CN115548065A - 显示装置 - Google Patents

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禹珉宇
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Abstract

本发明提供一种显示装置，具备：基板，具备主显示区域和包括组件区域以及中间区域的辅助显示区域；主像素电路以及与所述主像素电路连接的主显示要件，配置于所述主显示区域上；第一辅助显示要件，配置于所述组件区域上；第一辅助像素电路、第二辅助像素电路以及连接于所述第二辅助像素电路的第二辅助显示要件，配置于所述中间区域上；连接布线，连接所述第一辅助显示要件和所述第一辅助像素电路；以及减反射层，介于所述基板和所述第一辅助显示要件之间，并与所述第一辅助显示要件对应配置，所述第一辅助显示要件包括第一辅助像素电极，所述减反射层与所述第一辅助像素电极完全重叠。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，更详细地，涉及一种提供高品质的图像的同时通过组件输出的图像的品质也提升的显示装置。
背景技术
通常，显示装置包括显示要件以及用于控制施加于显示要件的电信号的电子元件。电子元件包括薄膜晶体管(TFT；Thin Film Transistor)、存储电容器以及多个布线。
近来，显示装置其用途变得多样。另外，趋势为显示装置的厚度变薄、重量轻，从而其使用的范围变得广泛。随着显示装置的使用范围多元化，正在研究用于设计显示装置的形式的各种方法。
发明内容
但是，在这种以往的显示装置中，存在的问题是：在用于显示高品质的图像的设计过程中，相机拍摄时品质下降。
本发明用于解决包括如上述问题的多个问题，目的在于提供一种提供高品质的图像的同时通过组件输出的图像的品质也提升的显示装置。但是这样的课题是示例性的，本发明的范围不由此限定。
根据本发明的一观点，提供一种显示装置，具备：基板，具备主显示区域和包括组件区域以及中间区域的辅助显示区域；主像素电路以及与所述主像素电路连接的主显示要件，配置于所述主显示区域上；第一辅助显示要件，配置于所述组件区域上；第一辅助像素电路、第二辅助像素电路以及连接于所述第二辅助像素电路的第二辅助显示要件，配置于所述中间区域上；连接布线，连接所述第一辅助显示要件和所述第一辅助像素电路；以及减反射层，介于所述基板和所述第一辅助显示要件之间，并与所述第一辅助显示要件对应配置，所述第一辅助显示要件包括第一辅助像素电极，所述减反射层与所述第一辅助像素电极完全重叠。
根据本实施例，可以是，所述减反射层包含第一金属物质。
根据本实施例，可以是，所述第一金属物质具有低于包含在所述第一辅助像素电极中的第二金属物质的反射率。
根据本实施例，可以是，所述第一金属物质为钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)中的至少一种。
根据本实施例，可以是，所述显示装置还包括：背面金属层，介于所述基板和所述第一辅助像素电路以及所述第二辅助像素电路之间，并与所述第一辅助像素电路以及所述第二辅助像素电路重叠配置，所述减反射层包含与所述背面金属层相同的物质。
根据本实施例，可以是，所述第一辅助像素电路具备薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极以及与所述半导体层连接的电极层，所述减反射层包含与所述栅极电极相同的物质。
根据本实施例，可以是，所述第一辅助像素电路具备薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极以及与所述半导体层连接的电极层，所述减反射层包含与所述电极层相同的物质。
根据本实施例，可以是，所述减反射层包含硅类半导体物质。
根据本实施例，可以是，所述减反射层包含有机物质。
根据本实施例，可以是，所述减反射层包含有色的遮光物质。
根据本实施例，可以是，所述显示装置还包括：绝缘层，覆盖所述第一辅助像素电极的边缘并暴露中央部，所述绝缘层包含有色的遮光物质。
根据本实施例，可以是，所述减反射层的宽度等于或大于所述第一辅助像素电极的宽度。
根据本实施例，可以是，所述减反射层的宽度等于或小于所述绝缘层的宽度。
根据本实施例，可以是，当在垂直于所述基板的方向上看时，所述第一辅助像素电极的外廓具有曲线。
根据本实施例，可以是，当在垂直于所述基板的方向上看时，所述第一辅助像素电极为圆形或椭圆形。
根据本实施例，可以是，所述减反射层包括与所述第一辅助像素电极完全重叠的第一减反射层以及第二减反射层。
根据本实施例，可以是，所述第一减反射层和所述第二减反射层包含彼此不同的物质。
根据本实施例，可以是，所述连接布线包括透光性导电层。
根据本实施例，可以是，所述组件区域包括第一区域以及第二区域，所述连接布线包括：第一连接布线，在所述第一区域上向第一方向延伸；以及第二连接布线，在所述第二区域上向与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
根据本实施例，可以是，在所述组件区域上所述第一辅助显示要件具备为多个，所述组件区域包括分别位于所述第一辅助显示要件之间的透射区域。
前述之外的其它方面、特征、优点将从以下的附图、权利要求书以及发明的详细说明变得明确。
这样通常且具体的方面可以使用系统、方法、计算机程序或任何系统、方法、计算机程序的组合来实施。
根据如上所述构成的本发明的一实施例，可以实现提供高品质的图像的同时通过组件输出的图像的品质也提升的显示装置。当然本发明的范围不由这样的效果限定。
附图说明
图1a至图1c是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
图2以及图3是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的截面的一部分的截面图。
图4是简要示出可以包括在图1a至图1c的显示装置中的显示面板的平面图。
图5是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的有机发光二极管以及连接于其的像素电路的等效电路图。
图6是简要示出根据本发明的一实施例的像素电路的结构的平面图。
图7a至图7g是按层示出构成图6的像素电路的导电图案的平面图。
图8是简要示出根据本发明的一实施例的像素电路的结构的一部分的截面图。
图9是简要示出根据本发明的一实施例的像素电路的结构的一部分的截面图。
图10是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的包括辅助显示区域的显示区域的一部分的平面图。
图11是更详细地示出图10的辅助显示区域的一部分的平面图。
图12是放大示出图11的B部分的平面图。
图13是简要示出根据本发明的一实施例的第一辅助子像素的平面图。
图14至图17是简要示出沿着图13的C-C'线截取的截面的截面图。
图18以及图19是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的辅助显示区域的一部分的截面图。
图20是测定根据本发明的一实施例的反射率的表。
图21是测定根据本发明的一实施例的反射光谱的曲线图。
图22是测定根据图21的曲线图的各子像素的反射率的表。
(附图标记说明)
100：基板
MDA：主显示区域
CA：组件区域
MA：中间区域
TA：透射区域
Pm：主子像素
Pa1：第一辅助子像素
Pa2：第二辅助子像素
PCm：主像素电路
PCa1：第一辅助像素电路
PCa2：第二辅助像素电路
RRL：减反射层
210a1：第一辅助像素电极
210a2：第二辅助像素电极
具体实施方式
本发明可以施加各种变换，可以具有多种实施例，将特定实施例例示于附图并在详细的说明中进行详细说明。若参照与附图一起详细后述的实施例，则本发明的效果及特征以及实现它们的方法将变得明确。但是，本发明不限于以下公开的实施例，可以以多种形式实现。
以下，将参照所附的附图详细地说明本发明的实施例，当参照附图进行说明时，相同或对应的构成要件将赋予相同的附图标记，并省略对此的重复说明。
在本说明书中，第一、第二等的用语不是限制性的含义，而是以将一个构成要件与其它构成要件区分开的目的使用。
在本说明书中，除非上下文另外明确指出，否则单数表达包括复数表达。
在本说明书中，包括或具有等的用语意指存在说明书中记载的特征或构成要件，并不预先排除添加一个以上的其它特征或构成要件附加的可能性。
在本说明书中，当说到膜、区域、构成要件等的部分在其它部分之上或上时，不仅包括直接在其它部分之上的情况，也包括其中间设有其它膜、区域、构成要件等的情况。
在本说明书中，当说到膜、区域、构成要件等连接时，包括膜、区域、构成要件直接连接的情况，或者/及也包括在膜、区域、构成要件中间介有其它膜、区域、构成要件而间接连接的情况。例如，在本说明书中，当说到膜、区域、构成要件等电连接时，表示膜、区域、构成要件直接电连接的情况，或者/及在其中间介有其它膜、区域、构成要件等而间接电连接的情况。
在本说明书中，“A及/或B”表示A、或B、或A和B的情况。另外，“A及B中的至少一个”表示A、或B、或A和B的情况。
在本说明书中，x轴、y轴以及z轴不限于直角坐标系上的三个轴，可以解释为包括此的广含义。例如，x轴、y轴以及z轴也可以彼此正交，但是也可以指称彼此不正交的彼此不同的方向。
在本说明书中，在某实施例可以不同地实现的情况下，特定的工艺顺序也可以与说明的顺序不同地执行。例如，连续说明的两工艺也可以实质上同时执行，可以以与说明的顺序相反的顺序进行。
在附图中，为了便于说明，可以放大或缩小构成要件的其尺寸。例如，在附图中示出的各结构的尺寸以及厚度为了便于说明而任意示出，因此本发明不必限于图示那样。
图1a至图1c是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
参照图1a，显示装置1包括显示区域DA和显示区域DA外侧的周边区域NDA。显示区域DA包括辅助显示区域ADA和至少部分地围绕辅助显示区域ADA的主显示区域MDA。辅助显示区域ADA显示辅助图像，主显示区域MDA显示主图像，从而辅助显示区域ADA和主显示区域MDA可以单独或一起显示图像。周边区域NDA可以是未配置显示要件的一种非显示区域。显示区域DA可以被周边区域NDA整体地围绕。
图1a示出主显示区域MDA设置为围绕一个组件区域CA的至少一部分。作为另一实施例，显示装置1可以具有两个以上的辅助显示区域ADA，多个辅助显示区域ADA的形状以及尺寸可以彼此不同。当在与显示装置1的上面大致垂直的方向上看时，辅助显示区域ADA的形状可以具有圆形、椭圆形、四边形等的多边形、星形状或钻石形状等各种形状。另外，在图1a中示出为当在与显示装置1的上面大致垂直的方向上看时，辅助显示区域ADA配置于具有大致四边形形状的主显示区域MDA的+y方向上侧中央，但是，辅助显示区域ADA也可以配置于四边形的主显示区域MDA的一侧，例如右上侧或左上侧。
