KR102397411B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 화소 영역에 위치하며, 제1 주사선들과 연결되는 제1 화소들; 상기 제1 화소 영역의 외측에 존재하는 제1 주변 영역에 위치하고, 상기 제1 주사선들로 제1 주사 신호를 공급하는 제1 주사 스테이지 회로들; 상기 제1 화소 영역보다 작은 폭을 갖는 제2 화소 영역에 위치하며, 제2 주사선들과 연결되는 제2 화소들; 상기 제2 화소 영역의 외측에 존재하는 제2 주변 영역에 위치하고, 제2 주사 신호를 생성하는 제2 주사 스테이지 회로들; 및 상기 제2 주사 스테이지 회로들 사이에 위치하고, 상기 제2 주사 신호를 지연 시켜 상기 제2 주사선들로 공급하는 제1 로드 매칭부들을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결매체인 표시 장치의 중요성이 부각되고 있다. 최근에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device)와 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등이 널리 사용되고 있다.
이러한 표시 장치는 다수의 화소들과 상기 화소들을 구동하기 위한 구동부들을 포함한다. 각 화소에는 배선들과, 상기 배선들에 연결되며 표시 소자를 구동하기 위한 복수 개의 트랜지스터가 형성되어 있다. 상기 배선들은 길이에 따라 다른 정도의 로드 값을 가질 수 있으며, 로드 값 차이에 의하여 불균일한 휘도의 영상이 표시될 수 있다.
본 발명은 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 데드 스페이스의 효율적인 사용이 가능한 표시 장치를 제공하는 데에 다른 목적이 있다.
본 발명의 실시예에 의한 표시 장치는, 제1 화소 영역에 위치하며, 제1 주사선들과 연결되는 제1 화소들; 상기 제1 화소 영역의 외측에 존재하는 제1 주변 영역에 위치하고, 상기 제1 주사선들로 제1 주사 신호를 공급하는 제1 주사 스테이지 회로들; 상기 제1 화소 영역보다 작은 폭을 갖는 제2 화소 영역에 위치하며, 제2 주사선들과 연결되는 제2 화소들; 상기 제2 화소 영역의 외측에 존재하는 제2 주변 영역에 위치하고, 제2 주사 신호를 생성하는 제2 주사 스테이지 회로들; 및 상기 제2 주사 스테이지 회로들 사이에 위치하고, 상기 제2 주사 신호를 지연 시켜 상기 제2 주사선들로 공급하는 제1 로드 매칭부들을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 영역의 적어도 하나의 모서리는 곡선 형상을 가질 수 있다.
또한, 하나의 수평 라인에 위치한 제2 화소들의 개수는, 상기 제1 화소 영역으로부터 멀어질수록 작아질 수 있다.
또한, 상기 제1 로드 매칭부는, 제1 지연 패턴; 및 절연층을 사이에 두고, 상기 제1 지연 패턴과 상이한 층에 위치한 제2 지연 패턴을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 지연 패턴은, 어느 하나의 제2 주사 스테이지 회로의 출력단과 연결되는 입력단; 및 어느 하나의 제2 주사선과 전기적으로 연결되는 출력단을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 지연 패턴 및 상기 제2 지연 패턴은 지연 커패시터를 형성할 수 있다.
또한, 상기 제1 로드 매칭부는, 상기 제2 주사 신호를 상기 제1 지연 패턴 및 상기 제2 지연 패턴에 대응하는 시정수 값만큼 지연시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 주변 영역으로부터 멀리 위치한 제1 로드 매칭부일수록, 상기 시정수 값이 크게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2 주사 스테이지 회로들 간 간격은, 상기 제1 주사 스테이지 회로들 간 간격보다 클 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 영역과 이격되어 위치하는 제3 화소 영역에 위치하며, 제3 주사선들과 연결되는 제3 화소들; 상기 제3 화소 영역의 외측에 존재하는 제3 주변 영역에 위치하고, 제3 주사 신호를 생성하는 제3 주사 스테이지 회로들; 및상기 제3 주사 스테이지 회로들 사이에 위치하고, 상기 제3 주사 신호를 지연 시켜 상기 제3 주사선들로 공급하는 제2 로드 매칭부들을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제3 화소 영역은 상기 제1 화소 영역보다 작은 폭을 가지며, 하나의 수평 라인에 위치한 제3 화소들의 개수는, 상기 제1 화소 영역으로부터 멀어질수록 작아질 수 있다.
또한, 상기 제3 주사 스테이지 회로들 간 간격은, 상기 제1 주사 스테이지 회로들 간 간격보다 클 수 있다.
또한, 상기 제2 로드 매칭부는, 제1 지연 패턴; 및 상기 제1 지연 패턴과 상이한 층에 위치하며, 상기 제1 지연 패턴과 커패시턴스를 형성하는 제2 지연 패턴을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 로드 매칭부는, 상기 제3 주사 신호를 상기 제1 지연 패턴 및 상기 제2 지연 패턴에 대응하는 시정수 값만큼 지연시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 주변 영역으로부터 멀리 위치한 제2 로드 매칭부일수록, 상기 시정수 값이 크게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제1 주사선들과 연결되는 제1 정전기 방지 회로; 및 상기 제2 주사선들과 연결되는 제2 정전기 방지 회로를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 데드 스페이스의 효율적인 사용이 가능한 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 화소 영역들을 각각 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 구성을 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 주사 구동부 및 발광 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 주사 구동부 및 발광 구동부의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 4 및 도 5에 도시된 로드 매칭부의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도이다.
도 9는 도 2에 도시된 표시 장치의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 본 발명과 관계없는 부분은 본 발명의 설명을 명확하게 하기 위하여 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
이하, 본 발명의 실시예들과 관련된 도면들을 참고하여, 본 발명의 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 화소 영역들을 각각 나타낸 도면이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(10)는 화소 영역(AA1, AA2, AA3), 주변 영역(NA1, NA2, NA3), 및 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)을 포함할 수 있다.
화소 영역(AA1, AA2, AA3)에는 다수의 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)이 위치하며, 이에 따라 화소 영역(AA1, AA2, AA3)에서는 소정의 영상이 표시될 수 있다. 따라서, 화소 영역(AA1, AA2, AA3)은 표시 영역으로 지칭될 수 있다.
주변 영역(NA1, NA2, NA3)에는 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)을 구동하기 위한 구성 요소들(예를 들어, 구동부 및 배선 등)이 위치할 수 있다. 주변 영역(NA1, NA2, NA3)에는 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)이 존재하지 않으므로, 상기 주변 영역(NA1, NA2, NA3)은 비표시 영역으로 지칭될 수 있다.
예를 들어, 주변 영역(NA1, NA2, NA3)은 화소 영역(AA1, AA2, AA3)의 외측에 존재할 수 있으며, 화소 영역(AA1, AA2, AA3)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
화소 영역(AA1, AA2, AA3)은 제1 화소 영역(AA1), 제2 화소 영역(AA2) 및 제3 화소 영역(AA3)을 포함할 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)은 제1 화소 영역(AA1)의 일측에 위치할 수 있다. 이때, 제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)은 서로 이격되어 위치할 수 있다.
제1 화소 영역(AA1)은 제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)에 비해 가장 큰 면적을 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 화소 영역(AA1)의 폭(W1)은 다른 화소 영역(AA2, AA3)의 폭(W2, W3)에 비해 크게 설정되고, 제1 화소 영역(AA1)의 길이(L1)는 다른 화소 영역(AA2, AA3)의 길이(L2, L3)에 비해 크게 설정될 수 있다.
또한, 제2 화소 영역(AA2)와 제3 화소 영역(AA3)은 각각 제1 화소 영역(AA1) 보다 작은 면적을 가질 수 있고, 서로 동일한 면적 또는 서로 다른 면적을 가질 수 있다.
예를 들어, 제2 화소 영역(AA2)의 폭(W2)은 제3 화소 영역(AA3)의 폭(W3)과 동일하거나 다르게 설정될 수 있고, 제2 화소 영역(AA2)의 길이(L2)는 제3 화소 영역(AA3)의 길이(L3)와 동일하거나 다르게 설정될 수 있다.
주변 영역(NA1, NA2, NA3)은 제1 주변 영역(NA1), 제2 주변 영역(NA2) 및 제3 주변 영역(NA3)을 포함할 수 있다.
제1 주변 영역(NA1)은 제1 화소 영역(AA1)의 주변에 존재하며, 제1 화소 영역(AA1)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제1 주변 영역(NA1)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 주변 영역(NA1)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
제2 주변 영역(NA2)은 제2 화소 영역(AA2)의 주변에 존재하며, 제2 화소 영역(AA2)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제2 주변 영역(NA2)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 주변 영역(NA2)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
제3 주변 영역(NA3)은 제3 화소 영역(AA3)의 외측에 존재할 수 있으며, 상기 제3 화소 영역(AA3)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제3 주변 영역(NA3)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제3 주변 영역(NA3)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
제2 주변 영역(NA2)과 제3 주변 영역(NA3)은 기판(100)의 형태에 따라 서로 연결되거나, 연결되지 않을 수 있다.
