KR102548652B1 - 표시장치 및 이의 동작방법 - Google Patents

표시장치 및 이의 동작방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 제1 화소영역에 위치하는 제1 화소들; 상기 제1 화소영역과 폭이 상이한 제2 화소영역에 위치하는 제2 화소들; 및 영상 데이터를 보상하기 위한 데이터 보상부를 포함하고, 상기 데이터 보상부는, 제1 보상영역 및 상기 제1 보상영역과 상이한 제2 보상영역을 설정하고, 상기 제1 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 제1 블록 단위로 보상하고, 상기 제2 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 상기 제1 블록 단위와 상이한 제2 블록 단위로 보상하고, 상기 제1 보상영역은 상기 제2 화소영역을 포함할 수 있다.

Description

표시장치 및 이의 동작방법{A DISPLAY DEVICE AND A METHOD FOR OPERATING THE SAME}
본 발명의 실시예는 표시장치 및 이의 동작방법에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결매체인 표시장치의 중요성이 부각되고 있다. 최근에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device)와 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등이 널리 사용되고 있다.
이러한 표시장치는 다수의 화소들과 상기 화소들을 구동하기 위한 구동부들을 포함한다. 구동부들은 표시 장치에 실장될 수 있으며, 이 경우 표시 장치의 데드 스페이스(Dead space)가 발생될 수 있다.
각 화소에는 배선들과, 상기 배선들에 연결되며 표시 소자를 구동하기 위한 복수 개의 트랜지스터가 형성되어 있다. 상기 배선들은 길이에 따라 다른 정도의 로드 값을 가질 수 있으며, 로드 값 차이에 의하여 불균일한 휘도의 영상이 표시될 수 있다.
본 발명의 목적은 휘도차를 개선할 수 있도록 한 표시장치 및 그의 동작방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 데드 스페이스의 효율적인 사용이 가능한 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 제1 화소영역에 위치하는 제1 화소들; 상기 제1 화소영역과 폭이 상이한 제2 화소영역에 위치하는 제2 화소들; 및 영상 데이터를 보상하기 위한 데이터 보상부를 포함하고, 상기 데이터 보상부는, 제1 보상영역 및 상기 제1 보상영역과 상이한 제2 보상영역을 설정하고, 상기 제1 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 제1 블록 단위로 보상하고, 상기 제2 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 상기 제1 블록 단위와 상이한 제2 블록 단위로 보상하고, 상기 제1 보상영역은 상기 제2 화소영역을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 화소영역의 폭은 상기 제2 화소영역의 폭보다 클 수 있다.
또한, 상기 제1 블록 단위에 포함된 화소들의 수는 상기 제2 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 작을 수 있다.
또한, 상기 데이터 보상부는, 상기 제1 보상영역 및 상기 제2 보상영역과 상이한 제3 보상영역을 더 설정하고, 상기 제3 보상영역은 상기 제1 보상영역 및 상기 제2 보상영역 사이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 데이터 보상부는, 상기 제3 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 제3 블록 단위로 보상하고, 상기 제3 블록 단위에 포함된 화소들의 수는 상기 제2 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 작고, 상기 제1 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 클 수 있다.
또한, 상기 제1 블록 단위에 포함된 화소는 1개이고, 상기 제2 블록 단위에 포함된 화소들은 5개 이상이고, 상기 제3 블록 단위에 포함된 화소들은 2개 이상, 4개 이하일 수 있다.
또한, 상기 데이터 보상부는, 휘도 이미지를 기초로 적어도 하나의 결함화소가 위치한 결함영역을 검출하고, 상기 제1 보상영역은 상기 결함영역을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 결함화소는 동일한 데이터 신호가 공급될 때, 정상화소 보다 높거나 낮은 휘도의 광을 발광할 수 있다.
또한, 상기 데이터 보상부는, 상기 휘도 이미지를 기초로, 상기 결함화소의 위치 좌표에 관한 정보를 포함하는 결함정보를 생성하는 결함영역 검출기; 상기 제2 화소들의 위치 좌표에 관한 정보를 포함하는 보상정보를 저장하는 저장부; 및 상기 결함정보 및 상기 보상정보를 기초로 상기 제1 보상영역 및 상기 제2 보상영역을 설정하고, 상기 제1 보상영역 및 상기 제2 보상영역의 위치에 관한 영역정보를 생성하는 영역 설정기를 포함할 수 있다.
또한, 상기 데이터 보상부는, 상기 영역정보를 기초로 보상 데이터를 생성하는 보상 데이터 생성기; 및 상기 보상 데이터를 기초로 상기 영상 데이터를 보상하는 보상기를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 보상 데이터 생성기는, 상기 영역정보를 기초로, 상기 휘도 이미지를 상기 제1 보상영역에 상응하는 제1 서브 이미지 및 상기 제2 보상영역에 상응하는 제2 서브 이미지로 분리하는 데이터 분리기; 상기 제1 서브 이미지를 상기 제1 블록 단위로 비교 처리 보상하여, 제1 서브 데이터를 생성하는 제1 서브 생성기; 상기 제2 서브 이미지를 상기 제2 블록 단위로 비교 처리 보상하여, 제2 보상 데이터를 생성하는 제2 서브 생성기; 및 상기 제1 서브 데이터 및 상기 제2 서브 데이터를 병합하여, 상기 보상 데이터를 생성하는 데이터 병합기를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 화소영역은 상기 제1 화소영역의 일측에 위치할 수 있다.
또한, 상기 표시장치는, 상기 제1 화소영역과 폭이 상이한 제3 화소영역에 위치하는 제3 화소들을 더 포함하고, 상기 제2 화소영역과 상기 제3 화소 영역은 서로 이격되어 위치할 수 있다.
또한, 상기 제1 보상영역은 상기 제2 보상영역을 전체적으로 에워쌀 수 있다.
또한, 상기 제1 보상영역은 상기 제2 보상영역을 부분적으로 에워 쌀 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따라 제1 화소영역에 위치하는 제1 화소들; 상기 제1 화소영역과 폭이 상이한 제2 화소영역에 위치하는 제2 화소들; 및 영상 데이터를 보상하기 위한 데이터 보상부를 포함하는 표시장치에 있어서, 상기 표시장치의 동작방법은 상기 영상 데이터를 수신하는 단계; 제1 보상영역 및 상기 제1 보상영역과 상이한 제2 보상영역을 설정하는 단계; 상기 제1 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 제1 블록 단위로 보상하는 단계; 및 상기 제2 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 상기 제1 블록 단위와 상이한 제2 블록 단위로 보상하는 단계를 포함하고, 상기 제1 보상영역은 상기 제2 화소영역을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 보상영역 및 상기 제2 보상영역과 상이한 제3 보상영역을 더 설정하는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 보상영역은 상기 제1 보상영역 및 상기 제2 보상영역 사이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 제3 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 제3 블록 단위로 보상하는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 블록 단위에 포함된 화소들의 수는 상기 제2 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 작고, 상기 제1 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 클 수 있다.
또한, 휘도 이미지를 수신하는 단계; 및 상기 휘도 이미지를 기초로 적어도 하나의 결함화소가 위치한 결함영역을 검출하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 보상영역은 상기 결함영역을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 폭이 상이한 화소영역들 각각으로 서로 다른 블록단위로 데이터를 보상함으로써, 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있는 표시장치 및 이의 동작방법을 제공할 수 있다.
또한, 데드 스페이스의 효율적인 사용이 가능한 표시장치 및 이의 동작방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 화소영역들을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 구성을 상세하게 나타낸 도면이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 4b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 데이터 보상부를 상세하게 나타내는 블록도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 동작방법을 나타내는 도면이다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 동작방법을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 동작방법을 나타내는 순서도이다.
