JP2012508901A

JP2012508901A - エレクトロルミネッセントディスプレイのための補償済み駆動信号

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Publication number: JP2012508901A
Application number: JP2011536310A
Authority: JP
Inventors: ヘイマー、ジョン・ウィリアム; パレット、ギャリー; リーヴィー、チャールズ・イゼリン
Original assignee: Global OLED Technology LLC
Current assignee: Global OLED Technology LLC
Priority date: 2008-11-17
Filing date: 2009-11-04
Publication date: 2012-04-12
Anticipated expiration: 2029-11-04
Also published as: KR101655329B1; US8358256B2; EP2351012B1; JP5443504B2; US20100123649A1; EP2351012A1; KR20110086596A; TW201216246A; TWI459353B; CN102257555A; WO2010056290A1

Abstract

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイのようなエレクトロルミネッセント（ＥＬ）ディスプレイの３Ｔ１ＣＥＬサブピクセル内の駆動トランジスタ及びＥＬエミッターの初期不均一性又は経年変化の補償が実行される。ＥＬエミッターに接続される読出しトランジスタを用いて、エミッターの電圧を読み出し、モデルを用いて、ΔＶ_th、ΔＶ_EL及びＯＬＥＤ効率損失の補償が実行される。より短い時間の間、より高いルミナンスでターゲットサブピクセルを駆動し、その後、フレーム内の残りの時間を用いて測定することによって、１つのフレーム中に測定が行なわれる。Ａ／Ｄコンバーターを用いて、又はランプ発生器及び比較器を用いて測定を行なうことができる。サブピクセルごとに個別に補償が実行される。

Description

本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイのような固体エレクトロルミネッセント（ＥＬ）フラットパネルディスプレイに関し、より詳細には、エレクトロルミネッセントディスプレイ構成要素の経年変化を補償するための方法を有する、そのようなディスプレイに関する。

エレクトロルミネッセント（ＥＬ）デバイスは何年にもわたって知られており、最近になって市販のディスプレイデバイスにおいて用いられるようになった。そのようなデバイスは、アクティブマトリックス制御方式及びパッシブマトリックス制御方式の両方を利用し、複数のサブピクセルを利用することができる。各サブピクセルは、ＥＬエミッターと、ＥＬエミッターを流れる電流を駆動するための駆動トランジスタとを含む。サブピクセルは通常２次元のアレイに配列され、サブピクセルごとに１つの行及び列アドレスがあり、サブピクセルには１つのデータ値が関連付けられる。赤色、緑色、青色及び白色のような異なる色のサブピクセルをグループ化して、ピクセルを形成する。ＥＬディスプレイは、コーティング可能な無機発光ダイオード、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含む、種々のエミッター技術から作製することができる。

ＯＬＥＤディスプレイは、優れたフラットパネルディスプレイ技術として特に関心を集めている。これらのディスプレイは有機材料の薄膜に通電する電流を利用して光を生成する。放射される光の色、及び電流から光へのエネルギー変換効率は、有機薄膜材料の組成によって決定される。異なる有機材料は異なる色の光を放射する。しかしながら、ディスプレイが使用されるにつれて、ディスプレイ内の有機材料に経年変化が生じ、光を放射する際の効率が低下する。これにより、ディスプレイの寿命が短くなる。有機材料が異なると、異なる速度で経年変化が生じる可能性があるので、ディスプレイが使用されるにつれて、色によって経年変化に差が生じ、ディスプレイの白色点が変化する。さらに、個々の各ピクセルは、他のピクセルとは異なる速度で経年変化を生じるので、結果として、ディスプレイが不均一になる可能性がある。さらに、たとえばアモルファスシリコンといったいくつかの回路部素子も、経年変化の影響を示すことが知られている。

材料に経年変化が生じる速度は、ディスプレイに通電する電流の量に関連付けられ、それゆえ、ディスプレイから放射された光の量に関連付けられる。この経年変化の影響を補償する種々の技法が記述されてきた。

Shen他による特許文献１は、ピクセルに印加される累積駆動電流に基づいて各ピクセルの光出力効率の低下を計算し、予測することによってＯＬＥＤディスプレイ内の個々の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の発光効率の長期変動を補償する方法及び関連するシステムを記述している。その方法は、ピクセルごとに次の駆動電流に適用される補正係数を導出する。この技法では、各ピクセルに印加される駆動電流を測定し、累積する必要があり、ディスプレイが使用されるのに応じて絶えず更新されなければならない格納メモリを必要とし、それゆえ、複雑で、大規模な回路部を必要とする。

Narita他による特許文献２は、各発光素子から放射される光の量を一定に保持する同様の方法を記述している。この設計では、使用量を記録するために、各ピクセルに送信される各信号に応答する計算ユニットを使用する必要があり、回路設計の複雑度が大幅に増す。

Everttによる特許文献３は、ＯＬＥＤディスプレイのためのパルス幅変調ドライバーを記述している。ビデオディスプレイの一実施形態が、選択された電圧を与えて、ビデオディスプレイ内の有機発光ダイオードを駆動するための電圧ドライバーを備える。電圧ドライバーは、補正表から、経年変化、列抵抗、行抵抗及び他のダイオード特性を考慮に入れた電圧情報を受信することができる。その発明の一実施形態では、補正表は、通常の回路動作前に、及び／又は動作中に計算される。ＯＬＥＤ出力光レベルはＯＬＥＤ電流に対して線形であると仮定されるので、その補正方式は、過渡現象が落ち着くことができるほど十分に長い持続時間にわたってＯＬＥＤダイオードの中に既知の電流を送り込み、その後、列ドライバー上に存在するアナログ／デジタルコンバーター（Ａ／Ｄ）を用いて対応する電圧を測定することに基づく。較正電流源及びＡ／Ｄは、スイッチングマトリックスを通じて、任意の列に切り替えることができる。

Numaoによる特許文献４は、有機ＥＬ素子を流れる電流及び有機ＥＬ素子の温度が測定される方法を記述している。その後、予め計算された表、並びに電流及び温度の測定値を用いて、補償が実行される。この設計は、ピクセルの予測可能な相対的使用量を推定し、ピクセルのグループ又は個々のピクセルの実際の使用量の差に対応していない。それゆえ、色及び空間グループのための補正は、経時的に不正確になる可能性がある。さらに、ディスプレイ内に温度検知回路及び複数の電流検知回路を集積する必要がある。この集積は複雑であり、製造歩留まりを低減し、ディスプレイ内の空間を占有する。

Ishizuki他による特許文献５は、サブピクセル毎の電流を順に測定する方法を開示している。この方法の測定技法は繰り返されるので、時間がかかる。

Arnold他による特許文献６は、ＯＬＥＤエミッターの経年変化を補償する方法を教示している。この方法は、デバイスルミナンスの全体的な変化がＯＬＥＤエミッターの変化によって引き起こされると仮定する。しかしながら、回路内の駆動トランジスタがアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）から形成されるとき、トランジスタのしきい値電圧も使用に伴って変化するので、この仮定は有効ではない。この方法は、トランジスタが経年変化の影響を示す回路内では、ＯＬＥＤ効率損失を完全には補償しない。さらに、逆方向バイアスのような方法を用いて、ａ−Ｓｉトランジスタしきい値電圧シフトを緩和するとき、逆方向バイアス効果の適切な追跡／予測又はＯＬＥＤ電圧変化若しくはトランジスタしきい値電圧変化の直接の測定を用いなければ、ＯＬＥＤ効率損失の補償は信頼性がなくなる可能性がある。

