KR102085167B1 - 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 유기발광다이오드, 제1 전극이 가변구동전압원에 연결되고, 게이트전극과 제2 전극의 전위차에 따라서 상기 유기발광다이오드의 동작을 제어하는 구동트랜지스터, 데이터라인을 통해서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제1 전류를 공급하는 제1 전류원, 상기 데이터라인을 통해서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제2 전류를 공급하는 제2 전류원 및 상기 구동트랜지스터의 제1 및 제2 전극 간을 흐르는 센싱전류의 크기를 상기 데이터라인을 통해서 검출하는 디지털-아날로그 변환기;를 포함한다.

Description

유기발광다이오드 표시장치 및 그의 구동방법{Organic Light Emitting diode Display and Method for Driving thereof}
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다.
평판 표시장치(FPD; Flat Panel Display)는 소형화 및 경량화에 유리한 장점으로 인해서 데스크탑 컴퓨터의 모니터 뿐만 아니라, 노트북컴퓨터, PDA 등의 휴대용 컴퓨터나 휴대 전화 단말기 등에 폭넓게 이용되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정표시장치{Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; PDP), 전계 방출표시장치{Field Emission Display; FED) 및 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting diode Display; 이하, OLED) 등이 있다.
이 중에서 유기발광다이오드 표시장치는 응답속도가 빠르고, 발광효율이 높은 휘도를 표현할 수 있으며 시야각이 큰 장점이 있다. 일반적으로 유기발광다이오드 표시장치는 스캔신호에 의해서 턴-온 되는 스위치 트랜지스터를 이용하여 데이터전압을 구동트랜지스터의 게이트 전극에 인가하고, 이처럼 구동트랜지스터에 공급되는 데이터전압을 이용하여 유기발광다이오드를 발광시킨다. 즉, 유기발광다이오드에 공급되는 전류는 구동트랜지스터의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 의해서 조절된다. 그런데, 제조공정의 특성상 화소들에 형성되는 각각의 구동트랜지스터는 문턱전압(Vth)에 대한 편차가 발생한다. 구동트랜지스터의 문턱전압의 편차에 의해서 유기발광다이오드에 공급되는 전류는 설계된 값과 다른 값이 제공될 수 있고, 이에 따라서 발광하는 휘도가 원하는 값과 달라질 수 있다.
이를 개선하기 위해서, 각 화소로부터 구동트랜지스터의 특성 파라미터(문턱전압, 이동도)를 센싱하고, 센싱 결과에 따라 입력 데이터를 적절히 보정함으로써 휘도 불균일을 감소시키는 화질 보상방법을 이용하고 있다.
일례로, 국내공개특허 제10-2013-0036659호(명칭:유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법)에 개시된 바와 같은 외부보상방법은 화소 바깥에 전류원을 위치시키고, 이 전류원을 통해 유기발광다이오드에 일정한 전류를 인가한 후 그에 따른 전압을 측정하여 유기발광다이오드의 열화 편차를 보상한다.
널리 알려진 화질 보상기술들은 구동트랜지스터의 문턱전압 특성과 이동도 특성을 검출하기 위해서 각각 슬로우 모드(Slow mode) 센싱방법과 패스트 모드(Past mode) 센싱방법을 이용한다. 그리고 각각의 센싱방법은 다른 방법을 채용하고, 옵셋값 저장을 위한 추가적인 메모리를 필요로 한다.
따라서, 구동트랜지스터의 문턱전압 특성과 이동도 특성을 좀 더 효율적으로 검출할 수 있는 새로운 방안이 모색되고 있다.
본 발명은 센싱기간을 줄이면서 문턱전압과 이동도 특성을 동시에 검출하여 보상할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 구동방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 유기발광다이오드, 제1 전극이 가변구동전압원에 연결되고, 게이트전극과 제2 전극의 전위차에 따라서 상기 유기발광다이오드의 동작을 제어하는 구동트랜지스터, 데이터라인을 통해서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제1 전류를 공급하는 제1 전류원, 상기 데이터라인을 통해서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제2 전류를 공급하는 제2 전류원 및 상기 구동트랜지스터의 제1 및 제2 전극 간을 흐르는 센싱전류의 크기를 상기 데이터라인을 통해서 검출하는 디지털-아날로그 변환기;를 포함한다.