显示装置1可以利用配置于主显示区域MDA的多个主子像素Pm和配置于辅助显示区域ADA的多个辅助子像素Pa1、Pa2来提供图像。辅助显示区域ADA可以包括组件区域CA和至少部分地围绕组件区域CA的中间区域MA。因此，中间区域MA可以位于组件区域CA和主显示区域MDA之间。
在图1a至图1c的显示装置1、1'、1”中，组件区域CA相同，但是通过中间区域MA的变形，辅助显示区域ADA可以实现为各种形状。辅助显示区域ADA可以如图1a那样一侧延伸而与周边区域NDA相接，可以如图1b那样向一侧延伸的一部分具有窄的宽度，也可以如图1c那样位于主显示区域MDA内侧。在组件区域CA中，如参照图2后述那样，可以对应于组件区域CA而在显示面板的下方配置作为电子要件的组件20。组件区域CA可以包括从组件20向外部输出或从外部朝向组件20行进的光及/或声音等可以投射的透射区域TA。
在根据本发明的一实施例的显示面板以及具备其的显示装置的情况下，当通过组件区域CA使光透射时，光透射率可以是约10％以上，更优选为40％以上，或25％以上，或50％以上，或85％以上，或90％以上。
在辅助显示区域ADA中可以配置多个辅助子像素Pa1、Pa2。可以是，在组件区域CA上设置第一辅助子像素Pa1，在中间区域MA上设置第二辅助子像素Pa2。
多个辅助子像素Pa1、Pa2可以发出光而提供预定的图像。在辅助显示区域ADA中显示的图像作为辅助图像，分辨率可以低于在主显示区域MDA中显示的图像。
即，辅助显示区域ADA内的组件区域CA具备光以及声音可以投射的透射区域TA，因此在透射区域TA上不配置子像素的情况下，每单位面积可以配置的第一辅助子像素Pa1的数量可以少于在主显示区域MDA中每单位面积配置的主子像素Pm的数量。
另外，辅助显示区域ADA内的中间区域MA不具备透射区域TA，但是配置于中间区域MA上的一部分像素电路(例如，图2的第一辅助像素电路PCa1)用于驱动组件区域CA上的第一辅助子像素Pa1，每单位面积可以配置的第二辅助子像素Pa2的数量可以少于在主显示区域中MDA每单位面积配置的主子像素Pm的数量。
以下，根据本发明的一实施例的显示装置1以有机发光显示装置为例进行说明，但是本发明的显示装置不限于此。作为另一实施例，本发明的显示装置1可以是无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display或无机EL显示装置)，或者量子点发光显示装置(Quantum dot Light Emitting Display)之类的显示装置。例如，设置在显示装置1中的显示要件的发光层可以包含有机物，或者包含无机物，或者包含量子点，或者包含有机物和量子点，或者包含无机物和量子点。
图2以及图3是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的截面的一部分的截面图。
首先，参照图2，显示装置1可以包括显示面板10以及与所述显示面板10重叠配置的组件20。在显示面板10上方可以还配置保护显示面板10的覆盖窗(未图示)。
显示面板10可以包括显示辅助图像的辅助显示区域ADA以及显示主图像的主显示区域MDA。辅助显示区域ADA可以包括作为与组件20重叠的区域的组件区域CA和围绕组件区域CA的中间区域MA。
显示面板10可以包括基板100、基板100上的显示层DPL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL以及配置于基板100下方的面板保护部件PB。
显示层DPL可以包括：包括薄膜晶体管TFTm、TFTa1、TFTa2的电路层PCL、包括作为发光元件的显示要件EDm、EDa1、EDa2的显示要件层EDL以及薄膜封装层TFE或密封基板(未图示)之类的密封部件ENM。在基板100与显示层DPL之间、显示层DPL内可以配置绝缘层IL、IL'。例如，显示要件EDm、EDa1、EDa2可以是有机发光二极管(OLED)。
基板100可以由玻璃、石英、高分子树脂等的绝缘物质构成。基板100可以是刚性(rigid)基板或可弯曲(bending)、可折叠(folding)、可卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。
在显示面板10的主显示区域MDA中可以配置主显示要件EDm及连接于其的主像素电路PCm。主像素电路PCm可以包括至少一个主薄膜晶体管TFTm，并控制主显示要件EDm的工作。主子像素Pm可以通过主显示要件EDm的发光而实现。
在显示面板10的组件区域CA中可以配置第一辅助显示要件EDa1而实现第一辅助子像素Pa1。在本实施例中，第一辅助像素电路PCa1可以配置为与第一辅助显示要件EDa1不重叠。即，驱动第一辅助显示要件EDa1的第一辅助像素电路PCa1可以不配置于组件区域CA，而配置于主显示区域MDA和组件区域CA之间的中间区域MA。或者，作为另一实施例，如图3那样，驱动第一辅助显示要件EDa1的第一辅助像素电路PCa1可以配置于中间区域MA的同时，配置于作为非显示区域的周边区域NDA。图3可以对应于后述的图17的结构。
第一辅助像素电路PCa1可以包括至少一个第一辅助薄膜晶体管TFTa1，并通过连接布线TWL与第一辅助发光要件EDa1电连接。连接布线TWL可以由透明导电性物质形成。第一辅助像素电路PCa1可以控制第一辅助显示要件EDa1的工作。第一辅助子像素Pa1可以通过第一辅助显示要件EDa1的发光而实现。
可以将组件区域CA中的未配置第一辅助显示要件EDa1的区域界定为透射区域TA。透射区域TA可以是从与组件区域CA对应配置的组件20发出的光/信号或向组件20入射的光/信号投射(transmission)的区域。
连接第一辅助像素电路PCa1和第一辅助显示要件EDa1的连接布线TWL可以配置于透射区域TA。连接布线TWL可以由透射率高的透明导电性物质形成，即使在透射区域TA中配置连接布线TWL，也可以确保透射区域TA的透射率。在本实施例中，在组件区域CA中不配置辅助像素电路PCa1、PCa2，可以易于扩大透射区域TA的面积，并更加提升光透射率。
在显示面板10的中间区域MA中可以配置第二辅助显示要件EDa2以及连接于其的第二辅助像素电路PCa2而实现第二辅助子像素Pa2。配置于中间区域MA的第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2可以相互相邻并交替配置。
显示要件层EDL可以如图2那样用薄膜封装层TFE覆盖，或者用密封基板覆盖。作为一实施例，如图2所示，薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机封装层以及至少一个有机封装层。例如，薄膜封装层TFE可以包括第一以及第二无机封装层310、330以及它们之间的有机封装层320。
第一无机封装层310以及第二无机封装层330可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)之类的一种以上的无机绝缘物，并可以通过化学气相沉积法(CVD)等形成。有机封装层320可以包含聚合物(polymer)类的材料。作为聚合物类的材料可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧类树脂、聚酰亚胺以及聚乙烯等。
第一无机封装层310、有机封装层320以及第二无机封装层330可以一体地形成为覆盖主显示区域MDA以及辅助显示区域ADA。
触摸屏层TSL可以获得根据外部的输入，例如触摸事件的坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极以及与触摸电极连接的触摸布线。触摸屏层TSL可以通过自容方式或互容方式感测外部输入。
触摸屏层TSL可以形成在薄膜封装层TFE上。或者，触摸屏层TSL可以单独形成在触摸基板上后，通过光学透明粘合剂(OCA)之类的粘合层结合在薄膜封装层TFE上。作为一实施例，触摸屏层TSL可以直接形成在薄膜封装层TFE正上方，在此情况下，粘合层可以不介于触摸屏层TSL和薄膜封装层TFE之间。
光学功能层OFL可以包括反射防止层。反射防止层可以使从外部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率减小。作为一实施例，光学功能层OFL可以是偏振膜。作为另一实施例，光学功能层OFL可以具备与透射区域TA对应的开口(未图示)。由此，透射区域TA的光透射率可以显著提升。在这样的开口中可以填充光透明树脂(OCR，optically clearresin)之类的透明物质。作为另一实施例，光学功能层OFL可以设置为包括黑色矩阵和滤色器的滤光板。
面板保护部件PB可以附着于基板100的下方，从而起到支撑并保护基板100的作用。面板保护部件PB可以具备与组件区域CA对应的开口PB_OP。通过在面板保护部件PB中具备开口PB_OP，可以提升组件区域CA的光透射率。面板保护部件PB可以设置为包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyeleneterepthalate)或聚酰亚胺(polyimide)。
组件区域CA的面积可以设置为大于配置组件20的面积。由此，具备于面板保护部件PB的开口PB_OP的面积可以与所述组件区域CA的面积不一致。在图2中示出组件20在显示面板10的一侧隔开配置，但是组件20的至少一部分也可以插入在具备于面板保护部件PB的开口PB_OP内。
组件20可以是利用光或声音的电子要件。例如，电子要件可以是如接近传感器那样测定距离的传感器、识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜、面部等)的传感器、输出光的小型灯或者捕获图像的图像传感器(例如，相机)等。利用光的电子要件可以利用可见光、红外光、紫外光等各种波段的光。利用声音的电子要件可以利用超声波或其它频段的声音。在一部分实施例中，组件20可以包括如发光部和收光部之类的子组件。发光部和收光部可以以一体化的结构或者物理分离的结构，一对发光部和收光部构成一个组件20。
另外，在组件区域CA中可以配置多个组件20。组件20可以彼此功能不同。例如，组件20可以包括相机(摄像元件)、太阳能电池、闪光灯(flash)、接近传感器、照度传感器、虹膜传感器中的至少两个。
另一方面，如图2那样可以配置背面金属层(bottom metal layer)BML，所述背面金属层BML配置于中间区域MA的第一以及第二辅助像素电路PCa1、PCa2的下方。背面金属层BML可以为了保护像素电路，与像素电路重叠配置。作为一实施例，背面金属层BML可以配置为在对应于中间区域MA的基板100和第一以及第二辅助像素电路PCa1、PCa2之间与第一以及第二辅助像素电路PCa1、PCa2重叠。这样的背面金属层BML可以阻挡外部光到达第一以及第二辅助像素电路PCa1、PCa2。作为另一实施例，背面金属层BML也可以形成为与显示区域DA整体对应，并设置为包括与组件区域CA对应的下孔。作为另一实施例，背面金属层BML也可以省略。
图4是简要示出可以包括在图1a至图1c的显示装置中的显示面板的平面图。
