JP2017120402A - 有機発光素子表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】既存の方式に比べて発光ダイオードの劣化をさらに効率的に補償できる有機発光表示装置を提供する。【解決手段】有機発光表示装置は、発光ダイオードの劣化を補償するための実験で導出された、駆動トランジスタにおける閾値電圧の変化量と1次相関関係にある相関関係式を用いて、発光ダイオードの補償値を算出し、その補償値を適用して補償データを生成する。相関関係式に沿って閾値電圧の変化量による発光ダイオードの補償値を算出する方式を採用することによって、直接センシングする従来の方式に比べ、発光ダイオードの劣化補償に対する効率性を最大限に高めることができる。【選択図】図3

Description

本発明は、有機発光素子表示装置に関するものであり、さらに詳細には、発光ダイオードの劣化を一層効率的に補償することができる有機発光素子表示装置、およびその駆動方法に関するものである。
近年、薄型や軽量、低消費電力といった優れた特性を有するフラットパネル表示装置(flat panel display)が開発され、様々な分野に採用されている。
フラットパネル表示装置の中で、有機電界発光表示装置または有機電気発光表示装置(organic electroluminescent display device)とも呼ばれる有機発光素子表示装置(organic light emitting diode display device:OLED display device)は、電子注入電極である陰極と正孔注入電極である陽極との間に形成された発光層に電荷を注入すると、電子と正孔が結合消滅し、光を放射する素子である。
このような有機発光素子表示装置は、プラスチックといったフレキシブルな基板(flexible substrate)上に形成することもできる上に、自己発光型であるためコントラスト比(contrast ratio)が大きく、また、応答時間が数マイクロ秒(μs)程度であるため動画像を実現しやすく、視野角に制限がない。また、低温においても安定的に駆動し、直流5V〜15Vの比較的に低い電圧で駆動するため、駆動回路の製作および設計が容易となる。
ところが、有機発光素子表示装置は、発光ダイオードの特性から、時間が経過するにつれて有機発光ダイオードの特性が変化し、劣化するという問題がある。特に、固定されたパターンの映像が長時間表示されると、該表示部分における発光ダイオードの劣化が加速化する。このように発光ダイオードに劣化が生じると、該劣化部分から残像が表示され、画質が低下するという問題が発生する。
劣化を防止するための方案として、固定されたパターンの映像部分に対して輝度を低めることが提案されたが、これは劣化防止効果に限られるものであって、根本的に有機発光ダイオードの劣化を補償することはできない。
一方、劣化を補償するための方案として、有機発光ダイオードを直接センシングして劣化を検出し、劣化実験で生成されたLUT(look−up table)を用いて補償データを生成することが提案された(特許文献1)。
しかしながら、この方法では、相当なLUTデータ量が必要になり、それによって補償時間が長くなり、また、補償アルゴリズムが複雑になってロジックのサイズが増加することによって補償回路コストが上昇するという問題がある。
特開2008−158488号公報
本発明は、既存の方式に比べて発光ダイオードの劣化をさらに効率的に補償できる方案を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、駆動トランジスタおよび発光ダイオードを備える画素が構成された表示パネルと、駆動トランジスタにおける閾値電圧の変化量ΔVthを変数とする第1相関関係式に沿って発光ダイオードの補償値を算出する補償値算出部、および算出された補償値を入力映像データに適用して補償データを生成するデータ補償部を有するタイミング制御回路と、補償データの入力を受け、データ配線を通して画素に供給するデータドライバとを含み、第1相関関係式は、β=a×ΔVth+b(aは第1傾き係数であり、bは第1切片定数である)である、有機発光素子表示装置を提供することができる。
ここで、第1相関関係式の第1傾き係数aは、第2相関関係式であるa=c×Vthi+dを利用して導出した値であり得る。
また、データ補償部は、駆動トランジスタの補償値を発光ダイオードの補償値と共に入力映像データに適用し、補償データを生成することができる。
