上描述的材料的多层或单层。例如，数据线DL、电力电压线PL和连接金属1175可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
数据线DL和电力电压线PL整体布置在显示区域DA中，以将信号或电压传输到多个像素P，数据线DL和电力电压线PL的比电阻可以比电容器Cst的第二电极CE2或电极电压线HL的比电阻小。在一些实施例中，数据线DL和电力电压线PL的比电阻可以是电容器Cst的第二电极CE2或电极电压线HL的比电阻的约1/10。
电容器Cst的第二电极CE2经由限定在第三绝缘层115中的接触孔CNT连接到电力电压线PL。电极电压线HL经由接触孔CNT连接到电力电压线PL。因此，电极电压线HL可以具有与电力电压线PL的电压电平相同的电压电平(恒定电压)。
连接金属1175经由穿过第三绝缘层115、第二绝缘层113和第一绝缘层112的接触孔1153连接到第六晶体管T6的半导体层1130b。第六晶体管T6可以经由连接金属1175电连接到有机发光二极管OLED的像素电极210。
第四绝缘层117定位在数据线DL、电力电压线PL和连接金属1175上，并且有机发光二极管OLED可以定位在第四绝缘层117上。
第四绝缘层117可以具有平坦的上表面，使得像素电极210是平坦的。第四绝缘层117可以包括包含由有机材料形成的层的单层或多层。可选地，第四绝缘层117可以包括无机材料(诸如氮化硅或氧化硅)。可选地，第四绝缘层117可以包括有机材料和无机材料两者。
使连接金属1175暴露的接触孔1163位于第四绝缘层117中，并且像素电极210经由接触孔1163连接到连接金属1175。
像素电极210可以是透明电极或半透明电极或者反射电极。在一些实施例中，像素电极210可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其复合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明电极层或半透明电极层。透明电极层或半透明电极层可以包括选自于由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中的至少一种。在一些实施例中，像素电极210可以具有包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
第五绝缘层119布置在第四绝缘层117上，并且第五绝缘层119可以包括通过具有使像素电极210的中心部分暴露的开口部119OP来限定像素的发射区域的像素限定层。另外，第五绝缘层119可以增大像素电极210的边缘与像素电极210之上的对电极230之间的距离，以防止在像素电极210的边缘处产生电弧等。第五绝缘层119可以包括有机绝缘材料(诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和酚醛树脂)，并且可以通过使用诸如旋涂的方法来形成。
有机发光二极管OLED的中间层220可以包括有机发射层。有机发射层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料的有机材料。有机发射层可以是低分子量有机材料或聚合物有机材料，功能层(诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等)可以选择性地进一步布置在有机发射层下方和之上。中间层220可以单独地布置在多个像素电极210中的每个上。然而，本公开不限于此。中间层220可以包括在多个像素电极210之上形成为单一体的层，或者也可以做出其他修改。
对电极230可以是透明电极或半透明电极或者反射电极。在一些实施例中，对电极230可以是透明电极层或半透明电极层，并且可以包括具有小的逸出功并包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其复合物的金属薄膜。另外，透明导电氧化物(TCO)层(诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3)可以进一步布置在金属薄膜上。对电极230可以遍及显示区域DA和非显示区域NDA布置，并且可以布置在中间层220和第五绝缘层119上。对电极230可以相对于多个有机发光二极管OLED形成为单一体，并且与多个像素电极210对应。
当像素电极210包括反射电极并且对电极230包括透明电极时，来自中间层220的光朝向对电极230发射，并且这里的显示装置可以是顶发射型。当像素电极210包括透明电极层或半透明电极层并且对电极230包括反射电极时，来自中间层220的光朝向基底100发射，并且这里的显示装置可以是底发射型。然而，本发明不限于此。在示例性实施例中，显示装置可以是其中光朝向两个方向(即，向顶侧和底侧)发射的双发射型。
图8是根据实施例的显示面板10A的平面图。图9是示出图8的显示面板10A的其中可以在第一区域OA周围布置有布线(例如，信号线)的部分的平面图。图10是示出图8的显示面板10A的其中在第一区域OA周围布置有包括在每个像素P中的半导体层1130的部分的平面图。
参照图8，显示面板10A包括第一区域OA、围绕第一区域OA的显示区域DA、围绕第一区域OA的第一非显示区域NDA1以及围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。图8可以是包括在显示面板10A中的基底100。例如，显示面板10A的基底100可以包括第一区域OA、显示区域DA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
显示区域DA是布置有多个像素P的地方，并且被划分为在y方向上彼此间隔开且其间具有第一区域OA的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2以及经由第一显示区域DA1和第二显示区域DA2在x方向上彼此间隔开的第三显示区域DA3和第四显示区域DA4。第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以是与数据线DL的延伸方向平行地布置的显示区域。
多个像素P可以包括布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1、布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2、布置在第三显示区域DA3中的第三像素P3以及布置在第四显示区域DA4中的第四像素P4。第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4可以均包括以上参照图5A和图5B描述的像素电路PC。
参照图9，像素P布置在第一区域OA周围的显示区域DA中，第一非显示区域NDA1设置在第一区域OA与显示区域DA之间。
像素P可以相对于第一区域OA彼此间隔开。像素P可以彼此分开地分别布置在第一区域OA上方和下方或第一区域OA的左侧和右侧上。在显示区域DA中，穿过显示区域DA的数据线DL可以在第二方向(y方向)上延伸，扫描线SL在第一方向(x方向)上延伸。信号经由其被供应到像素P并且与第一区域OA相邻的信号线可以在定位在显示区域DA中的第一区域OA周围绕行。
穿过第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的数据线DLa在y方向上延伸，以将数据信号提供到其间具有第一区域OA的布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1和布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2，并且数据线DLa在第一非显示区域NDA1中沿着第一区域OA的边缘绕行。没有穿过第一非显示区域NDA1的数据线DLb(即，在第三显示区域DA3和第四显示区域DA4中沿y方向延伸的数据线DLb)可以基本上笔直地延伸。
穿过第三显示区域DA3和第四显示区域DA4的一些扫描线SLa在x方向上延伸，以将扫描信号提供到其间具有第一区域OA的布置在第三显示区域DA3中的第三像素P3和布置在第四显示区域DA4中的第四像素P4，并且所述一些扫描线SLa可以在第一非显示区域NDA1中沿着第一区域OA的边缘绕行。没有穿过第一非显示区域NDA1的扫描线SLb(即，在x方向上从第三显示区域DA3经由第一显示区域DA1或第二显示区域DA2延伸到第四显示区域DA4的扫描线SLb)可以基本上笔直地延伸。
参照图10，第一显示区域DA1的第一像素P1中的每个可以包括半导体层1130，并且第一像素P1的半导体层1130可以在第二方向(y方向)上彼此连接以形成多个第一行R1。即，第一行R1中的每个包括在y方向上连接的多个半导体层1130。