参照图4，构成显示面板10的各种构成要件配置于基板100上。
在主显示区域MDA中配置多个主子像素Pm。主子像素Pm可以分别通过有机发光二极管(OLED)之类的显示要件实现为发光元件。可以是，驱动所述主子像素Pm的主像素电路PCm配置于主显示区域MDA，主像素电路PCm可以与主子像素Pm重叠配置。各主子像素Pm可以发出例如红色、绿色、蓝色或白色的光。主显示区域MDA可以由密封部件ENM覆盖而被保护，从而免受外部气体或水分等的影响。
辅助显示区域ADA可以如前所述那样位于主显示区域MDA的一侧，或者配置于显示区域DA的内侧而被主显示区域MDA围绕。在辅助显示区域ADA中配置多个辅助子像素Pa1、Pa2。多个辅助子像素Pa1、Pa2可以分别通过有机发光二极管之类的显示要件实现为发光元件。各辅助子像素Pa可以发出例如红色、绿色、蓝色或白色的光。辅助显示区域ADA可以由密封部件ENM覆盖而被保护，从而免受外部气体或水分等的影响。
辅助显示区域ADA可以包括组件区域CA和将其至少部分地围绕的中间区域MA。可以是，第一辅助子像素Pa1在组件区域CA上实现，第二辅助子像素Pa2在中间区域MA上实现。这即可以意指第一辅助子像素Pa1在组件区域CA中实质上发光，第二辅助子像素Pa2在中间区域MA中实质上发光。
另一方面，驱动第一辅助子像素Pa1的第一辅助像素电路PCa1以及驱动第二辅助子像素Pa2的第二辅助像素电路PCa2可以均配置于中间区域MA上。在此情况下，实现第一辅助子像素Pa1的第一辅助显示要件EDa1配置于组件区域CA，第一辅助像素电路PCa1配置于中间区域MA，因此第一辅助显示要件EDa1和第一辅助像素电路PCa1可以通过连接布线TWL连接。
另一方面，组件区域CA可以具有透射区域TA。透射区域TA可以界定为未配置第一辅助子像素Pa1的区域。
组件区域CA具有透明区域TA，因此组件区域CA的分辨率可以低于主显示区域MDA的分辨率。例如，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/16等。例如，可以是，主显示区域MDA的分辨率为约400ppi以上，组件区域CA的分辨率为约200ppi或约100ppi。
另外，中间区域MA将两个像素电路(即，第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2)中的一个电路(即，第一辅助像素电路PCa1)使用于驱动组件区域CA的第一辅助子像素Pa1，因此中间区域MA的分辨率可以低于主显示区域MDA，并高于组件区域CA。
驱动显示区域DA上的子像素Pm、Pa1、Pa2的像素电路PCm、PCa1、PCa2各自可以与配置于周边区域NDA的外围电路电连接。在周边区域NDA中可以配置第一扫描驱动电路SDR1、第二扫描驱动电路SDR2、端子部PAD、驱动电压供应线11以及公共电压供应线13。
第一扫描驱动电路SDR1可以通过扫描线SL将扫描信号施加于驱动主子像素Pm的主像素电路PCm。另外，第一扫描驱动电路SDR1可以通过发光控制线EL将发光控制信号施加于各像素电路。第二扫描驱动电路SDR2可以以主显示区域MDA为中心与第一扫描驱动电路SDR1对称地配置。主显示区域MDA的主子像素Pm的主像素电路PCm中的一部分可以与第一扫描驱动电路SDR1电连接，其余可以与第二扫描驱动电路SDR2电连接。
端子部PAD可以配置于基板100的一侧。端子部PAD不被绝缘层覆盖并暴露而与显示电路板30连接。在显示电路板30中可以配置显示驱动部32。
显示驱动部32可以生成传输于第一扫描驱动电路SDR1和第二扫描驱动电路SDR2的控制信号。可以是，显示驱动部32生成数据信号，生成的数据信号通过扇出布线FW以及与扇出布线FW连接的数据线DL传输于主像素电路PCm。
显示驱动部32可以将驱动电压ELVDD(参照图5)供应于驱动电压供应线11，并可以将公共电压ELVSS(参照图5)供应于公共电压供应线13。可以是，驱动电压ELVDD通过与驱动电压供应线11连接的驱动电压线PL施加于子像素Pm、Pa的像素电路，公共电压ELVSS施加于与公共电压供应线13连接的显示要件的对电极。
驱动电压供应线11可以设置为从主显示区域MDA的下侧向x方向延伸。公共电压供应线13可以在环形状中具有一侧开放的形状，并局部围绕主显示区域MDA。
图5是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的有机发光二极管以及连接于其的像素电路的等效电路图。
图5所示的像素电路PC可以是在图4中前述的主像素电路PCm、第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2中的至少一个。
作为一例，像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1～T7以及存储电容器Cst。多个薄膜晶体管T1～T7以及存储电容器Cst可以连接于信号线SL1、SL2、SLp、SLn、EL、DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2(或者，阳极初始化电压线)以及驱动电压线PL。作为一实施例，上述布线中的至少任一个，例如，驱动电压线PL可以在相邻的像素P中共享。
多个薄膜晶体管T1～T7可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、工作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6以及第二初始化薄膜晶体管T7。
有机发光二极管OLED可以包括第一电极(例如，阳极电极或像素电极)以及第二电极(例如，阴极电极)，可以是，有机发光二极管OLED的所述第一电极以发光控制薄膜晶体管T6为媒介连接于驱动薄膜晶体管T1而接收驱动电流IOLED，所述第二电极接收低电源电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以生成与驱动电流IOLED相应的亮度的光。
可以是，多个薄膜晶体管T1～T7中的一部分设置为NMOS(n-channel MOSFET，n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)，其余设置为PMOS(p-channel MOSFET，p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)。例如，可以是，多个薄膜晶体管T1～T7中的补偿薄膜晶体管T3以及第一初始化薄膜晶体管T4设置为NMOS(n-channel MOSFET，n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)，其余设置为PMOS(p-channel MOSFET，p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)。
作为另一实施例，可以是，多个薄膜晶体管T1～T7中的补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4以及第二初始化薄膜晶体管T7设置为NMOS，其余设置为PMOS。或者，可以是，多个薄膜晶体管T1～T7中的仅一个设置为NMOS，其余设置为PMOS。或者，多个薄膜晶体管T1～T7可以全部设置为NMOS。
信号线SL1、SL2、SLp、SLn、EL、DL可以包括传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1、传输第二扫描信号Sn'的第二扫描线SL2、将之前扫描信号Sn-1传输于第一初始化薄膜晶体管T4的之前扫描线SLp、将发光控制信号En传输于工作控制薄膜晶体管T5以及发光控制薄膜晶体管T6的发光控制线EL、将之后扫描信号Sn+1传输于第二初始化薄膜晶体管T7的之后扫描线(next scan line)SLn以及与第一扫描线SL1交叉并传输数据信号Dm的数据线DL。
可以是，驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输于驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1传输将驱动薄膜晶体管T1以及像素电极初始化的初始化电压Vint。
可以是，驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极与存储电容器Cst连接，驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域经由工作控制薄膜晶体管T5连接于驱动电压线PL，驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极区域经由发光控制薄膜晶体管T6与有机发光二极管OLED的像素电极电连接。驱动薄膜晶体管T1可以根据开关薄膜晶体管T2的开关工作接收数据信号Dm而将驱动电流IOLED供应于有机发光二极管OLED。
可以是，开关薄膜晶体管T2的开关栅极电极连接于传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1，开关薄膜晶体管T2的开关源极区域连接于数据线DL，开关薄膜晶体管T2的开关漏极区域连接于驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域的同时，经由工作控制薄膜晶体管T5连接于驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可以根据通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn导通，从而执行将传输至数据线DL的数据信号Dm传输至驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域的开关工作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅极电极连接于第二扫描线SL2。补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极区域可以连接于驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极区域的同时，经由发光控制薄膜晶体管T6与有机发光二极管OLED的像素电极连接。补偿薄膜晶体管T3的补偿源极区域可以连接于存储电容器Cst的下电极CE1以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极。另外，补偿源极区域可以连接于第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极区域。
