KR102417630B1 - 발광 표시장치와 그의 구동방법 - Google Patents

발광 표시장치와 그의 구동방법 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정함으로써 구동 트랜지스터의 문턱전압이 제대로 보상되지 않아 화질 저하가 발생하는 것을 방지할 수 있는 발광 표시장치와 그의 구동방법에 관한 것이다. 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치에서 타이밍 제어부는 표시장치의 턴-오프 신호와 트리거 신호가 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하고, 표시장치의 턴-오프 신호가 입력되고 트리거 신호가 입력되지 않는 경우, 표시패널 구동부를 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하며, 제2 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간은 제1 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간보다 짧다.타이밍 제어부는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널 구동부를 통해 공급받은 화소들 각각의 제2 센싱 데이터에서 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터의 개수를 판단하여 제1 문턱전압 센싱 모드의 진행 여부를 결정하되, 제2 센싱 데이터를 이용하여 보상 데이터를 생성하지 않으며, 제1 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널 구동부로부터 공급받은 화소들 각각의 제1 센싱 데이터를 이용하여 메모리의 보상 데이터를 업데이트할 수 있다.

Description

발광 표시장치와 그의 구동방법{LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME}
본 명세서는 발광 표시장치와 그의 구동방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 발광 표시장치(LED: Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다.
이들 중에서 발광 표시장치는 발광소자(light emitting element)로서 유기 발광층을 이용하는 유기발광 표시장치, 발광소자로서 양자점 발광층을 이용하는 양자점 표시장치, 및 발광소자로서 마이크로 발광 다이오드(micro light emitting diode)를 이용하는 발광 다이오드 표시장치로 구분될 수 있다. 발광 표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다.
발광 표시장치는 데이터 라인들, 스캔 라인들, 데이터 라인들과 스캔 라인들의 교차부들에 형성된 화소들을 구비하는 표시패널, 스캔 라인들에 스캔 신호들을 공급하는 스캔 구동부, 및 데이터 라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다.
화소들 각각은 발광소자(light emitting element), 게이트 전극의 전압에 따라 발광소자에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 트랜지스터(transistor), 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터라인의 데이터전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 스캔 트랜지스터, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전극의 전압을 소정의 기간 동안 유지하기 위한 스토리지 커패시터를 포함한다.
이때, 발광소자에 공급되는 구동 트랜지스터의 드레인-소스간 전류(Ids)는 수학식 1과 같이 표현될 수 있다.
Figure 112017108143593-pat00001
수학식 1에서, k'는 구동 트랜지스터의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 비례 계수, Vgs는 구동 트랜지스터의 게이트-소스간 전압, Vth는 구동 트랜지스터의 문턱전압을 의미한다.
한편, 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)과 전자 이동도(mobility)은 발광 표시장치의 제조시의 공정 편차 또는 장기간 구동으로 인한 구동 트랜지스터의 열화 등의 원인으로 인하여 화소마다 달라질 수 있다. 즉, 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하는 경우 발광소자에 공급되는 전류는 동일하여야 하나, 화소들 사이의 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자 이동도의 차이로 인하여 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하더라도 발광소자에 공급되는 전류가 화소마다 달라질 수 있다.
화소들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 검출하기 위한 문턱전압 센싱 모드의 구동 기간은 화소들 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도를 검출하기 위한 전자 이동도 센싱 모드의 구동 기간보다 길다. 상대적으로 긴 기간이 소요되는 문턱전압 센싱 모드는 발광 표시장치의 전원이 꺼질 때 수행되며(OFF RS 모드), 상대적으로 짧은 기간이 소요되는 전자 이동도 센싱 모드는 발광 표시장치의 전원이 켜지자마자(ON RF 모드), 그리고 발광 표시장치의 구동 중에 수행된다(RT Sensing 모드).
한편, 문턱전압 센싱 모드는 소요 시간이 길기 때문에, 사용자가 발광 표시장치의 턴-오프를 요청한 때, 예를 들어 사용자가 리모콘으로 발광 표시장치를 턴-오프한 때부터 문턱전압 센싱 모드를 수행한 후 실질적으로 발광 표시장치가 턴-오프 되기까지의 기간이 길다. 즉, 문턱전압 센싱 모드로 인해 발광 표시장치의 턴-오프 소요 시간이 길다. 이로 인해, 문턱전압 센싱 모드의 수행을 최소화하기 위해 발광 표시장치가 미리 정해진 소정의 시간보다 길게 턴-온된 경우에만 수행되도록 설정되어 있다. 하지만, 발광 표시장치가 미리 정해진 소정의 시간보다 짧게 턴-온되는 경우, 화소들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압이 제대로 보상되지 않을 수 있으며, 이로 인해 화질 저하가 발생할 수 있다.
본 명세서는 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정함으로써 구동 트랜지스터의 문턱전압이 제대로 보상되지 않아 화질 저하가 발생하는 것을 방지할 수 있는 발광 표시장치와 그의 구동방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치는 데이터 라인들, 스캔 라인들, 및 상기 데이터 라인들과 상기 스캔 라인들의 교차 영역들에 배치된 화소들을 포함하는 표시패널; 데이터 라인들에 데이터 전압들을 인가하고, 스캔 라인들에 스캔신호들을 인가하는 표시패널 구동부; 및 표시패널 구동부의 동작 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부를 구비한다. 타이밍 제어부는 표시장치의 턴-오프 신호와 트리거 신호가 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 타이밍 제어부는 표시장치의 턴-오프 신호가 입력되고 트리거 신호가 입력되지 않는 경우, 표시패널 구동부를 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 제2 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간은 제1 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간보다 짧다. 타이밍 제어부는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널 구동부를 통해 공급받은 화소들 각각의 제2 센싱 데이터에서 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터의 개수를 판단하여 제1 문턱전압 센싱 모드의 진행 여부를 결정하되, 제2 센싱 데이터를 이용하여 보상 데이터를 생성하지 않으며, 제1 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널 구동부로부터 공급받은 화소들 각각의 제1 센싱 데이터를 이용하여 메모리의 보상 데이터를 업데이트할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 구동방법은 사용자가 표시장치의 턴-오프를 요청하는 경우, 표시장치의 턴-온 시간이 제1 시간을 경과한 경우 트리거 신호와 턴-오프 신호를 출력하고, 표시장치의 턴-온 시간이 제1 시간을 경과하지 않은 경우 트리거 신호를 출력하지 않고 턴-오프 신호를 출력하는 단계; 트리거 신호와 턴-오프 신호가 입력되는 경우, 표시패널의 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계; 및 트리거 신호가 입력되지 않고 턴-오프 신호가 입력되는 경우, 표시패널의 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계를 포함한다. 제2 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간은 제1 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간보다 짧다. 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계는, 타이밍 제어부가 표시패널을 구동하는 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하고, 표시패널 구동부를 통해 공급받은 화소들 각각의 제2 센싱 데이터에서 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터의 개수를 판단하여 제1 문턱전압 센싱 모드의 진행 여부를 결정하되, 제2 센싱 데이터를 이용하여 보상 데이터를 생성하지 않으며, 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계는, 타이밍 제어부가 표시패널 구동부를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하고, 표시패널 구동부를 통해 공급받은 화소들 각각의 제1 센싱 데이터를 이용하여 메모리의 보상 데이터를 업데이트할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 미리 정해진 시간을 경과하지 않았더라도, 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 있는 경우, 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하여 제2 센싱 데이터를 센싱하고, 제2 센싱 데이터를 분석하여 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 여부를 결정한다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 미리 정해진 시간보다 짧게 구동되는 경우에도 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정할 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 제대로 보상되지 않아 화질 저하가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예는 제2 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간의 길이는 제1 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간의 길이를 짧게 함으로써, 제2 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널의 모든 화소들의 구동 트랜지스터들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간을 제1 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널의 모든 화소들의 구동 트랜지스터들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간보다 크게 줄일 수 있다. 그 결과, 본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-오프 소요 시간을 크게 늘리지 않고도 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 2의 화소를 상세히 보여주는 회로도이다.