相似地，第二显示区域DA2的第二像素P2中的每个可以包括半导体层1130，并且第二像素P2的半导体层1130可以在第二方向(y方向)上彼此连接以形成多个第二行R2。即，第二行R2中的每个包括在y方向上连接的多个半导体层1130。
分别布置在第三显示区域DA3和第四显示区域DA4中的第三像素P3和第四像素P4也均包括半导体层1130。第三像素P3的半导体层1130可以在第二方向(y方向)上彼此连接以形成多个第三行R3，第四像素P4的半导体层1130也可以在第二方向(y方向)上彼此连接以形成多个第四行R4。即，第三行R3中的每个和第四行R4中的每个包括在y方向上连接的多个半导体层1130。
半导体层1130的定位在第一显示区域DA1中的第一行R1和半导体层1130的定位在第二显示区域DA2中的第二行R2可以彼此间隔开，且在第一行R1与第二行R2之间具有第一区域OA。因此，第一行R1中的每个和第二行R2中的每个的长度可以比第三行R3中的每个或第四行R4中的每个的长度小。
根据以上描述的结构上的差异，在显示区域DA的部分之中存在负载偏差，并且负载偏差可能导致显示区域DA的局部不均匀的亮度。变化亮度在显示区域DA的其中布置有在第一非显示区域NDA1中绕行的数据线DLa的部分和/或显示区域DA的其中布置有相对短长度的半导体层1130的行的部分(例如，图8的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2)中可能是明显的。例如，如果第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的像素P在没有调整驱动晶体管(例如，根据负载偏差调整驱动晶体管)的情况下被驱动，则第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的亮度可能比第三显示区域DA3和第四显示区域DA4的亮度高或低。
像素P的明度(亮度)可以与流过有机发光二极管OLED的驱动电流Ioled成正比(如下面的公式1所表示的)，并且驱动电流Ioled取决于第一晶体管T1的沟道宽度W与第一晶体管T1的沟道长度L的比例(在下文中，“沟道比”)。
Figure BDA0002515470240000221
在公式1中，“μ”表示第一晶体管T1的迁移率，“Cox”指第一晶体管T1的寄生电容，“W”表示第一晶体管T1的沟道宽度，“L”表示第一晶体管T1的沟道长度，“Vgs”表示第一晶体管T1的栅极电压与源极电压之间的差，“Vth”表示第一晶体管T1的阈值电压，“Vdd”表示第一电力电压ELVDD，“Vdata”表示数据电压。
如公式1中所表示的，像素P的亮度可以通过调整第一晶体管T1的沟道宽度W与沟道长度L的比例来控制。
图11是用于描述晶体管T的沟道宽度W和沟道长度L的视图。
参照图11，晶体管T包括半导体层A和栅电极G。半导体层A包括源极区SA、漏极区DRA以及源极区SA与漏极区DRA之间的沟道区CHA。绝缘层可以布置在半导体层A与栅电极G之间。沟道长度L和沟道宽度W由作为其中半导体层A与栅电极G彼此叠置的区域的沟道区CHA限定。晶体管T1的尺寸可以由沟道宽度W和沟道长度L来确定。沟道宽度W或沟道长度L越大，晶体管T1的尺寸可以越大。
在根据实施例的显示面板10A中，布置在作为第一区域OA周围的显示区域的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的像素P的驱动晶体管的沟道比可以与布置在除了第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之外的显示区域中的像素P的驱动晶体管的沟道比不同。即，作为布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1和布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2的驱动晶体管的第一晶体管T1的沟道比可以与布置在第三显示区域DA3中的第三像素P3的第一晶体管T1和布置在第四显示区域DA4中的第四像素P4的第一晶体管T1的沟道比不同。因此，可以防止由于因第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的结构而发生的负载偏差而导致的变化亮度或使变化亮度最小化。
图12A至图12C示出根据实施例的用于显示面板10A中的每个位置的亮度校正的驱动晶体管的尺寸调整的示例。
根据实施例，第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的与第三显示区域DA3和第四显示区域DA4的亮度相比提高或降低的亮度通过调整晶体管的沟道比来降低或提高，从而使第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的亮度与第三显示区域DA3和第四显示区域DA4的亮度近似，并且防止变化亮度或使变化亮度最小化。
在图12A中示出的实施例中，调整沟道长度L以调整第一晶体管T1的沟道比。可以通过调整栅电极G1的长度来增大或减小半导体层A1与栅电极G1之间的叠置面积，并且可以通过调整该叠置面积来调整沟道长度L。如图12C中所示，沟道长度L在半导体层A1的沟道区具有弯曲时可以被延长。半导体层A1可以具有包括曲折或弯曲形状的各种形状(例如，
Figure BDA0002515470240000231
“S”、“M”或“W”)。
当第三显示区域DA3的第三像素P3和第四显示区域DA4的第四像素P4的第一晶体管T1具有沟道比W/L1时，第一显示区域DA1的第一像素P1和第二显示区域DA2的第二像素P2的第一晶体管T1可以被设计为具有沟道比W/L2(W/L2<W/L1)或沟道比W/L3(W/L3>W/L1)。即，当第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的亮度比第三显示区域DA3和第四显示区域DA4的亮度高或低时，可以增大或减小第一显示区域DA1的第一像素P1和第二显示区域DA2的第二像素P2的第一晶体管T1的沟道长度，以减小或增大第一晶体管T1的沟道比。因此，可以通过降低或增大第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的亮度来使相对于第三显示区域DA3和第四显示区域DA4的亮度的亮度差最小化。
在图12B中示出的实施例中，调整沟道宽度W以调整第一晶体管T1的沟道比。当第三显示区域DA3的第三像素P3和第四显示区域DA4的第四像素P4的第一晶体管T1具有沟道比W1/L时，第一显示区域DA1的第一像素P1和第二显示区域DA2的第二像素P2的第一晶体管T1可以被设计为具有沟道比W2/L(W2/L＜W1/L)或沟道比W3/L(W3/L＞W1/L)。即，当第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的亮度比第三显示区域DA3和第四显示区域DA4的亮度高或低时，可以减小或增大第一显示区域DA1的第一像素P1和第二显示区域DA2的第二像素P2的第一晶体管T1的沟道宽度，以减小或增大第一晶体管T1的沟道比。因此，可以通过减小或增大第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的亮度来使相对于第三显示区域DA3和第四显示区域DA4的亮度的亮度差最小化。
另外，由于信号线的长度和/或半导体层的行的长度的差异而导致第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间也可能存在亮度偏差。例如，当第一显示区域DA1的亮度比第二显示区域DA2的亮度低或高时，第二显示区域DA2的第一晶体管T1的沟道比可以根据第一显示区域DA1的第一晶体管T1的沟道比来减小或增大。因此，第二显示区域DA2的亮度可以近似于第一显示区域DA1的亮度。根据另一实施例，可以通过调整第一显示区域DA1的第一像素P1中的每个的第一晶体管T1的沟道比来使第一显示区域DA1的亮度近似于第二显示区域DA2的亮度。
在以上实施例中，调整晶体管的沟道长度或沟道宽度以调整沟道比并因此调整亮度。本发明不限于此。例如，沟道比也可以通过调整沟道长度和沟道宽度两者来进行调整。
另外，可以通过考虑与第一显示区域DA1内的信号源的距离来调整第一显示区域DA1的第一晶体管T1的沟道比，使得沟道比远离第一区域OA逐渐增大或减小。此外，可以调整第二显示区域DA2的第一晶体管T1的沟道比，使得沟道比远离第一区域OA逐渐增大或减小。可以通过考虑与第二显示区域DA2内的信号源的距离来做出沟道比的这种逐渐调整。
图13示出了图6A中示出的像素P的第一晶体管T1的沟道比的调整的示例。在图13的实施例中，在不改变栅电极G1的尺寸或沟道宽度的情况下，沟道长度通过弯曲半导体层来增大。