补偿薄膜晶体管T3可以根据通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn'导通，从而将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极和驱动漏极区域电连接而使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅极电极可以连接于之前扫描线SLp。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源极区域可以连接于第一初始化电压线VL1。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极区域可以连接于存储电容器Cst的下电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿源极区域以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以根据通过之前扫描线SLp接收的之前扫描信号Sn-1导通，从而执行将初始化电压Vint传输于驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极而使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极的电压初始化的初始化工作。
可以是，工作控制薄膜晶体管T5的工作控制栅极电极连接于发光控制线EL，工作控制薄膜晶体管T5的工作控制源极区域与驱动电压线PL连接，工作控制薄膜晶体管T5的工作控制漏极区域与驱动薄膜晶体管T1的驱动源极区域以及开关薄膜晶体管T2的开关漏极区域连接。
可以是，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制栅极电极连接于发光控制线EL，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制源极区域连接于驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极区域以及补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极区域，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制漏极区域电连接于第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极区域以及有机发光二极管OLED的像素电极。
工作控制薄膜晶体管T5以及发光控制薄膜晶体管T6根据通过发光控制线EL接收的发光控制信号En同时导通，从而使得驱动电压ELVDD传输于有机发光二极管OLED而在有机发光二极管OLED中流动驱动电流IOLED。
可以是，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅极电极连接于之后扫描线SLn，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极区域连接于发光控制薄膜晶体管T6的发光控制漏极区域以及有机发光二极管OLED的像素电极，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极区域连接于第二初始化电压线VL2，从而接收阳极初始化电压Aint。第二初始化薄膜晶体管T7根据通过之后扫描线SLn接收的之后扫描信号Sn+1导通，从而使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
第二初始化薄膜晶体管T7可以如图5所示地连接于之后扫描线SLn。作为另一实施例，第二初始化薄膜晶体管T7可以连接于发光控制线EL而根据发光控制信号En驱动。另一方面，源极区域以及漏极区域可以根据晶体管的种类(p型或n型)而其位置彼此互换。
存储电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2。存储电容器Cst的下电极CE1与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极连接，存储电容器Cst的上电极CE2与驱动电压线PL连接。存储电容器Cst可以存储与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极电压和驱动电压ELVDD差对应的电荷。
升压电容器Cbs可以包括第一电极CE1'以及第二电极CE2'。可以是，升压电容器Cbs的第一电极CE1'连接于存储电容器Cst的下电极CE1，升压电容器Cbs的第二电极CE2'接收第一扫描信号Sn。升压电容器Cbs通过在第一扫描信号Sn的提供中断的时间点使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极的电压上升，可以补偿所述驱动栅极电极的压降。
根据一实施例的各像素P的具体工作如下。
在初始化时段期间，若通过之前扫描线SLp供应之前扫描信号Sn-1，则对应于之前扫描信号Sn-1，第一初始化薄膜晶体管T4导通(Turn on)，通过从第一初始化电压线VL1供应的初始化电压Vint，驱动薄膜晶体管T1被初始化。
在数据编程时段期间，若通过第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2供应第一扫描信号Sn以及第二扫描信号Sn'，则对应于第一扫描信号Sn以及第二扫描信号Sn'，开关薄膜晶体管T2以及补偿薄膜晶体管T3导通。此时，驱动薄膜晶体管T1通过导通的补偿薄膜晶体管T3而二极管连接，并被正向偏置。
那么，从由数据线DL供应的数据信号Dm减小相当于驱动薄膜晶体管T1的阈值电压(Threshold voltage)(Vth)的补偿电压(Dm+Vth)(Vth为(-)的值)被施加于驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极(或第一栅极电极1220)(参照图7b)。
在存储电容器Cst的两端施加驱动电压ELVDD和补偿电压(Dm+Vth)，在存储电容器Cst中存储对应于两端电压差的电荷。
在发光时段期间，通过从发光控制线EL供应的发光控制信号En，工作控制薄膜晶体管T5以及发光控制薄膜晶体管T6导通。产生根据驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极的电压和驱动电压ELVDD之间的电压差的驱动电流IOLED，通过发光控制薄膜晶体管T6，驱动电流IOLED供应于有机发光二极管OLED。
在本实施例中，多个薄膜晶体管T1～T7中的至少一个包括包含氧化物的半导体层，其余包括包含硅的半导体层。
具体地，在对显示装置的亮度直接造成影响的驱动薄膜晶体管T1的情况下，构成为包括由具有高可靠性的多晶硅构成的半导体层，通过此，可以实现高分辨率的显示装置。
另一方面，氧化物半导体具有高载流子迁移率(high carrier mobility)以及低泄漏电流，因此即使驱动时间长，压降也不大。即，即使在低频驱动时，根据压降的图像的色相变化也不大，因此低频驱动是可能的。
如此，在氧化物半导体的情况下具有泄漏电流小的优点，因此将与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极连接的补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4以及第二初始化薄膜晶体管T7中的至少一个采用为氧化物半导体，从而可以防止可能向驱动栅极电极流动的泄漏电流的同时，减小耗电。
图6是简要示出根据本发明的一实施例的像素电路的结构的平面图，图7a至图7g是按层示出构成图6的像素电路的导电图案的平面图，图8是简要示出根据本发明的一实施例的像素电路的结构的一部分的截面图。
参照图6，显示装置1可以包括彼此相邻的第一子像素P1以及第二子像素P2。作为一实施例，第一子像素P1以及第二子像素P2可以是以虚拟线为基准对称的结构。作为另一实施例，第一子像素P1以及第二子像素P2也可以是不是对称结构的相同像素结构连续反复的结构。可以是，第一子像素P1包括第一像素电路PC1，第二子像素P2包括第二像素电路PC2。
以下，为了便于说明，针对一部分导电图案，以第一像素电路PC1为基准进行说明，但是显然所述导电图案也对称地设置于第二像素电路PC2。另外，以下，在图6、图7a至图7g中说明的第一子像素P1以及第二子像素P2可以是在图4等中前述的主子像素Pm、第一辅助子像素Pa1以及第二辅助子像素Pa2中的至少一个。
缓冲层111(参照图8)可以配置于基板100上。缓冲层111可以防止金属原子或杂质从基板100扩散至第一有源图案1100。另外，缓冲层111可以在用于形成第一有源图案1100的结晶化工艺期间调节热的提供速度，从而使得第一有源图案1100均匀地形成。
如图7a那样，第一有源图案1100可以配置于缓冲层111上。在一实施例中，第一有源图案1100可以包含硅半导体。例如，硅半导体可以包括非晶硅、多晶硅等。例如，第一有源图案1100可以包含低温多晶硅(LTPS)。
作为一实施例，可以在第一有源图案1100中注入离子。例如，在驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、工作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6以及第二初始化薄膜晶体管T7为所述PMOS晶体管的情况下，可以在第一有源图案1100中注入硼(boron)等的离子。
第一栅极绝缘层112(参照图8)可以覆盖第一有源图案1100，并配置于基板100上。第一栅极绝缘层112可以包含绝缘物质。例如，第一栅极绝缘层112可以包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等。
如图7b那样，第一导电图案1200可以配置于所述第一栅极绝缘层112上。第一导电图案1200可以包含金属、合金、导电金属氧化物、透明导电物质等。例如，第一导电图案1200可以包含银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
第一导电图案1200可以包括第一栅极布线1210、第一栅极电极1220、第二栅极布线1230。
第一栅极布线1210可以向x方向延伸。第一栅极布线1210可以与图5的第一扫描线SL1对应。第一栅极布线1210可以与第一有源图案1100一起构成开关薄膜晶体管T2。例如，第一扫描信号Sn可以提供至第一栅极布线1210。另外，第一栅极布线1210可以与第一有源图案1100一起构成第二初始化薄膜晶体管T7。例如，之后扫描信号Sn+1可以提供至第一栅极布线1210。第一扫描信号Sn和之后扫描信号Sn+1可以具有隔着时间差实质上相同的波形。
第一栅极电极1220可以配置为岛(island)形状。第一栅极电极1220可以与第一有源图案1100一起构成驱动薄膜晶体管T1。