이하 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 실시예 및 그 밖에 당업자가 본 발명의 내용을 쉽게 이해하기 위하여 필요한 사항에 대하여 상세히 기재한다. 다만, 본 발명은 청구범위에 기재된 범위 안에서 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으므로 하기에 설명하는 실시예는 표현 여부에 불구하고 예시적인 것에 불과하다.
즉, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호 및 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 화소영역들을 나타낸 도면이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 실시예에 의한 표시장치(10)는 화소영역(AA1, AA2, AA3), 주변 영역(NA1, NA2, NA3), 및 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)을 포함할 수 있다.
화소영역(AA1, AA2, AA3)에는 다수의 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)이 위치하며, 이에 따라 화소영역(AA1, AA2, AA3)에서는 소정의 영상이 표시될 수 있다. 따라서, 화소영역(AA1, AA2, AA3)은 표시 영역으로 지칭될 수 있다.
주변 영역(NA1, NA2, NA3)에는 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)을 구동하기 위한 구성 요소들(예컨대, 구동부 및 배선 등)이 위치할 수 있다. 주변 영역(NA1, NA2, NA3)에는 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)이 존재하지 않으므로, 상기 주변 영역(NA1, NA2, NA3)은 비표시 영역으로 지칭될 수 있다.
예컨대, 주변 영역(NA1, NA2, NA3)은 화소영역(AA1, AA2, AA3)의 외측에 존재할 수 있으며, 화소영역(AA1, AA2, AA3)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
화소영역(AA1, AA2, AA3)은 제1 화소영역(AA1), 제2 화소영역(AA2) 및 제3 화소영역(AA3)을 포함할 수 있다.
제2 화소영역(AA2)과 제3 화소영역(AA3)은 제1 화소영역(AA1)의 일측에 위치할 수 있다. 이때, 제2 화소영역(AA2)과 제3 화소영역(AA3)은 서로 이격되어 위치할 수 있다.
제1 화소영역(AA1)은 제2 화소영역(AA2)과 제3 화소영역(AA3)에 비해 가장 큰 면적을 가질 수 있다.
예컨대, 제1 화소영역(AA1)의 폭(W1)은 다른 화소영역(AA2, AA3)의 폭(W2, W3)에 비해 크게 설정되고, 제1 화소영역(AA1)의 길이(L1)는 다른 화소영역(AA2, AA3)의 길이(L2, L3)에 비해 크게 설정될 수 있다.
또한, 제2 화소영역(AA2)과 제3 화소영역(AA3)은 각각 제1 화소영역(AA1) 보다 작은 면적을 가질 수 있고, 서로 동일한 면적 또는 서로 다른 면적을 가질 수 있다.
예컨대, 제2 화소영역(AA2)의 폭(W2)은 제3 화소영역(AA3)의 폭(W3)과 동일하거나 다르게 설정될 수 있고, 제2 화소영역(AA2)의 길이(L2)는 제3 화소영역(AA3)의 길이(L3)와 동일하거나 다르게 설정될 수 있다.
주변 영역(NA1, NA2, NA3)은 제1 주변 영역(NA1), 제2 주변 영역(NA2) 및 제3 주변 영역(NA3)을 포함할 수 있다.
제1 주변 영역(NA1)은 제1 화소영역(AA1)의 주변에 존재하며, 제1 화소영역(AA1)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제1 주변 영역(NA1)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 주변 영역(NA1)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
제2 주변 영역(NA2)은 제2 화소영역(AA2)의 주변에 존재하며, 제2 화소영역(AA2)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제2 주변 영역(NA2)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 주변 영역(NA2)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
제3 주변 영역(NA3)은 제3 화소영역(AA3)의 외측에 존재할 수 있으며, 상기 제3 화소영역(AA3)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제3 주변 영역(NA3)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제3 주변 영역(NA3)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
제2 주변 영역(NA2)과 제3 주변 영역(NA3)은 기판(100)의 형태에 따라 서로 연결되거나, 연결되지 않을 수 있다.
주변 영역(NA1, NA2, NA3)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 주변 영역(NA1, NA2, NA3)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
화소들(PXL1, PXL2, PXL3)은 제1 화소들(PXL1), 제2 화소들(PXL2) 및 제3 화소들(PXL3)을 포함할 수 있다.
예컨대, 제1 화소들(PXL1)은 제1 화소영역(AA1)에 위치하고, 제2 화소들(PXL2)은 제2 화소영역(AA2)에 위치하며, 제3 화소들(PXL3)은 제3 화소영역(AA3)에 위치할 수 있다.
화소들(PXL1, PXL2, PXL3)은 주변 영역(NA1, NA2, NA3)에 위치한 구동부들의 제어에 따라 소정의 휘도로 발광할 수 있으며, 이를 위해 발광 소자(예컨대, 유기 발광 다이오드)를 포함할 수 있다.
화소영역(AA1, AA2, AA3)과 주변 영역(NA1, NA2, NA3)은 표시장치(10)의 기판(100) 상에 정의될 수 있다.
기판(100)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(100)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예컨대, 기판(100)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
다만, 기판(100)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 유리 섬유 강화플라스틱(FRP, Fiber glass reinforced plastic) 등으로도 이루어질 수 있다.
기판(100)은 상술한 화소영역(AA1, AA2, AA3)과 주변 영역(NA1, NA2, NA3)이 설정될 수 있는 다양한 형태로 형성될 수 있다.
예컨대, 기판(100)은 판상의 베이스 기판(101), 상기 베이스 기판(101)의 일 단부로부터 돌출 연장되는 제1 보조판(102) 및 제2 보조판(103)을 포함할 수 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 베이스 기판(101)과 일체로 형성될 수 있으며, 제1 보조판(102)과 제2 보조판(103) 사이에는 오목부(104)가 존재할 수 있다.
오목부(104)는 기판(100)의 일부가 제거된 영역으로서, 이로 인하여 제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 이격되어 위치할 수 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 각각 베이스 기판(101) 보다 작은 면적을 가질 수 있고, 서로 동일한 면적 또는 서로 다른 면적을 가질 수 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 화소영역(AA2, AA3)과 주변 영역(NA2, NA3)이 설정될 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
제1 화소영역(AA1)과 제1 주변 영역(NA1)은 베이스 기판(101)에서 정의될 수 있고, 제2 화소영역(AA2)과 제2 주변 영역(NA2)은 제1 보조판(102)에서 정의될 수 있으며, 제3 화소영역(AA3)과 제3 주변 영역(NA3)은 제2 보조판(103)에서 정의될 수 있다.
베이스 기판(101)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 베이스 기판(101)은 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 또한, 베이스 기판(101)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다.
예컨대, 베이스 기판(101)은 도 1에 도시된 것과 같이 사각 형상을 가질 수 있다.
또는, 베이스 기판(101)의 코너부는 경사진 형태 또는 곡선 형태로도 변형될 수도 있다.
베이스 기판(101)은 제1 화소영역(AA1)과 동일 또는 유사한 형태를 가질 수 있으나, 그에 제한되지는 않으며, 제1 화소영역(AA1)과 상이한 형태를 가질 수도 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103) 역시 다양한 형상을 가질 수 있다.
예컨대, 제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다.
오목부(104)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 오목부(104)는 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 또한, 오목부(104)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다.
제1 화소영역(AA1) 내지 제3 화소영역(AA3)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제1 화소영역(AA1) 내지 제3 화소영역(AA3) 각각은 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다.
도 1에서는 제1 화소영역(AA1)이 사각 형상을 갖는 경우를 예시적으로 도시하였다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 제1 화소영역(AA1)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수도 있으며, 특히 제1 화소영역(AA1)의 코너부는 소정의 곡률을 갖는 곡선 형상을 가질 수 있다.