そのとき、本発明は、駆動トランジスタにおける初期の閾値電圧および現在の閾値電圧が保存される第1メモリと、補償値算出部で算出された発光ダイオードの補償値をローディングする第2メモリと、現在の閾値電圧に対応する駆動トランジスタの補償値をローディングする第3メモリとを含み、ローディングされた発光ダイオードの補償値および駆動トランジスタの補償値を、前記入力映像データの入力タイミングに同期してデータ補償部へ出力することができる。
他の側面から、タイミング制御回路で、駆動トランジスタにおける閾値電圧の変化量ΔVthを変数とする第1相関関係式に沿って発光ダイオードの補償値を算出し、算出された補償値を入力映像データに適用して補償データを生成するステップを含み、第1相関関係式は、β=a×ΔVth+bである有機発光素子表示装置の駆動方法を提供することができる。
ここで、第1相関関係式の第1傾き係数aは、第2相関関係式であるa=c×Vthi+dを利用して導出した値であり得る。
また、補償データを生成するステップは、駆動トランジスタの補償値を発光ダイオードの補償値と共に入力映像データに適用し、補償データを生成するステップ
であり得る。
そのとき、第1メモリに保存された前記駆動トランジスタにおける初期の閾値電圧および現在の閾値電圧の入力を受けて閾値電圧の変化量を演算し、発光ダイオードの補償値を算出するステップと、算出された発光ダイオードの補償値を第2メモリにローディングするステップと、現在の閾値電圧に対応する駆動トランジスタの補償値を第3メモリにローディングするステップと、第2メモリと第3メモリのそれぞれで、発光ダイオードの補償値と駆動トランジスタの補償値を入力映像データの入力タイミングに同期し、タイミング制御回路に出力するステップとをさらに含むことができる。
本発明では、発光ダイオードの劣化を補償するための実験で導出された、駆動トランジスタにおける閾値電圧の変化量と1次相関関係にある相関関係式を用いて、発光ダイオードの補償値を算出し、この補償値を適用して補償データを生成する。
このように、本発明の実施形態では、相関関係式に沿って閾値電圧の変化量による発光ダイオードの補償値を算出する方式を採用することによって、直接センシングする従来の方式に比べ、発光ダイオードの劣化補償に対する効率性を最大限に高めることができる。
本発明の実施形態に係る有機発光素子表示装置を概略的に示すブロック図である。 本発明の実施形態に係る画素構造の一例を示す回路図である。 本発明の実施形態に係るタイミング制御回路およびメモリ部の構成を概略的に示すブロック図である。 本発明の実施形態における閾値電圧の変化量と発光ダイオードの輝度変化率との相関関係に関する実験データを示す図面である。 本発明の実施形態における初期の閾値電圧と式(1)の傾き係数との相関関係に関する実験データを示す図面である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。以下の実施形態では、同一・類似構成に対しては同一・類似の図面符号を付け、その具体的な説明を省略することもある。
図1は、本発明の実施形態に係る有機発光素子表示装置を概略的に示すブロック図であり、図2は、本発明の実施形態に係る画素構造の一例を示す回路図である。
図1を参照すると、本発明の実施形態に係る有機発光素子表示装置10は、表示パネル100と、データドライバ110と、スキャンドライバ120と、タイミング制御回路200と、メモリ部250とを含むことができる。
表示パネル100の表示領域には、複数の行ラインおよび列ラインに沿ってマトリクス形状に画素Pが配置される。
一方、表示パネル100のアレイ基板には、行ラインに沿って伸び、該行ラインの画素Pにゲート信号を伝達するゲート配線GLと、列ラインに沿って伸び、該列ラインの画素Pに映像データ、すなわち、データ電圧を伝達するデータ配線DLとが形成される。
さらに、行ラインに沿って伸び、該行ラインの画素Pにセンシング制御信号を伝達するセンシング制御配線SCLが形成され、列ラインに沿って伸び、該列ラインの画素Pに基準電圧を伝達し、画素Pの駆動トランジスタの閾値電圧のような特性値を検出するためのセンシング信号をデータドライバ110に伝達するセンシング配線SLが形成される。
画素P構造の一例について、図2を共に参照して説明する。画素Pは、スイッチングトランジスタTsと、駆動トランジスタTdと、センシングトランジスタTseと、発光ダイオードODと、ストレージキャパシタCstとを備えることができる。一方、場合によっては、異種類のトランジスタをさらに備えることができる。
