CN107886900B - 发光显示装置及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种发光显示装置及其驱动方法,其可以防止用于补偿发光元件劣化的驱动晶体管的源极电压超出模数转换器的感测电压范围。发光显示装置包括:显示面板,其连接至数据线、扫描线和参考电压线并且设置有像素,每个像素包括发光元件;模数转换器(ADC),其将通过所述参考电压线从像素感测的电压转换为感测数据;以及电压供给单元,其将参考电压供给至所述参考电压线。在用于补偿发光元件劣化的劣化补偿模式下,电压供给单元向ADC供给第三低电压和第三高电压。在劣化补偿模式下,参考电压等于或大于第三低电压。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年9月30日提交的韩国专利申请第10-2016-0126487号的权益,其通过引用合并到本文中如同在本文中完全阐述一样以用于所有目的。
技术领域
本发明涉及发光显示装置及其驱动方法。
背景技术
随着信息社会的发展,对用于显示图片图像的显示装置的各种需求增加。在这方面,近来已经使用诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)和发光显示(EL)装置的各种显示装置。其中,发光显示装置的特征是低电压驱动、薄尺寸、优良的视角和快速的响应速度。
发光显示装置包括:显示面板,其具有数据线、扫描线以及形成在数据线和扫描线之间的交叉部处的多个子像素;扫描驱动器,其向扫描线供给扫描信号;数据驱动器,其向数据线供给数据电压。所述子像素中的每一个包括发光元件、驱动晶体管和扫描晶体管。驱动晶体管根据栅极电极的电压来控制供给至发光元件的电流量。扫描晶体管响应于扫描线的扫描信号将数据线的数据电压供给至驱动晶体管的栅极电极。
由于在制造发光显示装置期间的工艺偏差或者由长时间驱动引起的驱动晶体管的劣化,驱动晶体管的阈值电压可以根据像素而变化。亦即,如果相同的数据电压被施加至像素,则相同的电流应当被供给至发光元件。然而,即使相同的数据电压被施加至像素,由于驱动晶体管的阈值电压在像素间的差异,供给至发光元件的电流可能根据像素而变化。此外,发光元件可能由于长时间驱动而劣化。在该情况下,发光元件的亮度可能根据像素而变化。因此,即使相同的数据电压被施加至像素,发光元件的亮度也可以根据像素变化。为了解决该问题,提出了用于补偿驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率以及发光元件劣化的方法。
可以通过外部补偿方法来补偿驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率以及发光元件劣化。外部补偿方法是:向像素供给预定数据电压;根据预定数据电压通过预定感测线感测驱动晶体管的源极电压;使用模数转换器将感测的电压转换成感测数据;以及根据感测数据补偿数字视频数据。
同时,如果模数转换器的感测电压范围可以在感测驱动晶体管的源极电压以补偿驱动晶体管的电子迁移率时以及在感测驱动晶体管的源极电压以补偿发光元件劣化时相等。在该情况下,用于补偿发光元件劣化的驱动晶体管的源极电压可能会超出模数转换器的感测电压范围。因此,无法正常补偿发光元件劣化。
发明内容
因此,本发明涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的发光显示装置及其驱动方法。
本发明的一个优点是提供了一种可以防止用于补偿发光元件劣化的驱动晶体管的源极电压超出模数转换器的感测电压范围的发光显示装置及其驱动方法。
本发明的另外的优点和特征将部分地在随后的描述中阐述,将在本领域普通技术人员研究下面的内容时部分地变得明显,或者可以通过本发明的实践而获知这些优点和特征。本发明的目的和其他优点可以通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
如在本文中所实施和宽泛描述的那样,为了实现这些目标和其他优点并且根据本发明的目的,提供了一种根据本发明的一个实施例的发光显示装置,该发光显示装置包括:显示面板,其连接至数据线、扫描线和参考电压线并且设置有像素,每个像素包括发光元件;模数转换器(ADC),其将通过参考电压线从像素感测的电压转换成感测数据;以及电压供给单元,其向参考电压线供给参考电压,其中,在用于补偿发光元件劣化的劣化补偿模式下,电压供给单元向ADC供给第三低电压和第三高电压。在劣化补偿模式下,参考电压与第三低电压相等或大于第三低电压。
一种根据本发明的一个实施例的用于驱动发光显示装置的方法,该方法包括以下步骤:向参考电压线供给参考电压;以及在用于补偿发光元件劣化的劣化补偿模式下通过参考电压线感测像素中的在第一低电压和第一高电压之间的电压并且输出感测数据,其中,在劣化补偿模式下的参考电压与第一低电压相等或大于第一低电压。
应当理解的是,本发明的前述一般描述和下面的详细描述均是示例性和说明性的并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
本申请包括附图以提供对本发明的进一步理解并且附图被并入本申请并构成本申请的一部分,附图示出了本发明的实施例并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中:
图1是示出了根据本发明的一个实施例的发光显示装置的框图;
图2是示出了图1的显示面板的下基板、源极驱动IC、定时控制器、数字数据补偿单元、柔性电路、源极电路板、柔性线缆和控制电路板的示例性视图;
图3是示出了图2的源极驱动IC的详细框图;
图4是示出了图1的像素的详细电路图;
图5是示出了在显示模式下供给至像素的扫描和感测信号、供给至第一和第二开关的第一和第二开关控制信号以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形;
图6a和图6b是示出了像素在显示模式下的第一和第二时间段内的操作的示例性视图;
图7是示出了在第一感测模式下供给至像素的扫描和感测信号、供给至第一和第二开关的第一和第二开关控制信号以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形;
图8a至8c是示出了像素在第三感测模式下的第一至第三时间段内的操作的示例性视图;
图9是示出了模数转换器在第一感测模式下的感测电压范围的示例的曲线图;
图10是示出了在第二感测模式下供给至像素的扫描和感测信号、供给至第一和第二开关的第一和第二开关控制信号以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形;
图11a和图11b是示出了像素在第二感测模式下的第一和第二时间段内的操作的示例性视图;
图12是示出了模数转换器在第二感测模式下的感测电压范围的示例的曲线图;
图13是示出了在第三感测模式下供给至像素的扫描和感测信号、供给至开关的开关控制信号以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形;
图14a至14d是示出了像素在第三感测模式下的第一至第四时间段内的操作的示例性视图;
图15是示出了模数转换器在第三感测模式下的感测电压范围的示例的曲线图;以及