또한, 도 1에서는 제2 화소영역(AA2)과 제3 화소영역(AA3)의 적어도 일부분이 곡선인 형상을 갖는 경우를 예시적으로 도시하였다. 다만 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 화소영역(AA2)과 제3 화소영역(AA3)은 사각 형상일 수도 있다.
이 경우, 제2 주변 영역(NA2)은 제2 화소영역(AA2)에 대응되도록 적어도 일부분이 곡선 형상을 가질 수 있다.
제2 화소영역(AA2)의 형태 변화에 대응하여, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제2 화소들(PXL2)의 개수는 그 위치에 따라 변화될 수 있다.
또한, 제3 주변 영역(NA3)은 제3 화소영역(AA3)에 대응되도록 적어도 일부분이 곡선 형상을 가질 수 있다.
제3 화소영역(AA3)의 형태 변화에 대응하여, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제3 화소들(PXL3)의 개수는 그 위치에 따라 변화될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시장치(10)는 기판(100), 제1 화소들(PXL1), 제2 화소들(PXL2), 제3 화소들(PXL3), 제1 주사 구동부(210), 제2 주사 구동부(220), 제3 주사 구동부(230), 제1 발광 구동부(310), 제2 발광 구동부(320), 및 제3 발광 구동부(330)를 포함할 수 있다.
제1 화소들(PXL1)은 제1 화소영역(AA1)에 위치하며, 각각 제1 주사선(S1), 제1 발광 제어선(E1), 및 제1 데이터선(D1)과 연결될 수 있다.
제1 주사 구동부(210)는 제1 주사선들(S1)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 제1 주사 신호를 공급할 수 있다.
예컨대, 제1 주사 구동부(210)는 제1 주사 신호를 순차적으로 제1 주사선들(S1)로 공급할 수 있다.
제1 주사 구동부(210)는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
예컨대, 제1 주사 구동부(210)는 제1 화소영역(AA1)의 일측(예컨대, 도 2를 기준으로 좌측)에 존재하는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
제1 주사 구동부(210)와 제1 주사선들(S1) 사이에는 제1 주사 라우팅 배선들(R1)이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제1 주사 구동부(210)는 제1 주사 라우팅 배선들(R1)을 통하여 제1 화소영역(AA1)에 위치하는 제1 주사선들(S1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 발광 구동부(310)는 제1 발광 제어선들(E1)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 제1 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
예컨대, 제1 발광 구동부(310)는 제1 발광 제어 신호를 순차적으로 제1 발광 제어선들(E1)로 공급할 수 있다.
제1 발광 구동부(310)는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
예컨대, 제1 발광 구동부(310)는 제1 화소영역(AA1)의 일측(예컨대, 도 2를 기준으로 좌측)에 존재하는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
도 2에서는 제1 발광 구동부(310)가 제1 주사 구동부(210)의 외측에 위치하는 것을 도시하였으나, 그와 반대로 제1 발광 구동부(310)가 제1 주사 구동부(210)의 내측에 위치할 수도 있다.
제1 발광 구동부(310)와 제1 발광 제어선들(E1) 사이에는 제1 발광 라우팅 배선들(미도시)이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제1 발광 구동부(310)는 제1 발광 라우팅 배선들(미도시)을 통하여 제1 화소영역(AA1)에 위치하는 제1 발광 제어선들(E1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 제1 화소들(PXL1)이 제1 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 제1 발광 구동부(310), 제1 발광 라우팅 배선들(미도시), 및 제1 발광 제어선들(E1)은 생략될 수 있다.
도 2에서는 제1 주사 구동부(210)와 제1 발광 구동부(310)가 제1 화소영역(AA1)의 좌측에 배치된 것으로 도시되었으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 제1 주사 구동부(210)와 제1 발광 구동부(310)가 제1 화소영역(AA1)의 우측에 배치될 수도 있고, 제1 화소영역(AA1)의 좌측 및 우측에 배치될 수도 있다.
제2 화소들(PXL2)은 제2 화소영역(AA2)에 위치하며, 각각 제2 주사선(S2), 제2 발광 제어선(E2), 및 제2 데이터선(D2)과 연결될 수 있다.
제2 주사 구동부(220)는 제2 주사선들(S2)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 제2 주사 신호를 공급할 수 있다.
예컨대, 제2 주사 구동부(220)는 제2 주사 신호를 순차적으로 제2 주사선들(S2)로 공급할 수 있다.
제2 주사 구동부(220)는 제2 주변 영역(NA2)에 위치할 수 있다.
예컨대, 제2 주사 구동부(220)는 제2 화소영역(AA2)의 일측(예컨대, 도 2를 기준으로 좌측)에 존재하는 제2 주변 영역(NA2)에 위치할 수 있다.
제2 주사 구동부(220)와 제2 주사선들(S2) 사이에는 제2 주사 라우팅 배선들(미도시)이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제2 주사 구동부(220)는 제2 주사 라우팅 배선들(미도시)을 통하여 제2 화소영역(AA2)에 위치하는 제2 주사선들(S2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 발광 구동부(320)는 제2 발광 제어선들(E2)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 제2 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
예컨대, 제2 발광 구동부(320)는 제2 발광 제어 신호를 순차적으로 제2 발광 제어선들(E2)에 공급할 수 있다.
제2 발광 구동부(320)는 제2 주변 영역(NA2)에 위치할 수 있다.
예컨대, 제2 발광 구동부(320)는 제2 화소영역(AA2)의 일측(예컨대, 도 2를 기준으로 좌측)에 존재하는 제2 주변 영역(NA2)에 위치할 수 있다.
도 2에서는 제2 발광 구동부(320)가 제2 주사 구동부(220)의 외측에 위치하는 것을 도시하였으나, 그와 반대로 제2 발광 구동부(320)는 제2 주사 구동부(220)의 내측에 위치할 수도 있다.
제2 발광 구동부(320)와 제2 발광 제어선들(E2) 사이에는 제2 발광 라우팅 배선들(미도시)이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제2 발광 구동부(320)는 제2 발광 라우팅 배선들(미도시)을 통하여 제2 화소영역(AA2)에 위치하는 제2 발광 제어선들(E2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 제2 화소들(PXL2)이 제2 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 제2 발광 구동부(320), 제2 발광 라우팅 배선들(미도시), 및 제2 발광 제어선들(E2)은 생략될 수 있다.
제2 화소영역(AA2)은 제1 화소영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제2 주사선(S2) 및 제2 발광 제어선(E2)의 길이는 제1 주사선(S1) 및 제1 발광 제어선(E1)에 비해 짧을 수 있다.
또한, 하나의 제2 주사선(S2)에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수는 하나의 제1 주사선(S1)에 연결된 제1 화소들(PXL1) 보다 적고, 하나의 제2 발광 제어선(E2)에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수는 하나의 제1 발광 제어선(E1)에 연결된 제1 화소들(PXL1) 보다 적을 수 있다.
제3 화소들(PXL3)은 제3 화소영역(AA3)에 위치하며, 각각 제3 주사선(S3), 제3 발광 제어선(E3), 및 제3 데이터선(D3)과 연결될 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주사선들(S3)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 주사 신호를 공급할 수 있다.