スイッチングトランジスタTsは、ゲート配線GLを通じて供給されたゲート信号に応じて、データ配線DLを通じて供給されたデータ信号Vdata、すなわち、データ電圧を駆動トランジスタTdに供給する役割をする。また、駆動トランジスタTdは、スイッチングトランジスタTsを介してゲートに印加されたデータ信号Vdataに応じて、電源配線を通じて供給された高電位電圧Vddを発光ダイオードODに供給する役割をする。
そのため、スイッチングトランジスタTsのゲート、ソースおよびドレインは、それぞれゲート配線GL、データ配線DLおよび駆動トランジスタTdのゲートに接続される。また、駆動トランジスタTdのゲート、ソースおよびドレインは、それぞれスイッチングトランジスタTsのドレイン、発光ダイオードODの第1電極および電源配線に接続される。
このとき、駆動トランジスタTdのソースと発光ダイオードODの第1電極は、第1ノードN1を構成し、駆動トランジスタTdのゲートとスイッチングトランジスタTsのドレインは、第2ノードN2を構成する。また、ストレージキャパシタCstは、第1ノードN1と第2ノードN2との間に接続される。
それによって、データ信号Vdataに対応する電流が発光ダイオードODに供給され、様々な階調(gray level)を表示することができる。
センシングトランジスタTseは第1ノードN1に接続され、第1ノードN1の電圧、および/または電流を感知する役割をする。このセンシングトランジスタTseのゲート、ソースおよびドレインは、それぞれセンシング制御配線SCL、第1ノードN1およびセンシング配線SLに接続される。
このように構成されたセンシングトランジスタTseを用いて、駆動トランジスタTdの閾値電圧や移動度といった特性を検出することができる。そのため、センシングトランジスタTseは、センシング制御配線SCLを通じて供給されたセンシング制御信号に応じてスイッチングするが、センシングトランジスタTseがターンオンすると、センシング配線SLを通じて第1ノードN1に基準電圧が印加され、その後、センシング配線SLを通じて第1ノードN1の電圧、および/または電流が感知されてデータドライバ110へ出力される。
スキャンドライバ120は、タイミング制御回路200からスキャン制御信号SCSの入力を受けてゲート信号およびセンシング制御信号を生成し、該ゲート配線GLおよびセンシング制御配線SCLに出力する。
ここで、スキャンドライバ120は、GIP方式で表示パネル100のアレイ基板に直接形成することができるが、これに限定されるものではなく、IC形態に形成することもできる。GIP方式の場合、スキャンドライバ120は、画素P内の素子を形成する工程と同一工程で形成することができる。
データドライバ110は、タイミング制御回路200からデジタル映像データDoおよびデータ制御信号DCSの入力を受け、そのデータ制御信号DCSに応じて映像データDoをアナログ映像データのデータ電圧に切り替え、該データ配線DLに出力する。一例に、データドライバ110は少なくとも1つの駆動ICで構成され、COG方式で表示パネル100のアレイ基板に実装することができるが、これに限定されるものではない。
一方、データドライバ110は、センシング配線SLを通じて伝達されたアナログセンシング信号をデジタル信号に切り替える。そのセンシング信号Dsは、タイミング制御回路200へ伝達される。
タイミング制御回路200は、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)インターフェースや、TMDS(Transition Minimized Differential Signaling)インターフェースといったインターフェースを介して、外部のホストシステムから映像データDiおよび各種タイミング信号DE、HSY、VSY、CLKの入力を受け、そのタイミング信号を用いてデータ制御信号DCSおよびスキャン制御信号SCSを生成し、データドライバ110とスキャンドライバ120にそれぞれ出力する。
特に、本実施形態によると、タイミング制御回路200は、駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthの変化量ΔVthを変数として、閾値電圧の変化量ΔVthによる発光ダイオードODの補償値βを算出し、その補償値βを入力映像データDiに反映して補償データDoを生成するように構成される。この補償データDoは、データドライバ110に映像データDoとして出力される。それによって、発光ダイオードODの劣化を効果的に補償することができる。このような発光ダイオードの補償値βの算出、および補償データの生成については、以下に詳細に説明する。