Fruehaufによる特許文献７は、電流測定回路及び電圧比較ユニットに供給するためにダイオード駆動電流をタップする第３のトランジスタを有するピクセル構造を開示している。しかしながら、この方法は、測定に用いなければ光の放射に用いることができた電流を測定に用いることによって、そのようなピクセルを含むディスプレイの効率を低下させる。さらに、この方法は、ＴＦＴ変動を補償するだけであり、不均一なＯＬＥＤ特性を補償することはできない。

経年変化の影響に加えて、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）のようないくつかのトランジスタ技術によって、駆動トランジスタを製造することができるが、それらのトランジスタでは、ディスプレイの表面にわたって移動度及びしきい値電圧が変化する（非特許文献１）。これによって、目に見える不均一性が生じるので望ましくない。さらに、ＯＬＥＤ材料を不均一に堆積すると、効率が変化するエミッターが製造され、それにより同様に、不均一性が生じる可能性あるので望ましくない。これらの不均一性は、パネルがエンドユーザーに販売される時点で存在するので、初期不均一性と呼ばれる。図９は、ピクセル間の特性の差を示す平坦域のためのサブピクセルルミナンスのヒストグラム例を示す。いずれの方向においても実際のルミナンスは２０％だけ変化し、結果として、ディスプレイ性能が許容できなくなった。

Salamによる特許文献８は、ピクセル内の明度変動を低減するためのプロセス制御回路部を有するディスプレイマトリックスを記述している。この開示は、ディスプレイ内の最も弱いピクセルの明度と各ピクセルの明度との間の比に基づいて、ピクセルごとに線形スケーリング法を用いることを記述している。しかしながら、この手法は、結局、ディスプレイのダイナミックレンジ及び明度を全体的に低減させることになると共に、ピクセルを動作させることができるビット深度を低減及び変動させることになる。

Fanによる特許文献９は、ＯＬＥＤの表示均一性を改善する方法を記述している。全ての有機発光素子の表示特性が測定される。その技法は、ルックアップテーブル及び計算回路部の組み合わせを用いて、均一性補正を実施する。しかしながら、この方法は光学的な測定を必要とする。これにより、この方法はユーザーの場所において周期的な測定を必要とする経年変化補正には適していない。さらに、記述された手法は、ピクセル毎の別々のルックアップテーブルを必要とするので、結果としてメモリ要件を満たすのに非常に費用がかかるようになるか、各ピクセルの特性を近似する必要があるので、画像品質が低下するかのいずれかである。

Kasai他による特許文献１０は、複数の外乱要因に対応する補正処理を実行し、その記述内容が補正係数を含む変換表を用いることによって、表示品質を安定させる電気光学デバイスを記述している。しかしながら、この方法は、処理を実行するのに、その全てが用いられているとは限らない多数のルックアップテーブル（ＬＵＴ）を必要とし、それらのＬＵＴを実装するための方法を記述していない。

それゆえ、エレクトロルミネッセントディスプレイの経年変化及び初期不均一性のより完全な補償手法が必要とされている。

米国特許第６，４１４，６６１号米国特許第６，５０４，５６５号米国特許出願公開第２００２／０１６７４７４号特開２００２−２７８５１４号公報米国特許出願公開第２００３／０１２２８１３号米国特許第６，９９５，５１９号米国特許出願公開第２００４／０１００４３０号米国特許第６，０８１，０７３号米国特許第６，４７３，０６５号米国特許出願公開第２００５／０００７３９２号

Kuo, Yue編「Thin Film Transistor: Materials and Processes, vol. 2: Polycrystalline Thin Film Transistors」（Boston: Kluwer Academic Publishers, 2004, pg. 410-412）

それゆえ、本発明の目的は、トランジスタに経年変化がある場合にエレクトロルミネッセントエミッター内の経年変化及び効率の変化を補償することである。

この目的は、複数のエレクトロルミネッセント（ＥＬ）サブピクセル内の駆動トランジスタに駆動トランジスタ制御信号を与える方法であって、
（ａ）複数のＥＬサブピクセルを設けることであって、各サブピクセルは、第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する駆動トランジスタと、第１の電極及び第２の電極を有するＥＬエミッターと、第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する読出しトランジスタとを備えること、
（ｂ）各読出しトランジスタの前記第１の電極を対応する前記駆動トランジスタの前記第２の電極及び対応する前記ＥＬエミッターの前記第１の電極に接続すること、
（ｃ）前記サブピクセルごとに、それぞれの前記サブピクセルからの対応する出力を指令する入力コード値を受信すること、
（ｄ）ターゲットサブピクセルを選択すること、
（ｅ）前記ターゲットサブピクセルを除く各前記サブピクセルに、それぞれの前記入力コード値を与えると共に、前記ターゲットサブピクセルに、対応する前記入力コード値よりも選択された第１の量だけ高い出力を指令するブーストコード値を与えること、
（ｆ）選択された遅延時間後に、前記ターゲットサブピクセルの前記読出しトランジスタの前記第２の電極上の読出し電圧を測定することであって、そのサブピクセル内の前記駆動トランジスタ及び前記ＥＬエミッターの特性を表すステータス信号を与えること、
（ｇ）前記ステータス信号を用いることであって、前記ターゲットサブピクセルの補償済みコード値を与えること、
（ｈ）前記ターゲットＥＬサブピクセルの前記駆動トランジスタに前記補償済みコード値に対応する駆動トランジスタ制御信号を与えること、並びに
（ｉ）前記ターゲットサブピクセルとして前記複数のサブピクセルをそれぞれ順に選択して、ステップ（ｄ）〜（ｈ）を繰り返すことであって、前記複数のＥＬサブピクセルのそれぞれにおける前記駆動トランジスタにそれぞれの駆動トランジスタ制御信号を与えること、
を含む、方法によって達成される。

この目的は、エレクトロルミネッセント（ＥＬ）サブピクセル内の駆動トランジスタのゲート電極に駆動トランジスタ制御信号を与えるための装置であって、
ａ）第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する前記駆動トランジスタと、第１の電極及び第２の電極を有するＥＬエミッターと、前記駆動トランジスタの前記第２の電極に接続された第１の電極を有すると共に、第２の電極を有する読出しトランジスタとを備えるＥＬサブピクセルであって、前記ＥＬエミッターの前記第１の電極は前記駆動トランジスタの前記第２の電極に接続される、ＥＬサブピクセルと、
ｂ）種々の時点において前記読出しトランジスタの前記第２の電極上の読出し電圧を測定し、時間の経過と共に前記駆動トランジスタ及び前記ＥＬエミッターの動作によって引き起こされる駆動トランジスタ及びＥＬエミッターの前記特性の変動を表すステータス信号を与えるための測定回路と、
ｃ）入力コード値を与えるための手段と、
ｄ）入力コード値を受信し、前記ステータス信号に応答して補償済みコード値を生成するための補償器と、
ｅ）前記駆動トランジスタの前記ゲート電極を駆動するために、前記補償済みコード値に応答して前記駆動トランジスタ制御信号を生成するためのソースドライバーと、
を備える、装置によってさらに達成される。