예컨대, 제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 신호를 순차적으로 제3 주사선들(S3)로 공급할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
예컨대, 제3 주사 구동부(230)는 제3 화소영역(AA3)의 일측(예컨대, 도 2를 기준으로 우측)에 존재하는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)와 제3 주사선들(S3) 사이에는 제3 주사 라우팅 배선들(미도시)이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 라우팅 배선들(미도시)을 통하여 제3 화소영역(AA3)에 위치하는 제3 주사선들(S3)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어선들(E3)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
예컨대, 제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어 신호를 순차적으로 제3 발광 제어선들(E3)에 공급할 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
예컨대, 제3 발광 구동부(330)는 제3 화소영역(AA3)의 일측(예컨대, 도 2를 기준으로 우측)에 존재하는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
도 2에서는 제3 발광 구동부(330)가 제3 주사 구동부(230)의 외측에 위치하는 것을 도시하였으나, 그와 반대로 제3 발광 구동부(330)가 제3 주사 구동부(230)의 내측에 위치할 수도 있다.
제3 발광 구동부(330)와 제3 발광 제어선들(E3) 사이에는 제3 발광 라우팅 배선들(미도시)이 연결될 수 있다.
이에 따라, 제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 라우팅 배선들(R6)을 통하여 제3 화소영역(AA3)에 위치하는 제3 발광 제어선들(E3)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 제3 화소들(PXL3)이 제3 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 제3 발광 구동부(330), 제3 발광 라우팅 배선들(미도시), 및 제3 발광 제어선들(E3)은 생략될 수 있다.
제3 화소영역(AA3)은 제1 화소영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제3 주사선(S3) 및 제3 발광 제어선(E3)의 길이는 제1 주사선(S1) 및 제1 발광 제어선(E1)에 비해 짧을 수 있다.
또한, 하나의 제3 주사선(S3)에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 하나의 제1 주사선(S1)에 연결된 제1 화소들(PXL1) 보다 적고, 하나의 제3 발광 제어선(E3)에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 하나의 제1 발광 제어선(E1)에 연결된 제1 화소들(PXL1) 보다 적을 수 있다.
발광 제어 신호는 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)의 발광 시간을 제어하기 위하여 사용된다. 이를 위하여, 발광 제어 신호는 주사 신호보다 넓은 폭으로 설정될 수 있다.
예컨대, 발광 제어 신호는 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)에 포함되는 트랜지스터가 턴-오프될 수 있도록 게이트 오프 전압(예를 들면, 하이 레벨의 전압)으로 설정되고, 주사 신호는 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)에 포함되는 트랜지스터가 턴-온될 수 있도록 게이트 온 전압(예를 들면, 로우 레벨의 전압)으로 설정될 수 있다.
데이터 구동부(400)는 데이터선들(D1, D2, D3)을 통하여 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 예컨대, 제2 데이터선들(D2)은 제1 데이터선들(D1)의 일부와 연결되고, 제3 데이터선들(D3)은 제1 데이터선들(D1)의 다른 일부와 연결될 수 있다.
데이터 구동부(400)는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있으며, 특히 제1 주사 구동부(210)와 중첩되지 않는 위치에 존재할 수 있다. 예컨대, 데이터 구동부(400)는 제1 화소영역(AA1)의 하측에 존재하는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
데이터 구동부(400)의 설치는 칩 온 글래스(Chip On Glass), 칩 온 플라스틱(Chip On Plastic), 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package), 칩 온 필름(Chip On Film) 등 다양한 방식에 의하여 이루어질 수 있다.
예컨대, 데이터 구동부(400)는 기판(100) 상에 직접 실장되거나, 별도의 구성 요소(예컨대, 연성 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board))를 통해 기판(100)과 연결될 수 있다.
한편, 도 2에는 도시되지 않았으나, 표시장치(10)에는 주사 구동부들(210, 220, 230), 발광 구동부들(310, 320, 330) 및 데이터 구동부(400)로 소정의 제어 신호를 제공하는 타이밍 제어부가 더 포함될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 구성을 상세하게 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 제1 주사 구동부(210)는 제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k) 및 제1 주사선들(S11~S1k)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 제1 주사 신호를 공급할 수 있다.
제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k)은 제1 주사 구동부(210)의 출력단과 제1 주사선들(S11~S1k) 사이에 연결될 수 있다.
예컨대, 제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k)과 제1 주사선들(S11~S1k)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는, 제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k)과 제1 주사선들(S11~S1k)은 동일한 층에 일체로 형성될 수도 있다. 즉, 제1 주사 라우팅 배선들(R11~R1k)은 제1 주사선들(S11~S1k)의 일부일 수 있다.
제1 발광 구동부(310)는 제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k) 및 제1 발광 제어선들(E11~E1k)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 제1 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k)은 제1 발광 구동부(310)의 출력단과 제1 발광 제어선들(E11~E1k) 사이에 연결될 수 있다.
예컨대, 제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는 제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)은 동일한 층에 일체로 형성될 수도 있다. 즉, 제1 발광 라우팅 배선들(R31~R3k)은 제1 발광 제어선들(E11~E1k)의 일부일 수 있다.
제1 주사 구동부(210)와 제1 발광 구동부(310)는 각각 제1 주사 제어 신호(SCS1) 및 제1 발광 제어 신호(ECS1)에 대응하여 동작할 수 있다.
데이터 구동부(400)는 제1 데이터선들(D11~D1o)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 전원(ELVDD) 및 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 필요에 따라, 제1 화소들(PXL1)은 제3 화소 전원(Vint)과 추가적으로 접속될 수 있다.
이와 같은 제1 화소들(PXL1)은 제1 주사선들(S11~S1k)로 제1 주사 신호가 공급될 때 제1 데이터선들(D11~D1o)로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 데이터 신호를 공급받은 제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
제2 주사 구동부(220)는 제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j) 및 제2 주사선들(S21~S2j)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 제2 주사 신호를 공급할 수 있다.
제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j)은 제2 주사 구동부(220)의 출력단과 제2 주사선들(S21~S2j) 사이에 연결될 수 있다.
예컨대, 제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j)과 제2 주사선들(S21~S2j)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는, 제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j)과 제2 주사선들(S21~S2j)은 동일한 층에 일체로 형성될 수도 있다. 이 경우, 제2 주사 라우팅 배선들(R21~R2j)은 제2 주사선들(S21~S2j)의 일부일 수 있다.
제2 발광 구동부(320)는 제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j) 및 제2 발광 제어선들(E21~E2j)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 제2 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j)은 제2 발광 구동부(320)의 출력단과 제2 발광 제어선들(E21~E2j) 사이에 연결될 수 있다.
예컨대 제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j)과 제2 발광 제어선들(E21~E2j)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는, 제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j)과 제2 발광 제어선들(E21~E2j)은 동일한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 제2 발광 라우팅 배선들(R41~R4j)은 제2 발광 제어선들(E21~E2j)의 일부일 수 있다.
제2 주사 구동부(220)와 제2 발광 구동부(320)는 각각 제2 주사 제어 신호(SCS2) 및 제2 발광 제어 신호(ECS2)에 대응하여 동작할 수 있다.
데이터 구동부(400)는 제2 데이터선들(D21~D2p)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
예컨대, 제2 데이터선들(D21~D2p)은 일부의 제1 데이터선들(D11~D1m-1)과 연결될 수 있다.
또한, 제2 화소들(PXL2)은 제1 화소 전원(ELVDD) 및 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 필요에 따라, 제2 화소들(PXL1)은 제3 화소 전원(Vint)과 추가적으로 접속될 수 있다.
이와 같은 제2 화소들(PXL2)은 제2 주사선들(S21~S2j)로 제2 주사 신호가 공급될 때 제2 데이터선들(D21~D2p)로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 데이터 신호를 공급받은 제2 화소들(PXL2)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
또한, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제2 화소들(PXL2)의 개수는 그 위치에 따라 변화할 수 있다.