도 4는 표시 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 5는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 6은 제2 문턱전압 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 7은 전자 이동도 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 8은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 구동방법을 보여주는 흐름도이다.
도 9는 도 8의 S105 단계를 상세히 보여주는 흐름도이다.
명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명의 핵심 구성과 관련이 없는 경우 및 본 발명의 기술분야에 공지된 구성과 기능에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다. 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치는 발광소자로 유기발광소자를 이용하는 유기발광 표시장치 또는 발광소자로 마이크로 발광 다이오드를 이용하는 마이크로 발광 표시장치일 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치는 표시패널(110), 데이터 구동부(120), 연성필름(122)들, 스캔 구동부(130), 소스 회로보드(140), 제1 연성 케이블(150), 제어 회로보드(160), 타이밍 제어부(170), 메모리(180), 전압 공급부(190), 시스템 온 칩(200), 시스템 회로보드(210), 및 제2 연성 케이블(160)들을 포함한다.
표시패널(110)은 하부 기판(111)과 상부 기판(112)을 포함할 수 있다. 하부 기판(111)은 유리 기판 또는 플라스틱 필름으로 형성될 수 있으며, 상부 기판(112)은 유리 기판, 플라스틱 필름, 봉지 필름, 또는 배리어 필름으로 형성될 수 있다.
표시패널(110)은 표시영역(AA)과 표시영역(AA)의 주변에 마련된 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(AA)은 화소(P)들이 형성되어 화상을 표시하는 영역이다. 표시패널(110)에는 데이터 라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 기준전압 라인들(R1~Rp, p는 2 이상의 양의 정수), 스캔 라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수), 및 센싱신호 라인들(SE1~SEn)이 마련된다. 데이터 라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rp)은 스캔 라인들(S1~Sn)과 센싱신호 라인들(SE1~SEn)과 교차될 수 있다. 데이터 라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rp)은 서로 나란할 수 있다. 스캔 라인들(S1~Sn)과 센싱신호 라인들(SE1~SEn)은 서로 나란할 수 있다.
화소(P)들 각각은 데이터 라인들(D1~Dm) 중 어느 하나, 기준전압 라인들(R1~Rp) 중 어느 하나, 스캔 라인들(S1~Sn) 중 어느 하나, 및 센싱신호 라인들(SE1~SEn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 표시패널(10)의 화소(P)들 각각은 도 3과 같이 발광소자(light emitting element, EL)와 발광소자(EL)에 전류를 공급하기 위한 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 표시패널(10)의 화소(P)들 각각에 대한 자세한 설명은 도 3을 결부하여 후술한다.
데이터 구동부(120)와 스캔 구동부(130)는 표시패널 구동부로 칭해질 수 있다.
데이터 구동부(120)는 도 2와 같이 적어도 하나의 소스 드라이브 IC(integrated circuit)(121)들을 포함할 수 있다. 도 2에서는 데이터 구동부(120)가 8 개의 소스 드라이브 IC(121)들을 포함하는 것을 예시하였으나, 소스 드라이브 IC(121)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
각 소스 드라이브 IC(121)는 각 연성필름(122) 상에 실장될 수 있다. 각 연성필름(122)은 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 또는 칩온 필름(chip on film)일 수 있다. 각 연성필름(122)은 휘어지거나 구부러질 수 있다. 각 연성필름(122)은 하부기판(111)과 소스 회로보드(140)에 부착될 수 있다. 각 연성필름(122)은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 이용하여 TAB(tape automated bonding) 방식으로 하부 기판(111)상에 부착될 수 있으며, 이로 인해 각 소스 드라이브 IC(121)는 데이터 라인들에 연결될 수 있다.
각 소스 드라이브 IC(121)는 도 2와 같이 데이터전압 공급부(121A), 아날로그 디지털 컨버터(analog digital converter, 이하 "ADC"라 칭함, 121B), 및 스위칭부(121C)를 포함할 수 있다.
데이터전압 공급부(121A)는 데이터 라인들에 접속되어 데이터 전압들을 공급한다. 데이터전압 공급부(121A)는 타이밍 제어부(170)로부터 디지털 데이터와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 입력받는다. 디지털 데이터는 보상 비디오 데이터(CVDATA), 제1 및 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA1, PDATA2) 중 어느 하나일 수 있다.
데이터전압 공급부(121A)는 표시 모드에서 보상 비디오 데이터(CVDATA)를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 보상 비디오 데이터(CVDATA)를 발광 데이터 전압들로 변환하여 데이터 라인들에 인가한다. 표시 모드는 화소(P)들이 발광하여 화상을 표시하는 모드이다. 발광 데이터전압은 화소(P)의 발광소자(EL)를 소정의 휘도로 발광하기 위한 전압이다.
데이터전압 공급부(121A)는 제1 문턱전압 센싱 모드와 제2 문턱전압 센싱 모드에서 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)를 제1 센싱 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들에 인가한다. 제1 문턱전압 센싱 모드와 제2 문턱전압 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)을 보상하기 위해 제1 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 센싱하는 문턱전압 센싱 모드이다.
데이터전압 공급부(121A)는 전자 이동도 센싱 모드에서 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)를 제2 센싱 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들에 인가한다. 전자 이동도 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도(mobility)를 보상하기 위해 제2 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 전자 이동도 센싱 모드이다.
ADC(121B)는 제1 문턱전압 센싱 모드, 제2 문턱전압 센싱 모드, 및 전자 이동도 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD1/SD2/SD3)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다. ADC(121B)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 제1 센싱 데이터(SD1)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다. ADC(121B)는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 제2 센싱 데이터(SD2)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다. ADC(121B)는 제3 문턱전압 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 제3 센싱 데이터(SD3)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다.
