CN107452779A - 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置，显示基板包括：呈阵列排布的若干个显示区域和位于显示区域之间的非显示区域；显示区域中设置有显示结构，显示结构用于进行画面显示；非显示区域可透光，非显示区域内设置有光致变色图形，光致变色图形用于根据接收到的光线的光照强度调节非显示区域的透光率。在本发明的技术方案中，通过在非显示区域中设置光致变色图形，光致变色图形可根据接收到的光线的光照强度调节非显示区域的透光率，以使得在高亮度外部环境时，显示画面上原本显示较暗图像的区域的亮度不会因为外部环境光影响而提升，从而能有效保证显示画面的对比度，提升显示质量。

Description

显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
透明显示技术是指既能看到显示面板所显示的图像，又能看到显示面板后真实景物的显示技术，其被广泛用于橱窗、展台、车窗等之上。
具体地，透明显示面板往往包括呈阵列排布的若干个显示区域和位于所述显示区域之间的非显示区域，显示区域用于进行画面显示，非显示区域用于透光。用户可通过显示区域发出的光来观看显示面板提供的显示画面，与此同时，用户还可通过从非显示区域透出的光来观察位于显示面板后方的真实景物。
然而，在实际应用中发现，当外部环境较亮时，从非显示区域透射出光的亮度较亮，此时显示面板上原本显示较暗图像的区域的亮度提升，显示面板的对比度下降。此外，从非显示区域透射出的亮度较亮的光直接射向人眼时，容易对人眼造成伤害。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括：呈阵列排布的若干个显示区域和位于所述显示区域之间的非显示区域；
所述显示区域中设置有显示结构，所述显示结构用于进行画面显示；
所述非显示区域内设置有光致变色图形，所述光致变色图形用于根据接收到的光线的光照强度调节所述非显示区域的透光率。
可选地，所述显示基板为有机发光二极管显示基板，所述显示结构包括：有机发光二极管；
所述有机发光二极管包括：阳极电极、阴极电极和位于阳极电极与阴极电极之间的有机功能层。
可选地，所述非显示区域内设置有像素界定层，所述像素界定层限定出所述显示区域，所述光致变色图形位于像素界定层背向衬底基板的一侧。
可选地，所述光致变色图形在所述像素界定层上的正投影正好覆盖所述像素界定层朝向所述光致变色图形一侧的表面。
可选地，所述显示基板为液晶显示基板，所述显示结构包括：像素电极。
可选地，所述光致变色图形的材料包括：卤化银、卤化锌、卤化镉、卤化铜、卤化镁、螺吡喃、螺吩噁嗪染料、二芳基乙烯衍生物、脱氢吡啶、呋喃基俘精酸酐衍生物和偶氮苯衍生物中的至少一种。
为实现上述目的，本发明还提供了一种显示面板，包括：如上述的显示基板。
为实现上述目的，本发明还提供了一种显示装置，包括：如上述的显示面板。
为实现上述目的，本发明还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括：呈阵列排布的若干个显示区域和位于所述显示区域之间的非显示区域，所述显示基板的制备方法包括：
在衬底基板上对应显示区域内形成显示结构，所述显示结构用于进行画面显示；
在衬底基板上对应非显示区域内形成光致变色图形，所述光致变色图形用于根据接收到的光线的光照强度调节所述非显示区域的透光率。
可选地，所述显示基板为有机发光二极管显示基板，形成显示结构和形成光致变色图形的步骤具体包括：
在衬底基板上形成薄膜晶体管；
在薄膜晶体管背向衬底基板的一侧形成平坦化层；
在平坦化层背向衬底基板的一侧形成阳极电极，所述阳极电极通过过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接；
在平坦化层背向衬底基板的一侧形成像素界定层，所述像素界定层位于非显示区域内，所述像素界定层限定出显示区域；
在所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧形成光致变色图形；
在所述阳极电极背向所述衬底基板的一侧形成有机功能层，所述有机功能层位于所述显示区域内；
在所述有机功能层背向所述衬底基板的一侧形成阴极电极。
可选地，形成像素界定层和形成光致变色图形的步骤包括：
在平坦化层背向衬底基板的一侧形成像素界定材料薄膜；
在所述像素界定材料薄膜背向衬底基板的一侧形成光致变色材料薄膜；
对所述像素界定材料薄膜和光致变色材料薄膜进行一次构图工艺，以得到所述像素界定层和光致变色图形。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置，显示基板包括：呈阵列排布的若干个显示区域和位于显示区域之间的非显示区域；显示区域中设置有显示结构，显示结构用于进行画面显示；非显示区域可透光，非显示区域内设置有光致变色图形，光致变色图形用于根据接收到的光线的光照强度调节非显示区域的透光率。在本发明的技术方案中，通过在非显示区域中设置光致变色图形，光致变色图形可根据接收到的光线的光照强度调节非显示区域的透光率，以使得在高亮度外部环境时，显示画面上原本显示较暗图像的区域的亮度不会因为外部环境光影响而提升，从而能有效保证显示画面的对比度，提升显示质量。与此同时，外部环境光经过呈着色态的光致变色图形的滤光作用后，其亮度明显下降，从而可避免对人眼造成伤害。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的截面示意图；
