KR101671512B1

KR101671512B1 - 유기전계발광표시장치

Info

Publication number: KR101671512B1
Application number: KR1020080105280A
Authority: KR
Inventors: 이호영; 전창훈; 김중철
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2008-10-27
Filing date: 2008-10-27
Publication date: 2016-11-01
Also published as: KR20100046439A

Abstract

본 발명의 실시예는, 기판; 및 기판 상에 위치하고 서로 다른 색을 발광하는 3개 이상의 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀을 포함하고, 단위픽셀 중 적어도 하나의 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적은 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적보다 넓은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.

유기전계발광표시장치, 채널, 휘도

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display}

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.

유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.

유기전계발광표시장치는 증착공정과 식각공정 등을 병행하는 제조공정을 통해 트랜지스터, 커패시터 및 유기 발광다이오드 등을 포함하는 복수의 서브 픽셀이 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된다.

위와 같은 공정을 통해 제조된 유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 형성된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 패널에 영상을 표시할 수 있다.

한편, 패널에 형성된 복수의 서브 픽셀은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀이 하나의 단위픽셀로 구성된다. 유기전계발광표시장치의 경우 이를 제조하는 과정에서 단위픽셀을 구성하는 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀 간의 특성 편차가 발생하게 된다. 이와 같이, 단위픽셀을 구성하는 서브 픽셀 간의 특성 편차가 발생하면, 패널에 휘도가 불균일 하게 나타나게 되어 표시품질이 저하 하게 되므로 이의 개선이 요구된다.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 단위픽셀을 구성하는 서브 픽셀 간의 발광 효율 편차에 따른 문제를 해결하여 패널의 표시품질을 개선할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 기판; 및 기판 상에 위치하고 서로 다른 색을 발광하는 3개 이상의 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀을 포함하고, 단위픽셀 중 적어도 하나의 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적은 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적보다 넓은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.

구동 트랜지스터의 채널의 면적이 넓은 서브 픽셀은, 녹색 서브 픽셀일 수 있다.

녹색 서브 픽셀의 개구영역은, 다른 서브 픽셀의 개구영역보다 상대적으로 작을 수 있다.

3개 이상의 서브 픽셀의 개구영역은, 하나 이상 다를 수 있다.

단위픽셀 중 청색 서브 픽셀의 개구영역은, 다른 서브 픽셀의 개구영역보다 상대적으로 클 수 있다.

단위픽셀 중 청색 서브 픽셀의 개구영역이 가장 크고, 녹색 서브 픽셀의 개 구영역이 가장 작을 수 있다.

한편, 다른 측면에서 본 발명의 실시예는, 기판; 및 기판 상에 위치하고 서로 다른 색을 발광하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀을 포함하고, 복수의 서브 픽셀은, 개구영역과 구동 트랜지스터의 채널의 면적이 하나 이상 다른 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.

단위픽셀은, 녹색 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적이 가장 클 수 있다.

단위픽셀 중 청색 서브 픽셀의 개구영역이 가장 크고, 녹색 서브 픽셀의 개구영역이 가장 작을 수 있다.

단위픽셀은, 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예는, 단위픽셀에 포함된 서브 픽셀 중 발광 효율이 가장 높은 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적(W×L)을 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적보다 상대적으로 넓게 하여 패널의 휘도 균일도 및 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. 본 발명의 실시예는, 휘도 균일도 및 표시품질을 향상시켜 스테인(stain; 얼룩) 불량을 개선하는 효과와 패널의 장기 구동에 따른 열화로 인한 화이트 밸런스 수명을 개선하는 효과와 고온/저온 환경 상에서의 표시품질 성능을 개선하는 효과가 있다.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기전계발광표시장치는 기판(110) 상에 위치하고 서로 다른 색을 발광하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀(R,G,B)을 포함하는 표시부(130)를 포함할 수 있다.

기판(110)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다. 기판(110)의 재료로는, 유리판, 금속판, 세라믹판 또는 플라스틱판(폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소수지 등) 등을 예로 들 수 있다.

기판(110) 상에 위치하는 단위픽셀(R,G,B)은 수분이나 산소에 취약하다. 이에 따라, 밀봉기판(140)을 구비하고, 표시부(130)의 외곽 기판(110)에 접착부재(150)를 형성하여 기판(110)과 밀봉기판(140)을 봉지할 수 있다. 여기서, 밀봉기판(140)의 재료는 기판(110)과 동일하거나 다른 재료를 이용할 수 있다.