本発明の利点は、発光素子の使用量又は動作時間の連続的な測定値を累積するための大規模又は複雑な回路部を必要とすることなく、回路部の経年変化も起こっているディスプレイ内の有機材料の経年変化を補償するＯＬＥＤディスプレイである。本発明のさらに別の利点は、ＯＬＥＤディスプレイが簡単な電圧測定回路部を用いることである。本発明のさらなる利点は、全ての電圧測定を行なうことによって、これが、電流を測定する方法よりも、変化に対して感度が高いことである。本発明のさらなる利点は、ＯＬＥＤ変化の補償と共に、駆動トランジスタの特性の変化の補償が実行され、それにより、完全な補償解決策を提供することができることである。本発明のさらなる利点は、測定及び補償（ＯＬＥＤ及び駆動トランジスタ）の両方の態様を迅速に成し遂げることができることである。本発明のさらなる利点は、単一の選択線を用いて、データ入力及びデータ読出しが可能であることである。本発明のさらなる利点は、駆動トランジスタ及びＯＬＥＤの変化の特徴付け及び補償が特定の素子に特有であり、開放又は短絡され得る他の素子による影響を受けないことである。

本発明を実施する際に用いることができるエレクトロルミネッセント（ＥＬ）ディスプレイの一実施形態の概略図である。本発明を実施する際に用いることができるＥＬサブピクセル及び関連する回路部の一実施形態の概略図である。本発明を実施する際に用いることができる変換回路の第１の実施形態の概略図である。本発明を実施する際に用いることができる変換回路の第２の実施形態の概略図である。ＯＬＥＤエミッターの経年変化がルミナンス効率に及ぼす影響を示す図である。ＯＬＥＤエミッター又は駆動トランジスタの経年変化がデバイス電流に及ぼす影響を示す図である。本発明の方法の一実施形態の行タイミング図である。本発明の方法の別の実施形態の行タイミング図である。本発明の方法の一実施形態のフレームタイミング図である。本発明の方法の一実施形態の流れ図である。トランジスタしきい値電圧の変化とＯＬＥＤ電圧の変化との間の関係を示すグラフである。ＯＬＥＤ効率とＯＬＥＤ電圧の変化との間の関係を示すグラフである。ＯＬＥＤ効率と、ＯＬＥＤ経過期間と、ＯＬＥＤ駆動電流密度との間の関係を示すグラフである。ピクセル間の特性の差を示すピクセルルミナンスのヒストグラムである。

図１を参照すると、本発明を実施する際に用いることができるエレクトロルミネッセント（ＥＬ）ディスプレイの一実施形態の概略図が示される。ＥＬディスプレイ１０は、行及び列に配列された複数のＥＬサブピクセル６０のアレイを含む。ＥＬディスプレイ１０は複数の行選択線２０を含み、ＥＬサブピクセル６０の各行が１つの対応する行選択線２０を有する。ＥＬディスプレイ１０は複数の読出し線３０をさらに含み、ＥＬサブピクセル６０の各列が１つの対応する読出し線３０を有する。明確に例示するために図示されないが、当該技術分野においてよく知られているように、ＥＬサブピクセル６０の各列はデータ線も有する。複数の読出し線３０は、１つ又は複数のマルチプレクサ４０に接続され、これによって、後に説明するように、ＥＬサブピクセルから信号を並列／順次に読み出すことが可能になる。マルチプレクサ４０は、ＥＬディスプレイ１０と同じ構造の一部とすることもできるし、ＥＬディスプレイ１０に対し接続することも切り離すこともできる別の構成とすることもできる。

次に図２を参照すると、本発明を実施する際に用いることができるＥＬサブピクセル及び関連する回路部の一実施形態の概略図が示される。ＥＬサブピクセル６０は、ＥＬエミッター５０と、駆動トランジスタ７０と、キャパシタ７５と、読出しトランジスタ８０と、選択トランジスタ９０とを備える。トランジスタのそれぞれは、第１の電極と、第２の電極と、ゲート電極とを有する。第１の電圧源１４０が駆動トランジスタ７０の第１の電極に接続される。「接続される」は、要素が直接接続されるか、又は別の構成要素、たとえば、スイッチ、ダイオード、別のトランジスタ等を介して接続されることを意味する。駆動トランジスタ７０の第２の電極はＥＬエミッター５０の第１の電極に接続され、第２の電圧源１５０がＥＬエミッター５０の第２の電極に接続される。選択トランジスタ９０はデータ線３５を駆動トランジスタ７０のゲート電極に接続し、当該技術分野においてよく知られているように、データ線３５からのデータを駆動トランジスタ７０に選択的に与える。各行選択線２０は、ＥＬサブピクセル６０の対応する行内の選択トランジスタ９０のゲート電極及び読出しトランジスタ８０のゲート電極に接続される。

読出しトランジスタ８０の第１の電極は、駆動トランジスタ７０の第２の電極に接続され、ＥＬエミッター５０の第１の電極にも接続される。各読出し線３０は、ＥＬサブピクセル６０の対応する列内の読出しトランジスタ８０の第２の電極に接続される。読出し線３０は、測定回路１７０に読出し電圧を与え、測定回路は読出し電圧を測定し、ＥＬサブピクセル６０の特性を表すステータス信号を与える。

所定の数のＥＬサブピクセル６０のそれぞれの読出しトランジスタの第２の電極から電圧を順次に読み出すために、マルチプレクサ出力線４５及びマルチプレクサ４０を通して、測定回路１７０に複数の読出し線３０を接続することができる。複数のマルチプレクサ４０が存在する場合には、それぞれが自らのマルチプレクサ出力線４５を有することができる。こうして、所定の数のＥＬサブピクセルを同時に駆動することができる。複数のマルチプレクサによって、種々のマルチプレクサ４０から電圧を並列に読み出すことが可能になる一方、各マルチプレクサ４０は、そのマルチプレクサに取り付けられた読出し線３０を順次に読み出すことが可能になる。本明細書において、これを並列／順次プロセスと呼ぶ。

