TW201731092A - 有機發光二極體顯示裝置及其驅動方法 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光二極體(OLED)顯示裝置及其驅動方法，該有機發光二極體顯示裝置包括：一顯示面板，包括包含一驅動電晶體和一發光二極體的一像素；一時序控制電路，包含：一補償值計算部，使用具有該驅動電晶體的一閾值電壓變化量(ΔVth)作為變數的一第一關聯方程式計算該發光二極體的一補償值β；以及一資料補償部，將所計算的補償值應用至一輸入影像資料，以產生一補償資料；以及一資料驅動器，接收該補償資料並將該補償資料提供至該像素，其中，該第一關聯方程式是β=a*ΔVth+b，其中，a是一第一梯度常數，b是一第一交叉常數。

Description

有機發光二極體顯示裝置及其驅動方法
本發明涉及一種有機發光二極體(OLED)顯示裝置，更具體地，涉及一種可以有效地補償有機發光二極體的劣化的OLED顯示裝置及其驅動方法。
近年來，具有優良特性例如薄輪廓、低重量、低功耗等的平板顯示裝置已經被研發出來且應用於各種領域。
在平板顯示裝置中，有機發光二極體(OLED)顯示裝置通過結合發光層中的電子和電洞來發光。
通常，OLED顯示裝置可以形成在可撓性基板上，由於其是自發光型裝置而具有高對比，由於其響應時間為幾微秒而容易地顯示動態影像，對視角沒有限制，並且在低溫下穩定。此外，因為OLED顯示裝置可以在DC 5V至15V的相對低的電壓下操作，其可以容易地製造和設計驅動電路。
然而，OLED顯示裝置可能具有以下問題：由於OLED的特性，OLED的特性隨時間而改變並且可能劣化。例如，當固定圖案影像被長時間顯示時，可能加速顯示部分中OLED的劣化。這可能導致在劣化部分中出現殘像，從而降低顯示品質。
作為防止劣化的解決方案，已經提出一種降低固定圖案影像部分的亮度的方法。該方法可以僅限於防止劣化，並且當劣化出現時不能補償OLED的實際劣化。
作為補償劣化的解決方案，可以提供一種方法，其中，直接地感測OLED以檢測劣化，並且使用通過劣化實驗產生的LUT(look-up table，找資料表)產生補償資料。
然而，這種直接感測補償方法可能需要大量的LUT資料，因此，補償時間可能長。此外，補償演算法的複雜度可能高，因此，邏輯電路的尺寸可能增加以及補償電路的成本可能增加。
因此，本發明涉及一種OLED顯示裝置及其驅動方法，其基本上避免了由於現有技術的侷限和不足而導致的一個或複數個問題。
本發明的目的是有效地補償有機發光二極體的劣化。
本發明的附加特徵和優點將在以下說明書中予以闡述，部分將從說明書中變得明顯，或者可以通過實踐本發明而瞭解。本發明的優點將通過在撰寫的說明書和申請專利範圍以及所附圖式中特定指出的結構獲得和瞭解。
為了實現這些和其它優點，並根據本發明的目的，如這裡具體而廣泛地描述，一種有機發光二極體(OLED)顯示裝置，包括：一顯示面板，包含具有一驅動電晶體和一發光二極體的一像素；一時序控制電路，包含：一補償值計算部，使用一第一關聯方程式計算該發光二極體的一補償值β，該第一關聯方程式包括該驅動電晶體的一閾值電壓變化量(ΔVth)作為變數；以及一資料補償部，將所計算的發光二極體的補償值應用至一輸入影像資料，以產生一補償資料；以及一資料驅動器，接收該補償資料並將該補償資料提供至該像素，其中，該第一關聯方程式是β=a*ΔVth+b，其中，a是一第一梯度常數，b是一第一交叉常數。
在另一態樣中，一種驅動有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，包括：在一時序控制部中，使用一第一關聯方程式計算一像素的一發光二極體的一補償值β，該第一關聯方程式包含：該像素的一驅動電晶體的一閾值電壓變化量(ΔVth)作為變數，並且將該計算的發光二極體的補償值應用至一輸入影像資料，以產生一補償資料；以及通過一資料驅動器將來自該時序控制 部的該補償資料提供至該像素，其中，該第一關聯方程式是β=a*ΔVth+b，其中，a是一第一梯度常數，b是一第一交叉常數。