주변 영역(NA1, NA2, NA3)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 주변 영역(NA1, NA2, NA3)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
화소들(PXL1, PXL2, PXL3)은 제1 화소들(PXL1), 제2 화소들(PXL2) 및 제3 화소들(PXL3)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 영역(AA1)에 위치하고, 제2 화소들(PXL2)은 제2 화소 영역(AA2)에 위치하며, 제3 화소들(PXL3)은 제3 화소 영역(AA3)에 위치할 수 있다.
화소들(PXL1, PXL2, PXL3)은 주변 영역(NA1, NA2, NA3)에 위치한 구동부들의 제어에 따라 소정의 휘도로 발광할 수 있으며, 이를 위해 발광 소자(예를 들어, 유기 발광 다이오드)를 포함할 수 있다.
화소 영역(AA1, AA2, AA3)과 주변 영역(NA1, NA2, NA3)은 표시 장치의 기판(100) 상에 정의될 수 있다.
기판(100)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(100)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 기판(100)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
다만, 기판(100)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 유리 섬유 강화플라스틱(FRP, Fiber glass reinforced plastic) 등으로도 이루어질 수 있다.
기판(100)은 상술한 화소 영역(AA1, AA2, AA3)과 주변 영역(NA1, NA2, NA3)이 설정될 수 있는 다양한 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 기판(100)은 판상의 베이스 기판(101), 상기 베이스 기판(101)의 일 단부로부터 돌출 연장되는 제1 보조판(102) 및 제2 보조판(103)을 포함할 수 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 베이스 기판(101)과 일체로 형성될 수 있으며, 제1 보조판(102)과 제2 보조판(103) 사이에는 오목부(104)가 존재할 수 있다.
오목부(104)는 기판(100)의 일부가 제거된 영역으로서, 이로 인하여 제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 이격되어 위치할 수 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 각각 베이스 기판(101) 보다 작은 면적을 가질 수 있고, 서로 동일한 면적 또는 서로 다른 면적을 가질 수 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 화소 영역(AA2, AA3)과 주변 영역(NA2, NA3)이 설정될 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
제1 화소 영역(AA1)과 제1 주변 영역(NA1)은 베이스 기판(101)에서 정의될 수 있고, 제2 화소 영역(AA2)과 제2 주변 영역(NA2)은 제1 보조판(102)에서 정의될 수 있으며, 제3 화소 영역(AA3)과 제3 주변 영역(NA3)은 제2 보조판(103)에서 정의될 수 있다.
베이스 기판(101)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(101)은 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 또한, 베이스 기판(101)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다.
예를 들어, 베이스 기판(101)은 도 1에 도시된 것과 같이 사각 형상을 가질 수 있다.
또는, 베이스 기판(101)의 코너부는 경사진 형태 또는 곡선 형태로도 변형될 수도 있다.
베이스 기판(101)은 제1 화소 영역(AA1)과 동일 또는 유사한 형태를 가질 수 있으나, 그에 제한되지는 않으며, 제1 화소 영역(AA1)과 상이한 형태를 가질 수도 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103) 역시 다양한 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다.
오목부(104)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 오목부(104)는 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 또한, 오목부(104)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다.
제1 화소 영역(AA1) 내지 제3 화소 영역(AA3)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 영역(AA1) 내지 제3 화소 영역(AA3) 각각은 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다.
도 1에서는 제1 화소 영역(AA1)이 사각 형상을 갖는 경우를 예시적으로 도시하였다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 화소 영역(AA1)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수도 있으며, 특히 제1 화소 영역(AA1)의 코너부는 소정의 곡률을 갖는 곡선 형상을 가질 수 있다.
또한, 도 1에서는 제2 화소 영역(AA3)과 제3 화소 영역(AA3)의 적어도 일부분이 곡선인 형상을 갖는 경우를 예시적으로 도시하였다. 다만 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 화소 영역(AA3)과 제3 화소 영역(AA3)은 사각 형상일 수도 있다.
이 경우, 제2 주변 영역(NA2)은 제2 화소 영역(AA2)에 대응되도록 적어도 일부분이 곡선 형상을 가질 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)의 형태 변화에 대응하여, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제2 화소들(PXL2)의 개수는 그 위치에 따라 변화될 수 있다.
또한, 제3 주변 영역(NA3)은 제3 화소 영역(AA3)에 대응되도록 적어도 일부분이 곡선 형상을 가질 수 있다.
제3 화소 영역(AA3)의 형태 변화에 대응하여, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제3 화소들(PXL3)의 개수는 그 위치에 따라 변화될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(10)는 기판(100), 제1 화소들(PXL1), 제2 화소들(PXL2), 제3 화소들(PXL3), 제1 주사 구동부(210), 제2 주사 구동부(220), 제3 주사 구동부(230), 제1 발광 구동부(310), 제2 발광 구동부(320), 및 제3 발광 구동부(330)를 포함할 수 있다.
제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 영역(AA1)에 위치하며, 각각 제1 주사선(S1), 제1 발광 제어선(E1), 및 제1 데이터선(D1)과 연결될 수 있다.
제1 주사 구동부(210)는 제1 주사선들(S1)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 제1 주사 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제1 주사 구동부(210)는 제1 주사 신호를 순차적으로 제1 주사선들(S1)로 공급할 수 있다.
제1 주사 구동부(210)는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
예를 들어, 제1 주사 구동부(210)는 제1 화소 영역(AA1)의 일측(예를 들어, 도 2를 기준으로 좌측)에 존재하는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
제1 주사 구동부(210)와 제1 주사선들(S1) 사이에는 제1 주사 라우팅 배선들이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제1 주사 구동부(210)는 제1 주사 라우팅 배선들을 통하여 제1 화소 영역(AA1)에 위치하는 제1 주사선들(S1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 발광 구동부(310)는 제1 발광 제어선들(E1)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 제1 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 구동부(310)는 제1 발광 제어 신호를 순차적으로 제1 발광 제어선들(E1)로 공급할 수 있다.
제1 발광 구동부(310)는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 구동부(310)는 제1 화소 영역(AA1)의 일측(예를 들어, 도 2를 기준으로 좌측)에 존재하는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
도 2에서는 제1 발광 구동부(310)가 제1 주사 구동부(210)의 외측에 위치하는 것을 도시하였으나, 그와 반대로 제1 발광 구동부(310)가 제1 주사 구동부(210)의 내측에 위치할 수도 있다.
제1 발광 구동부(310)와 제1 발광 제어선들(E1) 사이에는 제1 발광 라우팅 배선들이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제1 발광 구동부(310)는 제1 발광 라우팅 배선들을 통하여 제1 화소 영역(AA1)에 위치하는 제1 발광 제어선들(E1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 제1 화소들(PXL1)이 제1 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 제1 발광 구동부(310), 제1 발광 라우팅 배선들, 및 제1 발광 제어선들(E1)은 생략될 수 있다.
도 1에서는 제1 주사 구동부(210)와 제1 발광 구동부(310)가 제1 화소 영역(AA1)의 좌측에 배치된 것으로 도시되었으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 주사 구동부(210)와 제1 발광 구동부(310)가 제1 화소 영역(AA1)의 우측에 배치될 수도 있고, 제1 화소 영역(AA1)의 좌측 및 우측에 배치될 수도 있다.
제2 화소들(PXL2)은 제2 화소 영역(AA2)에 위치하며, 각각 제2 주사선(S2), 제2 발광 제어선(E2), 및 제2 데이터선(D2)과 연결될 수 있다.
제2 주사 구동부(220)는 제2 주사선들(S2)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 제2 주사 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제2 주사 구동부(220)는 제2 주사 신호를 순차적으로 제2 주사선들(S2)로 공급할 수 있다.
제2 주사 구동부(220)는 제2 주변 영역(NA2)에 위치할 수 있다.
예를 들어, 제2 주사 구동부(220)는 제2 화소 영역(AA2)의 일측(예를 들어, 도 2를 기준으로 좌측)에 존재하는 제2 주변 영역(NA2)에 위치할 수 있다.
제2 주사 구동부(220)와 제2 주사선들(S2) 사이에는 제2 주사 라우팅 배선들이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제2 주사 구동부(220)는 제2 주사 라우팅 배선들을 통하여 제2 화소 영역(AA2)에 위치하는 제2 주사선들(S2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 발광 구동부(320)는 제2 발광 제어선들(E2)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 제2 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제2 발광 구동부(320)는 제2 발광 제어 신호를 순차적으로 제2 발광 제어선들(E2)에 공급할 수 있다.