제2 화소영역(AA2)은 제1 화소영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제2 화소들(PXL2)의 개수는 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있으며, 제2 주사선들(S21~S2j)과 제2 발광 제어선들(E21~E2j)의 길이 및 개수는 각각 제1 주사선들(S11~S1k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)에 비해 작게 설정될 수 있다.
제2 주사선들(S21~S2j) 중 어느 하나에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수는 제1 주사선들(S11~S1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 제2 발광 제어선들(E21~E2j) 중 어느 하나에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수는 제1 발광 제어선들(E11~E1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h) 및 제3 주사선들(S31~S3h)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 주사 신호를 공급할 수 있다.
제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h)은 제3 주사 구동부(230)의 출력단과 제3 주사선들(S31~S3h) 사이에 연결될 수 있다.
예컨대, 제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h)과 제3 주사선들(S31~S3h)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는, 제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h)과 제3 주사선들(S31~S3h)은 동일한 층에 일체로 형성될 수 있다. 이 경우, 제3 주사 라우팅 배선들(R51~R5h)은 제3 주사선들(S31~S3h)의 일부일 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 제어 신호(SCS3)에 대응하여 동작할 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h) 및 제3 발광 제어선들(E31~E3h)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h)은 제3 발광 구동부(330)의 출력단과 제3 발광 제어선들(E31~E3h) 사이에 연결될 수 있다.
예컨대, 제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h)과 제3 발광 제어선들(E31~E3h)은 상이한 층에 위치할 수 있으며, 이 경우 컨택홀(미도시)을 통해 상호 연결될 수 있다.
또는, 제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h)과 제3 발광 제어선들(E31~E3h)은 동일한 층에 일체로 형성될 수 있으며, 이 경우 제3 발광 라우팅 배선들(R61~R6h)은 제3 발광 제어선들(E31~E3h)의 일부일 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어 신호(ECS3) 에 대응하여 동작할 수 있다.
데이터 구동부(400)는 제3 데이터선들(D31~D3q)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
제3 데이터선들(D31~D3q)은 일부의 제1 데이터선들(D1n+1~D1o)과 연결될 수 있다.
제3 화소들(PXL3)은 제1 화소 전원(ELVDD) 및 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 필요에 따라, 제3 화소들(PXL3)은 제3 화소 전원(Vint)과 추가적으로 접속될 수 있다.
이와 같은 제3 화소들(PXL3)은 제3 주사선들(S31~S3h)로 제3 주사 신호가 공급될 때 제3 데이터선들(D31~D3q)로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 데이터 신호를 공급받은 제3 화소들(PXL3)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
또한, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제3 화소들(PXL3)의 개수는 그 위치에 따라 변화할 수 있다.
제3 화소영역(AA3)은 제1 화소영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있으며, 제3 주사선들(S31~S3h)과 제3 발광 제어선들(E31~E3h)의 길이는 제1 주사선들(S11~S1k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)에 비해 짧을 수 있다.
제3 주사선들(S31~S3h) 중 어느 하나에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 주사선들(S11~S1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 제3 발광 제어선들(E31~E3h) 중 어느 하나에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 발광 제어선들(E11~E1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
데이터 구동부(400)는 데이터 제어 신호(DCS)에 대응하여 동작할 수 있다. 또한, 데이터 구동부(400)는 화소 데이터(PDAT)를 수신할 수 있다.
데이터 구동부(400)는 화소 데이터(PDAT)에 기초하여, 데이터 신호들을 제1 데이터선들(D11~D1o), 제2 데이터선들(D21~D2p) 및 제3 데이터선들(D31~D3q)을 통하여 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)로 공급할 수 있다.
타이밍 제어부(270)는 제1 주사 구동부(210), 제2 주사 구동부(220), 제3 주사 구동부(230), 데이터 구동부(400), 제1 발광 구동부(310), 제2 발광 구동부(320) 및 제3 발광 구동부(330)를 제어할 수 있다.
이를 위하여, 타이밍 제어부(270)는 제1 주사 제어 신호(SCS1), 제2 주사 제어 신호(SCS2) 및 제3 주사 제어 신호(SCS3)를 각각 제1 주사 구동부(210), 제2 주사 구동부(220) 및 제3 주사 구동부(230)로 공급하고, 제1 발광 제어 신호(ECS1), 제2 발광 제어 신호(ECS2) 및 제3 발광 제어 신호(ECS3)를 각각 제1 발광 구동부(310), 제2 발광 구동부(320) 및 제3 발광 구동부(330)로 공급할 수 있다.
이때, 주사 제어 신호들(SCS1, SCS2, SCS3)와 발광 제어 신호들(ECS1, ECS2, ECS3)은 각각 적어도 하나의 클럭 신호와 스타트 펄스를 포함할 수 있다.
스타트 펄스는 첫번째 주사 신호 또는 첫번째 발광 제어 신호의 타이밍을 제어할 수 있다. 클럭 신호는 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위하여 사용될 수 있다.
타이밍 제어부(270)는 데이터 제어 신호(DCS)를 데이터 구동부(400)에 공급할 수 있다.
데이터 제어 신호(DCS)에는 소스 스타트 펄스 및 적어도 하나의 클럭 신호가 포함될 수 있다. 소스 스타트 펄스는 데이터의 샘플링 시작 시점을 제어하며, 클럭 신호는 샘플링 동작을 제어하기 위하여 사용될 수 있다.
또한, 타이밍 제어부(270)는 데이터 보상부(500)를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 데이터 보상부(500)는 타이밍 제어부(270)와 별도의 구성일 수 있다.
데이터 보상부(500)는 외부의 촬상 카메라(미도시)로부터 얻어진 휘도 이미지(OIM)를 수신할 수 있다. 예컨대, 휘도 이미지(OIM)는 외부의 촬상 카메라(미도시)가 기본 영상을 표시하고 있는 화소영역(AA1, AA2, AA3)을 촬영함으로써 얻어질 수 있다.
데이터 보상부(500)는 영상 데이터(DAT)를 수신할 수 있다. 예컨대, 데이터 보상부(500)는 영상 데이터(DAT)를 통신부 또는 메모리로부터 수신할 수 있다.
데이터 보상부(500)는 휘도 이미지(OIM)를 이용해 영상 데이터(DAT)를 보상함으로써, 화소 데이터(PDAT)를 생성할 수 있다.
실시예에 따라, 데이터 보상부(500)는 제1 보상영역 및 제2 보상영역을 설정할 수 있다. 제2 보상영역은 제1 보상영역과 상이할 수 있다.
데이터 보상부(500)는 제1 보상영역에 상응하는 영상 데이터(DAT)를 제1 블록 단위로 보상하고, 제2 보상영역에 상응하는 영상 데이터(DAT)를 제2 블록 단위로 보상할 수 있다. 제2 블록 단위는 제1 블록 단위와 상이할 수 있다.
이때, 제1 보상영역은 제2 화소영역(AA2) 및 제3 화소영역(AA3) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 블록 단위에 포함된 화소들의 수는 제2 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 작을 수 있다.
실시예에 따라, 데이터 보상부(500)는 제1 보상영역, 제2 보상영역 및 제3 보상영역을 설정할 수 있다. 제2 보상영역은 제1 보상영역과 상이하고, 제3 보상영역은 제1 보상영역 및 제2 보상영역 사이에 위치할 수 있다.
데이터 보상부(500)는 제1 보상영역에 상응하는 영상 데이터(DAT)를 제1 블록 단위로 보상하고, 제2 보상영역에 상응하는 영상 데이터(DAT)를 제2 블록 단위로 보상하고, 제3 보상영역에 상응하는 영상 데이터(DAT)를 제3 블록 단위로 보상할 수 있다. 제2 블록 단위는 제1 블록 단위와 상이할 수 있다.