스위칭부(121C)는 기준전압 라인들과 전압 공급부(190) 사이의 접속을 스위칭하고, 기준전압 라인들(R1~Rz)과 ADC(140) 사이의 접속을 스위칭한다. 이를 위해, 스위칭부(121C)는 도 3과 같이 각 기준전압 라인과 전압 공급부(190) 사이에 접속되는 제1 스위치(SW1)와 각 기준전압 라인과 ADC(121B) 사이에 접속되는 제2 스위치(SW2)를 포함할 수 있다.
스캔 구동부(130)는 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)를 포함한다. 스캔신호 출력부(131)는 스캔 라인들(S1~Sn)에 접속되어 스캔신호들을 인가한다. 스캔신호 출력부(131)는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔신호들을 생성하여 스캔 라인들(S1~Sn)에 인가한다.
센싱신호 출력부(132)는 센싱신호 라인들(SE1~SEn)에 접속되어 센싱신호들을 인가한다. 센싱신호 출력부(132)는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)에 따라 센싱신호들을 생성하여 센싱신호 라인들(SE1~SEn)에 인가한다.
스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 다수의 트랜지스터들을 포함하여 GIP(Gate driver In Panel) 방식으로 표시패널(110)의 비표시영역(NDA)에 직접 형성될 수 있다. 또는, 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 구동 칩(chip) 형태로 형성되어 표시패널(110)의 하부 기판(111)에 부착되는 게이트 연성필름 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 집적회로(integrated circuit)와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다.
소스 회로보드(140)는 제1 연성 케이블(150)들에 연결되기 위한 제1 커넥터(151)들을 포함할 수 있다. 소스 회로보드(140)는 제1 커넥터(151)들을 통해 제1 연성 케이블(150)들에 연결될 수 있다. 소스 회로보드(50)는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board) 또는 인쇄회로보드(printed circuit board)일 수 있다.
제어 회로보드(160)는 제1 연성 케이블(150)들에 연결되기 위한 제2 커넥터(152)들을 포함할 수 있다. 제어 회로보드(160)는 제2 커넥터(152)들을 통해 제1 연성 케이블(150)들에 연결될 수 있다.
도 1에서는 소스 회로보드(140)와 제어 회로보드(160)가 복수의 제1 커넥터(151)들과 복수의 제2 커넥터(152)들을 통해 복수의 제1 연성 케이블(150)들에 연결된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 소스 회로보드(140)와 제어 회로보드(160) 각각은 하나의 제1 커넥터(151)와 하나의 제2 커넥터(152)를 통해 하나의 제1 연성 케이블(150)에 연결될 수 있다.
타이밍 제어부(170)는 시스템 온 칩(200)으로부터 디지털 비디오 데이터(VDATA)와 타이밍 신호들을 입력받는다. 타이밍 신호들은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(170)는 데이터전압 공급부(121A), 스캔신호 출력부(131), 및 센싱신호 출력부(132)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제어신호들을 생성한다. 제어신호들은 데이터전압 공급부(121A)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS), 스캔신호 출력부(131)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 및 센싱신호 출력부(132)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 포함한다.
타이밍 제어부(170)는 발광 표시장치를 표시 모드, 제1 문턱전압 센싱 모드, 제2 문턱전압 센싱 모드, 및 전자 이동도 센싱 모드 중 어느 하나로 제어할 수 있다.
표시 모드는 화소(P)들에 보상 비디오 데이터(CVDATA)에 따른 발광 데이터전압들을 공급함으로써 화소(P)들을 발광시키는 모드이다.
제1 문턱전압 센싱 모드는 화소(P)들에 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)에 따른 제1 센싱 데이터 전압을 공급하고, 기준전압 라인들(R1~Rp)을 통해 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하는 모드이다. 구체적으로, 제1 문턱전압 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위해 제1 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 제1 센싱 데이터(SD1)로 센싱하는 모드이다. 제1 문턱전압 센싱 모드는 발광 표시장치가 턴-오프되기 전에 수행되거나 생략될 수 있다.
제2 문턱전압 센싱 모드는 화소(P)들에 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)에 따른 제1 센싱 데이터전압들을 공급하고, 기준전압 라인들(R1~Rp)을 통해 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하는 모드이다. 제2 문턱전압 센싱 모드는 제1 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 제2 센싱 데이터(SD2)로 센싱하는 모드이다. 제2 문턱전압 센싱 모드는 제1 문턱전압 센싱 모드 이전에 수행되거나 생략될 수 있다.
전자 이동도 센싱 모드는 화소(P)들에 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)에 따른 제2 센싱 데이터 전압을 공급하고, 기준전압 라인들(R1~Rp)을 통해 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하는 모드이다. 구체적으로, 전자 이동도 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도를 보상하기 위해 제2 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 제3 센싱 데이터(SD3)로 센싱하는 모드이다. 전자 이동도 센싱 모드는 발광 표시장치가 턴-오프되자마자 표시패널(110)에 화상을 표시하기 전에 수행되거나 생략될 수 있다. 또한, 전자 이동도 센싱 모드는 표시패널(110)이 화상을 표시하는 중에 표시패널(110)의 일부 화소들의 구동 트랜지스터들의 소스 전압들을 제3 센싱 데이터(SD3)로 센싱하기 위해 수행될 수 있다.
타이밍 제어부(170)는 표시 모드에서 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 이용하여 디지털 비디오 데이터(VDATA)를 보상 비디오 데이터(CVDATA)로 변환한다. 타이밍 제어부(170)는 표시 모드에서 보상 비디오 데이터(CVDATA)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다.
타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제1 센싱 데이터(SD1)를 입력받으며, 제1 센싱 데이터(SD1)에 따라 새로운 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 메모리(180)에 저장한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)를 반영하여 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 업데이트 한다. 제1 센싱 데이터(SD1)는 제1 문턱전압 센싱 모드의 경우 각 화소(P)에서 제1 센싱 데이터전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 ADC(121B)에서 디지털 데이터로 변환한 데이터이다.
타이밍 제어부(170)는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 타이밍 제어부(170)는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제2 센싱 데이터(SD2)를 입력받으며, 제2 센싱 데이터(SD2)에 따라 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 여부를 결정한다. 제2 문턱전압 센싱 모드는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 결정하기 위해 수행되므로, 제1 문턱전압 센싱 모드보다 짧은 기간 동안 수행되는 것이 바람직하다. 제2 센싱 데이터(SD2)는 제2 문턱전압 센싱 모드의 경우 각 화소(P)에서 제1 센싱 데이터전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 ADC(121B)에서 디지털 데이터로 변환한 데이터이다.
타이밍 제어부(170)는 전자 이동도 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제2 센싱 비디오 데이터(PDATA2)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)는 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 다른 데이터이다. 타이밍 제어부(170)는 전자 이동도 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제3 센싱 데이터(SD3)를 입력받을 수 있으며, 제3 센싱 데이터(SD3)에 따라 새로운 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 메모리(180)에 저장한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 전자 이동도 센싱 모드에서 센싱되는 제3 센싱 데이터(SD3)를 반영하여 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 업데이트 한다. 제3 센싱 데이터(SD3)는 전자 이동도 센싱 모드의 경우 각 화소(P)에서 제2 센싱 데이터전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 ADC(121B)에서 디지털 데이터로 변환한 데이터이다.