단위픽셀(R,G,B)은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀과 같이 서로 다른 색을 발광하는 3개의 서브 픽셀을 포함할 수 있으나 이 밖에 다른 색을 발광하는 서브 픽셀을 더 포함할 수도 있다. 단위픽셀(R,G,B)이 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함하는 경우, 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀이 모두 발광을 하면 단위픽셀(R,G,B) 은 백색을 나타낼 수 있다. 단위픽셀(R,G,B)에 포함된 모든 서브 픽셀은 트랜지스터와 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드를 각각 포함할 수 있다.

단위픽셀(R,G,B)에 포함된 모든 서브 픽셀은 기판(110) 상에 위치하는 구동부(160)에 의해 구동되어 영상을 표현할 수 있다. 구동부(160)는 외부로부터 공급된 각종 신호에 대응하여 스캔 신호 및 데이터 신호 등을 생성할 수 있으며, 생성된 신호 등을 표시부(130)에 공급할 수 있다.

구동부(160)는 표시부(130)에 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부와 표시부(130)에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함할 수 있다. 여기서, 구동부(160)는 스캔 구동부 및 데이터 구동부가 하나의 칩에 형성된 것을 일례로 개략적으로 도시한 것일 뿐 스캔 구동부와 데이터 구동부 중 하나 이상은 기판(110) 또는 기판(110)의 외부에 구분되어 위치할 수 있다.

이하, 도 1에 도시된 단위픽셀(R,G,B)에 포함된 서브 픽셀의 다양한 회로 구성에 대해 설명한다.

도 2는 2T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.

도 2를 참조하면, 2T(Transistor)1C(capacitor) 구조를 갖는 서브 픽셀은 스캔배선(SCAN)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 트랜지스터(STFT)와, 제1노드(A)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제1전원배선(VDD)과 제1노드(A) 사이에 연결된 커패시터(CST)와, 구동 트랜지스터(DTFT)의 타단에 제1전극 이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.

여기서, 트랜지스터(STFT)는 스캔배선(SCAN)을 통해 공급된 스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 커패시터(CST)는 트랜지스터(STFT)를 통해 공급된 데이터신호를 저장한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동하면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.

도 3은 3T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.

도 3을 참조하면, 3T1C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제3전원배선(VREF)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제1노드(A)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제1전원배선(VDD)과 제1노드(A) 사이에 연결된 커패시터(CST)와, 구동 트랜지스터(DTFT)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.

여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의 해 턴온되며 제3전원배선(VREF)을 통해 공급된 참조전압을 전달한다. 커패시터(CST)는 트랜지스터(STFT)를 통해 공급된 데이터신호를 저장한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동하면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.

도 4는 4T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.

도 4를 참조하면, 4T2C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제1노드(A)와 제1전원배선(VDD) 사이에 연결된 제1커패시터(CST1)와, 제1노드(A)와 제2노드(B) 사이에 연결된 제2커패시터(CST2)와, 제2노드(B)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제3노드(C)에 일단이 연결된 제3트랜지스터(STFT3)와, 제3트랜지스터(STFT3)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.

여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제1커패시터(CST1)는 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전압과 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 전압의 차전압을 유지한다. 그리고 제2커패시터(CST2)는 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 데이터신호와 제1커패시터(CST1)에 유지된 전압에 의한 데이터신호를 저장한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)의 문턱전압을 제어한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 제2커패시터(CST2)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 제3트랜지스터(STFT3)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)를 통해 흐르는 전류를 제어한다. 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동을 하고 제3트랜지스터(STFT3)가 턴온 상태가 되면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.

도 5는 5T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.

도 5를 참조하면, 5T1C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제1노드(A)와 제2노드(B) 사이에 연결된 커패시터(CST)와, 제2노드(B)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제1노드(A)에 일단이 연결되며 제3전원배선(VREF)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 제3트랜지스터(STFT3)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제3노드(C)에 일단이 연결된 제4트랜지스터(STFT4)와, 제4트랜지스터(STFT4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전 극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.

여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 제3전원배선(VREF)를 통해 공급된 참조전압을 전달한다. 그리고 커패시터(CST)는 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 데이터신호를 저장한다. 그리고 제3트랜지스터(STFT3)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)의 문턱전압을 제어한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 제4트랜지스터(STFT4)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)를 통해 흐르는 전류를 제어 한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동을 하고 제4트랜지스터(STFT4)가 턴온 상태가 되면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.

도 6은 5T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.

도 6을 참조하면, 5T2C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제1노드(A)와 제1전원배선(VDD) 사이에 연결된 제1커패시터(CST1)와, 제1노드(A)와 제2노드(B) 사이에 연결된 제2커패시터(CST2)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트 연결되고 제3전원배선(VREF)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제2노드(B)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 제3트랜지스터(STFT3)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제3노드(C)에 일단이 연결된 제4트랜지스터(STFT4)와, 제4트랜지스터(STFT4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.