應當理解的是，以上一般性描述和以下的詳細描述均為示範性和解釋性的，並且意在對所要保護的本發明提供進一步解釋說明。
CLK‧‧‧時脈信號
Cst‧‧‧儲存電容器
DCS‧‧‧資料控制信號
DE‧‧‧致能信號
Di‧‧‧影像資料、補償資料
DL‧‧‧資料線
Do‧‧‧影像資料
Ds‧‧‧感測信號
GL‧‧‧閘極線
HSY‧‧‧水準同步信號
OD‧‧‧發光二極體
N1‧‧‧第一節點
N2‧‧‧第二節點
P‧‧‧像素
SCL‧‧‧感測控制線
SCS‧‧‧掃描控制信號
SL‧‧‧感測線
Td‧‧‧驅動電晶體
Ts‧‧‧開關電晶體
Tsc‧‧‧感測電晶體
Vdata‧‧‧資料信號
Vdd‧‧‧高電位電源電壓
VSY‧‧‧垂直同步訊號
Vth‧‧‧閾值電壓
Vthi‧‧‧初始閾值電壓、閾值電壓
Vthc‧‧‧閾值電壓、閾值電壓
α‧‧‧遷移率補償值
β‧‧‧補償值
ΔVth‧‧‧閾值電壓變化量
Φ‧‧‧閾值電壓補償值
10‧‧‧OLED顯示裝置
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧資料驅動器
120‧‧‧掃描驅動器
200‧‧‧時序控制電路、時序控制部
210‧‧‧補償值計算部
211‧‧‧第一計算部
212‧‧‧第二計算部
220‧‧‧資料補償部
250‧‧‧記憶體部
251‧‧‧第一記憶體
252‧‧‧第二記憶體
253‧‧‧第三記憶體
所附圖式，其中包括提供對本發明的進一步理解，並且結合與構成本說明書的一部分，說明本發明的實施例，並且一同描述用於解釋本發明的原理。圖式中：第1圖係說明根據本發明一實施例之OLED顯示裝置的方塊圖；第2圖係說明根據本發明一實施例之像素的示範性等效電路的視圖；第3圖係說明根據本發明一實施例之時序控制電路和記憶體部的方塊圖；第4圖係說明根據本發明一實施例之發光二極體的閾值電壓變化量與亮度變化率之間的關聯性的實驗資料的視圖；以及第5圖係說明根據本發明一實施例之方程式(1)的初始閾值電壓與梯度常數之間的關聯性的實驗資料的視圖。
現在將參考所附圖式詳細描述實施例。在整個附圖中，可以使用相同或相似的元件編號來表示相同或相似的元件。
第1圖係說明根據本發明一示範性實施例之OLED顯示裝置的方塊圖，第2圖係說明根據本發明一示範性實施例之像素的示範性等效電路的視圖。
參考第1圖，本實施例的OLED顯示裝置10包括：一顯示面板100、一資料驅動器110、一掃描驅動器120、一時序控制電路或時序控制部200、以及一記憶體部250。
顯示面板100包括複數個像素P，沿列和行以一矩陣形式排列。在顯示面板100的陣列基板中，形成閘極線GL和資料線DL，其中，閘極線GL沿各 別的列線延伸，每一個閘極線將一閘極信號提供至每一個列線上的像素；資料線DL沿各別的行線延伸，每一個資料線DL將一影像資料，例如，一資料電壓提供至每一個行線上的像素。
此外，在陣列基板中，可以形成感測控制線SCL，該感測控制線SCL沿各別的列線延伸，每一個感測控制線SCL將一感測控制信號提供至每一個列線上的像素。在陣列基板中，可以形成感測線SL，該感測線SL沿各別的行線延伸，每一個感測線SL將一參考電壓提供至每一個行線上的像素，每一個感測線SL將一感測信號提供至資料驅動器110，該感測信號用於感測特性值如閾值電壓。
進一步參考第2圖解釋像素P的結構的示例。像素P包括：一開關電晶體Ts、一驅動電晶體Td、一感測電晶體Tse、一發光二極體OD、以及一儲存電容器Cst。像素P可以進一步包括另一種類型的電晶體。
開關電晶體Ts用於根據通過閘極線GL提供的閘極信號將通過資料線DL提供的一資料信號Vdata，例如，一資料電壓，提供至驅動電晶體Td。驅動電晶體Td用於根據施加至驅動薄膜電晶體Td的閘極的資料信號Vdata將通過電源線提供的一高電位電源電壓Vdd提供至發光二極體OD。