图16是示出了模数转换器在第三感测模式下的感测电压范围的另一示例的曲线图。
具体实施方式
在整个说明书中,相同的附图标记基本上表示相同的元件。在本发明的如下描述中,如果关于本发明已知的元件或功能的详细描述与本发明的主题不相关,则将省略该详细描述。在本说明书中公开的术语应当按以下方式理解。
通过参照附图所描述的以下的实施例,本发明的优点和特征及其实现方法将是清楚的。然而,可以以不同的形式实施本发明并且本发明不应当被理解为限于本文所陈述的实施例。而是,提供这些实施例使得本公开内容变得全面和完全,并且将本发明的范围完全地传达给本领域技术人员。另外,本发明仅通过权利要求的范围进行限定。
在附图中公开的用于描述本发明的实施例的形状、尺寸、比例、角度以及数目仅是示例,因而,本发明不限于所示出的细节。贯穿说明书类似的附图标记指代类似的元件。在下面的描述中,在确定相关已知功能和配置的详细描述会不必要地混淆本发明的要点的情况下,将省略该详细描述。
在使用在本说明书中所描述的“包括”、“具有”以及“包含”的情况下,除非使用“仅”,否则可以添加有另一部分。单数形式的术语可以包括复数形式,除非提到相反。
在理解元件时,尽管没有明确地说明,但是元件应当为理解为包括误差范围。
在描述位置关系时,例如,在两个部分之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下”以及“紧邻”的情况下,除非使用“只是”或“直接”,否则可以在这两个部分之间设置有一个或更多个其他部分。
在描述时间关系时,例如,在时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“然后”以及“在……之前”的情况下,除非使用“只是”或“直接”,否则可以包括不连续的情况。
应当理解的是,尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此,在不脱离本发明的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”不应仅由相互垂直关系的几何关系来解释,而是可以在本发明的元件可以发挥功能的范围内具有更广泛的方向性。
术语“至少一个”应理解为包括一个或更多个相关列出项的任何和所有组合。例如,“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义是从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合,以及第一项、第二项或第三项。
本发明的各种实施例的特征可以部分地或者完全地彼此耦合或者彼此结合,并且彼此可以进行各种相互操作以及技术地驱动,如本领域技术人员能够充分理解的那样。本发明的实施例可以彼此独立地执行或者可以以相互依存的关系一起执行。
以下将参照附图详细描述本发明的优选实施例。
图1是示出了根据本发明的一个实施例的发光显示装置的框图。图2是示出了图1的显示面板的下基板、源极驱动IC、定时控制器、数字数据补偿单元、柔性电路、源极电路板、柔性线缆和控制电路板的示例性视图。图3是示出了图2的源极驱动IC的详细框图。
参照图1至图3,根据本发明的实施例的发光显示装置包括显示面板10、数据驱动器20,柔性膜22、扫描驱动器40、源极电路板50、定时控制器60、数字数据补偿单元70、电压供给单元80、柔性线缆91和控制电路板90。
显示面板10包括显示区域AA和非显示区域NDA,非显示区域NDA被设置在显示区域AA的外围。显示区域AA是设置有像素P以显示图像的区域。在显示面板10上,设置有数据线D1至Dm(m为2或更大的正整数)、参考电压线R1至Rp(p为2或更大的正整数)、扫描线S1至Sn(n为2或更大的正整数)和感测信号线SE1至SEn。数据线D1至Dm和参考电压线R1至Rp可以形成为与扫描线S1至Sn和感测信号线SE1至SEn交叉。数据线D1至Dm可以形成为与参考电压线R1至Rp并联。扫描线S1至Sn可以与感测信号线SE1至SEn并联形成。
像素P中的每一个可以连接至数据线D1至Dm中的任一个、参考电压线R1至Rp中的任一个、扫描线S1至Sn中的任一个以及感测信号线SE1至SEn中的任一个。如图4所示,显示面板10的像素P中的每一个可以包括发光元件(EL)以及用于向发光元件(EL)供给电流的多个晶体管。将参照图4给出显示区域的像素P中的每一个的详细描述。
如图2所示,数据驱动器20包括多个源极驱动集成电路(IC)21。源极驱动IC 21中的每一个可以被封装在柔性膜22中的每一个中。柔性膜22中的每一个可以是带载封装或膜上芯片。柔性膜22中的每一个可以弯曲或弯折。柔性膜22中的每一个可以附接至下基板11和源极电路板50。柔性膜22中的每一个可以通过使用各向异性导电膜以带式自动接合(TAB)方式附接至下基板11,由此源极驱动IC 21可以连接至数据线D1至Dm。源极电路板50可以通过柔性线缆91连接至控制电路板90。源极电路板50可以是印刷电路板。
如图3所示,源极驱动IC 21中的每一个可以包括数据电压供给单元120、模数转换器(以下称为“ADC”)140和开关SW。在图3中,为了便于描述,一个源极驱动IC 21连接至数目为w(w是满足1≤w≤m的正整数)的数据线D1至Dw和数目为z(z是满足1≤z≤p的正整数)的参考电压线R1至Rz。
数据电压供给单元120连接至数据线D1至Dw并且供给数据电压。数据电压供给单元120接收:补偿视频数据CDATA;第一感测视频数据PDATA1、第二感测视频数据PDATA2和第三感测视频数据PDATA3中的任一个;以及来自定时控制器60的数据定时控制信号DCS。
数据电压供给单元120在显示模式下根据数据定时控制信号DCS将补偿视频数据CDATA转换为发光数据电压,然后将转换的数据电压供给至数据线D1至Dw。显示模式是用于通过允许像素P发射光而显示图像的模式。发光数据电压使像素P的发光元件EL能够发射预定亮度的光。
数据电压供给单元120在第一感测模式下根据数据定时控制信号DCS将第一感测视频数据PDATA1转换为第一感测数据电压,然后将转换的数据电压供给至数据线D1至Dw。第一感测模式是用于感测驱动晶体管DT的源极电压以补偿像素P中的每一个的驱动晶体管的阈值电压的阈值电压补偿模式。
数据电压供给单元120在第二感测模式下根据数据定时控制信号DCS将第二感测视频数据PDATA2转换为第二感测数据电压,然后将转换的数据电压供给至数据线D1至Dw。第二感测模式是用于感测驱动晶体管DT的源极电压以补偿像素P中的每一个的驱动晶体管的电子迁移率的迁移率补偿模式。
数据电压供给单元120在第三感测模式下根据数据定时控制信号DCS将第三感测视频数据PDATA3转换为第三感测数据电压,然后将转换的数据电压供给至数据线D1至Dw。第三感测模式是用于感测驱动晶体管DT的源极电压以补偿像素P中的每一个的发光元件的劣化的劣化补偿模式。
ADC 140第一感测模式至第三感测模式中将从参考电压线R1至Rz感测的电压转换为作为数字数据的感测数据SD,并将转换的数据输出至数字数据补偿单元70。