測定回路１７０は、変換回路１７１と、オプションでプロセッサ１９０及びメモリ１９５とを備える。変換回路１７１は、マルチプレクサ出力線４５上で読出し電圧を受信し、変換済みデータ線９３上にデジタルデータを出力する。変換回路１７１は、マルチプレクサ出力線４５に高い入力インピーダンスを呈することが好ましい。変換回路１７１によって測定される読出し電圧は、読出しトランジスタ９０の第２の電極上の電圧に等しくすることができるか、又はその電圧の関数とすることができる。たとえば、読出し電圧測定値は、読出しトランジスタ９０の第２の電極上の電圧から、読出しトランジスタのドレイン−ソース間電圧及びマルチプレクサ４０の両端での電圧降下を引いた値とすることができる。ステータス信号としてデジタルデータを用いることができるか、又はステータス信号は、以下に記述されるように、プロセッサ１９０によって計算することができる。ステータス信号は、ＥＬサブピクセル６０内の駆動トランジスタ及びＥＬエミッターの特性を表す。プロセッサ１９０は、変換済みデータ線９３上でデジタルデータを受信し、ステータス線９４上にステータス信号を出力する。プロセッサ１９０は、ＣＰＵ、ＦＰＧＡ又はＡＳＩＣとすることができ、オプションで、メモリ１９５に接続されることができる。メモリ１９５は、フラッシュ又はＥＥＰＲＯＭのような不揮発性記憶装置、又はＳＲＡＭのような揮発性記憶装置とすることができる。

補償器１９１が、ステータス線９４上でステータス信号を受信すると共に、入力線８５上で入力コード値を受信し、制御線９５上に補償済みコード値を与える。ソースドライバー１５５が補償済みコード値を受信し、データ線３５上に駆動トランジスタ制御信号を生成する。したがって、プロセッサ１９０は、表示過程中に、本明細書において後に記述されるような補償済みデータを与えることができる。当該技術分野において知られているように、入力コード値は、タイミングコントローラー（図示せず）によって与えることができる。入力コード値はデジタル又はアナログとすることができ、指示されるルミナンスに対して線形又は非線形とすることができる。アナログである場合には、入力コード値は、電圧、電流、又はパルス幅変調された波形とすることができる。

ソースドライバー１５５は、デジタル／アナログコンバーター、又はプログラマブル電圧源、プログラマブル電流源、若しくはパルス幅変調された電圧（「デジタル駆動」）若しくは電流ドライバー、又は当該技術分野において知られている別のタイプのソースドライバーを含むことができる。

プロセッサ１９０及び補償器１９１は、同じＣＰＵ又は他のハードウエア上に実装することができる。プロセッサ１９０及び補償器１９１は、本明細書において記述されることになる測定過程中に、協力して、データ線３５に所定のデータ値を与えることができる。

図３Ａを参照すると、第１の実施形態では、変換回路１７１は、マルチプレクサ出力線４５上の読出し電圧測定値をデジタル信号に変換するためのアナログ／デジタルコンバーター１８５を備える。それらのデジタル信号は、変換済みデータ線９３上でプロセッサ１９０に与えられる。また、変換回路１７１は、ローパスフィルタ１８０も備えることができる。この実施形態では、所定の試験データ値が補償器１９１によってデータ線３５に与えられ、マルチプレクサ出力線４５上の対応する読出し電圧が測定され、ステータス信号として用いられる。

図３Ｂを参照すると、第２の実施形態では、変換回路１７１は電圧比較器２００を備えており、電圧比較器２００は、マルチプレクサ出力線４５上の読出し電圧測定値を選択された基準電圧レベルと比較し、読出し電圧が選択された基準電圧レベル以上であるか、又は以下であるかを指示するトリガ信号をトリガ線２０２上に与える。選択された基準電圧レベルは、基準電圧源２０１によって与えられる。読出し電圧測定値は、読出し線３０上の電圧に対応する。読出し電圧測定値を受信するために、試験信号発生器２０３が、駆動トランジスタのゲート電極に、選択された試験電圧シーケンスを順次に与える。試験信号発生器２０３はランプ発生器とすることができ、その場合、選択された試験電圧シーケンスは、増加しないか、又は減少しないシーケンスである。増加しないシーケンス及び減少しないシーケンスは一定にすることはできない。試験電圧シーケンスは、測定コントローラー２０４にも与えられ、測定コントローラー２０４は、電圧比較器２００からトリガ信号を受信すると共に試験信号発生器２０３から対応する試験電圧を受信し、対応する試験電圧を変換済みデータ線９３上でプロセッサに与える。プロセッサは、補償器へのステータス信号として、ステータス線９５上に対応する試験電圧を与えることができる。測定コントローラー２０４は、ステータス信号として、対応する試験電圧の関数、たとえば、一次変換を与えることもできる。この実施形態は、アナログ／デジタルコンバーターが不要であるので、第１の実施形態よりも安価に実施することができる。試験電圧シーケンスは、等価なデジタルコード値として、又は試験電圧に対する別の形のマッピングとして、測定コントローラー２０４に与えることができる。この実施形態では、試験電圧シーケンスは、制御線９５上で試験信号発生器２０３からシーケンスを受信する補償器１９１によってデータ線３５に与えられ、マルチプレクサ出力線４５上の読出し電圧が基準電圧２０１によって規定されるしきい値を横切る点が記録され、ステータス信号として用いられる。

測定が行なわれている間に、試験データ値が、ＥＬエミッターから光を放射するように指示することができる。これは、ＥＬディスプレイのユーザーの目に見える可能性があるので望ましくない。当該技術分野において知られているように、駆動トランジスタ７０はしきい値電圧Ｖ_thを有し、その電圧未満の電圧では（又は、Ｐチャネルの場合、その電圧より高い電圧では）、相対的にはほとんど電流が流れないので、相対的にはほとんど光が放射されない。選択される基準電圧レベルを、そのしきい値電圧未満にして、測定中にユーザーの目に見える光が放射されることを防ぐことができる。

駆動トランジスタ７０がアモルファスシリコントランジスタであるとき、しきい値Ｖ_thは、実際の使用条件を含む、経年変化条件下で変化することが知られている。したがって、ＥＬエミッター５０に駆動電流を流すことによって、駆動トランジスタ７０のＶ_thが増加する。それゆえ、駆動トランジスタ７０のゲート電極上の信号が一定でも、電流Ｉ_dsは徐々に減少することになり、それゆえ、ＥＬエミッター５０によって放射される光の輝度も徐々に減少する。そのような減少量は、駆動トランジスタ７０の使用量に依存することになり、それゆえ、その減少は、ディスプレイ内で駆動トランジスタが異なれば異なる可能性がある。これが、ＥＬサブピクセル６０の特性に関する１つのタイプの空間変動である。そのような空間変動は、ディスプレイの種々の部分における明度及びカラーバランスの差、及び頻繁に表示される画像（たとえば、ネットワークロゴ）によって画像そのもののゴーストがアクティブディスプレイ上に常に表示されるようになる画像「焼き付き」を含むことができる。そのような問題を防ぐために、しきい値電圧のそのような変化を補償することが望ましい。また、経過期間に関連するＥＬエミッター５０の変化、たとえば、ルミナンス効率損失及びＥＬエミッター５０の両端の抵抗の増加も生じる可能性がある。