為此，開關電晶體Ts的閘極、源極、和汲極分別連接至閘極線GL、資料線DL、和驅動電晶體Td的閘極。驅動電晶體Td的閘極、源極、和汲極分別連接至開關電晶體Ts的汲極、發光二極體OD的第一電極、和電源線。
驅動電晶體Td的源極和發光二極體OD的第一電極在其間的第一節點N1處連接，驅動電晶體Td的閘極和開關電晶體Ts的汲極在其間的第二節點N2處連接。儲存電容器Cst連接在第一節點N1與第二節點N2之間。
因此，與資料信號Vdata對應的電流提供至發光二極體OD，並且顯示灰階。
感測電晶體Tse連接至第一節點N1，並且用於感測第一節點N1的電壓及/或電流。該感測電晶體Tse的閘極、源極、和汲極分別連接至感測控制線SCL、第一節點N1、和感測線SL。
使用這種感測電晶體Tse，可以檢測特性，例如，閾值電壓Vth、遷移率等。為此，可以根據通過感測控制線SCL提供的感測控制信號來切換感測電晶體Tse。當感測電晶體Tse開啟時，參考電壓通過感測線SL施加至第一節點N1，然後，第一節點N1的電壓及/或電流通過感測線SL被感測並輸出至資料驅動器110(參考第1圖)。
進一步參考第1圖，掃描驅動器120提供有來自時序控制電路200的一掃描控制信號SCS，以及產生並將一閘極控制信號和感測控制信號分別提供至閘極線GL和掃描控制線SCL。
掃描驅動器120可以以GIP(面板內閘極)型直接地形成在顯示面板110的陣列基板中。或者，掃描驅動器120可以形成為IC型。在GIP型中，掃描驅動器120可以通過在像素P中形成元件的相同製程而形成。
資料驅動器110從時序控制電路200接收數位影像資料Do和一資料控制信號DCS。為了響應資料控制信號DCS，資料驅動器110將影像資料Do轉換為類比影像資料的資料電壓，並將資料電壓輸出至各別的資料線DL。資料驅動器110可以配置有至少一個驅動IC並且可以安裝在顯示面板100的陣列基板上。
資料驅動器110將通過感測線SL傳輸的類比感測信號轉換為相應的數位信號，而且數位感測信號Ds傳輸至時序控制電路200。
時序控制電路200通過介面如LVDS(低壓差分信號)介面、TMDS(最小化傳輸差分信號)介面等等從外部主機系統提供影像資料Di和各種時序信號，例如，致能信號DE、水平同步信號HSY、垂直同步訊號VSY、和時脈信號CLK。使用時序信號，時序控制電路200產生資料控制信號DCS和掃描控制信號SCS，並將資料控制信號DCS和掃描控制信號SCS分別輸出至資料驅動器110和掃描驅動器120。
例如，在本實施例中，時序控制電路200將驅動電晶體Td的閾值電壓Vth的變化量ΔVth視為變數，根據閾值電壓變化量ΔVth計算發光二極體OD的補償值β，並將該補償值β應用至輸入影像資料Di，以產生補償資料Do。補償 資料Do作為影像資料Do輸出至資料驅動器110。因此，可以有效地補償發光二極體OD的劣化。以下將詳細說明補償值β的計算和補償資料Do的產生。
記憶體部250可以儲存每一個像素P的驅動電晶體Td的閾值電壓Vth的資訊，以及在時序控制電路200中計算的發光二極體OD的補償值β的資訊。記憶體部250可以進一步儲存驅動電晶體Td的補償值α和Φ的資訊。
可以使用從資料驅動器110傳輸的感測信號Ds在時序控制電路200中檢測閾值電壓Vth的資訊。例如，作為閾值電壓Vth的資訊，在顯示裝置10的初始狀態檢測的初始閾值電壓Vthi和在顯示裝置10的當前狀態檢測的當前閾值電壓Vthc可以儲存在記憶體部250。
驅動電晶體Td的補償值α和Φ是被提供以補償由於驅動電晶體Td的劣化導致的特性變化的數值。在此方面，驅動電晶體Td可能由於其劣化而改變閾值電壓及/或遷移率，而且為了補償，用於補償閾值電壓變化的閾值電壓補償值Φ和用於補償遷移率變化的遷移率補償值α被用作為驅動電晶體Td的特性變化補償值。在本實施例中，通過示例的方式，遷移率補償值α和閾值電壓補償值Φ都用於補償驅動電晶體Td的遷移率和閾值電壓，但本實施例不限於此。
