CN115240585B - 显示驱动电路及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了显示驱动电路及显示装置，该显示驱动电路包括多个像素电路；每一个像素电路的数据端与对应的数据线连接，数据线用于提供数据信号；每一个像素电路的栅极端与对应的栅极线连接，栅极线用于提供栅极信号；多个像素电路的电源端均与同一条电源公共线连接；多个像素电路被划分为至少一个第一像素电路和至少一个第二像素电路，第一像素电路的发光效率小于第二像素电路的发光效率，第一像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比大于第二像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比。基于上述方式，可有效改善显示装置的显示效果。

Description

显示驱动电路及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及显示驱动电路及显示装置。
背景技术
现有技术中，在显示装置中通常需要设置多个像素电路以组成一个显示画面所对应的像素电路阵列，而在该多个像素电路中，通常设有多种发光效率的像素电路，例如能够发出红色光的红光像素电路、绿光像素电路和蓝光像素电路，其中，发光效率较低的像素电路(如蓝光像素电路)和发光效率较高的像素电路(如红光像素电路或绿光像素电路)在电流相同时，发光效率较低的像素电路所发出的光的亮度小于发光效率较高的像素电路所发出的光的亮度。
因此，现有技术的缺陷在于，在多个像素电路共用同一公共线所提供的电压时，由于各像素电路本身阻值相同或相近，使得发光效率较低的像素电路和发光效率较高的像素电路的电流相同或相近，进而易使得多个像素电路中发光效率较低的像素电路所发出的光的亮度小于发光效率较高的像素电路所发出的光的亮度，使得显示装置中不同发光效率的像素电路所发出的光的亮度不一致，降低了显示装置的显示画面的均一性，使得显示装置的显示效果较差。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是如何改善显示装置的显示效果。
为了解决上述技术问题，本申请采用的第一个技术方案是：一种显示驱动电路，包括多个像素电路；每一个像素电路的数据端与对应的数据线连接，数据线用于提供数据信号；每一个像素电路的栅极端与对应的栅极线连接，栅极线用于提供栅极信号；多个像素电路的电源端均与同一条电源公共线连接；多个像素电路被划分为至少一个第一像素电路和至少一个第二像素电路，第一像素电路的发光效率小于第二像素电路的发光效率，第一像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比大于第二像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比。
其中，第一像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比与第二像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比之间的比例作为第一比例，第一像素电路发出预设亮度的光时的电流与第二像素电路发出同一预设亮度的光时的电流之间的比例作为第二比例，第一比例与第二比例呈正相关关系。
其中，第一比例等于第二比例。
其中，电源线路为相应像素单元的电源端与电源公共线之间的连接线路，多个像素电路包括至少两个第一像素电路，至少两个第一像素电路中的各像素电路的发光效率相同，至少两个第一像素电路被划分为至少一个第一类像素电路和至少一个第二类像素电路，第一类像素电路的电源线路的长度大于第二类像素电路的电源线路的长度，第一类像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比大于第二类像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比。
其中，第一类像素电路的电源线路的长度与第二类像素电路的电源线路的长度之间的比例作为第三比例，第一类像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比与第二类像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比之间的比例作为第四比例，第三比例与第四比例呈正相关关系。
其中，第三比例与第四比例相等。
其中，第一像素电路为蓝光像素电路，第二像素电路为红光像素电路或绿光像素电路。
其中，像素电路的发光效率与像素电路中的发光半导体材质相关联。
其中，多个像素电路的数量大于2且不大于共用数量，共用数量为基于共用数量计算公式确定的值；共用数量计算公式为：
其中，n1为共用数量，H1为预设常数，k为像素电路的薄膜场效应晶体管的特性参数，I为像素电路中的电流，R1为多个像素电路中相邻像素电路之间的电源线路的电阻，μ为薄膜场效应晶体管的迁移率，W为薄膜场效应晶体管的沟道的宽度，L为薄膜场效应晶体管的沟道的长度，C为薄膜场效应晶体管的构造电容。