제2 발광 구동부(320)는 제2 주변 영역(NA2)에 위치할 수 있다.
예를 들어, 제2 발광 구동부(320)는 제2 화소 영역(AA2)의 일측(예를 들어, 도 2를 기준으로 좌측)에 존재하는 제2 주변 영역(NA2)에 위치할 수 있다.
도 2에서는 제2 발광 구동부(320)가 제2 주사 구동부(220)의 외측에 위치하는 것을 도시하였으나, 그와 반대로 제2 발광 구동부(320)는 제2 주사 구동부(220)의 내측에 위치할 수도 있다.
제2 발광 구동부(320)와 제2 발광 제어선들(E2) 사이에는 제2 발광 라우팅 배선들이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제2 발광 구동부(320)는 제2 발광 라우팅 배선들을 통하여 제2 화소 영역(AA2)에 위치하는 제2 발광 제어선들(E2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 제2 화소들(PXL2)이 제2 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 제2 발광 구동부(320), 제2 발광 라우팅 배선들, 및 제2 발광 제어선들(E2)은 생략될 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)은 제1 화소 영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제2 주사선(S2) 및 제2 발광 제어선(E2)의 길이는 제1 주사선(S1) 및 제1 발광 제어선(E1)에 비해 짧을 수 있다.
또한, 하나의 제2 주사선(S2)에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수는 하나의 제1 주사선(S1)에 연결된 제1 화소들(PXL1) 보다 적고, 하나의 제2 발광 제어선(E2)에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수는 하나의 제1 발광 제어선(E1)에 연결된 제1 화소들(PXL1) 보다 적을 수 있다.
제3 화소들(PXL3)은 제3 화소 영역(AA3)에 위치하며, 각각 제3 주사선(S3), 제3 발광 제어선(E3), 및 제3 데이터선(D3)과 연결될 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주사선들(S3)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 주사 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 신호를 순차적으로 제3 주사선들(S3)로 공급할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
예를 들어, 제3 주사 구동부(230)는 제3 화소 영역(AA3)의 일측(예를 들어, 도 17을 기준으로 우측)에 존재하는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)와 제3 주사선들(S3) 사이에는 제3 주사 라우팅 배선들이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 라우팅 배선들을 통하여 제3 화소 영역(AA3)에 위치하는 제3 주사선들(S3)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어선들(E3)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어 신호를 순차적으로 제3 발광 제어선들(E3)에 공급할 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
예를 들어, 제3 발광 구동부(330)는 제3 화소 영역(AA3)의 일측(예를 들어, 도 2를 기준으로 우측)에 존재하는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
도 2에서는 제3 발광 구동부(330)가 제3 주사 구동부(230)의 외측에 위치하는 것을 도시하였으나, 그와 반대로 제3 발광 구동부(330)가 제3 주사 구동부(230)의 내측에 위치할 수도 있다.
제3 발광 구동부(330)와 제3 발광 제어선들(E3) 사이에는 제3 발광 라우팅 배선들이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 라우팅 배선들을 통하여 제3 화소 영역(AA3)에 위치하는 제3 발광 제어선들(E3)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 제3 화소들(PXL3)이 제3 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 제3 발광 구동부(330), 제3 발광 라우팅 배선들, 및 제3 발광 제어선들(E3)은 생략될 수 있다.
제3 화소 영역(AA3)은 제1 화소 영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제3 주사선(S3) 및 제3 발광 제어선(E3)의 길이는 제1 주사선(S1) 및 제1 발광 제어선(E1)에 비해 짧을 수 있다.
또한, 하나의 제3 주사선(S3)에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 하나의 제1 주사선(S1)에 연결된 제1 화소들(PXL1) 보다 적고, 하나의 제3 발광 제어선(E3)에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 하나의 제1 발광 제어선(E1)에 연결된 제1 화소들(PXL1) 보다 적을 수 있다.
발광 제어 신호는 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)의 발광 시간을 제어하기 위하여 사용된다. 이를 위하여, 발광 제어 신호는 주사 신호보다 넓은 폭으로 설정될 수 있다.
예를 들어, 발광 제어 신호는 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)에 포함되는 트랜지스터가 턴-오프될 수 있도록 게이트 오프 전압(예를 들면, 하이 레벨의 전압)으로 설정되고, 주사 신호는 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)에 포함되는 트랜지스터가 턴-온될 수 있도록 게이트 온 전압(예를 들면, 로우 레벨의 전압)으로 설정될 수 있다.
데이터 구동부(400)는 데이터선들(D1, D2, D3)을 통하여 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 예를 들어, 제2 데이터선들(D2)은 제1 데이터선들(D1)의 일부와 연결되고, 제3 데이터선들(D3)은 제1 데이터선들(D1)의 다른 일부와 연결될 수 있다.
데이터 구동부(400)는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있으며, 특히 제1 주사 구동부(210)와 중첩되지 않는 위치에 존재할 수 있다. 예를 들어, 데이터 구동부(400)는 제1 화소 영역(AA1)의 하측에 존재하는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
데이터 구동부(400)의 설치는 칩 온 글래스(Chip On Glass), 칩 온 플라스틱(Chip On Plastic), 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package), 칩 온 필름(Chip On Film) 등 다양한 방식에 의하여 이루어질 수 있다.
예를 들어, 데이터 구동부(400)는 기판(100) 상에 직접 실장되거나, 별도의 구성 요소(예를 들어, 연성 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board))를 통해 기판(100)과 연결될 수 있다.
한편, 도 2에는 도시되지 않았으나, 표시 장치(10)에는 주사 구동부들(210, 220, 230), 발광 구동부들(310, 320, 330) 및 데이터 구동부(400)로 소정의 제어 신호를 제공하는 타이밍 제어부가 더 포함될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 구성을 보다 자세히 나타낸 도면이다.
제1 주사 구동부(210)는 제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k) 및 제1 주사선들(S11~S1k)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 제1 주사 신호를 공급할 수 있다.
제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k)은 제1 주사 구동부(210)의 출력단과 제1 주사선들(S11~S1k) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k)과 제1 주사선들(S11~S1k)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는, 제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k)과 제1 주사선들(S11~S1k)은 동일한 층에 일체로 형성될 수도 있다. 즉, 제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k)은 제1 주사선들(S11~S1k)의 일부일 수 있다.
제1 발광 구동부(310)는 제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k) 및 제1 발광 제어선들(E11~E1k)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 제1 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k)은 제1 발광 구동부(310)의 출력단과 제1 발광 제어선들(E11~E1k) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는 제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)은 동일한 층에 일체로 형성될 수도 있다. 즉, 제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k)은 제1 발광 제어선들(E11~E1k)의 일부일 수 있다.
제1 주사 구동부(210)와 제1 발광 구동부(310)는 각각 제1 주사 제어 신호(SCS1) 및 제1 발광 제어 신호(ECS1)에 대응하여 동작할 수 있다.
데이터 구동부(400)는 제1 데이터선들(D11~D1o)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 전원(ELVDD) 및 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 필요에 따라, 제1 화소들(PXL1)은 초기화 전원(Vint)과 추가적으로 접속될 수 있다.
이와 같은 제1 화소들(PXL1)은 제1 주사선들(S11~S1k)로 제1 주사 신호가 공급될 때 제1 데이터선들(D11~D1o)로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 데이터 신호를 공급받은 제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
제2 주사 구동부(220)는 제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j) 및 제2 주사선들(S21~S2j)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 제2 주사 신호를 공급할 수 있다.
제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j)은 제2 주사 구동부(220)의 출력단과 제2 주사선들(S21~S2j) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j)과 제2 주사선들(S21~S2j)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는, 제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j)과 제2 주사선들(S21~S2j)은 동일한 층에 일체로 형성될 수도 있다. 이 경우, 제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j)은 제2 주사선들(S21~S2j)의 일부일 수 있다.
제2 발광 구동부(320)는 제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j) 및 제2 발광 제어선들(E21~E2j)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 제2 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j)은 제2 발광 구동부(320)의 출력단과 제2 발광 제어선들(E21~E2j) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어 제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j)과 제2 발광 제어선들(E21~E2j)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는, 제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j)과 제2 발광 제어선들(E21~E2j)은 동일한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j)은 제2 발광 제어선들(E21~E2j)의 일부일 수 있다.
제2 주사 구동부(220)와 제2 발광 구동부(320)는 각각 제2 주사 제어 신호(SCS2) 및 제2 발광 제어 신호(ECS2)에 대응하여 동작할 수 있다.
데이터 구동부(400)는 제2 데이터선들(D21~D2p)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제2 데이터선들(D21~D2p)은 일부의 제1 데이터선들(D11~D1m-1)과 연결될 수 있다.
