KR102513988B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 화소 영역에 위치하며, 제1 주사선들과 연결되는 제1 화소들; 제2 화소 영역에 위치하며, 제2 주사선들과 연결되는 제2 화소들; 제1 클럭선과 제2 클럭선으로 각각 제1 클럭 신호와 제2 클럭 신호를 공급하는 타이밍 제어부; 상기 제1 클럭선을 통해 상기 제1 클럭 신호를 입력받고, 상기 제1 주사선들로 제1 주사 신호를 공급하는 제1 주사 구동부; 및 상기 제2 클럭선을 통해 상기 제2 클럭 신호를 입력받고, 상기 제2 주사선들로 제2 주사 신호를 공급하는 제2 주사 구동부를 포함하고, 상기 제2 화소 영역은, 상기 제1 화소 영역보다 작은 폭을 갖는 표시 장치에 관한 것이다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명의 실시예는 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결매체인 표시장치의 중요성이 부각되고 있다. 최근에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device)와 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등이 널리 사용되고 있다.
이러한 표시 장치는 구동 배선들과 연결되며, 화상을 표시하는 다수의 화소들을 포함한다.
이때, 구동 배선들은 위치에 따라 서로 다른 로드(load)를 가질 수 있으며, 이는 화소들의 휘도 편차를 야기할 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는, 제1 화소 영역에 위치하며, 제1 주사선들과 연결되는 제1 화소들, 제2 화소 영역에 위치하며, 제2 주사선들과 연결되는 제2 화소들, 제1 클럭선과 제2 클럭선으로 각각 제1 클럭 신호와 제2 클럭 신호를 공급하는 타이밍 제어부, 상기 제1 클럭선을 통해 상기 제1 클럭 신호를 입력받고, 상기 제1 주사선들로 제1 주사 신호를 공급하는 제1 주사 구동부, 및 상기 제2 클럭선을 통해 상기 제2 클럭 신호를 입력받고, 상기 제2 주사선들로 제2 주사 신호를 공급하는 제2 주사 구동부를 포함하고, 상기 제2 화소 영역은, 상기 제1 화소 영역보다 작은 폭을 가질 수 있다.
또한, 상기 제1 클럭 신호와 상기 제2 클럭 신호는, 상이한 신호 특성을 가질 수 있다.
또한, 상기 신호 특성은, 펄스폭, 상승 에지 기간의 길이 및 하강 에지 기간의 길이 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 클럭 신호의 펄스폭은, 상기 제1 클럭 신호의 펄스폭보다 작게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2 클럭 신호의 상승 에지 기간은, 상기 제1 클럭 신호의 상승 에지 기간보다 길게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2 클럭 신호는, 상기 상승 에지 기간 동안 로우 전압으로부터 중간 전압을 거쳐 하이 전압으로 변화될 수 있다.
또한, 상기 제2 클럭 신호의 하강 에지 기간은, 상기 제1 클럭 신호의 하강 에지 기간보다 길게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2 클럭 신호는, 상기 하강 에지 기간 동안 하이 전압으로부터 중간 전압을 거쳐 로우 전압으로 변화될 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 영역은, 상기 제1 화소 영역보다 작은 길이를 가질 수 있다.
또한, 상기 제2 주사선들의 길이는, 상기 제1 주사선들의 길이보다 짧게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2 화소들의 개수는, 상기 제1 화소들의 개수보다 적게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제1 화소 영역보다 작은 폭을 갖는 제3 화소 영역에 위치하며, 제3 주사선들과 연결되는 제3 화소들, 및 제3 클럭선을 통해 제3 클럭 신호를 입력받고, 상기 제3 주사선들로 제3 주사 신호를 공급하는 제3 주사 구동부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 타이밍 제어부는, 상기 제3 클럭선으로 상기 제3 클럭 신호를 더 공급할 수 있다.
또한, 상기 제1 클럭 신호와 상기 제3 클럭 신호는, 상이한 신호 특성을 가질 수 있다.
또한, 상기 신호 특성은, 펄스폭, 상승 에지 기간의 길이 및 하강 에지 기간의 길이 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제3 클럭 신호의 펄스폭은, 상기 제1 클럭 신호의 펄스폭보다 작게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제3 클럭 신호의 상승 에지 기간은, 상기 제1 클럭 신호의 상승 에지 기간보다 길게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제3 클럭 신호는, 상기 상승 에지 기간 동안 로우 전압으로부터 중간 전압을 거쳐 하이 전압으로 변화될 수 있다.
또한, 상기 제3 클럭 신호의 하강 에지 기간은, 상기 제1 클럭 신호의 하강 에지 기간보다 길게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제3 클럭 신호는, 상기 하강 에지 기간 동안 하이 전압으로부터 중간 전압을 거쳐 로우 전압으로 변화될 수 있다.
또한, 상기 제3 화소 영역은, 상기 제1 화소 영역보다 작은 길이를 가질 수 있다.
또한, 상기 제3 주사선들의 길이는, 상기 제1 주사선들의 길이보다 짧게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제3 화소들의 개수는, 상기 제1 화소들의 개수보다 적게 설정될 수 있다.
또한, 상기 제2 화소 영역은, 상기 제1 화소 영역과 상기 제3 화소 영역 사이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 제3 화소 영역은, 상기 제2 화소 영역과 이격하여 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는, 제1 화소 영역에 위치하며, 제1 주사선들과 연결되는 제1 화소들, 제2 화소 영역에 위치하며, 제2 주사선들과 연결되는 제2 화소들, 제3 화소 영역에 위치하며, 제3 주사선들과 연결되는 제3 화소들, 제1 클럭선, 제2 클럭선, 및 제3 클럭선으로 각각 제1 클럭 신호, 제2 클럭 신호, 및 제3 클럭 신호를 공급하는 타이밍 제어부, 상기 제1 클럭 신호를 이용하여 제1 주사 신호를 생성하고, 상기 제1 주사 신호를 상기 제1 주사선들로 공급하는 제1 주사 구동부, 상기 제2 클럭 신호를 이용하여 제2 주사 신호를 생성하고, 상기 제2 주사 신호를 상기 제2 주사선들로 공급하는 제2 주사 구동부 및 상기 제3 클럭 신호를 이용하여 제3 주사 신호를 생성하고, 상기 제3 주사 신호를 상기 제3 주사선들로 공급하는 제3 주사 구동부를 포함하고, 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역, 및 상기 제3 화소 영역 중 일부는, 나머지 화소 영역과 상이한 폭을 가질 수 있다.
또한, 상기 제1 클럭 신호, 상기 제2 클럭 신호, 및 상기 제3 클럭 신호 중 일부는, 나머지 클럭 신호와 상이한 신호 특성을 가질 수 있다.
또한, 상기 신호 특성은, 펄스폭, 상승 에지 기간의 길이 및 하강 에지 기간의 길이 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이상 살펴본 바와 같은 본 발명에 따르면, 복수의 화소 영역들 사이에서 발생하는 휘도 차이를 감소시킴으로써, 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 화소 영역을 각각 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 표시 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 주사 구동부와 제2 주사 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 제1 내지 제4 클럭 신호들 및 제1, 2 주사 신호들을 나타낸 파형도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 제3, 4 클럭 신호들 및 제2 주사 신호를 나타낸 파형도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 제3, 4 클럭 신호들 및 제2 주사 신호를 나타낸 파형도이다.
도 8은 도 4에 도시된 주사 스테이지 회로의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 2에 도시된 제1 화소의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 표시 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 12는 도 11에 도시된 제1 내지 제3 주사 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 의한 제5, 6 클럭 신호들 및 제3 주사 신호를 나타낸 파형도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 의한 제5, 6 클럭 신호들 및 제3 주사 신호를 나타낸 파형도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 16은 도 15에 도시된 표시 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 17은 도 16에 도시된 제1 내지 제3 주사 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 본 발명과 관계없는 부분은 본 발명의 설명을 명확하게 하기 위하여 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
이하, 본 발명의 실시예들과 관련된 도면들을 참고하여, 본 발명의 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 화소 영역을 각각 나타낸 도면이다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 표시 장치(10)는 화소 영역(AA1, AA2)과 주변 영역(NA1, NA2)을 포함할 수 있다.
화소 영역(AA1, AA2)에는 다수의 화소들(PXL1, PXL2)이 위치하며, 이에 따라 화소 영역(AA1, AA2)에서는 소정의 영상이 표시될 수 있다. 따라서, 화소 영역(AA1, AA2)은 표시 영역으로 지칭될 수 있다.
주변 영역(NA1, NA2)에는 화소들(PXL1, PXL2)을 구동하기 위한 구성 요소들(예를 들어, 구동부 및 배선 등)이 위치할 수 있다. 주변 영역(NA1, NA2)에는 화소들(PXL1, PXL2)이 존재하지 않으므로, 상기 주변 영역(NA1, NA2)은 비표시 영역으로 지칭될 수 있다.
예를 들어, 주변 영역(NA1, NA2)은 화소 영역(AA1, AA2)의 외측에 존재할 수 있으며, 화소 영역(AA1, AA2)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
화소 영역(AA1, AA2)은 제1 화소 영역(AA1)과 제2 화소 영역(AA2)을 포함할 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)은 제1 화소 영역(AA1)의 일측에 위치할 수 있으며, 제1 화소 영역(AA1)에 비해 작은 면적을 가질 수 있다.
예를 들어, 제2 화소 영역(AA2)의 폭(W2)은 제1 화소 영역(AA1)의 폭(W1)보다 작게 설정되고, 제2 화소 영역(AA2)의 길이(L2)는 제1 화소 영역(AA1)의 길이(L1)보다 작게 설정될 수 있다.
주변 영역(NA1, NA2)은 제1 주변 영역(NA1)과 제2 주변 영역(NA2)을 포함할 수 있다.
제1 주변 영역(NA1)은 제1 화소 영역(AA1)의 주변에 존재하며, 제1 화소 영역(AA1)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제1 주변 영역(NA1)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 주변 영역(NA1)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
제2 주변 영역(NA2)은 제2 화소 영역(AA2)의 주변에 존재하며, 제2 화소 영역(AA2)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제2 주변 영역(NA2)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 주변 영역(NA2)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
화소들(PXL1, PXL2)은 제1 화소들(PXL1)과 제2 화소들(PXL2)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 영역(AA1)에 위치하고, 제2 화소들(PXL2)은 제2 화소 영역(AA2)에 위치할 수 있다.
화소들(PXL1, PXL2)은 구동부의 제어에 따라 소정의 휘도로 발광할 수 있으며, 이를 위해 발광 소자(예를 들어, 유기 발광 다이오드)를 포함할 수 있다.