第二栅极布线1230可以向x方向延伸。第二栅极布线1230可以与图5的发光控制线EL对应。第二栅极布线1230可以与第一有源图案1100一起构成工作控制以及发光控制薄膜晶体管T5、T6。例如，发光控制信号En可以提供至第二栅极布线1230。
第二栅极绝缘层113(参照图8)可以覆盖第一导电图案1200，并配置于第一栅极绝缘层112上。第二栅极绝缘层113可以如第一栅极绝缘层112那样包含绝缘物质。
如图7c那样，第二导电图案1300可以配置于第二栅极绝缘层113上。第二导电图案1300可以包含例如金属、合金、导电金属氧化物、透明导电物质等。
第二导电图案1300可以包括第三栅极布线1310、第四栅极布线1320、存储电容器电极1330(即，图5的上电极CE2)以及第一初始化电压线1340(即，图5的第一初始化电压线VL1)。
第三栅极布线1310可以向x方向延伸。第三栅极布线1310可以与图5的之前扫描线SLp对应。当在平面上看时，第三栅极布线1310可以与第一栅极布线1210隔开。之前扫描信号Sn-1可以提供至第三栅极布线1310。
第四栅极布线1320可以向x方向延伸。第四栅极布线1320可以与图5的第二扫描线SL2对应。当在平面上看时，第四栅极布线1320可以与第一栅极布线1210以及第三栅极布线1310隔开。第二扫描信号Sn'可以提供至第四栅极布线1320。
存储电容器电极1330可以与第一栅极电极1220重叠，并向x方向延伸。例如，存储电容器电极1330可以与第一栅极电极1220一起构成存储电容器Cst。驱动电压ELVDD可以提供至存储电容器电极1330。另外，在存储电容器电极1330中可以形成贯通存储电容器电极1330的孔1330-OP，第一栅极电极1220可以通过所述孔1330-OP暴露。
第一初始化电压线1340可以向x方向延伸。当在平面上看时，第一初始化电压线1340可以与第三栅极布线1310隔开。第一初始化电压Vint可以通过第一初始化电压线1340提供。第一初始化电压线1340可以与后述的第二有源图案1400至少一部分重叠，并将第一初始化电压Vint传输至第二有源图案1400。第一初始化电压线1340可以通过在后述的图7f中示出的接触部1680CNT1、1680CNT2、1680CNT3与第二有源图案1400电连接。第一初始化电压线1340可以是图5的第一初始化电压线VL1。
第一层间绝缘层114(参照图8)可以覆盖第二导电图案1300，并配置于第二栅极绝缘层113上。第一层间绝缘层114可以包含绝缘物质。例如，第一层间绝缘层114可以包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等。
如图7d那样，第二有源图案1400可以配置于第一层间绝缘层114上。在本实施例中，第二有源图案1400可以包含氧化物半导体。第二有源图案1400可以配置于与第一有源图案1100不同的层，并与第一有源图案1100不重叠。
第二层间绝缘层115可以覆盖第二有源图案1400，并配置于第一层间绝缘层114上。第二层间绝缘层115可以包含绝缘物质。
另一方面，作为一实施例，如图8那样，第二层间绝缘层115可以图案化为覆盖第二有源图案1400的一部分，并暴露其余部分。此时，第二层间绝缘层115可以由与后述的图7e的第二栅极电极1520相同图案形成。因此，第二有源图案1400除了与第二栅极电极1520重叠的沟道区域之外，源极区域以及漏极区域可以暴露。所述源极区域以及漏极区域可以如图8那样与第三层间绝缘层116直接接触。
如图7e那样，第三导电图案1500可以配置于第二层间绝缘层115上。第三导电图案1500可以包含例如金属、合金、导电金属氧化物、透明导电物质等。
第三导电图案1500可以包括第二栅极电极1520、第五栅极布线1530以及第一传输图案1540。
第二栅极电极1520可以与第三栅极布线1310以及第二有源图案1400重叠。在本实施例中，第二栅极电极1520可以与第三栅极布线1310电连接。例如，第二栅极电极1520可以通过接触部1520CNT与第三栅极布线1310接触。接触部1520CNT可以通过贯通介于第三栅极布线1310和第二栅极电极1520之间的绝缘层(例如，第一层间绝缘层114以及第二层间绝缘层115)的接触孔形成。
第二扫描信号Sn'可以提供至第二栅极电极1520。第三栅极布线1310、第二有源图案1400以及第二栅极电极1520可以构成第一初始化薄膜晶体管T4。例如，可以是，第三栅极布线1310与第一初始化薄膜晶体管T4的背-栅极电极对应，第二栅极电极1520与第一初始化薄膜晶体管T4的栅极电极对应。
第五栅极布线1530可以向x方向延伸。第五栅极布线1530可以与第四栅极布线1320以及第二有源图案1400重叠。在一部分实施例中，第五栅极布线1530可以与第四栅极布线1320电连接。例如，第五栅极布线1530可以通过接触部与第四栅极布线1320接触。
第二扫描信号Sn'可以提供至第五栅极布线1530。第四栅极布线1320、第二有源图案1400以及第五栅极布线1530可以构成补偿薄膜晶体管T3。例如，可以是，第四栅极布线1320与补偿薄膜晶体管T3的背-栅极电极对应，第五栅极布线1530与补偿薄膜晶体管T3的栅极电极对应。
第一传输图案1540可以与通过存储电容器电极1330的孔1330-OP暴露的第一栅极电极1220接触。第一传输图案1540可以将第一初始化电压Vint传输至第一栅极电极1220。
第三层间绝缘层116可以如图8那样配置为覆盖第三导电图案1500的至少一部分。第三层间绝缘层116可以包含绝缘物质。例如，第三层间绝缘层116可以包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等。
如图7f那样，第四导电图案1600可以配置于第三层间绝缘层116上。第四导电图案1600可以包含例如金属、合金、导电金属氧化物、透明导电物质等。
第四导电图案1600可以包括第一信号传输线1610、第二传输图案1620、第二初始化电压线1630、第三传输图案1640、第四传输图案1650、第五传输图案1660、第六传输图案1670以及第七传输图案1680。
第一信号传输线1610可以向x方向延伸。数据信号Dm可以提供至第一信号传输线1610。
第二传输图案1620可以通过接触部1620CNT与第一有源图案1100接触。数据信号Dm可以通过第二传输图案1620传输至第一有源图案1100。
第二初始化电压线1630(即，图5的第二初始化电压线VL2)可以向x方向延伸。第二初始化电压Aint可以提供至第二初始化电压线1630。第二初始化电压线1630可以通过接触部1630CNT与第一有源图案1100接触，并可以将第二初始化电压Aint传输至第一有源图案1100。
第三传输图案1640可以通过分别形成于一侧以及另一侧的接触部1640CNT1、1640CNT2与第二有源图案1400以及第一传输图案1540接触。第一初始化电压Vint可以通过第二有源图案1400、第三传输图案1640以及第一传输图案1540传输至第一栅极电极1220。
第四传输图案1650可以通过分别形成于一侧以及另一侧的接触部1650CNT1、1650CNT2与第二有源图案1400以及第一有源图案1100接触。第四传输图案1650可以使第二有源图案1400和第一有源图案1100电连接。
第五传输图案1660可以向x方向延伸。驱动电压ELVDD可以提供至第五传输图案1660。第五传输图案1660可以通过接触部1660CNT与第一有源图案1100接触，并可以将驱动电压ELVDD传输至所述第一有源图案1100。
第六传输图案1670可以通过接触部1670CNT与第一有源图案1100接触。第六传输图案1670可以将驱动电流IOLED或第二初始化电压Aint从第一有源图案1100传输至有机发光二极管OLED。
第七传输图案1680可以通过接触部1680CNT1、1680CNT2、1680CNT3与第二有源图案1400接触。第七传输图案1680可以通过接触部1680CNT1与图7c的第一初始化电压线1340接触，通过接触部1680CNT2、1680CNT3与图7d的第二有源图案1400接触，从而将第一初始化电压Vint传输至第一初始化薄膜晶体管T4。
第一有机绝缘层117(参照图8)可以覆盖第四导电图案1600，并配置于第三层间绝缘层116上。
如图7g那样，第五导电图案1700可以配置于第一有机绝缘层117上。第五导电图案1700可以包括数据布线1710、第二信号传输线1720、电压布线1730以及第八传输图案1740。
数据布线1710可以向y方向延伸。数据布线1710可以与图5的数据线DL对应。数据布线1710可以通过接触部1710CNT接通于第二传输图案1620。数据信号Dm可以通过数据布线1710以及第二传输图案1620传输至第一有源图案1100。
第二信号传输线1720可以向y方向延伸。第二信号传输线1720可以与第一信号传输线1610接触而提供数据信号Dm。
例如，在数据布线1710以及第二信号传输线1720中可以提供彼此不同的数据电压。具体地，可以是，第一数据电压通过数据布线1710传输至第一有源图案1100，与所述第一数据电压不同的第二数据电压通过第二信号传输线1720传输至第一信号传输线1610。
电压布线1730可以向y方向延伸。电压布线1730可以与图5的驱动电压线PL对应。电压布线1730可以提供驱动电压ELVDD。电压布线1730可以通过接触部1730CNT与第五传输图案1660连接，并将驱动电压ELVDD提供至存储电容器电极1330以及工作控制薄膜晶体管T5。
另一方面，电压布线1730可以在相邻的第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2中彼此共享。作为另一实施例，电压布线1730也可以在第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2中分别设置。
第八传输图案1740可以通过接触部1740CNT1与第六传输图案1670接触。第八传输图案1740可以将驱动电流IOLED或阳极初始化电压Aint从第六传输图案1670传输至有机发光二极管OLED。
另外，第八传输图案1740可以通过接触部1740CNT2与像素电极210(参照图8)接触。通过第八传输图案1740，发光控制薄膜晶体管T6可以与像素电极210电连接。
针对第五导电图案1700上的叠层结构，参照图8进行说明。第二有机绝缘层118可以覆盖第五导电图案1700并配置。在第二有机绝缘层118上可以配置第三有机绝缘层119。第一有机绝缘层117至第三有机绝缘层119可以包含如苯并环丁烯(BCB，Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(HMDSO，Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，Polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(PS，Polystyrene)之类的一般通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子以及它们的混合物等。