이때, 제1 보상영역은 제2 화소영역(AA2) 및 제3 화소영역(AA3) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 블록 단위에 포함된 화소들의 수는 제2 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 작을 수 있다.
제3 블록 단위에 포함된 화소들의 수는 제1 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 크고, 제2 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 작을 수 있다.
예컨대, 제1 블록 단위에 포함된 화소는 1개이고, 상기 제2 블록 단위에 포함된 화소들은 5개 이상이고, 상기 제3 블록 단위에 포함된 화소들은 2개 이상, 4개 이하일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 따라, 데이터 보상부(500)는 휘도 이미지(OIM)를 기초로 적어도 하나의 결함화소가 위치한 결함영역을 검출할 수 있다. 이때, 데이터 보상부(500)는 결함영역을 더 포함하는 제1 보상영역을 설정할 수 있다.
결함화소는 동일한 데이터 신호가 공급될 때, 정상화소 보다 높거나 낮은 휘도의 광을 발광하는 화소일 수 있다.
데이터 보상부(500)와 관련한 상세한 내용은 도 5에서 상세히 설명될 것이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 화소를 나타낸 도면이다. 특히, 도 4a 및 도 4b에서는 설명의 편의를 위하여 제1 주사선들 중 어느 하나(S11) 및 제1 데이터선들 중 어느 하나(D11)와 접속된 화소(PXL, PXL')를 도시하기로 한다. 아래의 설명이 도 3에 도시된 다른 화소들에도 적용될 수 있음은 물론이다. 또한, 도 4a 및 도 4b에서는 화소(PXL, PXL')의 발광 소자가 유기 발광 다이오드(OLED)인 경우를 도시하기로 한다.
먼저, 도 4a를 참조하면, 화소(PXL)는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 제1 데이터선(D11) 및 제1 주사선(S11)에 접속되어 유기 발광 다이오드(OLED)를 제어하기 위한 화소회로(PC)를 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 화소회로(PC)에 접속되고, 캐소드 전극은 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다.
이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로(PC)로부터 공급되는 전류에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
화소회로(PC)는 제1 주사선(S11)으로 주사신호가 공급될 때 제1 데이터선(D11)으로 공급되는 데이터 신호를 저장할 수 있으며, 상기 저장된 데이터 신호에 대응하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류량을 제어할 수 있다.
예컨대, 화소회로(PC)는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 화소 전원(ELVDD)과 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 연결될 수 있다.
예컨대, 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 전극이 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극 및 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극에 연결되고, 제1 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극 및 제1 화소 전원(ELVDD)에 연결되며, 제2 전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결될 수 있다.
이와 같은 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터로서, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압값에 대응하여 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
이때, 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 생성할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 제1 데이터선(D11)과 제1 트랜지스터(T1) 사이에 연결될 수 있다.
예컨대, 제2 트랜지스터(T2)는 게이트 전극이 제1 주사선(S11)에 접속되고, 제1 전극은 제1 데이터선(D11)에 접속되며, 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 접속될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 제1 주사선(S11)으로부터 주사신호가 공급될 때 턴-온되어, 제1 데이터선(D11)으로부터의 데이터 신호를 스토리지 커패시터(Cst)로 공급할 수 있다.
이 때, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전할 수 있다.
여기서, 트랜지스터들(T1, T2)의 제1 전극은 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나로 설정되고, 트랜지스터들(T1, T2)의 제2 전극은 제1 전극과 다른 전극으로 설정될 수 있다. 예컨대, 제1 전극이 소스 전극으로 설정되면 제2 전극은 드레인 전극으로 설정될 수 있다.
또한, 도 4a에서는 예시적으로 트랜지스터들(T1, T2)이 PMOS 트랜지스터인 것으로 도시하였으나, 다른 실시예에서는 트랜지스터들(T1, T2)이 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다.
한편, 도 4b를 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소(PXL')는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)를 제어하기 위한 화소회로(PC)를 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 화소회로(PC)에 접속되고, 캐소드 전극은 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다.
화소회로(PC)는 제1 트랜지스터(T1) 내지 제7 트랜지스터(T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 제1 트랜지스터(T1)에 접속되고, 캐소드 전극은 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)로 전류가 흐를 수 있도록 제1 화소 전원(ELVDD)은 제2 화소 전원(ELVSS)보다 높은 전압으로 설정될 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 제3 화소 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 주사선(S12)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제7 트랜지스터(T7)는 주사선(S12)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제3 화소 전원(Vint)의 전압을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 공급할 수 있다. 여기서, 제3 화소 전원(Vint)은 데이터 신호보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제6 트랜지스터(T6) 게이트 전극은 제1 발광 제어선(Ep)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제6 트랜지스터(T6)는 제1 발광 제어선(Ep)으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 제1 화소 전원(ELVDD)과 제1 트랜지스터(T1) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 제1 발광 제어선(Ep)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제5 트랜지스터(T5)는 제1 발광 제어선(Ep)으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1; 구동 트랜지스터)의 제1 전극은 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 화소 전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 접속될 수 있다. 그리고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여, 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제1 주사선(S11)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제3 트랜지스터(T3)는 제1 주사선(S11)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제1 노드(N1)를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 따라서, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온될 때 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 형태로 접속될 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제1 노드(N1)와 제3 화소 전원(Vint) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 주사선(S10)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제4 트랜지스터(T4)는 주사선(S10)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 노드(N1)로 제3 화소 전원(Vint)의 전압을 공급할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 제1 데이터선(D11)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 주사선(S11)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제2 트랜지스터(T2)는 제1 주사선(S11)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 데이터선(D11)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킬 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 화소 전원(ELVDD)과 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 대응하는 전압을 저장할 수 있다.
여기서, 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7)의 제1 전극은 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나로 설정되고, 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7)의 제2 전극은 제1 전극과 다른 전극으로 설정될 수 있다. 예컨대, 제1 전극이 소스 전극으로 설정되면 제2 전극은 드레인 전극으로 설정될 수 있다.
또한, 도 4b에서는 예시적으로 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7)이 PMOS 트랜지스터인 것으로 도시하였으나, 다른 실시예에서는 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7)이 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다.
상기 설명된 도 4a 및 도 4b의 화소 구조는 본 발명의 일 실시예일뿐이므로, 본 발명의 화소(PXL, PXL')가 상기 화소 구조에 한정되는 것은 아니다. 실제로, 화소(PXL, PXL') 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급할 수 있는 회로 구조를 가지며, 현재 공지된 다양한 구조 중 어느 하나로 선택될 수 있다.
제1 화소 전원(ELVDD)은 고전위 전원이고, 제2 화소 전원(ELVSS)은 저전위 전원일 수 있다.
예컨대, 제1 화소 전원(ELVDD)은 양전압으로 설정되고, 제2 화소 전원(ELVSS)은 음전압 또는 그라운드 전압으로 설정될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 데이터 보상부를 상세하게 나타내는 블록도이다. 도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 동작방법을 나타내는 도면이다.
도 5, 도 6a 및 도 6b를 참고하면, 데이터 보상부(500)는 결함영역 검출기(510), 저장부(520), 영역 설정기(530), 보상 데이터 생성기(540) 및 보상기(550)를 포함할 수 있다.
결함영역 검출기(510)는 휘도 이미지(OIM)를 수신할 수 있다. 결함영역 검출기(510)는 휘도 이미지(OIM)를 기초로 결함영역(DA)을 검출할 수 있다. 결함영역 검출기(510)는 결함정보(DI)를 생성할 수 있다.
결함정보(DI)는 결함영역(DA)에 위치한 화소(즉, 결함화소)의 위치 좌표에 관한 정보를 포함할 수 있다.