可以由ADC 140感测的电压范围被提前确定。然而,根据第一感测模式至第三感测模式感测的驱动晶体管DT的源极电压的范围彼此不同。因此,可以在第一感测模式至第三感测模式下不同地设置ADC 140的感测电压范围,因此可以针对第一感测模式至第三感测模式中的每一个优化感测电压范围。下面将参照图9、图12、图15和图16来描述ADC 140的感测电压范围的详细描述。
第一开关SW1被连接在参考电压线R1至Rz与电压供给单元80之间,并且在参考电压线R1至Rz与电压供给单元80之间切换连接。第一开关SW 1可以由从定时控制器60输入的第一开关控制信号SCS1来接通或关断。如果第一开关SW1由第一开关控制信号SCS1接通,则由于参考电压线R1至Rz连接到电压供给单元80,因此电压供给单元80的参考电压可以供给至参考电压线R1至Rz。
第二开关SW2被连接在参考电压线R1至Rz与ADC 140之间,并且在参考电压线R1至Rz与ADC 140之间切换连接。第二开关SW 2可以由从定时控制器60输入的第二开关控制信号SCS2来接通或关断。如果第二开关SW2由第二开关控制信号SCS2接通,则由于参考电压线R1至Rz连接到ADC 140,因此可以通过参考电压线R1至Rz中的每一个来感测像素P中的每一个的每个驱动晶体管的源极电压。
扫描驱动器40包括扫描信号输出单元41和感测信号输出单元42。扫描信号输出单元41连接至扫描线S1至Sn并且供给扫描信号。扫描信号输出单元41根据从定时控制器60输入的扫描定时控制信号SCS将扫描信号供给至扫描线S1至Sn。
感测信号输出单元42连接至感测信号线SE1至SEn并且供给感测信号。感测信号输出单元42根据来自定时控制器60的感测定时控制信号SENCS将感测信号供给至感测信号线SE1至SEn。
扫描信号输出单元41和感测信号输出单元42中的每一个可以包括多个晶体管,并且可以以面板内栅极驱动器(GIP)的方式直接形成在显示面板10的非显示区域NDA中。替选地,扫描信号输出单元41和感测信号输出单元42中的每一个可以以驱动芯片的形式形成,然后封装在与显示面板10相连接的柔性膜(未示出)上。
定时控制器60从数字数据补偿单元70接收补偿视频数据CDATA或感测视频数据PDATA以及定时信号。定时信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号和点时钟。
定时控制器60生成定时控制信号,用于控制数据驱动器20、扫描信号输出单元41和感测信号输出单元42的操作定时。定时控制信号包括:数据定时控制信号DCS,用于控制数据驱动器20的操作定时;扫描定时控制信号SCS,用于控制扫描信号输出单元41的操作定时;以及感测定时控制信号SENCS,用于控制感测信号输出单元42的操作定时。
定时控制器60向数据驱动器20输出补偿视频数据CDATA或感测视频数据PDATA以及数据定时控制信号DCS。定时控制器60将扫描定时控制信号SCS输出至扫描信号输出单元41,并且将感测定时控制信号SENCS输出至感测信号输出单元42。此外,定时控制器60可以输出用于控制数据驱动器20的开关SW的开关控制信号SCS。
第一感测模式是将根据第一感测视频数据PDATA1的第一感测数据电压供给至像素P并且通过参考电压线R1至Rp来感测像素P的预定电压的模式。第一感测模式是用于感测驱动晶体管的源极电压以补偿像素P中的每一个的驱动晶体管的阈值电压的模式。在第一感测模式下感测的驱动晶体管的源极电压可以由ADC 140转换为第一感测数据SD1,然后存储在存储器中。第一感测模式可以在发光显示装置的电源被关断之前操作。然而,第一感测模式不限于该情况。
第二感测模式是将根据第二感测视频数据PDATA2的第二感测数据电压供给至像素P并且通过参考电压线R1至Rp来感测像素P的预定电压的模式。第二感测模式是用于感测驱动晶体管的源极电压以补偿像素P中的每一个的驱动晶体管的电子迁移率的模式。在第二感测模式下感测的驱动晶体管的源极电压可以由ADC 140转换为第二感测数据SD2,然后存储在数字数据补偿单元70的存储器中。第二感测模式可以在发光显示装置的电源一接通就工作或者可以在发光显示装置的电源被接通的状态下的预定时段操作。
第三感测模式是将根据第三感测视频数据PDATA3的第三感测数据电压供给至像素P并且通过参考电压线R1至Rp来感测像素P的预定电压的模式。第三感测模式是用于感测驱动晶体管的源极电压以补偿像素P中的每一个的发光元件劣化的模式。在第三感测模式下感测的驱动晶体管的源极电压可以由ADC 140转换为第三感测数据SD3,然后存储在数字数据补偿单元70的存储器中。第三感测模式可以在发光显示装置的电源被接通的状态下的预定时段操作。
第一感测视频数据PDATA1、第二感测视频数据PDATA2和第三感测视频数据PDATA3可以是彼此不同的数据或者可以是彼此相同的数据。
数字数据补偿单元70通过使用第一感测数据SD1、第二感测数据SD2和第三感测数据SD3来生成用于补偿数字视频数据DATA的补偿数据。数字数据补偿单元70通过将补偿数据外部地施加至数字视频数据DATA而生成补偿视频数据CDATA。数字数据补偿单元70将补偿视频数据CDATA输出至定时控制器60。
数字数据补偿单元70可以包括用于存储第一至第三感测数据SD1、SD2和SD3的存储器。数字数据补偿单元70的存储器可以是诸如EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)的非易失性存储器。数字数据补偿单元70可以内置在定时控制器60中。
电压供给单元80生成参考电压,并将生成的参考电压供给至数据驱动器20的源极驱动IC 21。电压供给单元80在第一至第三感测模式中的每一个中选择第一低电压至第三低电压中的任一个和第一高电压至第三高电压中的任一个以设置ADC的感测电压范围,并且将所选择的电压输出到ADC140。除了参考电压以外,电压供给单元80还可以生成驱动发光显示装置所需的驱动电压,并且将生成的驱动电压供给至所需的元件。
可以将定时控制器60、数字数据补偿单元70和电压供给单元80封装在控制电路板中。控制电路板90可以通过柔性线缆91连接至源极电路板50。控制电路板90可以是印刷电路板。
如上所述,根据本发明的实施例的发光显示装置通过使用在感测模式下感测到的第一至第三感测数据SD1、SD2和SD3,将数字视频DATA数据转换为补偿的视频数据CDATA。因此,根据本发明的实施例,可以对像素中的每一个的驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率以及发光元件的劣化进行补偿。下面将参照图5、图6a和图6b来描述像素P在显示模式下的操作,并且下面将参照图7、图8a至8c和图9来描述像素P在第一感测模式下的操作。下面将参照图10、图11a、图11b和图12来描述像素P在第二感测模式下的操作。下面将参照图13、图14a、图14b、图15和图16来描述像素P在第三感测模式下的操作。
图4是示出图1的像素的详细电路图。
在图4中,为了便于描述,仅示出连接至第j个(j是满足1≤j≤m的正整数)数据线Dj的子像素、第u个(u是满足1≤u≤p的正整数)参考电压线Ru、第k个(k是满足1≤k≤n的正整数)扫描线Sk和第k个感测信号线SEk、电压供给单元80、数据电压供给单元120、ADC 140以及连接在第u个参考电压线Ru与电压供给单元80之间的开关SW。