次に図４Ａを参照すると、電流がＯＬＥＤエミッターに通電されるのに応じて生じるＯＬＥＤエミッターの経年変化がルミナンス効率に及ぼす影響を示す図が示される。３つの曲線は、時間又は累積電流にわたるルミナンス出力によって表されるような、異なる色の光を放射する異なる光エミッター（たとえば、それぞれ赤色、緑色及び青色エミッター）の一般的な性能を表す。異なる色の光エミッター間のルミナンスの低下は異なる可能性がある。それらの差は、異なる色の光エミッターにおいて用いられる材料の経年変化特性が異なること、又は異なる色の光エミッターの使用量が異なることに起因することがある。それゆえ、従来の使用では、経年変化を補正しない場合、ディスプレイは明るくなくなり、ディスプレイの色、特に白色点はシフトする可能性がある。

さらなるタイプの空間変動は初期不均一性である。ＥＬディスプレイの動作寿命は、エンドユーザーがそのディスプレイ上で最初に画像を見た時から、そのディスプレイが廃棄される時までの時間である。初期不均一性は、ディスプレイの動作寿命の開始時に存在する任意の不均一性である。本発明は、都合の良いことに、ＥＬディスプレイの動作寿命が始まる前に測定を行なうことによって初期不均一性を補正することができる。その測定は、ディスプレイの製造の一部として工場において行なうことができる。また、その測定は、ユーザーが最初にＥＬディスプレイを含む製品を起動した後において、そのディスプレイ上に最初の画像を表示する直前に行なうことができる。これにより、ディスプレイは、エンドユーザーが最初に見るときに、エンドユーザーに高品質の画像を提示できるようになるので、ディスプレイに対するエンドユーザーの第一印象は好意的になるであろう。

図４Ｂを参照すると、２つのＥＬエミッターの特性の差若しくは２つの駆動トランジスタの特性の差、又はその両方がＥＬサブピクセル電流に及ぼす影響を示す図が示される。この図は、経年変化前後の単一のＥＬサブピクセルの類似の事例も表すことができる。図３の横座標は駆動トランジスタ７０におけるゲート電圧を表す。縦座標は、ＥＬエミッター５０に通電する電流の底を１０とする対数である。第１のＥＬサブピクセルＩ−Ｖ特性２３０及び第２のＥＬサブピクセルＩ−Ｖ特性２４０は、２つの異なるＥＬサブピクセル６０の場合、又は経年変化前（２３０）及び経年変化後（２４０）の単一のＥＬサブピクセル６０の場合のＩ−Ｖ曲線を示す。特性２４０の場合に、所望の電流を得るのに、特性２３０の場合よりも大きな電圧が必要とされる。すなわち、その曲線は、量ΔＶだけ右にシフトされる。経年変化の場合、ΔＶは、図に示されるように、しきい値電圧の変化（ΔＶ_th、２１０）と、ＥＬエミッター抵抗の変化から生じるＥＬ電圧の変化（ΔＶ_EL、２２０）との和である。この変化の結果として、特性２３０及び２４０をそれぞれ有するサブピクセル間で光放射が不均一になる。特性２３０よりも特性２４０において、所与のゲート電圧によって、電流が少なく制御され、それゆえ、光が少なく制御されることになる。

ＯＬＥＤ電流Ｉ_EL（これは駆動トランジスタを流れるドレイン−ソース間電流Ｖ_dsでもある）、ＯＬＥＤ電圧Ｖ_EL、及び飽和時のしきい値電圧Ｖ_thの間の関係は以下の通りである。

ただし、ＷはＴＦＴチャネル幅であり、ＬはＴＦＴチャネル長であり、μはＴＦＴ移動度であり、Ｃ₀は単位面積当たりの酸化物キャパシタンスであり、Ｖ_gはゲート電圧であり、Ｖ_gsは駆動トランジスタのゲートとソースとの間の電圧差である。簡単にするために、μがＶ_gsに依存するのを無視する。したがって、ＥＬサブピクセル６０のうちの１つ又は複数のサブピクセルの特性の変動を補償するために、Ｖ_th及びＶ_ELの変化を補正しなければならない。しかしながら、何度も測定を行なうことは非常に多くの時間を要する可能性がある。本発明は、都合の良いことに、一度の測定でトランジスタ変動及びＥＬエミッター変動を補正することによって測定時間を短縮する。

図５Ａを参照し、合わせて図２及び図３Ａも参照すると、本発明の先に与えられた第１の実施形態のタイミング図が示される。時間は右に向かって経過する。（行，列）としてアドレス指定される２つのサブピクセル：行１内の（１，１）及び（１，２）、並びに行２内の（２，１）及び（２，２）の場合のタイミングが示される。この図は、明確にするために、行が重なり合わないタイミングを示すが、実際には、当該技術分野において知られているように、かつ図５Ｃにおいて示されるように、行の時間は重なり合うことになる。

サブピクセルごとに、補償器１９１が、入力線８５上で対応する入力コード値を受信し、そのコード値は、それぞれのサブピクセルから対応する光を出力するように指令する。図５Ａのタイミング図において示されるのは、入力コード値に対応する、ソースドライバー１５５からのアナログデータ信号である。行１から始めると、ターゲットサブピクセル（１，１）が選択される。ブーストコード値が計算され、ブーストコード値は、ターゲットサブピクセルについて、入力コード値よりも選択された第１の量だけ高い光出力を指令する。そのブーストコード値は、ブーストコード値期間３０２においてターゲットサブピクセル（１，１）に与えられ、他の全てのサブピクセル、ここでは（１，２）には、その対応する入力コード値を与えられえている（入力コード値期間３０１）。選択された遅延時間３０３の後に、ターゲットサブピクセルのためのブーストコード値期間３０２が終了し、測定時間３０４が開始する。測定時間３０４中に、ターゲットサブピクセルは、選択された試験電圧３０５で駆動され、上記のように、アナログ／デジタルコンバーター１８５を用いて、ターゲットサブピクセルの読出しトランジスタの第２の電極上の電圧の測定が行なわれる。

図５Ｂを参照し、合わせて図２及び図３Ｂも参照すると、本発明の先に与えられた第２の実施形態のタイミング図が示される。ブーストコード値期間３０２、入力コード値期間３０１、選択された遅延時間３０３及び測定時間３０４は、図３Ａにおいて説明された通りである。測定時間３０４中に、ターゲットサブピクセルが、試験信号発生器２０３によって与えられる選択された試験電圧シーケンス３０６で駆動され、上記のように、比較器２００を用いて、読出しトランジスタの第２の電極上の電圧の測定が行なわれる。

図５Ａ及び図５Ｂにおいて示されるように、測定過程は、選択された順序で行ごとに繰り返される。任意の選択された行時間中に、ターゲットサブピクセルとして、任意の数のサブピクセルを選択することができる。