参照图13，第三显示区域DA3的第三像素P3和第四显示区域DA4的第四像素P4中的每个的第一晶体管T1可以具有沟道比W/L1，第一显示区域DA1的第一像素P1和第二显示区域DA2的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1可以具有沟道比W/L2(W/L2＞W/L1)或沟道比W/L3(W/L3＜W/L1)。
图14A是根据实施例的显示面板10A的示意性平面图。图14B是示出图14A的显示面板10A的示出布置在第一区域OA周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图。
图14A和图14B的实施例与图8的其中亮度通过调整第一显示区域DA1的第一像素P1和第二显示区域DA2的第二像素P2中的全部的第一晶体管T1的沟道比来进行调整的实施例不同，且不同之处在于这里亮度通过调整第一显示区域DA1的第一像素P1中的一些和第二显示区域DA2的第二像素P2中的一些的第一晶体管T1的沟道比来进行调整。
参照图14A和图14B，布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1包括1-2像素P12和沿着第一显示区域DA1的左右边界线定位的1-1像素P11a和P11b。同样地，布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2可以包括2-2像素P22和沿着第二显示区域DA2的左右边界线定位的2-1像素P21a和P21b。
可以改变第一显示区域DA1的1-1像素P11a和P11b和第二显示区域DA2的2-1像素P21a和P21b中的每个的第一晶体管T1的沟道比，使得显示区域DA可以具有与像素位置无关的、基本上均匀的亮度。可以改变1-2像素P12和2-2像素P22中的每个的第一晶体管T1的沟道比，使得显示区域DA可以具有与像素位置无关的、基本上均匀的亮度。例如，可以改变像素P11a、P11b、P12和P22中的每个的第一晶体管T1的沟道比，使得像素P11a、P11b、P12和P22可以具有与像素P3和P4的亮度基本上相同的亮度。换句话说，像素P可以根据相对于第一区域OA的相对位置而具有不同的负载，但是无论所述相对位置如何像素P的第一晶体管T1都可以具有基本上均匀的驱动电流，因此具有第一区域OA的显示区域DA可以具有基本上均匀的亮度。即，可以通过仅调整第一显示区域DA1的1-1像素P11a和P11b中的每个以及第二显示区域DA2的2-1像素P21a和P21b中的每个的第一晶体管T1的沟道比来调整第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的亮度。1-1像素P11a和P11b的第一晶体管T1的沟道比可以与2-1像素P21a和P21b的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。
图15是根据实施例的显示面板10A'的示意性平面图。图16是示出图15的显示面板10A'的示出布置在第一区域OA周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图。图17是示出图15的显示面板10A'的示出包括在布置在第一区域OA周围的每个像素P中的半导体层的部分的平面图。
根据参照图8至图14B描述的实施例，数据线DL被示出为在y方向上延伸，但是实施例不限于此。如图15和图16中所示，数据线DL可以在x方向上延伸，扫描线SL可以在y方向上延伸。
参照图15，显示面板10A'包括第一区域OA、围绕第一区域OA的显示区域DA、围绕第一区域OA的第一非显示区域NDA1以及围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。显示面板10A'包括基底100。例如，显示面板10A'的基底100包括第一区域OA、显示区域DA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
显示区域DA包括多个像素P，并且被划分为在x方向上彼此间隔开的第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'(其间具有第一区域OA)以及经由第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'在y方向上彼此间隔开的第三显示区域DA3'和第四显示区域DA4'。第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'可以是与数据线DL的延伸方向平行地布置的显示区域。
像素P布置在显示区域DA中。像素P包括布置在第一显示区域DA1'中的第一像素P1、布置在第二显示区域DA2'中的第二像素P2、布置在第三显示区域DA3'中的第三像素P3和布置在第四显示区域DA4'中的第四像素P4。第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4可以均包括以上参照5A或图5B描述的像素电路PC。
参照图16，穿过第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'的数据线DLa在x方向上延伸，以将数据信号提供到其间具有第一区域OA的布置在第一显示区域DA1'中的第一像素P1和布置在第二显示区域DA2'中的第二像素P2，并且数据线DLa在第一非显示区域NDA1中沿着第一区域OA的边缘绕行。没有穿过第一非显示区域NDA1的数据线DLb(即，在第三显示区域DA3'和第四显示区域DA4'中沿x方向延伸的数据线DLb)基本上笔直地延伸。
穿过第三显示区域DA3'和第四显示区域DA4'的一些扫描线SLa在y方向上延伸，以将扫描信号提供到其间具有第一区域OA的布置在第三显示区域DA3'中的第三像素P3和布置在第四显示区域DA4'中的第四像素P4，并且所述一些扫描线SLa在第一非显示区域NDA1中沿着第一区域OA的边缘绕行。没有穿过第一非显示区域NDA1的扫描线SLb(即，在y方向上从第三显示区域DA3'经由第一显示区域DA1'或经由第二显示区域DA2'延伸到第四显示区域DA4'的扫描线SLb)基本上笔直地延伸。
参照图17，与第一显示区域DA1'对应的第一像素P1中的每个可以包括半导体层1130'，第一像素P1的半导体层1130'可以在x方向上彼此连接以形成多个第一行R1'。即，第一行R1'中的每个包括在x方向上连接的多个半导体层1130'。同样地，第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4可以均包括半导体层1130'，半导体层1130'也可以在x方向上彼此连接并形成第二行R2'、第三行R3'和第四行R4'。
在第三行R3'和第四行R4'在x方向上连续延伸以穿过显示区域DA的同时，第一行R1'和第二行R2'彼此间隔开且在第一行R1'与第二行R2'之间具有第一区域OA，因此，第一行R1'中的每个和第二行R2'中的每个的长度可以比第三行R3'中的每个和第四行R4'中的每个的长度小。
显示区域DA的其中布置有在第一非显示区域NDA1中绕行的数据线DLa的部分和/或显示区域DA的其中布置有短的半导体层1130'的行的部分的亮度(例如，第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'的亮度)可以比第三显示区域DA3'和第四显示区域DA4'的亮度高或低。
在根据实施例的显示面板10A'中，布置在作为第一区域OA周围的显示区域的第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'中的像素P的驱动晶体管的沟道比可以与布置在除了第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'之外的显示区域中的像素P的驱动晶体管的沟道比不同。即，第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个和第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第三显示区域DA3'的第三像素P3中的每个的第一晶体管T1和第四显示区域DA4'的第四像素P4中的每个的第一晶体管T1的沟道比不同。因此，可以防止由于因第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'的结构而发生的负载偏差而导致的变化亮度或使变化亮度最小化。第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。