一方、メモリ部250には、各画素Pにおける駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthの情報と、タイミング制御回路200で算出された発光ダイオードの補償値βの情報とを保存することができる。加えて、駆動トランジスタTdの補償値α、Φの情報を保存することもできる。
ここで、閾値電圧Vthの情報は、データドライバ110から伝送されたセンシング信号Dsを用いてタイミング制御回路200で検出することができる。
特に、このような閾値電圧Vthの情報として、表示装置10の初期状態で検出された初期の閾値電圧Vthiと、表示装置10の現在状態で検出された現在の閾値電圧Vthcとをメモリ部250に保存することができる。
また、駆動トランジスタTdの補償値α、Φは、駆動トランジスタTdの劣化による特性変化を補償するために提供されるものである。例えば、駆動トランジスタTdは劣化によって閾値電圧、および/または移動度(mobility)の特性が変化し得るが、それを補償するため、閾値電圧Vthの変化を補償するための閾値電圧補償値Φや、移動度の変化を補償するための移動度補償値αなどが駆動トランジスタTdの特性変化の補償値に用いられる。本実施形態では、駆動トランジスタTdの閾値電圧および移動度を共に補償するため、閾値電圧補償値Φおよび移動度補償値αが共に適用される場合を例に挙げる。
このような駆動トランジスタの補償値α、Φはメモリ部250に保存され、現在の閾値電圧Vthcがメモリ部250に入力されると、それに応じて対応する駆動トランジスタの補償値α、Φがタイミング制御回路200に出力されるように構成することができる。ここで、メモリ部250に保存された駆動トランジスタの補償値α、Φの情報は、実験を通して予め設けることができるが、これに限定されるものではない。
一方、発光ダイオードの補償値βはタイミング制御回路200で算出された後、メモリ部250へ伝送されて保存できるように構成することができる。このように保存された発光ダイオードの補償値βは、入力映像データDiの入力タイミングに同期し、駆動トランジスタの補償値α、Φと共にタイミング制御回路200に出力することができる。
このように入力映像データDiの入力タイミングに同期してタイミング制御回路200に補償値α、Φ、βが入力されると、タイミング制御回路200は、補償値を入力映像データDiに適用し、最終的に補償データDoを生成してそれをデータドライバ110に出力する。
それによって、データドライバ110は、各画素Pの劣化による特性変化を補償する補償データの入力を受け、劣化による残像のような画質低下を改善することができる。
以下、発光ダイオードODの劣化補償を行うタイミング制御回路200の構成、および動作について、図3を共に参照してさらに詳細に説明する。
図3は、本発明の実施形態に係るタイミング制御回路およびメモリ部の構成を概略的に示すブロック図である。
図3を参照すると、本実施形態に係るタイミング制御回路200は、発光ダイオードODの劣化を補償する補償値βを算出する補償値算出部210と、入力映像データDiを補償し、補償データDoを生成して出力するデータ補償部220とを含むことができる。
一方、発光ダイオードの補償値βおよび補償データDoを生成するため、タイミング制御回路200に関する情報を送信・受信するメモリ部250は、第1、2、3メモリ215、252、253を含むことができる。
ここで、第1メモリ251は、閾値電圧Vthi、Vthcが入力された保存手段であり、不揮発性メモリの一例にNANDメモリを用いることができるが、これに限定されるものではない。また、第2、3メモリ252、253は、それぞれ発光ダイオードの補償値βと駆動トランジスタの補償値α、Φが入力された保存手段であり、高速メモリの一例にDDRメモリを用いることができるが、これに限定されるものではない。
補償値算出部210は、駆動トランジスタTdにおける閾値電圧の変化量ΔVthによる有機発光ダイオードの補償値βを算出する構成に該当する。
このような補償値算出部210は、第1、2演算部211、212を含むことができる。
第1演算部211は、メモリ部250の第1メモリ251から各画素Pの駆動トランジスタTdにおける初期の閾値電圧Vthiおよび現在の閾値電圧Vthcの入力を受け、それらの差を演算して閾値電圧の変化量ΔVthを算出する。すなわち、閾値電圧の変化量は、ΔVth=Vthc−Vthiである。
第2演算部212は、第1演算部211で演算された閾値電圧の変化量ΔVthの入力を受け、閾値電圧の変化量ΔVthと発光ダイオードの補償値βとの相関関係式を用いて発光ダイオードの補償値βを算出する。