图2为图1中的光致变色图形处于着色态时的示意图；
图3为本发明实施例二提供的一种显示基板的截面示意图；
图4为本发明实施例五提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
图5为本发明实施例六提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
图6a～图6f为对应图5所示制备方法的制备过程示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的截面示意图，图2 为图1中的光致变色图形处于着色态时的示意图，如图1和图2所示，该显示基板包括：呈阵列排布的若干个显示区域和位于显示区域之间的非显示区域；显示区域中设置有显示结构，显示结构用于进行画面显示；非显示区域可透光，非显示区域内设置有光致变色图形6，光致变色图形6用于根据接收到的光线的光照强度调节非显示区域的透光率。
需要说明的是，本发明中的光致变色图形6是由光致变色材料构成，光致变色材料是指受到光源激发后能够发生颜色变化的一类材料。本发明中，当光致变色图形6被较弱光强的光线照射或未被光线照射时，光致变色图形6呈透明态；当光致变色图形6被一定光强的光线照射后，光致变色图形6呈着色态，且随着光线的光强的提升光致变色图形6的光透过率逐渐下降。
其中，本实施例中的光致变色材料既可以为无机光致变色材料，也可以为有机光致变色材料。可选地，无机光致变色材料包括卤化银、卤化锌、卤化镉、卤化铜、卤化镁中的至少一种；有机光致变色材料包括螺吡喃、螺吩噁嗪染料、二芳基乙烯衍生物、脱氢吡啶、呋喃基俘精酸酐衍生物和偶氮苯衍生物中的至少一种。
在实际应用中，通过将在基体材料(例如：二氧化硅、有机树脂) 中掺杂光致变色材料可得到本申请中光致变色图形6的材料，光致变色材料的掺杂量为0.01wt％～15wt％。
以卤化银为例，通过在二氧化硅膜层或者是有机树脂中掺入卤化银晶体微粒，即可制备出上述的光致变色膜层，光致变色材料的掺杂量为0.01wt％～15wt％。掺杂手段不限，以二氧化硅薄膜掺杂为例，可以首先将卤化银晶体微粒按一定比例掺入二氧化硅靶材中，然后通过磁控溅射的手段制备出用于形成光致变色图形6的光致变色膜层。
仍以卤化银为例，对上述光致变色膜层的原理加以说明：在含有卤化银晶体的薄膜中，卤化银受光照作用时会分解出银原子和卤原子，银是胶体状的分子链，它在透明薄膜在可见区产生均匀光吸收而着色、变暗，相应地，光致变色膜层的透光率下降；卤原子由于薄膜体的不可渗透性，它无法逸出或被吸附，所以停止光照后，在较长波长光能的激发下被银原子俘获的电子又重新释放给卤原子，形成银离子和卤离子，即成为卤化银，相应地，光致变色膜层的透光率上升。上述卤化银的分解、合成反应是可逆的。
本实施例中，影响光致变色图形6的透光率的因素不仅包括外部环境的亮度还包括显示区域的发光亮度。
其中，假定显示区域的发光情况包括三种情况：不发光、发暗光、发亮光，且仅当显示区域发亮光时照射至光致变色图形6表面的光强能够使得光致变色图形6变色，而当显示区域不发光或者发暗光时照射至光致变色图形6表面的光强不能使得光致变色图形6变色。
参见图1和图2所示，下面将对本实施例提供的显示基板的不同工作状态进行详细描述。
当外部环境较暗且显示区域不发光时，光致变色图形6表面的光照强度较小，外部环境的光线不足以激发光致变色图形6变色，此时光致变色图形6呈透明态，非显示区域的透光率呈最大值。此时，包含有本实施例提供的显示基板的显示装置可以作为透明的装饰品使用。
当外部环境较暗且显示区域发暗光时，光致变色图形6表面的光照强度较小，外部环境的光线和显示区域产生的光线均不足以激发光致变色图形6变色，此时光致变色图形6呈透明态，非显示区域的透光率呈最大值。此时，包含有本实施例提供的显示基板的显示装置可以作为透明显示装置使用。
当外部环境较暗且显示区域发强光时，光致变色图形6表面的光照强度较大，外部环境的光线不足以激发光致变色图形6变色，但是显示区域产生的光线可激发光致变色图形6变色，此时光致变色图形6呈着色态，且随着显示区域的发光亮度的增大，非显示区域的透光率相应减小。此时，包含有本实施例提供的显示基板的显示装置可以作为半透明显示装置使用。
当外部环境较亮且显示区域不发光时，光致变色图形6表面的光照强度较大，外部环境的光线可激发光致变色图形6变色，此时光致变色图形6呈着色态，且随着外部环境的亮度增大，非显示区域的透光率相应减小。此时，包含有本实施例提供的显示基板的显示装置可以作为遮阳镜来使用。
当外部环境较亮且显示区域发暗光时，光致变色图形6表面的光照强度较大，外部环境的光线可激发光致变色图形6变色，此时光致变色图形6呈着色态，且随着外部环境的亮度增大，非显示区域的透光率相应减小。此时，非显示区域朝向用户人眼一侧的亮度较暗，显示画面上原本显示较暗图像的区域的亮度不会因为外部环境光影响而提升，从而能有效保证显示画面的对比度，提升显示质量。与此同时，外部环境光经过呈着色态的光致变色图形6的滤光作用后，其亮度明显下降，从而可避免对人眼造成伤害。此时，包含有本实施例提供的显示基板的显示装置可以作为非透明显示装置(非显示区域的透光率为0)或半透明显示装置(非显示区域的透光率大于0)使用。