为了解决上述技术问题，本申请采用的第二个技术方案是：一种显示装置，包括发光显示模组和上述显示驱动电路。
本申请的有益效果在于：区别于现有技术，本申请的技术方案通过使共用同一电源公共线的多个像素电路中，发光效率较低的第一像素电路中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比大于发光效率较高的第二像素电路中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比，以在电压相同的情况下，使得第一像素电路所对应的电流大于第二像素电路所对应的电流，降低第一像素电路发出的光与第二像素电路发出的光的亮度差异，提高了显示装置的显示画面的均一性，进而改善显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请显示驱动电路的一实施例的结构示意图之一：
图2是本申请显示驱动电路的一实施例的结构示意图之二；
图3是本申请显示驱动电路的一实施例的结构示意图之三；
图4是本申请显示驱动电路的一实施例的结构示意图之四；
图5是本申请显示驱动电路的一实施例的结构示意图之五；
图6是本申请显示驱动电路的一实施例的结构示意图之六；
图7是本申请像素电路的一实施例的结构示意图；
图8是本申请显示装置的一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其他实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其他实施例相结合。
本申请的描述中，需要说明书的是，除非另外明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械来能接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间隔相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况连接上述属于在本申请的具体含义。
首先对本申请提及的显示装置中的多个像素电路进行举例说明，本申请中的显示驱动电路，可以包括由多个“2T1C像素电路”构成的多个像素电路，具体请参见图1，图1是本申请显示驱动电路的一实施例的结构示意图之一，如图1所示，显示驱动电路10包括多个像素电路11，一个像素电路11中包括两个薄膜场效应晶体管和一个电容，多个像素电路11的电源端均连接同一条电源公共线(VDD)，各像素电路11还分别与电源负极线(VSS)、数据线(DATA)和栅极线(GATE)连接。基于上述方式，即可构造出多个像素电路11均与同一条电源公共线连接的显示驱动电路10，也是后续本申请显示驱动电路的基本构造。
此外，本申请显示驱动电路中的像素电路还可以是除“2T1C像素电路”以外的其它类型的像素电路，具体可根据实际需求而定，此处不作限定。
本申请首先提出一种显示驱动电路，参见图2，图2是本申请显示驱动电路的一实施例的结构示意图之二。
如图1和图2所示，显示驱动电路10包括多个像素电路11。
在该多个像素电路11中，各像素电路的数据端与对应的数据线(DATA)连接，数据线用于提供数据信号，各像素电路的栅极端与对应的栅极线(GATE)连接，栅极线用于提供栅极信号，各像素电路的接地端与对应的电源负极线(VSS)连接，电源负极线用于提供负极信号。
多个像素电路11中的每一个像素电路11的电源端均与同一条电源公共线(VDD)连接，并将相应像素电路的电源端与电源公共线之间的连接线路记作相应像素电路的电源线路。
如图2所示，多个像素电路11可根据发光效率的高低被划分为至少一个第一像素电路111和至少一个第二像素电路112，其中，第一像素电路111的发光效率小于第二像素电路112的发光效率，也即，在供给相同电流的情况下，第一像素电路111在该电流下显示的亮度小于第二像素电路112在该电流下显示的亮度。
在上述前提下，使第一像素电路111中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比大于第二像素电路112中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比。在像素电路中，像素电路的电流与相应薄膜场效应晶体管的关系如下：
式(1)中，I为相应像素电路的电流，为相应像素电路中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比，μ为相应像素电路中的薄膜场效应晶体管的迁移率，C为相应像素电路中的薄膜场效应晶体管的构造电容，VGS为相应像素电路中的薄膜场效应晶体管的栅极与漏极之间的电压，Vth为相应像素电路中的薄膜场效应晶体管的最小开启电压。构造电容为相应像素电路中的薄膜场效应晶体管的金属层、绝缘层和有源层所构成电容的电容值。