閾値電圧の変化量ΔVthと発光ダイオードの補償値βとの相関関係式は、次の式(1)で表現することができる。
β=a×ΔVth+b…(1)
前記式(1)において、aは傾き係数であり、bは切片定数であって、表示パネル100の特性によってその値を調節することができる。
このように、閾値電圧の変化量ΔVthと発光ダイオードの補償値βは、1次相関関係にあるが、これは実験データから導出することができる。
これについて図4を参照することができる。図4は、本発明の実施形態における閾値電圧の変化量と発光ダイオードの輝度変化率との相関関係に関する実験データを示す図面である。図4では、互いに異なる初期特性を有する表示装置を実験のサンプルにして、各実験サンプルに対する実験データを示すが、同じ実験サンプルは、同一図形および同色で示す。
図4を参照すると、全ての実験サンプルのそれぞれに対し、劣化による駆動トランジスタTdにおける閾値電圧の変化量ΔVthと、発光ダイオードODにおける輝度変化率とが1次方程式の関係であって、リニアな相関関係にあることが分かる。ここで、輝度変化率とは、劣化前の初期状態における輝度値に対する現在状態における輝度の変化量を百分率%で表したものである。
このように、発光ダイオードODの劣化度合いは、駆動トランジスタTdにおける閾値電圧の変化量ΔVthと1次相関関係にある。したがって、この実験データに基づいて駆動トランジスタTdにおける閾値電圧の変化量ΔVthに対する発光ダイオードにおける劣化度合いを導出すると、閾値電圧の変化量ΔVthによる発光ダイオードの補償値βを効果的に算出することができる。
したがって、本実施形態では、実験データから導出された前記相関関係式を用いて、現在の閾値電圧の変化量ΔVthを変数とする演算を行い、発光ダイオードの補償値βを算出する。
図4を参照すると、互いに異なる実験サンプルは、互いに異なる傾き係数を有することが分かる。例えば、第1実験サンプル(青い四角形で示されたサンプル)と第2実験サンプル(茶色い円形で示されたサンプル)では、傾き係数a1、a2が互いに異なることが分かる。これは、閾値電圧の変化量ΔVthが同一であっても、発光ダイオードODの劣化度合いが相違し、発光ダイオードの補償値βが異なることを意味する。
このように、式(1)の相関関係式における傾き係数aは、駆動トランジスタの初期特性、すなわち、初期の閾値電圧Vthiに依存する相関関係にある。
すなわち、輝度変化率が相対的に大きい第1実験サンプルの場合は、初期の閾値電圧Vthiが相対的に低い場合であり、それによって発光ダイオードODの劣化度合いが相対的に大きくなる。逆に、輝度変化率が相対的に小さい第2実験サンプルの場合は、初期の閾値電圧Vthiが相対的に高い場合であり、それによって発光ダイオードODの劣化度合いが相対的に小さくなる。
これについて図5を参照することができるが、図5は、本発明の実施形態における初期の閾値電圧と式(1)の傾き係数との相関関係に関する実験データを示す図面である。
図5を参照すると、初期の閾値電圧Vthiと式(1)の傾き係数(すなわち、gain)は、負(−)の1次相関関係にあることが分かる。すなわち、同じ閾値電圧の変化量ΔVthに対し、初期の閾値電圧Vthiが低くなるにつれて発光ダイオードODの劣化度合いが相対的に大きくなって、この劣化を補償するためのゲインである傾き係数aが大きくなり、これとは逆に、初期の閾値電圧Vthiが高くなるにつれて発光ダイオードODの劣化度合いが相対的に小さくなって、この劣化を補償するためのゲインである傾き係数aも小さくなることを確認することができる。
このような初期の閾値電圧Vthiと、式(1)の傾き係数aとの相関関係は、次の式(2)で表現することができる。
a=c×Vthi+d…(2)
前記式(2)において、cは傾き係数であり、dは切片定数であって、表示パネル100の特性によってその値を調節することができる。
結果的に、前記式(2)が代入された前記式(1)は、次のように表現することができる。
β=a×ΔVth+b=(c×Vthi+d)×ΔVth+b…(1)
このように、前記式(1)によると、各画素Pに対し、駆動トランジスタTdにおける初期の閾値電圧Vthiを基準にした、現在の閾値電圧Vthcの変化量(ΔVth=Vthc−Vthi)が分かれば、発光ダイオードの補償値βを算出することができる。
したがって、本実施形態では、初期の閾値電圧Vthiと現在の閾値電圧Vthcを検出して第3メモリ253に保存し、また、第1演算部211を通じて閾値電圧の変化量ΔVthを演算して算出する。