화소 영역(AA1, AA2)과 주변 영역(NA1, NA2)은 표시 장치(10)의 기판(100) 상에 정의될 수 있다.
기판(100)은 화소 영역(AA1, AA2)과 주변 영역(NA1, NA2)이 설정될 수 있는 다양한 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 기판(100)은 판형의 베이스 기판(101), 상기 베이스 기판(101)의 일단부로부터 일측으로 돌출 연장되는 보조판(102)을 포함할 수 있다.
이때, 보조판(102)은 베이스 기판(101) 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 예를 들어 보조판(102)의 폭은 베이스 기판(101)의 폭보다 작게 설정되고, 보조판(102)의 길이는 베이스 기판(101)의 길이보다 작게 설정될 수 있다.
보조판(102)은 제2 화소 영역(AA2)과 동일 또는 유사한 형태를 가질 수 있으나, 그에 제한되지는 않으며, 제2 화소 영역(AA2)과 상이한 형태를 가질 수도 있다.
기판(100)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(100)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 기판(100)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
다만, 기판(100)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 유리 섬유 강화플라스틱(FRP, Fiber glass reinforced plastic) 등으로도 이루어질 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 화소 영역(AA2)은 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 또한, 제2 화소 영역(AA2)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다.
예를 들어, 제2 화소 영역(AA2)은 도 1a에 도시된 바와 같이 사각 형상을 가질 수 있다.
또한, 도 1b를 참조하면, 제2 화소 영역(AA2)은 일측으로 갈수록 그 폭(W2)이 점차적으로 좁아지는 형태를 가질 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)의 형태 변화에 대응하여, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제2 화소들(PXL2)의 개수는 그 위치에 따라 변화될 수 있다.
도 1b에 도시된 제2 화소 영역(AA2)의 경우, 제2 화소들(PXL2)의 개수가 수평라인 단위로 상이하게 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 영역(AA1)에 인접한 수평라인일수록 더 많은 수의 제2 화소들(PXL2)이 배치될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다. 도 2에 도시된 표시 장치(10)는 도 1a과 관련한 화소 영역(AA1, AA2)을 기반으로 하고 있으나, 도 1b와 같은 다른 형태의 화소 영역(AA1, AA2)에도 적용될 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(10)는 제1 화소들(PXL1), 제2 화소들(PXL2), 및 표시 구동부(200)를 포함할 수 있다.
제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 영역(AA1)에 위치하며, 각각 제1 주사선(S1), 제1 발광 제어선(E1), 및 제1 데이터선(D1)과 연결될 수 있다.
제2 화소들(PXL2)은 제2 화소 영역(AA2)에 위치하며, 각각 제2 주사선(S2), 제2 발광 제어선(E2), 및 제2 데이터선(D2)과 연결될 수 있다.
필요에 따라, 화소들(PXL1, PXL2)은 복수개의 주사선들과 연결될 수 있다.
표시 구동부(200)는 구동 신호들을 화소들(PXL1, PXL2)로 공급함으로써, 화소들(PXL1, PXL2)의 발광을 제어할 수 있다.
예를 들어, 표시 구동부(200)는 주사 신호를 주사선들(S1, S2)을 통해 화소들(PXL1, PXL2)로 공급하고, 발광 제어 신호를 발광 제어선들(E1, E2)을 통해 화소들(PXL1, PXL2)로 공급하며, 데이터 신호를 데이터선들(D1, D2)을 통해 화소들(PXL1, PXL2)로 공급할 수 있다.
표시 구동부(200)는 그 전체 또는 일부가 기판(100) 상에 직접 실장되거나, 연성 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board) 등과 같은 별도의 구성 요소(110)를 통해 기판(100)과 연결될 수 있다.
예를 들어, 표시 구동부(200)의 설치는 칩 온 글래스(Chip On Glass), 칩 온 플라스틱(Chip On Plastic), 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package), 칩 온 필름(Chip On Film) 등 다양한 방식에 의하여 이루어질 수 있다.
한편, 도 2에서는 기판(100)과 별개로 형성된 표시 구동부(200)가 기판(100)에 연결되는 것으로 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
예를 들어, 표시 구동부(200) 전체 또는 표시 구동부(200)의 구성 중 일부는 기판(100) 상에 직접 실장될 수도 있으며, 이 경우 기판(100)의 제1 주변 영역(NA1) 및 제2 주변 영역(NA2)에 위치될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 표시 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 표시 구동부(200)는 제1 주사 구동부(210), 제2 주사 구동부(220), 데이터 구동부(260), 타이밍 제어부(270), 제1 발광 구동부(310), 및 제2 발광 구동부(320)를 포함할 수 있다.
제1 주사 구동부(210)는 제1 주사선들(S11~S1k)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 제1 주사 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제1 주사 구동부(210)는 제1 주사 신호를 순차적으로 제1 주사선들(S11~S1k)에 공급할 수 있다.
제1 주사 구동부(210)가 기판(100) 상에 직접 실장되는 경우, 제1 주사 구동부(210)는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
제2 주사 구동부(220)는 제2 주사선들(S21~S2j)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 제2 주사 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제2 주사 구동부(220)는 제2 주사 신호를 순차적으로 제2 주사선들(S21~S2j)에 공급할 수 있다.
제2 주사 구동부(220)가 기판(100) 상에 직접 실장되는 경우, 제2 주사 구동부(220)는 제2 주변 영역(NA2)에 위치할 수 있다.
주사 신호는 화소들(PXL1, PXL2)에 포함되는 트랜지스터가 턴-온될 수 있도록 게이트 온 전압(예를 들면, 로우 전압)으로 설정될 수 있다.
제1 주사 구동부(210)와 제2 주사 구동부(220)는 각각 제1 주사 제어 신호(SCS1) 및 제2 주사 제어 신호(SCS2)에 대응하여 동작할 수 있다.
데이터 구동부(260)는 제1 데이터선들(D11~D1o)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 전원(ELVDD) 및 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 필요에 따라, 제1 화소들(PXL1)은 초기화 전원(Vint)과 추가적으로 접속될 수 있다.
이와 같은 제1 화소들(PXL1)은 제1 주사선들(S11~S1k)로 제1 주사 신호가 공급될 때 제1 데이터선들(D11~D1o)로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 데이터 신호를 공급받은 제1 화소들(PXL1)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
또한, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제1 화소들(PXL1)의 개수는 그 위치에 따라 변화할 수 있다.
데이터 구동부(260)는 제2 데이터선들(D21~D2p)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제2 데이터선들(D21~D2p)은 일부의 제1 데이터선들(D11~D1m-1)과 연결될 수 있다.
또한, 제2 화소들(PXL2)은 제1 화소 전원(ELVDD) 및 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 필요에 따라, 제2 화소들(PXL1)은 초기화 전원(Vint)과 추가적으로 접속될 수 있다.
이와 같은 제2 화소들(PXL2)은 제2 주사선들(S21~S2j)로 제2 주사 신호가 공급될 때 제2 데이터선들(D21~D2p)로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 데이터 신호를 공급받은 제2 화소들(PXL2)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
또한, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제2 화소들(PXL2)의 개수는 그 위치에 따라 변화할 수 있다.
이때, 데이터 구동부(260)는 데이터 제어 신호(DCS)에 대응하여 동작할 수 있다.
제1 발광 구동부(310)는 제1 발광 제어선들(E11~E1k)을 통하여 제1 화소들(PXL1)로 제1 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 구동부(310)는 제1 발광 제어 신호를 순차적으로 제1 발광 제어선들(E11~E1k)에 공급할 수 있다.
제1 발광 구동부(310)가 기판(100) 상에 직접 실장되는 경우, 제1 발광 구동부(310)는 제1 주변 영역(NA1)에 위치할 수 있다.
제1 화소들(PXL1)이 제1 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 제1 발광 구동부(310)와 제1 발광 제어선들(E11~E1k)은 생략될 수 있다.
제2 발광 구동부(320)는 제2 발광 제어선들(E21~E2j)을 통하여 제2 화소들(PXL2)로 제2 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제2 발광 구동부(320)는 제2 발광 제어 신호를 순차적으로 제2 발광 제어선들(E21~E2j)에 공급할 수 있다.
제2 발광 구동부(320)가 기판(100) 상에 직접 실장되는 경우, 제2 발광 구동부(320)는 제2 주변 영역(NA2)에 위치할 수 있다.
제2 화소들(PXL2)이 제2 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 제2 발광 구동부(320)와 제2 발광 제어선들(E21~E2j)은 생략될 수 있다.
발광 제어 신호는 화소들(PXL1, PXL2)의 발광 시간을 제어하기 위하여 사용된다. 이를 위하여, 발광 제어신호는 주사신호보다 넓은 폭으로 설정될 수 있다.
예를 들어, 발광 제어 신호는 화소들(PXL1, PXL2)에 포함되는 트랜지스터가 턴-오프될 수 있도록 게이트 오프 전압(예를 들면, 하이 전압)으로 설정될 수 있다.
제1 발광 구동부(310)와 제2 발광 구동부(320)는 각각 제1 발광 제어 신호(ECS1) 및 제2 발광 제어 신호(ECS2)에 대응하여 동작할 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)은 제1 화소 영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제2 화소들(PXL2)의 개수는 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있으며, 제2 주사선들(S21~S2j)과 제2 발광 제어선들(E21~E2j)의 길이는 제1 주사선들(S11~S1k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)에 비해 짧을 수 있다.
제2 주사선들(S21~S2j) 중 어느 하나에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수는 제1 주사선들(S11~S1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 제2 발광 제어선들(E21~E2j) 중 어느 하나에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수는 제1 발광 제어선들(E11~E1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
타이밍 제어부(270)는 제1 주사 구동부(210), 제2 주사 구동부(220), 데이터 구동부(260), 제1 발광 구동부(310), 및 제2 발광 구동부(320)를 제어할 수 있다.
이를 위하여, 타이밍 제어부(270)는 제1 주사 제어 신호(SCS1) 및 제2 주사 제어 신호(SCS2)를 각각 제1 주사 구동부(210)와 제2 주사 구동부(220)로 공급하고, 제1 발광 제어 신호(ECS1) 및 제2 발광 제어 신호(ECS2)를 각각 제1 발광 구동부(310)와 제2 발광 구동부(320)로 공급할 수 있다.
이때, 주사 제어 신호들(SCS1, SCS2)와 발광 제어 신호들(ECS1, ECS2)은 각각 적어도 하나의 클럭 신호와 스타트 펄스를 포함할 수 있다.