또한, 제2 화소들(PXL2)은 제1 화소 전원(ELVDD) 및 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 필요에 따라, 제2 화소들(PXL1)은 초기화 전원(Vint)과 추가적으로 접속될 수 있다.
이와 같은 제2 화소들(PXL2)은 제2 주사선들(S21~S2j)로 제2 주사 신호가 공급될 때 제2 데이터선들(D21~D2p)로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 데이터 신호를 공급받은 제2 화소들(PXL2)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
또한, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제2 화소들(PXL2)의 개수는 그 위치에 따라 변화할 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)은 제1 화소 영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제2 화소들(PXL2)의 개수는 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있으며, 제2 주사선들(S21~S2j)과 제2 발광 제어선들(E21~E2j)의 길이 및 개수는 각각 제1 주사선들(S11~S1k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)에 비해 작게 설정될 수 있다.
제2 주사선들(S21~S2j) 중 어느 하나에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수는 제1 주사선들(S11~S1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 제2 발광 제어선들(E21~E2j) 중 어느 하나에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수는 제1 발광 제어선들(E11~E1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h) 및 제3 주사선들(S31~S3h)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 주사 신호를 공급할 수 있다.
제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h)은 제3 주사 구동부(230)의 출력단과 제3 주사선들(S31~S3h) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h)과 제3 주사선들(S31~S3h)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는, 제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h)과 제3 주사선들(S31~S3h)은 동일한 층에 일체로 형성될 수 있다. 이 경우, 제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h)은 제3 주사선들(S31~S3h)의 일부일 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 제어 신호(SCS3)에 대응하여 동작할 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h) 및 제3 발광 제어선들(E31~E3h)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h)은 제3 발광 구동부(330)의 출력단과 제3 발광 제어선들(E31~E3h) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h)과 제3 발광 제어선들(E31~E3h)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는, 제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h)과 제3 발광 제어선들(E31~E3h)은 동일한 층에 일체로 형성될 수 있으며, 이 경우 제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h)은 제3 발광 제어선들(E31~E3h)의 일부일 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어 신호(ECS3) 에 대응하여 동작할 수 있다.
데이터 구동부(400)는 제3 데이터선들(D31~D3q)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
제3 데이터선들(D31~D3q)은 일부의 제1 데이터선들(D1n+1~D1o)과 연결될 수 있다.
제3 화소들(PXL3)은 제1 화소 전원(ELVDD) 및 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 필요에 따라, 제3 화소들(PXL3)은 초기화 전원(Vint)과 추가적으로 접속될 수 있다.
이와 같은 제3 화소들(PXL3)은 제3 주사선들(S31~S3h)로 제3 주사 신호가 공급될 때 제3 데이터선들(D31~D3q)로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 데이터 신호를 공급받은 제3 화소들(PXL3)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
또한, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제3 화소들(PXL3)의 개수는 그 위치에 따라 변화할 수 있다.
제3 화소 영역(AA3)은 제1 화소 영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있으며, 제3 주사선들(S31~S3h)과 제3 발광 제어선들(E31~E3h)의 길이는 제1 주사선들(S11~S1k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)에 비해 짧을 수 있다.
제3 주사선들(S31~S3h) 중 어느 하나에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 주사선들(S11~S1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 제3 발광 제어선들(E31~E3h) 중 어느 하나에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 발광 제어선들(E11~E1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
데이터 구동부(400)는 데이터 제어 신호(DCS)에 대응하여 동작할 수 있다.
타이밍 제어부(270)는 제1 주사 구동부(210), 제2 주사 구동부(220), 제3 주사 구동부(230), 데이터 구동부(400), 제1 발광 구동부(310), 제2 발광 구동부(320) 및 제3 발광 구동부(330)를 제어할 수 있다.
이를 위하여, 타이밍 제어부(270)는 제1 주사 제어 신호(SCS1), 제2 주사 제어 신호(SCS2) 및 제3 주사 제어 신호(SCS3)를 각각 제1 주사 구동부(210), 제2 주사 구동부(220) 및 제3 주사 구동부(230)로 공급하고, 제1 발광 제어 신호(ECS1), 제2 발광 제어 신호(ECS2) 및 제3 발광 제어 신호(ECS3)를 각각 제1 발광 구동부(310), 제2 발광 구동부(320) 및 제3 발광 구동부(330)로 공급할 수 있다.
이때, 주사 제어 신호들(SCS1, SCS2, SCS3)와 발광 제어 신호들(ECS1, ECS2, ECS3)은 각각 적어도 하나의 클럭 신호와 스타트 펄스를 포함할 수 있다.
스타트 펄스는 첫번째 주사 신호 또는 첫번째 발광 제어 신호의 타이밍을 제어할 수 있다. 클럭 신호는 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위하여 사용될 수 있다.
또한, 타이밍 제어부(270)는 데이터 제어 신호(DCS)를 데이터 구동부(400)에 공급할 수 있다.
데이터 제어 신호(DCS)에는 소스 스타트 펄스 및 적어도 하나의 클럭 신호가 포함될 수 있다. 소스 스타트 펄스는 데이터의 샘플링 시작 시점을 제어하며, 클럭 신호는 샘플링 동작을 제어하기 위하여 사용될 수 있다.
도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 주사 구동부 및 발광 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다. 특히, 도 4에서는 제1 주사 구동부, 제2 주사 구동부, 제1 발광 구동부 및 제2 발광 구동부를 도시하였으며, 도 5에서는 제3 주사 구동부 및 제3 발광 구동부를 도시하였다.
도 4를 참조하면, 제1 주사 구동부(210)는 다수의 제1 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)을 포함할 수 있다.
제1 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)은 각각 제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k)의 일단에 연결되고, 이를 통해 제1 주사선들(S11~S1k)로 제1 주사 신호를 공급할 수 있다.
이때, 제1 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK1, CLK2)에 대응하여 동작될 수 있다. 또한, 제1 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k) 각각은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
제1 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)은 이전 주사 스테이지 회로의 출력 신호(즉, 주사 신호) 또는 스타트 펄스(SSP1)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 제1 주사 스테이지 회로(SST11)는 스타트 펄스(SSP1)를 공급받고, 나머지 제1 주사 스테이지 회로들(SST12~SST1k)은 이전 주사 스테이지 회로의 출력 신호를 공급받을 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 주사 구동부(210)의 첫번째 주사 스테이지 회로(SST11)는 제2 주사 구동부(220)의 마지막 주사 스테이지 회로(SST2j)로부터 출력되는 신호를 스타트 펄스로 사용할 수 있다.
제1 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)은 각각 제1 구동 전원(VDD1)과 제2 구동 전원(VSS1)을 공급받을 수 있다.
여기서, 제1 구동 전원(VDD1)은 게이트 오프 전압, 예를 들면 하이 레벨의 전압으로 설정될 수 있다. 그리고, 제2 구동 전원(VSS1)은 게이트 온 전압, 예를 들면 로우 레벨의 전압으로 설정될 수 있다.
제2 주사 구동부(220)는 다수의 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j) 및 다수의 제1 로드 매칭부들(LM21~LM2j)을 포함할 수 있다.
제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)은 각각 제1 로드 매칭부들(LM21~LM2j)의 일단에 연결될 수 있다. 제1 로드 매칭부들(LM21~LM2j) 각각은 제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j)의 일단에 연결되고, 이를 통해 제2 주사선들(S21~S2j)로 제2 주사 신호를 공급할 수 있다.
제1 로드 매칭부들(LM21~LM2j)은 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)로부터 출력되는 제2 주사 신호를 소정의 값만큼 지연시킬 수 있다.
제1 로드 매칭부들(LM21~LM2j) 각각은 저항과 커패시터로 이루어진 회로일 수 있으며, 상기 회로의 시정수(RC 딜레이) 값만큼 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)의 출력 신호를 지연시킬 수 있다.
예를 들어, 첫 번째 제1 로드 매칭부(LM21)는 첫 번째 제2 주사 스테이지 회로(SST21)로부터 출력된 신호를 지연시켜 첫 번째 제2 주사 라우팅 배선(R21)으로 공급할 수 있다.
이를 위하여, 제1 로드 매칭부들(LM21~LM2j)의 입력단은 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)의 출력단과 전기적으로 연결되고, 제1 로드 매칭부들(LM21~LM2j)의 출력단은 제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j)의 일단에 연결될 수 있다.
각각의 제1 로드 매칭부들(LM21~LM2j)은, 인접한 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j) 사이에 위치할 수 있다.
제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK1, CLK2)에 대응하여 동작될 수 있다. 또한, 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j) 각각은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)은 이전 주사 스테이지 회로의 출력 신호(즉, 주사 신호) 또는 스타트 펄스(SSP2)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 제2 주사 스테이지 회로(SST21)는 스타트 펄스(SSP2)를 공급받고, 나머지 제2 주사 스테이지 회로들(SST22~SST2j)은 이전 주사 스테이지 회로의 출력 신호를 공급받을 수 있다.