当外部环境较亮且显示区域发亮光时，光致变色图形6表面的光照强度较小，外部环境的光线和显示区域发出的光线均可激发光致变色图形6变色，此时光致变色图形6呈着色态，且随着外部环境的亮度增大，非显示区域的透光率相应减小。此时，非显示区域朝向用户人眼一侧的亮度较暗，显示画面上原本显示较暗图像的区域的亮度不会因为外部环境光影响而提升，从而能有效保证显示画面的对比度，提升显示质量。与此同时，外部环境光经过呈着色态的光致变色图形6的滤光作用后，其亮度明显下降，从而可避免对人眼造成伤害。此时，包含有本实施例提供的显示基板的显示装置可以作为非透明显示装置或半透明显示装置使用。
由此可见，本发明提供的显示基板处于高亮度外部环境时，显示画面上原本显示较暗图像的区域的亮度不会因为外部环境光影响而提升，从而能有效保证显示画面的对比度，提升显示质量。与此同时，外部环境光经过呈着色态的光致变色图形6的滤光作用后，其亮度明显下降，从而可避免对人眼造成伤害。
继续参见图1所示，作为本发明中的一种具体实施方案，该显示基板为有机发光二极管显示基板，有机发光二极管显示基板的非显示区域内设置有像素界定层5(光敏性绝缘有机树脂构成)，像素界定层5限定出显示区域，显示区域内设置有有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)，非显示区域内设置有薄膜晶体管2；有机发光二极管包括：阳极电极4a、阴极电极8和位于阳极电极4a与阴极电极8之间的有机功能层7，阳极电极4a与薄膜晶体管2中的漏极电连接。本实施例中，有机功能层7是指能够在阳极电极4a和阴极电极8的电场作用下进行发光的膜层结构，有机功能层 7至少包括有机电致发光层(电致发光材料构成)，当然为了提升OLED 的发光效率，有机功能层7中还可设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层等膜层(均未示出)。对于有机功能层7的具体结构此处不再进行详细描述。
本实施例中，优选地，光致变色图形6位于像素界定层5背向衬底基板1的一侧，光致变色图形6在像素界定层5上的正投影正好覆盖像素界定层5朝向光致变色图形6一侧的表面，即光致变色图形 6的下表面与像素界定层5的上表面的形状相同。此时，光致变色图形6对非显示区域的透光率调节效果最佳。此外，还可采用一次构图工艺以同时制备出像素界定层5和光致变色图形6，从而无需为光致变色图形6的制备而单独设置掩膜板，降低生产成本。
需要说明的是，上述光致变色图形6位于像素界定层5背向衬底基板1的一侧，光致变色图形6在像素界定层5上的正投影正好覆盖像素界定层5朝向光致变色图形6一侧的表面的情况为本实施例中的优选方案，其不会对本发明的技术方案产生限制，本领域技术人员应该知晓的是，本实施例中的光致变色图形6还可以位于其他膜层之间，仅需保证光致变色图形6处于非显示区域内即可。
图3为本发明实施例二提供的一种显示基板的截面示意图，如图3所示，与上述实施例一中显示基板为OLED显示基板不同是的，本实施例中的显示基板为液晶显示基板，显示区域中设置有像素电极 4b，非显示区域中设置有薄膜晶体管2，像素电极4b与薄膜晶体管2 的漏极连接，像素电极4b可与位于同一基板或对盒基板上的公共电极形成电场，以控制显示。
位于像素电极4b的上方设置有整层铺设的绝缘层9，绝缘层9 背向像素电极4b的一侧形成有光致变色图形6，光致变色图形6位于非显示区域内。
当然，在图案化精度足够高的情况下，也可省去绝缘层9，使得像素电极4b和光致变色图形6为同层结构，像素电极4b位于显示区域内，光致变色图形6位于非显示区域内，且两者之间绝缘。此种情况为给出相应附图。
本领域技术人员应该知晓的是，本发明对显示基板的种类、光致变色图形6所处的膜层位置均不作限制，仅需保证光致变色图形6 位于非显示区域内即可。
本发明实施例一和实施例二均提供了一种显示基板，该显示基板的非显示区域中设置有光致变色图形，光致变色图形可根据接收到的光线的光照强度调节非显示区域的透光率，以使得在高亮度外部环境时，显示画面上原本显示较暗图像的区域的亮度不会因为外部环境光影响而提升，从而能有效保证显示画面的对比度，提升显示质量。与此同时，外部环境光经过呈着色态的光致变色图形的滤光作用后，其亮度明显下降，从而可避免对人眼造成伤害。
本发明实施例三提供了一种显示面板，该显示面板采用上述实施例一或实施例二提供的显示基板，具体内容可参见上述实施例一或实施例二中的描述，此处不再赘述。
本发明实施例四提供了一种显示装置，该显示装置采用上述实施例三中提供的显示装置，该显示装置具体可以为液晶显示器、电子纸、OLED显示器、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
需要说明的是，当显示装置为液晶显示器，且液晶显示器中的背光源为侧入式背光源时，可使得液晶显示器能够实现透明显示。
图4为本发明实施例五提供的一种显示基板的制备方法的流程图，如图4所示，该显示基板为上述实施例一或实施例二中的显示基板，该显示基板的制备方法包括：
步骤S101、在衬底基板上对应显示区域内形成显示结构。
其中，显示结构用于进行画面显示。
步骤S102、在衬底基板上对应非显示区域内形成光致变色图形。
其中，光致变色图形用于根据接收到的光线的光照强度调节非显示区域的透光率。