또한, 타이밍 제어부(170)는 데이터 구동부(120)의 스위치부(121C)의 제1 스위치(SW1)를 제어하기 위한 제1 스위치 제어신호(SCS1)와 제2 스위치(SW2)들을 제어하기 위한 제2 스위치 제어신호(SCS2)를 생성하여 출력할 수 있다.
또한, 타이밍 제어부(170)는 시스템 온 칩(200)으로부터 표시장치의 턴-오프 여부를 지시하는 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 제1 문턱전압 센싱 모드 수행을 지시하는 트리거 신호(TRS)를 입력받을 수 있다. 타이밍 제어부(170)는 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드를 구동하지 않고 바로 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 타이밍 제어부(170)는 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)만이 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 결정하기 위해 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동한다.
또한, 타이밍 제어부(170)는 시스템 온 칩(200)으로부터 표시장치의 턴-온 여부를 지시하는 표시장치의 턴-온 신호를 입력받을 수 있다. 타이밍 제어부(170)는 표시장치의 턴-온 신호가 입력되는 경우, 화상을 표시하기 전에 표시패널 구동부를 전자 이동도 센싱 모드로 구동한다.
나아가, 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드가 종료되는 경우 구동 종료 신호(DES)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다. 또한, 타이밍 제어부(170)는 제2 문턱전압 센싱 모드 종료 후에 표시패널 구동부를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할 필요가 없는 경우에도 구동 종료 신호(DES)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다.
타이밍 제어부(170)는 직렬 데이터 통신 수신부(receiver, RX)를 포함함에 비해, 직렬 데이터 통신 송신부(transmitter, TX)를 포함하지 않으므로, 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)를 시스템 온 칩(200)으로부터 직렬 데이터 통신 인터페이스로 입력받는데 비해, 구동 종료 신호(DES)를 하이/로우 전압 신호로 시스템 온 칩(200)에 출력한다.
메모리(180)는 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1), 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2), 및 보상 데이터(CDATA)를 저장한다. 타이밍 제어부(170)는 메모리(180)로부터 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1), 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2), 및 보상 데이터(CDATA)를 읽고(read), 제1 센싱 데이터(SD1)와 제2 센싱 데이터(SD2)를 이용하여 연산하여 산출된 새로운 보상 데이터(CDATA)를 쓰기(write)할 수 있다. 메모리(180)는 휘발성 메모리들과 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 휘발성 메모리는 DDR 메모리이고, 비휘발성 메모리는 NAND 플래쉬 메모리일 수 있다.
전압 공급부(190)는 시스템 회로보드(210)로부터 인가되는 메인 전원으로부터 기준전압(VREF)을 생성하여 데이터 구동부(120)의 소스 드라이브 IC(121)들에 공급한다. 그 외에, 전원 공급부(190)는 메인 전원으로부터 고전위 전압에 해당하는 제1 전원 전압과 저전위 전압에 해당하는 제2 전원 전압을 생성하여 표시패널(110)에 공급할 수 있으며, 구동 전압들을 소스 드라이브 IC들(121A), 스캔신호 출력부(131), 센싱신호 출력부(132), 타이밍 제어부(170), 및 메모리(180)에 공급할 수 있다.
타이밍 제어부(170), 메모리(180), 및 전압 공급부(190)는 제어 회로보드(160) 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 타이밍 제어부(170)와 전압 공급부(190)는 집적회로와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다. 제어 회로보드(160)는 연성 인쇄회로보드 또는 인쇄회로보드일 수 있다.
시스템 온 칩(200)은 시스템 회로보드(210) 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 시스템 온 칩(200)은 집적회로와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다. 시스템 회로보드(210)는 연성 인쇄회로보드 또는 인쇄회로보드일 수 있다.
제어 회로보드(160)는 제2 연성 케이블(220)들에 연결되기 위한 제3 커넥터(221)들을 포함할 수 있다. 제어 회로보드(160)는 제3 커넥터(221)들을 통해 제2 연성 케이블(220)들에 연결될 수 있다. 시스템 회로보드(210)은 제2 연성 케이블(220)들에 연결되기 위한 제4 커넥터(222)들을 포함할 수 있다. 시스템 회로보드(210)는 제4 커넥터(222)들을 통해 제2 연성 케이블(220)들에 연결될 수 있다.
도 1에서는 제어 회로보드(160)와 시스템 회로보드(210)가 복수의 제3 커넥터(221)들과 복수의 제4 커넥터(222)들을 통해 복수의 연성 케이블(220)들에 연결된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제어 회로보드(160)와 시스템 회로보드(210)는 하나의 제3 커넥터(221)와 하나의 제4 커넥터(222)를 통해 하나의 제2 연성 케이블(220)에 연결될 수 있다.
도 3은 도 2의 화소를 상세히 보여주는 회로도이다.
도 3에서는 설명의 편의를 위해 제j(j는 1≤j≤m을 만족하는 양의 정수) 데이터라인(Dj), 제u(u는 1≤u≤p을 만족하는 양의 정수) 기준전압 라인(Ru), 제k(k는 1≤k≤n을 만족하는 양의 정수) 스캔 라인(Sk), 및 제k 센싱신호 라인(SEk)에 접속된 화소(P), 데이터전압 공급부(121A), ADC(121B), 스위칭부(121C)의 제1 스위치(SW1)와 제2 스위치(SW2)만을 도시하였다.
도 3을 참조하면, 표시패널(10)의 화소(P)는 발광소자(EL), 구동 트랜지스터(DT), 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터들(ST2), 및 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
발광소자(EL)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 발광소자(EL)는 유기발광 다이오드(organic light emitting diode) 또는 마이크로 발광 다이오드(micro light emitting diode)로 구현될 수 있다. 이 경우, 발광소자(EL)는 애노드 전극(anode electrode), 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극(cathode electrode)을 포함할 수 있다. 발광소자(EL)는 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 발광소자(EL)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 고전위 전압보다 낮은 저전위 전압이 공급되는 제2 전원 라인(VSL)에 접속될 수 있다.
구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 따라 제1 전원전압이 공급되는 제1 전원 라인(EVL)으로부터 발광소자(EL)로 흐르는 전류를 조정한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 제1 전극에 접속되고, 소스 전극은 발광소자(EL)의 애노드 전극에 접속되며, 드레인 전극은 고전위 전압이 인가되는 제1 전원 라인(EVL)에 접속될 수 있다.
제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호에 의해 턴-온되어 제j 데이터 라인(Dj)을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속시킨다. 제1 스위칭 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제k 스캔 라인(Sk)에 접속되고, 제1 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 접속되며, 제2 전극은 제j 데이터 라인(Dj)에 접속될 수 있다.