또한, 제2 주사 구동부(220)의 마지막 주사 스테이지 회로(SST2j)는 제1 주사 구동부(210)의 첫번째 주사 스테이지 회로(SST11)로 출력 신호를 공급할 수 있다.
제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)은 각각 제1 구동 전원(VDD1)과 제2 구동 전원(VSS1)을 공급받을 수 있다.
제1 클럭선(241)과 제2 클럭선(242)은 제1 주사 구동부(210)와 제2 주사 구동부(220)에 연결될 수 있다.
또한, 제1 클럭선(241)과 제2 클럭선(242)은 타이밍 제어부(270)와 연결되어, 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 제1 클럭 신호(CLK1)와 제2 클럭 신호(CLK2)를 제1 주사 구동부(210)와 제2 주사 구동부(220)로 전달할 수 있다.
이를 위하여, 제1 클럭선(241)과 제2 클럭선(242)은 제1 주변 영역(NA1) 및 제2 주변 영역(NA2)에 배치될 수 있다.
제1 클럭 신호(CLK1)와 제2 클럭 신호(CLK2)는 서로 다른 위상(phase)을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 클럭 신호(CLK2)는 제1 클럭 신호(CLK1)와 180도의 위상 차이를 가질 수 있다.
도 4에서는 제1 주사 구동부(210)와 제2 주사 구동부(220)가 동일한 클럭선들(241, 242)을 공유하는 경우를 도시하였으나 이에 제한되지 않으며, 제1 주사 구동부(210)와 제2 주사 구동부(220)는 서로 분리된 클럭선들과 각각 연결될 수 있다.
또한, 도 4에서는 주사 구동부들(210, 220)이 각각 2개의 클럭 신호들(CLK1, CLK2)을 이용하는 것을 도시하였으나, 주사 스테이지 회로의 구조에 따라 상기 주사 구동부들(210, 220)이 이용하는 클럭 신호의 수는 변화될 수 있다.
다만, 제1 로드 매칭부들(LM21~LM2j)에는 제1 클럭선(241)과 제2 클럭선(242)이 연결되지 않을 수 있다.
제1 발광 구동부(310)는 다수의 제1 발광 스테이지 회로들(EST11~EST1k)를 포함할 수 있다.
제1 발광 스테이지 회로들(EST11~EST1k)은 각각 제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k)의 일단에 연결되고, 이를 통해 제1 발광 제어선들(E11~E1k)로 제1 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
이때, 제1 발광 스테이지 회로들(EST11~EST1k)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK3, CLK4)에 대응하여 동작될 수 있다. 또한, 제1 발광 스테이지 회로들(EST11~EST1k)은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
제1 발광 스테이지 회로들(EST11~EST1k)은 이전 발광 스테이지 회로의 출력 신호(즉, 발광 제어 신호) 또는 스타트 펄스(SSP3)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 제1 발광 스테이지 회로(EST11)는 스타트 펄스(SSP3)를 공급받고, 나머지 제1 발광 스테이지 회로들(EST12~EST1k)은 이전 발광 스테이지 회로의 출력 신호를 공급받을 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 발광 구동부(310)의 첫번째 제1 발광 스테이지 회로(EST11)는 제2 발광 구동부(320)의 마지막 주사 스테이지 회로(EST2j)로부터 출력되는 신호를 스타트 펄스로 사용할 수 있다.
제1 발광 스테이지 회로들(EST11~EST1k)은 각각 제3 구동 전원(VDD2)과 제4 구동 전원(VSS2)을 공급받을 수 있다.
여기서, 제3 구동 전원(VDD2)은 게이트 오프 전압, 예를 들면 하이 레벨의 전압으로 설정될 수 있다. 그리고, 제4 구동 전원(VSS2)은 게이트 온 전압, 예를 들면 로우 레벨의 전압으로 설정될 수 있다.
또한, 제3 구동 전원(VDD2)은 제1 구동 전원(VDD1)과 동일한 전압을 가질 수 있고, 제4 구동 전원(VSS2)은 제2 구동 전원(VSS1)과 동일한 전압을 가질 수 있다.
제2 발광 구동부(320)는 다수의 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST2j)을 포함할 수 있다.
제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST2j)은 각각 제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j)의 일단에 연결되고, 이를 통해 제2 발광 제어선들(E21~E2j)로 제2 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
이때, 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST2j)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK3, CLK4)에 대응하여 동작될 수 있다. 또한, 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST2j)은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST2j)은 이전 발광 스테이지 회로의 출력 신호(즉, 발광 제어 신호) 또는 스타트 펄스(SSP4)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 제2 발광 스테이지 회로(EST21)는 스타트 펄스(SSP4)를 공급받고, 나머지 제2 발광 스테이지 회로들(EST22~EST2j)은 이전 발광 스테이지 회로의 출력 신호를 공급받을 수 있다.
또한, 제2 발광 구동부(320)의 마지막 발광 스테이지 회로(EST2j)는 제1 발광 구동부(310)의 첫번째 발광 스테이지 회로(EST11)로 출력 신호를 공급할 수 있다.
제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST2j)은 각각 제3 구동 전원(VDD2)과 제4 구동 전원(VSS2)을 공급받을 수 있다.
제3 클럭선(243)과 제4 클럭선(244)은 제1 발광 구동부(310)와 제2 발광 구동부(320)에 연결될 수 있다.
또한, 제3 클럭선(243)과 제4 클럭선(244)은 타이밍 제어부(270)와 연결되어, 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 제3 클럭 신호(CLK3)와 제4 클럭 신호(CLK4)를 제1 발광 구동부(310)와 제2 발광 구동부(320)로 전달할 수 있다.
이를 위하여, 제3 클럭선(243)과 제4 클럭선(244)은 제1 주변 영역(NA1) 및 제2 주변 영역(NA2)에 배치될 수 있다.
제3 클럭 신호(CLK3)와 제4 클럭 신호(CLK4)는 서로 다른 위상(phase)을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 클럭 신호(CLK3)는 제4 클럭 신호(CLK4)와 180도의 위상 차이를 가질 수 있다.
도 4에서는 제1 발광 구동부(310)와 제2 발광 구동부(320)가 동일한 클럭선들(243, 244)을 공유하는 경우를 도시하였으나 이에 제한되지 않으며, 제1 발광 구동부(310)와 제2 발광 구동부(320)는 서로 분리된 클럭선들과 각각 연결될 수 있다.
또한, 도 4에서는 발광 구동부들(310, 320)이 각각 2개의 클럭 신호들(CLK3, CLK4)을 이용하는 것을 도시하였으나, 발광 스테이지 회로의 구조에 따라 상기 발광 구동부들(310, 320)이 이용하는 클럭 신호의 수는 변화될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제3 주사 구동부(230)는 다수의 제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h) 및 다수의 제2 로드 매칭부들(LM31~LM3h)을 포함할 수 있다.
제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 각각 제2 로드 매칭부들(LM31~LM3j)의 일단에 연결될 수 있다. 제2 로드 매칭부들(LM31~LM3h) 각각은 제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h)의 일단에 연결되고, 이를 통해 제3 주사선들(S31~S3h)로 제3 주사 신호를 공급할 수 있다.
제2 로드 매칭부들(LM31~LM3h)은 제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)로부터 출력된 제3 주사 신호를 소정의 값만큼 지연시킬 수 있다. 제2 로드 매칭부들(LM31~LM3h) 각각은 저항과 커패시터로 이루어진 회로일 수 있으며, 상기 회로의 시정수 값만큼 제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)의 출력 신호를 지연시킬 수 있다.
예를 들어, 첫 번째 제2 로드 매칭부(LM31)는 첫 번째 제3 주사 스테이지 회로(SST31)로부터 출력된 신호를 지연시켜 첫 번째 제3 주사 라우팅 배선(R31)으로 공급할 수 있다.
이를 위하여, 제2 로드 매칭부들(LM31~LM3h)의 입력단은 제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)의 출력단과 전기적으로 연결되고, 제2 로드 매칭부들(LM31~LM3h)의 출력단은 제3 주사 라우팅 배선들(R31~R3h)의 일단에 연결될 수 있다.
각각의 제2 로드 매칭부들(LM31~LM3h)은, 인접한 제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h) 사이에 위치할 수 있다.
제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK5, CLK6)에 대응하여 동작될 수 있다. 또한, 제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 이전 주사 스테이지 회로의 출력 신호(즉, 주사 신호) 또는 스타트 펄스(SSP5)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 제3 주사 스테이지 회로(SST31)는 스타트 펄스(SSP5)를 공급받고, 나머지 제3 주사 스테이지 회로들(SST32~SST3h)은 이전 주사 스테이지 회로의 출력 신호를 공급받을 수 있다.