ブーストコード値期間３０２は、ターゲットサブピクセルの光出力と他のサブピクセルの光出力とを等しくすることによって、測定が目に見えるのを防ぐ。ブーストコード値期間中に、ターゲットサブピクセルを、より高い出力レベルに駆動して、オン時間を短くすることとのバランスを取ることができる。遅延時間３０３は、選択された行時間３０７のうちの選択された割合とすることができる。その際、選択された第１の量は、対応する入力コード値によって指令される出力の或る割合であり、選択された割合の逆数として計算することができる。たとえば、遅延時間３０３が行時間３０７の０．８（４／５）である場合には、選択された第１の量は１／０．８＝５／４＝１．２５である。利用可能な時間を２０％だけ短縮するには、同じ全光出力を生成するのに、ルミナンスを２５％だけ増加させる必要がある（行時間１の場合の１００％出力＝１＊１＝１；行時間０．８の場合の１２５％出力＝１．２５＊０．８＝１）。

図５Ｃを参照すると、当該技術分野において知られているように、実際には、行時間はフレーム時間３０８において重なり合い、遅延時間３０３は、選択されたフレーム時間の選択された割合であり、フレーム時間は、たとえば、１６．７ｍｓ（＝１／６０ｓｅｃ）とすることができる。測定時間３０４は、遅延時間３０３の後ではなく、遅延時間の前とすることもできる。図５Ｃは、第１のフレーム中にターゲットサブピクセルとして選択される各行の列１内のサブピクセル、及び第２のフレーム時間中にターゲットサブピクセルとして選択される各行の列２内のサブピクセルを示す。第２のフレーム中に、第１のフレーム中に得られた読出し電圧測定値が補償器１９１によって用いられ、フレーム１においてターゲットであったサブピクセルに対して補償コード値期間４０９中に与えられる補償済みコード値が生成される。

次に図５Ｄを参照し、合わせて図２も参照すると、本発明の方法の一実施形態のブロック図が示される。上記のように、入力コード値が受信され（ステップ３１０）、ターゲットサブピクセルが選択され（ステップ３２０）、上記のように、入力コード値及びブーストコード値がサブピクセルに与えられ（ステップ３３０）、そして、ターゲットサブピクセルの読出しトランジスタの第２の電極上の電圧の測定が行なわれる（ステップ３４０）。その後、ターゲットピクセル内の駆動トランジスタ及びＥＬエミッターの特性を表すステータス信号が与えられる（ステップ３５０）。

ステータス信号は経年変化：時間の経過と共に、ターゲットサブピクセル６０内の駆動トランジスタ７０及びＥＬエミッター５０の動作によって引き起こされる、そのターゲットサブピクセル内の駆動トランジスタ及びＥＬエミッターの特性の変動を表すことができる。そのようなステータス信号を計算するために、上記の変換回路１７１のいずれの実施形態においても、各サブピクセルの第１の読出し電圧測定を行なうことができ、プロセッサ１９０によってメモリ１９５に格納することができる。この測定はＥＬディスプレイの動作寿命前に行うことができる。ＥＬディスプレイの動作中に、第１の読出し電圧測定が行なわれた時刻とは異なる後の時点において、各サブピクセルの第２の読出し電圧測定を行なうことができ、メモリ１９５に格納することができる。その後、第１及び第２の読出し電圧測定値を用いて、時間の経過と共に駆動トランジスタ及びＥＬエミッターの動作によって引き起こされる駆動トランジスタ及びＥＬエミッターの特性の変動を表すステータス信号を計算することができる。たとえば、その際、ステータス信号を、第２の読出し電圧測定値と第１の読出し電圧測定値との間の差として、又は一次変換のような、その差の関数として計算することができる。

その後、ステータス信号は補償器１９１に与えられ、補償器１９１は、ステータス信号及び入力コード値を用いて、ターゲットサブピクセルのための補償済みコード値を与える（ステップ３６０）。補償器の動作は、後にさらに検討される。

その後、補償済みコード値に対応する駆動トランジスタ制御信号が、ターゲットＥＬサブピクセルの駆動トランジスタに与えられる。補償器は、補償済みコード値をソースドライバー１５５に与え、ソースドライバー１５５は、駆動トランジスタ制御信号を生成し、その信号をデータ線３５及び選択トランジスタ８０を介して、駆動トランジスタ７０のゲート電極に与える（ステップ３７０）。

ステップ３２０〜３７０は、その後、複数のサブピクセルがそれぞれターゲットサブピクセルとして順に選択され、それぞれの駆動トランジスタ制御信号が、複数のＥＬサブピクセルそれぞれにおけるそれぞれの駆動トランジスタに与えられるまで繰り返される（判断ステップ３８０）。一旦、１つのサブピクセルのための読出し電圧が測定されると、対応するステータス信号をメモリ１９５に格納することができる。補償器１９１は、その格納されたステータス信号を用いて、任意の数の入力コード値を補償することができる。測定は、規則的な間隔で、又はディスプレイの電源が入れられるか、切られる度に、又はディスプレイの使用量によって決定される時間間隔で行なうことができる。ブーストコード値３０２によって、測定期間３０４がユーザーに見えるのが防がれるので、測定はディスプレイの寿命を通じて行なうこともできる。サブピクセルは、任意の順序でターゲットサブピクセルとして選択することができる。一実施形態では、サブピクセルは、ディスプレイの行走査順に従って上から下に、かつ左から右に、又は右から左に選択することができる。別の実施形態では、ターゲットサブピクセルは、温度勾配のような要因に起因する系統的なバイアスを防ぐために、各行内のランダムな位置において選択することができる。

図２に戻ると、電圧Ｖ_outが測定されるか（第１の実施形態）、又は選択される（第２の実施形態）。電圧Ｖ_dataはわかっているか（第１の実施形態）、又は測定される（第２の実施形態）。高い入力インピーダンスの変換回路１７１の中には、読出しトランジスタを通ってほとんど電流が流れないので、電圧Ｖ_read、すなわち、読出しトランジスタ両端での電圧降下は一定であると仮定することができる。電圧ＰＶＤＤ及びＣＶが選択される。それゆえ、Ｖ_ELは、以下のように計算することができる。
Ｖ_EL＝（Ｖ_out＋Ｖ_read）−ＣＶ（２）

ＥＬサブピクセル内の駆動トランジスタ及びＥＬデバイスの特性の変動は、計算されるＶ_ELの変動に反映される。したがって、Ｖ_ELは、ステータス信号として用いることができる。ＥＬディスプレイ１０を大量生産する前に、１つ又は複数の代表的なデバイスを特徴付けて、サブピクセル毎のＶ_ELを対応するトランジスタ特性（Ｖ_th、移動度）及びＥＬデバイス特性（抵抗、効率）にマッピングする製品モデルを生成することができる。２つ以上の製品モデルを作ることもできる。たとえば、ディスプレイの異なる領域は、異なる製品モデルを有することができる。製品モデルは、ルックアップテーブル内に格納することができるか、又はアルゴリズムとして用いることができる。

初期不均一性を補償するのに特に役に立つ一実施形態では、基準ステータス信号レベルを選択することができる。このレベルは、全てのサブピクセルのためのステータス信号の平均、最小値又は最大値とすることができるか、又は当業者に明らかであるような別の関数とすることができる。補償器は、各ピクセルのそれぞれのステータス信号を基準ステータス信号レベルと比較して、どの程度の補償が適用されるべきかを判断することができる。これは、第２の読出し電圧測定値を利用できない、初期不均一性を補償する際に役に立つことがある。補償器は、測定されたＶ_EL値及び選択された基準ステータス信号レベルを有する製品モデルを用いて、補償済みコード値を生成することができる。