また、このような初期の閾値電圧Vthiおよび閾値電圧の変化量ΔVthを、実験を通して予め作成された前記式(1)に代入することで、発光ダイオードODの劣化を補償する補償値βを容易に算出することができる。
このように、補償値算出部210で算出された発光ダイオードの補償値βは、第2メモリ252にローディングすることができる。
一方、第3メモリ253は、駆動トランジスタTdの劣化を補償するための駆動トランジスタの補償値α、Φをローディングするように構成することができる。例えば、閾値電圧の情報の一例に、現在の閾値電圧Vthcが第3メモリ253に入力されると、これに応じて対応する駆動トランジスタの補償値α、Φが第3メモリ253にローディングされる。
このように、第2メモリ252にローディングされた発光ダイオードの補償値βと、第3メモリ253にローディングされた駆動トランジスタの補償値α、Φは、該画素Pの入力映像データDiの入力タイミングに同期して出力することができる。すなわち、タイミング制御回路200に対する、各画素Pの入力映像データDiの入力タイミングに同期し、第2メモリ252と第3メモリ253のそれぞれは、該発光ダイオードの補償値βと駆動トランジスタの補償値α、Φをタイミング制御回路200に出力する。
このような入力映像データDiと、発光ダイオードの補償値βおよび駆動トランジスタの補償値α、Φは、タイミング制御回路200のデータ補償部220に実質的に同時に入力され、データ補償部220は、入力された補償値α、Φ、βを入力映像データDiに適用してデータ補償を行う。
このデータ補償に関し、例えば次の式(3)に沿ってデータ補償を行うことができる。
Do=α×Di+Φ+β…(3)
前記式(3)によると、入力映像データであるDiに対して駆動トランジスタにおける移動度および閾値電圧の補償値α、Φを適用した補償データ(α×Di+Φ)を生成することができる。さらに、この駆動トランジスタの補償値α、Φが適用された補償データに対し、発光ダイオードの補償値βを適用すると、発光ダイオードの劣化を補償できる補償データDoを生成することができる。
すなわち、前記式(3)によると、駆動トランジスタTdの劣化および発光ダイオードODの劣化を共に補償できる補償データDoを生成することができる。したがって、各画素Pで実質的に劣化問題を誘発する素子である駆動トランジスタTdおよび発光ダイオードODの劣化を補償することができ、各画素Pの劣化を実質的に改善することができる。
もちろん、場合によって駆動トランジスタTdに対する劣化補償をせず、発光ダイオードODに対する劣化補償のみが行われるように構成することもできる。この場合には、式(3)に駆動トランジスタの補償値α、Φは適用されず(すなわち、α=1、Φ=0)、発光ダイオードの補償値βのみが適用されるように構成することができる。
このようにデータ補償部220によって生成された補償データDoは、出力映像データDoとしてデータドライバ110へ出力され、データドライバ110は、補償データDoをデータ電圧に切り替えて各画素Pへ供給する。これによって、該画素Pには補償データが入力され、駆動トランジスタTdの劣化と共に発光ダイオードODの劣化が補償できるようになる。
前述した通り、本実施形態では、発光ダイオードODの劣化を補償するため、実験を通して導出された、駆動トランジスにおける閾値電圧の変化量と1次相関関係にある相関関係式を用いて、発光ダイオードの補償値を算出し、その補償値を適用して補償データを生成する。
このように、本実施形態では、相関関係式に沿って閾値電圧の変化量による発光ダイオードの補償値を算出する方式を用いることによって、直接センシングする従来の方式に比べ、発光ダイオードの劣化補償に対する効率性をさらに向上することができる。
すなわち、直接センシングする従来の補償方式では、相当なLUTデータ量が必要になり、それによって補償時間が長くなり、また、補償アルゴリズムが複雑になってロジックのサイズが増加することによって補償回路コストが上昇する。
一方、本実施形態によると、相関関係式に沿って発光ダイオードの補償値を算出することで、従来のように大きなLUTデータ量は要らなくなり、相関関係式を具現化するロジックは簡単にすることができる。その結果、発光ダイオードに対する補償時間は非常に短くなり、補償回路コストを低減し、補償の効率性を最大限に高めることができる。
さらに、発光ダイオードの補償と共に駆動トランジスタに対する補償も同時に行うことができるので、表示パネルの劣化に対する補償効果を極大化することができる。