본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 센싱시간이 오래 걸리는 소스 팔로우 방식을 이용하지 않으면서, 구동트랜지스터의 문턱전압과 이동도 특성을 동시에 검출할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치의 화소를 나타내는 도면.
도 3은 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 검출하기 위한 파형의 타이밍도.
도 4는 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도 특성 검출의 원리를 나타내는 도면.
도 5는 화소들 간의 문턱전압 및 이동도 특성의 비교를 나타내는 도면.
도 6은 정상구동을 위한 파형의 타이밍도.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 화소(P)의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 화소들(P)이 매트릭스 형태로 배열되는 표시패널(10), 데이터 구동부(12), 게이트 구동부(13) 및 타이밍 콘트롤러(11)를 구비한다.
표시패널(10)은 복수 개의 화소(P)를 포함하고, 각각의 화소(P)들이 표시하는 계조를 기반으로 영상을 표시하기 위한 것이다. 화소(P)들은 제1 내지 제m 수평라인들 각각에 복수 개가 일정한 간격으로 배열됨으로써 표시패널(10) 내에서 매트릭스 형태로 배치된다.
각각의 화소(P)들은 서로 직교하는 데이터라인(14)과 게이트라인부(15)가 교차되는 영역에 배치된다. 각 화소(P)에 접속하는 게이트라인부(15)는 스캔라인(15a) 및 센스라인(15b)을 포함한다. 화소(P)들 각각은 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DT) 및 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2) 및 스토리지 커패시터(Cs)를 포함한다. 구동트랜지스터(DT), 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2)는 산화물 반도체층을 포함한 산화물 박막트랜지스터(Thin Film Transitor;이하, TFT)로 구현될 수 있다. 산화물 TFT는 전자 이동도, 공정 편차 등을 모두 고려할 때 표시패널(10)의 대면적화에 유리하다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 TFT의 반도체층을 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 등으로 형성할 수도 있다.
타이밍 콘트롤러(11)는 데이터 구동부(12) 및 게이트 구동부(13)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 것이다. 이를 위해서 타이밍 콘트롤러(11)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(10)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 구동부(12)에 공급한다. 그리고 타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동부(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동부(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다.
데이터 구동부(12)는 데이터라인(14)을 구동하기 위한 것이다. 이를 위해서 데이터 구동부(12)는 데이터 제어신호(DDC)를 기반으로 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압으로 변환하여 데이터라인(14)에 공급한다.
데이터 구동부(12)는 제1 및 제2 전류원(22)과 아날로그-디지털-변화기(Analog-Digital-Converter;이하, ADC)(25)를 포함한다. 제1 전류원(21)은 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극과 제2 전극에 제1 전류를 제공하고, 제2 전류원(22)은 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극과 제2 전극에 제2 전류를 제공한다. ADC(25)는 제1 전류를 제공받았을 때에, 구동트랜지스터(DT)의 제2 전극에서 제1 전극을 흐르는 전류값을 센싱한다. 그리고 ADC(25)는 제2 전류를 제공받았을 때에, 구동트랜지스터(DT)의 제2 전극에서 제1 전극을 흐르는 전류값을 센싱한다.
게이트 구동부(13)는 게이트라인부(15)를 구동하기 위한 것으로, 타이밍 콘트롤러(11)로부터 제공받는 게이트 제어신호(GDC)를 이용하여 제1 내지 제3 게이트신호를 생성한다. 게이트 제어신호(GDC)는 스캔이 시작되는 시작 스캔라인을 지시하는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse;GSP), 게이트 스타트 펄스(GSP)를 순차적으로 쉬프트시키기 위한 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock;GSC) 및 게이트 구동부의 출력을 지시하는 게이트 출력 인에이블(Gate Output Enable;GOE)를 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DT), 제1 및 제2 트랜지스터(ST1,ST2), 스토리지 커패시터(Cs)를 구비한다.
유기발광다이오드(OLED)는 구동트랜지스터(DT)로부터 공급되는 구동 전류에 의해 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 구동트랜지스터(DT)의 소스전극에 연결되고, 캐소드전극은 저전위구동전압(VSS)에 연결된다.