여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 제3전원배선(VREF)를 통해 공급된 참조전압을 전달한다. 제1커패시터(CST1)는 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전압과 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 전압의 차전압을 유지한다. 그리고 제2커패시터(CST2)는 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 데이터신호와 제1커패시터(CST1)에 유지된 전압에 의한 데이터신호를 저장한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 제2커패시터(CST2)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 제3트랜지스터(STFT4)는 제2스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)의 문턱전압을 제어한다. 제4트랜지스터(STFT4)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)를 통해 흐르는 전류를 제어 한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동을 하고 제4트랜지스터(STFT4)가 턴온 상태가 되면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.

이상 단위픽셀(R,G,B)에 포함된 서브 픽셀의 회로 구성은 도 2 내지 도 6을 참조하여 설명한 것과 같이 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 그러나, 이는 실시예의 일례를 설명하기 위한 것일 뿐, 서브 픽셀의 회로 구성은 도 2 내지 도 6에 한정되지 않는다.

한편, 단위픽셀(R,G,B)에 포함된 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀은 유기 발광다이오드(OLED)에 포함된 발광층의 재료에 따라 발광 효율 편차가 발생한다. 단위픽셀(R,G,B)을 구성하는 서브 픽셀 간의 발광 효율 편차가 발생하면, 패널의 휘도가 불균일하게 나타나므로 표시품질이 저하 하게 된다.

본 발명의 실시예는 이와 같은 문제를 해결하기 위해 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적을 증가 시킨다. 여기서, 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적을 증가시킬 때에는 채널의 폭(Width) 및 길이(Length)를 일정 비율로 동일 또는 유사하게 증가시킨다.

이하, 구동 트랜지스터의 채널 면적 증가에 따른 소자의 문턱전압 및 이동도 특성 변화에 대해 설명한다.

도 7은 채널 면적과 문턱전압 균일도에 대한 관계도 이고, 도 8은 채널 면적과 이동도 균일도에 대한 관계도이다. (도 7 및 도 8에서 CV는 coefficient variable 이다.)

도 7 및 도 8을 참조하면, 구동 트랜지스터의 채널 면적이 증가할수록 소자의 균일도가 향상됨을 알 수 있다. 이와 같이, 구동 트랜지스터의 채널 면적이 증가할수록 소자의 균일도 향상에는 유리하다. 그러나, 모든 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적을 이와 같은 형태로 증가시킬 경우 모든 서브 픽셀의 개구율은 좁아지게 된다.

앞서 설명한 바와 같은 문제를 해결하기 위해 본 발명의 실시예는 단위픽셀(R,G,B) 중 발광 효율이 가장 높은 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적을 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적보다 크게 형성한다.

통상 휘도 및 화질 균일도에 가장 지배적인 영향을 미치는 서브 픽셀은 녹색 서브 픽셀(G)이다. 이는 녹색 서브 픽셀(G)의 발광 효율이 가장 높으며, 단위픽셀(R,G,B)의 휘도 비율 중 화이트 밸런스를 위해 녹색 서브 픽셀(G)이 차지하는 비율이 가장 크기 때문이다.

따라서, 본 발명의 실시예에서는 서브 픽셀 전체의 개구율을 감소시키지 않고, 균일도를 향상시키기 위해 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적을 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적보다 넓게 한다. 다만, 본 발명의 실시예에서는 단위픽셀(R,G,B) 중 발광 효율이 가장 높은 서브 픽셀이 녹색 서브 픽셀(G)인 것을 일례로 할 뿐, 서브 픽셀의 발광 효율에 따라 적색 또는 청색 서브 픽셀 중 하나 이상에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적을 넓게 형성할 수도 있다.

이하, 본 발명의 실시예에 대한 이해를 돕기 위해 앞서 도시한 도 2 내지 도 6 중에서 도 2에 도시된 2T1C의 평면도와 도 5에 도시된 5T1C의 평면도를 통해 휘도 균일도 향상 방법에 대해 더욱 자세히 설명한다.

도 9는 2T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 단위픽셀의 평면 구조도이고, 도 10은 5T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 단위픽셀의 평면 구조도 이다.

도 9를 참조하면, 2T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀(R,G,B)이 도시되고, 도 10을 참조하면, 5T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀(R,G,B)이 도시된다.

도시된 도 9 및 도 10에서, CH1은 적색 서브 픽셀(R)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 영역을 나타내고, CH2는 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 영역을 나타내고, CH3는 청색 서브 픽셀(B)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 영역을 나타낸다.