以上、前述した本発明の実施形態は本発明の一例であり、本発明の趣旨の範囲内で本発明を自由に変形することができる。したがって、本発明は、特許請求の範囲およびそれと等価の範囲内における本発明の変形を含む。
10…有機発光素子表示装置
100…表示パネル
110…データドライバ
120…スキャンドライバ
200…タイミング制御回路
210…補償値算出部
211…第1演算部
212…第2演算部
220…データ補償部
250…メモリ部
251…第1メモリ
252…第2メモリ
253…第3メモリ
P…画素領域
Di…入力映像データ
Do…補償データ
α、Φ…駆動トランジスタにおける移動度の補償値および閾値電圧の補償値
β…発光ダイオードの補償値

Claims (8)

  1. 駆動トランジスタおよび発光ダイオードを備える画素が構成された表示パネルと、
    前記駆動トランジスタにおける閾値電圧の変化量ΔVthを変数とする第1相関関係式に沿って前記発光ダイオードの補償値を算出する補償値算出部、および前記算出された補償値を入力映像データに適用して補償データを生成するデータ補償部を有するタイミング制御回路と、
    前記補償データの入力を受け、データ配線を通して前記画素に供給するデータドライバと、
    を含み、
    前記第1相関関係式は、β=a×ΔVth+b(aは第1傾き係数であり、bは第1切片定数である)である、有機発光素子表示装置。
  2. 前記第1相関関係式の第1傾き係数aは、第2相関関係式であるa=c×Vthi+d(cは負の第2傾き係数、dは第2切片定数、Vthiは前記駆動トランジスタにおける初期の閾値電圧)を利用して導出した値である、請求項1に記載の有機発光素子表示装置。
  3. 前記データ補償部は、前記駆動トランジスタの補償値を前記発光ダイオードの補償値と共に前記入力映像データに適用し、前記補償データを生成する、請求項1に記載の有機発光素子表示装置。
  4. 前記補償値算出部に入力された前記駆動トランジスタにおける初期の閾値電圧および現在の閾値電圧が保存される第1メモリと、
    前記補償値算出部で算出された前記発光ダイオードの補償値をローディングする第2メモリと、
    前記現在の閾値電圧に対応する前記駆動トランジスタの補償値をローディングする第3メモリと
    を含み、
    前記第2メモリと前記第3メモリは、それぞれ前記ローディングされた前記発光ダイオードの補償値および前記駆動トランジスタの補償値を、前記入力映像データの入力タイミングに同期して前記データ補償部へ出力する、請求項3に記載の有機発光素子表示装置。
  5. タイミング制御回路で、画素の駆動トランジスタにおける閾値電圧の変化量ΔVthを変数とする第1相関関係式に沿って前記画素の発光ダイオードの補償値を算出し、前記算出された補償値を入力映像データに適用して補償データを生成するステップと、
    データドライバで、前記補償データの入力を受け、データ配線を通して前記画素に供給するステップと
    を含み、
    前記第1相関関係式は、β=a×ΔVth+b(aは第1傾き係数であり、bは第1切片定数である)である、有機発光素子表示装置の駆動方法。
  6. 前記第1相関関係式の第1傾き係数aは、第2相関関係式であるa=c×Vthi+d(cは負の第2傾き係数、dは第2切片定数、Vthiは前記駆動トランジスタにおける初期の閾値電圧)を利用して導出した値である、請求項5に記載の有機発光素子表示装置の駆動方法。
  7. 前記補償データを生成するステップは、
    前記タイミング制御回路で、前記駆動トランジスタの補償値を前記発光ダイオードの補償値と共に前記入力映像データに適用し、前記補償データを生成するステップである、請求項5に記載の有機発光素子表示装置の駆動方法。
  8. 第1メモリに保存された前記駆動トランジスタにおける初期の閾値電圧および現在の閾値電圧の入力を受けて、前記タイミング制御回路で前記閾値電圧の変化量を演算し、前記発光ダイオードの補償値を算出するステップと、
    前記タイミング制御回路で算出された前記発光ダイオードの補償値を第2メモリにローディングするステップと、
    前記現在の閾値電圧に対応する前記駆動トランジスタの補償値を第3メモリにローディングするステップと、
    前記第2メモリと前記第3メモリのそれぞれで、前記発光ダイオードの補償値と前記駆動トランジスタの補償値を前記入力映像データの入力タイミングに同期し、前記タイミング制御回路へ出力するステップと
    をさらに含む、請求項7に記載の有機発光素子表示装置の駆動方法。
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