第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个和/或第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以远离第一区域OA逐渐增大或减小。
可以如以上参照图12A至图12C和图13描述的通过调整第一晶体管T1的沟道长度和/或沟道宽度来调整第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个和第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比。
图18A是根据实施例的显示面板10A'的示意性平面图。图18B是示出图18A的显示面板10A'的示出布置在第一区域OA周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图。
图18A和图18B的实施例与图15的其中亮度通过调整第一显示区域DA1'的第一像素P1和第二显示区域DA2'的第二像素P2中的全部的第一晶体管T1的沟道比来进行调整的实施例不同，且不同之处在于这里亮度通过调整第一显示区域DA1'的第一像素P1中的一些和第二显示区域DA2'的第二像素P2中的一些的第一晶体管T1的沟道比来进行调整。
参照图18A和图18B，布置在第一显示区域DA1'中的第一像素P1包括1-2像素P12和沿着第一显示区域DA1'的上下边界线定位的1-1像素P11a和P11b。同样地，布置在第二显示区域DA2'中的第二像素P2可以包括2-2像素P22和沿着第二显示区域DA2'的上下边界线定位的2-1像素P21a和P21b。
可以改变第一显示区域DA1'的1-1像素P11a和P11b中的每个和第二显示区域DA2'的2-1像素P21a和P21b中的每个的第一晶体管T1沟道比，使得显示区域DA可以具有与像素位置无关的、基本上均匀的亮度。可以改变1-2像素P12和2-2像素P22中的每个的第一晶体管T1的沟道比，使得显示区域DA可以具有与像素位置无关的、基本上均匀的亮度。例如，可以改变像素P11a、P11b、P12和P22中的每个的第一晶体管T1的沟道比，使得像素P11a、P11b、P12和P22可以具有与像素P3和P4的亮度基本上相同的亮度。换句话说，像素P可以根据相对于第一区域OA的相对位置而具有不同的负载，但是无论所述相对位置如何像素P的第一晶体管T1都可以具有基本上均匀的驱动电流，因此具有第一区域OA的显示区域DA可以具有基本上均匀的亮度。即，第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'的亮度可以通过仅调整第一显示区域DA1'的1-1像素P11a和P11b中的每个以及第二显示区域DA2'的2-1像素P21a和P21b中的每个的第一晶体管T1的沟道比来进行调整。1-1像素P11a和P11b的第一晶体管T1的沟道比可以与2-1像素P21a和P21b的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。
虽然在以上描述的实施例中示出了近似圆形的第一区域OA，但是本发明不限于此。两个或更多个第一区域可以被包括，并且第一区域的形状可以是多种多样的(例如，圆形、椭圆形、多边形、星形、菱形等)。
图19是示意性地示出根据实施例的显示装置1B的透视图。
图19的显示装置1B包括两个第一区域(即，1-1区域OA1和1-2区域OA2)和第二区域。第二区域包括非显示区域NDA和围绕1-1区域OA1和1-2区域OA2的显示区域DA。1-1区域OA1和1-2区域OA2定位在显示区域DA中，并被显示区域DA完全围绕。1-1区域OA1和1-2区域OA2可以是如图2A至图4D中所示地布置组件的区域。1-1区域OA1和1-2区域OA2可以是如图2A中所示的开口区域或者如图2B中所示的透射区域。虽然在图19中示出了两个开口区域或两个透射区域，但是本发明不限于此，三个或更多个开口区域或透射区域也可以被包括，在两个开口区域或透射区域之中，它们的尺寸和形状中的至少一个可以彼此不同。
非显示区域NDA包括围绕1-1区域OA1和1-2区域OA2的第一非显示区域NDA1和围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2可以是其中不提供图像的区域。第一非显示区域NDA1可以同时围绕1-1区域OA1和1-2区域OA2。在第一非显示区域NDA1中，可以布置将信号提供到设置在1-1区域OA1和1-2区域OA2周围的像素的信号线。不发光的虚设像素可以布置在第一非显示区域NDA1中。在第二非显示区域NDA2中，将扫描信号提供到像素和虚设像素的扫描驱动器以及将数据信号提供到像素和虚设像素的数据驱动器等可以被包括。第一非显示区域NDA1被显示区域DA完全围绕，显示区域DA被第二非显示区域NDA2完全围绕。
图20是根据实施例的显示面板10B的示意性平面图。图21和图22是示出图20的显示面板10B的示出布置在1-1区域OA1和1-2区域OA2周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图。
参照图20，显示面板10B包括1-1区域OA1和1-2区域OA2、围绕1-1区域OA1和1-2区域OA2的第一非显示区域NDA1、围绕第一非显示区域NDA1的显示区域DA和围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。显示面板10B包括基底100。例如，显示面板10B的基底100包括1-1区域OA1和1-2区域OA2、显示区域DA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
显示区域DA是其中布置有多个像素P的区域，并且被划分为在y方向上彼此间隔开的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2(其间具有1-1区域OA1)、在y方向上彼此间隔开的第三显示区域DA3和第四显示区域DA4(其间具有1-2区域OA2)、在x方向上彼此间隔开的第五显示区域DA5和第六显示区域DA6(其间具有1-1区域OA1和1-2区域OA2)、位于第一显示区域DA1与第三显示区域DA3之间的第七显示区域DA7以及位于第二显示区域DA2与第四显示区域DA4之间的第八显示区域DA8。第一显示区域DA1和第二显示区域DA2以及第三显示区域DA3和第四显示区域DA4可以分别是在与数据线DL的延伸方向平行的方向上彼此分开布置的显示区域。
多个像素P布置在显示区域DA中，虚设像素Pd布置在第一非显示区域NDA1中。多个像素P包括布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1、布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2、布置在第三显示区域DA3中的第三像素P3、布置在第四显示区域DA4中的第四像素P4、布置在第五显示区域DA5中的第五像素P5、布置在第六显示区域DA6中的第六像素P6、布置在第七显示区域DA7中的第七像素P7和布置在第八显示区域DA8中的第八像素P8。第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3、第四像素P4、第五像素P5、第六像素P6、第七像素P7和第八像素P8可以包括以上参照图5A或图5B描述的像素电路PC。
参照图21，穿过第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的数据线DLa1在y方向上延伸，以将数据信号提供到其间具有1-1区域OA1的布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1和布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2，并且数据线DLa1在第一非显示区域NDA1中沿着1-1区域OA1的边缘绕行。穿过第三显示区域DA3和第四显示区域DA4的数据线DLa2在y方向上延伸，以将数据信号提供到其间具有1-2区域OA2的布置在第三显示区域DA3中的第三像素P3和布置在第四显示区域DA4中的第四像素P4，并且数据线DLa2在第一非显示区域NDA1中沿着1-2区域OA2的边缘绕行。穿过第七显示区域DA7和第八显示区域DA8的数据线DLb可以在y方向上延伸以将数据信号提供到布置在第七显示区域DA7中的第七像素P7和布置在第八显示区域DA8中的第八像素P8，并且基本上是直线。没有穿过第一非显示区域NDA1的数据线DLc(即，在第五显示区域DA5和第六显示区域DA6中沿y方向延伸的数据线DLc)基本上笔直地延伸。