제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 각각 제1 구동 전원(VDD1)과 제2 구동 전원(VSS1)을 공급받을 수 있다.
제5 클럭선(245)과 제6 클럭선(246)은 제3 주사 구동부(230)에 연결될 수 있다.
또한, 제5 클럭선(245)과 제6 클럭선(246)은 타이밍 제어부(270)와 연결되어, 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 제5 클럭 신호(CLK5)와 제6 클럭 신호(CLK6)를 제3 주사 구동부(230)로 전달할 수 있다.
이를 위하여, 제5 클럭선(245)과 제6 클럭선(246)은 제1 주변 영역(NA1) 및 제3 주변 영역(NA3)에 배치될 수 있다.
제5 클럭 신호(CLK5)와 제6 클럭 신호(CLK6)는 서로 다른 위상(phase)을 가질 수 있다. 예를 들어, 제6 클럭 신호(CLK6)는 제5 클럭 신호(CLK5)와 180도의 위상차를 가질 수 있다.
다만, 제2 로드 매칭부들(LM31~LM3h)에는 제5 클럭선(245)과 제6 클럭선(246)이 연결되지 않을 수 있다.
도 5에서는 제3 주사 구동부(230)가 2개의 클럭 신호들(CLK5, CLK6)을 이용하는 것을 도시하였으나, 주사 스테이지 회로의 구조에 따라 상기 제3 주사 구동부(230)가 이용하는 클럭 신호의 수는 변화될 수 있다.
제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 앞서 설명한 제1 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k) 및 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)과 동일한 회로 구조를 가질 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 다수의 제3 발광 스테이지 회로들(EST31~EST3h)를 포함할 수 있다.
제3 발광 스테이지 회로들(EST31~EST3h)은 각각 제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h)의 일단에 연결되고, 이를 통해 제3 발광 제어선들(E31~E3h)로 제3 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
이때, 제3 발광 스테이지 회로들(EST31~EST3h)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK7, CLK8)에 대응하여 동작될 수 있다. 또한, 제3 발광 스테이지 회로들(EST31~EST3h)은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
제3 발광 스테이지 회로들(EST31~EST3h)은 이전 발광 스테이지 회로의 출력 신호(즉, 발광 제어 신호) 또는 스타트 펄스(SSP6)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 제3 발광 스테이지 회로(EST31)는 스타트 펄스(SSP6)를 공급받고, 나머지 제3 발광 스테이지 회로들(EST32~EST3h)은 이전 발광 스테이지 회로의 출력 신호를 공급받을 수 있다.
제3 발광 스테이지 회로들(EST31~EST3h)은 각각 제3 구동 전원(VDD2)과 제4 구동 전원(VSS2)을 공급받을 수 있다.
제7 클럭선(247)과 제8 클럭선(248)은 제3 발광 구동부(330)에 연결될 수 있다.
또한, 제7 클럭선(247)과 제8 클럭선(248)은 타이밍 제어부(270)와 연결되어, 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 제7 클럭 신호(CLK7)와 제8 클럭 신호(CLK8)를 제3 발광 구동부(330)로 전달할 수 있다.
이를 위하여, 제7 클럭선(247)과 제8 클럭선(248)은 제1 주변 영역(NA1) 및 제3 주변 영역(NA3)에 배치될 수 있다.
제7 클럭 신호(CLK7)와 제8 클럭 신호(CLK8)는 서로 다른 위상(phase)을 가질 수 있다. 예를 들어, 제8 클럭 신호(CLK8)는 제7 클럭 신호(CLK7)와 180도의 위상차를 가질 수 있다.
도 5에서는 제3 발광 구동부(330)가 2개의 클럭 신호들(CLK7, CLK8)을 이용하는 것을 도시하였으나, 발광 스테이지 회로의 구조에 따라 상기 제3 발광 구동부(330)가 이용하는 클럭 신호의 수는 변화될 수 있다.
제3 발광 스테이지 회로들(EST31~EST3h)은 앞서 설명한 제1 발광 스테이지 회로들(EST11~EST1k) 및 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST2j)과 동일한 회로 구조를 가질 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 주사 구동부 및 발광 구동부의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다. 특히, 도 6에서는 제2 주변 영역(NA2)에 배치되는 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST25), 제1 로드 매칭부들(LM21~LM25) 및 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25)이 예시적으로 도시되었다.
도 6을 참조하면, 제2 주변 영역(NA2)의 코너부는 곡선 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 주변 영역(NA2) 중 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST25)과 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25)이 배치되는 영역은 도 6에 도시된 바와 같이 소정의 곡률을 가지며 휘어진 형상을 가질 수 있다.
이에 대응하는 제2 화소 영역(AA2)의 코너부 역시 곡선 형상을 가질 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)의 코너부가 곡선 형상을 가질 수 있도록, 제2 화소 영역(AA2)의 화소 행들은 제1 화소 영역(AA1)으로부터 멀어질수록 적은 개수의 화소들(PXL2)을 포함할 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)에 배열된 화소 행들의 길이가 제1 화소 영역(AA1)으로부터 멀어질수록 짧아지되, 동일한 비율로 그 길이가 감소할 필요는 없으며, 제2 화소 영역(AA2)의 코너부를 형성하는 곡선의 곡률에 따라 각 화소 행에 포함된 화소들(PXL2)의 개수는 다양하게 변할 수 있다.
제1 주변 영역(NA1)의 경우 직선 형상을 가질 수 있으며, 이 경우 제1 화소 영역(AA1)은 사각 형상을 가질 수 있다.
이에 따라, 제1 화소 영역(AA1)의 화소 행들은 모두 동일한 개수의 화소들(PXL1)을 포함할 수 있다.
제1 주변 영역(NA1)과 달리 제2 주변 영역(NA2)은 곡선 형상을 가지므로, 데드 스페이스인 제2 주변 영역(NA2)의 효율적인 사용을 위하여 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST25)과 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25)의 배치 구조를 제1 주변 영역(NA1)과 상이하게 설정할 필요가 있다.
예를 들어, 제1 주사 스테이지 회로들 간의 간격이 일정하게 설정되는 반면, 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST25)의 간격은 제1 주사 스테이지 회로들의 간격보다 크게 설정될 수 있다.
또한, 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST25)의 간격은 위치에 따라 상이하게 설정될 수도 있다.
예를 들어, 서로 인접한 어느 한 쌍의 제2 주사 스테이지 회로들(SST23, SST24)의 간격과 서로 인접한 다른 한 쌍의 제2 주사 스테이지 회로들(SST21, SST22)의 간격은 상이하게 설정될 수 있다.
또한, 제1 주사 스테이지 회로들이 화소 행과 거의 평행하도록 배치되는 반면, 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST25)은 제1 주사 스테이지 회로들에 비하여 소정의 기울기를 갖도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST25)의 기울기는 제1 주변 영역(NA1)으로부터 멀어질수록 증가할 수 있다.
제1 로드 매칭부들(LM21~LM25)은 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST25) 사이 사이에 위치할 수 있다.
예를 들어, 첫 번째 제1 로드 매칭부(LM21)는 첫 번째 제2 주사 스테이지 회로(SST21)와 두 번째 제2 주사 스테이지 회로(SST22) 사이에 위치할 수 있다.
또한, 두 번째 제1 로드 매칭부(LM22)는 두 번째 제2 주사 스테이지 회로(SST22)와 세 번째 제2 주사 스테이지 회로(SST23) 사이에 위치할 수 있다.
도 1을 참조하여 상술한 바와 같이, 제1 화소 영역(AA1)의 폭(W1)은 제2 화소 영역(AA2)의 폭(W2)보다 길다. 따라서, 주사선들(S11~S1k, S21~S2j)이 폭 방향을 따라 연장되어 형성된 경우, 제1 주사선들(S11~S1k)의 길이가 제2 주사선들(S21~S2j)보다 길다.
이 경우, 제1 주사선들(S11~S1k)의 로드 값은 제2 주사선들(S21~S2j)의 로드 값보다 크게 되고, 이러한 로드 값의 차이는 휘도의 차이를 야기한다. 예를 들어, 제1 화소 영역(AA1)과 제2 화소 영역(AA2) 간 경계선에 가로줄이 시인되는 문제점이 발생한다.
다만, 본 발명의 실시예에 의한 표시 장치(10)는 상기 로드 값 차이를 보상하기 위한 로드 매칭부들(LM21~LM25)을 구비하므로 상술한 문제점을 해결할 수 있다.
또한, 로드 매칭부들(LM21~LM25)은, 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST25)들 사이에 형성된 여유 공간에 구비되므로, 제2 주변 영역(NA2)의 공간 활용성을 높일 수 있다.