图5为本发明实施例六提供的一种显示基板的制备方法的流程图，图6a～图6f为对应图5所示制备方法的制备过程示意图，如图 5至图6f所示，该显示基板为上述图1所示的显示基板，该显示基板的制备方法包括：
步骤S201、在衬底基板上形成薄膜晶体管。
参见图6a所示，可采用现有的薄膜晶体管制备工艺以在衬底基板1上形成薄膜晶体管2。其中，薄膜晶体管2既可以为氧化物薄膜晶体管，也可以为硅基薄膜晶体管(非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管)。本实施例中，优选地，薄膜晶体管2为氧化物薄膜晶体管，氧化物薄膜晶体管的迁移率高，反应速度快，驱动能力强。
步骤S202、在薄膜晶体管背向衬底基板的一侧形成平坦化层。
参见图6b所示，在薄膜晶体管2背向衬底基板1的一侧形成一层整层铺设的平坦化层3，且对应薄膜晶体管2的漏极的位置形成有过孔。
步骤S203、在平坦化层背向衬底基板的一侧形成阳极电极。
参见图6c所示，通过构图工艺在平坦化层3上形成阳极电极4a 的图形，阳极电极4a位于显示区域中，阳极电极4a通过过孔与薄膜晶体管2的漏极连接。可选地，阳极电极4a的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟镓锌、氧化铟、氧化锌铝、石墨烯中的至少一种。
需要说明的是，本发明中的构图工艺是指包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。
步骤S204、在平坦化层背向衬底基板的一侧形成像素界定层。
如图6d所示，通过一次构图工艺以形成像素界定层5的图形，其厚度范围包括1～5um，像素界定层5位于非显示区域内。可选地，像素界定层5的材料为光敏性绝缘有机树脂，则在进行构图工艺时仅需进行曝光和显影的工艺步骤即可得到像素界定层5的图形。
步骤S205、在像素界定层背向衬底基板的一侧形成光致变色图形。
如图6e所示，当光致变色图形6中的基体材料是二氧化硅时，则需要进行光刻胶涂布、曝光、显影、二氧化硅薄膜的刻蚀、光刻胶剥离等工艺，以得到光致变色图形6。当光致变色图形6中的基体材料是光敏性绝缘层9有机树脂时，仅需进行曝光和显影工艺即可得到光致变色图形6。
需要说明的是，本实施例中的像素界定层5和光致变色图形6 可在同一次构图工艺中进行制备。具体地，首先，在平坦化层3背向衬底基板1的一侧形成像素界定材料薄膜；然后，在像素界定材料薄膜背向衬底基板1的一侧形成光致变色材料薄膜；最后，对像素界定材料薄膜和光致变色材料薄膜进行一次构图工艺，以得到像素界定层 5和光致变色图形6。此时，光致变色图形6在像素界定层5上的正投影正好覆盖像素界定层5朝向光致变色图形6一侧的表面，即光致变色图形6的下表面与像素界定层5的上表面的形状相同。此时，光致变色图形6对非显示区域的透光率调节效果最佳。
此外，采用一次构图工艺以同时制备出像素界定层5和光致变色图形6，从而无需为光致变色图形6的制备而单独设置掩膜板，进而降低生产成本。
步骤S206、在阳极电极背向衬底基板的一侧形成有机功能层。
如图6f所示，有机功能层7位于显示区域内。有机功能层7至少包括有机电致发光层，当然为了提升OLED的发光效率，有机功能层7中还可设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层等膜层。
步骤S207、在有机功能层背向衬底基板的一侧形成阴极电极。
如图1所示，阴极电极8的材料可以包括：锂、钙、氟化锂、铝、银、镁等具有低逸出功金属材料中的至少一者构成。或者是由氧化铟锡、氧化锌、氧化铟镓锌、氧化铟中的至少一者形成的透明薄膜。
需要说明的是，在制备图3所示显示基板时，除了包括上述步骤S201～步骤S203外(步骤S203中的阳极电极变为像素电极)，还包括在像素电极上性形成绝缘层的步骤，以及在绝缘层上形式光致变色图形的步骤。具体过程此处不再详细赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：呈阵列排布的若干个显示区域和位于所述显示区域之间的非显示区域；
所述显示区域中设置有显示结构，所述显示结构用于进行画面显示；
所述非显示区域内设置有光致变色图形，所述光致变色图形用于根据接收到的光线的光照强度调节所述非显示区域的透光率。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为有机发光二极管显示基板，所述显示结构包括：有机发光二极管；
所述有机发光二极管包括：阳极电极、阴极电极和位于阳极电极与阴极电极之间的有机功能层。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述非显示区域内设置有像素界定层，所述像素界定层限定出所述显示区域，所述光致变色图形位于像素界定层背向衬底基板的一侧。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述光致变色图形在所述像素界定层上的正投影正好覆盖所述像素界定层朝向所述光致变色图形一侧的表面。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为液晶显示基板，所述显示结构包括：像素电极。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光致变色图形的材料包括：卤化银、卤化锌、卤化镉、卤化铜、卤化镁、螺吡喃、螺吩噁嗪染料、二芳基乙烯衍生物、脱氢吡啶、呋喃基俘精酸酐衍生物和偶氮苯衍生物中的至少一种。