由式(1)可知，在其它参数不变的情况下，相应像素电路中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比越大，则相应像素电路的电流越大。因此，基于上述方式，能够在第一像素电路111的电源线路在所接收的电压与第二像素电路112相同的情况下，使得第一像素电路111的电流大于第二像素电路112，进而使得第一像素电路111在相应电流下显示的亮度与第二像素电路112在相应电流下显示的亮度之间的差值降低，也即可通过对薄膜场效应晶体管的尺寸进行调节以达到改变流经像素电路的最大电流或预设电压下的电流的目的，能够使得不同发光效率的像素电路之间的亮度差降低，提高显示画面的均一性，进而改善显示装置的显示效果。
像素电路11可以是OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)像素电路，也可以是其它类型的像素电路，具体可根据实际需求而定，此处不作限定。
举例说明，如图2所示，发光效率较低的第一像素电路111中的薄膜场效应晶体管A比发光效率较高的第二像素电路112中的薄膜场效应晶体管B的沟道的宽长比更大。
区别于现有技术，本申请的技术方案通过使共用同一电源公共线的多个像素电路中，发光效率较低的第一像素电路中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比大于发光效率较高的第二像素电路中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比，以在电压相同的情况下，使得第一像素电路所对应的电流大于第二像素电路所对应的电流，降低第一像素电路发出的光与第二像素电路发出的光的亮度差异，提高了显示装置的显示画面的均一性，进而改善显示装置的显示效果。
在一实施例中，将第一像素电路111的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比与第二像素电路112的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比之间的比例记作第一比例，并将第一像素电路111发出预设亮度的光时的电流与第二像素电路112发出同一预设亮度的光时的电流之间的比例记作第二比例，第一比例与第二比例呈正相关关系。
具体地，可将第一像素电路111与第二像素电路112发出同一亮度时，第一像素电路111与第二像素电路112的电流比例记作第二比例，第一比例与第二比例呈正相关关系。
第一比例可处于第二比例所对应的阈值范围内，第二比例的值位于第二比例所对应的阈值范围内。第二比例的值可以是第二比例所对应的阈值范围的最大值、最小值、中位值和其它任意值中的一种，此处不作限定。第二比例所对应的阈值范围与相应像素电路的特性相关联，该特性可包括像素电路中的薄膜长场效应晶体管的特性。
可选地，第一比例等于第二比例。
具体地，可以使第一比例等于第二比例，也即使得第一像素电路111中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比与第二像素电路112中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比之间的比例，与第一像素电路111发出预设亮度的光时的电流与第二像素电路112发出同一预设亮度的光时的电流之间的比例相等，即可使得第一像素电路111和第二像素电路112在电源端均连接同一条电源公共线以接收同一电源电压时，使得第一像素电路111和第二像素电路112所发出的光的亮度相同，进而确保不同显示驱动电路10中的各像素电路11的亮度保持一致，提高显示画面的均一性，改善了显示装置的显示效果。
在一实施例中，电源线路为相应像素单元的电源端与电源公共线之间的连接线路。
如图3所示，多个像素电路11包括至少两个第一像素电路111，至少两个第一像素电路111中的每一个像素电路11的发光效率均相同，至少两个第一像素电路111可以被划分为至少一个第一类像素电路1111和至少一个第二类像素电路1112，第一类像素电路1111的电源线路的长度大于第二类像素电路1112的电源线路的长度。
需要说明的是，电流-电压-电阻公式和电阻公式如下：
式(2)和(3)中，I为相应像素电路的电流，U为相应像素电路的电压，R为相应像素电路的电源线路的电阻，ρ为相应像素电路的电源线路的电阻率，L为相应像素电路的电源线路的长度，S为相应像素电路的电源线路的横截面积。
由式(2)可知，电流与电阻成反比关系，而由式(3)可知，电阻与电源线路的长度呈正比关系，因此，在其它参数相同的情况下，电源线路的长度越大，则相应的电阻越大，且相应的电流越小。
因此，根据上述电阻公式式(3)可知，在式(3)除长度外的其它参数等同的情况下长度较长的第一类像素电路1111的电源线路所对应的电阻较大，故可使第一类像素电路1111的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比大于第二类像素电路1112的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比，以使得接收同一电源公共线所提供的电源电压的第一类像素电路1111和第二类像素电路1112电流趋于相等，由于第一类像素电路1111和第二类像素电路1112的发光效率相同，基于上述方式可提高至少两个第一像素电路111中的第一类像素电路1111和第二类像素电路1112所发出亮度的一致性，进而改善显示装置的显示效果。