제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호에 의해 턴-온되어 제u 기준전압 라인(Ru)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속시킨다. 제2 스위칭 트랜지스터(ST3)의 게이트 전극은 제k 센싱신호 라인(SEk)에 접속되고, 제1 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)에 접속되며, 제2 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속될 수 있다.
제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제1 전극은 드레인 전극이고, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.
커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압을 저장한다.
구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 3에서는 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 이 경우 도 4, 도 5, 및 도 6의 타이밍 도는 P 타입 MOSFET의 특성에 맞게 적절하게 수정될 수 있다.
도 4는 표시 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 4를 참조하면, 표시 모드에서 1 프레임 기간은 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2)을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 발광 데이터전압(EVdata)을 공급하고, 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2)은 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)에 따라 발광소자(EL)가 발광하는 기간이다. 제1 기간(t1)은 1 수평 기간일 수 있다. 1 수평 기간은 1 수평 라인의 화소(P)들에 데이터전압들이 공급되는 기간을 가리킨다.
제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)와 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 기간(t1) 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급되고, 제2 기간(t2) 동안 게이트 오프 전압(Voff)으로 공급된다. 화소(P)의 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 게이트 온 전압(Von)에 의해 턴-온되고, 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 턴-오프될 수 있다.
제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급될 수 있다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급될 수 있다. 제1 및 제2 스위치들(SW1, SW2) 각각은 제1 로직 레벨 전압에 의해 턴-온되고, 제2 로직 레벨 전압에 의해 턴-오프될 수 있다. 이에 따라, 표시 모드의 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되고, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다. 이로 인해, 표시 모드에서는 제u 기준 전압 라인(Ru)에 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다.
이하에서는, 도 3과 도 4를 결부하여 표시 모드의 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.
첫 번째로, 제1 기간(t1) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제j 데이터 라인(Dj)의 발광 데이터 전압(EVdata)이 공급된다. 제1 기간(t1) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다.
두 번째로, 제2 기간(t2) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프된다. 제2 기간(t2) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-오프된다.
제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압(Vg)과 소스 전압(Vs) 간의 전압 차에 따른 전류(Ids)는 발광소자(EL)로 흐른다. 이로 인해, 발광소자(EL)는 발광한다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 "구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압(Vg)과 소스 전압(Vs) 간의 전압 차에 따라 구동 트랜지스터(DT)를 통해 흐르는 전류(Ids)"를 "구동 트랜지스터의 전류(Ids)"로 정의한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 일 실시예는 표시 모드에서 발광 데이터 전압(EVdata)을 화소(P)에 공급한다. 발광 데이터 전압(EVdata)은 보상 데이터(CDATA)를 이용하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보상한 보상 비디오 데이터(CVDATA)에 따라 생성된 데이터 전압이다. 그 결과, 본 명세서의 일 실시예는 화소(P)의 발광소자(EL)를 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자 이동도에 의존하지 않는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)에 따라 발광할 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예는 화소(P)들의 휘도 균일도를 높일 수 있다.
도 5는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 5를 참조하면, 제1 문턱전압 센싱 모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제4 기간들(t1'~t4')을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1')은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2')은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)을 공급하는 기간이다. 제3 기간(t3')은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 기간이다. 제4 기간(t4')은 휴지 기간이다.
제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)는 제2 기간(t2')과 제3 기간(t3') 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 내지 제3 기간들(t1'~t3') 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 화소(P)의 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 게이트 온 전압(Von)에 의해 턴-온되고, 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 턴-오프될 수 있다.
제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1') 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급되고, 제2 내지 제4 기간(t4') 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급된다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1'), 제2 기간(t2') 및 제4 기간(t4') 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급되고, 제3 기간(t3') 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급된다. 제1 및 제2 스위치들(SW1, SW2) 각각은 제1 로직 레벨 전압에 의해 턴-온되고, 제2 로직 레벨 전압에 의해 턴-오프될 수 있다.
이하에서는, 도 3과 도 5를 결부하여 제1 문턱전압 센싱 모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.
첫 번째로, 제1 기간(t1') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔 신호(SCANk)에 의해 턴-오프되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1') 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.
제1 기간(t1') 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다. 제1 기간(t1') 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준전압(VREF)으로 초기화된다.
두 번째로, 제2 기간(t2') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2') 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.
제2 기간(t2') 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않는다. 또한, 제2 기간(t2') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)가 턴-온되므로, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)이 공급된다.
제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata1-VREF)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(threshold voltage)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)가 문턱전압(Vth1)에 도달할 때까지 전류를 흘리게 된다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 도 5와 같이 "SVdata1-Vth1"까지 상승한다. 즉, 제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 센싱된다.
세 번째로, 제3 기간(t3') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제3 기간(t3') 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-온된다.
제3 기간(t3') 동안 제2 스위치(SW2)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(121B)에 접속된다. 제3 기간(t3') 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)을 통해 ADC(121B)에 접속된다. 따라서, ADC(121B)는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압, 즉, "SVdata1-Vth1"를 센싱할 수 있다.
네 번째로, 제4 기간(t4') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2), 제1 스위치(SW1), 및 제2 스위치(SW2)가 모두 턴-오프된다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 실시예는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth1)이 반영된 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압 "SVdata1-Vth1"를 센싱할 수 있다.
도 6은 제2 문턱전압 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 6을 참조하면, 제2 문턱전압 센싱 모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제4 기간들(t1"~t4")을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1")은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2")은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)을 공급하는 기간이다. 제3 기간(t3")은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 기간이다. 제4 기간(t4")은 휴지 기간이다.
제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)는 제2 기간(t2")과 제3 기간(t3") 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 내지 제3 기간들(t1"~t3") 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 화소(P)의 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 게이트 온 전압(Von)에 의해 턴-온되고, 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 턴-오프될 수 있다.
제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1") 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급되고, 제2 내지 제4 기간(t2"~t4") 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급된다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1"), 제2 기간(t2") 및 제4 기간(t4") 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급되고, 제3 기간(t3") 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급된다. 제1 및 제2 스위치들(SW1, SW2) 각각은 제1 로직 레벨 전압에 의해 턴-온되고, 제2 로직 레벨 전압에 의해 턴-오프될 수 있다.
이하에서는, 도 3과 도 6을 결부하여 제2 문턱전압 센싱 모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.
첫 번째로, 제1 기간(t1") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔 신호(SCANk)에 의해 턴-오프되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1") 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.
제1 기간(t1") 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다. 제1 기간(t1") 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준전압(VREF)으로 초기화된다.
두 번째로, 제2 기간(t2") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2") 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.
제2 기간(t2") 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않는다. 또한, 제2 기간(t2") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)가 턴-온되므로, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)이 공급된다.