7.一种显示面板，其特征在于，包括：如上述权利要求1-6中任一所述的显示基板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求7所述的显示面板。
9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括：呈阵列排布的若干个显示区域和位于所述显示区域之间的非显示区域，所述显示基板的制备方法包括：
在衬底基板上对应显示区域内形成显示结构，所述显示结构用于进行画面显示；
在衬底基板上对应非显示区域内形成光致变色图形，所述光致变色图形用于根据接收到的光线的光照强度调节所述非显示区域的透光率。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板为有机发光二极管显示基板，形成显示结构和形成光致变色图形的步骤具体包括：
在衬底基板上形成薄膜晶体管；
在薄膜晶体管背向衬底基板的一侧形成平坦化层；
在平坦化层背向衬底基板的一侧形成阳极电极，所述阳极电极通过过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接；
在平坦化层背向衬底基板的一侧形成像素界定层，所述像素界定层位于非显示区域内，所述像素界定层限定出显示区域；
在所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧形成光致变色图形；
在所述阳极电极背向所述衬底基板的一侧形成有机功能层，所述有机功能层位于所述显示区域内；
在所述有机功能层背向所述衬底基板的一侧形成阴极电极。
11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，形成像素界定层和形成光致变色图形的步骤包括：
在平坦化层背向衬底基板的一侧形成像素界定材料薄膜；
在所述像素界定材料薄膜背向衬底基板的一侧形成光致变色材料薄膜；
对所述像素界定材料薄膜和光致变色材料薄膜进行一次构图工艺，以得到所述像素界定层和光致变色图形。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108899349A (zh) * 2018-07-12 2018-11-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法和显示装置
CN109239961A (zh) * 2018-08-24 2019-01-18 友达光电股份有限公司 显示器
WO2019019564A1 (zh) * 2017-07-27 2019-01-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN109326222A (zh) * 2018-09-28 2019-02-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板及其制备方法、调节方法、显示装置
CN109449185A (zh) * 2018-10-31 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示方法、显示装置
CN109585521A (zh) * 2018-12-29 2019-04-05 成都中电熊猫显示科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110164928A (zh) * 2019-05-16 2019-08-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子设备
CN110634936A (zh) * 2019-10-29 2019-12-31 云谷（固安）科技有限公司 有机发光显示屏和显示装置
TWI708385B (zh) * 2017-12-21 2020-10-21 美商亮銳公司 光強度適應性led側壁
CN113097269A (zh) * 2021-03-30 2021-07-09 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114005863A (zh) * 2021-11-01 2022-02-01 业成科技（成都）有限公司 透明显示面板
US11719989B2 (en) 2019-05-16 2023-08-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and electrical apparatus with light transmittance adjustment layer

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210047499A (ko) * 2019-10-22 2021-04-30 엘지디스플레이 주식회사 가변 차광 블랙 매트릭스층을 구비하는 표시 장치