스타트 펄스는 첫번째 주사 신호 또는 첫번째 발광 제어 신호의 타이밍을 제어할 수 있다. 클럭 신호는 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위하여 사용될 수 있다.
또한, 타이밍 제어부(270)는 데이터 제어 신호(DCS)를 데이터 구동부(260)에 공급할 수 있다.
데이터 제어 신호(DCS)에는 소스 스타트 펄스 및 적어도 하나의 클럭 신호가 포함될 수 있다. 소스 스타트 펄스는 데이터의 샘플링 시작 시점을 제어하며, 클럭 신호는 샘플링 동작을 제어하기 위하여 사용될 수 있다.
한편, 제1 주사선들(S11~S1k)의 로드와 제2 주사선들(S21~S2j)의 로드는 상이할 수 있다.
즉, 제1 주사선들(S11~S1k)의 길이가 제2 주사선들(S21~S2j) 보다 길고, 제1 화소들(PXL1)의 개수가 제2 화소들(PXL2) 보다 많으므로, 제1 주사선들(S11~S1k)의 로드는 제2 주사선들(S21~S2j) 보다 크게 설정될 수 있다.
이는 제1 주사 신호 및 제2 주사 신호의 시정수(time constant) 차이를 야기하고, 결국 제1 주사 신호에는 제2 주사 신호에 비해 RC 딜레이(RC delay)가 크게 발생된다.
이에 따라, 제1 화소들(PXL1)에 대한 데이터 기입 시간이 제2 화소들(PXL2)에 비해 짧아지게 되고, 이는 결국 제1 화소들(PXL1)과 제2 화소들(PXL2)의 휘도 차이를 발생시키게 된다.
그러므로, 본 발명의 실시예에서는 제1 주사 구동부(210)와 제2 주사 구동부(220)에 대하여 클럭선을 각각 분리 설치하고, 각 클럭선에 공급되는 클럭 신호의 특성을 상이하게 조절함으로써, 제1 화소들(PXL1)의 데이터 기입 시간과 제2 화소들(PXL2)의 데이터 기입 시간을 유사하게 설정할 수 있다.
이에 따라, 제1 화소 영역(AA1)과 제2 화소 영역(AA2)의 휘도 차는 개선될 수 있다.
이하에서는 이와 관련된 본 발명의 구성을 보다 자세히 설명하도록 한다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 주사 구동부와 제2 주사 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 제1 클럭선(241)과 제2 클럭선(242)은 타이밍 제어부(270)와 제1 주사 구동부(210) 사이에 연결되고, 제3 클럭선(243)과 제4 클럭선(244)은 타이밍 제어부(270)와 제2 주사 구동부(220) 사이에 연결될 수 있다.
제1 주사 구동부(210)와 관련된 제1, 2 클럭선들(241, 242)과, 제2 주사 구동부(220)와 관련된 제3, 4 클럭선들(243, 244)은 전기적으로 분리되어 위치할 수 있다.
제1 클럭선(241)과 제2 클럭선(242)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 제1 클럭 신호(CLK1)와 제2 클럭 신호(CLK2)를 각각 제1 주사 구동부(210)로 전달하고, 제3 클럭선(243)과 제4 클럭선(244)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 제3 클럭 신호(CLK3)와 제4 클럭 신호(CLK4)를 각각 제2 주사 구동부(220)로 공급할 수 있다.
이와 같이 클럭선을 분리 구성하는 경우, 제1 주사 구동부(210)와 제2 주사 구동부(220)가 동일한 클럭선을 공유하는 경우에 비하여 제1 주사선들(S11~S1k)의 로드가 일부 작아지므로, 제1 주사 신호의 RC 딜레이를 일부 줄일 수 있다.
제1 클럭 신호(CLK1)와 제2 클럭 신호(CLK2)는 서로 다른 위상(phase)을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 클럭 신호(CLK2)는 제1 클럭 신호(CLK1)와 180도의 위상차를 가질 수 있다.
제3 클럭 신호(CLK3)와 제4 클럭 신호(CLK4)는 서로 다른 위상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 클럭 신호(CLK3)는 제4 클럭 신호(CLK4)와 180도의 위상차를 가질 수 있다.
제1 주사 구동부(210)는 다수의 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)을 포함할 수 있다.
제1 주사 구동부(210)의 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)은 각각 제1 주사선들(S11~S1k)의 일단에 연결되고, 각각 제1 주사선들(S11~S1k)로 제1 주사 신호를 공급할 수 있다.
이때, 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK1, CLK2)에 대응하여 동작될 수 있다. 또한, 주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)은 이전 주사 스테이지 회로의 출력 신호(즉, 주사 신호) 또는 스타트 펄스(SSP1)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 주사 스테이지 회로(SST11)는 스타트 펄스(SSP1)를 공급받고, 나머지 주사 스테이지 회로들(SST12~SST1k)은 이전 스테이지 회로의 출력 신호를 공급받을 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 주사 구동부(210)의 첫번째 주사 스테이지 회로(SST11)는 제2 주사 구동부(220)의 마지막 주사 스테이지 회로(SST2j)로부터 출력되는 신호를 스타트 펄스로 사용할 수 있다.
주사 스테이지 회로들(SST11~SST1k)은 각각 제1 구동 전원(VDD1)과 제2 구동 전원(VSS1)을 공급받을 수 있다.
여기서, 제1 구동 전원(VDD1)은 게이트 오프 전압, 예를 들면 하이 레벨의 전압으로 설정될 수 있다. 그리고, 제2 구동 전원(VSS1)은 게이트 온 전압, 예를 들면 로우 레벨의 전압으로 설정될 수 있다.
제2 주사 구동부(220)는 다수의 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)을 포함할 수 있다.
제2 주사 구동부(220)의 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)은 각각 제2 주사선들(S21~S2j)의 일단에 연결되고, 각각 제2 주사선들(S21~S2j)로 제2 주사 신호를 공급할 수 있다.
이때, 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK3, CLK4)에 대응하여 동작될 수 있다. 또한, 주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)은 이전 주사 스테이지 회로의 출력 신호(즉, 주사 신호) 또는 스타트 펄스(SSP2)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 주사 스테이지 회로(SST21)는 스타트 펄스(SSP2)를 공급받고, 나머지 주사 스테이지 회로들(SST22~SST2j)은 이전 스테이지 회로의 출력 신호를 공급받을 수 있다.
또한, 제2 주사 구동부(220)의 마지막 주사 스테이지 회로(SST2j)는 제1 주사 구동부(210)의 첫번째 주사 스테이지 회로(SST11)로 출력 신호를 공급할 수 있다.
주사 스테이지 회로들(SST21~SST2j)은 각각 제1 구동 전원(VDD1)과 제2 구동 전원(VSS1)을 공급받을 수 있다.
도 4에서는 주사 구동부들(210, 220)이 각각 2개의 클럭 신호들을 이용하는 것을 도시하였으나, 주사 스테이지 회로의 구조에 따라 상기 주사 구동부들(210, 220)이 이용하는 클럭 신호의 수는 변화될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 제1 내지 제4 클럭 신호들 및 제1, 2 주사 신호들을 나타낸 파형도이다. 도 5에서는 설명의 편의를 위하여 첫번째 제1 주사선(S11) 및 두번째 제1 주사선(S12)에 공급되는 제1 주사 신호들과, 첫번째 제2 주사선(S21) 및 두번째 제2 주사선(S22)에 공급되는 제2 주사 신호들만을 도시하였다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 타이밍 제어부(270)는 신호 특성이 동일한 클럭 신호들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4)을 공급할 수 있다.
클럭 신호들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4)은 로우 전압인 제1 전압(V1)과 하이 전압인 제2 전압(V2) 사이를 스윙하는 클럭 신호일 수 있다.
예를 들어, 제1 클럭 신호(CLK1)는 제3 클럭 신호(CLK3)와 동일한 신호로 설정될 수 있고, 제2 클럭 신호(CLK2)는 제4 클럭 신호(CLK4)와 동일한 신호로 설정될 수 있다.
제1 주사 구동부(210)와 제2 주사 구동부(220)에 동일한 신호 특성을 갖는 클럭 신호들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4)을 공급하는 경우, 제1 화소 영역(AA1)에 존재하는 높은 로드로 인하여, 제1 주사 신호의 지연 현상이 제2 주사 신호에 비해 크게 나타날 수 있다.
즉, 클럭선을 분리 구성함으로써 제1 화소 영역(AA1)과 제2 화소 영역(AA2)의 휘도 차를 일부 개선할 수 있으나, 제1 화소 영역(AA1)과 제2 화소 영역(AA2)의 로드 차이가 큰 경우 휘도 차에 대한 추가적인 보상이 필요할 수 있다.
이 경우, 본 발명의 실시예에 의한 타이밍 제어부(270)는 클럭 신호들(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4)의 특성을 상이하게 설정함으로써, 휘도 차를 추가적으로 개선할 수 있다.
이때, 타이밍 제어부(270)에 의해 제어될 수 있는 클럭 신호의 특성은 펄스폭, 상승 에지 기간의 길이 및 하강 에지 기간의 길이 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 제3, 4 클럭 신호들 및 제2 주사 신호를 나타낸 파형도이다. 도 6에서는 설명의 편의를 위하여 첫번째 제2 주사선(S21) 및 두번째 제2 주사선(S22)에 공급되는 제2 주사 신호들만을 도시하였다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제3 클럭 신호(CLK3)의 펄스폭(Pw3)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 펄스폭(Pw1)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제3 클럭 신호(CLK3)의 펄스폭(Pw3)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 펄스폭(Pw1)보다 작게 설정될 수 있다.
또한, 제4 클럭 신호(CLK4)의 펄스폭(Pw4)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 펄스폭(Pw2)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제4 클럭 신호(CLK4)의 펄스폭(Pw4)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 펄스폭(Pw2)보다 작게 설정될 수 있다.
제1 클럭 신호(CLK1)의 펄스폭(Pw1)과 제2 클럭 신호(CLK2)의 펄스폭(Pw2)은 동일할 수 있고, 제3 클럭 신호(CLK3)의 펄스폭(Pw3)과 제4 클럭 신호(CLK4)의 펄스폭(Pw4)은 동일할 수 있다.
제2 주사 구동부(220)에 공급되는 클럭 신호들(CLK3, CLK4)의 펄스폭(Pw3, Pw4)를 줄임으로써, 도 6에 도시된 바와 같이 제2 주사 신호의 공급 기간(또는 펄스폭)도 줄어들게 된다.