구동트랜지스터(DT)는 자신의 제1 전극(n1)과 제2 전극(n2) 간의 전압으로 유기발광다이오드(OLED)에 인가되는 구동전류를 제어한다. 이때, 제1 및 제2 전극(n1,n2)은 각각 드레인(소스)전극과 소스(드레인)전극일 수 있다. 구동트랜지스터(DT)는 제1 전극(n1)이 가변구동전압원(VDD)에 연결되기 때문에, 가변구동전압원의 전위에 따라서 제1 전극(n1)이 드레인전극이 되거나 소스 전극이 될 수 있다. 마찬가지로 구동트랜지스터(DT)의 제2 전극(n2)은 소스전극이 되거나 드레인 전극이 될 수 있다.
구동트랜지스터(DT)의 게이트전극은 데이터전압(Vdata)의 입력단에 연결되고, 제1 전극(n1)은 가변구동전압(VDD)의 입력단에 연결되며, 제2 전극(n2)은 유기발광다이오드(OLED)에 연결된다.
제1 트랜지스터(T1)는 스캔신호(Scan)에 응답하여, 데이터라인(14)과 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극(n3) 간의 전류 경로를 제어한다. 이를 위해서 제1 트랜지스터(T1)의 게이트전극은 스캔라인(15a)에, 드레인전극은 데이터라인(14)에, 소스전극은 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극(n3)에 연결된다.
제2 트랜지스터(T2)는 센스신호(Sense)에 응답하여, 데이터라인(14)과 구동트랜지스터(DT)의 제2 전극(n2) 간의 전류 경로를 제어한다. 이를 위해서 제2 트랜지스터(T2)의 게이트전극은 센스라인(15b)에, 드레인전극은 데이터라인(14)에, 소스전극은 구동트랜지스터(DT)의 제2 전극(n2)에 연결된다.
스토리지 커패시터(Cs)는 데이터라인(14)으로부터 제공받는 데이터전압(Vdata)을 한 프레임동안 유지하여 구동트랜지스터(DT)가 일정한 전압을 유지하도록 한다. 이를 위해서 스토리지 커패시터(Cs)는 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극(n3)과 제2 전극(n2)에 연결된다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 화소(P)에 형성되는 구동트랜지스터(DT)의 특성 검출방법을 살펴보면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 의한 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)에 제공하는 파형의 타이밍을 나타내는 도면이다.
제1 전류제공 기간(t1) 동안, 제1 스위치(SW1)는 하이레벨 신호에 응답하여 데이터라인(14)에 제1 전류(Idc1)를 제공한다. 제1 트랜지스터(T1)는 스캔신호(Scan)에 응답하여, 데이터라인(14)을 통해서 제공받은 제1 전류(Idc1)를 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극(n3)에 제공한다. 제2 트랜지스터(T2)는 센스신호(Sense)에 응답하여, 데이터라인(14)을 통해서 제공받은 제1 전류(Idc1)를 구동트랜지스터(DT)의 제2 전극(n2)에 제공한다. 그리고 가변구동전압원(VDD)은 저전위전압(GND)으로 변경된다.
이에 따라서 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극(n3)과 제2 전극(n2)은 동작전압 이상이 되고, 제2 전극(n2)과 제1 전극(n1) 간에는 제1 센싱전류(Ids1)가 흐른다. 이때, 제1 센싱전류(Ids1)의 전류값은 제1 전류(Idc1)의 전류값과 동일하다.
제1 센싱기간(t2) 동안, 제4 스위치(SW4)는 턴-온되고, ADC(25)는 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극(n3)의 전압을 획득한다.
제1 센싱전류(Ids)는 제1 전류(Idc1)의 전류값과 동일하기 때문에, 제1 전류(Idc1) 및 제1 센싱기간(t2)에 획득한 게이트전극(n3)의 제1 센싱전압(V1)은 도 4에 도시된 구동트랜지스터(DT)의 전류특성곡선에 매칭될 수 있다. 즉, 제1 전류(Idc1)의 전류값과 제1 센싱전압(V1)을 이용하여 제1 좌표(P1)를 획득한다.