本発明による経年変化補償のための一実施形態では、第２の読出し電圧測定時のＶ_ELと第１の読出し電圧測定時のＶ_ELとの間の差ΔＶ_ELが、ステータス信号として用いられる。アモルファスシリコンＴＦＴ経年変化及びＯＬＥＤ経年変化はいずれも、時間の経過と共にデバイスに通電する積算電流に比例するので、ΔＶ_ELをトランジスタのΔＶ_th及び実行される補償に相関させるモデルを作成することができる。図６は、横座標上のΔＶ_ELと縦座標上のΔＶ_thとの間の相関の一例を示す。この相関は、統計の分野において知られている回帰技法によって、製品モデルに組み込むことができる。曲線３９０は１つの可能なスプラインフィットを示す。

図２の事例において、トランジスタ及びＯＬＥＤ経年変化では、補償済みコード値は、ΔＶ_thだけ、及び駆動トランジスタ７０のＶ_dsを低減する、ＯＬＥＤ電圧上昇ΔＶ_ELに起因する駆動トランジスタ７０のチャネル長変調の補正だけ、入力コード値よりも高くなる必要がある。

経年変化補償の付加的な影響は、ＯＬＥＤ効率損失である。１つのデバイスの場合のルミナンス効率とΔＶ_ELとの間の関係の一例が図７のグラフに示される。所与の電流の場合のルミナンス減少、及びΔＶ_ELとルミナンス減少との関係を測定することによって、ＥＬエミッター５０が公称ルミナンスを出力するために必要とされる補正済み信号の変化を求めることができる。この関係は、製品モデルに組み込むことができる。

ＥＬサブピクセル６０の特性の変化又は変動を補償するために、以下の形の式においてステータス信号を用いることができる。
Ｖ_comp＝Ｖ_data＋ｆ₁（ΔＶ_EL）＋ｆ₂（ΔＶ_EL）＋ｆ₃（ΔＶ_EL，ΔＶ_data）
（３）
ただし、Ｖ_compはＥＬサブピクセル６０の所望のルミナンスを維持するために必要とされる補償済みコード値に対応する電圧であり、Ｖ_dataは、入力コード値に対応する電圧であり、ｆ₁（ΔＶ_EL）はしきい値電圧の変化の補正であり、ｆ₂（ΔＶ_EL）は、ＥＬ抵抗の変化の補正であり、ｆ₃（ΔＶ_EL，ΔＶ_data）は、ＥＬ効率の変化の補正である。関数ｆ₃は、以下にさらに説明される。関数ｆ₁、ｆ₂及びｆ₃は、製品モデルの構成要素である。この式を用いて、補償器１９１は、ＥＬエミッター６０を制御して、一定のルミナンス出力、及び所与のルミナンスにおける延長された寿命を達成することができる。この方法は、ＥＬディスプレイ１０内のＥＬサブピクセルごとにそれぞれ補正を与えるので、複数のＥＬサブピクセルの特性の空間変動を補償することになる。

図８は、式３において参照される、ｆ₃のモデル例を示す。ＯＬＥＤエミッターの効率は、ステータス信号ΔＶ_ELによって表される、その経過期間に依存するだけでなく、Ｖ_dataによって表される、駆動されているレベルにも依存する。図８は、７つの異なる経年変化レベルの場合の効率対駆動レベルの曲線を示す。経年変化レベルは、当該技術分野において知られているように、「Ｔｘｘ」として特定される。ただし、「ｘｘ」は指定される試験レベル、この場合には２０ｍＡ／ｃｍ²におけるパーセント効率である。補償器１９１は、ステータス信号及び入力コード値に応答して、補償済みコード値を生成し、任意の駆動レベルにおけるＥＬエミッターの効率の変動を正確に補償することができる。

好ましい実施形態では、本発明は、限定はしないが、Tang他による米国特許第４，７６９，２９２号及びVanSlyke他による米国特許第５，０６１，５６９号において開示されるような小分子又はポリマーＯＬＥＤから構成される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含むディスプレイにおいて利用される。そのようなディスプレイを製造するために、有機発光ディスプレイの数多くの組み合わせ及び変形を用いることができる。図２を参照すると、ＥＬエミッター５０がＯＬＥＤエミッターであるとき、ＥＬサブピクセル６０はＯＬＥＤサブピクセルである。

トランジスタ７０、８０及び９０は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）トランジスタ、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）トランジスタ、酸化亜鉛トランジスタ、又は当該技術分野において知られている他のトランジスタタイプとすることができる。それらのトランジスタは、Ｎチャネル、Ｐチャネル、又は任意の組み合わせとすることができる。ＯＬＥＤは、（図示のような）非反転構造とすることができるか、又はＥＬエミッター５０が第１の電圧源１４０と駆動トランジスタ７０との間に接続される反転構造とすることができる。

１０ＥＬディスプレイ
２０選択線
３０読出し線
３５データ線
４０マルチプレクサ
４５マルチプレクサ出力線
５０ＥＬデバイス
６０ＥＬサブピクセル
７０駆動トランジスタ
７５キャパシタ
８０読出しトランジスタ
８５入力線
９０選択トランジスタ
９３変換済みデータ線
９４ステータス線
９５制御線
１４０第１の電圧源
１５０第２の電圧源
１５５ソースドライバー
１７０測定回路
１７１変換回路
１８０ローパスフィルタ
１８５アナログ／デジタルコンバーター
１９０プロセッサ
１９１補償器
１９５メモリ
２００電圧比較器
２０１基準電圧源
２０２トリガ線
２０３試験信号発生器
２０４測定コントローラー
２１０ ΔＶ_th
２２０ ΔＶ_EL
２３０サブピクセルＩ−Ｖ特性
２４０サブピクセルＩ−Ｖ特性
３０１入力コード値期間
３０２ブーストコード値期間
３０３遅延時間
３０４測定時間
３０５試験電圧
３０６試験電圧シーケンス
３０７行時間
３０８フレーム時間
３１０ステップ
３２０ステップ
３３０ステップ
３４０ステップ
３５０ステップ
３６０ステップ
３７０ステップ
３８０判断ステップ
３９０曲線
４０９補償コード値期間