举例说明，如图3所示，电源线路的长度较长的第一类像素电路1111的驱动模块中的薄膜场效应晶体管C的沟道的宽长比比电源线路的长度较短的第二类像素电路1112的驱动模块中的薄膜场效应晶体管D的沟道的宽长比更大。
可选地，可将第一类像素电路1111的电源线路的长度与第二类像素电路1112的电源线路的长度之间的比例作为第三比例，第一类像素电路1111的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比与第二类像素电路1112的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比之间的比例作为第四比例，第三比例与第四比例呈正相关关系。
第四比例可处于第三比例所对应的阈值范围内，第三比例的值位于第三比例所对应的阈值范围内。第三比例的值可以是第三比例所对应的阈值范围的最大值、最小值、中位值和其它任意值中的一种，此处不作限定。第三比例所对应的阈值范围与相应像素电路的特性相关联，该特性可包括像素电路中的薄膜长场效应晶体管的特性。
举例说明，如图3所示，假设与第一公共线VDD距离最近的像素电路(如第二像素电路112、第二类像素电路1112)与第一公共线VDD之间的距离为L0，而相邻像素电路之间的距离均为Lp，则第一类像素电路1111的电源线路的长度为(Lp+L0)，第二类像素电路1112的电源线路的长度为L0，第三比例为(Lp+L0)：L0，此时需使得第一类像素电路1111的电源线路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比与第二类像素电路1112的电源线路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比之间的比例，也即第四比例也为(Lp+L0)：L0，以使得图3所示的第一类像素电路1111的电源线路与第二类像素电路1112的电源线路电阻趋于相等，进而改善第一类像素电路1111与第二类像素电路1112之间的亮度均一性，改善显示装置的显示效果。
需要说明的是，上述仅为一种显示驱动电路结构的示例，在第一类像素电路1111和第二类像素电路1112分别与第一公共线VDD的距离与上述示例不同时，相应的，电源线路的长度、第三比例、第四比例均可能发生变化，此处不作限定。
此外，如图3所示，第一类像素电路1111的电源线路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比最大，第二类像素电路1112的电源线路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比中等，第二像素电路112的电源线路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比最小。
具体地，第三比例与第四比例相等。
也即，假设第一类像素电路1111的电源线路的长度为第一长度，而第二类像素电路1112的电源线路的长度为第二长度，第二长度除以第一长度的商为目标倍数，则第二类像素电路1112的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比为第一类像素电路1111的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比的目标倍数。
基于上述方式可使得第一类像素电路1111的电源线路所对应的电阻与第二类像素电路1112的电源线路所对应的电阻趋于相等，进而使得接收同一电源公共线所提供的电源电压的第一类像素电路1111和第二类像素电路1112电流相等，由于第一类像素电路1111和第二类像素电路1112的发光效率相同，基于上述方式可提高至少两个第一像素电路111中的第一类像素电路1111和第二类像素电路1112所发出亮度的一致性，进而改善显示装置的显示效果。
在一实施例中，第一像素电路111为蓝光像素电路，第二像素电路112为红光像素电路或绿光像素电路。
具体地，在实际中，蓝光像素电路的发光效率通常低于红光像素电路或绿光像素电路，而红光像素电路和绿光像素电路的发光效率较为相近。像素电路11的发光效率通常与像素电路11中的发光半导体材质相关联，该发光半导体可以是一种发光二极管。
举例说明，如图4所示，多个像素电路11包括红光像素电路R、绿光像素电路G和蓝光像素电路B。
需要说明的是，通常来说，红光像素电路R和绿光像素电路G的发光效率较为接近，在本示例中，假设红光像素电路R和绿光像素电路G的发光效率相等，而蓝光像素电路B的发光效率则小于红光像素电路R或绿光像素电路G，在此前提下，可将蓝光像素电路B作为发光效率较低的第一像素电路111，并将红光像素电路R和绿光像素电路G作为发光效率较高的第二像素电路112。