그러므로, 제2 화소들(PXL2)의 데이터 기입 시간은 제1 화소들(PXL1)의 데이터 기입 시간과 유사하게 조절될 수 있으며, 이에 따라 제1 화소 영역(AA1)과 제2 화소 영역(AA2)의 휘도 차는 줄어들 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 제3, 4 클럭 신호들 및 제2 주사 신호를 나타낸 파형도이다. 도 7에서는 설명의 편의를 위하여 첫번째 제2 주사선(S21) 및 두번째 제2 주사선(S22)에 공급되는 제2 주사 신호들만을 도시하였다.
도 5 및 도 7을 참조하면, 제3 클럭 신호(CLK3)의 하강 에지 기간(F3)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 하강 에지 기간(F1)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제3 클럭 신호(CLK3)의 하강 에지 기간(F3)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 하강 에지 기간(F1)보다 길게 설정될 수 있다.
또한, 제3 클럭 신호(CLK3)의 상승 에지 기간(R3)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 상승 에지 기간(R1)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제3 클럭 신호(CLK3)의 상승 에지 기간(R3)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 상승 에지 기간(R1)보다 길게 설정될 수 있다.
도 5에 도시된 제1 클럭 신호(CLK1)는 이상적인 클럭 신호로서, 하강 에지 기간(F1)과 상승 에지 기간(R1)의 길이는 "0"으로 설정될 수 있다. 그러나, 실제 제1 클럭 신호(CLK1)는 제1 클럭선(241)의 RC 성분에 의하여 소정의 길이를 갖는 하강 에지 기간(F1)과 상승 에지 기간(R1)을 가질 수 있다.
한편, 제4 클럭 신호(CLK4)의 하강 에지 기간(F4)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 하강 에지 기간(F2)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제4 클럭 신호(CLK4)의 하강 에지 기간(F4)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 하강 에지 기간(F2)보다 길게 설정될 수 있다.
또한, 제4 클럭 신호(CLK4)의 상승 에지 기간(R4)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 상승 에지 기간(R2)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제4 클럭 신호(CLK4)의 상승 에지 기간(R4)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 상승 에지 기간(R2)보다 길게 설정될 수 있다.
도 5에 도시된 제2 클럭 신호(CLK2)는 이상적인 클럭 신호로서, 하강 에지 기간(F2)과 상승 에지 기간(R2)의 길이는 "0"으로 설정될 수 있다. 그러나, 실제 제2 클럭 신호(CLK2)는 제2 클럭선(242)의 RC 성분에 의하여 소정의 길이를 갖는 하강 에지 기간(F2)과 상승 에지 기간(R2)을 가질 수 있다.
제1 클럭 신호(CLK1)의 하강 에지 기간(F1)과 상승 에지 기간(R1)은 각각 제2 클럭 신호(CLK2)의 하강 에지 기간(F2) 및 상승 에지 기간(R2)과 동일한 길이를 가질 수 있다.
제3 클럭 신호(CLK3)의 하강 에지 기간(F3)과 상승 에지 기간(R3)은 각각 제4 클럭 신호(CLK4)의 하강 에지 기간(F4) 및 상승 에지 기간(R4)과 동일한 길이를 가질 수 있다.
제3 클럭 신호(CLK3)와 제4 클럭 신호(CLK4)는 하강 에지 기간(F3, F4) 동안 각각 제2 전압(V2, 하이 전압)으로부터 제3 전압(V3, 중간 전압)을 거쳐 제1 전압(V1, 로우 전압)으로 변화될 수 있다.
또한, 제3 클럭 신호(CLK3)와 제4 클럭 신호(CLK4)는 상승 에지 기간(R3, R4) 동안 각각 제1 전압(V1, 로우 전압)으로부터 제3 전압(V3, 중간 전압)을 거쳐 제2 전압(V2, 하이 전압)으로 변화될 수 있다.
이에 따라, 제3 클럭 신호(CLK3)와 제4 클럭 신호(CLK4)는 제1 전압(V1)과 제2 전압(V2) 사이를 스윙하며, 제3 전압(V3)을 경유하는 계단파 형태를 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 전압(V1)은 음전압으로 설정되고, 제2 전압(V2)은 양전압으로 설정되며, 제3 전압(V3)은 그라운드 전압으로 설정될 수 있다.
도 7에서는 제3, 4 클럭 신호들(CLK3, CLK4)의 하강 에지 기간(F3, F4)과 상승 에지 기간(R3, R4)을 모두 조절한 실시예를 도시하였으나, 하강 에지 기간(F3, F4)과 상승 에지 기간(R3, R4) 중 어느 하나만을 조절할 수도 있다.
제2 주사 구동부(220)에 공급되는 클럭 신호들(CLK3, CLK4)의 하강 에지 기간(F3, F4) 및/또는 상승 에지 기간(R3, R4)을 길게 연장시킴으로써, 도 7에 도시된 바와 같이 제2 주사 신호의 공급 기간(또는 펄스폭)도 줄어들게 되며, 제2 주사 신호는 도 5에 도시된 제1 주사 신호와 유사한 형태로 변화하게 된다.
그러므로, 제2 화소들(PXL2)의 데이터 기입 시간은 제1 화소들(PXL1)의 데이터 기입 시간과 유사하게 조절될 수 있으며, 이에 따라 제1 화소 영역(AA1)과 제2 화소 영역(AA2)의 휘도 차는 줄어들 수 있다.
도 8은 도 4에 도시된 주사 스테이지 회로의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도 8에서는 설명의 편의를 위하여, 제1 주사 구동부(210)의 주사 스테이지 회로들(SST11, SST12)을 도시하기로 한다.
도 8을 참조하면, 첫번째 주사 스테이지 회로(SST11)는 제1 구동 회로(1210), 제2 구동 회로(1220), 및 출력부(1230)를 포함할 수 있다.
출력부(1230)는 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전압에 대응하여 출력 단자(1006)로 공급되는 전압을 제어할 수 있다. 이를 위하여, 출력부(1230)는 제5 트랜지스터(M5) 및 제6 트랜지스터(M6)를 포함할 수 있다.
제5 트랜지스터(M5)는 제1 구동 전원(VDD1)이 입력되는 제4 입력 단자(1004)와 출력 단자(1006) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제5 트랜지스터(M5)는 제1 노드(N1)에 인가되는 전압에 대응하여 제4 입력 단자(1004)와 출력 단자(1006)의 접속을 제어할 수 있다.
제6 트랜지스터(M6)는 출력 단자(1006)와 제3 입력 단자(1003) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제2 노드(N2)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제6 트랜지스터(M6)는 제2 노드(N2)에 인가되는 전압에 대응하여 출력 단자(1006)와 제3 입력 단자(1003)의 접속을 제어할 수 있다.
이와 같은 출력부(1230)는 버퍼로 구동될 수 있다. 추가적으로, 제5 트랜지스터(M5) 및/또는 제6 트랜지스터(M6)는 상호 병렬 연결된 복수의 트랜지스터로 이루어질 수 있다.
제1 구동 회로(1210)는 제1 입력 단자(1001) 내지 제3 입력 단자(1003)로 공급되는 신호들에 대응하여 제3 노드(N3)의 전압을 제어할 수 있다.
이를 위하여, 제1 구동 회로(1210)는 제2 트랜지스터(M2) 내지 제4 트랜지스터(M4)를 포함할 수 있다.
제2 트랜지스터(M2)는 제1 입력 단자(1001)와 제3 노드(N3) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제2 입력 단자(1002)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제2 트랜지스터(M2)는 제2 입력 단자(1002)로 공급되는 신호에 대응하여 제1 입력 단자(1001)와 제3 노드(N3)의 접속을 제어할 수 있다.
제3 트랜지스터(M3)와 제4 트랜지스터(M4)는 제3 노드(N3)와 제4 입력 단자(1004) 사이에 직렬로 연결될 수 있다. 실제로, 제3 트랜지스터(M3)는 제4 트랜지스터(M4)와 제3 노드(N3) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제3 입력 단자(1003)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제3 트랜지스터(M3)는 제3 입력 단자(1003)로 공급되는 신호에 대응하여 제4 트랜지스터(M4)와 제3 노드(N3)의 접속을 제어할 수 있다.
제4 트랜지스터(M4)는 제3 트랜지스터(M3)와 제4 입력 단자(1004) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제4 트랜지스터(M4)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여 제3 트랜지스터(M3)와 제4 입력 단자(1004)의 접속을 제어할 수 있다.
제2 구동 회로(1220)는 제2 입력 단자(1002) 및 제3 노드(N3)의 전압에 대응하여 제1 노드(N1)의 전압을 제어할 수 있다. 이를 위하여, 제2 구동 회로(1220)는 제1 트랜지스터(M1), 제7 트랜지스터(M7), 제8 트랜지스터(M8), 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)를 포함할 수 있다.
제1 커패시터(C1)는 제2 노드(N2)와 출력 단자(1006) 사이에 연결될 수 있다. 이와 같은 제1 커패시터(C1)는 제6 트랜지스터(M6)의 턴-온 및 턴-오프에 대응하는 전압을 충전한다.
제2 커패시터(C2)는 제1 노드(N1)와 제4 입력 단자(1004) 사이에 연결될 수 있다. 이와 같은 제2 커패시터(C2)는 제1 노드(N1)에 인가되는 전압을 충전할 수 있다.
제7 트랜지스터(M7)는 제1 노드(N1)와 제2 입력 단자(1002) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제3 노드(N3)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제7 트랜지스터(M7)는 제3 노드(N3)의 전압에 대응하여 제1 노드(N1)와 제2 입력 단자(1002)의 접속을 제어할 수 있다.
제8 트랜지스터(M8)는 제1 노드(N1)와 제2 구동 전원(VSS1)이 공급되는 제5 입력 단자(1005) 사이에 위치되며, 게이트 전극이 제2 입력 단자(1002)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제8 트랜지스터(M8)는 제2 입력 단자(1002)의 신호에 대응하여 제1 노드(N1)와 제5 입력 단자(1005)의 접속을 제어할 수 있다.
제1 트랜지스터(M1)는 제3 노드(N3)와 제2 노드(N2) 사이에 연결되며, 게이트 전극이 제5 입력 단자(1005)에 연결될 수 있다. 이와 같은 제1 트랜지스터(M1)는 턴-온 상태를 유지하면서 제3 노드(N3) 및 제2 노드(N2)의 전기적 접속을 유지할 수 있다. 추가적으로 제1 트랜지스터(M1)는 제2 노드(N2)의 전압에 대응하여 제3 노드(N3)의 전압 하강 폭을 제한할 수 있다. 다시 말하여, 제2 노드(N2)의 전압이 제2 구동 전원(VSS1)보다 낮은 전압으로 하강하더라도 제3 노드(N3)의 전압은 제2 구동 전원(VSS1)에서 제1 트랜지스터(M1)의 문턱전압을 감한 전압보다 낮아지지 않는다. 이와 관련한 자세한 설명은 후술하기로 한다.