도 9의 CH1 내지 CH3을 참조하면, 단위픽셀(R,G,B) 중 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적이 적색 및 청색 서브 픽셀(R,B)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적보다 넓게 형성됨을 알 수 있다.

도 10의 CH1 내지 CH3을 참조하면, 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적이 가장 넓게 형성되고 적색 서브 픽셀(R)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적이 가장 좁게 형성됨을 알 수 있다.

이와 같이, 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널의 면적을 달리한 이유는 화질 균일도에 가장 지배적인 영향을 미치는 서브 픽셀이 녹색 서브 픽셀(G)이라는 가정 하에 구성된 것이다. 여기서, 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적을 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적보다 넓게 형성하면, 서브 픽셀 전체의 개구율을 감소시키지 않고 균일도를 향상시킬 수 있다.

녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적을 증가시킬 때에는 패널의 화이트 밸런스 조절을 위해 녹색 서브 픽셀(G)의 개구영역을 다른 서브 픽셀의 개구영역보다 작게할 수도 있다. 여기서, 특정 서브 픽셀의 채널 면적을 달리할 때에는 발광 효율이 낮은 서브 픽셀의 개구영역을 발광 효율이 높은 서브 픽셀의 개구영역보다 크게할 수도 있다.

그러므로, 패널의 화이트 밸런스 조절을 위해 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀 중 하나의 서브 픽셀의 개구영역을 달리하거나 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀 모두의 개구영역을 달리할 수 있다.

일예를 설명하면, 도 9에 도시된 2T1C 서브 픽셀과 같이, 적색 서브 픽셀(R) 및 청색 서브 픽셀(B)의 개구영역을 동일하게 하고 녹색 서브 픽셀(G)의 개구영역을 적색 서브 픽셀(R) 및 청색 서브 픽셀(B)의 개구영역보다 작게한다. 이 경우, 적색 서브 픽셀(R) 및 청색 서브 픽셀(B)의 발광 효율이 유사하다는 가정 하에 녹색 서브 픽셀(G)의 개구영역을 작게함과 동시에 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적을 증가시킨 예이다.

다른 예를 설명하면, 도 10에 도시된 5T1C 서브 픽셀과 같이, 적색 서브 픽셀(R), 녹색 서브 픽셀(G) 및 청색 서브 픽셀(B)의 개구영역을 모두 달리한다. 이는 청색 서브 픽셀(B)의 개구영역을 가장 크게 하고, 녹색 서브 픽셀(G)의 개구영역을 가장 작게한 것이다. 이 경우, 녹색 서브 픽셀(G)의 발광 효율이 가장 우수하고 청색 서브 픽셀(B)의 발광 효율이 가장 저조하다는 가정 하에 녹색 서브 픽셀(G)의 개구영역을 작게함과 동시에 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적을 증가시킨 예이다.

그러므로, 패널의 화이트 밸런스 조절을 위한 방법은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀 각각에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적을 달리하는 방법 또는 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀의 개구영역을 달리하는 방법 중 하나 이상을 사용할 수 있다.

이상 본 발명의 실시예는, 단위픽셀에 포함된 서브 픽셀 중 발광 효율이 가장 높은 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적(W×L)을 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터이 채널 면적보다 상대적으로 넓게 하여 패널의 휘도 균일도 및 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. 본 발명의 실시예는, 휘도 균일도 및 표시품질을 향상시켜 스테인(stain; 얼룩) 불량을 개선하는 효과와 패널의 장기 구동에 따른 열화로 인한 화이트 밸런스 수명을 개선하는 효과와 고온/저온 환경 상에서의 표시품질 성능을 개선하는 효과가 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

도 1은 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도.

도 2는 2T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.

도 3은 3T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.

도 4는 4T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.

도 5는 5T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.

도 6은 5T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.

도 7은 채널 면적과 문턱전압 균일도에 대한 관계도.

도 8은 채널 면적과 이동도 균일도에 대한 관계도.

도 9는 2T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 단위픽셀의 평면 구조도.

도 10은 5T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 단위픽셀의 평면 구조도.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>

110: 기판 130: 표시부

140: 밀봉기판 150: 접착부재

160: 구동부

Claims

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기판; 및

상기 기판 상에 위치하는 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀을 포함하고,

상기 단위픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적은

상기 녹색 서브 픽셀, 상기 청색 서브 픽셀, 상기 적색 서브 픽셀 순으로 좁아지고,

상기 단위픽셀에 포함된 서브 픽셀의 개구영역의 크기는

상기 녹색 서브 픽셀, 상기 적색 서브 픽셀, 상기 청색 서브 픽셀의 순으로 커지는 유기전계발광표시장치.
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