제2 기간(t2") 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata1-VREF)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(threshold voltage)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 전류를 흘리게 된다. 한편, 제2 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2")의 길이가 제1 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2')의 길이보다 짧다. 예를 들어, 제2 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2")의 길이는 전자 이동도 센싱 모드의 제2 기간(t2^)의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다. 이로 인해, 제2 문턱전압 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 도 6과 같이 제1 문턱전압 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압인 "Vdata1-Vth1"보다 낮은 "SVdata1-Vth2"까지 상승한다.
세 번째로, 제3 기간(t3") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제3 기간(t3") 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-온된다.
제3 기간(t3") 동안 제2 스위치(SW2)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(121B)에 접속된다. 제3 기간(t3") 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)을 통해 ADC(121B)에 접속된다. 따라서, ADC(121B)는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압, 즉, "SVdata1-Vth2"를 센싱할 수 있다.
네 번째로, 제4 기간(t4') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2), 제1 스위치(SW1), 및 제2 스위치(SW2)가 모두 턴-오프된다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 일 실시예는 제2 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2")의 길이를 제1 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2')의 길이보다 짧게 조정한다. 그 결과, 본 명세서의 일 실시예는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널(110)의 모든 화소(P)들의 구동 트랜지스터(DT)들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간을 제1 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널(110)의 모든 화소(P)들의 구동 트랜지스터(DT)들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간보다 크게 줄일 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에서는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 센싱되는 제2 센싱 데이터(SD2)가 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보상하기 위한 것이 아니라, 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 변동되었는지를 판단하여 제1 문턱전압 센싱 모드를 수행할지를 결정하기 위한 것이다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예에서는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 센싱되는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압(SVdata1-Vth2)이 제1 문턱전압 센싱 모드에서와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 정확하게 반영하고 있을 필요가 없으며, 어느 정도, 대략 70~80% 이상 반영하고 있으면 충분하다.
도 7은 전자 이동도 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 7을 참조하면, 제1 센싱 모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제3 기간들(t1^~t3^)을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1^)은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2^)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 센싱 데이터전압(SVdata1)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 기간이다. 제3 기간(t3^)은 휴지 기간이다.
제k 스캔라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)는 제2 기간(t2^) 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 제k 센싱신호라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 기간(t1^)과 제2 기간(t2^) 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다.
제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1^) 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급되고, 제2 기간(t2^)과 제3 기간(t3^) 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급된다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1^)과 제3 기간(t3^) 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급되고, 제2 기간(t2^) 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급된다.
이하에서는, 도 3과 도 7을 결부하여 전자 이동도 센싱 모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.
첫 번째로, 제1 기간(t1^) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1^) 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.
제1 기간(t1^) 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다. 제1 기간(t1^) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준전압(VREF)으로 초기화된다.
두 번째로, 제2 기간(t2^) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2^) 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-온된다.
제2 기간(t2^) 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않는다. 또한, 제2 기간(t2^) 동안 제2 스위치(SW2)의 턴-온으로 인해 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(121B)에 접속된다. 제2 기간(t2^) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제2 센싱 데이터 전압(SVdata2)이 공급된다. 제2 센싱 데이터 전압(SVdata2)은 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)보다 낮은 전압이다. 제2 기간(t2^) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)을 통해 ADC(121B)에 접속된다.
제2 기간(t2^) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata2-VREF)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(threshold voltage, Vth)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 전류를 흘리게 된다.
이때, 구동 트랜지스터(DT)의 전류는 수학식 2와 같이 정의될 수 있다.
Figure 112017108143593-pat00002
수학식 2에서, "Ids"는 구동 트랜지스터(DT)의 전류, "K"는 전자 이동도, "Cox"는 절연막의 커패시턴스, "W"는 구동 트랜지스터(DT)의 채널 폭, "L"은 구동 트랜지스터(DT)의 채널 길이를 의미한다.
구동 트랜지스터(DT)의 전류는 수학식 2와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 비례하므로, 제2 기간(t2^) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)의 상승량은 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 비례한다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도가 클수록 제2 기간(t2^) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압(Vs)의 상승량은 더욱 커진다.
결국, 제2 기간(t2^) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 따라 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압(Vs)의 상승량이 달라지며, 도 5에서는 전자 이동도(K)에 따른 소스 전압(Vs)의 상승량을 α로 정의하였다. 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 전자 이동도(K)에 따라 도 7과 같이 "VREF+α"까지 상승한다. 따라서, 제2 기간(t2^) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)가 반영된 전압이 센싱된다.
네 번째로, 제4 기간(t4') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2), 제1 스위치(SW1), 및 제2 스위치(SW2)가 모두 턴-오프된다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 전자 이동도 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)가 반영된 구동 트랜지스터의 소스 전압 "VREF+α"를 센싱할 수 있다.
도 8은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 구동방법을 보여주는 흐름도이다.
이하에서는, 도 8을 결부하여 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 제1 문턱전압 센싱 모드와 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 방법을 상세히 설명한다.
첫 번째로, 시스템 온 칩(200)은 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 제1 시간을 경과하였는지를 판단한다. 시스템 온 칩(200)은 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간을 판단하기 위한 타이머를 포함할 수 있다. (도 8의 S101)
두 번째로, 시스템 온 칩(200)은 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 제1 시간을 경과한 경우, 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 있을 때 발광 표시장치를 턴-오프하기 전에 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하기 위한 트리거 신호(TRS) 출력을 예약한다. (도 8의 S102)
세 번째로, 시스템 온 칩(200)은 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 있는 경우, 예를 들어 사용자가 리모콘으로 발광 표시장치를 턴-오프하는 경우, 예약된 트리거 신호(TRS)를 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 함께 타이밍 제어부(170)로 출력한다.
타이밍 제어부(170)는 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 이로 인해, 타이밍 제어부(170)는 표시패널(110)로부터 센싱된 제1 센싱 데이터(SD1)를 입력받으며, 제1 센싱 데이터(SD1)에 따라 새로운 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 메모리(180)에 저장한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)를 반영하여 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 업데이트 한다. (도 8의 S103)
네 번째로, 시스템 온 칩(200)은 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 제1 시간을 경과하지 않은 경우, 트리거 신호(TRS) 출력을 예약하지 않는다. 이때, 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 있는 경우, 시스템 온 칩(200)은 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)를 타이밍 제어부(170)로 출력하며, 트리거 신호(TRS)를 타이밍 제어부(170)로 출력하지 않는다.
또한, 시스템 온 칩(200)은 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 없는 경우, 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)를 타이밍 제어부(170)로 출력하지 않으며, 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 제1 시간을 경과하였는지를 계속해서 판단한다. (도 8의 S104)
다섯 번째로, 타이밍 제어부(170)는 트리거 신호(TRS)는 입력되지 않고 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)만이 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 이로 인해, 타이밍 제어부(170)는 표시패널(110)로부터 센싱된 제2 센싱 데이터(SD2)를 입력받을 수 있다.