두번째 주사 스테이지 회로(SST12)와 나머지 주사 스테이지 회로들(SST13~SST1k)는 상기 첫번째 주사 스테이지 회로(SST11)과 동일한 구성을 가질 수 있다.
또한, j(j는 홀수 또는 짝수)번째 주사 스테이지 회로(SST1j)의 제2 입력 단자(1002)는 제1 클럭 신호(CLK1), 제3 입력 단자(1003)는 제2 클럭 신호(CLK2)를 공급받을 수 있다. j+1번째 주사 스테이지 회로(SST1j+1)의 제2 입력 단자(1002)는 제2 클럭 신호(CLK2), 제3 입력 단자(1003)는 제1 클럭 신호(CLK1)를 공급받을 수 있다.
도 7에서는 제1 주사 구동부(210)에 포함된 스테이지 회로를 대상으로 설명하였으나, 제2 주사 구동부(220)에 포함된 스테이지 회로들도 동일한 구성을 가질 수 있다.
다만, 제2 주사 구동부(220)는 제1 클럭 신호(CLK1) 및 제2 클럭 신호(CLK2) 대신 제3 클럭 신호(CLK3)와 제4 클럭 신호(CLK4)를 이용할 수 있다.
도 9는 도 2에 도시된 제1 화소의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도 9에서는 설명의 편의를 위하여 m번째 제1 데이터선(D1m) 및 i번째 제1 주사선(S1i)에 접속된 제1 화소(PXL1)를 도시하기로 한다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 제1 화소(PXL1)는 유기 발광 다이오드(OLED), 제1 트랜지스터(T1) 내지 제7 트랜지스터(T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드는 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 제1 트랜지스터(T1)에 접속되고, 캐소드는 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)로 전류가 흐를 수 있도록 제1 화소 전원(ELVDD)은 제2 화소 전원(ELVSS)보다 높은 전압으로 설정될 수 있다.
예를 들어, 제1 화소 전원(ELVDD)은 양전압으로 설정되고, 제2 화소 전원(ELVSS)은 음전압으로 설정될 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 i번째 제1 주사선(S1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제7 트랜지스터(T7)는 i번째 제1 주사선(S1i)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드로 공급할 수 있다. 여기서, 초기화 전원(Vint)은 데이터 신호보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제6 트랜지스터(T6) 게이트 전극은 i번째 제1 발광 제어선(E1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제6 트랜지스터(T6)는 i번째 제1 발광 제어선(E1i)으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 제1 화소 전원(ELVDD)과 제1 트랜지스터(T1) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 i번째 제1 발광 제어선(E1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제5 트랜지스터(T5)는 i번째 제1 발광 제어선(E1i)으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1; 구동 트랜지스터)의 제1 전극은 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 화소 전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 접속될 수 있다. 그리고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제10 노드(N10)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제1 트랜지스터(T1)는 제10 노드(N10)의 전압에 대응하여, 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제10 노드(N10) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 i번째 제1 주사선(S1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제3 트랜지스터(T3)는 i번째 제1 주사선(S1i)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제10 노드(N10)를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 따라서, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온될 때 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 형태로 접속될 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제10 노드(N10)와 초기화 전원(Vint) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 i-1번째 제1 주사선(S1i-1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제4 트랜지스터(T4)는 i-1번째 제1 주사선(S1i-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제10 노드(N10)로 초기화 전원(Vint)의 전압을 공급할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 m번째 제1 데이터선(D1m)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 i번째 제1 주사선(S1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제2 트랜지스터(T2)는 i번째 제1 주사선(S1i)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 m번째 제1 데이터선(D1m)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킬 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 화소 전원(ELVDD)과 제10 노드(N10) 사이에 접속될 수 있다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 대응하는 전압을 저장할 수 있다.
한편, 제2 화소(PXL1)는 제1 화소(PXL1)와 동일한 회로로 구현될 수 있다. 따라서, 제2 화소(PXL2)에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
또한, 도 9에서는 설명된 화소 구조는 주사선과 발광 제어선을 이용하는 하나의 예에 해당할 뿐이므로, 본 발명의 화소(PXL1, PXL2)가 상기 화소 구조에 한정되는 것은 아니다. 실제로, 화소는 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급할 수 있는 회로 구조를 가지며, 현재 공지된 다양한 구조 중 어느 하나로 선택될 수 있다.
본 발명에서 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터로부터 공급되는 전류량에 대응하여 적색, 녹색 및 청색을 포함한 다양한 광을 생성할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 일례로, 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터로부터 공급되는 전류량에 대응하여 백색 광을 생성할 수도 있다. 이 경우, 별도의 컬러 필터 등을 이용하여 컬러 영상을 구현할 수 있다.
추가적으로, 본 발명에서는 설명의 편의를 위하여 트랜지스터들을 P형(P-type)으로 도시하였지만, 이에 한정되지는 않는다. 다시 말하여, 트랜지스터들은 N형(N-type)으로 형성될 수도 있다.
또한, 트랜지스터의 게이트 오프 전압과 게이트 온 전압은 트랜지스터의 타입에 따라 다른 레벨의 전압으로 설정될 수 있다.
예를 들어, P형의 트랜지스터의 경우, 게이트 오프 전압과 게이트 온 전압은 각각 하이 레벨의 전압과 로우 레벨의 전압으로 설정될 수 있으며, N형의 트랜지스트의 경우, 게이트 오프 전압과 게이트 온 전압은 각각 로우 레벨의 전압과 하이 레벨의 전압으로 설정될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 10에서는 상술한 실시예(예를 들어, 도 2)와 비교하여 변경된 부분을 중심으로 설명을 진행하며, 상술한 실시예와 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하도록 한다. 이에 따라, 여기서는 제3 화소 영역(AA3)과 제3 화소들(PXL3)을 중심으로 설명을 진행하도록 한다.
도 10을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(10)는 화소 영역(AA1, AA2, AA3), 주변 영역(NA1, NA2, NA3), 및 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)을 포함할 수 있다.
제3 화소 영역(AA3)은 제2 화소 영역(AA2)의 일측에 위치할 수 있다. 이에 따라, 제2 화소 영역(AA2)은 제1 화소 영역(AA1)과 제3 화소 영역(AA3) 사이에 위치할 수 있으며, 제1 화소 영역(AA1)과 제3 화소 영역(AA3)은 상호 이격되어 위치할 수 있다.
또한, 제3 화소 영역(AA3)은 제1 화소 영역(AA1)에 비해 작은 면적을 가질 수 있다.
예를 들어, 제3 화소 영역(AA3)의 폭(W3)은 제1 화소 영역(AA1)의 폭(W1)보다 작게 설정되고, 제3 화소 영역(AA3)의 길이(L3)는 제1 화소 영역(AA1)의 길이(L1)보다 작게 설정될 수 있다.
또한, 제3 화소 영역(AA3)은 제2 화소 영역(AA2)에 비해 작은 면적을 가질 수 있다.
예를 들어, 제3 화소 영역(AA3)의 폭(W3)은 제2 화소 영역(AA2)의 폭(W2)보다 작게 설정되고, 제3 화소 영역(AA3)의 길이(L3)는 제2 화소 영역(AA2)의 길이(L2)보다 작게 설정될 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예에 따라 제3 화소 영역(AA3)의 면적이 제2 화소 영역(AA2) 보다 크게 설정될 수 있다.
제3 주변 영역(NA3)은 제3 화소 영역(AA3)의 주변에 존재하며, 제3 화소 영역(AA3)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제3 주변 영역(NA3)의 폭은 전체적으로 동일하게 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제3 주변 영역(NA3)의 폭은 위치에 따라 상이하게 설정될 수 있다.
제3 화소들(PXL3)은 제3 화소 영역(AA3)에 위치하며, 각각 제3 주사선(S3), 제3 발광 제어선(E3), 및 제3 데이터선(D3)과 연결될 수 있다. 필요에 따라, 제3 화소들(PXL3)은 각각 복수개의 주사선들과 연결될 수 있다.
또한, 제3 화소들(PXL3)은 표시 구동부(200)의 제어에 따라 소정의 휘도로 발광할 수 있고, 이를 위해 발광 소자(예를 들어, 유기 발광 다이오드)를 포함할 수 있다.
표시 구동부(200)는 구동 신호들을 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)로 공급함으로써, 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)의 발광을 제어할 수 있다.
예를 들어, 표시 구동부(200)는 주사 신호를 주사선들(S1, S2, S3)을 통해 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)로 공급하고, 발광 제어 신호를 발광 제어선들(E1, E2, E3)을 통해 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)로 공급하며, 데이터 신호를 데이터선들(D1, D2, D3)을 통해 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)로 공급할 수 있다.
기판(100)은 화소 영역(AA1, AA2, AA3)과 주변 영역(NA1, NA2, NA3)이 설정될 수 있는 다양한 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 기판(100)은 판형의 베이스 기판(101), 상기 베이스 기판(101)의 일단부로부터 일측으로 돌출 연장되는 제1 보조판(102), 및 상기 제1 보조판(102)의 일단부로부터 일측으로 돌출 연장되는 제2 보조판(103)을 포함할 수 있다.
이때, 제2 보조판(103)은 제1 보조판(102) 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 예를 들어 제2 보조판(103)의 폭은 제1 보조판(102)의 폭보다 작게 설정되고, 제2 보조판(103)의 길이는 제1 보조판(102)의 길이보다 작게 설정될 수 있다.
제3 화소 영역(AA3)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 화소 영역(AA3)은 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 또한, 제3 화소 영역(AA3)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다.
제3 화소 영역(AA3)의 형태 변화에 대응하여, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제3 화소들(PXL3)의 개수는 그 위치에 따라 변화될 수 있다.
또한, 제3 화소들(PXL3)은 앞서 설명한 도 9의 화소 구조를 가질 수 있으나, 그에 한정되지는 않는다.