Claims

複数のエレクトロルミネッセント（ＥＬ）サブピクセル内の駆動トランジスタに駆動トランジスタ制御信号を与える方法であって、
（ａ）複数のＥＬサブピクセルを設けることであって、各サブピクセルは、第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する駆動トランジスタと、第１の電極及び第２の電極を有するＥＬエミッターと、第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する読出しトランジスタとを備えること、
（ｂ）各読出しトランジスタの前記第１の電極を対応する前記駆動トランジスタの前記第２の電極及び対応する前記ＥＬエミッターの前記第１の電極に接続すること、
（ｃ）前記サブピクセルごとに、それぞれの前記サブピクセルからの対応する出力を指令する入力コード値を受信すること、
（ｄ）ターゲットサブピクセルを選択すること、
（ｅ）前記ターゲットサブピクセルを除く各前記サブピクセルに、それぞれの前記入力コード値を与えると共に、前記ターゲットサブピクセルに、対応する前記入力コード値よりも選択された第１の量だけ高い出力を指令するブーストコード値を与えること、
（ｆ）選択された遅延時間後に、前記ターゲットサブピクセルの前記読出しトランジスタの前記第２の電極上の読出し電圧を測定することであって、そのサブピクセル内の前記駆動トランジスタ及び前記ＥＬエミッターの特性を表すステータス信号を与えること、
（ｇ）前記ステータス信号を用いることであって、前記ターゲットサブピクセルの補償済みコード値を与えること、
（ｈ）前記ターゲットＥＬサブピクセルの前記駆動トランジスタに前記補償済みコード値に対応する駆動トランジスタ制御信号を与えること、並びに
（ｉ）前記ターゲットサブピクセルとして前記複数のサブピクセルをそれぞれ順に選択して、ステップ（ｄ）〜（ｈ）を繰り返すことであって、前記複数のＥＬサブピクセルのそれぞれにおける前記駆動トランジスタにそれぞれの駆動トランジスタ制御信号を与えること、
を含む、方法。
前記ＥＬエミッターはＯＬＥＤエミッターである、請求項１に記載の方法。
前記駆動トランジスタはアモルファスシリコントランジスタである、請求項１に記載の方法。
前記選択された遅延時間は、選択されたフレーム時間の選択された割合であり、前記選択された第１の量は前記対応する入力コード値によって指令される前記出力の割合であり、前記選択された第１の量は前記選択された割合の逆数である、請求項１に記載の方法。
（ｊ）読出し電圧を与えるための、全てのサブピクセルの前記読出しトランジスタの前記第２の電極に接続される単一の読出し線を設けること、及び
（ｋ）ＥＬサブピクセルごとに、前記対応する読出しトランジスタの前記ゲート電極に接続される選択線を設けること、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
前記ステップ（ｆ）は、前記ターゲットサブピクセルの前記読出しトランジスタの前記第２の電極に接続されるアナログ／デジタルコンバーターを設けることをさらに含み、該アナログ／デジタルコンバーターは経年変化信号を与える際に用いられる、請求項１に記載の方法。
前記ステップ（ｆ）は、
ｉ）前記読出し電圧が選択された基準電圧レベル以上であることを指示するトリガ信号を与えるために前記ターゲットサブピクセルの前記読出しトランジスタの前記第２の電極に接続される電圧比較器を設けること、
ｉｉ）前記駆動トランジスタの前記ゲート電極及び測定コントローラーに選択された試験電圧シーケンスを順次に与えるための試験信号発生器を設けること、並びに
ｉｉｉ）前記電圧比較器から前記トリガ信号を受信すると共に、前記対応する試験電圧を用いて前記補償器に前記経年変化信号を与えるための前記測定コントローラーを設けることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
前記ステータス信号は、時間の経過と共に、前記ターゲットサブピクセル内の前記駆動トランジスタ及び前記ＥＬエミッターの動作によって引き起こされる該ターゲットサブピクセル内の該駆動トランジスタ及び該ＥＬエミッターの特性の変動を表す、請求項１に記載の方法。
前記ステップ（ｆ）は、
ｉ）メモリを設けること、
ｉｉ）各サブピクセルの第１の読出し電圧測定値を前記メモリに格納すること、
ｉｉｉ）各サブピクセルの第２の読出し電圧測定値を前記メモリに格納すること、及び
ｉｖ）前記格納された第１の読出し電圧測定値及び第２の読出し電圧測定値を用いることであって、前記補償器に前記ステータス信号を与えること、
をさらに含む、請求項８に記載の方法。
基準ステータス信号レベルを選択することをさらに含み、前記ステップ（ｇ）は、該基準ステータス信号レベルを用いることであって、前記ターゲットサブピクセルのための前記補償済みコード値を与えることを含む、請求項１に記載の方法。
エレクトロルミネッセント（ＥＬ）サブピクセル内の駆動トランジスタのゲート電極に駆動トランジスタ制御信号を与えるための装置であって、
ａ）第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する前記駆動トランジスタと、第１の電極及び第２の電極を有するＥＬエミッターと、前記駆動トランジスタの前記第２の電極に接続された第１の電極を有すると共に、第２の電極を有する読出しトランジスタとを備えるＥＬサブピクセルであって、前記ＥＬエミッターの前記第１の電極は前記駆動トランジスタの前記第２の電極に接続される、ＥＬサブピクセルと、
ｂ）種々の時点において前記読出しトランジスタの前記第２の電極上の読出し電圧を測定し、時間の経過と共に前記駆動トランジスタ及び前記ＥＬエミッターの動作によって引き起こされる該駆動トランジスタ及び該ＥＬエミッターの前記特性の変動を表すステータス信号を与えるための測定回路と、
ｃ）入力コード値を与えるための手段と、
ｄ）入力コード値を受信し、前記ステータス信号に応答して補償済みコード値を生成するための補償器と、
ｅ）前記駆動トランジスタの前記ゲート電極を駆動するために、前記補償済みコード値に応答して前記駆動トランジスタ制御信号を生成するためのソースドライバーと、
を備える、装置。
前記ＥＬエミッターは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）エミッターである、請求項１１に記載の装置。
前記駆動トランジスタはアモルファスシリコントランジスタである、請求項１１に記載の装置。
前記補償器は、前記ステータ信号及び前記入力コード値に応答して前記補償済みコード値を生成し、前記ＥＬエミッターの効率の変動を補償する、請求項１１に記載の装置。
前記測定回路は、前記読出し電圧を測定するためのアナログ／デジタルコンバーターを含む、請求項１１に記載の装置。
前記測定回路は、第１の読出し電圧測定値及び第２の読出し電圧測定値を格納するためのメモリを含む、請求項１１に記載の装置。
前記測定回路は電圧比較器を含む、請求項１１に記載の装置。
前記電圧比較器は、前記読出し電圧が選択された基準電圧レベル以上であるか、又は以下であるかを指示するトリガ信号を与え、前記装置は、
ｆ）前記駆動トランジスタの前記ゲート電極及び測定コントローラーに選択された試験電圧シーケンスを順次に与えるための試験信号発生器と、
ｇ）前記電圧比較器からの前記トリガ信号及び前記試験信号発生器からの対応する前記試験電圧を受信し、該対応する試験電圧を用いて、前記補償器に前記ステータス信号を与えるための前記測定コントローラーと、
をさらに備える、請求項１７に記載の装置。
前記選択された試験電圧シーケンスは、増加しないシーケンス又は減少しないシーケンスである、請求項１８に記載の装置。
前記駆動トランジスタはしきい値電圧を有し、前記選択された基準電圧レベルは、前記駆動トランジスタの前記しきい値電圧未満である、請求項１８に記載の装置。