驅動電晶體Td的補償值α和Φ儲存在記憶體部250。當當前閾值電壓Vthc輸入至記憶體部250時，為了響應該輸入，與輸入閾值電壓Vthc對應的驅動電晶體Td的補償值α和Φ被輸出至時序控制電路200。可以通過實驗預先準備補償值α和Φ的資訊。
發光二極體OD的補償值β可以在時序控制電路200中計算，然後傳輸並儲存在記憶體部250。發光二極體OD的補償值β與驅動電晶體Td的補償值α和Φ可以與輸入影像資料Di的輸入時序同步輸出至時序控制電路200。
當補償值α、Φ和β被輸入至時序控制電路200時，時序控制電路200將補償值α、Φ和β應用至輸入影像資料Di，以最終產生補償資料Do，該補償資料Do被輸出至資料驅動器110。
因此，資料驅動器110提供補償資料以補償由於每一個像素P的劣化導致的特性變化，因此可以改善顯示品質的劣化，例如由於劣化導致的殘像。
進一步參考第3圖來解釋用於執行劣化補償的時序控制電路200的配置和操作。第3圖係說明根據本發明之一示範性實施例的時序控制電路和記憶體部的方塊圖。
時序控制電路200可以包括：一補償值計算部210，計算用於補償發光二極體OD的劣化的補償值β；以及一資料補償部220，補償輸入影像資料Di，產生並輸出補償資料Do。
記憶體部250可以包括第一記憶體251至第三記憶體253，記憶體部250將資訊發送至時序控制電路200以及從時序控制電路200接收資訊，以產生補償值β和補償資料Do。
第一記憶體251是寫入閾值電壓Vthi和Vthc的儲存部件，並且可以是例如NAND記憶體。第二記憶體252是寫入發光二極體OD的補償值β的儲存部件。第三記憶體253是寫入驅動電晶體Td的補償值α和Φ的儲存部件。第二記憶體252和第三記憶體253中的每一個可以是例如高速記憶體如DDR記憶體。
補償值計算部210是根據驅動電晶體Td的閾值電壓變化量ΔVth產生發光二極體OD的補償值β的元件。補償值計算部210可以包括第一計算部211和第二計算部212。
第一計算部211提供來自第一記憶體251的每一個像素P的驅動電晶體Td的初始閾值電壓Vthi和當前閾值電壓Vthc，並且計算閾值電壓Vthi與Vthc之間的差以產生閾值電壓變化量ΔVth。換言之，閾值電壓變化量ΔVth是Vthc-Vthi。
第二計算部212提供來自第一計算部211的閾值電壓變化量ΔVth，並且使用閾值電壓變化量ΔVth與補償值β之間的關聯方程式(correlation equation)產生補償值β。
閾值電壓變化量ΔVth與補償值β之間的關聯方程式可以用下面的方程式(1)來表示。
方程式(1)：β=a*ΔVth+b。
在方程式(1)中，a是梯度常數(gradient constant)，b是交叉常數(intersect constant)。可以根據顯示面板100的特性來調節a和b。
因此，閾值電壓變化量ΔVth和補償值β具有第一階關聯性，其可以通過實驗資料繪製出。
例如，第4圖係說明根據本發明一示範性實施例之發光二極體的閾值電壓變化量與亮度變化率之間的關聯性的實驗資料的視圖。在第4圖中，使用具有不同初始特性的顯示裝置作為實驗樣本，顯示了每一個實驗樣本的實驗資料，相同的實驗樣本使用相同形狀和相同灰色來表示。
參考第4圖，對於每一個實驗樣本，由於劣化導致的驅動電晶體Td的閾值電壓變化量ΔVth和發光二極體OD的亮度變化率基本上具有第一階方程式關聯性，例如線性關聯。亮度變化率是指當前狀態下的亮度相對於初始狀態下的亮度的變化%。
發光二極體OD的劣化量與驅動電晶體Td的閾值電壓變化量ΔVth具有第一階關聯性。因此，當基於實驗資料繪製用於驅動電晶體Td的閾值電壓變化量ΔVth的發光二極體OD的劣化量時，可以有效地計算根據閾值電壓變化量ΔVth的補償值β。
因此，在本實施例中，使用通過實驗資料產生的上述關聯方程式以及當前閾值電壓的變化量ΔVth作為變數的來執行算數運算，可以產生補償值β。
參考第4圖，不同樣本具有不同梯度常數。例如，第一實驗樣本(例如，正方形樣本)具有第一梯度常數a1，第二實驗樣本(例如，圓形樣本)具有不同於第一梯度常數a1的第二梯度常數a2。這意味著即使在不同樣本中出現相同的閾值電壓變化量ΔVth，發光二極體OD的劣化量不同，補償值β不同。