如图4所示，蓝光像素电路B的电源线路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比，大于，红光像素电路R或绿光像素电路G的电源线路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比，并且，若将蓝光像素电路B的电源线路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比与红光像素电路R或绿光像素电路G的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比之间的比例作为第一比例，并将蓝光像素电路B的发光效率与红光像素电路R或绿光像素电路G的发光效率之间的比例作为第二比例，则第一比例与第二比例可呈正相关关系，甚至第一比例可与第二比例相等，以使得蓝光像素电路B的电源线路的电阻与红光像素电路R或绿光像素电路G的电源线路的电阻相等，进而使得红光像素电路R、绿光像素电路G和蓝光像素电路B在接收到同一条第一公共线所提供的电源电压后，能发出相同亮度的光，进而改善各像素电路的亮度均一性，从而改善显示装置的显示效果。
如图5所示，第一像素电路111为蓝光像素电路，第二像素电路112为红光像素电路，蓝光像素电路的发光效率低于红光像素电路的发光效率，蓝光像素电路中的薄膜场效应晶体管的宽长比大于红光像素电路中的薄膜场效应晶体管的宽长比。
如图6所示，第一类像素电路1111为电源线路较长的蓝光像素电路，第二类像素电路1112为电源线路较短的蓝光像素电路，二者发光效率相等，电源线路较长的蓝光像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比，大于，电源线路较短的蓝光像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比。
在一实施例中，如图7所示，图7是本申请像素电路的一实施例的结构示意图，像素电路11包括第一发光控制模块21、驱动模块22、第二发光控制模块23、开关模块24、存储模块25、初始化模块26、数据写入模块27和发光模块28。
数据写入模块27的输入端用于接收数据信号，数据写入模块27的输出端连接第二发光控制模块23的输入端，第一发光控制模块21的输入端用于接收电源电压信号，第一发光控制模块21的输出端连接驱动模块22的输入端，驱动模块22的栅极用于接收栅极信号，驱动模块22的输出端连接第二发光控制模块23的输入端，驱动模块22包括上述薄膜场效应晶体管，第二发光控制模块23的输出端连接发光模块28的输入端，发光模块28的输出端用于接收地电压信号，初始化模块26的输入端用于接收初始化信号，初始化模块26的第一输出端连接存储模块25的输入端，初始化模块26的第二输出端连接发光模块28的输入端，存储模块25的第一输出端连接开关模块24的输入端，存储模块25的第二输出端连接驱动模块22的驱动端，开关模块24的输出端连接驱动模块22的输入端。
在一实施例中，多个像素电路11的数量大于2且不大于共用数量，共用数量为基于共用数量计算公式确定的值；
共用数量计算公式为：
其中，n1为共用数量，H1为预设常数，k为像素电路的薄膜场效应晶体管的特性参数，I为像素电路中的电流，R1为多个像素电路中相邻像素电路之间的电源线路的电阻，μ为薄膜场效应晶体管的迁移率，W为薄膜场效应晶体管的沟道的宽度，L为薄膜场效应晶体管的沟道的长度，C为薄膜场效应晶体管的构造电容。
具体地，在一种示例中，预设常数与像素电路11中的电流呈正相关关系，且与相邻像素电路之间的电流波动值呈负相关关系。具体地，相邻像素电路之间的电流波动值为相邻像素电路11之间的电流差值。为确保显示装置中各像素电路所显示亮度的均一性，该电流差值通常需限制为像素电路11中的电流的2％-3％内。
在另一种示例中，预设常数具体也可以在预设常数范围内，该预设常数范围可根据显示装置的实际运行硬件条件和/或运行环境条件决定，例如，该预设常数范围可以是0.08-0.12，也可以是其它范围，此处不作限定。
在实际中，相邻像素电路11的连接同一条电源公共线的电源线路分别连接至同一节点，再通过该节点与电源公共线的连接，实现相邻像素电路11连接同一条电源公共线，因此，将相邻像素电路之间的电源线路的电阻作为上述共用数量计算公式的计算参数之一，能够更全面地考量显示驱动电路的相关参数，进而得到最合适的共用数量，改善显示装置的显示效果。
基于上述方式，可基于显示驱动电路中的各像素电路11之间的相关数据，确定共用同一条电源公共线的像素电路11的最大数量(即上述共用数量)，并使得该多个像素电路11的数量不超过该最大数量，进而可使得该多个像素电路11分别与电源公共线之间的连接线路的总电阻均相差不大，提高了多个像素电路11中的每一个像素电路11所接收到的电源电压信号的幅值的均一性，改善了包含该显示驱动电路的显示装置的显示效果。
进而可通过共用数量计算公式，合理运用各项参数计算得到较为合理的共用数量，用于对该多个像素电路11中所包括的像素电路11的数量进行限制，改善了显示装置的显示效果。