본 명세서에서 결함영역(DA)이란, 적어도 하나의 결함화소가 위치한 영역을 의미할 수 있다. 또한, 결함화소란 동일한 데이터 신호가 공급될 때, 정상화소 보다 눈에 식별가능할 정도로 높거나 낮은 휘도의 광을 발광하는 화소를 의미할 수 있다.
저장부(520)는 보상정보(CI)를 저장할 수 있다.
보상정보(CI)는 제2 화소영역(AA2) 및 제3 화소영역(AA3)에 위치한 화소들(즉, 제2 화소들(PXL3) 및 제3 화소들(PXL3))의 위치 좌표에 관한 정보를 포함할 수 있다. 예컨대, 보상정보(CI)는 저장부(520)에 기저장된 정보일 수 있다.
도 5에는 도시되지 않았으나, 저장부(520)는 결함영역 검출기(510)로부터 전송된 결함정보(DI)를 저장할 수 있다.
영역 설정기(530)는 보상정보(CI) 및 결함정보(DI)에 기초하여 서로 다른 보상영역들을 설정할 수 있다.
예컨대, 영역 설정기(530)는 제1 보상영역(RA1), 제2 보상영역(RA2) 및 제3 보상영역(RA3)을 설정할 수 있다.
실시예에 따라, 영역 설정기(530)는 도 6a 및 도 6b에 도시된 실시예들과 같이, 제1 보상영역(RA1), 제2 보상영역(RA2) 및 제3 보상영역(RA3)을 설정할 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 영성 설정기(530)는 서로 다른 보상영역들을 설정할 수 있다.
제1 보상영역(RA1)은 제2 화소영역(AA2) 및 제3 화소영역(AA3)을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예에 따라, 제1 보상영역(RA1)은 결함영역(DA), 제2 화소영역(AA2) 및 제3 화소영역(AA3)을 포함할 수 있다
화소영역(AA) 중 제1 보상영역(RA1)을 제외한 영역은 제2 보상영역(RA2)을 포함할 수 있다.
제3 보상영역(RA3)은 제1 보상영역(RA1) 및 제2 보상영역(RA2)의 사이에 위치할 수 있다.
실시예에 따라, 제1 보상영역(RA1)은 제2 보상영역(RA2)을 전체적으로 또는 부분적으로 에워싸는 형태를 가질 수 있다.
영역 설정기(530)는 영역정보(AI)를 생성하여, 보상 데이터 생성기(540)로 전송할 수 있다.
영역정보(AI)는 제1 보상영역(RA1), 제2 보상영역(RA2) 및 제3 보상영역(RA3)의 위치에 관한 정보를 포함할 수 있다.
보상 데이터 생성기(540)는 휘도 이미지(OIM) 및 영역정보(AI)를 수신할 수 있다.
보상 데이터 생성기(540)는 휘도 이미지(OIM) 및 영역정보(AI)를 기초로, 보상 데이터(CDAT)를 생성할 수 있다.
예컨대, 보상 데이터 생성기(540)는 보상영역들에 상응하는 휘도 이미지를 서로 다른 블록 단위로 비교 처리하여, 보상 데이터(CDAT)를 생성할 수 있다.
보상 데이터 생성기(540)는 데이터 분리기(541), 제1 내지 제3 서브 생성기들(542-1, 542-2, 542-3), 및 데이터 병합기(543)를 포함할 수 있다.
데이터 분리기(541)는 영역정보(AI)에 따라, 휘도 이미지(OIM)를 제1 서브 이미지(OIM1), 제2 서브 이미지(OIM2) 및 제3 서브 이미지(OIM3)으로 분리할 수 있다.
제1 서브 이미지(OIM1)는 제1 보상영역(RA1)에 상응하고, 제2 서브 이미지(OIM2)는 제2 보상영역(RA2)에 상응하고, 제3 서브 이미지(OIM3)는 제3 보상영역(RA3)에 상응할 수 있다.
데이터 분리기(541)는 제1 서브 이미지(OIM1)를 제1 서브 생성기(542-1)로 전송하고, 제2 서브 이미지(OIM2)를 제2 서브 생성기(542-2)로 전송하고, 제3 서브 이미지(OIM3)를 제3 서브 생성기(542-3)로 전송할 수 있다.
제1 서브 생성기(542-1)는 제1 서브 이미지(OIM1)를 제1 블록 단위로 비교 처리하여, 제1 서브 데이터(CDAT1)를 생성할 수 있다. 예컨대, 제1 블록은 화소 1개로 구성될 수 있다.
제2 서브 생성기(542-2)는 제2 서브 이미지(OIM2)를 제2 블록 단위로 비교 처리하여, 제2 서브 데이터(CDAT2)를 생성할 수 있다. 예컨대, 제2 블록은 제1 블록보다 클 수 있다. 실시예에 따라, 제2 블록은 5개 이상의 화소들로 구성될 수 있다.
제3 서브 생성기(542-3)는 제3 서브 이미지(OIM3)를 제3 블록 단위로 비교 처리하여, 제3 서브 데이터(CDAT3)를 생성할 수 있다. 예컨대, 제3 블록은 제1 블록보다 크고, 제2 블록보다 작을 수 있다. 실시예에 따라, 제3 블록은 2이상, 4이하의 화소들로 구성될 수 있다.
데이터 병합기(543)는 제1 서브 데이터(CDAT1), 제2 서브 데이터(CDAT2) 및 제3 서브 데이터(CDAT3)를 병합하여, 보상 데이터(CDAT)를 생성할 수 있다.
그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예에 따라, 보상 데이터 생성기(540)는 2개의 서브 생성기들 또는 4개 이상의 서브 생성기들을 포함할 수 있다.
저장부(520)는 보상 데이터(CDAT)를 저장할 수 있다. 예컨대, 저장부(520)는 플래시 메모리(flash-memory)일 수 있다.
보상기(550)는 영상 데이터(DAT) 및 보상 데이터(CDAT)를 수신할 수 있다.
보상기(550)는 보상 데이터(CDAT)를 기초로 영상 데이터(DAT)를 보상하여, 화소 데이터(PDAT)를 생성할 수 있다.
예컨대, 보상기(550)는 영상 데이터(DAT)에 보상 데이터(CDAT)를 가산하여 화소 데이터(PDAT)를 생성할 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 동작방법을 나타내는 도면이다.
도 5, 및 도 7a를 참고하면, 제1 서브 생성기(542-1)는 제1 서브 이미지(OIM1)를 수신할 수 있다.
제1 서브 생성기(542-1)는 제1 블록 단위에 기초하여, 제1 서브 이미지(OIM1)의 화소들 중 일부를 타겟 화소(TPX)로 설정할 수 있다.
도 7a에서, 제1 블록은 1*1의 화소로 구성된 것으로 도시된다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 서브 생성기(542-1)는 타겟 화소(TPX)의 휘도값을 주변 화소들의 휘도값들의 평균값과 비교하여 차이값을 산출할 수 있다.
제1 서브 생성기(542-1)는 상기 산출된 차이값을 기초로, 제1 서브 데이터(CDAT1)를 생성할 수 있다.
도 5, 및 도 7b를 참고하면, 제2 서브 생성기(542-2)는 제2 서브 이미지(OIM2)를 수신할 수 있다.
제2 서브 생성기(542-2)는 제2 블록 단위에 기초하여, 제2 서브 이미지(OIM2)의 화소들 중 일부를 타겟 화소(TPX)로 설정할 수 있다.
도 7b에서, 제2 블록은 4*4의 화소로 구성된 것으로 도시된다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 서브 생성기(542-2)는 타겟 화소(TPX)들의 휘도값들의 평균값을 주변 화소들의 휘도값들의 평균값과 비교하여 차이값을 산출할 수 있다.