在第二有机绝缘层118上作为显示要件配置有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED包括像素电极210、包括有机发光层的中间层220以及对电极230。
像素电极210可以是(半)透光性电极或反射电极。作为一实施例，像素电极210可以具备由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物等形成的反射层和形成于反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以具备选自包括氧化铟锡(ITO；indium tin oxide)、氧化铟锌(IZO；indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO；zinc oxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、氧化铟镓(IGO；indium gallium oxide)以及氧化铝锌(AZO；aluminum zinc oxide)的组的一种以上。例如，像素电极210可以设置为ITO/Ag/ITO。
在第三有机绝缘层119上可以配置像素界定膜120。像素界定膜120使像素电极210的边缘和像素电极210上方的对电极230之间的距离增加，从而可以起到防止在像素电极210的边缘处产生电弧等的作用。
像素界定膜120可以由选自由聚酰亚胺、聚酰胺(Polyamide)、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂构成的组的一种以上的有机绝缘物质，通过旋涂等的方式形成。
有机发光二极管OLED的中间层220可以配置于通过像素界定膜120形成的开口120OP内。通过开口120OP可以界定有机发光二极管OLED的发光区域EA。
中间层220可以包括有机发光层220b。有机发光层220b可以包含有机物，所述有机物包含发出红色、绿色、蓝色或白色的光的荧光或磷光物质。有机发光层220b可以是低分子有机物或高分子有机物，在有机发光层220b之下以及之上，可以选择性地还配置包括空穴传输层(HTL；hole transport laye)、空穴注入层(HIL；hole injection layer)的第一功能层220a、包括电子传输层(ETL；electron transport layer)以及电子注入层(EIL；electron injection layer)的第二功能层220c。
对电极230可以是透光性电极或反射电极。在一部分实施例中，对电极230可以是透明或半透明电极，并可以由包含Li、Ca、Al、Ag、Mg以及它们的化合物、或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料的功函数小的金属薄膜形成。另外，在金属薄膜之上可以还配置ITO、IZO、ZnO或In2O3等的透明导电氧化物(TCO，transparent conductive oxide)膜。对电极230可以遍及显示区域DA整个面而一体地形成，并配置于中间层220和像素界定膜120的上方。
在对电极230上可以形成包含有机物质的上层250。上层250可以是为了保护对电极230的同时提高光提取效率而设置的层。上层250可以包含折射率高于对电极230的有机物质。或者，上层250可以层叠折射率彼此不同的层而设置。例如，上层250可以层叠高折射率层/低折射率层/高折射率层而设置。此时，高折射率层的折射率可以是1.7以上，低折射率层的折射率可以是1.3以下。
上层250可以附加地包含LiF。或者，上层250可以附加地包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)之类的无机绝缘物。
上述的图7a至图7g的有源图案1100、1400以及导电图案1200、1300、1500、1600、1700可以如图8所示那样构成硅薄膜晶体管S-TFT以及氧化物薄膜晶体管O-TFT。图8的硅薄膜晶体管S-TFT以及氧化物薄膜晶体管O-TFT可以是前述的图5的多个薄膜晶体管T1～T7中的一个。
硅薄膜晶体管S-TFT可以包括硅半导体层SA、第一栅极电极G1、包括源极电极S1以及漏极电极D1的第一电极层E1。可以是，硅半导体层SA与图7a的第一有源图案1100的一部分对应，第一栅极电极G1与图7b的第一导电图案1200的一部分对应，第一电极层E1与图7f的第四导电图案1600的一部分对应。第一电极层E1可以通过接触金属CM与像素电极210连接。
可以是，在第一栅极电极G1上配置上电极CE2，并与和第一栅极电极G1一体的下电极CE1一起构成存储电容器Cst。
氧化物薄膜晶体管O-TFT可以包括氧化物半导体层OA、第二栅极电极G2、包括源极电极S2以及漏极电极D2的第二电极层E2。可以是，氧化物半导体层OA与图7d的第二有源图案1400的一部分对应，第二栅极电极G2与图7e的第三导电图案1500的一部分对应，第二电极层E2与图7f的第四导电图案1600的一部分对应。
图9是简要示出根据本发明的一实施例的像素电路的结构的一部分的截面图。
另一方面，作为另一实施例，可以是，图9的截面结构与前述的图8类似，但是还包括配置于薄膜晶体管S-TFT、O-TFT下方的第一背面金属层BML1以及第二背面金属层BML2。
第一背面金属层BML1可以与像素电路PC的至少一部分区域对应配置。作为一实施例，第一背面金属层BML1可以配置为与设置为硅薄膜晶体管S-TFT的驱动薄膜晶体管T1(参照图5)重叠。
第一背面金属层BML1可以介于基板100和缓冲层111之间。作为一实施例，也可以是，第一背面金属层BML1配置于有机膜和无机膜交替层叠的基板100上，在第一背面金属层BML1和缓冲层111之间还介有无机阻挡层。第一背面金属层BML1可以与电极或布线连接，从而从其接收恒压或信号的施加。作为另一实施例，第一背面金属层BML1也可以设置为与其它电极或布线孤立的(isolated)形式。
第二背面金属层BML2可以与氧化物薄膜晶体管O-TFT的下方对应配置。第二背面金属层BML2可以介于第二栅极绝缘层113和第一层间绝缘层114之间。第二背面金属层BML2可以配置于与存储电容器Cst的上电极CE2相同的层。第二背面金属层BML2可以与接触电极BML2-C连接而接收恒压或信号的施加。接触电极BML2-C可以配置于与氧化物薄膜晶体管O-TFT的第二栅极电极G2相同的层。
第一背面金属层BML1以及第二背面金属层BML2可以由反射型金属形成，并可以包含例如银(Ag)、含有银的合金、钼(Mo)、含有钼的合金、铝(Al)、含有铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)以及p+掺杂的非晶硅等。第一背面金属层BML1以及第二背面金属层BML2也可以包含相同的物质，也可以包含不同的物质。
图10是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的包括辅助显示区域的显示区域的一部分的平面图。
参照图10，辅助显示区域ADA可以包括组件区域CA和至少部分地围绕组件区域CA的中间区域MA。
作为一实施例，辅助显示区域ADA可以包括第一区域A1、第二区域A2、第三区域A3以及第四区域A4，所述第一区域A1包括组件区域CA的中央部分和中间区域MA的一部分，所述第二区域A2、所述第三区域A3以及所述第四区域A4各自包括组件区域CA的一部分以及中间区域MA的一部分。可以是，第二区域A2将第一区域A1置于一侧配置，第三区域A3将第一区域A1置于另一侧配置。即，第二区域A2和第三区域A3可以以第一区域A1为中心对称地配置。第四区域A4可以配置于第一区域A1、第二区域A2以及第三区域A3的下侧，并与第一区域A1、第二区域A2、第三区域A3以及主显示区域MDA相接。
在第一区域A1至第四区域A4上可以分别配置第一连接布线TWL1至第四连接布线TWL4，在辅助显示区域ADA中，第一区域A1至第四区域A4可以是以所述第一连接布线TWL1至第四连接布线TWL4的配置关系为基准划分的区域。
第一区域A1可以从组件区域CA的中央部分向周边区域NDA侧向+y方向延伸。可以是，在与第一区域A1对应的组件区域CA上配置第1-1辅助显示要件Pa1-1，在中间区域MA上配置第1-1辅助像素电路PCa1-1。第1-1辅助显示要件Pa1-1和第1-1辅助像素电路PCa1-1可以通过第一连接布线TWL1连接。在第一区域A1上，第一连接布线TWL1可以向第一方向(例如，y方向)延伸。
可以是，在与第二区域A2对应的组件区域CA上配置第1-2辅助显示要件Pa1-2，在中间区域MA上配置第1-2辅助像素电路PCa1-2。第1-2辅助显示要件Pa1-2和第1-2辅助像素电路PCa1-2可以通过第二连接布线TWL2连接。在第二区域A2上，第二连接布线TWL2可以向第二方向(例如，x方向)延伸。
与第二区域A2类似地，可以是，在与第三区域A3对应的组件区域CA上配置第1-3辅助显示要件Pa1-3，在中间区域MA上配置第1-3辅助像素电路PCa1-3。第1-3辅助显示要件Pa1-3和第1-3辅助像素电路PCa1-3可以通过第三连接布线TWL3连接。在第三区域A3上，第三连接布线TWL3可以向第二方向(例如，x方向)延伸。
可以是，在与第四区域A4对应的组件区域CA上配置第1-4辅助显示要件Pa1-4，在中间区域MA上配置第1-4辅助像素电路PCa1-4。第1-4辅助显示要件Pa1-4和第1-4辅助像素电路PCa1-4可以通过第四连接布线TWL4连接。在第四区域A4上，第四连接布线TWL4可以向第二方向(例如，x方向)延伸。
另一方面，作为一实施例，第四区域A4上的第四连接布线TWL4可以包括配置为彼此面对的第四连接布线TWL4-1、TWL4-2。第四连接布线TWL4-1、TWL4-2可以以经过第四区域A4的中心的虚拟中央线为基准对称地配置。例如，经过第四区域A4的中心的虚拟中央线可以是经过组件区域CA的中心的中央线。此时，组件区域CA的中心可以意指构成组件区域CA的形状的图形的中心。
另一方面，参照图10，第四区域A4可以向上侧与第一区域A1、第二区域A2、第三区域A3相接，向下侧与主显示区域MDA相接。第四区域A4可以包括向第一区域A1延伸的方向(例如，-y方向)配置的组件区域CA的一部分。作为比较例，若假设第一区域延伸至主显示区域的情况，则配置于第一区域上的第一连接布线的最大长度必定变得更长，这可能产生第一连接布线的电阻上升的问题。
因此，在本发明的一实施例中，沿着第一方向(例如，y方向)延伸的第一区域A1上的第一连接布线TWL1和沿着第二方向(例如，x方向)延伸的第二区域A2、第三区域A3以及第四区域A4上的第二连接布线TWL2、第三连接布线TWL3以及第四连接布线TWL4可以采用混合(hydrid)配置的结构。通过这种结构，可以将辅助显示区域ADA分割为第一区域A1至第四区域A4各自包括组件区域CA以及中间区域MA，尤其是，在第一区域A1和主显示区域MDA之间配置第四区域A4，从而减小沿着第一方向(例如，y方向)延伸的第一连接布线TWL1的长度，从而有效地控制根据向特定方向延伸的连接布线的长度的电阻。