도 11은 도 10에 도시된 표시 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 11에서는 상술한 실시예(예를 들어, 도 3)와 비교하여 변경된 부분을 중심으로 설명을 진행하며, 상술한 실시예와 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하도록 한다. 이에 따라, 여기서는 제3 주사 구동부(230)와 제3 발광 구동부(330)를 중심으로 설명을 진행하도록 한다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 표시 구동부(200)는 제1 주사 구동부(210), 제2 주사 구동부(220), 제3 주사 구동부(230), 데이터 구동부(260), 타이밍 제어부(270), 제1 발광 구동부(310), 제2 발광 구동부(320), 제3 발광 구동부(330)를 포함할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주사선들(S31~S3h)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 주사 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 신호를 순차적으로 제3 주사선들(S31~S3h)에 공급할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)가 기판(100) 상에 직접 실장되는 경우, 제3 주사 구동부(230)는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 제어 신호(SCS3)에 대응하여 동작할 수 있다.
데이터 구동부(260)는 제3 데이터선들(D31~D3q)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
또한, 제3 화소들(PXL3)은 제1 화소 전원(ELVDD) 및 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 필요에 따라, 제3 화소들(PXL3)은 초기화 전원(Vint)과 추가적으로 접속될 수 있다.
이와 같은 제3 화소들(PXL3)은 제3 주사선들(S31~S3h)로 제3 주사 신호가 공급될 때 제3 데이터선들(D31~D3q)로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 데이터 신호를 공급받은 제3 화소들(PXL3)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
또한, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제3 화소들(PXL3)의 개수는 그 위치에 따라 변화할 수 있다.
예를 들어, 제3 데이터선들(D31~D3q)은 일부의 제2 데이터선들(D21~D2p-1)과 연결될 수 있다.
또한, 제2 데이터선들(D21~D2p)은 일부의 제1 데이터선들(D11~D1m)과 연결될 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어선들(E31~E3h)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어 신호를 순차적으로 제3 발광 제어선들(E31~E3h)에 공급할 수 있다.
제3 발광 구동부(330)가 기판(100) 상에 직접 실장되는 경우, 제3 발광 구동부(330)는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어 신호(ECS3)에 대응하여 동작할 수 있다.
제3 화소들(PXL3)이 제3 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 제3 발광 구동부(330)와 제3 발광 제어선들(E31~E3h)은 생략될 수 있다.
제3 화소 영역(AA3)은 제1 화소 영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있으며, 제3 주사선들(S31~S3h)과 제3 발광 제어선들(E31~E3h)의 길이는 제1 주사선들(S11~S1k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)에 비해 짧을 수 있다.
제3 주사선들(S31~S3h) 중 어느 하나에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 주사선들(S11~S1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 제3 발광 제어선들(E31~E3h) 중 어느 하나에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 발광 제어선들(E11~E1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제3 화소 영역(AA3)의 면적이 제2 화소 영역(AA2) 보다 작게 설정된 경우, 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제2 화소들(PXL2)의 개수보다 적을 수 있으며, 제3 주사선들(S31~S3h)과 제3 발광 제어선들(E31~E3h)의 길이는 제2 주사선들(S21~S2j)과 제2 발광 제어선들(E21~E2j)에 비해 짧을 수 있다.
제3 주사선들(S31~S3h) 중 어느 하나에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제2 주사선들(S21~S2j) 중 어느 하나에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 제3 발광 제어선들(E31~E3h) 중 어느 하나에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제2 발광 제어선들(E21~E2j) 중 어느 하나에 연결된 제2 화소들(PXL2)의 개수보다 적을 수 있다.
타이밍 제어부(270)는 제3 주사 구동부(230)와 제3 발광 구동부(330)를 제어하기 위하여, 제3 주사 제어 신호(SCS3)와 제3 발광 제어 신호(ECS3)를 각각 제3 주사 구동부(230)와 제3 발광 구동부(330)로 공급할 수 있다.
제3 주사 제어 신호(SCS3)와 제3 발광 제어 신호(ECS3)는 각각 적어도 하나의 클럭 신호와 스타트 펄스를 포함할 수 있다.
도 12는 도 11에 도시된 제1 내지 제3 주사 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다. 도 12에서는 상술한 실시예(예를 들어, 도 4)와 비교하여 변경된 부분을 중심으로 설명을 진행하며, 상술한 실시예와 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하도록 한다. 이에 따라, 여기서는 제3 주사 구동부(230)를 중심으로 설명을 진행하도록 한다.
화소 영역들(AA1, AA2, AA3) 간 휘도 차를 개선하기 위하여, 제3 주사 구동부(230)와 관련된 제5 클럭선(245)과 제6 클럭선(246)은 다른 클럭선들(241, 242, 243, 244)과 전기적으로 분리되어 위치할 수 있다.
제5 클럭선(245)과 제6 클럭선(246)은 타이밍 제어부(270)와 제3 주사 구동부(230) 사이에 연결되어, 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 제5 클럭 신호(CLK5)와 제6 클럭 신호(CLK6)를 각각 제3 주사 구동부(230)로 전달할 수 있다.
제5 클럭 신호(CLK5)와 제6 클럭 신호(CLK6)는 서로 다른 위상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제6 클럭 신호(CLK6)는 제5 클럭 신호(CLK5)와 180도의 위상차를 가질 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 다수의 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)을 포함할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)의 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 각각 제3 주사선들(S31~S3h)의 일단에 연결되고, 각각 제3 주사선들(S31~S3h)로 제3 주사 신호를 공급할 수 있다.
이때, 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK5, CLK6)에 대응하여 동작될 수 있다. 또한, 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 이전 주사 스테이지 회로의 출력 신호(즉, 주사 신호) 또는 스타트 펄스(SSP3)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 주사 스테이지 회로(SST31)는 스타트 펄스(SSP3)를 공급받고, 나머지 주사 스테이지 회로들(SST32~SST3h)은 이전 스테이지 회로의 출력 신호를 공급받을 수 있다.
또한, 제3 주사 구동부(230)의 마지막 주사 스테이지 회로(SST3h)는 제2 주사 구동부(220)의 첫번째 주사 스테이지 회로(SST21)로 출력 신호를 공급할 수 있다.
주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 각각 제1 구동 전원(VDD1)과 제2 구동 전원(VSS1)을 공급받을 수 있다.
도 12에서는 주사 구동부들(210, 220, 230)이 각각 2개의 클럭 신호들을 이용하는 것을 도시하였으나, 주사 스테이지 회로의 구조에 따라 상기 주사 구동부들(210, 220, 230)이 이용하는 클럭 신호의 수는 변화될 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 의한 제5, 6 클럭 신호들 및 제3 주사 신호를 나타낸 파형도이다. 도 13에서는 설명의 편의를 위하여 첫번째 제3 주사선(S31) 및 두번째 제3 주사선(S32)에 공급되는 제3 주사 신호들만을 도시하였다.
도 5 및 도 13을 참고하면, 제5, 6 클럭 신호들(CLK5, CLK6)의 특성은 제1, 2 클럭신호들(CLK1, CLK2)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제5 클럭 신호(CLK5)의 펄스폭(Pw5)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 펄스폭(Pw1)보다 작게 설정될 수 있다.
또한, 제6 클럭 신호(CLK6)의 펄스폭(Pw6)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 펄스폭(Pw2)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제6 클럭 신호(CLK6)의 펄스폭(Pw6)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 펄스폭(Pw2)보다 작게 설정될 수 있다.
제5 클럭 신호(CLK5)의 펄스폭(Pw5)과 제6 클럭 신호(CLK6)의 펄스폭(Pw6)은 동일할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)에 공급되는 클럭 신호들(CLK5, CLK6)의 펄스폭(Pw5, Pw6)를 줄임으로써, 도 13에 도시된 바와 같이 제3 주사 신호의 공급 기간(또는 펄스폭)도 줄어들게 된다.
그러므로, 제3 화소들(PXL3)의 데이터 기입 시간은 제1 화소들(PXL1)의 데이터 기입 시간과 유사하게 조절될 수 있으며, 이에 따라 제1 화소 영역(AA1)과 제3 화소 영역(AA3)의 휘도 차는 줄어들 수 있다.
한편, 제3 화소 영역(AA3)의 면적이 제2 화소 영역(AA2)과 상이하게 설정되는 경우, 제3 주사선들(S31~S3h)의 로드와 제2 주사선들(S21~S2j)의 로드는 상이할 수 있다.
그러므로, 제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)의 휘도 차를 개선하기 위하여, 제5, 6 클럭 신호들(CLK5, CLK6)의 특성은 제3, 4 클럭신호들(CLK3, CLK4)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제3 화소 영역(AA3)의 면적이 제2 화소 영역(AA2) 보다 작게 설정되는 경우, 제5 클럭 신호(CLK5)의 펄스폭(Pw5)은 제3 클럭 신호(CLK3)의 펄스폭(Pw3)보다 작게 설정되고, 제6 클럭 신호(CLK6)의 펄스폭(Pw6)은 제4 클럭 신호(CLK4)의 펄스폭(Pw4)보다 작게 설정될 수 있다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 의한 제5, 6 클럭 신호들 및 제3 주사 신호를 나타낸 파형도이다. 도 14에서는 설명의 편의를 위하여 첫번째 제3 주사선(S31) 및 두번째 제3 주사선(S32)에 공급되는 제3 주사 신호들만을 도시하였다.
도 5 및 도 14를 참조하면, 제5 클럭 신호(CLK5)의 하강 에지 기간(F5)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 하강 에지 기간(F1)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제5 클럭 신호(CLK5)의 하강 에지 기간(F5)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 하강 에지 기간(F1)보다 길게 설정될 수 있다.
또한, 제5 클럭 신호(CLK5)의 상승 에지 기간(R5)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 상승 에지 기간(R1)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제5 클럭 신호(CLK5)의 상승 에지 기간(R5)은 제1 클럭 신호(CLK1)의 상승 에지 기간(R1)보다 길게 설정될 수 있다.
한편, 제6 클럭 신호(CLK6)의 하강 에지 기간(F6)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 하강 에지 기간(F2)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제6 클럭 신호(CLK6)의 하강 에지 기간(F6)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 하강 에지 기간(F2)보다 길게 설정될 수 있다.
또한, 제6 클럭 신호(CLK6)의 상승 에지 기간(R6)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 상승 에지 기간(R2)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제6 클럭 신호(CLK6)의 상승 에지 기간(R6)은 제2 클럭 신호(CLK2)의 상승 에지 기간(R2)보다 길게 설정될 수 있다.
제5 클럭 신호(CLK5)의 하강 에지 기간(F5)과 상승 에지 기간(R5)은 각각 제6 클럭 신호(CLK6)의 하강 에지 기간(F6) 및 상승 에지 기간(R6)과 동일한 길이를 가질 수 있다.