参照图4,显示面板10的像素P包括发光元件EL和驱动晶体管DT,第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2以及存储电容器Cst。
发光元件EL根据通过驱动晶体管DT供给的电流而发光。发光元件EL可以是有机发光二极管。在这种情况下,发光元件EL可以包括阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极电极。如果向发光元件EL的阳极电极和阴极电极施加电压,则空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层并且在发光层中彼此组合,以发光。发光元件EL的阳极电极可以连接至驱动晶体管DT的源极电极,并且发光元件EL的阴极电极可以连接至第二电力电压线VSL,该第二电力电压线VSL被供给有比第一电力小的第二电力。
驱动晶体管DT根据栅极电极与源极电极之间的电压差来控制从第一电力线EVL流向发光元件EL的电流。驱动晶体管DT的栅极电极可以连接至第一开关晶体管ST1的第一电极,驱动晶体管DT的源极电极可以连接至发光元件EL的阳极电极,并且驱动晶体管DT的漏极电极可以连接至第一电力线EVL。
第一开关晶体管ST1通过第k个扫描线Sk的第k个扫描信号导通,以将第j个数据线Dj连接至驱动晶体管DT的栅极电极。第一晶体管T1的栅极电极可以连接至第k个扫描线Sk,第一电极可以连接至第一驱动晶体管DT1的栅极电极,并且第二电极可以连接至第j个数据线Dj。
通过第k个感测信号线SEk的第k个感测信号使第二开关晶体管ST2导通,以将第u个参考电压线Ru连接至驱动晶体管DT的源极电极。第二开关晶体管ST3的栅极电极可以连接至第k个感测信号线SEk,第一电极可以连接至第u个参考电压线Ru,并且第二电极可以连接至驱动晶体管DT的源极电极。
第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2中的每一个的第一电极可以是但不限于源极电极并且第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2中的每一个的第二电极可以是但不限于漏极电极。亦即,第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2中的每一个的第一电极可以是漏极电极,并且第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2中的每一个的第二电极可以是源极电极。
存储电容器Cst形成在驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间。存储电容器Cst存储驱动晶体管DT的栅极电压和源极电压之间的差分电压。
驱动晶体管DT以及第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2可以形成为薄膜晶体管。另外,在图4中,驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1和第二晶体管ST2形成为但不限于N型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。驱动晶体管DT以及第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2可以形成为P型MOSFET。在这种情况下,可以适当地校正图5、图7、图10和图13的时序图以符合P型MOSFET的特性。
图5是示出在显示模式下供给至像素的扫描和感测信号、供给至开关的开关控制信号以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形。
参照图5,在显示模式下,第一帧周期可以包括第一时间段t1和第二时间段t2。第一时间段t1是用于向驱动晶体管DT的栅极电极供给电致发光数据电压EVdata并且将源极电极初始化成参考电压VREF的时段。第二时间段t2是用于允许发光元件EL根据驱动晶体管DT的电流Ids发光的时段。第一时间段t1可以是一(1)个水平的时段。一个水平的时段指示用于向一条水平线的像素P供给数据电压的时段。
第k个扫描线Sk的第k个扫描信号SCANk和第k个感测信号线SEk的第k个感测信号SENSk在第一时间段t1内被供给至栅极导通电压Von并且在第二时间段t2内被供给至栅极截止电压Voff。像素P的第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2可以通过栅极导通电压Von导通并且可以通过栅极截止电压Voff关断。
第一开关控制信号SCS1可以在第一时间段t1和第二时间段t2内被供给至第一逻辑电平电压V1。第二开关控制信号SCS2可以在第一时间段t1和第二时间段t2内被供给至第二逻辑电平电压V2。第一开关SW1和第二开关SW2中的每一个均可以通过第一逻辑电平电压接通并且均可以通过第二逻辑电平电压关断。
图6a和图6b是示出像素在显示模式下的第一时间段和第二时间段内的操作的示例性视图。将参照图5、图6a和图6b详细地描述像素P在显示模式下的操作。
第一开关SW1在显示模式的第一时间段t1和第二时间段t2内通过第一逻辑电平电压V1的第一开关控制信号SCS1导通,并且第二开关SW2通过第二逻辑电平电压V2的第二开关控制信号SW2关断。为此,在显示模式下,将参考电压VREF从电压供给单元80供给至第u个参考电压线Ru。
首先,如图6a所示,第一开关晶体管ST1通过在第一时间段t1内供给至第k个扫描线Sk的栅极导通电压Von的第k个扫描信号SCANk导通。第二开关晶体管ST2通过在第一时间段t1内供给至第k个感测信号线SEk的栅极导通电压Von的第k个感测信号SENSk导通。第j个数据线Dj的电致发光数据电压EVdata由于第一开关晶体管ST1在第一时间段t1内导通而被供给至驱动晶体管DT的栅极电极。第u个参考电压线RU的参考电压VREF由于第二开关晶体管ST2在第一时间段t1内导通而被供给至驱动晶体管DT的源极电极。
第二,如图6b所示,第一开关晶体管ST1通过在第二时间段t2内供给至第k个扫描线Sk的栅极截止电压Voff的第k个扫描信号SCANk关断。第二开关晶体管ST2通过在第二时间段t2内供给至第k个感测信号线SEk的栅极截止电压Voff的第k个感测信号SENSk关断。
根据驱动晶体管DT的栅极电压Vg与源极电压Vs之间的电压差的电流Ids在第二时间段t2内流向发光元件EL。为此,发光元件EL发光。在下文中,为了便于描述,将“根据驱动晶体管DT的栅极电压Vg与源极电压Vs之间的电压差流过驱动晶体管DT的电流Ids”被限定为“驱动晶体管DT的电流Ids”。
如上所述,在本发明的实施例中,电致发光数据电压EVdata在显示模式下被供给至像素P。电致发光数据电压EVdata是在感测模式下感测到驱动晶体管DT的源极电压之后根据从数字视频数据DATA补偿的补偿视频数据CDATA生成的数据电压。因此,在本发明的实施例中,像素P的发光元件EL可以根据不取决于驱动晶体管DT的阈值电压的驱动晶体管DT的电流Ids发光。因此,在本发明的实施例中,可以提高像素P的亮度均匀性。