穿过第五显示区域DA5和第六显示区域DA6的扫描线SL之中的一些扫描线SLa可以在x方向上延伸，以将扫描信号提供到其间具有1-1区域OA1和1-2区域OA2的布置在第五显示区域DA5中的第五像素P5和布置在第六显示区域DA6中的第六像素P6，并且所述的一些扫描线SLa在第一非显示区域NDA1中沿着1-1区域OA1和1-2区域OA2的边缘绕行。没有穿过第一非显示区域NDA1的扫描线SLb(即，在x方向上从第五显示区域DA5经由第一显示区域DA1、第七显示区域DA7和第三显示区域DA3延伸到第六显示区域DA6的扫描线SLb以及在x方向上从第五显示区域DA5经由第二显示区域DA2、第八显示区域DA8和第四显示区域DA4延伸到第六显示区域DA6的扫描线SLb)基本上笔直地延伸。
图21示出了在第一方向(x方向)上延伸并且将显示区域DA的像素P和第一非显示区域NDA1的虚设像素Pd连接的扫描线SLa以及在第二方向(y方向)上延伸并且将像素P和虚设像素Pd连接的数据线DLb。即使在虚设像素Pd经由信号线接收电信号时，虚设像素Pd也可以不发光。虚设像素Pd可以包括具有与包括在像素P中的像素电路PC的结构基本上相同的结构的虚设像素电路，并且可以通过将电信号施加到虚设像素电路来同时确保图案密度和均匀的电负载。
参照图20和图21，根据实施例，布置在作为1-1区域OA1周围的显示区域的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的像素P的驱动晶体管的沟道比以及布置在作为1-2区域OA2周围的显示区域的第三显示区域DA3和第四显示区域DA4中的像素P的驱动晶体管的沟道比可以与布置在除了第一显示区域DA1、第二显示区域DA2、第三显示区域DA3和第四显示区域DA4之外的显示区域中的像素P的驱动晶体管的沟道比不同。即，第一显示区域DA1的第一像素P1、第二显示区域DA2的第二像素P2、第三显示区域DA3的第三像素P3和第四显示区域DA4的第四像素P4中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与布置在第五显示区域DA5中的第五像素P5、布置在第六显示区域DA6中的第六像素P6、布置在第七显示区域DA7中的第七像素P7和布置在第八显示区域DA8中的第八像素P8中的每个的第一晶体管T1的沟道比不同。因此，可以使根据显示区域的负载偏差最小化，并且可以防止变化亮度或使变化亮度最小化。虚设像素Pd中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第七像素P7中的每个和第八像素P8中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等。第一显示区域DA1的第一像素P1中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第二显示区域DA2的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。第三显示区域DA3的第三像素P3中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第四显示区域DA4的第四像素P4中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。
第一显示区域DA1的第一像素P1中的每个和/或第二显示区域DA2的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以远离1-1区域OA1逐渐增大或减小。第三显示区域DA3的第三像素P3中的每个和/或第四显示区域DA4的第四像素P4中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以远离1-2区域OA2逐渐增大或减小。
第一显示区域DA1的第一像素P1中的每个、第二显示区域DA2的第二像素P2中的每个、第三显示区域DA3的第三像素P3中的每个和第四显示区域DA4的第四像素P4中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以如以上参照图12A至图12C和图13描述的通过调整第一晶体管T1的沟道长度和/或沟道宽度来进行调整。
图22的实施例与图21的实施例不同，且不同之处在于这里的亮度通过调整第一显示区域DA1的第一像素P1中的一些和第二显示区域DA2的第二像素P2中的一些以及第三显示区域DA3的第三像素P3中的一些和第四显示区域DA4的第四像素P4中的一些的第一晶体管T1的沟道比来进行调整。
布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1包括1-2像素P12和沿着第一显示区域DA1的左右边界线定位的1-1像素P11a和P11b。布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2包括2-2像素P22和沿着第二显示区域DA2的左右边界线定位的2-1像素P21a和P21b。布置在第三显示区域DA3中的第三像素P3包括3-2像素P32和沿着第三显示区域DA3的左右边界线定位的3-1像素P31a和P31b。布置在第四显示区域DA4中的第四像素P4包括4-2像素P42和沿着第四显示区域DA4的左右边界线定位的4-1像素P41a和P41b。
可以改变第一显示区域DA1的1-1像素P11a和P11b中的每个、第二显示区域DA2的2-1像素P21a和P21b中的每个、第三显示区域DA3的3-1像素P31a和P31b中的每个和第四显示区域DA4的4-1像素P41a和P41b中的每个的第一晶体管T1的沟道比。1-2像素P12、2-2像素P22、3-2像素P32和4-2像素P42中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第五显示区域DA5的第五像素P5中的每个、第六显示区域DA6的第六像素P6中的每个、第七显示区域DA7的第七像素P7中的每个和第八显示区域DA8的第八像素P8中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等。1-1像素P11a和P11b中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与2-1像素P21a和P21b中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。3-1像素P31a和P31b中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与4-1像素P41a和P41b中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。
图23是根据实施例的显示面板10B'的示意性平面图。图24和图25是示出图23的显示面板10B'的示出布置在1-1区域OA1和1-2区域OA2周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图。
如图24中所示，数据线DL可以在x方向上延伸，扫描线SL可以在y方向上延伸。
参照图23，显示面板10B'包括1-1区域OA1和1-2区域OA2、显示区域DA、围绕1-1区域OA1和1-2区域OA2的第一非显示区域NDA1以及围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。显示面板10B'包括基底100。例如，显示面板10B'的基底100包括1-1区域OA1、1-2区域OA2、显示区域DA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
其中布置有多个像素P的显示区域DA被划分为在x方向上彼此间隔开的第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'(其间具有1-1区域OA1和1-2区域OA2)以及在y方向上彼此隔开的第三显示区域DA3'和第四显示区域DA4'(其间具有1-1区域OA1和1-2区域OA2)。第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'可以是在与数据线DL的延伸方向平行的方向上彼此分开布置的显示区域。
多个像素P布置在显示区域DA中。多个像素P可以包括布置在第一显示区域DA1'中的第一像素P1、布置在第二显示区域DA2'中的第二像素P2、布置在第三显示区域DA3'中的第三像素P3和布置在第四显示区域DA4'中的第四像素P4。第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4可以均包括以上参照图5A或图5B描述的像素电路PC。