因此，方程式(1)中的梯度常數a具有取決於初始特性例如驅動電晶體Td的初始閾值電壓Vthi的關係。換言之，相對高亮度變化率的第一實驗樣本是初始閾值電壓Vthi相對低的情形，因此發光二極體OD的劣化量相對大。相反地，相對低亮度變化率的第二實驗樣本是初始閾值電壓Vthi相對高的情形，因此發光二極體OD的劣化量相對小。
第5圖係說明根據本發明一示範性實施例之方程式(1)的初始閾值電壓與梯度常數之間的關聯性的實驗資料的視圖。
參考第5圖，方程式(1)的初始閾值電壓Vthi和梯度常數a(例如，增益)基本上具有負(-)第一階關聯性。換言之，對於相同的閾值電壓變化量ΔVth，隨著初始閾值電壓Vthi降低，發光二極體OD的劣化量相對增加，因此，用於補償劣化的梯度常數，例如增益，則增加。相反地，隨著初始閾值電壓Vthi增加，發光二極體OD的劣化量相對降低，因此，用於補償劣化的梯度常數，例如增益，則降低。
初始閾值電壓Vthi與梯度常數a之間的關聯性可以用下面的方程式(2)來表示。
方程式(2)：a=c*Vthi+d。
在方程式(2)中，c是梯度常數，d是交叉常數。c和d可以根據顯示面板100的特性來調節。
最後，方程式(1)可以表示如下：方程式(1)：β=a*ΔVth+b=(c*Vthi+d)*ΔVth+b。
根據方程式(1)，當獲得每一個像素P的當前閾值電壓Vthc相對於初始閾值電壓Vthi的變化量ΔVth時，可以計算發光二極體OD的補償值β。
因此，在本示範性實施例中，初始閾值電壓Vthi和當前閾值電壓Vthc被檢測並儲存在第一記憶體251中，並且第一計算部211計算閾值電壓變化量ΔVth。
初始閾值電壓Vthi和閾值電壓變化量ΔVth被放入方程式(1)中，因此，可以容易地產生用於補償發光二極體OD的劣化的補償值β。
通過補償值計算部210獲得的補償值β可以被載入第二記憶體252上中。
第三記憶體253可以被配置以載入用於補償驅動電晶體Td的劣化的補償值α和Φ。例如，當從第一記憶體251向第三記憶體253輸入閾值電壓， 例如，當前閾值電壓Vthc，的資訊時，為了響應於此，相應的補償值α和Φ可以被載入第三記憶體253中。
可以與相應像素P的輸入影像資料Di的輸入時序同步輸出載入第二記憶體252中的補償值β和載入在第三記憶體253上的補償值α和Φ。換言之，在與每一個像素P的輸入影像資料Di的時序控制電路200的輸入時序同步的情況下，第二記憶體和第三記憶體分別將補償值β和補償值α和Φ輸出至時序控制電路200。
輸入影像資料Di、補償值β、以及補償值α和Φ被同時輸入至時序控制電路200的資料補償部220，並且資料補償部220將補償值β、α和Φ應用至輸入影像資料Di，以執行資料補償。例如，可以使用下面的方程式(3)來執行資料補償。
方程式(3)：Do=α*Di+Φ+β。
根據方程式(3)，可以通過將驅動電晶體Td的遷移率補償值α和閾值電壓補償值Φ應用至輸入影像資料Di來產生補償資料(α*Di+Φ)。此外，可以通過將發光二極體OD的補償值β應用至補償資料(α*Di+Φ)來產生用於補償發光二極體OD的劣化的補償資料Do。
換言之，根據方程式(3)，可以產生用於補償驅動電晶體Td的劣化和發光二極體OD的劣化的補償資料Do。因此，可以補償基本上導致每一個像素中劣化的元件的驅動電晶體Td和發光二極體OD的劣化，且可以實質改善每一個像素P的劣化。
或者，在不補償驅動電晶體Td的劣化的情況下，可以執行發光二極體OD的劣化的補償。在該示例中，對於方程式(3)，不應用驅動電晶體Td的補償值α和Φ(即，α=1和Φ=0)，並且應用發光二極體OD的補償值β。
通過資料補償部220獲得的補償資料Do作為輸出影像資料Do輸出至資料驅動器110，資料驅動器110將補償資料Do轉換為資料電壓，並將資料電壓提供至相應像素P。因此，像素P被提供補償資料Do，並且可以補償驅動電晶體Td的劣化和發光二極體OD的劣化。