作为一实施例，为了最大化上述效果，第四区域A4的沿着第一方向(例如，y方向)的第一宽度L1可以是组件区域CA的沿着第一方向(例如，y方向)的第二宽度L2的约25％(或者，约1/4)。此时，组件区域CA的第二宽度L2可以意指沿着第一方向(例如，y方向)的宽度的最大值。例如，在组件区域CA的形状为圆形的情况下，第二宽度L2可以意指组件区域CA的直径。如此，在第四区域A4的第一宽度L1确保为组件区域CA的第二宽度L2的1/4点处的情况下，可以最优化地设计配置于第一区域A1的第一连接布线TWL1和配置于第四区域A4的第四连接布线TWL4的长度。
另一方面，第一连接布线TWL1至第四连接布线TWL4可以包含透明导电物质，可以由例如IGZO、ITO、IZO、ZnO或In2O3等的透明导电氧化物(TCO，transparent conductiveoxide)膜形成。因此，在组件区域CA中未配置第一辅助子像素Pa1的区域可以与第一连接布线TWL1至第四连接布线TWL4的配置无关地全部设置为透射区域TA。
图11是更详细地示出图10的辅助显示区域的一部分的平面图，图12是放大示出图11的一部分的平面图。
以下，参照图11以及图12，详细说明辅助显示区域ADA的结构。
图11放大示出第二区域A2的一部分。图11可以与图10的A部分对应。参照图11，在与第二区域A2对应的组件区域CA上可以配置第一辅助子像素Pa1。此时，配置于与第二区域A2对应的组件区域CA上的第一辅助子像素Pa1可以意指实质上与发光元件(即，OLED)对应的第1-2辅助显示要件Pa1-2。第一辅助子像素Pa1可以发出红色、绿色、蓝色以及白色中的任一种光。作为一实施例，第一辅助子像素Pa1可以包括第一红色辅助子像素Pr1'、第一绿色辅助子像素Pg1'以及第一蓝色辅助子像素Pb1'。
如图11所示，在第1-2辅助显示要件Pa1-2下方可以不配置用于驱动第1-2辅助显示要件Pa1-2的像素电路。作为一实施例，用于驱动第1-2辅助显示要件Pa1-2的第1-2辅助像素电路PCa1-2可以配置于与第二区域A2对应的中间区域MA上。
第二连接布线TWL2可以向第二方向(例如，x方向)延伸配置。第二连接布线TWL2可以向与向第一方向(例如，y方向)延伸的第二数据线DL2交叉，例如，正交的方向配置。
第1-2辅助像素电路PCa1-2可以通过第二连接布线TWL2与第1-2辅助显示要件Pa1-2连接。作为一实施例，第二连接布线TWL2可以包括在平面上彼此交替配置的第2-1连接布线TWL2a以及第2-2连接布线TWL2b。第2-1连接布线TWL2a以及第2-2连接布线TWL2b可以配置于彼此不同的层。通过此，可以更加缩小第二连接布线TWL2之间的间隔而提高组件区域CA的分辨率，并可以防止第二连接布线TWL2间的短路等的缺陷。
另一方面，在与第二区域A2对应的中间区域MA上可以配置第二辅助子像素Pa2以及第二辅助像素电路PCa2。此时，配置于与第二区域A2对应的中间区域MA上的第二辅助子像素Pa2可以意指实质上与发光元件对应的显示要件(即，OLED)。第二辅助子像素Pa2可以发出红色、绿色、蓝色以及白色中的任一种光。作为一实施例，第二辅助子像素Pa2可以包括第二红色辅助子像素Pr2'、第二绿色辅助子像素Pg2'以及第二蓝色辅助子像素Pb2'。
第二辅助像素电路PCa2可以与第二辅助子像素Pa2重叠，或者与第二辅助子像素Pa2相邻配置。第二辅助子像素Pa2可以不通过第二连接布线TWL2，并与第二辅助像素电路PCa2直接连接。
第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2可以配置于中间区域MA上。作为一实施例，第一辅助像素电路PCa1和第二辅助像素电路PCa2可以相互相邻配置，并可以配置为彼此交替。如在图6等中前述那样，第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2各自可以是两个像素电路成对配置。
作为一实施例，当假设第一辅助子像素Pa1以及第二辅助子像素Pa2配置为具有行和列的矩阵形式时，第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2可以配置于偶数行或奇数行。即，第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2可以不是每行连续配置，例如，在配置于偶数行的情况下，不配置于奇数行。通过这样的像素电路的配置，辅助显示区域ADA的分辨率可以更低于主显示区域MDA的分辨率。
配置于组件区域CA上的第一辅助子像素Pa1可以包括第一辅助像素电极210a1。
一起参照图11以及图12，第一辅助像素电极210a1可以具有曲线形态，所述曲线形态不具有直线和直线相交的拐角或角部。作为一实施例，在本实施例中示出第一辅助像素电极210a1设置为椭圆形的情况，但是本发明不必限于此。第一辅助像素电极210a1可以包括圆形、一部分为圆形或一部分为椭圆形的情况。如此，通过将第一辅助像素电极210a1的形状形成为曲线形态，可以最小化通过组件区域CA的透射区域TA的光的衍射。
第二连接布线TWL2通过与第一辅助像素电极210a1直接接触，可以将位于中间区域MA的第一辅助像素电路PCa1的信号传输于第一辅助像素电极210a1。在图12中示出第2-1连接布线TWL2a连接于第一辅助像素电极210a1，但是第一辅助像素电极210a1也可以与第2-2连接布线TWL2b连接。
第二连接布线TWL2可以通过第一接触部ACNT1与第一辅助像素电极210a1连接。第一接触部ACNT1可以界定于介于第二连接布线TWL2和第一辅助像素电极210a1之间的绝缘层。作为一实施例，第一接触部ACNT1可以配置于第一辅助像素电极210a1的一侧并与第一辅助像素电极210a1重叠。但是，在此情况下，第一接触部ACNT1可以与第一辅助子像素Pa1的发光区域EA不重叠。发光区域EA可以通过配置于第一辅助像素电极210a1上的像素界定膜120的开口120OP界定。
通过第一接触部ACNT1与发光区域EA不重叠配置，可以防止由于第一接触部ACNT1而发光区域EA的平坦度下降而色坐标歪斜。如上所述，通过第一辅助像素电极210a1设置为具有大致椭圆形，可以将第一接触部ACNT1设置于长轴方向的一侧，从而实现为第一接触部ACNT1与发光区域EA不重叠。
再次参照图11，配置于中间区域MA上的第二辅助子像素Pa2可以包括第二辅助像素电极210a2。第二辅助像素电极210a2可以设置为大致圆形，并具备向一侧延伸的延伸部分210e。在延伸部分210e的末端可以形成第二接触部ACNT2。通过第二接触部ACNT2，第二辅助像素电路PCa2可以与第二辅助像素电极210a2连接。根据第二辅助像素电极210a2具备向一侧延伸的延伸部分210e，第二辅助像素电极210a2可以配置为与使其驱动的第二辅助像素电路PCa2不完全重叠。
如上所述，参照图11说明的第二区域A2上的第一辅助像素电极210a1以及第二辅助像素电极210a2的配置以及结构仅在各个连接布线(例如，第一连接布线TWL1、第三连接布线TWL3、第四连接布线TWL4)延伸的方向上有区别，在第一区域A1、第三区域A3、第四区域A4中也可以相同地适用。
图13是简要示出根据本发明的一实施例的第一辅助子像素的平面图，图14至图17是简要示出沿着图13的C-C'线截取的截面的截面图。
参照图13以及图14，第一辅助子像素Pa1可以包括第一辅助像素电极210a1。在第一辅助像素电极210a1上可以配置像素界定膜120。像素界定膜120可以具有覆盖第一辅助像素电极210a1的边缘并暴露中央部的开口120OP。
作为一实施例，像素界定膜120可以包含遮光物质。例如，像素界定膜120可以包含包括具有黑色的色相的颜料或染料的绝缘物(例如，有机绝缘物)。如此，设置为遮光膜的像素界定膜120可以防止相邻像素之间的混色，并吸收由组件20反射的光而改善识别性。
如此，根据像素界定膜120包含遮光物质，配置于组件区域CA的像素界定膜120可以在各第一辅助子像素Pa1的每个图案化而设置。因此，像素界定膜120可以在各第一辅助子像素Pa1的每个以岛形态相互隔开配置。在组件区域CA中未配置第一辅助像素电极210a1以及像素界定膜120的区域可以作为透射区域TA起作用。
对应于第一辅助像素电极210a1，在基板100和第一辅助像素电极210a1之间可以配置减反射层RRL。减反射层RRL根据由具有低于第一辅助像素电极210a1的反射率的物质形成，可以降低通过第一辅助像素电极210a1的反射率，从而防止或最小化在组件区域CA中的图像失真(例如，耀斑(flare))现象。
减反射层RRL可以与第一辅助像素电极210a1完全重叠。由于减反射层RRL在平面上与第一辅助像素电极210a1完全重叠，因此沿着一方向的减反射层RRL的宽度W2可以等于或大于第一辅助像素电极210a1的宽度W1。但是，由于组件区域CA的透射区域TA由有色的像素界定膜120的面积控制，为了防止透射区域TA的缩小，减反射层RRL的宽度W2可以等于或小于像素界定膜120的宽度W3。换句话说，可以是，沿着一方向的减反射层RRL的宽度W2的最小值与第一辅助像素电极210a1的宽度W1相同，减反射层的宽度W2的最大值与像素界定膜120的宽度W3相同。当将第一辅助像素电极210a1和减反射层RRL的宽度差称为“a”，将第一辅助像素电极210a1和像素界定膜120的宽度差称为“b”时，可以满足下面【式1】。
【式1】
0≦a≦b
减反射层RRL可以包含具有低于第一辅助像素电极210a1的反射率的物质。更具体地，第一辅助像素电极210a1可以包含银(Ag)，并具有例如Ag/ITO/Ag的三层结构。银(Ag)作为反射率高的金属，减反射层RRL可以由具有低于银(Ag)的反射率的反射率的物质形成。减反射层RRL可以包含例如金属物质、硅类物质或有色的有机物质等作为具有低于第一辅助像素电极210a1的反射率的物质。减反射层RRL可以包含例如钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等的金属物质、非晶硅(a-Si)、SiOX、SiON、SiNX等的无机膜或者它们的复合膜结构。
作为一实施例，减反射层RRL可以如图14那样设置为包含金属物质的金属层。在此情况下，减反射层RRL可以包含与在图8等中示出的背面金属层BML相同的物质。在此情况下，减反射层RRL可以包含例如钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等。
作为另一实施例，在减反射层RRL包含金属物质的情况下，金属物质可以利用形成第一辅助像素电路PCa1的金属层中的至少一个，例如参照图8等，也可以利用薄膜晶体管S-TFT、O-TFT的栅极电极G1、G2、源极电极S1、S2以及漏极电极D1、D2中的至少一个来形成。
另外，作为一实施例，减反射层RRL可以如图15那样包含硅类半导体物质。减反射层RRL例如也可以包含非晶硅(a-Si)，也可以包含多晶硅(p-Si)。