参照图24，穿过第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'的数据线DLa在x方向上延伸，以将数据信号提供到其间具有1-1区域OA1和1-2区域OA2的布置在第一显示区域DA1'中的第一像素P1和布置在第二显示区域DA2'中的第二像素P2，并且数据线DLa在第一非显示区域NDA1中沿着1-1区域OA1和1-2区域OA2的边缘绕行。没有穿过第一非显示区域NDA1的数据线DLb(即，在第三显示区域DA3'和第四显示区域DA4'中在x方向上延伸的数据线DLb)基本上笔直地延伸。
穿过第三显示区域DA3'和第四显示区域DA4'的扫描线SL之中的一些扫描线SLa1在y方向上延伸，以将扫描信号提供到其间具有1-1区域OA1的布置在第三显示区域DA3'中的第三像素P3和布置在第四显示区域DA4'中的第四像素P4，并且所述一些扫描线SLa1在第一非显示区域NDA1中沿着1-1区域OA1的边缘绕行。穿过第三显示区域DA3'和第四显示区域DA4'的扫描线SL之中的一些扫描线SLa2在y方向上延伸，以将扫描信号提供到其间具有1-2区域OA2的布置在第三显示区域DA3'中的第三像素P3和布置在第四显示区域DA4'中的第四像素P4，并且所述一些扫描线SLa2在第一非显示区域NDA1中沿着1-2区域OA2的边缘绕行。通过在1-1区域OA1与1-2区域OA2之间穿过而在y方向上从第三显示区域DA3'延伸到第四显示区域DA4'的扫描线SLb基本上笔直地延伸。没有穿过第一非显示区域NDA1的扫描线SLc(即，在y方向上从第三显示区域DA3'经由第一显示区域DA1'或经由第二显示区域DA2'延伸到第四显示区域DA4'的扫描线SLc)基本上笔直地延伸。
图24示出了在第二方向(y方向)上延伸并将显示区域DA的像素P和第一非显示区域NDA1的虚设像素Pd连接的扫描线SLb以及在第一方向(x方向)上延伸并将像素P和虚设像素Pd连接的数据线DLa。
参照图23和图24，根据实施例，布置在作为分别位于1-1区域OA1和1-2区域OA2周围的显示区域的第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'中的像素P的驱动晶体管的沟道比可以与布置在除了第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'之外的显示区域中的像素P的驱动晶体管的沟道比不同。即，第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个和第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第三显示区域DA3'的第三像素P3中的每个和第四显示区域DA4'的第四像素P4中的每个的第一晶体管T1的沟道比不同。因此，可以使根据显示区域的负载偏差最小化，并且可以防止变化亮度或使变化亮度最小化。虚设像素Pd中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第一像素P1中的每个和第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等。第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。
第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个和/或第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以远离1-1区域OA1和1-2区域OA2逐渐增大或减小。
第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个和第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以如以上参照图12A至图12C和图13描述的通过调整第一晶体管T1的沟道长度和/或沟道宽度来进行调整。
图25的实施例与图24的实施例不同，且不同之处在于这里的亮度通过调整第一显示区域DA1'的第一像素P1中的一些和第二显示区域DA2'的第二像素P2中的一些的第一晶体管T1的沟道比来进行调整。
布置在第一显示区域DA1'中的第一像素P1包括1-2像素P12和沿着第一显示区域DA1'的上下边界线定位的1-1像素P11a和P11b。布置在第二显示区域DA2'中的第二像素P2包括2-2像素P22和沿着第二显示区域DA2'的上下边界线定位的2-1像素P21a和P21b。布置在第一非显示区域NDA1中的虚设像素Pd包括沿着第一非显示区域NDA1的上下边界定位的虚设像素Pd1和其他虚设像素Pd2。
可以改变第一显示区域DA1'的1-1像素P11a和P11b中的每个和第二显示区域DA2'的2-1像素P21a和P21b中的每个的第一晶体管T1的沟道比。1-2像素P12中的每个和2-2像素P22中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第三显示区域DA3'的第三像素P3中的每个和第四显示区域DA4'的第四像素P4中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等。1-1像素P11a和P11b中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与2-1像素P21a和P21b中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。虚设像素Pd1的第一晶体管T1的沟道比可以与1-1像素P11a和P11b以及2-1像素P21a和P21b中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等。虚设像素Pd2的第一晶体管T1的沟道比可以与1-2像素P12中的每个和2-2像素P22中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等。
图26是示意性地示出根据实施例的显示装置1C的透视图。
图26的显示装置1C包括第一区域OA和位于第一区域OA外部的第二区域。第一区域OA可以是从显示装置1C的一侧向内引入(即，凹陷)的沟槽部或者是穿过显示装置1C的一侧的开口区域。第一区域OA可以具有从第一区域OA去除其一部分的各种形状(诸如U形或多边形形状)。第一区域OA可以是其中布置有将参照图27描述的组件的区域。第二区域包括非显示区域NDA和至少部分地围绕第一区域OA的显示区域DA。非显示区域NDA可以包括部分地围绕第一区域OA的第一非显示区域NDA1和部分地围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。
图27是示出沿着图26的线IV-IV'截取的根据实施例的显示装置1C的剖视图。
参照图27，显示装置1C包括显示面板10、布置在显示面板10上的输入感测层40以及光学功能层50，并且这些元件可以被窗60覆盖。显示装置1C可以是各种类型的电子装置(诸如移动电话、膝上型计算机或智能手表)。粘合层可以位于显示面板10与输入感测层40之间和/或输入感测层40与光学功能层50之间。
显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以均包括与第一区域OA对应的开口。显示面板10的第一开口10OA、输入感测层40的第二开口40OA和光学功能层50的第三开口50OA均定位在第一区域OA中并且彼此叠置。第一区域OA可以是其中定位有用于将各种功能添加到显示装置1C的组件20的一类组件区域。如图27中所示，组件20布置在显示面板10下方。可选地，组件20可以定位在第一开口10OA、第二开口40OA和第三开口50OA中。
已经参照图1描述了显示面板10、输入感测层40、光学功能层50和组件20，因此将省略其详细的描述。
图28是根据实施例的显示面板10C的示意性平面图。图29和图30是示出图28的显示面板10C的示出布置在第一区域OA周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图。
参照图28，显示面板10C包括第一区域OA、围绕第一区域OA的显示区域DA、围绕第一区域OA的第一非显示区域NDA1以及围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。显示面板10C包括基底100。例如，显示面板10C的基底100包括第一区域OA、显示区域DA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