한편, 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25) 역시 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST25)과 동일한 형태로 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 스테이지 회로들 간의 간격이 일정하게 설정되는 반면, 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25)의 간격은 제1 발광 스테이지 회로들의 간격보다 크게 설정될 수 있다.
또한, 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25)의 간격은 위치에 따라 상이하게 설정될 수도 있다.
예를 들어, 서로 인접한 어느 한 쌍의 제2 발광 스테이지 회로들(EST23, EST24)의 간격과 서로 인접한 다른 한 쌍의 제2 발광 스테이지 회로들(EST21, EST22)의 간격은 상이하게 설정될 수 있다.
구체적으로, 상기 다른 한 쌍의 제2 발광 스테이지 회로들(EST21, EST22)의 간격은 상기 어느 한 쌍의 제2 발광 스테이지 회로들(EST23, EST24)의 간격 보다 크게 설정될 수 있다.
또한, 제1 발광 스테이지 회로들이 화소 행과 거의 평행하도록 배치되는 반면, 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25)은 제1 발광 스테이지 회로들에 비하여 소정의 기울기를 갖도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25)의 기울기는 제1 주변 영역(NA1)으로부터 멀어질수록 증가할 수 있다.
한편, 도 6에는 도시되지 않았으나, 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25) 사이에는 더미 발광 스테이지 회로들이 구비될 수 있다.
예를 들어, 더미 발광 스테이지 회로들은 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25) 사이 사이에 위치할 수 있으며, 서로 인접한 제2 발광 스테이지 사이에 배치된 더미 발광 스테이지 회로들의 개수는 위치에 따라 상이할 수 있다.
더미 발광 스테이지 회로들은 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST25)과 동일한 회로 구조를 가질 수 있으나, 클럭선들(243, 244)과 연결되지 않으므로 발광 제어 신호의 출력 동작은 이루어지지 않는다.
한편, 제3 주변 영역(NA3)에 배치되는 제3 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h), 제2 로드 매칭부(LM31~LM3h) 및 제3 발광 스테이지 회로들(EST31~EST3h)은, 제2 주변 영역(NA2)에 배치되는 제2 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j), 제1 로드 매칭부들(LM21~LM2j) 및 제2 발광 스테이지 회로들(EST21~EST2j)과 좌우 대칭이 되도록 배치될 수 있다.
또한, 제3 발광 스테이지 회로들(EST31~EST3h) 사이에도 더미 발광 스테이지 회로들이 구비될 수 있다.
도 7은 도 4 및 도 5에 도시된 로드 매칭부의 구성을 나타내는 평면도이고, 도 8은 도 7의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 각각의 로드 매칭부(LM21~LM2j, LM31~LM3h)는 제1 지연 패턴(DR)과 제2 지연 패턴(DP)을 포함할 수 있다.
제1 지연 패턴(DR)은 제1 절연층(IL1) 상에 위치하며, 적어도 일부가 굽은 형상을 가질 수 있다. 제1 지연 패턴(DR)은 주사선들(S21~S2j, S31~S3h)과 동일한 층에 위치할 수 있다.
제1 지연 패턴(DR)은 로드 매칭부(LM21~LM2j, LM31~LM3h)의 지연 저항으로 기능할 수 있다.
제1 지연 패턴(DR)은 입력단(INT)과 출력단(OPT)을 포함할 수 있다. 입력단(INT)은 주사 스테이지 회로(SST21~SST2j, SST31~SST3h)의 출력단과 연결되며, 출력단(OPT)은 주사 라우팅 배선(R21~R2j, R51~R5h)을 통해 주사선들(S21~S2j, S31~S3h)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 지연 패턴(DP)은 제1 지연 패턴(DR)과 상이한 층에 위치하며 사각형의 판 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 지연 패턴(DR) 상에 제2 절연층(IL2)이 위치하고, 제2 지연 패턴(DP)은 제2 절연층(IL2) 상에 위치할 수 있다.
제1 지연 패턴(DR)과 제2 지연 패턴(DP)은 서로 상이한 층에서 중첩될 수 있다. 따라서, 제1 지연 패턴(DR)과 제2 지연 패턴(DP)은 지연 커패시터(Cd)를 형성할 수 있다.
제1 지연 패턴(DR)과 제2 지연 패턴(DP)이 지연 커패시터(Cd)를 형성할 수 있도록, 제2 지연 패턴(DP)으로 제1 구동 전원(VDD1) 또는 제2 구동 전원(VSS1)이 공급될 수 있다.
제2 지연 패턴(DP)은 제1 구동 전원(VDD1)을 공급하는 전원선의 일부일 수 있다. 또는 제2 지연 패턴(DP)은 소정의 배선을 통해 제1 구동 전원(VDD1)을 공급하는 전원선과 전기적으로 연결될 수도 있다.
또는, 제2 지연 패턴(DP)은 제2 구동 전원(VSS1)을 공급하는 전원선의 일부일 수 있다. 또는 제2 지연 패턴(DP)은 소정의 배선을 통해 제2 구동 전원(VSS1)을 공급하는 전원선과 전기적으로 연결될 수도 있다.
로드 매칭부(LM21~LM2j, LM31~LM3h)는, 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j, SST31~SST3h)의 출력 신호를, 지연 저항과 지연 커패시터(Cd)에 의한 RC 딜레이 값만큼 지연한다.
제2 화소 영역(AA2)에 배열된 화소 행들의 길이가 제1 화소 영역(AA1)으로부터 멀어질수록 짧아질 수 있다. 또한, 제3 화소 영역(AA3)에 배열된 화소 행들의 길이가 제1 화소 영역(AA1)으로부터 멀어질수록 짧아질 수 있다.
즉, 첫 번째 제2 주사선(S21)의 길이는 마지막 제2 주사선(S2j)보다 짧을 수 있으며, 이 경우 첫 번째 제1 로드 매칭부(LM21)의 RC 딜레이 값이 마지막 제1 로드 매칭부(LM2j)의 RC 딜레이 값보다 크도록 설정될 수 있다.
또한, 첫 번째 제3 주사선(S31)의 길이는 마지막 제3 주사선(S3h)보다 짧을 수 있으며, 이 경우 첫 번째 제2 로드 매칭부(LM31)의 RC 딜레이 값이 마지막 제2 로드 매칭부(LM3h)의 RC 딜레이 값보다 크도록 설정될 수 있다.
즉, 제1 화소 영역(AA1) 또는 제1 주변 영역(NA1)으로부터 먼 거리에 배치된 로드 매칭부일수록 RC 딜레이 값이 크도록 설정될 수 있다.
로드 매칭부(LM21~LM2j, LM31~LM3h)의 RC 딜레이 값은 지연 저항 값과 지연 커패시터(Cd) 값을 제어함으로써 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 지연 패턴(DR)의 길이 또는 굵기 등을 조절하여 로드 매칭부(LM21~LM2j, LM31~LM3h)의 지연 저항 값을 조절할 수 있다.
또한, 제1 지연 패턴(DR)과 제2 지연 패턴(DP)이 중첩되는 면적의 크기를 조절하여, 지연 커패시터(Cd)의 커패시턴스 값을 조절할 수 있다.
도 9는 도 2에 도시된 표시 장치의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 9에서는 상술한 실시예(예를 들어, 도 3)와 비교하여 변경된 부분을 중심으로 설명을 진행하며, 상술한 실시예와 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하도록 한다. 이에 따라, 여기서는 정전기 방지 회로(510, 520, 530)을 중심으로 설명을 진행하도록 한다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 표시 장치는, 정전기 방지 회로(510, 520, 530)를 더 포함할 수 있다.
제1 정전기 방지 회로(510)는 제1 주사 구동부(210)와 제1 화소들(PXL1) 사이에 위치하며, 제1 주사선들(S11~S1k)과 연결될 수 있다.
제1 정전기 방지 회로(510)는, 표시 장치에 구비된 배선들에 순간적으로 고전압(예를 들어, 정전기)이 유입되면, 유입된 고전압을 제1 주사선들(S11~S1k) 전체로 분산시키는 기능을 수행할 수 있다.
제2 정전기 방지 회로(520)는 제2 주사 구동부(220)와 제2 화소들(PXL2) 사이에 위치하며, 제2 주사선들(S21~S2j)과 연결될 수 있다.
제2 정전기 방지 회로(520)는, 표시 장치에 구비된 배선들에 순간적으로 고전압(예를 들어, 정전기)이 유입되면, 유입된 고전압을 제2 주사선들(S21~S2j) 전체로 분산시키는 기능을 수행할 수 있다.
제2 정전기 방지 회로(520)는 제1 정전기 방지 회로(510)와 동일한 회로로 구현될 수 있다.
제3 정전기 방지 회로(530)는 제3 주사 구동부(230)와 제3 화소들(PXL3) 사이에 위치하며, 제3 주사선들(S31~S3h)과 연결될 수 있다.