图7是示出在第一感测模式下供给至像素的扫描和感测信号、供给至第一开关的第一开关控制信号和供给至第二开关的第二开关控制信号以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形。
参照图7,在第一感测模式下,第一帧周期可以包括第一时间段t1′至第三时间段t3'。第一时间段t1'是用于将驱动晶体管DT的源极电极初始化成参考电压VREF的时段。第二时间段t2'是用于向驱动晶体管DT的栅极电极供给第一感测数据电压SVdata1的时段。第三时间段t3'是用于感测驱动晶体管DT的源极电压的时段。
第k个扫描线SK的第k个扫描信号SCANk在第二时间段t2'和第三时间段t3'内被供给至栅极导通电压Von。在图7中,第k个扫描线Sk的第k个扫描信号SCANk在第一时间段t1'内被供给至栅极截止电压Voff。然而,第k个扫描线Sk的第k个扫描信号SCANk可以被供给至栅极导通电压。第k个感测信号线SEk的第k个感测信号SENk在第一时间段t1'至第三时间段t3'被供给至栅极导通电压Von。像素P的第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2可以通过栅极导通电压Von导通并且可以通过栅极截止电压Voff关断。
第一开关控制信号SCS1在第一时间段t1'内被供给至第一逻辑电平电压V1并且在第二时间段t2'和第三时间段t3'内被供给至第二逻辑电平电压V2。第二开关控制信号SCS2在第一时间段t1'和第二时间段t2'内被供给至第二逻辑电平电压V2并且在第三时间段t3'内被供给至第一逻辑电平电压V1。第一开关SW1和第二开关SW2中的每一个可以通过第一逻辑电平电压导通并且可以通过第二逻辑电平电压关断。
图8a至图8c是示出像素在第一感测模式下的第一时间段至第三时间段内的操作的示例性视图。在下文中,将参照图7和图8a至图8c详细地描述像素P在第一感测模式下的操作。
首先,如图8a所示,第一开关晶体管ST1通过在第一时间段t1'内供给至第k个扫描线Sk的栅极截止电压Voff的第k个扫描信号SCANk导通。第二开关晶体管ST2通过在第一时间段t1'内供给至第k个感测信号线SEk的栅极导通电压Von的第k个感测信号SENSk导通。第一开关SW1在第一时间段t1'内通过第一逻辑电平电压V1的第一开关控制信号SCS1导通,并且第二开关SW2在第一时间段t1'内通过第二逻辑电平电压V2的第二开关控制信号SCS2关断。
由于第一开关SW1在第一时间段t1'内导通,所以参考电压VREF从电压供给单元80被供给至第u个参考电压线Ru。由于第二开关晶体管ST2在第一时间段t1'内导通,所以第u个参考电压线Ru的参考电压VREF被供给至驱动晶体管DT的源极电极。亦即,驱动晶体管DT的源极电极被初始化成参考电压VREF。
第二,如图8b所示,第一开关晶体管ST1通过在第二时间段t2'内供给至第k个扫描线Sk的栅极导通电压Von的第k个扫描信号SCANk关断。第二开关晶体管ST2通过在第二时间段t2'内供给至第k个感测信号线SEk的栅极导通电压Von的第k个感测信号SENSk导通。第一开关SW1在第二时间段t2'内通过第二逻辑电平电压V2的第二开关控制信号SCS2断开,并且第二开关SW2在第二时间段t2'内通过第二逻辑电平电压V2的第二开关控制信号SCS2关断。
由于第一开关SW1在第二时间段t2'内关断,所以参考电压VREF不供给至第u个参考电压线Ru。另外,由于第一开关晶体管ST1在第二时间段t2'内导通,所以第一感测数据电压SVdata1被供给至驱动晶体管DT的栅极电极。
由于驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压差(Vgs=SVdata1-VREF)在第二时间段t2'内大于驱动晶体管DT的阈值电压Vth,所以驱动晶体管DT中流动电流直至栅极电极与源极电极之间的电压差达到阈值电压Vth为止。为此,驱动晶体管DT的源极电压升高到如图7所示的“SVdata1-Vth”。亦即,驱动晶体管DT的阈值电压在第二时间段t2'内由驱动晶体管DT的源极电极来感测。
第三,如图8c所示,第一开关晶体管ST1通过在第三时间段t3'内供给至第k个扫描线Sk的栅极导通电压Von的第k个扫描信号SCANk导通。第二开关晶体管ST2通过在第三时间段t3'内供给至第k个感测信号线SEk的栅极导通电压Von的第k个感测信号SENSk导通。第一开关SW1在第三时间段t3'内通过第二逻辑电平电压V2的第二开关控制信号SCS2关断,并且第二开关SW2在第三时间段t3'内通过第一逻辑电平电压V1的第二开关控制信号SCS2接通。
由于第二开关SW2在第三时间段t3'内导通,所以第u个参考电压线Ru连接至ADC140。由于第二开关晶体管ST2在第三时间段t3'内导通,所以驱动晶体管DT的源极电极通过第u个参考电压线Ru与ADC连接。因此,ADC 140可以感测驱动晶体管DT的源极电压,即“SVdata1-Vth”。
如上所述,在本发明的实施例中,可以在第一感测模式下感测驱动晶体管DT的源极电压“SVdata1-Vth”,在该源极电压“SVdata1-Vth”中反映驱动晶体管DT的阈值电压。
同时,第一感测模式是用于感测驱动晶体管DT的源极电压的模式,该源极电压通过流动电流直至在第一感测数据电压SVdata1施加至驱动晶体管DT的栅极电极的状态下驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压差Vgs达到阈值电压Vth为止已经上升至如图7所示的“SVdata1-Vth”。因此,如图9所示,在第一感测模式下感测到的驱动晶体管DT的源极电压Vs上升到达第一感测数据电压SVdata1附近的电压电平。因此,可以在第一感测模式下在大于参考电压VREF的第一低电压VL1与第一高电压VH1之间设置ADC 140的感测电压范围。ADC 140可以从电压供给单元80接收第一低电压VL1和第一高电压VH1,以在第一感测模式下设置感测电压范围。在图9中,第一低电压VL1是但不限于3V,并且第一高电压VH1是但不限于6V。
图10是示出在第二感测模式下供给至像素的扫描和感测信号、供给至第一开关的第一开关控制信号和供给至第二开关的第二开关控制信号以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形。
参照图10,在第二感测模式下,第一帧周期可以包括第一时间段t1”和第二时间段t2”。第一时间段t1”是用于将驱动晶体管DT的源极电极初始化成参考电压VREF的时段。第二时间段t2”是用于将第二感测数据电压SVdata2施加至驱动晶体管DT的栅极电极并且感测驱动晶体管DT的源极电压的时段。
第k个扫描线SK的第k个扫描信号SCANk在第二时间段t2”内被供给至栅极导通电压Von。在图10中,第k个扫描线Sk的第k个扫描信号SCANk在第一时间段t1”内被供给至栅极截止电压Voff。然而,第k个扫描线Sk的第k个扫描信号SCANk可以被供给至栅极导通电压。第k个感测信号线SEk的第k个感测信号SENk在第一时间段t1”和第二时间段t2”内被供给至栅极导通电压Von。像素P的第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2可以通过栅极导通电压Von导通并且可以通过栅极截止电压Voff关断。