제2 전류제공 기간(t3) 동안, 제1 스위치(SW1)는 턴-오프되고 제2 스위치(SW2)는 하이레벨 신호에 응답하여 데이터라인(14)에 제2 전류(Idc2)를 제공한다. 제1 트랜지스터(T1)는 스캔신호(SCAN)에 응답하여, 데이터라인(14)을 통해서 제공받은 제2 전류(Idc2)를 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극(n3)에 제공한다. 제2 트랜지스터(T2)는 센스신호(SENSE)에 응답하여, 데이터라인(14)을 통해서 제공받은 제2 전류(Idc2)를 구동트랜지스터(DT)의 제2 전극(n2)에 제공한다. 그리고 가변구동전압원(VDD)은 저전위전압(GND)을 유지한다.
이에 따라서 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극(n3)과 제2 전극(n2)은 동작전압 이상이 되고, 제2 전극(n2)과 제1 전극(n1) 간에는 제2 센싱전류(Ids)가 흐른다. 이때, 제2 센싱전류(Ids2)의 전류값은 제2 전류(Idc2)의 전류값과 동일하다.
제2 전류제공 기간(t3) 동안, 제3 스위치(SW3)는 턴-오프 된다.
제2 센싱기간(t4) 동안, 제3 스위치(SW3)는 턴-온되고, ADC(25)는 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극(n3)의 전압을 획득한다.
제2 센싱전류(Ids2)는 제2 전류(Idc2)의 전류값과 동일하기 때문에, 제2 전류(Idc2) 및 제2 센싱기간(t4)에 획득한 게이트전극(n3)의 제2 센싱전압(V2)은 도 4에 도시된 구동트랜지스터(DT)의 전류특성곡선에 매칭될 수 있다. 즉, 제2 전류(Idc2)의 전류값과 제2 센싱전압(V2)을 이용하여 제2 좌표(P2)를 획득한다.
결국, 제1 좌표(P1) 및 제2 좌표(P2)는 구동트랜지스터(DT)의 전류특성곡선의 두 지점이 된다.
구동트랜지스터의 전류특선곡선은 다음의 (식1)과 같다.
Ids = k×μ×(Vgs-Vth)2 ------ (식1)
이때, k는 비례상수, μ는 이동도(mobility), Vth는 문턱전압이다.
즉, 구동트랜지스터의 문턱전압은 (식1)을 통해서, 제1 좌표(P1) 및 제2 좌표(P2)를 잇는 직선에 대한 x절편을 산출하여 구할 수 있다. 또한, 이동도는 제1 좌표(P1) 또는 제2 좌표(P2)의 기울기를 이용하여 구할 수 있다.
이때, 구동트랜지스터의 전류특선곡선은 제1 및 제2 좌표(P1,P2) 사이의 구간에서 실질적으로는 직선이 아니기 때문에, 제1 및 제2 좌표(P1,P2)를 잇는 직선의 x절편은 구동트랜지스터의 절대값과는 차이가 있을 수 있다.
이에 따라서, 본 발명은 두 개 이상의 구동트랜지스터의 문턱전압을 산출하여 상대적인 비교값을 통해서 문턱전압 보상을 수행할 수 있다. 즉, 문턱전압의 차이값은 Vg 값의 차이를 이용하여 상대적인 차이값을 산출할 수 있다. 또한 이동도의 비례값은 기울기의 비례를 산출하여 상대적인 비례값을 산출할 수 있다.
도 5는 두 개의 화소에 형성되는 제1 및 제2 구동트랜지스터의 특성을 검출한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다. 시뮬레이션에 이용된 소자들의 실제 스펙은 제1 구동트랜지스터의 문턱전압(Vth)이 0V이고 이동도가 0.75이며, 제2 구동트랜지스터의 문턱전압(Vth)이 5V이고 이동도가 1이다.
제1 그래프(Gr1)는 본 발명을 이용하여 산출한 제1 구동트랜지스터의 특성을 나타내는 그래프이다. 제1 좌표(P1)는 제1 구동트랜지스터(DT)에 10㎂의 전류를 인가했을 때의 게이트전극의 전압이고, 제2 좌표(P2)는 제1 구동트랜지스터(DT)에 1㎂의 전류를 인가했을 때의 게이트전극의 전압이다.