其中布置有多个像素的显示区域DA被划分为第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。与第一区域OA相邻的第一显示区域DA1在与数据线DL的延伸方向平行的方向(即，y方向)上布置。与第一显示区域DA1相比，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3在第二方向(y方向)上突出，并且第二显示区域DA2和第三显示区域DA3在x方向上彼此间隔开(在第一方向(x方向)上其间具有第一显示区域DA1)。
多个像素P可以包括布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1、布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2和布置在第三显示区域DA3中的第三像素P3。第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以均包括以上参照图5A和图5B描述的像素电路PC。
参照图29，穿过显示区域DA的数据线DL可以在第二方向(y方向)上延伸，扫描线SL可以在第一方向(x方向)上延伸。用于将信号供应到像素P并且与第一区域OA相邻的信号线可以通过在第一区域OA周围绕行而经过第一非显示区域NDA1。
穿过第一显示区域DA1的数据线DLa、穿过第二显示区域DA2和第三显示区域DA3的数据线DLb在y方向上基本上笔直地延伸。由于第一区域OA，因此穿过第一显示区域DA1的数据线DLa的长度可以比穿过第二显示区域DA2和第三显示区域DA3的数据线DLb的长度小。另外，尽管未示出，但是如以上参照图10描述的，第一半导体层的长度可以比第二半导体层或第三半导体层的长度小，在第二方向上布置在第一显示区域DA1中的多个第一像素P1的半导体层连接到所述第一半导体层，在第二方向上布置在第二显示区域DA2中的多个第二像素P2的半导体层连接到所述第二半导体层，在第二方向上布置在第三显示区域DA3中的多个第三像素P3的半导体层连接到所述第三半导体层。
穿过第二显示区域DA2和第三显示区域DA3的扫描线SLa在x方向上延伸，以将扫描信号提供到其间具有第一区域OA的布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2和布置在第三显示区域DA3中的第三像素P3，并且扫描线SLa通过在第一非显示区域NDA1中绕行第一区域OA的边缘而穿过第一非显示区域NDA1。从第二显示区域DA2穿过第一显示区域DA1和第三显示区域DA3的扫描线SLb在x方向上延伸以将扫描信号提供到布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2、布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1和布置在第三显示区域DA3中的第三像素P3，并且扫描线SLb基本上是直线。
以上描述的结构差异(即，数据线的长度和/或半导体层的长度)导致显示区域DA的每个部分的负载偏差，具体地，数据线和/或半导体层是短的部分(例如，第一显示区域DA1)的亮度可以比第二显示区域DA2和第三显示区域DA3的亮度高或低。
在根据本公开的实施例的显示面板10C中，布置在作为第一区域OA周围的显示区域的第一显示区域DA1中的像素P的驱动晶体管的沟道比可以与布置在除了第一显示区域DA1之外的显示区域中的像素P的驱动晶体管的沟道比不同。即，通过使作为布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1的驱动晶体管的第一晶体管T1的沟道比与布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2的第一晶体管T1和布置在第三显示区域DA3中的第三像素P3的第一晶体管T1的沟道比不同，可以防止变化亮度或使变化亮度最小化。
第一显示区域DA1的第一像素P1中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以远离第一区域OA逐渐增大或减小。可以如以上参照图12A至图12C和图13描述的通过调整第一晶体管T1的沟道长度和/或沟道宽度来调整第一显示区域DA1的第一像素P1中的每个的第一晶体管T1的沟道比。
图30的实施例与图29的实施例不同，且不同之处在于亮度通过调整第一显示区域DA1的第一像素P1中的一些的第一晶体管T1的沟道比来进行调整。
布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1包括1-2像素P12和沿着第一显示区域DA1的左右边界线定位的1-1像素P11a和P11b。可以改变第一显示区域DA1的1-1像素P11a和P11b中的每个的第一晶体管T1的沟道比。1-2像素P12中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第二显示区域DA2的第二像素P2中的每个和第三显示区域DA3的像素P3中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等。
图31是根据实施例的显示面板10C'的示意性平面图。图32和图33是示出图31的显示面板10C'的示出布置在第一区域OA周围的布线(例如，信号线)的部分的平面图。
如图32中所示，数据线DL可以在x方向上延伸，扫描线SL可以在y方向上延伸。
参照图31，显示面板10C'包括第一区域OA、围绕第一区域OA的第一非显示区域NDA1、显示区域DA以及围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。显示面板10C'包括基底100。例如，显示面板10C'的基底100包括第一区域OA、显示区域DA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
其中布置有多个像素P的显示区域DA被划分为在x方向上彼此分开的第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'(其间具有第一区域OA)以及第三显示区域DA3'。第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'可以是在与数据线DL的延伸方向平行的方向上布置的显示区域。
多个像素P布置在显示区域DA中。多个像素P可以包括布置在第一显示区域DA1'中的第一像素P1、布置在第二显示区域DA2'中的第二像素P2和布置在第三显示区域DA3'中的第三像素P3。第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以均包括以上参照图5A或图5B描述的像素电路PC。
参照图32，穿过第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'的数据线DLa在x方向上延伸，以将数据信号提供到其间具有第一区域OA的布置在第一显示区域DA1'中的第一像素P1和布置在第二显示区域DA2'中的第二像素P2，并且数据线DLa在第一非显示区域NDA1中沿着第一区域OA的边缘绕行。沿着第一显示区域DA1'与第三显示区域DA3'之间的边界线定位的数据线DLa'穿过第一非显示区域NDA1，但是基本上笔直地延伸。没有穿过第一非显示区域NDA1的数据线DLb(即，在第三显示区域DA3'中沿x方向延伸的数据线DLb)基本上笔直地延伸。
穿过第三显示区域DA3'的扫描线SL之中的扫描线SLa、穿过第一显示区域DA1'和第三显示区域DA3'的扫描线SLb以及穿过第二显示区域DA2'和第三显示区域DA3'的扫描线SLb在y方向上延伸并且基本上是直线。扫描线SLa的长度可以小于扫描线SLb的长度。
参照图31和图32，在本公开的实施例中，布置在作为第一区域OA周围的显示区域的第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'中的像素P的驱动晶体管的沟道比可以与布置在除了第一显示区域DA1'和第二显示区域DA2'之外的显示区域中的像素P的驱动晶体管的沟道比不同。即，第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个和第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与布置在第三显示区域DA3'中的第三像素P3中的每个的第一晶体管T1的沟道比不同。因此，可以使由于显示区域的结构差异导致的亮度差异最小化，从而使变化亮度最小化。第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。