제3 정전기 방지 회로(530)는, 표시 장치에 구비된 배선들에 순간적으로 고전압(예를 들어, 정전기)이 유입되면, 유입된 고전압을 제3 주사선들(S31~S3h) 전체로 분산시키는 기능을 수행할 수 있다.
제3 정전기 방지 회로(530)는 제1 정전기 방지 회로(510)와 동일한 회로로 구현될 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 10에서는 상술한 실시예(예를 들어, 도 2)와 비교하여 변경된 부분을 중심으로 설명을 진행하며, 상술한 실시예와 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하도록 한다. 이에 따라, 여기서는 제4 화소 영역(AA4)과 제4 주변 영역(NA4)을 중심으로 설명을 진행하도록 한다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 표시 장치(10')는 화소 영역(AA1, AA2, AA3, AA4), 주변 영역(NA1, NA2, NA3, NA4), 및 화소들(PXL1, PXL2, PXL3, PXL4)을 포함할 수 있다.
제4 화소 영역(AA4)은 제1 화소 영역(AA1)의 일측에 위치할 수 있으며, 제1 화소 영역(AA1)을 사이에 두고 제2 화소 영역(AA2) 및 제3 화소 영역(AA3)과 이격되어 위치할 수 있다.
제4 화소 영역(AA4)은 제1 화소 영역(AA1)에 비하여 작은 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 제4 화소 영역(AA4)의 길이(L4)는 제1 화소 영역(AA1)의 길이(L1)에 비해 작게 설정될 수 있다.
제4 주변 영역(NA4)은 제4 화소 영역(AA4)의 외측에 존재할 수 있으며, 제4 화소 영역(AA4)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제4 주변 영역(NA4)과 제1 주변 영역(NA1)은 기판(100')의 형태에 따라 서로 연결되거나, 연결되지 않을 수 있다.
주변 영역(NA1, NA2, NA3, NA4)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 주변 영역(NA1, NA2, NA3, NA4)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
화소들(PXL1, PXL2, PXL3, PXL4)은 제1 화소들(PXL1), 제2 화소들(PXL2), 제3 화소들(PXL3) 및 제4 화소들(PXL4)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 영역(AA1)에 위치하고, 제2 화소들(PXL2)은 제2 화소 영역(AA2)에 위치하며, 제3 화소들(PXL3)은 제3 화소 영역(AA3)에 위치하고, 제4 화소들(PXL4)은 제4 화소 영역(AA4) 에 위치할 수 있다.
제4 화소들(PXL4)은 제4 주변 영역(NA4)에 위치한 제4 주사 구동부(240) 및 제4 발광 구동부(340)의 제어에 따라 소정의 휘도로 발광할 수 있으며, 이를 위해 발광 소자(예를 들어, 유기 발광 다이오드)를 포함할 수 있다.
기판(100')은 상술한 화소 영역(AA1, AA2, AA3, AA4)과 주변 영역(NA1, NA2, NA3, NA4)이 설정될 수 있는 다양한 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 기판(100')은 판상의 베이스 기판(101), 상기 베이스 기판(101)의 일단부로부터 일측으로 돌출 연장되는 제1 보조판(102) 및 제2 보조판(103), 상기 베이스 기판(101)의 타단부로부터 연장되는 제4 보조판(104)을 포함할 수 있다.
제4 보조판(104)의 코너부는 경사진 형태 또는 곡선 형태를 가질 수 있다. 이에 대응하여 제4 화소 영역(AA4)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다. 예를 들어, 제4 화소 영역(AA4)의 코너부는 소정의 곡률을 갖는 곡선 형상을 가질 수 있다.
이 경우, 제4 주변 영역(NA4)은 제4 화소 영역(AA4)에 대응되도록 적어도 일부분이 곡선 형상을 가질 수 있다.
제4 화소 영역(AA4)의 형태 변화에 대응하여, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제4 화소들(PXL4)의 개수는 그 위치에 따라 변화될 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 영역(AA1)으로부터 멀어질수록 한 라인에 위치하는 제4 화소들(PXL4)의 개수는 작아질 수 있다.
제4 주사 구동부(240)는, 제2 주사 구동부(220)나 제3 주사 구동부(230)에 구비된 것과 같은 로드 매칭부들 포함할 수 있다.
제4 주사 구동부(240)에 구비된 로드 매칭부들은 제4 주사 스테이지 회로들 사이 사이에 위치할 수 있다. 이때, 제1 화소 영역(AA1)으로부터 먼 거리에 배치된 로드 매칭부일수록 RC 딜레이 값이 크도록 설정될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 표시 장치 100: 기판
210: 제1 주사 구동부 220: 제2 주사 구동부
230: 제3 주사 구동부 310: 제1 발광 구동부
320: 제2 발광 구동부 330: 제3 발광 구동부
AA1: 제1 화소 영역 AA2: 제2 화소 영역
AA3: 제3 화소 영역 NA1: 제1 주변 영역
NA2: 제2 주변 영역 NA3: 제3 주변 영역
PXL1: 제1 화소 PXL2: 제2 화소
PXL3: 제3 화소

Claims (16)

  1. 제1 화소 영역에 위치하며, 제1 주사선들과 연결되는 제1 화소들;
    상기 제1 화소 영역의 외측에 존재하는 제1 주변 영역에 위치하고, 상기 제1 주사선들로 제1 주사 신호를 공급하는 제1 주사 스테이지 회로들;
    상기 제1 화소 영역보다 작은 폭을 갖는 제2 화소 영역에 위치하며, 제2 주사선들과 연결되는 제2 화소들;
    상기 제2 화소 영역의 외측에 존재하는 제2 주변 영역에 위치하고, 제2 주사 신호를 생성하는 제2 주사 스테이지 회로들; 및
    상기 제2 주변 영역 상에서 상기 제2 주사 스테이지 회로들 사이에 위치하고, 상기 제2 주사 신호를 지연 시켜 상기 제2 주사선들로 공급하는 제1 로드 매칭부들을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 화소 영역의 적어도 하나의 모서리는 곡선 형상을 갖는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    하나의 수평 라인에 위치한 제2 화소들의 개수는, 상기 제1 화소 영역으로부터 멀어질수록 작아지는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 로드 매칭부는,
    제1 지연 패턴; 및
    절연층을 사이에 두고, 상기 제1 지연 패턴과 상이한 층에 위치한 제2 지연 패턴을 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 지연 패턴은,
    어느 하나의 제2 주사 스테이지 회로의 출력단과 연결되는 입력단; 및
    어느 하나의 제2 주사선과 전기적으로 연결되는 출력단을 포함하는 표시 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 지연 패턴 및 상기 제2 지연 패턴은 지연 커패시터를 형성하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 로드 매칭부는, 상기 제2 주사 신호를 상기 제1 지연 패턴 및 상기 제2 지연 패턴에 대응하는 시정수 값만큼 지연시키는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 주변 영역으로부터 멀리 위치한 제1 로드 매칭부일수록, 상기 시정수 값이 크게 설정되는 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 주사 스테이지 회로들 간 간격은, 상기 제1 주사 스테이지 회로들 간 간격보다 큰 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 화소 영역과 이격되어 위치하는 제3 화소 영역에 위치하며, 제3 주사선들과 연결되는 제3 화소들;
    상기 제3 화소 영역의 외측에 존재하는 제3 주변 영역에 위치하고, 제3 주사 신호를 생성하는 제3 주사 스테이지 회로들; 및
    상기 제3 주사 스테이지 회로들 사이에 위치하고, 상기 제3 주사 신호를 지연 시켜 상기 제3 주사선들로 공급하는 제2 로드 매칭부들을 더 포함하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제3 화소 영역은 상기 제1 화소 영역보다 작은 폭을 가지며,
    하나의 수평 라인에 위치한 제3 화소들의 개수는, 상기 제1 화소 영역으로부터 멀어질수록 작아지는 표시 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제3 주사 스테이지 회로들 간 간격은, 상기 제1 주사 스테이지 회로들 간 간격보다 큰 표시 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제2 로드 매칭부는,
    제1 지연 패턴; 및
    상기 제1 지연 패턴과 상이한 층에 위치하며, 상기 제1 지연 패턴과 커패시턴스를 형성하는 제2 지연 패턴을 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 로드 매칭부는, 상기 제3 주사 신호를 상기 제1 지연 패턴 및 상기 제2 지연 패턴에 대응하는 시정수 값만큼 지연시키는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 주변 영역으로부터 멀리 위치한 제2 로드 매칭부일수록, 상기 시정수 값이 크게 설정되는 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제1 주사선들과 연결되는 제1 정전기 방지 회로; 및
    상기 제2 주사선들과 연결되는 제2 정전기 방지 회로를 더 포함하는 표시 장치.
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