제2 그래프(Gr2)는 본 발명을 이용하여 산출한 제2 구동트랜지스터의 특성을 나타내는 그래프이다. 제3 좌표(P3)는 제2 구동트랜지스터(DT)에 1㎂의 전류를 인가했을 때의 게이트전극의 전압이고, 제4 좌표(P4)는 제2 구동트랜지스터(DT)에 1㎂의 전류를 인가했을 때의 게이트전극의 전압이다.
[표 1]은 이처럼 본 발명의 방법을 이용하여 획득한 제1 및 제2 구동트랜지스터들의 문턱전압 및 이동도를 나타낸다.
문턱전압(x절편) 이동도(기울기)
제1 구동트랜지스터 1.4 1.5
제2 구동트랜지스터 6.4 2.0
이를 바탕으로, 제1 구동트랜지스터에 대비하여 제2 구동트랜지스터의 문턱전압의 차이값(△Vth) 및 이동도의 비례값(△mobility)은 다음의 (식2) 및 (식3)과 같이 산출된다.
△Vth = 6.4 - 1.4 = 5 ----------- (식2)
△mobility = 1.5 / 2.0 = 1.3 ------------ (식3)
이는 실제 소자 스펙을 바탕으로 산출된 문턱전압의 차이값(5-0=5)과 이동도의 비례값(1/0.75)과 거의 유사함을 확인할 수 있다.
그리고 본 발명은 이처럼 획득한 문턱전압의 차이값(△Vth) 및 이동도의 비례값(△mobility)을 이용하여 데이터전압을 보상할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 구동트랜지스터와 문턱전압과 이동도 특성을 검출하는 과정의 시간을 매우 짧게 할 수 있다. 종래의 문턱전압을 검출하기 위한 소스 팔로우(Source follow) 방식은 센싱 시간이 길게 소요되었지만, 본 발명은 수십㎲ 이하의 짧은 시간 동안 문턱전압과 이동도를 모두 검출할 수 있다.
도 6은 본 발명의 유기발광다이오드의 정상 구동방법을 위한 파형의 타이밍도이다.
도 6을 참조하면, 라이팅 기간(Tw) 동안, 가변구동전압원(VDD)은 저전압으로 스윙된다. 제1 트랜지스터(T1)는 스캔신호에 응답하여 데이터라인(14)으로부터 제공받는 데이터전압을 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극에 공급한다. 이때, 플로팅(floating) 상태인 제2 전극(n2)의 전압은 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 전하에 의해서 상승하거나 하강한다.
발광 기간(Te) 동안, 가변구동전압원(VDD)은 제1 전극(n1)에 고전위전압을 제공한다. 제1 트랜지스터(T1)는 턴-오프되고, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 데이터전압은 유기발광다이오드(OLED)로 공급된다. 이에 따라서 유기발광다이오드(OLED)는 데이터전압에 비례하는 밝기로 발광한다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 구동부 13 : 게이트 구동부
14 : 데이터라인 15 : 게이트라인부

Claims (9)

  1. 유기발광다이오드;
    고전위전압과, 상기 고전위전압보다 낮은 저전위전압을 선택적으로 공급하기 위한 가변구동전압원;
    제1 전극이 상기 가변구동전압원에 연결되고, 게이트전극과 제2 전극의 전위차에 따라서 상기 유기발광다이오드의 동작을 제어하는 구동트랜지스터;
    데이터라인을 통해서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제1 전류를 공급하는 제1 전류원;
    상기 데이터라인을 통해서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제2 전류를 공급하는 제2 전류원; 및
    상기 구동트랜지스터의 제1 및 제2 전극 간을 흐르는 센싱전류의 크기를 상기 데이터라인을 통해서 검출하는 아날로그-디지털 변환기;를 포함하고,
    상기 가변구동전압원은,
    상기 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 검출하는 기간에서 상기 구동트랜지스터의 제1 전극에 상기 저전위전압을 공급하고, 상기 유기발광다이오드가 발광하는 기간에서 상기 구동트랜지스터의 제1 전극에 상기 고전위전압을 공급하는 유기발광다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터라인과 상기 구동트랜지스터의 게이트전극 사이에 위치하여, 상기 데이터라인과 상기 구동트랜지스터의 게이트전극 간의 전류 경로를 스위칭하는 제1 트랜지스터; 및