第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个和/或第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以远离第一区域OA逐渐增大或减小。
第一显示区域DA1'的第一像素P1中的每个和第二显示区域DA2'的第二像素P2中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以如以上参照12A至图12C和图13描述的通过调整第一晶体管T1的沟道长度和/或沟道宽度来进行调整。
图33的实施例与图32的实施例不同，且不同之处在于亮度通过调整第一显示区域DA1'的第一像素P1中的一些和第二显示区域DA2'的第二像素P2中的一些的第一晶体管T1的沟道比来进行调整。
布置在第一显示区域DA1'中的第一像素P1包括1-2像素P12和沿着第一显示区域DA1'与第三显示区域DA3'之间的边界线定位的1-1像素P11。布置在第二显示区域DA2'中的第二像素P2包括2-2像素P22和沿着第二显示区域DA2'与第三显示区域DA3'之间的边界线定位的2-1像素P21。沿着第一显示区域DA1'与第三显示区域DA3'之间的边界线以及第二显示区域DA2'与第三显示区域DA3'之间的边界线布置的数据线DLa'基本上笔直地延伸，但是穿过第一非显示区域NDA1，并且由于第一非显示区域NDA1中没有像素P连接到数据线DLa'，因此负载偏差可能存在于第一显示区域DA1'与第三显示区域DA3'之间或第二显示区域DA2'与第三显示区域DA3'之间。
在本发明的实施例中，可以改变第一显示区域DA1'的1-1像素P11中的每个和第二显示区域DA2'的2-1像素P21中的每个的第一晶体管T1的沟道比。1-2像素P12中的每个和2-2像素P22中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与第三显示区域DA3'的第三像素P3中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等。1-1像素P11中的每个的第一晶体管T1的沟道比可以与2-1像素P21中的每个的第一晶体管T1的沟道比相等或不同。
根据本公开的实施例的显示装置，可以通过改变驱动晶体管的尺寸来使由于包括在显示面板中的布线和/或电路元件的布局和/或布置而发生的每个显示区域的亮度偏差最小化。
根据本公开的实施例的显示装置1A、1B和1C，布置在第一区域OA周围的显示区域中的像素P的驱动晶体管的沟道比可以与布置在除了第一区域OA周围的显示区域之外的其他显示区域中的像素P的驱动晶体管的沟道比不同。第一区域OA周围的显示区域可以被划分为第一子显示区域和第二子显示区域，且其间具有第一区域OA。例如，图8中所示的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以分别被定义为第一子显示区域和第二子显示区域。
虽然有机发光显示装置被描述为根据本公开的实施例的显示装置1A、1B和1C的示例，但是根据本公开的显示装置不限于此。根据另一实施例，显示装置可以是例如无机发光显示器(或无机电致发光显示器)或量子点发光显示器。例如，包括在显示装置中的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点或者有机材料和量子点两者或无机材料和量子点两者。
根据本公开的实施例，在包括其中可以布置有各种类型的组件的开口区域的显示面板中，可以防止显示区域的部分中的亮度差异或使亮度差异最小化。
应该理解的是，这里描述的实施例应该仅以描述性的含义来考虑，并且不应该是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。虽然已经参照图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括第一区域和至少部分地围绕所述第一区域的显示区域；以及
多个像素，布置在所述显示区域中，
其中，所述显示区域包括围绕所述第一区域的第一显示区域和除了所述第一显示区域之外的第二显示区域，并且
布置在所述第一显示区域中的第一像素的第一驱动晶体管的尺寸不同于布置在所述第二显示区域中的第二像素的第二驱动晶体管的尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示面板，
其中，所述第一驱动晶体管的沟道宽度与所述第一驱动晶体管的沟道长度的第一沟道比大于或小于所述第二驱动晶体管的沟道宽度与所述第二驱动晶体管的沟道长度的第二沟道比。
3.根据权利要求2所述的显示面板，
其中，所述第一沟道比远离所述第一区域逐渐增大或减小。
4.根据权利要求1所述的显示面板，
其中，所述第一区域是穿过所述基底的孔。
5.根据权利要求1所述的显示面板，
其中，所述第一区域是透射区域，光或声音穿过所述透射区域。
6.根据权利要求1所述的显示面板，
其中，所述第一区域是从所述基底的一侧向内凹陷的沟槽。
7.根据权利要求1所述的显示面板，
其中，所述基底包括位于所述第一区域与所述显示区域之间的第一非显示区域以及围绕所述显示区域的第二非显示区域。
8.如权利要求7所述的显示面板，
其中，所述第一显示区域包括在一个方向上彼此间隔开的第一子显示区域和第二子显示区域，且所述第一子显示区域与所述第二子显示区域之间具有所述第一区域，
所述第一非显示区域的第一部分设置在所述第一子显示区域与所述第一区域之间，并且
所述第一非显示区域的第二部分设置在所述第二子显示区域与所述第一区域之间。
9.如权利要求8所述的显示面板，
其中，所述第一像素是与所述第一子显示区域和所述第二显示区域之间的边界相邻的像素中的一个，并且
所述第二像素是与所述第二子显示区域和所述第二显示区域之间的边界相邻的像素中的一个。
10.根据权利要求8所述的显示面板，
其中，将所述第一子显示区域的所述第一像素和所述第二子显示区域的所述第一像素连接的信号线在所述一个方向上延伸，并且经过所述第一子显示区域并在所述第一区域周围绕行。
11.根据权利要求7所述的显示面板，
其中，多个第一区域被包括，并且
所述第一非显示区域围绕所述多个第一区域，并且
至少一个虚设像素布置在所述第一非显示区域中。
12.根据权利要求11所述的显示面板，
其中，所述第一显示区域包括在一个方向上彼此分开布置的第一子显示区域和第二子显示区域，且所述第一子显示区域与所述第二子显示区域之间具有所述多个第一区域中的每个。
13.根据权利要求12所述的显示面板，
其中，将所述第一子显示区域的所述第一像素和所述第二子显示区域的所述第一像素连接的信号线连接到所述至少一个虚设像素。
14.根据权利要求11所述的显示面板，
其中，所述多个第一区域中的至少一个第一区域的尺寸和形状中的至少一个与其他的第一区域的不同。
15.根据权利要求8所述的显示面板，
其中，其中所述第一子显示区域的所述第一像素的半导体层在所述一个方向上连接的第一行和其中所述第二子显示区域的所述第一像素的半导体层在所述一个方向上连接的第二行彼此分开，且第一行与第二行之间具有所述第一区域，并且
其中，所述第二显示区域的所述第二像素的半导体层在所述一个方向上连接的第三行的长度比所述第一行的长度或所述第二行的长度长。
16.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括显示区域和位于显示区域中的第一区域；
多个像素，布置在所述显示区域中和所述显示区域外部，其中，所述显示区域包括第一显示区域、第二显示区域和第三显示区域，第一区域在第一方向上设置在所述第一显示区域与所述第二显示区域之间，并且所述第三显示区域邻近所述第一区域在所述第一方向上延伸；
第一半导体层的第一行，设置在所述第一显示区域中；
第二半导体层的第二行，设置在所述第二显示区域中，其中，所述第一区域设置在所述第一行与所述第二行之间，以将所述第一行与所述第二行分开；以及
第三半导体层的第三行，设置在所述第三显示区域中，并且在所述第一方向上延伸，
其中，布置在所述第一显示区域中的第一像素的第一驱动晶体管的沟道宽度与所述第一驱动晶体管的沟道长度的第一沟道比不同于布置在所述第三显示区域中的第三像素的第三驱动晶体管的沟道宽度与所述第三驱动晶体管的沟道长度的第三沟道比。
17.根据权利要求16所述的显示面板，
其中，所述第一沟道比大于或小于所述第二沟道比。
18.根据权利要求17所述的显示面板，
其中，所述第一沟道比随着所述第一像素设置得远离所述第一区域而逐渐增大或减小。
19.如权利要求16所述的显示面板，
其中，所述第一区域是穿透所述基底的孔。
20.根据权利要求16所述的显示面板，
其中，所述第三半导体层的所述第三行的长度比所述第一半导体层的所述第一行的长度和所述第二半导体层的所述第二行的长度之和大。
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