타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석하여 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 여부를 결정한다. 구체적으로, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석한 결과 소정의 개수 이상의 화소(P)들에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 변동되었는지를 판단한다. 도 8의 S106 단계에 대한 자세한 설명은 도 9를 결부하여 후술한다. (도 8의 S105)
여섯 번째로, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석한 결과 소정의 개수 이상의 화소(P)들에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 변동되었다고 판단되는 경우, 표시패널 구동부(110)를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 이 경우, 타이밍 제어부(170)는 표시패널(110)로부터 센싱된 제1 센싱 데이터(SD1)를 입력받으며, 제1 센싱 데이터(SD1)에 따라 새로운 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 메모리(180)에 저장한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)를 반영하여 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 업데이트 한다. (도 8의 S106)
일곱 번째로, 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드가 종료되는 경우와 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석한 결과 소정의 개수 이상의 화소(P)들에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 변동되지 않았다고 판단되는 경우, 구동 종료 신호(DES)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다. 시스템 온 칩(200)은 타이밍 제어부(170)로부터 구동 종료 신호(DES)를 입력받으면, 표시장치를 턴-오프한다. (도 8의 S107)
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 미리 정해진 제1 시간을 경과하지 않았더라도, 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 있는 경우, 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하여 제2 센싱 데이터(SD2)를 센싱하고, 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석하여 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 여부를 결정한다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 미리 정해진 제1 시간보다 짧게 구동되는 경우에도 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정할 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 제대로 보상되지 않아 화질 저하가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 5 및 도 6을 결부하여 설명한 바와 같이, 본 명세서의 일 실시예는 제2 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2")의 길이는 제1 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2')의 길이를 짧게 함으로써, 제2 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널(110)의 모든 화소(P)들의 구동 트랜지스터(DT)들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간을 제1 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널(110)의 모든 화소(P)들의 구동 트랜지스터(DT)들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간보다 크게 줄일 수 있다. 그 결과, 본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-오프 소요 시간을 크게 늘리지 않고도 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정할 수 있다.
한편, 본 명세서의 일 실시예에서는 설명의 편의를 위해 표시장치의 턴-오프 신호(TOS), 트리거 신호(TRS), 및 구동 종료 신호(TOS)가 출력되거나 출력되지 않는다고 설명하였다. 하지만, 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 출력되는 경우는 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 제1 로직 값으로 출력되는 경우를 가리키고, 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 출력되지 않는 경우는 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 제2 로직 값으로 출력되는 경우를 가리킬 수 있다. 또한, 구동 종료 신호(TOS)가 출력되는 경우는 구동 종료 신호(TOS)가 하이 전압 신호로 출력되는 경우를 가리키고, 구동 종료 신호(TOS)가 출력되지 않는 경우는 구동 종료 신호(TOS)가 로우 전압 신호로 출력되는 경우를 가리킬 수 있다.
도 9는 도 8의 S105 단계를 상세히 보여주는 흐름도이다.
도 9를 참조하면, 첫 번째로, 1 프레임 기간 동안 화소(P)들에 블랙 데이터 전압을 인가하여 화소(P)들이 블랙을 표시하도록 한다.
구체적으로, 타이밍 제어부(170)는 1 프레임 기간 동안 메모리(180)에 저장된 블랙 비디오 데이터를 데이터 타이밍 제어신호(DCS)와 함께 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 데이터전압 공급부(121A)는 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 블랙 비디오 데이터를 블랙 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들에 출력한다. 스캔신호 출력부(131)는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔신호들을 생성하여 스캔 라인들에 출력하고, 센싱신호 출력부(132)는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)에 따라 센싱신호들을 생성하여 센싱신호 라인들에 출력한다. 이에 따라, 화소(P)들 각각은 스캔 신호가 인가될 때 블랙 데이터 전압을 인가받으며, 이에 따라 블랙을 표시한다. (도 9의 S201)
두 번째로, 타이밍 제어부(170)는 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하여 제2 센싱 데이터(SD2)를 입력받는다.
구체적으로, 타이밍 제어부(170)는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 타이밍 제어부(170)는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제2 센싱 데이터(SD2)를 입력받는다. (도 9의 S202)
세 번째로, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석하여 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 여부를 결정한다.
구체적으로, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석한 결과 소정의 개수 이상의 화소(P)들에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 변동되었는지를 판단한다.
예를 들어, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2) 중에서 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터(SD2)의 개수를 산출한다. 기준 범위는 상한 기준 값과 하한 기준 값 사이의 범위를 포함할 수 있다. 상한 기준 값은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 포지티브 쉬프트된 경우에 해당하는지를 판단하기 위한 값이며, 하한 기준 값은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 네거티브 쉬프트된 경우에 해당하는지를 판단하기 위한 값이다. 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 기준 범위를 벗어나는 경우 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 보상이 필요한 만큼 쉬프트되었다고 판단할 수 있다.
그리고 나서, 타이밍 제어부(170)는 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터(SD2)의 개수가 기준 값 이상인지를 판단한다. 타이밍 제어부(170)는 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터(SD2)의 개수가 기준 값 이상인 경우, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압의 보상이 필요한 화소(P)의 개수가 충분히 많다고 판단할 수 있다. 그러므로, 타이밍 제어부(170)는 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터(SD2)의 개수가 기준 값 이상인 경우, 표시패널(110)의 화소(P)들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 보상할 필요가 있다고 판단할 수 있다.