    상기 데이터라인과 상기 구동트랜지스터의 드레인전극 사이에 위치하여, 상기 데이터라인과 상기 제2 전극 간의 전류 경로를 스위칭하는 제2 트랜지스터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  3. 유기발광다이오드; 고전위전압과, 상기 고전위전압보다 낮은 저전위전압을 선택적으로 공급하기 위한 가변구동전압원; 제1 전극이 상기 가변구동전압원에 연결되고, 게이트전극과 제2 전극의 전위차에 따라서 상기 유기발광다이오드의 동작을 제어하는 구동트랜지스터; 데이터라인을 통해서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제1 전류를 공급하는 제1 전류원; 상기 데이터라인을 통해서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2 전극에 제2 전류를 공급하는 제2 전류원을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서,
    상기 제1 전류원을 통해 상기 제1 전류를 상기 게이트전극과 제2 전극에 제공하고, 상기 제1 전류에 대응하는 상기 게이트전극의 전압을 검출하여 제1 센싱전압을 획득하는 단계;
    상기 제2 전류원을 통해 상기 제2 전류를 상기 게이트전극과 제2 전극에 제공하고, 상기 제2 전류에 대응하는 상기 게이트전극의 전압을 검출하여 제2 센싱전압을 획득하는 단계;
    상기 제1 전류 및 제1 센싱전압의 대응관계인 제1 좌표를 획득하는 단계;
    상기 제2 전류 및 제2 센신전압의 대응관계인 제2 좌표를 획득하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 좌표를 잇는 직선을 상기 구동트랜지스터의 특성 그래프로 획득하는 단계;를 포함하고,
    상기 가변구동전압원은,
    상기 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 검출하는 기간에서 상기 구동트랜지스터의 제1 전극에 상기 저전위전압을 공급하고, 상기 유기발광다이오드가 발광하는 기간에서 상기 구동트랜지스터의 제1 전극에 상기 고전위전압을 공급하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 특성 그래프에서 x절편을 상기 구동트랜지스터의 문턱전압으로 산출하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 특성 그래프에서 기울기를 상기 구동트랜지스터의 이동도로 산출하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    제1 화소의 구동트랜지스터 문턱전압을 산출하는 단계;
    제2 화소의 구동트랜지스터 문턱전압을 산출하는 단계; 및
    상기 제1 화소의 구동트랜지스터 문턱전압 및 상기 제2 화소의 구동트랜지스터 문턱전압 간의 차이를 산출하여, 문턱전압 편차에 의한 보상을 수행하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    제1 화소의 구동트랜지스터 이동도를 산출하는 단계;
    제2 화소의 구동트랜지스터 이동도를 산출하는 단계; 및
    상기 제1 화소의 구동트랜지스터 이동도 및 상기 제2 화소의 구동트랜지스터 이동도 간의 비율을 산출하여, 이동도 편차에 의한 보상을 수행하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 검출하는 기간은,
    상기 제1 전류원에서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제1 전류를 공급하여 상기 구동트랜지스터의 상기 제2 전극에서 상기 제1 전극으로 상기 제1 전류를 흐르게 하는 기간, 상기 제2 전류원에서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제2 전류를 공급하여 상기 구동트랜지스터의 상기 제2 전극에서 상기 제1 전극으로 상기 제2 전류를 흐르게 하는 기간, 상기 제1 전류에 대응하는 상기 게이트전극의 전압을 검출하는 기간, 및 상기 제2 전류에 대응하는 상기 게이트전극의 전압을 검출하는 기간을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 구동트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 검출하는 기간은,
    상기 제1 전류원에서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제1 전류를 공급하여 상기 구동트랜지스터의 상기 제2 전극에서 상기 제1 전극으로 상기 제1 전류를 흐르게 하는 기간, 상기 제2 전류원에서 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 제2전극에 제2 전류를 공급하여 상기 구동트랜지스터의 상기 제2 전극에서 상기 제1 전극으로 상기 제2 전류를 흐르게 하는 기간, 상기 제1 전류에 대응하는 상기 게이트전극의 전압을 검출하는 기간, 및 상기 제2 전류에 대응하는 상기 게이트전극의 전압을 검출하는 기간을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
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