如上所述，在本實施例中，為了補償發光二極體的劣化，使用通過實驗產生並且與驅動電晶體的閾值電壓變化量具有第一階關聯性的關聯方程式來計算發光二極體的補償值，並且使用該補償值產生補償資料。
因此，在本示範性實施例中，使用通過關聯方程式根據閾值電壓變化量計算發光二極體的補償值的方法，與現有技術的直接感測補償方法相比較，發光二極體的劣化的補償的效率可以有很大改進。
換言之，在現有技術的直接感測補償方法中，需要大量的LUT資料，因此補償時間長。此外，補償演算法的複雜度高，因此邏輯電路的尺寸增加，並且補償電路的成本增加。
相反地，在本示範性實施例中，通過關聯方程式計算發光二極體的補償值，不需要大量的LUT資料，因此，實現關聯方程式的邏輯電路可以容易地實現。因此，補償時間可以非常短，可以降低補償電路的成本，並且可以最大化補償效率。
此外，可以執行驅動電晶體的補償以及發光二極體的補償，因此，可以最大化顯示面板的劣化的補償效果。
對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明的顯示裝置做出各種修改和變化。因此，可以意識到，本發明涵蓋在所附申請專利範圍及其均等範圍內所提供的本發明的修改和變化。
本申請案主張2015年12月31日在韓國提交的韓國專利申請第10-2015-0191554號的優先權權益，其全部內容通過引用併入本文，如同在此全部闡述一樣。
Di‧‧‧影像資料、補償資料
Do‧‧‧影像資料
Vthi‧‧‧初始閾值電壓、閾值電壓
Vthc‧‧‧閾值電壓、閾值電壓
α‧‧‧遷移率補償值
β‧‧‧補償值
ΔVth‧‧‧閾值電壓變化量
Φ‧‧‧閾值電壓補償值
200‧‧‧時序控制電路、時序控制部
210‧‧‧補償值計算部
211‧‧‧第一計算部
212‧‧‧第二計算部
220‧‧‧資料補償部
250‧‧‧記憶體部
251‧‧‧第一記憶體
252‧‧‧第二記憶體
253‧‧‧第三記憶體

Claims (13)

  1. 一種有機發光二極體(OLED)顯示裝置，包括：一顯示面板，包括一像素，該像素具有一驅動電晶體和一發光二極體；一時序控制電路，包括：一補償值計算部，被配置以使用一第一關聯方程式計算該發光二極體的一補償值β，該第一關聯方程式包括該驅動電晶體的一閾值電壓變化量(ΔVth)作為一變數；以及一資料補償部，被配置以將該計算的發光二極體的補償值應用至一輸入影像資料，以產生一補償資料；以及一資料驅動器，被配置以接收該補償資料並將該補償資料提供至該像素，其中，該第一關聯方程式是β=a*ΔVth+b，其中，a是一第一梯度常數，以及b是一第一交叉常數。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體(OLED)顯示裝置，其中，該第一梯度常數是通過一第二關聯方程式來獲得，該第二關聯方程式是a=c*Vthi+d，其中，c是一第二梯度常數，d是一第二交叉常數，以及Vthi是該驅動電晶體的一初始閾值電壓。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體(OLED)顯示裝置，其中，該資料補償部被配置以將該驅動電晶體的一補償值以及該發光二極體的該補償值應用至該輸入影像資料，以產生該補償資料。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述的有機發光二極體(OLED)顯示裝置，其中，該驅動電晶體的該補償值包括：一閾值電壓補償值，用於補償該驅動電晶體的一閾值電壓變化；以及一遷移率補償值，用於補償該驅動電晶體的一遷移率變化。
  5. 依據申請專利範圍第4項所述的有機發光二極體(OLED)顯示裝置，其中，該資料補償部使用一第三關聯方程式產生該補償資料，其中，該第三關聯方程式是Do=α*Di+Φ+β，其中，Do是該補償資料，Di是該輸入影像資料，α是該遷移率補償值，以及Φ是該閾值電壓補償值。