第一开关控制信号SCS1在第一时间段t1”内被供给至第一逻辑电平电压V1并且在第二时间段t2”内被供给至第二逻辑电平电压V2。第二开关控制信号SCS2在第一时间段t1”内被供给至第二逻辑电平电压V2并且在第二时间段t2”内被供给至第一逻辑电平电压V1。第一开关SW1和第二开关SW2中的每一个可以通过第一逻辑电平电压接通并且可以通过第二逻辑电平电压关断。
图11a和图11b是示出像素在第二感测模式下的第一时间段和第二时间段内的操作的示例性视图。在下文中,将参照图10以及图11a和图11b详细地描述像素P在第二感测模式下的操作。
首先,如图11a所示,第一开关晶体管ST1由在第一时间段t1”内供给至第k个扫描线Sk的栅极截止电压Voff的第k个扫描信号SCANk导通。第二开关晶体管ST2通过在第一时间段t1”内供给至第k个感测信号线SEk的栅极导通电压Von的第k个感测信号SENSk导通。第一开关SW1在第一时间段t1”内通过第一逻辑电平电压V1的第一开关控制信号SCS1接通,并且第二开关SW2在第一时间段t1”内通过第二逻辑电平电压V2的第二开关控制信号SCS2关断。
参考电压VREF由于第一开关SW1在第一时间段t1”内接通而从电压供给单元80被供给至第u个参考电压线Ru。第u个参考电压线Ru的参考电压VREF由于第二开关晶体管ST2在第一时间段t1”内导通而被供给至驱动晶体管DT的源极电极。亦即,驱动晶体管DT的源极电极被初始化成参考电压VREF。
第二,如图11b所示,第一开关晶体管ST1通过在第二时间段t2”内供给至第k个扫描线Sk的栅极导通电压Von的第k个扫描信号SCANk关断。第二开关晶体管ST2通过在第二时间段t2”内供给至第k个感测信号线SEk的栅极导通电压Von的第k个感测信号SENSk导通。第一开关SW1在第二时间段t2”内通过第二逻辑电平电压V2的第一开关控制信号SCS1关断,并且第二开关SW2在第二时间段t2”内通过第一逻辑电平电压V1的第二开关控制信号SCS2接通。
参考电压VREF由于第一开关SW1在第二时间段t2”内关断而不被供给至第u个参考电压线Ru。此外,参考电压线Ru由于第二开关SW2在第二时间段t2”内接通而连接至ADC140。第二感测数据电压SVdata2由于第一开关晶体管ST1在第二时间段t2”内导通而被供给至驱动晶体管DT的栅极电极。由于第二开关晶体管ST2在第二时间段t2”内导通,所以驱动晶体管DT的源极电极通过第u个参考电压线Ru与ADC 140连接。
由于驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压差(Vgs=SVdata2-VREF)在第二时间段t2”内大于驱动晶体管DT的阈值电压Vth,所以驱动晶体管DT中流动电流。图10的第二时间段t2”比图7的第二时间段t2'短。
此时,驱动晶体管DT的电流可以被限定为通过下面的等式1来表示。
[等式1]
在等式1中,“Ids”表示驱动晶体管DT的电流,“K”表示电子迁移率,“Cox”表示绝缘膜的电容,“W”表示驱动晶体管DT的沟道宽度,并且“L”表示驱动晶体管DT的沟道长度。
由于驱动晶体管DT的电流与由等式1表示的驱动晶体管DT的电子迁移率K成比例,所以驱动晶体管DT的源极电压Vs在第二时间段t2”内的上升量与驱动晶体管DT的电子迁移率K成比例。亦即,如果在第二时间段t2”内驱动晶体管DT的电子迁移率变大,则驱动晶体管DT的源极电压Vs的上升量变大。
因此,驱动晶体管DT的源极电压Vs的上升量在第二时间段t2”内根据驱动晶体管DT的电子迁移率K而变化。在图9中,根据电子迁移率K的源极电压Vs的上升量被限定为α。驱动晶体管DT的源极电压如图9所示根据电子迁移率K上升达到“VREF+α”。因此,在第二时间段t2”内感测到以下电压,在该电压中,驱动晶体管DT的电子迁移率K被反映在驱动晶体管DT的源极电极中。
如上所述,在本发明的实施例中,可以在第二感测模式下感测到驱动晶体管的源极电压“VREF+α”,在该源极电压“VREF+α”中反映驱动晶体管DT的电子迁移率K。
同时,第二感测模式是用于在将第二感测数据电压SVdata2施加至驱动晶体管DT的栅极电极的状态下感测驱动晶体管的源极电压Vs在预定的短时间段内的上升量的模式。因此,如图12所示,在第二感测模式下感测到的驱动晶体管DT的源极电压Vs具有大于参考电压VREF的电平。然而,驱动晶体管DT的源极电压Vs在第二感测模式下的上升量小于驱动晶体管DT的源极电压Vs在第一感测模式下的上升量。因此,ADC 140的感测电压范围可以设置在比参考电压VREF高且比第一低电压VL1低的第二低电压VL2与比第一高电压VH1低的第二高电压VH2之间。ADC 140可以从电压供给单元80接收第二低电压VL2和第二高电压VH2,以在第二感测模式下设置感测电压范围。在图12中,第二低电压VL2是但不限于0.5V,并且第二高电压VH2是但不限于3.5V。
图13是示出在第三感测模式下供给至像素的扫描和感测信号、供给至开关的开关控制信号以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形。
参考图13,在第三感测模式下,第一帧周期可以包括第一时间段t1+、第二时间段t2+、第三时间段t3+和第四时间段t4+。第一时间段t1+是用于将第三感测数据电压SVdata3供给至驱动晶体管DT的栅极电极并且将驱动晶体管DT的源极电极初始化成参考电压VREF的时段。第二时间段t2+是用于根据发光元件EL的劣化水平来存储驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压的劣化识别时段,并且第三时间段t3+是用于将驱动晶体管DT的源极电极初始化成参考电压VREF的时段。第四时间段t4+是用于根据驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压来感测驱动晶体管DT的源极电压Vs的时段。
第k个扫描线SK的第k扫描信号SCANk在第二时间段t2+内被供给至栅极导通电压Von并且在第三时间段t3+和第四时间段t4+内被供给至栅极截止电压Voff。在图13中,第k个扫描线Sk的第k个扫描信号SCANk在第一时间段t1+内被供给至栅极导通电压Von。然而,第k个扫描线Sk的第k个扫描信号SCANk可以被供给至栅极截止电压。第k个感测信号线SEk的第k个感测信号SENk在第一时间段t1+、第三时间段t3+和第四时间段t4+内被供给至栅极导通电压Von并且在第二时间段t2+内被供给至栅极截止电压Voff。像素P的第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2可以通过栅极导通电压Von导通并且可以通过栅极截止电压Voff关断。
第一开关控制信号SCS1在第一时间段t1+和第三时间段t3+内被供给至第一逻辑电平电压V1并且在第四时间段t4+内被供给至第二逻辑电平电压V2。在图13中,第一开关控制信号SCS1在第二时间段t2+内被供给至第一逻辑电平电压V1。然而,第一开关控制信号SCS1可以被供给至第二逻辑电平电压V2。第二开关控制信号SCS2在第一时间段t1+、第二时间段t2+和第三时间段t3+内被供给至第二逻辑电平电压V2并且在第四时间段t4+内被供给至第一逻辑电平电压V1。第一开关SW1和第二开关SW2中的每一个可以通过第一逻辑电平电压接通并且可以通过第二逻辑电平电压关断。