另外，作为一实施例，减反射层RRL可以如图16那样包含有色的有机物质。即，减反射层RRL可以设置为包含有色(例如，黑色)的颜料的有机层。在图16中，减反射层RRL也可以通过单独的工艺形成，也可以是，在与减反射层RRL相同的层中有机绝缘层配置于中间区域MA以及主显示区域MDA，利用这样的有机绝缘层而没有附加工艺地形成减反射层RRL。在此情况下，有机绝缘层可以作为图8等的第二有机绝缘层118以及第三有机绝缘层119之类的平坦化绝缘层起作用。
在上述的图14至图16的实施例中示出减反射层RRL设置为一个层，但是作为另一实施例，如图17那样，减反射层RRL可以设置为两个以上的层。减反射层RRL可以包括相互重叠的第一减反射层RRL1以及第二减反射层RRL2。在图17中示出同时适用图15以及图16的结构的实施例。即，第一减反射层RRL1可以包含硅类半导体物质，第二减反射层RRL2可以包含包括黑色的颜料的有机物质。
图18以及图19是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的辅助显示区域的一部分的截面图。
参照图18，可以是，在辅助显示区域ADA的组件区域CA上配置第一辅助子像素Pa1，在辅助显示区域ADA的中间区域MA上配置第二辅助子像素Pa2。在中间区域MA上可以配置第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2。第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2可以彼此相邻，并邻近地配置。第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2可以具备为多个，并彼此交替配置。在图18中，为了便于说明以及图示，示出在第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2中分别包括作为硅薄膜晶体管设置的第一薄膜晶体管TFTa1以及第二薄膜晶体管TFTa2，但是具体地，第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2可以采用前述的图6、图7a至图7g、图9或图10的配置结构。因此，关于第一辅助像素电路PCa1以及第二辅助像素电路PCa2的具体说明援用前述的图9或图10等。
可以是，第一辅助子像素Pa1通过配置于中间区域MA上的第一辅助像素电路PCa1驱动，第二辅助子像素Pa2通过配置于中间区域MA上的第二辅助像素电路PCa2驱动。
第一辅助子像素Pa1可以通过连接布线TWL与第一辅助像素电路PCa1连接。可以是，连接布线TWL的一侧与第一辅助像素电路PCa1连接，另一侧与第一辅助像素电极210a1连接。可以是，在连接布线TWL和第一辅助像素电极210a1之间介有接触电极层CM'，从而以接触电极层CM'为媒介，连接布线TWL和第一辅助像素电极210a1电连接。
作为一实施例，如图18那样，连接布线TWL可以包括配置于第三层间绝缘层116上的第一透光性导电层TWLa。第一透光性导电层TWLa也可以与第一辅助像素电路PCa1直接连接。作为另一实施例，第一透光性导电层TWLa可以通过配置于不同的层的导电线(未图示)与第一辅助像素电路PCa1电连接。
另一方面，参照图19，第一辅助子像素Pa1可以通过连接布线TWL与第一辅助像素电路PCa1连接。图19的连接布线TWL可以包括配置于第二有机绝缘层118上的第二透光性导电层TWLb。第二透光性导电层TWLb可以通过导电线TWLb-C与第一辅助像素电路PCa1连接。
参照前述的附图，图18以及图19中所示的连接布线TWL可以是第一至第四连接布线TWL1、TWL2、TWL3、TWL4中的一个。参照前述的附图，配置于彼此不同的层的第一透光性导电层TWLa以及第二透光性导电层TWLb各自可以与第2-1连接布线TWL2a以及第2-2连接布线TWL2b对应。
在图18以及图19中，将对应于第一辅助子像素Pa1而在基板100上配置减反射层RRL的结构作为示例示出。这适用前述的图14的实施例，但是当然也可以适用图15至图17的结构。
图20是测定根据本发明的一实施例的反射率的表。
参照图20，比较例未适用根据本发明的一实施例的减反射层RRL并测定了反射率，实施例1适用前述的图14的实施例，实施例2适用前述的图15的实施例，实施例3适用前述的图16的实施例，并分别测定了反射率。
在图20中分别公开了在组件区域CA的第一辅助子像素Pa1相对于主显示区域MDA具有1/12的像素配置结构的实验例(1/12PXL)和具有1/6的像素配置结构的实验例(1/6PXL)中适用本发明的实施例的反射率。首先，可以知道，未适用减反射层RRL的比较例分别具有27.6％、31.3％的反射率。相反地，在实施例1的情况下测定的反射率分别为13.3％、12.8％，在实施例2的情况下测定的反射率分别为27.1％、30.6％，在实施例3的情况下测定的反射率分别为13.7％、13.3％，可以确认相比于上述的比较例，反射率显著降低。
图21是测定根据本发明的一实施例的反射光谱的曲线图，图22是测定根据图21的曲线图的各子像素的反射率的表。
参照图21以及图22，比较例未适用根据本发明的一实施例的减反射层RRL并测定了反射率，实施例1适用前述的图14的实施例，实施例2适用前述的图15的实施例，实施例3适用前述的图16的实施例，并分别测定了反射率。另外，实施例4适用前述的图17的实施例并测定了反射率。
首先，图21的比较例的反射率表现为在大体上全区域的波段中高于本发明的实施例，即实施例1、实施例2、实施例3、实施例4。在一部分波长区域(例如，超过约600nm)中表现为实施例2的反射率高于一部分比较例的反射率，但是在600nm以下的波长区域中实施例2的反射率相比于比较例大幅减小，可以知道，即使有实施例2的情况，多个第一辅助子像素Pa1的平均反射率相比于比较例也显著降低。
其外，在实施例1、实施例3以及实施例4的情况下表现为在全部波长区域中具有低于比较例的反射率。
参照图22的表，示出模拟各子像素(例如，红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B)的反射率的结果。
在440nm～460nm波长区域的蓝色子像素B的情况下，实施例1、实施例2、实施例3、实施例4的反射率分别测定为8.54％、16.73％、12.46％、16.70％，从而可以确认具有低于比较例的17.89％的反射率。另外，在540nm～560nm波长区域的绿色子像素G的情况下，实施例1、实施例2、实施例3、实施例4的反射率分别测定为11.09％、19.33％、7.90％、16.97％，从而可以确认具有低于比较例的28.29％的反射率。另外，在640nm～660nm波长区域的红色子像素R的情况下，实施例1以及实施例3的反射率分别测定为20.50％、9.79％，从而可以确认具有低于比较例的33.38％的反射率。另一方面，实施例2以及实施例4的反射率分别以68.64％、65.46％测定为高于作为比较例的反射率的33.38％，但是参照前述的图21的曲线图，可以知道在640nm以上的波长区域中红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B的平均反射率低于比较例。
本发明以在附图中示出的实施例为参考进行了说明，但是这仅是示例性的，只要是在本技术领域中具有通常的知识的人，就可以理解由此可以进行各种变形以及等同的其它实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围将应由所附的权利要求书的技术构思确定。

Claims (10)

1.一种显示装置，其中，具备：
基板，具备主显示区域和包括组件区域以及中间区域的辅助显示区域；
主像素电路以及与所述主像素电路连接的主显示要件，配置于所述主显示区域上；
第一辅助显示要件，配置于所述组件区域上；
第一辅助像素电路、第二辅助像素电路以及连接于所述第二辅助像素电路的第二辅助显示要件，配置于所述中间区域上；
连接布线，连接所述第一辅助显示要件和所述第一辅助像素电路；以及
减反射层，介于所述基板和所述第一辅助显示要件之间，并与所述第一辅助显示要件对应配置，
所述第一辅助显示要件包括第一辅助像素电极，所述减反射层与所述第一辅助像素电极完全重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述减反射层包含第一金属物质，
所述第一金属物质具有低于包含在所述第一辅助像素电极中的第二金属物质的反射率，
所述第一金属物质为钼、铝、钛中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
背面金属层，介于所述基板和所述第一辅助像素电路以及所述第二辅助像素电路之间，并与所述第一辅助像素电路以及所述第二辅助像素电路重叠配置，
所述减反射层包含与所述背面金属层相同的物质。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一辅助像素电路具备薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极以及与所述半导体层连接的电极层，
所述减反射层包含与所述栅极电极相同的物质。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一辅助像素电路具备薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极以及与所述半导体层连接的电极层，
所述减反射层包含与所述电极层相同的物质。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述减反射层包含硅类半导体物质、有机物质以及有色的遮光物质中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
绝缘层，覆盖所述第一辅助像素电极的边缘并暴露中央部，
所述绝缘层包含有色的遮光物质，
所述减反射层的宽度等于或大于所述第一辅助像素电极的宽度，
所述减反射层的宽度等于或小于所述绝缘层的宽度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
当在垂直于所述基板的方向上看时，所述第一辅助像素电极的外廓具有曲线，
当在垂直于所述基板的方向上看时，所述第一辅助像素电极为圆形或椭圆形。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述减反射层包括与所述第一辅助像素电极完全重叠的第一减反射层以及第二减反射层，
所述第一减反射层和所述第二减反射层包含彼此不同的物质。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述连接布线包括透光性导电层。
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