제2 서브 생성기(542-2)는 상기 산출된 차이값을 기초로, 제2 서브 데이터(CDAT2)를 생성할 수 있다.
도 5, 및 도 7c를 참고하면, 제3 서브 생성기(542-3)는 제3 서브 이미지(OIM3)를 수신할 수 있다.
제3 서브 생성기(542-3)는 제3 블록 단위에 기초하여, 제3 서브 이미지(OIM3)의 화소들 중 일부를 타겟 화소(TPX)로 설정할 수 있다.
도 7c에서, 제3 블록은 2*2의 화소로 구성된 것으로 도시된다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제3 서브 생성기(542-3)는 타겟 화소(TPX)들의 휘도값들의 평균값을 주변 화소들의 휘도값들의 평균값과 비교하여 차이값을 산출할 수 있다.
제3 서브 생성기(542-3)는 상기 산출된 차이값을 기초로, 제3 서브 데이터(CDAT3)를 생성할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 동작방법을 나타내는 순서도이다.
아래에서, 도 1, 도 3, 도 5 및 도 8을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 동작방법이 설명된다.
단계 S100에서, 표시장치(10)는 휘도 이미지(OIM)를 수신할 수 있다.
구체적으로, 표시장치(10)의 데이터 보상부(500)는 외부의 촬상 카메라(미도시)로부터 얻어진 휘도 이미지(OIM)를 수신할 수 있다. 예컨대, 휘도 이미지(OIM)는 외부의 촬상 카메라(미도시)가 기본 영상을 표시하고 있는 화소영역(AA1, AA2, AA3)을 촬영함으로써 얻어질 수 있다.
단계 S110에서, 표시장치(10)는 휘도 이미지(OIM)를 기초로, 결함영역(DA)을 검출할 수 있다.
구체적으로, 표시장치(10)의 결함영역 검출기(510)는 휘도 이미지(OIM)를 기초로 결함영역(DA)을 검출할 수 있다. 결함영역 검출기(510)는 결함정보(DI)를 생성할 수 있다.
단계 S120에서, 표시장치(10)는 영상 데이터(DAT)를 수신할 수 있다.
구체적으로, 표시장치(10)의 데이터 보상부(500)는 영상 데이터(DAT)를 수신할 수 있다.
단계 S130에서, 표시장치(10)는 제1 보상영역(RA1) 및 제2 보상영역(RA2)을 설정할 수 있다.
단계 S140에서, 표시장치(10)는 제3 보상영역(RA3)을 더 설정할 수 있다.
구체적으로, 표시장치(10)의 영역 설정기(530)는 보상정보(CI) 및 결함정보(DI)에 기초하여 서로 다른 보상영역들을 설정할 수 있다.
영역 설정기(530)는 영역정보(AI)를 생성할 수 있다. 이때, 영역정보(AI)는 제1 보상영역(RA1), 제2 보상영역(RA2) 및 제3 보상영역(RA3)의 위치에 관한 정보를 포함할 수 있다.
단계 S150에서, 표시장치(10)는 제1 보상영역(RA1)에 상응하는 영상 데이터(DAT)를 제1 블록 단위로 보상할 수 있다.
단계 S160에서, 표시장치(10)는 제2 보상영역(RA2)에 상응하는 영상 데이터(DAT)를 제2 블록 단위로 보상할 수 있다.
단계 S170에서, 표시장치(10)는 제3 보상영역(RA3)에 상응하는 영상 데이터(DAT)를 제3 블록 단위로 보상할 수 있다.
구체적으로, 표시장치(10)의 보상 데이터 생성기(540)는 보상영역들에 상응하는 휘도 이미지를 서로 다른 블록 단위로 비교 처리하여, 보상 데이터(CDAT)를 생성할 수 있다.
표시장치(10)의 보상기(550)는 영상 데이터(DAT) 및 보상 데이터(CDAT)를 수신하고, 보상 데이터(CDAT)를 기초로 영상 데이터(DAT)를 보상할 수 있다. 예컨대, 보상기(550)는 영상 데이터(DAT)에 보상 데이터(CDAT)를 가산하여 화소 데이터(PDAT)를 생성할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 표시 장치 100: 기판
210: 제1 주사 구동부 220: 제2 주사 구동부
230: 제3 주사 구동부 310: 제1 발광 구동부
320: 제2 발광 구동부 330: 제3 발광 구동부
AA1: 제1 화소 영역 AA2: 제2 화소 영역
AA3: 제3 화소 영역 NA1: 제1 주변 영역
NA2: 제2 주변 영역 NA3: 제3 주변 영역
PXL1: 제1 화소 PXL2: 제2 화소
PXL3: 제3 화소

Claims (10)

  1. 제1 폭을 갖는 제1 화소영역에 위치하는 제1 화소들;
    상기 제1 폭보다 작은 제2 폭을 갖는 제2 화소영역에 위치하는 제2 화소들; 및
    영상 데이터를 보상하기 위한 데이터 보상부를 포함하고,
    상기 데이터 보상부는,
    상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역에 대한 휘도 이미지를 기초로 결함화소를 포함하는 결함영역에 대한 정보를 획득하고,
    상기 결함영역에 대한 정보를 기초로 상기 결함영역을 포함하는 제1 보상영역 및 상기 제1 보상영역과 상이한 제2 보상영역을 설정하고,
    상기 제1 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 제1 블록 단위로 보상하고, 상기 제2 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 상기 제1 블록 단위와 상이한 제2 블록 단위로 보상하고,
    상기 제1 블록 단위에 포함된 화소들의 수는 상기 제2 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 작은 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 화소영역의 면적은 상기 제1 화소영역의 면적보다 작은 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 보상영역은 상기 제2 화소영역을 포함하는 표시장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 보상영역은 상기 결함화소를 포함하는 영역인 표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 보상영역의 면적은 상기 제2 보상영역의 면적보다 작은 표시장치.
  6. 제1 폭을 갖는 제1 화소영역에 위치하는 제1 화소들;
    상기 제1 폭보다 작은 제2 폭을 갖는 제2 화소영역에 위치하는 제2 화소들;
    상기 제2 폭을 갖고, 상기 제2 화소영역과 서로 이격하는 제3 화소영역에 위치하는 제3 화소들; 및
    영상 데이터를 보상하기 위한 데이터 보상부를 포함하고,
    상기 데이터 보상부는,
    상기 제1 화소영역, 제2 화소 영역, 및 제3 화소 영역에 대한 휘도 이미지를 기초로 결함화소를 포함하는 결함영역에 대한 정보를 획득하고,
    상기 결함영역에 대한 정보를 기초로 상기 결함영역을 포함하는 제1 보상영역, 상기 제1 보상영역과 상이한 제2 보상영역, 및 제3 보상영역을 설정하고,
    상기 제1 보상영역에 상응하는 상기 영상 데이터를 제1 블록 단위로 보상하고, 상기 제2 보상영역에 상응하는 영상 데이터를 제2 블록 단위로 보상하고, 상기 제3 보상영역에 상응하는 영상 데이터를 제3 블록 단위로 보상하고,
    상기 제3 블록 단위에 포함된 화소들의 수는 상기 제1 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 크고, 제2 블록 단위에 포함된 화소들의 수보다 작은 표시장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 화소영역의 면적은 상기 제3 화소영역의 면적과 동일하고, 상기 제1 화소영역의 면적보다 작은 표시장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 보상영역은 상기 제2 화소영역 및 상기 제3 화소영역 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 제3 보상영역은 상기 제1 보상영역과 상기 제2 보상영역 사이에 위치하는 표시장치.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 화소영역과 상기 제3 화소영역은 상기 제1 화소영역의 일측에 위치하는 표시장치.
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