따라서, 타이밍 제어부(170)는 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터(SD2)의 개수가 기준 값 이상인 경우 표시패널 구동부를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하며, 그렇지 않은 경우 구동 종료 신호(DES)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다. (도 9의 S203)
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 표시패널 111: 하부 기판
112: 상부 기판 120: 데이터 구동부
121: 소스 드라이브 IC 121A: 데이터전압 공급부
121B: 아날로그 디지털 컨버터 121C: 스위칭부
122: 연성필름 130: 스캔 구동부
131: 스캔신호 출력부 132: 센싱신호 출력부
140: 소스 회로보드 150: 제1 연성 케이블
160: 제어 회로보드 170: 타이밍 제어부
180: 메모리 190: 전압 공급부
200: 시스템 온 칩 210: 시스템 회로보드
220: 제2 연성 케이블

Claims (17)

  1. 데이터 라인들, 스캔 라인들, 및 상기 데이터 라인들과 상기 스캔 라인들의 교차 영역들에 배치된 화소들을 포함하는 표시패널;
    상기 데이터 라인들에 데이터 전압들을 인가하고, 상기 스캔 라인들에 스캔신호들을 인가하는 표시패널 구동부; 및
    상기 표시패널 구동부의 동작 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부를 구비하고,
    상기 타이밍 제어부는 표시장치의 턴-오프 신호와 트리거 신호가 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 상기 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하고,
    상기 타이밍 제어부는 상기 표시장치의 턴-오프 신호가 입력되고 상기 트리거 신호가 입력되지 않는 경우, 표시패널 구동부를 상기 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하며,
    상기 제2 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간은 상기 제1 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간보다 짧고,
    상기 타이밍 제어부는
    상기 제2 문턱전압 센싱 모드에서 상기 표시패널 구동부를 통해 공급받은 상기 화소들 각각의 제2 센싱 데이터에서 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터의 개수를 판단하여 상기 제1 문턱전압 센싱 모드의 진행 여부를 결정하되, 상기 제2 센싱 데이터를 이용하여 보상 데이터를 생성하지 않으며,상기 제1 문턱전압 센싱 모드에서 상기 표시패널 구동부로부터 공급받은 상기 화소들 각각의 제1 센싱 데이터를 이용하여 메모리의 보상 데이터를 업데이트하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는 상기 기준 범위를 벗어나는 상기 제2 센싱 데이터의 개수가 기준 값 이상인 경우 상기 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는 상기 기준 범위를 벗어나는 상기 제2 센싱 데이터의 개수가 상기 기준 값보다 작은 경우 구동 종료 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부로 디지털 비디오 데이터를 출력하는 시스템 온 칩을 더 구비하고,
    상기 표시장치의 턴-오프 신호와 상기 트리거 신호는 직렬 데이터 통신으로 상기 시스템 온 칩으로부터 상기 타이밍 제어부로 입력되고, 상기 구동 종료 신호는 상기 타이밍 제어부로부터 상기 시스템 온 칩으로 하이/로우 전압 신호로 출력되는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는 상기 제1 문턱전압 센싱 모드와 상기 제2 문턱전압 센싱 모드에서 제1 센싱 디지털 데이터를 상기 표시패널 구동부에 공급하며,
    상기 표시패널 구동부는 상기 제1 문턱전압 센싱 모드와 상기 제2 문턱전압 센싱 모드에서 상기 제1 센싱 디지털 데이터를 제1 센싱 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 인가하고,
    상기 제1 문턱전압 센싱 모드의 상기 제1 센싱 데이터 전압은 상기 제2 문턱전압 센싱 모드의 상기 제1 센싱 데이터 전압과 동일한 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는 시스템 온 칩으로부터 표시 장치의 턴-온 신호가 입력되는 경우, 상기 화소들의 구동 트랜지스터들의 전자 이동도들을 센싱하는 전자 이동도 센싱 모드로 구동하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는 상기 전자 이동도 센싱 모드에서 제2 센싱 디지털 데이터를 상기 표시패널 구동부에 공급하며,
    상기 표시패널 구동부는 상기 전자 이동도 센싱 모드에서 상기 제2 센싱 디지털 데이터를 제2 센싱 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 인가하고,
    상기 제1 센싱 데이터 전압은 상기 제2 센싱 데이터 전압보다 높은 전압인 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 화소들 각각은,
    발광소자;
    상기 발광소자에 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터;
    스캔 라인의 스캔신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 라인의 접속을 스위칭하는 제1 트랜지스터; 및
    센싱신호 라인의 센싱신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극과 기준전압 라인의 접속을 스위칭하는 제2 트랜지스터; 및
    상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 문턱전압 센싱 모드에서 상기 스캔신호의 펄스 폭은 상기 제2 문턱전압 센싱 모드에서 상기 스캔신호의 펄스 폭보다 크고, 상기 제1 문턱전압 센싱 모드에서 상기 센싱신호의 펄스 폭은 상기 제2 문턱전압 센싱 모드에서 상기 센싱신호의 펄스 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 문턱전압 센싱 모드에서 상기 스캔신호의 펄스 폭은 상기 전자 이동도 센싱 모드에서 상기 스캔신호의 펄스 폭보다 크고, 상기 제1 문턱전압 센싱 모드에서 상기 센싱신호의 펄스 폭은 상기 전자 이동도 센싱 모드에서 상기 센싱신호의 펄스 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 시스템 온 칩은 사용자가 상기 표시장치의 턴-오프를 요청하는 경우, 상기 표시장치의 턴-오프 신호와 함께 트리거 신호를 상기 타이밍 제어부로 출력하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 시스템 온 칩은 상기 표시장치의 턴-온 지속 시간이 제1 시간을 경과한 경우 상기 트리거 신호를 상기 타이밍 제어부로 출력하고, 상기 표시장치의 턴-온 시간이 상기 제1 시간을 경과하지 않은 경우 상기 트리거 신호를 상기 타이밍 제어부로 출력하지 않는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는 상기 표시장치의 턴-오프 신호가 입력되는 경우, 상기 제1 문턱전압 센싱 모드 또는 상기 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하기 전에 블랙 비디오 데이터를 상기 표시패널 구동부에 공급하며,
    상기 표시패널 구동부는 상기 블랙 비디오 데이터를 블랙 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 인가하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시패널 구동부는
    상기 데이터 라인들에 상기 데이터 전압들을 인가하는 데이터 구동부; 및
    상기 스캔 라인들에 상기 스캔 신호들을 인가하는 스캔 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  15. 사용자가 표시장치의 턴-오프를 요청하는 경우, 상기 표시장치의 턴-온 시간이 제1 시간을 경과한 경우 트리거 신호와 턴-오프 신호를 출력하고, 상기 표시장치의 턴-온 시간이 상기 제1 시간을 경과하지 않은 경우 상기 트리거 신호를 출력하지 않고 상기 턴-오프 신호를 출력하는 단계;
    상기 트리거 신호와 상기 턴-오프 신호가 입력되는 경우, 표시패널의 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계; 및
    상기 트리거 신호가 입력되지 않고 상기 턴-오프 신호가 입력되는 경우, 상기 표시패널의 상기 화소들의 상기 구동 트랜지스터들의 상기 문턱전압들을 센싱하는 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간은 상기 제1 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간보다 짧으며,
    상기 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계는,
    타이밍 제어부가 상기 표시패널을 구동하는 표시패널 구동부를 상기 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하고, 상기 표시패널 구동부를 통해 공급받은 상기 화소들 각각의 제2 센싱 데이터에서 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터의 개수를 판단하여 상기 제1 문턱전압 센싱 모드의 진행 여부를 결정하되, 상기 제2 센싱 데이터를 이용하여 보상 데이터를 생성하지 않으며,
    상기 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계는,
    상기 타이밍 제어부가 상기 표시패널 구동부를 상기 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하고, 상기 표시패널 구동부를 통해 공급받은 상기 화소들 각각의 제1 센싱 데이터를 이용하여 메모리의 보상 데이터를 업데이트하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 구동방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1 문턱전압 센싱 모드 또는 상기 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하기 전에 상기 화소들을 블랙으로 표시하는 단계를 더 포함하는 발광 표시장치의 구동방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계는,
    상기 기준 범위를 벗어난 상기 제2 센싱 데이터의 개수가 기준 값 이상인 경우 상기 제1 문턱전압 센싱 모드로 진행하는 단계; 및
    상기 기준 범위를 벗어난 상기 제2 센싱 데이터의 개수가 상기 기준 값보다 작은 경우 구동 종료 신호를 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 구동방법.
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