  6. 依據申請專利範圍第3項所述的有機發光二極體(OLED)顯示裝置，進一步包括：一第一記憶體，被配置以儲存將要輸入至該補償值計算部的該驅動電晶體的一初始閾值電壓和一當前閾值電壓；一第二記憶體，被配置以載入通過該補償值計算部計算的該發光二極體的該補償值；以及一第三記憶體，被配置以載入與該當前閾值電壓對應的該驅動電晶體的該補償值，其中，該第二記憶體和該第三記憶體被配置以在與該輸入影像資料的一輸入時序同步的情況下分別將該發光二極體的該補償值和該驅動電晶體的該補償值輸出至該資料補償部。
  7. 依據申請專利範圍第6項所述的有機發光二極體(OLED)顯示裝置，其中，該補償值計算部包括：一第一計算部和一第二計算部，其中，該第一計算部被提供有來自該第一記憶體的該初始閾值電壓和該當前閾值電壓，並且計算該初始閾值電壓與該當前閾值電壓之間的差，以產生該閾值電壓變化量，該第二計算部被提供有來自該第一計算部的該閾值電壓變化量，並且產生該發光二極體的該補償值。
  8. 一種驅動有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，包括：在一時序控制部中，使用一第一關聯方程式計算一像素的一發光二極體的一補償值β，該第一關聯方程式包括該像素的一驅動電晶體的一閾值電壓變化量(ΔVth)作為一變數，並且將該計算的該發光二極體的該補償值應用至一輸入影像資料，以產生一補償資料；以及通過一資料驅動器將來自該時序控制部的該補償資料提供至該像素；其中，該第一關聯方程式是β=a*ΔVth+b，其中，a是一第一梯度常數，以及b是一第一交叉常數。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述之驅動有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，其中，該第一梯度常數是通過一第二關聯方程式而獲得，該 第二關聯方程式是a=c*Vthi+d，其中，c是一第二梯度常數，d是一第二交叉常數，以及Vthi是該驅動電晶體的一初始閾值電壓。
  10. 依據申請專利範圍第8項所述之驅動有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，其中，該產生補償資料包括：在該時序控制部中，將該驅動電晶體的一補償值以及該發光二極體的該補償值應用至該輸入影像資料，以產生該補償資料。
  11. 依據申請專利範圍第10項所述之驅動有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，進一步包括：在該時序控制部中，接收儲存在一第一記憶體中的一初始閾值電壓和一當前閾值電壓、計算該閾值電壓變化量、並計算該發光二極體的該補償值；將在該時序控制部中計算的該發光二極體的該補償值載入一第二記憶體中；將與該當前閾值電壓對應的該驅動電晶體的該補償值載入一第三記憶體中；以及在與該輸入影像資料的一輸入時序同步的情況下，將來自該第二記憶體的該發光二極體的該補償值以及來自該第三記憶體的該驅動電晶體的該補償值輸出至該時序控制部。
  12. 依據申請專利範圍第10項所述之驅動有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，其中，該驅動電晶體的該補償值包括：一閾值電壓補償值，用於補償該驅動電晶體的一閾值電壓變化；以及一遷移率補償值，用於補償該驅動電晶體的一遷移率變化。
  13. 依據申請專利範圍第12項所述之驅動有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，其中，使用一第三關聯方程式產生該補償資料，其中，該第三關聯方程式是Do=α*Di+Φ+β，其中，Do是該補償資料，Di是該輸入影像資料，α是該遷移率補償值，以及Φ是該閾值電壓補償值。
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