KR20220031841A (ko) * 2020-09-04 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 타일드 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101764145A (zh) * 2008-12-23 2010-06-30 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN102737576A (zh) * 2011-04-12 2012-10-17 神基科技股份有限公司 透明显示装置及其操作方法
CN102832353A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 三星显示有限公司 有机发光结构及形成方法、有机发光显示装置及制造方法
CN104218182A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 群创光电股份有限公司 有机发光装置及其制造方法、以及包含其的影像显示系统
CN105353533A (zh) * 2014-08-20 2016-02-24 群创光电股份有限公司 显示面板及使用其的显示设备
US20160104752A1 (en) * 2014-10-08 2016-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Transparent organic light emitting display device
CN106601768A (zh) * 2016-12-22 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 透明显示装置及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3471692B2 (ja) * 2000-01-21 2003-12-02 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 カラー液晶表示パネル
CN101581852B (zh) 2009-06-24 2012-02-08 昆山龙腾光电有限公司 彩色滤光片基板及制作方法和液晶显示面板
KR102363429B1 (ko) * 2015-02-02 2022-02-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102612556B1 (ko) * 2015-12-17 2023-12-13 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 패널 및 이를 포함하는 투명 표시 장치
JP2017116767A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 感光性着色組成物、カラーフィルタ、および有機ｅｌ表示装置
CN105467663A (zh) * 2016-01-13 2016-04-06 昆山龙腾光电有限公司 彩色滤光基板和制作方法以及液晶显示面板
CN107452779B (zh) * 2017-07-27 2019-12-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101764145A (zh) * 2008-12-23 2010-06-30 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN102737576A (zh) * 2011-04-12 2012-10-17 神基科技股份有限公司 透明显示装置及其操作方法
CN102832353A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 三星显示有限公司 有机发光结构及形成方法、有机发光显示装置及制造方法
CN104218182A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 群创光电股份有限公司 有机发光装置及其制造方法、以及包含其的影像显示系统
CN105353533A (zh) * 2014-08-20 2016-02-24 群创光电股份有限公司 显示面板及使用其的显示设备
US20160104752A1 (en) * 2014-10-08 2016-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Transparent organic light emitting display device
CN106601768A (zh) * 2016-12-22 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 透明显示装置及其制备方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11264436B2 (en) 2017-07-27 2022-03-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, manufacturing method therefor, display panel and display device