제5 클럭 신호(CLK5)와 제6 클럭 신호(CLK6)는 하강 에지 기간(F5, F6) 동안 각각 제2 전압(V2, 하이 전압)으로부터 제3 전압(V3, 중간 전압)을 거쳐 제1 전압(V1, 로우 전압)으로 변화될 수 있다.
또한, 제5 클럭 신호(CLK5)와 제6 클럭 신호(CLK6)는 상승 에지 기간(R5, R6) 동안 각각 제1 전압(V1, 로우 전압)으로부터 제3 전압(V3, 중간 전압)을 거쳐 제2 전압(V2, 하이 전압)으로 변화될 수 있다.
이에 따라, 제5 클럭 신호(CLK5)와 제6 클럭 신호(CLK6)는 제1 전압(V1)과 제2 전압(V2) 사이를 스윙하며, 제3 전압(V3)을 경유하는 계단파 형태를 가질 수 있다.
제3 주사 구동부(230)에 공급되는 클럭 신호들(CLK5, CLK6)의 하강 에지 기간(F5, F6) 및/또는 상승 에지 기간(R5, R6)을 길게 연장시킴으로써, 도 14에 도시된 바와 같이 제3 주사 신호의 공급 기간(또는 펄스폭)도 줄어들게 되며, 제3 주사 신호는 도 5에 도시된 제1 주사 신호와 유사한 형태로 변화하게 된다.
그러므로, 제3 화소들(PXL3)의 데이터 기입 시간은 제1 화소들(PXL1)의 데이터 기입 시간과 유사하게 조절될 수 있으며, 이에 따라 제1 화소 영역(AA1)과 제3 화소 영역(AA3)의 휘도 차는 줄어들 수 있다.
한편, 제3 화소 영역(AA3)의 면적이 제2 화소 영역(AA2)과 상이하게 설정되는 경우, 제3 주사선들(S31~S3h)의 로드와 제2 주사선들(S21~S2j)의 로드는 상이할 수 있다.
예를 들어, 제3 화소 영역(AA3)의 면적이 제2 화소 영역(AA2) 보다 작게 설정되는 경우, 제5 클럭 신호(CLK5)의 하강 에지 기간(F5)과 상승 에지 기간(R5)은 각각 제3 클럭 신호(CLK3)의 하강 에지 기간(F3)과 상승 에지 기간(R3) 보다 길게 형성될 수 있다.
이를 위하여, 제5 클럭 신호(CLK5)의 하강 에지 기간(F5)과 상승 에지 기간(R5) 동안 제3 전압(V3)의 지속 시간은 연장될 수 있다.
또한, 제6 클럭 신호(CLK6)의 하강 에지 기간(F6)과 상승 에지 기간(R6)은 각각 제4 클럭 신호(CLK4)의 하강 에지 기간(F4)과 상승 에지 기간(R4) 보다 길게 형성될 수 있다.
이를 위하여, 제6 클럭 신호(CLK6)의 하강 에지 기간(F6)과 상승 에지 기간(R6) 동안 제3 전압(V3)의 지속 시간은 연장될 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 15에서는 상술한 실시예(예를 들어, 도 2 및 도 10)와 비교하여 변경된 부분을 중심으로 설명을 진행하며, 상술한 실시예와 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하도록 한다. 이에 따라, 여기서는 제3 화소 영역(AA3)과 제3 화소들(PXL3)을 중심으로 설명을 진행하도록 한다.
도 10을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(10)는 화소 영역(AA1, AA2, AA3), 주변 영역(NA1, NA2, NA3), 및 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)을 포함할 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)은 제1 화소 영역(AA1)의 일측에 위치할 수 있다. 이때, 제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)은 서로 이격되어 위치할 수 있다.
제1 화소 영역(AA1)은 제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)에 비해 가장 큰 면적을 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 화소 영역(AA1)의 폭(W1)은 다른 화소 영역(AA2, AA3)의 폭(W2, W3)에 비해 크게 설정되고, 제1 화소 영역(AA1)의 길이(L1)는 다른 화소 영역(AA2, AA3)의 길이(L2, L3)에 비해 크게 설정될 수 있다.
또한, 제2 화소 영역(AA2)와 제3 화소 영역(AA3)은 각각 제1 화소 영역(AA1) 보다 작은 면적을 가질 수 있고, 서로 동일한 면적 또는 서로 다른 면적을 가질 수 있다.
예를 들어, 제2 화소 영역(AA2)의 폭(W2)은 제3 화소 영역(AA3)의 폭(W3)과 동일하거나 다르게 설정될 수 있고, 제2 화소 영역(AA2)의 길이(L2)는 제3 화소 영역(AA3)의 길이(L3)와 동일하거나 다르게 설정될 수 있다.
기판(100)은 상술한 화소 영역(AA1, AA2, AA3)과 주변 영역(NA1, NA2, NA3)이 설정될 수 있는 다양한 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 기판(100)은 판상의 베이스 기판(101), 상기 베이스 기판(101)의 일단부로부터 일측으로 돌출 연장되는 제1 보조판(102) 및 제2 보조판(103)을 포함할 수 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 베이스 기판(101)과 일체로 형성될 수 있으며, 제1 보조판(102)과 제2 보조판(103) 사이에는 오목부(104)가 존재할 수 있다.
오목부(104)는 기판(100)의 일부가 제거된 영역으로서, 이로 인하여 제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 이격되어 위치할 수 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 각각 베이스 기판(101) 보다 작은 면적을 가질 수 있고, 서로 동일한 면적 또는 서로 다른 면적을 가질 수 있다.
제1 보조판(102)과 제2 보조판(103)은 화소 영역(AA2, AA3)과 주변 영역(NA2, NA3)이 설정될 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
이 경우, 앞서 설명한 제1 화소 영역(AA1)과 제1 주변 영역(NA1)은 베이스 기판(101)에서 정의될 수 있고, 제2 화소 영역(AA2)과 제2 주변 영역(NA2)은 제1 보조판(102)에서 정의될 수 있으며, 제3 화소 영역(AA3)과 제3 주변 영역(NA3)은 제2 보조판(103)에서 정의될 수 있다.
제1 화소 영역(AA1)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 영역(AA1)은 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1 화소 영역(AA1)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다.
제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)은 각각 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)은 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 또한, 제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)의 적어도 일부분은 곡선 모양을 가질 수 있다.
예를 들어, 제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3)의 코너부들은 각각 각진 형태, 경사진 형태, 및 곡선 형태 등으로 변형될 수 있다.
도 16은 도 15에 도시된 표시 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다.
도 16에서는 상술한 실시예(예를 들어, 도 3 및 도 11)와 비교하여 변경된 부분을 중심으로 설명을 진행하며, 상술한 실시예와 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하도록 한다. 이에 따라, 여기서는 제3 주사 구동부(230)와 제3 발광 구동부(330)를 중심으로 설명을 진행하도록 한다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 표시 구동부(200)는 제1 주사 구동부(210), 제2 주사 구동부(220), 제3 주사 구동부(230), 데이터 구동부(260), 타이밍 제어부(270), 제1 발광 구동부(310), 제2 발광 구동부(320), 제3 발광 구동부(330)를 포함할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주사선들(S31~S3h)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 주사 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 신호를 순차적으로 제3 주사선들(S31~S3h)에 공급할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)가 기판(100) 상에 직접 실장되는 경우, 제3 주사 구동부(230)는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 제3 주사 제어 신호(SCS3)에 대응하여 동작할 수 있다.
데이터 구동부(260)는 제3 데이터선들(D31~D3q)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
또한, 제3 화소들(PXL3)은 제1 화소 전원(ELVDD) 및 제2 화소 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 필요에 따라, 제3 화소들(PXL3)은 초기화 전원(Vint)과 추가적으로 접속될 수 있다.
이와 같은 제3 화소들(PXL3)은 제3 주사선들(S31~S3h)로 제3 주사 신호가 공급될 때 제3 데이터선들(D31~D3q)로부터 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 데이터 신호를 공급받은 제3 화소들(PXL3)은 제1 화소 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제2 화소 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
또한, 한 라인(행 또는 열)에 위치하는 제3 화소들(PXL3)의 개수는 그 위치에 따라 변화할 수 있다.
예를 들어, 제3 데이터선들(D31~D3q)은 일부의 제1 데이터선들(D1n+1~D1o)과 연결될 수 있다.
또한, 제2 데이터선들(D21~D2p)은 다른 일부의 제1 데이터선들(D11~D1m-1)과 연결될 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어선들(E31~E3h)을 통하여 제3 화소들(PXL3)로 제3 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, 제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어 신호를 순차적으로 제3 발광 제어선들(E31~E3h)에 공급할 수 있다.
제3 발광 구동부(330)가 기판(100) 상에 직접 실장되는 경우, 제3 발광 구동부(330)는 제3 주변 영역(NA3)에 위치할 수 있다.
제3 화소들(PXL3)이 제3 발광 제어 신호를 이용할 필요가 없는 구조인 경우, 제3 발광 구동부(330)와 제3 발광 제어선들(E31~E3h)은 생략될 수 있다.
제3 발광 구동부(330)는 제3 발광 제어 신호(ECS3) 에 대응하여 동작할 수 있다.
제3 화소 영역(AA3)은 제1 화소 영역(AA1) 보다 작은 면적을 가지므로, 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있으며, 제3 주사선들(S31~S3h)과 제3 발광 제어선들(E31~E3h)의 길이는 제1 주사선들(S11~S1k)과 제1 발광 제어선들(E11~E1k)에 비해 짧을 수 있다.
제3 주사선들(S31~S3h) 중 어느 하나에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 주사선들(S11~S1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 제3 발광 제어선들(E31~E3h) 중 어느 하나에 연결된 제3 화소들(PXL3)의 개수는 제1 발광 제어선들(E11~E1k) 중 어느 하나에 연결된 제1 화소들(PXL1)의 개수보다 적을 수 있다.
타이밍 제어부(270)는 제3 주사 구동부(230)와 제3 발광 구동부(330)를 제어하기 위하여, 제3 주사 제어 신호(SCS3)와 제3 발광 제어 신호(ECS3)를 각각 제3 주사 구동부(230)와 제3 발광 구동부(330)로 공급할 수 있다.
제3 주사 제어 신호(SCS3)와 제3 발광 제어 신호(ECS3)는 각각 적어도 하나의 클럭 신호와 스타트 펄스를 포함할 수 있다.
도 17은 도 16에 도시된 제1 내지 제3 주사 구동부를 보다 자세히 나타낸 도면이다. 도 17에서는 상술한 실시예(예를 들어, 도 4 및 도 12)와 비교하여 변경된 부분을 중심으로 설명을 진행하며, 상술한 실시예와 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하도록 한다. 이에 따라, 여기서는 제3 주사 구동부(230)를 중심으로 설명을 진행하도록 한다.