本申请还公开了一种显示装置，参见图8，图8是本申请显示装置的一实施例的结构示意图，显示装置30包括发光显示模组31和显示驱动电路32，显示驱动电路32可以是前文实施例中的任意一种显示驱动电路10，此处不再赘述。
该显示装置可以是车载显示装置，也可以是电视，还可以是移动终端显示器，更可以是其它类型的显示装置，此处不作限定。
区别于现有技术，本申请的技术方案通过使共用同一电源公共线的多个像素电路中，发光效率较低的第一像素电路中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比大于发光效率较高的第二像素电路中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比，以在电压相同的情况下，使得第一像素电路所对应的电流大于第二像素电路所对应的电流，降低第一像素电路发出的光与第二像素电路发出的光的亮度差异，提高了显示装置的显示画面的均一性，进而改善显示装置的显示效果。
在本申请的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(可以是个人计算机，服务器，网络设备或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种显示驱动电路，其特征在于，包括多个像素电路；
每一个所述像素电路的数据端与对应的数据线连接，所述数据线用于提供数据信号；每一个所述像素电路的栅极端与对应的栅极线连接，所述栅极线用于提供栅极信号；所述多个像素电路的电源端均与同一条电源公共线连接；
所述多个像素电路被划分为至少一个第一像素电路和至少一个第二像素电路，所述第一像素电路的发光效率小于所述第二像素电路的发光效率，所述第一像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比大于所述第二像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比；
其中，所述多个像素电路的数量大于2且不大于共用数量，所述共用数量为基于共用数量计算公式确定的值；
所述共用数量计算公式为：
其中，n1为所述共用数量，H1为预设常数，k为所述像素电路的薄膜场效应晶体管的特性参数，I为所述像素电路中的电流，R1为所述多个像素电路中相邻像素电路之间的电源线路的电阻，μ为所述薄膜场效应晶体管的迁移率，W为所述薄膜场效应晶体管的沟道的宽度，L为所述薄膜场效应晶体管的沟道的长度，C为所述薄膜场效应晶体管的构造电容。
2.根据权利要求1所述的显示驱动电路，其特征在于，所述第一像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比与所述第二像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比之间的比例作为第一比例，所述第一像素电路发出预设亮度的光时的电流与所述第二像素电路发出同一所述预设亮度的光时的电流之间的比例作为第二比例，所述第一比例与所述第二比例呈正相关关系。
3.根据权利要求2所述的显示驱动电路，其特征在于，所述第一比例等于所述第二比例。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示驱动电路，其特征在于，电源线路为相应像素单元的电源端与电源公共线之间的连接线路，所述多个像素电路包括至少两个第一像素电路，所述至少两个第一像素电路中的各像素电路的发光效率相同，所述至少两个第一像素电路被划分为至少一个第一类像素电路和至少一个第二类像素电路，所述第一类像素电路的电源线路的长度大于所述第二类像素电路的电源线路的长度，所述第一类像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比大于所述第二类像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比。
5.根据权利要求4所述的显示驱动电路，其特征在于，所述第一类像素电路的电源线路的长度与所述第二类像素电路的电源线路的长度之间的比例作为第三比例，所述第一类像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比与所述第二类像素电路的驱动模块中的薄膜场效应晶体管的沟道的宽长比之间的比例作为第四比例，所述第三比例与所述第四比例呈正相关关系。
6.根据权利要求5所述的显示驱动电路，其特征在于，所述第三比例与所述第四比例相等。
7.根据权利要求1至3任一项所述的显示驱动电路，其特征在于，所述第一像素电路为蓝光像素电路，所述第二像素电路为红光像素电路或绿光像素电路。
8.根据权利要求7所述的显示驱动电路，其特征在于，所述像素电路的发光效率与所述像素电路中的发光半导体材质相关联。
9.一种显示装置，其特征在于，包括发光显示模组和如权利要求1至8任一项所述的显示驱动电路。
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