WO2019019564A1 (zh) * 2017-07-27 2019-01-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
US11489095B2 (en) 2017-12-21 2022-11-01 Lumileds Llc Method of addressing an LED array with light intensity adaptive LED sidewalls
US11557703B2 (en) 2017-12-21 2023-01-17 Lumileds Llc Light intensity adaptive LED sidewalls
TWI708385B (zh) * 2017-12-21 2020-10-21 美商亮銳公司 光強度適應性led側壁
US11888100B2 (en) 2017-12-21 2024-01-30 Lumileds Llc LED array with light intensity adaptive LED sidewalls
CN108899349A (zh) * 2018-07-12 2018-11-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法和显示装置
CN108899349B (zh) * 2018-07-12 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法和显示装置
US11387298B2 (en) 2018-07-12 2022-07-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, fabrication method thereof, and display device
CN109239961A (zh) * 2018-08-24 2019-01-18 友达光电股份有限公司 显示器
CN109239961B (zh) * 2018-08-24 2021-09-07 友达光电股份有限公司 显示器
CN109326222A (zh) * 2018-09-28 2019-02-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板及其制备方法、调节方法、显示装置
CN109449185A (zh) * 2018-10-31 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示方法、显示装置
CN109585521B (zh) * 2018-12-29 2019-10-25 成都中电熊猫显示科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109585521A (zh) * 2018-12-29 2019-04-05 成都中电熊猫显示科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110164928A (zh) * 2019-05-16 2019-08-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子设备
WO2020228301A1 (zh) * 2019-05-16 2020-11-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子设备
US11719989B2 (en) 2019-05-16 2023-08-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and electrical apparatus with light transmittance adjustment layer
CN110634936B (zh) * 2019-10-29 2021-12-14 云谷（固安）科技有限公司 有机发光显示屏和显示装置
CN110634936A (zh) * 2019-10-29 2019-12-31 云谷（固安）科技有限公司 有机发光显示屏和显示装置
CN113097269A (zh) * 2021-03-30 2021-07-09 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113097269B (zh) * 2021-03-30 2022-12-02 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114005863A (zh) * 2021-11-01 2022-02-01 业成科技（成都）有限公司 透明显示面板
CN114005863B (zh) * 2021-11-01 2023-09-22 业成科技（成都）有限公司 透明显示面板

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US20210225963A1 (en) 2021-07-22
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US11264436B2 (en) 2022-03-01
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