图14a至图14d是示出像素在第三感测模式下的第一时间段至第四时间段内的操作的示例性视图。
首先,如图14a所示,第一开关晶体管ST1通过在第一时间段t1+内供给至第k个扫描线Sk的栅极导通电压Von的第k个扫描信号SCANk导通。第二开关晶体管ST2通过在第一时间段t1+内供给至第k个感测信号线SEk的栅极导通电压Von的第k个感测信号SENSk导通。第一开关SW1在第一时间段t1+内通过第一逻辑电平电压V1的第一开关控制信号SCS1接通,并且第二开关SW2在第一时间段t1+内通过第二逻辑电平电压V2的第二开关控制信号SCS2关断。
第三感测数据电压SVdata3由于第一开关晶体管ST1在第一时间段t1+内导通而被供给至驱动晶体管DT的栅极电极。此外,参考电压VREF由于第一开关SW1在第一时间段t1+内接通而被从电压供给单元80供给至第u个参考电压线Ru。第u个参考电压线Ru的参考电压VREF由于第二开关晶体管ST2在第一时间段t1+内导通而被供给至驱动晶体管DT的源极电极。亦即,驱动晶体管DT的源极电极被初始化成参考电压VREF。
第二,如图14b所示,第一开关晶体管ST1通过在第二时间段t2+内供给至第k个扫描线Sk的栅极导通电压Von的第k个扫描信号SCANk导通。第二开关晶体管ST2通过在第二时间段t2+内供给至第k个感测信号线SEk的栅极截止电压Voff的第k个感测信号SENSk关断。
第三感测数据电压SVdata3由于第一开关晶体管ST1在第二时间段t2+内导通而被供给至驱动晶体管DT的栅极电极。此外,参考电压VREF由于第二开关SW2在第二时间段t2+内断开而不被供给至驱动晶体管DT的源极电极。
由于驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压差(Vgs=SVdata3-VREF)在第二时间段t2+内大于驱动晶体管DT的阈值电压Vth,所以驱动晶体管DT中流动电流。
同时,如果发光元件EL长时间被驱动,则发光元件EL可能劣化。为此,会降低发光元件EL的发光亮度。如果发光元件EL劣化,则发光元件EL的驱动电压上升。为此,即使如图13所示的那样将相同的数据电压施加至驱动晶体管DT的栅极电极,如果发光元件EL劣化,则驱动晶体管DT的源极电压变得比发光元件EL劣化之前的电压高。因此,在发光元件EL劣化时的驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压Vgs2变得比发光元件EL劣化之前的驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压Vgs1更小。在图13中,发光元件EL劣化之前的驱动晶体管DT的栅极电压Vg和源极电压Vs被示出为实线,并且发光元件EL劣化之后的驱动晶体管DT的栅极电压Vg和源极电压Vs被示出为虚线。
第三,如图14c所示,第一开关晶体管ST1通过在第三时间段t3+内供给至第k个扫描线Sk的栅极截止电压Voff的第k个扫描信号SCANk关断。第二开关晶体管ST2通过在第三时间段t3+内供给至第k个感测信号线SEk的栅极导通电压Von的第k个感测信号SENSk导通。第一开关SW1在第三时间段t3+内通过第一逻辑电平电压V1的第一开关控制信号SCS1导通,并且第二开关SW2在第三时间段t3+内通过第二逻辑电平电压V2的第二开关控制信号SCS2断开。
参考电压VREF由于第一开关SW1在第三时间段t3+内接通而从电压供给单元80被供给至第u个参考电压线Ru。第u个参考电压线Ru的参考电压VREF由于第二开关晶体管ST2在第三时间段t3+内导通而被供给至驱动晶体管DT的源极电极。亦即,驱动晶体管DT的源极电极被初始化成参考电压VREF。此外,驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压Vgs由存储电容器Cst保持,驱动晶体管DT的栅极电压Vg可能按照如图13所示的驱动晶体管DT的源极电压Vs的可变量被降低。
第四,如图14d所示,第一开关晶体管ST1通过在第四时间段t4+内供给至第k个扫描线Sk的栅极截止电压Voff的第k个扫描信号SCANk关断。第二开关晶体管ST2通过在第四时间段t4+内供给至第k个感测信号线SEk的栅极导通电压Von的第k个感测信号SENSk导通。第一开关SW1在第四时间段t4+内通过第二逻辑电平电压V2的第一开关控制信号SCS1关断,并且第二开关SW2在第四时间段t4+内通过第一逻辑电平电压V1的第二开关控制信号SCS2接通。
驱动晶体管DT在第四时间段t4+内根据栅极电极与源极电极之间的电压Vgs流动电流,由此驱动晶体管DT的源极电压上升。然而,发光元件EL劣化时的驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压Vgs2比发光元件EL劣化之前的驱动晶体管DT的栅极电极与源极电极之间的电压Vgs1小。因此,如果在第四时间段t4+内发光元件EL劣化,则驱动晶体管DT的源极电压Vs的上升量小于发光元件EL劣化之前的驱动晶体管DT的源极电压Vs的上升量。例如,如图13所示,发光元件EL劣化之前的驱动晶体管DT的源极电压Vs在第四时间段t4+内上升达到“VREF+β”,而发光元件EL劣化时的驱动晶体管DT的源极电压Vs在第四时间段t4+内可能上升达到“VREF+γ(β>γ)”。
第u个参考电压线Ru由于第四时间段t4+的第二开关SW2导通而连接至ADC 140。由于第二开关晶体管ST2在第四时间段t4+内导通,所以驱动晶体管DT的源极电极通过第u个参考电压线Ru连接至ADC 140。因此,ADC 140可以感测驱动晶体管DT的源极电压Vs,即“VREF+β”或“VREF+γ”。
同时,由于发光元件EL的驱动电压在第三感测模式下随着发光元件劣化而上升,所以驱动晶体管DT的源极电压上升,由此驱动晶体管DT的栅极电压与源极电压之间的电压Vgs变小。如果驱动晶体管DT的栅极电压与源极电压之间的电压Vgs变小,则驱动晶体管DT的源极电压Vs的上升量在第四时间段t4+内变小。在这种情况下,如果第三感测模式下的ADC 140的感测电压范围与第二感测模式下的ADC 140的感测电压范围相同,则在第三感测模式下感测到的驱动晶体管DT的源极电压Vs可能会超出ADC 140的感测电压范围。
例如,参考电压VREF可以被设置成0V,并且ADC 140的感测电压范围可以被设置成如图12所示的0.5V至3.5V。如果发光元件EL过度劣化,则在第二感测模式下的第四时间段t4+内感测到的驱动晶体管DT的源极电压Vs可能不超过0.5V。在这种情况下,即使驱动晶体管DT的源极电压Vs小于0.5V,ADC 140仍感测到驱动晶体管DT的作为感测电压范围的下限的0.5V处的源极电压Vs,从而不能正常补偿发光元件EL的劣化。
然而,在本发明的实施例中,由于在第三感测模式下感测到的驱动晶体管DT的源极电压Vs是等于或大于参考电压VREF的电压,所以将第三感测模式下的ADC 140的感测电压范围的下限设置成等于或小于参考电压VREF的电压。因此,在本发明的实施例中,可以防止驱动晶体管DT的源极电压Vs超出ADC 140的感测电压范围。