화소 영역들(AA1, AA2, AA3) 간 휘도 차를 개선하기 위하여, 제3 주사 구동부(230)와 관련된 제5 클럭선(245)과 제6 클럭선(246)은 다른 클럭선들(241, 242, 243, 244)과 전기적으로 분리되어 위치할 수 있다.
제5 클럭선(245)과 제6 클럭선(246)은 타이밍 제어부(270)와 제3 주사 구동부(230) 사이에 연결되어, 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 제5 클럭 신호(CLK5)와 제6 클럭 신호(CLK6)를 각각 제3 주사 구동부(230)로 전달할 수 있다.
제5 클럭 신호(CLK5)와 제6 클럭 신호(CLK6)는 서로 다른 위상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제6 클럭 신호(CLK6)는 제5 클럭 신호(CLK5)와 180도의 위상차를 가질 수 있다.
제3 주사 구동부(230)는 다수의 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)을 포함할 수 있다.
제3 주사 구동부(230)의 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 각각 제3 주사선들(S31~S3h)의 일단에 연결되고, 각각 제3 주사선들(S31~S3h)로 제3 주사 신호를 공급할 수 있다.
이때, 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 타이밍 제어부(270)로부터 공급되는 클럭 신호들(CLK5, CLK6)에 대응하여 동작될 수 있다. 또한, 주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 이전 주사 스테이지 회로의 출력 신호(즉, 주사 신호) 또는 스타트 펄스(SSP3)를 공급받을 수 있다.
예를 들어, 첫번째 주사 스테이지 회로(SST31)는 스타트 펄스(SSP3)를 공급받고, 나머지 주사 스테이지 회로들(SST32~SST3h)은 이전 스테이지 회로의 출력 신호를 공급받을 수 있다.
또한, 제3 주사 구동부(230)의 마지막 주사 스테이지 회로(SST3h)는 제2 주사 구동부(220)의 첫번째 주사 스테이지 회로(SST21)로 출력 신호를 공급할 수 있다.
주사 스테이지 회로들(SST31~SST3h)은 각각 제1 구동 전원(VDD1)과 제2 구동 전원(VSS1)을 공급받을 수 있다.
도 17에서는 주사 구동부들(210, 220, 230)이 각각 2개의 클럭 신호들을 이용하는 것을 도시하였으나, 주사 스테이지 회로의 구조에 따라 상기 주사 구동부들(210, 220, 230)이 이용하는 클럭 신호의 수는 변화될 수 있다.
제1 화소 영역(AA1)과 제3 화소 영역(AA3) 사이의 휘도 차를 개선하기 위하여, 제5, 6 클럭 신호들(CLK5, CLK6)의 특성은 제1, 2 클럭신호들(CLK1, CLK2)과 상이하게 설정될 수 있다.
예를 들어, 제5, 6 클럭 신호들(CLK5, CLK6)의 펄스폭, 상승 에지 기간의 길이 및 하강 에지 기간의 길이 중 적어도 하나는 제1, 2 클럭신호들(CLK1, CLK2)과 상이하게 설정될 수 있다.
또한, 제2 화소 영역(AA2)와 제3 화소 영역(AA3)의 면적이 상이하게 설정되는 경우, 제2 화소 영역(AA2)과 제3 화소 영역(AA3) 사이의 휘도 차를 개선하기 위하여, 제5, 6 클럭 신호들(CLK5, CLK6)의 특성은 제3, 4 클럭신호들(CLK3, CLK4)과 상이하게 설정될 수 있다.
제5, 6 클럭 신호들(CLK5, CLK6)의 펄스폭, 상승 에지 기간의 길이 및 하강 에지 기간을 조절하는 구성은 이미 앞서 설명한 바 있으므로, 그에 대한 자세한 설명은 생략하도록 한다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 표시 장치 100: 기판
210: 제1 주사 구동부 220: 제2 주사 구동부
230: 제3 주사 구동부 310: 제1 발광 구동부
320: 제2 발광 구동부 330: 제3 발광 구동부
AA1: 제1 화소 영역 AA2: 제2 화소 영역
AA3: 제3 화소 영역 NA1: 제1 주변 영역
NA2: 제2 주변 영역 NA3: 제3 주변 영역
PXL1: 제1 화소 PXL2: 제2 화소
PXL3: 제3 화소

Claims (28)

  1. 제1 화소 영역에 위치하며, 제1 주사선들과 연결되는 제1 화소들;
    제2 화소 영역에 위치하며, 제2 주사선들과 연결되는 제2 화소들;
    제1 클럭선과 제2 클럭선으로 각각 제1 클럭 신호와 제2 클럭 신호를 공급하는 타이밍 제어부;
    상기 제1 클럭선을 통해 상기 제1 클럭 신호를 입력받고, 상기 제1 주사선들로 제1 주사 신호를 공급하는 제1 주사 구동부; 및
    상기 제2 클럭선을 통해 상기 제2 클럭 신호를 입력받고, 상기 제2 주사선들로 제2 주사 신호를 공급하는 제2 주사 구동부를 포함하고,
    상기 제1 화소들 및 상기 제2 화소들은 동일한 회로를 포함하며,
    상기 제2 화소 영역은, 상기 제1 화소 영역보다 작은 폭을 갖고,
    상기 제2 주사선들의 길이는, 상기 제1 주사선들의 길이보다 짧으며,
    상기 길이에 따라 상기 제1 클럭 신호와 상기 제2 클럭 신호는 상이한 신호 특성을 갖고,
    상기 신호 특성은, 펄스폭, 상승 에지 기간의 길이 및 하강 에지 기간의 길이 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 클럭 신호의 펄스폭은, 상기 제1 클럭 신호의 펄스폭보다 작게 설정되는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 클럭 신호의 상승 에지 기간은, 상기 제1 클럭 신호의 상승 에지 기간보다 길게 설정되는 큰 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 클럭 신호는, 상기 상승 에지 기간 동안 로우 전압으로부터 중간 전압을 거쳐 하이 전압으로 변화되는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 클럭 신호의 하강 에지 기간은, 상기 제1 클럭 신호의 하강 에지 기간보다 길게 설정되는 큰 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 클럭 신호는, 상기 하강 에지 기간 동안 하이 전압으로부터 중간 전압을 거쳐 로우 전압으로 변화되는 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 화소 영역은, 상기 제1 화소 영역보다 작은 길이를 갖는 표시 장치.
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 화소들의 개수는, 상기 제1 화소들의 개수보다 적은 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 화소 영역보다 작은 폭을 갖는 제3 화소 영역에 위치하며, 제3 주사선들과 연결되는 제3 화소들; 및
    제3 클럭선을 통해 제3 클럭 신호를 입력받고, 상기 제3 주사선들로 제3 주사 신호를 공급하는 제3 주사 구동부를 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는, 상기 제3 클럭선으로 상기 제3 클럭 신호를 더 공급하는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 클럭 신호와 상기 제3 클럭 신호는, 상이한 신호 특성을 갖는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 신호 특성은, 펄스폭, 상승 에지 기간의 길이 및 하강 에지 기간의 길이 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제3 클럭 신호의 펄스폭은, 상기 제1 클럭 신호의 펄스폭보다 작게 설정되는 표시 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제3 클럭 신호의 상승 에지 기간은, 상기 제1 클럭 신호의 상승 에지 기간보다 길게 설정되는 큰 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제3 클럭 신호는, 상기 상승 에지 기간 동안 로우 전압으로부터 중간 전압을 거쳐 하이 전압으로 변화되는 표시 장치.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 제3 클럭 신호의 하강 에지 기간은, 상기 제1 클럭 신호의 하강 에지 기간보다 길게 설정되는 큰 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제3 클럭 신호는, 상기 하강 에지 기간 동안 하이 전압으로부터 중간 전압을 거쳐 로우 전압으로 변화되는 표시 장치.
  21. 제12항에 있어서,
    상기 제3 화소 영역은, 상기 제1 화소 영역보다 작은 길이를 갖는 표시 장치.
  22. 제12항에 있어서,
    상기 제3 주사선들의 길이는, 상기 제1 주사선들의 길이보다 짧은 표시 장치.
  23. 제12항에 있어서,
    상기 제3 화소들의 개수는, 상기 제1 화소들의 개수보다 적은 표시 장치.
  24. 제12항에 있어서,
    상기 제2 화소 영역은, 상기 제1 화소 영역과 상기 제3 화소 영역 사이에 위치하는 표시 장치.
  25. 제12항에 있어서,
    상기 제3 화소 영역은, 상기 제2 화소 영역과 이격하여 위치하는 표시 장치.
  26. 제1 화소 영역에 위치하며, 제1 주사선들과 연결되는 제1 화소들;
    제2 화소 영역에 위치하며, 제2 주사선들과 연결되는 제2 화소들;
    제3 화소 영역에 위치하며, 제3 주사선들과 연결되는 제3 화소들;
    제1 클럭선, 제2 클럭선, 및 제3 클럭선으로 각각 제1 클럭 신호, 제2 클럭 신호, 및 제3 클럭 신호를 공급하는 타이밍 제어부;
    상기 제1 클럭 신호를 이용하여 제1 주사 신호를 생성하고, 상기 제1 주사 신호를 상기 제1 주사선들로 공급하는 제1 주사 구동부;
    상기 제2 클럭 신호를 이용하여 제2 주사 신호를 생성하고, 상기 제2 주사 신호를 상기 제2 주사선들로 공급하는 제2 주사 구동부; 및
    상기 제3 클럭 신호를 이용하여 제3 주사 신호를 생성하고, 상기 제3 주사 신호를 상기 제3 주사선들로 공급하는 제3 주사 구동부를 포함하고,
    상기 제1 화소들 및 상기 제2 화소들은 동일한 회로를 포함하며,
    상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역, 및 상기 제3 화소 영역 중 일부는, 나머지 화소 영역과 상이한 폭을 갖고,
    상기 제1 주사선들, 제2 주사선들, 및 제3 주사선들 중 일부는, 나머지 주사선과 상이한 길이를 가지며,
    상기 길이에 따라 상기 제1 클럭 신호, 상기 제2 클럭 신호, 및 상기 제3 클럭 신호 중 일부는, 나머지 클럭 신호와 상이한 신호 특성을 갖고,
    상기 신호 특성은, 펄스폭, 상승 에지 기간의 길이 및 하강 에지 기간의 길이 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  27. 삭제
  28. 삭제
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