更详细地,在本发明的实施例中,ADC 140的感测电压范围可以在第三感测模式下被设置在等于或小于参考电压VREF的第三低电压VL3与比参考电压VREF高的第三高电压VH3之间。ADC 140可以从电压供给单元80接收第三低电压VL3和第三高电压VH3,以设置在第三感测模式下的感测电压范围。
例如,如图12和图15所示,第三感测模式的参考电压VREF和第二感测模式的参考电压VREF被设置成基本上彼此相等,其中,第三低电压VL3可以被设置成等于第三感测模式的参考电压VREF,并且第二感测模式的参考电压VREF可以被设置成小于第二低电压VL2。为此,第三低电压VL3可以被设置成小于第二低电压VL2,并且第三高电压VH3可以被设置成小于第二高电压VH2。亦即,为了防止驱动晶体管DT的源极电压Vs在第三感测模式下超出ADC140的感测电压范围,第三低电压VL3和第三高电压VH3可以与第二低电压VL2和第二高电压VH2不同。在图15中,第三感测模式的参考电压VREF和第三低电压VL3是但不限于0V,并且第三高电压VH3是但不限于3V。
可替代地,如图12和图16所示,第三感测模式的参考电压VREF被设置成大于第二感测模式的参考电压VREF,并且第三低电压VL3被设置成基本上等于第三感测模式的参考电压VREF,并且第二感测模式的参考电压VREF可以被设置成小于第二低电压VL2。为此,可以将第三低电压VL3设置成等于或大于第二低电压VL2的电压,并且可以将第三高电压VH3设置成等于或大于第二高电压VH2的电压。亦即,为了防止驱动晶体管DT的源极电压Vs在第三感测模式下超出ADC 140的感测电压范围,第三感测模式的参考电压VREF可以被设置成大于第二感测模式的参考电压VREF。另外,如图9和图12所示,由于第一感测模式的参考电压VREF基本上等于第二感测模式的参考电压VREF,所以第三感测模式的参考电压VREF可以被设置成大于第二感测模式的参考电压VREF。在图16中,第三感测模式的参考电压VREF和第三低电压VL3是但不限于0.5V,并且第三高电压VH3是但不限于3.5V。
另外,可以在第一感测模式至第三感测模式下相等地设置ADC 140的感测电压范围的上限与下限之间的差。在图9、图12、图15和图16中,ADC 140的感测电压范围的上限与下限之间的差是但不限于3V。
如上所述,根据本发明的实施例,由于在用于补偿发光元件劣化的劣化补偿模式下感测到的驱动晶体管的源极电压是等于或大于参考电压的电压,所以劣化补偿模式下的ADC的感测电压范围的下限被设置成小于参考电压的电压。因此,在本发明的实施例中,可以防止驱动晶体管的源极电压超出ADC的感测电压范围。
对于本领域技术人员明显的是,在不脱离本发明的精神或范围的情况下,可以在本发明中进行各种修改和变化。因此,本发明旨在涵盖本发明的修改和变化,只要本发明的修改和变化在所附权利要求及其等同物的范围内。
Claims (16)
1.一种发光显示装置,包括:
显示面板,所述显示面板连接至数据线、扫描线和参考电压线并且设置有像素,每个像素包括发光元件;
模数转换器ADC,所述模数转换器将通过所述参考电压线从像素感测的电压转换为感测数据;以及
电压供给单元,所述电压供给单元将参考电压供给至所述参考电压线,
其中,在用于补偿所述发光元件劣化的劣化补偿模式下,所述电压供给单元向所述ADC供给第三低电压和第三高电压,并且所述劣化补偿模式下的参考电压是与所述第三低电压相等或大于所述第三低电压的电压。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,在用于补偿每个像素的驱动晶体管的电子迁移率的迁移率补偿模式下,所述电压供给单元向所述ADC供给第二低电压和第二高电压。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中,所述第三低电压小于所述第二低电压,并且所述第三高电压小于所述第二高电压。
4.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中,所述劣化补偿模式下的参考电压高于所述迁移率补偿模式下的参考电压。
5.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中,在用于补偿每个像素的驱动晶体管的阈值电压的阈值电压补偿模式下,所述电压供给单元向所述ADC供给第一低电压和第一高电压。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置,其中,所述劣化补偿模式下的参考电压高于所述阈值电压补偿模式下的参考电压。
7.根据权利要求5所述的发光显示装置,其中,所述第一低电压高于所述第二低电压,并且所述第一低电压高于所述第三低电压。
8.根据权利要求5所述的发光显示装置,其中,所述第一高电压和所述第一低电压之间的电压差等于所述第二高电压和所述第二低电压之间的电压差或所述第三高电压和所述第三低电压之间的电压差。
9.一种用于驱动发光显示装置的方法,所述发光显示装置包括显示面板,所述显示面板连接至数据线、扫描线和参考电压线并且设置有像素,每个像素包括发光元件,所述发光显示装置还包括:模数转换器ADC,所述模数转换器将通过所述参考电压线从像素感测的电压转换为感测数据;以及电压供给单元,所述电压供给单元将参考电压供给至所述参考电压线,所述方法包括以下步骤:
将所述参考电压供给至所述参考电压线;以及
在用于补偿所述发光元件劣化的劣化补偿模式下,通过所述参考电压线感测所述像素中的在第三低电压和第三高电压之间的电压,并且输出感测数据,
其中,所述劣化补偿模式下的参考电压与所述第三低电压相等或大于所述第三低电压。
10.根据权利要求9所述的用于驱动发光显示装置的方法,还包括以下步骤:
在用于补偿每个像素的驱动晶体管的电子迁移率的迁移率补偿模式下,通过所述参考电压线感测所述像素中的在第二低电压和第二高电压之间的另一电压;以及
输出感测数据。
11.根据权利要求10所述的用于驱动发光显示装置的方法,其中,所述第三低电压小于所述第二低电压,并且所述第三高电压小于所述第二高电压。
12.根据权利要求10所述的用于驱动发光显示装置的方法,其中,所述劣化补偿模式下的参考电压高于所述迁移率补偿模式下的参考电压。
13.根据权利要求10所述的用于驱动发光显示装置的方法,还包括以下步骤:
在用于补偿每个像素的驱动晶体管的阈值电压的阈值电压补偿模式下,通过所述参考电压线感测所述像素中的在第一低电压和第一高电压之间的另一电压;以及
输出感测数据。
14.根据权利要求13所述的用于驱动发光显示装置的方法,其中,所述劣化补偿模式下的参考电压高于所述阈值电压补偿模式下的参考电压。
15.根据权利要求13所述的用于驱动发光显示装置的方法,其中,所述第一低电压高于所述第二低电压,并且所述第一低电压高于所述第三低电压。
16.根据权利要求13所述的用于驱动发光显示装置的方法,其中,所述第一高电压和所述第一低电压之间的电压差等于所述第二高电压和所述第二低电压之间的电压差或所述第三高电压和所述第三低电压之间的电压差。
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